TW201819331A - 四方形玻璃基板及其製造方法 - Google Patents

四方形玻璃基板及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201819331A
TW201819331A TW106128936A TW106128936A TW201819331A TW 201819331 A TW201819331 A TW 201819331A TW 106128936 A TW106128936 A TW 106128936A TW 106128936 A TW106128936 A TW 106128936A TW 201819331 A TW201819331 A TW 201819331A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
glass substrate
chamfered
square
square glass
polishing
Prior art date
Application number
TW106128936A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI764920B (zh
Inventor
原田大実
竹內正樹
Original Assignee
日商信越化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商信越化學工業股份有限公司 filed Critical 日商信越化學工業股份有限公司
Publication of TW201819331A publication Critical patent/TW201819331A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI764920B publication Critical patent/TWI764920B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/005—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor for mass articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C19/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by mechanical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B29/00—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents
    • B24B29/005—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents using brushes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/24—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding or polishing glass
    • B24B7/242—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding or polishing glass for plate glass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/08—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of glass
    • B24B9/10—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of glass of plate glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C21/00—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00—Compositions for glass with special properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0075—Cleaning of glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本發明之解決手段為：一種四方形玻璃基板，其係具有表面、背面、4個側面、與分別形成於表面與各側面及背面與各側面之間的8個倒角面之四方形玻璃基板，並且 　　在表面與該表面側的倒角面之間的稜線部，將表面朝上而水平載置時，具有該表面至下方50μm的位置的平均梯度為25%以下的第一曲面，並且在側面與前述表面側的倒角面之間的稜線部，將該側面朝上而水平載置時，具有該側面至下方50μm的位置的平均梯度為30%以上的第二曲面，且板厚為6mm以上。 　　本發明之效果為：根據本發明之四方形玻璃基板，無關於洗淨方式，可抑制洗淨後的次微米尺寸的表面污染，並可抑制製造產率的降低。

Description

四方形玻璃基板及其製造方法
[0001] 本發明關於一種主要使用於半導體相關的電子材料之四方形玻璃基板，尤其是最尖端用途的光罩用合成石英玻璃基板或奈米壓印用所使用的四方形玻璃基板及其製造方法。
[0002] 關於玻璃基板上的缺陷的種類，除了凹痕或刮傷這些被分類成傷痕的缺陷之外，還可列舉污垢或牢固附著的顆粒這些凸狀缺陷。若因為玻璃基板的研磨步驟中產生的殘渣或洗淨步驟時的污染而在玻璃基板表面帶有污垢或顆粒的狀態下成膜，則會有圖型化時造成配線短路或破損的情形。因此，在玻璃基板的洗淨步驟將污垢或顆粒除去逐漸變得重要。 　　[0003] 例如專利文獻1(日本特開平11-109607號公報)提出了一種玻璃基板，為了防止玻璃基板的製造步驟中的破裂或碎片，且洗淨時容易除去異物，對於表背面與側面交會的稜線部實施倒角，圓滑地形成倒角面與表背面及側面交會的稜線部(曲率半徑R為0.01～0.3mm)。 　　另外，專利文獻2(國際公開第2013/031548號)提出了一種玻璃板，為了提高玻璃的衝撃破壞強度，而將倒角面的圓角定義為與主平面傾斜45°的直線相切的切點的曲率半徑為50μm以上，且與主平面傾斜15°的直線相切的切點的曲率半徑為20～500μm以上。 　　此外，專利文獻3(日本特開2011-084453號公報)提出了一種玻璃基板，為了防止玻璃基板的彎曲或不當溫度分布造成的破損，同時為了解決顆粒的問題，而將以RΔq的指標來表示的倒角面粗糙度曲線的方均根斜率定在0.10以下。 　　另一方面，專利文獻4(日本特開2008-257131號公報)提出了一種空白光罩用基板，為了提升阻劑膜的面內膜厚均勻性，並防止阻劑的突起造成的發塵，而使倒角面的平坦度為50μm以下，表面粗糙度為2nm以下，且具有倒角面的高度由中心區域往周緣部逐漸變低的凸形狀。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0004] 　　[專利文獻1]日本特開平11-109607號公報 　　[專利文獻2]國際公開第2013/031548號 　　[專利文獻3]日本特開2011-084453號公報 　　[專利文獻4]日本特開2008-257131號公報
[發明所欲解決的課題] 　　[0005] 近年來開發出了高感度的缺陷檢測裝置，逐漸能夠偵測尺寸為100nm的傷痕或顆粒、污垢，即使玻璃的洗淨方式是進行一般周知的浸漬式或枚葉式的洗淨，也時常會發現有顆粒附著或污垢的玻璃基板，而會有製品產率降低的問題點。 　　[0006] 專利文獻1的基板是以枚葉洗淨機洗淨，若離心乾燥機進行乾燥之後檢測表面，雖然沒有觀察到以目視可確認的尺寸大概1μm以上的顆粒，然而在側面附近的區域可偵測到尺寸為100nm的附著污垢。 　　另外，專利文獻2的基板，與專利文獻1所記載的基板相比，形成較圓的稜線，因此使用對於每一枚玻璃基板可保持供給新的水或藥液的枚葉洗淨機來進行洗淨，乾燥後玻璃板的表面會有尺寸為100nm的污垢較少的傾向。另一方面，將多枚玻璃基板縱向收納在耐藥品的專用的匣盒，並將整個匣盒浸漬於充滿藥液的水槽中進行浸漬洗淨之後的玻璃板表面，會因為瀝乾後殘留在側面的最終洗淨槽的液體滴流至表面，而有尺寸為100nm的污垢變多的情形。 　　[0007] 此外，即使如專利文獻3般具有平滑表面的側面的玻璃基板，依照倒角面與表面的稜線及倒角面與側面的稜線的形狀不同，在枚葉洗淨或浸漬洗淨、或這兩種方式的洗淨後，玻璃基板的表面也會有尺寸為100nm的附著污垢變多的情形。 　　[0008] 即使是如專利文獻4般倒角面的平坦度為50μm以下，倒角面的高度由中心區域往周緣部逐漸降低的凸形狀，與專利文獻3同樣地，依照倒角面與表面的稜線部及倒角面與側面的稜線部的形狀不同，也會受附著污垢的程度影響。另外，雖然藉由將倒角面的表面粗糙度設定得較小，研磨劑微顆粒等不易被捕捉，對於防止污垢可期待具有一定的效果，然而在以一般利用刷子進行的加工作為專利文獻4所敘述的側面研磨方法的情況，會以一定的面積存在倒角面與表面的稜線部或倒角面與側面的稜線部，只規定倒角面的粗糙度，會有效果不足的情形。 　　[0009] 本發明鑑於上述狀況完成，目的為提供一種主要使用於半導體相關的電子材料之玻璃基板及其製造方法，無關於洗淨方式，可抑制洗淨後的次微米尺寸的玻璃基板的表面污染，並可抑制製造產率的降低，在表面側的倒角面附近形成具有既定形狀的曲面。 [用於解決課題的手段] 　　[0010] 本發明人等為了達成上述目的鑽研檢討，結果發現，具有表面、背面、4個側面、與分別形成於表面與各側面及背面與各側面之間的8個倒角面之四方形玻璃基板之中，在表面與表面側的倒角面連接成的稜線部、或側面與表面側的倒角面連接成的稜線部形成具有既定平均梯度的曲面，對於前述課題的解決是有用的，而完成了本發明。此外， 　　[0011] 亦即，本發明提供以下的四方形玻璃基板及其製造方法。 [1] 　　一種四方形玻璃基板，其係具有表面、背面、4個側面、與分別形成於表面與各側面及背面與各側面之間的8個倒角面之四方形玻璃基板，並且 　　將表面朝上而水平載置時，在表面與該表面側的倒角面之間的稜線部具有該表面至下方50μm的位置的平均梯度為25%以下的第一曲面，並且將4個側面之中至少1個側面朝上而水平載置時，在該側面與前述表面側的倒角面之間的稜線部具有該側面至下方50μm的位置的平均梯度為30%以上的第二曲面，且 　　板厚為6mm以上。 [2] 　　如[1]之四方形玻璃基板，其中前述第一曲面的算術平均粗糙度(Sa)為2nm以下。 [3] 　　如[1]或[2]之四方形玻璃基板，其中前述四方形玻璃基板的側面及表面側的倒角面的粗糙度曲線的算術平均粗糙度(Ra)為0.1μm以下。 [4] 　　如[1]～[3]中任一項之四方形玻璃基板，其中前述四方形玻璃基板的外形內側2mm的範圍除外的表面的平坦度為5μm以下。 [5] 　　一種如[1]～[4]中任一項之四方形玻璃基板之製造方法，其係包含使側面及倒角面經過研磨加工的多枚四方形玻璃原料基板彼此表背面對向，在離間配置的狀態下將側面及倒角面以刷子研磨的步驟，前述刷子具備圓筒狀或圓柱狀基體與以放射狀設置在該基體側面的多根毛體，並且前述毛體一根的線徑為0.2mm以下，且原料基板彼此的間隔為毛體線徑的2～10倍。 [6] 　　如[5]之四方形玻璃基板之製造方法，其中進一步將貼有研磨布的定盤抵住四方形玻璃基板的側面以進行研磨。 [發明之效果] 　　[0012] 根據本發明之四方形玻璃基板，無關於洗淨方式，可抑制洗淨後的次微米尺寸的表面污染，並可抑制製造產率的降低。
[0014] 本發明之四方形玻璃基板為具有表面、背面、4個側面、及分別形成於表面與各側面及背面與各側面之間的8個倒角面，將表面朝上而水平載置時，在表面與該表面側的倒角面之間的稜線部具有該表面至下方50μm的位置的平均梯度為25%以下的第一曲面，並且將4個側面之中至少1個側面朝上而水平載置時，該側面與前述表面側的倒角面之間的稜線部具有該側面至下方50μm的位置的平均梯度為30%以上的第二曲面，且板厚為6mm以上的四方形玻璃基板。 　　此外，本發明之四方形玻璃基板，是在表面側的倒角面附近形成上述形狀，背面側的倒角面及其附近的形狀等並不受特別限制。 　　[0015] 圖1表示測定本發明所關連的四方形玻璃基板中，在與表面及背面垂直的剖面上，由表面經過倒角面至側面的形狀的輪廓圖。此外，在圖1之中，1為表面、2為表面側的倒角面、3為側面、4為表面下方50μm的位置、5為表面至下方50μm的位置的第一曲面、6為側面下方50μm的位置、7為側面至下方50μm的位置的第二曲面。此處，將四方形玻璃基板的表面朝上而水平載置時，該表面至下方50μm的位置的平均梯度，是指圖1的5的部分的平均梯度。在本發明中，此部分的平均梯度為25%以下，宜為23%以下，更佳為20%以下。此外，平均梯度的下限值並無特別限制，若第一曲面過度進入表面側，則表面的平坦度變差，因此宜為15%以上。 　　[0016] 在完成本發明時，本發明人等檢討了四方形玻璃基板的表面與表面側的倒角面連接成的稜線部的第一曲面的平均梯度的緩急對於表面的污垢造成的影響。在將四方形玻璃基板的表面水平載置而洗淨的枚葉洗淨方式的情況，為了除去表面的有機物、金屬雜質、研磨劑的殘留等的各種污垢，組合使用了與對象物對應的各種藥液。其中，表面污染發生原因，被認為是變更藥液時pH或表面電位的影響。例如，在即使藉由供給酸性藥液使原本附著在表面的污垢溶離至藥液中也無法完全使污垢由玻璃基板排出系統外的情況，若在後續步驟供給鹼性藥液，則溶離的污垢會成為鹽而析出，而再度附著於玻璃基板。在進行枚葉洗淨時，是採用使基板旋轉，同時供給藥液，藉由離心力將溶離的污垢排出系統外的機構，然而若過度提高轉速，則表面乾燥，因此以數十～數百rpm左右的低轉速旋轉。此時，若四方形玻璃基板的表面至倒角面的梯度太急，則會有溶離至藥液中的污垢成分藉由藥液的表面張力留在倒角面附近的表面的情形。此外，在枚葉洗淨使用種類不同的藥液的情況，一般在洗淨機內是採用劃分多個洗淨槽的構造，然而在移至洗淨槽時，必須暫時使玻璃基板的旋轉停止。此時，在停止旋轉的期間，離心力消失，因此留在表面與倒角面附近的污垢成分流至表面中心側。認為在此狀態下，若在後來的洗淨槽中供給pH或表面電位影響不同的藥液，則污垢成分會成為鹽而析出，在四方形玻璃基板的表面產生凸狀附著物。於是，為了使低速旋轉時也能夠藉由離心力使溶離至藥液中的污垢順利排出系統外以抑制表面的凸狀附著物的發生，而將表面至下方50μm的位置的第一曲面的平均梯度設定在25%以下。 　　[0017] 另外，將本發明之四方形玻璃基板的4個側面之中至少1個側面朝上而水平載置時，該側面至下方50μm的位置的第二曲面的平均梯度，是指圖1的7的部分的平均梯度。在本發明中，這種曲面宜形成於四方形玻璃基板的4個側面及表面側的倒角面連接成的稜線部，此部分的平均梯度為30%以上，宜為35%以上，更佳為40%以上。此外，平均梯度的上限值並無特別限制，若梯度過急，則在與夾具等接觸的情況，容易發生龜裂或有碎屑混入，因此以48%以下為佳。 　　[0018] 在完成本發明時，本發明人等檢討了四方形玻璃基板的側面至表面側的倒角面的第二曲面的平均梯度的緩急對於表面的污垢造成的影響。在將四方形玻璃基板的側面水平載置而洗淨的浸漬洗淨方式中，表面污染的可能性高的步驟，可列舉洗淨步驟結束後的乾燥步驟。浸漬洗淨方式的乾燥步驟，已知有溫純水拉起乾燥、馬蘭哥尼乾燥、蒸氣加熱乾燥等，然而任一乾燥方法都是採用將玻璃基板配置成縱向並由槽內拉起的態樣。在槽內，大部分存在於側面附近的水或藥液，會在拉起的瞬間順著仍然潮濕的表面流過而滴落，在拉起中或拉起結束後，也會有一部分的水或藥液殘存於側面的情形。此處，在乾燥步驟之中，水或藥液會成為高溫，因此殘留在側面的水或藥液雖然幾乎都成為蒸氣而飛散，然而依照洗淨機振動或玻璃基板及洗淨匣傾斜情況的不同，會有殘存於前述側面的水或藥液並未成為蒸氣，而滴流至四方形玻璃基板表面側的情形。認為在此情況下，水或藥液為高溫且以濃縮的狀態含有存在於側面或槽內的污垢，因此若這種狀態的水或藥液滴流至四方形玻璃基板的表面，則在順著表面滴落之前，會在表面上成為污垢而乾燥固著。於是，為了在洗淨機振動或玻璃基板及洗淨匣傾斜的情況，也能夠防止拉起中或拉起結束之後殘存於側面的水或藥液容易藉由表面張力停留在側面，並且流到四方形玻璃基板表面成為污垢而固著，而將側面至下方50μm的位置的第二曲面的平均梯度設定在30%以上。 　　[0019] 表示由表面至表面側的倒角面的形狀及由側面至表面側的倒角面的形狀的平均梯度，可藉由觸針式粗糙度計或觸針式及雷射位移式等的非接觸的三維測量機作測定。例如使用藉由東京精密公司製的表面粗糙度、輪廓形狀測定機SURFCOM 1900所測得的曲面輪廓圖，為了決定表面下方50μm的位置，在水平方向對於表面進行水平調整，將表面與X軸對準，並決定Y軸下方50μm的位置，以表面開始離開X軸的點至下方50μm的點為止的X方向位移為分母，50μm為分子，計算表面至下方50μm的位置的第一曲面的平均梯度。 　　[0020] 本發明之四方形玻璃基板的板厚為6mm以上。這是因為在板厚低於6mm的情況，側面寬度也會變小，因此殘留在側面的液體變少，表面污染的顧慮變少，可不考慮平均梯度。 　　另外，本發明之四方形玻璃基板宜為邊長150～300mm的四方形的合成石英玻璃基板，進一步可含有二氧化鈦0.1～20質量%。 　　[0021] 從污垢除去容易性的觀點看來，將本發明之四方形玻璃基板的表面朝上而水平載置時，表面至下方50μm的位置的第一曲面(圖1的5的部分)的算術平均粗糙度(Sa)宜為2nm以下，較佳為1nm以下，更佳為0.5nm以下，特佳為0.3nm以下。此情況下，算術平均粗糙度可依據ISO 25178等作測定。 　　[0022] 從防止污垢殘存的觀點看來，本發明之四方形玻璃基板的側面及表面側的倒角面的粗糙度曲線的算術平均粗糙度(Ra)宜為0.1μm以下，較佳為0.05μm以下，更佳為0.025μm以下。此情況下，算術平均粗糙度可依據JIS B0601-1994等作測定。 　　本來，為了評估污垢或液體殘存的容易性，以使用面參數的Sa為適當，然而在欲測定側面或倒角面的情況，是將基板縱置，測定對象會位於由台座高出基板的縱或橫尺寸之處。此情況下，因為測試機可動範圍的限制，難以藉由可測定、計算二維的Sa的AFM測試機等來進行測定，另一方面，如果是如可計算一維的Ra的觸針式的粗糙度計般的測試機，則即使是由台座高出基板的縱或橫尺寸的位置，也能夠較簡便地測定，因此使用Ra來規定。 　　[0023] 此外，從污垢的除去容易性的觀點看來，本發明之四方形玻璃基板的表面的算術平均粗糙度(Sa)宜為0.3nm以下，較佳為0.2nm以下。 　　[0024] 從液體排出的觀點看來，本發明之四方形玻璃基板的外形內側2mm的範圍除外的表面的平坦度宜為5μm以下，較佳為3μm以下，更佳為1μm以下。尤其在將本發明之四方形玻璃基板使用作為最尖端用途的光罩用或奈米壓印用時，在曝光或轉印時，會有要求位置精密度或均勻性高的情形。此處，外形是在圖1之中，從表面1延長線與側面3延長線的交點S算起的距離，並且用來規定該S內側2mm的範圍除外的表面的平坦度。此外，平坦度的測定並不受特別限制，適合為例如光學干涉式的測定法。在本發明中，平坦度的測定可使用例如TROPEL公司製UltraFlatM200等的光學干涉式的平坦度測定機作測定。 　　[0025] 接下來針對本發明之四方形玻璃基板之製造方法作說明。 　　首先，準備多枚邊長為150～300mm的四方形玻璃基板的原料基板，將表面及背面研磨之後，將側面及倒角面研磨加工。使所得到的基板例如10～100枚表背面對向，在離間配置的狀態下，對於側面及倒角面進行刷子研磨。藉由在多枚重疊的狀態下進行刷子研磨，生產性良好，而且容易控制四方形玻璃基板的表面與表面側的倒角面連接成的第一曲面的平均梯度。 　　[0026] 所使用的刷子，宜具備例如圓筒狀或圓柱狀基體與以放射狀設置在該基體側面的多根毛體。一根毛體的線徑為0.2mm以下，宜為0.1mm以下，較佳為0.09mm以下。若毛體的線徑超過0.2mm，則毛的強度增加而變硬，側面及倒角面發生研磨不均勻，粗糙度曲線的算術平均粗糙度也容易變粗。在發生不均勻的部分或變粗的部分，污垢容易累積，而成為四方形玻璃基板表面污染的原因。此外，毛體線徑的下限並無特別限制，宜為0.01mm以上。 　　[0027] 刷子可為任何形狀，例如可使用如圖3所示般在直徑30～300mm、長度50～300mm的圓筒狀或圓柱狀刷子基體12的側面，將作為毛體13且長度10～50mm的短纖維以放射狀及1～10根/mm2 的密度在基體側面全體植毛而成的刷子9。此外，在圖3之中僅表示與四方形玻璃基板的原料基板8的側面接觸的毛體。毛體的材質為樹脂製，以獸毛製等為佳，可使用例如聚乙烯、聚丙烯、耐綸、丙烯酸、三聚氰胺、羊毛等。 　　[0028] 另外，以刷子研磨時，使四方形玻璃基板的原料基板彼此表背面對向，以離間的狀態配置，基板彼此的間隔(以下亦稱為「堆積間隔」)為毛體線徑的2～10倍，宜為2.5～7.5倍。在堆積間隔未滿毛體線徑的2倍的情況，毛體的毛尖不易進入前述間隔，倒角面與表面之間不易被研磨，表面與倒角面連接成的稜線部難以成為曲面。亦即難以製作出將四方形玻璃基板的表面朝上而水平載置時，表面至下方50μm的位置的第一曲面的平均梯度為25%以下的基板。另外，若欲增加研磨時間以形成曲面，則同時倒角面與側面之間的研磨會繼續進行，而成為平均梯度大的曲面，將側面朝上而水平載置時，該側面至下方50μm的位置的第二曲面的平均梯度會未滿30%。 　　另一方面，在堆積間隔超過毛體線徑10倍的情況，堆積間隔變得太寬，可一次研磨側面及倒角面的枚數減少，因此生產性變差。另外，雖然並不像堆積間隔過為狹窄的情況那樣，在過為寬廣的情況，也因為觸碰到表面與倒角面之間的刷毛變疏的影響，倒角面與表面之間不易被研磨，表面與倒角面連接成的稜線部難以成為既定曲面。 　　[0029] 此外，堆積間隔可用任何方法來控制，例如，如圖3的符號14所示般，可藉由將厚度均一的耐綸、聚丙烯、聚乙烯等的樹脂製的薄片或紙夾在四方形玻璃基的原料基板之間來控制。從避免基板彼此接觸而造成表面傷痕的觀點看來，前述樹脂製的薄片或紙，宜使用縱、橫的尺寸分別比基板小10mm以下的製品，並配置成中心與基板中心重疊。 　　[0030] 針對本發明利用刷子進行的側面及倒角面的研磨方法，使用圖2及圖3作說明。如圖3所示般，以從毛尖算起1～30mm的深度使毛體13觸碰側面研磨加工後的四方形玻璃基板的原料基板8的側面及倒角面的方式配置刷子9。將此時堆積的四方形玻璃基板的原料基板8與刷子9(毛體未圖示)的配置表示於圖2(B)。藉由以轉速100～5000rpm使刷子往圖2(A)中11所示的方向旋轉，毛體的毛尖連續觸碰四方形玻璃基板的原料基板的側面部及倒角面部，同時供給研磨劑，可研磨側面與倒角面。為了利用刷子均匀地研磨形成四方形玻璃基板外側的側面與倒角面，如圖2的10般，可在四方形玻璃基板的原料基板的外周以10～1000mm/分鐘的移動速度繞行移動，或可將刷子沿著四方形玻璃基板的原料基板的一邊以10～1000mm/分鐘的移動速度往復運動的機構與使四方形玻璃基板每次旋轉90°的機構加以組合。 　　在刷子研磨的步驟之中所使用的研磨劑，可列舉氧化鈰、氧化鋯、氧化錳、氧化鐵(鐵丹)、膠狀二氧化矽等。 　　[0031] 在本發明中，在前述刷子研磨的步驟之後，可進一步以貼有研磨布的定盤抵住四方形玻璃基板的側面及倒角面，供給研磨劑，同時進行研磨。藉此，可將四方形玻璃基板的表面與表面側的倒角面連接成的稜線部的第一曲面與側面與表面側的倒角面連接成的稜線部的第二曲面的平均梯度控制在所希望的範圍。具體而言，如圖4般，往與抵住貼有研磨布16的定盤15的一面平行的方向18，以5～100rpm的轉速使其旋轉，同時以10～300gf/cm3 的壓力抵住，並往抵住定盤或四方形玻璃基板的一邊的長邊方向17，以10～1000mm/分鐘的移動速度使其往復運動，可使側面及倒角面的平坦度成為較高的狀態。例如，在藉由刷子研磨，由四方形玻璃基板的表面至倒角面的平均梯度與由側面至倒角面的平均梯度的兩者變得過小的情況･藉由僅側面貼有研磨布的定盤來研磨，可提高側面至倒角面的梯度。此情況下，研磨布的材質，可列舉硬質聚胺基甲酸酯研磨墊、含浸聚胺基甲酸酯的不織布研磨墊、環氧樹脂研磨墊等，研磨劑可使用氧化鈰、氧化鋯、氧化鋁、氧化錳、鐵丹等。 　　[0032] 本發明之四方形玻璃基板之製造方法中，藉由在前述側面與倒角面的研磨步驟的前後進行表面的粗研磨及最終研磨，可完工成最終製品。粗研磨步驟可使用硬質的發泡聚胺基甲酸酯等的研磨布與氧化鈰系等的研磨劑。最終研磨步驟可使用麂皮系軟質聚胺基甲酸酯等的研磨布與膠狀二氧化矽等的研磨劑。粗研磨步驟及最終研磨步驟可使用單面拋光裝置，或可使用雙面拋光裝置。關於研磨的順序，可在進行側面與倒角面的研磨之後進行表面的粗研磨與最終研磨，或可在進行表面的粗研磨之後進行側面與倒角面的研磨，然後進行表面的最終研磨。 　　[0033] 在表面的最終研磨步驟之中，藉由控制研磨時的壓力、所使用的麂皮系軟質聚胺基甲酸酯等的研磨布的硬度及絨毛層的長度等，可控制將本發明之四方形玻璃基板的表面朝上而水平載置時，該表面至下方50μm的位置的第一曲面(圖1的5的部分)的算術平均粗糙度(Sa)。 　　進行表面研磨時，藉由增加麂皮系軟質聚胺基甲酸酯等的研磨布的凹陷量，由基板表面沿厚度方向凹陷50μm以上，宜為100μm以上，將表面朝上而水平載置時，該表面至下方50μm的位置的第一曲面會與表面同等地被研磨，可達成與最終研磨後的表面相近程度的算術平均粗糙度(Sa)。 　　[0034] 所使用的最終研磨步驟的研磨布的硬度，以ASKER C硬度而計，宜為60以下，較佳為57以下，更佳為55以下，下限值通常為40以上。研磨布的絨毛層的長度宜為350μm以上，較佳為400μm以上，更佳為450μm以上，宜為1000μm以下，較佳為700μm以下。 　　另外，研磨時的壓力宜為50gf/cm2 以上，較佳為75gf/cm2 以上，更佳為100gf/cm2 以上，通常500gf/cm2 以下。 　　[0035] 加工結束後，藉由常法洗淨。 [實施例] 　　[0036] 以下揭示實施例及比較例，對本發明作具體說明，然而本發明不受下述實施例限制。 　　[0037] [實施例1] 　　準備100枚切割成外尺寸152mm的四方形合成石英玻璃的原料基板，將表面及背面研磨之後，利用鑽石輪(號數800號)進行側面及倒角面研磨加工。接下來，使用刷毛線徑60μm、基體直徑200mm、長度150cm、毛體長度20mm、植毛密度3根/mm2 的耐綸製刷子與氧化鈰系研磨劑(A-10、昭和電工公司製)，對於一個側面進行5分鐘的側面鏡面化加工，合計4面，形成側面及倒角面形狀。具體而言，將100枚玻璃基板以堆積間隔500μm(刷子的毛體線徑的8.3倍)堆積，以由毛體的毛尖算起大概8mm的深度觸碰這些基板側面的方式配置刷子，並以轉速1000rpm使刷子旋轉，同時使其以200mm/分鐘的移動速度沿著一個側面往復運動。 　　[0038] 在側面鏡面化加工結束的時間點，板厚約為6.45mm。藉由表面粗糙度、輪廓測定機SURFCOM 1900(東京精密製)，由100枚任意抽選10枚，測定倒角面與其附近的形狀，結果，10枚四方形合成石英玻璃基板中，將該表面朝上而水平載置時，表面至下方50μm的位置的第一曲面的平均梯度最大值為21%。另外10枚四方形合成石英玻璃基板之中，將4個側面之中至少1個側面朝上而水平載置時，該側面至下方50μm的位置的第二曲面的平均梯度的最小值為40%。 　　[0039] 然後，使用硬質的發泡聚胺基甲酸酯研磨布與氧化鈰系研磨劑(A-10、昭和電工公司製)，藉由雙面拋光裝置進行表背面的粗研磨，然後使用麂皮系軟質聚胺基甲酸酯研磨布(FILWEL公司製N0092(ASKER C硬度55、絨毛層的長度550μm))與膠狀二氧化矽研磨劑(COMPOL 80，FUJIMI INCORPORATED公司製)，藉由雙面拋光裝置，以研磨布凹陷量120μm、研磨壓力150g/cm2 實施最終精密研磨，然後結束加工。 　　[0040] 對於加工完成的10枚基板，依據ISO 25178，以原子力顯微鏡Park NX20(Park SYSTEMS公司製)測定將玻璃基板的表面朝上而水平載置時，該表面至下方50μm的位置的第一曲面的算術平均粗糙度(Sa)，結果在1μm見方的測定範圍為0.25nm。 　　[0041] 加工結束後，對於100枚中的50枚四方形合成石英玻璃基板，使側面成為水平方向，進行浸漬洗淨，乾燥之後，在集光燈下以目視進行缺陷檢測，結果確認了50枚中的任一枚四方形合成石英玻璃基板表面的外周側皆沒有污垢或斑點。 　　[0042] 對於剩下的50枚四方形合成石英玻璃基板，以表面朝上而成為水平的方式載置四方形玻璃基板，進行枚葉式洗淨。在枚葉洗淨時，使四方形合成石英玻璃基板以100rpm旋轉，同時將SPM洗淨液(Sulfuric acid-Hydrogen Peroxide Mixture)供給至表面，然後相同地以100rpm使其旋轉，同時將經過超音波振動後的超純水供給至表面，停止供給超純水之後，將轉速提高至1,200rpm，將殘存於四方形合成石英玻璃基板表面的超純水以離心力瀝乾，並且進行乾燥。 　　[0043] 枚葉式洗淨後，使用可偵測50nm的PSL顆粒的感度的雷射共焦光學系統高感度缺陷檢測裝置(Lasertec公司)，對於四方形合成石英玻璃基板表面146mm見方的範圍進行缺陷檢測，結果50枚全數皆並未觀察到尺寸為100nm以上的的缺陷。另外，在四方形合成石英玻璃基板的表面的外周側也並未觀察到顆粒或水痕等。 　　另外，對於洗淨後的四方形合成石英玻璃基板，藉由光學干涉式的平坦度測定機TROPEL公司製UltraFlatM200進行平坦度檢測，結果全部的四方形合成石英玻璃基板，外形內側2mm的範圍除外的表面的平坦度為5μm以下。 　　[0044] [實施例2] 　　與實施例1同樣地，準備100枚切割成外尺寸152mm的四方形合成石英玻璃的原料基板，進行研磨、側面及倒角面研磨加工，然後使用刷毛線徑為60μm的耐綸製刷子與氧化鈰系研磨劑，對於一個側面進行5分鐘的側面鏡面化加工，合計4面，形成側面及倒角面形狀。此時，四方形合成石英玻璃基板的堆積間隔為200μm(刷子的毛體線徑的3.3倍)。 　　[0045] 在側面鏡面化加工結束的時間點，板厚約為6.45mm。與實施例1同樣地，由100枚任意抽選10枚，測定倒角面與其附近的形狀，結果，10枚四方形合成石英玻璃基板中，將表面朝上而水平載置時，該表面至下方50μm的位置的第一曲面的平均梯度的最大值為23%。另外10枚四方形合成石英玻璃基板中，將4個側面之中至少1個側面朝上而水平載置時，該側面至下方50μm的位置的第二曲面的平均梯度的最小值為39%。 　　[0046] 然後，與實施例1同樣地實施粗研磨與最終精密研磨，結束加工。 　　[0047] 對於加工完成的10枚基板，與實施例1同樣地測定將將玻璃基板的表面朝上而水平載置時，表面至下方50μm的位置的第一曲面的算術平均粗糙度(Sa)，結果為0.28nm。 　　[0048] 加工結束後，對於100枚中的50枚四方形合成石英玻璃基板，使側面成為水平方向，進行浸漬洗淨，乾燥之後，在集光燈下以目視進行缺陷檢測，結果確認了50枚中的任一枚四方形合成石英玻璃基板表面的外周側皆沒有污垢或斑點。 　　[0049] 對於剩下的50枚四方形合成石英玻璃基板，以表面朝上而成為水平的方式載置四方形合成石英玻璃基板，與實施例1同樣地進行枚葉式的洗淨，以缺陷檢測裝置進行缺陷檢測，結果50枚全數皆並未觀察到尺寸為100nm以上的的缺陷。另外，在四方形合成石英玻璃基板的表面的外周側也並未觀察到顆粒或水痕等。 　　此外，對於洗淨的四方形合成石英玻璃基板，與實施例1同樣地進行平坦度檢測，結果全部的四方形合成石英玻璃基板，外形內側2mm的範圍除外的表面的平坦度為5μm以下。 　　[0050] [實施例3] 　　與實施例1同樣地，準備100枚切割成外尺寸152mm的四方形合成石英玻璃的原料基板，進行研磨、側面及倒角面研磨加工，然後使用刷毛線徑為60μm的耐綸製刷子與氧化鈰系研磨劑，對於一個側面進行5分鐘的側面鏡面化加工，合計4面，形成側面及倒角面形狀。此時，四方形合成石英玻璃基板的堆積間隔為200μm(刷子的毛體線徑的3.3倍)。 　　[0051] 然後，進一步將貼有研磨布且直徑300mm的定盤抵住側面，進行研磨。定盤貼有硬質胺基甲酸酯研磨墊，轉速定為70rpm，研磨壓力定為150gf/cm2 ，研磨劑使用氧化鈰(A-10、昭和電工公司製)，進行研磨。 　　[0052] 在側面鏡面化加工結束的時間點，板厚約為6.45mm。與實施例1同樣地，由100枚任意抽選10枚，測定倒角面與其附近的形狀，結果，10枚四方形合成石英玻璃基板中，將表面朝上而水平載置時，該表面至下方50μm的位置的第一曲面的平均梯度的最大值為20%。另外，10枚四方形合成石英玻璃基板中，將4個側面之中至少1個側面朝上而水平載置時，該側面至下方50μm的位置的第二曲面的平均梯度的最小值為43%。 　　此外，依據JIS B0601-1994，藉由表面粗糙度、輪廓形狀測定機SURFCOM 1900(東京精密公司製)測定10枚四方形合成石英玻璃基板側面及表面側的倒角面的粗糙度曲線的算術平均粗糙度(Ra)，側面為0.01μm、倒角面為0.03μm。 　　[0053] 然後，與實施例1同樣地實施粗研磨與最終精密研磨，結束加工。 　　[0054] 對於加工完成的10枚基板，與實施例1同樣地，測定將玻璃基板的表面朝上而水平載置時，表面至下方50μm的位置的第一曲面的算術平均粗糙度(Sa)，結果為0.26nm。 　　[0055] 加工結束後，對於100枚中的50枚四方形合成石英玻璃基板，使側面成為水平方向，進行浸漬洗淨，乾燥之後，在集光燈下以目視進行缺陷檢測，結果確認了50枚中的任一枚四方形合成石英玻璃基板表面的外周側皆沒有污垢或斑點。 　　[0056] 對於剩下的50枚四方形合成石英玻璃基板，以表面朝上而成為水平的方式載置四方形合成石英玻璃基板，與實施例1同樣地進行枚葉式洗淨，以缺陷檢測裝置進行缺陷檢測，結果50枚全數皆並未觀察到尺寸為100nm以上的的缺陷。另外，在四方形合成石英玻璃基板的表面的外周側也並未觀察到顆粒或水痕等。 　　此外，對於洗淨後的四方形合成石英玻璃基板，與實施例1同樣地進行平坦度檢測，結果全部的四方形合成石英玻璃基板，外形內側2mm的範圍除外的表面的平坦度為5μm以下。 　　[0057] [比較例1] 　　與實施例1同樣地，準備100枚切割成外尺寸152mm的四方形合成石英玻璃的原料基板，進行研磨、側面及倒角面研磨加工，然後使用刷毛線徑為60μm的耐綸製刷子與氧化鈰系研磨劑，對於一個側面進行5分鐘的側面鏡面化加工，合計4面，形成側面及倒角面形狀。此時，四方形合成石英玻璃基板的堆積間隔為1,000μm(刷子的毛體線徑的16.7倍)。 　　[0058] 在側面鏡面化加工結束的時間點，板厚約為6.45mm。與實施例1同樣地，由100枚任意抽選10枚，測定倒角面與其附近的形狀，結果，10枚四方形合成石英玻璃基板中，將表面朝上而水平載置時，表面至下方50μm的位置的第一曲面的平均梯度的最大值為37%。另外，10枚四方形合成石英玻璃基板中，將4個側面之中至少1個側面朝上而水平載置時，該側面至下方50μm的位置的第二曲面的平均梯度的最小值為41%。此外，與實施例3同樣地測定10枚四方形合成石英玻璃基板的側面及表面側的倒角面的粗糙度曲線的算術平均粗糙度(Ra)，側面為0.03μm、倒角面為0.04μm。 　　[0059] 然後，與實施例1同樣地實施粗研磨與最終精密研磨，結束加工。 　　[0060] 加工結束後，對於100枚中的50枚四方形合成石英玻璃基板，與實施例1同樣地進行枚葉洗淨，進行缺陷檢測，結果50枚中的5枚基板偵測到尺寸為100nm以上的缺陷，而為不合格。5枚基板的偵測位置皆在表面的外周側，且有顆粒或水痕。將表面水平載置時，表面至倒角面的梯度陡，因此認為表面張力發生作用，洗淨後的藥液不易藉由離心力離開表面，而造成顆粒或水痕。
[0061]
1‧‧‧表面
2‧‧‧表面側的倒角面
3‧‧‧側面
4‧‧‧表面下方50μm的位置
5‧‧‧表面至下方50μm的位置的第一曲面的平均梯度
6‧‧‧側面下方50μm的位置
7‧‧‧側面至下方50μm的位置的第二曲面的平均梯度
S‧‧‧表面延長線與側面延長線的交點
8‧‧‧四方形玻璃基板之原料基板
9‧‧‧刷子
10‧‧‧繞行基板外周研磨的刷子的移動方向
11‧‧‧刷子的旋轉方向
12‧‧‧基體
13‧‧‧毛體
14‧‧‧樹脂製薄片或紙
15‧‧‧定盤
16‧‧‧研磨布
17‧‧‧基板的往復運動的方向
18‧‧‧定盤的旋轉方向
[0013] 　　圖1為測定本發明之四方形玻璃基板中，由表面經過倒角面至側面的形狀的輪廓圖。 　　圖2為本發明之四方形玻璃基板之製造方法的一個實施形態，利用刷子進行的側面及倒角面的研磨方法的模式圖，(A)為平面圖、(B)為斜視圖。 　　圖3為本發明之四方形玻璃基板之製造方法的一個實施形態，利用刷子進行的側面及倒角面的研磨方法之中，將側面及倒角面附近放大的側面圖。 　　圖4為本發明之四方形玻璃基板之製造方法的一個實施形態，利用貼有研磨布的定盤進行的側面的研磨方法的模式圖。

Claims (6)

  1. 一種四方形玻璃基板，其係具有表面、背面、4個側面、與分別形成於表面與各側面及背面與各側面之間的8個倒角面之四方形玻璃基板，並且 　　將表面朝上而水平載置時，在表面與該表面側的倒角面之間的稜線部具有該表面至下方50μm的位置的平均梯度為25%以下的第一曲面，並且將4個側面之中至少1個側面朝上而水平載置時，在該側面與前述表面側的倒角面之間的稜線部具有該側面至下方50μm的位置的平均梯度為30%以上的第二曲面，且板厚為6mm以上。
  2. 如請求項1之四方形玻璃基板，其中前述第一曲面的算術平均粗糙度(Sa)為2nm以下。
  3. 如請求項1或2之四方形玻璃基板，其中前述四方形玻璃基板的側面及表面側的倒角面的粗糙度曲線的算術平均粗糙度(Ra)為0.1μm以下。
  4. 如請求項1或2之四方形玻璃基板，其中前述四方形玻璃基板的外形內側2mm的範圍除外的表面的平坦度為5μm以下。
  5. 一種如請求項1或2之四方形玻璃基板之製造方法，其係包含使側面及倒角面經過研磨加工的多枚四方形玻璃原料基板彼此表背面對向，在離間配置的狀態下將側面及倒角面以刷子研磨的步驟，前述刷子具備圓筒狀或圓柱狀基體與以放射狀設置在該基體側面的多根毛體，並且前述毛體一根的線徑為0.2mm以下，且原料基板彼此的間隔為毛體線徑的2～10倍。
  6. 如請求項5之四方形玻璃基板之製造方法，其中進一步將貼有研磨布的定盤抵住四方形玻璃基板的側面以進行研磨。
TW106128936A 2016-08-25 2017-08-25 四方形玻璃基板及其製造方法 TWI764920B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016164213 2016-08-25
JP2016-164213 2016-08-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201819331A true TW201819331A (zh) 2018-06-01
TWI764920B TWI764920B (zh) 2022-05-21

Family

ID=59745184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106128936A TWI764920B (zh) 2016-08-25 2017-08-25 四方形玻璃基板及其製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10829411B2 (zh)
EP (1) EP3290153B1 (zh)
JP (1) JP6763359B2 (zh)
KR (1) KR102385302B1 (zh)
CN (1) CN107775484B (zh)
MY (1) MY190084A (zh)
TW (1) TWI764920B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI755856B (zh) * 2020-09-15 2022-02-21 晨豐光電股份有限公司 玻璃基板之拋光裝置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6936183B2 (ja) * 2018-04-24 2021-09-15 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板用の研磨剤及びその製造方法、並びに合成石英ガラス基板の研磨方法
JP7303535B2 (ja) * 2019-03-06 2023-07-05 株式会社不二製作所 粉体接触部材および粉体接触部材の表面処理方法
US20200306918A1 (en) * 2019-03-29 2020-10-01 Ford Motor Company Deburring equipment for blank pile
KR20220117411A (ko) * 2021-02-16 2022-08-24 삼성디스플레이 주식회사 윈도우의 제조 방법 및 표시 장치용 윈도우
KR20220142165A (ko) * 2021-04-14 2022-10-21 코닝 인코포레이티드 히트 챔퍼링 장치 및 방법

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB512159A (en) * 1938-03-31 1939-08-30 Pilkington Brothers Ltd Improvements in and relating to apparatus for producing ground and polished glass strip
JPH07186022A (ja) * 1993-12-27 1995-07-25 Sinto Brator Co Ltd 板ガラスの端面研磨加工法
JP3046003B2 (ja) 1998-08-10 2000-05-29 ホーヤ株式会社 電子デバイス用ガラス基板及びその製造方法
JP3980896B2 (ja) * 2002-01-30 2007-09-26 中村留精密工業株式会社 板材の加工方法及びその装置
JP4784969B2 (ja) * 2004-03-30 2011-10-05 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用のガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
JP5410654B2 (ja) 2007-04-09 2014-02-05 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランクの製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
JP4998095B2 (ja) * 2007-06-06 2012-08-15 コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、情報記録媒体用ガラス基板及び磁気記録媒体
JP5516941B2 (ja) 2009-10-19 2014-06-11 日本電気硝子株式会社 ガラス基板およびその製造方法
KR101707056B1 (ko) * 2009-03-10 2017-02-15 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 유리 기판 및 그 제조 방법
US20110129648A1 (en) * 2009-11-30 2011-06-02 Yabei Gu Glass sheet article with double-tapered asymmetric edge
CN102985386B (zh) * 2010-07-08 2015-09-02 旭硝子株式会社 玻璃基板端面的评价方法及玻璃基板端面的加工方法以及玻璃基板
CN103003054B (zh) 2010-07-12 2014-11-19 旭硝子株式会社 压印模具用含TiO2石英玻璃基材及其制造方法
JP2012027176A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Tosoh Corp フォトマスク用基板
JP2012111661A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラス基板およびその製造方法
KR102132175B1 (ko) 2011-08-29 2020-07-09 에이지씨 가부시키가이샤 유리판
JP6398902B2 (ja) 2014-08-19 2018-10-03 信越化学工業株式会社 インプリント・リソグラフィ用角形基板及びその製造方法
JP2016113356A (ja) * 2014-12-12 2016-06-23 旭硝子株式会社 予備研磨されたガラス基板表面を仕上げ加工する方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI755856B (zh) * 2020-09-15 2022-02-21 晨豐光電股份有限公司 玻璃基板之拋光裝置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3290153B1 (en) 2022-01-05
KR20180023829A (ko) 2018-03-07
JP6763359B2 (ja) 2020-09-30
JP2018035058A (ja) 2018-03-08
TWI764920B (zh) 2022-05-21
EP3290153A1 (en) 2018-03-07
KR102385302B1 (ko) 2022-04-11
US10829411B2 (en) 2020-11-10
MY190084A (en) 2022-03-25
CN107775484A (zh) 2018-03-09
US20180057399A1 (en) 2018-03-01
CN107775484B (zh) 2021-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201819331A (zh) 四方形玻璃基板及其製造方法
TW495417B (en) Process for the double-side polishing of semiconductor wafers and carrier for carrying out the process
JP5035405B2 (ja) 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP5428793B2 (ja) ガラス基板研磨方法および磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP5556800B2 (ja) 研磨ブラシ、ガラス基板の端面研磨方法、およびガラス基板の製造方法
US20110189505A1 (en) Method for manufacturing glass substrate for magnetic recording medium
JP2012028697A (ja) 洗浄装置、方法
US20110189506A1 (en) Glass substrate for magnetic recording medium, and method for manufacturing the same
JP2006351081A (ja) 磁気ディスク基板の研磨方法
JP2006224233A (ja) マスクブランクス用ガラス基板の製造方法及びマスクブランクスの製造方法
TW201921517A (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
TWI280454B (en) Substrate for photomask, photomask blank and photomask
JP5853408B2 (ja) 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法および磁気記録媒体用ガラス基板
JP4586660B2 (ja) 円盤状ガラス基板の洗浄方法
JP5585269B2 (ja) 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP2012245588A (ja) 端面研磨ブラシ及び磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP4793724B2 (ja) 金属塗装面の研磨方法
WO2018221290A1 (ja) ゲッタリング層形成装置、ゲッタリング層形成方法及びコンピュータ記憶媒体
JP2016046326A (ja) モールド製造用構造体の製造方法、およびモールドの製造方法
JP5442030B2 (ja) ワーク表面の異物研磨方法及び異物研磨装置
JP5413409B2 (ja) 支持治具及び磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP6536461B2 (ja) ウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法
JP2019012183A (ja) フォトマスク用基板及びその製造方法
JP2010231852A (ja) 基板ホルダー
JP2023107334A (ja) 両面研磨装置