JP5769674B2 - 電子部品封止用樹脂シート、樹脂封止型半導体装置、及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品封止用樹脂シート、樹脂封止型半導体装置、及び樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。

従来、半導体装置の製造においては、リードフレームや回路基板などの各種基板に半導体チップを搭載した後、半導体チップなどの電子部品を覆うように樹脂封止が行なわれる。このようにして製造される樹脂封止型半導体装置において、封止樹脂と半導体チップや各種基板との収縮量の差から応力が発生し、この応力によりパッケージに反りが発生するという問題がある。

例えば、特許文献１には、特定量の無機質充填剤を含有する接着剤層を備えるフィルム状接着剤が記載されている。特許文献２には、特定量のシリカを含有するフィルム状接着剤用組成物が記載されている。特許文献３には、剥離シート上に予備混合された樹脂成分と予備混合された充填剤成分を別々に供給し、更にこれらの成分の上に剥離シートを被覆して得られたシート状接着材料が記載されている。しかしながら、シート状の接着材料に関しては、低線膨張率化によって反り量を抑制することは充分に検討されていない。

特開平１０−２２６７６９号公報 特開２００１−４９２２０号公報 特開２００４−３４６１８６号公報

本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、反り量を抑制できる電子部品封止用樹脂シート、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置、及びその製造方法を提供することにある。

本願発明者は、上記従来の問題点を解決すべく検討した結果、ニッケルを４２重量％含有する鉄ニッケル合金板（４２アロイ）の線膨張率がシリコンウェハ、シリコンチップに近いことに着目した。そして、該鉄ニッケル合金板上で樹脂シートを硬化させた後の反り量を特定値以下とすることで、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置が得られることを見い出し、本発明を完成させた。

すなわち、本発明は、ニッケルを４２重量％含有する１辺９０ｍｍの正方形状、かつ厚さ０．１５ｍｍの鉄ニッケル合金板に、厚さが０．２ｍｍになるよう加熱プレスし、１５０℃で硬化させた後の反り量が５ｍｍ以下である電子部品封止用樹脂シートに関する。

本発明の電子部品封止用樹脂シートは、特定の鉄ニッケル合金板上で硬化させた後の反り量が５ｍｍ以下であり、反り量が小さい。このため、シリコンウェハ、シリコンチップを封止した場合も反り量が小さく、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置が得られる。

シリカの含有量が、電子部品封止用樹脂シート全体に対して、８５〜９３重量％であることが好ましい。これにより、線膨張率を低減でき、硬化後の反り量を良好に抑制できる。

前記電子部品封止用樹脂シートは、混練押出により製造されることが好ましい。

塗工により製造したシリカ高充填の樹脂シートは、樹脂シート表面にフィラー偏析が起こり、濡れが悪く、積層不良が発生してしまう。前記構成によれば、また、シリカを良好に分散でき、良好に積層できる電子部品封止用樹脂シートが得られる。

また、シリカ高充填の樹脂は、高粘度になり易く、粘性コントロールが難しいため、塗工によりシート状に成形することが難しい。前記構成によれば、混練押出により製造するため、シート状に容易に成形でき、ボイド（気泡）などの無い均一なシートとすることができる。また、塗工により製造する場合、使用できるシリカの粒子径が制限されてしまうという傾向があるが、前記構成によれば粒子径に制限なくシリカを使用できる。

前記電子部品封止用樹脂シートは、１辺９０ｍｍの正方形状、かつ厚さ０．３ｍｍのガラス布基材エポキシ樹脂に、厚さが０．２ｍｍになるよう加熱プレスし、１５０℃で硬化させた後の反り量が４ｍｍ以下であることが好ましい。

前記構成によれば、特定のガラス布基材エポキシ樹脂上で硬化させた後の反り量が４ｍｍ以下であり、反り量が小さい。このため、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置が得られる。

硬化後の線膨張率が、硬化後のガラス転移温度未満において１０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。これにより、反り量を良好に抑制できる。

硬化後の線膨張率が、硬化後のガラス転移温度以上において５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。これにより、反り量を良好に抑制できる。

硬化後のガラス転移温度が１００℃以上であることが好ましい。これにより、広い温度領域（特に１００℃まで）で、硬化後の反り量を抑制できる。

１５０℃で１時間硬化させた後の引張弾性率が、常温において２ＧＰａ以上であることが好ましい。これにより、耐傷性に優れた信頼性の高い樹脂封止型半導体装置が得られる。
また、厚さが０．１〜０．７ｍｍであることが好ましい。

本発明はまた、前記電子部品封止用樹脂シートを用いて得られる樹脂封止型半導体装置に関する。

本発明はまた、前記電子部品封止用樹脂シートを用いて封止する工程を含む樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。

反り量の測定に使用される樹脂シートを示す図である。 反り量の測定に使用される試験板を示す図である。 試験片を示す図である。

本発明の樹脂シートは、ニッケルを４２重量％含有する１辺９０ｍｍの正方形状、かつ厚さ０．１５ｍｍの鉄ニッケル合金板に、厚さが０．２ｍｍになるよう加熱プレスし、１５０℃で硬化させた後の反り量が５ｍｍ以下である。

本発明の樹脂シートはエポキシ樹脂、及びフェノール樹脂を含むことが好ましい。これにより、良好な熱硬化性が得られる。

エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。

エポキシ樹脂の硬化後の靭性及びエポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましく、なかでも、信頼性の観点から、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂が好ましい。

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。

フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。

エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、樹脂成分全体に対して５０〜８５重量％であることが好ましい。該合計含有量は、７０重量％以上がより好ましい。５０重量％以上であると、半導体チップ、リードフレーム、ガラス布基材エポキシ樹脂などに対する接着力が良好に得られる。

本発明の樹脂シートは、熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。熱可塑性樹脂を含む場合、良好な柔軟性、可撓性が得られる。

熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂などが挙げられる。また、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体なども挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、耐湿性という観点から、スチレン-イソブチレン-スチレンブロック共重合体が好ましい。

樹脂成分全体に対する熱可塑性樹脂の含有量は３０重量％以下であることが好ましい。樹脂成分全体に対する熱可塑性樹脂の含有量が、３０重量％以下であると、半導体チップ、リードフレーム、ガラス布基材エポキシ樹脂などに対する接着力が良好に得られる。該含有量の下限は特に限定されないが、例えば１５重量％以上である。

本発明の樹脂シートは、硬化物の線膨張率を低減できるという点から、シリカ（シリカ粉末）を用いることが好ましく、シリカ粉末のなかでも溶融シリカ粉末を用いることがより好ましい。溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末が挙げられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を用いることが特に好ましい。なかでも、一般的な部品高さと成型厚みから、平均粒径が１０〜３０μｍの範囲のものを用いることが好ましく、１５〜２５μｍの範囲のものを用いることが特に好ましい。
なお、平均粒径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。

シリカの含有量は、樹脂シート全体に対して、８５〜９３重量％であることが好ましく、８６〜９２重量％であることがより好ましく、８７〜９０重量％であることがさらに好ましい。シリカの含有量が８５重量％以上であると、線膨張が低く信頼性の優れた樹脂組成物が得られる。一方、シリカの含有量が９３重量％以下であると、流動性に優れた樹脂組成物が得られる。

本発明の樹脂シートは、硬化促進剤を含むことが好ましい。硬化促進剤は、硬化を進行させるものであれば特に限定されるものではないが、硬化性と保存性の観点から、トリフェニルホスフィンやテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどの有機リン系化合物や、イミダゾール系化合物が好適に用いられる。

硬化促進剤の含有量は、樹脂成分１００重量部に対して０．１〜５重量部であることが好ましい。

（その他の成分）
本発明の樹脂シートは、難燃剤成分を含むことが好ましい。これにより、部品ショートや発熱等により発火した際の、燃焼拡大を低減できる。難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物を用いることができる。比較的少ない添加量で難燃性を発揮できる点や、コスト的な観点から水酸化アルミニウム又は水酸化マグネシウムを用いることが好ましく、水酸化アルミニウムを用いることが特に好ましい。

なお、本発明の樹脂シートは、上記の各成分以外に必要に応じて、カーボンブラックをはじめとする顔料、シランカップリング剤など、他の添加剤を適宜配合することができる。

本発明の樹脂シートは、一般的な方法で製造できるが、混練押出により製造することが好ましい。これにより、シリカを良好に分散でき、良好に積層できる樹脂シートが得られる。また、シート状に容易に成形でき、ボイド（気泡）などの無い均一なシートとすることができる。また、粒子径に制限なくシリカを使用できる。

混練押出により製造する方法としては、例えば、上述の各成分をミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物を押し出してシート状に成形する方法などが挙げられる。混練条件として、温度は、上述の各成分の軟化点以上であることが好ましく、例えば３０〜１５０℃、エポキシ樹脂の熱硬化性を考慮すると、好ましくは４０〜１４０℃、さらに好ましくは６０〜１２０℃である。時間は、例えば１〜３０分間、好ましくは５〜１５分間である。これによって、混練物を調製することができる。

得られる混練物を押出成形により成形することにより、樹脂シートを得ることができる。具体的には、溶融混練後の混練物を冷却することなく高温状態のままで、押出成形することで、樹脂シートを成形することができる。このような押出方法としては、特に制限されず、Ｔダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。押出温度としては、上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。以上により、樹脂シートを成形することができる。

本発明の樹脂シートは、ニッケルを４２重量％含有する１辺９０ｍｍの正方形状、かつ厚さ０．１５ｍｍの鉄ニッケル合金板に、厚さが０．２ｍｍになるよう加熱プレスし、１５０℃で硬化させた後の反り量が５ｍｍ以下であり、反り量が小さい。このため、半導体チップの線膨張量に樹脂が近く、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置が得られる。該反り量は好ましくは４ｍｍ以下である。
本発明において、該反り量は、実施例に記載の方法で測定される。
なお、加熱プレスにより厚さ０．２ｍｍに調整する方法について、樹脂シートの厚さが０．２ｍｍ未満の場合には、複数の樹脂シートを積層して、厚さ０．２ｍｍ以上の積層体を作製し、該積層体を加熱プレスすることにより、厚さが０．２ｍｍになるように調整すればよい。

本発明の樹脂シートは、１辺９０ｍｍの正方形状、かつ厚さ０．３ｍｍのガラス布基材エポキシ樹脂に、厚さが０．２ｍｍになるよう加熱プレスし、１５０℃で硬化させた後の反り量が４ｍｍ以下であることが好ましい。ガラス布基材エポキシ樹脂上で硬化させた後の反り量が前記範囲内であると、より信頼性の高い樹脂封止型半導体装置が得られる。
本発明において、該反り量は、実施例に記載の方法で測定できる。
なお、加熱プレスにより厚さ０．２ｍｍに調整する方法について、樹脂シートの厚さが０．２ｍｍ未満の場合には、複数の樹脂シートを積層して、厚さ０．２ｍｍ以上の積層体を作製し、該積層体を加熱プレスすることにより、厚さが０．２ｍｍになるように調整すればよい。

本発明の樹脂シートは、硬化後のガラス転移温度が好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上である。これにより、広い温度領域で、硬化後の反り量を抑制できる。
なお、ガラス転移温度は、実施例に記載の方法で測定できる。

本発明の樹脂シートは、硬化後の線膨張率が、硬化後のガラス転移温度未満において１０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。１０ｐｐｍ／Ｋ以下であると、線膨張率が小さく、反り量を良好に抑制できる。

本発明の樹脂シートは、硬化後の線膨張率が、硬化後のガラス転移温度以上において５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。５０ｐｐｍ／Ｋ以下であると、線膨張率が小さく、反り量を良好に抑制できる。

なお、線膨張率は、実施例に記載の方法で測定できる。

本発明の樹脂シートは、１５０℃で１時間硬化させた後の引張弾性率が、常温において２ＧＰａ以上であることが好ましい。２ＧＰａ以上であると、耐傷性にすぐれた信頼性の高い樹脂封止型半導体装置が得られる。
なお、本明細書において、常温とは２５℃である。引張弾性率は、実施例に記載の方法で測定できる。

本発明の樹脂シートの厚さは特に限定されないが、０．１〜０．７ｍｍであることが好ましい。樹脂シートの厚さは、０．２ｍｍ以上がより好ましい。また、樹脂シートの厚さは、０．５ｍｍ以下がより好ましい。上記範囲内であると、良好に電子部品を封止することができる。また、樹脂シートを薄型にすることで、発熱量を低減でき、硬化収縮が起こりにくくなる。この結果、パッケージ反り量を低減でき、より信頼性の高い樹脂封止型半導体装置が得られる。

このようにして得られた樹脂シートは、単層構造にて使用してもよいし、２層以上の多層構造に積層してなる積層体として使用してもよい。

本発明の樹脂シートは、半導体ウェハ、半導体チップ、コンデンサ、抵抗などの電子部品の封止に使用される。なかでも、半導体ウェハ、半導体チップの封止に好適に使用でき、シリコンウェハ、シリコンチップの封止により好適に使用できる。

封止方法としては特に限定されず、従来公知の方法で封止できる。例えば、基板上の電子部品を覆うように未硬化の樹脂シートを載置し、樹脂シートを熱硬化して封止する方法が挙げられる。基板としては、ガラス布基材エポキシ樹脂などが挙げられる。

このような方法により得られた樹脂封止型半導体装置は、電子部品が実装された基板に対して封止し樹脂シートを硬化させた後の反り量が小さく、信頼性が高い。

以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。また、各例中、部は特記がない限りいずれも重量基準である。

実施例で使用した成分について説明する。
エポキシ樹脂：新日鐵化学社製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）
フェノール樹脂：明和化成社製のＭＥＨ７８５１ＳＳ（フェノールビフェニレン）
エラストマー（熱可塑性樹脂）：カネカ社製のＳＩＢＳＴＥＲ ０７２Ｔ（ポリスチレン・ポリイソブチレン系樹脂）
球状溶融シリカ：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、５４μｍカット、平均粒子径２０μｍ）
シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０
難燃剤（有機系）：伏見製薬所製のＦＰ−１００（ホスホニトリル酸フェニルエステル）
触媒：四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（イミダゾール系触媒）

実施例で使用した試験板について説明する。
４２アロイ：日立金属社製の４２アロイ ＹＥＦ４２（ニッケルを４２重量％含有する１辺９０ｍｍの正方形状、かつ厚さ０．１５ｍｍの鉄ニッケル合金板）（硬さ２１０Ｈｖ、引張強さ６４０Ｎ／ｍｍ^２、３０〜２００℃における平均線膨張率４．３×１０^−６／℃）
ＦＲ−４：パナソニック電工社製のガラスエポキシマルチ（ＦＲ−４）Ｒ−１７６６（１辺９０ｍｍの正方形状、かつ厚さ０．３ｍｍのガラス布基材エポキシ樹脂）

＜樹脂シートの作製＞
表１に記載の配合比に従い、各成分を２軸混練り機により、６０〜１２０℃で１０分間混練し、混練物を調製した。次に、上記混練物を押出成形し、樹脂シートを得た。

得られた樹脂シート用いて下記の評価を行った。結果を表１に示す。

＜反り量の測定＞
図１〜３を用いて、反り量の測定方法について説明する。
図１は、反り量の測定に使用される樹脂シート１を示す図である。
図２は、反り量の測定に使用される試験板２を示す図である。
図３は、試験片３を示す図である。
（試験片３の作製）
まず、試験板２（４２アロイ又はＦＲ−４）に、１辺９０ｍｍの正方形状、かつ厚さ０．２５ｍｍの樹脂シート１の厚さが０．２ｍｍになるよう加熱プレスした。
加熱プレスは、瞬時真空積層装置（平行平板プレス）[ミカドテクノス社製、ＶＳ００８−１５１５]を用い、樹脂粘度が５０００Ｐａ・ｓ以下となる温度領域（９０℃）で２０Ｔｏｒｒの減圧雰囲気下で行った。
加熱プレス後、試験板２よりはみ出した樹脂をカッターで取り除き、１５０℃の熱風循環乾燥機（ＥＳＰＥＣ社製のＳＴＨ−１２０）で樹脂シート１を１時間硬化させた。硬化後、室温（２５℃）で１時間冷まし、試験片３を得た。
（反り量の測定）
図３に示すように、水平な机上へ置き、試験片３の角に対して机上より垂直な距離（試験片は４つ角が浮いている状態）を、定規で測定した。試験片３が有する４か所の角部１０について距離２０を測定し、その平均を求めた。求めた距離２０の平均を、反り量とした。
なお、樹脂粘度は、ティーエイインスツルメント社製の粘弾性測定装置ＡＲＥＳ（測定条件：測定温度範囲４０℃〜１７５℃、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚ）で測定した。

＜線膨張率、ガラス転移温度の測定＞
幅４．９ｍｍ、長さ２５ｍｍ、厚さ０．２ｍｍの樹脂シートを１５０℃で１時間硬化させた。硬化後の樹脂シートをＴＭＡ８３１０（リガク社製）にセットし、引張荷重４．９ｍＮ、昇温速度１０℃／ｍｉｎで線膨張率、ガラス転移温度を測定した。

＜引張弾性率の測定＞
幅１０ｍｍ、長さ３０ｍｍ、厚さ０．４ｍｍの樹脂シートを１５０℃で１時間硬化させた。硬化後の樹脂シートをＲＳＡ−２（ティーエイインスツルメント社製）にセットし周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎで引張弾性率を測定した。

表１に示すとおり、実施例１〜３では、４２アロイを用いた試験片の反り量の平均が５ｍｍ以下の樹脂シートが得られた。

実施例１〜３は、当初の厚さ０．２５ｍｍの樹脂シート１を用いた。なお、当初の厚さ１ｍｍの樹脂シートを用いた場合でも、４２アロイを用いた試験片の反り量の平均、及びＦＲ−４を用いた試験片の反り量の平均が、当初の厚さ０．２５ｍｍの樹脂シート１を用いた場合と同じ結果になることを確認した。この結果より、当初の厚さ０．２ｍｍ以上の樹脂シートを用いる限り、当初の厚さに関わらず、４２アロイを用いた試験片の反り量の平均、及びＦＲ−４を用いた試験片の反り量の平均は同じ結果となることが明らかとなった。

１ 樹脂シート
２ 試験板
３ 試験片
１０ 角部
２０ 角部１０と机の上面３０との距離
３０ 机の上面

Claims (10)

1. ニッケルを４２重量％含有する１辺９０ｍｍの正方形状、かつ厚さ０．１５ｍｍの鉄ニッケル合金板に、厚さが０．２ｍｍになるよう加熱プレスし、１５０℃で硬化させた後の反り量が５ｍｍ以下である電子部品封止用樹脂シートであって、
   シリカの含有量が、前記電子部品封止用樹脂シート全体に対して、８５〜９３重量％であり、
   硬化後の線膨張率が、硬化後のガラス転移温度未満において１０ｐｐｍ／Ｋ以下であり、
   １５０℃で１時間硬化させた後の引張弾性率が、常温において２〜４ＧＰａである電子部品封止用樹脂シート。
2. エポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含む請求項１に記載の電子部品封止用樹脂シート。
3. 混練押出により製造される請求項１又は２に記載の電子部品封止用樹脂シート。
4. １辺９０ｍｍの正方形状、かつ厚さ０．３ｍｍのガラス布基材エポキシ樹脂に、厚さが０．２ｍｍになるよう加熱プレスし、１５０℃で硬化させた後の反り量が４ｍｍ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品封止用樹脂シート。
5. ポリアルファオレフィンの架橋体を含まない請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品封止用樹脂シート。
6. 硬化後の線膨張率が、硬化後のガラス転移温度以上において５０ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品封止用樹脂シート。
7. 硬化後のガラス転移温度が１００℃以上である請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品封止用樹脂シート。
8. 厚さが０．１〜０．７ｍｍである請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子部品封止用樹脂シート。
9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の樹脂シートを用いて得られる樹脂封止型半導体装置。
10. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の樹脂シートを用いて封止する工程を含む樹脂封止型半導体装置の製造方法。

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