TW201838767A - 晶圓加工方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]研削晶圓的背面側時，提供充分抑止存在於正面側的凹凸的影響，並同時在研削後不需要追加作業的晶圓加工方法。[解決手段]一種晶圓加工方法，包含：保護膜密著步驟，以保護膜覆蓋在正面具有元件區域和外周剩餘區域的晶圓之該外周剩餘區域以外的該元件區域，其中該元件區域上形成具凹凸之元件，該外周剩餘區域圍繞該元件區域，並使該保護膜依照該凹凸密著於該正面側；附保護構件晶圓形成步驟，以藉由外部刺激而硬化的硬化型液狀樹脂組成之保護構件被覆該保護膜及露出的該外周剩餘區域，並形成以該保護構件覆蓋該晶圓的該正面側之附保護構件晶圓；研削步驟，在以卡盤台的保持面保持該附保護構件晶圓的該保護構件側的狀態下，研削該晶圓的背面，將該晶圓薄化；以及剝離步驟，從薄化的該晶圓剝離該保護構件及該保護膜。

Description

晶圓加工方法
本發明係關於一種研削正面有凹凸之晶圓時使用的晶圓加工方法。
為將組裝於各種的電子機器等之元件晶片小型化、輕量化，增加對元件晶片與被分割前的晶圓進行薄化加工的機會。舉例而言，以卡盤台保持設有晶圓的元件之正面側，使磨石工具旋轉並按壓在晶圓的背面側，可研削薄化該晶圓。
以上述方法研削晶圓時，通常在晶圓的正面側貼有保護構件（例如，參閱專利文獻1）。藉此，可防止研削時由施加力等損壞正面側的元件。就保護構件而言，例如使用樹脂等材料製成之黏著膠帶、或硬度高的基板等。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平10-50642號公報
[發明所欲解決的課題] 順帶一提，在該晶圓的正面側，多藉由作為電極運作的凸塊等形成凹凸。在晶圓的正面側存在凹凸的話，無法以黏著膠帶充分緩和該凹凸的高低差，研削後的晶圓的背面側會出現對應凹凸的形狀。
另一方面，使用硬度高的基板作為保護構件的話，此類問題幾乎不會發生。然而，該基板因以熱可塑性蠟等之接著劑使晶圓接著，從研削後的晶圓剝離基板時，僅用於溶液的沉浸或加熱之所謂剝離的追加作業為必要。
本發明鑒於上述的問題點，其目的為當研削晶圓的背面側時，提供一種充分抑止存在於正面側的凹凸的影響並同時在研削後不需要追加作業的晶圓加工方法。
[解決課題的技術手段] 根據本發明的一態樣，提供一種晶圓加工方法，具備：保護膜密著步驟，以保護膜覆蓋在正面具有元件區域和外周剩餘區域的晶圓之該外周剩餘區域以外的該元件區域，其中該元件區域上形成具凹凸之元件，該外周剩餘區域圍繞該元件區域，並使該保護膜依照該凹凸密著於該正面側；附保護構件晶圓形成步驟，以藉由外部刺激而硬化的硬化型液狀樹脂組成之保護構件被覆該保護膜及露出的該外周剩餘區域，並形成以該保護構件覆蓋該晶圓的該正面側之附保護構件晶圓；研削步驟，在以卡盤台的保持面保持該附保護構件晶圓的該保護構件側的狀態下，研削該晶圓的背面，將該晶圓薄化；以及剝離步驟，從薄化的該晶圓剝離該保護構件及該保護膜。
在本發明的一態樣中，使該晶圓的外周緣的該正面側進行倒角，在該附保護構件晶圓形成步驟中，亦可以覆蓋含有部分進行該倒角的該外周緣的該正面側之該晶圓的該正面側之方式，被覆該保護構件。
另外，在本發明的一態樣中，在該附保護構件晶圓形成步驟中，亦可透過該保護膜按壓該晶圓於塗佈在平坦薄片上之該液狀樹脂後，以外部刺激來硬化該液態樹脂，並在該晶圓固定該液狀樹脂組成的該保護構件。
另外，在本發明的一態樣中，在該保護膜密著步驟中，亦可於減壓下將該保護膜按壓至該晶圓的該正面後，由大氣壓力使該保護膜依照該凹凸密著。
另外，在本發明的一態樣中，在該保護膜密著步驟中，亦可藉由透過緩衝材按壓該保護膜，以將該保護膜按壓至該晶圓的該正面側。
另外，在本發明的一態樣中，在該保護膜密著步驟中，亦可藉由透過緩衝材將配重承載於該保護膜，以將該保護膜按壓至該晶圓的該正面側。
另外，在本發明的一態樣中，亦可透過該緩衝材在大氣壓力下將該配重承載於該保護膜後，將承載該配重之該晶圓放入減壓室。
另外，在本發明的一態樣中，在該保護膜密著步驟中，亦可在該保護膜重疊於該元件區域的狀態下將該晶圓放入減壓室，由該減壓室所具備的推壓部來按壓該保護膜，藉此將該保護膜按壓至該晶圓的該正面側。
[發明功效] 在本發明的一態樣的晶圓加工方法中，以保護膜覆蓋形成具凹凸之元件的元件區域，並使該保護膜依照該凹凸密著於元件區域後，以藉由外部刺激而硬化的硬化型液狀樹脂組成之保護構件被覆保護膜及外周剩餘區域，，並形成以保護構件覆蓋晶圓的該正面側之附保護構件晶圓，因此能夠以適當厚度形成保護構件，可充分緩和正面側的凹凸。
另外，本發明的一態樣的晶圓加工方法中，因保護膜在元件區域僅密著而未接著，即使未進行溶液的沉浸或加熱之所謂僅用於剝離的作業，也可從晶圓剝離保護構件及保護膜。如此，根據本發明的一態樣，研削晶圓的背面側時，提供充分抑止存在於正面側的凹凸的影響並同時在研削後不需要追加作業的晶圓加工方法。
進而，本發明的一態樣的晶圓加工方法中，因以由外部刺激而硬化的硬化型液態樹脂組成之保護構件被覆保護膜及外周剩餘區域，保護構件在外周剩餘區域密著於晶圓。因此，即使使用藉由接著劑（糊）之沒有接著力的保護膜，在研削等的時候保護膜及保護構件也不會從晶圓剝離。
參閱圖示，說明本發明的一態樣之實施方式。本實施方式為一種晶圓加工方法，包含：保護膜密著步驟（參閱圖1（A）、圖1（B）、圖2（A）、圖2（B）、圖2（C））；附保護構件晶圓形成步驟（參閱圖3（A）、圖3（B）、圖3（C））；研削步驟（參閱圖4（A）、圖4（B））；以及剝離步驟（參閱圖5）。
在保護膜密著步驟中，首先藉由接著劑（糊）將沒有接著力的保護膜配合（依照）設在晶圓的正面側的凹凸密著在晶圓的正面側。在附保護構件晶圓形成步驟中，以由液狀樹脂組成的保護構件被覆該保護膜，並形成以保護構件覆蓋晶圓的正面側之附保護構件晶圓。
在研削步驟中，在以卡盤台的保持面保持附保護構件晶圓的保護構件側的狀態下，研削該晶圓的背面。在剝離步驟中，從薄化的晶圓剝離保護構件及保護膜。以下詳述關於本實施方式的晶圓加工方法。
在本實施方式的晶圓加工方法中，首先配合設在晶圓的正面側的凹凸，進行藉由接著劑將沒有接著力的保護膜密著在晶圓的正面側之保護膜密著步驟。具體而言，以未設有接著劑的保護膜覆蓋在晶圓的正面側，之後使該保護膜密著於晶圓正面側。
圖1（A）為示意性表示以保護膜覆蓋晶圓的正面側的樣子之立體圖，圖1（B）為示意性表示以保護膜覆蓋正面側狀態的晶圓之立體圖。如圖1（A）所示，舉例而言，本實施方式所使用的晶圓11使用矽（Si）等材料，形成具有正面11a及背面11b的圓盤狀。該晶圓11的外周緣11c的正面11a側及背面11b側被倒角。
另外，該晶圓11的正面11a側，分為中央的元件區域11d和圍繞元件區域11d的外周剩餘區域11e。元件區域11d以格子狀配置排列的分割預定線（切割道）13進一步劃分出多個區域，並在各區域中形成IC（Integrated Circuit，積體電路）等元件15。在各元件15的正面中，設有作為電極運作的多個凸塊（凹凸）17。舉例而言，該凸塊17以焊料等材料形成。
再者，在本實施方式中，雖使用矽等材料形成圓盤狀晶圓11，晶圓11的材質、形狀、構造、大小等並無限制。亦可使用其他的半導體、陶瓷、樹脂、金屬等材料形成之晶圓11。相同地，元件15或凸塊17的類型、數量、形狀、構造、大小、配置等亦無限制。凸塊17的代替，亦可由具有其他機能之構造（凹凸）形成。即，在晶圓11的正面11a側亦可不形成凸塊17。
在本實施方式中，首先以保護膜21覆蓋該晶圓11的元件區域11d。舉例而言，保護膜21以樹脂等材料形成柔軟的膜，並形成具有對應元件區域11d的徑（直徑）的圓盤狀。即，保護膜21的直徑比晶圓11的直徑小。另外，在該保護膜21並未設有接著劑。保護膜21的厚度並無特定的限制，舉例而言，亦可使用30μm~150μm程度厚度的保護膜21。
如圖1（A）所示，以使保護膜21的外周緣配合元件區域11d的外周緣的方式，使保護膜21重疊於晶圓11的正面11a側，可藉由保護膜21覆蓋晶圓11的元件區域11d。即，在該狀態下，如圖1（B）所示，晶圓11的外周剩餘區域露出。
在以保護膜21覆蓋晶圓11的正面11a側（元件區域11d）後，使該保護膜21密著於晶圓11的正面11a側。圖2（A）為示意性表示將保護膜21按壓於晶圓11的正面11a側的樣子之剖面圖，圖2（B）為示意性表示使保護膜21密著於晶圓11的正面11a側的樣子之剖面圖，圖2（C）為示意性表示保護膜21為密著狀態的晶圓11之剖面圖。
具體而言，首先如圖2（A）所示，透過海綿等緩衝材2在大氣壓下在晶圓11的正面11a側（覆蓋正面11a側的保護膜21）承載配重4，並將保護膜21按壓至晶圓11的正面11a側。換言之，透過緩衝材壓向保護膜21，藉此將將保護膜21按壓至晶圓11的正面11a側。結果，一部分的保護膜21接觸晶圓11的正面11a側。
接著，如圖2（B）所示，將承載配重4狀態的晶圓11搬入（放入）減壓室6。舉例而言，該減壓室6具備：箱體6a，具有大小可讓晶圓11通過的開口；以及門體6b，為用來關閉箱體6a的開口。在箱體6a中，透過排氣管8或閥門10連接吸引源（無圖示）。另外，在箱體6a中，連接用來吸引空氣（大氣）的吸氣管12或閥門14。
在箱體6a的內部，配置用來支撐晶圓11的支撐台16。該支撐台16的上表面，形成概略平坦，作為用來支撐晶圓11的支撐面16a而運作。在支撐面16a上，設有用來規定晶圓11的位置之凸狀的引導部16b。另外，在支撐台16的內部，設有加熱用的加熱器18。
通過箱體6a的開口，將承載配重4狀態的晶圓11搬入減壓室6，承載於支持台16後，如圖2（B）所示，關閉門體6b並關閉閥門14，進而，藉由打開閥門10而對減壓室6的內側空間進行減壓。藉此，在減壓下按壓保護膜21於晶圓11的正面11a側。另外，去除晶圓11的正面11a側與保護膜21間殘留的氣體（空氣）。
將減壓室6的內側空間充分減壓後，關閉閥門10，進而，藉由打開閥門14將空氣（大氣）導入減壓室6的內側空間。藉此，使保護膜21作用於大氣壓，如圖2（C）所示，配合（依照）設置在晶圓11的正面11a側的凸塊17等的形狀，可使保護膜21密著於晶圓11的正面11a側。
再者，大氣壓作用於保護膜21時，亦可以加熱器18加熱保護膜21使之軟化。此種情形，更易使保護膜21密著於晶圓11。
在保護膜密著部步驟後，進行附保護構件晶圓形成步驟，其以由液狀樹脂組成的保護構件被覆該保護膜21，並形成以保護構件覆蓋晶圓11的正面11a側之附保護構件晶圓。
圖3（A）為示意性表示透過保護膜按壓晶圓11於塗佈在片上之液狀樹脂的樣子之剖面圖，圖3（B）為示意性表示使液狀樹脂硬化並在晶圓11固定液狀樹脂組成的保護構件的樣子之剖面圖，圖3（C）為示意性表示完成的附保護構件晶圓之剖面圖。再者，在圖3（A）及圖3（B）中，一部分的構成要素由功能塊表示。
本實施型態的附保護構件晶圓形成步驟，例如，使用如圖3（A）及圖3（B）所示保護構件固定裝置22進行。保護構件固定裝置22具備保持台24，其用來保持樹脂等形成概略平坦的薄片（承載片）23。在保持台24的上表面側，形成比晶圓11直徑更大的圓形凹部24a。
在凹部24a的內側，配置紫外線光源26。該凹部24a的上端以板28覆蓋，板28使至少一部份被從紫外線光源26放射的紫外線穿透，而薄片23的中央側的部分由板28支撐。用來吸引一部分薄片23的外周側之吸氣路徑24b的一端側在凹部24a的周圍開口。
在吸氣路徑24b的另一端側，透過閥門30等連接吸引源32。通過吸氣路徑24b使吸引源32的負壓作用在部分薄片23的外周側，藉此薄片23被保持台24保持。在該保持台24的上方配置有晶圓保持單元34，其用來吸引、保持晶圓11。晶圓保持單元34由移動機構（無圖示）支撐，晶圓保持單元34的下表面34a側吸引、保持晶圓11，並同時在垂直方向移動。
附保護構件晶圓形成步驟中，如圖3（A）所示，由保持台24保持在上表面塗佈液狀樹脂25之薄片23的下表面側。另外，以晶圓保持單元34的下表面34a側保持晶圓11的背面11b側。藉此，在晶圓11的正面11a側密著的保護膜21面對薄片23上的液狀樹脂25。
舉例而言，作為該液狀樹脂25，使用由從紫外線光源26放射的紫外線所硬化的硬化型的液狀樹脂。具體而言，可使用例如Denka股份有限公司製的TEMPLOC（登錄商標）等。另外，本實施方式中，雖以保持台24保持液狀樹指25在上表面塗佈的狀態之薄片23，但亦可由保持台24保持薄片23後，再於薄片23的上表面塗佈液狀樹脂25。
接者，使晶圓保持單元34下降，如圖3（B）所示，透過保護膜21將液狀樹脂按壓於晶圓11的正面11a側。藉此，液狀樹脂25沿晶圓11的徑方向擴散並被覆保護膜21及外周剩餘區域11e。再者，本實施方式中，調整液狀樹脂25的的塗佈量或晶圓保持單元34的下降量等，使部分被倒角的外周緣11c的正面11a側由液狀樹脂25覆蓋。
之後，從紫外線光源26放射紫外線使液狀樹之25硬化。藉此，如圖3（C）所示，將由液狀樹脂25形成並被覆保護膜25及外周剩餘區域11e的保護構件固定在晶圓11的正面11a側，並形成晶圓11的正面11a側由保護構件27覆蓋的附保護構件晶圓。再者，本實施方式中，部分被倒角的外周緣11c的正面11a側亦由保護構件27覆蓋。
在附保護構件晶圓形成步驟後，進行研削晶圓11的背面11b的研削步驟。圖4（A）為示意性表示晶圓11的背面11b研削的樣子之剖面圖，圖4（B）為示意性表示研削後的晶圓11之剖面圖。
研削步驟，舉例而言，使用如圖4（A）所示之研削裝置42進行。研削裝置42具備用來吸引並保持晶圓11的保持台（卡盤台）44。保持台44與馬達等旋轉驅動源（無圖示）連結，在垂直方向繞概略平行的旋轉軸旋轉。另外，在保持台44的下方，設有移動機構（無圖示），保持台44由該移動機構在水平方向移動。
保持台44的部分上表面為保持面44a，其透過保護構件27吸引並保持固定於晶圓11的薄片23。保持面44a藉由在保持台44的內部形成吸氣路徑（無圖示）等連接吸引源。因使吸引源的負壓作用於保持面44，晶圓11透過薄片23及保護構件27保持於保持台44。
保持台44的上方配置研削單元46。研削單元46具備由昇降機構（無圖示）支持的主軸外殼（無圖示）。主軸外殼容納主軸48，主軸48的下端部固定於圓盤狀的安裝件50。
在安裝件50的下表面裝設與安裝件50概略同直徑的研削輪52。研削輪52具備以不鏽鋼、鋁等金屬材料形成之輪基台54。輪基台54的下表面以環狀配置排列多個研削磨石56。
在主軸48的上端側（基端側）與馬達等旋轉驅動源（無圖示）連結，研削輪52藉由該旋轉驅動源所產生的力，在垂直方向繞概略平行的旋轉軸旋轉。在研削單元46的內部與附近設有用來對晶圓11等供給純水等研削液之噴嘴（無圖示）。
研削步驟中，首先在研削裝置42的保持台44吸引保持晶圓11。具體而言，透過保護構件27使固定於晶圓11的薄片23接觸保持台44的保持面44a，並使吸引源的負壓作用。藉此，晶圓11以背面11b側以上方露出的狀態在保持台44被保持。
接著，使保持台44移動至研削單位46的下方。然後，如圖4（A）所示，保持台44與研削輪52各自旋轉，在晶圓11的背面11b等供給研削液同時使主軸外殼（主軸48、研削輪52）下降。
主軸外殼的下降速度（下降量）被調整至研削磨石56的下表面按壓在晶圓11的背面11b側的程度。藉此，可研削背面11b側並薄化晶圓11。如圖4（B）所示，晶圓11薄化至規定的厚度（完工厚度）時，研削步驟結束。
再者，本實施方式中，雖使用1組的研削單元46研削晶圓11的背面11b側，亦可使用2組的研削單元研削晶圓11的背面11b側。此種情形，舉例而言，使用以大直徑磨粒構成的研削磨石進行粗研削，使用以小直徑磨粒構成的研削磨石進行細研削，研削所需時間並不會大幅拉長且可提高背面11b的平坦性。
在研削步驟後，進行剝離步驟，將薄化的晶圓11從保護膜21或保護構件27等剝離。圖5為示意性表示從晶圓11剝離保護膜21或保護構件27等的樣子之剖面圖。在該剝離步驟，首先，以晶圓保持單元62的保持面62a吸引保持晶圓11的背面11b側。
接著，以剝離單元64把持薄片23的端部。然後，以從晶圓11剝離薄片23的端部側的方式，使晶圓保持單元62與剝離單元64相對移動。藉此，如圖5所示，從晶圓11共同剝離保護膜21、薄片23及保護構件27。
如上述，在本實施方式的晶圓加工方法中，以保護膜21覆蓋形成具凸塊（凹凸）17之元件15的元件區域11d，並使該保護膜21配合（依照）凸塊17等的形狀密著於元件區域11d後，以由紫外線（外部刺激）硬化的硬化型液狀樹脂25組成之保護構件27被覆保護膜21及外周剩餘區域11e，並形成以保護構件27覆蓋晶圓11的正面11a側之附保護構件晶圓，適當厚度形成保護構件27，藉此可充分緩和正面11a側的凹凸。
另外，本實施方式的晶圓加工方法中，因保護膜21在元件區域11d僅密著而未接著，即使未進行溶液的沉浸或加熱之所謂僅用於剝離的作業，也可從晶圓11剝離保護構件27及保護膜21。如此，根據本實施方式，研削晶圓11的背面11b側時，提供充分抑止存在於正面11a側的如凸塊17等凹凸的影響並同時在研削後不需要追加作業的晶圓加工方法。
進而，本實施方式的晶圓加工方法中，因以由紫外線硬化的硬化型液態樹脂25組成保護構件27被覆保護膜21及外周剩餘區域11e，保護構件27在外周剩餘區域11e密著於晶圓11。因此，即使藉由接著劑（糊）用於沒有接著力的保護膜21，在研削等時候保護膜21及保護構件27也不會從晶圓11剝離。
再者，本發明不限於上述實施方式之記載，具各式各樣變更的實施可能。舉例而言，上述實施方式中，雖使用由紫外線硬化的硬化型樹脂作為液狀樹脂25，亦可使用由紫外線以外的外部刺激（例如熱等）硬化的硬化型液狀樹脂。
另外，上述實施方式中，雖藉由透過保護膜21將晶圓11按壓至塗佈於薄片23之液狀樹脂25上的方法而將保護構件27固定於晶圓11，亦可對晶圓或保護膜以滴下液狀樹脂的方式將保護構件固定於晶圓。此種情形，希望使用表面鉋平機（surface planar）等使保護構件的正面平坦化。如此，研削晶圓時透過被保持的保護構件的正面平坦化，可研削晶圓的背面（被研削面）使之平坦。
另外，上述實施方式中，雖透過緩衝材2在晶圓11的正面11a側（覆蓋正面11a側的保護膜21）承載配重4，並在晶圓11的正面11a側按壓保護膜21後密著，亦可以別種方法在晶圓11的正面11a側密著保護膜21。
圖6（A）為示意性表示以保護膜21覆蓋晶圓11的正面11a側的狀態之剖面圖，圖6（B）及圖6（C）為用來說明關於第1變形例的保護膜密著步驟之示意剖面圖。
該第1變形例的保護膜密著步驟中，首先，與上述實施方式的保護膜密著步驟同樣的順序，如圖6（A）所示，在晶圓11的正面11a側（元件區域11d）重疊保護膜21，以該保護膜21覆蓋圓11的正面11a側。接著，如圖6（B）所示，將晶圓11搬入（放入）減壓室6。
如圖6（B）所示，第1變形例的保護膜密著步驟中使用的減壓室6的基本構成，與上述實施方式的保護膜密著步驟中使用的減壓室6的構成相同。然而，第1變形例的保護膜密著步驟中使用的減壓室6中，在門體6b的內側壁面設有用來在晶圓11按壓保護膜21的推壓單位（推壓部）72。另外，在推壓單位72的支持台16側的面，配設海棉等緩衝材74。
為此，如圖6（B）及圖6（C）所示，在減壓室6的支持台16承載晶圓11並關閉門體6b，透過緩衝材74將保護膜21壓向推壓單元72。藉此，將保護膜21按壓至晶圓11的正面11a側。換言之，一部分的保護膜21接觸晶圓11的正面11a側。
接著，如圖6（C）所示，關閉閥門14，進而以打開閥門10，對減壓室6的內側空間減壓。藉此，在減壓下按壓保護膜21於晶圓11的正面11a側。另外，去除晶圓11的正面11a側與保護膜21間殘留的氣體（空氣）。
將減壓室6的內側空間充分減壓後，關閉閥門10，進而，打開閥門14藉此將空氣（大氣）導入減壓室6的內側空間。藉此，使大氣壓作用於保護膜21，配合（依照）設置在晶圓11的正面11a側的凸塊17等形狀，可使保護膜21密著在晶圓11的正面11a側。
圖7（A）及圖7（B）為用來說明關於第2變形例的保護膜密著步驟之示意剖面圖。第2變形例的保護膜密著步驟中，首先，以保持台82的保持面82a保持晶圓11的背面11b側。保持台82的基本構成可與保持台44的構成相同。然而，在該保持台82的內部，設有加熱用的加熱器84。
接著，在薄片（離型薄片）29的下表面側使保持狀態的保護膜21面對晶圓11的正面11a側（元件區域11d），以滾筒86在離型薄片29的上表面側推壓。此時，可以加熱器84加熱保護膜21使之軟化。藉此，使保護膜21重疊在晶圓11的正面11a側，可以保護膜21覆蓋晶圓11的元件區域11d。
再者，使用該滾筒86的被覆作業，亦可在減壓室6內進行。在以保護膜21覆蓋晶圓11的正面11a側（元件區域11d）後，以與上述實施方式或第1變形例相同的順序，使該保護膜21密著於晶圓11的正面11a側。
其他，上述實施方式及變形例的構造、方法等，在不脫離本發明目的的範圍內也可進行適當變更。
11‧‧‧晶圓
11a‧‧‧正面
11b‧‧‧背面
11c‧‧‧外周緣
11d‧‧‧元件區域
11e‧‧‧外周剩餘區域
13‧‧‧分割預定線（切割道）
15‧‧‧元件
17‧‧‧凸塊（凹凸）
21‧‧‧保護膜
23‧‧‧薄片（承載片）
25‧‧‧液狀樹脂
27‧‧‧保護構件
29‧‧‧薄片（離型片）
2‧‧‧緩衝材
4‧‧‧配重
6‧‧‧減壓室
6a‧‧‧箱體
6b‧‧‧門體
8‧‧‧排氣管
10‧‧‧閥門
12‧‧‧吸氣管
14‧‧‧閥門
16‧‧‧支撐台
16a‧‧‧支撐面
16b‧‧‧引導部
18‧‧‧加熱器
22‧‧‧保護構件固定裝置
24‧‧‧保持台
24a‧‧‧凹部
24b‧‧‧吸氣路徑
26‧‧‧紫外線光源
28‧‧‧板
30‧‧‧閥門
32‧‧‧吸引源
34‧‧‧晶圓保持單元
34a‧‧‧下表面
42‧‧‧研削裝置
44‧‧‧保持台（卡盤台）
44a‧‧‧保持面
46‧‧‧研削單元
48‧‧‧主軸
50‧‧‧安裝件
52‧‧‧研削輪
54‧‧‧輪機台
56‧‧‧研削磨石
62‧‧‧晶圓保持單元
62a‧‧‧保持面
64‧‧‧剝離單元
72‧‧‧推壓單元（推壓部）
74‧‧‧緩衝材
82‧‧‧保持台
82a‧‧‧保持面
84‧‧‧加熱器
86‧‧‧滾筒
圖1（A）為示意性表示以保護膜覆蓋晶圓的正面側的樣子之立體圖，圖1（B）表示以保護膜覆蓋正面側狀態的晶圓之立體圖。 圖2（A）為示意性表示將保護膜按壓於晶圓的正面側的樣子之剖面圖，圖2（B）表示使保護膜密著於晶圓的正面側的樣子之剖面圖，圖2（C） 為示意性表示保護膜為密著狀態的晶圓之剖面圖。 圖3（A）為示意性表示透過保護膜按壓晶圓於塗佈在片上之液狀樹脂的樣子之剖面圖，圖3（B）為示意性表示／使液狀樹脂硬化並在晶圓固定液狀樹脂形成的保護構件的樣子之剖面圖，圖3（C）為示意性表示完成的附保護構件晶圓之剖面圖。 圖4（A）為示意性表示晶圓的背面研削的樣子示意剖面圖，圖4（B） 為示意性表示研削後的晶圓之剖面圖。 圖5為示意性表示從晶圓剝離保護膜或保護構件等的樣子之剖面圖。 圖6（A）為示意性表示以保護膜覆蓋晶圓的正面側的狀態之剖面圖，圖6（B）及圖6（C）為用來說明關於第1變形例的保護膜密著步驟之示意剖面圖。 圖7（A）及圖7（B）為用來說明關於第2變形例的保護膜密著步驟之示意剖面圖。

Claims (8)

  1. 一種晶圓加工方法，其特徵在於具備： 保護膜密著步驟，以保護膜覆蓋在正面具有元件區域和外周剩餘區域的晶圓之該外周剩餘區域以外的該元件區域，其中該元件區域上形成具凹凸之元件，該外周剩餘區域圍繞該元件區域，並使該保護膜依照該凹凸密著於該正面側； 附保護構件晶圓形成步驟，以藉由外部刺激而硬化的硬化型液狀樹脂組成之保護構件被覆該保護膜及露出的該外周剩餘區域，並形成以該保護構件覆蓋該晶圓的該正面側之附保護構件晶圓； 研削步驟，在以卡盤台的保持面保持該附保護構件晶圓的該保護構件側的狀態下，研削該晶圓的背面，將該晶圓薄化；以及 剝離步驟，從薄化的該晶圓剝離該保護構件及該保護膜。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓加工方法，其中使該晶圓的外周緣的該正面側進行倒角， 在該附保護構件晶圓形成步驟中，以覆蓋含有部分進行該倒角的該外周緣的該正面側之該晶圓的該正面側之方式，被覆該保護構件。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之晶圓加工方法，其中在該附保護構件晶圓形成步驟中，透過該保護膜按壓該晶圓於塗佈在平坦薄片上之該液狀樹脂後，以外部刺激來硬化該液態樹脂，並在該晶圓固定該液狀樹脂組成的該保護構件。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之晶圓加工方法，其中在該保護膜密著步驟中，於減壓下將該保護膜按壓至該晶圓的該正面後，由大氣壓力使該保護膜依照該凹凸密著。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之晶圓加工方法，其中在該保護膜密著步驟中，藉由透過緩衝材按壓該保護膜，以將該保護膜按壓至該晶圓的該正面側。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之晶圓加工方法，其中在該保護膜密著步驟中，藉由透過緩衝材將配重承載置該保護膜，以將該保護膜按壓至該晶圓的該正面側。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之晶圓加工方法，其中在該保護膜密著步驟中，透過該緩衝材在大氣壓力下將該配重承載於該保護膜後，將承載該配重之該晶圓放入減壓室。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之晶圓加工方法，其中在該保護膜密著步驟中，在該保護膜重疊於該元件區域的狀態下將該晶圓放入減壓室，由該減壓室所具備的推壓部來按壓該保護膜，藉此將該保護膜按壓至該晶圓的該正面側。
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