JP5062959B2 - セラミックス部材及びその製造方法 - Google Patents

セラミックス部材及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5062959B2
JP5062959B2 JP2005090236A JP2005090236A JP5062959B2 JP 5062959 B2 JP5062959 B2 JP 5062959B2 JP 2005090236 A JP2005090236 A JP 2005090236A JP 2005090236 A JP2005090236 A JP 2005090236A JP 5062959 B2 JP5062959 B2 JP 5062959B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
metal member
sintered body
firing
molded body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005090236A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006273586A (ja
Inventor
義政 小林
徹 早瀬
直仁 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Priority to JP2005090236A priority Critical patent/JP5062959B2/ja
Priority to US11/384,153 priority patent/US20060216533A1/en
Priority to KR1020060026077A priority patent/KR100706064B1/ko
Priority to TW095110231A priority patent/TWI322140B/zh
Publication of JP2006273586A publication Critical patent/JP2006273586A/ja
Priority to US12/511,339 priority patent/US20090283933A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5062959B2 publication Critical patent/JP5062959B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/581Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/6303Inorganic additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64Burning or sintering processes
    • C04B35/645Pressure sintering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • C04B37/021Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles in a direct manner, e.g. direct copper bonding [DCB]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5418Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5418Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/608Green bodies or pre-forms with well-defined density
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6581Total pressure below 1 atmosphere, e.g. vacuum
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/77Density
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32Ceramic
    • C04B2237/36Non-oxidic
    • C04B2237/366Aluminium nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40Metallic
    • C04B2237/403Refractory metals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Description

本発明は、セラミックス部材及びその製造方法に関する。
従来、半導体製造装置や液晶製造装置において、セラミックス焼結体に静電電極や抵抗発熱体などの金属部材を埋設させた、静電チャックやヒーターなどのセラミックス部材が使用されている。このようなセラミックス部材は、半導体基板や液晶基板などの基板を載置する基板載置面を有している。近年、基板サイズの大型化や集積度の向上に伴って、これらのセラミックス部材の基板載置面に求められる均熱性は厳しさを増している。
均熱性を阻害する大きな要因の1つに、製造過程において金属部材とセラミックス焼結体が相互に反応してしまうことがある。この相互反応により、金属部材は変質し、その体積抵抗値が変化してしまう。セラミックス焼結体も、金属部材周辺の組織(微構造)が広い範囲で変化してしまい、熱伝導率などの特性が変化してしまう。その結果、得られるセラミックス部材の均熱性が劣化してしまう。
このような課題を解決するために、モリブデンのセラミックス焼結体への拡散を防止する相を金属部材表面に形成する技術(例えば、特許文献1参照)や、金属部材の炭化を抑制する技術(例えば、特許文献2参照)などが提案されている。
特開平11−228244号公報 特開2003−288975号公報
しかしながら、特許文献1記載の技術では、金属部材がセラミックス焼結体に拡散することは防止できるものの、金属部材自体の変質を十分に防止することはできなかった。又、特許文献2記載の技術では、金属部材の炭化は防止できるものの、セラミックス焼結体の変質を十分に防止することはきなかった。その結果、従来のセラミックス部材の均熱性は、近年要求される極めて高い均熱性に対しては不十分であった。
そこで、本発明は、優れた均熱性を有するセラミックス部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明のセラミックス部材は、セラミックス焼結体と、セラミックス焼結体に接して形成された、金属元素を含む金属部材とを備えるセラミックス部材であって、セラミックス焼結体における金属部材周辺の変質層の厚さが300μm以下であることを特徴とする。
セラミックス部材は、セラミックス焼結体と金属部材とが接した状態で、セラミックス焼結体における金属部材周辺の変質層の厚さが300μm以下に抑えられている。これは、セラミックス焼結体と金属部材とが接した状態でも、製造過程における両者の相互反応が十分に抑えられていたためである。よって、セラミックス部材は、セラミックス焼結体及び金属部材両方の変質が抑制されており、優れた均熱性を実現することができる。
金属部材は、セラミックス部材の製造過程における体積抵抗値の変化率が20%以下であることが好ましい。これによれば、金属部材の変質がより一層抑制されているため、セラミックス部材の均熱性を更に向上できる。
金属部材は、4a族元素、5a族元素及び6a族元素の群から選ばれる1種類以上の金属元素を含むことが好ましい。
セラミックス焼結体は、希土類元素及びアルカリ土類元素の群から選ばれる1種類以上の元素を酸化物換算量で10重量%以下含むことが好ましい。これによれば、製造過程におけるセラミックス焼結体と金属部材の相互反応をより一層抑制でき、セラミックス部材の均熱性を更に向上できる。
セラミックス焼結体は、窒化アルミニウムを含むことが好ましい。これによれば、セラミックス焼結体の熱伝導率を向上でき、セラミックス部材の均熱性を更に向上できる。
金属部材は、セラミックス焼結体に埋設されていることが好ましい。これによれば、セラミックス部材の使用環境が腐食性環境や高熱環境の場合であっても、金属部材がそのような環境に直接曝されることを防止できる。そのため、セラミックス部材の耐食性や耐熱性を向上できる。
金属部材は、抵抗発熱体、静電電極、又は、RF電極の少なくとも1つであることが好ましい。金属部材を抵抗発熱体とすることにより、セラミックス部材はヒーターとして機能することができる。金属部材を静電電極とすることにより、セラミックス部材は静電チャックとして機能することができる。金属部材をRF(Radio Frequency)電極とすることにより、セラミックス部材はサセプターとして機能することができる。更に、金属部材を静電電極と抵抗発熱体、あるいは、RF電極と抵抗発熱体とすることにより、セラミックス部材は加熱処理が可能な静電チャックやサセプターとして機能することができる。
本発明のセラミックス部材の製造方法は、セラミックス成形体を作製する成形体作製工程と、金属元素を含む金属部材をセラミックス成形体に接して形成する金属部材形成工程と、セラミックス成形体及び金属部材を焼成する焼成工程とを備える。そして、セラミックス成形体の相対密度が40%以上、焼成工程中1600℃におけるセラミックス焼結体の相対密度が80%以上となるように調整する。更に、焼成工程は、1500〜1700℃の温度範囲において、減圧雰囲気で保持する工程を含んでいる。
セラミックス成形体の相対密度が40%以上、焼成工程中1600℃におけるセラミックス焼結体の相対密度が80%以上となるように調整し、かつ、焼成工程が、1500〜1700℃の温度範囲において、減圧雰囲気で保持する工程を含むことにより、セラミックス成形体と金属部材とが接した状態で焼成を行っても、両者の相互反応を十分に抑えることができる。即ち、セラミックス焼結体及び金属部材両方の変質を抑制することができる。その結果、セラミックス焼結体と、セラミックス焼結体に接して形成された金属部材とを備え、セラミックス焼結体における金属部材周辺の変質層の厚さが300μm以下に抑えられたセラミックス部材を提供することができる。
更に、焼成工程による金属部材の体積抵抗値の変化率を20%以下に抑えることが好ましい。これによれば、金属部材の変質がより一層抑制された、より高い均熱性を有するセラミックス部材を提供できる。
セラミックス成形体の相対密度は、例えば、セラミックス原料粉末の平均粒子径、焼結助剤の種類、焼結助剤の添加量、又は、成形圧力の少なくとも1つを調整することにより調整できる。セラミックス焼結体の相対密度は、例えば、セラミックス原料粉末の平均粒子径、焼結助剤の種類、焼結助剤の添加量、成形圧力、又は、焼成条件の少なくとも1つを調整することにより調整できる。
焼成工程はホットプレス法を用いて行うことが好ましい。これによれば、より低温でセラミックス部材を作製できるため、製造過程におけるセラミックス焼結体と金属部材の相互反応を、より一層抑えることができる。しかも、セラミックス焼結体と金属部材との密着性を向上でき、緻密なセラミックス焼結体を得ることができる。よって、より高い均熱性を有するセラミックス部材を提供できる。
以上説明したように、本発明によれば、優れた均熱性を有するセラミックス部材及びその製造方法を提供することができる、
〔セラミックス部材〕
図1に示すように、セラミックス部材は10、セラミックス焼結体11と、金属部材12とを備える。金属部材12は、セラミックス焼結体11に接して形成されている。セラミックス部材10では、セラミックス焼結体11における金属部材12周辺の変質層11aの厚さtが300μm以下に抑えられている。変質層11aの厚さtは、200μm以下であることが好ましく、100μm以下であることがより好ましい。変質層11aの厚さtは0μmであることが更に好ましい。即ち、セラミックス焼結体11は、変質層11aを有しないことが特に好ましい。
変質層11aとは、セラミックス焼結体11と金属部材12とが反応してできた、セラミックス焼結体11が変質した部分をいう。変質層11aは、セラミックス焼結体11の変質層11a以外の部分と、組織(微構造)や組成が異なっている。より詳細には、変質層11aは、セラミックス焼結体11に金属部材12の成分が拡散した状態、セラミックス焼結体11の主成分以外の成分(例えば、焼結助材など)により生成した粒界相組成が変質層11a以外の部分と異なった状態、または、セラミックス焼結体11の主成分以外の成分(例えば、焼結助材など)により生成した粒界相の分布に偏りがある状態の少なくとも1つとなっている。
このように、セラミックス部材10は、セラミックス焼結体11と金属部材12とが接した状態で、セラミックス焼結体11における金属部材12周辺の変質層11aの厚さtが300μm以下に抑えられている。これは、セラミックス焼結体11と金属部材12とが接した状態でも、製造過程における両者の相互反応が十分に抑えられていたためである。よって、セラミックス部材10は、セラミックス焼結体11及び金属部材12両方の変質が抑制されており、優れた均熱性を実現することができる。
次に、セラミックス焼結体11、金属部材12について詳細に説明する。セラミックス焼結体11は、窒化アルミニウム(AlN)、炭化珪素(SiC)、窒化珪素(Si34)、アルミナ(Al23)、サイアロン(SiAlON)などを含むものを用いることができる。セラミックス焼結体11は、窒化アルミニウムを含むことが好ましい。これによれば、セラミックス焼結体11の熱伝導率を向上でき、セラミックス部材10の均熱性を更に向上できる。
セラミックス焼結体11は、希土類元素及びアルカリ土類元素の群から選ばれる1種類以上の元素を含むことが好ましい。セラミックス焼結体11は、希土類元素として、イットリウム(Y)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、ガドリニウム(Gd)、ジスプロシウム(Dy)、エルビウム(Er)、又は、イッテルビウム(Yb)、サマリウム(Sm)の少なくとも1つを含むことが好ましい。セラミックス焼結体11は、アルカリ土類元素として、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、又は、バリウム(Ba)の少なくとも1つを含むことが好ましい。
セラミックス焼結体11は、希土類元素及びアルカリ土類元素の群から選ばれる1種類以上の元素を酸化物換算量で10重量%以下含むことが好ましい。即ち、セラミックス焼結体11は、希土類元素及びアルカリ土類元素の群から選ばれる1種類以上の元素を、希土類元素酸化物換算量やアルカリ土類酸化物換算量で10重量%以下含むことが好ましい。これによれば、製造過程におけるセラミックス焼結体11と金属部材12との相互反応をより一層抑制でき、セラミックス部材10の均熱性を更に向上できる。
金属部材12は、金属元素を含むものであれば限定されない。例えば、金属部材12として、単独の金属元素で形成されているもの、複数の金属元素で形成されているもの、金属元素の炭化物などを用いることができる。金属部材12は、例えば、周期律表における4a族元素、5a族元素及び6a族元素の群から選ばれる1種類以上の金属元素を含むことができる。
金属部材12は、高融点を持つことが好ましい。例えば、金属部材12は、1650℃以上の融点を持つことが好ましい。これによれば、製造過程におけるセラミックス焼結体11と金属部材12との相互反応をより一層抑制でき、セラミックス部材10の均熱性を更に向上できる。具体的には、金属部材12は、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、これらの合金、又は、これらの炭化物であることが好ましい。合金には、例えば、タングステン−モリブデン合金などがある。炭化物には、例えば、タングステンカーバイド(WC)、炭化モリブデン(MoC)などがある。
又、金属部材12は、セラミックス焼結体11との熱膨張係数の差が5×10−6/K以下であることが好ましい。これによれば、セラミックス焼結体11と金属部材12との密着性を向上できる。更に、セラミックス焼結体11の金属部材12周辺部分にクラックが発生することも防止できる。
更に、金属部材12は、セラミックス部材10の製造過程における体積抵抗値の変化率が20%以下であることが好ましい。これによれば、金属部材12の変質がより一層抑制されているため、セラミックス部材10の均熱性を更に向上できる。
具体的には、セラミックス部材10は、その製造過程に焼成工程を含む。この焼成により、金属部材12の体積抵抗値が変動する場合がある。そのため、準備した焼成前の金属部材12の体積抵抗値を「R1」、焼成後の金属部材12の体積抵抗値を「R2」とした場合、セラミックス部材10の製造過程における体積抵抗値の変化率「Rr」は、以下の(1)式により表すことができる。変化率Rrは、10%以下であることがより好ましく、5%以下であることが更に好ましい。
Rr=|(R2−R1)/R1|×100 (%) (1)
金属部材12は、セラミックス焼結体11に接して形成されていればよい。金属部材12は、図1に示すように、セラミックス焼結体11に埋設されていることが好ましい。これによれば、セラミックス部材10の使用環境が腐食性環境や高熱環境の場合であっても、金属部材12がそのような環境に直接曝されることを防止できる。そのため、セラミックス部材10の耐食性や耐熱性を向上できる。
又、図2に示すセラミックス部材20のように、金属部材22は、セラミックス焼結体21表面上に形成されていてもよい。変質層21aが形成される場合には、セラミックス焼結体21の金属部材22と接している表層部分に形成される。変質層21aの厚さtは300μm以下に抑えられている。変質層21aの厚さtは、200μm以下であることが好ましく、100μm以下であることがより好ましい。そして、セラミックス焼結体21は、変質層21aを有しないことが特に好ましい。
〔セラミックス部材の製造方法〕
このようなセラミックス部材10の製造方法は、例えば、セラミックス成形体を作製する成形体作製工程と、金属元素を含む金属部材をセラミックス成形体に接して形成する金属部材形成工程と、セラミックス成形体及び前記金属部材を焼成する焼成工程とを有することができる。但し、セラミックス成形体の相対密度が40%以上、焼成工程中1600℃におけるセラミックス焼結体の相対密度が80%以上となるように調整する。更に、焼成工程は、1500〜1700℃の温度範囲において、減圧雰囲気で保持する工程を含んでいる。
セラミックス成形体の相対密度が40%以上、焼成工程中1600℃におけるセラミックス焼結体の相対密度が80%以上となるように調整し、かつ、焼成工程が、1500〜1700℃の温度範囲において、減圧雰囲気で保持する工程を含むことにより、セラミックス成形体と金属部材12とが接した状態で焼成を行っても、両者の相互反応を十分に抑えることができる。即ち、このような製造方法により、セラミックス焼結体11及び金属部材12両方の変質を抑制することができる。その結果、セラミックス焼結体11と、セラミックス焼結体11に接して形成された金属部材12とを備え、セラミックス焼結体11における金属部材12周辺の変質層11aの厚さtが300μm以下に抑えられたセラミックス部材10を提供することができる。
次に、各工程について詳細に説明する。成形体作製工程では、セラミックス原料粉末と焼結助剤の混合粉末を調整し、バインダー、水またはアルコール、分散剤などを添加して混合し、スラリーを作製する。スラリーを噴霧造粒法などにより造粒して造粒粉を作製する。造粒粉を、金型成形法、CIP(Cold Isostatic Pressing)法、スリップキャスト法などの成形方法を用いて成形し、セラミックス成形体を作製する。
セラミックス成形体の密度を「D(pr)」とする。焼成工程中1600℃では、セラミックス成形体はセラミックス焼結体へと変化している。そのため、焼成工程中1600℃のセラミックス焼結体の密度を「D(1600)」とする。セラミックス焼結体の理論密度を「D(th)」とした場合、セラミックス成形体の相対密度「Dr(pr)」と、焼成工程中1600℃におけるセラミックス焼結体の相対密度「Dr(1600)」は、それぞれ以下の(2)式及び(3)式により表すことができる。セラミックス成形体の相対密度Dr(pr)は45%以上であることがより好ましい。焼成工程中1600℃におけるセラミックス焼結体の相対密度Dr(1600)は85%以上であることがより好ましく、95%以上であることが更に好ましい。
Dr(pr)={D(pr)/D(th)}×100 (%) (2)
Dr(1600)={D(1600)/D(th)}×100 (%) (3)
セラミックス成形体の相対密度Dr(pr)は、例えば、セラミックス成形体の作製に用いるセラミックス原料粉末の平均粒子径、焼結助剤の種類、焼結助剤の添加量、又は、成形圧力の少なくとも1つを適宜調整することにより、40%以上となるように調整することが好ましい。焼成工程中1600℃におけるセラミックス焼結体の相対密度Dr(1600)は、例えば、セラミックス成形体の作製に用いるセラミックス原料粉末の平均粒子径、焼結助剤の種類、焼結助剤の添加量、又は、焼成条件の少なくとも1つを適宜調整することにより、80%以上となるように調整することが好ましい。焼成条件として、例えば、焼成温度や焼成時間、昇温速度などの焼成スケジュール、焼成雰囲気、焼成方法、減圧雰囲気での保持条件(保持時間、保持温度、圧力)などを調整することができる。例えば、これらは、セラミックス原料粉末の種類などに応じて、適宜調整できる。
セラミックス原料粉末の種類などによっても異なるが、例えば、セラミックス原料粉末の平均粒子径を0.5〜1.5μmに調整することが好ましい。セラミックス原料粉末の平均粒子径は、0.5〜1.0μmに調整することがより好ましい。
焼結助剤は、例えば、希土類元素及びアルカリ土類元素の群から選ばれる1種類以上の元素を含む化合物を用いることができる。例えば、希土類元素として、イットリウム、ランタン、セリウム、ガドリニウム、ジスプロシウム、エルビウム、イッテルビウム、又は、サマリウムの少なくとも1つを含む酸化物を焼結助剤として用いることができる。アルカリ土類元素として、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、又は、バリウムの少なくとも1つを含む酸化物を焼結助剤として用いることが好ましい。焼結助剤の添加量は、10重量%以下であることが好ましい。また、焼結助剤の添加量は、10重量%以下の範囲内で、0.05重量%以上であることがより好ましい。成形圧力は、100〜400kg重/cm2であることが好ましく、150〜200kg重/cm2であることがより好ましい。
又、セラミックス成形体が収縮を開始する収縮開始温度は、セラミックス原料粉末の種類、粒径、焼結助剤の種類、焼結助剤の添加量に応じてほぼ決まる。収縮開始温度がより低温となるように、セラミックス原料粉末の粒径、焼結助剤の種類、又は、焼結助剤の添加量の少なくとも1つを調整することが好ましい。収縮開始温度をより低温とすることにより、セラミックス成形体と金属部材とが接した状態で焼成を行っても、両者の相互反応を十分に抑えることができる。例えば、セラミックス原料粉末として窒化アルミニウムを用いる場合には、収縮開始温度が1300〜1500℃、より好ましくは1300〜1400℃程度となるように、セラミックス原料粉末の粒径や焼結助剤の種類、焼結助剤の添加量などを調整することが好ましい。
金属部材12をセラミックス成形体に接して形成する方法は限定されない。例えば、金属部材材料の粉末、例えば、金属粉末や金属炭化物粉末を含む印刷ペーストを作製する。そして、セラミックス成形体上に、印刷ペーストをスクリーン印刷法などにより印刷することにより金属部材12を形成できる。この場合、印刷ペーストに、セラミックス原料粉末を混合することが好ましい。これによれば、金属部材12とセラミックス焼結体11との熱膨張係数を近づけることができ、両者の密着性を向上できる。
又、セラミックス成形体上に、線状、コイル状、帯状、メッシュ状、穴あき状などのバルク体の金属部材12や、シート状の金属部材12(金属箔)を載置することによっても、金属部材12を形成できる。あるいは、セラミックス成形体上に物理的蒸着法や化学的蒸着法により金属部材12の薄膜を形成してもよい。
尚、成形体作製工程と金属部材形成工程とは、同時に行うことができる。例えば、上記したようにセラミックス成形体を作製する。セラミックス成形体上に金属部材12を形成し、金属部材12上に更にセラミックス成形体を作製する。これにより、金属部材12が埋設されたセラミックス成形体を作製できる。このようにして、セラミックス成形体の作製と金属部材12の形成を同時に行うことができる。この場合も、最終的に得られる金属部材12が埋設されたセラミックス成形体の相対密度40%以上、焼成工程中1600℃におけるセラミックス焼結体の相対密度が80%以上となるように調整する。
あるいは、バルク体の金属部材12上にセラミックス成形体を形成することにより、セラミックス成形体の作製と金属部材12の形成を同時に行うことができる。例えば、金型にバルク体の金属部材12を収容し、金属部材12の上方から造粒粉を充填して、金型成形を行うことができる。
セラミックス成形体及び金属部材の焼成工程では、セラミックス成形体及び金属部材を、1500〜1700℃の温度範囲において、減圧雰囲気で、一度、保持するようにする。例えば、1500〜1700℃の温度範囲における一定の温度で、一定の時間、セラミックス成形体及び金属部材を、減圧雰囲気で保持することができる。あるいは、1500〜1700℃の温度範囲における昇温速度を遅くすることにより、セラミックス成形体及び金属部材を、減圧雰囲気で保持することができる。減圧雰囲気における保持時間は、10時間以下であることが好ましく、0.5〜5時間であることがより好ましい。
減圧雰囲気は1×10-2 Torr以下であることが好ましく、1×10-3Torr以下であることがより好ましい。更に、減圧雰囲気に保持する温度は、1500〜1600℃であることがより好ましい。
この1500〜1700℃の温度範囲における減圧雰囲気での保持以外の焼成条件については、セラミックス成形体及び金属部材を、セラミックス原料粉末の種類に応じた焼成条件を用いることができる。例えば、焼成条件として、セラミックス原料粉末の種類に応じた、焼成温度や焼成時間、昇温速度などの焼成スケジュール、焼成雰囲気、焼成方法などを用いることができる。例えば、セラミックス原料粉末が窒化アルミニウムの場合、焼成雰囲気は、アルゴンガスや窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気や、減圧雰囲気とすることができる、又、焼成温度は、1700〜2200℃とすることができる。焼成温度は、1750〜2100℃であることがより好ましい。
焼成方法は、常圧焼結法やホットプレス法を用いることができる。焼成は、ホットプレス法を用いて行い、セラミックス焼結体11と金属部材12の一体焼結体とすることが好ましい。これによれば、より低温で焼結することができ、より低温でセラミックス部材を作製できる。そのため、製造過程におけるセラミックス焼結体11と金属部材12の相互反応を、より一層抑えることができる。しかも、セラミックス焼結体11と金属部材12との密着性を向上でき、緻密なセラミックス焼結体11を得ることができる。よって、より高い均熱性を有するセラミックス部材10を提供できる。ホットプレス法により加える圧力は、50kg重/cm2以上であることが好ましい。
更に、焼成工程による金属部材12の体積抵抗値の変化率Rrを20%以下に抑えることが好ましい。これによれば、金属部材12の変質がより一層抑制された、より高い均熱性を有するセラミックス部材10を提供できる。変化率Rrは、10%以下であることがより好ましく、5%以下であることが更に好ましい。例えば、焼成温度や焼成時間、昇温速度などの焼成スケジュール、焼成雰囲気、減圧雰囲気での保持条件(保持時間、保持温度、圧力)などの焼成条件を、適宜調整することにより、体積抵抗値の変化率Rrを20%以下に抑えることができる。
以上説明したセラミックス部材は、高い均熱性が要求される様々なセラミックス部材に適用できる。次に、セラミックス部材の具体例について説明する。
〔ヒーター〕
図3に示すように、ヒーター30は、基体31と、抵抗発熱体32と、管状部材33と、給電部材34とを備える。ヒーター30は、半導体基板や液晶基板などの基板を載置する基板載置面30aを有している。ヒーター30は、基板載置面30a上に載置された基板を加熱する。
基体31は、セラミックス焼結体である。抵抗発熱体32は、金属部材である。抵抗発熱体32は、基体31に埋設されている。そして、基体31における抵抗発熱体32周辺の変質層の厚さが300μm以下に抑えられている。
抵抗発熱体32は、給電部材34と接続する。抵抗発熱体32は、給電部材34を介して電力供給を受けて発熱し、基板載置面31aの温度を上昇させる。抵抗発熱体32のパターン形状は限定されず、例えば、図3(b)に示すような複数の折り返し部32aを有する形状や、渦巻状、メッシュ状などとすることができる。更に、抵抗発熱体32は、1つであってもよく、複数に分割されたものであってもよい。例えば、基板載置面30aの中心部と円周部の2つの領域に分割された抵抗発熱体とすることができる。
管状部材33は、基体31を支持する。又、管状部材33は、その内部に給電部材34を収容する。管状部材33は、基体31の裏面30bに接合されている。管状部材33は、例えば、基体31と同様にセラミックス焼結体で形成することができる。
このようなヒーター30によれば、基体31及び抵抗発熱体32両方の変質が抑制されている。よって、基体31の熱伝導率や、抵抗発熱体32の体積抵抗値といった特性を維持することができる。よって、ヒーター30は、基板載置面30a全体に渡って均一な温度を確保でき、優れた均熱性を有することができる。そのため、近年、求められている厳しい均熱性にも対応できる。
〔静電チャック〕
図4に示すように、静電チャック40は、基体41と、静電電極42と、誘電体層43と、給電部材44とを備える。静電チャック40は、基板載置面40aを有し、基板載置面40a上に載置された基板を吸着して保持する。
基体41及び誘電体層43は、セラミックス焼結体である。静電電極42は、金属部材である。静電電極42は、基体41と誘電体層43との間に埋設されている。そして、基体41及び誘電体層43における静電電極42周辺の変質層の厚さが300μm以下に抑えられている。
静電電極42は、給電部材44と接続する。静電電極42は、給電部材44を介して電力供給を受けて、静電吸着力を発生させる。静電電極42のパターン形状は限定されず、円形、半円形、メッシュ状(金網)、櫛歯形状、孔あき形状(パンチングメタル)などとすることができる。更に、静電電極42は、1つの単極型でもよく、2つの双極型でもよく、それ以上に分割されたものであってもよい。
このような静電チャック40によれば、基体41、誘電体層43及び静電電極42の変質が抑制されている。よって、基体41及び誘電体層43の熱伝導率、誘電体層43の体積抵抗値、静電電極42の体積抵抗値といった特性を維持することができる。よって、静電チャック40は、基板載置面40a全体に渡って均一な温度と静電吸着力を確保でき、優れた均熱性と吸着特性を有することができる。
尚、静電チャック40は、更に、抵抗発熱体を備えることにより、加熱処理が可能な静電チャックとして機能することができる。又、図4において、静電電極42をRF(Radio Frequency)電極とすることにより、セラミックス部材はサセプターとして機能することができる。RF電極は、電力供給を受けて反応ガスを励起させる。具体的には、RF電極は、エッチングやプラズマCVDなどにおいて用いられる、ハロゲン系の腐食性ガスや成膜用ガスなどを励起させることができる。この場合も、サセプターは、更に、抵抗発熱体を備えることにより、加熱処理が可能なサセプターとして機能することができる。
次に、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に何ら限定されるものではない。
(実施例1〜5、比較例1)
まず、純度99.9重量%の窒化アルミニウム粉末を表1に示す各平均粒子径に調整した。窒化アルミニウム粉末95重量%に、焼結助剤として平均粒子径1.3μm、純度99.9重量%のイットリア粉末5重量%を加え、ボールミルを用いて混合した。得られた混合粉末に、バインダー(PVA)及びイソプロピルアルコール(IPA)を添加して混合し、スラリーを作製した。スラリーを噴霧造粒法により造粒し、造粒粉を作製した。
金型に造粒粉を充填し、金型成型法によりセラミックス成形体として窒化アルミニウム成形体を作製した。窒化アルミニウム成形体上に、金属部材としてコイル状のモリブデンを載置した。窒化アルミニウム成形体及びモリブデン上に造粒粉を充填し、金型成形法によりモリブデンが埋設された窒化アルミニウム成形体を作製した。具体的には、直径50mm、厚さ10mmの円盤状の窒化アルミニウム成形体を作製した。
実施例1〜5については、モリブデンが埋設された窒化アルミニウム成形体を焼成炉に収容し、1×10-3Torrの減圧雰囲気において1600℃で1時間保持した。その後、焼成炉に窒素ガスを導入して1750℃まで昇温し、1750℃で4時間保持した。焼成方法は、ホットプレス法を用い、100kg重/cm2で加圧した。このようにして、窒化アルミニウム焼結体にモリブデンが埋設されたセラミックス部材を作製した。比較例1については、減圧雰囲気における保持を行わない以外は実施例1〜5と同様にして、即ち、窒素ガス中、1750℃で、ホットプレス法により焼成した。
窒化アルミニウム成形体の密度D(pr)、1600℃における窒化アルミニウム焼結体の密度D(1600)を測定し、(2)式及び(3)式によりセラミックス成形体の相対密度Dr(pr)および焼成工程中1600℃におけるセラミックス焼結体の相対密度Dr(1600)を求めた。尚、窒化アルミニウム焼結体の理論密度は、窒化アルミニウムの理論密度と、原料の窒化アルミニウム粉末に含まれる不純物酸素量から換算したアルミナ量と、焼結助剤であるイットリア粉末から生成する化合物の理論密度を用いて、線形複合則により算出した。又、モリブデン周辺を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察し、モリブデン周辺の変質層の厚さを測定した。更に、焼成前のモリブデンの体積抵抗値R1、焼成後のモリブデンの体積抵抗値R2を測定し、(1)式によりモリブデンの体積抵抗値の変化率Rrを求めた。評価結果を表1に示す。又、実施例5及び比較例1のセラミックス部材のモリブデン周辺の観察結果を図5、図6に示す。
表1に示すように、窒化アルミニウム粉末の平均粒子径を0.5〜1.5μmに調整し、セラミックス成形体の相対密度を40%以上とした実施例1〜5の窒化アルミニウム焼結体は、焼成工程中1600℃における相対密度が80%以上となっていた。そして、焼成工程中1600℃における窒化アルミニウム焼結体の相対密度を80%以上に調整し、減圧雰囲気において1600℃で保持した実施例1〜5のセラミックス部材は、変質層の厚さが300μm以下に抑えられており、窒化アルミニウム焼結体及びモリブデン両者の変質が十分に抑制されていた。しかも、実施例1〜5のモリブデンはいずれも、体積抵抗値の変化率が20%以下に抑えられていた。
特に、窒化アルミニウム粉末の平均粒子径を0.5〜1.0μmに調整した実施例4,5のセラミックス部材は、焼成工程中1600℃におけるセラミックス焼結体の相対密度が95%以上に達していた。その結果、変質層の厚さが100μm以下、体積抵抗値の変化率が5%以下に抑えられており、窒化アルミニウム焼結体及びモリブデンの変質が非常に抑制されていた。特に、実施例5は、図5にも示されるように変質層が形成されておらず、窒化アルミニウム焼結体及びモリブデンの変質がほとんど生じていかなった。
これに対し、比較例1の窒化アルミニウム成形体の相対密度は、40%未満であり、焼成工程中1600℃におけるセラミックス焼結体の相対密度が80%未満であった。更に、減圧雰囲気における保持を行わなかった比較例1のセラミックス部材は、変質層の厚さが650μmを越えており、窒化アルミニウム焼結体及びモリブデン両者の変質が著しかった。図6にも示されるように、粒界相が多く存在する場所と非常に少なくなっている場所があり、広範囲に渡って変質層が形成されていた。更に、比較例1のモリブデンは、焼成により大幅に炭化されてしまい、体積抵抗値の変化率が25%に達していた。
本発明の実施の形態に係るセラミックス部材を示す断面図である。 本発明の実施の形態に係る他のセラミックス部材を示す断面図である。 本発明の実施の形態に係るヒーターの(a)1a−1a断面図及び(b)平面図である。 本発明の実施の形態に係る静電チャックの(a)2a−2a断面図及び(b)平面図である。 実施例5のモリブデン周辺のSEM観察結果を示す図面代用写真である。 比較例1のモリブデン周辺のSEM観察結果を示す図面代用写真である。
符号の説明
10,20 セラミックス部材
11,21 セラミックス焼結体
11a,21a 変質層
12,22 金属部材
30 ヒーター
31,41 基体
32 抵抗発熱体
33 管状部材
34,44 給電部材
40 静電チャック
42 静電電極
43 誘電体層

Claims (10)

  1. 窒化アルミニウムを含むセラミックス焼結体と、
    該セラミックス焼結体に接して形成された、金属元素を含む金属部材と
    を備えるセラミックス部材であって、
    前記セラミックス部材は、前記金属部材を前記セラミック焼結体に焼成する前のセラミックス成形体に接して形成したあと前記セラミックス成形体及び前記金属部材を焼成することにより得られたものであり、
    前記セラミックス焼結体における前記金属部材周辺のセラミックスを主成分とする変質層の厚さが300μm以下であることを特徴とするセラミックス部材。
  2. 前記金属部材は、前記セラミックス部材の製造過程における体積抵抗値の変化率が20%以下であることを特徴とする請求項1に記載のセラミックス部材。
  3. 前記金属部材は、4a族元素、5a族元素及び6a族元素の群から選ばれる1種類以上の金属元素を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のセラミックス部材。
  4. 前記セラミックス焼結体は、希土類元素及びアルカリ土類元素の群から選ばれる1種類以上の元素を酸化物換算量で10重量%以下含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のセラミックス部材。
  5. 前記金属部材は、前記セラミックス焼結体に埋設されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のセラミックス部材。
  6. 前記金属部材は、抵抗発熱体、静電電極、又は、RF電極の少なくとも1つであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のセラミックス部材。
  7. 窒化アルミニウムを含むセラミックス成形体を作製する成形体作製工程と、
    金属元素を含む金属部材を前記セラミックス成形体に接して形成する金属部材形成工程と、
    前記セラミックス成形体及び前記金属部材を焼成する焼成工程とを備え、
    前記セラミックス成形体の相対密度が40%以上、前記焼成工程中1600℃におけるセラミックス焼結体の相対密度が80%以上となるように調整し、
    前記焼成工程は、1500〜1700℃の温度範囲において、減圧雰囲気で保持し、その後、1750〜2100℃の温度範囲において、不活性ガス雰囲気又は減圧雰囲気で焼成する工程である、セラミックス部材の製造方法。
  8. 前記焼成工程による前記金属部材の体積抵抗値の変化率が20%以下であることを特徴とする請求項7に記載のセラミックス部材の製造方法。
  9. セラミックス原料粉末の平均粒子径、焼結助剤の種類、焼結助剤の添加量、又は、成形圧力の少なくとも1つを調整することにより前記セラミックス成形体の相対密度を調整し、セラミックス原料粉末の平均粒子径、焼結助剤の種類、焼結助剤の添加量、成形圧力、又は、焼成条件の少なくとも1つを調整することにより前記セラミックス焼結体の相対密度を調整することを特徴とする請求項7又は8に記載のセラミックス部材の製造方法。
  10. 前記焼成工程は、ホットプレス法を用いて行うことを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載のセラミックス部材の製造方法。
JP2005090236A 2005-03-25 2005-03-25 セラミックス部材及びその製造方法 Active JP5062959B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005090236A JP5062959B2 (ja) 2005-03-25 2005-03-25 セラミックス部材及びその製造方法
US11/384,153 US20060216533A1 (en) 2005-03-25 2006-03-17 Ceramic member and method for producing the same
KR1020060026077A KR100706064B1 (ko) 2005-03-25 2006-03-22 세라믹스 부재 및 그 제조 방법
TW095110231A TWI322140B (en) 2005-03-25 2006-03-24 Ceramic member and method for producing the same
US12/511,339 US20090283933A1 (en) 2005-03-25 2009-07-29 Ceramic member and method for producing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005090236A JP5062959B2 (ja) 2005-03-25 2005-03-25 セラミックス部材及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006273586A JP2006273586A (ja) 2006-10-12
JP5062959B2 true JP5062959B2 (ja) 2012-10-31

Family

ID=37035568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005090236A Active JP5062959B2 (ja) 2005-03-25 2005-03-25 セラミックス部材及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20060216533A1 (ja)
JP (1) JP5062959B2 (ja)
KR (1) KR100706064B1 (ja)
TW (1) TWI322140B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016018906A (ja) * 2014-07-09 2016-02-01 日本特殊陶業株式会社 電極埋設体

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080318071A1 (en) * 2007-06-21 2008-12-25 Moen Incorporated Metallic coating on substrate
JP5345583B2 (ja) * 2009-04-07 2013-11-20 日本碍子株式会社 静電チャック
JP5744482B2 (ja) * 2010-11-10 2015-07-08 日本特殊陶業株式会社 セラミックヒータ素子の製造方法およびグロープラグの製造方法
KR101231356B1 (ko) * 2010-12-24 2013-02-07 엘지이노텍 주식회사 열간 가압 소결 장치 및 이를 이용한 서셉터 제조 방법
JP6140955B2 (ja) * 2011-12-21 2017-06-07 日本特殊陶業株式会社 セラミックヒータの製造方法
US11289355B2 (en) 2017-06-02 2022-03-29 Lam Research Corporation Electrostatic chuck for use in semiconductor processing
US10399905B2 (en) * 2017-08-31 2019-09-03 Corning Incorporated Ceramic housing with texture
JP6867550B2 (ja) 2018-11-19 2021-04-28 日本特殊陶業株式会社 保持装置および保持装置の製造方法
CN112146439B (zh) * 2020-09-25 2021-10-22 同济大学 一种高温高压气液联合烧结装置和烧结方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2829247B2 (ja) * 1994-09-05 1998-11-25 株式会社東芝 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP3338593B2 (ja) * 1995-09-19 2002-10-28 日本碍子株式会社 半導体処理装置およびその製造方法
JP3457495B2 (ja) * 1996-03-29 2003-10-20 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム焼結体、金属埋設品、電子機能材料および静電チャック
JP3670444B2 (ja) * 1997-06-06 2005-07-13 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム基複合体、電子機能材料、静電チャックおよび窒化アルミニウム基複合体の製造方法
JP4641569B2 (ja) * 1998-07-24 2011-03-02 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム質焼結体、耐蝕性部材、金属埋設および半導体保持装置
JP2001319966A (ja) * 2000-05-09 2001-11-16 Ibiden Co Ltd 静電チャック
WO2001086717A1 (fr) * 2000-05-10 2001-11-15 Ibiden Co., Ltd. Mandrin electrostatique
CN1460094A (zh) * 2001-04-12 2003-12-03 揖斐电株式会社 陶瓷接合体、其制造方法以及半导体晶片用陶瓷结构体
JP2003136027A (ja) * 2001-11-01 2003-05-13 Ngk Insulators Ltd 半導体製造装置中で使用するためのセラミック部材を洗浄する方法、洗浄剤および洗浄剤の組み合わせ
JP3888531B2 (ja) * 2002-03-27 2007-03-07 日本碍子株式会社 セラミックヒーター、セラミックヒーターの製造方法、および金属部材の埋設品
JP2003313078A (ja) * 2002-04-18 2003-11-06 Taiheiyo Cement Corp 窒化アルミニウム焼結体およびそれを用いた静電チャック
JP3808407B2 (ja) * 2002-07-05 2006-08-09 住友大阪セメント株式会社 電極内蔵型サセプタ及びその製造方法
JP4386695B2 (ja) * 2002-11-14 2009-12-16 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP3975944B2 (ja) * 2003-02-27 2007-09-12 住友電気工業株式会社 半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置
WO2005069690A1 (ja) * 2003-12-24 2005-07-28 Kyocera Corporation セラミックヒータ及びその製造方法
US7163502B2 (en) * 2005-02-14 2007-01-16 Thiele Technologies, Inc. Carton erecting apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016018906A (ja) * 2014-07-09 2016-02-01 日本特殊陶業株式会社 電極埋設体

Also Published As

Publication number Publication date
KR100706064B1 (ko) 2007-04-13
US20090283933A1 (en) 2009-11-19
KR20060103141A (ko) 2006-09-28
JP2006273586A (ja) 2006-10-12
TW200640826A (en) 2006-12-01
US20060216533A1 (en) 2006-09-28
TWI322140B (en) 2010-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5062959B2 (ja) セラミックス部材及びその製造方法
JP4467453B2 (ja) セラミックス部材及びその製造方法
JP4648030B2 (ja) イットリア焼結体、セラミックス部材、及び、イットリア焼結体の製造方法
US7250215B2 (en) Aluminum nitride sintered body containing carbon fibers and method of manufacturing the same
JP4987238B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体、半導体製造用部材及び窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP2009173537A (ja) 高純度・低比抵抗の静電チャック
JP4879929B2 (ja) 静電チャック及びその製造方法
US10322934B2 (en) Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board using the same
JP2009215154A (ja) 酸化イットリウム材料、半導体製造装置用部材及び酸化イットリウム材料の製造方法
KR100445050B1 (ko) 질화알루미늄 소결체 및 반도체 제조장치용 부재
JP4514379B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体及び半導体製造装置用部材
JP4804046B2 (ja) 窒化アルミニウム質セラミックス、半導体製造部材及び窒化アルミニウム質セラミックスの製造方法
EP0905106A2 (en) Aluminum nitride sintered body, electronic functional material, and electrostatic chuck
KR20030043701A (ko) 질화알루미늄질 세라믹스, 반도체 제조용 부재, 내식성부재 및 도전성 부재
JP4641758B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびそれを用いた静電チャック
JP4181359B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体、及びその製造方法、並びに窒化アルミニウム焼結体を用いた電極内蔵型サセプタ
KR20230124135A (ko) 내플라즈마성 세라믹 히터 플레이트 제조방법, 이를 통해 제조된 내플라즈마성 세라믹 히터 플레이트 및 이를 포함하는 반도체 유지장치
KR20230120209A (ko) 세라믹 히터 플레이트 제조방법, 이를 통해 제조된 세라믹 히터 플레이트 및 이를 포함하는 반도체 유지장치
JP2009234828A (ja) 半導体製造用部品およびその製法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071114

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20090629

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20090715

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101005

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110510

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110708

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111227

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120807

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120807

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5062959

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150817

Year of fee payment: 3