TW201830438A - 電極箔以及電解電容器 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種兼顧電極箔的強度與電極箔的薄度且可提高箔整體的電容的電極箔及使用該電極箔的電解電容器。於在100 kHz以上的頻率區域中使用的電解電容器中所具備的電極箔的表面形成通道狀的蝕孔，該蝕孔的深度為27 μm以下。

Description

電極箔以及電解電容器

本發明是有關於一種於100 kHz以上的、所謂的高頻率區域中使用的電解電容器中所具備的電極箔。

電解電容器包括：非固體電解電容器，為了使陽極的電介質皮膜與對向電極密接，利用電解質填埋空隙而成，電解質為液體；固體電解電容器，電解質為固體；混合型電解電容器，包含液體及固體作為電解質；以及雙極性電解電容器，於電極兩者上形成有電介質皮膜。該電解電容器是使電容器元件含浸於電解質中而成，電容器元件是使陽極箔與陰極箔相對向，並使隔板（separator）介於陽極箔與陰極箔之間而構成，所述陽極箔是在鋁等閥金屬箔上形成有電介質皮膜，所述陰極箔是由同種或其它金屬的箔構成。

電解電容器的靜電電容與電介質皮膜的表面積成比例。通常，於電解電容器的電極箔上實施蝕刻等擴面化處理，於實施有所述擴面化處理的擴面部上實施化成處理，而具有大表面積的電介質皮膜。蝕刻主要多使用電化學方法。

對於低壓用途的電解電容器中所使用的電極箔，於鹽酸或食鹽等氯化物水溶液中流通交流電流，從而於表面形成海綿狀的蝕孔。對於高壓用途的電解電容器中所使用的電極箔，於氯化物水溶液中流通直流電流，從而自電極箔的表面朝向厚度中心地形成通道狀的蝕孔。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平9-148200號公報

[發明所欲解決之課題] 近年來，為了謀求電解電容器的靜電電容的進一步的增大，而使擴面化自電極箔的表面進一步推進至深部。然而，伴隨著該擴面化的推進，蝕孔無法到達的殘芯部的厚度薄化，電極箔的強度對策成為關心事項。

對形成有蝕孔的蝕刻層進行化成處理等，藉此形成氧化皮膜，但該氧化皮膜的柔軟性及延伸性低。尤其是伴隨著擴面化的推進，蝕孔變深，表面積變大，從而氧化皮膜的量變多，而有電極箔的柔軟性及延伸性變低的傾向。因此，例如於捲繞型的電解電容器中，因電極箔的柔軟性及延伸性降低而電極箔變硬，電極箔產生彎折而相同容量的殼體內可收容的電極箔的捲繞長度減小。若電極箔的捲繞長度減小，則電解電容器的靜電電容與減少量相應地降低。

另一方面，若使電極箔具有厚度，則例如於積層型的電解電容器中，可層疊的電極箔數量減少，電解電容器的靜電電容與減少量相應地降低。

本發明為了解決所述般的現有技術的問題點，而提供一種兼顧電極箔的強度與電極箔的薄度且可提高箔整體的電容的電極箔及使用該電極箔的電解電容器。 [解決課題之手段]

為了達成所述目的，本發明的電極箔的特徵在於：具有形成於電極箔的表面的通道狀的蝕孔，所述蝕孔的深度為27 μm以下。另外，特徵在於：所述蝕孔的深度為12 μm以上且27 μm以下。

本發明者等人進行了努力研究，結果獲得了如下見解：通道狀的蝕孔的各深部帶中，於100 kHz以上的頻率區域中，充分地供給電荷的深部帶是以27 μm為限度。另外，蝕孔的深度為12 μm以上至20 μm為止時，與蝕孔的深度相應地靜電電容的增加率良好。進而，蝕孔的深度為20 μm以上至27 μm為止時，相對於蝕孔的深度，靜電電容的增加率鈍化，但可獲得加深蝕孔的好處。即，若將通道狀的蝕孔設為27 μm以下的深度，則可充分地殘留殘芯部並且可使電極箔的厚度薄化，可於相同容量的殼體內收容更長的電極箔，從而可提高電解電容器的電容。具備該電極箔的電解電容器亦為本發明的一態樣。 [發明的效果]

根據本發明，並不存在無助於電解電容器的電容的深度的蝕孔，因此可充分地殘留殘芯部並使厚度薄化，可保持電極箔的強度，並且提高電解電容器的每單位體積的電容。

以下，對本發明的電極箔及電解電容器的實施形態進行詳細說明。再者，本發明並不限定於以下所說明的實施形態。

（電極箔） 電極箔適於高壓用途、且於100 kHz以上的高頻區中進行驅動的電解電容器，且可用於電解電容器的陽極箔、陰極箔或兩者。電解電容器可列舉電解質為液體並於陽極箔形成有電介質皮膜的非固體電解電容器、具備液體及固體作為電解質的混合型電解電容器、及於陽極箔與陰極箔兩者上形成有電介質皮膜的雙極性電解電容器。

電極箔為將閥金屬作為材料的箔體。閥金屬為鋁、鉭、鎳、氧化鎳、鈦、鉿、鋯、鋅、鎢、鉍及銻等。就純度而言，關於陽極箔，理想的是99.9%左右以上，關於陰極，理想的是99%左右以上，但亦可包含矽、鐵、銅、鎂、鋅等雜質。

該電極箔藉由蝕刻處理而將電極箔兩面加以擴面化。經擴面化的電極箔具有大量的自電極箔兩面朝向厚度中心深挖而排列的通道狀的蝕孔。通道狀的蝕孔為圓筒狀的孔，該電極箔具有蝕孔並未到達的殘芯部。該通道狀的蝕孔可藉由化學蝕刻或電化學蝕刻而形成，例如可藉由如下方式形成：於存在鹵素離子的酸性水溶液中將電極箔設為陽極並施加直流電流。酸性水溶液例如為鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、食鹽或該些的混合物。

該蝕孔的深度可藉由電流施加時間來調整。即，蝕刻步驟以共計兩步驟來進行，於第一步驟中，例如於包含氯離子的水溶液中藉由直流電流對電極箔進行電化學蝕刻，從而形成蝕孔。於第二步驟中，例如於包含硝酸根離子或氯離子的水溶液中對所述電極箔進行電化學蝕刻或化學蝕刻，將已形成的蝕孔擴大。蝕孔的深度受第一步驟中的電流施加時間的影響。

蝕孔的深度為27 μm以下。其原因在於：於100 kHz以上的頻率區域中，超過27 μm的深部帶無助於靜電電容的增加，反而產生使殘芯部的厚度薄化、或電極箔變厚的缺點。若對其理由進行研究，則蝕孔可以如下等價電路來表示，所述等價電路是於深度方向上每一深度帶的電阻串聯並且各深度帶的電容器串聯連接於至各自的深度帶為止的合成電阻而成。即，蝕孔具備與深度相應地具有高電阻值的電阻成分與電容器成分的RC電路群，且於淺的深度帶與深的深度帶中充電速度存在差異。若為27 μm以上的深度的深度帶，則於100 kHz以上的交流下越充分地進行充放電越不具有小的時間常數R×C。

蝕孔的深度為12 μm以上且20 μm以下時，於100 kHz以上的頻率區域中，相對於蝕孔的深度的靜電電容的增加率開始鈍化，但靜電電容大致與蝕孔的深度成比例地增加。因此，蝕孔的深度會效率最佳地引起靜電電容的增加，因此就效率性的觀點而言，蝕孔的深度較佳為12 μm以上且20 μm以下。另外，蝕孔的深度為20 μm以上且27 μm以下時，於100 kHz以上的頻率區域中，相對於蝕孔深度的增加，仍預見靜電電容的增加。因此，就靜電電容的觀點而言，蝕孔的深度較佳為20 μm以上且27 μm以下。

再者，蝕孔的深度可藉由化成皮膜複型法來測定並加以規定。所謂化成皮膜複型法是指如下方法：將化成皮膜賦予至經擴面化的電極箔，並藉由碘-甲醇溶液等使鋁基底溶解，進而利用掃描電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope，SEM）對蝕孔的形狀進行觀察。關於蝕孔的深度，利用SEM進行觀察，隨機選取100根並取其平均值。

進而，電極箔可根據用途而藉由化成處理形成電介質皮膜。電介質皮膜是以包含蝕孔的內壁面在內的方式使電極箔的表面氧化而成。典型而言，該電介質皮膜是藉由如下方式形成：於不存在鹵素離子的緩衝溶液中將電極箔設為陽極並施加電壓。作為緩衝溶液，可列舉硼酸銨、磷酸銨、己二酸銨、有機酸銨等。

（電解電容器） 作為使用該電極箔的電解電容器，以捲繞型非固體電解電容器為例進行說明，所述捲繞型非固體電解電容器是使捲繞電極箔而成的電容器元件含浸電解液而成，但並不現定於此，亦包含混合型電解電容器及雙極性電解電容器、以及積層型電容器。

於電解電容器中，電容器元件是將一者或兩者具有電介質皮膜且蝕孔深度止於27 μm以下的電極箔設為陽極箔及陰極箔，並且介隔隔板而將該陽極箔與陰極箔捲繞成圓筒狀而成。使電容器元件含浸於電解夜後，引出陽極端子及陰極端子。陽極端子及陰極端子與設於封口體的外部端子連接，所述封口體是於合成樹脂板等硬質基板絕緣板的表面及背面貼付橡膠板等彈性絕緣體而成。而且，該電容器元件收納於有底筒狀的外部殼體內，並利用封口體進行密封，並且進行老化處理，而採用捲繞型電容器的態樣。

隔板可列舉：牛皮紙、馬尼拉麻、西班牙草（esparto）、黃麻、人造絲等纖維素及該些的混合紙、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、該些的衍生物等聚酯系樹脂、聚四氟乙烯系樹脂、聚偏二氟乙烯系樹脂、維尼綸系樹脂、脂肪族聚醯胺、半芳香族聚醯胺、全芳香族聚醯胺等聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、三甲基戊烯樹脂、聚苯硫醚樹脂、丙烯酸樹脂等，可將該些樹脂單獨或混合使用。

電解液的溶媒並無特別限定，作為高壓用途的電解液的溶媒，較佳為使用乙二醇，亦可併用其他溶媒。另外，電解液的溶媒可列舉作為質子性有機極性溶媒的一元醇類、多元醇類及氧基醇化合物類。作為一元醇類，可列舉乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇、環丁醇、環戊醇、環己醇、苄醇等。作為多元醇類，除了乙二醇之外，可列舉γ-丁內酯、二乙二醇、二丙二醇、1,2-丙二醇、甘油、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、2-甲基-2,4-戊二醇等。作為氧基醇化合物類，可列舉丙二醇、甘油、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、甲氧基丙二醇、二甲氧基丙醇等。

另外，作為非質子性有機極性溶媒，可列舉醯胺系、內酯類、環丁碸類、環狀醯胺系、腈系及氧化物系。作為醯胺系，可列舉N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N-乙基甲醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-乙基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺、六甲基磷醯三胺等。作為環狀醯胺系，可列舉γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯啶酮、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、碳酸伸異丁酯、碳酸伸異丁酯等。作為腈系，可列舉乙腈。作為氧化物系，可列舉二甲基亞碸等。

電解液的溶質通常可列舉電解電容器驅動用電解液中所使用的、以酸的共軛鹼為陰離子成分的銨鹽、胺鹽、四級銨鹽及環狀脒化合物的四級鹽。作為構成胺鹽的胺，可列舉一級胺（甲基胺、乙基胺、丙基胺、丁基胺、乙二胺等）、二級胺（二甲基胺、二乙基胺、二丙基胺、甲基乙基胺、二苯基胺等）、三級胺（三甲基胺、三乙基胺、三丙基胺、三苯基胺、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一烯-7）等。作為構成四級銨鹽的四級銨，可列舉四烷基銨（四甲基銨、四乙基銨、四丙基銨、四丁基銨、甲基三乙基銨、二甲基二乙基銨等）、吡啶鎓（1-甲基吡啶鎓、1-乙基吡啶鎓、1,3-二乙基吡啶鎓等）。另外，作為構成環狀脒化合物的四級鹽的陽離子，可列舉將以下化合物四級化而成的陽離子。即，咪唑單環化合物（1-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、1,4-二甲基-2-乙基咪唑、1-苯基咪唑等咪唑同系物、1-甲基-2-氧基甲基咪唑、1-甲基-2-氧基乙基咪唑等氧基烷基衍生物、1-甲基-4(5)-硝基咪唑、1,2-二甲基-4(5)-硝基咪唑等硝基衍生物及胺基衍生物）、苯并咪唑（1-甲基苯并咪唑、1-甲基-2-苄基苯并咪唑等）、具有2-咪唑啉環的化合物（1-甲基咪唑啉、1,2-二甲基咪唑啉、1,2,4-三甲基咪唑啉、1,4-二甲基-2-乙基咪唑啉、1-甲基-2-苯基咪唑啉等）、具有四氫嘧啶環的化合物（1-甲基-1,4,5,6-四氫嘧啶、1,2-二甲基-1,4,5,6-四氫嘧啶、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一烯-7、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]壬烯等）等。作為陰離子成分，可例示羧酸、苯酚類、硼酸、磷酸、碳酸、矽酸等酸的共軛鹼。

（實施例） （實施例1） 製成將通道狀的蝕孔的深度為27 μm的電極箔作為陽極箔的實施例1的電容器元件。詳細而言，將具有20 mm×20 mm的廣度且電極箔厚度為125 μm的鋁箔作為陽極箔。對該陽極箔實施兩階段的蝕刻處理。關於蝕刻處理，於第一步驟中，於包含鹽酸的水溶液中藉由直流電流對鋁箔進行電化學蝕刻，從而形成蝕孔。於第二步驟中，於包含硝酸的水溶液中對所述鋁箔進行電化學蝕刻或化學蝕刻，將已形成的蝕孔擴大。於硼酸銨水溶液中對形成有蝕孔的電極箔進行化成化處理，從而於表面形成氧化被膜層。藉由化成被膜複型法測定蝕孔的深度，結果蝕孔的深度為27 μm。

另外，將具有30 mm×25 mm的廣度且電極箔厚度為約20 μm的鋁箔設為陰極箔，對該陰極箔實施交流蝕刻處理，從而於表面形成海綿狀的蝕孔。於該陽極箔與陰極箔上安裝以矽酮被覆頭部而成的鋁製的引線。準備兩片該陰極箔，使牛皮紙的30 mm×25 mm的隔板介於所述兩片陰極箔之間，並疊加一片陽極箔。

使隔板含浸以乙二醇為主溶媒且以硼酸為主溶質的電解液。並且，以玻璃板夾持疊加的陽極箔、陰極箔及隔板的層，藉此完成實施例1的電容器元件。

（比較例1～比較例4） 於蝕刻處理時，調整電流施加時間，藉此完成使用通道狀的蝕孔的深度為55 μm的陽極箔的比較例1的電容器元件、使用蝕孔的深度為48 μm的陽極箔的比較例2的電容器元件、使用蝕孔的深度為42 μm的陽極箔的比較例3的電容器元件、及使用蝕孔的深度為33 μm的陽極箔的比較例4的電容器元件。

除了蝕孔的深度之外，比較例1～比較例4的電容器元件是藉由與實施例1的電容器元件相同的方法及相同的條件來製作。

（靜電電容測定1） 對實施例1及比較例1～比較例4的電容器元件的靜電電容進行測定。測定中使用LCR計（安捷倫科技（Agilent Technologies）公司製造、4284A）。測定時，周圍溫度為21℃，交流電流電平為1.0 Vrms，並將測定頻率設為1 Hz至120 kHz的範圍。各頻率下的充電及靜電電容的測定各進行三次，並繪製以橫軸作為頻率且以縱軸作為靜電電容的曲線圖。將結果示於圖1～圖7中。圖1的曲線圖表示比較例1的結果，圖2的曲線圖表示比較例2的結果，圖3的曲線圖表示比較例3的結果，圖4的曲線圖表示比較例4的結果，圖5的曲線圖表示實施例1的結果。圖6的曲線圖為繪製實施例1及比較例1～比較例4的各平均值而成的曲線圖。

如圖1～圖6所示，於在小於10 kHz的頻率下測定各電容器元件的情況下，靜電電容與蝕孔的深度相應地變高。具體而言，相對於比較例1～比較例4，實施例1的靜電電容為1.0 μF～0.5 μF左右而小。然而，於超過10 kHz的頻率中，頻率越變高，與蝕孔的深度相應的靜電電容的差越變小。

而且，於100 kHz的頻率下進行測定，結果實施例1為平均0.97 μF，比較例1為平均1.09 μF，比較例2為平均1.05 μF，比較例3為平均1.07 μF，比較例4為平均1.00 μF。即，於100 kHz的頻率下，儘管實施例1的蝕孔淺至27 μm，但並無實施例1的靜電電容與比較例1～比較例4的靜電電容變化為1.0 μF前後的結果。

另外，於120 kHz的頻率下進行測定，結果為實施例1為平均0.90 μF、比較例1為平均1.01 μF、比較例2為平均0.98 μF、比較例3為平均0.99 μF、及比較例4為平均0.93 μF，於120 kHz的頻率下，儘管實施例1的蝕孔淺至27 μm，但並無實施例1的靜電電容與比較例1～比較例4的靜電電容變化為0.95 μF前後的結果。

如此，於100 kHz以上的頻率下，儘管實施例1的蝕孔淺至27 μm，但實施例1的靜電電容與比較例1～比較例4的靜電電容並不會改變。結果示出如下情況：於100 kHz以上的頻率區域中，於蝕孔的深度為27 μm以下時，蝕孔的整個區域有效率地進行充放電，超過27 μm的深部帶無助於電容器元件的靜電電容。

因此，將蝕孔的深度設為27 μm以下的電極箔具有可實現良好的強度的殘芯部的厚度，且可使箔厚變薄。而且，捲繞型電解電容器可並不大型化地進一步收容此種電極箔而具有高的靜電電容，積層型的電解電容器可並不大型化地更多地積層此種電極箔而具有高的靜電電容。

（實施例2～實施例4） 藉由與實施例1相同的製造方法及相同的條件分別製作將通道狀的蝕孔的深度為20 μm的電極箔作為陽極箔的實施例2的電容器元件、將通道狀的蝕孔的深度為12 μm的電極箔作為陽極箔的實施例3的電容器元件、將通道狀的蝕孔的深度為6 μm的電極箔作為陽極箔的實施例4的電容器元件。

（靜電電容測定2） 藉由與實施例1及比較例1～比較例4相同的條件對該些實施例2～實施例4的電容器元件的靜電電容進行測定。將該結果與實施例1及比較例1～比較例4的平均值一同示於圖7中。圖7為於1 Hz至100 kHz為止的範圍內對實施例1～實施例4及比較例1～比較例4的測定結果進行繪製而成的曲線圖。另外，將對實施例1～實施例4及比較例1～比較例4的電容器元件流通120 Hz及100 kHz的交流電流時的、各交流電流的靜電電容與蝕孔的深度的關係示於圖8中。

如圖7所示，於蝕孔的深度為6 μm的情況下，1 Hz至100 kHz的靜電電容並無變化。蝕孔的深度為12 μm的情況下，若為高頻率區域則靜電電容開始稍許降低，對圖8進行確認，得知120 Hz與100 kHz為開始產生差異的基點。

另外，如圖7所示，於蝕孔的深度為12 μm的1.6倍即20 μm的情況下，100 kHz的靜電電容為0.88 μF，其與蝕孔的深度為12 μm時的100 kHz的靜電電容0.39 μF相比，相當於約2.26倍。另一方面，於蝕孔的深度為12 μm的2.25倍即27 μm的情況下，100 kHz的靜電電容為0.97 μF，其與蝕孔的深度為12 μm時的100 kHz的靜電電容0.39 μF相比，相當於約2.49倍。

藉此可確認到：蝕孔的深度為12 μm以上且20 μm以下時，相對於蝕孔的深度的靜電電容的增加率開始鈍化，但可效率良好地獲得與蝕孔的深度相應的靜電電容。另外得知：蝕孔的深度為20 μm以上且27 μm以下時，相對於蝕孔的深度的靜電電容的增加率開始鈍化，但與超過27 μm的情況相比靜電電容的增加充分。因此確認到：就相對於蝕孔的深度的靜電電容增加的效率性的觀點而言，理想的是12 μm以上至20 μm為止，就電極箔的強度與靜電電容的觀點而言，理想的是20 μm以上且27 μm以下。

以上，於本實施例中，僅對流通頻率為100 kHz的電流的情況進行了敘述，但並不限定於此。即便於對本發明的電極箔流通頻率為100 kHz以上的高頻率區域中的波形與頻率小於100 kHz的低頻率區域的波形合成而得的電流的情況下，亦可獲得與實施例相同的效果。此種電容器可應用於反相電路等近年使用的應對功率半導體的轉換頻率的高頻化的電路中，有助於電力轉換器的高效率化、小型化。

例如，將使用孔長為55 μm的電極箔的電容器並聯連接兩個而形成電路，對該電路流通120 Hz與100 kHz的頻率合成的電流。該情況下，於120 Hz的區域中，可得到與孔長相應的靜電電容。然而，於100 kHz的區域中，與孔長的長度相比得到的靜電電容小。

相對於此，於兩個電容器中，將一者設為使用孔長為55 μm的電極箔的電容器、將另一者設為使用本實施例的27 μm的電極箔的電容器，並將該些並聯連接而形成電路，對該電路流通120 Hz與100 kHz的頻率合成的電流。

此時，使用孔長為55 μm的電極箔的電容器可多地得到與120 Hz區域對應的靜電電容，但關於與100 kHz區域對應的靜電電容，就只利用了孔長的一部分的關係而言，電容器得到的靜電電容小。另一方面，使用孔長為27 μm的電極箔的電容器因電極箔的厚度薄，因此儘管就電容器而言為相同大小，但可捲繞多的電極箔。如此，就100 kHz區域而言，使用孔長為27 μm的電極箔的電容器比使用孔長為55 μm的電極箔的電容器可得到更多的靜電電容。

即，關於使用孔長為55 μm的電極箔的電容器無法充分地得到靜電電容的頻率區域，可藉由使用孔長為27 μm的電極箔的電容器即並聯連接的另一者來應對。如此，並聯連接多個可效率良好地得到靜電電容的頻率成分不同的電容器，於應用不同的頻率成分所合成的電流波形的電力轉換器中，可謀求電路整體的高效率化。

無

圖1為表示比較例1的電容器元件於各頻率下充電時的靜電電容的曲線圖。 圖2為表示比較例2的電容器元件於各頻率下充電時的靜電電容的曲線圖。 圖3為表示比較例3的電容器元件於各頻率下充電時的靜電電容的曲線圖。 圖4為表示比較例4的電容器元件於各頻率下充電時的靜電電容的曲線圖。 圖5為表示實施例1的電容器元件於各頻率下充電時的靜電電容的曲線圖。 圖6為表示實施例1及比較例1～比較例4的電容器元件於各頻率下充電時的靜電電容的各平均值的曲線圖。 圖7為表示實施例1及比較例1～比較例4的電容器元件於各頻率下充電時的靜電電容的曲線圖。 圖8為表示於120 Hz與100 kHz下充電時的蝕孔深度與靜電電容的關係的曲線圖。

Claims (6)

1. 一種電極箔，其為於100 kHz以上的頻率區域中使用的電解電容器中所具備的電極箔，其特徵在於： 具有形成於所述電極箔的表面的通道狀的蝕孔， 所述蝕孔的深度為27 μm以下。
2. 如申請專利範圍第1項所述的電極箔，其中所述蝕孔的深度為12 μm以上且27 μm以下。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電極箔，其中所述電極箔為鋁箔。
4. 一種電解電容器，其為於100 kHz以上的頻率區域中使用的電解電容器，其特徵在於： 具備如申請專利範圍第1項或第2項所述的電極箔。
5. 如申請專利範圍第4項所述的電解電容器，其具有：由所述電極箔形成的陽極箔及陰極箔； 所述陽極箔與所述陰極箔之間的隔板；以及 以乙二醇為主體的電解液。
6. 如申請專利範圍第4項或第5項所述的電解電容器，其中所述電極箔為鋁箔。