CN108789025B - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

提供晶片的加工方法，充分抑制凹凸的影响，不需要磨削后追加的作业。该加工方法包含：保护膜紧贴步骤，利用保护膜对在正面上具有器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域的晶片的除了外周剩余区域以外的器件区域进行覆盖，使保护膜效仿凹凸而紧贴在正面侧，其中，在器件区域形成有具有该凹凸的器件；带保护部件的晶片形成步骤，利用由通过外部刺激而硬化的硬化型液态树脂构成的保护部件来包覆保护膜和露出的外周剩余区域，形成晶片的正面侧被保护部件覆盖的带保护部件的晶片；磨削步骤，在利用卡盘工作台的保持面对带保护部件的晶片的保护部件侧进行了保持的状态下磨削晶片的背面而使晶片变薄；和剥离步骤，将保护部件和保护膜从已变薄的晶片剥离。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法，晶片的加工方法在对正面上具有凹凸的晶片进行磨削时使用。
背景技术
为了使组入各种电子设备等的器件芯片小型化、轻量化，将被分割成器件芯片前的晶片加工得较薄的机会增加。例如利用卡盘工作台对晶片的设置有器件的正面侧进行保持并将旋转的磨具工具按压至晶片的背面侧，从而能够对该晶片进行磨削而变薄。
在利用上述那样的方法对晶片进行磨削时，通常在晶片的正面侧粘贴保护部件(例如，参照专利文献1)。由此，能够防止由于磨削时施加的力等使正面侧的器件破损。作为保护部件，例如使用由树脂等材料形成的粘接带或硬度高的基板等。
专利文献1：日本特开平10-50642号公报
但是，大多情况下在该晶片的正面侧因作为器件的电极发挥功能的凸块等而形成有凹凸。当在晶片的正面侧存在凹凸时，无法利用粘接带充分地缓和该凹凸的高低差，会在磨削后的晶片的背面侧出现与凹凸对应的形状。
另一方面，若使用硬度高的基板作为保护部件，则几乎不会产生这样的问题。但是，该基板利用热塑性蜡等粘接剂粘接在晶片上，因此在将基板从磨削后的晶片剥离时，需要增加浸渍于溶液或进行加热之类的仅用于剥离的作业。
发明内容
本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供一种晶片的加工方法，在对晶片的背面侧进行磨削时，充分抑制正面侧所存在的凹凸的影响，同时不需要磨削后的增加的作业。
根据本发明的一个方式，提供晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护膜紧贴步骤，利用保护膜对在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片的除了该外周剩余区域以外的该器件区域进行覆盖，使该保护膜效仿凹凸而紧贴在该正面侧，其中，在所述器件区域中形成有具有所述凹凸的器件；带保护部件的晶片形成步骤，利用由通过外部刺激而硬化的硬化型液态树脂构成的保护部件对该保护膜和露出的该外周剩余区域进行包覆，形成由该保护部件对该晶片的该正面侧进行覆盖的带保护部件的晶片；磨削步骤，在利用卡盘工作台的保持面对该带保护部件的晶片的该保护部件侧进行了保持的状态下，对该晶片的背面进行磨削，使该晶片变薄；以及剥离步骤，将该保护部件和该保护膜从已变薄的该晶片剥离。
在本发明的一个方式中，也可以是，该晶片的外周缘的该正面侧被进行了倒角，在该带保护部件的晶片形成步骤中，按照对包含该被进行了倒角的该外周缘的该正面侧的一部分在内的该晶片的该正面侧进行覆盖的方式包覆该保护部件。
另外，在本发明的一个方式中，也可以是，在该带保护部件的晶片形成步骤中，在隔着该保护膜将该晶片按压至被涂布在平坦的片上的该液态树脂之后，利用外部刺激使该液态树脂硬化而将由该液态树脂构成的该保护部件固定在该晶片上。
另外，在本发明的一个方式中，也可以是，在该保护膜紧贴步骤中，在减压下将该保护膜向该晶片的该正面按压，然后通过大气压使该保护膜效仿该凹凸而紧贴。
另外，在本发明的一个方式中，也可以是，在该保护膜紧贴步骤中，通过隔着缓冲件按压该保护膜而将该保护膜向该晶片的该正面侧按压。
另外，在本发明的一个方式中，也可以是，在该保护膜紧贴步骤中，通过隔着缓冲件将重物载置于该保护膜而将该保护膜向该晶片的该正面侧按压。
另外，在本发明的一个方式中，也可以是，在大气压下隔着该缓冲件将该重物载置于该保护膜，然后将载置有该重物的该晶片投入至减压腔室中。
另外，在本发明的一个方式中，也可以是，在该保护膜紧贴步骤中，在将该保护膜重叠在该器件区域的状态下将该晶片投入至减压腔室中，通过该减压腔室所具有的按压部对该保护膜进行按压，从而将该保护膜向该晶片的该正面侧按压。
在本发明的一个方式的晶片的加工方法中，利用保护膜对形成了具有凹凸的器件的器件区域进行覆盖，使该保护膜效仿凹凸而紧贴在器件区域，然后利用由通过外部刺激进行硬化的硬化型液态树脂构成的保护部件对保护膜和外周剩余区域进行包覆，形成晶片的正面侧被保护部件覆盖的带保护部件的晶片，因此通过将保护部件形成为适当的厚度，能够充分缓和正面侧的凹凸。
另外，在本发明的一个方式的晶片的加工方法中，保护膜仅紧贴在器件区域而未进行粘接，因此即使不进行浸渍于溶液或加热之类的仅用于剥离的作业，也能够将保护部件和保护膜从晶片剥离。这样，根据本发明的一个方式，提供晶片的加工方法，在对晶片的背面侧进行磨削时，充分抑制正面侧所存在的凹凸的影响，同时不需要磨削后追加的作业。
另外，在本发明的一个方式的晶片的加工方法中，利用由通过外部刺激进行硬化的硬化型液态树脂构成的保护部件与保护膜一起对外周剩余区域进行包覆，因此保护部件在外周剩余区域与晶片紧贴。由此，即使使用不具有粘接剂(糊)所带来的粘接力的保护膜，在磨削等时保护膜和保护部件也不会从晶片剥离。
附图说明
图1的(A)是示意性示出利用保护膜将晶片的正面侧覆盖的情况的立体图，图1的(B)是示意性示出正面侧被保护膜覆盖的状态的晶片的立体图。
图2的(A)是示意性示出将保护膜向晶片的正面侧按压的情况的剖视图，图2的(B)是示意性示出使保护膜紧贴在晶片的正面侧的情况的剖视图，图2的(C)是示意性示出保护膜已紧贴的状态的晶片的剖视图。
图3的(A)是示意性示出隔着保护膜将晶片向涂布在片上的液态树脂上按压的情况的剖视图，图3的(B)是示意性示出使液态树脂硬化而将由液态树脂构成的保护部件固定在晶片上的情况的剖视图，图3的(C)是示意性示出已完成的带保护部件的晶片的剖视图。
图4的(A)是示意性示出对晶片的背面进行磨削的情况的剖视图，图4的(B)是示意性示出磨削后的晶片的剖视图。
图5是示意性示出将保护膜、保护部件等从晶片剥离的情况的剖视图。
图6的(A)是示意性示出晶片的正面侧被保护膜覆盖的状态的剖视图，图6的(B)和图6的(C)是用于对第1变形例的保护膜紧贴步骤进行说明的示意性剖视图。
图7的(A)和图7的(B)是用于对第2变形例的保护膜紧贴步骤进行说明的示意性剖视图。
标号说明
11：晶片；11a：正面；11b：背面；11c：外周缘；11d：器件区域；11e：外周剩余区域；13：间隔道；15：器件；17：凸块(凹凸)；21：保护膜；23：片(载片)；25：液态树脂；27：保护部件；29：片(脱离片)；2：缓冲件；4：重物；6：减压腔室；6a：箱体；6b：门体；8：排气管；10：阀；12：进气管；14：阀；16：支承工作台；16a：支承面；16b：引导部；18：加热器；22：保护部件固定装置；24：保持工作台；24a：凹部；24b：进气路；26：紫外线光源；28：板；30：阀；32：吸引源；34：晶片保持单元；34a：下表面；42：磨削装置；44：保持工作台(卡盘工作台)；44a：保持面；46：磨削单元；48：主轴；50：安装座；52：磨削磨轮；54：磨轮基台；56：磨削磨具；62：晶片保持单元；62a：保持面；64：剥离单元；72：按压单元(按压部)；74：缓冲件；82：保持工作台；82a：保持面；84：加热器；86：辊。
具体实施方式
参照附图，对本发明的一个方式的实施方式进行说明。本实施方式的晶片的加工方法包含保护膜紧贴步骤(参照图1的(A)、图1的(B)、图2的(A)、图2的(B)、图2的(C))、带保护部件的晶片形成步骤(参照图3的(A)、图3的(B)、图3的(C))、磨削步骤(参照图4的(A)、图4的(B))以及剥离步骤(参照图5)。
在保护膜紧贴步骤中，首先按照(效仿)设置在晶片的正面侧的凹凸而使不具有粘接剂(糊)所带来的粘接力的保护膜紧贴在晶片的正面侧。在带保护部件的晶片形成步骤中，利用由液态树脂构成的保护部件对保护膜进行包覆，形成晶片的正面侧被保护部件覆盖的带保护部件的晶片。
在磨削步骤中，在利用卡盘工作台的保持面对带保护部件的晶片的保护部件侧进行了保持的状态下对晶片的背面进行磨削。在剥离步骤中，将保护部件和保护膜从已变薄的晶片剥离。以下，对本实施方式的晶片的加工方法进行详细说明。
在本实施方式的晶片的加工方法中，首先进行保护膜紧贴步骤，按照设置在晶片的正面侧的凹凸，使不具有粘接剂所带来的粘接力的保护膜紧贴在晶片的正面侧。具体而言，利用未设置粘接剂的保护膜覆盖晶片的正面侧，然后使该保护膜紧贴在晶片的正面侧。
图1的(A)是示意性示出利用保护膜将晶片的正面侧覆盖的情况的立体图，图1的(B)是示意性示出正面侧被保护膜覆盖的状态的晶片的立体图。如图1的(A)所示，在本实施方式中使用的晶片11例如使用硅(Si)等材料形成为具有正面11a和背面11b的圆盘状。该晶片11的外周缘11c的正面11a侧和背面11b侧进行了倒角。
另外，该晶片11的正面11a侧分为中央的器件区域11d和围绕器件区域11d的外周剩余区域11e。器件区域11d由呈格子状排列的分割预定线(间隔道)13进一步划分为多个区域，在各区域内形成有IC(Integrated Circuit，集成电路)等器件15。在各器件15的正面上设置有作为电极发挥功能的多个凸块(凹凸)17。该凸块17例如由焊料等材料形成。
另外，在本实施方式中，使用由硅等材料形成的圆盘状的晶片11，但对于晶片11的材质、形状、构造、大小等没有限制。也可以使用由其他半导体、陶瓷、树脂、金属等材料形成的晶片11。同样地，对于器件15及凸块17的种类、数量、形状、构造、大小、配置等也没有限制。可以代替凸块17而形成具有其他功能的构造(凹凸)。即，在晶片11的正面11a侧也可以不形成凸块17。
在本实施方式中，首先利用保护膜21覆盖该晶片11的器件区域11d。保护膜21例如是由树脂等材料形成的柔软的膜，形成为具有与器件区域11d对应的直径的圆盘状。即，保护膜21的直径小于晶片11的直径。另外，在该保护膜21上未设置粘接剂。对于保护膜21的厚度没有特别限制，例如使用厚度为30μm～150μm左右的保护膜21即可。
如图1的(A)所示，按照使保护膜21的外周缘与器件区域11d的外周缘一致的方式使保护膜21重叠在晶片11的正面11a侧，从而能够利用保护膜21覆盖晶片11的器件区域11d。即，在该状态下，如图1的(B)所示那样晶片11的外周剩余区域11e露出。
在利用保护膜21覆盖了晶片11的正面11a侧(器件区域11d)之后，使该保护膜21紧贴在晶片11的正面11a侧。图2的(A)是示意性示出将保护膜21向晶片11的正面11a侧按压的情况的剖视图，图2的(B)是示意性示出使保护膜21紧贴在晶片11的正面11a侧的情况的剖视图，图2的(C)是示意性示出保护膜21已紧贴的状态的晶片11的剖视图。
具体而言，首先如图2的(A)所示，在大气压下隔着海绵等缓冲件2将重物4载置于晶片11的正面11a侧(覆盖正面11a侧的保护膜21)，将保护膜21向晶片11的正面11a侧按压。换言之，通过隔着缓冲件2按压保护膜21而将保护膜21向晶片11的正面11a侧按压。其结果是，保护膜21的一部分与晶片11的正面11a侧接触。
接着，如图2的(B)所示，将载置有重物4的状态的晶片11搬入(投入)至减压腔室6中。该减压腔室6例如具有：箱体6a，其具有能够使晶片11通过的大小的开口；以及门体6b，其用于将箱体6a的开口关闭。在箱体6a上经由排气管8及阀10等连接有吸引源(未图示)。另外，在箱体6a上连接有用于吸引空气(大气)的进气管12及阀14。
在箱体6a的内部配置有用于对晶片11进行支承的支承工作台16。该支承工作台16的上表面大致平坦地形成，作为用于对晶片11进行支承的支承面16a发挥功能。在支承面16a上设置有用于对晶片11的位置进行限定的凸状的引导部16b。另外，在支承工作台16的内部设置有加热用的加热器18。
在将载置有重物4的状态的晶片11通过箱体6a的开口而搬入至减压腔室6中并载置于支承工作台16上之后，如图2的(B)所示那样将门体6b关闭，将阀14关闭并且将阀10打开，从而对减压腔室6的内侧的空间进行减压。由此，保护膜21在减压下向晶片11的正面11a侧被按压。另外，残留在晶片11的正面11a与保护膜21之间的气体(空气)被去除。
在对减压腔室6的内侧的空间进行了充分减压之后，将阀10关闭并且将阀14打开，从而将空气(大气)导入至减压腔室6的内侧的空间。由此，使大气压作用于保护膜21，从而如图2的(C)所示那样，能够按照(效仿)设置在晶片11的正面11a侧的凸块17等形状而使保护膜21紧贴在晶片11的正面11a侧。
另外，在使大气压作用于保护膜21时，可以利用加热器18对保护膜21进行加热使其软化。在该情况下，更容易使保护膜21紧贴在晶片11上。
在保护膜紧贴步骤之后，进行带保护部件的晶片形成步骤，利用由液态树脂构成的保护部件对保护膜21进行包覆，形成晶片11的正面11a侧被保护部件覆盖的带保护部件的晶片。
图3的(A)是示意性示出隔着保护膜将晶片11向涂布在片上的液态树脂上按压的情况的剖视图，图3的(B)是示意性示出使液态树脂硬化而将由液态树脂构成的保护部件固定在晶片11上的情况的剖视图，图3的(C)是示意性示出已完成的带保护部件的晶片的剖视图。另外，在图3的(A)和图3的(B)中，将一部分的结构要素用功能块表示。
本实施方式的带保护部件的晶片形成步骤例如使用图3的(A)和图3的(B)所示的保护部件固定装置22来进行。保护部件固定装置22具有用于对由树脂等形成的大致平坦的片(载片)23进行保持的保持工作台24。在保持工作台24的上表面侧形成有直径比晶片11大的圆形的凹部24a。
在凹部24a的内侧配置有紫外线光源26。该凹部24a的上端被板28覆盖，该板28使从紫外线光源26放射的紫外线的至少一部分透过，片23的中央侧的一部分被板28支承。用于对片23的外周侧的一部分进行吸引的进气路24b的一端侧在凹部24a的周围开口。
进气路24b的另一端侧经由阀30等与吸引源32连接。通过进气路24b使吸引源32的负压作用于片23的外周侧的一部分，从而片23被保持于保持工作台24。在该保持工作台24的上方配置有用于对晶片11进行吸引、保持的晶片保持单元34。晶片保持单元34被移动机构(未图示)支承，一边在其下表面34a侧对晶片11进行吸引、保持，一边在铅垂方向上移动。
在带保护部件的晶片形成步骤中，如图3的(A)所示，通过保持工作台24对在上表面上涂布有液态树脂25的片23的下表面侧进行保持。另外，在晶片保持单元34的下表面34a侧对晶片11的背面11b侧进行保持。由此，紧贴在晶片11的正面11a侧的保护膜21与片23上的液态树脂25面对。
作为该液态树脂25，例如使用通过从紫外线光源26放射的紫外线而硬化的硬化型液态树脂。具体而言，例如可以使用电化株式会社制造的TEMPLOC(注册商标)等。另外，在本实施方式中，通过保持工作台24对在上表面上涂布有液态树脂25的状态的片23进行保持，但也可以在通过保持工作台24对片23进行保持之后，在片23的上表面上涂布液态树脂25。
接着，使晶片保持单元34下降，如图3的(B)所示那样隔着保护膜21将晶片11的正面11a侧向液态树脂25按压。由此，液态树脂25在晶片11的径向上扩展，并且对保护膜21和外周剩余区域11e进行包覆。另外，在本实施方式中，调整液态树脂25的涂布量、晶片保持单元34的下降量等，以便使进行了倒角的外周缘11c的正面11a侧的一部分被液态树脂25覆盖。
然后，从紫外线光源26放射紫外线而使液态树脂25硬化。由此，如图3的(C)所示，将由液态树脂25构成的、对保护膜21和外周剩余区域11e进行包覆的保护部件27固定在晶片11的正面11a侧，能够形成晶片11的正面11a侧被保护部件27覆盖的带保护部件的晶片。另外，在本实施方式中，进行了倒角的外周缘11c的正面11a侧的一部分也被保护部件27覆盖。
在带保护部件的晶片形成步骤之后，进行磨削步骤，对晶片11的背面11b进行磨削。图4的(A)是示意性示出对晶片11的背面11b进行磨削的情况的剖视图，
图4的(B)是示意性示出磨削后的晶片11的剖视图。
磨削步骤例如使用图4的(A)所示的磨削装置42来进行。磨削装置42具有用于对晶片11进行吸引、保持的保持工作台(卡盘工作台)44。保持工作台44与电动机等旋转驱动源(未图示)连结，绕与铅垂方向大致平行的旋转轴旋转。另外，在保持工作台44的下方设置有移动机构(未图示)，保持工作台44通过该移动机构在水平方向上移动。
保持工作台44的上表面的一部分成为对隔着保护部件27固定在晶片11的片23进行吸引、保持的保持面44a。保持面44a经由形成在保持工作台44的内部的进气路(未图示)等而与吸引源(未图示)连接。使吸引源的负压作用于保持面44a，从而晶片11隔着片23和保护部件27被保持于保持工作台44。
在保持工作台44的上方配置有磨削单元46。磨削单元46具有被升降机构(未图示)支承的主轴壳体(未图示)。在主轴壳体中收纳主轴48，在主轴48的下端部固定有圆盘状的安装座50。
在安装座50的下表面上安装有与安装座50大致相同直径的磨削磨轮52。磨削磨轮52具有由不锈钢、铝等金属材料形成的磨轮基台54。在磨轮基台54的下表面上呈环状排列有多个磨削磨具56。
在主轴48的上端侧(基端侧)连结有电动机等旋转驱动源(未图示)，磨削磨轮52通过从该旋转驱动源产生的力，绕与铅垂方向大致平行的旋转轴旋转。在磨削单元46的内部或附近设置有用于将纯水等磨削液提供至晶片11等的喷嘴(未图示)。
在磨削步骤中，首先使晶片11吸引、保持于磨削装置42的保持工作台44。具体而言，使隔着保护部件27固定在晶片11上的片23与保持工作台44的保持面44a接触，并作用吸引源的负压。由此，晶片11在背面11b侧向上方露出的状态下被保持于保持工作台44。
接着，使保持工作台44向磨削单元46的下方移动。然后，如图4的(A)所示，分别使保持工作台44和磨削磨轮52旋转，一边对晶片11的背面11b等提供磨削液，一边使主轴壳体(主轴48、磨削磨轮52)下降。
主轴壳体的下降速度(下降量)被调整成将磨削磨具56的下表面按压至晶片11的背面11b侧的程度。由此，能够对背面11b侧进行磨削而使晶片11变薄。如图4的(B)所示，当晶片11变薄至规定的厚度(完工厚度)时，磨削步骤结束。
另外，在本实施方式中，使用1组磨削单元46对晶片11的背面11b侧进行了磨削，但也可以使用2组以上的磨削单元对晶片11进行磨削。在该情况下，例如使用由直径大的磨粒构成的磨削磨具进行粗磨削，使用由直径小的磨粒构成的磨削磨具进行精磨削，从而不会大幅增长磨削所需的时间而能够提高背面11b的平坦性。
在磨削步骤之后，进行剥离步骤，将保护膜21、保护部件27等从已变薄的晶片11剥离。图5是示意性示出将保护膜21、保护部件27等从晶片11剥离的情况的剖视图。在该剥离步骤中，首先利用晶片保持单元62的保持面62a对晶片11的背面11b侧进行吸引、保持。
接着，利用剥离单元64对片23的端部进行把持。然后，使晶片保持单元62和剥离单元64相对地移动，以便将片23的端部侧从晶片11剥离。由此，如图5所示，能够将保护膜21、片23和保护部件27一并从晶片11剥离。
如上所述，在本实施方式的晶片的加工方法中，利用保护膜21将形成了具有凸块(凹凸)17的器件15的器件区域11d覆盖，按照(效仿)凸块17等的形状而使该保护膜21紧贴在器件区域11d，然后利用由因紫外线(外部刺激)而硬化的硬化型液态树脂25构成的保护部件27对保护膜11和外周剩余区域11e进行包覆，形成晶片11的正面11a侧被保护部件27覆盖的带保护部件的晶片，因此通过将保护部件27形成为适当的厚度，能够充分缓和正面11侧的凹凸。
另外，在本实施方式的晶片的加工方法中，保护膜21仅紧贴在器件区域11d而未进行粘接，因此即使不进行浸渍于溶液或加热之类的仅用于剥离的作业，也能够将保护部件27和保护膜21从晶片11剥离。这样，根据本实施方式，提供一种晶片的加工方法，在对晶片11的背面11b侧进行磨削时，充分抑制正面11a侧所存在的凸块17等凹凸的影响，同时不需要磨削后追加的作业。
另外，在本实施方式的晶片的加工方法中，利用由因紫外线而硬化的硬化型液态树脂25构成的保护部件27与保护膜21一起对外周剩余区域11e进行包覆，因此保护部件27在外周剩余区域11e与晶片11紧贴。由此，即使使用不具有粘接剂(糊)所带来的粘接力的保护膜21，在磨削等时保护膜21和保护部件27也不会从晶片11剥离。
另外，本发明不限于上述实施方式的记载，可以进行各种变更并实施。例如在上述实施方式中，作为液态树脂25，使用了因紫外线而硬化的硬化型树脂，但也可以使用因紫外线以外的外部刺激(例如热等)而硬化的硬化型液态树脂。
另外，在上述实施方式中，利用隔着保护膜21将晶片11向涂布在片23上的液态树脂25按压的方法将保护部件27固定在晶片11上，但也可以利用对晶片或保护膜滴加液态树脂的方法将保护部件固定在晶片上。在该情况下，期望使用平整机(surface planer)等对保护部件的表面进行平坦化。这样，通过对磨削晶片时所保持的保护部件的表面进行平坦化，能够对作为被磨削面的晶片的背面进行磨削而使其变得平坦。
另外，在上述实施方式中，在隔着缓冲件2将重物4载置于晶片11的正面11a侧(覆盖正面11a侧的保护膜21)并将保护膜21向晶片11的正面11a侧按压之后使其紧贴，但也可以利用其他方法使保护膜21紧贴在晶片11的正面11a侧。
图6的(A)是示意性示出晶片11的正面11a侧被保护膜21覆盖的状态的剖视图，图6的(B)和图6的(C)是用于对第1变形例的保护膜紧贴步骤进行说明的示意性剖视图。
在该第1变形例的保护膜紧贴步骤中，首先按照与上述实施方式的保护膜紧贴步骤同样的步骤，如图6的(A)所示，使保护膜21重叠在晶片11的正面11a侧(器件区域11d)，利用该保护膜21覆盖晶片11的正面11a侧。接着，如图6的(B)所示，将晶片11搬入(投入)至减压腔室6中。
如图6的(B)所示，在第1变形例的保护膜紧贴步骤中使用的减压腔室6的基本结构与在上述实施方式的保护膜紧贴步骤中使用的减压腔室6的结构相同。不过，在第1变形例的保护膜紧贴步骤中使用的减压腔室6中，在门体6b的内侧壁面设置有用于将保护膜21向晶片11按压的按压单元(按压部)72。另外，在按压单元72的位于支承工作台16侧的面上配置有海绵等缓冲件74。
因此，如图6的(B)和图6的(C)所示，当将晶片11载置于减压腔室6的支承工作台16并将门体6b关闭时，保护膜21隔着缓冲件74被按压单元72按压。由此，保护膜21向晶片11的正面11a侧被按压。即，保护膜21的一部分与晶片11的正面11a侧接触。
接着，如图6的(C)所示，通过将阀14关闭并且将阀10打开，对减压腔室6的内侧的空间进行减压。由此，保护膜21在减压下向晶片11的正面11a侧被按压。另外，残留在晶片11的正面11a与保护膜21之间的气体(空气)被去除。
在对减压腔室6的内侧的空间进行了充分减压之后，将阀10关闭并且将阀14打开，从而将空气(大气)导入至减压腔室6的内侧的空间。由此，使大气压作用于保护膜21，能够按照(效仿)设置于晶片11的正面11a侧的凸块17等形状而使保护膜21紧贴在晶片11的正面11a侧。
图7的(A)和图7的(B)是用于对第2变形例的保护膜紧贴步骤进行说明的示意性剖视图。在第2变形例的保护膜紧贴步骤中，首先利用保持工作台82的保持面82a对晶片11的背面11b侧进行保持。保持工作台82的基本结构可以与保持工作台44的结构等相同。不过，在该保持工作台82的内部设置有加热用的加热器84。
接着，使被保持在片(脱离片)29的下表面侧的状态下的保护膜21与晶片11的正面11a侧(器件区域11d)面对，利用辊86对脱离片29的上表面侧进行按压。此时，可以预先利用加热器84对保护膜21进行加热使其软化。由此，能够将保护膜21重叠在晶片11的正面11a侧，利用保护膜21将晶片11的器件区域11d覆盖。
另外，使用了该辊86的包覆作业可以在减压腔室6内进行。在利用保护膜21覆盖了晶片11的正面11a侧(器件区域11d)之后，按照与上述实施方式或第1变形例同样的步骤，使该保护膜21紧贴在晶片11的正面11a侧。
除此之外，上述实施方式和变形例的构造、方法等只要不脱离本发明的目的的范围，则可以适当变更并实施。

Claims (8)

1.一种晶片的加工方法，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：
保护膜紧贴步骤，利用保护膜对在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片的除了该外周剩余区域以外的该器件区域进行覆盖，使该保护膜效仿凹凸而紧贴在该正面侧，其中，在所述器件区域中形成有具有所述凹凸的器件；
带保护部件的晶片形成步骤，利用由通过外部刺激而硬化的硬化型液态树脂构成的保护部件对该保护膜和露出的该外周剩余区域进行包覆，形成由该保护部件对该晶片的该正面侧进行覆盖的带保护部件的晶片；
磨削步骤，在利用卡盘工作台的保持面对该带保护部件的晶片的该保护部件侧进行了保持的状态下，对该晶片的背面进行磨削，使该晶片变薄；以及
剥离步骤，在磨削步骤之后，直接将该保护部件和该保护膜从已变薄的该晶片剥离。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，
该晶片的外周缘的该正面侧被进行了倒角，
在该带保护部件的晶片形成步骤中，按照对包含该被进行了倒角的该外周缘的该正面侧的一部分在内的该晶片的该正面侧进行覆盖的方式包覆该保护部件。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在该带保护部件的晶片形成步骤中，在隔着该保护膜将该晶片按压至被涂布在平坦的片上的该液态树脂之后，利用外部刺激使该液态树脂硬化而将由该液态树脂构成的该保护部件固定在该晶片上。
4.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在该保护膜紧贴步骤中，在减压下将该保护膜向该晶片的该正面按压，然后通过大气压使该保护膜效仿该凹凸而紧贴。
5.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在该保护膜紧贴步骤中，通过隔着缓冲件按压该保护膜而将该保护膜向该晶片的该正面侧按压。
6.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在该保护膜紧贴步骤中，通过隔着缓冲件将重物载置于该保护膜而将该保护膜向该晶片的该正面侧按压。
7.根据权利要求6所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在该保护膜紧贴步骤中，在大气压下隔着该缓冲件将该重物载置于该保护膜，然后将载置有该重物的该晶片投入至减压腔室中。
8.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在该保护膜紧贴步骤中，在将该保护膜重叠在该器件区域的状态下将该晶片投入至减压腔室中，通过该减压腔室所具有的按压部对该保护膜进行按压，从而将该保护膜向该晶片的该正面侧按压。
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