TW201830358A - 配線修正裝置及配線修正方法 - Google Patents

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Abstract

一種配線修正裝置，是將由CVD用雷射振盪器振盪的CVD用的雷射光照射在修正用基板的雷射照射面將CVD用原料氣體光分解，在雷射照射面形成修正用金屬配線，該配線修正裝置，具備改質用雷射振盪器，該改質用雷射振盪器，是將波長與CVD用的雷射光不同的改質用的雷射光振盪，在修正用金屬的熔融之後使固化。

Description

配線修正裝置及配線修正方法
[0001] 本發明是有關配線修正裝置及配線修正方法，進一步詳細的話，有關於使用雷射CVD(化學蒸汽沈積、Chemical Vapor Deposition)法，在基板表面形成修正用金屬配線的技術。
[0002] 液晶顯示器和有機EL(電致發光、Electro Luminescence)顯示器等的FPD(平板顯示器、Flat Panel Display)，是例如，具有由多數的薄膜晶體管(Thin Film Transistor)和多數的微細的配線模式圖型等所形成的TFT基板。在FPD的製造過程，在TFT基板上的配線模式圖型具有缺陷情況時，就會進行維修處理。這種維修處理，已知是使用例如，在專利文獻1所揭示的斷線修正方法的處理。在此斷線修正方法中，在斷線發生處，藉由雷射CVD法選擇性地形成導電膜將配線連接。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0003] 　　[專利文獻1] 日本特開2006-317726號公報
[本發明所欲解決的課題] 　　[0004] 近年來，FPD，是進行高精細化以及大畫面化。FPD，是伴隨高精細化而使畫素尺寸和配線寬尺寸變小。FPD，是伴隨大畫面化而使畫素數增加。藉由這種畫素數的增加等的要因，使FPD的刷新率高頻化。刷新率高頻化的話，FPD的驅動電流會增大。例如，在有機EL顯示器，因為驅動方式是電流驅動方式，所以TFT基板的驅動電流也增加。伴隨這種驅動電流的增加，在TFT基板的配線中被要求低電阻化。同樣地，形成於配線的修正處的修正用金屬配線也被要求低電阻化。藉由上述的雷射CVD法而形成的配線，因為是粒子狀金屬塊集合的狀態，所以欲使成為接近金屬原本較低的電阻值是困難的。 　　[0005] 本發明，是有鑑於上述的課題者，其目的是提供一種配線修正裝置及配線修正方法，可實現由雷射CVD法形成的修正用金屬配線的低電阻化。 [用以解決課題的手段] 　　[0006] 為了解決上述的課題，並達成目的，本發明的態樣，是一種配線修正裝置，是在表面曝露在CVD用原料氣體的修正用基板，將由CVD用雷射振盪器振盪的CVD用雷射光照射在修正用基板的雷射照射面將CVD用原料氣體光分解，在雷射照射面將修正用金屬選擇性地堆積使形成修正用金屬配線，該配線修正裝置，具備改質用雷射振盪器，此改質用雷射振盪器，是可將波長與CVD用雷射光不同且可使修正用金屬熔融的改質用雷射光振盪。 　　[0007] 上述態樣中，具備可將CVD用雷射光、及改質用雷射光照射在修正用基板的同一領域的光學系較佳。 　　[0008] 上述態樣中，CVD用雷射光、及改質用雷射光是被設定成同時振盪較佳。 　　[0009] 上述態樣中，設定成在將CVD用雷射光照射並形成了修正用金屬配線之後，將改質用雷射光照射在修正用金屬配線也可以。 　　[0010] 上述態樣中，CVD用雷射光是紫外雷射，改質用雷射光是脈衝振盪的紅外雷射較佳。 　　[0011] 上述態樣中，CVD用雷射振盪器及改質用雷射振盪器，是被包含於2波長輸出雷射振盪器，可將CVD用雷射光及改質用雷射光同時或是個別地振盪較佳。 　　[0012] 上述態樣中，CVD用原料氣體，是從W(CO)6 、Cr(CO)6 、Mo(CO)6 選擇較佳。 　　[0013] 本發明的其他的態樣，是一種配線修正方法，具備：將修正用基板的表面曝露在CVD用原料氣體，將CVD用雷射光照射在修正用基板，在修正用基板的雷射照射面將原料氣體光分解，在雷射照射面將修正用金屬選擇性地堆積使形成修正用金屬配線的CVD過程；及將波長與CVD用雷射光不同的改質用雷射光，照射在修正用金屬將修正用金屬熔融的改質過程。 　　[0014] 上述配線修正方法的態樣中，將CVD過程、及改質過程同時進行較佳。 　　[0015] 上述配線修正方法的態樣中，CVD用雷射光是紫外雷射，改質用雷射光是脈衝振盪的紅外雷射較佳。 [發明的效果] 　　[0016] 依據本發明的話，可以實現由雷射CVD法形成的修正用金屬配線的低電阻化。在本發明中，藉由具備可將CVD用雷射光及改質用雷射光照射在修正用基板的同一領域的光學系，就可以形成電阻均一的修正用金屬配線。 　　[0017] 在本發明中，藉由設定成使CVD用雷射光及改質用雷射光同時振盪，就可以將低電阻的修正用金屬配線效率佳地形成。
[0019] 以下，依據圖面說明本發明的實施例的配線修正裝置及配線修正方法的詳細。但是，應留意圖面只是示意者，各構件的尺寸和尺寸的比率和形狀等是與現實相異。且，在圖面彼此之間也包含尺寸的關係和比率和形狀不同的部分。 　　[0020] [第1實施例] 　　第1圖，是顯示本發明的第1實施例的配線修正裝置1。此配線修正裝置1，是具備：光學系本體2、及修正配線形成部3、及控制部4。在本實施例的配線修正裝置1中，光學系本體2及修正配線形成部3，是被搭載於作為定位機構的高架載台5。 　　[0021] 此配線修正裝置1，是進行修正用基板6的配線修正。修正用基板6，是可以適用例如，構成液晶顯示器和有機EL顯示器等的顯示裝置的TFT基板、和半導體基板等。在本實施例中，修正用金屬是鎢(W)。由鎢構成的修正用金屬配線60，是使用配線修正裝置1，由雷射CVD法而形成。 　　[0022] 高架載台5，是被搭載於無圖示的基台上，在此基台上，設有配置修正用基板6的載置台7。高架載台5，是藉由高架載台驅動部8，進行將光學系本體2及修正配線形成部3，對於載置台7朝無圖示的X-Y方向移動的動作。即，光學系本體2及修正配線形成部3，是對於修正用基板6可移動。 　　[0023] (光學系本體) 　　以下，使用第1圖說明光學系本體2的概略構成。光學系本體2，是具備：光源9、及光學系10。 　　[0024] 光源9，是具備：CVD用雷射振盪器11、及改質用雷射振盪器12的2個振盪器。在本實施例的光學系本體2中，將CVD用雷射振盪器11、及改質用雷射振盪器12同時驅動也可以，在進行了將CVD用雷射振盪器11驅動雷射CVD法之後，使用改質用雷射振盪器12進行改質過程也可以。 　　[0025] CVD用雷射振盪器11，其CVD用雷射光，是將例如波長355nm的紫外雷射振盪。改質用雷射振盪器12，其改質用雷射光，是將波長與上述紫外雷射不同的例如波長1064nm的紅外雷射脈衝振盪。從CVD用雷射振盪器11被振盪的CVD用雷射光束L1、及從改質用雷射振盪器12被振盪的改質用雷射光束L2，是朝向同一方向被射出。又，本發明，是具有作為CVD用雷射光的作用及作為改質用雷射光的作用的雷射光的組合的話，不限定於上述雷射光的組合。又，本發明改質用雷射光的驅動方式，不限定於脈衝振盪。 　　[0026] 紫外雷射，也稱為THG (Third Harmonic Generation：第3高調波)雷射。在本實施例中，因為將此紫外雷射作為CVD用雷射光使用，所以可以抑制熱應力施加於修正用基板6上的各構件，可在修正用基板6中的微細的領域選擇地形成修正用金屬配線60。 　　[0027] 紅外雷射，因為是透過透明體，所以可以不會給與後述的修正配線形成部3的玻璃窗部32破壞地照射在修正用基板6的表面。又，紅外雷射，也被稱為IR (infrared)雷射。此紅外雷射，是藉由脈衝振盪，在後述的改質過程，可瞬間地將修正用金屬熔融。 　　[0028] 如第1圖所示，光學系10，是具備：第1光束擴大器13、及第1衰減器14、及第2光束擴大器15、及第2衰減器16、及第1鏡子17、及波長選擇鏡子18、及第2鏡子19、及開縫20、及無限遠修正透鏡21、及對物透鏡22。 　　[0029] 第1光束擴大器13，是將CVD用雷射光束L1的光束徑適切地擴大。第1衰減器14，是將通過了第1光束擴大器13的CVD用雷射光束L1的功率層級適切地調整。第2光束擴大器15，是將改質用雷射光束L2的光束徑適切地擴大。第2衰減器16，是將通過了第2光束擴大器15的改質用雷射光束L2的功率層級適切地調整。第1鏡子17，是將通過了第2衰減器16的改質用雷射光束L2反射。 　　[0030] 波長選擇鏡子18，是CVD用雷射振盪器11及改質用雷射振盪器12同時被驅動時，可以將由第1鏡子17被反射的改質用雷射光束L2反射，讓CVD用雷射光束L1通過。即，在波長選擇鏡子18中，可以將CVD用雷射光束L1及改質用雷射光束L2成為混合光束。第2鏡子19，是將通過了波長選擇鏡子18的CVD用雷射光束L1和改質用雷射光束L2，朝向修正配線形成部3側反射。開縫20，是將通過了第2鏡子19的CVD用雷射光束L1和改質用雷射光束L2的光束徑適切地調整。無限遠修正透鏡21，是將通過了開縫20的CVD用雷射光束L1和改質用雷射光束L2無限遠修正。對物透鏡22，是將CVD用雷射光束L1和改質用雷射光束L2朝修正配線形成部3側射出。 　　[0031] 又，對物透鏡22，是將修正用基板6的表面中的CVD用雷射光束L1和改質用雷射光束L2的光束徑最終地決定。此對物透鏡22，是可對應形成於修正用基板6的表面的配線的寬度尺寸交換倍率不同的其他的對物透鏡。 　　[0032] (修正配線形成部) 　　接著，使用第2圖對於修正配線形成部3的構成也包含周知的構成簡單地說明。此修正配線形成部3，是雷射CVD裝置，是將由作為修正用金屬的鎢(W)所構成的修正用金屬配線60由雷射CVD法形成的裝置。 　　[0033] 修正配線形成部3，是在板狀的形成部本體31的中央部設有玻璃窗部32。在形成部本體31的玻璃窗部32的下面側，形成有成為將CVD用原料氣體滯留的空間的凹部33。以將此凹部33圍起來的方式，以使複數排氣管34的端部34A由形成部本體31的下面開口的方式設置。這些排氣管34，是朝箭頭E方向進行排氣。又，在本實施例中，雖將複數排氣管34的端部在形成部本體31的下面開口地設置，但是設置成繞凹部33一圈的溝，在此溝的底部設置複數開口部，使這些的開口部與1個排氣管34連通地形成也可以。如第2圖所示，藉由從端部34A的開口部將空氣吸入，就可在形成部本體31及修正用基板6之間的間隙形成將凹部33圍起來的空氣層A。 　　[0034] 在形成部本體31的凹部33內，供給CVD用原料氣體的原料氣體供給管35、及供給淨化氣體的淨化氣體供給管36是連通。CVD用原料氣體，是使用鎢羰基(W(CO)6 )。在此修正配線形成部3中，因為藉由空氣從排氣管34的端部34A被吸入而發生層流，在凹部33的周圍可以形成由空氣層A所包圍的空間，所以可以將CVD用原料氣體只有朝玻璃窗部32的下的微細的空間供給。因此，修正用基板6即使大型，也不必要使用大型的CVD用腔室。 　　[0035] 如第2圖所示，修正配線形成部3的玻璃窗部32，是設定成位於光學系本體2的對物透鏡22的下方。如第1圖所示，修正配線形成部3，是將這種位置關係保持與光學系本體2一起地設置在高架載台5。 　　[0036] (第1配線修正方法：CVD用雷射振盪器及改質用雷射振盪器的同時驅動) 　　接著，說明使用本實施例的配線修正裝置1的第1配線修正方法及其作用、效果。 　　[0037] 首先，如第1圖所示，將修正用基板6配置在載置台7上。接著，控制部4，是依據配線缺陷處的資料，以使修正配線形成部3的玻璃窗部32，對應於在修正用基板6上的成為形成修正用金屬配線60的始點的位置的上方的方式，將高架載台驅動部8控制將高架載台5移動。 　　[0038] 接著，控制部4，是將CVD用雷射振盪器11及改質用雷射振盪器12控制，將CVD用雷射光束L1及改質用雷射光束L2同時振盪。CVD用雷射光束L1及改質用雷射光束L2，是以由波長選擇鏡子18成為相同光路的方式成為混合光束。此混合光束，是由第2鏡子19朝下方被反射，通過開縫20、無限遠修正透鏡21、對物透鏡22、及修正配線形成部3的玻璃窗部32照射在形成修正用基板6的修正用金屬配線60的始點(在第3圖由符號S顯示)的位置。 　　[0039] 此時，修正配線形成部3的排氣管34中的排氣，來自原料氣體供給管35及淨化氣體供給管36的各氣體的導入是被控制。在此狀態下，將光學系本體2及修正配線形成部3移動，藉由將混合光束在修正用基板6上移動至修正用金屬配線60的形成終了的終點(在第3圖由符號F顯示)的位置為止，就可以形成堆積了鎢的修正用金屬配線60。即，如第2圖所示，因為CVD用原料氣體是時常朝修正配線形成部3的形成部本體31的下面側的凹部33附近被供給，所以可以沿著混合光束的移動軌跡形成修正用金屬配線60。 　　[0040] 在本實施例的配線修正裝置1中，因為可以從對物透鏡22朝修正用基板6，將CVD用雷射光束L1及改質用雷射光束L2同時供給，所以可以堆積在修正用基板6上的鎢瞬間地被改質用雷射光束L2熔融。第3圖，是顯示朝修正用基板6上的修正用金屬配線60的始點位置S將CVD用雷射光束L1及改質用雷射光束L2同時地供給之後，朝由箭頭M顯示的方向將這些混合光束移動的狀態。在此配線修正方法中，可以使CVD用雷射光束L1及改質用雷射光束L2的移動的軌道一致。且，在此配線修正方法中，因為同時進行CVD過程及改質過程，所以可以短縮在修正所需要的時間。 　　[0041] 依據本實施例的配線修正裝置1的話，形成於修正用基板6上的修正用金屬配線60，是藉由改質用雷射光束L2被熔融而成為緊密的結晶構造。 　　因此，依據此配線修正裝置1的話，可以將修正用金屬配線60低電阻化。 　　[0042] 依據本實施例的配線修正裝置1的話，藉由成為上述構成，就可以藉由光學系10將CVD用雷射光及改質用雷射光成為混合光束照射在修正用基板6的同一領域。因此，只有將設有光學系本體2及修正配線形成部3的高架載台5移動，不需要使CVD加工位置及改質加工位置偏離，就可以確實地施加改質處理。 　　[0043] (第2配線修正方法：將CVD用雷射振盪器及改質用雷射振盪器個別驅動) 　　第2配線修正方法，是將CVD用雷射振盪器11單獨驅動由雷射CVD法進行了的鎢的堆積之後，將改質用雷射振盪器12單獨驅動，進行鎢的改質。 　　[0044] 第4-1圖～第4-3圖，是顯示第2配線修正方法的過程圖。在第2配線修正方法中，如第4-1圖所示，只有將CVD用雷射光束L1照射，就可沿著從始點(由符號S顯示)的位置至終點(由符號F顯示)的位置為止的軌跡，形成未改質修正用金屬配線61。 　　[0045] 接著，如第4-2圖所示，只有將改質用雷射光束L2沿著上述軌跡照射未改質修正用金屬配線61，就可將未改質修正用金屬配線61熔融使結晶構造在緊密化的狀態下固化。如此，如第4-3圖所示，可以形成成為緊密且低電阻的鎢的修正用金屬配線60。 　　[0046] 在這種第2配線修正方法中，藉由反覆CVD過程，將未改質修正用金屬配線61堆疊將配線高度確保之後，施加改質過程也可以。且，在第2配線修正方法中，在未改質修正用金屬配線61照射複數次改質用雷射光也可以。此情況，可以將鎢是呈粒子狀堆積的未改質修正用金屬配線61確實地熔融、固化，可以將修正用金屬配線60塊體化，可將配線電阻值大幅地減少。 　　[0047] (第2實施例) 　　第5圖，是顯示本發明的第2實施例的配線修正裝置1A。在此配線修正裝置1A中，雖具備了作為光源的2波長輸出雷射振盪器23，但是主要是與上述第1實施例的配線修正裝置1的構成不同。2波長輸出雷射振盪器23，是包含兼具CVD用雷射振盪器及前述改質用雷射振盪器的構成。2波長輸出雷射振盪器23，是可以使用將CVD用雷射光及改質用雷射光同時或是個別地振盪的雷射裝置。在本實施例中，CVD用雷射光也是使用紫外雷射，改質用雷射光也是使用紅外雷射。 　　[0048] 如第5圖所示，此配線修正裝置1A，是具備：讓從2波長輸出雷射振盪器23振盪的CVD用雷射光束L1通過且將改質用雷射光束L2反射的波長選擇鏡子24、及將被波長選擇鏡子24反射的改質用雷射光束L2反射而成為與CVD用雷射光束L1平行的光路的第3鏡子25。本實施例的配線修正裝置1A的其他的構成，因為是與上述的第1實施例的配線修正裝置1相同所以省略說明。在本實施例的配線修正裝置1A，也可以適用：將CVD用雷射光束L1及改質用雷射光束L2同時照射的第1配線修正方法、和在CVD過程之後進行改質過程的第2配線修正方法。 　　[0049] 在上述的第2實施例中，藉由使用2波長輸出雷射振盪器23，就可以達成配線修正裝置1A的小型化。特別是在此第2實施例中，藉由使用2波長輸出雷射振盪器23，就可以將光學系本體2小型化及輕量化，光學系本體2成為可更圓滑地移動於高架載台5。 　　[0050] (其他的實施例) 　　以上，雖說明了本發明的實施例及實施例，但是應理解這些實施例及其所揭示的一部分的論述及圖面並不是限定本發明。本行業者明顯可從此揭示獲得各式各樣的替代實施例、實施例及運用技術。 　　[0051] 例如，在上述的各實施例中，雖將鎢(W)作為修正用金屬使用，但是鉻(Cr)、鉬(Mo)也可以適用。該情況，CVD用原料氣體，是使用鉻羰基(Cr(CO)6 )、鉬羰基(Mo(CO)6 )。又，在本發明中，修正用金屬，不限定於鎢(W)、鉻(Cr)、及鉬(Mo)，其他的金屬也可以適用。 　　[0052] 在上述的各實施例中，雖將高架載台5驅動使光學系本體2及修正配線形成部3朝X-Y方向移動，但是修正用基板6側是朝X-Y方向移動的構成也可以。 　　[0053] 在上述的各實施例中，雖使用紫外雷射作為CVD雷射光，但是使用FHG雷射(第4高調波發生雷射)也可以。且，在上述的各實施例中，改質用雷射光雖使用紅外雷射，但是使用SHG雷射也可以。在本發明中，CVD雷射光，不限定於紫外雷射和FHG雷射，其他的雷射也可以適用。且，在本發明中，改質用雷射光，不限定於紅外雷射和SHG雷射，其他的雷射也可以適用。 　　[0054] 且在本發明的實施例的配線修正裝置1、1A中，使用改質用雷射光對於既有的配線進行改質也可以。
[0055]
A‧‧‧空氣層
CVD‧‧‧雷射
L1‧‧‧CVD用雷射光束
L2‧‧‧改質用雷射光束
S‧‧‧始點位置
1、1A‧‧‧配線修正裝置
2‧‧‧光學系本體
3‧‧‧修正配線形成部
4‧‧‧控制部
5‧‧‧高架載台
6‧‧‧修正用基板
7‧‧‧載置台
8‧‧‧高架載台驅動部
9‧‧‧光源
10‧‧‧光學系
11‧‧‧CVD用雷射振盪器
12‧‧‧改質用雷射振盪器
13‧‧‧第1光束擴大器
14‧‧‧第1衰減器
15‧‧‧第2光束擴大器
16‧‧‧第2衰減器
17‧‧‧第1鏡子
18‧‧‧波長選擇鏡子
19‧‧‧第2鏡子
20‧‧‧開縫
21‧‧‧無限遠修正透鏡
22‧‧‧對物透鏡
23‧‧‧2波長輸出雷射振盪器
24‧‧‧波長選擇鏡子
25‧‧‧第3鏡子
31‧‧‧形成部本體
32‧‧‧玻璃窗部
33‧‧‧凹部
34‧‧‧排氣管
34A‧‧‧端部
35‧‧‧原料氣體供給管
36‧‧‧淨化氣體供給管
60‧‧‧修正用金屬配線
61‧‧‧未改質修正用金屬配線
[0018] 　　[第1圖] 本發明的第1實施例的配線修正裝置的構成圖。 　　[第2圖] 構成本發明的第1實施例的配線修正裝置的修正配線形成部(雷射CVD裝置)的剖面說明圖。 　　[第3圖] 顯示使用本發明的第1實施例的配線修正裝置適用第1配線修正方法並形成修正用金屬配線的過程的說明圖。 　　[第4-1圖] 顯示使用本發明的第1實施例的配線修正裝置適用第2配線修正方法並形成未改質修正用金屬配線的過程的說明圖。 　　[第4-2圖] 顯示使用本發明的第1實施例的配線修正裝置適用第2配線修正方法，將未改質修正用金屬配線熔融、固化使變化成修正用金屬配線的過程的說明圖。 　　[第4-3圖] 顯示使用本發明的第1實施例的配線修正裝置將第2配線修正方法適用並形成修正用金屬配線的過程的說明圖。 　　[第5圖] 本發明的第2實施例的配線修正裝置的構成圖。

Claims (10)

  1. 一種配線修正裝置， 　　是在表面被曝露在CVD用原料氣體的修正用基板，將由CVD用雷射振盪器振盪的CVD用雷射光照射在前述修正用基板的雷射照射面將CVD用原料氣體光分解，在前述雷射照射面將修正用金屬選擇性地堆積使形成修正用金屬配線， 　　該配線修正裝置，具備改質用雷射振盪器， 　　前述改質用雷射振盪器，是將波長與前述CVD用雷射光不同且可將前述修正用金屬熔融的改質用雷射光振盪。
  2. 如申請專利範圍第1項的配線修正裝置，其中， 　　具備可將前述CVD用雷射光、及前述改質用雷射光，照射在前述修正用基板的同一領域的光學系。
  3. 如申請專利範圍第1或2項的配線修正裝置，其中， 　　前述CVD用雷射光、及前述改質用雷射光，是被設定成同時振盪。
  4. 如申請專利範圍第1或2項的配線修正裝置，其中， 　　設定成將前述CVD用雷射光照射並形成了前述修正用金屬配線之後，使前述改質用雷射光照射前述修正用金屬配線。
  5. 如申請專利範圍第1或2項的配線修正裝置，其中， 　　前述CVD用雷射光是紫外雷射，前述改質用雷射光是被脈衝振盪的紅外雷射。
  6. 如申請專利範圍第1或2項的配線修正裝置，其中， 　　前述CVD用雷射振盪器及前述改質用雷射振盪器，是被包含於2波長輸出雷射振盪器，可將前述CVD用雷射光及前述改質用雷射光同時或是個別地振盪。
  7. 如申請專利範圍第1或2項的配線修正裝置，其中， 　　前述CVD用原料氣體，是從W(CO)6 、Cr(CO)6 、Mo(CO)6 選擇。
  8. 一種配線修正方法，具備： 　　將修正用基板的表面曝露在CVD用原料氣體，將CVD用雷射光照射在前述修正用基板，在前述修正用基板的雷射照射面將CVD用原料氣體光分解，在前述雷射照射面將修正用金屬選擇性地堆積使形成修正用金屬配線的CVD過程；及 　　將波長是與前述CVD用雷射光不同的改質用雷射光，照射在前述修正用金屬將前述修正用金屬熔融的改質過程。
  9. 如申請專利範圍第8項的配線修正方法，其中， 　　將前述CVD過程、及前述改質過程同時進行。
  10. 如申請專利範圍第8或9項的配線修正方法，其中， 　　前述CVD用雷射光是紫外雷射，前述改質用雷射光是紅外雷射。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2655666B2 (ja) * 1988-02-10 1997-09-24 株式会社日立製作所 配線形成方法
JP2723658B2 (ja) * 1990-07-05 1998-03-09 日本電気株式会社 レーザｃｖｄ法による配線形成方法及びその装置
JP3149526B2 (ja) * 1992-05-15 2001-03-26 株式会社日立製作所 配線形成方法
JP2006317726A (ja) 2005-05-13 2006-11-24 Nec Lcd Technologies Ltd 断線修正方法及びアクティブマトリックス基板の製造方法並びに表示装置
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