TW201901697A - 透明導電性膜及圖像顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之透明導電性膜依序包含：第1透明導電層、第1光學調整層、透明基材、第2光學調整層及第2透明導電層。第2透明導電層之表面電阻值大於第1透明導電層之表面電阻值，第1透明導電層之表面電阻值為10 Ω/□以上且70 Ω/□以下，第2透明導電層之表面電阻值為50 Ω/□以上且150 Ω/□以下，且第2光學調整層之折射率低於第1光學調整層之折射率。

Description

透明導電性膜及圖像顯示裝置

本發明係關於一種透明導電性膜、及具備其之圖像顯示裝置。

自先前以來，已知具備觸控面板及圖像顯示元件之圖像顯示裝置具備於透明基材形成包含銦錫複合氧化物(ITO)之透明導電層而成之觸控面板用膜。作為此種觸控面板用膜，例如於專利文獻1中記載有於透明基材之兩面配置有ITO層之兩面透明導電性膜。 且說，由於液晶單元等圖像顯示元件產生電磁波，故而對圖像顯示裝置期望屏蔽電磁波之電磁波屏蔽效果。並且，已知於電阻膜方式觸控面板中，將兩片ITO膜對向配置之ITO構造具有電磁波屏蔽效果(例如參照非專利文獻1)。 尤其是於非專利文獻1中，記載有為了降低ITO膜之電阻值，必須使ITO膜厚膜化，但其結果，透光率降低。又，記載有若僅降低一ITO膜之電阻值(例如10 Ω左右)，則即便不提高另一ITO膜之電阻值，亦具有良好之電磁波屏蔽效果。 並且，根據該等結果，非專利文獻1揭示有：藉由僅降低一ITO膜之電阻值，提高另一ITO膜之電阻值，可表現出良好之電磁波屏蔽效果，並且抑制透光率降低。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利特開2013-99924號公報 [非專利文獻] [非專利文獻1]原田望著，「電阻膜方式觸控面板感測器之電磁波屏蔽效果」，電學論E，128卷7號，2008年，p.312～313

[發明所欲解決之問題] 且說，於耐久性良好且誤動作較少之靜電電容方式所使用之觸控面板用膜(兩面透明導電性膜)中，配置於兩面之兩片ITO層係蝕刻為電極圖案形狀。並且，為了抑制電極圖案之視認，於ITO層與透明基材之間設置光學調整層。 於該情形時，由於兩面透明導電性膜進而具備光學調整層，故而透光性降低。 本發明提供一種具備電磁波屏蔽效果，抑制電極圖案之視認並且具備良好之透光性的透明導電性膜及圖像顯示裝置。 [解決問題之技術手段] 本發明[1]包含一種透明導電性膜，其依序具備：第1透明導電層、第1光學調整層、透明基材、第2光學調整層及第2透明導電層，上述第2透明導電層之表面電阻值大於上述第1透明導電層之表面電阻值，上述第1透明導電層之表面電阻值為10 Ω/□以上且70 Ω/□以下，上述第2透明導電層之表面電阻值為50 Ω/□以上且150 Ω/□以下，且上述第2光學調整層之折射率小於上述第1光學調整層之折射率。 本發明[2]包含如[1]中記載之透明導電性膜，其中上述第2透明導電層之厚度薄於上述第1透明導電層之厚度。 本發明[3]包含如[1]或[2]中記載之透明導電性膜，其中上述第1光學調整層之折射率為1.65以上且1.75以下，且上述第2光學調整層之折射率為1.60以上且1.70以下。 本發明[4]包含如[1]至[3]中任一項記載之透明導電性膜，其中上述第1光學調整層及上述第2光學調整層之厚度均為100 nm以下。 本發明[5]包含如[1]至[4]中任一項記載之透明導電性膜，其中上述第1透明導電層及上述第2透明導電層均經圖案化，上述第1透明導電層具備於一方向上較長之第1圖案，上述第2透明導電層具備於與上述一方向正交之正交方向上較長之第2圖案，且上述第1圖案之一方向長度長於上述第2圖案之正交方向長度。 本發明[6]包含一種圖像顯示裝置，其具備：如[1]至[5]中任一項記載之透明導電性膜、及配置於上述透明導電性膜之上述第1透明導電層側之圖像顯示元件。 [發明之效果] 根據本發明之透明導電性膜，依序具備：第1透明導電層、第1光學調整層、透明基材、第2光學調整層及第2透明導電層。因此，於第1透明導電層及第2透明導電層經圖案化之情形時，可抑制該第1透明導電層及第2透明導電層之視認。 又，由於第1透明導電層之表面電阻值為10 Ω/□以上且70 Ω/□以下，故而透明導電性膜具備表面電阻值較小之透明導電層。因此，透明導電性膜可表現出良好之電磁波屏蔽效果。 又，由於第2透明導電層之表面電阻值大於第1透明導電層之表面電阻值，為50 Ω/□以上且150 Ω/□以下，故而可使第2透明導電層與第1透明導電層相比相對地薄膜化。又，第2光學調整層之折射率低於第1光學調整層之折射率。藉此，可提高透明導電性膜之透光性。 根據本發明之圖像顯示裝置，具備電磁波屏蔽效果，抑制圖案化之第1透明導電層及第2透明導電層之視認並且具備良好之透光性。

＜透明導電性膜之一實施形態＞ 對本發明之透明導電性膜之一實施形態一面參照圖一面於以下說明。於圖1中，紙面上下方向係上下方向(厚度方向，第1方向)，且紙面上側為上側(厚度方向一側，第1方向一側)，紙面下側為下側(厚度方向另一側，第1方向另一側)。又，紙面左右方向係左右方向(第2方向，與第1方向正交之正交方向)，且紙面左側為左側(第2方向一側)，紙面右側為右側(第2方向另一側)。又，紙面紙厚方向係深度方向(第3方向，與第1方向及第2方向正交之正交方向)，且紙面近前為前側(第3方向一側)，紙面裏側為後側(第3方向另一側)。具體而言，依據各圖之方向箭頭。 1.透明導電性膜 透明導電性膜1呈具有特定之厚度之膜形狀(包含片形狀)，於與厚度方向正交之特定方向(面方向)上延伸，具有平坦之上表面及平坦之下表面。透明導電性膜1係例如用以製作圖像顯示裝置所具備之觸控面板用基材等之一零件，即，並非圖像顯示裝置。即，透明導電性膜1係不含液晶單元等圖像顯示元件，以單獨之零件流通且產業上可利用之器件。 具體而言，如圖1所示，透明導電性膜1具備：透明基材2、配置於透明基材2之上表面(一面)之第1硬塗層3、配置於第1硬塗層3之上表面之第1光學調整層4、配置於第1光學調整層4之上表面之第1透明導電層5、配置於透明基材2之下表面(另一面)之第2硬塗層6、配置於第2硬塗層6之下表面之第2光學調整層7、及配置於第2光學調整層7之下表面之第2透明導電層8。即，透明導電性膜1自下依序具備：第2透明導電層8、第2光學調整層7、第2硬塗層6、透明基材2、第1硬塗層3、第1光學調整層4、及第1透明導電層5。 透明導電性膜1較佳為包含：第2透明導電層8、第2光學調整層7、第2硬塗層6、透明基材2、第1硬塗層3、第1光學調整層4及第1透明導電層5。以下，對各層詳細敍述。 (透明基材) 透明基材2係確保透明導電性膜1之機械強度之基材。透明基材2將第1透明導電層5及第2透明導電層8與第1硬塗層3、第2硬塗層6、第1光學調整層4及第2光學調整層7一同支持。 透明基材2例如係具有透明性之高分子膜。作為高分子膜之材料，可列舉：例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂，例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系樹脂(丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂)，例如聚乙烯、聚丙烯、環烯烴聚合物(COP)等烯烴樹脂，例如聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素樹脂、聚苯乙烯樹脂、降烯樹脂等。高分子膜可單獨使用或併用兩種以上。 就透明性、耐熱性、機械強度等觀點而言，較佳為列舉烯烴樹脂，更佳為列舉COP。 就機械強度、耐擦傷性、觸控面板用膜1a之打點特性等觀點而言，透明基材2之厚度例如為2 μm以上，較佳為20 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為150 μm以下。 透明基材2之厚度例如可使用微計測器式厚度計進行測定。 再者，亦可於透明基材2之上表面及/或下表面視需要設置易接著層、接著劑層等。 (第1硬塗層) 第1硬塗層3係用以使透明導電性膜1不易產生擦傷之擦傷保護層。 第1硬塗層3具有膜形狀，例如以與透明基材2之上表面接觸之方式配置於透明基材2之整個上表面。更具體而言，第1硬塗層3係以與透明基材2之上表面及第1光學調整層4之下表面接觸之方式配置於透明基材2與第1光學調整層4之間。 第1硬塗層3例如係由硬塗組合物形成。 第1硬塗層3之硬塗組合物含有樹脂，較佳為僅由樹脂構成。 作為樹脂，例如可列舉硬化性樹脂、熱塑性樹脂(例如聚烯烴樹脂)等，較佳為列舉硬化性樹脂。 作為硬化性樹脂，可列舉：例如藉由活性能量線(具體而言，紫外線、電子束等)之照射而硬化之活性能量線硬化性樹脂，例如藉由加熱而硬化之熱硬化性樹脂等，較佳為列舉活性能量線硬化性樹脂。 活性能量線硬化性樹脂例如可列舉於分子中具有具備聚合性碳-碳雙鍵之官能基之聚合物。作為此種官能基，例如可列舉：乙烯基、(甲基)丙烯醯基(甲基丙烯醯基及/或丙烯醯基)等。 作為活性能量線硬化性樹脂，具體而言，例如可列舉：丙烯酸胺基甲酸酯、環氧丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系紫外線硬化性樹脂。 又，作為活性能量線硬化性樹脂以外之硬化性樹脂，例如可列舉：胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、矽氧烷系聚合物、有機矽烷縮合物等熱硬化性樹脂。 樹脂可單獨使用或併用兩種以上。 硬塗組合物可含有粒子。藉此，可將第1硬塗層3製成具有耐黏連特性之抗黏連層。 作為粒子，可列舉：無機粒子、有機粒子等。作為無機粒子，可列舉例如二氧化矽粒子、例如包含氧化鋯、氧化鈦、氧化鋅、氧化錫等之金屬氧化物粒子、例如碳酸鈣等碳酸鹽粒子等。作為有機粒子，例如可列舉交聯丙烯酸系樹脂粒子等。粒子可單獨使用或併用兩種以上。 又，亦可於硬塗組合物中進而含有整平劑、觸變劑、抗靜電劑等公知之添加劑。 第1硬塗層3之折射率例如為1.40以上，較佳為1.45以上，又，例如未達1.60，較佳為1.55以下。若第1硬塗層3為上述範圍，則可使第1硬塗層3之折射率低於第1光學調整層4之折射率，可更進一步抑制電極圖案之視認。 硬塗層(第1硬塗層3及第2硬塗層6)之折射率例如可使用光譜式橢圓儀進行測定。 就耐擦傷性、電極圖案之視認抑制之觀點而言，第1硬塗層3之厚度例如為0.1 μm以上，較佳為0.5 μm以上，又，例如為10 μm以下，較佳為5 μm以下。 硬塗層(第1硬塗層3及第2硬塗層6)之厚度可使用瞬間多通道測光系統(大塚電子公司製造之「MCPD2000」)，基於干擾光譜之波形而算出。 (第1光學調整層) 第1光學調整層4係為了於將第1透明導電層5進行圖案化時抑制其圖案(例如電極圖案)之視認，並且使透明導電性膜1確保優異之透明性，而調整透明導電性膜1之光學物性(例如折射率)的層。 第1光學調整層4具有膜形狀，例如以接觸於第1硬塗層3之上表面之方式配置於第1硬塗層3之整個上表面。更具體而言，第1光學調整層4係以接觸於第1硬塗層3之上表面及第1透明導電層5之下表面之方式配置於第1硬塗層3與第1透明導電層5之間。 第1光學調整層4係由光學調整組合物形成。 光學調整組合物例如含有樹脂。光學調整組合物較佳為含有樹脂與粒子，更佳為僅由樹脂與粒子構成。 作為樹脂，並無特別限定，可列舉與硬塗組合物中所使用之樹脂相同者。樹脂可單獨使用或併用兩種以上。較佳為列舉硬化性樹脂，更佳為列舉活性能量線硬化性樹脂。 樹脂之含有比率相對於光學調整組合物，例如為10質量%以上，較佳為25質量%以上，又，例如為95質量%以下，較佳為60質量%以下。 作為粒子，可根據第1光學調整層4所要求之折射率而選擇適宜之材料，可列舉無機粒子、有機粒子等。作為無機粒子，可列舉：例如二氧化矽粒子、例如包含氧化鋯、氧化鈦、氧化鋅、氧化等之金屬氧化物粒子、例如碳酸鈣等碳酸鹽粒子等。作為有機粒子，例如可列舉交聯丙烯酸系樹脂粒子等。粒子可單獨使用或併用兩種以上。 作為粒子，較佳為列舉無機粒子，更佳為列舉金屬氧化物粒子，進而較佳為列舉氧化鋯粒子(ZnO₂ )。 粒子之平均粒徑(中值粒徑)例如為10 nm以上，較佳為20 nm以上，又，例如為100 nm以下，較佳為50 nm以下。 粒子之含有比率相對於光學調整組合物，例如為5質量%以上，較佳為40質量%以上，又，例如為90質量%以下，較佳為75質量%以下。 第1光學調整層4之折射率高於第2光學調整層7之折射率，例如為1.65以上，較佳為1.70以上。又，關於上限，例如為1.80以下，較佳為1.75以下。若第1光學調整層4之折射率為上述範圍，則可使透明導電性膜1之透光性更進一步良好。 光學調整層(第1光學調整層4及第2光學構成層7)折射率例如可使用光譜式橢圓儀進行測定。 第1光學調整層4之厚度例如為150 nm以下，較佳為100 nm以下，更佳為85 nm以下，又，例如為10 nm以上，較佳為20 nm以上。若第1光學調整層4之厚度為上述上限以下，則可使透明導電性膜1之色相(尤其是La^* b^* 之色空間)更確實地成為中性。即，可降低透明導電性膜1之著色(例如黃色)，確實地獲得無色透明之透明導電性膜1。 光學調整層(第1光學調整層4及第2光學調整層7)之厚度例如可使用瞬間多通道測光系統(大塚電子公司製造之「MCPD2000」)，基於干涉光譜之波形而算出。 (第1透明導電層) 第1透明導電層5係用以於蝕刻等後續步驟中形成為特定之圖案(例如電極圖案)之透明之導電層。 第1透明導電層5係透明導電性膜1之最上層，具有膜形狀，以接觸於第1光學調整層4之上表面之方式配置於第1光學調整層4之整個上表面。 作為第1透明導電層5之材料，例如可列舉包含選自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W所組成之群中之至少1種金屬之金屬氧化物。亦可於金屬氧化物中視需要進而摻雜上述群中所示之金屬原子。 第1透明導電層5之材料較佳為列舉銦-錫複合氧化物(ITO)等含銦之氧化物、例如銻-錫複合氧化物(ATO)等含銻之氧化物等，更佳為列舉含銦之氧化物，進而較佳為列舉ITO。藉此，第1透明導電層5可兼具優異之透明性及導電性。 於使用ITO作為第1透明導電層5之材料之情形時，氧化錫(SnO₂ )含量相對於氧化錫及氧化銦(In₂ O₃ )之合計量，例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，又，例如為15質量%以下，較佳為13質量%以下。 「ITO」只要為至少包含銦(In)與錫(Sn)之複合氧化物即可，亦可包含該等以外之追加成分。作為追加成分，例如可列舉In、Sn以外之金屬元素，具體而言，可列舉：Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W、Fe、Pb、Ni、Nb、Cr、Ga等。 第1透明導電層5可為結晶質及非晶質之任一種。第1透明導電層5較佳為包含結晶質，更具體而言，為結晶質ITO層。藉此，可提高第1透明導電層5之透明性，又，進一步降低第1透明導電層5之表面電阻值。 關於透明導電層(第1透明導電層5及第2透明導電層8)為結晶質，例如於透明導電層為ITO層之情形時，可藉由於20℃之鹽酸(濃度5質量%)中浸漬15分鐘後，進行水洗、乾燥，測定15 mm左右之間之端子間電阻而判斷。具體而言，於向鹽酸(20℃，濃度：5質量%)之浸漬、水洗、乾燥後，15 mm間之端子間電阻為10 kΩ以下之情形時，判斷ITO層為結晶質。 第1透明導電層5之表面電阻值低於第2透明導電層8之表面電阻值，具體而言，為10 Ω/□以上且70 Ω/□以下。較佳為20 Ω/□以上，更佳為30 Ω/□以上，又，較佳為60 Ω/□以下，更佳為50 Ω/□以下。若第1透明導電層5之表面電阻值為上述範圍，則透明導電性膜1可表現出優異之電磁波屏蔽性及導電性。 透明導電層(第1透明導電層5及第2透明導電層8)之表面電阻值例如可使用四端子法進行測定。 第1透明導電層5之厚度較佳為厚於第2透明導電層8之厚度，例如為30 nm以上，較佳為35 nm以上，又，例如為200 nm以下，較佳為100 nm以下，更佳為60 nm以下。若第1透明導電層5之厚度為上述範圍，則可使透明導電性膜1之電磁波屏蔽性進一步良好。 透明導電層(第1透明導電層5及第2透明導電層8)之厚度例如可藉由利用穿透式電子顯微鏡(TEM)觀察透明導電層之剖面而測定。 (第2硬塗層) 第2硬塗層6係用以使透明導電性膜1不易產生擦傷之擦傷保護層。 第2硬塗層6具有膜形狀，例如以與透明基材2之下表面接觸之方式配置於透明基材2之整個下表面。更具體而言，第2硬塗層6係以與透明基材2之下表面及第2光學調整層7之上表面接觸之方式配置於透明基材2與第2光學調整層7之間。 第2硬塗層6係與第1硬塗層3相同之層，例如由與第1硬塗層3相同之材料，具有相同之構成(厚度、折射率等)。因此，第2硬塗層6亦具有與第1硬塗層3相同之形狀、相同之尺寸。 (第2光學調整層) 第2光學調整層7係為了於將第2透明導電層8圖案化時抑制其圖案(例如電極圖案)之視認，並且使透明導電性膜1確保優異之透明性，而調整透明導電性膜1之光學物性(例如折射率)的層。 第2光學調整層7具有膜形狀，例如以與第2硬塗層6之下表面接觸之方式配置於第2硬塗層6之整個下表面。更具體而言，第2光學調整層7係以與第2硬塗層6之下表面及第2透明導電層8之上表面接觸之方式配置於第2硬塗層6與第2透明導電層8之間。 第2光學調整層7係由光學調整組合物形成。作為光學調整組合物，可列舉與第1光學調整層4中上述者相同者。 第2光學調整層7之折射率低於第1光學調整層4之折射率，例如為1.70以下，較佳為未達1.65，進而較佳為1.64以下。又，關於下限，例如為1.55以上，較佳為1.60以上。若第2光學調整層7之折射率為上述範圍，則可使透明導電性膜1之透光性進一步良好。 第2光學調整層7與第1光學調整層4之折射率之差例如為0.01以上，較佳為0.05以上，又，例如為0.20以下，較佳為0.15以下。若折射率之差為上述範圍，則可使透明導電性膜1之透過性良好，或使色相成為中性。 第2光學調整層7之厚度例如為150 nm以下，較佳為100 nm以下，更佳為85 nm以下，又，例如為10 nm以上，較佳為20 nm以上。若第2光學調整層7之厚度為上述上限以下，則可使色相更確實地成為中性。 (第2透明導電層) 第2透明導電層8係用以於蝕刻等後續步驟中形成為特定之圖案(例如電極圖案)之透明之導電層。 第2透明導電層8係透明導電性膜1之最下層，具有膜形狀，以與第2光學調整層7之下表面接觸之方式配置於第2光學調整層7之整個下表面。 作為構成第2透明導電層8之材料，可列舉與第1透明導電層5中上述者相同者。較佳為ITO。又，第2透明導電層8可為結晶質及非晶質之任一種，較佳為包含結晶質，更具體而言，為結晶質ITO層。 第2透明導電層8之表面電阻值高於第1透明導電層5之表面電阻值，具體而言，為50 Ω/□以上且150 Ω/□以下。較佳為60 Ω/□以上，更佳為70 Ω/□以上，進而較佳為100 Ω/□以上，又，較佳為120 Ω/□以下。若第2透明導電層8之表面電阻值為上述範圍，則可減薄第2透明導電層8之厚度，可使透明導電性膜1之透光性變良好。 第1透明導電層5與第2透明導電層8之表面電阻值之差例如為10 Ω/□以上，較佳為20 Ω/□以上，更佳為40 Ω/□以上，又，例如為100 Ω/□以下，較佳為70 Ω/□以下。 第2透明導電層8之厚度較佳為薄於第1透明導電層5之厚度，例如為35 nm以下，較佳為30 nm以下，又，例如為1 nm以上，較佳為10 nm以上。若第2透明導電層8之厚度為上述範圍，則可使透明導電性膜1之透光性進一步良好。 2.透明導電性膜之製造方法 於製造透明導電性膜1時，首先，準備透明基材2，繼而，於透明基材2之兩面依序設置硬塗層(第1硬塗層3及第2硬塗層6)、光學調整層(第1光學調整層4及第2光學調整層7)及透明導電層(第1透明導電層5及第2透明導電層8)。 例如，首先，製備將形成第1硬塗層3或第2硬塗層6之硬塗組合物利用溶劑稀釋而成之稀釋液。繼而，將該稀釋液塗佈於透明基材2之上表面或下表面，使各稀釋液乾燥，視需要使硬塗組合物硬化。藉此，於透明基材2之上表面設置第1硬塗層3，於透明基材2之下表面設置第2硬塗層6。 繼而，製備將形成第1光學調整層4或第2光學調整層7之光學調整組合物利用溶劑稀釋而成之稀釋液。繼而，將該稀釋液塗佈於第1硬塗層3之上表面或第2硬塗層6之下表面，使各稀釋液乾燥，視需要使光學調整組合物硬化。藉此，於第1硬塗層3之上表面設置第1光學調整層4，於第2硬塗層6之下表面設置第2光學調整層7。即，獲得第2光學調整層7/第2硬塗層6/透明基材2/第1硬塗層3/第1光學調整層4之積層體。 繼而，藉由乾式法，於上述積層體之兩面依序形成第1透明導電層5及第2透明導電層8。 作為乾式方法，例如可列舉：真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法等。較佳為列舉濺鍍法。可藉由該方法而形成薄膜之透明導電層。 作為濺鍍法，例如可列舉：兩極濺鍍法、ECR(Electron Cyclotron Resonance，電子回旋共振)濺鍍法、磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等。較佳為列舉磁控濺鍍法。 於採用濺鍍法之情形時，作為靶材料，可列舉構成透明導電層之上述金屬氧化物等，較佳為列舉ITO。就ITO層之耐久性、結晶化等觀點而言，ITO之氧化錫濃度例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，又，例如為15質量%以下，較佳為13質量%以下。 作為氣體，例如可列舉Ar等惰性氣體。又，視需要可併用氧氣等反應性氣體。於併用反應性氣體之情形時，反應性氣體之流量比(sccm)並無特別限定，相對於濺鍍氣體及反應性氣體之合計流量比，例如為0.1流量%以上且5流量%以下。 濺鍍時之氣壓就抑制濺鍍比率之降低、及放電穩定性等觀點而言，例如為1 Pa以下，較佳為0.1 Pa以上且0.7 Pa以下。 電源例如可為DC(Direct Current，直流)電源、AC(Alternating Current，交流)電源、MF(Middle Frequency，中頻)電源及RF(Radio Frequency，射頻)電源之任一種，又，亦可為該等之組合。 此時，例如藉由分別單獨地調整設置於積層體之第1透明導電層5及第2透明導電層8之厚度，可調整各透明導電層之表面電阻值。即，藉由增厚透明導電層之厚度，可降低其表面電阻值，相反地，藉由減薄透明導電層之厚度，可提高其表面電阻值。於本發明中，較佳為以第2透明導電層8之厚度薄於第1透明導電層5之厚度之方式調整各透明導電層之形成。 藉此，可獲得依序具備第2透明導電層8、第2光學調整層7、第2硬塗層6、透明基材2、第1硬塗層3、第1光學調整層4及第1透明導電層5之透明導電性膜1。 視需要，繼而對透明導電性膜1於大氣下實施加熱處理。 加熱處理例如可使用紅外線加熱器、烘箱等而實施。 加熱溫度例如為100℃以上，較佳為120℃以上，又，例如為200℃以下，較佳為160℃以下。 加熱時間係根據加熱溫度而適當決定，例如為10分鐘以上，較佳為30分鐘以上，又，例如為5小時以下，較佳為3小時以下。 藉由該加熱處理，可使各透明導電層結晶化，可設為所需之表面電阻值。 又，於該製造方法中，可將各層例如利用輥對輥方式設置於透明基材2，或亦可將該等層之一部分或全部利用分批方式(逐片方式)設置。 透明導電性膜1之透光率(視感度平均透過率)例如為86.0%以上，較佳為86.5%以上。若透光率為上述範圍，則可確實地獲得透明之透明導電性膜1。 透明導電性膜1之色相La*例如為-1.5以上，較佳為-1.0以上，又，例如較佳為1.5以下，較佳為0.5以下。色相Lb*例如為-4.0以上，較佳為-0.5以上，又，例如較佳為4.0以下，較佳為1.0以下。若色相為上述範圍，則可確實地獲得無色透明之透明導電性膜1。 該透明導電性膜1例如可用作光學方式、超音波方式、靜電電容方式、電阻膜方式等之觸控面板用膜。尤其可較佳地用作靜電電容方式(具體而言，投影型靜電電容方式)之觸控面板用膜。 3.觸控面板用膜 繼而，對作為透明導電性膜1之一實施形態之觸控面板用膜1a進行說明。 觸控面板用膜1a如圖2所示，具備：透明基材2、配置於透明基材2之上表面之第1硬塗層3、配置於第1硬塗層3之上表面之第1光學調整層4、配置於第1光學調整層4之上表面之圖案化第1透明導電層5a、配置於透明基材2之下表面之第2硬塗層6、配置於第2硬塗層6之下表面之第2光學調整層7、及配置於第2光學調整層7之下表面之圖案化第2透明導電層8a。即，透明導電性膜1自下依序具備：圖案化第2透明導電層8a、第2光學調整層7、第2硬塗層6、透明基材2、第1硬塗層3、第1光學調整層4、及圖案化第1透明導電層5a。觸控面板用膜1a較佳為包含圖案化第2透明導電層8a、第2光學調整層7、第2硬塗層6、透明基材2、第1硬塗層3、第1光學調整層4及圖案化第1透明導電層5a。 觸控面板用膜1a如圖3A～圖3B所示，具有於左右方向(一方向，長邊方向)上較長且於前後方向(另一方向，短邊方向)上較短之俯視大致長方形狀。 觸控面板用膜1a係藉由將上述之透明導電性膜1之透明導電層(第1透明導電層5及第2透明導電層8)圖案化(patterning)所獲得之圖案化透明導電性膜。因此，觸控面板用膜1a之第2光學調整層7、第2硬塗層6、透明基材2、第1硬塗層3及第1光學調整層4與上述之透明導電性膜1之各層相同。 圖案化第1透明導電層5a如圖3A所示，於俯視大致中央部具備於左右方向較長地延伸之第1長方形狀圖案11作為第1圖案之一例。具體而言，圖案化第1透明導電層5a具備複數個於前後方向上相互隔開間隔而配置之第1長方形狀圖案11。又，用以將第1長方形狀圖案11電性連接於積體電路(未圖示)之配線12係一體地連接於第1長方形狀圖案11之右端。 圖案化第2透明導電層8a如圖3B所示，於仰視大致中央部具備於前後方向(與左右方向正交之正交方向)較長地延伸之第2長方形狀圖案13作為第2圖案之一例。具體而言，圖案化第2透明導電層8a具備複數個於左右方向上相互隔開間隔而配置之第2長方形狀圖案13。又，用以將第2長方形狀圖案13電性連接於積體電路(未圖示)之配線12係一體地連接於前端或後端。 圖案化第1透明導電層5a之第1長方形狀圖案11與圖案化第2透明導電層8a之第2長方形狀圖案13係以於在厚度方向(上下方向)投影時相互正交之方式配置。 圖案化第1透明導電層5a之第1長方形狀圖案11之左右方向長度(長邊長度)長於圖案化第2透明導電層8a之第2長方形狀圖案13之前後方向長度(長邊長度)。藉此，可降低電流之移動距離較長之圖案化第1透明導電層5a之表面電阻值，故而可提高圖案化第1透明導電層5a之電流之傳輸速度，或降低雜訊。其結果為，可謀求圖像顯示裝置20之大型化。 作為圖案化方法，例如係藉由利用用以形成電極圖案之遮罩被覆各透明導電層，並利用蝕刻液對各透明導電層進行蝕刻而實施。作為蝕刻液，可較佳地使用酸。作為酸，例如可列舉：氯化氫、溴化氫、硫酸、硝酸、磷酸等無機酸、乙酸等有機酸、及其等之混合物、以及其等之水溶液。4.作用效果 該透明導電性膜1依序具備第1透明導電層5、第1光學調整層4、透明基材2、第2光學調整層7及第2透明導電層8，故而於第1透明導電層5及第2透明導電層8經圖案化之情形時，可抑制圖案化第1透明導電層5a及圖案化第2透明導電層8a(例如電極圖案)之視認。 又，第1透明導電層5之表面電阻值為10 Ω/□以上且70 Ω/□以下，故而透明導電性膜1於單面具備表面電阻值較小之第1透明導電層5。因此，該透明導電性膜1與兩面具備表面電阻值較高之透明導電層之透明導電性膜相比，可表現出相對良好之電磁波屏蔽性。 又，第2透明導電層8之表面電阻值大於第1透明導電層5之表面電阻值，為50 Ω/□以上且150 Ω/□以下，故而可將第2透明導電層8與第1透明導電層5相比相對地薄膜化。又，第2光學調整層7之折射率低於第1光學調整層4之折射率。藉由該等表面電阻值及折射率，可提高透明導電性膜1之透光性。 又，於該透明導電性膜1之各透明導電層均圖案化之觸控面板用膜1a中，圖案化第1透明導電層5a具備於左右方向上較長之第1長方形狀圖案11，圖案化第2透明導電層8a具備於前後方向上較長之第2長方形狀圖案13。又，第1長方形狀圖案11之左右方向長度長於上述第2圖案之前後方向長度。因此，可降低電流之移動距離較長之圖案化第1透明導電層5a之表面電阻值，故而可提高圖案化第1透明導電層5a之電流之傳輸速度，或降低雜訊。其結果為，可實現作為透明導電性膜1整體之電流速度之提高、雜訊之降低，故而可謀求圖像顯示裝置20之大型化。 ＜圖像顯示裝置＞ 繼而，對圖像顯示裝置20之一實施形態進行說明。圖像顯示裝置20之一實施形態如圖4所示，依序具備：透明保護板21、第1透明黏著劑層22、觸控面板用膜1a、第2透明黏著劑層23、及圖像顯示元件24。再者，於圖4中，上側為元件側，下側為視認側。 透明保護板21係用以保護圖像顯示元件24等圖像顯示裝置20之內部構件免受來自外部之衝擊或污垢的層。作為透明保護板21，可列舉：例如包含丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯樹脂等硬質性樹脂之樹脂板、例如玻璃板等。 透明保護板21之厚度例如為10 μm以上，較佳為500 μm以上，又，例如為10 mm以下，更佳為5 mm以下。 第1透明黏著劑層22係用以將透明保護板21與觸控面板用膜1a接著之層。第1透明黏著劑層22具有膜形狀，且配置於透明保護板21上。更具體而言，第1透明黏著劑層22係以與透明保護板21之上表面及觸控面板用膜1a之下表面(圖案化第2透明導電8a)接觸之方式配置於透明保護板21及觸控面板用膜1a之間。 第1透明黏著劑層22係由透明之黏著劑組合物形成。黏著性組合物之組成並無限定，例如可列舉：丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑(丁基橡膠等)、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚胺基甲酸酯系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、環氧系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、氟樹脂系黏著劑等。 第1透明黏著劑層22之厚度(自透明保護板21之上表面至圖案化第2透明導電8a之下表面之距離)例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為150 μm以下，更佳為50 μm以下。 觸控面板用膜1a係以圖案化第1透明導電層5a位於上側，圖案化第2透明導電層8a位於下側之方式配置於第1透明黏著劑層22上。更具體而言，觸控面板用膜1a係以圖案化第2透明導電層8a接觸於第1透明黏著劑層22，圖案化第1透明導電層5a接觸於第2透明黏著劑層23之方式配置於第1透明黏著劑層22及第2透明黏著劑層23之間。 又，於觸控面板用膜1a之上表面，圖案化第1透明導電層5a之第1長方形狀圖案11之上表面及側面、以及自圖案化第1透明導電層5a露出之第1光學調整層4之上表面接觸於第1透明黏著劑層22。於觸控面板用膜1a之下表面，圖案化透明導電層第28a之第2長方形狀圖案13之下表面及側面、以及自圖案化第2透明導電層8a露出之第2光學調整層7之上表面接觸於第2透明黏著劑層23。 第2透明黏著劑層23係用以使圖像顯示元件24與觸控面板用膜1a接著之層。第2透明黏著劑層23具有膜形狀，且配置於觸控面板用膜1a上。更具體而言，第2透明黏著劑層23係以與觸控面板用膜1a之上表面及圖像顯示元件24之下表面接觸之方式配置於觸控面板用膜1a及圖像顯示元件24之間。 第2透明黏著劑層23係由與第1透明黏著劑層22同樣之黏著劑組合物形成。第2透明黏著劑層23之厚度與第1透明黏著劑層22之厚度相同。 圖像顯示元件24配置於第2透明黏著劑層23上。更具體而言，圖像顯示元件24係以圖像顯示面25成為下側，且圖像顯示面25接觸於第2透明黏著劑層23之上表面之方式配置於第2透明黏著劑層23之上表面。 作為圖像顯示元件24，例如可列舉：液晶單元、有機EL等。 該圖像顯示裝置20由於具備觸控面板用膜1a，故而具備電磁波屏蔽效果，抑制圖案化第1透明導電層5a及圖案化第2透明導電層8a(電極圖案)之視認，並且具備良好之透光性。因此，可謀求大畫面化。 又，於圖像顯示裝置20中，圖像顯示元件24配置於圖案化第1透明導電層5a側(上側)。因此，可縮短電磁波屏蔽效果較強之圖案化第1透明導電層5a(第1透明導電層5)與產生電磁波之圖像顯示元件24之距離。因此，可更確實地吸收圖像顯示元件24之電磁波，作為圖像顯示裝置20之電磁波屏蔽效果優異。 ＜變化例＞ (1)於圖1所示之實施形態中，透明導電性膜1自下依序具備：第2透明導電層8、第2光學調整層7、第2硬塗層6、透明基材2、第1硬塗層3、第1光學調整層4、及第1透明導電層5，但例如亦可不具備第2硬塗層6及第1硬塗層3，但未圖示。即，透明導電性膜1自下依序包含：第2透明導電層8、第2光學調整層7、透明基材2、第1光學調整層4、及第1透明導電層5。 就擦傷性之觀點而言，較佳為列舉圖1所示之實施形態。關於觸控面板用膜1a及圖像顯示裝置20，亦與上述相同。 (2)於圖3A～B所示之實施形態中，圖案化第1透明導電層5a具備於左右方向上較長之第1長方形狀圖案11，圖案化第2透明導電層8a具備於前後方向上較長之第2長方形狀圖案13，但例如亦可圖案化第2透明導電層8a具備於左右方向上較長之第1長方形狀圖案11，圖案化第1透明導電層5a具備於前後方向較長之第2長方形狀圖案13，但未圖示。 於該實施形態中，圖案化第2透明導電層8a之第1長方形狀圖案11之左右方向長度長於圖案化第1透明導電層5a之第2長方形狀圖案13之前後方向長度。 就可提高電極圖案長度較長之透明導電層之電流速度或雜訊之觀點而言，較佳為列舉圖3A～B所示之實施形態。 (3)於圖3A～B所示之實施形態中，作為第1圖案之一例，設為於左右方向上延伸之第1長方形狀圖案11，作為第2圖案之一例，設為於前後方向上延伸之第2長方形狀圖案13，但例如亦可如圖5A～B所示，作為第1圖案之一例，設為複數個矩形圖案於左右方向上連續之第1連續矩形狀圖案14，作為第2圖案之一例，設為複數個矩形圖案於前後方向上連續之第2連續矩形狀圖案15。 即，於圖5A～B所示之實施形態中，圖案化第1透明導電層5a具備複數個於左右方向上相互隔開間隔而配置之第1連續矩形狀圖案14。於第1連續矩形狀圖案14中，複數個大致矩形圖案係以該等之對角線沿著左右方向之方式配置於一直線上。 圖案化第2透明導電層8a具備複數個於前後方向上相互隔開間隔而配置之第2連續矩形狀圖案15。於第2連續矩形狀圖案15中，複數個大致矩形圖案係以該等之對角線沿著前後方向之方式配置於一直線上。 圖案化第1透明導電層5a之第1連續矩形狀圖案14與圖案化第2透明導電層8a之第2連續矩形狀圖案15係以於在厚度方向上投影時相互正交之方式配置。又，第1連續矩形狀圖案14及第2連續矩形狀圖案15係以於在厚度方向上投影時構成第1連續矩形狀圖案14之矩形狀圖案不與構成第2連續矩形狀圖案15之矩形狀圖案重複之方式配置。又，第1連續矩形狀圖案14及第2連續矩形狀圖案15係以於在厚度方向上投影時第1連續矩形狀圖案14與第2連續矩形狀圖案15合併之圖案覆蓋觸控面板用膜1a之大致中央部之整個面之方式配置。 (4)於圖4所示之圖像顯示裝置20中，觸控面板用膜1a及圖像顯示元件24係以圖像顯示元件24位於圖案化第1透明導電層5a側之方式配置，但觸控面板用膜1a及圖像顯示元件24例如亦可以圖像顯示元件24位於圖案化第2透明導電層8a側之方式配置，但未圖示。即，圖像顯示裝置20亦可以圖案化第1透明導電層5a成為下側且圖案化第2透明導電層8a成為上側之方式，自下側依序具備：透明保護板21、第1透明黏著劑層22、觸控面板用膜1a、第2透明黏著劑層23、及圖像顯示元件24。 就作為圖像顯示裝置20整體之電磁波屏蔽效果之觀點而言，較佳為列舉圖4所示之實施形態。 實施例 以下，示出實施例及比較例進而具體地說明本發明。再者，本發明並不受任何實施例及比較例限定。又，以下之記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體之數值可替換為上述之「實施方式」中記載之與該等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限值(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(定義為「以上」、「超過」之數值)。 (實施例1) 使用凹版塗佈機將硬塗組合物(丙烯酸系紫外線硬化性樹脂，DIC公司製造之「UNIDIC RS29-120」)之稀釋液塗佈於透明基材(COP膜，日本瑞翁公司製造之商品名「ZEONOR ZF-16」，厚度100 μm)之兩面，以80℃進行1分鐘加熱乾燥。其後，使用高壓水銀燈照射紫外線，形成第1及第2硬塗層(各厚度1.0 μm，各折射率1.53)。藉此，獲得第1硬塗層、透明基材及第2硬塗層之積層體。 繼而，使用凹版塗佈機將折射率成為1.70之光學調整組合物之稀釋液塗佈於積層體之第1硬塗層表面，以60℃進行1分鐘加熱乾燥。其後，使用高壓水銀燈照射紫外線，形成第1光學調整層(折射率1.70，厚度80 nm)。又，除使用折射率成為1.64之光學調整組合物以外，以與上述相同之方式，於第2硬塗層表面形成第2光學調整層(折射率1.64，厚度80 nm)。藉此，獲得第1光學調整層、第1硬塗層、透明基材及第2硬塗層及第1光學調整層之積層體。 再者，各光學調整組合物係藉由將折射率1.60之折射率調整劑(JSR公司製造之「Opstar」)與折射率1.74之折射率調整劑(JSR公司製造之「Opstar-KZ6734」)適當混合而製備。 繼而，將所獲得之積層體投入至濺鍍裝置，於積層體之兩面積層銦-錫氧化物層(ITO層)。作為氣體，使用包含氬氣98%與氧氣2%之混合氣體，將環境之壓力設為0.4 Pa。又，作為濺鍍之靶，使用包含氧化銦90質量%-氧化錫10質量%之燒結體。又，將積層於第1光學調整層側之第1透明導電層之厚度調整為40 nm，將積層於第2光學調整層側之第2透明導電層之厚度調整為30 nm。 藉此，獲得包含第1透明導電層、第1光學調整層、第1硬塗層、透明基材及第2硬塗層、第1光學調整層及第2透明導電層之透明導電性膜。 繼而，藉由將該透明導電性膜於140℃之烘箱內加熱90分鐘，而使第1及第2透明導電層結晶化，製造實施例1之兩面透明導電性膜。 (實施例2～9及比較例1～5) 將光學調整層之厚度及折射率、以及透明導電層之厚度及表面電阻值變更為表1中記載之光學調整層之厚度及折射率、以及透明導電層之厚度及表面電阻值，除此以外，以與實施例1相同之方法製造透明導電性膜。 (比較例6) 不設置第1光學調整層及第2光學調整層，除此以外，以與實施例1相同之方法製造透明導電性膜。 針對各實施例及各比較例之透明導電性膜，實施下述之測定，將其結果示於表1。 ＜表面電阻＞ 使用四端子法，測定各實施例及各比較例之透明導電性膜之各透明導電層之表面電阻(Ω/□)。 ＜層之厚度＞ 各硬塗層及各光學調整層之厚度係使用瞬間多通道測光系統(大塚電子公司製造之「MCPD2000」)，基於來自干擾光譜之波形而算出。 各透明導電層之厚度係藉由利用穿透式電子顯微鏡(TEM)觀察將透明導電性膜切斷之剖視圖而測定。 ＜折射率＞ 於透明膜(COP膜，日本瑞翁公司製造之「ZEONOR ZF-16」)上，僅製膜作為測定對象之硬塗層，使用光譜式橢圓儀(J.A. Woollam公司製造之型號FQTH-100)測定折射率。 又，於透明膜(與上述相同)上，僅製膜作為測定對象之光學調整層，使用光譜式橢圓儀(與上述相同)測定折射率。 再者，於透明膜與硬塗層或光學調整層之密接性不良之情形時，適當實施電暈處理等表面改質。 ＜透過率、色相＞ 於各實施例及各比較例之透明導電性膜之兩面，經由透明之丙烯酸系黏著劑(日東電工製造之型號No.7，厚度25 μm)而貼合透明膜(日本瑞翁製造之「ZEONOR ZF-14」，厚度100 μm)。藉此，獲得透過率測定用之樣品(透明膜/黏著劑/透明導電性膜/黏著劑/透明膜)。使用分光光度計(村上色彩公司製造之型號「Dot-3」)，對該樣品測定波長380～700 nm下之視感度平均透過率、及色相a*、b*。將結果示於表1。 ＜電極圖案之視認性＞ 於各實施例及各比較例之透明導電性膜中，對第1透明導電層及第2透明導電層使用蝕刻液進行蝕刻，使圖3A～B之電極圖案圖案化。自斜上方視認經圖案化之透明導電性膜。將明確地視認到電極圖案之情形評價為×，將幾乎未視認到電極圖案之情形評價為○，將結果示於表1。 [表1] 再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為例示，不應限定性地解釋。藉由該技術領域之業者所明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。 [產生上之可利用性] 本發明之透明導電性膜及圖像顯示裝置可應用於各種工業製品，例如本發明之透明導電性膜可較佳地用於具備觸控面板之圖像顯示裝置等。

1‧‧‧透明導電性膜

1a‧‧‧觸控面板用膜

2‧‧‧透明基材

3‧‧‧第1硬塗層

4‧‧‧第1光學調整層

5‧‧‧第1透明導電層

5a‧‧‧圖案化第1透明導電層

6‧‧‧第2硬塗層

7‧‧‧第2光學調整層

8‧‧‧第2透明導電層

8a‧‧‧圖案化第2透明導電層

11‧‧‧第1長方形狀圖案

12‧‧‧配線

13‧‧‧第2長方形狀圖案

14‧‧‧第1連續矩形狀圖案

15‧‧‧第2連續矩形狀圖案

20‧‧‧圖像顯示裝置

21‧‧‧透明保護板

22‧‧‧第1透明黏著劑層

23‧‧‧第2透明黏著劑層

24‧‧‧圖像顯示元件

25‧‧‧圖像顯示面

圖1表示本發明之透明導電性膜之一實施形態之剖視圖。 圖2表示圖1所示之透明導電性膜經圖案化之觸控面板用膜之剖視圖。 圖3A～圖3B係圖3所示之觸控面板用膜，圖3A表示顯示第1透明導電層之電極圖案之俯視圖，圖3B表示顯示第2透明導電層之電極圖案之仰視圖。 圖4表示具備圖2所示之透明導電性膜之圖像顯示裝置。 圖5A～圖5B係本發明之觸控面板用膜之變化例(透明導電層之電極圖案具備複數個連續之矩形圖案之形態)，圖5A表示顯示第1透明導電層之電極圖案之俯視圖，圖5B表示顯示第2透明導電層之電極圖案之仰視圖。

Claims (6)

1. 一種透明導電性膜，其特徵在於依序包含第1透明導電層、第1光學調整層、透明基材、第2光學調整層及第2透明導電層， 上述第2透明導電層之表面電阻值大於上述第1透明導電層之表面電阻值， 上述第1透明導電層之表面電阻值為10 Ω/□以上且70 Ω/□以下， 上述第2透明導電層之表面電阻值為50 Ω/□以上且150 Ω/□以下，且 上述第2光學調整層之折射率低於上述第1光學調整層之折射率。
2. 如請求項1之透明導電性膜，其中上述第2透明導電層之厚度薄於上述第1透明導電層之厚度。
3. 如請求項1之透明導電性膜，其中上述第1光學調整層之折射率為1.65以上且1.75以下，且 上述第2光學調整層之折射率為1.60以上且1.70以下。
4. 如請求項1之透明導電性膜，其中上述第1光學調整層及上述第2光學調整層之厚度均為100 nm以下。
5. 如請求項1之透明導電性膜，其中上述第1透明導電層及上述第2透明導電層均經圖案化， 上述第1透明導電層具備於一方向上較長之第1圖案， 上述第2透明導電層具備於與上述一方向正交之正交方向上較長之第2圖案，且 上述第1圖案之一方向長度長於上述第2圖案之正交方向長度。
6. 一種圖像顯示裝置，其特徵在於包含如請求項1之透明導電性膜、及 配置於上述透明導電性膜之上述第1透明導電層側之圖像顯示元件。