JP2007115841A - 薄膜材料の結晶化方法及びその装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素用の薄膜トランジスターの結晶化シリコン薄膜は、レーザ発振器101より発したレーザ102の走査方向のビームサイズが半値幅W1で10μmより大きく、かつ、画素用の照射エネルギー密度:E1として薄膜シリコン106に照射し、結晶化シリコン薄膜となし、周辺回路用の薄膜トランジスターの結晶化シリコン薄膜は、W2が半値幅で10μm以下、かつ、照射エネルギー密度:E2を画素用の照射エネルギー密度E1よりも高めると共に、送りピッチ2μm/p以下として薄膜シリコン106に照射し、結晶化シリコン薄膜となす。
【選択図】 図1
Description
先ず、画素用の薄膜トランジスターの結晶化シリコン薄膜は、結晶粒の大きさが薄膜トランジスターのチャネル長より十分に小さい結晶か、結晶粒の大きさが不揃いであるが均一に分散した結晶(以下、「均一ランダム結晶」という。)とする方が、表示したときの特性が局在することなく、見た目に均一であるように見える。
請求項1の発明は、レーザ発振器101より発したパルス状のレーザ102を1つの基板に形成した薄膜シリコン106に走査しながら照射することにより、
画素用及び周辺回路用の薄膜トランジスターの結晶化シリコン薄膜が、各々異なる条件として結晶化される薄膜材料の結晶化方法において、
画素用の結晶化シリコン薄膜は、レーザ102の走査方向のビーム幅が半値幅(W1)で10μmより大きく、かつ、所定の画素用の照射エネルギー密度E1として薄膜シリコン106に照射して生成し、
周辺回路用の結晶化シリコン薄膜は、レーザ102の走査方向のビーム幅が半値幅W2で10μm以下、かつ、照射エネルギー密度E2を画素用の照射エネルギー密度E1よりも高めると共に、薄膜シリコン106に照射するレーザ102の送りピッチ2μm/p以下として薄膜シリコン106に照射して生成することを特徴とする薄膜材料の結晶化方法である。
請求項2の発明は、レーザ発振器101より発したパルス状のレーザ102を1つの基板に形成した薄膜シリコン106に走査しながら照射することにより、
画素用及び周辺回路用の薄膜トランジスターの結晶化シリコン薄膜が、各々異なる条件として結晶化される薄膜材料の結晶化装置において、
レーザ発振器101より発したレーザ102を、強度をY軸方向に均一化するホモジナイザー103と、ホモジナイザー103を透過するレーザ102をマスク104面にX軸方向に集光するシリンドリカルレンズ108と、マスク104面を透過するレーザ102のマスクパターンを薄膜シリコン106上に投影し、薄膜シリコン106を結晶化する投影レンズ105とを備え、
画素用の結晶化シリコン薄膜は、レーザ102の走査方向のビーム幅が半値幅(W1)で10μmより大きく、かつ、所定の画素用の照射エネルギー密度E1として薄膜シリコン106に照射して生成し、
周辺回路用の結晶化シリコン薄膜は、レーザ102の走査方向のビーム幅が半値幅(W2)で10μm以下、かつ、照射エネルギー密度E2を画素用の照射エネルギー密度E1よりも高めると共に、薄膜シリコン106に照射するレーザ102の送りピッチ2μm/p以下として薄膜シリコン106に照射して生成することを特徴とする薄膜材料の結晶化装置である。
請求項3の発明は、前記画素用のレーザ102の半値幅W1と周辺回路用のレーザ102の半値幅W2とを得るために、前記マスク104がレーザ102の遮蔽量を変更可能であることを特徴とする請求項2の薄膜材料の結晶化装置である。
請求項4の発明は、前記画素用のレーザ102の半値幅W1と周辺回路用のレーザ102の半値幅W2とを得るために、前記シリンドリカルレンズ108が光軸方向に移動可能であり、
シリンドリカルレンズ108を光軸方向に移動させて、マスク104上のレーザ102のビーム幅を変更可能であることを特徴とする請求項2又は3の薄膜材料の結晶化装置である。
請求項5の発明は、前記画素用のレーザ102の半値幅W1と周辺回路用のレーザ102の半値幅W2とを得るために、前記シリンドリカルレンズ108に入射するレーザ102を、X軸方向にmの倍率、かつ、Y軸方向にnの倍率で拡大するビームエキスパンダー107を設け、X軸方向の倍率mを変えることを特徴とする請求項2又は3の薄膜材料の結晶化装置である。
請求項6の発明は、前記画素用のレーザ102の半値幅W1と周辺回路用のレーザ102の半値幅W2とを得るために、前記シリンドリカルレンズ108が焦点距離:fを増減調節することが可能であることを特徴とする請求項2又は3の薄膜材料の結晶化装置である。
請求項7の発明は、前記レーザ発振器101をパルス状の固体レーザからなるレーザ102を発振する固体レーザ発振器とすると共に、前記半値幅:W1,W2毎の照射エネルギー密度E1,E2をそれぞれ所定の照射エネルギー密度とするために、前記固体レーザからなるレーザ102の繰返し周波数を変えてパルスエネルギーを調整することを特徴とする請求項2の薄膜材料の結晶化装置である。
請求項8の発明は、前記画素用又は周辺回路用の結晶化シリコン薄膜を生成するとき、レーザ102の走査方向と直交する方向のマスク104の開口部長さ111を調整・変更し、マトリックス状に配置した薄膜トランジスター301の無いところにレーザ102の走査方向と直交する方向の端部を位置させることを特徴とする請求項7の薄膜材料の結晶化装置である。
請求項9の発明は、前記画素用又は周辺回路用の結晶化シリコン薄膜を生成するとき、前記薄膜シリコン106に照射するレーザ102の走査方向と直交する方向の両端の強度分布の傾斜部304の幅が、強度50〜97%の範囲で10μm以下であつて、該傾斜部304がマトリックス状に配置した薄膜トランジスターの存在しない箇所を走査するように位置制御することを特徴とする請求項7の薄膜材料の結晶化装置である。
画素用の薄膜トランジスターの結晶化シリコンは、薄膜シリコン106に照射するレーザ102の走査方向のビームサイズが半値幅W1で10μmより大きく、照射エネルギー密度:E1=EmJ/cm2で結晶化し、均一ランダム結晶からなる結晶化シリコン薄膜を生成する。
d=4fλM2 /(πD)・・・・式(1)
という関係がある。ここで、fは集光レンズであるシリンドリカルレンズ108の焦点距離、λはレーザの波長、M2 はレーザ102のビーム質を示す指標、Dはシリンドリカルレンズ108に入射するX軸方向のビーム幅(サイズ)である。従つて、シリンドリカルレンズ108に入射するビーム幅Dをビームエキスパンダー107によつて可変とすることで、マスク104上に集光する集光ビームサイズdを変えて、半値幅W1,W2を変化させることができる。
101:レーザ発振器
102:レーザ
103:ホモジナイザー
104:マスク
105:投影レンズ
106:薄膜シリコン
108:シリンドリカルレンズ
110:マスクの開口部
111:開口部の長さ(開口部長さ)
112:開口部の幅
301:薄膜トランジスター
304:傾斜部
W1,W2:半値幅
E1,E2:照射エネルギー密度
m:X軸方向の倍率
n:Y軸方向の倍率
f:シリンドリカルレンズの焦点距離
Claims (9)
- レーザ発振器(101)より発したパルス状のレーザ(102)を1つの基板に形成した薄膜シリコン(106)に走査しながら照射することにより、
画素用及び周辺回路用の薄膜トランジスターの結晶化シリコン薄膜が、各々異なる条件として結晶化される薄膜材料の結晶化方法において、
画素用の結晶化シリコン薄膜は、レーザ(102)の走査方向のビーム幅が半値幅(W1)で10μmより大きく、かつ、所定の画素用の照射エネルギー密度(E1)として薄膜シリコン(106)に照射して生成し、
周辺回路用の結晶化シリコン薄膜は、レーザ(102)の走査方向のビーム幅が半値幅(W2)で10μm以下、かつ、照射エネルギー密度(E2)を画素用の照射エネルギー密度(E1)よりも高めると共に、薄膜シリコン(106)に照射するレーザ(102)の送りピッチ2μm/p以下として薄膜シリコン(106)に照射して生成することを特徴とする薄膜材料の結晶化方法。 - レーザ発振器(101)より発したパルス状のレーザ(102)を1つの基板に形成した薄膜シリコン(106)に走査しながら照射することにより、
画素用及び周辺回路用の薄膜トランジスターの結晶化シリコン薄膜が、各々異なる条件として結晶化される薄膜材料の結晶化装置において、
レーザ発振器(101)より発したレーザ(102)を、強度をY軸方向に均一化するホモジナイザー(103)と、ホモジナイザー(103)を透過するレーザ(102)をマスク(104)面にX軸方向に集光するシリンドリカルレンズ(108)と、マスク(104)面を透過するレーザ(102)のマスクパターンを薄膜シリコン(106)上に投影し、薄膜シリコン(106)を結晶化する投影レンズ(105)とを備え、
画素用の結晶化シリコン薄膜は、レーザ(102)の走査方向のビーム幅が半値幅(W1)で10μmより大きく、かつ、所定の画素用の照射エネルギー密度(E1)として薄膜シリコン(106)に照射して生成し、
周辺回路用の結晶化シリコン薄膜は、レーザ(102)の走査方向のビーム幅が半値幅(W2)で10μm以下、かつ、照射エネルギー密度(E2)を画素用の照射エネルギー密度(E1)よりも高めると共に、薄膜シリコン(106)に照射するレーザ(102)の送りピッチ2μm/p以下として薄膜シリコン(106)に照射して生成することを特徴とする薄膜材料の結晶化装置。 - 前記画素用のレーザ(102)の半値幅(W1)と周辺回路用のレーザ(102)の半値幅(W2)とを得るために、前記マスク(104)がレーザ(102)の遮蔽量を変更可能であることを特徴とする請求項2の薄膜材料の結晶化装置。
- 前記画素用のレーザ(102)の半値幅(W1)と周辺回路用のレーザ(102)の半値幅(W2)とを得るために、前記シリンドリカルレンズ(108)が光軸方向に移動可能であり、
シリンドリカルレンズ(108)を光軸方向に移動させて、マスク(104)上のレーザ(102)のビーム幅を変更可能であることを特徴とする請求項2又は3の薄膜材料の結晶化装置。 - 前記画素用のレーザ(102)の半値幅(W1)と周辺回路用のレーザ(102)の半値幅(W2)とを得るために、前記シリンドリカルレンズ(108)に入射するレーザ(102)を、X軸方向にmの倍率、かつ、Y軸方向にnの倍率で拡大するビームエキスパンダー(107)を設け、X軸方向の倍率mを変えることを特徴とする請求項2又は3の薄膜材料の結晶化装置。
- 前記画素用のレーザ(102)の半値幅(W1)と周辺回路用のレーザ(102)の半値幅(W2)とを得るために、前記シリンドリカルレンズ(108)が焦点距離(:f)を増減調節することが可能であることを特徴とする請求項2又は3の薄膜材料の結晶化装置。
- 前記レーザ発振器(101)をパルス状の固体レーザからなるレーザ(102)を発振する固体レーザ発振器とすると共に、前記半値幅(:W1,W2)毎の照射エネルギー密度(E1,E2)をそれぞれ所定の照射エネルギー密度とするために、前記固体レーザからなるレーザ(102)の繰返し周波数を変えてパルスエネルギーを調整することを特徴とする請求項2の薄膜材料の結晶化装置。
- 前記画素用又は周辺回路用の結晶化シリコン薄膜を生成するとき、レーザ(102)の走査方向と直交する方向のマスク(104)の開口部長さ(111)を調整・変更し、マトリックス状に配置した薄膜トランジスター(301)の無いところにレーザ(102)の走査方向と直交する方向の端部を位置させることを特徴とする請求項7の薄膜材料の結晶化装置。
- 前記画素用又は周辺回路用の結晶化シリコン薄膜を生成するとき、前記薄膜シリコン(106)に照射するレーザ(102)の走査方向と直交する方向の両端の強度分布の傾斜部(304)の幅が、強度50〜97%の範囲で10μm以下であつて、該傾斜部(304)がマトリックス状に配置した薄膜トランジスターの存在しない箇所を走査するように位置制御することを特徴とする請求項7の薄膜材料の結晶化装置。
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