TW201818156A - 阻劑組成物及阻劑圖型形成方法 - Google Patents

阻劑組成物及阻劑圖型形成方法 Download PDF

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Abstract

本發明的阻劑組成物，其係含有經由酸之作用而對於顯影液之溶解性產生變化的基材成分（A）、與對於鹼顯影液展現出分解性的氟添加劑成分（F），前述基材成分（A）係包含具有下述一般式（a10-1）所表示的構成單位（a10）10莫耳%以上、與含經由酸之作用而增大極性的酸分解性基的構成單位（a1）30莫耳%以上的樹脂成分（A1），前述氟添加劑成分（F）係包含具有含鹼解離性基的構成單位（f1）的氟樹脂成分（F1）（式中，R係氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Yax1係單鍵或2價的連結基，Wax1係（nax1+1）價的芳香族烴基，nax1係1~3的整數）。

Description

阻劑組成物及阻劑圖型形成方法
[0001] 本發明係關於阻劑組成物及阻劑圖型形成方法。 　　本申請案係基於2016年8月3日於日本所提出申請之特願2016-152997號來主張優先權，其内容係援用於此。
[0002] 微影技術中係可進行例如於基板之上形成由阻劑材料所成的阻劑膜，對該阻劑膜進行選擇性的曝光，並藉由施予顯影處理從而於前述阻劑膜上形成指定形狀的阻劑圖型之步驟。阻劑膜的曝光部分變化為可溶解於顯影液之特性的阻劑材料稱為正型，阻劑膜的曝光部分變化為不溶解於顯影液之特性的阻劑材料稱為負型。 　　近年來，於半導體元件或液晶顯示元件之製造中，隨著微影技術之進歩而急遽地邁向圖型之微細化。作為微細化之方法，一般為以曝光光源的短波長化（高能量化）來進行。具體而言，以往係使用g線、i線所代表的紫外線，但現今則使用KrF準分子雷射、或ArF準分子雷射來進行半導體元件之量產。又，亦對於比該等的準分子雷射為更短波長（高能量）的EUV（極紫外線）、或EB（電子線）、X線等來進行研究。 　　[0003] 進而，現今於EUV微影或EB微影中，作為阻劑材料，由於對於EUV或EB的感度、可形成設為目標之微細的阻劑圖型之解析性等的微影特性為優異，故一般為使用至今以作為KrF準分子雷射用、ArF準分子雷射用等所提案的化學增幅型阻劑。特別是作為基底樹脂以含有丙烯酸系樹脂之化學增幅型阻劑，則認為該等的微影特性為優異。 　　阻劑材料中，特別是於EUV曝光時的酸擴散控制將成為課題。為了控制酸擴散，一般為變更酸產生劑的陰離子構造，已有使用以酸的擴散長度為具有短擴散的陰離子構造之酸產生劑。 　　進而，為了控制酸的擴散，已採用各種變更高分子化合物的設計之方法。 　　例如專利文獻1~4中記載著，採用具有特定的酸解離性官能基之高分子化合物，使對於酸之反應性提升，而有助對於顯影液之溶解性之提升之阻劑組成物等。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］ 　　[0004] 　　［專利文獻1］國際公開第2013/042694號 　　［專利文獻2］日本國特開2009-114381號公報 　　［專利文獻3］日本國特開2012-220800號公報 　　［專利文獻4］國際公開第2010/095698號
［發明所欲解決之課題］ 　　[0005] 由於微影技術之更加進歩，越加朝向阻劑圖型之微細化的過程中，藉由例如電子線或EUV之微影係以將數十nm的微細的圖型形成作為目標。 　　伴隨著圖型之微細化之進展，對於阻劑材料亦要求著在提升各種的微影特性之同時，亦能抑制缺陷（表面缺陷）之產生。 　　於此，所謂的「缺陷」，係指例如藉由KLA tencor公司製的表面缺陷觀察裝置（商品名「KLA」），從正上方觀察顯影後的阻劑圖型時所檢測的缺陷之全部。所謂的該缺陷，係指例如顯影後的殘渣（阻劑殘渣）、泡、灰塵等的對阻劑圖型表面之異物或析出物之附著而致使的缺陷、或關於線圖型間的橋接、接觸孔圖型的孔洞的埋孔等的圖型形狀之缺陷、圖型的色不均勻等。 　　[0006] 本發明係有鑑於上述情事之發明，本發明的課題在於提供一種可實現微影特性之提升之同時，亦可降低缺陷產生的阻劑組成物。 ［解決課題之手段］ 　　[0007] 本發明的第一樣態係一種阻劑組成物，其係經曝光而產生酸、並經由酸之作用而對於顯影液之溶解性產生變化的阻劑組成物，其特徵在於，含有經由酸之作用而對於顯影液之溶解性產生變化的基材成分（A）、與對於鹼顯影液展現出分解性的氟添加劑成分（F），前述基材成分（A）係包含具有下述一般式（a10-1）所表示的構成單位（a10）10莫耳%以上、與含經由酸之作用而增大極性的酸分解性基的構成單位（a1）30莫耳%以上的樹脂成分（A1），前述氟添加劑成分（F）係包含具有含鹼解離性基的構成單位（f1）的氟樹脂成分（F1）。 　　[0008]［式中，R係氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Yax1 係單鍵或2價的連結基，Wax1 係可具有取代基之（nax1 +1）價的芳香族烴基，nax1 係1~3的整數］。 　　[0009] 本發明的第二樣態係一種阻劑圖型形成方法，其係包含下述步驟：使用前述第一樣態的阻劑組成物於支撐體上形成阻劑膜之步驟、曝光前述阻劑膜之步驟、及將前述曝光後的阻劑膜進行顯影來形成阻劑圖型之步驟。 ［發明的效果］ 　　[0010] 依據本發明，能提供一種可實現微影特性之提升之同時，亦可降低缺陷產生的阻劑組成物、及使用此的阻劑圖型形成方法。
［實施發明之最佳形態］ 　　[0011] 本說明書及本申請專利範圍中，所謂的「脂肪族」係定義對於芳香族為相對的概念、且為不具有芳香族性的基、化合物等之意。 　　「烷基」，只要未特别說明即為包含直鏈狀、分支鏈狀及環狀的1價的飽和烴基。烷氧基中的烷基亦為相同。 　　「伸烷基」，只要未特别說明即為包含直鏈狀、分支鏈狀及環狀的2價的飽和烴基。 　　「鹵化烷基」為烷基的氫原子的一部分或全部被鹵素原子所取代的基，作為該鹵素原子可舉例氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。 　　「氟化烷基」或「氟化伸烷基」為烷基或伸烷基的氫原子的一部分或全部被氟原子所取代的基。 　　所謂的「構成單位」係指構成高分子化合物（樹脂、聚合物、共聚物）的單體單位（monomer unit）之意。 　　若記載為「可具有取代基」之情形時，係包含以1價的基來取代氫原子（-H）之情形、與以2價的基來取代亞甲基（-CH2 -）之情形之兩者。 　　「曝光」係概念為包含放射線之照射之全部。 　　[0012] 所謂的「由丙烯酸酯所衍生的構成單位」係指丙烯酸酯的乙烯性雙鍵經開裂所構成的構成單位之意。 　　「丙烯酸酯」係指丙烯酸（CH2 =CH-COOH）的羧基末端的氫原子被有機基所取代的化合物。 　　丙烯酸酯中，鍵結於α位的碳原子的氫原子可被取代基所取代。取代該鍵結於α位的碳原子的氫原子的取代基（Rα 0 ）係氫原子以外的原子或基，可舉例如碳數1~5的烷基、碳數1~5的鹵化烷基等。又，亦包含取代基（Rα 0 ）被包含酯鍵結的取代基所取代的伊康酸二酯、或取代基（Rα 0 ）被羥基烷基或該羥基經修飾的基所取代的α羥基丙烯酸酯。尚，所謂的丙烯酸酯的α位的碳原子，只要未特别說明係指鍵結於丙烯酸的羰基的碳原子。 　　以下，有時將鍵結於α位的碳原子的氫原子被取代基所取代的丙烯酸酯稱為α取代丙烯酸酯。又，有時會將包括丙烯酸酯與α取代丙烯酸酯稱為「（α取代）丙烯酸酯」。 　　[0013] 所謂的「由丙烯醯胺所衍生的構成單位」係指丙烯醯胺的乙烯性雙鍵經開裂所構成的構成單位之意。 　　丙烯醯胺中，鍵結於α位的碳原子的氫原子可被取代基所取代、或丙烯醯胺的胺基的氫原子的一者或二者亦可被取代基所取代。尚，所謂的丙烯醯胺的α位的碳原子，只要未特别說明係指鍵結於丙烯醯胺的羰基的碳原子。 　　作為取代鍵結於丙烯醯胺的α位的碳原子的氫原子的取代基，可舉例與前述α取代丙烯酸酯中被舉例作為α位的取代基（取代基（Rα 0 ））為相同內容。 　　[0014] 所謂的「由羥基苯乙烯所衍生的構成單位」係指羥基苯乙烯的乙烯性雙鍵經開裂所構成的構成單位之意。所謂的「由羥基苯乙烯衍生物所衍生的構成單位」係指羥基苯乙烯衍生物的乙烯性雙鍵經開裂所構成的構成單位之意。 　　所謂的「羥基苯乙烯衍生物」係指包含羥基苯乙烯的α位的氫原子被烷基、鹵化烷基等的其他取代基所取代者、以及該等的衍生物之概念。作為該等的衍生物，可舉例：α位的氫原子為可被取代基所取代的羥基苯乙烯中的羥基的氫原子被有機基所取代者；α位的氫原子為可被取代基所取代的羥基苯乙烯的苯環上鍵結羥基以外的取代基者等。尚，α位（α位的碳原子），只要未特别說明時，係指鍵結於苯環的碳原子之意。 　　作為取代羥基苯乙烯的α位的氫原子的取代基，可舉例與前述α取代丙烯酸酯中被舉例作為α位的取代基為相同內容。 　　[0015] 所謂的「由乙烯基苯甲酸或乙烯基苯甲酸衍生物所衍生的構成單位」係指乙烯基苯甲酸或乙烯基苯甲酸衍生物的乙烯性雙鍵經開裂所構成的構成單位之意。 　　所謂的「乙烯基苯甲酸衍生物」係指包含乙烯基苯甲酸的α位的氫原子被烷基、鹵化烷基等的其他取代基所取代者、以及該等的衍生物之概念。作為該等的衍生物，可舉例：α位的氫原子為可被取代基所取代的乙烯基苯甲酸的羧基的氫原子被有機基所取代者；α位的氫原子為可被取代基所取代的乙烯基苯甲酸的苯環上鍵結羥基及羧基以外的取代基者等。尚，α位（α位的碳原子），只要未特别說明時，係指鍵結於苯環的碳原子之意。 　　[0016] 所謂的「苯乙烯」係指亦包含苯乙烯及苯乙烯的α位的氫原子被烷基、鹵化烷基等的其他取代基所取代者之概念。 　　所謂的「苯乙烯衍生物」係指包含苯乙烯的α位的氫原子被烷基、鹵化烷基等的其他取代基所取代者、以及該等的衍生物之概念。作為該等的衍生物，可舉例：α位的氫原子為可被取代基所取代的羥基苯乙烯的苯環上鍵結取代基者等。尚，α位（α位的碳原子），只要未特别說明時，係指鍵結於苯環的碳原子之意。 　　所謂的「苯乙烯所衍生的構成單位」、「苯乙烯衍生物所衍生的構成單位」係指苯乙烯或苯乙烯衍生物的乙烯性雙鍵經開裂所構成的構成單位之意。 　　[0017] 作為上述α位的取代基的烷基，以直鏈狀或分支鏈狀的烷基為較佳，具體而言可舉例碳數1~5的烷基（甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基）等。 　　又，作為α位的取代基的鹵化烷基，具體而言可舉例將上述「作為α位的取代基的烷基」的氫原子的一部分或全部以鹵素原子所取代的基。作為該鹵素原子，可舉例氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為較佳。 　　又，作為α位的取代基的羥基烷基，具體而言可舉例將上述「作為α位的取代基的烷基」的氫原子的一部分或全部以羥基所取代的基。該羥基烷基中的羥基的數目係以1~5為較佳，以1為最佳。 　　[0018] （阻劑組成物） 　　本發明的第一樣態相關之阻劑組成物，其係經曝光而產生酸、並經由酸之作用而對於顯影液之溶解性產生變化的阻劑組成物，其特徵在於，含有經由酸之作用而對於顯影液之溶解性產生變化的基材成分（A）（以下有時稱為「（A）成分」）、與對於鹼顯影液展現出分解性的氟添加劑成分（F）（以下有時稱為「（F）成分」），前述基材成分（A）係包含具有下述一般式（a10-1）所表示的構成單位（a10）10莫耳%以上、與含經由酸之作用而增大極性的酸分解性基的構成單位（a1）30莫耳%以上的樹脂成分（A1），前述氟添加劑成分（F）係包含具有含鹼解離性基的構成單位（f1）的氟樹脂成分（F1）。 　　本發明中，（A）成分係可由單一的高分子化合物所成，亦可為混合多種的高分子化合物所成。 　　[0019] 使用上述阻劑組成物來形成阻劑膜，並對該阻劑膜進行選擇性曝光時，在曝光部將產生酸且經由該酸之作用而（A）成分之對於顯影液之溶解性會產生變化，另一方面，在未曝光部（A）成分之對於顯影液之溶解性不會產生變化，故在曝光部與未曝光部之間將產生對於顯影液之溶解性的差異。因此，將該阻劑膜進行顯影時，若該阻劑組成物為正型之情形時，曝光部被溶解除去而形成正型的阻劑圖型，若該阻劑組成物為負型之情形時，則未曝光部被溶解除去而形成負型的阻劑圖型。 　　[0020] 本說明書中，將曝光部被溶解除去而形成正型阻劑圖型之阻劑組成物稱為正型阻劑組成物，將未曝光部被溶解除去而形成負型阻劑圖型之阻劑組成物稱為負型阻劑組成物。 　　本發明中，阻劑組成物係可以是正型阻劑組成物、亦可是負型阻劑組成物。 　　又，本發明中，阻劑組成物係可作為於阻劑圖型形成時的顯影處理中為使用鹼顯影液之鹼顯影製程用，亦可作為於該顯影處理中為使用包含有機溶劑之顯影液（有機系顯影液）之溶劑顯影製程用，但以鹼顯影製程用為較佳。 　　[0021] 本發明中，阻劑組成物係具有經曝光而產生酸的酸產生能力，可為（A）成分經曝光而產生酸，亦可為與（A）成分為另外調配的添加劑成分經曝光而產生酸。 　　具體而言，本發明中阻劑組成物係如下： 　　（1）可含有經曝光而產生酸的酸產生劑成分（B）（以下稱為「（B）成分」）； 　　（2）（A）成分可為經曝光而產生酸的成分； 　　（3）（A）成分係經曝光而產生酸的成分、且進而亦可含有（B）成分。 　　即，上述（2）及（3）之情形時，（A）成分係成為「經曝光而產生酸、且經由酸之作用而對於顯影液之溶解性產生變化的基材成分」。（A）成分若為經曝光而產生酸、且經由酸之作用而對於顯影液之溶解性產生變化的基材成分之情形時，後述（A1）成分係以經曝光而產生酸、且經由酸之作用而對於顯影液之溶解性產生變化的高分子化合物為較佳。作為如此般的高分子化合物，可使用具有經曝光而產生酸的構成單位的樹脂。作為經曝光而產生酸的構成單位係可使用周知者。 　　本發明中，阻劑組成物係以上述（1）之情形為特佳。 　　[0022] ＜（A）成分＞ 　　本發明中，所謂的「基材成分」係指具有膜形成能力的有機化合物，較佳為使用分子量為500以上的有機化合物。因該有機化合物的分子量為500以上時，膜形成能力將提升，另外容易形成奈米等級的感光性樹脂圖型。 　　作為基材成分而被使用的有機化合物，可大致區分為非聚合物與聚合物。 　　作為非聚合物係通常可使用分子量為500以上未滿4000者。以下稱為「低分子化合物」，係表示分子量為500以上未滿4000的非聚合物。 　　作為聚合物係通常可使用分子量為1000以上者。以下稱為「樹脂」，係表示分子量為1000以上的聚合物。 　　作為聚合物的分子量係使用藉由GPC（凝膠滲透層析法）之聚苯乙烯換算的重量平均分子量。 　　作為（A）成分，可使用樹脂、亦可使用低分子化合物、或可併用該等。 （A）成分可為經由酸之作用而增大對於顯影液之溶解性者、亦可為經由酸之作用而減少對於顯影液之溶解性者。 　　又，本發明中（A）成分可為經曝光而產生酸者。 　　[0023] （構成單位（a10）） 　　構成單位（a10）係下述一般式（a10-1）所表示的構成單位。 　　[0024]［式中，R係氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Yax1 係單鍵或2價的連結基，Wax1 係可具有取代基之（nax1 +1）價的芳香族烴基，nax1 係1~3的整數］。 　　[0025] 前述式（a10-1）中，R的碳數1~5的烷基，以碳數1~5的直鏈狀或分支鏈狀的烷基為較佳，具體而言可舉例甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。碳數1~5的鹵化烷基係前述碳數1~5的烷基的氫原子的一部分或全部被鹵素原子所取代的基。作為該鹵素原子，可舉例氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為較佳。 　　作為R係以氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的氟化烷基為較佳，就工業上之取得容易度而言，以氫原子或甲基為特佳。 　　[0026] 前述式（a10-1）中，Yax1 中的2價的連結基，可舉例與上述一般式（a2-1）中的Ya21 的2價的連結基為相同內容。Yax1 係以單鍵為較佳。 　　作為Wax1 中的芳香族烴基，可舉例由芳香環中除去（nax1 +1）個氫原子而成的基。於此的芳香環只要是具有4n+2個的π電子的環狀共軛系即可並無特別限定，可為單環式亦可為多環式。芳香環的碳數係以5~30為較佳，以5~20為又較佳，以6~15為更佳，以6~12為特佳。作為芳香環，具體而言可舉例：苯、萘、蒽、菲等的芳香族烴環；構成前述芳香族烴環的碳原子的一部分被雜原子所取代的芳香族雜環等。作為芳香族雜環中的雜原子，可舉例氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體而言可舉例吡啶環、噻吩環等。 　　[0027] 前述式（a10-1）中，nax1 係1~3的整數，以1或2為較佳，以1為又較佳。 　　[0028] 於以下表示前述式（a10-1）所表示的構成單位之具體例。下述式中，Rα係表示氫原子、甲基或三氟甲基。 　　[0029][0030] （A1）成分含有的構成單位（a10）係可為1種，亦可為2種以上。 　　構成單位（a10），其中，以包含羥基苯乙烯骨架的構成單位為較佳，以例如下述一般式（a10-1-1）所表示的構成單位為特佳。 　　[0031]［式中，Rst 係表示氫原子或甲基，m01 係1~3的整數］。 　　[0032] （A1）成分中的構成單位（a10）的比例，相對於構成該（A1）成分的全構成單位的合計（100莫耳%）為10莫耳%以上，以20莫耳%以上為較佳。 　　構成單位（a10）的比例之上限值並無特別限定，以70莫耳%以下為較佳，以65莫耳%以下為又較佳，以60莫耳%以下為特佳。 　　藉由將構成單位（a10）的比例設為下限值以上，感度、解析性或EL寬容度等的微影特性將提升，設為上限值以下，則將容易取得與其他的構成單位之間的平衡。 　　[0033] （構成單位（a1）） 　　構成單位（a1）係含經由酸之作用而增大極性的酸分解性基的構成單位。 　　「酸分解性基」係具有經由酸之作用而使該酸分解性基構造中的至少一部分的鍵結可產生開裂的酸分解性的基。 　　作為經由酸之作用而增大極性的酸分解性基，可舉例如經酸之作用而分解並產生極性基的基。 　　作為極性基，可舉例如羧基、羥基、胺基、磺酸基（-SO3 H）等。該等之中，以構造中含有-OH的極性基（以下有時稱為「含有OH的極性基」）為較佳，以羧基或羥基為又較佳，以羧基為特佳。 　　作為酸分解性基，更具體而言可舉例前述極性基被酸解離性基所保護的基（例如含有OH的極性基的氫原子被酸解離性基所保護的基）。 　　於此，所謂的「酸解離性基」係指（i）具有經由酸之作用而使該酸解離性基與該酸解離性基鄰接的原子之間的鍵結可產生開裂的酸解離性的基、或（ii）經由酸之作用而使一部分的鍵結產生開裂後，進而藉由產生脫碳酸反應而使該酸解離性基與該酸解離性基鄰接的原子之間的鍵結可產生開裂的基，等兩者之意。 　　構成酸分解性基的酸解離性基，必須是極性較該酸解離性基因解離而生成的極性基為更低的基，據此，經由酸之作用而使該酸解離性基解離時，將會產生極性較該酸解離性基為更高的極性基，而增大極性。其結果，（A1）成分整體的極性將增大。藉由極性之增大，相對的若對於顯影液之溶解性產生變化、且顯影液為鹼顯影液之情形時，溶解性將會增大，若顯影液為有機系顯影液之情形時，則溶解性將會降低。 　　[0034] 作為酸解離性基，可舉例目前為止被提案作為化學增幅型阻劑組成物用的基底樹脂的酸解離性基者。 　　被提案作為化學增幅型阻劑組成物用的基底樹脂的酸解離性基者，具體而言可舉例於以下說明的「縮醛型酸解離性基」、「第三級烷基酯型酸解離性基」、「第三級烷基氧基羰基酸解離性基」。 　　[0035] 縮醛型酸解離性基： 　　作為保護前述極性基中的羧基或羥基的酸解離性基，可舉例如下述一般式（a1-r-1）所表示的酸解離性基（以下有時稱為「縮醛型酸解離性基」）。 　　[0036]［式中，Ra’1 、Ra’2 係氫原子或烷基，Ra’3 係烴基且Ra’3 可與Ra’1 、Ra’2 之任一者鍵結而形成環］。 　　[0037] 式（a1-r-1）中，Ra’1 及Ra’2 之中，至少一方為氫原子為較佳，以兩個為氫原子為又較佳。 　　若Ra’1 或Ra’2 為烷基時，作為該烷基，可舉例與對於上述α取代丙烯酸酯之說明中舉例作為可鍵結於α位的碳原子的取代基的烷基為相同內容，以碳數1~5的烷基為較佳。具體而言可舉例直鏈狀或分支鏈狀的烷基為較佳。更具體而言可舉例甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等，以甲基或乙基為又較佳，以甲基為特佳。 　　[0038] 式（a1-r-1）中，作為Ra’3 的烴基，可舉例直鏈狀或分支鏈狀的烷基、環狀的烴基。 　　該直鏈狀的烷基，以碳數為1~5為較佳，以1~4為又較佳，以1或2為更佳。具體而言可舉例甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。該等之中，以甲基、乙基或n-丁基為較佳，以甲基或乙基為又較佳。 　　[0039] 該分支鏈狀的烷基，以碳數為3~10為較佳，以3~5為又較佳。具體而言可舉例異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙基丙基、2,2-二甲基丁基等，以異丙基為較佳。 　　[0040] 若Ra’3 成為環狀的烴基時，該烴基可為脂肪族烴基亦可為芳香族烴基，又可為多環式基亦可為單環式基。 　　作為單環式基的脂肪族烴基，以由單環烷烴中除去1個氫原子而成的基為較佳。作為該單環烷烴係以碳數3~6者為較佳，具體而言可舉例環戊烷、環己烷等。 　　作為多環式基的脂肪族烴基，以由多環烷烴中除去1個氫原子而成的基為較佳，作為該多環烷烴係以碳數7~12者為較佳，具體而言可舉例金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。 　　[0041] 若Ra’3 的環狀的烴基成為芳香族烴基時，該芳香族烴基係具有至少1個芳香環的烴基。 　　該芳香環只要是具有4n+2個的π電子的環狀共軛系即可並無特別限定，可為單環式亦可為多環式。芳香環的碳數係以5~30為較佳，以5~20為又較佳，以6~15為更佳，以6~12為特佳。 　　作為芳香環，具體而言可舉例：苯、萘、蒽、菲等的芳香族烴環；構成前述芳香族烴環的碳原子的一部分被雜原子所取代的芳香族雜環等。作為芳香族雜環中的雜原子，可舉例氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體而言可舉例吡啶環、噻吩環等。 　　作為Ra’3 中的芳香族烴基，具體而言可舉例：由前述芳香族烴環或芳香族雜環中除去1個氫原子而成的基（芳基或雜芳基）；由包含2以上的芳香環的芳香族化合物（例如聯苯、茀等）中除去1個氫原子而成的基；前述芳香族烴環或芳香族雜環中的1個氫原子被伸烷基所取代的基（例如，苄基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等的芳烷基等）等。鍵結於前述芳香族烴環或芳香族雜環的伸烷基的碳數係以1~4為較佳，以1~2為又較佳，以1為特佳。 　　[0042] Ra’3 中的環狀的烴基係可具有取代基。作為該取代基，可舉例如-RP1 、-RP2 -O-RP1 、-RP2 -CO-RP1 、 -RP2 -CO-ORP1 、-RP2 -O-CO-RP1 、-RP2 -OH、-RP2 -CN或 -RP2 -COOH（以下亦統稱該等的取代基為「Ra05 」）等。 　　於此，RP1 係碳數1~10的1價的鏈狀飽和烴基、碳數3~20的1價的脂肪族環狀飽和烴基或碳數6~30的1價的芳香族烴基。又，RP2 係單鍵、碳數1~10的2價的鏈狀飽和烴基、碳數3~20的2價的脂肪族環狀飽和烴基或碳數6~30的2價的芳香族烴基。 　　但，RP1 及RP2 的鏈狀飽和烴基、脂肪族環狀飽和烴基及芳香族烴基所具有的氫原子的一部分或全部係可被氟原子所取代。上述脂肪族環狀烴基係可具有上述取代基的單獨1種的1個以上，亦可具有上述取代基中的多種的各1個以上。 　　作為碳數1~10的1價的鏈狀飽和烴基，可舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基等。 　　作為碳數3~20的1價的脂肪族環狀飽和烴基，可舉例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基、環十二烷基等的單環式脂肪族飽和烴基；雙環[2.2.2]辛基、三環[5.2.1.02,6]癸基、三環[3.3.1.13,7]癸基、四環[6.2.1.13,6.02,7]十二烷基、金剛烷基等的多環式脂肪族飽和烴基。 　　作為碳數6~30的1價的芳香族烴基，可舉例如由苯、聯苯、茀、萘、蒽、菲等的芳香族烴環中除去1個氫原子而成的基。 　　[0043] 若Ra’3 與Ra’1 、Ra’2 之任一者鍵結而形成環時，作為該環式基，以4~7員環為較佳，以4~6員環為又較佳。作為該環式基之具體例，可舉例四氫吡喃基、四氫呋喃基等。 　　[0044] 第三級烷基酯型酸解離性基： 　　作為保護上述極性基中的羧基的酸解離性基，可舉例如下述一般式（a1-r-2）所表示的酸解離性基。 　　尚、下述式（a1-r-2）所表示的酸解離性基之中，將藉由烷基所構成者，於以下有時簡稱為「第三級烷基酯型酸解離性基」。 　　[0045]［式中，Ra’4 ~Ra’6 係分別為烴基且Ra’5 、Ra’6 係可相互鍵結而形成環］。 　　[0046] 作為Ra’4 的烴基，可舉例直鏈狀或分支鏈狀的烷基、鏈狀或環狀的烯基、或環狀的烴基。 　　Ra’4 中的直鏈狀或分支鏈狀的烷基、環狀的烴基（單環式基的脂肪族烴基、多環式基的脂肪族烴基、芳香族烴基），可舉例與前述Ra’3 為相同內容。 　　Ra’4 中的鏈狀或環狀的烯基，以碳數2~10的烯基為較佳。 　　作為Ra’5 、Ra’6 的烴基，可舉例與前述Ra’3 為相同內容。 　　[0047] 若Ra’5 與Ra’6 相互鍵結而形成環時，可適合地舉例下述一般式（a1-r2-1）所表示的基、下述一般式（a1-r2-2）所表示的基、下述一般式（a1-r2-3）所表示的基。 　　另一方面，若Ra’4 ~Ra’6 未相互鍵結且為獨立的烴基時，可適合地舉例下述一般式（a1-r2-4）所表示的基。 　　[0048]［式（a1-r2-1）中，Ra’10 係表示碳數1~10的烷基，Ra’11 係表示與Ra’10 鍵結的碳原子共同形成脂肪族環式基的基。式（a1-r2-2）中，Ya係碳原子，Xa係與Ya共同形成環狀的烴基的基，該環狀的烴基所具有的氫原子的一部分或全部係亦可被取代。 　　Ra01 ~Ra03 係分別獨立為氫原子、碳數1~10的1價的鏈狀飽和烴基或碳數3~20的1價的脂肪族環狀飽和烴基。該鏈狀飽和烴基及脂肪族環狀飽和烴基所具有的氫原子的一部分或全部係亦可被取代。Ra01 ~Ra03 的2個以上可相互鍵結而形成環狀構造，＊係表示鍵結鍵。式（a1-r2-3）中，Yaa係碳原子。Xaa係與Yaa共同形成脂肪族環式基的基。Ra04 係可具有取代基的芳香族烴基，＊係表示鍵結鍵。式（a1-r2-4）中，Ra’12 及Ra’13 係分別獨立為碳數1~10的1價的鏈狀飽和烴基或氫原子。該鏈狀飽和烴基所具有的氫原子的一部分或全部係亦可被取代。Ra’14 係可具有取代基的芳香族烴基，＊係表示鍵結鍵（以下相同）］。 　　[0049] 式（a1-r2-1）中，Ra’10 的碳數1~10的烷基，以式（a1-r-1）中作為Ra’3 的直鏈狀或分支鏈狀的烷基所舉例的基為較佳。 　　Ra’10 係以碳數1~5的烷基為較佳。 　　式（a1-r2-1）中，Ra’11 與Ra’10 鍵結的碳原子共同形成脂肪族環式基，以式（a1-r-1）中作為Ra’3 的單環式基或多環式基的脂肪族烴基所舉例的基為較佳。 　　[0050] 式（a1-r2-2）中，作為Xa與Ya共同形成環狀的烴基，可舉例由前述式（a1-r-1）中的Ra’3 的環狀的1價的烴基（脂肪族烴基、芳香族烴基）中進而除去1個以上氫原子而成的基。 　　Xa與Ya共同形成環狀的烴基係可具有取代基。作為該取代基係可舉例與上述Ra’3 中的環狀的烴基可具有的取代基為相同內容。 　　式（a1-r2-2）中，Ra01 ~Ra03 中作為碳數1~10的1價的鏈狀飽和烴基，可舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基等。 　　Ra01 ~Ra03 中作為碳數3~20的1價的脂肪族環狀飽和烴基，可舉例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基、環十二烷基等的單環式脂肪族飽和烴基；雙環[2.2.2]辛基、三環[5.2.1.02,6]癸基、三環[3.3.1.13,7]癸基、四環[6.2.1.13,6.02,7]十二烷基、金剛烷基等的多環式脂肪族飽和烴基等。 　　Ra01 ~Ra03 之中，從衍生構成單位（a1）的單體化合物之合成容易性之觀點而言，以氫原子、碳數1~10的1價的鏈狀飽和烴基為較佳，其中以氫原子、甲基、乙基為又較佳，以氫原子為特佳。 　　[0051] 作為上述Ra01 ~Ra03 所表示的鏈狀飽和烴基、或脂肪族環狀飽和烴基所具有的取代基，可舉例如與上述Ra05 為相同的基。 　　[0052] 作為包含藉由Ra01 ~Ra03 的2個以上相互鍵結而形成環狀構造所產生的碳-碳雙鍵的基，可舉例如環戊烯基、環己烯基、甲基環戊烯基、甲基環己烯基、亞環戊基乙烯基、亞環己基乙烯基等。該等之中，從衍生構成單位（a1）的單體化合物之合成容易性之觀點而言，以環戊烯基、環己烯基、亞環戊基乙烯基（cyclopentylidene ethenyl）為較佳。 　　[0053] 式（a1-r2-3）中，Xaa與Yaa共同形成的脂肪族環式基，以式（a1-r-1）中作為Ra’3 的單環式基或多環式基的脂肪族烴基所舉例的基為較佳。 　　式（a1-r2-3）中，作為Ra04 中的芳香族烴基，可舉例由碳數5~30的芳香族烴環中除去1個以上氫原子而成的基。其中，Ra04 係以由碳數6~15的芳香族烴環中除去1個以上氫原子而成的基為較佳，以由苯、萘、蒽或菲中除去1個以上氫原子而成的基為又較佳，以由苯、萘或蒽中除去1個以上氫原子而成的基為更佳，以由苯或萘中除去1個以上氫原子而成的基為特佳，以由苯中除去1個以上氫原子而成的基為最佳。 　　[0054] 作為式（a1-r2-3）中的Ra04 可具有的取代基，可舉例如甲基、乙基、丙基、羥基、羧基、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子等）、烷氧基（甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等）、烷基氧基羰基等。 　　[0055] 式（a1-r2-4）中，Ra’12 及Ra’13 係分別獨立為碳數1~10的1價的鏈狀飽和烴基或氫原子。Ra’12 及Ra’13 中作為碳數1~10的1價的鏈狀飽和烴基，可舉例與上述Ra01 ~Ra03 中的碳數1~10的1價的鏈狀飽和烴基為相同內容。該鏈狀飽和烴基所具有的氫原子的一部分或全部係亦可被取代。 　　Ra’12 及Ra’13 ，之中以氫原子、碳數1~5的烷基為較佳，以碳數1~5的烷基為又較佳，以甲基、乙基為更佳，以甲基為特佳。 　　上述Ra’12 及Ra’13 所表示的鏈狀飽和烴基被取代時，作為該取代基，可舉例如與上述Ra05 為相同的基。 　　[0056] 式（a1-r2-4）中，Ra’14 係可具有取代基的芳香族烴基。作為Ra’14 中的芳香族烴基，可舉例與Ra04 中的芳香族烴基為相同內容。其中，Ra’14 係以由碳數6~15的芳香族烴環中除去1個以上氫原子而成的基為較佳，以由苯、萘、蒽或菲中除去1個以上氫原子而成的基為又較佳，以由苯、萘或蒽中除去1個以上氫原子而成的基為更佳，以由萘或蒽中除去1個以上氫原子而成的基為特佳，以由萘中除去1個以上氫原子而成的基為最佳。 　　作為Ra’14 可具有的取代基，可舉例與Ra04 可具有的取代基為相同內容。 　　[0057] 若式（a1-r2-4）中的Ra’14 為萘基時，與前述式（a1-r2-4）中的第三級碳原子鍵結的位置係可以是萘基的1號位或2號位中的任意位置。 　　若式（a1-r2-4）中的Ra’14 為蒽基時，與前述式（a1-r2-4）中的第三級碳原子鍵結的位置係可以是蒽基的1號位、2號位或9號位中的任意位置。 　　[0058] 將前述式（a1-r2-1）所表示的基之具體例舉例於下述。 　　[0059][0060][0061] 將前述式（a1-r2-2）所表示的基之具體例舉例於下述。 　　[0062][0063][0064][0065][0066] 將前述式（a1-r2-3）所表示的基之具體例舉例於下述。 　　[0067][0068] 將前述式（a1-r2-4）所表示的基之具體例舉例於下述。 　　[0069][0070] ・第三級烷基氧基羰基酸解離性基： 　　作為保護前述極性基中的羥基的酸解離性基，可舉例如下述一般式（a1-r-3）所表示的酸解離性基（於以下有時簡稱為「第三級烷基氧基羰基酸解離性基」）。 　　[0071]［式中，Ra’7 ~Ra’9 係分別為烷基］。 　　[0072] 式（a1-r-3）中，Ra’7 ~Ra’9 係分別以碳數1~5的烷基為較佳，以1~3為又較佳。 　　又，各烷基的合計的碳數係以3~7為較佳，以3~5為又較佳，以3~4為最佳。 　　[0073] 作為構成單位（a1），可舉例：由鍵結於α位的碳原子的氫原子可被取代基所取代的丙烯酸酯所衍生的構成單位；由丙烯醯胺所衍生的構成單位；由羥基苯乙烯或羥基苯乙烯衍生物所衍生的構成單位的羥基中的氫原子之至少一部分被經由包含前述酸分解性基的取代基所保護的構成單位；由乙烯基苯甲酸或乙烯基苯甲酸衍生物所衍生的構成單位的-C(=O)-OH中的氫原子的至少一部分被經由包含前述酸分解性基的取代基所保護的構成單位等。 　　[0074] 作為構成單位（a1），上述中係以由鍵結於α位的碳原子的氫原子可被取代基所取代的丙烯酸酯所衍生的構成單位為較佳。 　　作為上述構成單位（a1）之較佳具體例，可舉例下述一般式（a1-1）或（a1-2）所表示的構成單位。 　　[0075]［式中，R係氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Va1 係可具有醚鍵結的2價的烴基，na1 係0~2的整數，Ra1 係上述一般式（a1-r-1）或（a1-r-2）所表示的酸解離性基，Wa1 係na2 +1價的烴基，na2 係1~3的整數，Ra2 係上述式（a1-r-1）或（a1-r-3）所表示的酸解離性基］。 　　[0076] 前述式（a1-1）中，R的碳數1~5的烷基，以碳數1~5的直鏈狀或分支鏈狀的烷基為較佳，具體而言可舉例甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。碳數1~5的鹵化烷基係前述碳數1~5的烷基的氫原子的一部分或全部被鹵素原子所取代的基。作為該鹵素原子，可舉例氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為較佳。 　　作為R係以氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的氟化烷基為較佳，就工業上之取得容易度而言，以氫原子或甲基為最佳。 　　[0077] 前述式（a1-1）中，Va1 中的2價的烴基可為脂肪族烴基、亦可為芳香族烴基。 　　[0078] 作為Va1 中的2價的烴基的脂肪族烴基可為飽和、亦可為不飽和，通常係以飽和為較佳。 　　作為該脂肪族烴基，更具體而言可舉例直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基、或構造中包含環的脂肪族烴基等。 　　[0079] 前述直鏈狀的脂肪族烴基，以碳數為1~10為較佳，以1~6為又較佳，以1~4為更佳，以1~3為最佳。 　　作為直鏈狀的脂肪族烴基，以直鏈狀的伸烷基為較佳，具體而言可舉例亞甲基[-CH2 -]、伸乙基[-(CH2 )2 -]、三亞甲基[-(CH2 )3 -]、四亞甲基[-(CH2 )4 -]、五亞甲基[-(CH2 )5 -]等。 　　前述分支鏈狀的脂肪族烴基，以碳數為3~10為較佳，以3~6為又較佳，以3或4為更佳，以3為最佳。 　　作為分支鏈狀的脂肪族烴基，以分支鏈狀的伸烷基為較佳，具體而言可舉例-CH(CH3 )-、-CH(CH2 CH3 )-、 -C(CH3 )2 -、-C(CH3 )(CH2 CH3 )-、-C(CH3 )(CH2 CH2 CH3 )-、 -C(CH2 CH3 )2 -等的烷基亞甲基；-CH(CH3 )CH2 -、 -CH(CH3 )CH(CH3 )-、-C(CH3 )2 CH2 -、-CH(CH2 CH3 )CH2 -、 -C(CH2 CH3 )2 -CH2 -等的烷基伸乙基；-CH(CH3 )CH2 CH2 -、 -CH2 CH(CH3 )CH2 -等的烷基三亞甲基； -CH(CH3 )CH2 CH2 CH2 -、-CH2 CH(CH3 )CH2 CH2 -等的烷基四亞甲基等的烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中的烷基，以碳數1~5的直鏈狀的烷基為較佳。 　　[0080] 作為前述構造中包含環的脂肪族烴基，可舉例：脂環式烴基（由脂肪族烴環中除去2個氫原子而成的基）；脂環式烴基鍵結於直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基的末端而成的基；脂環式烴基介隔於直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基的途中而成的基等。作為前述直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基，可舉例與前述直鏈狀的脂肪族烴基或前述分支鏈狀的脂肪族烴基為相同內容。 　　前述脂環式烴基，以碳數為3~20為較佳，以3~12為又較佳。 　　前述脂環式烴基可為多環式、亦可為單環式。作為單環式的脂環式烴基，以由單環烷烴中除去2個氫原子而成的基為較佳。作為該單環烷烴係以碳數3~6者為較佳，具體而言可舉例環戊烷、環己烷等。作為多環式的脂環式烴基，以由多環烷烴中除去2個氫原子而成的基為較佳，作為該多環烷烴係以碳數7~12者為較佳，具體而言可舉例金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。 　　[0081] 作為Va1 中的2價的烴基的芳香族烴基係具有芳香環的烴基。 　　上述芳香族烴基，以碳數為3~30為較佳，以5~30為又較佳，以5~20為更佳，以6~15為特佳，以6~10為最佳。但，該碳數不包含取代基中的碳數。 　　作為芳香族烴基所具有的芳香環，具體而言可舉例：苯、聯苯、茀、萘、蒽、菲等的芳香族烴環；構成前述芳香族烴環的碳原子的一部分被雜原子所取代的芳香族雜環等。作為芳香族雜環中的雜原子，可舉例氧原子、硫原子、氮原子等。 　　作為該芳香族烴基，具體而言可舉例：由前述芳香族烴環中除去2個氫原子而成的基（伸芳基）；由前述芳香族烴環中除去1個氫原子而成的基（芳基）之氫原子的1個被伸烷基所取代的基（例如由苄基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等的芳烷基的芳基中進而除去1個氫原子而成的基）等。前述伸烷基（芳烷基中的烷基鏈）的碳數係以1~4為較佳，以1~2為又較佳，以1為特佳。 　　[0082] 前述式（a1-1）中，Ra1 係上述式（a1-r-1）或（a1-r-2）所表示的酸解離性基。 　　[0083] 前述式（a1-2）中，Wa1 中的na2 +1價的烴基可為脂肪族烴基、亦可為芳香族烴基。該脂肪族烴基係指不具有芳香族性的烴基之意、且可為飽和、亦可為不飽和，通常係以飽和為較佳。作為前述脂肪族烴基，可舉例：直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基、構造中包含環的脂肪族烴基、或組合直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基與構造中包含環的脂肪族烴基的基。 　　前述na2 +1價係以2~4價為較佳，以2或3價為又較佳。 　　[0084] 於以下表示前述式（a1-1）所表示的構成單位之具體例。以下之各式中，Rα 係表示氫原子、甲基或三氟甲基。 　　[0085][0086][0087][0088][0089][0090][0091][0092][0093][0094][0095][0096] 於以下表示前述式（a1-2）所表示的構成單位之具體例。 　　[0097][0098] （A1）成分所具有的構成單位（a1）係可為1種，亦可為2種以上。 　　作為構成單位（a1），因為可易於更加提高經電子線或EUV之微影的特性（感度、形狀等），故以前述式（a1-1）所表示的構成單位為又較佳。 　　其中，作為構成單位（a1）係以包含下述一般式（a1-1-1）所表示的構成單位者為特佳。 　　[0099]［式中，Ra1 ”係一般式（a1-r2-2）、（a1-r2-3）或（a1-r2-4）所表示的酸解離性基］。 　　[0100] 前述式（a1-1-1）中，R、Va1 及na1 係與前述式（a1-1）中的R、Va1 及na1 為相同。 　　關於一般式（a1-r2-2）、（a1-r2-3）或（a1-r2-4）所表示的酸解離性基之說明係如上述般。 　　[0101] （A1）成分中的構成單位（a1）的比例，相對於構成（A1）成分的全構成單位的合計（100莫耳%）為30莫耳%以上，以40莫耳%以上為較佳，以50莫耳%以上為又較佳。構成單位（a1）的比例的上限值並無特別限制，以70莫耳%以下為較佳，以65莫耳%以下為又較佳，以60莫耳%以下為更佳。 　　藉由將構成單位（a1）的比例設為下限值以上時，可容易的得到阻劑圖型，並亦可提升解析性、粗糙度改善等的微影特性。又，藉由設為上限值以下，則將可取得與其他的構成單位之間的平衡。 　　[0102] （構成單位（a2）） 　　除構成單位（a10）及（a1）外，（A1）成分進而可具有包含含內酯的環式基、含-SO2 -的環式基或含碳酸酯的環式基的構成單位（a2）（但，不包括相當於構成單位（a1）者）。 　　構成單位（a2）之含內酯的環式基、含-SO2 -的環式基或含碳酸酯的環式基係將（A1）成分使用於阻劑膜之形成時，就提高阻劑膜對基板之密著性而言為有效者。又，藉由具有構成單位（a2），於鹼顯影製程中，顯影時阻劑膜對於鹼顯影液之溶解性將提高。 　　[0103] 所謂的「含內酯的環式基」係表示其環骨架中含有包含-O-C(=O)-的環（內酯環）的環式基。將內酯環作為第一個環而進行計數，將僅具有內酯環之情形稱為單環式基，將進而具有其他的環構造之情形且無論其構造如何係稱為多環式基。含內酯的環式基可為單環式基、亦可為多環式基。 　　作為構成單位（a2）中的含內酯的環式基，並無特別限定而可使用任意者。具體而言可舉例下述一般式（a2-r-1）~（a2-r-7）所分別表示的基。 　　[0104]［式中，Ra’21 係分別獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”係氫原子、烷基、含內酯的環式基、含碳酸酯的環式基、或含-SO2 -的環式基；A”係可包含氧原子（-O-）或硫原子（-S-）的碳數1~5的伸烷基、氧原子或硫原子，n’係0~2的整數，m’係0或1］。 　　[0105] 前述一般式（a2-r-1）~（a2-r-7）中，作為Ra’21 中的烷基，以碳數1~6的烷基為較佳。該烷基，以直鏈狀或分支鏈狀為較佳。具體而言可舉例甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基、己基等。該等之中，以甲基或乙基為較佳，以甲基為特佳。 　　作為Ra’21 中的烷氧基，以碳數1~6的烷氧基為較佳。 　　該烷氧基，以直鏈狀或分支鏈狀為較佳。具體而言可舉例前述Ra’21 中作為烷基而舉例的烷基與氧原子（-O-）連結而成的基。 　　作為Ra’21 中的鹵素原子，可舉例氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，以氟原子為較佳。 　　作為Ra’21 中的鹵化烷基，可舉例前述Ra’21 中的烷基的氫原子的一部分或全部被前述鹵素原子所取代的基。作為該鹵化烷基，以氟化烷基為較佳，特別是以全氟烷基為較佳。 　　[0106] Ra’21 中的-COOR”、-OC(=O)R”中的R”係均為氫原子、烷基、含內酯的環式基、含碳酸酯的環式基、或含-SO2 -的環式基。 　　作為R”中的烷基，可任意為直鏈狀、分支鏈狀、或環狀，碳數係以1~15為較佳。 　　若R”為直鏈狀或分支鏈狀的烷基之情形時，係以碳數1~10為較佳，以碳數1~5為更佳，以甲基或乙基為特佳。 　　若R”為環狀的烷基之情形時，係以碳數3~15為較佳，以碳數4~12為更佳，以碳數5~10為最佳。具體而言可示例如：由可被氟原子或氟化烷基所取代、或未被取代的單環烷烴中除去1個以上的氫原子而成的基；由雙環烷烴、三環烷烴、四環烷烴等的多環烷烴中除去1個以上的氫原子而成的基等。更具體而言可舉例：由環戊烷、環己烷等的單環烷烴中除去1個以上的氫原子而成的基；由金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等的多環烷烴中除去1個以上的氫原子而成的基等。 　　作為R”中的含內酯的環式基，可舉例與前述一般式（a2-r-1）~（a2-r-7）所分別表示的基為相同內容。 　　作為R”中的含碳酸酯的環式基，係與後述之含碳酸酯的環式基為相同，具體而言可舉例一般式（ax3-r-1）~（ax3-r-3）所分別表示的基。 　　作為R”中的含-SO2 -的環式基，係與後述之含-SO2 -的環式基為相同，具體而言可舉例一般式（a5-r-1）~（a5-r-4）所分別表示的基。 　　作為Ra’21 中的羥基烷基，以碳數為1~6者為較佳，具體而言可舉例前述Ra’21 中的烷基的氫原子的至少1個被羥基所取代的基。 　　[0107] 前述一般式（a2-r-2）、（a2-r-3）、（a2-r-5）中，作為A”中的碳數1~5的伸烷基，以直鏈狀或分支鏈狀的伸烷基為較佳，可舉例亞甲基、伸乙基、n-伸丙基、異伸丙基等。若該伸烷基包含氧原子或硫原子時，作為其具體例，可舉例於前述伸烷基的末端或碳原子間介隔著 -O-或-S-的基，可舉例如-O-CH2 -、-CH2 -O-CH2 -、-S-CH2 -、-CH2 -S-CH2 -等。作為A”係以碳數1~5的伸烷基或-O-為較佳，以碳數1~5的伸烷基為又較佳，以亞甲基為最佳。 　　[0108] 於下述舉例一般式（a2-r-1）~（a2-r-7）所分別表示的基之具體例。 　　[0109][0110][0111] 所謂的「含-SO2 -的環式基」係表示其環骨架中含有包含-SO2 -的環的環式基，具體而言-SO2 -中的硫原子（S）係形成環式基的環骨架的一部分的環式基。將該環骨架中包含-SO2 -的環作為第一個環而進行計數，將僅具有該環之情形稱為單環式基，將進而具有其他的環構造之情形且無論其構造如何係稱為多環式基。含-SO2 -的環式基可為單環式基、 亦可為多環式基。 　　含-SO2 -的環式基係特別是以該環骨架中包含-O-SO2 -的環式基為較佳，即，含有-O-SO2 -中的-O-S-為形成環骨架的一部分的磺內酯（sultone）環的環式基。 　　作為含-SO2 -的環式基，更具體而言可舉例下述一般式（a5-r-1）~（a5-r-4）所分別表示的基。 　　[0112]［式中，Ra’51 係分別獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”係氫原子、烷基、含內酯的環式基、含碳酸酯的環式基、或含-SO2 -的環式基；A”係可包含氧原子或硫原子的碳數1~5的伸烷基、氧原子或硫原子，n’係0~2的整數］。 　　[0113] 前述一般式（a5-r-1）~（a5-r-2）中，A”係與前述一般式（a2-r-2）、（a2-r-3）、（a2-r-5）中的A”為相同。 　　作為Ra’51 中的烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基，可分別舉例與前述一般式（a2-r-1）~（a2-r-7）中對於Ra’21 的說明所舉例者為相同內容。 　　於下述舉例一般式（a5-r-1）~（a5-r-4）所分別表示的基之具體例。式中的「Ac」係表示乙醯基。 　　[0114][0115][0116][0117] 所謂的「含碳酸酯的環式基」係表示其環骨架中含有包含-O-C(=O)-O-的環（碳酸酯環）的環式基。將碳酸酯環作為第一個環而進行計數，將僅具有碳酸酯環之情形稱為單環式基，將進而具有其他的環構造之情形且無論其構造如何係稱為多環式基。含碳酸酯的環式基可為單環式基、亦可為多環式基。 　　作為含有碳酸酯環的環式基，並無特別限定可使用任意者。具體而言可舉例下述一般式（ax3-r-1）~（ax3-r-3）所分別表示的基。 　　[0118]［式中，Ra’x31 係分別獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”係氫原子、烷基、含內酯的環式基、含碳酸酯的環式基、或含-SO2 -的環式基；A”係可包含氧原子或硫原子的碳數1~5的伸烷基、氧原子或硫原子，p’係0~3的整數，q’係0或1］。 　　[0119] 前述一般式（ax3-r-2）~（ax3-r-3）中，A”係與前述一般式（a2-r-2）、（a2-r-3）、（a2-r-5）中的A”為相同。 　　作為Ra’31 中的烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基，可分別舉例與前述一般式（a2-r-1）~（a2-r-7）中對於Ra’21 的說明所舉例者為相同內容。 　　於下述舉例一般式（ax3-r-1）~（ax3-r-3）所分別表示的基之具體例。 　　[0120][0121] 作為構成單位（a2），其中，以由鍵結於α位的碳原子的氫原子可被取代基所取代的丙烯酸酯所衍生的構成單位為較佳。 　　上述構成單位（a2）係以下述一般式（a2-1）所表示的構成單位為較佳。 　　[0122]［式中，R係氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Ya21 係單鍵或2價的連結基，La21 係表示-O-、-COO-、-CON（R’）-、-OCO-、-CONHCO-或-CONHCS-，R’係表示氫原子或甲基。但，若La21 為-O-之情形，Ya21 不會成為-CO-，Ra21 係含內酯的環式基、含碳酸酯的環式基、或含-SO2 -的環式基］。 　　[0123] 前述式（a2-1）中，R係與前述為相同。 　　作為Ya21 的2價的連結基並無特別限定，可舉例可具有取代基的2價的烴基、包含雜原子的2價的連結基等作為適合者。 　　[0124] ・可具有取代基的2價的烴基： 　　若Ya21 為可具有取代基的2價的烴基時，該烴基可為脂肪族烴基、亦可為芳香族烴基。 　　[0125] ・・Ya21 中的脂肪族烴基 　　該脂肪族烴基係指不具有芳香族性的烴基之意。該脂肪族烴基可為飽和、亦可為不飽和，通常係以飽和為較佳。 　　作為前述脂肪族烴基，可舉例直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基、或構造中包含環的脂肪族烴基等。 　　[0126] ・・・直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基 　　該直鏈狀的脂肪族烴基，以碳數為1~10為較佳，以1~6為又較佳，以1~4為更佳，以1~3為最佳。 　　作為直鏈狀的脂肪族烴基，以直鏈狀的伸烷基為較佳，具體而言可舉例亞甲基[-CH2 -]、伸乙基[-(CH2 )2 -]、三亞甲基[-(CH2 )3 -]、四亞甲基[-(CH2 )4 -]、五亞甲基[-(CH2 )5 -]等。 　　該分支鏈狀的脂肪族烴基，以碳數為3~10為較佳，以3~6為又較佳，以3或4為更佳，以3為最佳。 　　作為分支鏈狀的脂肪族烴基，以分支鏈狀的伸烷基為較佳，具體而言可舉例-CH(CH3 )-、-CH(CH2 CH3 )-、 -C(CH3 )2 -、-C(CH3 )(CH2 CH3 )-、-C(CH3 )(CH2 CH2 CH3 )-、 -C(CH2 CH3 )2 -等的烷基亞甲基；-CH(CH3 )CH2 -、 -CH(CH3 )CH(CH3 )-、-C(CH3 )2 CH2 -、-CH(CH2 CH3 )CH2 -、 -C(CH2 CH3 )2 -CH2 -等的烷基伸乙基；-CH(CH3 )CH2 CH2 -、 -CH2 CH(CH3 )CH2 -等的烷基三亞甲基； -CH(CH3 )CH2 CH2 CH2 -、-CH2 CH(CH3 )CH2 CH2 -等的烷基四亞甲基等的烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中的烷基，以碳數1~5的直鏈狀的烷基為較佳。 　　[0127] 前述直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基可具有取代基、亦可不具有取代基。作為該取代基，可舉例氟原子、被氟原子所取代的碳數1~5的氟化烷基、羰基等。 　　[0128] ・・・構造中包含環的脂肪族烴基 　　作為該構造中包含環的脂肪族烴基，可舉例：環構造中可包含含雜原子的取代基的環狀的脂肪族烴基（由脂肪族烴環中除去2個氫原子而成的基）；前述環狀的脂肪族烴基鍵結於直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基的末端而成的基；前述環狀的脂肪族烴基介隔於直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基的途中而成的基等。作為前述直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基，可舉例與前述為相同內容。 　　環狀的脂肪族烴基，以碳數為3~20為較佳，以3~12為又較佳。 　　環狀的脂肪族烴基可為多環式基、亦可為單環式基。作為單環式的脂環式烴基，以由單環烷烴中除去2個氫原子而成的基為較佳。作為該單環烷烴係以碳數3~6者為較佳，具體而言可舉例環戊烷、環己烷等。作為多環式的脂環式烴基，以由多環烷烴中除去2個氫原子而成的基為較佳，作為該多環烷烴係以碳數7~12者為較佳，具體而言可舉例金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。 　　[0129] 環狀的脂肪族烴基可具有取代基、亦可不具有取代基。作為該取代基可舉例烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基等。 　　作為前述取代基的烷基，以碳數1~5的烷基為較佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基為最佳。 　　作為前述取代基的烷氧基，以碳數1~5的烷氧基為較佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基為較佳，以甲氧基、乙氧基為最佳。 　　作為前述取代基的鹵素原子，可舉例氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，以氟原子為較佳。 　　作為前述取代基的鹵化烷基，可舉例前述烷基的氫原子的一部分或全部被前述鹵素原子所取代的基。 　　環狀的脂肪族烴基係構成該環構造的碳原子的一部分可被含雜原子的取代基所取代。作為該含雜原子的取代基，以-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)2 -、-S(=O)2 -O-為較佳。 　　[0130] ・・Ya21 中的芳香族烴基 　　該芳香族烴基係具有至少1個芳香環的烴基。 　　該芳香環只要是具有4n+2個的π電子的環狀共軛系即可並無特別限定，可為單環式亦可為多環式。芳香環的碳數係以5~30為較佳，以5~20為又較佳，以6~15為更佳，以6~12為特佳。但，該碳數不包含取代基中的碳數。作為芳香環，具體而言可舉例：苯、萘、蒽、菲等的芳香族烴環；構成前述芳香族烴環的碳原子的一部分被雜原子所取代的芳香族雜環等。作為芳香族雜環中的雜原子，可舉例氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體而言可舉例吡啶環、噻吩環等。 　　作為芳香族烴基，具體而言可舉例：由前述芳香族烴環或芳香族雜環中除去2個氫原子而成的基（伸芳基或雜伸芳基）；由包含2以上的芳香環的芳香族化合物（例如聯苯、茀等）中除去2個氫原子而成的基；由前述芳香族烴環或芳香族雜環中除去1個氫原子而成的基（芳基或雜芳基）之氫原子的1個被伸烷基所取代的基（例如由苄基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等的芳烷基的芳基中進而除去1個氫原子而成的基）等。鍵結於前述芳基或雜芳基的伸烷基的碳數係以1~4為較佳，以1~2為又較佳，以1為特佳。 　　[0131] 前述芳香族烴基係該芳香族烴基所具有的氫原子亦可被取代基所取代。例如鍵結於該芳香族烴基中的芳香環的氫原子亦可被取代基所取代。作為該取代基，可舉例如烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基等。 　　作為前述取代基的烷基，以碳數1~5的烷基為較佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基為最佳。 　　作為前述取代基的烷氧基、鹵素原子及鹵化烷基，可舉例作為取代前述環狀的脂肪族烴基所具有的氫原子的取代基而示例者。 　　[0132] ・包含雜原子的2價的連結基： 　　若Ya21 為包含雜原子的2價的連結基時，作為該連結基的較佳者可舉例：-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、 -O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-（H係亦可被烷基、醯基等的取代基所取代）、-S-、-S(=O)2 -、 -S(=O)2 -O-、一般式-Y21 -O-Y22 -、-Y21 -O-、-Y21 -C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y21 -、-[Y21 -C(=O)-O]m” -Y22 -、 -Y21 -O-C(=O)-Y22 -或-Y21 -S(=O)2 -O-Y22 -所表示的基[式中，Y21 及Y22 係分別獨立為可具有取代基的2價的烴基，O係氧原子，m”係0~3的整數]等。 　　若包含前述雜原子的2價的連結基為-C(=O)-NH-、 -C(=O)-NH-C(=O)-、-NH-、-NH-C(=NH)-時，該H係亦可被烷基、醯基等的取代基所取代。該取代基（烷基、醯基等）係以碳數為1~10為較佳，以1~8為更佳，以1~5為特佳。 　　一般式-Y21 -O-Y22 -、-Y21 -O-、-Y21 -C(=O)-O-、 -C(=O)-O-Y21 -、-[Y21 -C(=O)-O]m” -Y22 -、 -Y21 -O-C(=O)-Y22 -或-Y21 -S(=O)2 -O-Y22 -中，Y21 及Y22 係分別獨立為可具有取代基的2價的烴基。作為該2價的烴基，可舉例與作為前述2價的連結基之說明而舉例（可具有取代基的2價的烴基）為相同內容。 　　作為Y21 係以直鏈狀的脂肪族烴基為較佳，以直鏈狀的伸烷基為又較佳，以碳數1~5的直鏈狀的伸烷基為更佳，以亞甲基或伸乙基為特佳。 　　作為Y22 係以直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基為較佳，以亞甲基、伸乙基或烷基亞甲基為又較佳。該烷基亞甲基中的烷基，以碳數1~5的直鏈狀的烷基為較佳，以碳數1~3的直鏈狀的烷基為又較佳，以甲基為最佳。 　　式-[Y21 -C(=O)-O]m” -Y22 -所表示的基中，m”係0~3的整數，以0~2的整數為較佳，以0或1為又較佳，以1為特佳。意即，作為式-[Y21 -C(=O)-O]m” -Y22 -所表示的基，以式 -Y21 -C(=O)-O-Y22 -所表示的基為特佳。其中，以式 -(CH2 )a’ -C(=O)-O-（CH2 ）b’ -所表示的基為較佳。該式中，a’係1~10的整數，以1~8的整數為較佳，以1~5的整數為又較佳，以1或2為更佳，以1為最佳。b’係1~10的整數，以1~8的整數為較佳，以1~5的整數為又較佳，以1或2為更佳，以1為最佳。 　　[0133] 作為Ya21 係以單鍵、酯鍵結[-C(=O)-O-]、醚鍵結（-O-）、直鏈狀或分支鏈狀的伸烷基、或該等的組合為較佳。 　　[0134] 前述式（a2-1）中，Ra21 係含內酯的環式基、含-SO2 -的環式基或含碳酸酯的環式基。 　　作為Ra21 中的含內酯的環式基、含-SO2 -的環式基、含碳酸酯的環式基，分別可適合舉例：前述一般式（a2-r-1）~（a2-r-7）所分別表示的基、一般式（a5-r-1）~（a5-r-4）所分別表示的基、一般式（ax3-r-1）~（ax3-r-3）所分別表示的基。 　　其中，以含內酯的環式基或含-SO2 -的環式基為較佳，以前述一般式（a2-r-1）、（a2-r-2）、（a2-r-6）或（a5-r-1）所分別表示的基為又較佳。具體而言，以前述化學式（r-lc-1-1）~（r-lc-1-7）、（r-lc-2-1）~（r-lc-2-18）、（r-lc-6-1）、（r-sl-1-1）、（r-sl-1-18）所分別表示的任一之基為又較佳。 　　[0135] （A1）成分所具有的構成單位（a2）係可為1種，亦可為2種以上。 　　若（A1）成分具有構成單位（a2）時，構成單位（a2）的比例，相對於構成該（A1）成分的全構成單位的合計（100莫耳%）以1~80莫耳%為較佳，以10~70莫耳%為又較佳，以10~65莫耳%為更佳，以10~60莫耳%為特佳。 　　藉由將構成單位（a2）的比例設為較佳的下限值以上，可充分得到因含有構成單位（a2）所帶來的效果，另一方面，藉由設為較佳的上限值以下，則將可取得與其他的構成單位之間的平衡，而使各種的微影特性及圖型形狀將成為良好。 　　[0136] （構成單位（a3）） 　　構成單位（a3）係包含含極性基的脂肪族烴基的構成單位（但，不包括相當於上述之構成單位（a1）、（a2）者）。 （A1）成分係藉由具有構成單位（a3），而提高了（A1）成分之親水性，認為係有助於解析性之提升。 　　作為極性基，可舉例羥基、氰基、羧基、烷基的氫原子的一部分被氟原子所取代的羥基烷基等，特別是以羥基為較佳。 　　作為脂肪族烴基，可舉例碳數1~10的直鏈狀或分支鏈狀的烴基（較佳為伸烷基）、或環狀的脂肪族烴基（環式基）。作為該環式基可為單環式基亦可為多環式基，例如可由ArF準分子雷射用阻劑組成物用的樹脂中被多數提案者之基中適當選擇來使用。作為該環式基，以多環式基為較佳，碳數係以7~30為又較佳。 　　其中，以由包含脂肪族多環式基的丙烯酸酯所衍生的構成單位為又較佳，且該脂肪族多環式基係含有羥基、氰基、羧基、或烷基的氫原子的一部分被氟原子所取代的羥基烷基。作為該多環式基，可示例由雙環烷烴、三環烷烴、四環烷烴等中除去2個以上的氫原子而成的基等。具體而言可舉例由金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等的多環烷烴中除去2個以上的氫原子而成的基等。該等的多環式基之中，以由金剛烷中除去2個以上的氫原子而成的基、由降莰烷中除去2個以上的氫原子而成的基、由四環十二烷中除去2個以上的氫原子而成的基，就工業上而言為較佳。 　　[0137] 作為構成單位（a3），只要是包含含極性基的脂肪族烴基即可，並無特別限定可使用任意者。 　　作為構成單位（a3）係以由鍵結於α位的碳原子的氫原子可被取代基所取代的丙烯酸酯所衍生的構成單位，且包含含極性基的脂肪族烴基的構成單位為較佳。 　　作為構成單位（a3），若含極性基的脂肪族烴基中的烴基為碳數1~10的直鏈狀或分支鏈狀的烴基時，較佳為由丙烯酸的羥基乙酯所衍生的構成單位，若該烴基為多環式基時，較佳可舉例下述式（a3-1）所表示的構成單位、式（a3-2）所表示的構成單位、式（a3-3）所表示的構成單位。 　　[0138]［式中，R係與前述為相同，j係1~3的整數，k係1~3的整數，t’係1~3的整數，l係1~5的整數，s係1~3的整數］。 　　[0139] 式（a3-1）中，j係以1或2為較佳，以1為更佳。若j為2之情形，羥基以鍵結於金剛烷基的第3位與第5位者為較佳。若j為1之情形，羥基以鍵結於金剛烷基的第3位者為較佳。 　　J係以1為較佳，特別是羥基以鍵結於金剛烷基的第3位者為較佳。 　　[0140] 式（a3-2）中，k係以1為較佳。氰基，以鍵結於降莰基的第5位或第6位為較佳。 　　式（a3-3）中，t’係以1為較佳。l係以1為較佳。s係以1為較佳。該等係以在丙烯酸的羧基的末端鍵結2-降莰基或3-降莰基為較佳。氟化烷基醇係以鍵結於降莰基的5或第6位為較佳。 　　[0141] （A）成分所含有的構成單位（a3）係可為1種，亦可為2種以上。 　　若（A1）成分具有構成單位（a3）時，構成單位（a3）的比例，相對於構成該（A1）成分的全構成單位的合計（100莫耳%）以5~50莫耳%為較佳，以5~40莫耳%為又較佳，以5~25莫耳%為更佳。 　　藉由將構成單位（a3）的比例設為下限值以上，可充分得到因含有構成單位（a3）所帶來的效果，藉由設為上限值以下，則將容易取得與其他的構成單位之間的平衡。 　　[0142] ≪其他構成單位≫ 　　（A1）成分係亦可具有上述之構成單位（a10）、構成單位（a1）、構成單位（a2）、構成單位（a3）以外的其他構成單位。 　　作為其他構成單位，可舉例如：由苯乙烯所衍生的構成單位、由苯乙烯衍生物所衍生的構成單位（但，不包括相當於構成單位（a10）者）、下述一般式（a9-1）所表示的構成單位（a9）、包含酸非解離性的脂肪族環式基的構成單位等。 　　[0143] （構成單位（a9）） 　　構成單位（a9）係下述一般式（a9-1）所表示的構成單位。 　　[0144]［式中，R係氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Ya91 係單鍵或2價的連結基，Ya92 係2價的連結基，R91 係可具有取代基的烴基］。 　　[0145] 前述式（a9-1）中，R係與前述為相同。 　　作為R係以氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的氟化烷基為較佳，就工業上之取得容易度而言，以氫原子或甲基為特佳。 　　[0146] 前述式（a9-1）中，Ya91 中的2價的連結基係可舉例與上述一般式（a2-1）中的Ya21 的2價的連結基為相同內容。Ya91 係以單鍵為較佳。 　　[0147] 前述式（a9-1）中，Ya92 中的2價的連結基係可舉例與上述一般式（a2-1）中的Ya21 的2價的連結基為相同內容。 　　Ya92 中的2價的連結基中，作為可具有取代基的2價的烴基，以直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基為較佳。 　　上述直鏈狀的脂肪族烴基，以碳數1~10為較佳，以1~6為又較佳，以1~4為更佳，以1~3為最佳。作為直鏈狀的脂肪族烴基，以直鏈狀的伸烷基為較佳，具體而言可舉例亞甲基[-CH2 -]、伸乙基[-(CH2 )2 -]、三亞甲基[-(CH2 )3 -]、四亞甲基[-(CH2 )4 -]、五亞甲基[-(CH2 )5 -]等。 　　上述分支鏈狀的脂肪族烴基，以碳數3~10為較佳，以3~6為又較佳，以3或4為更佳，以3為最佳。作為分支鏈狀的脂肪族烴基，以分支鏈狀的伸烷基為較佳，具體而言可舉例-CH(CH3 )-、-CH(CH2 CH3 )-、-C(CH3 )2 -、 -C(CH3 )(CH2 CH3 )-、-C(CH3 )(CH2 CH2 CH3 )-、-C(CH2 CH3 )2 -等的烷基亞甲基；-CH(CH3 )CH2 -、-CH(CH3 )CH(CH3 )-、 -C(CH3 )2 CH2 -、-CH(CH2 CH3 )CH2 -、-C(CH2 CH3 )2 -CH2 -等的烷基伸乙基；-CH(CH3 )CH2 CH2 -、-CH2 CH(CH3 )CH2 -等的烷基三亞甲基；-CH(CH3 )CH2 CH2 CH2 -、 -CH2 CH(CH3 )CH2 CH2 -等的烷基四亞甲基等的烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中的烷基，以碳數1~5的直鏈狀的烷基為較佳。 　　[0148] 又，Ya92 中的2價的連結基中，作為可具有雜原子的2價的連結基，可舉例-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、 -O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-（H係亦可被烷基、醯基等的取代基所取代）、-S-、-S(=O)2 -、 -S(=O)2 -O-、-C(=S)-、一般式-Y21 -O-Y22 -、-Y21 -O-、 -Y21 -C(=O)-O-、-C(=O)-O--Y21 、[Y21 -C(=O)-O]m’ -Y22 -或 -Y21 -O-C(=O)-Y22 -所表示的基[式中，Y21 及Y22 係分別獨立為可具有取代基的2價的烴基，O係氧原子，m’係0~3的整數]等。其中，以-C(=O)-、-C（=S）-為較佳。 　　[0149] 前述式（a9-1）中，作為R91 中的烴基可舉例烷基、1價的脂環式烴基、芳基、芳烷基等。 　　R91 中的烷基，以碳數1~8為較佳，以碳數1~6為又較佳，以碳數1~4為更佳，且可為直鏈狀亦可為分支鏈狀。具體而言可舉例甲基、乙基、丙基、丁基、己基、辛基等來作為較佳者。 　　R91 中的1價的脂環式烴基，以碳數3~20為較佳，以碳數3~12為又較佳，且可為多環式亦可為單環式。作為單環式的脂環式烴基，以由單環烷烴中除去1個以上的氫原子而成的基為較佳。作為該單環烷烴係以碳數3~6者為較佳，具體而言可舉例環丁烷、環戊烷、環己烷等。作為多環式的脂環式烴基，以由多環烷烴中除去1個以上的氫原子而成的基為較佳，作為該多環烷烴係以碳數7~12者為較佳，具體而言可舉例金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。 　　R91 中的芳基，以碳數6~18者為較佳，以碳數6~10者為又較佳，具體而言以苯基為特佳。 　　作為R91 中的芳烷基，以碳數1~8的伸烷基與上述「R91 中的芳基」鍵結的芳烷基為較佳，以碳數1~6的伸烷基與上述「R91 中的芳基」鍵結的芳烷基為又較佳，以碳數1~4的伸烷基與上述「R91 中的芳基」鍵結的芳烷基為特佳。 　　R91 中的烴基，以該烴基的氫原子的一部分或全部被氟原子所取代為較佳，以該烴基的氫原子的30~100%被氟原子所取代為又較佳。其中，以上述之烷基的氫原子的全部被氟原子所取代的全氟烷基為特佳。 　　[0150] R91 中的烴基係可具有取代基。作為該取代基，可舉例鹵素原子、側氧基(=O)、羥基(-OH)、胺基( -NH2 )、-SO2 -NH2 等。又，構成該烴基的碳原子的一部分可被含雜原子的取代基所取代。作為該含雜原子的取代基，可舉例-O-、-NH-、-N=、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)2 -、-S(=O)2 -O-。 　　R91 中，作為具有取代基的烴基，可舉例前述一般式（a2-r-1）~（a2-r-7）所分別表示的含內酯的環式基。 　　[0151] 又，R91 中，作為具有取代基的烴基，亦可舉例前述一般式（a5-r-1）~（a5-r-4）所分別表示的含-SO2 -的環式基；下述化學式所表示的取代芳基、1價的雜環式基等。 　　[0152][0153] 構成單位（a9）之中，以下述一般式（a9-1-1）所表示的構成單位為較佳。 　　[0154]［式中，R係與前述為相同，Ya91 係單鍵或2價的連結基，R91 係可具有取代基的烴基，R92 係氧原子或硫原子］。 　　[0155] 一般式（a9-1-1）中，關於Ya91 、R91 、R之說明係與前述為相同。又，R92 係氧原子或硫原子。 　　[0156] 於以下表示前述式（a9-1）或一般式（a9-1-1）所表示的構成單位之具體例。下述式中，Rα係表示氫原子、甲基或三氟甲基。 　　[0157][0158][0159][0160] （A1）成分所含有的構成單位（a9）係可為1種，亦可為2種以上。 　　若（A1）成分具有構成單位（a9）時，構成單位（a9）的比例，相對於構成該（A1）成分的全構成單位的合計（100莫耳%）以1~40莫耳%為較佳，以3~30莫耳%為又較佳，以10~30莫耳%為特佳。 　　藉由將構成單位（a9）的比例設為下限值以上，顯影特性或EL寬容度等的微影特性將會提升，藉由設為上限值以下，則將容易取得與其他的構成單位之間的平衡。 　　[0161] （A1）成分係以具有構成單位（a10）及構成單位（a1）的共聚物為較佳，以具有構成單位（a10）、構成單位（a1）、構成單位（a2）及構成單位（a3）的共聚物為又較佳。 　　[0162] （A）成分係可將衍生各構成單位的單體，藉由使用例如偶氮雙異丁腈（AIBN）、偶氮雙異丁酸二甲酯般的自由基聚合起始劑，依周知的自由基聚合等使其聚合從而可得到。 　　又，於上述聚合時，（A1）成分可藉由併用例如HS-CH2 -CH2 -CH2 -C(CF3 )2 -OH般的鏈轉移劑來使用，而於末端導入-C(CF3 )2 -OH基。如此般地，導入烷基的氫原子的一部分被氟原子所取代的羥基烷基而成的共聚物，對於顯影缺陷的降低或LER（線邊緣粗糙度：線側壁之不均勻的凹凸）的降低為有效。 　　[0163] 本發明中，（A）成分之重量平均分子量（Mw）（凝膠滲透層析法之聚苯乙烯換算基準）並無特別限定，以1000~50000為較佳，以1500~30000為又較佳，以2000~20000為最佳。若為該範圍的上限值以下時，作為阻劑使用時對於阻劑溶劑具有充分之溶解性，若為該範圍的下限值以上時，則耐乾蝕刻性或阻劑圖型斷面形狀將為良好。 　　[0164] 本發明的阻劑組成物中，（A）成分係可使用單獨1種、或亦可併用2種以上來使用。 　　本發明的阻劑組成物中，（A）成分的含有量係可因應所欲形成的阻劑膜厚等來做調整即可。 　　[0165] ≪氟添加劑成分；（F）成分≫ 　　（F）成分係包含氟樹脂成分（F1）（以下有時稱為「（F1）成分」），該（F1）成分係具有對於鹼顯影液展現出分解性、且包含鹼解離性基的構成單位（f1）。 　　[0166] （構成單位（f1）） 　　構成單位（f1）係包含鹼解離性基的構成單位。 　　本發明中，所謂的「鹼解離性基」，係指經由鹼之作用而能夠解離的有機基。作為鹼，一般而言可舉例於微影領域中所使用的鹼顯影液。即，「鹼解離性基」係經由鹼顯影液（例如2.38質量%的氫氧化四甲銨（TMAH）水溶液（23℃））之作用而解離的基。 　　鹼解離性基係因為經由鹼顯影液之作用而產生水解來進行解離。因此，該鹼解離性基進行解離之同時將形成親水基，（F）成分的親水性將提高，對於鹼顯影液之親和性將會適度地提升。 　　[0167] 作為鹼解離性基之具體例，可舉例如下述一般式（II-1）~（II-5）所分別表示的基。 　　本發明中，鹼解離性基係以選自由下述一般式（II-1）~（II-5）所分別表示的基所成群之至少1種為較佳，於顯影時成為親水性的特性為優異、且就合成為容易之點而言，以下述一般式（II-1）、（II-4）、（II-5）所分別表示的基為特佳。 　　[0168]［式中，R0 係分別獨立為可具有氟原子的有機基］。 　　[0169] 式（II-1）~（II-5）中，R0 係可具有氟原子的有機基。 　　「有機基」係包含至少1個碳原子的基。 　　R0 的構造係可任意為直鏈狀、分支鏈狀、或環狀，以直鏈狀或分支鏈狀為較佳。 　　R0 中，有機基的碳數係以1~20為較佳，以碳數1~15為又較佳，以碳數1~10為特佳，以1~5為最佳。 　　R0 係以氟化率為25%以上為較佳，以50%以上為又較佳，以60%以上為特佳。 　　「氟化率」係相對於該有機基中（氫原子及氟原子的合計數）的（氟原子數）的比例（%）。 　　[0170] 作為R0 ，較佳可舉例如甲基、乙基、可具有取代基的氟化烴基。 　　[0171] 關於R0 中的可具有取代基的氟化烴基，烴基可為脂肪族烴基、亦可為芳香族烴基，但以脂肪族烴基為較佳。 　　脂肪族烴基係不具有芳香族性的烴基。脂肪族烴基可任意為飽和、不飽和，但通常係以飽和為較佳。 　　即，作為R0 係以氟化飽和烴基或氟化不飽和烴基為較佳，以氟化飽和烴基（即，氟化烷基）為特佳。 　　作為氟化烷基，可舉例於下述例舉的未取代的烷基的氫原子的一部分或全部被氟原子所取代的基。氟化烷基可為未取代的烷基的氫原子的一部分被氟原子所取代的基，亦可為未取代的烷基的氫原子的全部被氟原子所取代的基（全氟烷基）。 　　[0172] 作為未取代的烷基，可任意為直鏈狀、分支鏈狀或環狀，又，可以是直鏈狀或分支鏈狀的烷基與環狀烷基之組合。 　　作為未取代的直鏈狀的烷基，以碳數1~10為較佳，以碳數1~8為又較佳。具體而言可舉例如甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基、n-壬基、n-癸基等。 　　作為未取代的分支鏈狀的烷基，以碳數3~10為較佳，以碳數3~8為又較佳。作為分支鏈狀的烷基，以第三級烷基為較佳。 　　作為未取代的環狀的烷基，可舉例如由單環烷烴、或雙環烷烴、三環烷烴、四環烷烴等的多環烷烴中除去1個氫原子而成的基。具體而言可舉例環戊基、環己基等的單環烷基；金剛烷基、降莰基、異莰基、三環癸基、四環十二烷基等的多環烷基等。 　　作為未取代的直鏈狀或分支鏈狀的烷基與環狀烷基之組合，可舉例：於直鏈狀或分支鏈狀的烷基鍵結作為取代基的環狀的烷基而成的基；於環狀的烷基鍵結作為取代基的直鏈狀或分支鏈狀的烷基而成的基等。 　　[0173] 作為氟化烴基可具有的取代基，可舉例碳數1~5的烷基等。 　　[0174] R0 中，作為氟化烷基，以直鏈狀或分支鏈狀的氟化烷基為較佳。特別是以下述一般式（III-1）或（III-2）所表示的基為較佳，其中，以式（III-1）所表示的基為又較佳。 　　[0175]［式（III-1）中，R41 ’係未取代的碳數1~9的伸烷基，R42 ’係碳數1~9的氟化烷基。但，R41 ’與R42 ’的碳數的合計為10以下，又，式（III-2）中，R74 ~R76 係分別獨立為碳數1~5的直鏈狀的烷基，R74 ~R76 之至少1個係具有氟原子的烷基］。 　　[0176] 式（III-1）中，R41 ’的伸烷基可任意為直鏈狀、分支鏈狀、或環狀，以直鏈狀或分支鏈狀為較佳。又，該碳數係以1~5為較佳。 　　作為R41 ’係特別是以亞甲基、伸乙基、伸丙基為較佳。 　　作為R42 ’係以碳數1~5的直鏈狀或分支鏈狀的氟化烷基為較佳，特別是以全氟烷基為較佳。其中，以三氟甲基(-CF3 )、四氟乙基(-C2 F4 H)、-C2 F5 為較佳。 　　式（III-2）中，作為R74 ~R76 的烷基，以乙基或甲基為較佳，特別是以甲基為較佳，R74 ~R76 的烷基之中，只要任一個為氟化烷基即可、亦可全部為氟化烷基。 　　[0177] 本發明中，（F1）成分係較佳具有下述一般式（f1-1）所表示的構成單位、或下述一般式（f1-2）所表示的構成單位來作為構成單位（f1）。 　　[0178]［式中，R係分別獨立為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，X係不具有酸解離性部位的2價的連結基，Aaryl 係可具有取代基的2價的芳香族環式基，X01 係單鍵或2價的連結基，R2 係分別獨立為具有氟原子之有機基］。 　　[0179] 前述一般式（f1-1）及（f1-2）中，R係與前述為相同。 　　前述一般式（f1-1）中，X係不具有酸解離性部位的2價的連結基。 　　所謂的「酸解離性部位」係指於該有機基内經曝光而產生的酸發揮作用並進行解離之部位。 　　作為X的不具有酸解離性部位的2價的連結基，可舉例可具有取代基的2價的烴基、包含雜原子的2價的連結基等。 　　[0180] （可具有取代基的烴基） 　　所謂的烴基為「具有取代基」，係指於該烴基中的氫原子的一部分或全部被氫原子以外的基或原子所取代之意。 　　烴基可為脂肪族烴基、亦可為芳香族烴基。 　　脂肪族烴基係不具有芳香族性的烴基之意。上述脂肪族烴基可為飽和、亦可為不飽和，通常係以飽和為較佳。 　　[0181] 作為脂肪族烴基，更具體而言可舉例直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基、構造中包含環的脂肪族烴基等。 　　[0182] 直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基，以碳數為1~10為較佳，以1~8為又較佳，以1~5為更佳，以1~3為特佳，以2為最佳。 　　作為直鏈狀的脂肪族烴基，以直鏈狀的伸烷基為較佳，具體而言可舉例亞甲基、伸乙基[-(CH2 )2 -]、三亞甲基[-(CH2 )3 -]、四亞甲基[-(CH2 )4 -]、五亞甲基[-(CH2 )5 -]等。 　　作為分支鏈狀的脂肪族烴基，以分支鏈狀的伸烷基為較佳，具體而言可舉例-CH(CH3 )-、-CH(CH2 CH3 )-、 -C(CH3 )2 -、-C(CH3 )(CH2 CH3 )-、-C(CH3 )(CH2 CH2 CH3 )-、 -C(CH2 CH3 )2 -等的烷基亞甲基；-CH(CH3 )CH2 -、 -CH(CH3 )CH(CH3 )-、-C(CH3 )2 CH2 -、-CH(CH2 CH3 )CH2 -、 -CH(CH2 CH3 )CH2 -等的烷基伸乙基；-CH(CH3 )CH2 CH2 -、 -CH2 CH(CH3 )CH2 -等的烷基三亞甲基； -CH(CH3 )CH2 CH2 CH2 -、-CH2 CH(CH3 )CH2 CH2 -等的烷基四亞甲基等的烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中的烷基，以碳數1~5的直鏈狀的烷基為較佳。 　　鏈狀（直鏈狀、分支鏈狀）的脂肪族烴基可具有取代基、亦可不具有取代基。作為該取代基，可舉例氟原子、被氟原子所取代的碳數1~5的氟化低階烷基、氧原子(=O)等。 　　[0183] 作為包含環的脂肪族烴基，可舉例：環狀的脂肪族烴基（由脂肪族烴環中除去2個氫原子而成的基）；該環狀的脂肪族烴基鍵結於前述鏈狀的脂肪族烴基的末端、或介隔於鏈狀的脂肪族烴基的途中而成的基等。 　　環狀的脂肪族烴基，以碳數為3~20為較佳，以3~12為又較佳。 　　環狀的脂肪族烴基可為多環式基、亦可為單環式基。作為單環式基，以由碳數3~6的單環烷烴中除去2個氫原子而成的基為較佳，作為該單環烷烴係可示例環戊烷、環己烷等。 　　作為多環式基，以由碳數7~12的多環烷烴中除去2個氫原子而成的基為較佳，作為該多環烷烴，具體而言可舉例金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。 　　環狀的脂肪族烴基可具有取代基、亦可不具有取代基。作為取代基，可舉例碳數1~5的低階烷基、氟原子、被氟原子所取代的碳數1~5的氟化低階烷基、氧原子(=O)等。 　　[0184] 作為芳香族烴基，可舉例如：由苯基、聯苯（biphenyl）基、茀基（fluorenyl）基、萘基、蒽（anthryl）基、菲基等的1價的芳香族烴基的芳香族烴的核中進而除去1個氫原子而成的2價的芳香族烴基； 　　構成該2價的芳香族烴基的環的碳原子的一部分被氧原子、硫原子、氮原子等的雜原子所取代的芳香族烴基； 　　苄基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等的芳烷基等且由該芳香族烴的核中進而除去1個氫原子而成的芳香族烴基等。 　　其中，以前述2價的芳香族烴基為較佳，以由苯基中進而除去1個氫原子而成的芳香族烴基、由萘基中進而除去1個氫原子而成的芳香族烴基為特佳。 　　前述芳烷基中的烷基鏈的碳數係以1~4為較佳，以1~2為又較佳，以1為特佳。 　　芳香族烴基可具有取代基、亦可不具有取代基。作為取代基，可舉例碳數1~5的低階烷基、氟原子、被氟原子所取代的碳數1~5的氟化低階烷基、氧原子(=O)等。 　　[0185] 上述中，作為可具有取代基的烴基，以直鏈狀、分支鏈狀或環狀的脂肪族烴基、2價的芳香族烴基為又較佳，以由亞甲基、伸乙基、-CH(CH3 )-、四環十二烷基中進而除去1個氫原子而成的基、由苯基中進而除去1個氫原子而成的芳香族烴基為特佳。 　　[0186] （包含雜原子的2價的連結基） 　　所謂的雜原子係指碳原子及氫原子以外的原子，可舉例如氧原子、氮原子、硫原子、鹵素原子等。 　　作為包含雜原子的2價的連結基，可舉例如-O-、 -C(=O)-、-C(=O)-O-、碳酸酯鍵結(-O-C(=O)-O-)、-NH-、-NR04 (R04 係烷基)-、-NH-C(=O)-、=N-、或「該等的基」與2價的烴基之組合等。 　　作為2價的烴基，可舉例與上述可具有取代基的烴基為相同內容，以直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基為較佳。 　　其中，作為包含雜原子的2價的連結基，以前述「該等的基」與2價的烴基之組合為又較佳，具體而言，以前述「該等的基」與上述脂肪族烴基之組合、上述脂肪族烴基與前述「該等的基」與上述脂肪族烴基之組合為特佳。 　　[0187] 前述一般式（f1-2）中，Aaryl 係可具有取代基的2價的芳香族環式基。作為Aaryl ，具體而言可舉例由可具有取代基的芳香族烴環中除去2個氫原子而成的基。 　　作為Aaryl 中的芳香族環式基的環骨架係以碳數為6~15為較佳，可舉例如苯環、萘環、菲環、蒽環等。該等之中，以苯環或萘環為特佳。 　　Aaryl 中，作為芳香族環式基可具有的取代基，可舉例如鹵素原子、烷基、烷氧基、碳數1~5的鹵化烷基、氧原子(=O)等。作為鹵素原子，可舉例氟原子、氯原子、碘原子、溴原子等。作為Aaryl 的芳香族環式基可具有的取代基，以氟原子為較佳。 　　作為Aaryl 的芳香族環式基，可為不具有取代基者、亦可為具有取代基者，以不具有取代基者為較佳。 　　Aaryl 中，若芳香族環式基為具有取代基者時，取代基的數目係可為1個、或亦可為2個以上，以1個或2個為較佳，以1個為又較佳。 　　[0188] 前述一般式（f1-2）中，X01 係單鍵或二價的連結基。作為二價的連結基，可舉例碳數1~10的伸烷基、-O-、-C(=O)-、-C(=O)-O-、碳酸酯鍵結(-O-C(=O)-O-)、 -NH-C(=O)-、或該等的組合等，以-O-與碳數1~10的伸烷基之組合為最佳。 　　作為碳數1~10的伸烷基，可舉例直鏈狀、分支鏈狀或環狀的伸烷基，以碳數1~5的直鏈狀或分支鏈狀的伸烷基、碳數4~10的環狀的伸烷基為較佳。 　　[0189] 前述一般式（f1-1）所表示的構成單位之中作為適合者，可舉例下述一般式（f1-11）~（f1-15）所表示的構成單位。 　　又，前述一般式（f1-2）所表示的構成單位之中作為適合者，可舉例下述一般式（f1-21）~（f1-27）所表示的構成單位。 　　[0190][0191][0192][0193][0194] 前述一般式（f1-11）~（f1-14）、（f1-21）~（f1-24）、（f1-25）~（f1-27）中，R及R2 係分別與前述為相同；R51 ~R52 係分別獨立為碳數1~10的烷基；R53 ~R54 係分別獨立為氫原子或碳數1~10的烷基；a1、a2、a3、a5、a7、a9、及a11~a13係分別獨立為1~5的整數；a4、a6、a8、及a10係分別獨立為0~5的整數；a14~a16係0~5的整數；b1~b5係分別獨立為0或1；R5 係取代基、e係0~2的整數。 　　式（f1-11）~（f1-14）、（f1-21）~（f1-24）、（f1-25）~（f1-27）中，作為R係以氫原子或甲基為較佳。 　　式（f1-11）中，a1係以1~3的整數為較佳，以1或2為又較佳。 　　式（f1-12）中，a2、a3係分別獨立以1~3的整數為較佳，以1或2為又較佳。 　　式（f1-13）中，a4係以0~3的整數為較佳，以0~2的整數為又較佳，以0或1為最佳。 　　a5係以1~3的整數為較佳，以1或2為又較佳。 　　作為R5 的取代基，可舉例如鹵素原子、碳數1~5的烷基、碳數1~5的烷氧基、碳數1~5的鹵化烷基、氧原子(=O)等。作為碳數1~5的烷基，可舉例與前述R中所舉例的碳數1~5的烷基為相同內容。作為鹵素原子，可舉例氟原子、氯原子、碘原子、溴原子等。作為碳數1~5的鹵化烷基，可舉例與前述R所舉例的碳數1~5的鹵化烷基為相同內容。 　　e係以0或1為較佳，特別是工業上以0為較佳。b2係以0為較佳。 　　式（f1-14）中，a6係以0~3的整數為較佳，以0~2的整數為又較佳，以0或1為最佳。 　　a7係以1~3的整數為較佳，以1或2為又較佳。 　　b3係以0為較佳。 　　R5 及e係分別與前述為相同。 　　[0195] 式（f1-21）中，a8係以0~3的整數為較佳，以0~2的整數為又較佳，以0或1為最佳。 　　a9係以1~3的整數為較佳，以1或2為又較佳。 　　b4係以0為較佳。 　　R5 及e係分別與前述為相同。 　　式（f1-22）中，a10係以0~3的整數為較佳，以0~2的整數為又較佳，以0或1為最佳。 　　a11係以1~3的整數為較佳，以1或2為又較佳。 　　b5係以0為較佳。 　　R5 及e係分別與前述為相同。 　　式（f1-23）中，a12係以1~3的整數為較佳，以1或2為又較佳。 　　R5 及e係分別與前述為相同。 　　式（f1-24）中，a13係以1~3的整數為較佳，以1或2為又較佳。 　　R5 及e係分別與前述為相同。 　　式（f1-25）~（f1-27）中，a14、a15、a16係分別以0~3為較佳，以0~2為又較佳，以0或1為最佳。 　　R51 ~R52 係分別獨立以直鏈、分支鏈狀或環狀的碳數1~10的烷基為較佳，可舉例甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、tert-戊基、環戊基、環己基、環辛基、降莰基、異莰基、三環癸基、金剛烷基、四環十二烷基等，該等之中以碳數1~6為又較佳，以碳數1~4為特佳，以甲基或乙基為最佳。 　　R53 ~R54 係分別獨立以氫原子或直鏈、分支鏈狀或環狀的碳數1~10的烷基為較佳。作為R53 ~R54 中的直鏈、分支鏈狀或環狀的碳數1~10的烷基係與前述R51 ~R52 為相同。 　　式（f1-26）~（f1-27）中，R5 及e係分別與前述為相同。 　　[0196] 前述式（f1-15）中，RC 係氫原子或甲基。 　　前述式（f1-15）中，Rf1 ~Rf2 係分別獨立為氫原子、碳數1~4的烷基或碳數1~4的氟化烷基。 　　Rf1 ~Rf2 中的碳數1~4的烷基可任意為直鏈狀、分支鏈狀或環狀，以直鏈狀或分支鏈狀的烷基為較佳，具體而言可舉例甲基、乙基作為適合者，以乙基為特佳。 　　Rf1 ~Rf2 中的碳數1~4的氟化烷基係碳數1~4的烷基中的氫原子的一部分或全部被氟原子所取代的基。該氟化烷基中，未被氟原子取代的狀態的烷基可任意為直鏈狀、分支鏈狀或環狀，可舉例與上述「Rf1 ~Rf2 中的碳數1~4的烷基」為相同內容。 　　上述中，Rf1 ~Rf2 係以氫原子或碳數1~4的烷基為較佳，以Rf1 ~Rf2 的一方為氫原子且另一方為碳數1~4的烷基為特佳。 　　[0197] 前述式（f1-15）中，Rf3 係氟原子或碳數1~4的氟化烷基。 　　Rf3 中的碳數1~4的氟化烷基係可舉例與上述「Rf1 ~Rf2 中的碳數1~4的氟化烷基」為相同內容，以碳數1~3為較佳，以碳數為1~2為又較佳。 　　Rf3 的氟化烷基中，相對於該氟化烷基中所包含的氟原子與氫原子的合計數，氟原子之數的比例（氟化率（%））以30~100%為較佳，以50~100%為又較佳。該氟化率越高，則阻劑膜的疏水性將越高。 　　[0198] 前述式（f1-15）中，Rf4 係以碳數1~4的直鏈狀或分支鏈狀的烷基、或碳數1~4的直鏈狀的氟化烷基、碳數1~4的直鏈狀的烷基、碳數1~4的直鏈狀的氟化烷基為較佳。 　　作為Rf4 中的烷基，具體而言可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基，其中以甲基、乙基為較佳，以甲基為最佳。 　　作為Rf4 中的氟化烷基，具體而言可舉例如-CH2 -CF3 、-CH2 -CF2 -CF3 、-CH2 -CF2 -CF2 -CF3 作為適合者，其中以 -CH2 -CF3 為最佳。 　　[0199] 於以下表示上述一般式（f1-11）~（f1-15）、一般式（f1-21）~（f1-27）所表示的構成單位之具體例。 　　[0200][0201][0202][0203][0204][0205][0206][0207] 作為構成單位（f1），係以選自由前述一般式（f1-11）~（f1-15）及（f1-21）~（f1-24）之任一者所表示的構成單位所成之群之至少1種為較佳，以選自由前述一般式（f1-11）~（f1-13）、（f1-15）、（f1-21）及（f1-22）之任一者所表示的構成單位所成之群之至少1種為又較佳，以選自由前述一般式（f1-11）、（f1-15）及（f1-22）所表示的構成單位所成之群之至少1種為特佳。 　　[0208] （F）成分中，構成單位（f1）係可使用單獨1種、或亦可併用2種以上來使用。 　　（F）成分中，構成單位（f1）的比例，相對於構成（F）成分的全構成單位的合計（100莫耳%）以10~100莫耳%為較佳，以30~90莫耳%為又較佳，以55~85莫耳%為更佳。若構成單位（f1）的比例為前述範圍的下限值以上時，於阻劑圖型之形成中鹼顯影時將成為親水性，故可降低因為阻劑表面之附著物等而導致的缺陷產生。若構成單位（f1）的比例為前述範圍的上限值以下時，則將容易取得與其他的構成單位之間的平衡。 　　[0209] （構成單位（f2）） 　　除了構成單位（f1）外，（F1）成分進而可具有構成單位（f2），該構成單位（f2）係包含含內酯的環式基。 　　作為構成單位（f2）中的含內酯的環式基，可舉例與前述構成單位（a2）中的含內酯的環式基為相同內容。其中，作為構成單位（f2）係以具有下述一般式（f2-r-1）所表示的基的構成單位為較佳。 　　[0210]［式中，Rf21 係分別獨立為氫原子、烷基、烷氧基、羥基、羥基烷基或氰基，n”係0~2的整數，＊係鍵結鍵］。 　　[0211] 前述一般式（f2-r-1）中，作為Rf21 的烷基、烷氧基及羥基烷基，係與前述一般式（a2-r-1）~（a2-r-7）中的Ra’21 的烷基、烷氧基及羥基烷基為相同。 　　[0212] 作為前述一般式（f2-r-1）所表示的基，以下述一般式（f2-r-1-1）所表示的基為又較佳。 　　[0213]［式中，Rf21 係分別獨立為氫原子、烷基、烷氧基、羥基、羥基烷基或氰基，n”係0~2的整數，＊係鍵結鍵］。 　　前述一般式（f2-r-1-1）中，Rf21 及n”係與前述一般式（f2-r-1）中的Rf21 及n”為相同。 　　[0214] 作為構成單位（f2），其中，以由鍵結於α位的碳原子的氫原子可被取代基所取代的丙烯酸酯所衍生的構成單位為較佳。 　　上述構成單位（f2）係以下述一般式（f2-1）所表示的構成單位為較佳。 　　[0215]［式中，R係氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Ya21 係單鍵或2價的連結基，La21 係表示-O-、-COO-、-CON(R’)-、-OCO-、-CONHCO-或-CONHCS-，R’係表示氫原子或甲基，但，若La21 為-O-之情形，Ya21 不會成為-CO-，Rf21 係含內酯的環式基］。 　　[0216] 前述一般式（f2-1）中，R、Ya21 、La21 及R’係與前述一般式（a2-1）中的R、Ya21 、La21 及R’為相同。 　　前述一般式（f2-1）中，Rf21 係含內酯的環式基。作為Rf21 的含內酯的環式基，可舉例與前述構成單位（a2）中的含內酯的環式基為相同內容。其中，作為Rf21 的含內酯的環式基，以前述一般式（f2-r-1）所表示的基為較佳，以前述一般式（f2-r-1-1）所表示的基為又較佳。 　　[0217] （F1）成分所具有的構成單位（f2）係可為1種，亦可為2種以上。 　　若（F1）成分具有構成單位（f2）時，構成單位（f2）的比例，相對於構成該（F1）成分的全構成單位的合計（100莫耳%）以5~60莫耳%為較佳，以10~50莫耳%為又較佳，以15~45莫耳%為更佳。 　　若構成單位（f2）的比例為前述範圍的下限值以上時，對於缺陷改善將具有效果。若構成單位（f2）的比例為前述範圍的上限值以下時，則將容易取得與其他的構成單位之間的平衡。 　　[0218] （構成單位（f3）） 　　除了構成單位（f1）或構成單位（f1）及（f2）外，（F1）成分進而可具有下述一般式（f3-1）所表示的構成單位（f3）。 　　[0219]［式中，R係氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基］。 　　[0220] 前述一般式（f3-1）中，R係與前述為相同。 （F1）成分所具有的構成單位（f3）係可為1種，亦可為2種以上。 　　若（F1）成分具有構成單位（f3）時，構成單位（f3）的比例，相對於構成該（F1）成分的全構成單位的合計（100莫耳%）以5~60莫耳%為較佳，以10~50莫耳%為又較佳，以15~45莫耳%為更佳。 　　若構成單位（f3）的比例為前述範圍的下限值以上時，抑制缺陷的產生之效果將更為提升。若構成單位（f3）的比例為前述範圍的上限值以下時，則將可取得與其他的構成單位之間的平衡。 　　[0221] （構成單位（f4）） 　　除了構成單位（f1）或構成單位（f1）、（f2）及/或（f3）外，（F1）成分進而可具有由包含酸解離性溶解抑制基的丙烯酸酯所衍生的構成單位（f4）。 　　作為構成單位（f4），可舉例與上述（A1）成分中的構成單位（a1）為相同內容。 　　其中，構成單位（f4）係以選自由下述一般式（f4-1）及一般式（f4-2）所表示的構成單位所成之群之至少一種的構成單位為較佳，以一般式（f4-1）所表示的構成單位為又較佳。 　　[0222]［式中，RC 係分別獨立為氫原子或甲基，R5 係分別獨立為碳數1~5的烷基、h”係1~4的整數］。 　　[0223] 前述式（f4-1）及（f4-2）中，RC 係分別獨立為氫原子或甲基。 　　前述式（f4-1）及（f4-2）中，R5 係分別獨立為碳數1~5的烷基，具體而言可舉例甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等的低階的直鏈狀或分支鏈狀的烷基作為適合者，以甲基、乙基為又較佳。 　　前述式（f4-1）中，h”係1~4的整數。 　　[0224] 若（F1）成分具有構成單位（f4）時，構成單位（f4）的比例，相對於構成該（F1）成分的全構成單位的合計（100莫耳%）以5~50莫耳%為較佳，以5~40莫耳%為又較佳，以5~35莫耳%為更佳。 　　若構成單位（f4）的比例為前述範圍的下限值以上時，可促進在曝光部的對於顯影液之溶解性。若構成單位（f4）的比例為前述範圍的上限值以下時，則將可取得與其他的構成單位之間的平衡。 　　[0225] 作為（F1）成分較佳為：由構成單位（f1）所成之聚合物（均聚物）；具有構成單位（f1）及構成單位（f2）的共聚物；具有構成單位（f1）及構成單位（f3）的共聚物；或具有構成單位（f1）、構成單位（f3）及構成單位（f4）的共聚物。作為（F1）成分又較佳為：具有構成單位（f1）及構成單位（f2）的共聚物、或具有構成單位（f1）及構成單位（f3）的共聚物。 　　[0226] （F）成分係將可衍生成所期望的構成單位的單體，藉由使用例如偶氮雙異丁腈（AIBN）、偶氮雙異丁酸二甲酯等的自由基聚合起始劑，依周知的自由基聚合等使其聚合從而可得到。 　　[0227] （F）成分之重量平均分子量（Mw）（凝膠滲透層析法之聚苯乙烯換算基準）係以1000~50000為較佳，以5000~40000為又較佳，以10000~30000為最佳。若為該範圍的上限值以下時，作為阻劑使用時對於阻劑溶劑具有充分之溶解性，若為該範圍的下限值以上時，則耐乾蝕刻性或阻劑圖型斷面形狀將為良好。 　　（F）成分的分散度（Mw/Mn）係以1.0~5.0為較佳，以1.0~3.0為又較佳，以1.2~2.5為最佳。 　　[0228] （F）成分係可使用單獨1種、或亦可併用2種以上來使用。 　　相對於（A）成分100質量份，（F）成分係以0.1~20質量份為較佳，以0.5~10質量份為又較佳，以1~5質量份為更佳。若為前述範圍的下限值以上時，於阻劑圖型形成中可抑制缺陷的產生。另一方面，若為上限值以下時，微影特性將為提升。 　　[0229] ≪酸產生劑成分；（B）成分≫ 　　本實施形態中的阻劑組成物係亦可含有經曝光而產生酸的酸產生劑成分（B）（以下稱為「（B）成分」）。 　　作為（B）成分並無特別限定，可使用目前為止被提案作為化學增幅型阻劑用的酸產生劑者。 　　作為如此般的酸產生劑，可舉例碘鎓鹽或鋶鹽等的鎓鹽系酸產生劑、肟磺酸酯系酸產生劑、雙烷基或雙芳基磺醯重氮甲烷類、聚（雙磺醯基）重氮甲烷類等的重氮甲烷系酸產生劑、硝基苄基磺酸酯系酸產生劑、亞胺基磺酸酯系酸產生劑、二磺酸系酸產生劑等多種者。其中，以使用鎓鹽系酸產生劑為較佳。 　　[0230] 作為鎓鹽系酸產生劑，可使用例如下述一般式（b-1）所表示的化合物（以下亦稱為「（b-1）成分」）、一般式（b-2）所表示的化合物（以下亦稱為「（b-2）成分」）、或一般式（b-3）所表示的化合物（以下亦稱為「（b-3）成分」）。 　　[0231]［式中，R101 、R104 ~R108 係分別獨立為可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀的烷基、或可具有取代基的鏈狀的烯基，R104 、R105 係可相互鍵結而形成環，R106 ~R108 之任2個係可相互鍵結而形成環，R102 係氟原子或碳數1~5的氟化烷基，Y101 係單鍵或包含氧原子的2價的連結基，V101 ~V103 係分別獨立為單鍵、伸烷基、或氟化伸烷基，L101 ~L102 係分別獨立為單鍵或氧原子，L103 ~L105 係分別獨立為單鍵、-CO-或-SO2 -，M’m+ 係m價的有機陽離子］。 　　[0232] ｛陰離子部｝ ・（b-1）成分的陰離子部 　　式（b-1）中，R101 係可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀的烷基、或可具有取代基的鏈狀的烯基。 　　[0233] ・・R101 中的可具有取代基的環式基 　　前述環式基，以環狀的烴基為較佳，該環狀的烴基可為芳香族烴基、亦可為脂肪族烴基。 　　R101 中的芳香族烴基，可舉例：前述式（a1-1）的Va1 中作為2價的芳香族烴基所舉例的芳香族烴環、或由包含2以上的芳香環的芳香族化合物中除去1個氫原子而成的芳基，以苯基、萘基為較佳。 　　R101 中的環狀的脂肪族烴基，可舉例：由前述式（a1-1）的Va1 中作為2價的脂肪族烴基所舉例的單環烷烴或多環烷烴中除去1個氫原子而成的基，以金剛烷基、降莰基為較佳。 　　又，R101 中的環狀的烴基係可如雜環等般包含雜原子，具體而言可舉例上述一般式（a2-r-1）~（a2-r-7）所分別表示的含內酯的環式基、上述一般式（a5-r-1）~（a5-r-4）所分別表示的含-SO2 -的環式基、下述化學式（r-hr-1）~（r-hr-16）所分別表示的雜環式基。 　　[0234][0235] 作為R101 的環狀的烴基中的取代基，可舉例如烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基等。 　　作為取代基之烷基，以碳數1~5的烷基為較佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基為最佳。 　　作為取代基之烷氧基，以碳數1~5的烷氧基為較佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基為又較佳，以甲氧基、乙氧基為最佳。 　　作為取代基之鹵素原子，可舉例氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，以氟原子為較佳。 　　作為取代基之鹵化烷基係碳數1~5的烷基，可舉例如甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基等的氫原子的一部分或全部被前述鹵素原子所取代的基。 　　[0236] ・・R101 中的可具有取代基的鏈狀的烷基 　　作為R101 的鏈狀的烷基，可任意為直鏈狀或分支鏈狀。 　　作為直鏈狀的烷基，以碳數為1~20為較佳，以1~15為又較佳，以1~10為最佳。具體而言可舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、異十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、異十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基等。 　　作為分支鏈狀的烷基，以碳數為3~20為較佳，以3~15為又較佳，以3~10為最佳。具體而言可舉例如1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等。 　　[0237] ・・R101 中的可具有取代基的鏈狀的烯基 　　作為R101 的鏈狀的烯基可任意為直鏈狀或分支鏈狀，以碳數為2~10為較佳，以2~5為又較佳，以2~4為更佳，以3為特佳。作為直鏈狀的烯基，可舉例如乙烯基、丙烯基（烯丙基）、丁炔基等。作為分支鏈狀的烯基，可舉例如1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。 　　作為鏈狀的烯基係上述中，特別是以丙烯基為較佳。 　　[0238] 作為R101 的鏈狀的烷基或烯基中的取代基，可舉例如烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基、胺基、上述R101 中的環式基等。 　　[0239] 其中，R101 係以可具有取代基的環式基為較佳，以可具有取代基的環狀的烴基為又較佳。更具體而言，以由苯基、萘基、多環烷烴中除去1個以上的氫原子而成的基、上述一般式（a2-r-1）~（a2-r-7）所分別表示的含內酯的環式基、上述一般式（a5-r-1）~（a5-r-4）所分別表示的含-SO2 -的環式基等為較佳。 　　[0240] 式（b-1）中，Y101 係單鍵或包含氧原子的2價的連結基。 　　若Y101 為包含氧原子的2價的連結基時，該Y101 亦可含有氧原子以外的原子。作為氧原子以外的原子，可舉例如碳原子、氫原子、硫原子、氮原子等。 　　作為包含氧原子的2價的連結基，可舉例如氧原子（醚鍵結：-O-）、酯鍵結（-C(=O)-O-）、氧羰基（ -O-C(=O)-）、醯胺鍵結（-C(=O)-NH-）、羰基（-C(=O)-）、碳酸酯鍵結（-O-C(=O)-O-）等的非烴系之含有氧原子的連結基；該非烴系之含有氧原子的連結基與伸烷基之組合等。該組合中，進而亦可連結磺醯基（-SO2 -）。作為該組合，可舉例如下述式（y-al-1）~（y-al-7）所分別表示的連結基。 　　[0241]［式中，V’101 係單鍵或碳數1~5的伸烷基、V’102 係碳數1~30的2價的飽和烴基］。 　　[0242] V’102 中的2價的飽和烴基，以碳數1~30的伸烷基為較佳。 　　[0243] 作為V’101 及V’102 中的伸烷基，可為直鏈狀的伸烷基亦可為分支鏈狀的伸烷基，以直鏈狀的伸烷基為較佳。 　　作為V’101 及V’102 中的伸烷基，具體而言可舉例亞甲基[-CH2 -]；-CH(CH3 )-、-CH(CH2 CH3 )-、-C(CH3 )2 -、 -C(CH3 )(CH2 CH3 )-、-C(CH3 )(CH2 CH2 CH3 )-、-C(CH2 CH3 )2 -等的烷基亞甲基；伸乙基[-CH2 CH2 -]；-CH(CH3 )CH2 -、 -CH(CH3 )CH(CH3 )-、-C(CH3 )2 CH2 -、-CH(CH2 CH3 )CH2 -等的烷基伸乙基；三亞甲基（n-伸丙基）[-CH2 CH2 CH2 -]； -CH(CH3 )CH2 CH2 -、-CH2 CH(CH3 )CH2 -等的烷基三亞甲基；四亞甲基[-CH2 CH2 CH2 CH2 -]；-CH(CH3 )CH2 CH2 CH2 -、-CH2 CH(CH3 )CH2 CH2 -等的烷基四亞甲基；五亞甲基[ -CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 -]等。 　　又，V’101 或V’102 中，前述伸烷基中一部分的亞甲基亦可被碳數5~10的2價的脂肪族環式基所取代。該脂肪族環式基，以由前述式（a1-r-1）中的Ra’3 的環狀的脂肪族烴基中進而除去1個氫原子而成的2價的基為較佳，以伸環己基、1,5-伸金剛烷基或2,6-伸金剛烷基為又較佳。 　　[0244] 作為Y101 係以包含酯鍵結或醚鍵結的2價的連結基為較佳，以上述式（y-al-1）~（y-al-5）所分別表示的連結基為較佳。 　　[0245] 式（b-1）中，V101 係單鍵、伸烷基、或氟化伸烷基。V101 中的伸烷基、氟化伸烷基，以碳數1~4為較佳。作為V101 中的氟化伸烷基，可舉例V101 中的伸烷基的氫原子的一部分或全部被氟原子所取代的基。其中，V101 係以單鍵、或碳數1~4的氟化伸烷基為較佳。 　　[0246] 式（b-1）中，R102 係氟原子或碳數1~5的氟化烷基，R102 係以氟原子或碳數1~5的全氟烷基為較佳，以氟原子為又較佳。 　　[0247] 作為（b-1）成分的陰離子部之具體例，例如若Y101 為單鍵時，可舉例三氟甲烷磺酸酯陰離子或全氟丁烷磺酸酯陰離子等的氟化烷基磺酸酯陰離子；若Y101 為包含氧原子的2價的連結基時，可舉例下述式（an-1）~（an-3）之任一者所表示的陰離子。 　　[0248]［式中，R”101 係可具有取代基的脂肪族環式基、前述式（r-hr-1）~（r-hr-6）所分別表示的基、或可具有取代基的鏈狀的烷基；R”102 係可具有取代基的脂肪族環式基、前述一般式（a2-r-1）~（a2-r-7）所分別表示的含內酯的環式基、或前述一般式（a5-r-1）~（a5-r-4）所分別表示的含-SO2 -的環式基；R”103 係可具有取代基的芳香族環式基、可具有取代基的脂肪族環式基、或可具有取代基的鏈狀的烯基；V”101 係氟化伸烷基；L”101 係-C(=O)-或-SO2 -；ｖ”係分別獨立為0~3的整數；q”係分別獨立為1~20的整數；n”係0或1］。 　　[0249] R”101 、R”102 及R”103 的可具有取代基的脂肪族環式基，以於前述R101 中作為環狀的脂肪族烴基所示例的基為較佳。作為前述取代基，可舉例與R101 中的可取代環狀的脂肪族烴基的取代基為相同內容。 　　[0250] R”103 中的可具有取代基的芳香族環式基，以於前述R101 的環狀的烴基中作為芳香族烴基所示例的基為較佳。作為前述取代基，可舉例與R101 中的可取代該芳香族烴基的取代基為相同內容。 　　[0251] R”101 中的可具有取代基的鏈狀的烷基，以前述R101 中作為鏈狀的烷基所示例的基為較佳。R”103 中的可具有取代基的鏈狀的烯基，以前述R101 中作為鏈狀的烯基所示例的基為較佳。V”101 係較佳為碳數1~3的氟化伸烷基，特佳為-CF2 -、-CF2 CF2 -、-CHFCF2 -、-CF(CF3 )CF2 -、-CH(CF3 )CF2 -。 　　[0252] ・（b-2）成分之陰離子部 　　式（b-2）中，R104 、R105 係分別獨立為可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀的烷基、或可具有取代基的鏈狀的烯基，可分別舉例與式（b-1）中的R101 為相同內容。但，R104 、R105 係可相互鍵結而形成環。 　　R104 、R105 係以可具有取代基的鏈狀的烷基為較佳，以直鏈狀或分支鏈狀的烷基、或直鏈狀或分支鏈狀的氟化烷基為又較佳。 　　該鏈狀的烷基的碳數係以1~10為較佳，又較佳為碳數1~7，更佳為碳數1~3。R104 、R105 的鏈狀的烷基的碳數，於上述碳數的範圍内時，就對於阻劑溶媒之溶解性亦為良好等的理由，故以越小越佳。又，R104 、R105 的鏈狀的烷基中，被氟原子所取代的氫原子的數量越多，酸的強度將變得越強，又對於200nm以下的高能量光或電子線之透明性為提升，而為較佳。前述鏈狀的烷基中的氟原子的比例（即，氟化率）係較佳為70~100%，更佳為90~100%，最佳為全部的氫原子被氟原子所取代的全氟烷基。 　　式（b-2）中，V102 、V103 係分別獨立為單鍵、伸烷基、或氟化伸烷基，可分別舉例與式（b-1）中的V101 為相同內容。 　　式（b-2）中，L101 ~L102 係分別獨立為單鍵或氧原子。 　　[0253] ・（b-3）成分之陰離子部 　　式（b-3）中，R106 ~R108 係分別獨立為可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀的烷基、或可具有取代基的鏈狀的烯基，可分別舉例與式（b-1）中的R101 為相同內容。 　　L103 ~L105 係分別獨立為單鍵、-CO-或-SO2 -。 　　[0254] ｛陽離子部｝ 　　式（b-1）、（b-2）及（b-3）中，M’m+ 係m價的有機陽離子，其中以鋶陽離子或碘鎓陽離子為較佳，以下述一般式（ca-1）~（ca-4）所分別表示的陽離子為特佳。 　　[0255]［式中，R201 ~R207 、及R211 ~R212 係分別獨立表示可具有取代基的芳基、烷基或烯基，R201 ~R203 、R206 ~R207 、R211 ~R212 係可相互鍵結並與式中的硫原子共同形成環，R208 ~R209 係分別獨立表示氫原子或碳數1~5的烷基，R210 係可具有取代基的芳基、烷基、烯基、或含-SO2 -的環式基，L201 係表示-C(=O)-或-C(=O)-O-，Y201 係分別獨立表示伸芳基、伸烷基或伸烯基，x係1或2，W201 係表示（x+1）價的連結基］。 　　[0256] 作為R201 ~R207 、及R211 ~R212 中的芳基，可舉例碳數6~20的未取代的芳基，以苯基、萘基為較佳。 　　作為R201 ~R207 、及R211 ~R212 中的烷基係為鏈狀或環狀的烷基、且以碳數1~30者為較佳。 　　作為R201 ~R207 、及R211 ~R212 中的烯基，以碳數為2~10為較佳。 　　作為R201 ~R207 、及R210 ~R212 所可具有的取代基，例如烷基、鹵素原子、鹵化烷基、羰基、氰基、胺基、芳基、芳硫基，可舉例下述式（ca-r-1）~（ca-r-7）所分別表示的基。 　　作為取代基之芳硫基中的芳基，係與R101 所舉例者為相同，具體而言可舉例苯硫基或聯苯硫基。 　　[0257]［式中，R’201 係分別獨立為氫原子、可具有取代基的環式基、鏈狀的烷基、或鏈狀的烯基］。 　　[0258] R’201 的可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀的烷基、或可具有取代基的鏈狀的烯基，除了可舉例與上述式（b-1）中的R101 為相同內容外，作為可具有取代基的環式基或可具有取代基的鏈狀的烷基，可舉例與上述式（a1-r-2）所表示的酸解離性基為相同內容。 　　[0259] 若R201 ~R203 、R206 ~R207 、R211 ~R212 為相互鍵結並與式中的硫原子共同形成環時，亦可介隔著硫原子、氧原子、氮原子等的雜原子、或羰基、-SO-、-SO2 -、-SO3 -、-COO-、-CONH-或-N(RN )-（該RN 係碳數1~5的烷基）等的官能基來進行鍵結。作為所形成的環係其環骨架中包含式中的硫原子的1個環為包含硫原子，以3~10員環為較佳，以5~7員環為特佳。作為所形成的環之具體例，可舉例如噻吩環、噻唑環、苯并噻吩環、噻蒽環、苯并噻吩環、二苯并噻吩環、9H-硫環、噻吨酮環、噻蒽環、啡噻環、四氫噻吩鎓環、四氫硫代吡喃環等。 　　[0260] R208 ~R209 係分別獨立表示氫原子或碳數1~5的烷基，以氫原子或碳數1~3的烷基為較佳，若成為烷基時亦可相互鍵結而形成環。 　　[0261] R210 係可具有取代基的芳基、可具有取代基的烷基、可具有取代基的烯基、或可具有取代基的含-SO2 -的環式基。 　　作為R210 中的芳基，可舉例碳數6~20的未取代的芳基，以苯基、萘基為較佳。 　　作為R210 中的烷基係為鏈狀或環狀的烷基、且以碳數1~30者為較佳。 　　作為R210 中的烯基，以碳數為2~10為較佳。 　　R210 中，作為可具有取代基的含-SO2 -的環式基，可舉例與上述「含-SO2 -的環式基」為相同內容，以上述一般式（a5-r-1）所表示的基為較佳。 　　[0262] Y201 係分別獨立表示伸芳基、伸烷基或伸烯基。 　　Y201 中的伸芳基，可舉例由上述式（b-1）的R101 中作為芳香族烴基所示例的芳基中除去1個氫原子而成的基。 　　Y201 中的伸烷基、伸烯基，可舉例與上述一般式（a1-1）的Va1 中作為2價的烴基所舉例的脂肪族烴基為相同內容。 　　[0263] 前述式（ca-4）中，x係1或2。 　　W201 係（x+1）價，即，2價或3價的連結基。 　　作為W201 中的2價的連結基，以可具有取代基的2價的烴基為較佳，可示例與前述一般式（a2-1）中的Ya21 為相同的烴基。W201 中的2價的連結基可任意為直鏈狀、分支鏈狀、或環狀，以環狀為較佳。其中，以伸芳基的兩端組合2個羰基而成的基為較佳。作為伸芳基，可舉例伸苯基、伸萘基等，以伸苯基為特佳。 　　作為W201 中的3價的連結基，可舉例：由前述W201 中的2價的連結基中除去1個氫原子而成的基、前述2價的連結基進而鍵結前述2價的連結基而成的基等。作為W201 中的3價的連結基，以伸芳基鍵結2個羰基而成的基為較佳。 　　[0264] 作為式（ca-1）所表示的適合的陽離子，具體而言可舉例下述式（ca-1-1）~（ca-1-63）所分別表示的陽離子。 　　[0265][0266][0267]［式中，g1、g2、g3係表示重複數，g1係1~5的整數，g2係0~20的整數，g3係0~20的整數］。 　　[0268]［式中，R”201 係氫原子或取代基，且作為取代基係與作為前述R201 ~R207 、及R210 ~R212 所可具有的取代基所舉例者為相同］。 　　[0269] 作為前述式（ca-3）所表示的適合的陽離子，具體而言可舉例下述式（ca-3-1）~（ca-3-6）所分別表示的陽離子。 　　[0270][0271] 作為前述式（ca-4）所表示的適合的陽離子，具體而言可舉例下述式（ca-4-1）~（ca-4-2）所分別表示的陽離子。 　　[0272][0273] （B）成分係可單獨使用上述之酸產生劑1種、或亦可組合2種以上來使用。 　　本實施形態中若阻劑組成物含有（B）成分時，相對於（A）成分100質量份，（B）成分的含有量係以0.5~60質量份為較佳，以1~50質量份為又較佳，以1~40質量份為更佳。 　　藉由將（B）成分的含有量設為上述範圍時，可充分地進行圖型形成。又，將阻劑組成物的各成分溶解至有機溶劑中時，可得到均勻的溶液、保存穩定性為良好，故為較佳。 　　[0274] ≪其他成分≫ 　　本實施形態中，除了（A）成分外、或除了（A）成分及（B）成分外，阻劑組成物進而可含有其他成分。 　　作為其他成分，可舉例如後述之（D）成分、（E）成分、（F）成分、（S）成分等。 　　[0275] （D）成分： 　　本實施形態中，阻劑組成物係進而可含有酸擴散控制劑成分（以下亦稱為「（D）成分」）。 （D）成分係作用為捕集由前述（B）成分等經曝光而產生的酸的抑制劑（酸擴散控制劑）。 　　本實施形態中的（D）成分係可為經曝光而分解並喪失酸擴散控制性的光崩解性鹼（D1）（以下稱為「（D1）成分」）、亦可為不相當於該（D1）成分的含氮有機化合物（D2）（以下稱為「（D2）成分」）。 　　[0276] ・（D1）成分 　　藉由含有（D1）成分來製成阻劑組成物，於形成阻劑圖型時，可使曝光部與非曝光部的對比提升。 　　作為（D1）成分，只要是經曝光而分解並喪失酸擴散控制性者即可，並無特別限定，以選自由下述一般式（d1-1）所表示的化合物（以下稱為「（d1-1）成分」）、下述一般式（d1-2）所表示的化合物（以下稱為「（d1-2）成分」）及下述一般式（d1-3）所表示的化合物（以下稱為「（d1-3）成分」）所成之群之1種以上的化合物為較佳。 （d1-1）~（d1-3）成分係由於在曝光部中分解並喪失酸擴散控制性（鹼性），故不發揮作為抑制劑（quencher）之作用，而在未曝光部中發揮作為抑制劑之作用。 　　[0277]［式中，Rd1 ~Rd4 係可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀的烷基、或可具有取代基的鏈狀的烯基。但，於式（d1-2）中的Rd2 中，與S原子鄰接的碳原子係設為不鍵結氟原子。Yd1 係單鍵、或2價的連結基。Mm+ 係分別獨立為m價的有機陽離子］。 　　[0278] ｛（d1-1）成分｝ ・・陰離子部 　　式（d1-1）中，Rd1 係可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀的烷基、或可具有取代基的鏈狀的烯基，可舉例與R101 為相同內容。 　　該等之中，作為Rd1 係以可具有取代基的芳香族烴基、可具有取代基的脂肪族環式基、或可具有取代基的鏈狀的烴基為較佳。作為該等基可具有的取代基，以羥基、氟原子或氟化烷基為較佳。 　　作為前述芳香族烴基，以苯基或萘基為又較佳。 　　作為前述脂肪族環式基，以由金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等的多環烷烴中除去1個以上的氫原子而成的基為又較佳。 　　作為前述鏈狀的烴基，以鏈狀的烷基為較佳。作為鏈狀的烷基，以碳數為1~10為較佳，具體而言可舉例甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等的直鏈狀的烷基；1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等的分支鏈狀的烷基。 　　[0279] 若前述鏈狀的烷基為具有氟原子或氟化烷基來作為取代基的氟化烷基時，氟化烷基的碳數係以1~11為較佳，以1~8為又較佳，以1~4為更佳，該氟化烷基亦可含有氟原子以外的原子。作為氟原子以外的原子，可舉例如氧原子、碳原子、氫原子、硫原子、氮原子等。 　　作為Rd1 係以構成直鏈狀的烷基的一部分或全部的氫原子被氟原子所取代的氟化烷基為較佳，以構成直鏈狀的烷基的氫原子的全部被氟原子所取代的氟化烷基（直鏈狀的全氟烷基）為較佳。 　　[0280] 於以下表示（d1-1）成分的陰離子部之較佳具體例。 　　[0281][0282] ・・陽離子部 　　式（d1-1）中，Mm+ 係m價的有機陽離子。 　　作為Mm+ 的有機陽離子並無特別限定，可舉例如與前述一般式（ca-1）~（ca-4）所分別表示的陽離子為相同內容，以前述式（ca-1-1）~（ca-1-63）所分別表示的陽離子為較佳。 （d1-1）成分係可使用單獨1種、或亦可組合2種以上來使用。 　　[0283] ｛（d1-2）成分｝ ・・陰離子部 　　式（d1-2）中，Rd2 係可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀的烷基、或可具有取代基的鏈狀的烯基，可舉例與R101 為相同內容。 　　但，Rd2 中與S原子鄰接的碳原子係設為不鍵結氟原子者（未被氟取代）。據此，（d1-2）成分的陰離子將成為適度的弱酸陰離子，而提升（D）成分的抑制能（querching）。 　　作為Rd2 係以可具有取代基的脂肪族環式基為較佳，以由金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等中除去1個以上的氫原子而成的基（可具有取代基）；由樟腦等中除去1個以上的氫原子而成的基為又較佳。 　　Rd2 的烴基係可具有取代基，作為該取代基，可舉例與於前述式（d1-1）的Rd1 中的烴基（芳香族烴基、脂肪族烴基）可具有的取代基為相同內容。 　　[0284] 於以下表示（d1-2）成分的陰離子部之較佳具體例。 　　[0285][0286] ・・陽離子部 　　式（d1-2）中，Mm+ 係m價的有機陽離子，與前述式（d1-1）中的Mm+ 為相同。 （d1-2）成分係可單獨1種來使用、或亦可組合2種以上來使用。 　　[0287] ｛（d1-3）成分｝ ・・陰離子部 　　式（d1-3）中，Rd3 係可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀的烷基、或可具有取代基的鏈狀的烯基，可舉例與R101 為相同內容，以包含氟原子的環式基、鏈狀的烷基、或鏈狀的烯基為較佳。其中，以氟化烷基為較佳，又較佳為與前述Rd1 的氟化烷基為相同內容。 　　[0288] 式（d1-3）中，Rd4 係可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀的烷基、或可具有取代基的鏈狀的烯基，可舉例與R101 為相同內容。 　　其中，以可具有取代基的烷基、烷氧基、烯基、環式基為較佳。 　　Rd4 中的烷基，以碳數1~5的直鏈狀或分支鏈狀的烷基為較佳，具體而言可舉例甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等，Rd4 的烷基的氫原子的一部分亦可被羥基、氰基等所取代。 　　Rd4 中的烷氧基，以碳數1~5的烷氧基為較佳，作為碳數1~5的烷氧基，具體而言可舉例甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基。其中，以甲氧基、乙氧基為較佳。 　　[0289] Rd4 中的烯基係可舉例與上述R101 為相同內容，以乙烯基、丙烯基（烯丙基）、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基為較佳。該等的基係進而可具有碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基來作為取代基。 　　[0290] Rd4 中的環式基係可舉例與上述R101 為相同內容，以由環戊烷、環己烷、金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等的環烷烴中除去1個以上的氫原子而成的脂環式基、或苯基、萘基等的芳香族基為較佳。若Rd4 為脂環式基時，因阻劑組成物將可良好地溶解至有機溶劑中，故微影特性將為良好。又，若Rd4 為芳香族基時，於使用EUV等作為曝光光源之微影中，該阻劑組成物的光吸收效率為優異，故感度或微影特性將為良好。 　　[0291] 式（d1-3）中，Yd1 係單鍵、或2價的連結基。 　　作為Yd1 中的2價的連結基並無特別限定，可舉例可具有取代基的2價的烴基（脂肪族烴基、芳香族烴基）、包含雜原子的2價的連結基等。該等係可分別舉例與前述式（a2-1）中的Ya21 的2價的連結基所說明、舉例為相同內容。 　　作為Yd1 係以羰基、酯鍵結、醯胺鍵結、伸烷基或該等的組合為較佳。作為伸烷基，以直鏈狀或分支鏈狀的伸烷基為又較佳，以亞甲基或伸乙基為更佳。 　　[0292] 於以下表示（d1-3）成分的陰離子部之較佳具體例。 　　[0293][0294][0295] ・・陽離子部 　　式（d1-3）中，Mm+ 係m價的有機陽離子，與前述式（d1-1）中的Mm+ 為相同。 （d1-3）成分係可使用單獨1種、或亦可組合2種以上來使用。 　　[0296] （D1）成分係可僅使用上述（d1-1）~（d1-3）成分之任1種、或亦可組合2種以上來使用。 　　（D1）成分的含有量，相對於（A）成分100質量份，以0.5~10質量份為較佳，以0.5~8質量份為又較佳，以1~8質量份為更佳。 　　若（D1）成分的含有量為較佳的下限值以上時，特別是可得到良好的微影特性及阻劑圖型形狀。另一方面，若為上限值以下時，可良好地維持感度、且產率亦為優異。 　　[0297] 前述之（d1-1）成分、（d1-2）成分之製造方法並無特別限定，可藉由周知的方法來製造。 　　[0298] （D1）成分的含有量，相對於（A）成分100質量份，以0.5~10.0質量份為較佳，以0.5~8.0質量份為又較佳，以1.0~8.0質量份為更佳。若為上述範圍的下限值以上時，特別是可得到良好的微影特性及阻劑圖型形狀。若為前述範圍的上限值以下時，可良好地維持感度、且產率亦為優異。 　　[0299] ・（D2）成分 　　（D）成分係可含有不相當於上述（D1）成分的含氮有機化合物成分（以下稱為「（D2）成分」）。 　　作為（D2）成分，只要是具有作為酸擴散控制劑之作用，且不相當於（D1）成分者即可，並無特別限定，可從周知者來任意地使用。其中，以脂肪族胺、特別是以第二級脂肪族胺或第三級脂肪族胺為較佳。 　　所謂的脂肪族胺係指具有1個以上的脂肪族基的胺，該脂肪族基係以碳數為1~12為較佳。 　　作為脂肪族胺，可舉例將氨NH3 的氫原子的至少1個以碳數12以下的烷基或羥基烷基來進行取代而成的胺（烷基胺或烷基醇胺）或環式胺。 　　作為烷基胺及烷基醇胺之具體例，可舉例n-己胺、n-庚胺、n-辛胺、n-壬胺、n-癸胺等的單烷基胺；二乙胺、二-n-丙胺、二-n-庚胺、二-n-辛胺、二環己胺等的二烷基胺；三甲胺、三乙胺、三-n-丙胺、三-n-丁胺、三-n-戊胺、三-n-己胺、三-n-庚胺、三-n-辛胺、三-n-壬胺、三-n-癸胺、三-n-十二烷基胺等的三烷基胺；二乙醇胺、三乙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、二-n-辛醇胺、三-n-辛醇胺等的烷基醇胺。該等之中，以碳數5~10的三烷基胺為更佳，以三-n-戊胺或三-n-辛胺為特佳。 　　[0300] 作為環式胺，可舉例如包含氮原子來作為雜原子的雜環化合物。作為該雜環化合物，可為單環式者（脂肪族單環式胺），亦可為多環式者（脂肪族多環式胺）。 　　作為脂肪族單環式胺，具體而言可舉例哌啶、哌嗪等。 　　作為脂肪族多環式胺係以碳數為6~10者為較佳，具體而言可舉例1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-7-十一烯、六亞甲基四胺、1,4-二氮雜雙環[2.2.2]辛烷等。 　　[0301] 作為其他的脂肪族胺，可舉例參（2-甲氧基甲氧基乙基）胺、參｛2-（2-甲氧基乙氧基）乙基｝胺、參｛2-（2-甲氧基乙氧基甲氧基）乙基｝胺、參｛2-（1-甲氧基乙氧基）乙基｝胺、參｛2-（1-乙氧基乙氧基）乙基｝胺、參｛2-（1-乙氧基丙氧基）乙基｝胺、參[2-｛2-（2-羥基乙氧基）乙氧基｝乙基]胺、三乙醇胺三乙酸酯等，以三乙醇胺三乙酸酯為較佳。 　　[0302] 又，作為（D2）成分係亦可使用芳香族胺。 　　作為芳香族胺，可舉例苯胺、吡啶、4-二甲胺基吡啶、吡咯、吲哚、吡唑、咪唑或該等的衍生物、二苯胺、三苯胺、三苄胺、2,6-二異丙基苯胺、N-tert-丁氧基羰基吡咯啶等。 　　[0303] （D2）成分係可單獨使用、或亦可組合2種以上來使用。 　　相對於（A）成分100質量份，（D2）成分通常係以在0.01~5.0質量份的範圍內來使用。因設為上述範圍，而使阻劑圖型形狀、存放之經時穩定性等將為提升。 　　[0304] （D）成分係可使用單獨1種、或亦可組合2種以上來使用。 　　本實施形態中若阻劑組成物包含（D）成分時，相對於（A）成分100質量份，（D）成分係以0.1~15質量份為較佳，以0.3~12質量份為又較佳，以0.5~12質量份為更佳。 　　若為上述範圍的下限值以上時，於製成阻劑組成物時，LWR等的微影特性將會更提升。又，可得到更加良好的阻劑圖型形狀。若為前述範圍的上限值以下時，可良好地維持感度、產率亦為優異。 　　[0305] （E）成分： 　　本實施形態中，為達到防止感度劣化、或提升阻劑圖型形狀、存放之經時穩定性等之目的下，阻劑組成物中可含有作為任意成分的選自由有機羧酸、以及磷的含氧酸及其衍生物所成之群之至少1種的化合物（E）（以下稱為「（E）成分」）。 　　作為有機羧酸，以例如乙酸、丙二酸、檸檬酸、蘋果酸、琥珀酸、苯甲酸、水楊酸等為適合。 　　作為磷的含氧酸，可舉例磷酸、膦酸（phosphonic acid）、次膦酸（phosphinic acid）等，該等之中特別是以膦酸為較佳。 　　作為磷的含氧酸的衍生物，可舉例如將上述含氧酸的氫原子以烴基進行取代而成的酯等，作為前述烴基，可舉例碳數1~5的烷基、碳數6~15的芳基等。 　　作為磷酸的衍生物，可舉例磷酸二-n-丁酯、磷酸二苯基酯等的磷酸酯等。 　　作為膦酸的衍生物，可舉例膦酸二甲酯、膦酸-二-n-丁酯、膦酸苯基酯、膦酸二苯基酯、膦酸二苄酯等的膦酸酯等。 　　作為次膦酸的衍生物，可舉例次膦酸酯或次膦酸苯基酯等。 （E）成分係可使用單獨1種、或亦可併用2種以上來使用。 　　相對於（A）成分100質量份，（E）成分通常係以在0.01~5.0質量份的範圍內來使用。 　　[0306] （S）成分： 　　本實施形態中，阻劑組成物係可將材料溶解至有機溶劑（以下有時亦稱為「（S）成分」）中來製造。 　　作為（S）成分，只要是可溶解所使用的各成分、並成為均勻的溶液者即可，可從周知以往作為化學增幅型阻劑的溶劑之中適當選擇任意的1種或2種以上來使用。 　　可舉例如γ-丁內酯等的內酯類；丙酮、甲基乙基酮（MEK）、環己酮、甲基-n-戊酮（2-庚酮）、甲基異戊酮等的酮類；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等的多元醇類；乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯、或二丙二醇單乙酸酯等的具有酯鍵結的化合物、前述多元醇類或前述具有酯鍵結的化合物具有單甲醚、單乙醚、單丙醚、單丁醚等的單烷基醚或單苯基醚等的醚鍵結的化合物等的多元醇類的衍生物［該等之中係以丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA）、丙二醇單甲醚（PGME）為較佳］；二噁烷等的環式醚類、或乳酸甲酯、乳酸乙酯（EL）、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等的酯類；苯甲醚、乙基苄醚、甲苯酚甲醚、二苯基醚、二苄醚、苯乙醚、丁基苯基醚、乙基苯、二乙基苯、戊基苯、異丙基苯、甲苯、二甲苯、異丙苯、均三甲苯等的芳香族系有機溶劑、二甲基亞碸（DMSO）等。 　　該等的有機溶劑係可單獨使用、或亦可以2種以上的混合溶劑來使用。 　　其中，以PGMEA、PGME、γ-丁內酯、EL為較佳。 　　又，混合PGMEA與極性溶劑的混合溶劑亦為較佳。其調配比（質量比）係考慮PGMEA與極性溶劑之相溶性等來做適當決定即可，較佳為1：9~9：1，又較佳以設為2：8~8：2的範圍内為較佳。 　　更具體而言，若調配EL或環己酮來作為極性溶劑時，PGMEA：EL或環己酮的質量比係較佳為1：9~9：1，又較佳為2：8~8：2。又，若調配PGME來作為極性溶劑時，PGMEA：PGME的質量比係較佳為1：9~9：1，又較佳為2：8~8：2，更佳為3：7~7：3。 　　又，作為（S）成分，其他例如使用選自PGMEA及EL之中的至少1種與γ-丁內酯的混合溶劑亦為較佳。此情形時，作為混合比例，以前者與後者的質量比成為70：30~95：5之範圍為較佳。 　　（S）成分的使用量並無特別限定，以採用可塗布至基板等的濃度，因應塗布膜厚來做適當設定。一般而言，以阻劑組成物的固形分濃度成為1~20質量%，較佳為2~15質量%的範圍内來使用。 　　[0307] 本發明的阻劑組成物中，可依期望進而適當添加含有具混和性的添加劑，例如：用以改良阻劑膜之性能而加成的樹脂、溶解抑制劑、可塑劑、穩定劑、著色劑、抗光暈劑、染料等。 　　[0308] （阻劑圖型形成方法） 　　本實施形態的阻劑圖型形成方法包含下述步驟：使用上述實施形態的阻劑組成物於支撐體上形成阻劑膜之步驟、曝光前述阻劑膜之步驟、及將前述曝光後的阻劑膜進行顯影來形成阻劑圖型之步驟。 　　作為上述阻劑圖型形成方法之一實施形態，可舉例如採下述般之方式來進行的阻劑圖型形成方法。 　　[0309] 首先，將上述實施形態的阻劑組成物使用旋轉器等塗布於支撐體上，例如以80~150℃的溫度條件下施予40~120秒鐘，較佳為60~90秒鐘來進行烘烤（預烘烤Post Apply Bake（PAB））處理，從而形成阻劑膜。 　　接下來，對於該阻劑膜使用例如電子線描繪裝置、EUV曝光裝置等的曝光裝置，介隔著形成有指定的圖型的遮罩（遮罩圖型）來進行曝光或不介隔著遮罩圖型而經由電子線的直接照射之描繪等來進行選擇性的曝光後，例如以80~150℃的溫度條件下施予40~120秒鐘，較佳為60~90秒鐘來進行烘烤（曝光後烘烤post exposure bake（PEB））處理。 　　接下來，將前述阻劑膜進行顯影處理。若顯影處理為鹼顯影製程之情形時，則使用鹼顯影液來進行，若為溶劑顯影製程之情形時，則使用含有有機溶劑的顯影液（有機系顯影液）來進行。 　　顯影處理後，較佳為進行淋洗處理。若為鹼顯影製程之情形時，淋洗處理係以使用純水的水淋洗為較佳；若為溶劑顯影製程之情形時，淋洗處理則以使用含有有機溶劑的淋洗液為較佳。 　　溶劑顯影製程之情形時，於前述顯影處理或淋洗處理之後，亦可進行藉由超臨界流體來除去附著於圖型上的顯影液或淋洗液之處理。 　　顯影處理後或淋洗處理後再進行乾燥。又，視情形於上述顯影處理後亦可進行烘烤處理（後烘烤）。 　　如此般之方式可形成阻劑圖型。 　　[0310] 作為支撐體並無特別限定，可使用以往周知者，可舉例如電子零件用的基板、或於此者形成有指定的配線圖型者等。更具體而言，可舉例矽晶圓、銅、鉻、鐵、鋁等的金屬製的基板、或玻璃基板等。作為配線圖型的材料，可使用例如銅、鋁、鎳、金等。 　　又，作為支撐體，於如上述般的基板上設置有無機系及/或有機系的膜者亦可。作為無機系的膜，可舉例無機抗反射膜（無機BARC）。作為有機系的膜，可舉例有機抗反射膜（有機BARC）、或多層阻劑法中的下層有機膜等的有機膜。 　　於此，多層阻劑法係指於基板上設置至少一層的有機膜（下層有機膜）、與至少一層的阻劑膜（上層阻劑膜），將於上層阻劑膜所形成的阻劑圖型作為遮罩並進行對下層有機膜之圖型化之方法、且可以形成高長寛比的圖型。即，依據多層阻劑法，因下層有機膜而可確保所需要的厚度，故可使阻劑膜薄膜化，而將可形成高長寛比的微細圖型。 　　多層阻劑法中，基本上分為：形成上層阻劑膜、與下層有機膜的二層構造之方法（2層阻劑法）；於上層阻劑膜與下層有機膜之間設置一層以上的中間層（金屬薄膜等）的三層以上的多層構造之方法（3層阻劑法）。 　　[0311] 曝光所使用的波長並無特別限定，可使用ArF準分子雷射、KrF準分子雷射、F2 準分子雷射、EUV（極紫外線）、VUV（真空紫外線）、EB（電子線）、X線、軟X線等的放射線來進行。前述阻劑組成物係作為KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、EB或EUV用之有用性為高，作為ArF準分子雷射、EB或EUV用之有用性為更高，作為EB或EUV用之有用性為特高。 　　[0312] 阻劑膜之曝光方法，可為在空氣或氮等的惰性氣體中進行的一般曝光（乾式曝光），亦可為浸液曝光（Liquid Immersion Lithography）。 　　浸液曝光係預先將阻劑膜與曝光裝置之最下面位置的透鏡之間，以填滿具有較空氣的折射率為大折射率的溶媒（浸液介質），並在該狀態下來進行曝光（浸漬曝光）之曝光方法。 　　作為浸液介質，以具有較空氣的折射率為大、且較所曝光的阻劑膜的折射率為小折射率的溶媒為較佳。作為上述溶媒的折射率，只要是於前述範圍内時並無特別限制。 　　作為具有較空氣的折射率為大、且較前述阻劑膜的折射率為小折射率的溶媒，可舉例如水、氟系惰性液體、矽系溶劑、烴系溶劑等。 　　作為氟系惰性液體之具體例，可舉例C3 HCl2 F5 、C4 F9 OCH3 、C4 F9 OC2 H5 、C5 H3 F7 等的將氟系化合物作為主成分的液體等，以沸點為70~180℃者為較佳，以80~160℃者為又較佳。若氟系惰性液體具有上述範圍之沸點時，於曝光結束後，因可以簡便的方法來進行浸液中所使用的介質之除去，故為較佳。 　　作為氟系惰性液體，特別是以烷基的氫原子全部被氟原子所取代的全氟烷基化合物為較佳。作為全氟烷基化合物，具體而言可舉例全氟烷基醚化合物、全氟烷基胺化合物。 　　進而，具體而言作為前述全氟烷基醚化合物，可舉例全氟（2-丁基-四氫呋喃）（沸點102℃），作為前述全氟烷基胺化合物，可舉例全氟三丁胺（沸點174℃）。 　　作為浸液介質，從成本、安全性、環境問題、廣汎使用性等的觀點而言，以水為較佳使用。 　　[0313] 作為鹼顯影製程中顯影處理所使用的鹼顯影液，可舉例如0.1~10質量%氫氧化四甲銨（TMAH）水溶液。 　　作為溶劑顯影製程中顯影處理所使用的有機系顯影液所含有的有機溶劑，只要是能溶解（A）成分（曝光前的（A）成分）者即可，可從周知的有機溶劑之中來做適當選擇。具體而言，可舉例酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、腈系溶劑、醯胺系溶劑、醚系溶劑等的極性溶劑、烴系溶劑等。 　　酮系溶劑係構造中包含C-C(=O)-C的有機溶劑。酯系溶劑係構造中包含C-C(=O)-O-C的有機溶劑。醇系溶劑係構造中包含醇性羥基的有機溶劑。「醇性羥基」係指鍵結於脂肪族烴基的碳原子的羥基之意。腈系溶劑係構造中包含腈基的有機溶劑。醯胺系溶劑係構造中包含醯胺基的有機溶劑。醚系溶劑係構造中包含C-O-C的有機溶劑。 　　有機溶劑之中，亦可存在構造中包含多種具有上述各溶劑特徴的官能基的有機溶劑，但此情形時係設為相當於包含該有機溶劑所具有的官能基的任意的溶劑種類。例如二乙二醇單甲醚，於上述分類中，則設為相當於醇系溶劑、醚系溶劑之任意者。 　　烴系溶劑係由可被鹵化的烴所成、且不具有鹵素原子以外的取代基的烴溶劑。作為鹵素原子，可舉例氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，以氟原子為較佳。 　　作為有機系顯影液所含有的有機溶劑，上述中，以極性溶劑為較佳，以酮系溶劑、酯系溶劑、腈系溶劑等為較佳。 　　[0314] 作為酮系溶劑，可舉例如1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、丙酮、4-庚酮、1-己酮、2-己酮、二異丁基酮、環己酮、甲基環己酮、苯基丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙醯丙酮、丙酮基丙酮、紫羅蘭酮、二丙酮基醇、乙醯基甲醇、苯乙酮、甲基萘基酮、異佛酮、碳酸伸丙酯、γ-丁內酯、甲基戊基酮（2-庚酮）等。該等之中，作為酮系溶劑係以甲基戊基酮（2-庚酮）為較佳。 　　[0315] 作為酯系溶劑，可舉例如乙酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、乙二醇單苯基醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單丙醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單苯基醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、2-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、4-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-乙基-3-甲氧基丁基乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、2-乙氧基丁基乙酸酯、4-乙氧基丁基乙酸酯、4-丙氧基丁基乙酸酯、2-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲氧基戊基乙酸酯、2-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯、碳酸乙酯、碳酸丙酯、碳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、丙酮酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸異丙酯、2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、甲基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、丙基-3-甲氧基丙酸酯等。該等之中，作為酯系溶劑係以乙酸丁酯為較佳。 　　[0316] 作為腈系溶劑，可舉例如乙腈、丙腈、戊腈、丁腈等。 　　[0317] 有機系顯影液中因應所需可調配周知的添加劑。作為該添加劑可舉例如界面活性劑。作為界面活性劑並無特別限定，可使用例如離子性或非離子性的氟系及/或矽系界面活性劑等。 　　作為界面活性劑，以非離子性的界面活性劑為較佳，以非離子性的氟系界面活性劑、或非離子性的矽系界面活性劑為又較佳。 　　若調配界面活性劑時，相對於有機系顯影液的全量，該調配量通常為0.001~5質量%，以0.005~2質量%為較佳，以0.01~0.5質量%為又較佳。 　　[0318] 顯影處理係可使用周知的顯影方法予以實施，可舉例如：將支撐體於顯影液中浸漬一定時間之方法（浸漬法）；將顯影液藉由表面張力在支撐體表面堆起後靜止一定時間之方法（混拌法）；將顯影液噴霧至支撐體表面之方法（噴霧法）；在以一定速度下旋轉的支撐體上，一邊以一定速度掃描顯影液噴出噴嘴，一邊連續噴出顯影液之方法（動態點膠法）等。 　　[0319] 作為溶劑顯影製程的顯影處理後的淋洗處理中使用的淋洗液所含有的有機溶劑，例如，在作為前述有機系顯影液中使用的有機溶劑所舉例的有機溶劑之中，可適當選擇不易溶解阻劑圖型的有機溶劑來使用。通常可使用選自烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑及醚系溶劑之至少1種類的溶劑。該等之中，以選自烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑及醯胺系溶劑之至少1種類為較佳，以選自醇系溶劑及酯系溶劑之至少1種類為又較佳，以醇系溶劑為特佳。 　　淋洗液中使用的醇系溶劑係以碳數6~8的一元醇為較佳，該一元醇係可任意為直鏈狀、分支鏈狀或環狀。具體而言可舉例1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、2-己醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇、4-辛醇、苄醇等。該等之中，以1-己醇、2-庚醇、2-己醇為較佳，以1-己醇、2-己醇為又較佳。 　　該等的有機溶劑係可單獨使用任何1種、或亦可併用2種以上。又，亦可與上述以外的有機溶劑或水混合來使用。但，若考慮顯影特性時，相對於淋洗液的全量，淋洗液中的水的調配量係以30質量%以下為較佳，以10質量%以下為又較佳，以5質量%以下為更佳，以3質量%以下為特佳。 　　淋洗液中因應所需可調配周知的添加劑。作為該添加劑，可舉例如界面活性劑。界面活性劑係可舉例與前述為相同內容，以非離子性的界面活性劑為較佳，以非離子性的氟系界面活性劑、或非離子性的矽系界面活性劑為又較佳。 　　若調配界面活性劑時，相對於淋洗液的全量，該調配量通常為0.001~5質量%，以0.005~2質量%為較佳，以0.01~0.5質量%為又較佳。 　　[0320] 使用淋洗液的淋洗處理（洗淨處理）係可藉由周知的淋洗方法來實施。作為該淋洗處理之方法，可舉例如：在一定速度下旋轉的支撐體上，連續噴出淋洗液之方法（旋轉塗布法）；將支撐體於淋洗液中浸漬一定時間之方法（浸漬法）；將淋洗液噴霧至支撐體表面之方法（噴霧法）等。 　　[0321] 以上所說明的本實施形態的阻劑組成物係含有基材成分（A）及氟添加劑成分（F）。 　　（A）成分係包含具有構成單位（a10）10莫耳%以上、與構成單位（a1）30莫耳%以上的樹脂成分（A1）。因此，本實施形態的阻劑組成物特別是適合於EUV（極紫外線）微影或EB（電子線）微影。 　　又，（F）成分係包含具有構成單位（f1）的氟樹脂成分（F1）。於EUV微影或EB微影中，各種的微影特性將為提升之同時，亦可要求抑制缺陷的產生。缺陷的產生之原因之一，認為是於顯影製程中析出物（例如對於鹼顯影液而言為難溶物）附著於阻劑圖型表面而造成。由於（F1）成分含有氟原子，故推測在阻劑圖型表面上會產生偏析。在阻劑圖型表面上產生偏析的（F1）成分，經由鹼（例如鹼顯影液）之作用而分解，從而生成親水基。因此，（F1）成分可於顯影時使阻劑圖型表面親水性化，故推測可抑制析出物等之附著，而能降低缺陷的產生。 ［實施例］ 　　[0322] 以下，藉由實施例來更詳細地說明本發明，但本發明並不受以下之實施例所限定。 　　[0323] ［聚合物合成例］ 　　藉由使下述單體（02）、（10）、（01）、（03）進行自由基聚合，從而可得到聚合物（A）-1~（A）-18。 　　[0324] 關於聚合物（A）-1~（A）-18，將藉由13 C-NMR所求得的該高分子化合物的共聚合組成比（高分子化合物中的各構成單位的比例（莫耳比））、藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的質量平均分子量（Mw）及分子量分散度（Mw/Mn）合併記載於表1。 　　[0325][0326][0327] ＜阻劑組成物之調製＞ 　　將表2所示的各成分混合並溶解，來分別調製各例之阻劑組成物。 　　[0328][0329] 表2中，各簡稱係分別具有以下之意思。[ ]内的數值係調配量（質量份）。 　　（A）-1~（A）-18：前述聚合物（A）-1~（A）-18。 　　（B）-1：下述化學式（B）-1所表示的酸產生劑。 　　（D）-1：下述化學式（D）-1所表示的酸擴散抑制劑。 　　（D）-2：三-n-辛胺 　　（E）-1：水楊酸 　　（F）-1：下述化學式（F）-1所表示的含氟高分子化合物。藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的質量平均分子量（Mw）為20000、分子量分散度（Mw/Mn）為1.6。藉由13 C-NMR所求得的共聚合組成比（構造式中的各構成單位的比例（莫耳比））為l/m=80/20。 　　（F）-2：下述化學式（F）-2所表示的含氟高分子化合物。藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的質量平均分子量（Mw）為20000、分子量分散度（Mw/Mn）為1.6。藉由13 C-NMR而求出的共聚合組成比（構造式中的各構成單位的比例（莫耳比））為l/m=80/20。 　　（F）-3：下述化學式（F）-3所表示的含氟高分子化合物。藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的質量平均分子量（Mw）為20000、分子量分散度（Mw/Mn）為1.6。藉由13 C-NMR所求得的共聚合組成比（構造式中的各構成單位的比例（莫耳比））為l/m=60/40。 　　（F）-4：下述化學式（F）-4所表示的含氟高分子化合物（均聚物）。藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的質量平均分子量（Mw）為20000、分子量分散度（Mw/Mn）為1.6。 　　（F）-5：下述化學式（F）-5所表示的含氟高分子化合物。藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的質量平均分子量（Mw）為20000、分子量分散度（Mw/Mn）為1.6。藉由13 C-NMR所求得的共聚合組成比（構造式中的各構成單位的比例（莫耳比））為l/m/n=70/20/10。 　　（F）-6：下述化學式（F）-6所表示的含氟高分子化合物。藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的質量平均分子量（Mw）為20000、分子量分散度（Mw/Mn）為1.6。藉由13 C-NMR所求得的共聚合組成比（構造式中的各構成單位的比例（莫耳比））為l/m=70/30。 　　（F）-7：下述化學式（F）-7所表示的含氟高分子化合物。藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的質量平均分子量（Mw）為20000、分子量分散度（Mw/Mn）為1.6。藉由13 C-NMR所求得的共聚合組成比（構造式中的各構成單位的比例（莫耳比））為l/m=80/20。 　　（F）-8：下述化學式（F）-8所表示的含氟高分子化合物。藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的質量平均分子量（Mw）為20000、分子量分散度（Mw/Mn）為1.6。藉由13 C-NMR所求得的共聚合組成比（構造式中的各構成單位的比例（莫耳比））為l/m=80/20。 　　（S）-1：丙二醇單甲醚乙酸酯/丙二醇單甲醚=60/40（質量比）之混合溶劑。 　　[0330][0331][0332][0333] ＜阻劑圖型之形成（1）＞ 　　於已施予六甲基二矽氮烷（HMDS）處理的12吋矽基板上，使用旋轉器分別塗布各例的阻劑組成物，在加熱板上以溫度130℃下進行60秒鐘的預烘烤（PAB）處理，並藉由乾燥從而形成膜厚50nm的阻劑膜。 　　接下來，介隔著遮罩並藉由ArF曝光裝置NSR-S308F（Nikon公司製；NA（開口數）=0.92），對前述阻劑膜來選擇性的照射ArF準分子雷射（193nm）。之後，以130℃下進行60秒鐘的曝光後加熱（PEB）處理。 　　接下來以23℃下使用2.38質量%氫氧化四甲銨（TMAH）水溶液「NMD-3」（商品名東京應化工業股份有限公司製）來進行10秒鐘的鹼顯影。 　　之後，使用純水進行15秒鐘水淋洗。 　　其結果，形成線寬65nm的1：1的LS圖型。此係用於模擬藉由EB或EUV曝光來形成曝光部分所進行之內容。 　　[0334] ［缺陷評估］ 　　對於前述＜阻劑圖型之形成（1）＞中所得到的位於圖型區域旁的大面積未曝光部，使用表面缺陷觀察裝置（KLA tencor公司製、製品名：KLA2371），測定晶圓内總計的缺陷數（全缺陷數/個數）。將其結果表示於表3。 　　[0335] ＜阻劑圖型之形成（2）＞ 　　於已施予六甲基二矽氮烷（HMDS）處理的12吋矽基板上，使用旋轉器分別塗布各例的阻劑組成物，在加熱板上以溫度110℃下進行60秒鐘的預烘烤（PAB）處理，並藉由乾燥從而形成膜厚30nm的阻劑膜。 　　接下來，使用電子線描繪裝置JEOL-JBX-9300FS（日本電子股份有限公司製），對前述阻劑膜進行藉由加速電壓100kV將目標尺寸（target size）設為線寬50~26nm的1：1線和間隙圖型（以下「LS圖型」）之描繪（曝光）。 　　之後，以110℃下進行60秒鐘的曝光後加熱（PEB）處理。 　　接下來，以23℃下使用2.38質量%氫氧化四甲銨（TMAH）水溶液「NMD-3」（商品名、東京應化工業股份有限公司製），進行60秒鐘的鹼顯影。 　　之後，使用純水進行15秒鐘水淋洗。 　　其結果，形成線寬50~26nm的1：1的LS圖型。 ［解析性之評估］ 　　上述Eop中的界限解析度，具體而言，從最佳曝光量Eop逐量地增大曝光量並形成LS圖型時，使用掃描式電子顯微鏡S-9380（Hitachi High-Technologies公司製），求出未產生倒塌且解析圖型之最小尺寸。將此者作為「解析性能（nm）」並表示於表3。 　　[0336] ［LWR（線寬度粗糙度）之評估］ 　　對於上述＜阻劑圖型之形成（2）＞所形成的LS圖型，求出標示LWR的尺度的3σ。將此者作為「LWR（nm）」並表示於表中。 　　「3σ」係藉由掃描式電子顯微鏡（加速電壓800V、商品名：S-9380、Hitachi High-Technologies公司製），測定在線的長邊方向之400處的線位置，從其測定結果求出標準偏差（σ）的3倍值（3σ）（單位：nm）來予以表示。 　　該3σ的值越小，則線側壁的粗糙度越小，意味著可得到更均勻寬度的LS圖型之意。 　　[0337][0338] 由表3所示之結果可確認，應用本發明的實施例1~12的阻劑組成物係可降低缺陷、且微影特性亦為良好。

Claims (6)

  1. 一種阻劑組成物，其係經曝光而產生酸、並經由酸之作用而對於顯影液之溶解性產生變化的阻劑組成物，其特徵在於，含有 　　經由酸之作用而對於顯影液之溶解性產生變化的基材成分（A）、與 　　對於鹼顯影液展現出分解性的氟添加劑成分（F）， 　　前述基材成分（A）係包含具有下述一般式（a10-1）所表示的構成單位（a10）10莫耳%以上、與含經由酸之作用而增大極性的酸分解性基的構成單位（a1）30莫耳%以上的樹脂成分（A1）， 　　前述氟添加劑成分（F）係包含具有含鹼解離性基的構成單位（f1）的氟樹脂成分（F1），［式中，R係氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Yax1 係單鍵或2價的連結基，Wax1 係可具有取代基之（nax1 +1）價的芳香族烴基，nax1 係1~3的整數］。
  2. 如請求項1之阻劑組成物，其中，前述氟樹脂成分（F1）係具有下述一般式（f1-1）所表示的構成單位、或下述一般式（f1-2）所表示的構成單位，［式中，R係分別獨立為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，X係不具有酸解離性部位的2價的連結基，Aaryl 係可具有取代基的2價的芳香族環式基，X01 係單鍵或2價的連結基，R2 係分別獨立為具有氟原子之有機基］。
  3. 如請求項1之阻劑組成物，其中，前述氟樹脂成分（F1）係進而具有構成單位（f2），該構成單位（f2）係包含含內酯的環式基。
  4. 如請求項1之阻劑組成物，其中，前述氟樹脂成分（F1）係進而具有下述一般式（f3-1）所表示的構成單位（f3），［式中，R係氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基］。
  5. 一種阻劑圖型形成方法，其係包含下述步驟：使用請求項1之阻劑組成物於支撐體上形成阻劑膜之步驟、曝光前述阻劑膜之步驟、及將前述曝光後的阻劑膜進行顯影來形成阻劑圖型之步驟。
  6. 如請求項5之阻劑圖型形成方法，其中，於曝光前述阻劑膜之步驟中，對前述阻劑膜進行EUV（極紫外線）或EB（電子線）之曝光。
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