TW201837121A - 組成物及包含其的膜、撥水膜與物品 - Google Patents

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Abstract

於先前已知的組成物中存在無法充分滿足液滴滑動性的情況。本發明的組成物包含：式（1）所表示的矽烷化合物（A）、式（2）所表示的矽烷化合物（B）及粗糙度調整劑（C），且所述粗糙度調整劑（C）的含量相對於所述矽烷化合物（A）及所述矽烷化合物（B）的合計100質量份而為1質量份以上且20質量份以下，其中，R1 表示碳數6以上的烴基，該烴基中包含的-CH2 -亦可取代為-O-。X1 表示水解性基。R2 表示碳數1～5的烴基。X2 表示水解性基。n表示整數0或1。

Description

組成物
本發明是有關於一種組成物。
於各種顯示裝置、光學元件、建築材料、汽車零件、工廠設備等中，有時因液滴附著於基材的表面而產生各種問題，如：基材污染、或者腐蝕，另外因所述污染或腐蝕而無法發揮所需性能等。因此，於該些領域中，要求基材表面的撥水性良好。
例如專利文獻1中記載有包含四乙氧基矽烷、氟烷基矽烷及銦錫氧化物（Indium tin oxide，ITO）超微粒子的混合溶液。專利文獻2中記載有製備包含四烷氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷及金屬烷氧化物的被覆用組成物。專利文獻3中記載有包含辛基三乙氧基矽烷或癸基三乙氧基矽烷與四乙氧基矽烷的組成物。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平7-330378號公報 [專利文獻2]日本專利特開平8-304605號公報 [專利文獻3]國際公開第2016/068103號
[發明所欲解決之課題] 於先前已知的所述組成物中存在無法充分滿足液滴滑動性的情況。 [解決課題之手段]
本發明包含以下發明。 [1] 一種組成物，包含：式（1）所表示的矽烷化合物（A）、式（2）所表示的矽烷化合物（B）及粗糙度調整劑（C），且所述粗糙度調整劑（C）的含量相對於所述矽烷化合物（A）及所述矽烷化合物（B）的合計100質量份而為1質量份以上且20質量份以下。 [化1][式（1）中， R1 表示碳數6以上的烴基，該烴基中包含的-CH2 -亦可取代為-O-。 X1 表示水解性基] [化2][式（2）中， R2 表示碳數1～5的烴基。 X2 表示水解性基。 n表示整數0或1] [2] 如[1]所述的組成物，其中，所述粗糙度調整劑（C）是中值粒徑為10 nm以上且500 nm以下的金屬氧化物粒子。 [3] 如[1]或[2]所述的組成物，其中，所述矽烷化合物（A）與所述矽烷化合物（B）的莫耳比（B/A）為2以上且100以下。 [4] 如[1]至[3]中任一項所述的組成物，其中，所述矽烷化合物（A）與所述矽烷化合物（B）的合計含有率於組成物100質量%中為1質量%以上且50質量%以下。 [5] 一種膜，其為將如[1]至[4]中任一項所述的組成物硬化而成。 [6] 如[5]所述的膜，其中，依據國際標準組織（International Organization for Standardization，ISO）25178算出的表面的算術平均高度Sa為0.04 μm以上且0.90 μm以下。 [7] 一種撥水膜，其表面電阻值為7.5×1013 Ω/sq以下，且依據ISO25178算出的表面的算術平均高度Sa為0.04 μm以上。 [8] 一種物品，具有如[5]至[7]中任一項所述的膜。 [發明的效果]
自本發明的組成物而形成的膜的液滴滑動性良好。
本發明的組成物的特徵在於包含：式（1）所表示的矽烷化合物（A）、式（2）所表示的矽烷化合物（B）及粗糙度調整劑（C），且所述粗糙度調整劑（C）的含量相對於所述矽烷化合物（A）及所述矽烷化合物（B）的合計100質量份而為1質量份以上且20質量份以下。
[化3][式（1）中，R1 表示碳數6以上的烴基，該烴基中包含的-CH2 -亦可取代為-O-。 X1 表示水解性基]
[化4][式（2）中，R2 表示碳數1～5的烴基。X2 表示水解性基。n表示整數0或1]
藉由包含矽烷化合物（A）及矽烷化合物（B），膜的撥水性變得良好，藉由以規定比例包含粗糙度調整劑（C），可對膜的表面賦予適度的粗糙度，因此，可一面維持撥水性一面提升液滴滑動性。粗糙度調整劑（C）的含量相對於矽烷化合物（A）及矽烷化合物（B）的合計100質量份，較佳為1質量份以上、更佳為2質量份以上、進而佳為3質量份以上，較佳為30質量份以下、更佳為20質量份以下、進而佳為15質量份以下，尤佳為10質量份以下。 再者，以下例示的各成分及官能基可分別單獨使用或者組合使用。
若矽烷化合物（A）相對於矽烷化合物（B）的比例為一定範圍內，則可一面維持良好的外觀一面提升液滴滑動性，故較佳。矽烷化合物（A）的含量相對於矽烷化合物（B）100質量份，較佳為1質量份以上、更佳為2質量份以上、進而佳為4質量份以上，較佳為70質量份以下、更佳為40質量份以下、進而佳為10質量份以下。
於表示所述矽烷化合物（A）的式（1）中，R1 較佳為飽和烴基，更佳為直鏈狀或分支鏈狀的烷基，進而佳為直鏈狀烷基。作為R1 所表示的烴基，可列舉：己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基等。 R1 所表示的烴基的碳數為6以上、較佳為7以上、更佳為8以上，較佳為30以下、更佳為20以下、進而佳為15以下。
作為包含於所述烴基中的-CH2 -取代為-O-的基團，可列舉包含一個或兩個以上伸烷氧基單元的基團。作為所述伸烷氧基單元，可列舉伸乙氧基單元、伸丙氧基單元，較佳為伸乙氧基單元。作為包含於所述烴基中的-CH2 -取代為-O-的基團，較佳為-R3 -(R4 -O)n1 -R5 。R3 表示單鍵或碳數1～4的2價烴基，R4 表示碳數2～3的2價烴基，R5 表示氫原子或碳數1～4的1價烴基，n1表示1～10的整數。但是，該基團中所含的碳及氧的數量的合計為6以上。 作為R3 所表示的2價烴基，可列舉：亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基等2價的飽和烴基。作為R3 ，較佳為2價烴基。 作為R4 所表示的2價烴基，可列舉：伸乙基、伸丙基等2價的飽和烴基。 作為R5 所表示的1價烴基，可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基等1價的飽和烴基。作為R5 ，較佳為1價烴基。
式（1）中，作為X1 所表示的水解性基，可列舉藉由水解而賦予羥基（矽醇基）的基團，較佳為可列舉：碳數1～6的烷氧基、氰基、羥基、乙醯氧基、氯原子及異氰酸酯基等。作為X1 ，較佳為碳數1～6（更佳為1～4）的烷氧基或氰基，更佳為碳數1～6（更佳為1～4）的烷氧基，進而佳為全部X1 為碳數1～6（更佳為1～4）的烷氧基。三個X1 可相同亦可不同，較佳為相同。 作為矽烷化合物（A），較佳為R1 為碳數7～13的直鏈狀烷基，全部X1 為相同基團且為碳數1～6（更佳為1～4）的烷氧基。
作為矽烷化合物（A），具體而言，可列舉：己基三甲氧基矽烷、己基三乙氧基矽烷、庚基三甲氧基矽烷、庚基三乙氧基矽烷、辛基三甲氧基矽烷、辛基三乙氧基矽烷、壬基三甲氧基矽烷、壬基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、癸基三乙氧基矽烷、十一烷基三甲氧基矽烷、十一烷基三乙氧基矽烷、十二烷基三甲氧基矽烷、十二烷基三乙氧基矽烷、十三烷基三甲氧基矽烷、十三烷基三乙氧基矽烷、十四烷基三甲氧基矽烷、十四烷基三乙氧基矽烷、十五烷基三甲氧基矽烷、十五烷基三乙氧基矽烷、十六烷基三甲氧基矽烷、十六烷基三乙氧基矽烷、十七烷基三甲氧基矽烷、十七烷基三乙氧基矽烷、十八烷基三甲氧基矽烷、十八烷基三乙氧基矽烷等，較佳為辛基三甲氧基矽烷、辛基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、癸基三乙氧基矽烷、十二烷基三甲氧基矽烷、十二烷基三乙氧基矽烷、十四烷基三甲氧基矽烷、十四烷基三乙氧基矽烷、十六烷基三甲氧基矽烷、十六烷基三乙氧基矽烷、十八烷基三甲氧基矽烷、十八烷基三乙氧基矽烷。
矽烷化合物（A）的含量於組成物100質量份中，較佳為0.01質量份以上、更佳為0.1質量份以上、進而佳為0.2質量份以上，較佳為10質量份以下、更佳為5質量份以下、進而佳為3質量份以下。
於表示所述矽烷化合物（B）的式（2）中，R2 較佳為飽和烴基，更佳為直鏈狀或分支鏈狀的烷基，進而佳為直鏈狀烷基。作為R2 所表示的烴基，可列舉：甲基、乙基及丙基等。
式（2）中，作為X2 所表示的水解性基，可列舉與X1 所表示的水解性基同樣的基團，較佳為可列舉：碳數1～6的烷氧基、氰基、乙醯氧基、氯原子及異氰酸酯基等，烷氧基中的烷基更佳為直鏈狀或分支鏈狀的烷基。作為X2 ，較佳為碳數1～6（更佳為1～4）的烷氧基或異氰酸酯基，更佳為碳數1～6（更佳為1～4）的烷氧基，進而佳為全部X2 為碳數1～6（更佳為1～4）的烷氧基。三個X2 可相同亦可不同，較佳為相同。 式（2）中，n較佳為0。
作為矽烷化合物（B），可列舉：四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四丙氧基矽烷、四丁氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、甲基三丁氧基矽烷等，較佳為四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷。
矽烷化合物（B）的含量相對於矽烷化合物（A）1莫耳，通常為1莫耳以上、較佳為2莫耳以上、更佳為5莫耳以上、進而佳為10莫耳以上，通常為100莫耳以下、較佳為60莫耳以下、更佳為40莫耳以下、進而佳為30莫耳以下。
矽烷化合物（A）及矽烷化合物（B）的合計含有率於組成物100質量%中，較佳為1質量%以上、更佳為3質量%以上、進而佳為5質量%以上，較佳為50質量%以下、更佳為40質量%以下、進而佳為25質量%以下。
矽烷化合物（A）可僅使用一種，或者亦可併用多種。矽烷化合物（B）可僅使用一種，或者亦可併用多種。
所述粗糙度調整劑（C）只要具有調整由本發明的組成物作為硬化物而形成的膜的表面粗糙度的作用即可。 作為所述粗糙度調整劑（C），例如可列舉高分子粒子及金屬粒子或金屬氧化物粒子等無機粒子，就使所述粗糙度調整劑（C）均勻分散的觀點而言，較佳為無機粒子，更佳為金屬氧化物粒子。作為金屬氧化物粒子，具體而言，可列舉：二氧化矽、氧化鈦、氧化錳、氧化釔（III）、氧化鋯、氧化鋁、氧化鋅、氧化銦（III）、氧化錫（II）、氧化錫（IV）、三氧化銻等單獨金屬氧化物；銦錫氧化物或錫-銻系氧化物（尤其是摻銻氧化錫）等複合金屬氧化物等粒子，較佳為二氧化矽、氧化錫（IV）及錫-銻系氧化物（尤其是摻銻氧化錫）的粒子。就膜外觀的觀點而言，更佳為氧化錫（IV）或錫-銻系氧化物（尤其是摻銻氧化錫）的粒子。
所述粗糙度調整劑（C）較佳為粒子。粗糙度調整劑（C）的中值粒徑較佳為500 nm以下、更佳為100 nm以下、進而佳為50 nm以下，例如亦可為10 nm以上、進而為15 nm以上。粗糙度調整劑（C）的粒徑越小，越可維持所獲得的膜的透明性，若粒徑大至一定以上，則有改善組成物的穩定性的傾向。
所述粗糙度調整劑（C）的相對於25℃的水的溶解性較佳為0 mg/100 mL～100 mg/100 mL、更佳為0 mg/100 mL～10 mg/100 mL、進而佳為0 mg/100 mL～5 mg/100 mL。
所述粗糙度調整劑（C）的密度較佳為3 g/cm3 以上、更佳為4 g/cm3 以上、進而佳為5 g/cm3 以上，較佳為8 g/cm3 以下、更佳為7.5 g/cm3 以下。
所述粗糙度調整劑（C）的表面電阻值較佳為1014 Ω/sq以下、更佳為1012 Ω/sq以下、進而佳為1010 Ω/sq以下，例如亦可為102 Ω/sq以上、進而為103 Ω/sq以上。
粗糙度調整劑（C）可僅使用一種，或者亦可併用多種。
本發明的組成物較佳為進而包含溶媒（D）。作為溶媒，可列舉：醇系溶媒、醚系溶媒、酮系溶媒、酯系溶媒、醯胺系溶媒等親水性有機溶媒。該些溶媒可僅使用一種，或者亦可併用兩種以上。
作為醇系溶媒，可列舉：甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、二乙二醇等，作為醚系溶媒，可列舉：二甲氧基乙烷、四氫呋喃、二噁烷等，作為酮系溶媒，可列舉：丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等，作為酯系溶媒，可列舉：乙酸乙酯、乙酸丁酯等，作為醯胺系溶媒，可列舉：二甲基甲醯胺等。其中，較佳為使用醇系溶媒、酮系溶媒。 溶媒可配合後述基材的材質進行調整，例如於基材中使用有機系材料的情況下，較佳為使用酮系溶媒，於基材中使用無機系材料的情況下較佳為使用醇系溶媒。
本發明的組成物可包含矽烷化合物（A）及矽烷化合物（B）的水解·縮聚用的觸媒（E），亦可不包含。作為所述觸媒（E），可使用鹽酸、硝酸、乙酸等酸性化合物；氨、胺等鹼性化合物；乙醯乙酸乙酯鋁化合物等有機金屬化合物等。 於包含觸媒（E）的情況下，觸媒（E）的含量相對於矽烷化合物（A）及矽烷化合物（B）的合計100質量份，較佳為0.001質量份以上、更佳為0.005質量份以上、進而佳為0.01質量份以上，較佳為3質量份以下、更佳為1質量份以下、進而佳為0.1質量份以下。
本發明的組成物於不阻礙本發明的效果的範圍內，亦可含有抗氧化劑、防鏽劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、防霉劑、抗菌劑、生物附著防止劑、除臭劑、顏料、阻燃劑、抗靜電劑等各種添加劑等其他成分。
本發明的組成物可藉由將矽烷化合物（A）、矽烷化合物（B）及粗糙度調整劑（C）以及視需要使用的溶媒（D）、觸媒（E）及其他成分混合而製造。混合順序並無特別限定，例如，亦可將矽烷化合物（A）、矽烷化合物（B）及視需要使用的溶媒（D）混合，繼而與視需要使用的觸媒（E）混合之後，將粗糙度調整劑（C）混合。藉由按此種順序混合，可防止組成物的凝膠化。 所述粗糙度調整劑（C）亦可預先分散於溶媒（D）的一部分中並製成粗糙度調整劑（C）含有液之後，與矽烷化合物（A）、矽烷化合物（B）等加以混合。於使粗糙度調整劑（C）預先分散的情況下，分散溶媒與組成物製備時使用的溶媒可相同亦可不同。於使粗糙度調整劑（C）預先分散於溶媒（D）的一部分中的情況下，粗糙度調整劑（C）的含有率於該分散液100質量%中，較佳為10質量%以上、更佳為15質量%以上，較佳為40質量%以下、更佳為30質量%以下。
作為本發明的組成物的硬化物的膜亦包含於本發明的技術範圍內。 所述膜表面的算術平均高度Sa較佳為0.90 μm以下、更佳為0.8 μm以下、進而佳為0.1 μm以下，較佳為0.04 μm以上、更佳為0.05 μm以上。 所述膜的表面粗糙度可依據ISO25178算出。成為所述膜的表面粗糙度的算出基礎的圖像例如可藉由光學顯微鏡（尤其是共焦雷射顯微鏡）而取得。
相對於所述膜的水的接觸角較佳為90°以上、更佳為95°以上、進而佳為100°以上，可為120°以下，亦可為115°以下。
所述膜的表面電阻值較佳為250×1013 Ω/sq以下、更佳為200×1013 Ω/sq以下、進而佳為170×1013 Ω/sq以下、尤佳為7.5×1013 Ω/sq以下，可為1012 Ω/sq以上，亦可為1013 Ω/sq以上。
所述膜的厚度較佳為10 nm以上、更佳為20 nm以上、進而佳為50 nm以上，較佳為500 nm以下、更佳為300 nm以下、進而佳為200 nm以下。
本發明的硬化膜的另一形態是一種表面電阻值為7.5×1013 Ω/sq以下且膜表面的算術平均高度Sa成為0.04 μm以上的撥水膜。
所述撥水膜的表面電阻值較佳為5.0×1013 Ω/sq以下、更佳為4.0×1013 Ω/sq以下，可為1012 Ω/sq以上，亦可為1013 Ω/sq以上。
所述撥水膜的算術平均高度Sa較佳為0.9 μm以下、更佳為0.8 μm以下、進而佳為0.1 μm以下，較佳為0.04 μm以上、更佳為0.05 μm以上。
相對於所述撥水膜的水的接觸角較佳為90°以上、更佳為95°以上、進而佳為100°以上，可為120°以下，亦可為115°以下。
所述撥水膜的厚度較佳為10 nm以上、更佳為20 nm以上、進而佳為50 nm以上，較佳為500 nm以下、更佳為300 nm以下、進而佳為200 nm以下。
所述膜可藉由使本發明的組成物與基材接觸並對矽烷化合物（A）及矽烷化合物（B）中所含的水解性基進行水解及縮聚而形成。
作為使本發明的組成物與基材接觸的方法，可列舉將組成物塗佈於基材的方法。作為該塗佈方法，可列舉：旋塗法、浸塗法、噴塗（spray coating）法、輥塗法、棒塗法、手工塗佈（使液體滲透於布等中並塗抹於基材的方法）、加注（使用滴管等將液體直接注入於基材並進行塗佈的方法）、噴霧（使用噴霧來塗佈於基材的方法）、或者將該些組合而成的方法等。就操作性的觀點而言，較佳為旋塗法、噴塗法、手工塗佈、加注、噴霧或者將該些組合而成的方法。 於使本發明的組成物與基材接觸的狀態下，於空氣中於常溫下靜置（例如10小時～48小時），藉此將空氣中的水分導入，促進水解性基的水解·縮聚，從而於基材上形成皮膜。亦較佳為使所獲得的皮膜進一步乾燥。
當使本發明的組成物與基材接觸時，就操作性的觀點而言，視需要亦可藉由溶媒（稀釋溶媒）進行稀釋。作為所述稀釋溶媒，可列舉與所述組成物中可包含的溶媒同樣的溶媒，較佳為醇系溶媒、酮系溶媒。於基材為有機系材料的情況下，較佳為使用酮系溶媒，於基材為無機系材料的情況下，較佳為使用醇系溶媒。稀釋倍率較佳為2倍～50倍、更佳為3倍～20倍。
使本發明的組成物接觸的基材的形狀可為平面、曲面中的任一者，或者亦可為將多個面組合而成的三維結構。另外，作為基材的材質，可列舉有機系材料、無機系材料。作為所述有機系材料，可列舉：丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、苯乙烯樹脂、丙烯酸-苯乙烯共聚樹脂、纖維素樹脂、聚烯烴樹脂等熱塑性樹脂；苯酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、環氧樹脂、不飽和聚酯、矽酮樹脂、胺基甲酸酯樹脂等熱硬化性樹脂等，作為無機系材料，可列舉：陶瓷；玻璃；鐵、矽、銅、鋅、鋁等金屬；包含所述金屬的合金等。
亦可對所述基材預先實施易接著處理。作為易接著處理，可列舉：電暈處理、電漿處理、紫外線處理等親水化處理。另外，亦可使用藉由樹脂、矽烷偶合劑、四烷氧基矽烷等進行的底漆處理。另外，可實施藉由樹脂、矽烷偶合劑、四烷氧基矽烷等進行的底漆處理，或者亦可將聚矽氮烷等玻璃皮膜預先塗佈於基材。
藉由使用本發明的組成物，可提供一種液滴滑動性優異的膜。該膜於顯示裝置、光學元件、建築材料、汽車零件、工廠設備等中有用。 [實施例]
以下，列舉實施例來更具體地說明本發明，但本發明根本不受下述實施例的限制，當然亦能夠於可能適合所述·後述的主旨的範圍內適當施加變更而實施，該些均包含於本發明的技術範圍內。以下，只要無特別說明，則「份」是指「質量份」，「%」是指「質量%」。 本發明中的測定方法如下。
〔外觀目視評價〕 於照度1000 勒克司（lux）的環境下，以目視觀察皮膜，藉由官能評價，如以下般評價著色或異物的有無（以下，彙總記載為「污漬」）。 ◎：無法確認到污漬 ○：若仔細觀察，則可確認到污漬 ×：可容易地確認到污漬
〔接觸角評價〕 使用接觸角測定裝置（DM700，協和界面科學公司製造）並藉由液滴法（分析方法：θ/2法，水滴量：3.0 μL）來測定皮膜表面的水的接觸角。
〔滑落速度〕 將50 μL的水滴滴加於傾斜20度的基板上，測定自初期滴加位置起滑落1.5 cm的時間，算出滑落速度。再者，將2分鐘以內水滴未滑落1.5 cm以上的情況設為×：不滑落。
〔表面電阻值測定〕 將測定試樣設置於平板試樣用大徑電極（東亞DKK股份有限公司製造的SME-8310）並施加10 V的電壓，藉由數位絕緣計（東亞DKK股份有限公司製造的DSM-8103）測定4分鐘後的電阻值，基於所述值而算出表面電阻值。
〔表面粗糙度的測定〕 使用雷射顯微鏡（OLS4000，奧林巴斯（Olympus）製造）並以放大倍率20倍觀察所獲得的膜的表面。算術平均高度Sa依據ISO25178而評價。算術平均高度Sa設為N=2的平均值。
實施例1 使作為矽烷化合物（A）的癸基三甲氧基矽烷0.29 g、作為矽烷化合物（B）的原矽酸四乙酯（四乙氧基矽烷）5.99 g溶解於作為主溶劑的2-丁酮（關東化學股份有限公司製造）12.07 g，於室溫下攪拌20分鐘。將作為觸媒的鹽酸（0.01 mol/L水溶液）8.32 g混合於所獲得的溶液中，於室溫下攪拌24小時，從而製作試樣溶液。向所述試樣溶液中添加作為粗糙度調整劑（C）含有液的S-2000（含有包含中值粒徑15 nm～20 nm的氧化錫的粒子的20質量%甲基異丁基酮分散液，三菱材料電子化成股份有限公司製造）0.315 g（粗糙度調整劑（C）相對於矽烷化合物（A）與矽烷化合物（B）的合計100質量份而為1.0質量份），藉由30分鐘超音波處理使粗糙度調整劑（C）分散於試樣溶液中，獲得塗佈組成物。藉由2-丁酮並以稀釋倍率3倍將所獲得的塗佈組成物稀釋，獲得塗佈溶液。藉由噴霧將約700 μL的塗佈溶液噴附於作為基材的丙烯酸板（住友化學股份有限公司製造）上，藉由旋塗機（米卡薩（MIKASA）公司製造）並以轉速300 rpm、60秒（sec）的條件進行製膜後，於室溫下使其乾燥而獲得塗佈被膜。
實施例2 將作為粗糙度調整劑（C）含有液的S-2000的添加量變更為1.57 g（粗糙度調整劑（C）相對於矽烷化合物（A）與矽烷化合物（B）的合計100質量份而為5質量份），除此以外，以與實施例1同樣的方式製作塗佈被膜。
實施例3 將作為粗糙度調整劑（C）含有液的S-2000的添加量變更為3.14 g（粗糙度調整劑（C）相對於矽烷化合物（A）與矽烷化合物（B）的合計100質量份而為10質量份），除此以外，以與實施例1同樣的方式製作塗佈被膜。
實施例4 不加以稀釋而使用塗佈組成物，除此以外，以與實施例3同樣的方式製作塗佈被膜。
實施例5 使作為矽烷化合物（A）的癸基三甲氧基矽烷0.29 g、作為矽烷化合物（B）的原矽酸四乙酯（四乙氧基矽烷）5.99 g溶解於作為主溶劑的2-丙醇（關東化學股份有限公司製造）11.7 g，於室溫下攪拌20分鐘。將作為觸媒的鹽酸（0.01 mol/L水溶液）8.32 g混合於所獲得的溶液中，於室溫下攪拌24小時，從而製作試樣溶液。向所述試樣溶液中添加作為粗糙度調整劑（C）含有液的S-2000（含有包含中值粒徑15 nm～20 nm的氧化錫的粒子的20質量%甲基異丁基酮分散液，三菱材料電子化成股份有限公司製造）0.314 g（粗糙度調整劑（C）相對於矽烷化合物（A）與矽烷化合物（B）的合計100質量份而為1.0質量份），藉由30分鐘超音波處理使粗糙度調整劑（C）分散於試樣溶液中，藉由2-丙醇並以稀釋倍率3倍進行稀釋，獲得塗佈溶液。作為基材，使用於照射速度800 mm/sec、間隙10 mm、照射次數1次的條件下藉由大氣壓電漿裝置（富士機械公司製造）使基材表面活化而成的玻璃基板（康寧（Corning）公司製造的「益高（EAGLE）XG」）。除此以外，以與實施例1同樣的方式製作塗佈被膜。
實施例6 將作為粗糙度調整劑（C）含有液的S-2000的添加量變更為3.14 g（粗糙度調整劑（C）相對於矽烷化合物（A）與矽烷化合物（B）的合計100質量份而為10質量份），除此以外，以與實施例5同樣的方式製作塗佈被膜。
實施例7 將作為粗糙度調整劑（C）含有液的S-2000的添加量變更為4.71 g（粗糙度調整劑（C）相對於矽烷化合物（A）與矽烷化合物（B）的合計100質量份而為15質量份），除此以外，以與實施例5同樣的方式製作塗佈被膜。
實施例8 將作為粗糙度調整劑（C）含有液的S-2000的添加量變更為6.28 g（粗糙度調整劑（C）相對於矽烷化合物（A）與矽烷化合物（B）的合計100質量份而為20質量份），除此以外，以與實施例5同樣的方式製作塗佈被膜。
實施例9 作為粗糙度調整劑（C）含有液，代替使用0.314 g的S-2000而使用1.57 g（粗糙度調整劑（C）相對於矽烷化合物（A）與矽烷化合物（B）的合計100質量份而為5質量份）的T-1（含有包含中值粒徑100 nm的錫-銻系氧化物的粒子的20質量%3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇分散液，三菱材料電子化成股份有限公司製造），除此以外，以與實施例5同樣的方式製作塗佈被膜。
實施例10 代替使用0.314 g作為粗糙度調整劑（C）含有液的S-2000而使用0.31 g（粗糙度調整劑（C）相對於矽烷化合物（A）與矽烷化合物（B）的合計100質量份而為5質量份）作為粗糙度調整劑（C）的SiO2 粉末（亞都瑪法恩（admafine）SO-E1，中值粒徑250 nm，亞都瑪科技（Admatechs）股份有限公司製造），除此以外，以與實施例5同樣的方式製作塗佈被膜。
實施例11 代替使用0.314 g作為粗糙度調整劑（C）含有液的S-2000而使用0.31 g（粗糙度調整劑（C）相對於矽烷化合物（A）與矽烷化合物（B）的合計100質量份而為5質量份）作為粗糙度調整劑（C）的SiO2 粉末（亞都瑪法恩（admafine）SO-E2，中值粒徑500 nm，亞都瑪科技（Admatechs）股份有限公司製造），除此以外，以與實施例5同樣的方式製作塗佈被膜。
實施例12 將作為粗糙度調整劑（C）含有液的S-2000的添加量變更為1.57 g（粗糙度調整劑（C）相對於矽烷化合物（A）與矽烷化合物（B）的合計100質量份而為5質量份），除此以外，以與實施例5同樣的方式製作塗佈被膜。
實施例13 將作為粗糙度調整劑（C）含有液的S-2000的添加量變更為1.57 g（粗糙度調整劑（C）相對於矽烷化合物（A）與矽烷化合物（B）的合計100質量份而為5質量份），並藉由2-丙醇將稀釋倍率設為7倍，除此以外，以與實施例5同樣的方式製作塗佈被膜。
實施例14 將作為粗糙度調整劑（C）含有液的S-2000的添加量變更為1.57 g（粗糙度調整劑（C）相對於矽烷化合物（A）與矽烷化合物（B）的合計100質量份而為5質量份），並藉由2-丙醇將稀釋倍率設為10倍，除此以外，以與實施例5同樣的方式製作塗佈被膜。
實施例15 將作為粗糙度調整劑（C）含有液的S-2000的添加量變更為1.57 g（粗糙度調整劑（C）相對於矽烷化合物（A）與矽烷化合物（B）的合計100質量份而為5質量份），並藉由2-丙醇將稀釋倍率設為20倍，除此以外，以與實施例5同樣的方式製作塗佈被膜。
實施例16 代替使用0.29 g作為矽烷化合物（A）的癸基三甲氧基矽烷而使用0.79 g，代替使用5.99 g作為矽烷化合物（B）的原矽酸四乙酯（四乙氧基矽烷）而使用1.25 g，代替使用11.7 g作為主溶劑的2-丙醇（關東化學股份有限公司製造）而使用4.25 g，代替使用8.32 g作為觸媒的鹽酸（0.01 mol/L水溶液）而使用2.34 g，代替使用0.314 g作為粗糙度調整劑（C）含有液的S-2000而使用0.51 g（粗糙度調整劑（C）相對於矽烷化合物（A）與矽烷化合物（B）的合計100質量份而為5質量份），除此以外，以與實施例5同樣的方式製作塗佈被膜。
實施例17 代替使用0.29 g作為矽烷化合物（A）的癸基三甲氧基矽烷而使用0.15 g，代替使用5.99 g作為矽烷化合物（B）的原矽酸四乙酯（四乙氧基矽烷）而使用1.92 g，代替使用11.7g作為主溶劑的2-丙醇（關東化學股份有限公司製造）而使用3.94 g，代替使用8.32 g作為觸媒的鹽酸（0.01 mol/L水溶液）而使用2.74 g，代替使用0.314 g作為粗糙度調整劑（C）含有液的S-2000而使用0.52 g（粗糙度調整劑（C）相對於矽烷化合物（A）與矽烷化合物（B）的合計100質量份而為5質量份），除此以外，以與實施例5同樣的方式製作塗佈被膜。
實施例18 代替使用0.29 g作為矽烷化合物（A）的癸基三甲氧基矽烷而使用0.06 g，代替使用5.99 g作為矽烷化合物（B）的原矽酸四乙酯（四乙氧基矽烷）而使用2.02 g，代替使用11.7g作為主溶劑的2-丙醇（關東化學股份有限公司製造）而使用3.89 g，代替使用8.32 g作為觸媒的鹽酸（0.01 mol/L水溶液）而使用2.80 g，代替使用0.314 g作為粗糙度調整劑（C）含有液的S-2000而使用0.52 g（粗糙度調整劑（C）相對於矽烷化合物（A）與矽烷化合物（B）的合計100質量份而為5質量份），除此以外，以與實施例5同樣的方式製作塗佈被膜。
比較例1 除了未添加粗糙度調整劑（C）以外，以與實施例1同樣的方式製作塗佈被膜。
比較例2 除了未添加粗糙度調整劑（C）以外，以與實施例5同樣的方式製作塗佈被膜。
關於實施例1～實施例18、比較例1～比較例2的塗佈被膜，將外觀目視、接觸角、表面電阻值、滑落速度、表面粗糙度的評價結果示於表1。但是，表面電阻值及滑落速度的提升倍率表示當使用丙烯酸基板作為基板時將比較例1的數值作為基準值、當使用玻璃基板作為基板時將比較例2的數值作為基準值，且所對應的基準值除以各實施例中的表面電阻值而得的值、或者各實施例中的滑落速度的值除以所對應的基準值而得的值。
[表1] [產業上之可利用性]
藉由使用本發明的組成物，可提供一種液滴滑動性優異的膜。該膜於顯示裝置、光學元件、建築材料、汽車零件、工廠設備等中有用。
無
無

Claims (8)

  1. 一種組成物，包含：式（1）所表示的矽烷化合物（A）、式（2）所表示的矽烷化合物（B）及粗糙度調整劑（C），且 所述粗糙度調整劑（C）的含量相對於所述矽烷化合物（A）及所述矽烷化合物（B）的合計100質量份而為1質量份以上且20質量份以下；式（1）中， R1 表示碳數6以上的烴基，所述烴基中包含的-CH2 -亦可取代為-O-； X1 表示水解性基式（2）中， R2 表示碳數1～5的烴基； X2 表示水解性基； n表示整數0或1。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的組成物，其中，所述粗糙度調整劑（C）是中值粒徑為10 nm以上且500 nm以下的金屬氧化物粒子。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的組成物，其中，所述矽烷化合物（A）與所述矽烷化合物（B）的莫耳比（B/A）為2以上且100以下。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的組成物，其中，所述矽烷化合物（A）與所述矽烷化合物（B）的合計含有率於組成物100質量%中為1質量%以上且50質量%以下。
  5. 一種膜，其為將如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的組成物硬化而成。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的膜，其中，依據國際標準組織ISO25178算出的表面的算術平均高度Sa為0.04 μm以上且0.90 μm以下。
  7. 一種撥水膜，其表面電阻值為7.5×1013 Ω/sq以下，且依據國際標準組織ISO25178算出的表面的算術平均高度Sa為0.04 μm以上。
  8. 一種物品，具有如申請專利範圍第5項至第7項中任一項所述的膜。
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