TW201840699A - 電子裝置用樹脂薄膜及電子裝置 - Google Patents

電子裝置用樹脂薄膜及電子裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201840699A
TW201840699A TW107105799A TW107105799A TW201840699A TW 201840699 A TW201840699 A TW 201840699A TW 107105799 A TW107105799 A TW 107105799A TW 107105799 A TW107105799 A TW 107105799A TW 201840699 A TW201840699 A TW 201840699A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resin film
resin
block copolymer
electronic device
styrene
Prior art date
Application number
TW107105799A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI760439B (zh
Inventor
井上弘康
Original Assignee
日商日本瑞翁股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日本瑞翁股份有限公司 filed Critical 日商日本瑞翁股份有限公司
Publication of TW201840699A publication Critical patent/TW201840699A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI760439B publication Critical patent/TWI760439B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F297/00—Macromolecular compounds obtained by successively polymerising different monomer systems using a catalyst of the ionic or coordination type without deactivating the intermediate polymer
    • C08F297/02—Macromolecular compounds obtained by successively polymerising different monomer systems using a catalyst of the ionic or coordination type without deactivating the intermediate polymer using a catalyst of the anionic type
    • C08F297/04—Macromolecular compounds obtained by successively polymerising different monomer systems using a catalyst of the ionic or coordination type without deactivating the intermediate polymer using a catalyst of the anionic type polymerising vinyl aromatic monomers and conjugated dienes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/24—Acids; Salts thereof
    • C08K3/26—Carbonates; Bicarbonates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L53/00—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L53/02—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers of vinyl-aromatic monomers and conjugated dienes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L53/00—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L53/02—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers of vinyl-aromatic monomers and conjugated dienes
    • C08L53/025—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers of vinyl-aromatic monomers and conjugated dienes modified
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2266/00—Composition of foam
    • B32B2266/02—Organic
    • B32B2266/0214—Materials belonging to B32B27/00
    • B32B2266/0221—Vinyl resin
    • B32B2266/0228—Aromatic vinyl resin, e.g. styrenic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/202—Conductive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2810/00—Chemical modification of a polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2353/00—Characterised by the use of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Derivatives of such polymers
    • C08J2353/02—Characterised by the use of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Derivatives of such polymers of vinyl aromatic monomers and conjugated dienes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/24—Acids; Salts thereof
    • C08K3/26—Carbonates; Bicarbonates
    • C08K2003/267—Magnesium carbonate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K2003/343—Peroxyhydrates, peroxyacids or salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/003—Additives being defined by their diameter
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

提供一種電子裝置用樹脂薄膜，其包含：含聚合物之樹脂、分散於前述樹脂中且一次粒徑為200nm以下之具有吸濕性的粒子與分散劑，前述樹脂之折射率與前述粒子之差的絕對值為0.05以下。前述樹脂以熱塑性樹脂為佳，以熱塑性彈性體為較佳。前述聚合物以選自芳族乙烯化合物—共軛二烯共聚物及氫化芳族乙烯化合物—共軛二烯共聚物之一種以上為佳。亦提供具備此電子裝置用樹脂薄膜之電子裝置。

Description

電子裝置用樹脂薄膜及電子裝置
本發明係關於一種電子裝置用樹脂薄膜及電子裝置。
在有機電致發光裝置（以下有時適當稱為「有機EL發光裝置」。）等電子裝置中，在密封等目的上使用樹脂薄膜。作為此種電子裝置用樹脂薄膜之例，探討了防止水分侵入有機EL發光裝置之發光層且與基板界面之密合性高的薄膜。
作為此種薄膜，已提案了藉由具備包含吸濕填料作為構成接合劑層之一部份的接合劑層，而進一步提高防止水分侵入發光層等之效果的接合薄膜（參照專利文獻1：日本專利公表第2015-504457號公報（對應公報：美國專利申請公開第2014/091296號說明書））。
具備包含吸濕粒子之層的薄膜，在多數情況下，包含吸濕劑的同時，亦包含用以使吸濕劑分散之添加劑等，因此有與裝置之密合性受到阻礙的情況。並且，依所使用之吸濕劑，有霧度變大而無法實現裝置中所要求之透明性的情況。
因此，本發明之目的在於提供一種具有高透明性、與裝置之高密合性的電子裝置用樹脂薄膜，以及具備該樹脂薄膜之電子裝置。
本發明人為解決前述課題而進行研究。其結果，本發明人發現藉由使含聚合物之樹脂包含「係特定粒徑之具有吸濕性的粒子且與樹脂之折射率的差為特定範圍」的粒子與分散劑，可獲得兼備透明性與密合性的電子裝置用的樹脂薄膜，進而完成本發明。
亦即，本發明如下所述。
［1］一種電子裝置用樹脂薄膜，其包含： 含聚合物之樹脂、分散於前述樹脂中且一次粒徑為200nm以下之具有吸濕性的粒子、分散劑，其中前述樹脂之折射率與前述粒子之差的絕對值為0.05以下。
［2］如［1］所記載之電子裝置用樹脂薄膜，其中前述樹脂為熱塑性樹脂。
［3］如［2］所記載之電子裝置用樹脂薄膜，其中前述熱塑性樹脂為熱塑性彈性體。
［4］如［1］～［3］之任一項所記載之電子裝置用樹脂薄膜，其中前述聚合物為選自芳族乙烯化合物—共軛二烯共聚物及經氫化之芳族乙烯化合物—共軛二烯共聚物之一種以上。
［5］如［4］所記載之電子裝置用樹脂薄膜，其中前述芳族乙烯化合物—共軛二烯共聚物為芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物。
［6］如［5］所記載之電子裝置用樹脂薄膜，其中前述芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物為選自苯乙烯—丁二烯嵌段共聚物、苯乙烯—丁二烯—苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯—異戊二烯嵌段共聚物及苯乙烯—異戊二烯—苯乙烯嵌段共聚物之一種以上。
［7］如［4］所記載之電子裝置用樹脂薄膜，其中前述經氫化之芳族乙烯化合物—共軛二烯共聚物為經氫化之芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物。
［8］如［7］所記載之電子裝置用樹脂薄膜，其中前述經氫化之芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物為選自氫化苯乙烯—丁二烯嵌段共聚物、氫化苯乙烯—丁二烯—苯乙烯嵌段共聚物、氫化苯乙烯—異戊二烯嵌段共聚物及氫化苯乙烯—異戊二烯—苯乙烯嵌段共聚物之一種以上。
［9］如［7］或［8］所記載之電子裝置用樹脂薄膜，其中前述氫化芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物為將共軛二烯之不飽和鍵及芳環之兩者氫化之氫化芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物。
［10］如［1］～［8］之任一項所記載之電子裝置用樹脂薄膜，其中前述樹脂包含具有極性基之聚合物作為前述聚合物。
［11］如［10］所記載之電子裝置用樹脂薄膜，其中前述具有極性基之聚合物為包含含極性基單元之接枝聚合物。
［12］如［1］～［11］之任一項所記載之電子裝置用樹脂薄膜，其在25℃之儲存彈性模數為107 Pa以上109 Pa以下。
［13］如［1］～［12］之任一項所記載之電子裝置用樹脂薄膜，其厚度為0.1μm以上1000μm以下。
［14］如［1］～［13］之任一項所記載之電子裝置用樹脂薄膜，其內部霧度為6.0%以下。
［15］一種電子裝置，其具備如［1］～［14］之任一項所記載之電子裝置用樹脂薄膜。
本發明之電子裝置用樹脂薄膜，可作為電子裝置用之樹脂薄膜使用，藉由如此之使用，可兼備高透明性和與裝置之高密合性。
並且，本發明之電子裝置藉由具備兼備高透明性與高密合性之樹脂薄膜，可做成具備採用為顯示器時所要求之透明性且同時防止水分侵入的裝置。
以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非限定於以下所揭示之實施型態及示例物者，在不脫離本發明之專利申請範圍及其均等之範圍中，得任意變更而實施。
［1.電子裝置用樹脂薄膜之概要］
本發明之電子裝置用樹脂薄膜（以下亦稱為「樹脂薄膜」）包含含聚合物之樹脂、分散於前述樹脂中且一次粒徑為200nm以下之具有吸濕性的粒子（以下有時將此粒子簡稱為「吸濕粒子」）與分散劑。本發明之樹脂薄膜所含有之樹脂之折射率與吸濕粒子之差的絕對值為0.05以下。
［2.樹脂］
在本發明中，作為含聚合物之樹脂，就容易成形的觀點而言，以熱塑性樹脂為佳。作為此種熱塑性樹脂，就容易成形且不易發生斷裂的觀點而言，以熱塑性彈性體為佳。
所謂熱塑性彈性體，係指在常溫顯現橡膠的特性、在高溫下塑化而能夠成形加工之材料。此種熱塑性彈性體在較小之力之承載下，具有伸度及斷裂皆不易產生之特徵。具體而言，熱塑性彈性體於23℃中顯現楊氏模數0.001～1GPa及拉伸伸長（斷裂伸度）100～1000%之值。並且，於40℃以上200℃以下之高度溫度範圍中，熱塑性彈性體軟化，儲存彈性模數急速降低而損失正切tanδ（損失彈性模數／儲存彈性模數）或具有峰值、或顯現超過1之值。楊氏模數及拉伸伸長得依據JIS K7113而量測。並且，損失正切tanδ得藉由市售之動態黏彈性量測裝置量測。
熱塑性彈性體，一般不含殘留溶劑，即使含有殘留溶劑其量也少，故溢氣少。因此，在低壓環境下不易產生氣體，故可防止樹脂薄膜本身成為氣體之產生源。並且，與熱固性樹脂或光固性樹脂不同因在製程中不需要用以使其交聯的處理，故可簡化步驟。
［2.1.聚合物］
樹脂含有聚合物作為主成分。
作為聚合物之例，可列舉：乙烯—丙烯共聚物等乙烯—α-烯烴共聚物；乙烯—α-烯烴—多烯共聚物；乙烯—甲基丙烯酸甲酯、乙烯—丙烯酸丁酯等乙烯與不飽和羧酸酯之共聚物；乙烯—乙酸乙烯酯等乙烯與脂肪酸乙烯酯之共聚物；丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸己酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸月桂酯等丙烯酸烷酯的聚合物；聚丁二烯、聚異戊二烯、丙烯腈—丁二烯共聚物、丁二烯—異戊二烯共聚物、丁二烯—（甲基）丙烯酸烷酯共聚物、丁二烯—（甲基）丙烯酸烷酯—丙烯腈共聚物、丁二烯—（甲基）丙烯酸烷酯—丙烯腈—苯乙烯共聚物等二烯系共聚物；丁烯—異戊二烯共聚物；苯乙烯—丁二烯隨機共聚物、苯乙烯—異戊二烯隨機共聚物、苯乙烯—丁二烯嵌段共聚物、苯乙烯—丁二烯—苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯—異戊二烯嵌段共聚物、苯乙烯—異戊二烯—苯乙烯嵌段共聚物等芳族乙烯化合物—共軛二烯共聚物；氫化苯乙烯—丁二烯隨機共聚物、氫化苯乙烯—異戊二烯隨機共聚物、氫化苯乙烯—丁二烯嵌段共聚物、氫化苯乙烯—丁二烯—苯乙烯嵌段共聚物、氫化苯乙烯—異戊二烯嵌段共聚物、氫化苯乙烯—異戊二烯—苯乙烯嵌段共聚物等經氫化之芳族乙烯化合物—共軛二烯共聚物；以及低結晶性聚丁二烯、苯乙烯接枝乙烯—丙烯彈性體、熱塑性聚酯彈性體及乙烯系離子聚合物。聚合物可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。
就吸水性低而不使電子裝置之壽命惡化的觀點，以及藉由變更共聚比而可輕易控制加工溫度的觀點而言，聚合物以選自芳族乙烯化合物—共軛二烯共聚物及氫化芳族乙烯合物—共軛二烯共聚物之一種以上為佳。
作為前述芳族乙烯化合物—共軛二烯共聚物，以芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物為佳。作為芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物，以選自苯乙烯—丁二烯嵌段共聚物、苯乙烯—丁二烯—苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯—異戊二烯嵌段共聚物及苯乙烯—異戊二烯—苯乙烯嵌段共聚物之一種以上為佳。
作為前述經氫化之芳族乙烯化合物—共軛二烯共聚物，以經氫化之芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物為佳。作為經氫化之芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物，以選自氫化苯乙烯—丁二烯嵌段共聚物、氫化苯乙烯—丁二烯—苯乙烯嵌段共聚物、氫化苯乙烯—異戊二烯嵌段共聚物及氫化苯乙烯—異戊二烯—苯乙烯嵌段共聚物之一種以上為佳。作為此等之更具體之例，可列舉日本專利公開H2-133406號公報、日本專利公開H2-305814號公報、日本專利公開H3-72512號公報、日本專利公開3-74409號公報以及國際公開第WO2015/099079號等先前技術文獻所記載者。
作為經氫化之芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物，以將共軛二烯之不飽和鍵及芳環之兩者氫化之氫化芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物為佳。
經氫化之芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物（亦稱「氫化物」），係將芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物之主鏈、側鏈之碳—碳不飽和鍵以及芳環之碳—碳氫化而獲得者。其氫化率通常為90%以上，以97%以上為佳，以99%以上為較佳。氫化率越高，越能夠使熱塑性彈性體之耐熱性及耐光性良好。於此，氫化物之氫化率可藉由1 H-NMR之量測而求得。
並且，前述嵌段共聚物之主鏈及側鏈之碳—碳不飽和鍵之氫化率，以95%以上為佳，以99%以上為較佳。藉由提高前述嵌段共聚物之主鏈及側鏈之碳—碳不飽和鍵的氫化率，可更提高樹脂之耐光性以及耐氧化性。 並且，前述嵌段共聚物之芳環之碳—碳不飽和鍵的氫化率，以90%以上為佳，以93%以上為較佳，尤以95%以上為佳。藉由提高芳環之碳—碳不飽和鍵的氫化率，由於氫化物之玻璃轉移溫度變高，故可有效提高樹脂之耐熱性。再者，可減少樹脂之光彈性模數，例如降低使用作為接合層等之情況時之延遲的發現。
氫化芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物之尤佳的嵌段型態，係芳族乙烯聚合物氫化物之嵌段[A]鍵結於共軛二烯聚合物氫化物之嵌段[B]之兩端的三嵌段共聚物；聚合物嵌段[B]鍵結於聚合物嵌段[A]之兩端，再者，聚合物嵌段[A]分別鍵結於該二聚合物嵌段[B]之另一端的五嵌段共聚物。尤其，由於容易製造且可將作為熱塑性彈性體之物性設為期望之範圍，故尤以[A]—[B]—[A]的三嵌段共聚物為佳。
在氫化芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物之中，全聚合物嵌段[A]佔嵌段共聚物整體之重量分率wA與全聚合物嵌段[B]佔嵌段共聚物整體之重量分率wB的比（wA/wB），通常為20/80以上，以30/70以上為佳，且通常為60/40以下，以55/45以下為佳。藉由將前述之比wA/wB設為前述範圍之下限值以上，可提升樹脂之耐熱性。並且，藉由設為上限值以下，可提高樹脂之柔軟性，且穩定並良好維持樹脂之阻隔性。再者，由於藉由降低嵌段共聚物之玻璃轉移溫度可降低密封溫度，故於將本發明之樹脂薄膜應用於有機EL元件及有機半導體元件等的情況下，可抑制前述元件之熱劣化。並且，藉由將前述比（wA/wB）設為前述範圍內，可拓寬樹脂薄膜擁有橡膠彈性的溫度範圍，而可拓寬電子裝置擁有柔軟性的溫度範圍。
［具有極性基之聚合物］
在本發明中，樹脂以包含具有極性基之聚合物作為聚合物為佳。藉由樹脂包含具有極性基之聚合物，可提升樹脂薄膜與裝置之接合性。作為此種極性基之例，可列舉：烷氧矽基、羧基、酸酐基等含羰基或環氧基、胺基、異氰酸酯基等。此等之中，就使得與無機物──尤其係與玻璃或SiOx等含Si無機物──之接合性良好的觀點而言，以烷氧矽基為佳。
具有極性基之聚合物，以包含含極性基單元之接枝聚合物為佳。所謂含極性基單元，係指具有將具有極性基之單體聚合而獲得之結構的單元。惟含極性基之單元，依其製造方法而未受限。
包含含極性基單元之接枝聚合物，得藉由將具有極性基之單體接枝聚合至某聚合物而獲得。於以下，為了與本發明之樹脂薄膜之樹脂所包含的聚合物區別，將供應於此種接枝聚合之反應的聚合物稱為「反應前聚合物」。作為反應前聚合物之例，可列舉：與作為得採用作為樹脂之主成分的聚合物於以上已示例者相同的聚合物。
作為具有極性基之單體之例，可列舉：乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、對苯乙烯基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基甲基二乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷及2-降烯-5-基三甲氧基矽烷等具有烷氧矽基的乙烯性不飽和矽烷化合物。
藉由使反應前聚合物與具有極性基之單體反應，得將極性基導入反應前聚合物，而獲得包含含極性基單元之接枝聚合物。在將烷氧矽基導入作為極性基的情況下，烷氧矽基之導入量相對於反應前聚合物100重量份，通常為0.1重量份以上，以0.2重量份以上為佳，以0.3重量份以上為較佳，且通常為10重量份以下，以5重量份以下為佳，以3重量份以下為較佳。若將烷氧矽基之導入量收束在前述範圍，則可防止因水分等而分解之烷氧矽基彼此的交聯度過度變高，故可維持高度接合性。作為烷氧矽基之導入所使用之具有烷氧矽基的物質及改質方法之例，可列舉：國際公開第WO2015/099079號等先前技術文獻所記載者。
烷氧矽基之導入量得以1 H-NMR光譜測量。並且，在測量烷氧矽基之導入量時，導入量較少的情況下，得增加累積次數而測量。
「將烷氧矽基導入反應前聚合物作為極性基」係稱為矽烷改質。在矽烷改質時，可使烷氧矽基直接鍵結於反應前聚合物，亦可中介例如伸烷基等2價的有機基使其鍵結。以下亦將藉由反應前聚合物之矽烷改質所獲得之聚合物稱為「矽烷改質聚合物」。
在本發明中，作為矽烷改質聚合物，以選自氫化苯乙烯—丁二烯嵌段共聚物之矽烷改質物、氫化苯乙烯—丁二烯—苯乙烯嵌段共聚物之矽烷改質物、氫化苯乙烯—異戊二烯嵌段共聚物之矽烷改質物及氫化苯乙烯—異戊二烯—苯乙烯嵌段共聚物之矽烷改質物之一種以上為佳。
矽烷改質聚合物之重量平均分子量（Mw），通常為20000以上，以30000以上為佳，以35000以上為較佳，且通常為200000以下，以100000以下為佳，以70000以下為較佳。聚合物之重量平均分子量得藉由以四氫呋喃作為溶劑的凝膠滲透層析術，以苯乙烯換算之值量測。並且，聚合物之分子量分布（Mw/Mn），以4以下為佳，以3以下為較佳，尤以2以下為佳，且以1以上為佳。藉由將聚合物之重量平均分子量Mw以及分子量分布Mw/Mn收束在前述範圍，可提升樹脂之機械強度及耐熱性。
矽烷改質聚合物，其與例如玻璃、無機物、金屬等材料的接合性優異。因此，在藉由本發明之樹脂薄膜密封有機EL發光裝置之元件的情況下，可特別提高樹脂薄膜與元件之接合性。因此，長時間暴露於有機EL發光裝置之信賴性評價通常所進行之高溫高濕環境後，樹脂薄膜亦可維持充分的接合力。
［2.2.吸濕粒子］
分散於樹脂中之吸濕粒子，其一次粒徑為200nm以下。藉由將吸濕粒子之一次粒徑設為200nm以下，可使樹脂薄膜之厚度變得均質。吸濕粒子之一次粒徑，以150nm以下為佳，以100nm以下為較佳。藉由減小吸濕粒子之一次粒徑，可減小內部霧度值，而可提高樹脂薄膜之透明性。
吸濕粒子之一次粒徑，以3nm以上為佳，尤以10nm以上為佳。藉由吸濕粒子之一次粒徑為前述下限值以上，可以較少的分散劑量分散粒子，而可在減少分散劑所致之不良影響的同時，提高吸濕性。在本發明中，所謂一次粒徑，表示一次粒子之數量平均粒徑。吸濕粒子之一次粒徑（數量平均粒徑），得在使其分散於溶劑之分散液的狀態下，藉由透過動態光散射法之粒徑量測裝置而量測。並且，作為其他的方法，得在樹脂狀態下藉由電子顯微鏡直接觀察樹脂剖面的粒子，藉由求得粒徑之平均值的手段而量測。
在本發明中，所謂吸濕粒子，係於20℃90%RH靜置24小時之情況下的重量變化收束在特定範圍的粒子。重量變化率之具體的範圍，通常為3%以上，以10%以上為佳，以15%以上為較佳。重量變化率之上限並無特別的限制，但以100%以下為佳。藉由如此使用具有高吸濕性之吸濕粒子，由於可以少量即充分吸取水分，故在樹脂為熱塑性彈性體的情況下，熱塑性彈性體本來所擁有之橡膠特性不會受到阻礙，是而有利。
前述重量變化率，得根據下述式（A1）計算。下述之式（A1）中，W1表示靜置於20℃90%Rh之環境前之粒子的重量，W2表示靜置於20℃90%Rh之環境後之粒子的重量。 重量變化率（%）＝(W2−W1)/W1×100 (A1)
作為吸濕粒子所含有之材料之例，可列舉：鹼金屬、鹼土金屬、含鋁之化合物（氧化物、氫氧化物、鹽等）而不含矽之化合物（例如氧化鋇、氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶、氫氧化鋁、水滑石等）、日本專利公開第2005-298598號公報所記載之有機金屬化合物以及含金屬氧化物的黏土等鹼性吸濕劑；含矽之無機化合物（例如矽膠、奈米多孔矽石、沸石）等酸性吸濕劑。
作為吸濕粒子之材料，以選自由沸石及水滑石而成之群組之1種以上之物質為佳。沸石尤其具有高吸濕能力，例如在20℃90%RH靜置24小時的情況下，可輕易實現如10%～30%的高重量變化率。並且，由於沸石會因乾燥而釋出水，故可再利用。如前所述之吸濕粒子的材料，可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上使用。
在本發明中，樹脂之折射率與吸濕粒子之折射率之差的絕對值為0.05以下。藉由將樹脂與吸濕粒子之折射率之差的絕對值設為前述範圍，可減小內部霧度、提高樹脂薄膜之透明性。樹脂之折射率與吸濕粒子之折射率之差的絕對值，以0.03以下為佳。
吸濕粒子之折射率，得藉由標準溶液法量測。具體而言，將折射率為已知的標準溶液試劑2～3滴滴下至玻璃基板上，將吸濕粒子混合於此而製備混合液。使用具有各式各樣的折射率之標準溶液試劑（MORITEX公司製CARGILLE標準折射率液）進行此操作，將前述混合液變成透明時的標準溶液試劑的折射率作為各粒子之折射率。另一方面，樹脂之折射率，係設定為準備已成形為薄膜狀者，藉由阿貝折射計或分光橢圓偏振計所量測之波長589nm的折射率。
樹脂中的吸濕粒子的量，以5重量%以上為佳，以10重量%以上為較佳，且以60重量%以下為佳，以40重量%以下為較佳，以30重量%以下為更佳。藉由吸濕粒子的量為前述範圍的下限值以上，可提高樹脂薄膜之水分侵入防止效果。並且，藉由為上述範圍的上限值以下，可提高樹脂薄膜之透明性、柔軟性及加工性。
［2.3.分散劑］
在本發明中，樹脂薄膜包含分散劑。分散劑在樹脂中發揮提升吸濕粒子之分散性的功能。作為分散劑之例，可列舉：東亞合成公司的「Aron（註冊商標）」及「JURYMER（註冊商標）」系列、日本觸媒公司的「AQUALIC （註冊商標）」系列、共榮社化學公司的「FLOWLEN（註冊商標）」系列、楠本化成公司的「DISPARLON（註冊商標）」系列、BASF公司的「Sokalan（註冊商標）」系列、BYK公司的「DISPERBYK（註冊商標）」系列、日本Lubrizol公司的「SOLSPERSE（註冊商標）」系列、味之素Fine-Techno公司的「AJISPER」系列等市售的分散劑。分散劑得做成由吸附於吸濕粒子之骨架與影響與樹脂或溶劑之間的相互作用或相容性之骨架而成者。
作為吸附於吸濕粒子之骨架，可列舉：胺基、羧基、磷酸基、胺鹽、羧酸鹽、磷酸鹽、醚基、羥基、醯胺基、芳族乙烯基、烷基等。在吸濕粒子為酸性吸濕粒子的情況下，以鹼性者（鹼性分散劑）作為吸附骨架為佳，在吸濕粒子為鹼性吸濕粒子的情況下，以酸性者（酸性分散劑）作為吸附骨架為佳，但亦可為非離子性的分散劑。
分散劑之酸價或鹼價（胺價）的下限值以20mg KOH/g以上為佳，以50mg KOH/g以上為較佳。酸價或鹼價的上限值以200mg KOH/g以下為佳，以160mg KOH/g以下為較佳。藉由選擇酸價或鹼價（胺價）為此等之範圍的分散劑，可以短時間有效使粒子分散。另一方面，作為影響與樹脂或溶劑之相互作用或相容性之骨架，可列舉：脂肪酸、聚胺、聚醚、聚酯、聚胺酯、聚丙烯酸酯等。再者，所選擇之分散劑，以可溶於非極性溶劑為佳。非極性溶劑一般而言，溶劑中所包含的水分少，不會阻礙吸濕粒子的性能。作為此種非極性溶劑，可列舉：己烷、環己烷、甲苯、苯、四氫呋喃等。
並且，亦可使用信越矽利光公司或Dow Corning Toray公司的矽烷偶合劑等作為分散劑。在矽烷偶合劑的情況下，吸附於吸濕粒子的部分稱為可水解基，影響與樹脂或溶劑之相互作用或相容性的部分稱為反應性官能基。舉例而言，作為可水解基，可列舉：－OCH3 、－OC2 H5 、－OCOCH3 等。另一方面，作為反應性官能基，可列舉：胺基、環氧基、甲基丙烯醯基、乙烯基等。此種分散劑可單獨使用一種，亦可混合多個使用。
相對於吸濕粒子100重量份，分散劑的量以7重量份以上為佳，以10重量份以上為較佳，且以70重量份以下為佳，以50重量份以下為較佳。藉由將分散劑的量設為前述下限值以上，得達成吸濕粒子之良好分散，而得降低內部霧度以達成高透明性。藉由將分散劑的量設為前述上限值以下，得抑制起因於分散劑之樹脂薄膜與有機EL發光裝置等之密合降低。
［2.4.任意成分］
樹脂除了聚合物之外得含有任意成分。作為任意成分之例，可列舉：用以調整玻璃轉移溫度及彈性模數的塑化劑、用以提升耐候性及耐熱性的光穩定劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、潤滑劑、無機填充物等。並且，任意成分可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上使用。
作為抗氧化劑，可列舉例如：磷系抗氧化劑、酚系抗氧化劑、硫系抗氧化劑等，以著色較少之磷系抗氧化劑為佳。
作為磷系抗氧化劑，可列舉例如：亞磷酸三苯酯、亞磷酸二苯酯異癸酯、亞磷酸苯酯二異癸酯、亞磷酸參(壬苯)酯、亞磷酸參(二壬苯)酯、亞磷酸參[2,4-二(三級丁基)苯]酯、10[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苄基]-9,10-二氫-9-氧-10-膦菲-10-氧化物等單亞磷酸系化合物；4,4’-亞丁基雙(3-甲基-6-三級丁基苯基二(十三基)亞磷酸酯)、4,4’-亞異丙基雙(苯基二(烷基（C12～C15）亞磷酸酯)等二亞磷酸系化合物；6-[3-(3-三級丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙氧基]-2,4,8,10-四(三級丁基)二苯[d,f][1.3.2]二氧磷呯、6-{3-[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基]丙氧基}-2,4,8,10-四(三級丁基)二苯[d,f][1.3.2]二氧磷呯等化合物。
作為酚系抗氧化劑，可列舉例如：四{3-[3,5-二(三級丁基)-4-羥基]丙酸}新戊四酯、2,2’-硫二伸乙基雙[3-(3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基)丙酸酯]、3-[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基]丙酸十八酯、3,9-雙{2-[3-(3-三級丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙醯氧基]-1,1-二甲基乙基}-2,4,8,10-四氧螺[5,5]十一烷、1,3,5-三甲基-2,4,6-參[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苄基]苯等化合物。
作為硫系抗氧化劑，可列舉例如：3,3’-硫二丙酸二月桂酯、3,3’-硫二丙酸二肉豆蔻酯、3,3’-硫二丙酸二硬脂酯、3,3’-硫二丙酸月桂酯硬脂酯、肆(β-月桂基硫基丙酸)新戊四酯、3,9-雙(十二基硫乙基)-2,4,8,10-四氧螺[5,5]十一烷等化合物。
相對於主成分的聚合物100重量份，抗氧化劑的量通常為0.01重量份以上，以0.05重量份以上為佳，以0.1重量份以上為較佳，且通常為1重量份以下，以0.5重量份以下為佳，以0.3重量份以下為較佳。藉由使用前述範圍的下限值以上之抗氧化劑，可改善樹脂薄膜的耐久性，但即使超過上限而使用過量，亦難以得到進一步的改善。
［3.樹脂薄膜之構成］
在本發明之樹脂薄膜之一側的面或兩側的面上，可配合保存、搬運、用途等而設置任意之層。作為任意之層，可列舉剝離薄膜。具體而言，得將樹脂薄膜與剝離薄膜貼合而作做成複層物。在將樹脂薄膜作為接合薄膜使用的情況下，可以複層物的狀態輕易保存及搬運樹脂薄膜，是為合適。作為剝離薄膜，可列舉例如已施以脫模處理的聚對酞酸乙二酯（PET）製的薄膜等。
本發明之樹脂薄膜的厚度，以0.1μm以上為佳，以1μm以上為較佳，以3μm以上為更佳，尤以5μm以上為佳，且以1000μm以下為佳，以100μm以下為較佳，以50μm以下為更佳，尤以16μm以下為佳。藉由將樹脂薄膜的厚度設為前述下限值以上，可輕易達成有效的吸濕，藉此，可輕易達成抑制水分的侵入。藉由將樹脂薄膜的厚度設為前述上限值以下，可使本發明之樹脂薄膜的可撓性良好。
本發明之樹脂薄膜之25℃的儲存彈性模數，以107 Pa以上為佳，以2×107 Pa以上為較佳，且以109 Pa以下為佳，以5×108 Pa以下為較佳。藉由將樹脂薄膜之25℃的儲存彈性模數設為前述範圍內，即使在通常的使用溫度環境中，亦可將樹脂薄膜做成具有橡膠彈性的構成，而得做成於需要彎曲特性的撓性裝置中為合適者。
樹脂薄膜之25℃的儲存彈性模數，得使用動態黏彈性量測裝置，以頻率1Hz的條件量測。
本發明之樹脂薄膜的內部霧度，以6.0%以下為佳，以3.0%以下為較佳，以1.0%以下為更佳。藉由將內部霧度設為上述範圍以下，由於得提高樹脂薄膜的透明性，故可將該樹脂薄膜合適使用於有機EL發光裝置等之中的要求光的透射之處。內部霧度得藉由使用濁度計而量測。
構成樹脂薄膜之樹脂的玻璃轉移溫度並不特別限定，但以40℃以上為佳，以70℃以上為較佳，且通常為200℃以下，以180℃以下為佳，以160℃以下為較佳。並且，例如在使用包含嵌段共聚物的熱塑性彈性體的情況下，藉由改變各個聚合物嵌段的重量比率以調整玻璃轉移溫度，可取得密封元件時之接合性與密封後之可撓性的平衡。
本發明之樹脂薄膜的製造方法並未特別限定，得藉由任意方法製造。舉例而言，可藉由將混合構成樹脂薄膜之各成分（聚合物、吸濕粒子、分散劑及視需要添加的其他成分）而獲得之混合物，塗布於已施以脫模處理的PET薄膜等基材並使其乾燥而製造。構成樹脂薄膜之成分的混合方法，並未特別限定，可列舉例如：使用雙軸混煉機、輥、布氏混煉機（Brabender）、擠製機等混煉機，使聚合物成為熔融狀態而與聚合物以外的成分混煉的方法；使聚合物以外的成分溶解或分散於適當的溶劑而與聚合物的溶液混合後，去除溶劑而回收包含其他成分的樹脂的方法；等。
［4.樹脂薄膜之用途］
本發明之樹脂薄膜，得於電子裝置中，使用於支撐基材、絕緣、接合以及密封等用途。此等用途之中，例如在作為接合之用途（接合層）使用的情況下，使本發明之樹脂薄膜中介在需要接合的2層之間，並施加用以使接合性顯現的處理，藉此得使如此接合對象的2層接合。
用以使接合性顯現的處理，具體而言得為所謂熱熔的處理。亦即，加熱本發明之樹脂薄膜，且若需要得進行在接合對象之2層之間施加壓力之處理。處理溫度以在Tg以上的溫度下進行為佳，以在Tg+50℃以上的溫度下進行為較佳。於此所謂Tg，表示構成樹脂薄膜之樹脂的玻璃轉移溫度。在樹脂為具有多個玻璃轉移溫度的情況下，前述Tg表示其中最高溫的玻璃轉移溫度。藉此，得達成良好的接合。處理溫度的上限以Tg+50℃以下為佳，以Tg+30℃以下為較佳。藉由在如此上限以下的溫度下處理，可有效抑制吸濕粒子及分散劑轉移到樹脂薄膜的最表面，其結果，可抑制吸濕粒子等與接合對象之層的化學上的反應，且可抑制吸濕粒子的二次粒子所致之物理上的不良影響。
［5.電子裝置］
本發明之電子裝置具備本發明之電子裝置用樹脂薄膜。作為此種電子裝置，可列舉例如：有機EL發光裝置、太陽能電池、觸控面板、各種電極（ITO、銅電極、錫電極、軟銲電極等）。此等之中，以具備本發明之樹脂薄膜作為密封薄膜之有機EL發光裝置為佳。藉由將本發明之樹脂薄膜作為密封薄膜使用，得於容易受到水分或氧影響的有機EL發光裝置中，有效顯現防止水分侵入的效果。將具備本發明之樹脂薄膜的有機EL發光裝置作為本發明之電子裝置的具體例並說明如下。
有機EL發光裝置得具備基板與設置於其上之電極及發光層。具體而言，得具備玻璃板等之基板、設置於其面上之第一電極、設置於其面上之發光層與進一步設置於其面上之第二電極。藉由將第一電極及第二電極之其中一者設為透明電極，並將另一者設為反射電極（或透明電極與反射層之組合），可反應於給予電極之通電而達成通往透明電極側之發光。
有機EL發光裝置中，得進一步具備用以抑制水分侵入發光層內部的氣體阻隔層。有機EL發光裝置得具備基板、氣體阻隔層、設置於其間的電極及發光層，藉由基板及氣體阻隔層而具有將電極及發光層密封的構成。有機EL發光裝置，得具備本發明之樹脂薄膜作為中介在第二電極與氣體阻隔層之間的層。若採用此種構成、使本發明之樹脂薄膜發揮作為使第二電極與氣體阻隔層接合之接合層的功能，則藉由高密合性，能夠得到防止水分侵入發光層等層而有效將該發光層等層密封的有機EL發光裝置。
有機EL發光裝置所具備之氣體阻隔層得做成樹脂薄膜與氣體阻隔層之堆疊體。例如，得使用包含樹脂薄膜與形成於其表面上之無機阻隔層的氣體阻隔堆疊體作為氣體阻隔層。
作為得包含於無機阻隔層之無機材料的較佳例，可列舉：金屬；矽的氧化物、氮化物、氮氧化物；鋁的氧化物、氮化物、氮氧化物；DLC（類鑽碳）；以及混合有此等之2種以上的材料；等。其中，就透明性的方面而言，以含有矽的材料為佳，尤以矽氧化物及矽氮氧化物為佳。並且，就與樹脂薄膜之親和性的方面而言，尤以DLC為佳。
作為矽的氧化物，可舉出例如SiOx 。於此，就兼顧無機阻隔層的透明性及水蒸氣阻隔性的觀點而言，x以1.4＜x＜2.0為佳。並且，作為矽的氧化物，亦可舉出SiOC。
作為矽的氮化物，可舉出例如SiNy 。於此，就兼顧無機阻隔層的透明性及水蒸氣阻隔性的觀點而言，y以0.5＜y＜1.5為佳。
作為矽的氮氧化物，可舉出例如SiOp Nq 。於此，在重視無機阻隔層的密合性的提升的情況下，以設為1＜p＜2.0且0＜q＜1.0並將無機阻隔層設為富氧的膜為佳。並且，在重視無機阻隔層的水蒸氣阻隔性的提升的情況下，以設為0＜p＜0.8且0.8＜q＜1.3並將無機阻隔層設為富氧的膜為佳。
作為鋁之氧化物、氮化物及氮氧化物，可列舉例如AlOx 、AlNy 及Op Nq 。其中，就無機阻隔性的觀點而言，尤以SiOp Nq 、AlOx 及其等之混合物為佳。
無機阻隔層得藉由蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法、離子束輔助蒸鍍法、電弧放電電漿蒸鍍法、熱CVD法、電漿CVD法等成膜方法而形成於例如成為支撐體之樹脂薄膜的表面。其中，以使用熱CVD法、電漿CVD法等化學氣相沉積法為佳。根據化學氣相沉積法，藉由調整製膜所使用之氣體成分，可形成具可撓性的無機阻隔層。並且，藉由獲得具可撓性的無機阻隔層，無機阻隔層能夠追隨樹脂薄膜的變形及在高溫高濕環境下之樹脂薄膜的尺寸變化。並且，根據化學氣相沉積法，能夠在低真空度的環境下以高製膜速率製膜，且可實現良好的氣體阻隔性。
在氣體阻隔堆疊體中，無機阻隔層雖亦可設置於樹脂薄膜之兩側的面，但通常設置於一側的面。此時，無機阻隔層可設置為面向有機EL發光裝置之內側，亦可設置為面向有機EL發光裝置之外側。就防止裝置的製造後之無機阻隔層的損傷的觀點而言，以設置為面向有機EL發光裝置之內側為佳。
有機EL發光裝置得進一步於第一電極與第二電極之間具備電洞注入層、電洞輸送層、電子輸送層及電子注入層等任意的層。有機EL發光裝置得具備用以於第一電極及第二電極通電的配線、用以密封發光層之周邊構造等任意的構成。
有機EL發光裝置得以任意之態樣具備發光層。舉例而言，本發明之電子裝置可為具備發光層作為顯示影像之畫素的顯示裝置，亦可為具備發光層作為用以供給光之發光體的背光裝置、照明裝置等光源裝置。
以下揭示實施例以具體說明本發明。惟本發明並非限定於以下所揭示之實施例者，在不脫離本發明之專利申請範圍及其均等之範圍中，得任意變更而實施。於以下之說明中，除非另有註明，否則表示份量之「%」及「份」係以重量為基準。並且，於以下所說明之操作，除非另有註明，係在常溫及常壓的條件下進行。
［評價方法］
〔樹脂之楊氏模數、拉伸伸長及tanδ〕
樹脂之23℃的楊氏模數及拉伸伸長，係依據JIS K7113而量測。40℃以上200℃以下之樹脂的損失正切tanδ（損失彈性模數／儲存彈性模數）係使用日立先端科技公司製之動態黏彈性量測裝置DMS6100而量測。
［折射率］
吸濕粒子之折射率係藉由標準溶液法而量測。具體而言，將折射率為已知的標準溶液試劑2～3滴滴下至玻璃基板上，將吸濕粒子混合於此而製備混合液。使用具有各式各樣的折射率之標準溶液試劑（MORITEX公司製CARGILLE標準折射率液）進行此操作，將前述混合液變成透明時的標準溶液試劑的折射率作為各粒子之折射率。另一方面，樹脂之折射率，係準備已成形為薄膜狀者，藉由阿貝折射計以波長589nm而量測。
［Ca薄膜之腐蝕開始時間的量測方法］
在邊長為3cm之正方形狀之區域，準備形成有Ca薄膜之5cm見方的玻璃基板1及4cm見方的玻璃基板2。再來，自在實施例及比較例所製作之多層物剝離脫模處理PET薄膜，獲得樹脂薄膜1。將其剪裁成邊長為4.0cm左右之正方形，獲得作為樣品之樹脂薄膜1。
在玻璃基板1上配置樹脂薄膜1，再來，以Ca薄膜區域之端部來到距離玻璃基板2之端部0.5cm處的方式，在樹脂薄膜1上配置玻璃基板2。藉由使其在0.3MPa的壓力下通過輥溫度設定為110℃的輥貼合機之間以將其貼合，製作具有（玻璃基板2）／（樹脂薄膜1）／（玻璃基板1）之層構成的玻璃堆疊體1。藉由將所獲得之玻璃堆疊體1保管於60℃90%RH的環境下，並於每24小時左右觀察Ca薄膜區域端部有無變色，量測Ca薄膜區域之端部的變色開始時間。Ca薄膜區域之端部的變色開始時間越長，樹脂薄膜的透濕能力越優異。
［內部霧度之量測方法］
準備5cm見方的玻璃基板3及5cm見方的玻璃基板4。再來，自在實施例及比較例所製作之多層物剝離脫模處理PET薄膜，獲得樹脂薄膜1。
在玻璃基板3上配置樹脂薄膜1。再於其上配置玻璃基板4，藉由使其在0.3MPa的壓力下通過輥溫度設定為110℃的輥貼合機之間以將其貼合，製作具有（玻璃基板3）／（樹脂薄膜1）／（玻璃基板4）之層構成的玻璃堆疊體2。使用濁度計（日本電色公司製「NDH-2000」）量測所獲得之玻璃積層體2的內部霧度。
［樹脂薄膜之儲存彈性模數的量測方法］
自在實施例及比較例所製作之多層物剝離脫模處理PET薄膜，獲得樹脂薄膜。針對樹脂薄膜，使用日立先端科技公司製之動態黏彈性量測裝置DMS6100，以頻率1Hz的條件量測−50℃～200℃的儲存彈性模數。於表中揭示25℃的儲存彈性模數。
［密合性評價測試（棋盤格剝離測試）］
準備5cm見方的玻璃基板5以及在實施例及比較例所製作之多層物。
在5cm見方的玻璃基板5上，以脫模處理PET薄膜在上側之方式配置多層物，使其在0.3MPa的壓力下通過輥溫度設定為110℃的輥貼合機之間以將其貼合，再於80℃之烘箱中保管1小時。如此操作以製作具有（脫模處理PET薄膜）／（薄膜樹脂薄膜1）／（玻璃基板5）之層構成的玻璃積層體3。自此玻璃積層體3，僅剝離脫模處理PET薄膜，使用切刀於樹脂薄膜以1mm間隔割出縱橫11條之割痕，做出100個（10×10）1mm見方的棋盤格，在此之上貼附賽珞玢膠帶並快速剝離，藉由以下之評價基準評價未被剝離而殘留之棋盤格數。未被剝離而殘留之棋盤格數越多，意謂與玻璃基板之密合性越優異。
〈評價基準〉 OK：相對於全棋盤格數（100）未被剝離而殘留之棋盤格數為90以上 NG：相對於全棋盤隔數（100）未被剝離而殘留之棋盤格數為89以下
［實施例1］
（1-1.氫化嵌段共聚物之製造）
使用苯乙烯作為芳族乙烯化合物，使用異戊二烯作為鏈狀共軛二烯化合物，藉由以下順序製造具有於聚合物嵌段[B]的兩端鍵結有聚合物嵌段[A]之三嵌段結構的嵌段共聚物的氫化物（氫化嵌段共聚物）。
在內部經過充分氮氣置換且具備攪拌裝置的反應器內，添加脫水環己烷256份、脫水苯乙烯25.0份及二正丁基醚0.615份，在60℃下一邊攪拌一邊添加正丁基鋰（15%環己烷溶液）1.35份使聚合開始，再一邊攪拌一邊在60℃下使其反應60分鐘。在此時間點的聚合轉化率為99.5%（聚合轉化率係藉由氣相層析法量測。下同。）。
其次，添加脫水異戊二烯50.0份，在相同溫度下持續攪拌30分鐘。在此時間點的聚合轉化率為99%。
之後，再添加脫水苯乙烯25.0份，在相同溫度下攪拌60分鐘。在此時間點的聚合轉化率為幾乎100%。
隨後，於反應液添加0.5份異丙醇使反應停止，獲得含有嵌段共聚物之溶液（i）。
所獲得之溶液（i）中的嵌段共聚物之重量平均分子量（Mw）為44,900，分子量分布（Mw/Mn）為1.03。
其次，將溶液（i）移至具備攪拌裝置之耐壓反應器，於溶液（i）添加矽－鋁負載型鎳觸媒（E22U，鎳負載量60%；日揮化學工業公司製）4.0份及脫水環己烷350份作為氫化觸媒並將其混合。以氫氣置換反應器內部，再一邊攪拌溶液一邊供給氫，藉由在溫度170℃、壓力4.5MPa下進行6小時氫化反應，將嵌段共聚物氫化，獲得含有嵌段共聚物之氫化物（ii）的溶液（iii）。溶液（iii）中的氫化物（ii）的重量平均分子量（Mw）為45,100，分子量分布（Mw/Mn）為1.04。
氫化反應結束後，過濾溶液（iii）以去除氫化觸媒。之後，於已過濾之溶液（iii）中添加已溶解有6-[3-(3-三級丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙氧基]-2,4,8,10-肆(三級丁基)二苯[d,f][1.3.2]二氧磷呯（住友化學公司製「SUMILIZER（註冊商標）GP」。以下稱為「抗氧化劑Ａ」。）0.1份的二甲苯溶液1.0份作為磷系抗氧化劑並使其溶解，獲得溶液（iv）。
隨後，使用Zeta Plus（註冊商標）過濾器30H（CUNO公司製，孔徑0.5μm～1μm）過濾溶液（iv），再使用其他金屬纖維製過濾器（孔徑0.4μm、NICHIDAI公司製）依序過濾以去除微小的固態成分。使用圓筒型濃縮乾燥器（商品名「KONTRO」、日立製作所公司製），自已過濾之溶液（iv），以溫度260℃及壓力0.001MPa以下去除作為溶劑的環己烷、二甲苯及其他揮發成分。然後，自直接連接至前述濃縮乾燥器的模具，以熔融狀態將固態成分擠製成股狀並冷卻，使用造粒機切割而獲得含有嵌段共聚物之氫化物及抗氧化劑的85份顆粒（v）。所獲得之顆粒（v）中之嵌段共聚物的氫化物（氫化嵌段共聚物）的重量平均分子量（Mw）為45,000，分子量分布（Mw/Mn）為1.08。並且，氫化率為99.9%。
（1-2.氫化嵌段共聚物之矽烷改質物的製造）
相對於在（1-1）所獲得之顆粒（v）100份，添加乙烯基三甲氧基矽烷2.0份及過氧化二(三級丁基)0.2份，獲得混合物。使用雙軸擠製機將此混合物以筒溫度210℃、滯留時間80秒～90秒混煉。將已混煉之混合物擠出，使用造粒機將其切割，獲得氫化嵌段共聚物的矽烷改質物的顆粒（vi）。自此顆粒（vi）製作薄膜狀的試驗片，並以動態黏彈性量測裝置的tanδ峰值評價玻璃玻璃轉移溫度Tg，為124℃。並且，此顆粒（vi）之40℃以上200℃以下的tanδ的峰值為1.3。此顆粒（vi）之23℃的楊氏模數為0.5GPa、拉伸伸長為550%。並且，此顆粒（vi）之藉由阿貝折射計而量測之折射率（n1）為1.50。
（1-3.樹脂薄膜之製造）
以珠磨機攪拌混合沸石粒子（分散狀態之一次粒子的數量平均粒徑50nm，折射率（n2）1.5）10g、擁有鹼性吸附基的分散劑（胺價140mg KOH/g，商品名「DISPERBYK-109」，BYK公司製，下同）5g及環己烷185g，製作5%的沸石分散液1。其次，混合在（1-2）所獲得之顆粒（vi）40g與環己烷160g，使顆粒溶解而製作20%的聚合物溶液。
將沸石分散液1與聚合物溶液等量秤量後混合，製作含有沸石之聚合物溶液。使用器具將含有沸石之聚合物溶液，塗布於脫模處理PET薄膜（一側之面上施有脫模處理的PET薄膜，商品名MRV38，三菱樹脂股份有限公司製，下同）上，以110℃的加熱板乾燥3分鐘使溶劑揮發。藉此操作，獲得具備脫模處理PET薄膜與形成於其上之樹脂薄膜的多層物。多層物中的樹脂薄膜含有18.1%的沸石，厚度為10μm。多層物以吸濕不會進行之方式在氮氣環境下保管，遵照上述評價方法評價Ca薄膜的腐蝕開始時間、內部霧度、儲存彈性模數及密合性。
［實施例2］
除了在實施例1之（1-3）中，使用下述5%的沸石分散液2取代5%的沸石分散液1以外，進行與實施例1相同之操作，獲得多層物並評價。多層物中的樹脂薄膜含有19.4%的沸石，厚度為10μm。
5%的沸石分散液2，係以珠磨機攪拌混合沸石粒子（分散狀態之一次粒子的數量平均粒徑190nm，折射率（n2）1.50）10g、擁有鹼性吸附基的分散劑1.5g及環己烷188.5g而製作。
［實施例3］
除了在實施例1之（1-3）中，使用下述5%的水滑石分散液3取代5%的沸石分散液1以外，進行與實施例1相同之操作，獲得多層物並評價。多層物中的樹脂薄膜含有19.6%的水滑石，厚度為10μm。
5%的水滑石分散液3，係以珠磨機攪拌混合水滑石粒子（分散狀態之一次粒子的數量平均粒徑50nm，折射率（n2）1.52）10g、擁有酸性吸附基的分散劑（酸價101mg KOH/g，商品名「DISPERBYK-102」，BYK公司製，下同）1g及環己烷189g而製作。
［比較例1］
（C1-1.樹脂薄膜之製造）
以珠磨機攪拌混合氧化鎂粒子（分散狀態之一次粒子的數量平均粒徑50nm，折射率（n2）2.00）10g、擁有鹼性吸附基的分散劑10g及環己烷180g，製作5%的氧化鎂分散液C1。其次，混合在實施例1的（1-2）所獲得的顆粒（vi）40g與環己烷160g，使顆粒溶解而製作20%的聚合物溶液。
將氧化鎂分散液C1與聚合物溶液以1：2的比例秤量後混合，製作含有氧化鎂之聚合物溶液。使用器具將含有氧化鎂之聚合物溶液，塗布於脫模處理PET薄膜上，以110℃的加熱板乾燥3分鐘使溶劑揮發。藉此操作，獲得具備脫模處理PET薄膜與形成於其上之樹脂薄膜的多層物。多層物中的樹脂薄膜含有10%之分散於其中的氧化鎂，厚度為10μm。多層物以吸濕不會進行之方式在氮氣環境下保管，遵照上述評價方法評價Ca薄膜的腐蝕開始時間、內部霧度、儲存彈性模數及密合性。
［比較例2］
（C2-1.樹脂薄膜之製造）
以珠磨機攪拌混合水滑石粒子（分散狀態之一次粒子的數量平均粒徑500nm，折射率（n2）1.55）10g、擁有酸性吸附基的分散劑10g及環己烷180g，製作5%的水滑石分散液C2。其次，混合在實施例1的（1-2）所獲得的顆粒（vi）40g與環己烷160g，使顆粒溶解而製作20%的聚合物溶液。
將水滑石分散液C2與聚合物溶液以1：2的比例秤量後混合，製作含有水滑石之聚合物溶液。使用器具將含有水滑石之聚合物溶液，塗布於脫模處理PET薄膜上，以110℃的加熱板乾燥3分鐘使溶劑揮發。藉此操作，獲得具備脫模處理PET薄膜與形成於其上之樹脂薄膜的多層物。多層物中的樹脂薄膜含有10%之分散於其中的水滑石，厚度為10μm。多層物以吸濕不會進行之方式在氮氣環境下保管，遵照上述評價方法評價Ca薄膜的腐蝕開始時間、內部霧度、儲存彈性模數及密合性。
［比較例3］
（C3-1.樹脂薄膜之製造）
以珠磨機攪拌混合氧化鎂粒子（分散狀態之一次粒子的數量平均粒徑20nm，折射率（n2）2.00）10g、擁有鹼性吸附基的分散劑10g及環己烷180g，製作5%的氧化鎂分散液C3。其次，混合在實施例1的（1-2）所獲得的顆粒（vi）40g與環己烷160g，使顆粒溶解而製作20%的聚合物溶液。
將氧化鎂分散液C3與聚合物溶液以1：2的比例秤量後混合，製作含有氧化鎂之聚合物溶液。使用器具將含有氧化鎂之聚合物溶液，塗布於脫模處理PET薄膜上，以110℃的加熱板乾燥3分鐘使溶劑揮發。藉此操作，獲得具備脫模處理PET薄膜與形成於其上之樹脂薄膜的多層物。多層物中的樹脂薄膜含有10%之分散於其中的氧化鎂，厚度為10μm。多層物以吸濕不會進行之方式在氮氣環境下保管，遵照上述評價方法評價Ca薄膜的腐蝕開始時間、內部霧度、儲存彈性模數及密合性。
［比較例4］
（C4-1.樹脂薄膜之製造）
以珠磨機攪拌混合水滑石粒子（分散狀態之一次粒子的數量平均粒徑600nm，折射率（n2）1.51）10g、擁有酸性吸附基的分散劑10g及環己烷180g，製作5%的水滑石分散液C4。其次，混合在實施例1的（1-2）所獲得的顆粒（vi）40g與環己烷160g，使顆粒溶解而製作20%的聚合物溶液。
將水滑石分散液C4與聚合物溶液以1：2的比例秤量後混合，製作含有水滑石之聚合物溶液。使用器具將此含有水滑石之聚合物溶液，塗布於脫模處理PET薄膜上，以110℃的加熱板乾燥3分鐘使溶劑揮發。藉此操作，獲得具備脫模處理PET薄膜與形成於其上之樹脂薄膜的多層物。多層物中的樹脂薄膜含有10%之分散於其中的水滑石，厚度為10μm。多層物以吸濕不會進行之方式在氮氣環境下保管，遵照上述評價方法評價Ca薄膜的腐蝕開始時間、內部霧度、儲存彈性模數及密合性。
於表1及表2（以下有時一併稱為「表」）中，揭示評價結果。
表中所謂「腐蝕時間（小時）」意謂Ca薄膜的腐蝕開始時間，表中「密合性」意謂密合性測試。表中，於密合性之結果的欄中揭示了相對於全棋盤格數之未被剝離而殘留之棋盤格数的比例（未被剝離而殘留之棋盤格數／全棋盤格數)，於密合性之評價的欄中揭示了藉由上述評價基準所評價的結果。
於表1及表2中，揭示評價結果的同時，還揭示了各例中所使用之樹脂中之矽烷改質聚合物的種類、樹脂之折射率（n1）、吸濕粒子的種類與樹脂薄膜中的濃度、吸濕粒子之折射率（n2）及一次粒徑、樹脂之折射率與吸濕粒子之折射率之差的絕對值(｜n1−n2｜)、相對於吸濕粒子100重量份之分散劑的量（重量份）以及樹脂薄膜的厚度。
表中之「矽烷改質SIS」意謂「氫化苯乙烯—異戊二烯—苯乙烯嵌段共聚物的矽烷改質物」。
『表1』 表1
『表2』 表2
在實施例1~3所獲得之樹脂薄膜，於防止水分侵入的同時，具有所謂透明性高與密合性優異之特性，藉此得有用於使用作為電子裝置用之密封用薄膜。
無。

Claims (15)

  1. 一種電子裝置用樹脂薄膜，其包含：含聚合物之樹脂、分散於該樹脂中且一次粒徑為200nm以下之具有吸濕性的粒子、分散劑，其中該樹脂之折射率與該粒子之差的絕對值為0.05以下。
  2. 如請求項1所述之電子裝置用樹脂薄膜，其中該樹脂為熱塑性樹脂。
  3. 如請求項2所述之電子裝置用樹脂薄膜，其中該熱塑性樹脂為熱塑性彈性體。
  4. 如請求項1所述之電子裝置用樹脂薄膜，其中該聚合物為選自芳族乙烯化合物—共軛二烯共聚物及經氫化之芳族乙烯化合物—共軛二烯共聚物之一種以上。
  5. 如請求項4所述之電子裝置用樹脂薄膜，其中該芳族乙烯化合物—共軛二烯共聚物為芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物。
  6. 如請求項5所述之電子裝置用樹脂薄膜，其中該芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物為選自苯乙烯—丁二烯嵌段共聚物、苯乙烯—丁二烯—苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯—異戊二烯嵌段共聚物及苯乙烯—異戊二烯—苯乙烯嵌段共聚物之一種以上。
  7. 如請求項4所述之電子裝置用樹脂薄膜，其中該經氫化之芳族乙烯化合物—共軛二烯共聚物為經氫化之芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物。
  8. 如請求項7所述之電子裝置用樹脂薄膜，其中該經氫化之芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物為選自氫化苯乙烯—丁二烯嵌段共聚物、氫化苯乙烯—丁二烯—苯乙烯嵌段共聚物、氫化苯乙烯—異戊二烯嵌段共聚物及氫化苯乙烯—異戊二烯—苯乙烯嵌段共聚物之一種以上。
  9. 如請求項7所述之電子裝置用樹脂薄膜，其中該經氫化之芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物為將共軛二烯之不飽和鍵及芳環之兩者氫化之氫化芳族乙烯化合物—共軛二烯嵌段共聚物。
  10. 如請求項1所述之電子裝置用樹脂薄膜，其中該樹脂包含具有極性基之聚合物作為該聚合物。
  11. 如請求項10所述之電子裝置用樹脂薄膜，其中該具有極性基之聚合物為包含含極性基單元之接枝聚合物。
  12. 如請求項1所述之電子裝置用樹脂薄膜，其在25℃之儲存彈性模數為107 Pa以上109 Pa以下。
  13. 如請求項1所述之電子裝置用樹脂薄膜，其厚度為0.1μm以上1000μm以下。
  14. 如請求項1至13中任一項所述之電子裝置用樹脂薄膜，其內部霧度為6.0%以下。
  15. 一種電子裝置，其具備如請求項1至14中任一項所述之電子裝置用樹脂薄膜。
TW107105799A 2017-02-23 2018-02-21 電子裝置用樹脂薄膜及電子裝置 TWI760439B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017032166 2017-02-23
JP2017-032166 2017-02-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201840699A true TW201840699A (zh) 2018-11-16
TWI760439B TWI760439B (zh) 2022-04-11

Family

ID=63253768

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107105799A TWI760439B (zh) 2017-02-23 2018-02-21 電子裝置用樹脂薄膜及電子裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11081672B2 (zh)
JP (1) JP7020472B2 (zh)
KR (1) KR102454577B1 (zh)
CN (1) CN110099952B (zh)
TW (1) TWI760439B (zh)
WO (1) WO2018155311A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019112551A (ja) * 2017-12-25 2019-07-11 三菱ケミカル株式会社 樹脂複合材フィルム及び電子デバイス
JP7056187B2 (ja) * 2018-01-31 2022-04-19 日本ゼオン株式会社 吸湿性樹脂フィルムの製造方法
JP7238800B2 (ja) * 2018-01-31 2023-03-14 日本ゼオン株式会社 樹脂フィルム及び有機エレクトロルミネッセンス装置
CN111615536A (zh) 2018-01-31 2020-09-01 日本瑞翁株式会社 树脂组合物、树脂膜及有机电致发光装置
US20220315782A1 (en) * 2019-06-14 2022-10-06 Zeon Corporation Resin solution for printing
JP7416066B2 (ja) * 2019-06-27 2024-01-17 日本ゼオン株式会社 偏光フィルムの製造方法、及び表示装置の製造方法
KR20210034372A (ko) 2019-09-20 2021-03-30 주식회사 엘지화학 배터리 관리 장치 및 방법
JP7347740B2 (ja) * 2020-10-08 2023-09-20 株式会社中村超硬 樹脂組成物及びその成形体である透明吸湿シート
CN118679223A (zh) * 2022-03-18 2024-09-20 日本瑞翁株式会社 树脂组合物以及光学膜

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2692194B2 (ja) 1988-11-14 1997-12-17 日本合成ゴム株式会社 水素化ブロック共重合体及びその組成物
EP0398758B1 (en) 1989-05-19 1999-03-03 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. (Modified) Hydrogenated diene block copolymer and composition comprising the same
JP2754723B2 (ja) 1989-05-19 1998-05-20 ジェイエスアール株式会社 水添ジエン系共重合体およびその組成物
JP2764746B2 (ja) 1989-05-19 1998-06-11 ジェイエスアール株式会社 水添ジエン系共重合体、変性水添ジエン系共重合体およびその組成物
US5216074A (en) 1989-07-17 1993-06-01 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Thermoplastic elastomer composition
JP2697173B2 (ja) 1989-08-15 1998-01-14 日本合成ゴム株式会社 変性水添ブロック重合体およびその組成物
JP2005213410A (ja) 2004-01-30 2005-08-11 Nippon Zeon Co Ltd 高屈折率樹脂組成物
JP5062648B2 (ja) 2004-04-08 2012-10-31 双葉電子工業株式会社 有機ｅｌ素子用水分吸収剤
JP2006272190A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Jsr Corp 透明吸湿組成物、成形体、並びにフィルム及びその製造方法
CN101680973A (zh) * 2007-06-15 2010-03-24 株式会社普利司通 显示器用光学过滤器、具备该光学过滤器的显示器以及等离子体显示面板
JP2009229507A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Hitachi Chem Co Ltd 封止フィルム
JP2010080293A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子封止用粘着フィルム
JP5807643B2 (ja) * 2010-09-29 2015-11-10 日本ゼオン株式会社 アルコキシシリル基を有するブロック共重合体水素化物及びその利用
CN107634148B (zh) 2011-11-14 2019-09-17 Lg化学株式会社 粘合膜
JP6046497B2 (ja) * 2013-01-09 2016-12-14 株式会社ダイセル 硬化性エポキシ樹脂組成物
JP2014162827A (ja) * 2013-02-22 2014-09-08 Mitsubishi Chemicals Corp 接着性封止フィルム、接着性封止フィルムの製造方法および接着性封止フィルム用塗布液
JP5435520B1 (ja) * 2013-03-29 2014-03-05 古河電気工業株式会社 有機電子デバイス用素子封止用樹脂組成物、有機電子デバイス用素子封止用樹脂シート、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び画像表示装置
JP6524915B2 (ja) 2013-12-26 2019-06-05 日本ゼオン株式会社 封止フィルム、有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機半導体デバイス
US20170240739A1 (en) * 2014-08-19 2017-08-24 Kuraray Co., Ltd. Active energy ray curable compositions
KR102623132B1 (ko) * 2015-02-24 2024-01-09 주식회사 쿠라레 수첨 블록 공중합체, 수지 조성물, 점착제, 접착제, 성형체, 액체 포장 용기, 의료용구, 의료용 튜브, 웨더 시일용 코너 부재 및 웨더 시일

Also Published As

Publication number Publication date
CN110099952B (zh) 2022-02-25
KR20190116253A (ko) 2019-10-14
KR102454577B1 (ko) 2022-10-13
CN110099952A (zh) 2019-08-06
WO2018155311A1 (ja) 2018-08-30
JP7020472B2 (ja) 2022-02-16
TWI760439B (zh) 2022-04-11
US11081672B2 (en) 2021-08-03
JPWO2018155311A1 (ja) 2019-12-12
US20200172686A1 (en) 2020-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI760439B (zh) 電子裝置用樹脂薄膜及電子裝置
JP7264067B2 (ja) 樹脂組成物、樹脂フィルム及び有機エレクトロルミネッセンス装置
WO2018021031A1 (ja) 熱可塑性エラストマー積層体及び有機エレクトロルミネッセンス装置
KR20180040509A (ko) 광학적으로 투명한 핫 멜트 접착제 및 그의 용도
JP7238800B2 (ja) 樹脂フィルム及び有機エレクトロルミネッセンス装置
TW202003722A (zh) 印刷用樹脂溶液及器件結構體之製造方法
JP2019133852A (ja) 電子デバイス用材料及び有機エレクトロルミネッセンス装置
KR102716967B1 (ko) 수지 필름 및 유기 일렉트로루미네센스 장치
JP7056187B2 (ja) 吸湿性樹脂フィルムの製造方法
JP7375585B2 (ja) デバイス構造体の製造方法
JP2022006733A (ja) 積層フィルム及び電子デバイスの製造方法
WO2023176456A1 (ja) 樹脂組成物及び光学フィルム
JP2023034264A (ja) 複合ガラスシート及びその製造方法、並びに複合保護フィルム積層体