本發明提供在下文中描述為「分散液」之用於積層製造之光聚合物陶瓷分散液。術語「積層製造」描述層中之建立部分，如此項技術中所熟知且如上文所述。術語「光聚合物」描述分散液包括UV可固化單體，例如丙烯酸酯單體。換言之，單體為光(photo/light)可固化的，使得分散液自身為光可固化的以形成生坯模型，在下文更詳細地描述。術語「陶瓷」描述該分散液用於形成陶瓷製品，亦在下文更詳細地描述。術語「分散液」描述包括連續相及分散於連續相中之分散相之組合物。 分散液使用ASTM D 2196-99在25℃及30 RPM下之黏度通常為500至4,000 cps。在各種實施例中，使用ASTM D 2196-99在25℃及30 RPM下之黏度為600至3,900、700至3,800、800至3,700、900至3,600、1,000至3,500、1,100至3,400、1,200至3,300、1,300至3,200、1,400至3,100、1,500至3,000、1,600至2,900、1,700至2,800、1,800至2,700、1,900至2,600、2,000至2,500、2,100至2,400或2,200至2,300 cps。 分散液通常包括作為連續相之UV可固化丙烯酸酯單體(其可包括可溶添加劑、引發劑等，包括下文所述任何試劑)、分散於連續相中作為分散相之二氧化矽、自由基引發劑及使分散液中之二氧化矽沈降最小化之剪切稀化添加劑，該二氧化矽之量為按分散液之總體積計之60至70體積百分比。各自描述於下文。 在各種實施例中，分散液為、基本上由以下組成或由以下組成：UV可固化丙烯酸酯單體、二氧化矽、自由基引發劑及剪切稀化添加劑。舉例而言，在「基本上由」上述組分「組成」之實施例中，分散液可不含不為丙烯酸酯之UV可固化單體、可藉由自由基機制聚合之其他單體、可藉由非UV及/或自由基機制聚合之其他單體、其他聚合物、此項技術中已知之任何類型的添加劑(包括不為剪切稀化添加劑之任何本文所述之添加劑)、不為自由基引發劑之任何聚合引發劑、不為UV自由基引發劑之聚合引發劑及/或除二氧化矽以外之填充劑等，及/或其組合。或者，此等組分中之任何一或多者可以按分散液之總重量計小於25、20、15、10、5、4、3、2、1、0.1、0.05、0.01等，或其任何範圍之量存在。在各種非限制性實施例中，特此明確地涵蓋上述值之間的所有值及值範圍。
UV 可固化丙烯酸酯單體 ：
分散液包括UV可固化丙烯酸酯單體。此單體能夠經由藉由暴露於UV光/能量引發之自由基聚合與自身及/或與其他丙烯酸酯單體聚合。此單體充當分散液之連續(例如液體)相。丙烯酸酯單體可為丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。丙烯酸酯單體可為多官能性丙烯酸酯或多官能丙烯酸酯。可使用單一類型或大於一種類型之UV可固化丙烯酸酯單體。 適合之非限制性實例包括(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸莰酯、(甲基)丙烯酸三環癸酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、(甲基)丙烯酸4-丁基環己酯、丙烯醯基嗎啉、(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丁酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、己內酯丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸硬脂醯酯、(甲基)丙烯酸異硬脂醯酯、(甲基)丙烯酸四氫呋喃酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、乙氧基二乙醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、二丙酮(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯酸β-羧乙酯、鄰苯二甲酸(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸二甲胺基乙酯、(甲基)丙烯酸二乙胺基乙酯、(甲基)丙烯酸丁基胺甲醯酯、(甲基)丙烯醯胺氟化(甲基)丙烯酸正-異丙酯、(甲基)丙烯酸7-胺基-3,7-二甲基辛酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸異戊四醇酯、二(甲基)丙烯酸乙二醇酯、雙酚A二縮水甘油醚二(甲基)丙烯酸酯、二環戊二烯二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、[2-[1,1-二甲基-2-[(1-側氧基烯丙基)氧基]乙基]-5-乙基-1,3-二噁烷-5-基]丙烯酸甲酯；3,9-雙(1,1-二甲基-2-羥乙基)-2,4,8,10-四氧雜螺[5.5-]十一烷二(甲基)丙烯酸酯；二異戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化三羥甲基丙烷(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯酸甘油酯、磷酸單(甲基)丙烯酸酯及二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸C7-C20烷基酯、三(2-羥乙基)異氰尿酸酯三(甲基)丙烯酸酯、三(2-羥乙基)異氰尿酸酯二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二基二甲基二(甲基)丙烯酸酯及其烷氧基化(例如乙氧基化及/或丙氧基化)型式，及三乙二醇二乙烯醚、丙烯酸羥乙酯之加合物及其組合。 在其他實施例中，丙烯酸酯單體為可包括所有甲基丙烯醯基、所有丙烯醯基或甲基丙烯醯基及丙烯醯基之任何組合的多官能性(甲基)丙烯酸酯。在一個實施例中，丙烯酸酯單體係選自丙氧基化三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯，及丙氧基化新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯及其組合。 在其他實施例中，丙烯酸酯單體具有大於2個、大於3個或大於4個官能團。或者，丙烯酸酯單體可恰好具有1、2、3、4、5、6、7、8、9或10個官能團。在一個實施例中，丙烯酸酯單體僅由單一多官能性(甲基)丙烯酸酯組分組成。在其他實施例中，丙烯酸酯單體係選自二環戊二烯二甲醇二丙烯酸酯、[2-[1,1-二甲基-2-[(1-側氧基烯丙基)氧基]乙基]-5-乙基-1,3-二噁烷-5-基]丙烯酸甲酯、丙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯及丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯，及其組合。在各種非限制性實施例中，特此明確地涵蓋上述值之間的所有值及值範圍。 或者，丙烯酸酯單體可為二環戊二烯二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯及/或丙氧基化新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯，且更特定言之，二環戊二烯二甲醇二丙烯酸酯、丙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯及/或丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯。 在各種實施例中，UV可固化丙烯酸酯單體另外定義為(甲基)丙烯酸酯單體，其可為具有至少一個丙烯酸酯官能團及/或至少一個甲基丙烯酸酯官能團之任何單體。換言之，術語「(甲基)」描述「甲基」視情況存在且非必需。因此，單體可為「丙烯酸酯」單體(無甲基)或包括甲基之「甲基丙烯酸酯」單體。典型的是本文所用之(甲基)丙烯酸酯單體為選自脂族丙烯酸酯、脂族甲基丙烯酸酯、環脂族丙烯酸酯、環脂族甲基丙烯酸酯及其組合之群的化合物。應理解，化合物、脂族丙烯酸酯、脂族甲基丙烯酸酯、環脂族丙烯酸酯及環脂族甲基丙烯酸酯中之每一者包括烷基。此等化合物中之烷基可包括至多20個碳原子。 可選擇為(甲基)丙烯酸酯單體中之一者的脂族丙烯酸酯係選自由以下組成之群：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸己酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸異壬酯、丙烯酸異戊酯、丙烯酸十三烷酯、丙烯酸硬脂酯、丙烯酸月桂酯及其混合物。可選擇為(甲基)丙烯酸酯單體中之一者的脂族甲基丙烯酸酯係選自由以下組成之群：甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸異壬酯、甲基丙烯酸異戊酯、甲基丙烯酸十三烷酯、甲基丙烯酸硬脂酯、甲基丙烯酸月桂酯及其混合物。可選擇為(甲基)丙烯酸酯單體中之一者的環脂族丙烯酸酯為丙烯酸環己酯，且可選擇為(甲基)丙烯酸酯單體中之一者的環脂族甲基丙烯酸酯為甲基丙烯酸環己酯。 可單獨或以兩種或大於兩種之組合使用上文所提及之丙烯酸酯單體。分散液可包括任何適合量之丙烯酸酯單體，只要二氧化矽以按分散液及自由基引發劑之總體積計60至70體積百分比之量存在且剪切稀化添加劑亦存在於分散液中即可。在各種實施例中，分散液不含不為丙烯酸酯之UV可固化單體。 在各種實施例中，丙烯酸酯單體以大於零且至多分散液之約40體積%之量存在。在其他實施例中，丙烯酸酯單體以按分散液之總體積計2至40、5至40、5至35、5至30、10至30、10至25、10至20、15至30、15至25、15至20或1、2、3、4或5體積百分比之量存在。在各種非限制性實施例中，特此明確地涵蓋上述值之間的所有值及值範圍。
二氧化矽 ：
分散液亦包括二氧化矽。二氧化矽為分散於上文所述之丙烯酸酯單體連續相中之分散相。換言之，二氧化矽粒子分散於丙烯酸酯單體中，該單體通常為液體或液體樣。二氧化矽以按分散液之總體積計60至70體積百分比之量存在。在各種實施例中，二氧化矽以按分散液之總體積計之60、61、62、63、64、65、66、67、68、69或70體積百分比存在。在各種非限制性實施例中，特此明確地涵蓋上述值之間的所有值及值範圍。 在各種實施例中，二氧化矽另外定義為二氧化矽粒子，例如微米粒子及/或奈米粒子。舉例而言，二氧化矽(粒子)可為90、95、99或大致100重量%的微米粒子、奈米粒子或微米粒子及奈米粒子之組合。在各種實施例中，二氧化矽包含粒度為1至90微米之微米粒子及粒度為10至500奈米之奈米粒子之組合，微米粒子:奈米粒子之平均粒度比率為1:2至1:200。在其他實施例中，二氧化矽包含粒度為1至90微米之微米粒子及粒度為10至1000奈米之奈米粒子之組合，微米粒子:奈米粒子之平均粒度比率為1:2至1:200。在其他非限制性實施例中，此等比率可反轉。在各種非限制性實施例中，特此明確地涵蓋1與90微米、10與500奈米以及1:2與1:200之間的所有值及值範圍(包括端點)以供使用。 或者，奈米粒子可描述為平均粒度在1奈米(nm)至999 nm之間的彼等粒子。微米粒子可替代地描述為平均粒度為1微米(µm)至999 µm之彼等粒子。在各種實施例中，二氧化矽包含粒度(分佈)為0.04微米至90微米之粒子。在各種非限制性實施例中，特此明確地涵蓋所有上述值之間的所有值及值範圍(包括端點)以供使用。 可根據ISO13320:2009使用雷射繞射粒度分析來量測粒度。用於量測奈米粒子之平均粒徑的適合裝置為購自Horiba Instruments, Inc之LB-550機器，其藉由動態光散射量測粒徑。在各種非限制性實施例中，特此明確地涵蓋上述值之間的所有值及值範圍。 二氧化矽可包括大於85重量%、90重量%或95重量%之二氧化矽(SiO
2
)。市售二氧化矽之某些非限制性實例包括Crystallite 3K-S、Crystallite NX-7、Crystallite MCC-4、Crystallite CMC-12、Crystallite A-1、Crystallite AA、Crystallite C、Crystallite D、Crystallite CMC-1、Crystallite C-66、Crystallite 5X、Crystallite 2A-2、Crystallite VX-S2、Crystallite VX-SR、Crystallite VX-X、Crystallite VX-S、Huselex RD-8、Huselex RD-120、Huselex MCF-4、Huselex GP-200T、Huselex ZA-30、Huselex RD-8、Huselex Y-40、Huselex E-2、Huselex Y-60、Huselex E-1、Huselex E-2、Huselex FF、Huselex X、Huselex ZA-20、IMSIL A-25、IMSIL A-15、IMSIL A-10及IMSIL A-8 (Ryushin Co., Ltd.)；ORGANOSILICASOL MEK-EC-2102、Organosilicasol MEK-EC-2104、Organosilicasol MEK-AC-2202、Organosilicasol MEK-AC-4101、Organosilicasol MEK-AC-5101、Organosilicasol MIBK-SD、Organosilicasol MIBK-SD-L、Organosilicasol DMAC-ST、Organosilicasol EG-ST、Organosilicasol IPA-ST、Organosilicasol IPA-ST-L、Organosilicasol IPA-ST-L-UP、Organosilicasol IPA-ST-ZL、Organosilicasol MA-ST-M、Organosilicasol MEK-ST、Organosilicasol MEK-ST-L、Organosilicasol MEK-ST-UP、Organosilicasol MIBK-ST、Organosilicasol MT-ST、Organosilicasol NPC-ST-30、Organosilicasol PMA-ST、Sunsphere H-31、Sunsphere H-32、Sunsphere H-51、Sunsphere H-52、Sunsphere H-121、Sunsphere H-122、Sunsphere L-31、Sunsphere L-51、Sunsphere L-121、Sunsphere NP-30、Sunsphere NP-100及Sunsphere NP-200 (Asahi Glass Co., Ltd.)；Silstar MK-08及MK-15 (Nippon Chemical Industrial Co., Ltd.)；FB-48 (Denki Kagaku Kogyo K.K.)；Nipsil SS-10、Nipsi:L SS-15、Nipsil SS-10A、Nipsil SS-20、Nipsil SS-30P、Nipsil SS-30S、Nipsil SS-40、Nipsil SS-50、Nipsil SS-50A、Nipsil SS-70、Nipsil SS-100、Nipsil SS-10F、Nipsil SS-50F、Nipsil SS-50B、Nipsil SS-50C、Nipsil SS-72F、Nipsil SS-170X、Nipsil SS-178B、Nipsil E150K、Nipsil E-150J、Nipsil E-1030、Nipsil ST-4、Nipsil E-170、Nipsil E-200、Nipsil E-220、Nipsil E-200A、Nipsil E-1009、Nipsil E-220A、Nipsil E-1011、NipsilE-K300、Nipsil HD、Nipsil HD-2、Nipsil N-300A、Nipsil L-250、Nipsil G-300、Nipsil E-75、Nipsil E-743及Nipsil E-74P (Nippon Silica Industry, Ltd.)。在其他實施例中，二氧化矽為如美國專利第6,013,714號中所述，其在與二氧化矽相關之各種非限制性實施例中明確以引用之方式併入本文中。 二氧化矽可用矽烷偶合劑表面處理。可用於此目的之矽烷偶合劑包括乙烯基三氯矽烷、乙烯基參(β-甲氧基乙氧基)矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、γ-(甲基丙烯醯氧基丙基)三甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-甘胺醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-甘胺醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-β(胺乙基)胺丙基三甲氧基矽烷、N-β-(胺乙基)-γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷及γ-氯丙基三甲氧基矽烷。 在各種實施例中，二氧化矽可與諸如氧化鋁、鋯石等其他粒子組合。在各種實施例中，適合於打印100 µm層之典型二氧化矽調配物闡述於下表中。
在其他實施例中，適合於打印50 μ層之調配物見於下表中。
*指示如由Remet提供之Angular-200經由325目篩來篩分。 **指示如由Imerys提供之RP-1經由325目篩來篩分。 Teco-sphere Microdust可商購自Imerys Fused Materials Greenville, Inc., 109 Coile Street, Greeville, TN, USA。 Angular-200可商購自Remet Corporation, 210 Commons Road, Utica, NY 13502-6395, USA。 RP-1可商購自Imerys Fused Materials Greenville, Inc., 109 Coile Street, Greeville, TN, USA。 A-10可商購自Almatis Inc., 501 West Park Road, Leetsdale, Pa 15056, USA。 Milled Zircon Fine Grind可商購自Remet Corporation, 210 Commons Road, Utica, NY 13502-6395, USA。 在其他實施例中，增加陶瓷裝載會增加黏度及粒子-粒子相互作用之概率，其降低分散液之沈降速率。使陶瓷負載最大化亦可增加陶瓷製品之密度、減少開裂及分層缺陷且增加陶瓷製品之機械強度。當陶瓷負載達到負載之64-66體積百分比時，黏度可開始指數地增加。因此，在各種實施例中，64體積百分比陶瓷負載用於維持對於3D打印而言足夠低之調配物黏度。
自由基引發劑：
分散液亦包括自由基引發劑。通常，自由基引發劑為UV活化之自由基引發劑。舉例而言，自由基引發劑通常藉由暴露至UV光而引發，其導致自由基形成，隨後再傳播該自由基。然而，可單獨或與UV活化之自由基引發劑組合使用非UV引發之自由基引發劑。 自由基引發劑可經描述為自由基光引發劑。自由基光引發劑通常分成稱為「Norrish I型」之藉由裂解形成自由基之彼等，及稱為「Norrish II型」之藉由氫提取形成自由基之彼等。Norrish II型光引發劑通常需要氫供體，其充當自由基來源。由於引發係基於雙分子反應，因此Norrish II型光引發劑一般比基於自由基之單分子形成的Norrish I型光引發劑慢。然而，Norrish II型光引發劑通常在近UV光譜區中具有更佳光吸收特性。諸如二苯甲酮、9-氧硫
、二苯基乙二酮及醌類之芳族酮在諸如醇、胺或硫醇之氫供體存在下之光解導致形成產生自羰基化合物之自由基(羰自由基型自由基)及衍生自氫供體之另一自由基。乙烯基單體之光聚合通常藉由產生自氫供體之自由基引發。由於位阻及不成對電子之非定域化，羰自由基通常不與乙烯基單體反應。 在各種實施例中，自由基引發劑係選自苯甲醯膦氧化物、芳基酮、二苯甲酮、羥基化酮、1-羥基苯基酮、縮酮、茂金屬及其組合。在其他實施例中，自由基引發劑係選自2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基膦氧化物及2,4,6-三甲基苯甲醯基苯基、乙氧基膦氧化物、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙酮-1,2-苯甲基-2-(二甲胺基)-1-[4-(4-嗎啉基)苯基]-1-丁酮、2-二甲胺基-2-(4-甲基-苯甲基)-1-(4-嗎啉-4-基-苯基)-丁-1-酮、4-苯甲醯基-4'-甲基二苯基硫醚、4,4'-雙(二乙胺基)二苯甲酮及4,4'-雙(N,N'-二甲胺基)二苯甲酮(米蚩酮(Michler's ketone))、二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、2,4,6-三甲基二苯甲酮、二甲氧基二苯甲酮、1-羥基環己基苯酮、苯基(1-羥基異丙基)酮、2-羥基-1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]-2-甲基-1-丙酮、4-異丙基苯基(1-羥基異丙基)酮、寡聚-[2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮]、樟腦醌、4,4'-雙(二乙胺基)二苯甲酮、二苯基乙二酮二甲基縮酮、雙(η 5-2-4-環戊二烯-1-基)雙[2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)苯基]鈦及其組合。 通常，當形成分散液時，評估存在之光引發劑之波長敏感性以確定其是否將藉由選擇之輻射源活化。對於在300-475 nm波長範圍內發光之光源，尤其在365 nm、390 nm或395 nm處發光之光源，在此等範圍內吸收之適合之自由基引發劑之非限制性實例包括(但不限於)苯甲醯膦氧化物，諸如2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基膦氧化物(獲自BASF之Lucirin TPO)及2,4,6-三甲基苯甲醯基苯基, 乙氧基膦氧化物(獲自BASF之Lucirin TPO-L)、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物(獲自Ciba之Irgacure 819或BAPO)、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙酮-1(獲自Ciba之Irgacure 907)、2-苯甲基-2-(二甲胺基)-1-[4-(4-嗎啉基)苯基]-1-丁酮(獲自Ciba之Irgacure 369)、2-二甲胺基-2-(4-甲基-苯甲基)-1-(4-嗎啉-4-基-苯基)-丁-1-酮(獲自Ciba之Irgacure 379)、4-苯甲醯基-4'-甲基二苯基硫醚(獲自Chitec之Chivacure BMS)、4,4'-雙(二乙胺基)二苯甲酮(獲自Chitec之Chivacure EMK)及4,4'-雙(N,N'-二甲胺基)二苯甲酮(米蚩酮)。亦適合的為其組合。 另外，可使用光敏劑，例如當使用LED光源時。適合之光敏劑之非限制性實例包括：蒽醌，諸如2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-第三丁基蒽醌、1-氯蒽醌及2-戊基蒽醌，9-氧硫𠮿
及氧蔥酮，諸如異丙基9-氧硫𠮿
、2-氯9-氧硫𠮿
、2,4-二乙基9-氧硫𠮿
及1-氯-4-丙氧基9-氧硫𠮿
、甲基苯甲醯基甲酸酯(獲自Ciba之Darocur MBF)、甲基-2-苯甲醯基苯甲酸酯(獲自Chitec之Chivacure OMB)、4-苯甲醯基-4'-甲基二苯基硫醚(獲自Chitec之Chivacure BMS)、4,4'-雙(二乙胺基)二苯甲酮(獲自Chitec之Chivacure EMK)。 對於在100至300 nm之波長範圍內發光之光源，可使用光敏劑，諸如二苯甲酮，諸如二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、2,4,6-三甲基二苯甲酮、二甲氧基二苯甲酮，及1-羥基苯基酮，諸如1-羥基環己基苯基酮、苯基(1-羥基異丙基)酮、2-羥基-1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]-2-甲基-1-丙酮及4-異丙基苯基(1-羥基異丙基)酮、二苯基乙二酮二甲基縮酮及寡聚-[2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮] (獲自Lamberti之Esacure KIP 150)，及其組合。 對於在475至900 nm之波長範圍內發光之光源，可使用自由基引發劑，諸如樟腦醌、4,4'-雙(二乙胺基)二苯甲酮(獲自Chitec之Chivacure EMK)、4,4'-雙(N,N'-二甲胺基)二苯甲酮(米蚩酮)、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物(「BAPO」或獲自Ciba之Irgacure 819)，及獲自Spectra Group Limited, Inc.之可見光光引發劑，諸如H-Nu 470、H-Nu-535、H-Nu-635、H-Nu-Blue-640及H-Nu-Blue-660，及其組合。 返回參看用於引發丙烯酸酯單體聚合之UV光，光可為UVA輻射，其為波長在約320與約400 nm之間的輻射；UVB輻射，其為波長在約280與約320 nm之間的輻射；及/或UVC輻射，其為波長在約100與約280 nm之間的輻射。 分散液可包括任何量的自由基引發劑，只要存在其他所需組分。舉例而言，自由基引發劑可以大於零且至多分散液之約10重量%、分散液之約0.1至約10重量%或分散液之約1至約6重量%之量存在。在各種非限制性實施例中，特此明確地涵蓋上述值之間的所有值及值範圍。
剪切稀化 添加劑 ：
分散液亦包括使分散液中之二氧化矽沈降最小化之剪切稀化添加劑。剪切稀化添加劑可替代地描述為抗沈降劑。剪切稀化添加劑係選自膨潤土、脲-多元醇-脂族共聚物、丙烯酸系共聚物、改質氫化蓖麻油及其組合。在一個實施例中，剪切稀化添加劑為膨潤土。在另一實施例中，剪切稀化添加劑為脲-多元醇-脂族共聚物。在另一實施例中，剪切稀化添加劑為丙烯酸聚合物。在另一實施例中，剪切稀化添加劑為改質氫化蓖麻油。可使用之剪切稀化添加劑以BYK 410、420或430市售。 在各種實施例中，丙烯酸系共聚物具有以下結構：
其中R
1
及R
2
中之每一者獨立地為基團(C
n
H
2n
)OH，其中n為15至20。舉例而言，n可為15、16、17、18、19或20。此外，OH基團可存在於R
1
及R
2
之鏈上之任何位置處。R
1
及R
2
可具有相同或不同鏈長。在一個實施例中，丙烯酸系共聚物為N,N'-乙烷-1,2-二基雙(12-羥基十八-1-醯胺)且具有以下結構：
N,N'-乙烷-1,2-二基雙(12-羥基十八-1-醯胺) 其中R
1
及R
2
之n均為17。在其他實施例中，Attagel 50之丙烯酸系共聚物購自BASF。 在其他實施例中，剪切稀化添加劑為具有以下結構之脲-多元醇-脂族共聚物：
。 在其他實施例中，剪切稀化添加劑為具有以下結構之脲-多元醇-脂族共聚物：
。 在其他實施例中，剪切稀化添加劑為改質氫化蓖麻油。改質氫化蓖麻油可為獲自BASF之EFKA RM1900。
添加劑 ：
分散液亦可包括，或不含，或包括小於10、9、8、7、6、5、4、3、2、1、0.5、0.1、0.05或0.01重量%之一或多種下文闡述之添加劑。分散液可替代地包括0.01、0.05、0.1、0.5、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10重量%之一或多種下文闡述之添加劑。此類添加劑包括(但不限於)美國專利第5,665,792號及美國專利第6,099,787號中所述之彼等，與各種非限制性實施例中之此類添加劑相關之該等專利中之每一者之揭示內容以引用之方式併入本文中。在各種實施例中，添加劑係選自第IA及IIA族金屬之烴羧酸鹽，諸如碳酸氫鈉、碳酸氫鉀及碳酸銣、聚乙烯吡咯啶酮、聚丙烯腈及其組合。其他添加劑包括染料、顏料、抗氧化劑、濕潤劑、光敏劑、鏈轉移劑、調平劑、消泡劑、界面活性劑、氣泡破碎劑、抗氧化劑、除酸劑、增稠劑、阻燃劑、矽烷偶合劑、紫外線吸收劑、分散液粒子、核殼粒子抗衝擊改質劑、可溶聚合物及嵌段共聚物。在各種非限制性實施例中，特此明確地涵蓋上述值之間的所有值及值範圍(包括端點)。
物理特性 ：
在各種非限制性實施例中，分散液亦通常具有相比於不含剪切薄化添加劑之相同組合物小至少75、80、85、90、95或99%之沈降速率。沈降速率通常藉由以下方法測定。然而，可使用此項技術中之任何方法。 一種方法包括提供離心機以向陶瓷分散液施加重力、將陶瓷分散液樣品置於離心機中之樣品容器中、向離心機中之陶瓷分散液施加25G至2000G之重力以自連續相沈澱一定量之二氧化矽，藉此形成沈積物，其包含安置於沈積物上之最頂層，其中最頂層包含金屬粒子以允許可視化，及量測陶瓷分散液中之沈積物含量。量測步驟可另外定義為，或包括，或為：(i)經由以該分散液之總高度之百分比計算該沈積物之高度，及/或(ii)傾析該連續相且量測該沈積物之質量以基於施加重力之前的該分散液之總質量測定該沈積物之質量百分比。各自更詳細地描述於下文。 在一個實施例中，該方法通常使用離心機向分散液施加向心力，該等向心力為重力之法線力的許多倍。此增加之G力加速粒子隔離及沈澱。可使用任何離心裝置。然而，當離心機經定向以使得含有測試分散液之離心管與施加之向心力之方向對準，使得所得沈澱物頂表面平行於離心管之頂部及底部時，傾向於更易於以定量方式評估沈積物含量。以此方式，沈澱物之厚度可僅藉由使用規定標度，諸如毫米標度容易地量測。可使用允許離心管擺動至此描述位置中之擺動型離心機。或者，可使用將離心管安裝至平面圓板上之離心機，該平面圓板諸如以LUMiSizer製造及銷售之裝置中所發現地旋轉。 在各種實施例中，使用LUMiSizer 6112-24分散液分析儀。此分析儀經設計以藉由在離心管旋轉時照射一束光通過離心管而加速及遵循沈澱法。當使用包括大粒子及小粒子之分散液時，可藉由肉眼觀測到大量的大粒子沈澱物，而其餘的分散液仍對LUMiSizer 6112-24之探針不透明。 第一方法自沈澱物傾析分散液且在施加離心向心力之前以分散液之總質量之百分比量測沈澱物之質量。第二方法將規定標度與離心管及管底部、分散液頂部及沈澱物頂部之間的距離對準且以分散液之總高度之百分比報導沈澱物之高度。 離心機之旋轉速率可變化以使測試時間最小化，使得可在避免所有或大部分粒子經沈澱時觀測到可量測量之沈澱物。藉由以下方程式計算施加至分散液之加速度：
ac = v2
/ r =
ω
2
r
= (2 π ns
)2
r = (2 π nrpm
/ 60)2
r 其中 ac = 向心加速度 ( m / s2 ) v = 切向速度 ( m / s ) r = 自旋轉中心至分散液管柱之中點 ( m ) 的圓形半徑 ω = 角速度 ( rad / s ) ns = 轉數每秒 ( 1 / s ) nrpm = 轉數每 分 ( 1 / min )
樣品可藉由將分散液移液至離心管中至45 mm之高度而製備。聚醯胺離心管可用於藉由丙烯酸酯單體預防管之溶解。2000 G之加速力通常沈澱所有粒子，其並非所需的。500 G力可達成相同非所需結果。對應於46 G之約600 RPM之旋轉速度可再現地產生可量測量之沈澱物。施加旋轉之時間可隨後變化以確定最優測試時間。可隨後以10分鐘時間間隔自離心機移出兩個測試樣品。更特定言之，管可在25℃下在46×重力(例如600 rpm)下旋轉10-60分鐘。離心可開始於一整套管(各12個)。每10分鐘，可隨後暫停離心以移出一個管用於沈積物量測，同時其餘的管繼續進行離心。沈積物之高度及分散液之總高度可藉由具有±0.5 mm之精確度的標尺量測。 適當加速度可至少部分取決於分散液中之粒子的特性。在一個實施例中，當粒子為陶瓷粒子(D50=9 µm，主要包括二氧化矽粒子與小部分氧化鋁以及大至90 µm之鋯石粒子)時，產生大致46 G之加速度為足夠的。在各種實施例中，G力為25至100、30至95、35至90、40至85、45至80、50至75、55至70、60至65、40至50、40至45或45至50 G。在其他實施例中，G力為100至2000、200至1900、300至1800、400至1700、500至1600、600至1500、700至1400、800至1300、900至1200或1000至1100 G。 在其他實施例中，沈積物邊界之可視化可藉由添加小分率之顏料(0.1 w%之Oracet Blue 640)定製。在無顏料的情況下，沈積物及上清液之界面可很少地檢測到，因為本發明之分散液通常不具有透明上清液。取而代之，僅來自沈積物之最大粒子傾向於顯而易見，而大多數陶瓷小粒子保持懸浮於上清液中，使其不透明。
形成分散液之方法 ：
本發明亦提供形成分散液之方法。該方法包括提供UV可固化丙烯酸酯單體、提供二氧化矽、提供自由基引發劑及提供剪切薄化添加劑之步驟。該方法亦包括組合UV可固化丙烯酸酯單體、二氧化矽、自由基引發劑及剪切薄化添加劑以形成分散液之步驟。此等組分中之一或多者可與任何一或多種其他組分以整體或以各種部分組合。 在各種非限制性實施例中，為了降低對於3D打印而言足夠之分散液黏度及避免大於一個打印層厚度之聚結粒子的存在，二氧化矽粒子必須在混合期間經歷高剪切以打破大型二氧化矽聚結物。此需要經由在混合時向1.7%w分散劑Variquat CC 42 NS與11.6%w主要丙烯酸單體之混合物中緩慢添加86.7%w二氧化矽粉末，接著連續剪切混合此高黏度糊漿幾個小時而製備二氧化矽糊漿濃縮物(「二氧化矽濃縮物」)。在各種實施例中，此二氧化矽濃縮物接著與其餘的液體成分(例如「光聚合物稀釋劑」)混合以降低適合於3D打印之分散液黏度。 二氧化矽光聚合物分散液例如可使用高剪切混合製備，諸如藉由經Chemineer製造之錨-雙螺旋混合器國家委員會(National Board)編號/U-1 131或使用購自Amazon.com之KFE5T Flex Edge Beater之5夸脫KitchenAid混合器提供之高剪切混合。在一些實施例中，重要的是具有高黏度二氧化矽濃縮物之足夠剪切以在藉由添加光聚合物稀釋劑降低黏度之前使二氧化矽解聚。舉例而言，可向裝備有耐綸塗佈之平板式攪拌器的5夸脫KitchenAid混合器中添加0.10 Kg分散劑Variquat CC 42 NS及0.7 Kg丙烯酸單體。此等液體成分可隨後以最慢速度設定混合1分鐘。二氧化矽粉末可隨後以小等分試樣添加，使得稠度不超出糊漿階段，同時允許等分試樣添加之間的足夠混合以將黏度降低回至高黏度液體。二氧化矽添加通常需要45-60分鐘。攪拌器可隨後變為曲邊攪拌器以藉由在攪拌葉片與混合槽壁之間具有較小清除率而增大使二氧化矽聚結物破碎之剪切力。攪拌可以此方式再繼續兩小時。隨著黏度由於二氧化矽解聚而降低，攪拌速度可增加，然而，攪拌速度應減速以將混合物之溫度維持於低於50℃以避免分散液聚合。此二氧化矽濃縮物可隨後與其餘的液體成分(「光聚合物稀釋劑」)混合以降低適合於3D打印之分散液黏度。 在裝備有溫度控制器之混合容器，諸如Chemineer容器中，除攪拌速度以外，容器之溫度可藉由冷卻水套控制。通常但非必需，在混合時間結束時使用較高攪拌速度以確保聚結破碎。任何高剪切葉片或槳葉(諸如雙螺旋)將提供使聚結物破碎之足夠剪切。
陶瓷製品 ：
分散液可用於形成陶瓷製品。陶瓷製品不受特定限制且可為此項技術中已知之任何陶瓷製品。舉例而言，陶瓷製品通常為陶瓷芯或陶瓷殼，其產生用於鎳超合金部分之熔模鑄造的模具。在其他實施例中，分散液可用於形成陶瓷製品，該陶瓷製品參與金屬部件及許多不同類型鑄造物之鑄造或形成。
形成陶瓷製品之方法 ：
本發明亦提供一種自分散液形成陶瓷製品之方法。該方法包括A.向表面塗覆陶瓷分散液之層及B.選擇性地逐影像暴露該層至光化輻射以形成成像截面之步驟。該方法亦包括C.向成像截面塗覆陶瓷分散液之第二層及D.選擇性地逐影像暴露第二層至光化輻射以形成第二成像截面之步驟。該方法亦包括E.重複步驟(C)及(D)以產生三維陶瓷生坯製品及F.在爐中燒結該三維陶瓷生坯製品以形成陶瓷製品之步驟。 A.向表面塗覆陶瓷分散液之層之步驟可另外定義為向表面塗覆厚度為50至100、55至95、60至90、65至85、70至80或75至80 µm之分散液之層。此外，表面不受特定限制且可為此項技術中已知之任何表面。舉例而言，通常，零件結構中之所有層具有相同厚度，例如50或100 µm。然而，層可為150或200 µm厚，但接著，傾斜表面上之階梯步進可能過大。在各種實施例中，建立以較大層厚度形成豎直壁之一系列層，同時建立以較小層厚度形成傾斜或圓形表面之層。較厚層傾向於較快地建立。然而，需要零件之輪廓區域使階梯高度最小化。 塗覆步驟通常另外定義為使用由電腦控制之刮刀進行塗覆。刮刀可具有1-3個擋板，其中刀片可封閉或可不封閉，使得施加之部分真空將分散液向上抽拉至刀片中以輔助沈積至前一層部分表面上。 B.選擇性地逐影像暴露層至光化輻射之步驟可另外定義為暴露於325-365 nm範圍內之UV雷射，其藉由X-Y掃描鏡定向至分散液之表面上。鏡之電腦控制可用於繪製零件之橫截面，使得僅零件截面選擇性地接收UV輻射。或者，波長為260、265、280、310、325及340 nm、365、375及385 nm及/或405 nm或其組合之一組LED燈可自數字微鏡面陣列(DLP晶片)反射以在分散液之表面上暴露層截面影像，使得僅零件截面選擇性地接收UV輻射。C.向成像截面塗覆陶瓷分散液之第二層之步驟可與步驟A相同或可在一或多個方面不同。舉例而言，第二層可就組成、厚度、尺寸、塗覆方法等而言與第一層相同或不同。 D.選擇性地逐影像暴露第二層至光化輻射以形成第二成像截面之步驟可與步驟B相同或可在一或多個方面不同。舉例而言，第二層可選擇性地以與第一層相同或不同之方式暴露，可暴露於相同或不同光化輻射，且可相比於第二層相同、更多或更少地暴露於輻射。 E.重複步驟(C)及(D)以產生三維陶瓷生坯製品之步驟可進行一次或多次。舉例而言，步驟(C)及(D)可重複如由熟習此項技術者選擇之次數，例如50至5,000次。 F.在爐中燒結三維陶瓷生坯製品以形成陶瓷製品之步驟通常另外定義為在爐中在1100-1600℃的溫度下加熱。通常，時間及溫度可為此項技術中已知之任何時間及溫度。此外，爐類型亦可為此項技術中已知之任何爐類型。 此外，該方法可替代地描述為三維打印該陶瓷生坯製品。因此，該方法可包括在此項技術中稱為與三維打印相關之任何一或多個步驟。在各種非限制性實施例中，該方法之一或多個步驟可如以下各者中所述： (A) Rapid Prototyping & Manufacturing: Fundamentals of StereoLithography, January 15, 1992年1月15日, Paul F. Jacobs； (B) Stereolithography & Other RP&M Technologies: From Rapid Prototyping to Rapid Tooling, Paul F Jacobs, 1995； (C) 美國專利第4,093,017號； (D) Integrally Cored Ceramic Investment Casting Mold Fabricated By Ceramic Stereolithography, Chang-Jun Bae； (E) Parametric Study And Optimization Of Ceramic Stereolithography, Kahn Chia Wu；及/或 (F) Towards Inert Cores for Investment Casting, Martin Riley，與各種非限制性實施例中之該方法相關之其中之每一者明確地全文併入本文中。 該方法亦可包括在燒結步驟之前後固化三維陶瓷生坯製品之步驟。儘管大部分分散液通常在零件建立過程期間藉由提供之輻射固化，零件通常僅部分聚合。後固化步驟可另外描述為SL部分經後固化以基本上完成聚合過程且改良陶瓷生坯製品之最終機械強度之情況。可使用3D Systems Inc.後固化裝置(PCA)，其基本上為具有在裝置內輻射及反射之UV光源的「烘箱」。PCA具有轉盤，其提供更分佈式的光化UV發光暴露。此裝置之標準後固化時間為60分鐘。 在各種實施例中，可使用Prodways L5000機器且可由熟習此項技術者選擇特定參數。在其他實施例中，可使用基於雷射之立體微影系統。再另外，可使用UV 3D打印，其經由玻璃板自底部暴露光聚合物層(而非自暴露於自由空氣之頂部打印)。在所有此等系統中，可由熟習此項技術者選擇參數、循環時間等。
陶瓷生坯製品 ：
本發明亦提供陶瓷生坯製品本身。陶瓷生坯製品可經固化、部分固化或未固化，例如藉由UV輻射。換言之，陶瓷生坯製品可包括固化、部分固化或未固化單體，如上文所述。在各種實施例中，陶瓷生坯製品係使用足以固化層厚度之200% (亦即在100 µm層上過固化100 µm)之UV暴露固化。在此類實施例中，陶瓷生坯製品通常具有大於10 MPa、大於40 MPa、大於100 MPa之彎曲模量，如藉由ASTM D790所量測。陶瓷光聚合物調配物及UV暴露之組合應形成具有如上文所述之可接受生強度及小於3、較佳小於2且最佳小於1.5之捲曲因數的生坯品，該捲曲因數如藉由Rapid Prototyping & Manufacturing: Fundamentals of StereoLithography, 1992年1月15日, Paul F. Jacobs中所述之方法所測定，與各種非限制性實施例相關之該文獻明確地以全文引用的方式併入本文中。 在各種非限制性實施例中，關於BASF案號160762及160760之同時申請之美國臨時專利申請案中之一者或兩者中所述之任何一或多種組分、化合物、反應物、溶劑、添加劑、方法步驟、設備部件等可用於本文中。此等申請案均在各種非限制性實施例中特此明確地以全文引用之方式併入本文中。
實例
根據本發明形成一系列分散液。亦形成比較分散液。如下表中所闡述地評估分散液及比較分散液以測定沈降及黏度，其中除非另外規定，否則所有值係以重量%計。
表 1 表 1 ( 續 )
Variquat CC 42 NS為由Evonik Corporation, Hopewell, VA 23860, USA製造之分散劑聚[氧基(甲基-1,2-乙烷二基)], a-[2-(二乙基甲基銨基)乙基]-w-羥基-, 氯化物。 Laromer HDDA為由BASF Corp., 100 Park Avenue, Florham Park, NJ 07932, USA製造之二丙烯酸己二醇酯且充當UV可固化黏合劑。 Laromer LR 8863 (乙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(乙氧基化TMPTA))由BASF Corp., 100 Park Avenue, Florham Park, NJ 07932, USA製造且充當增加生坯強度之UV可固化黏合劑。 Sartomer SR247 (NPGDA)充當產生極高生強度及極低捲曲畸變因數之UV可固化黏合劑。 二丙烯酸二丙二醇酯(DPGDA)由BASF Corp., 100 Park Avenue, Florham Park, NJ 07932, USA製造且充當UV可固化黏合劑。 二丙烯酸二環戊二烯酯(DCPA)由BASF Corp., 100 Park Avenue, Florham Park, NJ 07932, USA製造且充當產生高生強度之UV可固化黏合劑。 Byk 410為由BYK USA Inc., 524 South Cherry Street, Wallingsford, CT 06492, USA製造之剪切稀化添加劑。 Irgacure 184由BASF Corp., 100 Park Avenue, Florham Park, NJ 07932, USA製造且充當用於引發丙烯酸酯聚合之UV自由基光引發劑。 沈降速率係使用上文所述之方法測定且關於剪切稀化抗沈降添加劑之各種濃度連同使用Anton-Parr MCR 301板-板流變儀量測之彼等調配物之黏度在下文列表。在各種實施例中，剪切稀化添加劑將在不明顯增加黏度之情況下在極低濃度(例如總調配物之0.05-0.5重量%)下產生穩定二氧化矽分散液，其中低黏度通常對於3D印刷方法重要。 以下資料指示當用於實例1中時，大部分剪切稀化添加劑在一些濃度下降低二氧化矽沈降速率。然而，BYK 410、BYK 420、Bentone SD2及EFKA RM 1900 (改質氫化蓖麻油)為最有效的，造成沈降速率在測試條件下達到零。BYK 410在0.25重量%處達到此值，BYK 420在0.5重量%處達到此值，Bentone SD2在0.8重量%處達到此值且EFKA RM 1900在1.25重量%處達到此值。然而，僅BYK 410、BYK 420及Bentone SD2在不明顯增加調配物黏度(小於1500 MPa-s)之情況下達到此值。 闡述於下文及圖1至圖3中之資料代表各種剪切稀化添加劑用於與上文實例1相同之調配物中但以下文闡述之量取代各種剪切稀化添加劑之情況。
上述資料表明添加剪切稀化添加劑在不明顯增加調配物黏度之情況下降低分散液之沈降速率，因此使得能夠在整個建立過程中且甚至經由連續3D打印工作來3D打印具有恆定陶瓷密度之陶瓷零件。在實例中，使用加速測試度量及在1G處即時地，剪切稀化添加劑降低沈降速率多達因數12。 遍及整個揭示內容之前述實施例的所有組合特此明確地涵蓋於一或多個非限制性實施例中，即使此類揭示內容未逐字描述於上文單一段落或部分中。換言之，明確涵蓋之實施例可包括自本發明之任何部分選擇及組合之上文所述之任何一或多個要素。 上文所述之該等值中之一或多者可變化±5%、±10%、±15%、±20%、±25%等，只要該變化保持在本發明之範疇內。出人意料的結果可獨立於所有其他成員獲自馬庫西組(Markush group)中之各成員。可個別地及或以組合依賴各成員且對於所附申請專利範圍之範疇內之特定實施例提供足夠支持。本文中明確地涵蓋獨立及從屬請求項(單依賴性及多依賴性)之所有組合的主題。本發明為說明性的而非限制性的，包括描述字語。根據以上教示，本發明之許多修改及變化為可能的，且可以除如本文特定描述之外的其他方式來實踐本發明。 亦應理解，在描述本發明之各種實施例中所依賴的任何範圍及子範圍獨立地及共同地屬於所附申請專利範圍之範疇內，且理解為描述及涵蓋所有範圍，包括其中之整體及/或部分值，即使該等值未明確寫入本文中。熟習此項技術者容易識別所列舉範圍及子範圍充分地描述並使得本揭示案之各種實施例能夠進行，且該等範圍及子範圍可進一步描述成相關的一半、三分之一、四分之一、五分之一等。僅作為一個實例，「0.1至0.9之」範圍可進一步描述為下三分之一(亦即0.1至0.3)、中三分之一(亦即0.4至0.6)及上三分之一(亦即0.7至0.9)，其個別地且共同地屬於所附申請專利範圍之範疇內，且可個別地及/或共同地依賴，且為所附申請專利範圍之範疇內的特定實施例提供足夠支持。另外，關於定義或修飾範圍之語言，諸如「至少」、「大於」、「小於」、「不超過」及其類似者，應理解此類語言包括子範圍及/或上限或下限。作為另一實例，「至少10」之範圍本質上包括至少10至35之子範圍、至少10至25之子範圍、25至35之子範圍等，且各子範圍可單獨地及/或共同地依賴且對所附申請專利範圍之範疇內的特定實施例提供足夠支持。最後，所揭示之範圍內的個別數目可加以依賴且為所附申請專利範圍之範疇內的特定實施例提供足夠支持。舉例而言，「1至9之」範圍包括各種個別整數，諸如3，以及包括小數點(或分數)之個別數字，諸如4.1，可依賴該等數字且為所附申請專利範圍之範疇內的特定實施例提供足夠支持。