TW201841561A - 鑽石系通電構造、鑽石系電子零件及其鑽石系通電構造的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之目的在於可以簡易的組裝各種部位、構件以形成通電構造。 本發明之通電構造具備：鑽石系區域，其以鑽石及/或成為非晶碳之鑽石系材料作為主成分；及導電性區域，其部分地形成於鑽石系區域中，其石墨的含有比例高於上述鑽石系材料，且電阻率小於上述鑽石系材料。

Description

鑽石系通電構造、鑽石系電子零件及其鑽石系通電構造的製造方法

本發明係關於應用於電阻、半導體、電容器、各種感測器、電子電路、電路基板、積體電路等各種電子零件的通電構造，及其製造方法。

以往以各種方法製造電阻、半導體、電容器、各種感測器、電子電路、電路基板、積體電路等的各種電子零件。該等的電子零件，係將導電性良好的金屬等優良導體所構成之通電部與電阻率大而未通電(或幾乎不通電)的絕緣部組合所構成。再者，亦存在包含半導體的電子零件，該半導體，其電阻率介於優良導體與絕緣體中間。

例如，電性電路，係在基板上形成金屬配線，在該金屬配線上安裝電容器及電阻等其他電性元件(該等亦為電子零件的一種)、半導體零件等，而整體形成電子零件。電子電路有各種用途，其將信號增幅、計算、取得資料。電子電路中所使用的電路基板，一般係以微影等，在印刷基板上製作印刷配線(參照專利文獻1)。

積體電路中，在矽等的半導體基板(晶圓)上形成元件及配線。具體而言，在基板上形成將來作為元件及配線的薄膜層，藉由光阻等，將電路圖案轉印至該薄膜層，以光阻作為遮罩，藉由蝕刻將薄膜加工為配線等(參照專利文獻2)。

先前技術文獻 專利文獻 (專利文獻1)日本特開2003-152020 (專利文獻2)日本特開平10-209166

[發明所欲解決之課題]

以往的電子零件的通電構造中，係在絕緣體或半導體的基板上形成薄膜層，並以蝕刻加工形成配線，因而會產生殘渣，或是製造步驟複雜化。又，基板上難以使用成為優良導體的金屬，假設採用優良導體之基板的情況下，若未預先對表面施予絕緣覆膜，則難以於其上形成電路。又，以往的通電構造，因為對於外力的耐久性低，必須如陶瓷封裝等，以高剛性框體將其被覆。

本發明係鑒於上述問題點完成者，目的在於提供一種耐久性高的通電構造、使用該通電構造的電子零件等，又，作為附加之目的，係可輕易地在各部位上形成該通電構造。 [解決課題之手段]

達成上述目的之本發明係一種鑽石系通電構造，包含：鑽石系區域，其以鑽石及/或成為非晶碳之鑽石系材料作為主成分；及導電性區域，部分地形成於上述鑽石系區域中，其石墨的含有比例高於上述鑽石系材料，且電阻率小於上述鑽石系材料。

關於上述鑽石系通電構造，該鑽石系區域為立體形狀，該導電性區域形成於該鑽石系區域之表面或內部。

關於上述鑽石系通電構造，該導電性區域在該鑽石系區域內部中，於三維方向上延伸存在。

關於上述鑽石系通電構造，更具備基材，該鑽石系統區域包含以該鑽石系材料為主成分的鑽石系層，其直接或間接在上述基材上形成層體；該導電性區域，係部分地形成於上述鑽石系層之中的區域。

關於上述鑽石系通電構造，該導電性區域，係在沿著該鑽石系層之平面的方向上的一部分中，形成厚度方向上的一部分或全部。

關於上述鑽石系通電構造，該導電性區域，係在該鑽石系層的厚度方向上的一部分中，形成平面方向上的一部分或全部。

關於上述鑽石系通電構造，該導電性區域，形成於該鑽石系層中與該基材側相反之一側的表面上。

關於上述鑽石系通電構造，該導電性區域，形成於該鑽石系層中該基材側的表面。

關於上述鑽石系通電構造，該基材與該鑽石系層之間具有中間層。

關於上述鑽石系通電構造，該鑽石系層中與該基材相反的一側具有第二層。

關於上述鑽石系通電構造，該第二層係具有電絕緣性的絕緣層。

關於上述鑽石系通電構造，該鑽石系層中與該基材相反的一側上，具有以鑽石及/或成為非晶碳之鑽石系材料作為主成分的第二鑽石系層。

關於上述鑽石系通電構造，將具有該導電性區域的該鑽石系層積層多層。

關於上述鑽石系通電構造，該導電性區域形成點群狀或圓點群狀。

關於上述鑽石系通電構造，形成該點群狀或該圓點群狀的該導電性區域，係以不連續配置排列的方式形成。

關於上述鑽石系通電構造，該導電性區域形成線狀，其包含直線狀或曲線狀或鋸齒線狀等。

關於上述鑽石系通電構造，該導電性區域形成帶狀。

關於上述鑽石系通電構造，形成二條以上之該線狀及/或帶狀的該導電性區域，係以互相具有交點的方式形成。

關於上述鑽石系通電構造，該導電性區域形成面狀，其包含平面狀或曲面狀等。

關於上述鑽石系通電構造，在該鑽石系區域之中，形成複數的該導電性區域。

關於上述鑽石系通電構造，該導電性區域具有在該鑽石系區域中於既定方向上佔有率變大的厚區與在上述既定方向上佔有率變小的薄區。

關於上述鑽石系通電構造，該鑽石系區域的一部分或全部含氫。

關於上述鑽石系通電構造，該鑽石系區域係以「藉由摻雜非碳元素或分子、或該等之離子等成分，而部分地具有微量的非碳成分」的方式所構成。

關於上述鑽石系通電構造，該非碳成分為三價的原子或分子。

關於上述鑽石系通電構造，該非碳成分為五價的原子或分子。

達成上述目的之本發明係一種鑽石系電子零件，具有上述任一項記載的鑽石系通電構造。

達成上述目的之本發明係一種鑽石系通電構造之製造方法，將以鑽石及/或成為非晶碳之鑽石系材料作為主成分的鑽石系區域加熱，使該鑽石系材料的石墨成分增加，藉此在上述鑽石系區域中，部分地形成電阻率小於上述鑽石系材料的導電性區域。

關於上述鑽石系通電構造之製造方法，包含：冷卻步驟，其將該鑽石系區域冷卻。

達成上述目的之本發明係一種鑽石系通電構造之製造方法，包含：碳成層步驟，其係對於基材，直接或間接地設置以鑽石及/或成為非晶碳之鑽石系材料作為主成分的鑽石系層；及導電部形成步驟，將上述鑽石系層加熱以使該鑽石系材料之石墨成分增加，藉此在上述鑽石系層之中，部分地形成電阻率小於上述鑽石系材料的導電性區域。

關於上述鑽石系通電構造之製造方法，包含：冷卻步驟，其係使該鑽石系層冷卻。

關於上述鑽石系通電構造之製造方法，包含：同時進行該導電部形成步驟與該冷卻步驟。

關於上述鑽石系通電構造之製造方法，包含：摻雜步驟，其對於該類鑽碳層摻雜非碳成分。 [發明之效果]

根據本發明之通電構造等，可形成耐磨耗性及耐熱性優良的電性電子零件。又，若對於對象物體形成通電構造，可發揮高度提升該對象物體之耐久性的優良效果。又，根據本發明之通電構造等，可發揮輕易將多種對象物體之多個部位感測器化的優良效果。

以下參照附圖說明本發明之實施形態。

又，從第一實施例至第七實施例之電子零件中，雖例示使用以非晶碳為主成分的類鑽碳層之情況作為以鑽石及/或成為非晶碳之鑽石系材料作為主成分的鑽石系區域，但本發明不限於此，亦可以鑽石為主成分的鑽石層代替該類鑽碳層。又，鑽石系區域，不限於對基板的積層構造，鑽石系區域本體亦可為立體構造。亦即，以下第一實施例至第七實施例之電子零件的類鑽碳層可皆可取代為鑽石層或是省略基板的立體鑽石系區域。

圖1係顯示本發明之第一實施例的電子零件1。該電子零件1中，作為通電構造，具有基材(母材)10、中間層20、類鑽碳層(以下稱為DLC層)30、導電性區域40、覆蓋層50。基材10，例如，可以具有導電性之材料所構成，此處為金屬。又，基材10之材料及形狀未特別限定，可選擇陶瓷、玻璃、石材、水泥、瀝青、包含合成木之木材、包含合成紙之紙材、樹脂、天然橡膠、合成橡膠或包含聚矽氧(silicone)的橡膠、矽、半導體(晶圓)、來自動植物等的生物材料等、或該等的複合材料等各種材料。

中間層20係由對於基材10及DLC層30雙方之密合性皆高的材料所構成，例如，較佳為自由基氮化層、金屬/碳的混合傾斜組成層、鉻或鈦等的金屬膜、矽膜等。金屬/碳的混合傾斜組成層之情況，於基材10側，金屬的組成比例變大，而在DLC層30側，則是碳的組成比例變大。該金屬/碳的混合傾斜組成層，可藉由濺鍍等堆積及/或積層或是附著等而形成層體。又，該中間層，亦包含將基材10之表面改質所得之表面改質層的概念。例如，將浸碳層及基材10之表面粗糙度改質所得之珠擊(shot peening)層、使氮浸透擴散至基材10的表面所得之氮化層或多孔質層、對基材10表面摻雜離子物質等所得之摻雜層，將基材10的表面改質所得之改質層等，亦為中間層20的一部分。基材10的表面改質方法亦具有各式各樣的方法，亦可以電漿處理等進行。

DLC層30，係以非晶碳為主成分的覆膜，雖具有與鑽石構造對應的sp³ 鍵，但除了一部分係與石墨構造對應的sp² 鍵以外，視情況亦包含氫鍵，故就長程序化(long range order)而言，並未具有特定的結晶構造。

特別是本DLC層30，成為電阻率高的非導體。因為DLC層30為非導體，非晶碳中，在短程序化上，與電阻率極高之鑽石構造對應的sp³ 鍵的比例提高，因而降低了與石墨構造對應之sp² 鍵的比例。又，因為DLC層30的堆積及/或積層或附著而形成的在成層方向T的厚度H1，可為例如1～10μm。當然，成層的厚度不限於此，亦可在次微米以下，例如，數十原子單位左右等，或亦可在數百μm等級以上。特別是DLC層30之中，包含更多氫鍵的情況下，亦具有該DLC層30的硬度降低而呈現柔軟性的情況，且可形成較厚的層體厚度。

又，雖會變成重複，但可將DLC層30取代為以鑽石為主成分的鑽石層，或是藉由多層構造與鑽石層組合。鑽石層成為以與鑽石構造對應之sp³ 鍵為主成分的結晶構造。此處的鑽石層，成為電阻率高的非導體。

又，本實施例中，雖例示相對於基材10，隔著中間層20，間接地使DLC層30成層的情況，但亦可相對於基材10直接使DLC層30成層。

導電性區域40，成為部分地形成於DLC層30之中的區域。其是由預先成膜而得之，或是部分地使已形成層體的DLC層30之非晶碳改質為石墨所得之。石墨的電阻率小於非晶碳。導電性區域40中，石墨的含有比例變高，而成為所謂半導體或優良導體。此處係作為優良導體。

導電性區域40，形成於DLC層30之厚度H1的一部分，此處，偏向與基材10相反側之表面，而以厚度H2形成。又，導電性區域40，形成於沿著DLC層30之平面的方向S的一部分。具體而言，導電性區域40，如圖1(B)所示，相對於沿著平面的方向S，形成寬度W2的帶狀，再者，該帶狀成為L字或U字形多次彎曲的蛇行狀。該導電性區域40的形成，只要以既定溫度區間，例如，200℃～600℃將DLC層30加熱即可。只有在加熱部分，非晶碳部分地被改質成石墨，而石墨的佔有率變高。因此，該導電性區域40成為導通電路。又，可藉由調整加熱方法、加熱溫度及加熱時間等，調整導電性區域40的深度、寬度以及石墨的含有比例，結果，導電性區域40的電阻率，亦可在整體或一部分中自由調整。因此，只要設定為既定的電阻率，即可將導電性區域40作為電性電阻使用。又，導電性區域40的形狀可因應目的自由變更。例如，單數或複數的直線或曲線，亦可形成包含分支線或合流線的線狀(參照圖11(A))、包含渦卷線狀、迴路線狀的線狀(參照圖11(B))，又，該等的線亦可為交叉而具有交點的狀態或成為格子狀(參照圖11(C))。再者，亦可由包含小的或微小的圓形或多角形、微小線等的點狀，亦即圓點狀或複數的圓點所構成之圓點群狀或圓點而形成不連續的排列配製(參照圖11(D))，當然，亦可形成平面狀或曲面狀，或沿著母材表面的面狀，亦可經由積層而多層化，或構成該等的複合形態。又，如圖11所示，該等的導電性區域，較佳係形成以將基材表面整體被覆及/或將預期之區域整體被覆的方式廣布的態樣。如此，可感測基材任一處的位移、變形、物理的性質的變化等。

又，本發明不限於基材整體為單一種類(單一功能)之導電性區域的情況，亦可構成以基材中的複數區域發揮不同功能的態樣。例如圖12所示之電子零件1的導電構造，其可成為如「具有感測器功能的導電性區域40A、具有電阻功能之導電性區域40B、具有電容器功能之導電性區域40C、具有開關功能之導電性區域40D、具有其他匯流排等之配線功能的導電性區域40E等」將不同功能製作在單一基材內的態樣。又，亦可對於這種電子零件1連接供給電力的電源，或連接進行信號輸出及輸入的外部裝置。又，圖示中雖省略，但亦可構成「在電子零件1上形成接受來自外部之熱及光、振動、壓力等各種形態之能量而發電的發電區域，以供給必要的電力」的態樣。

覆蓋層50，此處成為由電性絕緣材所構成的電性絕緣層。例如，較佳為氧化鋁覆膜、二氧化矽膜等。覆蓋層50，可使用塗裝、濺鍍、PVD、CVD等的各種手法。當然，亦可將覆蓋層作為第二非晶碳膜(第二DLC層)。又，覆蓋層50，亦可為單層或二層以上或多層，再者亦可為具有附加功能的物體。

本電子零件1，可作為例如，以導電性區域40作為電性電阻體的電阻、以導電性區域40作為電極的電容器、使用導電性區域40之電阻値變化的感測器、以導電性區域40作為電性供給配線的電子電路或電路基板、使用導電性區域40形成配線及各種元件的積體電路等。因此，可配合電子零件1之目的，變更導電性區域40之形狀或膜厚、使導電性區域40多層化、立體地連接多層的導電性區域40、或使包含導電性區域40的DLC層30多層化。

接著參照圖2及圖3，說明電子零件1的通電構造的製造順序。

如圖2(A)所示，首先，使中間層20在基材10上成膜，再者，於該中間層20上使DLC層30成膜。又，使中間層20為自由基氮化層的情況下，係藉由在真空氛圍中的電漿放電而使氮離子轟擊基材10表面進行成膜。使中間層20為金屬/碳之混合傾斜組成層的情況下，係以濺鍍等積層。其他亦可藉由塗裝、印刷、薄膜之接著等，使中間層20堆積及/或積層或附著而形成層體。

DLC層30的成膜，可適當使用習知技術。例如，可藉由離子化蒸鍍法、陰極電弧法、PVD法及電漿CVD法等進行成膜。DLC層30中的非晶碳膜，例如，作為0.5～10μm左右或未滿該值的膜厚，其電阻率為10⁹ ～10¹⁴ (Ω･cm)。

又，使用鑽石層代替DLC層30的情況，該成膜方法可適當使用習知技術。例如，可使用熱熔絲CVD、電漿CVD等的各種CVD法、使用燃燒焰的燃燒焰法等的各種方法。

接著如圖2(B)所示，將DLC層30表面加熱，於DLC層30內部形成導電性區域40(導電部形成步驟)。此時，例如圖3(A)所示，亦可在氧氛圍中，照射雷射光束M，部分地將DLC層30加熱。此時，藉由照射如飛秒雷射之極短時間的脈衝雷射，可以抑制熱能傳遞至目標區域以外的方式進行控制。

又，如圖3(A)的點線所示，亦可改變雷射光束M對於表面的照射角度，而從多個角度個別或同時進行照射。如此，可容易控制導電性區域40的深度等。例如，若以照射角彼此不同的多個雷射光束M同時照射，而使其在DLC層30的內部交叉，於該交叉點局部進行加熱。結果，可不在表面而是限定於DLC層30的內部形成導電性區域40。又，雖未特別圖示，但可使用透鏡等的光學元件，將雷射光束M等的焦點聚焦於DLC層30內部，藉此可僅局部地加熱焦點位置。又，雷射光束以外，亦可使用氣流雷射、超音波振動、高頻等各種加熱手法。當然，並非一定要在氧氛圍中加熱，亦可在真空中或惰性氣體氛圍中，但氧氛圍中的加熱容易得到「即使以較低的溫度亦可輕易從與鑽石構造對應之SP³ 鍵轉換至與石墨構造對應之SP² 鍵」的效果。又，如圖3(B)所示，使用表面上具有與導電性區域40成為相同形狀之轉印圖案72的加熱模具70，藉由加熱器等將該加熱模具70的溫度調整至例如，200℃～600℃，再使該加熱型70的轉印圖案72抵接於DLC層30，藉此可部分地加熱DLC層30。

加熱DLC層30的情況，較佳係直接或間接的使DLC層30冷卻(放熱)。這是因為，DLC層30因為熱傳導率高，故即使部分地加熱DLC層30，該熱能亦會擴散至DLC層30整體，導致整體成為導電性區域40。具體而言，如圖4(A)所示，在基材10的背面(底面)側配置下側冷卻板80，隔著基材10及中間層20，間接地冷卻DLC層30。該下側冷卻板80亦可具備散熱片，又，較佳係使冷卻媒介(如冷卻水或Fluorinert(商標)等的以氟碳化物為基礎的液相冷媒等的冷卻液)循環，或具備帕耳帖元件以強制進行放熱。

又，亦可將上側冷卻板90抵接於與DLC層30之基材10側相反之一側的表面(頂面)，以直接冷卻DLC層30。該上側冷卻板90具備以與導電性區域40相同形狀開口的開口圖案92，如圖4(B)所示，透過該開口圖案92，將加熱模具70的轉印圖案72抵接於DLC層30。上側冷卻板90，藉由使用熱傳導率高於DLC層30的材料，可積極地吸收DLC層30的熱，更藉由散熱片等將該熱放出至外部。當然，亦可在上側冷卻板90上，使冷卻媒介(如冷卻水或Fluorinert(商標)等的以氟碳化物為基礎的液相冷媒等的冷卻液)循環，或設置帕耳帖元件以強制進行放熱。

又，亦可不使用加熱模具70，透過開口圖案92，對於DLC層30照射雷射等以進行加熱。又，此處，雖例示同時進行DLC層30之冷卻步驟與DLC層30之加熱步驟(導電部形成步驟)的情況，但本發明不限於此，例如，亦可以直接浸漬於以液態氮或Fluorinert(商標)等的以氟碳化物為基礎的液相冷媒等的低溫冷卻液等各種手法預先將DLC層30冷卻，之後，將冷卻完成的DLC層30加熱以形成導電性區域40。又，冷卻手法不限於上述，例如，亦可藉由冷風等的冷卻氛圍進行冷卻。

回到圖2(C)，在DLC層30內部形成導電性區域40後，亦可在其表面使覆蓋層50成膜。覆蓋層50，可使用塗裝、濺鍍、PVD、CVD等的各種手法。其他亦可藉由印刷、絕緣膜之接著等進行積層。

本實施例之電子零件1具有以下優點。

(1)因為係DLC層30本體成為絕緣覆膜，其中一部分形成導電性區域40的構造，故可實現電子零件1的薄化。因此可在以往難以形成電子零件1之部位、構件、處所形成通電構造，而可以該部位作為電子零件1。

(2)DLC層30可形成於多種基材上。結果，不限於金屬等的導電性基材，可在樹脂膜、橡膠、紙、木材、石、陶瓷、玻璃、矽等各種基材上形成通電構造。換言之，可一體成形地將電子零件1製作於世上存在的所有各種製品的表面上。

(3)藉由DLC層30的成膜步驟與以對DLC層30進行熱處理而形成導電性區域40的步驟，可自由地設計各種電路圖案。結果，大幅簡化製造步驟。

(4)DLC層30因為耐磨耗性極高，故亦可在要求耐久性、耐磨耗性、平滑性等的部位中形成通電構造。例如，可在各種產業用滾軸表面上形成電子零件，或在加工工具、加工治具表面上形成電子零件。

接著，參照圖5說明本發明之第二實施例的電子零件101。又，針對與第一實施例中說明的電子零件1相同、類似的構件，使其名稱與符號的後兩位數一致，而省略個別的詳細說明。

該電子零件101，具有基材(母材)110、中間層120、DLC層130、導電性區域140、覆蓋層150。導電性區域140，形成於DLC層130之厚度方向T的厚度H1的一部分，此處，偏向與基材110相反側的表面，以厚度H2形成。又，導電性區域140，形成於沿著DLC層130之平面的整個方向S上。因此，DLC層130表面整體成為導電性區域140，而成為具有既定電阻値的配線。結果，電子零件101可作為電阻零件使用。又，若與基材110之變形連動而使導電性區域140變形，藉由該電阻値變化，而成為感側基材110之變形量的感測器。只要使該基材110為膜狀而鋪設於其他構件，亦可作為所謂的應變計使用。當然，亦可直接在基材(母材)110的表面使DLC層30形成層體，而形成預期的導電性區域140，藉此可檢測出基材(母材)110本體的應變，故所有的物體皆可使其物體本身感測器化，而可直接測定基材(母材)110的溫度，或測定本身的應變。

接著，參照圖5說明本發明之第三實施例的電子零件201。又，針對與第一實施例中說明的電子零件1相同、類似的構件，使其名稱與符號的後兩位數一致，省略個別的詳細說明。

該電子零件201，具有基材(母材)210、中間層220、第一DLC層230、第一導電性區域240、第二DLC層232、第二導電性區域242。亦即DLC層與導電性區域成為多層構造。

第一導電性區域240具有在第一DLC層230之中於厚度方向上之佔有率變大的厚區240B，與在相同厚度方向之佔有率變小的薄區240A。薄區240A形成於第一DLC層230之厚度方向T的厚度H1的一部分，此處偏向與基材210相反側之表面，以厚度H2形成。厚區240B，形成於第一DLC層230之厚度方向T上的整個厚度H1。因此，與中間層220及基材210導通，透過基材210之電力供給端子X，可對第一導電性區域240供給電力。又，第一導電性區域240，形成於沿著第一DLC層230之平面的整個方向S上。

再者，第二導電性區域242形成於第二DLC層232之厚度方向T上的厚度H1的一部分，此處，偏向與基材210相反之一側的表面，以厚度H2形成。又，第二導電性區域242，形成於沿著第二DLC層232之平面的整個方向S。因此，對於第二導電性區域242設置電力供給端子Y，藉此可對第二導電性區域242供給電力。

本電子零件201中，因為第一導電性區域240與第二導電性區域242，係隔著第二DLC層232，隔開既定間隔平行配置，故可作為電容器的電極使用。又，第一導電性區域240與第二導電性區域242的形狀不限於本實施例，亦可為梳齒狀或放射狀。

接著，參照圖7說明本發明之第四實施例的電子零件301。又，針對與第一實施例中說明的電子零件1相同、類似的構件，藉由使名稱與符號的後兩位數一致，省略個別的詳細說明。

該電子零件301具有基材(母材)310、中間層320、DLC層330、導電性區域340、覆蓋層350。如圖7(B)所示，導電性區域340成為具有寬度W的帶狀。導電性區域340，更具有在DLC層230中的厚度方向上佔有率變大的厚區340B與在相同厚度方向之佔有率變小的薄區340A。薄區340A，形成於DLC層330之厚度方向T的厚度H1之一部分，此處，偏向與基材310相反之一側的表面，以厚度H2形成。厚區340B，形成DLC層230之厚度方向T的厚度H1的一部分，偏向與基材310相反之一側的表面，以厚度H3形成。該厚度H3大於薄區340A的厚度H2。沿著帶體方向，隔著既定間隔，形成多個厚區340B。又，此處雖例示多個厚區340B的厚度H3彼此一致的情況，但亦可使各厚區340B之厚度互相不同。

又，可藉由使加熱手段、加熱溫度及加熱時間、加熱次數、加熱手法不同而形成厚區340B與薄區340A。又，厚區340B，只要相較於薄區340A，提高加熱溫度，延長加熱時間，增加加熱次數即可。厚區340B，相較於薄區340A其體積(剖面積)變大，故電性電阻降低。又，厚區340B相較於薄區340A，其石墨含量變多，故電阻率亦降低。

若在導電性區域340的兩端之間施加電壓，則成為呈現既定電阻値的電阻零件。又，若因為基材310變形而導致DLC層330及導電性區域340變形，電阻値有所變化，故可應用於應變感測器及振動感測器等的電子零件。特別是如本實施例，電阻値不同的厚區340B與薄區340A交互重複，則可使因基材310之變形造成的電阻値變化量增加。

又，如圖7(C)所示之電子零件301，導電性區域340中，可形成電阻率高的高電阻率區340F與電阻率低於高電阻率區340F的低電阻率區340G。例如，為了不改變物理性的厚度，而分開製作高電阻率區340F與低電阻率區340G，較佳係使加熱溫度與加熱手法互相不同。又，亦可對DLC層330進行非碳成分的摻雜。例如，藉由離子摻雜，可將DLC層330局部改質，藉由摻雜之離子，可賦予該局部附加功能。例如，亦可注入三價元素的硼或硼化物、鋁或鋁化物，或五價元素的磷或磷化物，或是砷或砷化物之離子，分別在DLC層330上的預期部位上，若添加三價元素則可形成P型半導體區域，若添加五價元素則可形成N型半導體區域。又，對於DLC層330進行各種離子摻雜時，可使用以往習知適當的離子摻雜裝置。

接著，參照圖8說明本發明之第五實施例的電子零件401。又，針對與第一實施例中說明的電子零件1相同、類似的構件，藉由使名稱與符號的後兩位數一致，省略個別詳細說明。

該電子零件401，具有基材(母材)410、中間層420、DLC層430、多個導電性區域440、覆蓋層450。複數的導電性區域440，僅限於DLC層430之內部，成為互相電性獨立的狀態(電性的浮島狀態)。各導電性區域440，形成於DLC層430之厚度方向T的厚度H1的一部分，此處偏向與基材410相反側之表面，以厚度H2形成。又，導電性區域440，形成於沿著DLC層430之平面的方向S之一部分。

如本實施例，只要使多個導電性區域440的間隔變窄，殘存於該隙間的DLC層430之電阻値就會變小。例如，在多個導電性區域440之中，於一端的導電性區域440設置電力供給用端子X，並於另一端的導電性區域440設置電極供給用端子Y，只要在兩者之間施加電壓，藉由使電流流過殘存於多個導電性區域440之間的DLC層430，即成為高電阻零件。又，因為基材510之變形導致DLC層430及導電性區域440變形，而電阻値有所變化，故可應用於應變感測器及振動感測器等的電子零件。

接著，參照圖9說明本發明之第六實施例的電子零件501。又，該第六實施例是第五實施例之電子零件401的變形例，故針對與第五實施例中說明的電子零件401相同、類似的構件，使其名稱與符號的後兩位數一致，省略個別的詳細說明。

該電子零件501，具有基材(母材)510、中間層520、第一DLC層530、多個第一導電性區域540、第二DLC層532、多個第二導電性區域542。多個第一導電性區域540，僅限於第一DLC層530之內部，成為互相電性獨立的狀態(電性的浮島狀態)。又，多個第二導電性區域542，僅限於第二DLC層532之內部，成為互相電性獨立的狀態(電性的浮島狀態)。

再者，如圖9所示，多個第一導電性區域540與多個第二導電性區域542在俯視下成為交互配置的狀態，若將兩者合併，則成為一個帶狀配線。亦即，配置成各第二導電性區域542橫跨於鄰接成對的第一導電性區域540之間的態樣。各第一導電性區域540的端緣與各第二導電性區域542的端緣隔著第二DLC層532接近，故若對兩端緣間施加高電壓，則微小電流流入成為高電阻的第二DLC層532內。因此，例如，在多個第二導電性區域542之中，於一端的第二導電性區域542設置電力供給用端子X，於另一端的第二導電性區域542設置電極供給用端子Y，若在兩者之間施加電壓，則成為較高的電阻零件。根據該構造，因為基材510的變形導致第一及第二DLC層530、532及第一及第二導電性區域540、542變形，而電阻値有所變化，故可應用於應變感測器及振動感測器等的電子零件。

接著，參照圖10說明本發明之第七實施例的電子零件601。又，針對與第一實施例中說明的電子零件1相同、類似的構件，使其名稱與符號的後兩位數一致，省略個別的詳細說明。

該電子零件601具有基材(母材)610、中間層620、DLC層630、導電性區域640、覆蓋層650。導電性區域640，形成於DLC層630的厚度方向T的厚度H1的一部分，此處偏向基材610側的表面，以厚度H2形成。又，導電性區域640，形成於沿著DLC層630之平面的整個方向S。如此，導電性區域640因而被DLC層630覆蓋，故DLC層630本身可兼作覆蓋層。又，使導電性區域640形成層體的情況，只要將基材(母材)610或中間層620加熱即可。

又，上述實施例中，雖例示採用積層於基材上的DLC層作為以鑽石及/或成為非晶碳之鑽石系材料為主成分的鑽石系區域的情況，但本發明不限於此。

接著，參照圖13說明本發明之第八實施例的電子零件701。該電子零件701中，具有成為立體形狀的鑽石系區域735與部分形成於該鑽石系區域735之導電性區域740A、740B以作為通電構造。

鑽石系區域735，此處成為以鑽石為主成分的結晶構造。具體而言，鑽石系區域735為天然鑽石或人工合成的合成鑽石。合成鑽石的製造，可使用以往習知的合成法，例如，高溫高壓蒸鍍法或CVD法等。

導電性區域740A、740B，其石墨的含有比例高於鑽石系區域735的鑽石系材料，且電阻率小於上述鑽石系材料。因此，導電性區域740A、740B構成電子零件701中的通電路。該導電性區域740A、740B， 至少形成於鑽石系區域735的表面或內部，但此處例示立體形狀的鑽石系區域735的內部中形成面狀的情況。

例如，一邊的導電性區域740A，在鑽石系區域735的內部中，形成X-Y方向的既定平面內。導電性區域740A，亦可形成於該平面內的整個區域，又，亦可應用第一實施例至第七實施例等所示之形態。另一邊的導電性區域740B，在鑽石系區域735的內部之中，形成於Y-Z方向的既定的平面內。該導電性區域740B，亦可形成於該平面內的整個區域，又，可應用第一實施例至第七實施例等所示的形態。導電性區域740A與導電性區域740B交叉之處(交點或交線)，成為兩者互相導通之處。結果，導電性區域740A、740B，整體成為在三維方向上延伸存在的通電路構造。

導電性區域740A、740B的形成，例如，只要對於鑽石系區域735照射雷射光束M，部分地進行加熱即可。此時，可照射極短時間的脈衝雷射如飛秒雷射，以抑制熱傳遞至目標區域以外的方式進行控制。又，在鑽石系區域735的內部形成導電性區域740A、740B，只要以使雷射光束M的焦點位於鑽石系區域735的內部的方式進行設定即可。亦即，只要使雷射光束M在鑽石系區域735的內部的特定處集光即可。此時，亦可在雷射光束M之光路的途中，配置狹縫狀或小孔狀等的通道元件(過濾器)，控制雷射光束M的焦點形狀。又，亦可藉由配置全像片(hologram)等的波面控制元件，使雷射光束M在鑽石系區域735內形成特定的像。

接著，參照圖14說明本發明之第九實施例的電子零件801。該電子零件801，具有成為立體形狀之鑽石系區域835與部分地形成於該鑽石系區域835的導電性區域840，以作為通電構造。

導電性區域840，其石墨的含有比例高於鑽石系區域835的鑽石系材料，且電阻率小於上述鑽石系材料。因此，導電性區域840構成電子零件801中的通電路。

導電性區域840，成為在三維方向上自由延伸的通電路，途中具有分支點(合流點)，藉此在內部進行分枝。又，該各通電路，達到鑽石系區域835的外表面的部分則成為外部接點。結果，可自由地在鑽石系區域835的內部構築立體的配線構造。因此，在該通電路的途中，可立體地製作例如，具有感測器功能的導電性區域840A、具有電阻功能的導電性區域840B、具有電容器功能的導電性區域840C、具有開關功能的導電性區域840D等。

接著，參照圖15說明本發明之第十實施例的電子零件901。該電子零件901，具有成為立體形狀之鑽石系區域935與部分地形成於該鑽石系區域935之中的導電性區域940以作為通電構造。

成為立體形狀的鑽石系區域935，如圖15(A)所示，藉由形成可應用為狹縫或孔等各種形狀的缺口部935A等，而成為複雜的外形。例如，亦可在氧氛圍中，對鑽石系區域935照射雷射光束M等，局部加熱至800℃以上，使照射部分的鑽石成為二氧化碳而消失，藉此形成該缺口部935A。亦即，只要控制雷射光束M，即可形成任意形狀的缺口部935A，而可得到作為目的之立體形狀的鑽石區域935。

如圖15(B)所示，導電性區域940形成於該缺口部935A的表面或其附近。只要將雷射光束M等照射至缺口部935的表面等，即可形成導電性區域940。另一方面，吾人認為亦可在形成圖15(A)中的缺口部935A的過程中，於缺口部935的加工表面同時形成導電性區域940。

根據該電子零件901，可將經蝕刻加工的鑽石區域935本體作為振動元件或感測裝置的基板或元件。又，使用形成於該鑽石區域935的導電性區域940，對鑽石區域935施加電壓，可將電子零件901作為其中製作有機械要件零件、感測器、振動元件、制動器等的MEMS元件，而發揮功能。

接著，參照圖16說明本發明之第十一實施例的電子零件1001。又，針對與第一實施例中說明的電子零件1相同、類似的構件，藉由使名稱與符號的後兩位數一致，省略個別詳細說明。

如圖16(A)所示，在與透光性高的鑽石系區域1030的雷射光束M的照射位置相反的位置具有吸收雷射光束M的升溫層1060，其與鑽石系區域1030密合或接近。又，圖式中省略中間層及/或基材。

藉由如此構成，因為鑽石系區域特別為結晶性高的構造體，即使是雷射光束通過鑽石系區域而鑽石系區域未加熱或難以加熱的情況，亦可透過升溫層間接加熱鑽石系區域，而產生導電性區域。

具體而言，如圖16(B)所示，在氧氛圍中，於箭號方向上照射的雷射光束M，通過鑽石系區域1030，被升溫層1060的鑽石系區域1030側的表面1060a吸收，而部分地使升溫層1060的表面1060a發熱而升溫。升溫所產生的熱量，藉由熱傳導而被傳遞至與升溫部分對向的鑽石系區域1030之對向面，藉此，鑽石系區域1030局部升溫，而改質成導電性區域1040。在鑽石系區域1030中形成預期圖案的導電性區域1040的情況，只要使雷射光束M在升溫層1060的表面1060a上掃描預期的圖案即可。

雷射光束以外，只要是氣流雷射等可見光即可使用。作為升溫層，可使用氮化矽、碳化矽、二氧化鋯、二氧化矽、氧化鈦等的陶瓷等，只要是被雷射光束等照射而吸收可見光進而有效率地發熱即可，較佳係被雷射光束等照射而對於可見光具有遮光性，且反射率低。其顏色並未特別限定，較佳為黑色，其他顏色的情況，較佳為深褐色、深綠色等的低明度的顏色。又，鑽石系區域被改質為導電性區域之溫度為高溫，故較佳係具有耐熱性。

又，升溫層亦可為如多孔質材的熱傳導率低的材料。藉由應用這種材料，可僅使升溫層中的照射雷射光束之部分與極靠近其的部分發熱，而局部升溫，故可接近導電性區域的圖案進行描繪，而可形成緻密的圖案。又，作為實現局部升溫的手段，可應用使如圖4所示的將升溫部之周邊冷卻的冷卻板。

作為以與鑽石系區域密合的方式形成升溫層的方法，可考慮使用塗布、鍍覆或塗裝等，或以黏著劑貼合片狀升溫層，或貼合密封狀的升溫層。

接著，參照圖17說明第十一實施例的第一變形例。與第十一實施例的主要差異點，係從雷射光束的照射位置來看，升溫層配置於鑽石系區域的上側。

如圖17(A)所示，電子零件1101中，在透光性高的鑽石系區域1130的雷射光束M之照射位置的一側，以與鑽石系區域1130密合或與其近接的方式，具有吸收雷射光束M的升溫層1160。又，圖式中省略中間層及/或基材。藉由這樣的構成，因為雷射光束直接照射升溫層，相較於第十一實施例，可有效的使升溫層升溫。

圖17(B)所示，例如，在氧氛圍中，在箭號方向被照射的雷射光束M，被升溫層1160的表面1160a所吸收，而使升溫層1160的表面1160a部分發熱進而升溫。此處雖使氛圍為氧，但亦可為大氣，或可為惰性氣體氛圍。升溫層1160的表面1160a的熱傳遞經過升溫層1160的內部而使與表面部位對應的背面1160b部分地升溫。因為升溫層之背面的升溫而產生的熱能，藉由熱傳導被傳遞至與背面側升溫部分對向的鑽石系區域1130的對向面，藉此，鑽石系區域1130局部升溫，而改質成導電性區域1140。

再者，參照圖18說明第十一實施例之第二變形例。與第十一實施例主要的相異點，係升溫層非面狀而為線狀。

如圖18(A)所示，在與透光性高的鑽石系區域1230的雷射光束M的照射位置相反的位置，以與鑽石系區域1230密合或與其接近的方式，具有吸收雷射光束M的線狀的升溫層1260。

線狀的升溫層可直接塗布於鑽石系區域1230，或亦可貼附於其上，或如第三變形例的圖18(B)所示，亦可使線狀的升溫層1362一體成形於面狀的片材1361上，再將面狀的透明片材1361貼附於鑽石系區域1330。

第十一實施例中，雖對於升溫層照射作為可見光的雷射光束以使其升溫，但亦可為可見光以外的例如電磁波等。此情況中，未必要使升溫層的顏色為明度低的顏色，亦可為容易吸收電磁波等的材料。

又，亦可使與第一實施例等中說明的鑽石系區域鄰接的中間層及基材附加作為升溫層的功能，亦可使中間層及基材升溫，或亦可使圖3(B)所記載之加熱模具升溫。

接著說明抑制所照射之雷射光束的熱量的方法。將鑽石系區域配置於高溫氛圍下，將鑽石系區域預先升溫至稍微低於用以改質導電性區域所需之熱量的溫度區域。如此，對於在升溫狀態下的鑽石系區域，將雷射光束照射於預期部位，以施加改質所需之熱量，藉此，相較於使常溫狀態之鑽石系區域升溫，明顯可施加較小的入熱量，將鑽石系區域改質為導電性區域。因此，可顯著抑制改質的能量，例如，可使用飛秒雷射等，藉由脈衝的極短時間的照射，將鑽石系區域改質成導電區域。

又，本發明之電子零件等，不限於上述實施形態，只要不脫離本發明之主旨的範圍內，當然可添加各種變化。又，上述實施例中所示之通電構造，除了所謂電子零件以外，亦可應用於需要通電的其他零件、構件等。

1‧‧‧電子零件

10‧‧‧基材

20‧‧‧中間層

30‧‧‧層

40‧‧‧導電性區域

50‧‧‧覆蓋層

70‧‧‧加熱模具

72‧‧‧轉印圖案

80‧‧‧下側冷卻板

90‧‧‧上側冷卻板

92‧‧‧開口圖案

101‧‧‧電子零件

110‧‧‧基材

120‧‧‧中間層

130‧‧‧層

140‧‧‧導電性區域

150‧‧‧覆蓋層

201‧‧‧電子零件

210‧‧‧基材

220‧‧‧中間層

230‧‧‧第一DLC層

232‧‧‧第二DLC層

240‧‧‧第一導電性區域

240A‧‧‧薄區

240B‧‧‧厚區

242‧‧‧第二導電性區域

301‧‧‧電子零件

310‧‧‧基材

320‧‧‧中間層

330‧‧‧DLC層

340‧‧‧導電性區域

340A‧‧‧薄區

340B‧‧‧厚區

350‧‧‧覆蓋層

401‧‧‧電子零件

410‧‧‧基材

420‧‧‧中間層

430‧‧‧DLC層

440‧‧‧導電性區域

450‧‧‧覆蓋層

501‧‧‧電子零件

510‧‧‧基材

520‧‧‧中間層

530‧‧‧第一DLC層

532‧‧‧第二DLC層

540‧‧‧第一導電性區域

542‧‧‧第二導電性區域

601‧‧‧電子零件

610‧‧‧基材

620‧‧‧中間層

630‧‧‧DLC層

640‧‧‧導電性區域

650‧‧‧覆蓋層

701‧‧‧電子零件

735‧‧‧鑽石系區域

740A‧‧‧導電性區域

740B‧‧‧導電性區域

801‧‧‧電子零件

835‧‧‧鑽石系區域

840‧‧‧導電性區域

840A‧‧‧導電性區域

840B‧‧‧導電性區域

840C‧‧‧導電性區域

840D‧‧‧導電性區域

901‧‧‧電子零件

935‧‧‧鑽石系區域

935A‧‧‧缺口部

935B‧‧‧鑽石區域

940‧‧‧導電性區域

1001‧‧‧電子零件

1030‧‧‧鑽石系區域

1040‧‧‧導電性區域

1060‧‧‧升溫層

1060a‧‧‧表面

1230‧‧‧鑽石系區域

1260‧‧‧升溫層

1330‧‧‧鑽石系區域

1361‧‧‧片材

1362‧‧‧升溫層

H1‧‧‧厚度

H2‧‧‧厚度

M‧‧‧雷射光束

S‧‧‧方向

T‧‧‧方向

W‧‧‧寬度

W2‧‧‧寬度

X‧‧‧端子

Y‧‧‧端子

圖1(A)係顯示本發明之第一實施例的電子零件的前視剖面圖。 圖1 (B) 係顯示本發明之第一實施例的電子零件的俯視圖。 圖2(A)至(C)係顯示相同電子零件之製造步驟的前視剖面圖。 圖3(A)及(B)係顯示相同電子零件之製造步驟的前視剖面圖。 圖4(A)及(B)係顯示相同電子零件之製造步驟的前視剖面圖。 圖5係顯示本發明之第二實施例的電子零件的前視剖面圖。 圖6係顯示本發明之第三實施例的電子零件的前視剖面圖。 圖7(A)係顯示本發明之第四實施例的電子零件的前視剖面圖。 圖7 (B) 係顯示本發明之第四實施例的電子零件的俯視圖。 圖7 (C) 係顯示本發明之第四實施例的電子零件的變形例之前視剖面圖。 圖8(A)係顯示本發明之第五實施例的電子零件的前視剖面圖。 圖8 (B) 係顯示本發明之第五實施例的電子零件的俯視圖。 圖9係顯示本發明之第六實施例的電子零件的前視剖面圖。 圖10係顯示本發明之第七實施例的電子零件的前視剖面圖。 圖11(A)至(D)係顯示本發明之實施例的電子零件之電路構成的俯視圖。 圖12係顯示本發明之實施例的電子零件之電路構成的俯視圖。 圖13係顯示本發明之第八實施例的電子零件的立體圖。 圖14係顯示本發明之第九實施例的電子零件的立體圖。 圖15(A)至(B)皆係顯示本發明之第十實施例的電子零件的立體圖。 圖16(A)係顯示本發明之第十一實施例的電子零件的立體圖。 圖16(B)係顯示本發明之第十一實施例的電子零件之組裝的前視剖面圖。 圖17(A)係顯示本發明之第十一實施例之第一變形例的電子零件的立體圖。 圖17(B)係顯示本發明之第十一實施例之第一變形例的電子零件之組裝的前視剖面圖。 圖18(A)係顯示本發明之第十一實施例之變形例的電子零件的第二變形例之立體圖。 圖18(B)係顯示本發明之第十一實施例之變形例的電子零件的第三變形例的組裝示意圖。

Claims (32)

1. 一種鑽石系通電構造，包含： 一鑽石系區域，其以鑽石及/或成為非晶碳之鑽石系材料作為主成分；及 一導電性區域，部分地形成於該鑽石系區域中，其石墨的含有比例高於上述鑽石系材料，且電阻率小於該鑽石系材料。
2. 如申請專利範圍第1項之鑽石系通電構造，其中，該鑽石系區域為立體形狀，該導電性區域形成於該鑽石系區域之表面或內部。
3. 如申請專利範圍第2項之鑽石系通電構造，其中，該導電性區域在該鑽石系區域內部中，於三維方向上延伸存在。
4. 如申請專利範圍第1項之鑽石系通電構造，其中更具備一基材，該鑽石系統區域包含以該鑽石系材料為主成分的一鑽石系層，該鑽石系層直接或間接在該基材上形成層體；該導電性區域，係部分地形成於該鑽石系層之中的區域。
5. 如申請專利範圍第4項之鑽石系通電構造，其中，該導電性區域，係在沿著該鑽石系層之平面的方向上的一部分中，形成厚度方向的一部分或全部。
6. 如申請專利範圍第4或5項之鑽石系通電構造，其中，該導電性區域，係在該鑽石系層的厚度方向上的一部分中，形成平面方向上的一部分或全部。
7. 如申請專利範圍第4項之鑽石系通電構造，其中，該導電性區域，形成於該鑽石系層中與該基材側相反之一側的表面上。
8. 如申請專利範圍第4項之鑽石系通電構造，其中，該導電性區域，形成於該鑽石系層中的該基材側表面。
9. 如申請專利範圍第4項之鑽石系通電構造，其中，該基材與該鑽石系層之間具有中間層。
10. 如申請專利範圍第4項之鑽石系通電構造，其中，該鑽石系層中與該基材相反的一側具有一第二層。
11. 如申請專利範圍第10項之鑽石系通電構造，其中，該第二層係具有電絕緣性的絕緣層。
12. 如申請專利範圍第1項之鑽石系通電構造，其中，該鑽石系層中與該基材相反的一側上，具有以鑽石及/或成為非晶碳之鑽石系材料作為主成分的一第二鑽石系層。
13. 如申請專利範圍第1項之鑽石系通電構造，其中，具有該導電性區域的該鑽石系層係具有複數之積層。
14. 如申請專利範圍第1項之鑽石系通電構造，其中，該導電性區域形成一點群狀或一圓點群狀。
15. 如申請專利範圍第14項之鑽石系通電構造，其中，形成該點群狀或該圓點群狀的該導電性區域，係以不連續配置排列的方式形成。
16. 如申請專利範圍第1項之鑽石系通電構造，其中，該導電性區域形成線狀，其包含直線狀、曲線狀或鋸齒線狀。
17. 如申請專利範圍第1項之鑽石系通電構造，其中，該導電性區域形成帶狀。
18. 如申請專利範圍第16或17項之鑽石系通電構造，其中，形成二條以上之該線狀及/或帶狀的該導電性區域，係以互相具有交點的方式形成。
19. 如申請專利範圍第1項之鑽石系通電構造，其中該導電性區域形成面狀，其包含平面狀或曲面狀。
20. 如申請專利範圍第1項之鑽石系通電構造，其中，該鑽石系區域之中係形成複數之該導電性區域。
21. 如申請專利範圍第1項之鑽石系通電構造，其中，該導電性區域具有在該鑽石系區域中於既定方向上佔有率變大的一厚區與在上述既定方向上佔有率變小的一薄區。
22. 如申請專利範圍第1項之鑽石系通電構造，其中，該鑽石系區域的一部分或全部含氫。
23. 如申請專利範圍第1項之鑽石系通電構造，其中，該鑽石系區域係藉由摻雜非碳元素或分子、或該等之離子之成分，而部分地具有微量非碳成分的方式所構成。
24. 如申請專利範圍第23項之鑽石系通電構造，其中，該非碳成分為三價的原子或分子。
25. 如申請專利範圍第23項之鑽石系通電構造，其中，該非碳成分為五價的原子或分子。
26. 一種鑽石系電子零件，係具有如申請專利範圍第1項之鑽石系通電構造。
27. 一種鑽石系通電構造之製造方法，包含以下步驟：將以鑽石及/或成為非晶碳之鑽石系材料作為主成分的一鑽石系區域加熱，使該鑽石系材料的石墨成分增加，藉此在上述鑽石系區域中，部分地形成電阻率小於上述鑽石系材料的導電性區域。
28. 如申請專利範圍第27項之鑽石系通電構造之製造方法，其中更包含：冷卻步驟，以將該鑽石系區域冷卻。
29. 一種鑽石系通電構造之製造方法，包含以下步驟： 碳成層步驟，其係對於基材，直接或間接地設置以鑽石及/或成為非晶碳之鑽石系材料作為主成分的鑽石系層，將上述鑽石系層加熱以使該鑽石系材料之石墨成分增加；及 導電部形成步驟，在上述鑽石系層之中，部分地形成電阻率小於上述鑽石系材料的導電性區域。
30. 如申請專利範圍第29項之鑽石系通電構造之製造方法，其中更包含冷卻步驟，其係使該鑽石系層冷卻。
31. 如申請專利範圍第30項之鑽石系通電構造之製造方法，其中，同時進行該導電部形成步驟與該冷卻步驟。
32. 如申請專利範圍第29至31項中任一項之鑽石系通電構造之製造方法，其中更包含：摻雜步驟，其對於該類鑽碳層摻雜非碳成分。