JP2010114416A - ウエハ載置台及びその製法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウエハ載置台の製法は、まず、緻密な第1アルミナ焼結体21の片面を表面平坦度が10μm以下となるように研磨し、該研磨した面に電極ペースト23を印刷する。続いて、第1アルミナ焼結体21のうち電極ペースト23を印刷した面上に、平均粒径が0.2μm以下のアルミナ粉末を成形してアルミナ成形体としたあと、1250〜1350℃の温度でホットプレス焼結を行う。こうすることにより、第1アルミナ焼結体21上のアルミナ成形体を焼成して支持体層12としての緻密な第2アルミナ焼結体とすると共に電極ペースト23を焼成して平板電極13とすることができる。そして、第1アルミナ焼結体21のうち第2アルミナ焼結体とは反対側の面を研磨してウエハ載置面とする。
【選択図】図1
Description
ウエハを載置可能なウエハ載置台であって、
緻密なアルミナ焼結体である支持体層と、
前記支持体層に積層され、緻密なアルミナ焼結体である誘電体層と、
前記支持体層と前記誘電体層との間に配置された平板電極と、
前記誘電体層のうち前記支持体層とは反対側の面であり前記平板電極までの厚みのバラツキを表す厚み変動度が100μm以下であるウエハ載置面と、
を備え、
前記支持体層におけるアルミナの平均粒径が0.5〜4μmであり、前記支持体層におけるアルミナの平均粒径に対する前記誘電体層におけるアルミナの平均粒径の比が5〜40である、
ものである。
(a)アルミナ粉末を1600℃以上融点未満の温度で焼成することにより緻密な第1アルミナ焼結体を作製する工程と、
(b)該第1アルミナ焼結体の片面を表面平坦度が10μm以下となるように研磨する工程と、
(c)該研磨した面に電極ペーストを印刷する工程と、
(d)前記第1アルミナ焼結体のうち前記電極ペーストを印刷した面上に、平均粒径が0.2μm以下のアルミナ粉末を成形してアルミナ成形体としたあと、1250〜1350℃の温度でホットプレス焼結を行うことにより、前記第1アルミナ焼結体上の前記アルミナ成形体を焼成して前記支持体層としての緻密な第2アルミナ焼結体とすると共に前記電極ペーストを焼成して平板電極とする工程と、
(e)前記第1アルミナ焼結体のうち前記第2アルミナ焼結体とは反対側の面を研磨してウエハ載置面とすることにより、該ウエハ載置面から前記平板電極までの厚みのバラツキを表す厚み変動度が100μm以下のウエハ載置台を得る工程と、
を含むものである。
(a)アルミナ粉末を1600℃以上融点未満の温度で焼成することにより緻密な第1アルミナ焼結体を作製する工程と、
(b)該第1アルミナ焼結体の片面を表面平坦度が10μm以下となるように研磨する工程と、
(c)該研磨した面に電極ペーストを印刷する工程と、
(d)前記第1アルミナ焼結体のうち前記電極ペーストを印刷した面上に、平均粒径が0.3μm以下のアルミナ粉末とフッ化物との混合粉末を成形してアルミナ成形体としたあと、1000〜1300℃の温度でホットプレス焼結を行うことにより、前記第1アルミナ焼結体上の前記アルミナ成形体を焼成して前記支持体層としての緻密な第2アルミナ焼結体とすると共に前記電極ペーストを焼成して平板電極とする工程と、
(e)前記第1アルミナ焼結体のうち前記第2アルミナ焼結体とは反対側の面を研磨してウエハ載置面とすることにより、該ウエハ載置面から前記平板電極までの厚みのバラツキを表す厚み変動度が100μm以下のウエハ載置台を得る工程と、
を含むものである。
(a)第1アルミナ焼結体の作製
セラミックス原料粉として、純度99.5%のアルミナ粉末(平均粒径1μm)と焼結助剤であるMgO原料粉を使用した。なお、セラミックス原料粉中のMgOの含有量は0.04wt%とした。このセラミックス原料粉にバインダであるポリビニルアルコール(PVA)、水、及び分散剤を添加し、トロンメルで16時間混合し、スラリーを作製した。得られたスラリーを、スプレードライヤを用いて噴霧乾燥し、平均粒径約80μmの造粒顆粒を作製した。この造粒顆粒を室温から500℃まで昇温し、500℃で5時間保持してバインダを除去した。次に、上記顆粒をゴム型に入れCIP(Cold Isostatic Pressing)装置により、1ton/cm2の圧力をかけてアルミナ成形体を作製した。このアルミナ成形体を乾燥した後、カーボン製のサヤの上下にシリンダが挿入されたホットプレス用金型にアルミナ成形体をセットし、ホットプレス焼成法を用いて焼成した(一次焼成)。焼成条件は、100kg/cm2の加圧下で、室温から500℃までは10℃/hで昇温し、500℃から1650℃まで30℃/hで昇温し、1650℃で4時間保持した。こうして、第1アルミナ焼結体を得た。この第1アルミナ焼結体の気孔率は0%であった。
次に、第1アルミナ焼結体を研削加工し、直径320mm、厚さ4mmの円盤を作製した。この際、一方の面を研削加工により、表面粗さRaが0.8μm以下で表面平坦度が10μm以下の平滑面とした。
平均粒径0.1μmのアルミナ粉末15重量部と平均粒径0.2μmの炭化タングステン(WC)粉末85重量部、バインダであるエチルセルロース1重量部、蒸留水2重量部を混合し、電極ペーストを作製し、スクリーン印刷法により、第1アルミナ焼結体の平滑面上に直径295mm、厚さ20μmの電極パターンを形成し、乾燥させた。
その後、成形用金型に、先ほどの電極パターンが形成された第1アルミナ焼結体をセットし、別途用意した純度99.5% 平均粒径0.1μmのアルミナ粉末を充填し、200kg/cm2の圧力でプレス成形を行った。これにより、第1アルミナ焼結体のうち電極パターンを形成した面上にアルミナ成形体が積層された。続いて、カーボン製のサヤの上下にシリンダが挿入されたホットプレス用金型に、アルミナ成形体が積層された第1アルミナ焼結体をセットし、ホットプレス焼成法を用いて焼成した(二次焼成)。この焼成は、100kg/cm2の加圧下で、かつ窒素加圧雰囲気(150kPa)で行い、300℃/hで昇温し、1300℃で2時間保持した。こうして、アルミナ成形体を第2アルミナ焼結体すなわち支持体層にすると共に電極パターンを焼成してアルミナ焼結体中に埋設して平板電極とした。この第2アルミナ焼結体の気孔率は0%、平板電極の界面せん断強度は180〜220MPaであった(表3の試験1参照)。
その後、第1アルミナ焼結体のうち第2アルミナ焼結体とは反対側の面をダイヤモンド砥石にて平面研削加工を行い、第1アルミナ焼結体の厚み、すなわち埋設した平板電極からウエハ載置面までの平均厚みが0.35mmとなるように研削し、誘電体層とした。このときの厚みは渦電流式膜厚計を用いて測定した。また、ウエハ載置面の表面粗さRaが0.5μm以下で表面平坦度が10μm以下となるように研磨した。さらに、第1及び第2アルミナ焼結体の側面を研削して焼結体の直径を298mmにするとともに、第2アルミナ焼結体の裏面中央から平板電極に至る挿通穴をあけ、その挿通穴の内周を覆う円筒部の取り付けと、平板電極の端子の引き出しを行い、静電チャックを完成した。この静電チャックの厚み変動度を測定したところ、60μmであった。
・厚み変動度:ウエハ載置台をウエハ載置面に垂直に切断し、その断面を工学顕微鏡で観察し、ウエハ載置面から平板電極までの厚みを測定した。測定点は図3に示す49点とし、測定した厚みの最大値から最小値を引いた差を厚み変動度とした。
・表面平坦度:図3に示す49点を測定点とし、各測定点における表面の座標を使って最小2乗法で仮想基準面を作成し、各測定点と仮想基準面との変位(距離)の最大値(正の値)から最小値(負の値)を引いた差を表面平坦度とした。
・気孔率:アルキメデス法により測定した。
・アルミナ焼結体におけるアルミナの平均粒径:厚み変動度を測定した試料の断面を研磨加工し、1%硝酸溶液に3秒漬けて粒界エッチングを施し、走査型電子顕微鏡にて撮影した写真において100μm長さの直線20本を横切る粒子の数に基づいてインターセプト法にて粒径を算出し、その平均値を平均粒径とした。インターセプト法については、J. Am. Ceram. Soc., vol.52, p443-446(1969)を参照。
・アルミナ粉末の平均粒径:レーザー回折法で測定した。
・電極材量の平均粒径:レーザー回折法で測定した。
・界面せん断強度:印刷電極を含む誘電体層と支持体層の界面せん断強度をマイクロドロプレット法により測定した。測定装置は複合材界面特性評価装置(東栄産業社製)を使用した。尚、製作した静電チャックから、φ9.9mm、厚さ4mmの円盤を切り出し、界面せん断強度の測定を行った。
実施例2〜4では、第2アルミナ焼結体を作製する際のアルミナの平均粒径と焼成温度を表1に示す値に変更した以外は、実施例1と同様にして静電チャックを作製した。
比較例1〜5では、第2アルミナ焼結体を作製する際のアルミナの平均粒径と焼成温度を表1に示す値に変更した以外は、実施例1と同様にして静電チャックを作製した。
実施例1〜4及び比較例1〜5につき、支持体層の気孔率と静電チャックの厚み変動度を測定し、気孔率が0%で且つ厚み変動度が100μm(0.1mm)以下のものを総合評価で良好(○)とし、気孔率が1%以上か又は厚み変動度が100μmを超えるものを総合評価で不良(×)とした。その結果を表1に示す。表1中、平均粒径の比率は、支持体層におけるアルミナの平均粒径に対する前記誘電体層におけるアルミナの平均粒径の比である。表1から明らかなように、実施例1〜4では総合評価が良好であったが、比較例1〜5では総合評価が不良であった。実施例1〜4では、二次焼成で、第1アルミナ焼結体のうち電極ペーストを印刷した面上に、平均粒径が0.2μm以下のアルミナ粉末を成形してアルミナ成形体としたあと、1250〜1350℃の温度でホットプレス焼結を行ったが、アルミナ粉末の粒径が細かいため第2アルミナ焼結体は十分に緻密化したと考えられる。また、第1アルミナ焼結体は一次焼成で1600℃で焼結したものであるため、それより250℃以上低い二次焼成の焼成温度では再焼結することはほとんどなく、その結果、二次焼成時に第1アルミナ焼結体が変形したり平板電極にうねりが生じたりすることがなく、厚み変動度が100μm以下になったと考えられる。これに対して、比較例1,2では、二次焼成の温度が高すぎて第1アルミナ焼結体が変形し平板電極にうねりが生じた結果、厚み変動度が100μmを超えたと考えられる。また、比較例3,5では、二次焼成時のアルミナ原料粉末の粒径が大きすぎたため、1300℃では十分焼結せず、第2アルミナ焼結体の緻密化が不十分になったと考えられる。比較例4では、二次焼成時のアルミナ原料粉末の粒径は小さかったものの焼成温度が低すぎたため、第2アルミナ焼結体の緻密化が不十分になったと考えられる。なお、実施例1〜4では、支持体層におけるアルミナの平均粒径が1.5〜4μmであり、支持体層におけるアルミナの平均粒径に対する誘電体層におけるアルミナの平均粒径の比が5〜13.3であった。
実施例5〜28の静電チャックの作製条件を表2に示す。これらの実施例では、誘電体層となる第1アルミナ焼結体は実施例1と同じ方法で作製し、平板電極も実施例1と同じ組成、方法で作成した。一方、支持体層となる第2アルミナ焼結体は、アルミナ粉末に焼結助剤としてフッ化物を混合したものを用いて成形後、焼成することにより作製した。具体的には、表2に示すフッ化物とアルミナ粉末とを湿式スラリー混合し、噴霧造粒法で造粒してフッ化物混合粉末とした。このフッ化物混合粉末を用いて、表2に示す二次焼成時の焼成温度で焼結させた。そのほかはすべて実施例1と同じ条件で作成した。表2に示すように、実施例5〜28では、フッ化物を焼結助剤として加えることによって、実施例1〜4と比べてより低温の焼成温度で実施例1〜4と同等の静電チャックを得ることができた。また、実施例5〜28では、フッ化物を焼結助剤として用いたため、アルミナ原料の平均粒径は0.3μmまで使用できたが、より細かい方が好ましい。フッ化物の添加量は、4wt%未満の場合、支持体層が緻密にならず気孔が残存して絶縁耐圧が低下するおそれがあるため(比較例6)、4wt%以上であることが好ましい。なお、実施例5〜28では、支持体層におけるアルミナの平均粒径が0.5〜3μmであり、支持体層におけるアルミナの平均粒径に対する誘電体層におけるアルミナの平均粒径の比が6.7〜40であった。
別途、電極ペーストに用いるアルミナ及びWCの平均粒径を種々変更して界面せん断強度を求めた結果を表3の試験2〜5に示す。この表3から明らかなように、界面せん断強度を考慮すると、電極ペーストに用いるアルミナの平均粒径は0.2μm以下が好ましい。
Claims (7)
- ウエハを載置可能なウエハ載置台であって、
緻密なアルミナ焼結体である支持体層と、
前記支持体層に積層され、緻密なアルミナ焼結体である誘電体層と、
前記支持体層と前記誘電体層との間に配置された平板電極と、
前記誘電体層のうち前記支持体層とは反対側の面であり前記平板電極までの厚みのバラツキを表す厚み変動度が100μm以下であるウエハ載置面と、
を備え、
前記支持体層におけるアルミナの平均粒径が0.5〜4μmであり、前記支持体層におけるアルミナの平均粒径に対する前記誘電体層におけるアルミナの平均粒径の比が5〜40である、
ウエハ載置台。 - 前記支持体層は、フッ化物に由来する成分を含んでいる、
請求項1記載のウエハ載置台。 - 前記フッ化物は、融点が1200℃以下であり、添加量が4wt%以上8wt%以下である、
請求項2記載のウエハ載置台。 - 前記フッ化物は、フッ化イットリウム、フッ化イッテルビウム、15wt%MgF2−YF3、38mol%CeF3−YF3及び81wt%LaF3−YF3からなる群より選ばれる1種以上である、
請求項2又は3記載のウエハ載置台。 - (a)アルミナ粉末を1600℃以上融点未満の温度で焼成することにより緻密な第1アルミナ焼結体を作製する工程と、
(b)該第1アルミナ焼結体の片面を表面平坦度が10μm以下となるように研磨する工程と、
(c)該研磨した面に電極ペーストを印刷する工程と、
(d)前記第1アルミナ焼結体のうち前記電極ペーストを印刷した面上に、平均粒径が0.2μm以下のアルミナ粉末を成形してアルミナ成形体としたあと、1250〜1350℃の温度でホットプレス焼結を行うことにより、前記第1アルミナ焼結体上の前記アルミナ成形体を焼成して前記支持体層としての緻密な第2アルミナ焼結体とすると共に前記電極ペーストを焼成して平板電極とする工程と、
(e)前記第1アルミナ焼結体のうち前記第2アルミナ焼結体とは反対側の面を研磨してウエハ載置面とすることにより、該ウエハ載置面から前記平板電極までの厚みのバラツキを表す厚み変動度が100μm以下のウエハ載置台を得る工程と、
を含むウエハ載置台の製法。 - (a)アルミナ粉末を1600℃以上融点未満の温度で焼成することにより緻密な第1アルミナ焼結体を作製する工程と、
(b)該第1アルミナ焼結体の片面を表面平坦度が10μm以下となるように研磨する工程と、
(c)該研磨した面に電極ペーストを印刷する工程と、
(d)前記第1アルミナ焼結体のうち前記電極ペーストを印刷した面上に、平均粒径が0.3μm以下のアルミナ粉末とフッ化物との混合粉末を成形してアルミナ成形体としたあと、1000〜1300℃の温度でホットプレス焼結を行うことにより、前記第1アルミナ焼結体上の前記アルミナ成形体を焼成して前記支持体層としての緻密な第2アルミナ焼結体とすると共に前記電極ペーストを焼成して平板電極とする工程と、
(e)前記第1アルミナ焼結体のうち前記第2アルミナ焼結体とは反対側の面を研磨してウエハ載置面とすることにより、該ウエハ載置面から前記平板電極までの厚みのバラツキを表す厚み変動度が100μm以下のウエハ載置台を得る工程と、
を含むウエハ載置台の製法。 - 前記工程(a)では、平均粒径が0.3〜3μmのアルミナ粉末を使用し、前記工程(c)では電極ペーストに用いるアルミナ粉末の平均粒径を0.2μm以下、導電性粉末の平均粒径を0.4μm以下とする、請求項5又は6に記載のウエハ載置台の製法。
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