[發明所欲解決之課題] [0012] 但是FO-WLP之擬似晶圓的形成步驟中，為了其後之再配線形成步驟，而晶片電路面裸露於半導體用封裝材外。因此，因半導體晶片與連接於晶片電路面之內側之封裝樹脂的熱膨脹係數差，而有在晶片電路面側形成凸之翹曲的傾向。這種凸之翹曲，在其後搬送步驟有產生擬似晶圓之破損或再配線層形成，產生圖型化之失焦(defocus)的疑慮。 [0013] 另外，在半導體晶片之電路面側形成再配線層的步驟，因相當於絕緣層之高分子膜之形成與顯影後的加熱處理，對於擬似晶圓產生收縮的應力，與上述相反，而有在晶片電路面側形成凹之翹曲的傾向。這種凹之翹曲，在其後搬送步驟有產生擬似晶圓之破損或對模封樹脂(molding resin)之打印(Marking)等之失焦或加工成半導體晶片後之實裝良率降低的疑慮。 [0014] 如此，WLP或FO-WLP，不僅因封裝材之材料所造成之翹曲的要因，且在各封裝步驟或再配線層形成步驟等的各加工步驟中，因對封裝作用之收縮應力不同，故不僅要考慮翹曲的量，也需要考慮翹曲的方向。因此，以上述先前專利文獻所提案的翹曲抑制或翹曲矯正的手法因應有其限度。 [0015] 因此，本發明之目的係提供可減低半導體晶圓或半導體封裝，特別是扇出型之晶圓級封裝(FO-WLP)時之晶圓或封裝之翹曲的半導體用封裝材。 [用以解決課題之手段] [0016] 本發明人等對於上述課題，得知在包含熱硬化性成分與活性能量線硬化性成分的半導體用封裝材中，以熱或活性能量線的量調整使各成分硬化的順序或硬化程度，藉由在各加工步驟中，與對封裝作用之收縮應力相反應力產生作用，即使翹曲的方向或翹曲的量在各加工步驟不同的情形，也可實現無翹曲的半導體封裝。另外，得到藉由控制構成封裝材料之樹脂組成物之光硬化時的發熱量或熱硬化時的發熱量，在各加工步驟中，使對封裝作用之收縮應力適度發生，可矯正翹曲的見解。更具體而言，發現對於含有熱硬化性成分與活性能量線硬化性成分的半導體用封裝材，在150℃下進行10分鐘的加熱處理，會進行某程度的熱硬化反應，但是形成不會完全熱硬化的狀態，預備成形FO-WLP等的擬似晶圓，其後25℃中，照射包含波長351nm之紫外線1J/cm2
時之活性能量線硬化反應容易進行，促進活性能量線硬化性成分之硬化收縮，使藉由該硬化收縮之應力產生作用，打消存在於經預備成形之擬似晶圓中的翹曲應力，可矯正翹曲。本發明係依據此見解而完成者。 [0017] [1]本發明之第1實施形態的半導體用封裝材，其特徵為至少含有熱硬化性成分(A)及活性能量線硬化性成分(B)的半導體用封裝材， 將在未暴露於活性能量線的環境下，於150℃下進行加熱處理10分鐘後的半導體用封裝材，在25℃下照射含有波長351nm之紫外線1J/cm2
時的發熱量α(J/g)為1≦α(J/g)。 [0018] [2]本發明之第2實施形態的半導體用封裝材，其係如[1]的半導體用封裝材，在未暴露於活性能量線的環境下，使半導體用封裝材以示差掃描熱量計(DSC)以10℃/分鐘由25℃至230℃，昇溫時的發熱量β(J/g)為1≦β(J/g)。 [0019] [3]本發明之第3實施形態的半導體用封裝材，其係如[1]或[2]的半導體用封裝材，其特徵為將在未暴露於活性能量線的環境下，於150℃下進行加熱處理10分鐘後之半導體用封裝材，在未暴露於活性能量線的環境下，以示差掃描熱量計(DSC)以10℃/分鐘由25℃至230℃，昇溫時的發熱量γ(J/g)為1≦γ(J/g)。 [0020] [4]本發明之第4實施形態的半導體用封裝材，其係如[1]~[3]中任一的半導體用封裝材，其為液狀、顆粒狀、錠狀或薄片狀之任一的形態。 [0021] [5]本發明之第5實施形態的半導體用封裝材，其係如[1]~[4]中任一的半導體用封裝材，其係層合2層以上之薄片狀的半導體用封裝材，各層之材料組成互不相同。 [0022] [6]本發明之第6實施形態的半導體用封裝材，其係如[1]~[5]中任一的半導體用封裝材，其係接觸半導體晶片之外周或一部分的區域來使用。 [0023] [7]本發明之第7實施形態的半導體用封裝材，其係如[1]~[5]中任一的半導體用封裝材，其係用於扇出型的晶圓級封裝。 [0024] [8]本發明之第8實施形態之扇出型之晶圓級封裝的製造方法係一種扇出型之晶圓級封裝的製造方法，其係包含以下的步驟， 準備半導體用封裝材的步驟：該半導體用封裝材為至少含有熱硬化性成分(A)及活性能量線硬化性成分(B)，將在未暴露於活性能量線的環境下，於150℃下進行加熱處理10分鐘後的半導體用封裝材，在25℃下照射含有波長351nm之紫外線1J/cm2
時之發熱量α(J/g)為1≦α(J/g)的半導體用封裝材， 將前述半導體用封裝材加熱，前述半導體用封裝材中之熱硬化性成分(A)會進行某程度的熱硬化反應，但是形成不會完全熱硬化的狀態，形成扇出型之晶圓級封裝之擬似晶圓的步驟、及 將前述擬似晶圓之半導體用封裝材照射活性能量線，促進前述半導體用封裝材中之活性能量線硬化性成分(B)的硬化收縮，藉由硬化收縮產生應力作用，打消存在於前述擬似晶圓中的翹曲應力，矯正翹曲的步驟。 [發明效果] [0025] 依據本發明時，使用半導體用封裝材，藉由加熱模封形成擬似晶圓後，因半導體用封裝材之熱硬化後的收縮，半導體晶片電路面側形成凸的情形時，由半導體晶片電路面側，照射活性能量線，藉由存在於各半導體晶片間之半導體用封裝材的體積收縮，可矯正擬似晶圓之翹曲。另外，於再配線形成步驟中，在晶片電路面側發生成為凹的翹曲的情形時，在與上述相反面照射活性能量線，藉由與半導體晶片電路面相反側之半導體用封裝材之體積收縮，可矯正翹曲。此外，藉由調整活性能量線的照射量，也可調整翹曲矯正量。 [實施發明之形態] [0026] 本發明的半導體用封裝材，其特徵為至少含有2種成分之熱硬化性成分(A)及活性能量線硬化性成分(B)，將在未暴露於活性能量線的環境下，於150℃下進行加熱處理10分鐘後的半導體用封裝材，在25℃下照射含有波長351nm之紫外線1J/cm2
時的發熱量α(J/g)為1≦α(J/g)。如本發明，進一步加熱處理後，亦即，熱硬化性成分(A)之硬化反應進行某程度後，照射活性能量線時之發熱量，如上述，因含有如1J/g以上的活性能量線硬化性成分，促進經照射了活性能量線之側的封裝材料中所含有之活性能量線硬化性成分的硬化收縮，可使翹曲的狀態變化。發熱量α更佳為2J/g以上，又更佳為3J/g以上，又特佳為4J/g以上。發熱量α越大，越能促進活性能量線硬化性成分的硬化收縮，但是上限大概為為300J/g。 [0027] 本說明書中，「將於150℃下進行加熱處理10分鐘後的半導體用封裝材，在25℃下照射含有波長351nm之紫外線1J/cm2
時的發熱量α」係指將硬化前的半導體用封裝材組成物，以10℃/分鐘由25℃昇溫至150℃，於150℃下保持10分鐘，接著，以10℃/分鐘的降溫速度冷卻至25℃的半導體用封裝材組成物，使用示差掃描熱量測量裝置(組合了示差掃描熱量測量裝置與光照査裝置的裝置)，照射351nm之波長的活性能量線1J/cm2
測量時的發熱量α(J/g)。以10℃/分鐘由25℃昇溫至150℃，於150℃下保持10分鐘的手段及以10℃/分鐘的降溫速度冷卻至25℃的手段，可列舉加熱板或DSC等。 [0028] 又，本發明係將硬化前之半導體用封裝材在未暴露於活性能量線的環境下，以示差掃描熱量計(DSC)以10℃/分鐘由25℃至230℃昇溫時之半導體用封裝材的發熱量β為1J/g以上為佳。藉由作為包含具有這種發熱量β之熱硬化性成分(A)及活性能量線硬化性成分(B)的半導體用封裝材，使初期之硬化反應快速進行，故將FO-WLP等之擬似晶圓成形時，變得容易維持其形狀。將半導體用封裝材由室溫進行加熱時之發熱量較大，而促進硬化反應，故發熱量β的上限無特別限定，但是考慮藉由加熱硬化反應後之活性能量線照射，調整硬化收縮量時，發熱量的上限為300J/g左右。 [0029] 此外，本發明係將對於硬化前之半導體用封裝材，於150℃下進行加熱處理10分鐘後之半導體用封裝材，在未暴露於活性能量線的環境下，以示差掃描熱量計(DSC)以10℃/分鐘由25℃至230℃昇溫時的發熱量γ較佳為1J/g以上。如此，加熱處理後，即熱硬化性成分(A)之硬化反應進行了某程度後的半導體用封裝材中，藉由含有發熱量γ為1J/g以上的成分，即使在150℃下10分鐘的加熱處理，半導體用封裝材之熱熱硬化反應也未完結，故將FO-WLP等之擬似晶圓成形時，變得可容易維持其形狀，同時藉由加熱硬化反應後之活性能量線照射，容易調整硬化收縮量。即使使半導體用封裝材中所含有之熱硬化性成分(A)熱硬化，也無活性能量線硬化性成分(B)之硬化反應變成不進行的情形，但是熱硬化性成分(A)完全硬化時，活性能量線硬化性成分(B)之分子運動受限制，故藉由活性能量線之硬化反應變得不易進行。如本發明，藉由作為在150℃下10分鐘的加熱處理的發熱量γ為1J/g以上的半導體用封裝材，使熱硬化反應後之活性能量線硬化反應容易進行，可調整硬化收縮量。發熱量γ的上限無特別限定，考慮藉由熱硬化反應之擬似晶圓之形狀保持性時，發熱量的上限為300J/g左右。 [0030] 伴隨著半導體用封裝材之硬化反應之反應熱量之測量，可使用DSC裝置進行。例如可使用作為熱DSC之TA INSTRUMENT公司製 DSC Q100。又，對於半導體用封裝材，照射活性能量線1J/cm2
進行測量時之發熱量，可使用在DSC裝置上組裝了照射紫外線等之活性能量線之裝置(例如紫外線照射單元)的光DSC裝置進行測量。光DSC裝置，例如TA INSTRUMENT公司製 DSC Q100之DSC模組，由內藏高壓水銀燈之光DSC用光源裝置PCA，通過雙光導管(Dual Light Guides)導入活性能量線，將在未暴露於活性能量線的環境下之熱硬化反應時的反應熱或將活性能量線照射所定量時之光硬化反應時的反應熱，可定量測量。以下，說明構成本發明之半導體用封裝材的各成分。 [0031] ＜熱硬化性成分(A)＞ 本發明之半導體用封裝材所含有的熱硬化性成分(A)，例如藉由熱硬化劑成分等，硬化反應開始者，無特別限制，可使用以往習知的材料，但是使用環氧或氧雜環丁烷等的環狀醚類為佳。此等環氧或氧雜環丁烷等的環狀醚類，藉由硬化反應，體積產生收縮，但是如後述，熱硬化性成分(A)硬化時，因提高與擬似晶圓之密著性，故提高擬似晶圓的強度，同時可提高半導體晶片與半導體用封裝材之密著性。 [0032] 環氧樹脂從反應前的形狀，有固形、半固形、液狀的環氧樹脂。此等可1種單獨使用或組合2種以上使用。固形環氧樹脂，可列舉日本化藥股份公司製EPPN-502H(三苯酚環氧樹脂)等之酚類與具有酚性羥基之芳香族醛之縮合物的環氧化物(三苯酚型環氧樹脂)；DIC股份公司製EPICLON HP-7200H(含有二環戊二烯骨架之多官能固形環氧樹脂)等之二環戊二烯芳烷基型環氧樹脂；DIC股份公司製EPICLON N660、EPICLON N690、日本化藥股份公司製EOCN-104S等之酚醛清漆型環氧樹脂；The Dow Chemical Company 製DEN-431等之苯酚酚醛清漆型環氧樹脂；Mitsubishi Chemical股份公司製YX-4000等之聯苯型環氧樹脂；新日鐵住金化學股份公司製TX0712等之含磷環氧樹脂；日產化學工業股份公司製TEPIC等之三(2，3-環氧基丙基)異三聚氰酸酯等。 [0033] 半固形環氧樹脂，可列舉DIC股份公司製EPICLON860、EPICLON900-IM、EPICLONEXA―4816、EPICLONEXA-4822、新日鐵住金股份公司製 EPOTOHTOYD-134、Mitsubishi Chemical股份公司製jER828、jER834、jER872、jER1001、住友化學工業股份公司製ELA-134等之雙酚A型環氧樹脂；DIC股份公司製EPICLONN-740等之苯酚酚醛清漆型環氧樹脂等。 [0034] 液狀環氧樹脂，可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、tert-丁基-兒茶酚型環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂、胺基苯酚型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂等。 [0035] 上述熱硬化性成分(A)可單獨使用1種或組合2種以上使用。 [0036] 本發明之半導體用封裝材，包含可使上述熱硬化性成分(A)硬化的硬化劑成分為佳。熱硬化劑成分可使用藉由熱可使熱硬化性成分(A)產生離子性之開環聚合或加成聚合之聚合反應者。 [0037] 可使熱硬化性成分(A)產生離子性之開環聚合的硬化劑成分，可使用咪唑類、苄基鋶鹽、路易斯酸-胺錯合物等。其中，從與擬似晶圓之密著力或保存安定性、耐濕信賴性等的觀點，使用咪唑類為佳。 [0038] 咪唑類可列舉例如2MZ、C11Z、2PZ、2E4MZ、2P4MZ、1B2MZ、1B2PZ、2MZ-CN、2E4MZ-CN、2PZ-CN、C11Z-CN、2PZ-CNS、C11Z-CNS、2MZ-A、C11Z-A、2E4MZ-A、2P4MHZ、2PHZ、2MA-OK、2PZ-OK(四國化成工業股份公司製、製品名)等或使此等咪唑類與環氧樹脂加成的化合物。又，將此等硬化劑以聚胺基甲酸酯系、聚酯系的高分子物質等被覆，形成微膠囊化者，可延長可使用時間，故較佳。此等可單獨使用或混合2種以上使用。 [0039] 咪唑類之調配量係相對於熱硬化性成分(A)，調配0.1~10質量%為佳，更佳為0.5~10質量%，又更佳為1~10質量%。藉由以上述範圍調配可使離子性之開環聚合之硬化劑成分的咪唑類，可兼具硬化性與保存安定性。 [0040] 苄基鋶鹽可使用三新化學工業股份公司san-aid系列的SI-45，SI-60，SI-80，SI-100，SI-150、SI-110，SI-360，SI-360，SI-B2A，SI-B3A，SI-B3，SI-B4，SI-B5。此等可單獨使用或混合2種以上使用。 [0041] 苄基鋶鹽之調配量係相對於熱硬化性成分(A)，調配0.1~10質量%為佳，更佳為0.5~10質量%，又更佳為1~10質量%。藉由以上述範圍調配可使離子性之開環聚合之硬化劑成分的苄基鋶鹽，可兼具硬化性與保存安定性。 [0042] 又，路易斯酸-胺錯合物，可使用BF3
-三乙基胺錯合物或BF3
-吡啶錯合物等習知者。 [0043] 路易斯酸-胺錯合物等之熱硬化劑成分之調配量係相對於熱硬化性成分(A)，調配0.1~10質量%為佳，更佳為0.5~10質量%，又更佳為1~10質量%。藉由以上述範圍調配可使離子性之開環聚合之硬化劑成分的路易斯酸-胺錯合物等，可兼具硬化性與保存安定性。 [0044] 熱硬化性成分(A)可藉由加成聚合之聚合反應使硬化。可使熱硬化性成分(A)加成聚合之聚合反應的硬化劑成分，可使用酸酐類、羧酸類、胺類、酚類、肼類、聚硫醇類等。其中，從與擬似晶圓之密著力或保存安定性、耐濕信賴性等的觀點，使用羧酸類、胺類、酚類為佳。 [0045] 酸酐類可使用例如甲基四氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫化鄰苯二甲酸酐、六氫化鄰苯二甲酸酐、甲基5-雙環庚烯-2,3-雙羧酸酐、均苯四甲酸二酐、二苯甲酮四羧酸二酐、3,4-二甲基-6-(2-甲基-1-丙烯基)-1,2,3,6-四氫鄰苯二甲酸酐、1-異丙基-4-甲基-雙環[2.2.2]辛-5-烯-2,3-二羧酸酐等。此等可單獨使用或混合2種以上使用。 [0046] 酸酐之調配量，例如熱硬化性成分(A)為環氧化合物的情形，使硬化官能基(環氧基)之數與由酸酐基產生之羧酸之數之比(熱硬化性成分(A)之硬化官能基之數/羧酸之數)成為0.2~20來調配為佳，更佳為0.4~16。藉由將酸酐之調配量設為上述範圍，可有效地進行硬化反應。另外，可同樣地算出熱硬化性成分(A)為環氧基以外的情形，參與該硬化反應之硬化官能基之數與由酸酐基產生之羧酸之數之比(熱硬化性成分(A)之硬化官能基之數/羧酸之數)。 [0047] 羧酸類可使用己二酸、馬來酸、甲基四氫鄰苯二甲酸、甲基六氫鄰苯二甲酸、六氫鄰苯二甲酸、甲基5-雙環庚烯-2,3-雙羧酸、均苯四甲酸、二苯甲酮四羧酸、3,4-二甲基-6-(2-甲基-1-丙烯基)-1,2,3,6-四氫鄰苯二甲酸、1-異丙基-4-甲基-雙環[2.2.2]辛-5-烯-2,3-二羧酸、側鏈具有羧基的樹脂等。 [0048] 羧酸之調配量，熱硬化性成分(A)為環氧化合物的情形，使硬化官能基(環氧基)之數與羧基之數之比(熱硬化性成分(A)之硬化官能基之數/羧基之數)成為0.2~20來調配為佳，更佳為0.4~16。藉由將羧酸之調配量設為上述範圍，可有效地進行硬化反應。另外，可同樣地算出熱硬化性成分(A)為環氧基以外的情形，參與該硬化反應之硬化官能基之數與羧基之數之比(熱硬化性成分(A)之硬化官能基之數/羧基之數)。 [0049] 胺類只要是分子內具有至少1個以上之一級或二級胺基的化合物時，無特別限定，從保存安定性及硬化物之耐熱性的觀點，較佳為芳香族胺類。芳香族胺類可使用例如二胺基二苯基甲烷、二胺基二苯基碸、二胺基二苯硫醚、間二甲苯二胺、3,3’-二乙基-4,4’-二胺基二苯基甲烷、3,3’,5,5’-四乙基-4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基碸、4,4’-二胺基二苯硫醚、2,2-雙-[4-(4-胺基苯氧基)苯基]-六氟丙烷、2,2-雙(4-胺基苯基)-六氟丙烷、2,4-二胺基甲苯、1,4-二胺基苯、1,3-二胺基苯、二乙基甲苯二胺、二甲基甲苯二胺、苯胺類、烷基化苯胺類、N-烷基化苯胺類等。此等可單獨使用或混合2種以上使用。 [0050] 胺類之調配量係當熱硬化性成分(A)為環氧化合物的情形，使硬化官能基(環氧基)之數與活性氫之數之比(環氧基之數/活性氫之數)成為0.2~20來調配為佳，更佳為0.4~16。藉由將胺類之調配量設為上述範圍，可有效地進行硬化反應。另外，可同樣地算出熱硬化性成分(A)為環氧基以外的情形，參與該硬化反應之硬化官能基之數與活性氫之數之比(熱硬化性成分(A)之硬化官能基之數/活性氫之數)。 [0051] 酚類可使用苯酚酚醛清漆樹脂、烷基苯酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、二環戊二烯型酚醛樹脂、Xylok型酚醛樹脂、萜烯改質酚醛樹脂、甲酚/萘酚樹脂、聚乙烯基苯酚類、苯酚/萘酚樹脂、含有α-萘酚骨架之酚樹脂、含有三嗪之甲酚酚醛清漆樹脂、各種多官能酚樹脂等。此等可單獨使用1種或混合2種以上使用。 [0052] 酚類之調配量係當熱硬化性成分(A)為環氧化合物的情形，使硬化官能基(環氧基)之數與酚性羥基之數之比(環氧基之數/酚性羥基之數)成為0.2~20來調配為佳，更佳為0.4~16。藉由將酚類之調配量設為上述範圍，可有效地進行硬化反應。另外，可同樣地算出熱硬化性成分(A)為環氧基以外的情形，參與該硬化反應之硬化官能基之數與酚性羥基之數之比(熱硬化性成分(A)之硬化官能基之數/酚性羥基之數)。 [0053] 上述以外，可藉由加成聚合之聚合反應使熱硬化性成分(A)聚合的硬化劑成分，可使用氰酸酯樹脂或活性酯樹脂。氰酸酯樹脂為一分子中具有2個以上之氰酸酯基(-OCN)的化合物。氰酸酯樹脂可使用以往習知者。氰酸酯樹脂可列舉例如苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂、烷基苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂、二環戊二烯型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚F型氰酸酯樹脂、雙酚S型氰酸酯樹脂。又，也可為一部分進行了三嗪化的預聚物。 [0054] 活性酯樹脂為一分子中具有2個以上之活性酯基的樹脂。活性酯樹脂，一般可藉由羧酸化合物與羥基化合物之縮合反應而得。其中，羥基化合物為使用苯酚化合物或萘酚化合物所得之活性酯化合物為佳。苯酚化合物或萘酚化合物，可列舉氫醌、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、苯酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚、苯三醇、二環戊二烯二酚、苯酚酚醛清漆等。 [0055] 將羧酸、酸酐類、胺類、酚類、氰酸酯樹脂、活性酯樹脂作為可藉由加成聚合之聚合反應使熱硬化性成分(A)聚合的硬化劑成分使用時，可併用硬化促進劑。硬化促進劑可使用前述咪唑類。此外，可列舉乙醯胍胺、苯胍胺等之胍胺類；二胺基二苯基甲烷、m-苯二胺、m-二甲苯二胺、二胺基二苯基碸、雙氰胺、脲、脲衍生物、三聚氰胺、多鹼肼等之多胺類之有機酸鹽及/或環氧基加成物(adduct)；三氟化硼之胺錯合物；乙基二胺基-S-三嗪、2,4-二胺基-S-三嗪、2,4-二胺基-6-二甲苯基-S-三嗪等之三嗪衍生物類；三丁基膦、三苯基膦、三-2-氰基乙基膦等之有機膦類；三-n-丁基(2,5-二羥基苯基)溴化鏻、十六烷基三丁基鏻氯化物等之鏻鹽類；苄基三甲基銨氯化物、苯基三丁基銨氯化物等之四級銨鹽類；前述多元酸酐。此等可單獨使用1種或混合2種以上使用。 [0056] 硬化促進劑成分非必須，但是特別是欲促進硬化反應的情形時，相對於藉由以上述熱使熱硬化性成分(A)加成聚合之聚合反應可聚合的硬化劑成分100質量份，可在0.01~20質量份之範圍內使用為佳。硬化促進劑成分使用金屬觸媒的情形，其含量為相對於硬化性成分100質量份，以金屬換算較佳為10~550ppm，更佳為25~ 200ppm。 [0057] ＜活性能量線硬化性成分(B)＞ 本發明之半導體用封裝材包含活性能量線硬化性成分(B)。活性能量線硬化性成分係指藉由照射活性能量線，進行硬化反應的成分。又，本說明書中，活性能量線係指具有使硬化劑成分由基底狀態激發成過渡狀態(transition state)所需要的能量的電磁波，例如電子束、紫外線、可見光線等。這種活性能量線硬化性成分(B)，可選自習知的材料，例如可適合使用藉由自由基性之加成聚合反應可硬化的硬化性成分。本說明書中，自由基性之加成聚合係指藉由自由基開始聚合，具有雙鍵或三鍵之不飽和化合物加成，成為聚合物的反應。藉由這種自由基性加成聚合反應可硬化的硬化性成分，較佳為分子中具有1個以上之乙烯性不飽和基的化合物。 [0058] 在半導體用封裝材中，藉由含有如上述之熱硬化性成分(A)與活性能量線硬化性成分(B)，使半導體用封裝材硬化時，可使熱硬化性成分(A)與活性能量線硬化性成分(B)各自個別硬化。因此，使用當該半導體用封裝材製作擬似晶圓時，依據晶圓之翹曲方向或翹曲量，調節活性能量線之照射量，使於活性能量線之照射面側產生與擬似晶圓內在之翹曲應力相同程度的收縮應力。結果即使製造再配線層之材料、厚度、圖型不同之FO-WLP的情形，也可得到翹曲減低的FO-WLP。由配合翹曲量，控制半導體用封裝材之收縮量的觀點，活性能量線硬化性成分(B)使用藉由自由基性之加成聚合反應，體積產生收縮者為佳。又，活性能量線硬化性成分(B)使用藉由使上述熱硬化性成分(A)硬化時之熱能量或產生之硬化反應熱，活性能量線硬化性成分之硬化反應不會全部進行者為佳。 [0059] 這種自由基性之加成聚合反應性成分的具體例。可列舉例如慣用習知的聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、碳酸酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯等。具體而言，2-羥基乙基丙烯酸酯、2-羥基丙基丙烯酸酯等之羥基烷基丙烯酸酯類；乙二醇、甲氧基四乙二醇、聚乙二醇、丙二醇等之二醇的二丙烯酸酯類；N,N-二甲基丙烯醯胺、N-羥甲基丙烯醯胺、N,N-二甲基胺基丙基丙烯醯胺等之丙烯醯胺類；N,N-二甲基胺基乙基丙烯酸酯、N,N-二甲基胺基丙基丙烯酸酯等之胺基烷基丙烯酸酯類；己二醇、三羥甲基丙烷、季戊四醇、二季戊四醇、三-羥基乙基異三聚氰酸酯等之多元醇或此等之環氧乙烷加成物、環氧丙烷加成物、或ε-己內酯加成物等之多價丙烯酸酯類；苯氧基丙烯酸酯、雙酚A二丙烯酸酯、及此等之酚類之環氧乙烷加成物或環氧丙烷加成物等之多價丙烯酸酯類；丙三醇二環氧丙醚、丙三醇三環氧丙醚、三羥甲基丙烷三環氧丙醚、三環氧丙基異三聚氰酸酯等之環氧丙醚之多價丙烯酸酯類；不限於前述，可列舉聚醚多元醇、聚碳酸酯二醇、羥基末端聚丁二烯、聚酯多元醇等之多元醇直接丙烯酸酯化或經由二異氰酸酯，進行了胺基甲酸酯丙烯酸酯化的丙烯酸酯類及三聚氰胺丙烯酸酯、及與前述丙烯酸酯對應之各甲基丙烯酸酯類之至少任一種等。上述中，較佳的丙烯醯基當量為500以下，更佳為300以下，特佳為未達200。 [0060] 又，藉由自由基性之加成聚合反應可硬化的活性能量線硬化性成分(B)，可使用以下的馬來醯亞胺化合物。例如、N-甲基馬來醯亞胺、N-乙基馬來醯亞胺、N-n-丙基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-n-丁基馬來醯亞胺、N-異丁基馬來醯亞胺、N-sec-丁基馬來醯亞胺、N-tert-丁基馬來醯亞胺、N-n-己基馬來醯亞胺、N-n-十二烷基馬來醯亞胺、N-烯丙基馬來醯亞胺、N-苄基馬來醯亞胺、N-環己基馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺、N-硝基苯基馬來醯亞胺、N-羥基苯基馬來醯亞胺、N-甲氧基苯基馬來醯亞胺、N-乙氧基苯基馬來醯亞胺、N-單氯苯基馬來醯亞胺、N-二氯苯基馬來醯亞胺、N-單甲基苯基馬來醯亞胺、N-二甲基苯基馬來醯亞胺、N-乙基苯基馬來醯亞胺、伸乙基雙馬來醯亞胺、N,N’-m-伸苯基雙馬來醯亞胺、N,N’-p-伸苯基雙馬來醯亞胺、N,N’-六亞甲基雙馬來醯亞胺、N,N’-p,p’-二苯基二甲基甲矽烷基雙馬來醯亞胺、N,N’-p,p’-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺、N,N’-p,p’-二苯醚雙馬來醯亞胺、N,N’-p,p’-二苯基硫醚雙馬來醯亞胺、N,N’-二苯基碸雙馬來醯亞胺、N,N’-二環己基甲烷雙馬來醯亞胺、N,N’-m-亞二甲苯基雙馬來醯亞胺、N,N’-p,p’-二苯甲酮雙馬來醯亞胺、N,N’-(3,3’-二氯-p,p’-亞聯苯基)雙馬來醯亞胺等。活性能量線硬化性成分(B)使用馬來醯亞胺化合物的情形，也可使用或不使用後述的光自由基起始劑，藉由活性能量線之照射，使光二聚化反應，也可減低半導體用封裝材的翹曲量。 [0061] 除上述以外，可藉由自由基性之加成聚合反應而硬化的活性能量線硬化性成分(B)，可使用如以下(1)~(11)的化合物。 (1)使含不飽和基之單羧酸，與於一分子中具有複數酚性羥基的化合物與環氧烷烴(alkyleneoxide)反應所得的反應生成物反應，所得到之反應生成物，再與多元酸酐反應而得的含不飽和基的聚合物， (2)2官能或其以上之多官能環氧樹脂與(甲基)丙烯酸反應，使二元酸酐加成於存在於側鏈之羥基的含丙烯酸聚合物， (3)將2官能環氧樹脂之羥基再以表氯醇進行環氧化的多官能環氧樹脂與(甲基)丙烯酸反應，使二元酸酐加成於生成之羥基的含丙烯酸聚合物， (4)使含不飽和基之單羧酸，與於一分子中具有複數酚性羥基的化合物與環狀碳酸酯化合物反應所得的反應生成物反應所得到的反應生成物反應，所得之反應生成物再與多元酸酐反應而得的含不飽和基的聚合物， (5)藉由二異氰酸酯與2官能環氧樹脂之(甲基)丙烯酸酯或其部份酸酐改質物、含羧基之二醇化合物及二醇化合物之聚加成反應所得的含丙烯酸的胺基甲酸酯樹脂， (6)藉由不飽和羧酸與含有不飽和基之化合物之共聚合所得之含不飽和的聚合物， (7)藉由二異氰酸酯與含羧基之二醇化合物及二醇化合物之聚加成反應所得之樹脂合成中，添加分子內具有1個羥基及1個以上之(甲基)丙烯醯基的化合物，進行末端(甲基)丙烯酸化之含丙烯酸的胺基甲酸酯樹脂， (8)藉由二異氰酸酯與含羧基之二醇化合物及二醇化合物之聚加成反應所得的樹脂合成中，添加分子內具有1個異氰酸酯基及1個以上之(甲基)丙烯醯基的化合物，進行末端(甲基)丙烯酸化之含丙烯酸的胺基甲酸酯樹脂， (9)於前述(5)之樹脂之合成中，添加分子內具有1個羥基及1個以上之(甲基)丙烯醯基的化合物，進行末端(甲基)丙烯酸化之含丙烯酸的胺基甲酸酯樹脂， (10)於前述(5)之樹脂之合成中，添加分子內具有1個異氰酸酯基及1個以上之(甲基)丙烯醯基的化合物，進行末端(甲基)丙烯酸化之含丙烯酸的胺基甲酸酯樹脂，及 (11)在上述(1)~(10)的樹脂，進一步加成一分子內具有1個環氧基及1個以上之(甲基)丙烯醯基的化合物所成的含丙烯酸的聚合物等，可單獨或組合2種以上使用，或與上述分子中具有1個以上之乙烯性不飽和基的單體併用來使用。 [0062] 上述的活性能量線硬化性成分(B)，使用在未暴露於活性能量線的環境下，以示差掃描熱量計(DSC)以10℃/分鐘由25℃至230℃昇溫時的發熱量實質為0J/g者為佳。為了使熱硬化性成分(A)進行熱硬化反應，而在進行加熱處理時，藉由使用活性能量線硬化反應未進行的活性能量線硬化性成分(B)，可更容易藉由活性能量線照射，進行硬化收縮量之調整(亦即，翹曲量之調整)。 [0063] 本發明之半導體用封裝材，包含可使上述活性能量線硬化性成分(B)硬化的硬化劑成分(以下也稱為光硬化劑成分)為佳。光硬化劑成分也可為藉由活性能量線，可使活性能量線硬化性成分(B)自由基聚合者。 [0064] 又，光硬化劑成分，可列舉例如雙-(2,6-二氯苯甲醯基)苯基氧化磷、雙-(2,6-二氯苯甲醯基)-2,5-二甲基苯基氧化磷、雙-(2,6-二氯苯甲醯基)-4-丙基苯基氧化磷、雙-(2,6-二氯苯甲醯基)-1-萘基氧化磷、雙-(2,6-二甲氧基苯甲醯基)苯基氧化磷、雙-(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基戊基氧化磷、雙-(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,5-二甲基苯基氧化磷、雙-(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化磷(IGM Resins公司製Omnirad(Omnirad)819)、2,6-二甲氧基苯甲醯基二苯基氧化磷、2,6-二氯苯甲醯基二苯基氧化磷、2,4,6-三甲基苯甲醯基苯基次磷酸甲基酯、2-甲基苯甲醯基二苯基氧化磷、三甲基乙醯基苯基次磷酸異丙基酯、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化磷(BASF JAPAN股份公司製IRGACURE TPO)等之醯基氧化磷類；1-羥基-環己基苯基酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮等之羥基苯乙酮類；苯偶姻、苄基、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻n-丙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻n-丁醚等之苯偶姻類；苯偶姻烷醚類；二苯甲酮、p-甲基二苯甲酮、米希勒酮、甲基二苯甲酮、4,4’-二氯二苯甲酮、4,4’-雙二乙基胺基二苯甲酮等之二苯甲酮類；苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、1,1-二氯苯乙酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲基硫基)苯基]-2-嗎啉基-1-丙酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1、2-(二甲基胺基)-2-[(4-甲基苯基)甲基)-1-[4-(4-嗎啉基)苯基]-1-丁酮、N,N-二甲基胺基苯乙酮等之苯乙酮類；噻噸酮、2-乙基噻噸酮、2-異丙基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2-氯噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等之噻噸酮類；蒽醌、氯蒽醌、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-tert-丁基蒽醌、1-氯蒽醌、2-戊基蒽醌、2-胺基蒽醌等之蒽醌類；苯乙酮二甲基縮醛、苄基二甲基縮醛等之縮醛類；乙基-4-二甲基胺基苯甲酸酯、2-(二甲基胺基)乙基苯甲酸酯、p-二甲基苯甲酸乙基酯等之苯甲酸酯類；1,2-辛烷二酮，1-[4-(苯硫基)-，2-(O-苯甲醯肟)]、乙酮，1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-，1-(O-乙醯肟)等之肟酯類；雙(η5-2,4-環戊二烯-1-基)-雙(2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)苯基)鈦、雙(環戊二烯)-雙〔2,6-二氟-3-(2-(1-吡咯-1-基)乙基)苯基]鈦等之二茂鈦類；苯基二硫醚2-硝基茀、丁偶姻(Butyroin)、對二甲氧苯偶姻(Anisoin)乙醚、偶氮雙異丁腈、四甲基秋蘭姆二硫化物等。藉由自由基性之加成聚合反應，可使上述活性能量線硬化性成分(B)聚合的光硬化劑成分，可單獨使用1種，也可組合2種以上使用。 [0065] 又，光硬化劑成分係選自不易因加熱而蒸發或分解的物質為佳。具體而言，光硬化劑成分在25℃時的蒸氣壓為1×10-3
Pa以下為佳，更佳為5×10-4
Pa以下，又更佳為1×10-4
Pa以下。25℃時之蒸氣壓為1×10-4
Pa以下之光硬化劑成分之例示，可列舉Omnirad(Omnirad)819(IGM Resins公司製)、IRGACURE 379、IRGACURE OXE01 (BASF JAPAN股份公司製)等。又，光硬化劑成分之熱分解溫度，較佳為150℃以上，更佳為155℃以上，又更佳為160℃以上。藉由使用熱分解溫度較高的光硬化劑成分，可有效地抑制半導體用封裝材之熱反應時，光硬化劑成分失活的情形。這種光硬化劑成分，可列舉例如Omnirad(Omnirad)819(IGM Resins公司製)、IRGACURE 379、IRGACURE OXE01(BASF JAPAN股份公司製)等。 [0066] 此等之中，使用選自由肟酯類(以下稱為「肟酯系光聚合起始劑」)、苯乙酮類之一的α-胺基苯乙酮類(以下稱為「α-胺基苯乙酮系光聚合起始劑」)、及醯基氧化磷類(以下稱為「醯基氧化磷系光聚合起始劑」)所成群之1種以上的光聚合起始劑為佳。肟酯系光聚合起始劑，市售品可列舉BASF JAPAN股份公司製之CGI-325、IRGACURE OXE01、IRGACURE OXE02、股份公司ADEKA製N-1919等。又，分子內具有2個肟酯基的光聚合起始劑，除了不易因加熱而蒸發或分解，且可生成複數個具有更高反應性的自由基，可更有效率進行翹曲矯正，故較適合使用。這種光聚合起始劑的具體例，可列舉具有下述通式表示之咔唑結構的肟酯化合物。[0067] 上述式中，X表示氫原子、碳數1~17之烷基、碳數1~8之烷氧基、苯基、苯基(被碳數1~17之烷基、碳數1~8之烷氧基、胺基、具有碳數1~8之烷基之烷基胺基或二烷基胺基取代)、萘基(被碳數1~17之烷基、碳數1~8之烷氧基、胺基、具有碳數1~8之烷基之烷基胺基或二烷基胺基取代)，Y、Z各自表示氫原子、碳數1~17之烷基、碳數1~8之烷氧基、鹵基、苯基、苯基(被碳數1~17之烷基、碳數1~8之烷氧基、胺基、具有碳數1~8之烷基之烷基胺基或二烷基胺基取代)、萘基(被碳數1~17之烷基、碳數1~8之烷氧基、胺基、具有碳數1~8之烷基之烷基胺基或二烷基胺基取代)、蒽基(Anthryl)、吡啶基、苯並呋喃基、苯並噻吩基，Ar表示碳數1~10之伸烷基、亞乙烯基、伸苯基、亞聯苯基、亞吡啶基(pyridylene)、伸萘基、噻吩、伸蒽基(Anthrylene)、亞噻吩基(
Thienylene)、亞呋喃基(Furylene)、2,5-吡咯-二基、4,4’-茋-二基、4,2’-苯乙烯-二基，n為0或1之整數。 [0068] 上述通式表示具有咔唑結構的肟酯化合物，特佳為式中，X、Y各自為甲基或乙基，Z為甲基或苯基，n為0，Ar為伸苯基、伸萘基、噻吩或亞噻吩基的肟酯化合物。 [0069] 肟酯系光聚合起始劑之調配量係相對於分子中含有乙烯性不飽和基之聚醚化合物100質量份，較佳為0.01~5質量份。 [0070] α-胺基苯乙酮系光聚合起始劑，具體而言，可列舉2-甲基-1-[4-(甲基硫基)苯基]-2-嗎啉基丙酮-1、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁烷-1-酮、2-(二甲基胺基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-嗎啉基)苯基]-1-丁酮、N,N-二甲基胺基苯乙酮等。市售品可列舉IGM Resins公司製Omnirad(Omnirad)907、BASF JAPAN股份公司製IRGACURE 369、IRGACURE 379等。 [0071] 醯基氧化磷系光聚合起始劑，可列舉上述的化合物。市售品可列舉BASF JAPAN股份公司製之IRGACURE TPO、IGM Resins公司製Omnirad(Omnirad)819等。 [0072] 作為光硬化劑成分使用肟酯系光聚合起始劑時，不僅少量也可得到充分的感度，且光聚合起始劑之揮發較少，故可減少乾燥爐等之裝置的污染。 [0073] 又，使用醯基氧化磷系光聚合起始劑時，提高光反應時之深部硬化性，故即使厚的半導體用封裝材，也可展現更有效果的翹曲矯正力，故較佳。 [0074] 又，光硬化劑成分可使用市售品，例如可適合使用BASF JAPAN股份公司製之IRGACURE 389、IRGACURE 784。 [0075] 如上述，活性能量線硬化性成分(B)使用藉由使熱硬化性成分(A)硬化時之熱能量或產生之硬化反應熱，活性能量線硬化性成分之硬化反應之一部分或未全部進行者為佳。因此，光硬化劑成分也為不會因熱能量或產生之硬化反應熱，實質上進行活性化(產生自由基)者為佳。這種光硬化劑成分，可列舉BASF JAPAN股份公司製之IRGACURE 379、IRGACURE 784、IRGACURE OXE01、IGM Resins公司製Omnirad(Omnirad)819等之肟化合物、上述通式表示之具有咔唑結構的肟酯化合物等。 [0076] 光硬化劑成分之調配量係相對於活性能量線硬化性成分(B)100質量份，較佳為1~25質量份，更佳為5~20質量份，又更佳為10~20質量份。特別是使用肟酯系光聚合起始劑時之光聚合起始劑調配量係相對於分子中含有乙烯性不飽和基之聚醚化合物100質量份，較佳為0.01~5質量份。 [0077] 本發明係半導體用封裝材中含有作為硬化劑成分之光硬化劑成分的情形可進一步含有光起始助劑或增感劑。光起始助劑及增感劑，可列舉苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、蒽醌化合物、噻噸酮化合物、縮醛化合物、二苯甲酮化合物、3級胺化合物、及呫噸酮化合物等。光起始助劑及增感劑可1種單獨使用，也可以2種類以上的混合物使用。上述中，較佳為噻噸酮化合物及3級胺化合物。特別是含有噻噸酮化合物，在半導體用封裝材之深部硬化性的方面較佳。其中，包含2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2-氯噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等之噻噸酮化合物為佳。 [0078] 本發明之半導體用封裝材，可為液狀、顆粒狀、錠狀、或薄片狀之任一形態，但是加工成薄膜(或薄片)狀的情形時，也可含有薄膜(或薄片)形狀之維持容易的薄膜性賦予聚合物成分(C)。這種薄膜性賦予聚合物成分(C)，可列舉熱可塑性聚羥基聚醚樹脂或、環氧氯丙烷與各種2官能苯酚化合物之縮合物的苯氧基樹脂或存在於該骨架之羥醚部之羥基，使用各種酸酐或酸氯化物進行酯化的苯氧基樹脂、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、嵌段共聚物等。此等之聚合物可1種單獨使用或組合2種以上使用。為了維持薄膜(或薄片)形狀時，此等聚合物之重量平均分子量(Mw)，通常為2×104
以上，較佳為2×104
~3×106
。 [0079] 又，本說明書中，重量平均分子量(Mw)之值，可藉由凝膠滲透層析法 (GPC)法(聚苯乙烯標準)，以下述測量裝置、測量條件測量。 測量裝置：Waters製「Waters 2695」 檢測器：Waters製「Waters2414」、RI(示差折射率計) 管柱：Waters製「HSPgel Column，HR MB-L，3μm，6mm×150mm」×2+Waters製「HSPgel Column，HR1，3μm，6mm×150mm」×2 測量條件： 管柱溫度：40℃ RI檢測器設定溫度：35℃ 展開溶劑：四氫呋喃 流速：0.5ml/分鐘 樣品量：10μl 樣品濃度：0.7wt% [0080] 聚乙烯醇縮乙醛樹脂，例如可藉由將聚乙烯醇樹脂以醛進行縮醛化而得。上述醛，無特別限定，可列舉例如甲醛、乙醛、丙醛、丁基醛等。 [0081] 苯氧基樹脂之具體例，可列舉新日鐵住金股份公司製FX280、FX293、Mitsubishi Chemical股份公司製YX8100、YL6954、YL6974等。 [0082] 聚乙烯醇縮乙醛樹脂之具體例，可列舉積水化學工業股份公司製S-LEC KS系列，聚醯胺樹脂可列舉日立化成股份公司製KS5000系列、日本化藥股份公司製BP系列等。 [0083] 聚醯胺醯亞胺樹脂，可列舉日立化成股份公司製KS9000系列等。 [0084] 熱可塑性聚羥基聚醚樹脂，具有茀骨架時，具有高的玻璃轉移溫度，耐熱性優異，故可維持半固形或固形環氧樹脂之低的熱膨脹率，同時維持該玻璃轉移溫度，所得的硬化皮膜為平衡良好兼具低的熱膨脹率與高的玻璃轉移溫度者。又，熱可塑性聚羥基聚醚樹脂因具有羥基，故對於擬似晶圓顯示良好的密著性。 [0085] 薄膜性賦予聚合物成分(C)可為構成上述成分之單體進行嵌段共聚合者。嵌段共聚物係指不同性質之二種類以上的聚合物以共價鍵連結成長連鏈之分子結構的共聚物。嵌段共聚物較佳為X-Y-X型或X-Y-X’型嵌段共聚物。X-Y-X型及X-Y-X’型嵌段共聚物之中，中央的Y為軟嵌段，且玻璃轉移溫度(Tg)低，其兩外側X或X’為硬嵌段，且玻璃轉移溫度(Tg)比中央之Y嵌段高的聚合物單位所構成者為佳。玻璃轉移溫度(Tg)係藉由示差掃描熱量測量(DSC)測量。 [0086] 又，X-Y-X型及X-Y-X’型嵌段共聚物之中，X或X’係Tg為50℃以上的聚合物單位所構成，Y的玻璃轉移溫度(Tg)為X或X’之Tg以下的聚合物單位所成之嵌段共聚物更佳。又，X-Y-X型及X-Y-X’型嵌段共聚物之中，X或X’為與熱硬化性成分(A)或活性能量線硬化性成分(B)之相溶性高者為佳，Y為與熱硬化性成分(A)或活性能量線硬化性成分(B)之相溶性低者為佳。如此，藉由兩端的嵌段與基質(硬化性成分)相溶，中央的嵌段與基質(硬化性成分)不相溶的嵌段共聚物，在基質中變得更容易顯示特殊的結構。 [0087] 上述各種薄膜性賦予聚合物成分(C)之中，較佳為苯氧基樹脂、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、具有茀骨架之熱可塑性聚羥基聚醚樹脂、嵌段共聚物。 [0088] 在本發明之半導體用封裝材中，添加薄膜性賦予聚合物成分(C)的情形，構成半導體用封裝材之全成分中，薄膜性賦予聚合物成分(C)之比例無特別限定，全成分之合計作為100質量份時，較佳為2~40質量份，更佳為5~35質量份。 [0089] 本發明之半導體用封裝材中，可含有無機填料成分(D)。藉由含有無機填料成分(D)，例如FO-WLP之個片化(切割)時之切斷變得容易。又，藉由對保護膜施予雷射打印(marking)，在被雷射光削取的部分，無機填料成分(D)露出，因反射光擴散，呈現接近白色的顏色。藉此，FO-WLP用翹曲矯正材含有後述之著色劑成分(E)的情形，雷射打印部分與其他之部分，可得到對比差，具有打印(印字)變得明瞭的效果。 [0090] 無機填料成分(D)係將在未暴露於活性能量線的環境下，於150℃下進行加熱處理10分鐘後的半導體用封裝材，在25℃下照射含有波長351nm之紫外線1J/cm2
時的發熱量α(J/g)為1≦α(J/g)的範圍時，可無限制使用以往習知者，可列舉例如二氧化矽、氧化鋁、滑石、氫氧化鋁、碳酸鈣、二氧化矽(Neuburger Kieselerde)、玻璃粉末、黏土、碳酸鎂、天然雲母、合成雲母、硫酸鋇、鈦酸鋇、水滑石、礦渣棉(Mineral Wool)、矽酸鋁、矽酸鈣、鋅華、氧化鈦、氧化鐵、碳化矽、氮化硼等之粉末、將此等形成球形化的珠粒、單結晶纖維及玻璃纖維等，可1種單獨使用或混合2種以上使用。此等之中，較佳為二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦。 [0091] 無機填料成分(D)使用平均粒徑，較佳為0.01~15μm，更佳為0.02~12μm，又特佳為0.03~10μm者為佳。又，本說明書中，平均粒徑係以電子顯微鏡測量不刻意選擇之無機填料(D)20個的長軸徑，作為其算術平均值算出的個數平均粒徑。 [0092] 無機填料成分(D)之含量係當半導體用封裝材中所含有之硬化性成分(A)及(B)與、兩者之硬化劑成分與、薄膜賦予性聚合物成分(C)之合計為100質量份時，相對於此，較佳為10~400質量份，更佳為20~350質量份，又特佳為30~300質量份。無機填料成分(D)之含量為400質量份以內的情形，將在未暴露於活性能量線的環境下，於150℃下進行加熱處理10分鐘後的半導體用封裝材，在25℃下照射含有波長351nm之紫外線1J/cm2
時的發熱量α(J/g)容易成為1≦α(J/g)，故較佳。 [0093] 本發明之半導體用封裝材，也可含有著色劑成分(E)。藉由含有著色劑成分(E)，將配置有半導體用封裝材之半導體晶片組裝於機器時，可防止因周圍之裝置所產生之紅外線等所致之半導體裝置之誤作動。又，藉由雷射打印等之手段，在半導體用封裝材上進行刻印的情形時，變得容易認識文字、符號等之標記。亦即，形成有半導體用封裝材的半導體晶片中，在保護膜之表面，型號等通常藉由雷射打印法(以雷射光切削保護膜表面，進行印字的方法)印字，但是因半導體用封裝材含有著色劑，充分取得保護膜之被雷射光切削的部分與未被切削之部分的對比差，提高辨識性。 [0094] 作為著色劑成分(E)之有機或無機的顏料及染料，可1種單獨或組合2種以上使用，此等之中，由電磁波或紅外線遮蔽性的觀點，較佳為黑色顏料。黑色顏料可使用碳黑、苝黑、氧化鐵、二氧化錳、苯胺黑、活性碳等，但是不限定於此等。從半導體裝置之誤作動防止的觀點，特佳為碳黑。又，代替碳黑，混合紅、藍、綠、黃色等之顏料或染料，也可形成黑色或接近黑色的黑色系的顏色。 [0095] 紅色著色劑可列舉單偶氮系、雙偶氮系、偶氮色澱系、苯并咪唑酮系、苝系、二酮吡咯並吡咯系、縮合偶氮系、蒽醌系、喹吖啶酮系等，具體而言，可列舉以下者。Pigment Red 1，2，3，4，5，6，8，9，12，14，15，16，17，21，22，23，31，32，112，114，146，147，151，170，184，187，188，193，210，245，253，258，266，267，268，269等之單偶氮系紅色著色劑、Pigment Red37，38，41等之雙偶氮系紅色著色劑、Pigment Red48：1，48：2，48：3，48：4，49：1，49：2，50：1，52：1，52：2，53：1，53：2，57：1，58：4，63：1，63：2，64：1，68等之單偶氮色澱系紅色著色劑、Pigment Red171、Pigment Red175、Pigment Red176、Pigment Red185、Pigment Red208等之苯并咪唑酮系紅色著色劑、SolventRed135、SolventRed179、Pigment Red123、Pigment Red149、Pigment Red166、Pigment Red178、Pigment Red179、Pigment Red190、Pigment Red194、Pigment Red224等之苝系紅色著色劑、Pigment Red254、Pigment Red255、Pigment Red264、Pigment Red270、Pigment Red272等之二酮吡咯並吡咯系紅色著色劑、Pigment Red220、Pigment Red144、Pigment Red166、Pigment Red214、Pigment Red220、Pigment Red221、Pigment Red242等之縮合偶氮系紅色著色劑、Pigment Red168、Pigment Red177、Pigment Red216、SolventRed149、SolventRed150、SolventRed52、SolventRed207等之蒽醌系紅色著色劑、Pigment Red122、Pigment Red202、Pigment Red206、Pigment Red207、Pigment Red209等之喹吖啶酮系紅色著色劑。 [0096] 藍色著色劑有酞菁系、蒽醌系等，顏料系分類成顏料(Pigment)的化合物，具體而言，可列舉：Pigment Blue15、Pigment Blue15：1、Pigment Blue15：2、Pigment Blue15：3、Pigment Blue15：4、Pigment Blue15：6、Pigment Blue16、Pigment Blue60等。染料系可使用Solvent Blue35、Solvent Blue63、Solvent Blue68、Solvent Blue70、Solvent Blue83、Solvent Blue87、Solvent Blue94、Solvent Blue97、Solvent Blue122、Solvent Blue136、Solvent Blue67、Solvent Blue70等。又，此等以外，也可使用金屬取代或無取代之酞菁化合物。 [0097] 綠色著色劑同樣有酞菁系、蒽醌系、苝系等，具體而言，可使用Pigment Green7、Pigment Green36、Solvent Green3、Solvent Green5、Solvent Green20、Solvent Green28等。上述以外，也可使用金屬取代或無取代之酞菁化合物。 [0098] 黃色著色劑有單偶氮系、雙偶氮系、縮合偶氮系、苯并咪唑酮系、異吲哚啉酮系、蒽醌系等，具體而言，可列舉以下者。可使用Solvent Yellow163、Pigment Yellow24、Pigment Yellow108、Pigment Yellow193、Pigment Yellow147、Pigment Yellow199、Pigment Yellow202等之蒽醌系黃色著色劑、Pigment Yellow110、Pigment Yellow109、Pigment Yellow139、Pigment Yellow179、Pigment Yellow185等之異吲哚啉酮系黃色著色劑、Pigment Yellow93、Pigment Yellow94、Pigment Yellow95、Pigment Yellow128、Pigment Yellow155、Pigment Yellow166、Pigment Yellow180等之縮合偶氮系黃色著色劑、Pigment Yellow120、Pigment Yellow151、Pigment Yellow154、Pigment Yellow156、Pigment Yellow175、Pigment Yellow181等之苯并咪唑酮系黃色著色劑、Pigment Yellow1，2，3，4，5，6，9，10，12，61，62，62：1，65，73，74，75，97，100，104，105，111，116，167，168，169，182，183等之單偶氮系黃色著色劑、Pigment Yellow12，13，14，16，17，55，63，81，83，87，126，127，152，170，172，174，176，188，198等之雙偶氮系黃色著色劑等。 [0099] 又，為了調整色調之目的，也可添加紫、橙、茶色、黑等的著色劑。具體例示時，可列舉Pigment Violet19、23、29、32、36、38、42、Solvent Violet13、36、C.I.顏料橙1、C.I.顏料橙5、C.I.顏料橙13、C.I.顏料橙14、C.I.顏料橙16、C.I.顏料橙17、C.I.顏料橙24、C.I.顏料橙34、C.I.顏料橙36、C.I.顏料橙38、C.I.顏料橙40、C.I.顏料橙43、C.I.顏料橙46、C.I.顏料橙49、C.I.顏料橙51、C.I.顏料橙61、C.I.顏料橙63、C.I.顏料橙64、C.I.顏料橙71、C.I.顏料橙73、C.I.顏料棕23、C.I.顏料棕25、C.I.顏料黑1、C.I.顏料黑7等。 [0100] 又，FO-WLP之扇出區域形成貫通電極的情形時，必須將扇出區域與FO-WLP用翹曲矯正層同時進行雷射加工，故校準(alignment)用，翹曲矯正層也具有光透過性為佳。適宜考慮這種的情形，可選擇著色劑成分(E)。 [0101] 著色劑成分(E)之調配量，從對深部之光透過性優異，結果可得到更佳之翹曲矯正層的觀點，當半導體用封裝材之半導體用封裝材中所含有之硬化性成分(A)及(B)與、兩者之硬化劑成分與、薄膜賦予性聚合物成分(C)之合計為100質量份時，相對於此，較佳為0.1~35質量份，更佳為0.5~25質量份，又特佳為1~15質量份之範圍。 [0102] 本發明之半導體用封裝材，為了提高對半導體晶片之接著性、密著性之至少之一，也可含有具有與無機物反應之官能基及與有機官能基反應之官能基的偶合劑成分(F)。又，藉由含有偶合劑成分(F)，可在不損及半導體用封裝材之耐熱性，而提高其耐水性。這種偶合劑，可列舉鈦酸鹽系偶合劑、鋁酸鹽(aluminate)系偶合劑、矽烷偶合劑等。此等之中，較佳為矽烷偶合劑。 [0103] 矽烷偶合劑所含有之有機基，可列舉例如乙烯基、環氧基、苯乙烯基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、胺基、脲基、氯丙基、巰基、聚硫離子基、異氰酸酯基等。矽烷偶合劑可使用市售者，可列舉例如KA-1003、KBM-1003、KBE-1003、KBM-303、KBM-403、KBE-402、KBE-403、KBM-1403、KBM-502、KBM-503、KBE-502、KBE-503、KBM-5103、KBM-602、KBM-603、KBE-603、KBM-903、KBE-903、KBE-9103、KBM-9103、KBM-573、KBM-575、KBM-6123、KBE-585、KBM-703、KBM-802、KBM-803、KBE-846、KBE-9007(均為商品名；信越化學工業股份公司製)等。此等可1種單獨使用，也可併用2種以上。 [0104] 本發明之半導體用封裝材中，除上述成分外，必要時，可調配各種添加劑。各種添加劑例如平坦劑、可塑劑、氧化劑、抗氧化劑、離子捕捉劑、吸附(gettering)劑、鏈轉移劑、剝離劑、防錆劑、密著促進劑、紫外線吸收劑、熱聚合抑制劑、增黏劑、消泡劑等在電子材料領域中，也可含有習知慣用的添加劑。 [0105] 本發明之半導體用封裝材中，可含有機溶劑。有機溶劑係在分子中含有乙烯性不飽和基之聚醚化合物之合成、各成分之混合、及所得之半導體用封裝材塗佈於基板或支撐體薄膜時，可使用於調整黏度。 [0106] 有機溶劑可列舉酮類、芳香族烴類、乙二醇醚類、乙二醇醚乙酸酯類、酯類、醇類、脂肪族烴、石油系溶劑等。 [0107] 具體而言，可列舉甲基乙基酮、環己酮等之酮類、甲苯、二甲苯、四甲基苯等之芳香族烴類、溶纖劑、甲基溶纖劑、丁基溶纖劑、卡必醇、甲基卡必醇、丁基卡必醇、丙二醇單甲醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇二乙醚、三乙二醇單乙醚等之二醇醚類、乙酸乙酯、乙酸丁酯、二丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇乙醚乙酸酯、丙二醇丁醚乙酸酯等之酯類、乙醇、丙醇、乙二醇、丙二醇等之醇類、辛烷、癸烷等之脂肪族烴、石油醚、石油腦、氫化石油腦、溶劑石油腦等之石油系溶劑等。有機溶劑可1種單獨使用，也可組合2種以上使用。 [0108] 本發明之半導體用封裝材作為薄膜(或薄片狀)形狀的情形，其厚度無特別限定，較佳為3~500μm，更佳為5~450μm，又特佳為7~400μm。 [0109] 本發明之半導體用封裝材，包含含有作為熱硬化性成分(A)之環狀醚類化合物，作為活性能量線硬化性成分(B)之分子中具有1個以上之乙烯性不飽和基的化合物時，因具有初期密著性，故藉由在未硬化狀態下，緊壓於擬似晶圓或晶片等，可容易接著。又，緊壓時，對於半導體用封裝材，可施予加熱及加壓之任一手段。然後，經過不同的硬化反應，最終可形成密著性與翹曲矯正力高的硬化膜(翹曲矯正層)。使用本發明之半導體用封裝材形成的硬化膜(翹曲矯正層)，其接著強度也優異，即使在嚴苛高溫度高濕度條件下，也可保持充分的保護機能。又，使半導體用封裝材硬化所得的翹曲矯正層，可為單層構造，也可為多層構造。 [0110] 本發明之半導體用封裝材，可形成乾薄膜化來使用，也可直接液狀的狀態使用。以液狀使用時，可為1液性，也可為2液性以上。 [0111] 乾薄膜化時，以有機溶劑稀釋半導體用封裝材，調整成適當的黏度，使用缺角輪塗佈機、刮刀塗佈機、唇模塗佈機、桿塗佈機、擠壓塗佈機、逆輥塗佈機、轉移輥塗佈機、凹版塗佈機、噴霧塗佈機等，於支撐體薄膜上塗佈成均勻的厚度，通常以50~130℃之溫度乾燥1~30分鐘，可得到膜。 [0112] 塗佈膜厚無特別限制，從得到具有更佳翹曲矯正能力之半導體用封裝材的觀點，一般乾燥後之乾薄膜的膜厚為在5~150μm，較佳為在10~60μm之範圍適宜選擇。 [0113] 支撐體薄膜可適合使用防黏紙(separate paper)、防黏薄膜、台紙、剝離薄膜、剝離紙等之以往習知者。又，也可使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等之聚酯薄膜、延伸聚丙烯薄膜(OPP)等之聚烯烴薄膜、聚醯亞胺薄膜等之塑膠薄膜所成之脫模紙用基材之單面或兩面，形成脫模層者。脫模層只要是具有脫模性的材料時，即無特別限定，可列舉例如矽氧樹脂、有機樹脂改質矽氧樹脂、氟樹脂等。 [0114] 支撐體薄膜之厚度，無特別限制，一般在10~150μm之範圍內適宜選擇。 [0115] 在支撐體薄膜上，使半導體用封裝材成膜後，進一步，為了防止膜的表面附著塵埃等之目的，在膜的表面可層合可剝離的覆蓋薄膜。可剝離的覆蓋薄膜，例如可使用聚乙烯薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、經表面處理的紙等。考慮覆蓋薄膜之剝離，使膜與覆蓋薄膜之接著力，小於膜與支撐體薄膜之接著力。 [0116] 本發明之半導體用封裝材，例如以有機溶劑調整為適合塗佈方法的黏度，在基材上藉由浸漬塗佈法、淋塗法、輥塗法、塗佈棒法、網版印刷法、淋幕式塗佈法等的方法塗佈，藉由於約60~100℃的溫度下，使組成物中所含有之有機溶劑揮發乾燥(暫時乾燥)，可形成薄膜形狀。 [0117] 塗佈本發明之半導體用封裝材後進行的揮發乾燥係使用熱風循環式乾燥爐、IR爐、加熱板、對流烘箱等(使用具備有藉由蒸氣之空氣加熱方式的熱源者，使乾燥機內的熱風逆流接觸的方法及藉由噴嘴噴吹支撐體的方式)來進行。 [0118] 將半導體用封裝材作為薄膜狀的形態時，可為具備至少2層以上含有上述成分之層的層合薄膜的形態。作為層合薄膜的情形時，構成各層之半導體用封裝材的組成彼此不同為佳。特別是各層，藉由改變活性能量線硬化性成分(B)之種類或調配比、及/或活性能量線硬化性成分(B)之硬化劑成分的種類或調配量，以活性能量線之照射，可將表面與背面的硬化收縮量控制在更廣的範圍。例如預先得知使用以往半導體用封裝材時之擬似晶圓的翹曲方向或翹曲量的情形，配合翹曲方向或翹曲量，藉由調整層合薄膜之各層之活性能量線硬化性成分(B)的種類或調配比、或硬化劑成分之種類或調配量，可展現所期望的翹曲矯正力。 [0119] 半導體用封裝材形成如上述之層合薄膜的形態時，構成半導體用封裝材之至少1層，較佳為全部的層，將在未暴露於活性能量線的環境下，於150℃下進行加熱處理10分鐘後的半導體用封裝材，在25℃下照射含有波長351nm之紫外線1J/cm2
時的發熱量，較佳為1J/g以上。促進照射活性能量線之側之半導體用封裝材中所含有之活性能量線硬化性成分的硬化收縮，可使翹曲的狀態變化。 [0120] 如此，依據本發明之半導體用封裝材時，藉由熱使熱硬化性成分(A)某程度硬化，進行模塑成形(預備成形)後，藉由在擬似晶圓之一面或兩面照射活性能量線，可進行考慮了翹曲之方向或翹曲量之矯正。本發明之半導體用封裝材，特別是接觸半導體晶片之周圍或一部分區域，形成半導體用封裝材的區域，藉由使用於半導體用封裝材的區域也設置有與電極連接之再配線層之扇出型的晶圓級封裝，可實現無翹曲的晶圓級封裝。
[實施例] [0121] 以下藉由實施例說明本發明，但是本發明不限定於此等的實施例者。又，無特別聲明時，「份」、「%」表示質量份。又，半導體用封裝材之製作或其後之測量，無特別聲明時係在未暴露於活性能量線的環境下進行。 [0122] ＜樹脂溶液(Re1)之調製＞ 於具備溫度計、氮導入裝置兼環氧化物導入裝置及攪拌裝置之高壓鍋中，裝入酚醛清漆型可溶性酚醛樹脂(昭和電工股份公司製、Shonol CRG951、OH當量：119.4)119.4份、氫氧化鉀1.19份及甲苯119.4份，攪拌同時使體系內進行氮氣取代，接著加熱昇溫。其次，徐徐滴加環氧丙烷63.8g，在125~132℃、0~4.8kg/cm
2
下使反應16小時。然後，冷卻至室溫，於此反應溶液中添加混合89%磷酸1.56份，中和氫氧化鉀，得到不揮發分62.1%、羥基價為182.2g/eq之酚醛清漆型可溶性酚醛(resole)樹脂的環氧丙烷反應溶液。此為酚性羥基每1當量加成平均1.08莫耳的環氧化物者。 [0123] 將所得之酚醛清漆型可溶性酚醛樹脂的環氧化物反應溶液293.0份、丙烯酸43.2份、甲烷磺酸11.53份、甲基氫醌0.18份及甲苯252.9份，裝入至具備有攪拌機、溫度計及空氣吹入管的反應器中，以10ml/分鐘的速度吹入空氣，一邊攪拌一邊以110℃使反應12小時。經由反應所生成的水係與甲苯之共沸混合物的方式，蒸餾出12.6份的水。然後，冷卻至室溫，將所得之反應溶液使用15%氫氧化鈉水溶液35.35份中和，接著進行水洗。然後，使用蒸發器將甲苯以二乙二醇單乙醚乙酸酯(卡必醇乙酸酯)118.1份取代同時蒸餾除去，得到酚醛清漆型丙烯酸酯樹脂溶液。 [0124] 接著，將所得之酚醛清漆型丙烯酸酯樹脂溶液332.5份及三苯基膦1.22份，裝入至具備有攪拌器、溫度計及空氣吹入管的反應器中，將空氣以10ml/分鐘的速度吹入，一邊攪拌一邊慢慢地添加四氫鄰苯二甲酸酐60.8份，以95~101℃使反應6小時，冷卻後，得到固形物的酸價88mgKOH/g、固體成分70.9%之含丙烯醯基聚醚化合物溶液：樹脂溶液(Re1)。 [0125] ＜半導體用封裝材1之製作＞ 使以下成分於甲基乙基酮中溶解･分散，調製固體成分質量濃度20%之封裝材料用組成溶液1a。
[0126] 將保護膜形成封裝材料用組成溶液1a塗佈於在表面施予剝離處理的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(PET薄膜)，以100℃使乾燥10分鐘，製作厚度50μm之半導體用封裝材1a。 [0127] 接著，使以下成分於甲基乙基酮中溶解･分散，調製固體成分質量濃度20%的封裝材料用組成溶液1b。
[0128] 將保護膜形成封裝材料用組成溶液1b塗佈於在表面施予剝離處理的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(PET薄膜)，以100℃使乾燥10分鐘，製作厚度50μm之半導體用封裝材1b。 [0129] 使用輥層合機(Roll laminator)黏貼2張半導體用封裝材薄片1a，將施予剝離處理之PET薄膜之單側1張剝離，在於剝離的面黏貼半導體用封裝材薄片1a，製作層合了3張半導體用封裝材薄片1a的薄片。又，使用半導體用封裝材薄片1b，進行同樣的步驟，製作層合了3張半導體用封裝材薄片1b的薄片。 [0130] 其次，由層合了3張半導體用封裝材薄片1a的薄片，將施予了剝離處理之PET薄膜的單側1張剝離，也由層合了3張半導體用封裝材薄片1b的薄片，將施予了剝離處理之PET薄膜的單側1張剝離，貼合半導體用封裝材薄片1a與半導體用封裝材薄片1b，製作3張半導體用封裝材薄片1a與3張半導體用封裝材薄片1b依序層合之合計厚度300μm的半導體用封裝材1。 [0131] ＜半導體用封裝材2之製作＞ 調配以下的成分，使用輥捏合機於70℃下加熱4分鐘，接著於100℃下加熱6分鐘，合計10分鐘，邊減壓(0.01kg/cm
2
)邊進行熔融混練製作混練物2。
[0132] 將製得之混練物2以2片50μm之覆蓋薄膜(帝人purex薄膜)挾住來配置，藉由平板壓製法使混練物形成薄片狀，得到厚度300μm之薄片狀的半導體用封裝材2。 [0133] ＜半導體用封裝材3之製作＞ 調配以下的成分，使用輥捏合機於70℃下加熱4分鐘，接著於100℃下加熱6分鐘，合計10分鐘，邊減壓(0.01kg/cm
2
)邊進行熔融混練製作混練物3。
[0134] 將製得之混練物3以2片50μm之PET薄膜(帝人purex薄膜)挾住來配置，藉由平板壓製法使混練物形成薄片狀，得到厚度300μm之薄片狀的半導體用封裝材3。 [0135] ＜半導體用封裝材4之製作＞ 調配以下的成分，使用輥捏合機於70℃下加熱4分鐘，接著於100℃下加熱6分鐘，合計10分鐘，邊減壓(0.01kg/cm
2
)邊進行熔融混練製作混練物4。
[0136] 將製得之混練物4以2片50μm之覆蓋薄膜(帝人purex薄膜)挾住來配置，藉由平板壓製法使混練物形成薄片狀，得到厚度300μm之薄片狀的半導體用封裝材4。 [0137] ＜半導體用封裝材5之製作＞ 調配以下的成分，使用輥捏合機於70℃下加熱4分鐘，接著於100℃下加熱6分鐘，合計10分鐘，邊減壓(0.01kg/cm
2
)邊進行熔融混練製作混練物5。
[0138] 將製得之混練物5以2片50μm之覆蓋薄膜(帝人purex薄膜)挾住來配置，藉由平板壓製法使混練物形成薄片狀，得到厚度300μm之薄片狀的半導體用封裝材5。 [0139] ＜半導體用封裝材6之製作＞ 除了未使用丙烯酸酯與光自由基聚合起始劑外，與半導體用封裝材1同樣操作，製作厚度300μm的半導體用封裝材6。 [0140] ＜半導體用封裝材7之製作＞ 除了未使用丙烯酸酯與光自由基聚合起始劑外，與半導體用封裝材2同樣操作，製作厚度300μm的半導體用封裝材7。 [0141] ＜半導體用封裝材8之製作＞ 除了未使用丙烯酸酯與光自由基聚合起始劑外，與半導體用封裝材3同樣操作，製作厚度300μm的半導體用封裝材8。 [0142] ＜半導體用封裝材9之製作＞ 除了未使用丙烯酸酯與光自由基聚合起始劑外，與半導體用封裝材4同樣操作，製作厚度300μm的半導體用封裝材9。 [0143] ＜半導體用封裝材10之製作＞ 除了未使用丙烯酸酯與光自由基聚合起始劑外，與半導體用封裝材5同樣操作，製作厚度300μm的半導體用封裝材10。 [0144] ＜半導體用封裝材之加熱時的反應熱量測量＞ 關於如上述製得之半導體用封裝材1~10，為了測量在未暴露於活性能量線的環境下之加熱時的反應熱量，而進行DSC測量。使用DSC測量裝置(TA INSTRUMENT公司製 DSC Q100)，並於氮氣環境下使用鋁樣品盤測量反應熱量。 [0145] ＜半導體用封裝材之加熱時之反應熱確認＞ 將半導體用封裝材1~10置入DSC裝置中，測量以10℃/分鐘，由25℃至230℃昇溫時的反應熱量β。結果確認任一的半導體用封裝材，均產生1J/g以上的反應熱量。 [0146] ＜半導體用封裝材之加熱後藉由再加熱之反應熱確認＞ 又，將半導體用封裝材1~10置入DSC裝置中，以10℃/分鐘，由25℃至150℃昇溫，於150℃下保持10分鐘，接著以10℃/分鐘降溫，回復至25℃，再以10℃/分鐘由25℃至230℃昇溫，測量此時之反應熱量γ。結果確認任一的半導體用封裝材，均產生1J/g以上的反應熱量。 [0147] ＜半導體用封裝材之翹曲之變化之測量＞ 半導體用封裝材係成形為50mm×50mm四方、厚度300μm的薄片狀，製作進一步其兩面分別以1mm厚度的SUS板挾住的層合物。將此層合物載置於加熱板上，以10℃/分鐘昇溫，再以150℃加熱10分鐘，使熱硬化性成分反應。除去SUS板與PET薄膜，將製得之50mm×50mm四方、厚度300μm之熱硬化後的薄片狀封裝材載置於平板上，確認無角之翻轉(retroflexion)。 [0148] 對於熱硬化後之薄片狀封裝材的單面，於25℃的環境下使用高壓水銀燈，照射1J/cm
2
之活性能量線，觀察薄片狀封裝材有無翹曲變形。此時，半導體用封裝材1與6，對於半導體用封裝材薄片1a面與半導體用封裝材薄片6a面照射活性能量線。經照射活性能量線的面產生收縮，變形成凹狀的情形，以金屬尺測量四邊的翹曲。4處翹曲之值之合計為4mm以上的情形時，判定為合格(Good)，8mm以上的情形時，判定為合格(Very good)，未達4mm的情形時，判定為不合格(Bad)。結果如表1、2所示。 [0149] ＜半導體用封裝材之活性光線照射時之反應熱量α之測量＞ 如上述，以150℃加熱10分鐘，使熱硬化性成分反應，準備熱硬化後的薄片狀半導體用封裝材，以Photo-DSC測量活性能量線照射時之反應熱量α(J/g)。Photo-DSC係使用以下條件測量。 ･Photo-DSC裝置：使用TA INSTRUMENT公司製 DSC Q100與光源裝置Qseries PCA之組合，於25℃、氮氣環境下使用鋁樣品盤測量 ･光源：高壓水銀燈(無波長濾光片) ･照度：3.7W/cm
2
使用雙光導管(Dual Light Guides)，通過將由此照度衰減至1%的濾光片，對樣品進行光照射 ･積算光量計：使用ORC公司 UV-351，確認波長351nm之積算光量成為1J/cm
2
的照射時間，設定Photo-DSC之照射時間。 活性能量線照射時之反應熱(J/g)的結果如表1及2所示。 [0150]
[0151]
[0152] 如表1所示，對於150℃下加熱10分鐘之熱硬化後的薄片狀封裝材，照射活性能量線時，顯示活性能量線照射時之反應熱量α(J/g)為1J/g以上的實施例1~5係因薄片狀封裝材的單面照射活性能量線，可確認均為4mm以上的翹曲變化。而如表2所示，對於150℃下加熱10分鐘之熱硬化後的薄片狀封裝材，照射活性能量線時，顯示活性能量線照射時之反應熱量α(J/g)為未達1J/g的比較例1~5係因即使薄片狀封裝材的單面照射活性能量線，也無法可確認4mm以上的翹曲變化。