TW201841732A - 觸控面板用薄膜積層體 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種即便於在高溫高濕環境下等可能變形之薄膜直接形成有導電層之情形時亦防止於導電層產生龜裂的技術。本發明之觸控面板用薄膜積層體係具備附導電層之薄膜基材、及積層於該附導電層之薄膜基材之一側之低透濕性基材者，且該附導電層之薄膜基材具有包含樹脂薄膜之薄膜基材、及直接設置於該薄膜基材之至少一面之導電層，該低透濕性基材之於40℃、92%R.H.下之透濕度為1.0 g/(m² ・day)以下。

Description

觸控面板用薄膜積層體

本發明係關於一種觸控面板用薄膜積層體。

近年來，以智慧型手機為代表之智慧型器件、或數位標牌、視窗顯示器等顯示裝置於較強之外界光下使用之機會增加。隨之，產生由顯示裝置本身或用於顯示裝置之觸控面板部或玻璃基板、金屬配線等反射體所引起之外界光反射或背景之映入等問題。尤其，近年來經實用化之有機電致發光(EL)顯示裝置由於具有反射性較高之金屬層，故而容易產生外界光反射或背景之映入等問題。因此，已知有藉由將具有相位差薄膜(代表性的是λ/4板)之圓偏光板作為抗反射薄膜設置於視認側而防止該等問題。 進而，近年來，如以智慧型手機為代表，圖像顯示裝置兼作觸控面板型輸入裝置之觸控面板型輸入顯示裝置急遽增加。尤其，於顯示單元(例如液晶單元、有機EL單元)與偏光板之間組入觸控感測器而成之所謂內觸控面板型輸入顯示裝置正實用化。於此種內觸控面板型輸入顯示裝置中，作為觸控面板電極發揮功能之透明導電層係藉由形成於各向同性基材上，作為附各向同性基材之導電層積層於相位差薄膜(代表性的是λ/4板)而導入。其原因在於，雖然就顯示裝置之薄型化之觀點而言，較理想為將透明導電層直接形成於相位差薄膜，但於形成透明導電層時之濺鍍及其後續處理中之高溫環境下，相位差薄膜之光學特性自所期望之特性較大地偏離，因此必須使用濺鍍用基材。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2005-189645號公報 [專利文獻2]日本專利特開2006-171235號公報

[發明所欲解決之問題] 針對上述要求，業界正在開發將透明導電層直接形成於相位差薄膜之(不介置接著層而積層之)技術。然而，根據本發明者等人之研究，可知若將透明導電層直接形成於相位差薄膜，則有產生如下之環境耐久性之問題之情形，即，於高溫高濕環境下等，相位差薄膜會發生變形(例如藉由延伸而控制配向之相位差薄膜收縮或膨脹)，另一方面，透明導電層無法追隨於該變形而產生龜裂(例如圖5)。 本發明係為了解決上述問題而完成者，其目的在於提供一種技術，即便於在高溫高濕環境下等可能變形之薄膜直接形成有導電層之情形時，亦防止於導電層產生龜裂。 [解決問題之技術手段] 根據本發明，提供一種觸控面板用薄膜積層體，其具備附導電層之薄膜基材、及積層於該附導電層之薄膜基材之一側之低透濕性基材。於本發明之觸控面板用薄膜積層體中，該附導電層之薄膜基材具有包含樹脂薄膜之薄膜基材、及直接設置於該薄膜基材之至少一面之導電層，該低透濕性基材之於40℃、92%R.H.下之透濕度為1.0 g/(m² ・day)以下。 於一實施形態中，上述低透濕性基材具備支持基材、及設置於該支持基材之一側之無機薄膜。 於一實施形態中，上述無機薄膜含有選自由氧化物、氮化物、氫化物及其複合化合物所組成之群中之至少一種無機化合物。 於一實施形態中，上述薄膜基材於85℃、85%R.H.環境下於至少一方向上收縮。 於一實施形態中，上述樹脂薄膜之面內相位差Re(550)為100 nm～180 nm。 於一實施形態中，上述薄膜基材進而包含設置於上述樹脂薄膜之至少一面之功能層，且於上述薄膜基材之該功能層上直接設置有上述導電層。 於一實施形態中，上述薄膜積層體進而包含偏光板。 於一實施形態中，自視認側經由接著層依序積層有上述偏光板、上述附導電層之薄膜基材及上述低透濕性基材。 於一實施形態中，介置於上述偏光板與上述附導電層之薄膜基材之間之接著層、及介置於上述附導電層之薄膜基材與上述低透濕性基材之間之接著層之任一者或兩者之於40℃、92%R.H.下的透濕度為100 g/(m² ・day)以下。 於一實施形態中，上述偏光板包含偏光元件及相位差薄膜。 [發明之效果] 根據本發明，可藉由控制於薄膜基材直接形成有導電層的附導電層之薄膜基材之周邊構件之透濕度，而防止於導電層產生龜裂。

以下，對本發明之較佳實施形態進行說明，但本發明並不限定於該等實施形態。 (用語及記號之定義) 本說明書中之用語及記號之定義如下所述。 (1)折射率(nx、ny、nz) 「nx」係面內之折射率成為最大之方向(即遲相軸方向)之折射率，「ny」係於面內與遲相軸正交之方向(即進相軸方向)之折射率，「nz」為厚度方向之折射率。 (2)面內相位差(Re) 「Re(λ)」係23℃下之以波長λ nm之光測得之薄膜之面內相位差。例如「Re(450)」係23℃下之以波長450 nm之光測得之薄膜之面內相位差。Re(λ)係於將薄膜之厚度設為d(nm)時，藉由式：Re＝(nx－ny)×d而求出。 (3)厚度方向之相位差(Rth) 「Rth(λ)」係23℃之以波長λ nm之光測得之薄膜之厚度方向之相位差。例如「Rth(450)」係23℃下之以波長450 nm之光測得之薄膜之厚度方向之相位差。Rth(λ)係於將薄膜之厚度設為d(nm)時，藉由式：Rth＝(nx－nz)×d而求出。 (4)Nz係數 Nz係數係藉由Nz＝Rth/Re而求出。 (5)角度 本說明書中言及角度時，若無特別明確記載，則該角度包括順時針方向及逆時針方向之兩個方向之角度。 A.觸控面板用薄膜積層體之整體構成 圖1～圖4分別為本發明之一實施形態之觸控面板用薄膜積層體(以下，有時簡稱為「薄膜積層體」)之概略剖視圖。圖1所示之薄膜積層體100a具備：附導電層之薄膜基材10，其具有薄膜基材11及直接設置於其一面之導電層12；以及低透濕性基材20，其經由接著層30而積層於附導電層之薄膜基材10之導電層12側之面。低透濕性基材20具備支持基材21及設置於支持基材21之一側之無機薄膜22。圖2所示之薄膜積層體100b具備：附導電層之薄膜基材10，其具有薄膜基材11及直接設置於其一面之導電層12；以及低透濕性基材20，其經由接著層30而積層於附導電層之薄膜基材10之薄膜基材11側之面。圖3所示之薄膜積層體100c具備：附導電層之薄膜基材10，其具有薄膜基材11及直接設置於其兩面之導電層12a、12b；以及低透濕性基材20，其經由接著層30而積層於附導電層之薄膜基材10之導電層12a側之面。於該等實施形態中，薄膜基材11包含可為相位差薄膜之樹脂薄膜13。又，雖未圖示，但亦可於低透濕性基材20之支持基材21與無機薄膜22之間視需要介置增黏塗層。 本發明之薄膜積層體可進而包含作為任意之構成要素之偏光板。例如圖4所示之薄膜積層體100d進而包含偏光板40。偏光板40係經由接著層30b而積層於附導電層之薄膜基材10之視認側。即，於薄膜積層體100d中，自視認側依序積層有偏光板40、接著層30b、附導電層之薄膜基材10、接著層30a及低透濕性基材20。於該實施形態中，薄膜基材11包括可為相位差薄膜之樹脂薄膜13及設置於其顯示單元(例如液晶單元、有機EL單元)側之面之功能層14，導電層12係直接設置於薄膜基材11之功能層14側之面。根據此種構成，薄膜積層體100d可較佳地應用於在顯示單元與偏光元件之間組入觸控感測器而成之所謂內觸控面板型輸入顯示裝置。 與上述圖示例不同，功能層可僅設置於薄膜基材之視認側，又，亦可設置於薄膜基材之兩面。 如上所述，於本發明中，導電層係直接設置於薄膜基材之至少一面。於本說明書中，所謂「直接設置」係指不介置接著層而積層。 上述薄膜積層體之自附導電層之薄膜基材至低透濕性基材為止之合計厚度(附導電層之薄膜基材、低透濕性基材、及介置於其間之接著層之合計厚度)較佳為25 μm～300 μm，更佳為50 μm～200 μm。根據本發明之實施形態，由於導電層直接設置於薄膜基材表面，故而可實現顯著之薄型化。 於一實施形態中，本發明之薄膜積層體為長條狀。長條狀之薄膜積層體例如可捲繞成卷狀而保管及/或搬運。 上述實施形態可適當組合，可對上述實施形態中之構成要素添加業界熟知之改變，亦可將上述實施形態中之構成替換為光學上等效之構成。 以下，對薄膜積層體之構成要素進行說明。 B.附導電層之薄膜基材 B-1.薄膜基材 薄膜基材包含任意適當之樹脂薄膜。於一實施形態中，可使用在85℃、85%R.H.環境下實質上不會產生變形之樹脂薄膜(例如下述變形率未達0.01%之樹脂薄膜)。於使用此種樹脂薄膜之情形時，可防止導電層之龜裂之產生。於另一實施形態中，可使用在85℃、85%R.H.環境下於至少一方向上產生變形之樹脂薄膜。於使用此種樹脂薄膜之情形時，可更佳地發揮本發明之效果。變形代表性的是收縮或膨脹。於樹脂薄膜為延伸薄膜之情形時，有容易產生向與延伸方向平行之方向之收縮、向與延伸方向正交之方向之膨脹之傾向。於85℃、85%R.H.環境下暴露4小時後之樹脂薄膜之向至少一方向之變形率(收縮率[(原來之尺寸－暴露後之尺寸)/原來之尺寸×100]或膨脹率[(暴露後之尺寸－原來之尺寸)/原來之尺寸×100])一般為0.01%以上，例如可為0.03%～1%，又，例如可為0.05%～0.5%。 樹脂薄膜之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為150℃以上，更佳為155℃以上，進而較佳為158℃以上，進而更佳為160℃以上，尤佳為163℃以上。另一方面，該玻璃轉移溫度較佳為180℃以下，更佳為175℃以下，進而較佳為170℃以下。若玻璃轉移溫度過低，則有於用以形成導電層之濺鍍及附隨於其之後續處理之高溫環境下光學特性產生非預期之變化之情形。若玻璃轉移溫度過高，則有成形穩定性變差之情形，又，有損害透明性之情形。再者，玻璃轉移溫度係依據JIS K 7121(1987)而求出。 樹脂薄膜之光彈性係數之絕對值較佳為20×10^-12 (m² /N)以下，更佳為1.0×10^-12 (m² /N)～15×10^-12 (m² /N)，進而較佳為2.0×10^-12 (m² /N)～12×10^{- 12} (m² /N)。若光彈性係數之絕對值為此種範圍，則可抑制濺鍍前後之色調之變化。 樹脂薄膜可於光學上為各向同性。或者，樹脂薄膜亦可具有雙折射，於光學上為各向異性。光學上為各向異性之樹脂薄膜可為能夠發揮光學補償功能之相位差薄膜。藉由於包含此種樹脂薄膜(相位差薄膜)之薄膜基材直接形成導電層，而無需另外設置濺鍍用基材，因此可實現薄膜積層體(最終為圖像顯示裝置)之進一步之薄型化。再者，於本說明書中，所謂「光學上為各向同性」係指面內相位差Re(550)為0 nm～10 nm，且厚度方向之相位差Rth(550)為-10 nm～+10 nm。 於對樹脂薄膜賦予光學補償功能之情形(即，樹脂薄膜為相位差薄膜之情形)時，其面內相位差Re(550)例如為100 nm～180 nm，較佳為120 nm～160 nm，更佳為135 nm～155 nm。即，樹脂薄膜可作為所謂λ/4板發揮功能。以下，對樹脂薄膜為相位差薄膜之情形時之樹脂薄膜之光學特性進行說明。 樹脂薄膜較佳為滿足Re(450)＜Re(550)＜Re(650)之關係。即，樹脂薄膜顯示出相位差值對應於測定光之波長而變大之逆頻散之波長依存性。樹脂薄膜之Re(450)/Re(550)較佳為0.8以上且未達1.0，更佳為0.8～0.95。Re(550)/Re(650)較佳為0.8以上且未達1.0，更佳為0.8～0.97。 樹脂薄膜代表性的是折射率特性顯示nx＞ny之關係，且具有遲相軸。樹脂薄膜之遲相軸與偏光元件之吸收軸所成之角度例如為35°～55°，較佳為38°～52°，更佳為42°～48°，進而較佳為約45°。若該角度為此種範圍，則藉由將樹脂薄膜設為λ/4板，可獲得具有非常優異之圓偏光特性(作為結果，非常優異之抗反射特性)之薄膜積層體。 樹脂薄膜只要具有nx＞ny之關係，則表示任意適當之折射率橢球。較佳為樹脂薄膜之折射率橢球顯示nx＞ny≧nz或nx＞nz＞ny之關係。再者，此處，「ny＝nz」不僅包括ny與nz完全相等之情形，而且包括實質上相等之情形。因此，可於無損本發明之效果之範圍內有ny＜nz之情形。Nz係數較佳為0.2～2.0，更佳為0.2～1.5，進而較佳為0.2～1.0。藉由滿足此種關係，於將薄膜積層體用於圖像顯示裝置之情形時，可達成非常優異之反射色相。 樹脂薄膜之厚度可設定為任意適當之值。於樹脂薄膜作為λ/4板等相位差薄膜發揮功能之情形時，其厚度可以獲得所期望之面內相位差之方式設定。具體而言，樹脂薄膜之厚度例如為10 μm～200 μm，其中，作為相位差薄膜之厚度較佳為10 μm～80 μm，進而較佳為10 μm～60 μm，最佳為30 μm～50 μm。 樹脂薄膜包含可滿足如上所述之特性之任意適當之樹脂。作為該樹脂，可列舉：聚碳酸酯樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、環烯烴系樹脂、丙烯酸系樹脂、纖維素酯系樹脂等。較佳為聚碳酸酯樹脂。關於聚碳酸酯樹脂，使用複數種單體合成共聚物相對較容易，能夠實現用於調整各種物性平衡之分子設計。又，耐熱性或延伸性、機械物性等亦相對較良好。再者，本發明中，所謂聚碳酸酯樹脂係統稱於結構單元具有碳酸酯鍵之樹脂，例如包含聚酯碳酸酯樹脂。所謂聚酯碳酸酯樹脂係指具有碳酸酯鍵及酯鍵作為構成該樹脂之結構單元之樹脂 聚碳酸酯樹脂較佳為至少含有下述式(1)或(2)所表示之結構單元。 [化1][化2](式(1)及(2)中，R¹ ～R³ 分別獨立為直接鍵、可具有取代基之碳數1～4之伸烷基，R⁴ ～R⁹ 分別獨立為氫原子、可具有取代基之碳數1～10之烷基、可具有取代基之碳數4～10之芳基、可具有取代基之碳數1～10之醯基、可具有取代基之碳數1～10之烷氧基、可具有取代基之碳數1～10之芳氧基、可具有取代基之胺基、可具有取代基之碳數1～10之乙烯基、可具有取代基之碳數1～10之乙炔基、具有取代基之硫原子、具有取代基之矽原子、鹵素原子、硝基、或氰基；其中，R⁴ ～R⁹ 可相互相同，亦可不同，R⁴ ～R⁹ 中鄰接之至少2個基可相互鍵結而形成環) 上述結構單元即便於樹脂中之含量為少量，亦可高效率地表現出反波長色散性。又，含有上述結構單元之樹脂之耐熱性亦良好，藉由進行延伸而獲得較高之雙折射，因此具有作為上述相位差薄膜適宜之特性。 關於上述式(1)或(2)所表示之結構單元於樹脂中之含量，為了獲得作為相位差薄膜最佳之波長色散特性，於將構成聚碳酸酯樹脂之所有結構單元、及連結基之重量之合計量設為100重量%時，較佳為含有1重量%以上且50重量%以下，更佳為3重量%以上且40重量%以下，尤佳為5重量%以上且30重量%以下。 作為上述式(1)及(2)所表示之結構單元中較佳之結構，具體而言可列舉具有下述[A]群所例示之骨架之結構。 [A] [化3][化4][化5][化6][化7][化8]於上述[A]群中，(A1)及(A2)之二酯結構單元之性能較高，尤佳為(A1)。上述特定之二酯結構單元之熱穩定性較上述式(1)所表示之源自二羥基化合物之結構單元良好，關於反波長色散之表現性或光彈性係數等光學特性亦有顯示出良好之特性之傾向。再者，於聚碳酸酯樹脂含有二酯之結構單元之情形時，將此種樹脂稱為聚酯碳酸酯樹脂。 藉由使聚碳酸酯樹脂一併含有上述式(1)或(2)所表示之結構單元與其他結構單元，可設計出滿足上述相位差薄膜所要求之各種物性之樹脂。尤其為了賦予作為重要物性之較高之耐熱性，較佳為含有下述式(3)所表示之結構單元。 [化9](式(3)中，R¹⁰ ～R¹⁵ 分別獨立地表示氫原子、碳數1～12之烷基、芳基、碳數1～12之烷氧基、或鹵素原子) 上述式(3)所表示之結構單元係具有較高之玻璃轉移溫度之成分，進而，儘管為芳香族結構，但光彈性係數相對較低，滿足上述樹脂薄膜所要求之特性。 關於上述式(3)所表示之結構單元於樹脂中之含量，於將構成聚碳酸酯樹脂之所有結構單元、及連結基之重量之合計量設為100重量%時，較佳為含有1重量%以上且30重量%以下，更佳為2重量%以上且20重量%以下，尤佳為3重量%以上且15重量%以下。若為該範圍，則可賦予充分之耐熱性，並且樹脂不會過度變脆，可獲得加工性優異之樹脂。 上述式(3)所表示之結構單元可藉由使含有該結構單元之二羥基化合物聚合而導入至樹脂中。作為該二羥基化合物，就物性良好且獲取之容易性之觀點而言，亦尤佳為使用6,6'-二羥基-3,3,3',3'-四甲基-1,1'-螺二茚滿。 聚碳酸酯樹脂較佳為進而含有下述式(4)所表示之結構單元。 [化10]上述式(4)所表示之結構單元具有如下特性：將樹脂延伸時之雙折射之表現性較高，光彈性係數亦較低。作為能夠導入上述式(4)所表示之結構單元之二羥基化合物，可列舉處於立體異構物之關係之異山梨酯(ISB)、去水甘露糖醇、異艾杜糖醇，於該等中，就獲取及聚合反應性之觀點而言，最佳為使用ISB。 聚碳酸酯樹脂亦可視所要求之物性，除含有上述結構單元以外，亦含有其他結構單元。作為含有其他結構單元之單體，例如可列舉：脂肪族二羥基化合物、脂環式二羥基化合物、含有縮醛環之二羥基化合物、氧伸烷基二醇類、含有芳香族成分之二羥基化合物、二酯化合物等。就各種物性之平衡性良好或獲取之容易性之觀點而言，可較佳地使用1,4-環己烷二甲醇(以下有時簡稱為CHDM)、三環癸烷二甲醇(以下有時簡稱為TCDDM)、螺二醇(以下有時簡稱為SPG)等二羥基化合物。 於聚碳酸酯樹脂中，亦可於無損本發明之目的之範圍內含有通常所使用之熱穩定劑、抗氧化劑、觸媒失活劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、脫模劑、染顏料、衝擊改良劑、抗靜電劑、滑劑、潤滑劑、塑化劑、相容劑、成核劑、阻燃劑、無機填充劑、發泡劑等。 聚碳酸酯樹脂亦可以改善機械特性或耐溶劑性等特性為目的，而設為與芳香族聚碳酸酯、脂肪族聚碳酸酯、芳香族聚酯、脂肪族聚酯、聚醯胺、聚苯乙烯、聚烯烴、丙烯酸、非晶聚烯烴、ABS(acrylonitrile-butadiene-styrene，丙烯-丁二烯-苯乙烯)、AS(acrylonitrile-styrene，丙烯-苯乙烯)、聚乳酸、聚丁二酸丁二酯等合成樹脂或橡膠等之1種或2種以上混練而成之聚合物合金。 上述添加劑或改質劑可藉由滾筒、V型摻合機、圓錐螺旋混合機、班布里混合機、混練輥、擠出機等混合機將上述成分同時、或以任意之順序混合至樹脂中而製造。其中，就提高分散性之觀點而言，較佳為藉由擠出機、尤其是雙軸擠出機進行混練。 聚碳酸酯樹脂之分子量可以還原黏度表示。還原黏度係使用二氯甲烷作為溶劑，將聚碳酸酯樹脂濃度精密地製備為0.6 g/dL，於溫度20.0℃±0.1℃下使用烏氏黏度管進行測定。還原黏度之下限通常較佳為0.25 dL/g以上，更佳為0.30 dL/g以上，尤佳為0.32 dL/g以上。還原黏度之上限通常較佳為0.50 dL/g以下，更佳為0.45 dL/g以下，尤佳為0.40 dL/g以下。若還原黏度小於上述下限值，則有產生成形品之機械強度變小之問題之情形。另一方面，若還原黏度大於上述上限值，則有產生成形時之流動性降低，生產性或成形性降低之問題之情形。 聚碳酸酯樹脂於測定溫度240℃、剪切速度91.2 sec^-1 下之熔融黏度較佳為3000 Pa・s以上且7000 Pa・s以下。熔融黏度之下限更佳為4000 Pa・s以上，尤佳為4500 Pa・s以上。熔融黏度之上限更佳為6500 Pa・s以下，尤佳為6000 Pa・s以下。 對於樹脂薄膜要求較高之耐熱性，通常為耐熱性(玻璃轉移溫度)越高則樹脂變得越脆之方向，但藉由設為如上所述之熔融黏度範圍，保持樹脂之加工時最低限度所需要之機械物性並且亦可對樹脂進行熔融加工。 聚碳酸酯樹脂之鈉d線(589 nm)下之折射率較佳為1.49以上且1.56以下。進而較佳為折射率為1.50以上且1.55以下。 為了對樹脂薄膜賦予作為相位差薄膜所要求之光學特性，必須於樹脂中導入芳香族結構。但是，芳香族結構因提高折射率而導致樹脂薄膜之透過率之降低。又，一般而言，芳香族結構具有較高之光彈性係數，使光學特性整體降低。對於上述聚碳酸酯樹脂，較佳為選擇高效率地表現所要求之特性之結構單元，且將樹脂中之芳香族結構之含量抑制為最小限度。 上述樹脂薄膜例如可藉由將上述聚碳酸酯樹脂等樹脂進行薄膜成形而獲得。作為形成薄膜之方法，可採用任意適當之成形加工法。作為具體例，可列舉：壓縮成形法、轉移成形法、射出成形法、擠出成形法、吹塑成形法、粉末成形法、FRP(Fiber Reinforced Plastics，纖維強化塑膠)成形法、澆鑄塗敷法(例如流延法)、壓延成形法、熱壓法等。其中，較佳為可提高所獲得之薄膜之平滑性、獲得良好之光學均勻性之擠出成形法、或澆鑄塗敷法。澆鑄塗敷法有產生由殘存溶劑所導致之問題之虞，因此尤佳為擠出成形法，其中使用T型模頭之熔融擠出成形法就薄膜之生產性或其後之延伸處理之容易性之觀點而言較佳。成形條件可根據所使用之樹脂之組成或種類、作為相位差薄膜所期望之特性等而適當設定。 藉由薄膜成形所獲得之樹脂薄膜視需要進一步延伸。 上述延伸可採用任意適當之延伸方法、延伸條件(例如延伸溫度、延伸倍率、延伸方向)。具體而言，可將自由端延伸、固定端延伸、自由端收縮、固定端收縮等各種延伸方法單獨使用，亦可同時或逐次使用。關於延伸方向，可於長度方向、寬度方向、厚度方向、傾斜方向等各種方向或維度上進行。 藉由適當選擇上述延伸方法、延伸條件，可獲得具有上述所期望之光學特性(例如折射率特性、面內相位差、Nz係數)之相位差薄膜。 於一實施形態中，相位差薄膜係藉由將樹脂薄膜進行單軸延伸或固定端單軸延伸而製作。作為固定端單軸延伸之具體例，可列舉使樹脂薄膜一面於長度方向上移行一面於寬度方向(橫向)上延伸之方法。延伸倍率較佳為1.1倍～3.5倍。 於另一實施形態中，相位差薄膜可藉由將長條狀之樹脂薄膜於相對於長度方向為特定角度之方向上連續地地傾斜延伸而製作。藉由採用傾斜延伸，可獲得相對於薄膜之長度方向具有特定角度之配向角(於特定角度之方向上具有遲相軸)之長條狀之延伸薄膜，例如於與偏光元件積層時能夠卷對卷，可簡化製造步驟。進而，藉由與導電層可直接形成於樹脂薄膜(相位差薄膜)之協同效應，可顯著提高製造效率。再者，上述特定角度可為於薄膜積層體中偏光元件之吸收軸與相位差薄膜之遲相軸所成之角度。該角度如上所述，較佳為35°～55°，更佳為38°～52°，進而較佳為42°～48°，尤佳為約45°。 作為用於傾斜延伸之延伸機，例如可列舉能夠對橫向及/或縱向施加左右不同速度之進給力或拉伸力或拉取力之拉幅機式延伸機。拉幅機式延伸機有橫單軸延伸機、同時雙軸延伸機等，但只要可將長條狀樹脂薄膜連續地傾斜延伸，則可使用任意適當之延伸機。 藉由於上述延伸機中將左右之速度分別控制為適當，可獲得具有上述所期望之面內相位差且於上述所期望之方向上具有遲相軸之相位差薄膜(實質上為長條狀之相位差薄膜)。 作為傾斜延伸之方法，例如可列舉：日本專利特開昭50-83482號公報、日本專利特開平2-113920號公報、日本專利特開平3-182701號公報、日本專利特開2000-9912號公報、日本專利特開2002-86554號公報、日本專利特開2002-22944號公報等所記載之方法。 上述薄膜之延伸溫度可對應於相位差薄膜所期望之面內相位差值及厚度、所使用之樹脂之種類、所使用之薄膜之厚度、延伸倍率等而變化。具體而言，延伸溫度較佳為Tg-30℃～Tg+30℃，進而較佳為Tg-15℃～Tg+15℃，最佳為Tg-10℃～Tg+10℃。藉由於此種溫度下延伸，可於本發明中獲得具有適當之特性之相位差薄膜。再者，Tg係薄膜之構成材料之玻璃轉移溫度。 可視需要於樹脂薄膜之表面設置功能層。功能層可設置於樹脂薄膜之一面，亦可設置於兩面。又，功能層可為單層結構，亦可為2層以上之多層結構。 作為功能層，可列舉硬塗層、防眩處理層及抗反射層、折射率匹配層、抗黏連層、低聚物防止層等。該等層之形成材料於該領域公知，因此省略其詳細說明。 功能層例如可使用能形成各層之材料，藉由凹版塗佈法、棒式塗佈法等塗敷法、真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法等直接形成於樹脂薄膜表面。 於一實施形態中，防眩處理層、抗反射層、或折射率匹配層形成於樹脂薄膜之設置導電層之側之面，硬塗層或抗黏連層可形成於任一面或兩面。 功能層之厚度(於多層結構之情形時為合計厚度)例如可為10 nm～5 μm，較佳為20 nm～4 μm。 B-2.導電層 導電層代表性的是透明導電層。導電層之全光線透過率較佳為80%以上，更佳為85%以上，進而較佳為90%以上。 導電層可視需要圖案化。藉由圖案化，可形成導通部與絕緣部。作為結果，可形成電極。電極可作為感知對觸控面板之接觸之觸控感測器電極發揮功能。圖案之形狀較佳為作為觸控面板(例如靜電電容方式觸控面板)良好地動作之圖案。作為具體例，可列舉日本專利特表2011-511357號公報、日本專利特開2010-164938號公報、日本專利特開2008-310550號公報、日本專利特表2003-511799號公報、日本專利特表2010-541109號公報所記載之圖案。 導電層之密度較佳為1.0 g/cm³ ～10.5 g/cm³ ，更佳為1.3 g/cm³ ～8.0 g/cm³ 。 導電層之表面電阻值較佳為0.1 Ω/□～1000 Ω/□，更佳為0.5 Ω/□～500 Ω/□，進而較佳為1 Ω/□～250 Ω/□。 作為導電層之代表例，可列舉含有金屬氧化物之導電層。作為金屬氧化物，例如可列舉：氧化銦、氧化錫、氧化鋅、銦錫複合氧化物、錫銻複合氧化物、鋅鋁複合氧化物、銦鋅複合氧化物。其中較佳為銦錫複合氧化物(ITO)。 導電層之厚度較佳為0.01 μm～0.06 μm，更佳為0.01 μm～0.045 μm。若為此種範圍，則可獲得導電性及透光性優異之導電層。 導電層代表性的是可藉由濺鍍而形成於薄膜基材之表面。 C.低透濕性基材 低透濕性基材之於40℃、92%R.H.下之透濕度(水蒸汽透過率)為1.0 g/(m² ・day)以下，較佳為0.2 g/(m² ・day)以下，更佳為0.1 g/(m² ・day)以下，進而較佳為0.05 g/(m² ・day)以下。若透濕度為此種範圍，則可較佳地抑制伴隨著吸濕之薄膜基材之變形、例如收縮，作為結果，可防止伴隨著該變形而於導電層產生龜裂。透濕度理想上較佳為完全不使水蒸汽透過(即0 g/(m² ・day))。 就光學特性之方面而言，低透濕性基材之全光線透過率較佳為70%以上，更佳為75%以上，進而較佳為80%以上。 作為低透濕性基材，只要具有上述所期望之特性，則可採用任意適當之構成。於一實施形態中，低透濕性基材具備支持基材及設置於該支持基材之一側之無機薄膜。無機薄膜可直接設置於支持基材上。或者，亦可隔著增黏塗層而設置於支持基材上。 上述支持基材較佳為透明。支持基材之可見光(例如波長550 nm之光)之全光線透過率較佳為85%以上，更佳為90%以上，進而較佳為95%以上。 於一實施形態中，支持基材於光學上為各向同性。若為此種構成，則於將薄膜積層體應用於圖像顯示裝置之情形時可防止對該圖像顯示裝置之顯示特性之不良影響。 支持基材之平均折射率較佳為未達1.7，更佳為1.59以下，進而較佳為1.4～1.55。若平均折射率為此種範圍，則具有可抑制裏面反射，可達成較高之透光率之優點。 作為構成支持基材之材料，可使用能夠滿足上述特性之任意適當之材料。作為具體例，例如可列舉：降𦯉烯系樹脂或烯烴系樹脂等不具有共軛系之樹脂、於丙烯酸系主鏈中具有內酯環或戊二醯亞胺環等環狀結構之樹脂、聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂。若為此種材料，則可於形成支持基材時將伴隨著分子鏈之配向之相位差之表現抑制為較小。 支持基材之厚度較佳為10 μm～50 μm，更佳為20 μm～35 μm。 上述無機薄膜可由任意適當之無機化合物形成。無機薄膜較佳為含有選自由氧化物、氮化物、氫化物及其複合化合物所組成之群中之至少一種無機化合物。具體而言，無機化合物不僅可為氧化物、氮化物或氫化物單體之情形，而且可為氧化物、氮化物及/或氫化物之複合化合物。藉由使用此種化合物，透明性可進而優異。形成無機薄膜之無機化合物可具有任意適當之結構。具體而言，可具有完全之結晶結構，亦可具有非晶結構。 作為構成上述無機化合物之元素，可列舉：碳(C)、矽(Si)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉀(K)、鋅(Zn)、錫(Sn)、鎳(Ni)、鈉(Na)、硼(B)、鈦(Ti)、鉛(Pb)、鋯(Zr)、釔(Y)、烴、以及該等之氧化物、碳化物、氮化物及其等之混合物。該等可單獨使用或組合2種以上而使用。於該等中，較佳為使用碳、矽、鋁。作為無機化合物之具體例，可列舉：類鑽碳(DLC)、矽氮化物(SiNx)、矽氧化物(SiOy)、鋁氧化物(AlOz)、鋁氮化物等。作為SiNx之x之值，較佳為0.3～2。作為SiOy之y之值，較佳為1.3～2.5。作為AlOz之z之值，較佳為0.7～2.3。尤佳為矽氧化物、鋁氧化物。其原因在於，可穩定地維持較高之阻氣性。 無機薄膜之厚度較佳為0.1 nm～5000 nm，更佳為0.5 nm～1000 nm，進而較佳為10 nm～1000 nm，尤佳為30 nm～500 nm，特佳為50 nm～200 nm。若為此種範圍，則可獲得具有充分之阻隔性、不會產生龜裂或剝離且透明性優異之無機薄膜。 無機薄膜可採用任意適當之構成。具體而言，無機薄膜可由單一層形成，亦可為複數層之積層體。作為無機薄膜為積層體之情形時之一具體例，可列舉無機氧化物層/無機氮化物層/無機氧化物層(例如SiOy層/SiNx層/SiOy層)之3層構成。又，作為無機薄膜為積層體之情形之另一具體例，可列舉含有ZnO、Al及SiO₂ 之第1氧化物層/含有SiO₂ 之第2氧化物層之2層構成。於該構成中，第1氧化物層配置於支持基材側。 如上所述，上述第1氧化物層含有ZnO、Al及SiO₂ 。第1氧化物層係相對於總重量以較佳為2.5重量%～3.5重量%之比率含有Al，以較佳為以20.0重量%～62.4重量%之比率含有SiO₂ 。ZnO較佳為剩餘量。藉由於此種範圍內含有ZnO，可形成非晶性、阻隔性、彎曲性及耐熱性優異之層。藉由於此種範圍內含有Al，第1氧化物層代表性的是藉由濺鍍而形成，結果可增大靶之導電率。藉由於此種範圍內含有SiO₂ ，可不產生異常放電且無損阻隔性而減小第1氧化物層之折射率。 第1氧化物層之厚度較佳為10 nm～100 nm，更佳為10 nm～60 nm，進而較佳為20 nm～40 nm。若厚度為此種範圍，則具有可兼顧較高之透光性與優異之阻隔性之優點。 第1氧化物層之平均折射率較佳為1.59～1.80。若平均折射率為此種範圍，則具有可達成較高之透光性之優點。 第1氧化物層較佳為透明。第1氧化物層之可見光(例如波長550 nm之光)之全光線透過率較佳為85%以上，更佳為90%以上，進而較佳為95%以上。 上述第2氧化物層含有SiO₂ (亦可含有不可避免之雜質)。藉由於第1氧化物層之表面形成此種第2氧化物層，可維持由第1氧化物層所獲得之良好之特性，並且顯著提高作為低透濕性基材整體之耐化學品性及透明性。進而，第2氧化物層可作為低折射率層發揮功能，因此可對低透濕性基材賦予良好之抗反射特性。 第2氧化物層之厚度較佳為10 nm～100 nm，更佳為50 nm～100 nm，進而較佳為60 nm～100 nm。若厚度為此種範圍，則具有可兼顧較高之透光性、優異之阻隔性及優異之耐化學品性之優點。 第2氧化物層之平均折射率較佳為1.44～1.50。其結果為，第2氧化物層可作為低折射率層(抗反射層)良好地發揮功能。 第2氧化物層較佳為透明。第2氧化物層之可見光(例如波長550 nm之光)之全光線透過率較佳為85%以上，更佳為90%以上，進而較佳為95%以上。 作為無機薄膜之形成方法，可採用任意適當之方法。作為具體例，可列舉蒸鍍法、塗佈法。就可獲得阻隔性較高之均勻之薄膜之方面而言，較佳為蒸鍍法。蒸鍍法包括真空蒸鍍、離子鍍覆、濺鍍等PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相蒸鍍法)、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相蒸鍍法)。 以下更詳細地說明上述第1氧化物層及第2氧化物層之形成方法。第1氧化物層代表性的是可藉由濺鍍而形成於支持基材上。第1氧化物層例如可使用含有Al、SiO₂ 及ZnO之濺鍍靶，於含有氧氣之惰性氣體環境下藉由濺鍍法而形成。作為濺鍍方法，可採用磁控濺鍍法、RF(Radio Frequency，射頻)濺鍍法、RF重疊DC(Direct Current，直流)濺鍍法、脈衝濺鍍法、雙磁控濺鍍法等。基板之加熱溫度例如為-8℃～200℃。氧氣相對於氧氣與惰性氣體之環境氣體整體之氣體分壓例如為0.05以上。 關於構成第1氧化物層之AZO膜及其製造方法之詳細情況，例如記載於日本專利特開2013-189657號公報中。該公報之記載作為參考被引用於本說明書中。 第2氧化物層代表性的是可藉由濺鍍而形成於第1氧化物層上。第2氧化物層例如可藉由將Si、SiC、SiN或SiO作為靶，使用含有氧氣之惰性氣體(例如氬氣、氮氣、CO、CO₂ 、及該等之混合氣體)進行濺鍍而形成。第1氧化物層及第2氧化物層均含有SiO₂ ，因此第1氧化物層與第2氧化物層之密接性非常優異。就該情況而言，為了使第1氧化物層與第2氧化物層之界面表現充分之阻隔功能，第1氧化物層之厚度較佳為如上所述為10 nm以上。其原因在於，可充分減小作為沈積初期膜之所謂培養層之比率，可形成具有目標物性之氧化物層。又，第1氧化物層與第2氧化物層之總厚度較佳為200 nm以下，更佳為140 nm以下。 作為增黏塗層之形成材料，可採用任意適當之材料。作為該材料，可列舉：樹脂、烴、金屬、金屬氧化物及金屬氮化物。關於增黏塗層之形成材料及形成方法，例如記載於日本專利特開2016-105166號公報中。該公報之記載作為參考被引用於本說明書中。 亦可於低透濕性基材之表面(無機薄膜側表面或支持基材側表面)形成保護層。保護層代表性的是由樹脂形成。形成保護層之樹脂可為溶劑性，亦可為水性。作為具體例，可列舉：聚酯系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、乙烯-不飽和羧酸共聚物、乙烯-乙烯醇系樹脂、乙烯基改性樹脂、硝化纖維素系樹脂、矽系樹脂、異氰酸酯系樹脂、環氧系樹脂、含㗁唑啉基之樹脂、改性苯乙烯系樹脂、改性矽系樹脂、鈦酸烷基酯。該等可單獨使用，亦可組合使用。為了提高阻隔性、耐磨耗性、滑動性，亦可於保護層中添加無機粒子。作為無機粒子，例如可列舉矽溶膠、氧化鋁溶膠、粒子狀無機填料及層狀無機填料。該等可單獨使用，亦可組合使用。無機粒子可藉由混合而添加，亦可藉由於無機粒子存在下使上述樹脂之單體聚合而添加。 作為保護層之形成方法，可採用任意適當之方法。於使用樹脂組合物之情形時，作為形成方法，例如可列舉塗佈及浸漬。作為塗佈方法之具體例，可列舉逆輥塗佈機、凹版塗佈機、桿式塗佈機、氣刀、噴霧及毛刷。於塗佈或浸漬後，對塗佈層或藉由浸漬所形成之層進行任意適當之乾燥處理而使溶劑蒸發，藉此可形成均勻之保護層。作為乾燥處理，例如可列舉熱風乾燥或熱輥乾燥等加熱乾燥、紅外線乾燥。加熱溫度例如為80℃～200℃左右。為了提高耐水性、耐久性，亦可對所形成之保護層進行利用能量射線照射之交聯處理。 保護層之厚度較佳為0.05 μm～10 μm，進而較佳為0.1 μm～3 μm。 於將上述增黏塗層、無機薄膜及任意之保護層設為1個結構單元層之情形時，可於低透濕性基材設置1層或複數層之結構單元層。於結構單元層設置有複數層之情形時，結構單元層之層數較佳為1層～10層，更佳為1層～5層。於此情形時，各結構單元層可相同，亦可不同。 上述低透濕性基材代表性的是經由接著層而積層於附導電層之薄膜基材。此時，可以無機薄膜側與接著層對向之方式積層，亦可以支持基材側與接著層對向之方式積層。 D.偏光板 偏光板代表性的是包含偏光元件及設置於其一側(視認側)之第1保護薄膜。偏光板可視需要進而包含設置於偏光元件之另一側(附導電層之薄膜基材側)之第2保護薄膜。又，亦可為於該第2保護薄膜之與偏光元件相反之側進而包含相位差薄膜之附相位差薄膜之偏光板(第1保護薄膜/偏光元件/第2保護薄膜/相位差薄膜之構成)。 作為偏光元件，可採用任意適當之偏光元件。例如偏光元件可為(i)將以聚乙烯醇(PVA)系樹脂薄膜為代表之單層之樹脂薄膜利用碘等二色性物質進行染色及延伸而獲得之偏光元件。又，例如偏光元件可為(ii)將樹脂基材與積層於該樹脂基材之PVA系樹脂層(PVA系樹脂薄膜)之積層體利用二色性物質進行染色及延伸而獲得之偏光元件、或(iii)將樹脂基材與塗佈於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體利用二色性物質進行染色及延伸而獲得之偏光元件。(iii)之偏光元件之製造方法之詳細情況例如記載於日本專利特開2012-73580號公報中。該公報其整體之記載作為參考被引用於本說明書中。 偏光元件之厚度較佳為15 μm以下，更佳為1 μm～12 μm，進而較佳為3 μm～10 μm，尤佳為3 μm～8 μm。若偏光元件之厚度為此種範圍，則可良好地抑制加熱時之捲曲，且獲得良好之加熱時之外觀耐久性。進而，若偏光元件之厚度為此種範圍，則可有助於薄膜積層體(結果為圖像顯示裝置)之薄型化。 偏光元件較佳為於波長380 nm～780 nm之任一波長下顯示吸收二色性。偏光元件之單體透過率較佳為43.0%～46.0%，更佳為44.5%～46.0%。偏光元件之偏光度較佳為97.0%以上，更佳為99.0%以上，進而較佳為99.9%以上。 第1保護薄膜係由可用作偏光元件之保護薄膜之任意適當之薄膜形成。作為成為該薄膜之主成分之材料之具體例，可列舉：三乙醯纖維素(TAC)等纖維素系樹脂、或聚酯系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚降𦯉烯系、聚烯烴系、(甲基)丙烯酸系、乙酸酯系等透明樹脂等。又，亦可列舉：(甲基)丙烯酸系、胺基甲酸酯系、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯系、環氧系、聚矽氧系等熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。此外，例如亦可列舉矽氧烷系聚合物等玻璃質系聚合物。又，亦可使用日本專利特開2001-343529號公報(WO01/37007)所記載之聚合物薄膜。作為該薄膜之材料，例如可使用含有於側鏈具有取代或非取代之醯亞胺基之熱塑性樹脂、與於側鏈具有取代或非取代之苯基以及腈基之熱塑性樹脂的樹脂組合物，例如可列舉具有包含異丁烯與N-甲基順丁烯二醯亞胺之交替共聚物、及丙烯腈-苯乙烯共聚物之樹脂組合物。該聚合物薄膜例如可為上述樹脂組合物之擠出成形物。 於偏光元件為上述(iii)將樹脂基材與塗佈於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體利用二色性物質進行染色及延伸而獲得之偏光元件之情形時，可不將該樹脂基材自偏光元件剝離而用作第1保護薄膜。 如下所述，本發明之薄膜積層體代表性的是配置於圖像顯示裝置之視認側，此時，第1保護薄膜配置於其視認側。因此，亦可視需要對第1保護薄膜實施硬塗處理、抗反射處理、抗黏處理、防眩處理等表面處理。進而/或者，亦可視需要對第1保護薄膜實施改善隔著偏光太陽眼鏡進行視認之情形時之視認性之處理(代表性的是賦予(橢)圓偏光功能、賦予超高相位差)。藉由實施此種處理，即便於隔著偏光太陽眼鏡等偏光透鏡視認顯示畫面之情形時，亦可實現優異之視認性。因此，本發明之薄膜積層體亦可較佳地應用於可在室外使用之圖像顯示裝置。 第1保護薄膜之厚度較佳為10 μm～200 μm，更佳為20 μm～100 μm，進而較佳為25 μm～95 μm。 第2保護薄膜可於光學上為各向同性。或者，第2保護薄膜亦可具有雙折射，於光學上為各向異性。光學上為各向異性之第2保護薄膜可為能夠發揮光學補償功能之相位差薄膜。第2保護薄膜之材料及厚度等係如關於第1保護薄膜所說明。又，於第2保護薄膜為可發揮光學補償功能之相位差薄膜之情形時，其光學特性(折射率橢球、相位差等)及與偏光元件之軸關係係如關於下述之作為任意之構成要素之相位差薄膜所說明般。再者，第2保護薄膜為可發揮光學補償功能之相位差薄膜之實施形態包含於偏光板包含相位差薄膜之實施形態。 可設置於上述第2保護薄膜之與偏光元件相反之側之相位差薄膜係以對應於目的等而具有所期望之折射率橢球及相位差之方式製作。 於一實施形態中，上述相位差薄膜可作為λ/2板發揮功能。於該實施形態中，相位差薄膜之面內相位差Re(550)為180 nm～320 nm，更佳為200 nm～290 nm，進而較佳為230 nm～280 nm。相位差薄膜代表性的是具有nx＞ny＝nz或nx＞ny＞nz之折射率橢球，其Nz係數例如為0.9～2，較佳為1～1.5，更佳為1～1.3。 上述相位差薄膜可顯示出相位差值對應於測定光之波長而變大之反波長色散特性，亦可顯示出相位差值根據測定光之波長而變小之正波長色散特性，亦可顯示出相位差值幾乎不會因測定光之波長而發生變化之平坦之波長色散特性。較佳為顯示出平坦之波長色散特性。藉由採用具有平坦之波長色散特性之λ/2板(相位差薄膜)，可實現優異之抗反射特性及傾斜方向之反射色相。相位差薄膜之Re(450)/Re(550)較佳為0.99～1.07，Re(650)/Re(550)較佳為0.98～1.07。上述相位差薄膜可藉由將任意適當之樹脂進行薄膜成形並視需要進行延伸而製作。作為樹脂，較佳可使用環狀烯烴系樹脂。作為延伸方法，可使用上述B-1.項所記載之方法。 於另一實施形態中，上述相位差薄膜可為具有nz＞nx＝ny之折射率橢球之正C板。此處，「nx＝ny」不僅包括nx與ny嚴格上相等之情形，而且亦包括nx與ny實質上相等之情形。即，係指Re未達10 nm。該薄膜之厚度方向之相位差Rth例如為-20 nm～-200 nm，進而較佳為-40 nm～-180 nm，尤佳為-40 nm～-160 nm。 作為上述相位差薄膜之具體例，可列舉：由固定(固化或硬化)成垂直配向之液晶材料所形成之薄膜(垂直配向液晶薄膜)。若使用此種薄膜，則於用於圖像顯示裝置之情形時，能夠獲得可有助於提高自傾斜方向視認之情形時之色調、以及提高抗反射特性之薄膜積層體。於本說明書中，所謂「垂直配向」係指液晶材料(液晶化合物)之長軸方向相對於偏光元件之主面為90°±30°之配向狀態。換言之，「垂直配向」不僅包括純粹之垂直配向，而且包括特定之傾斜配向。再者，傾斜配向之傾斜角例如可以Journal of Applied Physics, Vol. 38 (1999), P.748所記載之順序求出。 可形成上述垂直配向之液晶材料(液晶化合物)可為液晶單體，亦可為液晶聚合物。作為代表性之液晶化合物，例如可列舉向列型液晶化合物。關於此種液晶化合物之配向技術之概要例如記載於化學總說44(表面之改質，日本化學會編，156～163頁)。 包含固定成上述垂直配向之液晶材料之薄膜之詳細情況例如記載於日本專利特開2008-216782號公報中。該公報其整體之記載作為參考被引用於本說明書中。 包含固定成上述垂直配向之液晶材料之薄膜例如可藉由於基材上塗敷含有液晶材料(液晶化合物)之液晶性組合物，使該等於呈現液晶相之狀態下垂直配向，於維持該配向之狀態下實施硬化處理而形成。所獲得之薄膜代表性的是自基材剝離，轉印至第2保護薄膜。 上述相位差薄膜之厚度可視形成材料、目的等而設定為任意適當之值。具體而言，作為λ/2板發揮功能之相位差薄膜之厚度較佳為10 μm～60 μm，更佳為30 μm～50 μm。又，作為正C板之相位差薄膜之厚度較佳為0.5 μm～60 μm，進而較佳為0.5 μm～50 μm，最佳為0.5 μm～40 μm。 偏光板代表性的是藉由經由任意適當之黏著劑層或接著劑層將各層貼合而獲得。 E.接著層 作為接著層，可於無損本發明之效果之範圍內使用任意適當之接著層。其中，較佳為使用於40℃、92%R.H.下之透濕度為100 g/(m² ・day)以下之接著層。藉由將接著層之透濕度控制為上述值以下，可進一步抑制伴隨著吸濕之薄膜基材之變形、例如收縮，結果可更佳地防止伴隨著該變形而於導電層產生龜裂。此處，「透濕度」係指接著層之於40℃、92%R.H.條件下之水蒸汽透過率(透濕度)。又，所謂「接著層」係指接著劑層或黏著劑層。 介置於上述偏光板與附導電層之薄膜基材之間之接著層、及介置於附導電層之薄膜基材與低透濕性基材之間之接著層可為相同之接著層，亦可為不同之接著層。較佳為使任一接著層之上述透濕度充足，更佳為使兩個接著層之上述透濕度充足。 接著層之於40℃、92%R.H.下之透濕度更佳為50 g/(m² ・day)以下，進而較佳為40 g/(m² ・day)以下，進而更佳為30 g/(m² ・day)以下，進而更佳為20 g/(m² ・day)以下。透濕度理想上較佳為完全不使水蒸汽透過(即0 g/(m² ・day))。 E-1.接著劑層 作為接著劑層，可採用包含任意適當之接著劑組合物之層。作為此種接著劑組合物，例如可列舉：天然橡膠接著劑組合物、α-烯烴系接著劑組合物、胺基甲酸酯樹脂系接著劑組合物、乙烯-乙酸乙烯酯樹脂乳液接著劑組合物、乙烯-乙酸乙烯酯樹脂系熱熔接著劑組合物、環氧樹脂系接著劑組合物、氯乙烯樹脂溶劑系接著劑組合物、氯丁二烯橡膠系接著劑組合物、氰基丙烯酸酯系接著劑組合物、聚矽氧系接著劑組合物、苯乙烯-丁二烯橡膠溶劑系接著劑組合物、腈橡膠系接著劑組合物、硝化纖維素系接著劑組合物、反應性熱熔接著劑組合物、酚樹脂系接著劑組合物、改性聚矽氧系接著劑組合物、聚酯系熱熔接著劑組合物、聚醯胺樹脂熱熔接著劑組合物、聚醯亞胺系接著劑組合物、聚胺基甲酸酯樹脂熱熔接著劑組合物、聚烯烴樹脂熱熔接著劑組合物、聚乙酸乙烯酯樹脂溶劑系接著劑組合物、聚苯乙烯樹脂溶劑系接著劑組合物、聚乙烯醇系接著劑組合物、聚乙烯吡咯啶酮樹脂系接著劑組合物、聚乙烯醇縮丁醛系接著劑組合物、聚苯并咪唑接著劑組合物、聚甲基丙烯酸酯樹脂溶劑系接著劑組合物、三聚氰胺樹脂系接著劑組合物、尿素樹脂系接著劑組合物、間苯二酚系接著劑組合物等。此種接著劑組合物可單獨使用1種或混合2種以上而使用。 接著劑層之厚度可根據目的等而選擇任意適當之厚度。接著劑層之厚度例如可為0.01～10 μm，較佳為0.05～8 μm。 E-2.黏著劑層 作為黏著劑層，可採用包含任意適當之黏著劑組合物之層。作為黏著劑組合物，例如可列舉：橡膠系黏著劑組合物、丙烯酸系黏著劑組合物、聚矽氧系黏著劑組合物、胺基甲酸酯系黏著劑組合物、乙烯基烷基醚系黏著劑組合物、聚乙烯醇系黏著劑組合物、聚乙烯吡咯啶酮系黏著劑組合物、聚丙烯醯胺系黏著劑組合物、纖維素系黏著劑組合物等，於該等中，就使上述透濕度充足之觀點而言，較佳為橡膠系黏著劑組合物。 橡膠系黏著劑組合物較佳為含有於室溫附近之溫度區域顯示橡膠彈性之橡膠系聚合物作為基礎聚合物。作為橡膠系聚合物之具體例，可列舉苯乙烯系熱塑性彈性體、異丁烯系聚合物等。該等可分別單獨使用、或組合使用。 作為苯乙烯系熱塑性彈性體，可列舉：苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS、SIS之氫化物)、苯乙烯-乙烯-丙烯嵌段共聚物(SEP、苯乙烯-異戊二烯嵌段共聚物之氫化物)、苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIBS)、苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)等苯乙烯系嵌段共聚物等。 作為異丁烯系聚合物，可列舉：作為異丁烯之均聚物之聚異丁烯(PIB)、異丁烯與正丁烯之共聚物、異丁烯與異戊二烯之共聚物(例如普通丁基橡膠、氯化丁基橡膠、溴化丁基橡膠、部分交聯丁基橡膠等丁基橡膠類)、該等之硫化物或改性物(例如經羥基、羧基、胺基、環氧基等官能基改性者)等。其中，就耐候性之觀點而言，較佳為使用聚異丁烯(PIB)。聚異丁烯於主鏈中不含雙鍵，因此耐光性優異。 作為上述聚異丁烯，例如可使用BASF公司製造之OPPANOL等市售品。 上述聚異丁烯之重量平均分子量(Mw)較佳為10萬以上，更佳為30萬以上，進而較佳為60萬以上，尤佳為70萬以上。又，重量平均分子量之上限值例如為500萬以下，較佳為300萬以下，更佳為200萬以下。藉由將上述聚異丁烯之重量平均分子量設為10萬以上，可製成高溫保管時之耐久性更優異之橡膠系黏著劑組合物。 橡膠系黏著劑組合物之總固形物成分中之橡膠系聚合物之含量較佳為50重量%以上，更佳為60重量%以上，進而更佳為70重量%以上，進而更佳為80重量%以上，進而更佳為85重量%以上，尤佳為90重量%以上。橡膠系聚合物之含量之上限例如為99重量%以下，較佳為98重量%以下。藉由於上述範圍內含有苯乙烯系熱塑性彈性體及異丁烯系聚合物所代表之橡膠系聚合物，可獲得優異之低透濕性。 橡膠系黏著劑組合物亦可進而包含上述苯乙烯系熱塑性彈性體及異丁烯系聚合物以外之聚合物、彈性體等。作為具體例，可列舉：丁基橡膠(IIR)、丁二烯橡膠(BR)、丙烯腈-丁二烯橡膠(NBR)、EPR(二元系乙烯-丙烯橡膠)、EPT(三元系乙烯-丙烯橡膠)、丙烯酸系橡膠、胺基甲酸酯橡膠、聚胺基甲酸酯系熱塑性彈性體、聚酯系熱塑性彈性體、聚丙烯與EPT(三元系乙烯-丙烯橡膠)之聚合物摻合物等摻合物系熱塑性彈性體等。該等可於無損本發明之效果之範圍內使用，其調配量可相對於苯乙烯系熱塑性彈性體及/或異丁烯系聚合物之合計100重量份為0重量份～10重量份。 於使用聚異丁烯作為橡膠系聚合物之情形時，黏著劑組合物較佳為進而含有奪氫型光聚合起始劑。所謂奪氫型光聚合起始劑係指藉由照射活性能量射線，起始劑本身不裂解，而自聚異丁烯奪去氫，可於聚異丁烯作出反應點者。藉由該反應點形成，可開始聚異丁烯之交聯反應。 作為光聚合起始劑，除上述奪氫型光聚合起始劑以外，亦已知有藉由活性能量射線之照射，光聚合起始劑本身裂解分解而產生自由基之裂解型光聚合起始劑。然而，若對聚異丁烯使用裂解型光聚合起始劑，則因產生自由基之光聚合起始劑而導致聚異丁烯之主鏈被切斷，無法進行交聯。相對於此，藉由使用奪氫型光聚合起始劑，可如上所述般進行聚異丁烯之交聯。 作為奪氫型光聚合起始劑，例如可列舉：苯乙酮、二苯甲酮、鄰苯甲醯苯甲酸甲基-4-苯基二苯甲酮、4,4'-二氯二苯甲酮、羥基二苯甲酮、4,4'-二甲氧基二苯甲酮、4,4'-二氯二苯甲酮、4,4'-二甲基二苯甲酮、4-苯甲醯基-4'-甲基二苯硫醚、丙烯基化二苯甲酮、3,3',4,4'-四(過氧化第三丁基羰基)二苯甲酮、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；2-異丙基9-氧硫、2,4-二甲基9-氧硫𠮿、2,4-二乙基9-氧硫𠮿、2,4-二氯9-氧硫𠮿等9-氧硫𠮿系化合物；4,4'-雙(二甲胺基)二苯甲酮、4,4'-二乙胺基二苯甲酮等胺基二苯甲酮系化合物；10-丁基-2-氯吖啶酮、2-乙基蒽醌、9,10-菲醌、樟腦醌等；萘乙酮、1-羥基環己基苯基酮等芳香族酮化合物；對苯二甲醛等芳香族醛、甲基蒽醌等醌系芳香族化合物。該等可單獨使用1種、或混合2種以上而使用。於該等中，就反應性之方面而言，較佳為二苯甲酮系化合物，更佳為二苯甲酮。 奪氫型光聚合起始劑之含量相對於聚異丁烯100重量份，較佳為0.001～10重量份，更佳為0.005～10重量份，進而較佳為0.01～10重量份。藉由於上述範圍內含有奪氫型光聚合起始劑，可使交聯反應進行至目標之密度。 橡膠系黏著劑組合物可進而含有多官能自由基聚合性化合物。多官能自由基聚合性化合物可作為聚異丁烯之交聯劑發揮功能。 多官能自由基聚合性化合物係具有至少2個(甲基)丙烯醯基或乙烯基等具有不飽和雙鍵之自由基聚合性官能基之化合物。作為多官能自由基聚合性化合物之具體例，例如可列舉：三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-乙基-2-丁基丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A環氧乙烷加成物二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A環氧丙烷加成物二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A二縮水甘油醚二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、二㗁烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、EO改性二甘油四(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸與多元醇之酯化物、9,9-雙[4-(2-(甲基)丙烯醯氧基乙氧基)苯基]茀等。可將該等單獨使用1種、或作為2種以上之混合物而使用。於該等中，就對於聚異丁烯之相溶性之觀點而言，較佳為(甲基)丙烯酸與多元醇之酯化物，更佳為具有2個(甲基)丙烯醯基之二官能(甲基)丙烯酸酯、具有3個以上之(甲基)丙烯醯基之三官能(甲基)丙烯酸酯，尤佳為三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯。 多官能自由基聚合性化合物之含量相對於聚異丁烯100重量份，較佳為20重量份以下，更佳為15重量份以下，進而較佳為10重量份以下。又，多官能自由基聚合性化合物之含量之下限值並無特別限定，例如相對於上述聚異丁烯100重量份，較佳為0.1重量份以上，更佳為0.5重量份以上，進而較佳為1重量份以上。藉由使多官能自由基聚合性化合物之含量處於上述範圍，就所獲得之橡膠系黏著劑層之耐久性之觀點而言較佳。 多官能自由基聚合性化合物之分子量例如較佳為1000以下程度，更佳為500以下程度。 橡膠系黏著劑組合物可包含選自由含有萜烯骨架之黏著賦予劑、含有松香骨架之黏著賦予劑及該等之氫化物所組成之群中之至少一種黏著賦予劑。藉由使橡膠系黏著劑組合物含有黏著賦予劑，可形成對各種被接著體具有較高之接著性，且即便於高溫環境下亦具有較高之耐久性之橡膠系黏著劑層。 作為含有萜烯骨架之黏著賦予劑，例如可列舉：α-蒎烯聚合物、β-蒎烯聚合物、二戊烯聚合物等萜烯聚合物、或將上述萜烯聚合物進行改性(酚改性、苯乙烯改性、芳香族改性、氫化改性、烴改性等)之改性萜烯樹脂等。上述改性萜烯樹脂之例包含萜酚樹脂、苯乙烯改性萜烯樹脂、芳香族改性萜烯樹脂、氫化萜烯樹脂(氫化萜烯樹脂)等。此處所謂氫化萜烯樹脂之例包含萜烯聚合物之氫化物及其他改性萜烯樹脂、萜酚樹脂之氫化物。於該等中，就對於橡膠系黏著劑組合物之相溶性或黏著特性之觀點而言，較佳為萜酚樹脂之氫化物。 就黏著特性之觀點而言，較佳為黏著賦予劑含有環己醇骨架。與酚骨架相比，環己醇骨架與上述基礎聚合物、尤其是與聚異丁烯之相溶性之平衡性可優異。作為含有環己醇骨架之黏著賦予劑，例如較佳為萜酚樹脂、松香酚樹脂等之氫化物，更佳為萜酚樹脂、松香酚樹脂等之完全氫化物。 黏著賦予劑之添加量相對於聚異丁烯等基礎聚合物100重量份，較佳為40重量份以下，更佳為30重量份以下，進而較佳為20重量份以下。又，黏著賦予劑之添加量例如為0.1重量份以上，較佳為1重量份以上，更佳為5重量份以上。藉由將黏著賦予劑之添加量設為上述範圍，可提高黏著特性。若黏著賦予劑之添加量超出上述範圍而大量添加，則有黏著劑組合物之凝聚力降低之傾向。 於橡膠系黏著劑組合物中，可於無損本發明之效果之範圍內，添加稀釋劑(例如甲苯、二甲苯、正庚烷、二甲醚等有機溶劑)、軟化劑、交聯劑(例如聚異氰酸酯、環氧化合物、烷基醚化三聚氰胺化合物等)、填充劑、防老化劑、紫外線吸收劑等任意適當之添加劑。添加劑之種類、組合、添加量等可根據目的而適當設定。 黏著劑層例如可藉由於隔離膜等任意適當之樹脂薄膜塗佈上述黏著劑組合物，並視需要進行乾燥(加熱乾燥)、活性能量射線之照射等而製作。塗佈方法、乾燥條件、活性能量射線照射條件等可根據橡膠系黏著劑組合物之組成等而選擇適當之方法或條件。 黏著劑層例如可於形成於隔離膜上後貼合於附導電層之薄膜基材，亦可直接形成於附導電層之薄膜基材上。黏著劑層可藉由隔離膜保護其露出面直至使用時為止。 黏著劑層之厚度可根據目的等而設定為適當值。該厚度較佳為250 μm以下，更佳為100 μm以下，進而較佳為55 μm以下。又，就耐久性之觀點而言，該厚度較佳為1 μm以上，更佳為5 μm以上。 就兼顧耐久性與黏著力之觀點而言，黏著劑層之凝膠分率較佳為10%～98%，更佳為25%～98%，進而較佳為45%～90%。 F.圖像顯示裝置 上述薄膜積層體可應用於圖像顯示裝置。因此，本發明包含使用上述薄膜積層體之圖像顯示裝置。作為圖像顯示裝置之代表例，可列舉液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置。本發明之實施形態之圖像顯示裝置於其視認側具備上述薄膜積層體，薄膜積層體以導電層位於偏光元件與顯示單元之間之方式配置。藉由如此配置薄膜積層體，可使圖像顯示裝置成為內觸控面板型輸入顯示裝置。 [實施例] 以下，藉由實施例具體地說明本發明，但本發明並不受該等實施例限定。再者，各特性之測定方法如以下所述。 (1)厚度 關於導電層，使用透過型電子顯微鏡(日立製作所製造之「H-7650」)對剖面進行觀察，並進行測定。此外，基材之厚度係使用膜厚計(Peacock公司製造之「數位針盤指示器DG-205」)進行測定。 (2)相位差值 藉由自動雙折射測定裝置(王子計測機器股份有限公司製造，自動雙折射計KOBRA-WPR)計測實施例及比較例中使用之樹脂薄膜(相位差薄膜)之折射率nx、ny及nz。面內相位差Re之測定波長為450 nm及550 nm，厚度方向相位差Rth之測定波長為550 nm，測定溫度為23℃。 (3)光彈性係數 將實施例及比較例中使用之樹脂薄膜以20 mm×100 mm之尺寸切出而製作試樣。藉由橢圓偏光計(日本分光公司製造，M-150)，以波長550 nm之光對該試樣進行測定，獲得光彈性係數。 (4)還原黏度 使樹脂試樣溶解於二氯甲烷中，精密地製備0.6 g/dL之濃度之樹脂溶液。使用森友理化工業公司製造之烏氏黏度管，於溫度20.0℃±0.1℃下進行測定，測定溶劑之通過時間t₀ 、及溶液之通過時間t。使用所獲得之t₀ 及t之值，藉由下式(i)求出相對黏度η_rel ，進而使用所獲得之相對黏度η_rel ，藉由下式(ii)求出比黏度η_sp 。 η_rel ＝t/t₀ (i) η_sp ＝(η－η₀ )/η₀ ＝η_rel －1 (ii) 其後，將所獲得之比黏度η_sp 除以濃度c[g/dL]，求出還原黏度η_sp /c。 (5)玻璃轉移溫度 使用SII NanoTechnology公司製造之示差掃描熱量計DSC6220進行測定。將約10 mg之樹脂試樣放入該公司製造之鋁鍋中並進行密封，於50 mL/min之氮氣氣流下，以升溫速度20℃/min自30℃升溫至220℃。於將溫度保持3分鐘後，以20℃/min之速度冷卻至30℃。於30℃下保持3分鐘，再次以20℃/min之速度升溫至220℃。根據第2次升溫中獲得之DSC(Differential Scanning Calorimeter，示差掃描熱析儀)資料，求出將低溫側之基準線向高溫側延長之直線與於如玻璃轉移之階梯狀變化部分之曲線之斜率成為最大之點引出之接線之交點之溫度即外推玻璃轉移起始溫度，將其作為玻璃轉移溫度。 (6)熔融黏度 使顆粒狀之樹脂試樣於90℃下真空乾燥5小時以上。使用經乾燥之顆粒，藉由東洋精機製作所股份有限公司製造之毛細管流變儀進行測定。測定溫度設為240℃，於剪切速度9.12～1824 sec^-1 間測定熔融黏度，使用91.2 sec^-1 下之熔融黏度之值。再者，孔口使用模嘴直徑為1 mm×10 mmL者。 (7)折射率 自下述實施例與比較例中製作之未延伸薄膜，切出長度40 mm、寬度8 mm之長方形試片，作為測定試樣。使用589 nm(D線)之干涉濾光器，藉由Atago股份有限公司製造之多波長阿貝折射率計DR-M4/1550測定折射率n_D 。測定係使用單溴萘作為界面液，於20℃下進行。 (單體之合成例) [合成例1]雙[9-(2-苯氧基羰基乙基)茀-9-基]甲烷(BPFM)之合成 藉由日本專利特開2015-25111號公報所記載之方法進行合成。 [合成例2]6,6'-二羥基-3,3,3',3'-四甲基-1,1'-螺二茚滿(SBI)之合成 藉由日本專利特開2014-114281號公報所記載之方法進行合成。 [聚碳酸酯樹脂之合成例、及特性評價] 以下之實施例及比較例中使用之化合物之簡稱等如以下所述。 ・BPFM：雙[9-(2-苯氧基羰基乙基)茀-9-基]甲烷 ・BCF：9,9-雙(4-羥基-3-甲基苯基)茀(Osaka Gas Chemicals股份有限公司製造) ・BHEPF：9,9-雙[4-(2-羥基乙氧基)苯基]茀(Osaka Gas Chemicals股份有限公司製造) ・ISB：異山梨酯(Rocket-foil公司製造，商品名：POLYSORB) ・SBI：6,6'-二羥基-3,3,3',3'-四甲基-1,1'-螺二茚滿 ・SPG：螺二醇(Mitsubishi Gas化學股份有限公司製造) ・PEG：聚乙二醇 數量平均分子量：1000(三洋化成股份有限公司製造) ・DPC：碳酸二苯酯(三菱化學股份有限公司製造) [實施例1] 1-1.附導電層之薄膜基材之製作 將SBI 6.04重量份(0.020 mol)、ISB 59.58重量份(0.408 mol)、BPFM 34.96重量份(0.055 mol)、DPC 79.39重量份(0.371 mol)、及作為觸媒之乙酸鈣一水合物7.53×10^-4 重量份(4.27×10^-6 mol)投入反應容器中，將反應裝置內進行減壓氮氣置換。於氮氣環境下，於150℃下以約10分鐘一面攪拌一面使原料溶解。作為反應第1段之步驟，歷時30分鐘升溫至220℃，於常壓下反應60分鐘。繼而，歷時90分鐘將壓力自常壓減壓至13.3 kPa，於13.3 kPa下保持30分鐘，將所產生之苯酚抽出至反應系外。繼而，作為反應第2段之步驟，一面歷時15分鐘將熱媒溫度升溫至245℃，一面歷時15分鐘將壓力減壓至0.10 kPa以下，將所產生之苯酚抽出至反應系外。於達到特定之攪拌轉矩後，於氮氣下複壓至常壓而使反應停止，將所生成之聚酯碳酸酯樹脂擠出至水中，對線料進行切割而獲得顆粒。所獲得之樹脂之還原黏度為0.375 dL/g，玻璃轉移溫度為165℃，熔融黏度為5070 Pa・s，折射率為1.5454，光彈性係數為14×10^-12 m² /N。 使用Isuzu Kakoki股份有限公司製造之單軸擠出機(螺絲直徑25 mm，氣缸設定溫度：255℃)，將於100℃下真空乾燥5小時以上之樹脂顆粒自T型模頭(寬度200 mm，設定溫度：250℃)擠出。將擠出之薄膜一面藉由冷卻輥(設定溫度：155℃)進行冷卻一面藉由捲取機捲成卷狀，將未延伸薄膜製作100 μm厚之薄膜。將以上述方式獲得之聚碳酸酯樹脂薄膜利用安全剃刀切出120 mm×150 mm之長方形試片，藉由批次式雙軸延伸裝置(Bruckner公司製造)，於長度方向上以延伸溫度161℃、延伸速度5 mm/sec進行1×1.25倍之單軸延伸。 使用以如上方式獲得之樹脂薄膜(厚度89 μm)作為薄膜基材。所獲得之樹脂薄膜之Re(550)為130 nm，Rth(550)為130 nm，顯示nx＞ny＝nz之折射率特性。又，所獲得之樹脂薄膜之Re(450)/Re(550)為0.86。樹脂薄膜之遲相軸方向相對於長度方向為0°。又，將所獲得之樹脂薄膜暴露於85℃、85%R.H.環境下時之變形量為向遲相軸方向之0.35%之收縮及向進相軸方向之0.16%之膨脹。 藉由濺鍍於上述樹脂薄膜(相位差薄膜)表面形成包含銦錫複合氧化物之透明導電層(厚度25 nm)，製作具有樹脂薄膜(相位差薄膜)/導電層之積層結構之附導電層之薄膜基材。具體之順序如以下所述：於導入Ar及O₂ (流量比為Ar：O₂ ＝99.9：0.1)之真空環境下(0.40 Pa)下，使用10重量%之氧化錫與90重量%之氧化銦之燒結體作為靶，將薄膜溫度設為130℃，使用將水平磁場設為100 mT之RF重疊DC磁控濺鍍法(放電電壓150 V，RF頻率13.56 MHz，RF電力相對於DC電力之比(RF電力/DC電力)為0.8)。將所獲得之透明導電層於150℃熱風烘箱中進行加熱而進行結晶轉化處理。 1-2.偏光板之製作 一面藉由輥延伸機將厚度30 μm之聚乙烯醇(PVA)系樹脂薄膜(Kuraray製造，製品名「PE3000」)之長條輥以於長度方向上成為5.9倍之方式於長度方向上進行單軸延伸，一面同時實施膨潤、染色、交聯、洗淨處理，最後實施乾燥處理，藉此製作厚度12 μm之偏光元件。 具體而言，膨潤處理係一面以20℃之純水進行處理一面延伸至2.2倍。繼而，染色處理係一面於以所獲得之偏光元件之單體透過率成為45.0%之方式調整碘濃度之碘與碘化鉀之重量比為1：7的30℃之水溶液中進行處理一面延伸至1.4倍。進而交聯處理係採用2個階段之交聯處理，第1階段之交聯處理係一面於40℃之溶解有硼酸與碘化鉀之水溶液中進行處理一面延伸至1.2倍。第1階段之交聯處理之水溶液之硼酸含量為5.0重量%，碘化鉀含量設為3.0重量%。第2階段之交聯處理係一面於65℃之溶解有硼酸與碘化鉀之水溶液中進行處理一面延伸至1.6倍。第2階段之交聯處理之水溶液之硼酸含量為4.3重量%，碘化鉀含量設為5.0重量%。又，洗淨處理係以20℃之碘化鉀水溶液進行處理。洗淨處理之水溶液之碘化鉀含量設為2.6重量%。最後，乾燥處理係於70℃下乾燥5分鐘而獲得偏光元件。 於上述偏光元件之單側，經由聚乙烯醇系接著劑貼合TAC薄膜，獲得具有保護薄膜/偏光元件之構成之偏光板。 1-3.低透濕性基材之製作 將市售之COP薄膜(Nippon ZEON股份有限公司製造，商品名「ZEONOR」，厚度40 μm)作為支持基材，使用含有Al、SiO₂ 及ZnO之濺鍍靶，藉由DC磁控濺鍍法於基材上形成第1氧化物層(厚度30 nm)。其次，使用Si靶，於基材/第1氧化物層之積層體之第1氧化物層上形成第2氧化物層(50 nm)。如此，製作具有支持基材/第1氧化物層(AZO)/第2氧化物層(SiO₂ )之構成之低透濕性基材。所獲得之低透濕性基材之透濕度為0.01 g/(m² ・day)。再者，透濕度係藉由以下之測定方法進行測定。 ＜低透濕性基材之透濕度之測定＞ 將低透濕性基材以10 cmΦ之圓狀切出，作為測定試樣。針對該測定試樣，使用MOCON公司製造之水蒸汽透過試驗機「PREMATRAN-W 3/33」，藉由依據JIS K7129B之試驗方法，測定40℃、92%R.H.下之透濕度。 1-4.丙烯酸系黏著劑層之製作 於具備溫度計、攪拌機、回流冷卻管及氮氣導入管之可分離式燒瓶中，以固形物成分成為20%之方式投入作為單體成分之丙烯酸丁酯(BA)99重量份、丙烯酸4-羥基丁酯(4HBA)1重量份、作為聚合起始劑之偶氮二異丁腈0.2重量份及作為聚合溶劑之乙酸乙酯後，流動氮氣，一面攪拌一面進行約1小時氮氣置換。其後，將燒瓶加熱至60℃，反應7小時而獲得重量平均分子量(Mw)110萬之丙烯酸系聚合物。於上述丙烯酸系聚合物溶液(固形物成分100重量份)中添加作為異氰酸酯系交聯劑之三羥甲基丙烷甲苯二異氰酸酯(商品名：Coronate L，日本聚氨酯工業股份有限公司製造)0.8重量份、矽烷偶合劑(商品名：KBM-403，信越化學股份有限公司製造)0.1重量份而製備丙烯酸系黏著劑組合物。 將所獲得之丙烯酸系黏著劑組合物(溶液)塗佈於單面經聚矽氧進行剝離處理之厚度38 μm之聚酯薄膜(商品名：Diafoil MRF，三菱樹脂股份有限公司製造)之剝離處理面而形成塗佈層，於120℃下乾燥3分鐘。將上述單面經聚矽氧進行剝離處理之厚度38 μm之聚酯薄膜(商品名：Diafoil MRF，三菱樹脂股份有限公司製造)以剝離處理面與塗佈層表面接觸之方式貼合於該塗佈層表面，獲得包含隔離膜/丙烯酸系黏著劑層(厚度50 μm)/隔離膜之黏著片材。所獲得之丙烯酸系黏著劑層之透濕度為1000 g/(m² ・day)以上。透濕度之測定方法如以下所述。 ＜黏著劑層之透濕度之測定＞ 以將所獲得之黏著片材(黏著劑層之厚度：50 μm)之一剝離襯墊剝離而露出之黏著面貼合於三乙醯纖維素薄膜(TAC薄膜，厚度：25 μm，Konica Minolta股份有限公司製造)。其後，剝離另一剝離襯墊，獲得測定用樣品。其次，使用該測定用樣品，於下述條件下，藉由透濕度試驗方法(圓筒平板法，依據JIS Z 0208)，測定透濕度(水蒸汽透過率)。 測定溫度：40℃ 相對濕度：92% 測定時間：24小時 測定時，使用恆溫恆濕槽。 1-5.薄膜積層體之製作 於上述偏光板之偏光元件面轉印上述丙烯酸系黏著劑層，並經由該丙烯酸系黏著劑層貼合上述附導電層之薄膜基材。此時，以樹脂薄膜(相位差薄膜)之遲相軸與偏光元件之吸收軸成45度角度，且偏光元件之吸收軸與長度方向平行之方式配置。又，以偏光元件面與樹脂薄膜面對向之方式貼合。 繼而，於所獲得之積層體之導電層面轉印上述丙烯酸系黏著劑層，並經由該丙烯酸系黏著劑層貼合上述低透濕性基材。此時，以支持基材面與導電層面對向之方式貼合。如此，獲得具有[保護薄膜/偏光元件/丙烯酸系黏著劑層/樹脂薄膜(相位差薄膜)/導電層/丙烯酸系黏著劑層/低透濕性基材]之構成之薄膜積層體。 [比較例1] 直接使用市售之環烯烴系樹脂薄膜(Nippon ZEON股份有限公司製造，商品名「ZEONOR」，厚度40 μm)代替低透濕性基材，除此以外，以與實施例1相同之方式，獲得具有[保護薄膜/偏光元件/丙烯酸系黏著劑層/樹脂薄膜(相位差薄膜)/導電層/丙烯酸系黏著劑層/COP基材]之構成之薄膜積層體。與實施例1同樣地測定透濕度，結果該環烯烴系樹脂薄膜之透濕度為10 g/(m² ・day)。 [比較例2] 直接使用市售之聚醯亞胺系樹脂薄膜(IST股份有限公司製造，商品名「Tormed」，厚度25 μm)代替低透濕性基材，除此以外，以與實施例1相同之方式，獲得具有[保護薄膜/偏光元件/丙烯酸系黏著劑層/樹脂薄膜(相位差薄膜)/導電層/丙烯酸系黏著劑層/聚醯亞胺基材]之構成之薄膜積層體。使用MOCON公司製造之「PERMTRAN」，除此以外，與實施例1同樣地測定透濕度，結果該聚醯亞胺系樹脂薄膜之透濕度為100 g/(m² ・day)。 將上述實施例及比較例中所獲得之薄膜積層體供於耐久性試驗。將結果示於表1。 ＜耐久性試驗＞ 將實施例及比較例中所獲得之薄膜積層體以特定尺寸之四邊形切出，於偏光板側經由丙烯酸系黏著劑層(實施例1中製作之丙烯酸系黏著劑層)積層覆蓋玻璃(松浪硝子工業公司製造，商品名「Micro slide glass」，厚度1.3 μm)而作為試片。將該試片投入至85℃、85%R.H.之環境下，經過240小時後取出，使用雷射顯微鏡(Keyence公司製造，「VK-X200」)確認導電層之龜裂產生之有無。 [表1] 由表1可知，於實施例之薄膜積層體中，未產生龜裂，具有優異之耐久性。另一方面，於比較例之薄膜積層體中，產生龜裂，於耐久性方面存在問題。 [產業上之可利用性] 本發明之薄膜積層體可較佳地用於觸控面板型輸入顯示裝置。

10‧‧‧附導電層之薄膜基材

11‧‧‧薄膜基材

12‧‧‧導電層

12a‧‧‧導電層

12b‧‧‧導電層

13‧‧‧樹脂薄膜

14‧‧‧功能層

20‧‧‧低透濕性基材

21‧‧‧支持基材

22‧‧‧無機薄膜

30‧‧‧接著層

30a‧‧‧接著層

30b‧‧‧接著層

40‧‧‧偏光板

100‧‧‧薄膜積層體

100a‧‧‧薄膜積層體

100b‧‧‧薄膜積層體

100c‧‧‧薄膜積層體

100d‧‧‧薄膜積層體

圖1係本發明之一實施形態之觸控面板用薄膜積層體之概略剖視圖。 圖2係本發明之另一實施形態之觸控面板用薄膜積層體之概略剖視圖。 圖3係本發明之又一實施形態之觸控面板用薄膜積層體之概略剖視圖。 圖4係本發明之又一實施形態之觸控面板用薄膜積層體之概略剖視圖。 圖5(a)係因薄膜膨脹所產生之導電層之裂開型龜裂之顯微鏡照片，(b)係因薄膜收縮所產生之導電層之屈曲型龜裂之顯微鏡照片。

Claims (10)

1. 一種觸控面板用薄膜積層體，其係具備附導電層之薄膜基材、及積層於該附導電層之薄膜基材之一側之低透濕性基材者，且 該附導電層之薄膜基材具有包含樹脂薄膜之薄膜基材、及直接設置於該薄膜基材之至少一面之導電層， 該低透濕性基材之於40℃、92%R.H.下之透濕度為1.0 g/(m2・day)以下。
2. 如請求項1之觸控面板用薄膜積層體，其中 上述低透濕性基材具備支持基材、及設置於該支持基材之一側之無機薄膜。
3. 如請求項2之觸控面板用薄膜積層體，其中 上述無機薄膜含有選自由氧化物、氮化物、氫化物及其複合化合物所組成之群中之至少一種無機化合物。
4. 如請求項1之觸控面板用薄膜積層體，其中 上述薄膜基材於85℃、85%R.H.環境下於至少一方向上收縮。
5. 如請求項1之觸控面板用薄膜積層體，其中 上述樹脂薄膜之面內相位差Re(550)為100 nm～180 nm。
6. 如請求項1之觸控面板用薄膜積層體，其中 上述薄膜基材進而包含設置於上述樹脂薄膜之至少一面之功能層，且 於上述薄膜基材之該功能層上直接設置有上述導電層。
7. 如請求項1之觸控面板用薄膜積層體，其 進而包含偏光板。
8. 如請求項7之觸控面板用薄膜積層體，其 自視認側經由接著層依序積層有上述偏光板、上述附導電層之薄膜基材及上述低透濕性基材。
9. 如請求項8之觸控面板用薄膜積層體，其中 介置於上述偏光板與上述附導電層之薄膜基材之間之接著層、及介置於上述附導電層之薄膜基材與上述低透濕性基材之間之接著層之任一者或兩者之於40℃、92%R.H.下的透濕度為100 g/(m2・day)以下。
10. 如請求項7之觸控面板用薄膜積層體，其中 上述偏光板包含偏光元件與相位差薄膜。