JP2007335654A - 結晶化装置および結晶化方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単一のレーザー光源31を有する照明系3と、被処理基板を照明系に対して位置合せ可能に支持する基板ステージ6と、レーザー光の位相を変調して所望の光強度分布を有する変調レーザー光とする位相シフタ1,2と、照明系を通過したレーザー光を基板ステージ上の被処理基板の像面において結像させる結像光学系4と、を具備する結晶化装置であって、照明系3は、パルスレーザー光を複数に分割する光分割手段32と、分割された複数のレーザー光の間に所望の光路長差を設定する光路長差設定手段M1-M10,50と、 前記光路長差が設定された複数のパルスレーザー光を合成する光合成手段34とを有する。
【選択図】 図2
Description
表面科学Vol.21,No.5,pp278−287,2000
前記照明系(3)は、前記パルスレーザー光を複数に分割する光分割手段(32)と、前記分割された複数のパルスレーザー光の間に所望の光路長差を設定する光路長差設定手段(M1-M10,50)と、前記光路長差が設定された複数のパルスレーザー光を合成する光合成手段(34)と、を具備することを特徴とする。
(a)結晶化のための条件として結晶化装置が固有に有する各種の装置パラメータを求め、求めた装置パラメータを読み出し可能に記録部に記録・保存しておき、
(b)結晶化のためのレシピを入力し、入力されたレシピに応じて前記装置パラメータを読み出し、
(c)読み出した前記装置パラメータに従って、前記結晶化装置の単一の光源からパルスレーザー光を出射し、該パルスレーザー光を複数のセグメント光に分割し、該分割された一のセグメント光と他のセグメント光との間に所望の光路長差を設定し、設定された光路長差の光路をそれぞれ通過した前記一のセグメント光と前記他のセグメント光とを合成し、1つのパルスレーザー光として被処理基板に照射し、前記非単結晶半導体膜を結晶化させることを特徴とする。
レーザー光源31から出射されたレーザー光Pは、偏光ビームスプリッタやハーフミラーなどの光分割手段により複数のセグメント光に分割され、例えば光源の光軸に沿って直進するP偏光成分P1とこれに直交する方向に進むS偏光成分P2とに分離される。分割後、例えば図1に示すように直進するP偏光成分P1を短いレーザ光路に通過させて先行させ、直交方向のS偏光成分P2を(例えば10mの光路長差をもつ)長いレーザ光路に通過させて前者よりも僅かに遅れさせる。P偏光成分P1とS偏光成分P2とは、光強度が2等分された実施例である。P偏光成分P1とS偏光成分P2の光強度分布は、ピーク値を有する正弦波状の光強度分布である。このP偏光成分P1に対するS偏光成分P2の遅延時間は、P偏光成分P1光の照射領域内であって減衰する光強度分布光の位置内にS偏光成分P2光を照射することである。これらのP偏光成分とS偏光成分は、減衰器(アッテネータ)などのレーザー強度調整手段により、例えば図7に示すように所望のパルス強度比P1/P2に設定される。さらに、P偏光成分P1とS偏光成分P2は、例えば図7に示すように、偏光ビームスプリッタなどの光合成手段により合成されて幅広のパルス波形の合成光P3(ダブルパルス光)となる。この合成光P3は、1つのパルスレーザー光として、位相シフタおよび結像光学系を通過し、最終的に被処理基板上の非単結晶半導体膜に入射される。この合成光P3の受光面は、溶融し、パルスレーザー光が遮断された後の降温期間内の凝固過程において結晶化される。この場合に、合成光P3のパルス幅(半値幅)を基準光パルス幅(半値幅)の1.1〜2.5倍の範囲とすることが好ましい。合成光P3のパルス幅が1.1倍を下回ると幅広のパルス光を照射するという発明の効果が失われ、2.5倍を上回ると1パルス光としてのまとまりが低下して均一に溶融・結晶化させることができなくなるからである。
R3,R9,R10=1.5m
(R1+R2),R5,R7,R12=1.0m
上記のレーザ光路R1〜R14のうち、図1中に破線で取り囲んだ部分(ミラーM3〜M6を含むレーザ光路R5〜R7)は本装置の照明系3に対して着脱可能に取り付けられている。この部分を取り外して、他の長さを持つレーザ光路部材を代わりに取り付けることにより、S偏光成分光のレーザー光路長を所望の長さに変更することができるようになっている。
PJELA装置1の主スイッチをONすると、自動的にコンピュータ8が装置パラメータのデータ読み出しを行い、種々の装置パラメータが一覧表となって表示装置81の画面上に表示される(工程K1)。ここで読み出される装置パラメータは、パルス幅、パルス強度比、光の分割数および非単結晶半導体膜の膜厚を少なくとも含むものである。また、読み出される装置パラメータは、前回の結晶化に使用したパルス幅、パルス強度比、光の分割数および非単結晶半導体膜の膜厚を含むものであってもよい。基板ステージ6が被処理基板5を保持した状態で照射位置(レーザー光軸と一致)に自動的に進入する(工程K2)。このとき被処理基板5の入射面を結晶化したい位置に移動させ、光源側のレーザー光軸とアライメントした(工程K3)。読み出した装置パラメータに含まれる目標ずれ量値に基づいて、コンピュータ8がハイトセンサ78からの検出信号を用いて基板ステージ6のZ方向動作を制御して、基板ステージ6と被処理基板5とのずれ量を目標ずれ量値に一致させる(工程K4)。このとき使用される装置パラメータは、前回使用したときに最適であった装置パラメータであっても良いし、シミュレーションによって理想的と想定される値であってもよい。この工程K4において、被処理基板5上でのZ方向の位置精度を±0.1μmとした。
2…位相シフタ、
3…照明系、
31…レーザー光源、
32…ビームスプリッタ(光分割手段)、
33,35…アッテネータ(光強度調整手段)、
34…ビームスプリッタ(光合成手段)、
37…照明光学系、
4…結像光学系、
5…被処理基板、
6…基板ステージ、
8…制御部、
50…レーザー光路保護筐体、
51,52,53,54,55…保護板、
51a,51b,52a,52b…開口部、
57…リレーレンズ、
58…ガイドレール、
60…レシピ入力画面、
77…ビームプロファイラ、
78…ハイトセンサ、
79…入力装置(キイボード)、
81…表示装置、
M1〜M10…ミラー、
R1〜R12…レーザー光路。
Claims (9)
- 逆ピークパターン状のパルスレーザー光を非単結晶半導体膜に照射して該非単結晶半導体膜を部分的に溶融させ、その凝固過程で結晶化する結晶粒をラテラル成長させる結晶化装置であって、
単一のレーザー光源を有する照明系と、
非単結晶半導体膜を有する被処理基板を前記照明系に対して位置合せ可能に支持する基板ステージと、
前記照明系から前記基板ステージまでの間に設けられ、レーザー光の位相を変調し、所望の光強度分布を有する変調レーザー光とする位相シフタと、
前記照明系を通過したレーザー光を前記基板ステージ上の被処理基板の像面において結像させる結像光学系と、を具備し、
前記照明系は、
前記パルスレーザー光を複数に分割する光分割手段と、
前記分割された複数のパルスレーザー光の間に所望の光路長差を設定する光路長差設定手段と、
前記光路長差が設定された複数のパルスレーザー光を合成する光合成手段と、
を具備することを特徴とする結晶化装置。 - 前記照明系は、前記分割された光を所望の光強度に変えるレーザー強度調整手段をさらに有することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記光路長差設定手段は、一のセグメント光と他のセグメント光との間の光路長差を変更する手段をさらに有することを特徴とする請求項1又は2のいずれか1項記載の装置。
- 結晶粒を成長させる好適のプロセス条件に対応する装置パラメータを記憶して保有する記録装置を有し、結晶化のためのレシピに応じて前記装置パラメータを読み出し、読み出した装置パラメータに基づいて前記レーザー光源、前記レーザー強度調整手段、前記光路長差設定手段および前記基板ステージのうちの少なくとも1つの動作を制御する制御手段をさらに有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の装置。
- 前記レーザー強度調整手段は、前記光分割手段により分割された一のセグメント光の光強度レベルを調整する第1の減衰器と、前記光分割手段により分割された他のセグメント光の光強度レベルを調整する第2の減衰器と、を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の装置。
- パルスレーザー光を非単結晶半導体膜に照射して該非単結晶半導体膜を部分的に溶融させ、その凝固過程で結晶化する結晶粒をラテラル成長させる結晶化方法において、
(a)結晶化のための条件として結晶化装置が固有に有する各種の装置パラメータを求め、求めた装置パラメータを読み出し可能に記録部に記録・保存しておき、
(b)結晶化のためのレシピを入力し、入力されたレシピに応じて前記装置パラメータを読み出し、
(c)読み出した前記装置パラメータに従って、前記結晶化装置の単一の光源からパルスレーザー光を出射し、該パルスレーザー光を複数のセグメント光に分割し、該分割された一のセグメント光と他のセグメント光との間に所望の光路長差を設定し、設定された光路長差の光路をそれぞれ通過した前記一のセグメント光と前記他のセグメント光とを合成し、1つのパルスレーザー光として被処理基板に照射し、前記非単結晶半導体膜を結晶化させることを特徴とする結晶化方法。 - 前記工程(b)において読み出される装置パラメータは、パルス幅、パルス強度比、光の分割数および非単結晶半導体膜の膜厚を少なくとも含むことを特徴とする請求項6記載の方法。
- 前記工程(b)において読み出される装置パラメータは、前回の結晶化に使用したパルス幅、パルス強度比、光の分割数および非単結晶半導体膜の膜厚を含むことを特徴とする請求項7記載の方法。
- 前記パルス幅(半値幅)を基準光パルス幅(半値幅)の1.1〜2.5倍の範囲とし、前記パルス強度比を0.1〜0.9の範囲とすることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項記載の方法。
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