TW201838197A - 具有紫外線受光元件的半導體裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

第一半導體受光元件1a及第二半導體受光元件1b具備：形成於N型半導體基板11的第一P型半導體區域21；形成於第一P型半導體區域21內的第二N型半導體區域22；形成於第一P型半導體區域21內的高濃度P型半導體區域23；以及設於第二N型半導體區域22內的高濃度N型半導體區域24，半導體基板11上設有絕緣氧化膜31。第一半導體受光元件1a及第二半導體受光元件1b形成有不同膜厚的絕緣氧化膜31。

Description

具有紫外線受光元件的半導體裝置及其製造方法
本發明是有關於具有紫外線受光元件的半導體裝置及其製造方法。
近年來，太陽光中所含的、波長400 nm以下的紫外線帶給人體或環境的影響受到關注，從而提供有使用作為紫外線量的指標的紫外線（ultraviolet，UV）指標（index）的紫外線資訊。紫外線根據波長而分類為UV-A（波長315 nm～400 nm）、UV-B（波長280 nm～315 nm）、UV-C（波長200 nm～280 nm）。UV-A使皮膚黑化，成為老化的原因，UV-B引起皮膚的炎症，有成為皮膚癌的原因之虞，UV-C雖然被臭氧（ozone）層吸收不會到達地表但是具有強的殺菌作用，正作為殺菌燈得到靈活應用。於此種背景下，近年來，對開發各紫外線區域的強度檢測用感測器的期待已提高。
為了僅對紫外線的波長區域持有檢測感度，提出有積層多層折射率不同的薄膜層的多層膜光學濾光片（filter）（例如，參照專利文獻1）或吸收紫外光的有機膜濾光片（例如，參照專利文獻2）的靈活應用等而且，提出有藉由積層透過紫外光的氮化矽（SiN）層的受光元件與積層不透過紫外光的SiN層的受光元件的差分特性，而僅對紫外線的波長區域持有感度的元件（例如，參照專利文獻3）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平5-341122號公報 [專利文獻2]日本專利特開2016-111142號公報 [專利文獻3]日本專利特開2008-251709號公報
[發明所欲解決之課題] 然而，多層膜光學濾光片或有機膜濾光片的製造製程與通常的半導體製造製程不同，步驟數非常多而使成本變高。進而，有機膜濾光片的情況下，若長時間照射能量強的短波長紫外光，則有產生組成變化的可能性。而且，若於光電二極體（Photo diode）上存在不同種類的膜，則有時於膜彼此的界面產生光的反射･干涉，並於輸出產生波紋（ripple）。
本發明是鑒於所述情況而成，目的在於提供一種具有雖然為單層但對紫外光有耐性的絕緣膜的二極體型的具有紫外線受光元件的半導體裝置及其製造方法。 [解決課題之手段]
為了解決所述課題，本發明使用以下手段。 首先，為一種具有紫外線受光元件的半導體裝置，其具備第一半導體受光元件及第二半導體受光元件，所述具有紫外線受光元件的半導體裝置的特徵在於： 所述第一半導體受光元件具備具有PN接合的第一光電二極體，所述PN接合包括：形成於半導體基板的第一第一導電型半導體區域及形成於所述第一第一導電型半導體區域內的第二第二導電型半導體區域，所述第二半導體受光元件具備具有與所述第一光電二極體相同的構成的第二光電二極體， 所述第一半導體受光元件於所述第一光電二極體上具有膜厚為50 nm～90 nm的第一絕緣氧化膜，所述第二半導體受光元件於所述第二光電二極體上具有膜厚較所述第一絕緣氧化膜的膜厚薄20 nm～40 nm的第二絕緣氧化膜。
而且，為一種具有紫外線受光元件的半導體裝置的製造方法，其中所述具有紫外線受光元件的半導體裝置具備第一半導體受光元件及第二半導體受光元件，所述具有紫外線受光元件的半導體裝置的製造方法的特徵在於包括： 於所述第一半導體受光元件及所述第二半導體受光元件的形成區域， 於半導體基板形成第一第一導電型半導體區域的步驟； 於所述第一第一導電型半導體區域內設置第二第二導電型半導體區域，分別形成具有所述第一第一導電型半導體區域與所述第二第二導電型半導體區域的PN接合的第一光電二極體及第二光電二極體的步驟； 於所述第一半導體受光元件的所述第一光電二極體上形成膜厚為50 nm～90 nm的第一絕緣氧化膜的步驟； 於所述第二半導體受光元件的所述第二光電二極體上形成膜厚較所述第一絕緣氧化膜薄20 nm～40 nm的第二絕緣氧化膜的步驟； 於所述第一絕緣氧化膜及所述第二絕緣氧化膜上形成配線的步驟。 [發明的效果]
藉由使用所述手段，可提供一種具有雖然為單層但對紫外光有耐性的絕緣膜的二極體型的具有紫外線受光元件的半導體裝置及其製造方法。
以下，參照圖式對本發明的實施形態進行說明。 [實施例1]
圖1是本發明的第1實施形態的具有紫外線受光元件的半導體裝置的平面圖，圖2是第1實施形態的具有紫外線受光元件的半導體裝置的剖面圖。圖2是沿圖1的II-II線的剖面圖。
圖1中，具有紫外線受光元件的半導體裝置1包括第一半導體受光元件1a及第二半導體受光元件1b。第一半導體受光元件1a及第二半導體受光元件1b均分別具備：形成於N型半導體基板11的第一P型半導體區域21；形成於第一P型半導體區域21內的第二N型半導體區域22；形成於第一P型半導體區域21內的高濃度P型半導體區域23；以及設於第二N型半導體區域22內的高濃度N型半導體區域24，半導體基板11上設有包括例如氧化矽膜的絕緣氧化膜31。
形成於絕緣氧化膜31中的陰極（cathode）電極41經由高濃度N型半導體區域24而連接於第二N型半導體區域22，陽極（anode）電極42經由高濃度P型半導體區域23而連接於第一P型半導體區域21。而且，因陽極電極42與半導體基板11連接，所以第一P型半導體區域21連接於接地端子。順便而言，本發明的第1實施形態中，第一P型半導體區域21的接合深度為0.8 μm，第二N型半導體區域22的接合深度為0.3 μm。
第一半導體受光元件1a及第二半導體受光元件1b中分別所設的光電二極體51具有包括第二N型半導體區域22及第一P型半導體區域21的PN接合的結構。藉由以相對於陽極電極42而陰極電極41的電位變高的方式施加偏壓（bias），於第二N型半導體區域22與第一P型半導體區域21的界面處空乏層擴展，所述空乏層作為用以取入電荷的紫外線感知區域而發揮功能。
此處，第一半導體受光元件1a及第二半導體受光元件1b於半導體基板11內的結構相同，但是於形成於半導體基板11上的絕緣氧化膜31設有不同。即，第一半導體受光元件1a中，將絕緣氧化膜31的厚度設為90 nm至50 nm。與此相對，第二半導體受光元件1b中，絕緣氧化膜31的厚度以較第一半導體受光元件1a的絕緣氧化膜31的厚度變薄20 nm～40 nm的方式形成。
當光入射至具有紫外線受光元件的半導體裝置1時，入射光的一部分被絕緣氧化膜31吸收，剩餘的一部分於絕緣氧化膜31與半導體基板11的界面被反射，因此入射光稍許衰減之後到達半導體基板11。並且，入射光的各波長成分依照光能於半導體基板11內產生載子（carrier）。產生的載子若於半導體基板11內擴散，並到達包括第一P型半導體區域21及第二N型半導體區域22的PN接合的空乏層區域，則藉由空乏層內的電場，向高濃度P型半導體區域23或高濃度N型半導體區域24即端子移動，並自配線61以電壓或電流的形式輸出。另外，於半導體基板11的深部產生的載子不到達PN接合的空乏層區域而是流向基板因此不參與輸出。
圖3中示出矽基板及氧化矽膜的折射率n，圖4中示出矽基板及氧化矽膜消光係數k。將根據所述兩個係數計算出的、具有80 nm的絕緣氧化膜31的第一半導體受光元件1a及具有60 nm的絕緣氧化膜31的第二半導體受光元件1b中的光的透過率的波長依存性、及他們的差分特性示於圖5。差分特性表示自絕緣氧化膜31薄的第二半導體受光元件1b的透過率減去絕緣氧化膜31厚的第一半導體受光元件1a的透過率的值，示出於250 nm～400 nm的紫外線波長區域具有峰值（peak）的特性。實際的輸出是到達半導體基板11的光子產生載子的內部量子效率與透過率的積，但第一半導體受光元件1a與第二半導體受光元件1b這兩者的PN接合的光電二極體結構相同，因此內部量子效率相等，僅絕緣氧化膜31的厚度不同，因此所述透過率的差直接成為輸出的差。
如圖5所示，具有80 nm的氧化矽膜作為絕緣氧化膜31的第一半導體受光元件1a難以透過250 nm～400 nm的波長的光，作為絕緣氧化膜31的氧化矽膜薄20 nm的第二半導體受光元件1b相較於第一半導體受光元件1a而易於透過250 nm～400 nm的光，因此，藉由取得所述差分，可獲得僅對250 nm～400 nm的紫外線區域的特定光持有感度的特性。於400 nm以上的可見光的波段，差分大致相同。
而且，於本結構中，因於光電二極體51上僅以單層形成絕緣氧化膜31，因此亦有可減小光干涉的影響這一效果。並且，因絕緣氧化膜31為氧化矽膜這一穩定的材料，所以可成為對紫外線具有長期耐性的具有紫外線受光元件的半導體裝置1。
只要第一半導體受光元件1a的絕緣氧化膜31的厚度為50 nm～90 nm，與此成對的第二半導體受光元件1b的絕緣氧化膜31的厚度為較第一半導體受光元件1a的絕緣氧化膜31的厚度變薄20 nm～40 nm這樣的範圍，更佳為第一半導體受光元件1a的絕緣氧化膜31的厚度為60 nm～80 nm，與此成對的第二半導體受光元件1b的絕緣氧化膜31的厚度較第一半導體受光元件1a的絕緣氧化膜31的厚度變薄20 nm～40 nm這樣的範圍，則可獲得與圖5所示的透過率或差分特性相同的特性。
於第一半導體受光元件1a中將絕緣氧化膜31的厚度設為50 nm至90 nm是因為：若厚於90 nm，則因干涉的影響，表示可見光區域中的透過率的曲線變為不平坦，並且變得呈現對膜厚的依存性，於取得與變薄20 nm～40 nm的第二半導體受光元件1b的絕緣氧化膜31的差分的情況下，無法獲得所述那樣的可見光區域中的同樣的差分特性。設為50 nm以上是為了能夠取得與第二半導體受光元件1b的絕緣氧化膜31的差分。
進而，將第二半導體受光元件1b的絕緣氧化膜31的厚度設為較第一半導體受光元件1a的絕緣氧化膜31的厚度變薄20 nm～40 nm那樣的範圍是為了使UV波長帶中的差分變大。
其次，對用以獲得本發明的第1實施形態中的具有紫外線受光元件的半導體裝置1的製造方法進行說明。 首先，於半導體基板11內利用離子注入及熱擴散處理形成第一P型半導體區域21，接著，利用同樣的方法於第一P型半導體區域21內形成第二N型半導體區域22，從而形成具有第一P型半導體區域21與第二N型半導體區域22的PN接合的光電二極體51。並且，於形成第一半導體受光元件1a的區域形成相對厚的絕緣氧化膜31，於形成第二半導體受光元件1b的區域形成相對薄的絕緣氧化膜31。
對於形成這樣的厚度不同的絕緣氧化膜31，存在多種方法。例如，首先於第一半導體受光元件1a及第二半導體受光元件1b的半導體基板上形成50 nm～80 nm以下的相同厚度的氧化膜，接著，將第二半導體受光元件1b的表面的絕緣氧化膜藉由蝕刻（etching）減少20 nm～40 nm，藉由這一方法能夠形成不同膜厚的絕緣氧化膜31。作為蝕刻方法，藉由使用濕式蝕刻（wet etching）可製成表面無蝕刻殘渣的優質絕緣氧化膜31，而較佳。並且，於形成絕緣氧化膜31後為形成配線的步驟，但那時，要求不使配線61重疊於受光區域。
圖2是於配線形成步驟後進行了減少第二半導體受光元件1b的絕緣氧化膜31的厚度的處理時的半導體裝置的剖面圖，配線61的端部下的絕緣氧化膜31產生了階差。與此相對，於配線形成步驟前進行了減少第二半導體受光元件1b的絕緣氧化膜31的厚度的處理的情況下，可使配線61下的絕緣氧化膜31自身的膜厚與配線61間的受光區域的絕緣氧化膜31的厚度相同，因此不形成階差，而能夠抑制自階差部侵入的斜光的影響。
於配線形成後，形成包覆第一半導體受光元件1a與第二半導體受光元件1b的表面的包括氮化矽膜等的保護膜，但較佳為僅於光電二極體51正上方以外的區域，即受光區域外積層保護膜等。光電二極體51正上方的絕緣氧化膜31的表面無保護膜，以與大氣接觸的方式構成。 [實施例2]
圖6是本發明的第2實施形態的具有紫外線受光元件的半導體裝置的剖面圖。圖5中，示出了於250 nm～400 nm的紫外線波長區域具有峰值的差分特性，另一方面，紫外線波長區域外的其他波長區域中的差分顯示負的特性值，第一半導體受光元件1a與第二半導體受光元件1b未成為相同的特性。第2實施形態是為了解決所述方面者。
於圖2所示的第1實施形態中，使第一半導體受光元件1a與第二半導體受光元件1b的受光區域的大小相同，但於藉由圖6所示的第2實施形態中，使第一半導體受光元件1a的受光區域的配線開口寬度6a與第二半導體受光元件1b的受光區域的配線開口寬度6b為不同的大小。藉此，使第一半導體受光元件1a與第二半導體受光元件1b的受光區域的大小不同。
例如，於如圖5所示紫外線波長區域以外的波長區域中的差分為負的特性值的情況下，藉由使配線開口寬度6a小於配線開口寬度6b，第一半導體受光元件1a的受光區域的大小變得小於第二半導體受光元件1b的受光區域的大小，從而能夠使紫外線波長區域以外的其他波長區域中的第一半導體受光元件1a與第二半導體受光元件1b的差分接近零。
如此，藉由調整半導體受光元件的受光區域的大小使紫外線波長區域外的其他波長區域下的半導體受光元件的透過率相等，從而能夠僅獲得目標紫外線區域中的差分特性。 [實施例3]
圖7是本發明的第3實施形態的具有紫外線受光元件的半導體裝置的剖面圖。對與圖2相對應的部分標註相同的符號。第3實施形態與圖2所示的第1實施形態的不同點在於：於第二N型半導體區域22上的半導體基板表面形成第三P型半導體區域25，促進於半導體基板表面附近產生的載子的取入。
於所述結構中，光電二極體51具有第二N型半導體區域22與第一P型半導體區域21的PN接合及第三P型半導體區域25與第二N型半導體區域22的PN接合這兩者。於前者的第二N型半導體區域22與第一P型半導體區域21的PN接合附近的空乏層捕獲波長相對長的紫外線引起的載子，與此相對，於後者的第三P型半導體區域25與第二N型半導體區域22的PN接合附近的空乏層捕獲波長相對短的紫外線引起的載子，藉此，能夠提升於半導體基板表面附近吸收的短波長成分的內部量子效率。另外，於第二N型半導體區域22上的半導體基板表面形成第三P型半導體區域25的結構於第一半導體受光元件1a與第二半導體受光元件1b中相同。 [實施例4]
圖8是本發明的第4實施形態的具有紫外線受光元件的半導體裝置的剖面圖。第4實施形態與圖2所示的第1實施形態的不同點在於：不形成第一P型半導體區域21而使用P型半導體基板12，成為所述P型半導體基板12與第二N型半導體區域26的接合形成的光電二極體結構。 [實施例5]
圖9是本發明的第5實施形態的具有紫外線受光元件的半導體裝置的剖面圖。對與圖2相對應的部分標註相同的符號。圖5中，示出了於250 nm～400 nm的紫外線波長區域具有峰值的差分特性，同時，紫外線波長區域外的其他波長區域中的差分顯示負的特性值，於其他波長區域中，第一半導體受光元件1a與第二半導體受光元件1b未必為相同的特性。本實施形態是為了解決所述問題者。
第5實施形態與圖2所示的第1實施形態的不同點在於：於半導體基板11的深部，即半導體基板11的靠近背面的位置形成了變質層71。400 nm以上的可見光區域的光到達半導體基板11的深處，於半導體基板11的深處位置產生載子，所述載子擴散而於空乏層被捕獲，藉此獲得可見光區域中的輸出，但藉由於深部形成變質層71從而獲得於可見光區域中不產生載子而於紫外光區域中產生載子的半導體受光元件。圖9中，圖示了變質層71埋入形成於半導體基板11內的結構，但亦可為所述變質層71露出於半導體基板11的背面的結構。
本實施形態中，於變質層71的形成方法中使用雷射照射。從半導體晶圓（wafer）的背面對半導體晶圓照射具有透過性的波長的雷射光，並利用物鏡光學系統以聚焦於半導體晶圓的內部的方式聚光。藉由將聚光點對準半導體晶圓內部的規定深度，從而藉由多光子吸收形成變質層71。於本發明的具有紫外線受光元件的半導體裝置1中，使第一半導體受光元件1a與第二半導體受光元件1b的半導體基板11內的結構相同，因此，設為於第一半導體受光元件1a與第二半導體受光元件1b這兩者的區域中設置相同的變質層71的構成。
於如圖9所示於大範圍形成變質層71的情況下，對半導體晶圓整個面掃描雷射光即可。於形成變質層71的深度涉及大範圍時，於形成變質層71的區域的深度方向設置多個聚焦的聚光點並多次掃描，即形成於深度方向具有厚度的變質層71。於本發明的實施形態的具有紫外線受光元件的半導體裝置1中，於半導體基板11的深的位置產生的載子於變質層71被捕集，再結合後消失。長波長成分的內部量子效率變低，因此能夠有選擇地抽出僅紫外光區域的差分特性。
變質層71的深度根據期望的波長任意地設定。例如，欲僅抽出波長400 nm以下的差分特性時，變質層71的深度較佳為形成為自半導體晶圓的表面起1 μm～100 μm的深度。此範圍的深度對作為可見光區域的400 nm～1000 nm的光吸收效率大，對載子的消失有效。
亦可取代雷射照射而使用離子注入法形成變質層71，但此時，較佳為預先藉由背磨（back grind）使半導體晶圓的厚度變薄後自半導體基板的背面以高能量進行離子注入而形成變質層71。此時，不需要離子注入後的退火（anneal）等與變質層71的結晶性恢復相關的處理。
進而，亦可取代雷射照射而使用背磨形成變質層71。若進行背磨則於半導體基板的背面會形成破碎層，於通常的製程中，為了去除所述破碎層而以細磨石進行研磨並施以化學處理，但藉由對半導體基板的背面以粗磨石進行研磨並清洗，可殘存膜厚厚的破碎層，這有助於因長波長成分而產生的載子的藉由再結合的消失。
1‧‧‧具有紫外線受光元件的半導體裝置
1a‧‧‧第一半導體受光元件
1b‧‧‧第二半導體受光元件
6a‧‧‧第一受光區域的配線開口寬度/配線開口寬度
6b‧‧‧第二受光區域的配線開口寬度/配線開口寬度
11‧‧‧N型半導體基板/半導體基板
12‧‧‧P型半導體基板
21‧‧‧第一P型半導體區域
22、26‧‧‧第二N型半導體區域
23、27‧‧‧高濃度P型半導體區域
24、28‧‧‧高濃度N型半導體區域
25‧‧‧第三P型半導體區域
31‧‧‧絕緣氧化膜
41‧‧‧陰極電極
42‧‧‧陽極電極
51‧‧‧光電二極體
61‧‧‧配線
71‧‧‧變質層
圖1是本發明的第1實施形態的具有紫外線受光元件的半導體裝置的平面圖。 圖2是本發明的第1實施形態的具有紫外線受光元件的半導體裝置的剖面圖。 圖3是表示矽（silicon）基板及氧化矽膜對各波長的折射率n的圖。 圖4是表示矽基板及氧化矽膜對各波長的消光係數k的圖。 圖5是表示本發明的第1實施形態的具有紫外線受光元件的半導體裝置的透過率的圖。 圖6是本發明的第2實施形態的具有紫外線受光元件的半導體裝置的剖面圖。 圖7是本發明的第3實施形態的具有紫外線受光元件的半導體裝置的剖面圖。 圖8是本發明的第4實施形態的具有紫外線受光元件的半導體裝置的剖面圖。 圖9是本發明的第5實施形態的具有紫外線受光元件的半導體裝置的剖面圖。

Claims (12)

  1. 一種具有紫外線受光元件的半導體裝置，其具備第一半導體受光元件及第二半導體受光元件，所述具有紫外線受光元件的半導體裝置的特徵在於： 所述第一半導體受光元件具備具有PN接合的第一光電二極體，所述PN接合包括：形成於半導體基板的第一第一導電型半導體區域及形成於所述第一第一導電型半導體區域內的第二第二導電型半導體區域，所述第二半導體受光元件具備具有與所述第一光電二極體相同的構成的第二光電二極體， 所述第一半導體受光元件於所述第一光電二極體上具有膜厚為50 nm～90 nm的第一絕緣氧化膜，所述第二半導體受光元件於所述第二光電二極體上具有膜厚較所述第一絕緣氧化膜的膜厚薄20 nm～40 nm的第二絕緣氧化膜。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的具有紫外線受光元件的半導體裝置，其中，所述第一半導體受光元件的第一受光區域的大小與所述第二半導體受光元件的第二受光區域的大小不同。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的具有紫外線受光元件的半導體裝置，其中，所述第一受光區域的大小小於所述第二受光區域的大小。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的具有紫外線受光元件的半導體裝置，其中，所述第一半導體受光元件與所述第二半導體受光元件分別於所述第一第二導電型半導體區域與所述半導體基板的表面之間具有第三第一導電型半導體區域。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的具有紫外線受光元件的半導體裝置，其中，於較所述第一光電二極體的PN接合及所述第二光電二極體的PN接合更靠所述半導體基板的背面的位置設有變質層。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的具有紫外線受光元件的半導體裝置，其中，所述變質層露出於所述半導體基板的背面。
  7. 一種具有紫外線受光元件的半導體裝置的製造方法，其中所述具有紫外線受光元件的半導體裝置具備第一半導體受光元件及第二半導體受光元件，所述具有紫外線受光元件的半導體裝置的製造方法的特徵在於包括： 於所述第一半導體受光元件及所述第二半導體受光元件的形成區域， 於半導體基板形成第一第一導電型半導體區域的步驟； 於所述第一第一導電型半導體區域內設置第二第二導電型半導體區域，分別形成具有所述第一第一導電型半導體區域與所述第二第二導電型半導體區域的PN接合的第一光電二極體及第二光電二極體的步驟； 於所述第一半導體受光元件的所述第一光電二極體上形成膜厚為50 nm～90 nm的第一絕緣氧化膜的步驟； 於所述第二半導體受光元件的所述第二光電二極體上形成膜厚較所述第一絕緣氧化膜薄20 nm～40 nm的第二絕緣氧化膜的步驟； 於所述第一絕緣氧化膜及所述第二絕緣氧化膜上形成配線的步驟。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的具有紫外線受光元件的半導體裝置的製造方法，其中，於所述形成配線的步驟中，以不同的尺寸形成所述第一半導體受光元件的受光區域的配線開口寬度與所述第二半導體受光元件的受光區域的配線開口寬度。
  9. 如申請專利範圍第7項或第8項所述的具有紫外線受光元件的半導體裝置的製造方法，其進而包括於所述第一第一導電型半導體區域內設置所述第二第二導電型半導體區域後，於所述第二第二導電型半導體區域與所述半導體基板的表面之間形成第三第一導電型半導體區域的步驟。
  10. 如申請專利範圍第7項或第8項所述的具有紫外線受光元件的半導體裝置的製造方法，其進而包括於所述形成配線的步驟後，於較所述第一光電二極體的PN接合及所述第二光電二極體的PN接合更靠所述半導體基板的背面的位置設置變質層的步驟。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的具有紫外線受光元件的半導體裝置的製造方法，其中，於所述設置變質層的步驟中使用如下方法，即，自所述半導體基板的背面照射具有透過性的波長的雷射光，並利用物鏡光學系統聚焦於所述半導體基板的內部。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的具有紫外線受光元件的半導體裝置的製造方法，其中，於所述設置變質層的步驟中，自所述半導體基板的背面進行離子注入，之後無結晶性恢復步驟。
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