TWI734801B - 阻劑組成物及阻劑圖型形成方法 - Google Patents

Abstract

本發明係一種阻劑組成物，其係包含具有以通式(a0-1)表示之構成單位的樹脂成分與通式(b1)表示的化合物。式(a0-1)中，R為氫原子、烷基或鹵化烷基。Va¹為二價烴基。n_a1為0~2之整數。Ra’¹²及Ra’¹³為碳數1~10之一價鏈狀飽和烴基或氫原子。Ra’¹⁴為苯基、萘基、或蒽基。式(b1)中，R^b1表示環狀烴基。Y^b1表示含有酯鍵之二價連結基。V^b1表示伸烷基、氟化伸烷基或單鍵。m為1以上之整數，M^m+表示m價之有機陽離子。

Description

阻劑組成物及阻劑圖型形成方法

本發明係有關一種阻劑組成物及阻劑圖型之形成方法。

本發明係依據2016年6月28日在日本申請之特願2016-128091號主張優先權，並在此引用該內容。

微影技術係進行下步驟，例如於基板上形成由阻劑材料所成的阻劑膜，對該阻劑膜進行選擇性曝光，藉由實施顯影處理，於前述阻劑膜形成特定形狀之阻劑圖型。阻劑膜之曝光部溶解於顯影液之特性產生變化的阻劑材料稱為正型，阻劑膜之曝光部不溶解於顯影液之特性產生變化的阻劑材料稱為負型。

近年，半導體元件或液晶顯示元件之製造，因微影技術之進歩，圖型急速地進行微細化。微細化之手法，一般為曝光光源進行短波長化(高能化)。具體而言，以往使用g線、i線所代表的紫外線，但現在則是使用KrF準分子雷 射或ArF準分子雷射進行半導體元件之量產。又，也有檢討相較於此等的準分子雷射為更短波長(高能)的EUV(極紫外線)或EB(電子束)、X光等。

阻劑材料被要求對此等曝光光源的感度、可再現微細尺寸之圖型的解析性等的微影特性。

滿足這種要求之阻劑材料，以往使用含有因酸之作用而對顯影液之溶解性產生變化的基材成分、與因曝光而產生酸之酸產生劑成分的化學放大型阻劑組成物。

例如上述顯影液為鹼顯影液(鹼顯影處理(process)時，正型化學放大型(chemically amplified)阻劑組成物，一般使用含有因酸作用而對鹼顯影液之溶解性增大的樹脂成分(基底樹脂)與酸產生劑成分者。使用此阻劑組成物所形成的阻劑膜，在阻劑圖型形成時進行選擇性曝光時，在曝光部，自酸產生劑成分產生酸，因該酸之作用使基底樹脂之極性增大，使阻劑膜之曝光部對鹼顯影液變得可溶解。因此，藉由鹼顯影，會形成阻劑膜之未曝光部作為圖型而殘留的正型圖型。

另外，將這種化學放大型阻劑組成物適用於使用包含有機溶劑之顯影液(有機系顯影液)的溶劑顯影處理時，基底樹脂之極性會增大，相對地，對有機系顯影液之溶解性會降低，故會形成阻劑膜之未曝光部藉由有機系顯影液而被溶解、去除，阻劑膜之曝光部作為圖型而殘留之負型阻劑圖型。如此形成負型阻劑圖型的溶劑顯影處理有時稱為負型顯影處理。

化學放大型阻劑組成物中使用的基底樹脂，一般而言，為了提高微影特性等，而具有複數的構成單位。

例如，因酸之作用而對鹼顯影液之溶解性增大的樹脂成分的情形，使用包含因酸產生劑等所產生之酸的作用而分解，並使極性增大之酸分解性基的構成單位，其他，有併用包含含內酯之環式基的構成單位、包含羥基等之極性基的構成單位等。

又，阻劑圖型之形成時，因曝光自酸產生劑成分產生之酸的舉動，視為對微影特性有很大影響之一要素。

化學放大型阻劑組成物中使用的酸產生劑，目前為止有提案多種多樣形態者。例如錪鹽或鋶鹽等之鎓鹽系酸產生劑、肟磺酸鹽系酸產生劑、重氮甲烷系酸產生劑、硝苄基磺酸鹽系酸產生劑、亞胺基磺酸鹽(imino sulfonate)系酸產生劑、二碸系酸產生劑等為人所知。

鎓鹽系酸產生劑，主要使用於陽離子部具有三苯基鋶鹽等之鎓離子者。鎓鹽系酸產生劑之陰離子部，一般而言，使用烷基磺酸離子或其烷基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之氟化烷基磺酸離子。

又，阻劑圖型之形成時，為了提高圖微影特性，提案鎓鹽系酸產生劑之陰離子部為具有包含芳香族環之特定構造的陰離子之鎓鹽系酸產生劑(例如參照專利文獻1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]專利第5149236號公報

[發明概要]

微影技術的更進歩，阻劑圖型之越來越微細化進步中，例如電子束或EUV之微影時，其目標為形成數十nm之微細的圖型。如此，阻劑圖型尺寸越小，對於阻劑組成物越要求對曝光光源之高感度、及粗糙度降低等的良好微影特性。

然而，如上述含有以往鎓鹽系酸產生劑的阻劑組成物，試圖對EUV等之曝光光源為高感度化時，變得不易得到所期望之阻劑圖型形狀等，且皆要滿足此等特性有困難。

本發明有鑒於上述情形而完成者，本發明之課題為提供一種高感度化及可提昇微影特性，可形成良好形狀之阻劑圖型的阻劑組成物及阻劑圖型之形成方法。

為了解決上述課題，本發明採用以下的構成。

亦即，本發明之第1態樣係一種阻劑組成物，其係因 曝光產生酸，且因酸之作用而對顯影液之溶解性產生變化的阻劑組成物，其特徵為含有因酸之作用而對顯影液之溶解性產生變化的基材成分(A)、與因曝光而產生酸的酸產生劑成分(B)，

前述基材成分(A)包含具有以下述通式(a0-1)表示之構成單位(a0)的樹脂成分(A1)，

前述酸產生劑成分(B)包含以下述通式(b1)表示的化合物(B1)。

[式(a0-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。Va¹為可具有醚鍵之二價烴基。n_a1為0~2之整數。Ra’¹²及Ra’¹³各自獨立為碳數1~10之一價鏈狀飽和烴基或氫原子。此鏈狀飽和烴基所具有之氫原子之一部分或全部可被取代。Ra’¹⁴為可具有取代基之苯基、可具有取代基之萘基、或可具有取代基之蒽基。式(b1)中，R^b1表示可具有取代基之環狀烴基。Y^b1表示含有酯鍵(-C(=O)-O-或 -O-C(=O)-)之二價連結基。V^b1表示伸烷基、氟化伸烷基或單鍵。m為1以上之整數，M^m+表示m價之有機陽離子]。

本發明之第2態樣係一種阻劑圖型之形成方法，其係包含下述步驟：在支撐體上使用前述第1態樣之阻劑組成物，形成阻劑膜的步驟，將前述阻劑膜進行曝光的步驟，及將前述曝光後之阻劑膜進行顯影形成阻劑圖型的步驟。

依據本發明時，可提供高感度化及提高微影特性，可形成良好形狀之阻劑圖型的阻劑組成物及阻劑圖型之形成方法。

[實施發明之形態]

本說明書及本專利請求之範圍中，「脂肪族」定義為對於芳香族之相對的概念，意指不具有芳香族性之基、化合物等者。

「烷基」在無特別聲明時，包含直鏈狀、支鏈狀及環狀之一價飽和烴基者。烷氧基中之烷基也同樣的。

「伸烷基」在無特別聲明時，包含直鏈狀、支鏈狀及環狀之二價環狀飽和烴基者。

「鹵化烷基」係烷基之氫原子之一部分或全部經鹵原子取代之基，該鹵原子可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。

「氟化烷基」或「氟化伸烷基」係指烷基或伸烷基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基。

「構成單位」係指構成高分子化合物(樹脂、聚合物、共聚物)之單體單位(monomer unit)。

以「可具有取代基」記載的情形，包含將氫原子(-H)以1價基取代的情形及將亞甲基(-CH₂-)以二價基取代的情形兩者。

「曝光」包含放射線之照射全部的概念。

「自丙烯酸酯衍生的構成單位」係指丙烯酸酯之乙烯性雙鍵開裂所構成的構成單位。

「丙烯酸酯」為丙烯酸(CH₂=CH-COOH)之羧基末端的氫原子經有機基取代的化合物。

丙烯酸酯之鍵結於α位之碳原子的氫原子亦可經取代基取代。取代該鍵結於α位之碳原子的氫原子的取代基(R^α0)為氫原子以外之原子或基，可列舉例如碳數1~5之烷基、碳數1~5之鹵化烷基等。又，亦包含經取代基(R^α0)為含有酯鍵之取代基所取代的衣康酸二酯、或經取代基(R^α0)為羥基烷基或修飾該羥基之基取代的α羥基丙烯酸酯。又，丙烯酸酯之α位的碳原子，無特別聲明時係指丙烯酸之羰基所鍵結的碳原子。

以下，有時將鍵結於α位之碳原子的氫原子經取代基取代的丙烯酸酯稱為α取代丙烯酸酯。又，有時包括丙烯酸酯與α取代丙烯酸酯，稱為「(α取代)丙烯酸酯」。

「自丙烯醯胺所衍生的構成單位」係指丙烯 醯胺之乙烯性雙鍵開裂所構成的構成單位。

丙烯醯胺之鍵結於α位之碳原子的氫原子亦可經取代基取代，丙烯醯胺之胺基之氫原子之一或兩方亦可經取代基取代。又，丙烯醯胺之α位之碳原子，無特別聲明時，係指丙烯醯胺之羰基所鍵結的碳原子。

取代丙烯醯胺之鍵結於α位之碳原子的氫原子的取代基，可列舉與前述α取代丙烯酸酯中作為α位之取代基所列舉者(取代基(R^α0))相同者。

「自羥基苯乙烯所衍生的構成單位」係指羥基苯乙烯之乙烯性雙鍵開裂所構成的構成單位。「自羥基苯乙烯衍生物所衍生的構成單位」係指羥基苯乙烯衍生物之乙烯性雙鍵開裂所構成的構成單位。

「羥基苯乙烯衍生物」係指包含羥基苯乙烯之α位之氫原子經烷基、鹵化烷基等其他取代基取代者，及彼等之衍生物的概念。彼等之衍生物，可列舉將α位之氫原子可經取代基取代之羥基苯乙烯之羥基的氫原子以有機基取代者；於α位之氫原子可經取代基取代之羥基苯乙烯的苯環上鍵結有羥基以外之取代基者等。又，α位(α位的碳原子)無特別聲明時係指苯環所鍵結的碳原子。

取代羥基苯乙烯之α位之氫原子的取代基，可列舉與前述α取代丙烯酸酯中作為α位之取代基所列舉者相同者。

「自乙烯基苯甲酸或乙烯基苯甲酸衍生物所衍生的構成單位」係指乙烯基苯甲酸或乙烯基苯甲酸衍生物之乙烯性雙鍵開裂所構成的構成單位。

「乙烯基苯甲酸衍生物」係指包含乙烯基苯甲酸之α位的氫原子經烷基、鹵化烷基等其他取代基取代者，及彼等之衍生物的概念。彼等之衍生物，可列舉將α位之氫原子可經取代基取代之乙烯基苯甲酸之羧基的氫原子以有機基取代者；於α位之氫原子可經取代基取代之乙烯基苯甲酸的苯環上，鍵結有羥基及羧基以外的取代基者等。又，α位(α位之碳原子)無特別聲明時係指苯環所鍵結的碳原子。

「苯乙烯」係指包含苯乙烯及苯乙烯之α位的氫原子經烷基、鹵化烷基等其他取代基取代者的概念。

「苯乙烯衍生物」係指包含苯乙烯之α位的氫原子經烷基、鹵化烷基等其他取代基取代者、及彼等之衍生物的概念。彼等之衍生物，可列舉α位之氫原子可經取代基取代之羥基苯乙烯的苯環上鍵結有取代基者等。又，α位(α位之碳原子)無特別聲明時係指苯環所鍵結的碳原子。

「自苯乙烯所衍生的構成單位」、「自苯乙烯衍生物所衍生的構成單位」係指苯乙烯或苯乙烯衍生物之乙烯性雙鍵開裂所構成的構成單位。

上述作為α位之取代基的烷基，較佳為直鏈狀或支鏈狀的烷基，具體而言，可列舉碳數1~5之烷基(甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基)等。

又，作為α位之取代基的鹵化烷基，具體而言，可列舉將上述「作為α位之取代基的烷基」之氫原子之一部分 或全部以鹵素原子取代之基。該鹵素原子可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是氟原子為佳。

又，作為α位之取代基的羥基烷基，具體而言，可列舉將上述「作為α位之取代基之烷基」之氫原子之一部分或全部以羥基取代之基。該羥基烷基中之羥基數，較佳為1~5，最佳為1。

(阻劑組成物)

本發明第1態樣之阻劑組成物係因曝光產生酸，且因酸的作用，對顯影液之溶解性產生變化者。

此阻劑組成物之一實施形態，可列舉一種阻劑組成物，其係含有因酸之作用而對顯影液之溶解性產生變化的基材成分(A)(以下也稱為「(A)成分」)、與因曝光而產生酸之酸產生劑成分(B)(以下也稱為「(B)成分」)。本實施形態之阻劑組成物中，(A)成分包含具有以通式(a0-1)表示之構成單位(a0)的樹脂成分(A1)(以下也稱為「(A1)成分」)，(B)成分包含以通式(b1)所表示的化合物(B1)。

使用本實施形態之阻劑組成物形成阻劑膜，並對該阻劑膜進行選擇性曝光時，該阻劑膜之曝光部中，自(B)成分產生酸，藉由該酸的作用，(A)成分對顯影液之溶解性產生變化，另外，該阻劑膜之未曝光部中，(A)成分對顯影液之溶解性不會變化，因此，在曝光部與未曝光部之間，對顯影液之溶解性產生差異。因此，將該阻劑膜顯影時，該阻劑組成物為正型時，阻劑膜曝光部會被溶解 去除，形成正型的阻劑圖型，該阻劑組成物為負型時，阻劑膜未曝光部會被溶解去除，形成負型的阻劑圖型。

本說明書中，阻劑膜曝光部被溶解去除形成正型阻劑圖型之阻劑組成物稱為正型阻劑組成物，而阻劑膜未曝光部被溶解去除形成負型阻劑圖型的阻劑組成物稱為負型阻劑組成物。

本實施形態之阻劑組成物可為正型阻劑組成物，亦可為負型阻劑組成物。

又，本實施形態之阻劑組成物亦可為阻劑圖型形成時之顯影處理使用鹼顯影液的鹼顯影處理用，亦可為該顯影處理使用包含有機溶劑之顯影液(有機系顯影液)的溶劑顯影處理用。

本實施形態之阻劑組成物具有因曝光而產生酸的酸產生能者，除了(B)成分外，(A)成分亦可因曝光產生酸。

(A)成分為因曝光而產生酸時，此(A)成分會成為「因曝光產生酸，且因酸的作用，對顯影液之溶解性產生變化的基材成分」。(A)成分為因曝光產生酸，且因酸的作用而對顯影液的溶解性產生變化的基材成分時，後述(A1)成分為因曝光產生酸，且因酸之作用而對顯影液之溶解性產生變化的高分子化合物為佳。這種高分子化合物，可列舉具有因曝光而產生酸之構成單位的樹脂。衍生因曝光而產生酸之構成單位的單體，可使用公知者。

<(A)成分>

(A)成分為因酸之作用而對顯影液之溶解性產生變化的基材成分。

本發明中，「基材成分」係指具有膜形成能的有機化合物，較佳為使用分子量為500以上的有機化合物。藉由該有機化合物之分子量為500以上，而提高膜形成能，而又，容易形成奈米等級的阻劑圖型。

作為基材成分使用的有機化合物，大致分類為非聚合物與聚合物。

非聚合物通常使用分子量為500以上未達4000者。以下稱為「低分子化合物」時，表示分子量為500以上未達4000的非聚合物。

聚合物通常使用分子量為1000以上者。以下稱為「樹脂」、「高分子化合物」或「聚合物」時，表示分子量為1000以上的聚合物。

聚合物之分子量為使用藉由GPC((凝膠滲透層析)之聚苯乙烯換算的質量平均分子量。

本實施形態之阻劑組成物所使用的(A)成分，至少使用(A1)成分，且與該(A1)成分一同亦可併用其他高分子化合物及/或低分子化合物。

本實施形態之阻劑組成物中，(A)成分為包含具有以通式(a0-1)表示之構成單位(a0)的樹脂成分(A1)者。

將使用含有此(A1)成分的阻劑組成物所形成的阻劑膜進行曝光時，構成單位(a0)因酸的作用，其構造中之至少 一部分的鍵結會開裂，極性增大。因此，本實施形態之阻劑組成物，在顯影液為有機系顯影液時(溶劑顯影處理)成為負型，在顯影液為鹼顯影液時(鹼顯影處理)成為正型。(A1)成分在曝光前後，極性產生變化，故藉由使用(A1)成分，不僅在鹼顯影處理，且在溶劑顯影處理中也可得到良好的顯影對比。

換言之，適用鹼顯影處理時，該(A1)成分在曝光前對鹼顯影液為難溶性，例如因曝光而自(B)成分產生酸時，因該酸之作用極性增大，對鹼顯影液之溶解性增大。因此，阻劑圖型之形成中，對於將該阻劑組成物塗佈於支撐體上所得的阻劑膜，進行選擇性曝光時，阻劑膜曝光部對鹼顯影液會從難溶性變化成可溶性，另外，阻劑膜未曝光部仍為鹼難溶性的狀態不會產生變化，因此，藉由鹼顯影來形成正型阻劑圖型。

另外，適用溶劑顯影處理時，該(A1)成分在曝光前對有機系顯影液的溶解性高，因曝光而自(B)成分產生酸時，因該酸之作用極性變高，對有機系顯影液之溶解性會減少。因此，阻劑圖型之形成中，對於將該阻劑組成物塗佈於支撐體上所得的阻劑膜，進行選擇性曝光時，阻劑膜曝光部對有機系顯影液，從可溶性變化成難溶性，另外，阻劑膜未曝光部仍為可溶性的狀態不會變化，因此，藉由以有機系顯影液顯影，可在曝光部與未曝光部之間產生對比，形成負型阻劑圖型。

關於(A1)成分

(A1)成分係具有構成單位(a0)的樹脂成分。

作為(A1)成分，除了構成單位(a0)外，進一步具有包含含內酯之環式基、含-SO₂-之環式基或含碳酸酯之環式基的構成單位(a2)為佳。

又，作為(A1)成分，除了構成單位(a0)外，或除了構成單位(a0)及構成單位(a2)外，進一步具有後述通式(a9-1)表示之構成單位(a9)為佳。

又，作為(A1)成分，除了構成單位(a0)外，進一步具有包含羥基苯乙烯骨架的構成單位為佳。

又，(A1)成分亦可具有構成單位(a0)、(a2)、(a9)、包含羥基苯乙烯骨架之構成單位以外的構成單位。

≪構成單位(a0)≫

構成單位(a0)為下述通式(a0-1)表示的構成單位。

構成單位(a0)包含因酸之作用而極性增大的酸分解性基。「酸分解性基」係指具有因酸之作用，該酸分解性基之構造中之至少一部分鍵結能開裂之酸分解性之基。構成單位(a0)中，因酸之作用，酸解離性基(-C(Ra’¹²)(Ra’¹³)(Ra’¹⁴))與該酸解離性基所鄰接之氧原子之間的鍵結會開裂，產生極性較高的極性基(羧基)，極性增大。

[式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。Va¹為可具有醚鍵之二價烴基。n_a1為0~2之整數。Ra’¹²及Ra’¹³各自獨立為碳數1~10之一價鏈狀飽和烴基或氫原子。此鏈狀飽和烴基所具有之氫原子之一部分或全部可被取代。Ra’¹⁴為可具有取代基之苯基、可具有取代基之萘基、或可具有取代基之蒽基]。

前述式(a0-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。

R之碳數1~5之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀或支鏈狀之烷基，具體而言，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。碳數1~5之鹵化烷基係前述碳數1~5之烷基之氫原子之一部分或全部經鹵素原子取代之基。該鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特佳為氟原子。

R較佳為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之氟化烷基，從工業上之取得容易度，最佳為氫原子或甲基。

前述式(a0-1)中，Va¹為可具有醚鍵之二價烴 基。

Va¹中之二價烴基，可為脂肪族烴基，也可為芳香族烴基。

作為Va¹中之二價烴基的脂肪族烴基，可為飽和也可為不飽和，通常以飽和為佳。

該脂肪族烴基，更具體而言，可列舉直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基、或在構造中含有環的脂肪族烴基等。

前述直鏈狀之脂肪族烴基，其碳數較佳為1~10，更佳為1~6，又更佳為1~4，最佳為1~3。

直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為直鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉亞甲基[-CH₂-]、伸乙基[-(CH₂)₂-]、三亞甲基[-(CH₂)₃-]、四亞甲基[-(CH₂)₄-]、五亞甲基[-(CH₂)₅-]等。

前述支鏈狀之脂肪族烴基，其碳數較佳為3~10，更佳為3~6，又更佳為3或4，最佳為3。

支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為支鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉-CH(CH₃)-、-CH(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)₂-、-C(CH₃)(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)(CH₂CH₂CH₃)-、-C(CH₂CH₃)₂-等之烷基亞甲基；-CH(CH₃)CH₂-、-CH(CH₃)CH(CH₃)-、-C(CH₃)₂CH₂-、-CH(CH₂CH₃)CH₂-、-C(CH₂CH₃)₂-CH₂-等之烷基伸乙基；-CH(CH₃)CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂-等之烷基三亞甲基；-CH(CH₃)CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂CH₂-等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀之烷基。

前述構造中包含環之脂肪族烴基，可列舉脂環式烴基(自脂肪族烴環去除2個氫原子之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之末端之基、脂環式烴基介在於直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基中之基等。前述直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，可列舉與前述直鏈狀之脂肪族烴基或前述支鏈狀之脂肪族烴基同樣者。

前述脂環式烴基，其碳數為3~20較佳，3~12更佳。

前述脂環式烴基可為多環式，亦可為單環式。單環式之脂環式烴基，較佳為自單環烷去除2個氫原子之基。該單環烷較佳為碳數3~6者，具體而言，可列舉環戊烷、環己烷等。多環式之脂環式烴基，較佳為自多環烷去除2個氫原子之基，該多環烷較佳為碳數7~12者，具體而言，可列舉金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

作為Va¹中之二價烴基的芳香族烴基為具有芳香環之烴基。

此芳香族烴基，較佳為碳數為3~30，更佳為5~30，又更佳為5~20，特佳為6~15，最佳為6~10。但是該碳數不包含取代基中的碳數。

芳香族烴基所具有的芳香環，具體而言，可列舉苯、聯苯、茀、萘、蔥、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子的一部分經雜原子取代的芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。

該芳香族烴基，具體而言，可列舉自前述芳香族烴環去除2個氫原子之基(伸芳基)；自前述芳香族烴環去除1個氫原子之基(芳基)之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如進一步自苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基中之芳基去除1個氫原子之基)等。前述伸烷基(芳基烷基中之烷基鏈)之碳，較佳為1~4，更佳為1~2，特佳為1。

前述式(a0-1)中，n_a1為0~2之整數，較佳為0或1，更佳為0。

前述式(a0-1)中，Ra’¹²及Ra’¹³各自獨立為碳數1~10之一價鏈狀飽和烴基或氫原子。

Ra’¹²及Ra’¹³中之碳數1~10之一價鏈狀飽和烴基，可列舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基等。此鏈狀飽和烴基所具有之氫原子之一部分或全部可經取代。

其中，Ra’¹²及Ra’¹³各自為氫原子、碳數1~5之烷基為佳，更佳為碳數1~5之烷基，又更佳為甲基、乙基，特佳為甲基。

上述Ra’¹²及Ra’¹³表示之鏈狀飽和烴基之氫原子經取代時，其取代基可列舉例如-R^P1、-R^P2-O-R^P1、-R^P2-CO-R^P1、-R^P2-CO-OR^P1、-R^P2-O-CO-R^P1、-R^P2-OH、-R^P2-CN或-R^P2-COOH(以下此等取代基統稱為「Ra⁰⁵」)等。

在此，R^P1為碳數1~10之一價鏈狀飽和烴基、碳數3 ~20之一價脂肪族環狀飽和烴基或碳數6~30之一價芳香族烴基。

又，R^P2為單鍵、碳數1~10之二價鏈狀飽和烴基、碳數3~20之二價脂肪族環狀飽和烴基、或碳數6~30之二價芳香族烴基。但是R^P1及R^P2之鏈狀飽和烴基、脂肪族環狀飽和烴基及芳香族烴基所具有之氫原子之一部分或全部可經氟原子取代。

上述脂肪族環狀飽和烴基，可1種單獨具有1個以上之上述取代基，或上述取代基中之複數種，也可具有各1個以上。

碳數1~10之一價鏈狀飽和烴基，可列舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基等。

碳數3~20之一價脂肪族環狀飽和烴基，可列舉例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基、環十二烷基等之單環式脂肪族飽和烴基；雙環[2.2.2]辛基、三環[5.2.1.02,6]癸基、三環[3.3.1.13,7]癸基、四環[6.2.1.13,6.02,7]十二烷基、金剛烷基等之多環式脂肪族飽和烴基。

碳數6~30之一價芳香族烴基，可列舉例如自苯、聯苯、茀、萘、蔥、菲等之芳香族烴環去除1個氫原子之基。

前述式(a0-1)中，Ra’¹⁴為可具有取代基之苯基、可具有取代基之萘基、或可具有取代基之蒽基。此等 之中，可更提高本發明效果，Ra’¹⁴較佳為可具有取代基之萘基。

Ra’¹⁴可具有之取代基，可列舉例如甲基、乙基、丙基、羥基、羧基、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子等)、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等)、烷氧基羰基等。

式(a0-1)中之Ra’¹⁴為萘基的情形，與前述式(a0-1)中之酸解離性基(-C(Ra’¹²)(Ra’¹³)(Ra’¹⁴))中之三級碳原子鍵結的位置，可為萘基之1位或2位之任一。

式(a0-1)中之Ra’¹⁴為蒽基的情形，與前述式(a0-1)中之酸解離性基(-C(Ra’¹²)(Ra’¹³)(Ra’¹⁴))中之三級碳原子鍵結的位置，可為蒽基之1位、2位或9位之任一。

以下表示以前述式(a0-1)表示之構成單位的具體例。以下之各式中，R^α表示氫原子、甲基或三氟甲基。

(A1)成分所具有之構成單位(a0)，可為1種或2種以上。

(A1)成分中之構成單位(a0)之比例係相對於構成(A1)成分之全構成單位之合計(100莫耳%)，較佳為20~70莫耳 %，更佳為25~65莫耳%，又更佳為30~60莫耳%。

藉由將構成單位(a0)之比例設為下限值以上，可容易得到阻劑圖型，也提高感度、解析性、粗糙度改善等之微影特性。又，藉由設為上限值以下，可取得與其他之構成單位之平衡。

≪構成單位(a2)≫

(A1)成分除了構成單位(a0)外，進一步具有包含含內酯之環式基、含-SO₂-之環式基或含碳酸酯之環式基的構成單位(a2)者為佳。

構成單位(a2)之含內酯之環式基、含-SO₂-之環式基或含碳酸酯之環式基係將(A1)成分用於形成阻劑膜的情形時，在提高阻劑膜對基板之密著性上為有效者。又，藉由具有構成單位(a2)，在鹼顯影處理中，顯影時，阻劑膜對鹼顯影液之溶解性提高。

「含內酯之環式基」係表示該環骨架中含有包含-O-C(=O)-之環(內酯環)的環式基。內酯環作為第1個環計算，僅內酯環的情形時，稱為單環式基，進一步具有其他之環構造的情形時，不論其構造，均稱為多環式基。含內酯之環式基，可為單環式基，也可為多環式基。

構成單位(a2)中之含內酯之環式基，無特別限定，可使用任意者。具體而言，可列舉例如以下述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)各自表示之基。

[式中，Ra’²¹各自獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基、或含-SO₂-之環式基；A”為亦可含有氧原子(-O-)或硫原子(-S-)之碳數1~5之伸烷基、氧原子或硫原子，n’為0~2之整數，m’為0或1]。

前述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)中，Ra’²¹中之烷基，較佳為碳數1~6之烷基。該烷基較佳為直鏈狀或支鏈狀。具體而言，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基、己基等。此等之中，較佳為甲基或乙基，特佳為甲基。

Ra’²¹中之烷氧基，較佳為碳數1~6之烷氧基。

該烷氧基較佳為直鏈狀或支鏈狀。具體而言，可列舉作為前述Ra’²¹中之烷基所列舉之烷基與氧原子(-O-)連接之基。

Ra’²¹中之鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原 子、碘原子等，較佳為氟原子。

Ra’²¹中之鹵化烷基，可列舉前述Ra’²¹中之烷基之氫原子之一部分或全部經前述鹵素原子取代之基。該鹵化烷基較佳為氟化烷基，特佳為全氟烷基。

Ra’²¹中之-COOR”、-OC(=O)R”中，R”皆為氫原子、烷基、含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基、或含-SO₂-之環式基。

R”中之烷基，可為直鏈狀、支鏈狀、環狀之任一者，碳數為1~15較佳。

R”為直鏈狀或支鏈狀之烷基的情形時，較佳為碳數1~10，又更佳為碳數1~5，特佳為甲基或乙基。

R”為環狀之烷基的情形時，較佳為碳數3~15，又更佳為碳數4~12，最佳為碳數5~10。具體而言，可例示自亦可經氟原子或氟化烷基取代、或可未經取代之單環烷去除1個以上氫原子之基；自雙環烷、三環烷、四環烷等之多環烷去除1個以上氫原子之基等。更具體而言，可列舉自環戊烷、環己烷等之單環烷去除1個以上氫原子之基；自金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環烷去除1個以上氫原子之基等。

R”中之含內酯之環式基，可列舉與分別以前述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)表示之基相同者。

R”中之含碳酸酯之環式基係與後述含碳酸酯之環式基同樣，具體而言，可列舉分別以通式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)表示之基。

R”中之含-SO₂-之環式基係與後述含-SO₂-之環式基同樣，具體而言，可列舉分別以通式(a5-r-1)~(a5-r-4)表示之基。

Ra’²¹中之羥基烷基係以碳數為1~6者較佳，具體而言，可列舉前述Ra’²¹中之烷基的至少1個氫原子經羥基取代之基。

前述通式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中，A”中之碳數1~5之伸烷基，較佳為直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，可列舉亞甲基、伸乙基、n-伸丙基、異伸丙基等。該伸烷基包含氧原子或硫原子時，該具體例可列舉在前述伸烷基之末端或碳原子間介在有-O-或-S-之基，可列舉例如-O-CH₂-、-CH₂-O-CH₂-、-S-CH₂-、-CH₂-S-CH₂-等。A”較佳為碳數1~5之伸烷基或-O-，更佳為碳數1~5之伸烷基，最佳為亞甲基。

下述列舉分別以通式(a2-r-1)~(a2-r-7)表示之基的具體例。

「含-SO₂-之環式基」係指含有在其環骨架中包含-SO₂-之環的環式基，具體而言，-SO₂-中之硫原子(S)形成環式基之環骨架之一部份的環式基。將該環骨架中包含-SO₂-之環作為第一個環來計數，僅有該環時稱為單環式基，進一步具有其他環構造時，不論其構造皆稱為多環式基。含-SO₂-之環式基可為單環式基，亦可為多環式基。

含-SO₂-之環式基，特別是其環骨架中包含-O-SO₂-之環式基，亦即含有-O-SO₂-中之-O-S-形成環骨架之一部分的磺內酯(sultone)環之環式基較佳。

含-SO₂-之環式基，更具體而言，可列舉分別以下述通式(a5-r-1)~(a5-r-4)所表示之基。

[式中，Ra’⁵¹分別獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基、或含-SO₂-之環式基；A”為亦可含有氧原子或硫原子之碳數1~5之伸烷基、氧原子或硫原子，n’為0~2之整數]。

前述通式(a5-r-1)~(a5-r-2)中，A”係與前述通式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中之A”相同。

Ra’⁵¹中之烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基，可列舉分別與前述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)中之Ra’²¹之說明所列舉者相同者。

下述列舉分別以通式(a5-r-1)~(a5-r-4)表示之基的具體例。式中之「Ac」表示乙醯基。

「含碳酸酯之環式基」係表示含有其環骨架中包含-O-C(=O)-O-之環(碳酸酯環)之環式基。將碳酸酯環作為第一個環計數，僅有碳酸酯環時稱為單環式基，進一步具有其他環構造的情形時，不論其構造皆稱為多環式基。含碳酸酯之環式基可為單環式基，亦可為多環式基。

含碳酸酯環之環式基，並無特別限定，可使用任意者。具體而言，可列舉分別以下述通式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)表示之基。

[式中，Ra’^x31分別獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基、或含-SO₂-之環式基；A”為亦可包含氧原子或硫原子之碳數1~5之伸烷基、氧原子或硫原子，p’為0~3之 整數，q’為0或1]。

前述通式(ax3-r-2)~(ax3-r-3)中，A”係與前述通式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中之A”相同。

Ra’³¹中之烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基，可列舉分別與以前述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)中之Ra’²¹之說明所列舉者相同者。

下述列舉分別以通式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)所表示之基的具體例。

構成單位(a2)，其中較佳為自鍵結於α位之碳原子的氫原子亦可經取代基取代之丙烯酸酯所衍生的構成單位。

此構成單位(a2)較佳為下述通式(a2-1)所表示之構成單位。

[式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。Ya²¹為單鍵或二價連結基。La²¹為-O-、-COO-、-CON(R’)-、-OCO-、-CONHCO-或-CONHCS-，R’表示氫原子或甲基。但是La²¹為-O-時，Ya²¹不可為-CO-。Ra²¹為含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基、或含-SO₂-之環式基]。

前述式(a2-1)中，R係與前述相同。

Ya²¹之二價連結基，無特別限定，可列舉可具有取代基之二價烴基、包含雜原子之二價連結基等適合者。

．亦可具有取代基之二價烴基：

Ya²¹為亦可具有取代基之二價烴基時，該烴基亦可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基。

．．Ya²¹中之脂肪族烴基

該脂肪族烴基係指不具有芳香族性之烴基。該脂肪族烴基亦可為飽和，亦可為不飽和，通常以飽和較佳。

前述脂肪族烴基，可列舉直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基、或構造中包含環之脂肪族烴基等。

．．．直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基

該直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數為1~10者，更佳為1~6，又更佳為1~4，最佳為1~3。

直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為直鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉亞甲基[-CH₂-]、伸乙基[-(CH₂)₂-]、三亞甲基[-(CH₂)₃-]、四亞甲基[-(CH₂)₄-]、五亞甲基[-(CH₂)₅-]等。

該支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數為3~10者，更佳為3~6，又更佳為3或4，最佳為3。

支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為支鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉-CH(CH₃)-、-CH(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)₂-、-C(CH₃)(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)(CH₂CH₂CH₃)-、-C(CH₂CH₃)₂-等之烷基亞甲基；-CH(CH₃)CH₂-、-CH(CH₃)CH(CH₃)-、-C(CH₃)₂CH₂-、-CH(CH₂CH₃)CH₂-、-C(CH₂CH₃)₂-CH₂-等之烷基伸乙基；-CH(CH₃)CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂-等之烷基三亞甲基；-CH(CH₃)CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂CH₂-等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀之烷基。

前述直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，可具有或不具有取代基。該取代基可列舉氟原子、經氟原子取代之碳數1~5之氟化烷基、羰基等。

．．．構造中包含環的脂肪族烴基

該構造中包含環之脂肪族烴基，可列舉環構造中亦可含有包含雜原子之取代基之環狀脂肪族烴基(自脂肪族烴環去除2個氫原子之基)、前述環狀脂肪族烴基鍵結在直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基末端之基、前述環狀脂肪族烴基介在直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基中之基等。前述直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，可列舉與前述相同者。

環狀脂肪族烴基，較佳為碳數為3~20者，更佳為3~12者。

環狀脂肪族烴基亦可為多環式基，亦可為單環式基。單環式之脂環式烴基，較佳為自單環烷去除2個氫原子之基。該單環烷烴較佳為碳數3~6者，具體而言，可列舉環戊烷、環己烷等。多環式之脂環式烴基，較佳為自多環烷去除2個氫原子之基，該多環烷烴較佳為碳數7~12者，具體而言，可列舉金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

環狀脂肪族烴基亦可具有或不具有取代基。該取代基可列舉烷基、烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、羥基、羰基等。

作為前述取代基之烷基，較佳為碳數1~5之烷基，最佳為甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基。

作為前述取代基之烷氧基，較佳為碳數1~5之烷氧基，更佳為甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基較佳，最佳為甲氧基、乙氧基。

作為前述取代基之鹵素原子，可列舉氟原子、氯原 子、溴原子、碘原子等，較佳為氟原子。

作為前述取代基之鹵化烷基，可列舉前述烷基之氫原子之一部分或全部經前述鹵素原子取代之基。

環狀脂肪族烴基中，構成其環構造之碳原子之一部分亦可經包含雜原子之取代基取代。該包含雜原子之取代基，較佳為-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)₂-、-S(=O)₂-O-。

．．Ya²¹中之芳香族烴基

該芳香族烴基為至少具有1個芳香環的烴基。

此芳香環只要是具有4n+2個π電子之環狀共軛系時，即無特別限制，可為單環式亦可為多環式。芳香環之碳數為5~30較佳，更佳為5~20，又更佳為6~15，特佳為6~12。但是該碳數不包含取代基中的碳數。芳香環具體而言，可列舉苯、萘、蔥、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子之一部分經雜原子取代的芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。

芳香族雜環，具體而言，可列舉吡啶環、噻吩環等。

芳香族烴基，具體而言，可列舉自前述芳香族烴環或芳香族雜環去除2個氫原子之基(伸芳基或雜伸芳基)；自包含2個以上芳香環之芳香族化合物(例如聯苯、茀等)去除2個氫原子之基；自前述芳香族烴環或芳香族雜環去除1個氫原子之基(芳基或雜芳基)之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如自苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1- 萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基中之芳基去除1個氫原子之基)等。鍵結於前述芳基或雜芳基之伸烷基的碳數，較佳為1~4，更佳為1~2，特佳為1。

前述芳香族烴基中，該芳香族烴基所具有之氫原子亦可經取代基取代。例如該芳香族烴基中鍵結於芳香環之氫原子亦可經取代基取代。該取代基可列舉例如烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基等。

作為前述取代基之烷基，較佳為碳數1~5之烷基，最佳為甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基。

作為前述取代基之烷氧基、鹵素原子及鹵化烷基，可列舉作為取代前述環狀脂肪族烴基所具有之氫原子的取代基所例示者。

．包含雜原子之二價連結基：

Ya²¹為包含雜原子之二價連結基時，該連結基之較佳者，可列舉-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(H可經烷基、醯基等之取代基取代)、-S-、-S(=O)₂-、-S(=O)₂-O-、通式-Y²¹-O-Y²²-、-Y²¹-O-、-Y²¹-C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y²¹-、-[Y²¹-C(=O)-O]_m”-Y²²-、-Y²¹-O-C(=O)-Y²²-或-Y²¹-S(=O)₂-O-Y²²-表示之基[式中，Y²¹及Y²²各自獨立為可具有取代基之二價烴基，O為氧原子，m”為0~3之整數]等。

前述包含雜原子之二價連結基為-C(=O)-NH-、-C(=O)-NH-C(=O)-、-NH-、-NH-C(=NH)-的情形，該H可 經烷基、醯基等之取代基取代。該取代基(烷基、醯基等)，較佳為碳數為1~10者，更佳為1~8者，特佳為1~5者。

通式-Y²¹-O-Y²²-、-Y²¹-O-、-Y²¹-C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y²¹-、-[Y²¹-C(=O)-O]_m”-Y²²-、-Y²¹-O-C(=O)-Y²²-或-Y²¹-S(=O)₂-O-Y²²-中，Y²¹及Y²²各自獨立為可具有取代基之二價烴基。該二價烴基可列舉與作為前述二價連結基之說明所列舉之(可具有取代基之二價烴基)同樣者。

Y²¹較佳為直鏈狀之脂肪族烴基，更佳為直鏈狀之伸烷基，又更佳為碳數1~5之直鏈狀之伸烷基，特佳為亞甲基或伸乙基。

Y²²較佳為直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，更佳為亞甲基、伸乙基或烷基亞甲基。該烷基亞甲基中之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀之烷基，更佳為碳數1~3之直鏈狀之烷基，最佳為甲基。

以式-[Y²¹C(=O)-O]_m”-Y²²-表示之基中，m”為0~3之整數，較佳為0~2之整數，更佳為0或1，特佳為1。換言之，以式-[Y²¹-C(=O)-O]_m”-Y²²-表示之基，特佳為以式-Y²¹-C(=O)-O-Y²²-表示之基。其中，較佳為以式-(CH₂)_a’-C(=O)-O-(CH₂)_b’-表示之基。該式中，a’為1~10之整數，較佳為1~8之整數，更佳為1~5之整數，又更佳為1或2，最佳為1。b’為1~10之整數，較佳為1~8之整數，更佳為1~5之整數，又更佳為1或2，最佳為1。

Ya²¹較佳為單鍵、酯鍵[-C(=O)-O-]、醚鍵(-O- )、直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、或此等之組合。

前述式(a2-1)中，Ra²¹為含內酯之環式基、含-SO₂-之環式基或含碳酸酯之環式基。

Ra²¹中之含內酯之環式基、含-SO₂-之環式基、含碳酸酯之環式基，較佳為各自以前述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)表示之基、各自以通式(a5-r-1)~(a5-r-4)表示之基、各自以通式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)表示之基。

其中，較佳為含內酯之環式基或含-SO₂-之環式基，更佳為各自以前述通式(a2-r-1)、(a2-r-2)、(a2-r-6)或(a5-r-1)表示之基。具體而言，更佳為各自以前述化學式(r-1c-1-1)~(r-1c-1-7)、(r-1c-2-1)~(r-1c-2-18)、(r-1c-6-1)、(r-s1-1-1)、(r-s1-1-18)表示之任一之基。

(A1)成分所具有之構成單位(a2)，可為1種或可為2種以上。

(A1)成分含有構成單位(a2)的情形，構成單位(a2)之比例係相對於構成該(A1)成分之全構成單位之合計(100莫耳%)，較佳為1~80莫耳%，更佳為10~70莫耳%，又更佳為10~65莫耳%，特佳為10~60莫耳%。

藉由將構成單位(a2)之比例設為較佳之下限值以上，可充分地得到含有構成單位(a2)的效果，另外，藉由將設為較佳之上限值以下，可取得與其他構成單位之平衡，各種的微影特性及圖型形狀變得良好。

≪構成單位(a9)≫

(A1)成分除了構成單位(a0)外，或除了構成單位(a0)及構成單位(a2)外，進一步具有下述通式(a9-1)表示之構成單位(a9)者為佳。

[式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。Ya⁹¹為單鍵或二價連結基。Ya⁹²為二價連結基。R⁹¹為可具有取代基之烴基]。

前述式(a9-1)中，R係與前述相同。

R較佳為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之氟化烷基，從工業上取得之容易度，特佳為氫原子或甲基。

前述式(a9-1)中，Ya⁹¹中之二價連結基，可列舉與上述通式(a2-1)中之Ya²¹之二價連結基同樣者。Ya⁹¹較佳為單鍵。

前述式(a9-1)中，Ya⁹²中之二價連結基，可列舉與上述通式(a2-1)中之Ya²¹之二價連結基同樣者。

Ya⁹²中之二價連結基中，可具有取代基之二價烴基，較佳為直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基。

此直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數1~10者，更佳 為1~6，又更佳為1~4，最佳為1~3。直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為直鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉亞甲基[-CH₂-]、伸乙基[-(CH₂)₂-]、三亞甲基[-(CH₂)₃-]、四亞甲基[-(CH₂)₄-]、五亞甲基[-(CH₂)₅-]等。

此支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數3~10者，更佳為3~6，又更佳為3或4，最佳為3。支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為支鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉-CH(CH₃)-、-CH(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)₂-、-C(CH₃)(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)(CH₂CH₂CH₃)-、-C(CH₂CH₃)₂-等之烷基亞甲基；-CH(CH₃)CH₂-、-CH(CH₃)CH(CH₃)-、-C(CH₃)₂CH₂-、-CH(CH₂CH₃)CH₂-、-C(CH₂CH₃)₂-CH₂-等之烷基伸乙基；-CH(CH₃)CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂-等之烷基三亞甲基；-CH(CH₃)CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂CH₂-等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀之烷基。

又，Ya⁹²中之二價連結基中，可具有雜原子之二價連結基，可列舉-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(H可經烷基、醯基等之取代基取代)、-S-、-S(=O)₂-、-S(=O)₂-O-、-C(=S)-、通式-Y²¹-O-Y²²-、-Y²¹-O-、-Y²¹-C(=O)-O-、-C(=O)-O--Y²¹、[Y²¹-C(=O)-O]_m’-Y²²-或-Y²¹-O-C(=O)-Y²²-表示之基[式中，Y²¹及Y²²各自獨立為可具有取代基之二價烴基，O為氧原子，m’為0~3之整數]等。其中，較佳為-C(=O)-、-C(=S)-。

前述式(a9-1)中，R⁹¹中之烴基，可列舉烷基、1價脂環式烴基、芳基、芳烷基等。

R⁹¹中之烷基，較佳為碳數1~8，更佳為碳數1~6，又更佳為碳數1~4，可為直鏈狀或支鏈狀。具體而言，較佳為可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、己基、辛基等。

R⁹¹中之1價脂環式烴基，較佳為碳數3~20，更佳為碳數3~12，可為多環式或可為單環式。單環式之脂環式烴基，較佳為自單環烷去除1個以上之氫原子之基。該單環烷較佳為碳數3~6者，具體而言，可列舉環丁烷、環戊烷、環己烷等。多環式之脂環式烴基，較佳為自多環烷去除1個以上之氫原子之基，該多環烷較佳為碳數7~12者，具體而言，可列舉金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

R⁹¹中之芳基，較佳為碳數6~18者。更佳為碳數6~10者，具體而言，特佳為苯基。

R⁹¹中之芳烷基，較佳為鍵結有碳數1~8之伸烷基與上述「R⁹¹中之芳基」的芳烷基，更佳為鍵結有碳數1~6之伸烷基與上述「R⁹¹中之芳基」的芳烷基，特佳為鍵結有碳數1~4之伸烷基與上述「R⁹¹中之芳基」的芳烷基。

R⁹¹中之烴基，較佳為該烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代者，更佳為該烴基之氫原子之30~100%經氟原子取代者。其中，特佳為上述烷基之氫原子之全部經氟原子取代的全氟烷基。

R⁹¹中之烴基可具有取代基。該取代基，可列 舉鹵素原子、側氧基(=O)、羥基(-OH)、胺基(-NH₂)、-SO₂-NH₂等。又，構成該烴基之碳原子之一部分可經包含雜原子之取代基取代。該包含雜原子之取代基，可列舉-O-、-NH-、-N=、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)₂-、-S(=O)₂-O-。

R⁹¹中，具有取代基之烴基，可列舉分別以前述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)表示之含內酯之環式基。

又，R⁹¹中，具有取代基之烴基，可列舉分別以前述通式(a5-r-1)~(a5-r-4)表示之含-SO₂-之環式基；下述化學式表示之取代芳基、1價之雜環式基等。

構成單位(a9)之中，較佳為下述通式(a9-1-1)表示之構成單位。

[式中，R係與前述同樣，Ya⁹¹係單鍵或二價連結基，R⁹¹係可具有取代基之烴基，R⁹²係氧原子或硫原子]。

通式(a9-1-1)中，對於Ya⁹¹、R⁹¹、R之說明係與前述同樣。又，R⁹²為氧原子或硫原子。

以下表示以前述式(a9-1)或通式(a9-1-1)表示之構成單位的具體例。下述式中，R^α表示氫原子、甲基或三氟甲基。

(A1)成分所含有之構成單位(a9)，可為1種或可為2種以上。

(A1)成分具有構成單位(a9)的情形，構成單位(a9)之比例係相對於構成該(A1)成分之全構成單位之合計(100莫耳%)，較佳為1~40莫耳%，更佳為3~30莫耳%，特佳為10~30莫耳%。

藉由將構成單位(a9)之比例設為下限值以上，可提高顯影特性或EL餘裕等之微影特性，藉由設為上限值以下，變得可容易取得與其他構成單位之平衡。

≪通式(a10-1)表示之構成單位≫

(A1)成分除了構成單位(a0)外，進一步具有下述通式(a10-1)表示之構成單位(a10)者為佳。

[式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。Ya^x1為單鍵或二價連結基。Wa^x1為(n_ax1+1)價之芳香族烴基。n_ax1為1~3之整數]。

前述式(a10-1)中，R係與前述相同。

R較佳為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之氟化烷基，從工業上取得之容易度，特佳為氫原子或甲基。

前述式(a10-1)中，Ya^x1中之二價連結基，可列舉與上述通式(a2-1)中之Ya²¹之二價連結基同樣者。Ya^x1較佳為單鍵。

Wa^x1中之芳香族烴基，可列舉自芳香環去除(n_ax1+1)個氫原子之基。在此之芳香環只要是具有4n+2個π電子之環狀共軛系時，即無特別限制，可為單環式亦可為多環式。芳香環之碳數為5~30較佳，更佳為5~20，又更佳為6~15，特佳為6~12。芳香環具體而言，可列舉苯、萘、蔥、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子之 一部分經雜原子取代的芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。芳香族雜環，具體而言，可列舉吡啶環、噻吩環等。

前述式(a10-1)中，n_ax1為1~3之整數，較佳為1或2，更佳為1。

以下表示以前述式(a10-1)表示之構成單位的具體例。下述式中，R^α表示氫原子、甲基或三氟甲基。

(A1)成分所含有之構成單位(a10)可為1種也可為2種以上。

構成單位(a10)較佳為含有羥基苯乙烯骨架之構成單位，特佳為例如下述通式(a10-1-1)表示之構成單位。

[式中，R^st表示氫原子或甲基。m₀₁表示1~3之整數]。

(A1)成分具有構成單位(a10)的情形，構成單位(a10)之比例係相對於構成該(A1)成分之全構成單位之合計(100莫耳%)，較佳為10~70莫耳%，更佳為15~65莫耳%，特佳為20~60莫耳%。

藉由將構成單位(a10)之比例設為下限值以上，可提高顯影特性或EL餘裕等之微影特性，藉由設為上限值以下，變得可容易取得與其他構成單位之平衡。

≪其他的構成單位≫

(A1)成分也可具有上述構成單位(a0)、構成單位(a2)、構成單位(a9)、構成單位(a10)以外之其他的構成單位。

其他的構成單位，可列舉例如包含因酸之作用，極性增大之酸分解性基的構成單位(a1)(但是排除相當於構成單位(a0)者)、由苯乙烯衍生的構成單位、由苯乙烯衍生物所衍生的構成單位(但是排除相當於構成單位(a10)者)、包含含極性基之脂肪族烴基的構成單位(但是排除相當於構成單位(a0)、構成單位(a2)或構成單位(a9)者)、包含酸非解 離性之脂肪族環式基的構成單位。

構成單位(a1)：

構成單位(a1)係包含因酸之作用，極性增大之酸分解性基的構成單位(但是排除相當於構成單位(a0)者)。

因酸之作用，極性增大之酸分解性基，可列舉例如因酸之作用而分解，產生極性基之基。

極性基可列舉例如羧基、羥基、胺基、磺基(-SO₃H)等。此等之中，較佳為構造中含有-OH之極性基(以下有時稱為「含有OH之極性基」)，更佳為羧基或羥基，特佳為羧基。

酸分解性基，具體而言，可列舉前述極性基經酸解離性基保護之基(例如將含有OH之極性基之氫原子以酸解離性基保護之基)。

在此，「酸解離性基」係指下述兩者之基：(i)具有因酸之作用，該酸解離性基與相鄰於該酸解離性基之原子之間的鍵結可開裂之酸解離性之基、或(ii)因酸之作用，一部分的鍵結開裂後，進一步藉由產生脫碳酸反應，該酸解離性基與相鄰於該酸解離性基之原子之間的鍵結可開裂之基。

構成酸分解性基之酸解離性基，必須是極性低於藉由該酸解離性基之解離所生成之極性基更低之基，藉此，因酸之作用，該酸解離性基產生解離時，會產生極性比該酸解離性基更高的極性基，極性會增大。其結果，(A1)成分 全體之極性增大。藉由極性增大，相對地，對顯影液之溶解性也產生變化，顯影液為鹼顯影液時，溶解性增大，顯影液為有機系顯影液時，溶解性減少。

酸解離性基，可列舉目前為止作為化學放大型阻劑組成物用之基底樹脂之酸解離性基所提案者。

作為化學放大型阻劑組成物用之基底樹脂之酸解離性基所提案者，具體而言，可列舉以下說明之「縮醛型酸解離性基」、「三級烷基酯型酸解離性基」、「三級烷氧基羰基酸解離性基」。

縮醛型酸解離性基：

前述極性基中，保護羧基或羥基之酸解離性基，可列舉例如下述通式(a1-r-1)表示之酸解離性基(以下有時稱為「縮醛型酸解離性基」)。

[式中，Ra’¹、Ra’²為氫原子或烷基，Ra’³為烴基，Ra’³為可與Ra’¹、Ra’²之任一鍵結形成環]。

式(a1-r-1)中，Ra’¹及Ra’²之中，至少一方為氫原子為佳，兩方為氫原子更佳。

Ra’¹或Ra’²為烷基的情形，該烷基可列舉與對於上述α 取代丙烯酸酯之說明，可鍵結於α位之碳原子之取代基所列舉之烷基同樣者，較佳為碳數1~5之烷基。具體而言，較佳為可列舉直鏈狀或支鏈狀之烷基。更具體而言，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等，更佳為甲基或乙基，特佳為甲基。

式(a1-r-1)中，Ra’³之烴基，可列舉直鏈狀或支鏈狀之烷基、環狀之烴基。

該直鏈狀之烷基，較佳為碳數為1~5者，更佳為1~4，又更佳為1或2。具體而言，可列舉甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。此等之中，較佳為甲基、乙基或n-丁基，更佳為甲基或乙基。

該支鏈狀之烷基，較佳為碳數為3~10者，更佳為3~5。具體而言，可列舉異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙基丙基、2,2-二甲基丁基等，較佳為異丙基。

Ra’³為環狀之烴基的情形，該烴基可為脂肪族烴基，也可為芳香族烴基，也可為多環式基，也可為單環式基。

單環式基的脂肪族烴基，較佳為自單環烷去除1個氫原子之基。該單環烷較佳為碳數3~6者，具體而言，可列舉環戊烷、環己烷等。

多環式基的脂肪族烴基，較佳為自多環烷去除1個氫原之基，該多環烷較佳為碳數7~12者，具體而言，可列 舉金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

Ra’³之環狀之烴基為芳香族烴基的情形，該芳香族烴基為具有至少1個芳香環的烴基。

此芳香環只要是具有4n+2個π電子之環狀共軛系時，即無特別限制，可為單環式亦可為多環式。芳香環之碳數為5~30較佳，更佳為5~20，又更佳為6~15，特佳為6~12。

芳香環具體而言，可列舉苯、萘、蔥、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子之一部分經雜原子取代的芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。芳香族雜環，具體而言，可列舉吡啶環、噻吩環等。

Ra’³中之芳香族烴基，具體而言，可列舉自前述芳香族烴環或芳香族雜環去除1個氫原子之基(芳基或雜芳基)；自包含2個以上芳香環之芳香族化合物(例如聯苯、茀等)去除1個氫原子之基；前述芳香族烴環或芳香族雜環之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如自苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基等)等。鍵結於前述芳香族烴環或芳香族雜環之伸烷基的碳數，較佳為1~4，更佳為1~2，特佳為1。

Ra’³中之環狀之烴基可具有取代基。此取代基可列舉例如與上述Ra⁰⁵同樣之基。

Ra’³與、Ra’¹、Ra’²之任一鍵結形成環的情形，該環式基較佳為4~7員環，更佳為4~6員環。該環式 基之具體例，可列舉四氫吡喃基、四氫呋喃基等。

三級烷基酯型酸解離性基：

上述極性基之中，保護羧基之酸解離性基，可列舉例如下述通式(a1-r-2)表示之酸解離性基。

又，下述式(a1-r-2)表示之酸解離性基之中，藉由烷基構成者，以下，在方便上，有時稱為「三級烷基酯型酸解離性基」。

[式中，Ra’⁴~Ra’⁶分別為烴基，R^a’⁵、Ra’⁶亦可互相鍵結並形成環]。

Ra’⁴之烴基，可列舉直鏈狀或支鏈狀之烷基、鏈狀或環狀之烯基、或環狀之烴基。

Ra’⁴中之直鏈狀或支鏈狀之烷基、環狀之烴基(單環式基的脂肪族烴基、多環式基的脂肪族烴基、芳香族烴基)，可列舉與前述Ra’³相同者。

Ra’⁴中之鏈狀或環狀之烯基，較佳為碳數2~10之烯基。

Ra’⁵、Ra’⁶之烴基，可列舉與前述Ra’³相同者。

Ra’⁵與Ra’⁶互相鍵結形成環時，可適當地列舉 下述通式(a1-r2-1)所表示之基、下述通式(a1-r2-2)所表示之基、下述通式(a1-r2-3)所表示之基。

另外，Ra’⁴~Ra’⁶未互相鍵結，獨立的烴基時，可適當列舉下述通式(a1-r2-4)所表示之基。

[式(a1-r2-1)中，Ra’¹⁰表示碳數1~10之烷基、Ra’¹¹表示與Ra’¹⁰所鍵結之碳原子一同形成脂肪族環式基之基。式(a1-r2-2)中，Ya為碳原子。Xa為與Ya一同形成環狀之烴基。此環狀烴基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經取代。Ra⁰¹~Ra⁰³分別獨立為氫原子、碳數1~10之一價鏈狀飽和烴基或碳數3~20之一價脂肪族環狀飽和烴基。此鏈狀飽和烴基及脂肪族環狀飽和烴基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經取代。Ra⁰¹~Ra⁰³之2個以上亦可互相鍵結形成環狀構造。*表示鍵結鍵。式(a1-r2-3)中，Yaa為碳原子。Xaa係與Yaa一同形成脂肪族環式基之基。Ra⁰⁴為亦可具有取代基之芳香族烴基。^*表示鍵結鍵。式(a1-r2-4)中，Ra’¹²及Ra’¹³分別獨立表示碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基或氫原子。此鏈狀飽和烴基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經取代。Ra”¹⁴為亦可具有取代基之芳香族烴基(但 是排除苯基、萘基、蒽基)。*表示鍵結鍵(以下相同)]。

式(a1-r2-1)中，Ra’¹⁰之碳數1~10之烷基，較佳為作為式(a1-r-1)中之Ra’³之直鏈狀或支鏈狀之烷基所列舉之基。

Ra’¹⁰較佳為碳數1~5之烷基。

式(a1-r2-1)中，Ra’¹¹與Ra’¹⁰所鍵結之碳原子一同形成之脂肪族環式基，較佳為作為式(a1-r-1)中之Ra’³之單環式基或多環式基之脂肪族烴基所列舉之基。

式(a1-r2-2)中，Xa與Ya一同形成之環狀烴基，可列舉自前述式(a1-r-1)中之Ra’³中之環狀之1價烴基(脂肪族烴基、芳香族烴基)，進一步去除1個以上之氫原子之基。

Xa與Ya一同形成之環狀烴基亦可具有取代基。此取代基，可列舉與上述Ra’³中之環狀烴基可具有之取代基相同者。

式(a1-r2-2)中，Ra⁰¹~Ra⁰³中之碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基，可列舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基等。

Ra⁰¹~Ra⁰³中之碳數3~20之1價脂肪族環狀飽和烴基，可列舉例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基、環十二烷基等之單環式脂肪族飽和烴基；雙環[2.2.2]辛基、三環[5.2.1.02,6]癸基、三環[3.3.1.13,7]癸基、四環[6.2.1.13,6.02,7]十二烷基、金剛烷基等之多環式脂肪族飽和烴基等。

Ra⁰¹~Ra⁰³之中，從衍生構成單位(a1)之單量體化合物之合成容易性的觀點，較佳為氫原子、碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基，其中，更佳為氫原子、甲基、乙基，特佳為氫原子。

上述Ra⁰¹~Ra⁰³所表示之鏈狀飽和烴基、或脂肪族環狀飽和烴基所具有的取代基，可列舉例如與上述Ra⁰⁵相同之基。

Ra⁰¹~Ra⁰³之2個以上互相鍵結形成環狀構造所產生之包含碳-碳雙鍵之基，可列舉例如環戊烯基、環己烯、甲基環戊烯基、甲基環己烯、亞環戊基(cyclopentylidene)乙烯基、亞環己基環乙烯基等。此等之中，從衍生構成單位(a1)之單量體化合物之合成容易性的觀點，較佳為環戊烯基、環己烯、環亞戊基乙烯基。

式(a1-r2-3)中，Xaa與Yaa一同形成之脂肪族環式基，較佳為作為式(a1-r-1)中之Ra’³之單環式基或多環式基之脂肪族烴基所列舉之基。

式(a1-r2-3)中，Ra⁰⁴之芳香族烴基，可列舉自碳數5~30之芳香族烴環去除1個以上之氫原子之基。其中，Ra⁰⁴較佳為自碳數6~15之芳香族烴環去除1個以上之氫原子之基，更佳為自苯、萘、蔥或菲去除1個以上之氫原子之基，又更佳為自苯、萘或蔥去除1個以上之氫原子之基，特佳為自苯或萘去除1個以上氫原子之基，最佳為自苯去除1個以上之氫原子之基。

式(a1-r2-3)中之Ra⁰⁴所可具有之取代基，可列 舉例如甲基、乙基、丙基、羥基、羧基、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子等)、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等)、烷氧基羰基等。

式(a1-r2-4)中，Ra’¹²及Ra’¹³分別獨立表示碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基或氫原子。Ra’¹²及Ra’¹³中之碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基，可列舉與上述Ra⁰¹~Ra⁰³中之碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基相同者。此鏈狀飽和烴基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經取代。

Ra’¹²及Ra’¹³之中，較佳為氫原子、碳數1~5之烷基，更佳為碳數1~5之烷基，又更佳為甲基、乙基，特佳為甲基。

上述Ra’¹²及Ra’¹³表示之鏈狀飽和烴基經取代時，其取代基可列舉例如與上述Ra⁰⁵相同之基。

式(a1-r2-4)中，Ra”¹⁴為可具有取代基之烴基(但是排除苯基、萘基、蒽基)。Ra”¹⁴中之烴基，可列舉與針對Ra’³之說明中所例示之烴基相同者(但是排除苯基、萘基、蒽基)。

Ra’¹⁴可具有之取代基，可列舉與Ra⁰⁴可具有之取代基相同者。

以下舉出前述式(a1-r2-1)表示之基的具體例。

以下舉出前述式(a1-r2-2)表示之基的具體例。

以下舉出前述式(a1-r2-3)表示之基的具體例。

以下舉出前述式(a1-r2-4)表示之基的具體例。

．三級烷氧基羰基酸解離性基：

前述極性基中保護羥基之酸解離性基，可列舉例如下述通式(a1-r-3)所表示之酸解離性基(以下方便上有時稱為「三級烷氧基羰基酸解離性基」)。

[式中，Ra’⁷~Ra’⁹分別為烷基]。

式(a1-r-3)中，Ra’⁷~Ra’⁹分別為碳數1~5之烷基較佳，1~3更佳。

又，各烷基之合計碳數，較佳為3~7，更佳為3~5，最佳為3~4。

構成單位(a1)可列舉由鍵結於α位之碳原子的氫原子亦可經取代基取代之丙烯酸酯所衍生的構成單位、由丙烯醯胺所衍生的構成單位、由羥基苯乙烯或羥基苯乙烯衍生物所衍生之構成單位之羥基中之氫原子之至少一部分經包含前述酸分解性基之取代基保護的構成單位、由乙烯基苯甲酸或乙烯基苯甲酸衍生物所衍生之構成單位之-C(=O)-OH中之氫原子的至少一部分經包含前述酸分解性基之取代基保護的構成單位等。

構成單位(a1)，上述中，較佳為由鍵結於α位之碳原子之氫原子亦可經取代基取代之丙烯酸酯所衍生的構成單位。

此構成單位(a1)之較佳的具體例，可列舉下述通式(a1-1)或(a1-2)所表示的構成單位。

[式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。Va¹為可具有醚鍵之二價烴基。n_a1為0~2之整數。Ra¹為上述通式(a1-r-1)或(a1-r-2)表示之酸解離性基。Wa¹為n_a2+1價的烴基，n_a2為1~3之整數，Ra²為上述式(a1-r-1)或(a1-r-3)所表示之酸解離性基]。

前述式(a1-1)中，R之碳數1~5之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀或支鏈狀之烷基，具體而言，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。碳數1~5之鹵化烷基為前述碳數1~5之烷基之氫原子之一部分或全部經鹵素原子取代之基。該鹵素原子可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特佳為氟原子。

R較佳為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之氟化烷基，從工業上取得之容易度，最佳為氫原子或甲基。

前述式(a1-1)中，Va¹中之二價烴基亦可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基。

作為Va¹中之二價烴基的脂肪族烴基，亦可為 飽和，亦可為不飽和，通常為飽和較佳。

該脂肪族烴基，更具體而言，可列舉直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基、或構造中包含環之脂肪族烴基等。

前述直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數為1~10者，更佳為1~6，又更佳為1~4，最佳為1~3。

直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為直鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉亞甲基[-CH₂-]、亞乙基[-(CH₂)₂-]、三亞甲基[-(CH₂)₃-]、四亞甲基[-(CH₂)₄-]、五亞甲基[-(CH₂)₅-]等。

前述支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數為3~10者，更佳為3~6，又更佳為3或4，最佳為3。

支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為支鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉-CH(CH₃)-、-CH(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)₂-、-C(CH₃)(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)(CH₂CH₂CH₃)-、-C(CH₂CH₃)₂-等之烷基亞甲基；-CH(CH₃)CH₂-、-CH(CH₃)CH(CH₃)-、-C(CH₃)₂CH₂-、-CH(CH₂CH₃)CH₂-、-C(CH₂CH₃)₂-CH₂-等之烷基伸乙基；-CH(CH₃)CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂-等之烷基三亞甲基；-CH(CH₃)CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂CH₂-等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀之烷基。

前述構造中包含環之脂肪族烴基，可列舉脂環式烴基(自脂肪族烴環去除2個氫原子之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基末端之基、脂環式烴基介在於直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基中之基等。前述 直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，可列舉與前述直鏈狀之脂肪族烴基或前述支鏈狀之脂肪族烴基相同者。

前述脂環式烴基，較佳為碳數為3~20者，更佳為3~12者。

前述脂環式烴基可為多環式，亦可為單環式。單環式之脂環式烴基，較佳為自單環烷去除2個氫原子之基。該單環烷烴，較佳為碳數3~6者，具體而言，可列舉環戊烷、環己烷等。多環式之脂環式烴基，較佳為自多環烷去除2個氫原子之基，該多環烷，較佳為碳數7~12者，具體而言，可列舉金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

作為Va¹中之二價烴基的芳香族烴基為具有芳香環之烴基。

此芳香族烴基，較佳為碳數為3~30者，更佳為5~30者，又更佳為5~20，特佳為6~15，最佳為6~10。但是該碳數中不包含取代基中的碳數。

芳香族烴基所具有的芳香環，具體而言，可列舉苯、聯苯、茀、萘、蔥、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子之一部分經雜原子取代之芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。

該芳香族烴基，具體而言，可列舉自前述芳香族烴環去除2個氫原子之基(伸芳基)；自前述芳香族烴環去除1個氫原子之基(芳基)之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如進 一步自苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基中之芳基去除1個氫原子之基)等。前述伸烷基(芳基烷基中之烷基鏈)之碳數，較佳為1~4，更佳為1~2，特佳為1。

前述式(a1-1)中，Ra¹為上述式(a1-r-1)或(a1-r-2)所表示之酸解離性基。

前述式(a1-2)中，Wa¹中之n_a2+1價之烴基，可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基。該脂肪族烴基係指不具有芳香族性之烴基，可為飽和，亦可為不飽和，通常為飽和較佳。前述脂肪族烴基，可列舉直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基、構造中包含環之脂肪族烴基、或組合直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基與構造中包含環之脂肪族烴基之基。

前述n_a2+1價較佳為2~4價，更佳為2或三價。

以下表示前述式(a1-1)所表示之構成單位的具體例。以下各式中，R^α表示氫原子、甲基或三氟甲基。

以下表示前述式(a1-2)所表示之構成單位的具體例。

(A1)成分所具有之構成單位(a1)可為1種亦可為2種以上。

構成單位(a1)從更容易提高以電子束或EUV之微影的 特性(感度、形狀等)，更佳為前述式(a1-1)表示的構成單位。

(A1)成分中之構成單位(a1)之比例係相對於構成(A1)成分之全構成單位的合計(100莫耳%)，較佳為20~70莫耳%，更佳為25~65莫耳%，又更佳為30~60莫耳%。

藉由將構成單位(a1)之比例設為下限值以上，可容易得到阻劑圖型，也提高感度、解像性、粗糙度改善等之微影特性。又，藉由設在上限值以下，可取得與其他構成單位之平衡。

本實施形態之阻劑組成物中，(A)成分包含具有構成單位(a0)之高分子化合物(A1-1)(以下亦稱為「(A1-1)成分」)。

阻劑組成物所含有之(A1)成分，可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

較佳的(A1-1)成分，可列舉具有構成單位(a0)與構成單位(a2)之重複構造的高分子化合物、具有構成單位(a0)與構成單位(a2)與構成單位(a9)之重複構造的高分子化合物(以下稱為「(A1-1-1)成分」)、具有構成單位(a0)與構成單位(a10)之重複構造的高分子化合物(以下稱為「(A1-1-2)成分」)等。

本實施形態之阻劑組成物中，(A)成分較佳為組合(A1-1-1)成分與(A1-1-2)成分來使用。

(A1-1-1)成分中，構成單位(a0)之比例係相對於構成(A1-1-1)成分的全構成單位(100莫耳%)，較佳為20 ~70莫耳%，更佳為25~65莫耳%，又更佳為30~60莫耳%。

構成單位(a2)之比例係相對於構成(A1-1-1)成分的全構成單位(100莫耳%)，較佳為20~70莫耳%，更佳為25~65莫耳%，又更佳為30~60莫耳%。

構成單位(a9)之比例係相對於構成(A1-1-1)成分的全構成單位(100莫耳%)，較佳為1~40莫耳%，更佳為3~30莫耳%，又更佳為5~25莫耳%。

(A1-1-2)成分中，構成單位(a0)之比例係相對於構成(A1-1-2)成分的全構成單位(100莫耳%)，較佳為25~75莫耳%，更佳為30~70莫耳%，又更佳為35~65莫耳%。

構成單位(a10)之比例係相對於構成(A1-1-2)成分的全構成單位(100莫耳%)，較佳為25~75莫耳%，更佳為30~70莫耳%，又更佳為35~65莫耳%。

(A1-1-1)成分與(A1-1-2)成分之比率(質量比)，較佳為(A1-1-1)成分/(A1-1-2)成分=1/9~9/1，更佳為3/7~7/3，又更佳為5/5。

(A1-1)成分之質量平均分子量(Mw)((凝膠滲透層析(GPC)所得之聚苯乙烯換算基準)，並無特別限定，較佳為1000~50000，更佳為2000~30000，又更佳為3000~20000。

(A1-1)成分之Mw若在此範圍之較佳上限值以下時，作為阻劑使用時有充分之對阻劑溶劑的溶解性，若在此範 圍之較佳下限值以上時，乾蝕刻耐性或阻劑圖型剖面形狀良好。

(A1-1)成分之分散度(Mw/Mn)無特別限定，較佳為1.0~4.0左右，更佳為1.0~3.0左右，特佳為1.5~2.5左右。又，Mn表示數平均分子量。

(A)成分中之(A1-1)成分之比例係相對於(A)成分之總質量，較佳為25質量%以上，更佳為50質量%以上，又更佳為75質量%以上，亦可為100質量%。該比例為25質量%以上時，變得容易形成高感度化、或粗糙度改善等各種微影特性優異的阻劑圖型。這種效果特別是在藉由電子束或EUV之微影較顯著。

(A1)成分之製造方法：

(A1)成分可藉由將衍生各構成單位之單體溶解於聚合溶劑中，於此，添加例如偶氮雙異丁腈(AIBN)、二甲基2,2’-偶氮二異丁酸酯(例如V-601等)等之自由基聚合起始劑，進行聚合來製造。又，聚合時，例如藉由併用如HS-CH₂-CH₂-CH₂-C(CF₃)₂-OH之鏈轉移劑使用，亦可於末端導入-C(CF₃)₂-OH基。如此，導入有烷基之氫原子之一部分經氟原子取代之羥基烷基的共聚合物，可有效降低顯影缺陷或有效降低LER(線邊緣粗糙度：線側壁之不均勻的凹凸)。

本實施形態之阻劑組成物中，(A)成分可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

本實施形態之阻劑組成物中，(A)成分之含量係配合欲形成之阻劑膜厚等來調整即可。

<(B)成分>

(B)成分為因曝光而產生酸的酸產生劑成分。

．(B1)成分

本實施形態之阻劑組成物中，(B)成分包含下述通式(b1)表示之化合物(B1)(以下亦稱為「(B1)成分」)。

[式(b1)中，R^b1表示可具有取代基之環狀烴基。Y^b1表示包含酯鍵結(-C(=O)-O-或-O-C(=O)-)之二價連結基。V^b1表示伸烷基、氟化伸烷基或單鍵。m為1以上之整數，M^m+表示m價之有機陽離子]。

．．陰離子部(R^b1-Y^b1-V^b1-SO₃ ^-)

前述式(b1)中，R^b1表示可具有取代基之環狀烴基。

R^b1中之環狀之烴基可為芳香族烴基，亦可為脂肪族烴基。脂肪族烴基係指不具有芳香族性的烴基。

又，脂肪族烴基可為飽和，亦可為不飽和，通常為飽和較佳。

R^b1中之芳香族烴基為具有芳香環的烴基。該芳香族烴基之碳數，較佳為3~30，更佳為5~30，又更佳為5~20，特佳為6~15，最佳為6~10。但是該碳數不包含取代基中的碳數。

R^b1中之芳香族烴基所具有的芳香環，具體而言，可列舉苯、茀、萘、蔥、菲、聯苯、或構成此等之芳香環之碳原子之一部分經雜原子取代的芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。

R^b1中之芳香族烴基，具體而言，可列舉自前述芳香環去除1個氫原子之基(芳基：例如苯基、萘基等)、前述芳香環之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基等)等。前述伸烷基(芳基烷基中之烷基鏈)之碳數，較佳為1~4，更佳為1~2，特佳為1。

R^b1中之環狀脂肪族烴基，可列舉構造中包含環的脂肪族烴基。

此構造中包含環之脂肪族烴基，可列舉脂環式烴基(自脂肪族烴環去除1個氫原子之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之末端之基、脂環式烴基介在直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基中之基等。

前述脂環式烴基，較佳為碳數為3~20者，更佳為3~18者。

前述脂環式烴基可為多環式基，亦可為單環式基。單環式之脂環式烴基，較佳為自單環烷去除1個以上之氫原 子之基。該單環烷較佳為碳數3~6者，具體而言，可列舉環戊烷、環己烷等。多環式之脂環式烴基，較佳為自多環烷去除1個以上之氫原子之基，該多環烷烴較佳為碳數7~30者。其中，該多環烷更佳為金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之交聯環系之具有多環式骨架的多環烷；具有類固醇骨架之環式基等之縮合環系之具有多環式骨架的多環烷。

其中，R^b1中之環狀脂肪族烴基，較佳為自單環烷或多環烷去除1個以上之氫原子之基，更佳為自多環烷去除1個氫原子之基。

亦可與脂環式烴基鍵結之直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數為1~10者，更佳為1~6，又更佳為1~4，最佳為1~3。直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為直鏈狀之伸烷基較佳，具體而言，可列舉亞甲基[-CH₂-]、亞乙基[-(CH₂)₂-]、三亞甲基[-(CH₂)₃-]、四亞甲基[-(CH₂)₄-]、五亞甲基[-(CH₂)₅-]等。

亦可與脂環式烴基鍵結之支鏈狀脂肪族烴基，較佳為碳數為2~10者，更佳為3~6，又更佳為3或4，最佳為3。支鏈狀脂肪族烴基，較佳為支鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉-CH(CH₃)-、-CH(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)₂-、-C(CH₃)(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)(CH₂CH₂CH₃)-、-C(CH₂CH₃)₂-等之烷基亞甲基；-CH(CH₃)CH₂-、-CH(CH₃)CH(CH₃)-、-C(CH₃)₂CH₂-、-CH(CH₂CH₃)CH₂-、-C(CH₂CH₃)₂-CH₂-等之烷基伸乙基；-CH(CH₃)CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂-等之烷基三亞甲 基；-CH(CH₃)CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂CH₂-等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀之烷基。

R^b1中之環狀烴基可具有之取代基，可列舉例如烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基等。

作為取代基之烷基，較佳為碳數1~5之烷基，最佳為甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基最佳。

作為取代基之烷氧基，較佳為碳數1~5之烷氧基，更佳為甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基再較佳，最佳為甲氧基、乙氧基。

作為取代基之鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，較佳為氟原子。

作為取代基之鹵化烷基為碳數1~5之烷基，可列舉甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基等之氫原子之一部分或全部經前述鹵素原子取代之基。

作為取代基之羰基為取代構成環狀烴基之亞甲基(-CH₂-)之基。

上述之中，R^b1較佳為可具有取代基之環狀脂肪族烴基。更具體而言，較佳為自可具有取代基之多環烷去除1個以上之氫原子之基。

以下列舉上述通式(b1)中之R^b1的具體例。*表示鍵結鍵。

前述式(b1)中，Y^b1表示包含酯鍵(-C(=O)-O-或-O-C(=O)-)之二價連結基。

包含酯鍵之二價連結基，可列舉例如僅有酯鍵(-C(=O)-O-或-O-C(=O)-)、酯鍵結與伸烷基之組合等。

又，Y^b1與酯鍵一同亦可具有氧原子(醚鍵：-O-)、氧基羰基(-O-C(=O)-)、醯胺鍵(-C(=O)-NH-)、羰基(-C(=O)-)、碳酸酯鍵(-O-C(=O)-O-)、磺醯基(-SO₂-)等之非烴系含氧原子之連結基。

包含此酯鍵之二價連結基，可列舉例如分別以下述通式(y-a1-1)~(y-a1-3)、(y-a1-5)、(y-a1-7)所表示之連結基。

[式中，V’¹⁰¹為單鍵或碳數1~5之伸烷基，V’¹⁰²為碳數1~30之二價飽和烴基]。

V’¹⁰²中之二價飽和烴基，較佳為碳數1~30之伸烷基，更佳為碳數1~10之伸烷基，又更佳為碳數1~5之伸烷基。

V’¹⁰¹以及V’¹⁰²中之伸烷基，可為直鏈狀之伸烷基，亦可為支鏈狀之伸烷基，較佳為直鏈狀之伸烷基。

V’¹⁰¹及V’¹⁰²中之伸烷基，具體而言，可列舉亞甲基[-CH₂-]；-CH(CH₃)-、-CH(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)₂-、-C(CH₃)(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)(CH₂CH₂CH₃)-、-C(CH₂CH₃)₂-等之烷基亞甲基；伸乙基[-CH₂CH₂-]；-CH(CH₃)CH₂-、-CH(CH₃)CH(CH₃)-、-C(CH₃)₂CH₂-、-CH(CH₂CH₃)CH₂-等之烷基伸乙基；三亞甲基(n-伸丙基)[-CH₂CH₂CH₂-]；-CH(CH₃)CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂-等之烷基三亞甲基；四亞甲基[-CH₂CH₂CH₂CH₂-]；-CH(CH₃)CH₂CH₂CH₂- 、-CH₂CH(CH₃)CH₂CH₂-等之烷基四亞甲基；五亞甲基[-CH₂CH₂CH₂CH₂CH₂-]等。

又，V’¹⁰¹或V’¹⁰²中之前述伸烷基中之一部份的亞甲基亦可經碳數5~10之二價脂肪族環式基取代。該脂肪族環式基，較佳為自前述式(a1-r-1)中之Ra’³之環狀脂肪族烴基(單環式之脂肪族烴基、多環式之脂肪族烴基)進一步去除1個氫原子之二價基，更佳為伸環己基、1,5-伸金剛基或2,6-伸金剛基。

Y^b1特佳為僅酯鍵(-C(=O)-O-或-O-C(=O)-)、酯鍵結與伸烷基之組合。

前述式(b1)中，V^b1表示伸烷基、氟化伸烷基或單鍵。

V^b1中之伸烷基、氟化伸烷基，分別為碳數1~4為佳。V^b1中之氟化伸烷基，可列舉V^b1中之伸烷基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基。其中，V^b1較佳為單鍵、或碳數1~4之伸烷基。

前述式(b1)所表示之化合物之陰離子部的具體例，可列舉例如下述通式(an-0)所表示之陰離子。

[式中，R^b10表示自可具有取代基之多環烷去除1個以上之 氫原子之基。v”為0~3之整數。q”為1~20之整數。t”為1~3之整數。n”為0或1]。

前述式(an-0)中，R^b10中之多環烷，較佳為具有交聯環系之多環式骨架的多環烷、或具有類固醇骨架之環式基等之具有縮合環系之多環式骨架的多環烷。

R^b10中之多環烷可具有之取代基，可列舉例如烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基等。可列舉分別與通式(b1)中之R^b1中之環狀烴基可具有之取代基相同者。

前述(an-0)所表示之較佳的陰離子，具體而言，可列舉分別以下述式(an-1-1)~(an-1-3)所表示之陰離子。

．．陽離子部((M^m+)_1/m)

前述式(b1)中，M^m+表示m價有機陽離子。m為1以上之整數。

M^m+之有機陽離子，較佳為鋶陽離子、錪陽離子。

較佳的陽離子部((M^m+)_1/m)，可列舉分別以下述通式(ca-1)~(ca-5)所表示之有機陽離子。

[式中，R²⁰¹~R²⁰⁷、及R²¹¹~R²¹²分別獨立表示可具有取代基之芳基、烷基或烯基。R²⁰¹~R²⁰³、R²⁰⁶~R²⁰⁷、R²¹¹~R²¹²可互相鍵結，與式中之硫原子一同形成環。R²⁰⁸~R²⁰⁹分別獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基。R²¹⁰為可具有取代基之芳基、可具有取代基之烷基、可具有取代基之烯基、或亦可具有取代基之含-SO₂-之環式基。L²⁰¹表示- C(=O)-或-C(=O)-O-。Y²⁰¹分別獨立表示伸芳基、伸烷基或伸烯基。x為1或2。W²⁰¹表示(x+1)價之連結基。

W^b為可具有取代基之烴基。R^s1~R^s4分別獨立為取代基。n_b1~n_b4分別獨立為0~3之整數]。

R²⁰¹~R²⁰⁷、及R²¹¹~R²¹²中之芳基，可列舉碳數6~20之無取代之芳基，較佳為苯基、萘基。

R²⁰¹~R²⁰⁷、及R²¹¹~R²¹²中之烷基為鏈狀或環狀之烷基，較佳為碳數1~30者。

R²⁰¹~R²⁰⁷、及R²¹¹~R²¹²中之烯基，較佳為碳數為2~10者。

R²⁰¹~R²⁰⁷、及R²¹⁰~R²¹²可具有之取代基，可列舉例如烷基、鹵素原子、鹵化烷基、羰基、氰基、胺基、芳基、分別以下述通式(ca-r-1)~(ca-r-7)所表示之基。

[式中，R’²⁰¹分別獨立為氫原子、可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀烷基、或可具有取代基之鏈狀烯基]。

R’²⁰¹之可具有取代基之環式基、可具有取代基 之鏈狀烷基、或可具有取代基之鏈狀烯基，除了可列舉與後述式(b-1)中之R¹⁰¹相同者外，可具有取代基之環式基或可具有取代基之鏈狀烷基，可列舉與上述式(a1-r-2)所表示之酸解離性基相同者。

R²⁰¹~R²⁰³、R²⁰⁶~R²⁰⁷、R²¹¹~R²¹²互相鍵結與式中之硫原子一同形成環時，可介於硫原子、氧原子、氮原子等之雜原子、或羰基、-SO-、-SO₂-、-SO₃-、-COO-、-CONH-或-N(R_N)-(該R_N為碳數1~5之烷基)等之官能基進行鍵結。形成之環為其環骨架中包含1個式中之硫原子的環，包含硫原子，較佳為3~10員環，特佳為5~7員環。所形成之環的具體例，可列舉例如噻吩環、噻唑環、苯并噻吩環、噻蒽環、苯并噻吩環、二苯并噻吩環、9H-噻噸環、噻噸酮環、噻蒽環、吩噻噁(Phenoxathiine)環、四氫噻喃嗡環、四氫噻喃嗡環等。

R²⁰⁸~R²⁰⁹分別獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基，較佳為氫原子或碳數1~3之烷基，成為烷基時，亦可互相鍵結形成環。

R²¹⁰為可具有取代基之芳基、亦可具有取代基之烷基、亦可具有取代基之烯基、或亦可具有取代基之含-SO₂-之環式基。

R²¹⁰中之芳基，可列舉碳數6~20之無取代之芳基，較佳為苯基、萘基。

R²¹⁰中之烷基為鏈狀或環狀烷基，較佳為碳數1~30者。

R²¹⁰中之烯基，較佳為碳數為2~10者。

R²¹⁰中之可具有取代基之含-SO₂-之環式基，較佳為「含-SO₂-之多環式基」，更佳為上述通式(a5-r-1)所表示之基。

Y²⁰¹分別獨立表示伸芳基、伸烷基或伸烯基。

Y²⁰¹中之伸芳基可列舉自作為後述式(b-1)中之R¹⁰¹中之芳香族烴基所例示之芳基去除1個氫原子之基。

Y²⁰¹中之伸烷基、伸烯基，可列舉自作為後述式(b-1)中之R¹⁰¹中之鏈狀烷基、鏈狀烯基所例示之基去除1個氫原子之基。

前述式(ca-4)中，x為1或2。

W²⁰¹為(x+1)價，亦即二價或三價之連結基。

W²⁰¹中之二價連結基，較佳為可具有取代基之二價烴基，可例示與上述通式(a2-1)中之Ya²¹相同之可具有取代基的二價烴基。W²⁰¹中之二價連結基，亦可為直鏈狀、支鏈狀、環狀之任一者，較佳為環狀。其中，伸芳基之兩端組合有2個羰基之基較佳。伸芳基，可列舉伸苯基、伸萘基等，特佳為伸苯基。

W²⁰¹中之三價連結基，可列舉自前述W²⁰¹中之二價連結基去除1個氫原子之基、於前述二價連結基進一步鍵結有前述二價連結基之基等。W²⁰¹中之三價連結基，較佳為於伸芳基鍵結有2個羰基之基。

前述式(ca-5)中，W^b為可具有取代基之烴基。

W^b中之烴基可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基。

．脂肪族烴基

作為W^b中之二價烴基之脂肪族烴基，可為飽和，亦可為不飽和，通常為飽和較佳。

該脂肪族烴基，更具體而言，可列舉直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基、構造中包含環之脂肪族烴基等。

．．直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基

前述直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數為1~10者，更佳為1~6，又更佳為1~4，最佳為1~3。

直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為直鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉亞甲基[-CH₂-]、伸乙基[-(CH₂)₂-]、三亞甲基[-(CH₂)₃-]、四亞甲基[-(CH₂)₄-]、五亞甲基[-(CH₂)₅-]等。

前述分支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數為3~10者，更佳為3~6，又更佳為3或4，最佳為3。

支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為支鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉-CH(CH₃)-、-CH(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)₂-、-C(CH₃)(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)(CH₂CH₂CH₃)-、-C(CH₂CH₃)₂-等之烷基亞甲基；-CH(CH₃)CH₂-、-CH(CH₃)CH(CH₃)-、-C(CH₃)₂CH₂-、-CH(CH₂CH₃)CH₂-、-C(CH₂CH₃)₂-CH₂-等之烷基伸乙基；-CH(CH₃)CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂-等之烷基三亞甲基；-CH(CH₃)CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂CH₂-等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷 基，較佳為碳數1~5之直鏈狀之烷基。

．．構造中包含環之脂肪族烴基

前述構造中包含環之脂肪族烴基，可列舉脂環式烴基(自脂肪族烴環去除2個氫原子之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基末端之基、脂環式烴基介在於直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基中之基等。前述直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，可列舉與前述相同者。

前述脂環式烴基，較佳為碳數為3~20者，更佳為3~12。

前述脂環式烴基可為多環式，亦可為單環式。單環式之脂環式烴基，較佳為自單環烷去除2個氫原子之基。該單環烷烴，較佳為為碳數3~6者，具體而言，可列舉環戊烷、環己烷等。作為多環式之脂環式烴基，較佳為為自多環烷烴去除2個氫原子之基，該多環烷較佳為碳數7~12者，具體而言，可列舉金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

．芳香族烴基

芳香族烴基為具有芳香環之烴基。

作為前述W^b中之二價烴基之芳香族烴基，較佳為碳數為3~30，更佳為5~30，又更佳為5~20，特佳為6~15，最佳為6~10。但是該碳數中不包含取代基中的碳數。

芳香族烴基所具有之芳香環，具體而言，可列舉苯、聯苯、茀、萘、蔥、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子之一部分經雜原子取代之芳香族雜環；等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。

該芳香族烴基，具體而言，可列舉自前述芳香族烴環去除2個氫原子之基(伸芳基，較佳為伸苯基、伸萘基)；自前述芳香族烴環去除1個氫原子之基(芳基)之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如進一步自苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基中之芳基去除1個氫原子之基)；等。前述伸烷基(芳基烷基中之烷基鏈)之碳數，較佳為1~4，更佳為1~2，特佳為1。

W^b之烴基可具有之取代基，可列舉碳數1~5之烷基、碳數1~5之烷氧基、側氧基(=O)、羥基(-OH)、胺基(-NH₂)等。

其中，W^b較佳為芳香族烴基，芳香族烴基所具有之芳香環，較佳為苯、聯苯或萘，更佳為苯、聯苯。

前述式(ca-5)中，R^s1~R^s4分別獨立為取代基。

R^s1~R^s4之各取代基，可列舉例如烷基、鹵素原子、鹵化烷基、羰基、氰基、胺基、芳基、芳基硫基、分別以上述通式(ca-r-1)~(ca-r-7)所表示之基。

作為取代基之芳基硫基，可列舉苯基硫基或聯苯硫 基。

前述式(ca-5)中，n_b1~n_b4分別獨立為0~3之整數，較佳為0或1，更佳為0。

前述式(ca-1)所表示之較佳的陽離子，具體而言，可列舉分別以下述式(ca-1-1)~(ca-1-74)所表示之陽離子。

[式中，g1、g2、g3表示重複數，g1為1~5之整數，g2為0~20之整數，g3為0~20之整數]。

[式中，R”²⁰¹為氫原子或取代基，該取代基可列舉與作為前述R²⁰¹~R²⁰⁷、及R²¹⁰~R²¹²可具有之取代基所列舉者相同]。

前述式(ca-2)所表示之適合的陽離子，具體而言，可列舉二苯基錪陽離子、雙(4-tert-丁基苯基)錪陽離子等。

前述式(ca-3)所表示之適合的陽離子，具體而言，可列舉分別以下述式(ca-3-1)~(ca-3-6)所表示之陽離子。

前述式(ca-4)所表示之適合的陽離子，具體而言，可列舉分別以下述式(ca-4-1)~(ca-4-2)所表示之陽離子。

前述式(ca-5)所表示之適合的陽離子，具體而言，可列舉分別以下述式(ca-5-1)~(ca-5-2)所表示之陽離子。

上述中，陽離子部((M^m+)_1/m)較佳為通式(ca-1)所表示之陽離子、通式(ca-5)所表示之陽離子，更佳為分別以式(ca-1-1)~(ca-1-74)或(ca-5-1)~(ca-5-2)所表示之陽離子。

以下列舉適合的(B1)成分之具體例。

本實施形態之阻劑組成物中，(B1)成分可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

本實施形態之阻劑組成物中，(B1)成分的含量係相對 於(A)成分100質量份，較佳為1~40質量份，更佳為5~35質量份，又更佳為9~30質量份。

(B1)成分的含量在前述較佳下限值以上時，阻劑圖型形成時，更提高感度、解析性能、降低LWR(線寬粗糙度)、形狀等的微影特性會更提升。另外，在較佳上限值以下時，將阻劑組成物之各成分溶解於有機溶劑時，可容易得到均勻的溶液，更提高作為阻劑組成物的保存安定性。

．(B2)成分

本實施形態之阻劑組成物，在不損及本發明之效果的範圍內，亦可含有(B1)成分以外之酸產生劑成分(以下稱為「(B2)成分」)。

(B2)成分無特別限定，可使用目前為止作為化學放大型阻劑組成物用之酸產生劑所提案者。

這種酸產生劑，可列舉錪鹽或鋶鹽等之鎓鹽系酸產生劑、肟磺酸鹽系酸產生劑；雙烷基或雙芳基磺醯基重氮甲烷類、聚(雙磺醯基)重氮甲烷類等之重氮甲烷系酸產生劑；硝苄基磺酸鹽系酸產生劑、亞胺基磺酸鹽系酸產生劑、二碸系酸產生劑等多種。

鎓鹽系酸產生劑可列舉例如下述通式(b-1)所表示之化合物(以下亦稱為「(b-1)成分」)、通式(b-2)所表示之化合物(以下亦稱為「(b-2)成分」)或通式(b-3)所表示之化合物(以下亦稱為「(b-3)成分」)。又，(b-1)成分不包 含相當於上述(B1)成分的化合物者。

[式中，R¹⁰¹、R¹⁰⁴~R¹⁰⁸分別獨立為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀烷基、或可具有取代基之鏈狀烯基。R¹⁰⁴、R¹⁰⁵亦可互相鍵結並形成環。

R¹⁰²為氟原子或碳數1~5之氟化烷基。Y¹⁰¹為單鍵或包含氧原子之二價連結基。V¹⁰¹~V¹⁰³分別獨立為單鍵、伸烷基或氟化伸烷基。L¹⁰¹~L¹⁰²分別獨立為單鍵或氧原子。L¹⁰³~L¹⁰⁵分別獨立為單鍵、-CO-或-SO₂-。m為1以上之整數，M’^m+為m價之鎓陽離子]。

{陰離子部}

．(b-1)成分之陰離子部

式(b-1)中，R¹⁰¹為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀烷基、或可具有取代基之鏈狀烯基。

可具有取代基之環式基：

該環式基較佳為環狀烴基，該環狀烴基可為芳香族烴基，亦可為脂肪族烴基。脂肪族烴基係指不具有芳香族性之烴基。又，脂肪族烴基可為飽和，亦可為不飽和，通常為飽和較佳。

R¹⁰¹中之芳香族烴基為具有芳香環之烴基。該芳香族烴基之碳數，較佳為3~30，更佳為5~30，又更佳為5~20，特佳為6~15，最佳為6~10。但是該碳數不包含取代基中之碳數。

R¹⁰¹中之芳香族烴基所具有之芳香環，具體而言，可列舉苯、茀、萘、蔥、菲、聯苯、或構成此等芳香環之碳原子之一部分經雜原子取代之芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。

R¹⁰¹中之芳香族烴基，具體而言，可列舉自前述芳香環去除1個氫原子之基(芳基：例如苯基、萘基等)、前述芳香環之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基等)等。前述伸烷基(芳基烷基中之烷基鏈)之碳數，較佳為1~4，更佳為1~2，特佳為1。

此等之中，R¹⁰¹中之芳香族烴基，較佳為苯基或萘基。

R¹⁰¹中之環狀脂肪族烴基，可列舉構造中包含環之脂肪族烴基。

此構造中包含環之脂肪族烴基，可列舉脂環式烴基(自脂肪族烴環去除1個氫原子之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之末端之基、脂環式烴基介在於直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基中之基等。

前述脂環式烴基，較佳為碳數為3~20者，更佳為3~12。

前述脂環式烴基可為多環式基，亦可為單環式基。單環式之脂環式烴基，較佳為自單環烷去除1個以上之氫原子之基。該單環烷，較佳為碳數3~6者，具體而言，可列舉環戊烷、環己烷等。多環式之脂環式烴基，較佳為自多環烷烴去除1個以上之氫原子之基，該多環烷較佳為碳數7~30者。其中，該多環烷更佳為金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之交聯環系之具有多環式骨架的多環烷；具有類固醇骨架之環式基等之縮合環系之具有多環式骨架的多環烷。

上述中，R¹⁰¹中之環狀脂肪族烴基，較佳為自單環烷烴或多環烷去除1個以上之氫原子之基，更佳為自多環烷去除1個氫原子之基，特佳為金剛基、降莰基，最佳為金剛基。

亦可鍵結於脂環式烴基之直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基，較佳為碳數為1~10者，更佳為1~6，又更佳為1~4，最佳為1~3。

直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為直鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉亞甲基[-CH₂-]、伸乙基[-(CH₂)₂-]、三亞甲基[-(CH₂)₃-]、四亞甲基[-(CH₂)₄-]、五亞甲基[-(CH₂)₅-]等。

支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為支鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉-CH(CH₃)-、-CH(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)₂-、-C(CH₃)(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)(CH₂CH₂CH₃)-、-C(CH₂CH₃)₂-等之烷基亞甲基；-CH(CH₃)CH₂-、-CH(CH₃)CH(CH₃)-、 -C(CH₃)₂CH₂-、-CH(CH₂CH₃)CH₂-、-C(CH₂CH₃)₂-CH₂-等之烷基伸乙基；-CH(CH₃)CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂-等之烷基三亞甲基；-CH(CH₃)CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂CH₂-等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀之烷基。

又，R¹⁰¹中之環狀烴基，亦可包含如雜環等之雜原子。具體而言，可列舉分別以前述通式(a2-r-1)、(a2-r-3)~(a2-r-7)所表示之含內酯之環式基、分別以前述通式(a5-r-1)~(a5-r-4)所表示之含-SO₂-之環式基、分別以其他上述化學式(r-hr-1)~(r-hr-16)所表示之雜環式基。

R¹⁰¹之環式基中之取代基，可列舉例如烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基等。

作為取代基之烷基，較佳為碳數1~5之烷基，最佳為甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基。

作為取代基之烷氧基，較佳為碳數1~5之烷氧基，更佳為甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基，最佳為甲氧基、乙氧基。

作為取代基之鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，較佳為氟原子。

作為取代基之鹵化烷基為碳數1~5之烷基，可列舉例如甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基等之氫原子之一部分或全部經前述鹵素原子取代之基。

作為取代基之羰基為取代構成環狀烴基之亞甲基(-CH₂-)之基。

可具有取代基之鏈狀烷基：

R¹⁰¹之鏈狀烷基可為直鏈狀或支鏈狀之任一者。

直鏈狀烷基較佳為碳數1~20者，更佳為碳數1~15者，特佳為碳數1~11，最佳為碳數1~5。具體而言，可列舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、、十一烷基、十二烷基、十三烷基、異十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、異十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、二十一烷基、廿二烷基等。

支鏈狀之烷基，較佳為碳數為3~20者，更佳為碳數3~15者，最佳為碳數3~10。具體而言，可列舉例如1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等。

此等之中，R¹⁰¹中之鏈狀之烷基，較佳為碳數為1~10者，具體而言，較佳為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等之直鏈狀之烷基；1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等之支鏈狀之烷基。

可具有取代基之鏈狀之烯基：

R¹⁰¹之鏈狀之烯基，可為直鏈狀或支鏈狀之任一，較佳為碳數為2~10者，更佳為2~5，又更佳為2~4，特佳為3。直鏈狀之烯基，可列舉例如乙烯基、丙烯基(烯丙基)、丁炔基等。支鏈狀之烯基，可列舉例如1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。

上述之中，R¹⁰¹中之鏈狀之烯基，較佳為直鏈狀之烯基，更佳為乙烯基、丙烯基，特佳為乙烯基。

R¹⁰¹之鏈狀之烷基或烯基中之取代基，可列舉例如烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基、胺基、上述R¹⁰¹中之環式基等。

上述之中，R¹⁰¹較佳為可具有取代基之環式基，更佳為可具有取代基之環狀烴基。更具體而言，較佳為自苯基、萘基、多環烷去除1個以上之氫原子之基；分別以前述通式(a2-r-1)、(a2-r-3)~(a2-r-7)所表示之含內酯之環式基；分別以前述通式(a5-r-1)~(a5-r-4)所表示之含-SO₂-之環式基等。

式(b-1)中，Y¹⁰¹為單鍵或包含氧原子之二價連結基。

Y¹⁰¹為包含氧原子之二價連結基時，該Y¹⁰¹亦可具有氧原子以外的原子。氧原子以外的原子，可列舉例如碳原子、氫原子、硫原子、氮原子等。

包含氧原子之二價連結基，可列舉例如氧原子(醚鍵：-O-)、酯鍵(-C(=O)-O-)、氧基羰基(-O-C(=O)-)、醯胺鍵(-C(=O)-NH-)、羰基(-C(=O)-)、碳酸酯鍵(-O-C(=O)-O-) 等之非烴系之含氧原子之連結基；該非烴系之含氧原子之連結基與伸烷基之組合等。此組合中亦可進一步連結磺醯基(-SO₂-)。此包含氧原子之二價連結基，可列舉例如分別以下述通式(y-a1-1)~(y-a1-7)所表示之連結基。

[式中，V’¹⁰¹為單鍵或碳數1~5之伸烷基，V’¹⁰²為碳數1~30之二價飽和烴基]。

V’¹⁰²中之二價飽和烴基，較佳為碳數1~30之伸烷基，更佳為碳數1~10之伸烷基，又更佳為碳數1~5之伸烷基。

V’¹⁰¹及V’¹⁰²中之伸烷基，可為直鏈狀之伸烷基，亦可為支鏈狀之伸烷基，較佳為直鏈狀之伸烷基。

V’¹⁰¹及V’¹⁰²中之伸烷基，具體而言，可列舉亞甲基[-CH₂-]；-CH(CH₃)-、-CH(CH₂CH3)-、-C(CH₃)₂-、-C(CH₃)(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)(CH₂CH₂CH₃)-、-C(CH₂CH₃)₂-等之烷基亞甲基；伸乙基[-CH₂CH₂-]；-CH(CH₃)CH₂-、-CH(CH₃)CH(CH₃)-、-C(CH₃)₂CH₂-、-CH(CH₂CH₃)CH₂-等 之烷基伸乙基；三亞甲基(n-伸丙基)[-CH₂CH₂CH₂-]；-CH(CH₃)CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂-等之烷基三亞甲基；四亞甲基[-CH₂CH₂CH₂CH₂-]；-CH(CH₃)CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂CH₂-等之烷基四亞甲基；五亞甲基[-CH₂CH₂CH₂CH₂CH₂-]等。

又，V’¹⁰¹或V’¹⁰²中之前述伸烷基中之一部份的亞甲基亦可經碳數5~10之二價脂肪族環式基取代。該脂肪族環式基，較佳為自前述式(a1-r-1)中之Ra’³之環狀脂肪族烴基(單環式之脂肪族烴基、多環式之脂肪族烴基)進一步去除1個氫原子之二價基，更佳為伸環己基、1,5-伸金剛基或2,6-伸金剛基。

Y¹⁰¹較佳為包含酯鍵之二價連結基、或包含醚鍵之二價連結基，更佳為分別以上述通式(y-a1-1)~(y-a1-5)所表示之連結基。

式(b-1)中，V¹⁰¹為單鍵、伸烷基或氟化伸烷基。V¹⁰¹中之伸烷基、氟化伸烷基，較佳為碳數1~4者。V¹⁰¹中之氟化伸烷基，可列舉V¹⁰¹中之伸烷基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基。其中，V¹⁰¹為單鍵、或碳數1~4之氟化伸烷基較佳。

式(b-1)中，R¹⁰²為氟原子或碳數1~5之氟化烷基。R¹⁰²較佳為氟原子或碳數1~5之全氟烷基，更佳為氟原子。

(b-1)成分之陰離子部的具體例，例如Y¹⁰¹為單鍵時，可列舉三氟甲磺酸鹽陰離子或全氟丁烷磺酸鹽陰離 子等之氟化烷基磺酸鹽陰離子；Y¹⁰¹為包含氧原子之二價連結基時，可列舉下述式(an-1)~(an-3)任一者所表示之陰離子。

[式中，R”¹⁰¹為可具有取代基之脂肪族環式基、分別以前述式(r-hr-1)~(r-hr-6)所表示之基、或可具有取代基之鏈狀烷基；R”¹⁰²為可具有取代基之脂肪族環式基、分別以前述通式(a2-r-1)、(a2-r-3)~(a2-r-7)所表示之含內酯之環式基、或分別以前述通式(a5-r-1)~(a5-r-4)所表示之含-SO₂-之環式基；R”¹⁰³為可具有取代基之芳香族環式基、可具有取代基之脂肪族環式基、或可具有取代基之鏈狀烯基；v”分別獨立為0~3之整數，q”分別獨立為1~20之整數，t”為1~3之整數，n”為0或1]。

R”¹⁰¹、R”¹⁰²及R”¹⁰³之可具有取代基之脂肪族環式基，較佳為作為前述式(b-1)中之R¹⁰¹中之環狀脂肪族烴基所例示之基。前述取代基，可列舉與可取代前述式(b-1)中之R¹⁰¹中之環狀脂肪族烴基的取代基相同者。

R”¹⁰³中之可具有取代基之芳香族環式基，較佳為作為前述式(b-1)中之R¹⁰¹中之環狀烴基中之芳香族烴基所例示之基。前述取代基，可列舉與可取代前述式(b-1)中之R¹⁰¹中之該芳香族烴基之取代基相同者。

R”¹⁰¹中之可具有取代基之鏈狀烷基，較佳為作為前述式(b-1)中之R¹⁰¹中之鏈狀烷基所例示之基。R”¹⁰³中之亦可具有取代基之鏈狀烯基，較佳為作為前述式(b-1)中之R¹⁰¹中之鏈狀烯基所例示之基。

．(b-2)成分之陰離子部

式(b-2)中，R¹⁰⁴、R¹⁰⁵分別獨立為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀烷基、或可具有取代基之鏈狀烯基，分別可列舉與前述式(b-1)中之R¹⁰¹中之可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀烷基、或可具有取代基之鏈狀烯基相同者。但是R¹⁰⁴、R¹⁰⁵亦可互相鍵結並形成環。

R¹⁰⁴、R¹⁰⁵較佳為可具有取代基之鏈狀烷基，更佳為直鏈狀或支鏈狀烷基、或直鏈狀或支鏈狀氟化烷基。

該鏈狀烷基之碳數，較佳為1~10，更佳為碳數1~7，又更佳為碳數1~3。R¹⁰⁴、R¹⁰⁵之鏈狀烷基之碳數在上述碳數範圍內，因對阻劑用溶劑之溶解性亦良好等的理由，越小為佳。又，R¹⁰⁴、R¹⁰⁵之鏈狀烷基係經氟原子取代之氫原子之數越多，酸之強度變得越強，又，由於對200nm以下之高能量光或電子束之透明性會提升，故較 佳。

前述鏈狀烷基中之氟原子的比例，亦即氟化率，較佳為70~100%，又更佳為90~100%，最佳為全部氫原子經氟原子取代之全氟烷基。

式(b-2)中，V¹⁰²、V¹⁰³分別獨立為單鍵、伸烷基、或氟化伸烷基，分別可列舉與式(b-1)中之V¹⁰¹相同者。

式(b-2)中，L¹⁰¹、L¹⁰²分別獨立為單鍵或氧原子。

．(b-3)成分之陰離子部

式(b-3)中，R¹⁰⁶~R¹⁰⁸分別獨立為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀烷基、或可具有取代基之鏈狀烯基，分別可列舉與前述式(b-1)中之R¹⁰¹中之可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀烷基、或可具有取代基之鏈狀烯基相同者。

L¹⁰³~L¹⁰⁵分別獨立為單鍵、-CO-或-SO₂-。

{陽離子部}

式(b-1)、(b-2)及(b-3)中，m為1以上之整數，M’^m+為m價鎓陽離子，較佳可列舉鋶陽離子、錪陽離子，可列舉分別以上述通式(ca-1)~(ca-5)所表示之有機陽離子。

上述式(ca-1)所表示之適合的陽離子，具體而言，可列舉上述式(ca-1-1)~(ca-1-74)所表示之陽離子。

上述式(ca-2)所表示之適合的陽離子，具體而言，可列舉二苯基錪陽離子、雙(4-tert-丁基苯基)錪陽離 子等。

上述式(ca-3)所表示之適合的陽離子，具體而言，可列舉分別以上述式(ca-3-1)~(ca-3-6)所表示之陽離子。

上述式(ca-4)所表示之適合的陽離子，具體而言，可列舉分別以上述式(ca-4-1)~(ca-4-2)所表示之陽離子。

上述式(ca-5)所表示之適合的陽離子，具體而言，可列舉上述式(ca-5-1)所表示之陽離子。

上述之中，陽離子部[(M’^m+)_1/m]較佳為通式(ca-1)所表示之陽離子，更佳為分別以式(ca-1-1)~(ca-1-74)所表示之陽離子。

本實施形態之阻劑組成物中，(B2)成分可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

阻劑組成物含有(B2)成分時，阻劑組成物中，(B2)成分之含量係相對於(A)成分100質量份，較佳為50質量份以下，更佳為1~40質量份，又更佳為5~30質量份。

藉由將(B2)成分之含量設為上述範圍，可充分地形成圖型。又，將阻劑組成物之各成分溶解於有機溶劑時，容易得到均勻的溶液，作為阻劑組成物之保存安定性也較良好，故較佳。

<任意成分>

本實施形態之阻劑組成物亦可進一步含有上述(A)成 分及(B)成分以外之成分(任意成分)。

此任意成分，可列舉例如以下所示之(D)成分、(E)成分、(F)成分、(S)成分等。

≪(D)成分：酸擴散控制劑成分≫

本實施形態之阻劑組成物除了(A)成分及(B)成分外，亦可進一步含有酸擴散控制劑成分(以下稱為「(D)成分」)。(D)成分係作為在阻劑組成物中捕捉因曝光產生之酸的淬滅劑(quencher、酸擴散控制劑)產生作用者。

(D)成分可列舉例如因曝光而分解，失去酸擴散控制性之光崩解性鹽基(D1)(以下稱為「(D1)成分」)、不相當於該(D1)成分之含氮有機化合物(D2)(以下稱為「(D2)成分」)等。

．關於(D1)成分

藉由含有(D1)成分之阻劑組成物，於形成阻劑圖型時，可進一步提升阻劑膜之曝光部與未曝光部之對比。

(D1)成分只要是因曝光而分解、失去酸擴散控制性者時，即無特別限定，較佳為選自下述通式(d1-1)所表示之化合物(以下稱為「(d1-1)成分」)。下述通式(d1-2)所表示之化合物(以下稱為「(d1-2)成分」)及下述通式(d1-3)所表示之化合物(以下稱為「(d1-3)成分」)所成群之1種以上的化合物。

(d1-1)~(d1-3)成分在阻劑膜之曝光部中會分解並失 去酸擴散控制性(鹼性)，故不作為淬滅劑產生作用，在阻劑膜之未曝光部作為淬滅劑產生作用。

[式中，Rd¹~Rd⁴為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀烷基、或可具有取代基之鏈狀烯基。但是式(d1-2)中之Rd²中之鄰接S原子的碳原子，未鍵結氟原子者。Yd¹為單鍵或二價連結基。m為1以上之整數，M^m+分別獨立為m價有機陽離子]。

{(d1-1)成分}

．．陰離子部

式(d1-1)中，Rd¹為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀烷基、或可具有取代基之鏈狀烯基，分別可列舉與前述式(b-1)中之R¹⁰¹相同者。

此等之中，Rd¹較佳為可具有取代基之芳香族烴基、可具有取代基之脂肪族環式基、或可具有取代基之鏈狀烷基。此等之基可具有之取代基，可列舉羥基、側氧基、烷基、芳基、氟原子、氟化烷基、分別以上述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)所表示之含內酯之環式基、醚鍵、酯鍵、或此 等之組合。包含醚鍵或酯鍵作為取代基時，亦可介於伸烷基，此時之取代基，較佳為分別以上述式(y-a1-1)~(y-a1-5)所表示之連結基。

前述芳香族烴基，更佳為苯基或萘基。

前述脂肪族環式基，更佳為自金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環烷去除1個以上之氫原子之基。

前述鏈狀之烷基，較佳為碳數1~10者，具體而言，可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等之直鏈狀烷基；1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等之支鏈狀烷基。

前述鏈狀烷基為具有作為取代基之氟原子或氟化烷基的氟化烷基時，氟化烷基之碳數，較佳為1~11，更佳為1~8，又更佳為1~4。該氟化烷基亦可含有氟原子以外的原子。氟原子以外之原子，可列舉例如氧原子、硫原子、氮原子等。

Rd¹較佳為構成直鏈狀烷基之一部分或全部氫原子經氟原子取代之氟化烷基，特佳為構成直鏈狀烷基之氫原子全部經氟原子取代之氟化烷基(直鏈狀全氟烷基)。

以下表示(d1-1)成分之陰離子部的較佳具體例。

．．陽離子部

式(d1-1)中，M^m+為m價之有機陽離子。

M^m+之有機陽離子，有適合可列舉分別以前述通式(ca-1)~(ca-5)所表示之陽離子相同者，更佳為前述通式(ca-1)所表示之陽離子，又更佳為分別以前述式(ca-1-1)~(ca-1-74)所表示之陽離子。

(d1-1)成分可單獨使用1種，亦可組合2種以上來使 用。

{(d1-2)成分}

．．陰離子部

式(d1-2)中，Rd²為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀烷基、或可具有取代基之鏈狀烯基，可列舉與前述式(b-1)中之R¹⁰¹相同者。

但是Rd²中之與S原子相鄰之碳原子，未鍵結氟原子(未經氟取代)。藉此，(d1-2)成分之陰離子成為適度的弱酸陰離子，提高作為(D)成分之淬滅能。

Rd²較佳為可具有取代基之鏈狀烷基、或可具有取代基之脂肪族環式基。鏈狀烷基較佳為碳數1~10者，更佳為3~10者。脂肪族環式基，更佳為自金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等去除1個以上之氫原子之基(可具有取代基)；自樟腦等去除1個以上之氫原子之基。

Rd²之烴基可具有取代基，該取代基可列舉與前述式(d1-1)之Rd¹中之烴基(芳香族烴基、脂肪族環式基、鏈狀烷基)可具有之取代基相同者。

以下表示(d1-2)成分之陰離子部之較佳具體例。

．．陽離子部

式(d1-2)中，M^m+為m價之有機陽離子，與前述式(d1-1)中之M^m+相同。

(d1-2)成分可單獨使用1種，亦可組合2種以上來使用。

{(d1-3)成分}

．．陰離子部

式(d1-3)中，Rd³為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀烷基、或可具有取代基之鏈狀烯基，可列舉與前述式(b-1)中之R¹⁰¹相同者，較佳為包含氟原子之環式 基、鏈狀烷基、或鏈狀烯基。其中，較佳為氟化烷基，更佳為與前述Rd¹之氟化烷基相同者。

式(d1-3)中，Rd⁴為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀烷基、或可具有取代基之鏈狀烯基，可列舉與前述式(b-1)中之R¹⁰¹相同者。

其中，較佳為可具有取代基之烷基、烷氧基、烯基、環式基。

Rd⁴中之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀或支鏈狀烷基，具體而言，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。Rd⁴之烷基之氫原子之一部亦可經羥基、氰基等取代。

Rd⁴中之烷氧基，較佳為碳數1~5之烷氧基，而碳數1~5之烷氧基，具體而言，可列舉甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基。其中，較佳為甲氧基、乙氧基。

Rd⁴中之烯基，可列舉與上述式(b-1)中之R¹⁰¹相同者，較佳為乙烯基、丙烯基(烯丙基)、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基。此等之基亦可進一步具有作為取代基之碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。

Rd⁴中之環式基，可列舉與上述式(b-1)中之R¹⁰¹相同者，較佳為自環戊烷、環己烷、金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之環烷去除1個以上之氫原子之脂環式基、或苯基、萘基等的芳香族基。Rd⁴為脂環式基時，因阻劑組成物良好地溶解於有機溶 劑，微影特性變佳。又，Rd⁴為芳香族基時，以EUV等作為曝光光源之微影時，該阻劑組成物之光吸收效率優異，感度或微影特性變佳。

式(d1-3)中，Yd¹為單鍵或二價連結基。

Yd¹中之二價連結基，無特別限定，可列舉可具有取代基之二價烴基(脂肪族烴基、芳香族烴基)、包含雜原子之二價連結基等。此等可列舉分別與針對上述式(a2-1)中之Ya²¹中之二價連結基說明中所列舉之可具有取代基之二價烴基、包含雜原子之二價連結基相同者。

Yd¹較佳為羰基、酯鍵、醯胺鍵、伸烷基或此等之組合。伸烷基更佳為直鏈狀或支鏈狀伸烷基，又更佳為亞甲基或伸乙基。

以下表示(d1-3)成分之陰離子部之較佳具體例。

．．陽離子部

式(d1-3)中，M^m+為m價之有機陽離子，與前述式(d1-1)中之M^m+相同。

(d1-3)成分可單獨使用1種，亦可組合2種以上來使用。

(D1)成分可僅使用上述(d1-1)~(d1-3)成分之任1種，亦可組合2種以上來使用。

阻劑組成物含有(D1)成分時，阻劑組成物中，(D1)成分之含量係相對於(A)成分100質量份，較佳為0.5~10質 量份，更佳為0.5~8質量份，又更佳為1~6質量份。

(D1)成分之含量為較佳下限值以上時，特別容易得到良好的微影特性及阻劑圖型形狀。另外，在上限值以下時，可良好地維持感度，生產率也優異。

(D1)成分之製造方法：

前述之(d1-1)成分、(d1-2)成分之製造方法無特別限定，可以習知的方法來製造。

又，(d1-3)成分之製造方法無特別限定，例如可以與US2012-0149916號公報所記載的方法同樣地來製造。

．關於(D2)成分

酸擴散控制劑成分亦可含有不相當於上述(D1)成分之含氮有機化合物成分(以下稱為「(D2)成分」)。

(D2)成分係作為酸擴散控制劑產生作用，且只要是不相當於(D1)成分者時，無特別限定，任意地使用習知者即可。其中，較佳為脂肪族胺，此等中，特別是二級脂肪族胺或三級脂肪族胺更佳。

脂肪族胺係指具有1個以上之脂肪族基之胺，該脂肪族基較佳為碳數為1~12者。

脂肪族胺可列舉氨NH₃的至少1個氫原子經碳數12以下之烷基或羥基烷基取代之胺(烷基胺或烷基醇胺)或環式胺。

烷基胺及烷基醇胺之具體例，可列舉n-己基胺、n-庚 基胺、n-辛基胺、n-壬基胺、n-癸基胺等之單烷基胺；二乙基胺、二-n-丙基胺、二-n-庚基胺、二-n-辛基胺、二環己基胺等之二烷基胺；三甲基胺、三乙基胺、三-n-丙基胺、三-n-丁基胺、三-n-戊基胺、三-n-己基胺、三-n-庚基胺、三-n-辛基胺、三-n-壬基胺、三-n-癸基胺、三-n-十二烷基胺等之三烷基胺；二乙醇胺、三乙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、二-n-辛醇胺、三-n-辛醇胺等之烷基醇胺。此等之中，更佳為碳數5~10之三烷基胺，特佳為三-n-正戊基胺或三-n-辛基胺。

環式胺可列舉例如包含作為雜原子之氮原子的雜環化合物。該雜環化合物可為單環式者(脂肪族單環式胺)，亦可為多環式者(脂肪族多環式胺)。

脂肪族單環式胺，具體而言，可列舉哌啶、哌嗪等。

脂肪族多環式胺較佳為碳數為6~10者，具體而言，可列舉1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-7-十一碳烯、六亞甲基四胺、1,4-二氮雜雙環[2.2.2]辛烷等。

其他脂肪族胺，可列舉三(2-甲氧基甲氧基乙基)胺、三{2-(2-甲氧基乙氧基)乙基}胺、三{2-(2-甲氧基乙氧基甲氧基)乙基}胺、三{2-(1-甲氧基乙氧基)乙基}胺、三{2-(1-乙氧基乙氧基)乙基}胺、三{2-(1-乙氧基丙氧基)乙基}胺、三[2-{2-(2-羥基乙氧基)乙氧基}乙基]胺、三乙醇胺三乙酸酯等，較佳為三乙醇胺三乙酸酯。

又，(D2)成分亦可使用芳香族胺。

芳香族胺可列舉4-二甲基胺吡啶、吡咯、吲哚、吡唑、咪唑或此等之衍生物、三苄基胺、2,6-二異丙基苯胺、N-tert-丁氧基羰基吡咯烷等。

(D2)成分可單獨使用1種，亦可組合2種以上來使用。

阻劑組成物含有(D2)成分時，阻劑組成物中，(D2)成分係相對於(A)成分100質量份，通常在0.01~5質量份之範圍來使用。藉由設為上述範圍，可提升阻劑圖型形狀、放置經時安定性等。

≪(E)成分：選自有機羧酸及磷之氧酸及其衍生物所成群之至少1種化合物≫

本實施形態之阻劑組成物中，為了防止感度劣化、或提高阻劑圖型形狀、延遲經時安定性等，可含有選自由有機羧酸及磷之氧酸及其衍生物所成群之至少1種化合物(E)(以下稱為「(E)成分」)作為任意成分。

有機羧酸較佳為例如乙酸、丙二酸、檸檬酸、蘋果酸、琥珀酸、苯甲酸、水楊酸等。

磷之氧酸可列舉磷酸、膦酸、次膦酸等，此等之中，特佳為膦酸。

磷之氧酸之衍生物，可列舉例如將上述含氧酸之氫原子以烴基取代之酯等，前述烴基可列舉碳數1~5之烷基、碳數6~15之芳基等。

磷酸之衍生物，可列舉磷酸二-n-丁酯、磷酸二苯酯 等之磷酸酯等。

膦酸之衍生物，可列舉膦酸二甲酯、膦酸-二-n-丁酯、苯基膦酸、膦酸二苯酯、膦酸二苄酯等之膦酸酯等。

次膦酸之衍生物，可列舉次膦酸酯或苯基次膦酸等。

本實施形態之阻劑組成物中，(E)成分可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

阻劑組成物含有(E)成分時，(E)成分之含量係相對於(A)成分100質量份，通常以0.01~5質量份之範圍來使用。

≪(F)成分：氟添加劑成分≫

本實施形態之阻劑組成物為了賦予阻劑膜撥水性，亦可含有氟添加劑成分(以下稱為「(F)成分」)。

(F)成分可使用例如日本特開2010-002870號公報、日本特開2010-032994號公報、日本特開2010-277043號公報、日本特開2011-13569號公報、日本特開2011-128226號公報所記載的含氟高分子化合物。

(F)成分更具體而言，可列舉具有下述式(f1-1)所表示之構成單位(f1)的聚合物。前述聚合物較佳為僅由下述式(f1-1)所表示之構成單位(f1)所構成之聚合物(均聚物)；該構成單位(f1)與前述構成單位(a1)之共聚合物；該構成單位(f1)與丙烯酸或甲基丙烯酸所衍生之構成單位與前述構成單位(a1)之共聚合物。於此，與該構成單位(f1)共聚合之前述構成單位(a1)，較佳為1-乙基-1-環辛基(甲基)丙烯 酸酯所衍生之構成單位、1-甲基-1-金剛烷基(甲基)丙烯酸酯所衍生之構成單位。

[式中，R係與前述相同，Rf¹⁰²及Rf¹⁰³分別獨立表示氫原子、鹵素原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Rf¹⁰²及Rf¹⁰³可相同亦可相異。nf¹為1~5之整數，Rf¹⁰¹為包含氟原子之有機基]。

式(f1-1)中，鍵結於α位之碳原子之R係與前述相同。R較佳為氫原子或甲基較佳。

式(f1-1)中，作為Rf¹⁰²及Rf¹⁰³之鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是氟原子較佳。Rf¹⁰²及Rf¹⁰³之碳數1~5之烷基，可列舉與上述R之碳數1~5之烷基相同者，較佳為甲基或乙基。Rf¹⁰²及Rf¹⁰³之碳數1~5之鹵化烷基，具體而言，可列舉碳數1~5之烷基之氫原子之一部分或全部經鹵原子取代之基。

該鹵原子可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是氟原子較佳。其中，Rf¹⁰²及Rf¹⁰³，較佳為氫原 子、氟原子、或碳數1~5之烷基，更佳為氫原子、氟原子、甲基、或乙基。

式(f1-1)中，nf¹為1~5之整數，較佳為1~3之整數，更佳為1或2。

式(f1-1)中，Rf¹⁰¹為包含氟原子之有機基，較佳為包含氟原子之烴基。

包含氟原子之烴基，可為直鏈狀、支鏈狀或環狀之任一者，較佳為碳數為1~20者，更佳為碳數為1~15者，特佳為碳數為1~10。

又，包含氟原子之烴基，較佳為該烴基中之氫原子之25%以上經氟化者，更佳為50%以上經氟化者，60%以上經氟化者，提高浸漬曝光時之阻劑膜的疏水性，故特別佳。

其中，Rf¹⁰¹較佳為碳數1~6之氟化烴基，特佳為三氟甲基、-CH₂-CF₃、-CH₂-CF₂-CF₃、-CH(CF₃)₂、-CH₂-CH₂-CF₃、-CH₂-CH₂-CF₂-CF₂-CF₂-CF₃。

(F)成分之質量平均分子量(Mw)(膠體滲透層析所得之聚苯乙烯換算基準)，較佳為1000~50000，更佳為5000~40000，最佳為10000~30000。若在此範圍之上限值以下時，作為阻劑使用時，對阻劑用溶劑具有充分的溶解性，若在此範圍之下限值以上時，乾蝕刻耐性或阻劑圖型剖面形狀良好。

(F)成分之分散度(Mw/Mn)較佳為1.0~5.0，更佳為1.0~3.0，最佳為1.2~2.5。

本實施形態之阻劑組成物中，(F)成分可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

阻劑組成物含有(F)成分時，(F)成分之含量係相對於(A)成分100質量份，通常以0.5~10質量份之比例來使用。

≪(S)成分：有機溶劑成分≫

本實施形態之阻劑組成物可使阻劑材料溶解於有機溶劑成分(以下稱為「(S)成分」)中來製造。

(S)成分只要是可溶解使用之各成分，成為均勻的溶液者即可，可適宜地選擇使用自以往作為化學放大型阻劑組成物之溶劑之習知者中之任意者。

(S)成分可列舉例如γ-丁內酯等之內酯類；丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基-n-戊酮、甲基異戊酮、2-庚酮等之酮類；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等之多元醇類；乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯、或二丙二醇單乙酸酯等之具有酯鍵的化合物、前述多元醇類或前述具有酯鍵之化合物之單丙醚、單乙醚、單丙醚、單丁醚等之單烷醚或單苯醚等之具有醚鍵之化合物等之多元醇類之衍生物[此等之中，較佳為丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲醚(PGME)]；如二噁烷之環式醚類、或乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等之酯類；苯甲醚、乙基苄醚、甲苯 基甲醚、二苯醚、聯苄醚、苯乙醚、丁基苯醚、乙基苯、二乙基苯、戊基苯、異丙基苯、甲苯、二甲苯、異丙基甲苯、均三甲苯等之芳香族系有機溶劑、二甲基亞碸(DMSO)等。

本實施形態之阻劑組成物中，(S)成分可單獨使用1種，亦可作為2種以上之混合溶劑來使用。

其中，為PGMEA、PGME、γ-丁內酯、EL、環己酮較佳。

又，混合PGMEA與極性溶劑之混合溶劑亦佳。其摻合比(質量比)只要考慮PGMEA與極性溶劑之相溶性等適宜決定即可，但較佳為1：9~9：1，更佳為2：8~8：2之範圍內。

更具體而言，摻合作為極性溶劑之EL或環己酮時，PGMEA：EL或環己酮之質量比，較佳為1：9~9：1，更佳為2：8~8：2。又，摻合作為極性溶劑之PGME時，PGMEA：PGME之質量比，較佳為1：9~9：1，更佳為2：8~8：2，又更佳為3：7~7：3。此外，PGMEA與PGME與環己酮之混合溶劑亦佳。

又，作為(S)成分，其他為選自PGMEA及EL中至少1種與γ-丁內酯之混合溶劑亦佳。此時，混合比例係前者與後者之質量比，較佳為70：30~95：5。

(S)成分之使用量無特別限定，以可塗佈於於基板等之濃度，並因應塗佈膜厚適宜設定。一般而言，阻劑組成物之固形分濃度成為1~20質量%，較佳為成為2~15質量 %之範圍內來使用(S)成分。

本實施形態之阻劑組成物，進一步可依期望適宜地添加含有具有混和性之添加劑、例如阻劑膜之性能改良用之加成樹脂、溶解抑制劑、可塑劑、安定劑、著色劑、光暈防止劑、染料等。

(阻劑圖型形成方法)

本實施形態之阻劑圖型形成方法，包含下述步驟：

在支撐體上使用上述實施形態之阻劑組成物，形成阻劑膜的步驟，將前述阻劑膜進行曝光的步驟，及將前述曝光後之阻劑膜進行顯影形成阻劑圖型的步驟。

此阻劑圖型形成方法之一實施形態，可列舉例如以下進行之阻劑圖型之形成方法。

首先，將上述實施形態之阻劑組成物以旋轉塗佈機等塗佈於支撐體上，例如在80~150℃之溫度條件，40~120秒，較佳為60~90秒，施予烘烤(Post Apply Bake(PAB))處理，形成阻劑膜。

接著，對該阻劑膜，使用例如電子束描繪裝置、EUV曝光裝置等之曝光裝置，經由形成有特定圖型之遮罩(遮罩圖型)曝光或未經由遮罩圖型以電子束直接照射之描繪等進行選擇性曝光後，例如在80~150℃之溫度條件，40~120秒，較佳為60~90秒實施烘烤(Post exposure bake (PEB))處理。

接著，將前述阻劑膜顯影處理。顯影處理在鹼顯影處 理時，使用鹼顯影液，在溶劑顯影處理時，使用含有有機溶劑之顯影液(有機系顯影液)來進行。

顯影處理後，較佳為進行清洗處理。清洗處理在鹼顯影處理時，使用純水之水清洗較佳，在溶劑顯影處理時，使用含有有機溶劑之清洗液較佳。

在溶劑顯影處理時，前述顯影處理或清洗處理後，亦可進行以超臨界流體去除附著於圖型上之顯影液或清洗液之處理。

顯影處理後或清洗處理後，進行乾燥。又，依照情況，亦可在上述顯影處理後進行烘烤處理(後烘烤)。

如此，可形成阻劑圖型。

支撐體無特別限定，可使用以往習知者，可列舉例如電子零件用之基板、或於此基板上形成有特定配線圖型者等。更具體而言，可列舉矽晶圓、銅、鉻、鐵、鋁等之金屬製基板、或玻璃基板等。配線圖型之材料，可使用例如銅、鋁、鎳、金等。

又，支撐體亦可為於如上述基板上設置有無機系及/或有機系膜者。無機系膜可列舉無機抗反射膜(無機BARC)。有機系膜可列舉有機抗反射膜(有機BARC)、或多層阻劑法中之下層有機膜等的有機膜。

於此，多層阻劑法係指於基板上設置至少一層有機膜(下層有機膜)、與至少一層阻劑膜(上層阻劑膜)，將形成於上層阻劑膜之阻劑圖型作為遮罩，下層有機膜之圖型化的方法，可形成高長寬比之圖型。亦即，藉由多層阻劑法 時，藉由下層有機膜可確保所要的厚度，可將阻劑膜薄膜化，可形成高長寬比之微細圖型。

多層阻劑法基本上被分成下述方法：設為上層阻劑膜與下層有機膜之二層構造的方法(2層阻劑法)、在上層阻劑膜與下層有機膜之間設置有一層以上之中間層(金屬薄膜等)之三層以上之多層構造的方法(3層阻劑法)。

曝光時所使用之波長無特別限定，可使用ArF準分子雷射、KrF準分子雷射、F₂準分子雷射、EUV(極紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子束)、X光、軟X光等之放射線來進行。前述阻劑組成物作為KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、EB或EUV用之有用性高，作為ArF準分子雷射、EB或EUV用之有用性更高，作為EB或EUV用之有用性特別高。

阻劑膜之曝光方法亦可為在空氣或氮等之惰性氣體中進行之通常曝光(乾曝光)，亦可為液浸曝光(Liquid Immerson Lithography)。

液浸曝光為預先將阻劑膜與曝光裝置之最下位置的透鏡間填滿具有折射率大於空氣之折射率的溶劑(液浸介質)，於此狀態下進行曝光(浸漬曝光)的曝光方法。

液浸介質較佳為具有比空氣折射率大，且比經曝光之阻劑膜之折射率小之折射率的溶劑為佳。此溶劑之折射率，只要在前述範圍內時，即無特別限制。

具有比空氣折射率大，且比前述阻劑膜之折射率小之折射率的溶劑，可列舉例如水、氟系惰性液體、矽系溶 劑、烴系溶劑等。

氟系惰性液體之具體例，可列舉C₃HCl₂F₅、C₄F₉OCH₃、C₄F₉OC₂H₅、C₅H₃F₇等之氟系化合物作為主成分的液體等，沸點為70~180℃者較佳，80~160℃者更佳。氟系惰性液體具有上述範圍之沸點時，曝光結束後，可以簡單的方法去除液浸使用之介質，故較佳。

氟系惰性液體，特別是烷基之氫原子全部經氟原子取代之全氟烷化合物為佳。全氟烷化合物，具體而言，可列舉全氟烷醚化合物、全氟烷基胺化合物。

此外，具體而言，前述全氟烷醚化合物，可列舉全氟(2-丁基-四氫呋喃)(沸點102℃)，前述全氟烷基胺化合物，可列舉全氟三丁基胺(沸點174℃)。

液浸介質從成本、安全性、環境問題、廣用性等的觀點，較佳為使用水。

鹼顯影處理中，顯影處理所使用的鹼顯影液，可列舉例如0.1~10質量%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液。

溶劑顯影處理中，顯影處理所使用之有機系顯影液所含有的有機溶劑，只要可溶解(A)成分(曝光前之(A)成分)者即可，可自習知有機溶劑中適宜地選擇。具體而言，可列舉酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、腈系溶劑、醯胺系溶劑、醚系溶劑等的極性溶劑、烴系溶劑等。

酮系溶劑為構造中包含C-C(=O)-C的有機溶劑。酯系溶劑為構造中包含C-C(=O)-O-C的有機溶劑。醇系溶劑為 構造中包含醇性羥基的有機溶劑。「醇性羥基」係指鍵結於脂肪族烴基之碳原子的羥基。腈系溶劑為構造中包含腈基的有機溶劑。醯胺系溶劑為構造中包含醯胺基的有機溶劑。醚系溶劑為構造中包含C-O-C的有機溶劑。

有機溶劑中，亦存在有構造中包含複數種具有上述各溶劑特徵之官能基的有機溶劑，但此時也相當於包含該有機溶劑所具有之官能基之任一種的溶劑種類。例如，二乙二醇單甲醚相當於上述分類中之醇系溶劑、醚系溶劑之任一者。

烴系溶劑由亦可經鹵化之烴所構成，不具有鹵素原子以外之取代基的烴溶劑。鹵素原子可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，較佳為氟原子。

有機系顯影液所含有的有機溶劑，上述中，較佳為極性溶劑，較佳為酮系溶劑、酯系溶劑、腈系溶劑等。

酮系溶劑可列舉例如1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、丙酮、4-庚酮、1-己酮、2-己酮、二異丁酮、環己酮、甲基環己酮、苯基丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁酮、乙醯基丙酮、丙酮基丙酮、紫羅蘭酮、二丙酮醇、乙醯基甲醇、苯乙酮、甲基萘酮、異佛爾酮、碳酸丙烯酯、γ-丁內酯、甲基戊基酮(2-庚酮)等。此等中，酮系溶劑較佳為甲基戊基酮(2-庚酮)。

酯系溶劑可列舉例如乙酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、乙二 醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單丙醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、2-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、4-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-乙基-3-甲氧基丁基乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、2-乙氧基丁基乙酸酯、4-乙氧基丁基乙酸酯、4-丙氧基丁基乙酸酯、2-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲氧基戊基乙酸酯、2-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯、碳酸乙酯、碳酸丙酯、碳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、丙酮酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸異丙酯、2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、甲基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、丙基-3-甲氧基丙酸酯等。此等之中，酯系溶劑較佳為乙酸丁酯。

腈系溶劑可列舉例如乙腈、丙腈、戊腈、丁腈等。

有機系顯影液，必要時可摻合習知的添加劑。該添加劑可列舉例如界面活性劑。界面活性劑無特別 限定，可使用例如離子性或非離子性氟系及/或矽系界面活性劑等。

界面活性劑較佳為非離子性之界面活性劑，更佳為非離子性之氟系界面活性劑、或非離子性之矽系界面活性劑。

摻合界面活性劑時，其摻合量係相對於有機系顯影液之全量，通常為0.001~5質量%，較佳為0.005~2質量%較佳，更佳為0.01~0.5質量%。

顯影處理可以公知的顯影方法來實施，可列舉例如將支撐體於顯影液中浸漬一定時間的方法(浸漬法)、在支撐體表面將顯影液藉由表面張力拉升，静止一定時間進行顯影的方法(槳式法、paddle method)、對支撐體表面噴霧顯影液的方法(噴霧法)、以一定速度將顯影液吐出噴嘴掃描，同時將顯影液持續吐出於以一定速度旋轉的支撐體上的方法(動態定量分配法(dispense))等。

溶劑顯影處理，在顯影處理後之清洗處理所用之水洗液所含有的有機溶劑，例如可適當地選擇使用前述有機系顯影液所使用之有機溶劑所列舉出之有機溶劑中，不易溶解阻劑圖型者。通常使用選自烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑及醚系溶劑中至少1種類的溶劑。此等之中，選自烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑及醯胺系溶劑中至少1種類較佳，選自醇系溶劑及酯系溶劑中至少1種類更佳，特佳為醇系溶劑。

清洗液所使用之醇系溶劑，較佳為碳數6~8之一元醇，該一元醇可為直鏈狀、分支狀或環狀之任一者。具體而言，可列舉1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、2-己醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇、4-辛醇、苄醇等。此等之中，較佳為1-己醇、2-庚醇、2-己醇較佳，更佳為1-己醇、2-己醇。

此等有機溶劑可單獨使用任1種，亦可併用2種以上。又，亦可與上述以外之有機溶劑或水混合來使用。但是考慮顯影特性時，清洗液中水之摻合量係相對於清洗液之全量，較佳為30質量%以下，更佳為10質量%以下，又更佳為5質量%以下，特佳為3質量%以下。

清洗液必要時可摻合習知的添加劑。該添加劑可列舉例如界面活性劑。界面活性劑可列舉與前述相同者，較佳為非離子性之界面活性劑，更佳為非離子性之氟系界面活性劑、或非離子性之矽系界面活性劑。

摻合界面活性劑時，其摻合量係相對於清洗液之全量，通常為0.001~5質量%，較佳為0.005~2質量%，更佳為0.01~0.5質量%。

使用清洗液之清洗處理(洗淨處理)可以習知之清洗方法來實施。該清洗處理之方法，可列舉例如於以一定速度旋轉之支撐體上繼續吐出水洗液之方法(旋轉塗佈法)、水洗液中浸漬支撐體一定時間之方法(浸漬法)、於支撐體表面噴霧水洗液之方法(噴霧法)等。

以上說明之本實施形態之阻劑組成物同時具 有：具有通式(a0-1)所表示之構成單位(a0)的樹脂成分(A1)、及通式(b1)所表示之化合物(B1)。此等(A1)成分與(B1)成分之親和性高，故(B1)成分容易均勻地分散至阻劑膜內。結果上述實施形態之阻劑圖型形成方法中，可得到良好顯影對比，可高感度化及提昇微影特性，且可形成良好形狀之阻劑圖型。

[實施例]

以下，藉由實施例進一步詳細地說明本發明，但本發明不限定於此等之例。

本實施例中，將化學式(1)所表示之化合物表示為「化合物(1)」，針對其他化學式所表示之化合物也同樣地表示。

<基材成分(聚合物)之製造例>

本實施例所使用之聚合物A-1~A-6為分別以特定之莫耳比使用衍生構成各聚合物之構成單位之下述單體，使自由基聚合而得。

所得之聚合物A-1~A-4分別以下表示。

關於此等之聚合物，根據¹³C-NMR求出該聚合物之共聚合組成比(聚合物中之各構成單位之比例(莫耳比))。又，依據GPC測定，求出標準聚苯乙烯換算之質量平均分子量(Mw)及分子量分散度(Mw/Mn)。

聚合物A-1：

共聚合組成比l/m/n=45/30/25

質量平均分子量(Mw)8100、分子量分散度(Mw/Mn)1.74

聚合物A-2：

共聚合組成比l/m/n=45/30/25

質量平均分子量(Mw)7700、分子量分散度(Mw/Mn)1.76

聚合物A-3：

共聚合組成比l/m=60/40

質量平均分子量(Mw)6800、分子量分散度(Mw/Mn)1.64

聚合物A-4：

共聚合組成比l/m=60/40

質量平均分子量(Mw)5800、分子量分散度(Mw/Mn)1.53

<化合物之製造例>

[合成例1]

將草醯氯(6.15g)、二甲基甲醯胺(0.03g)滴下於去氫膽酸(15.0g)與二氯甲烷(135g)之混合液中，在室溫下攪拌3小時。藉由將所得之反應溶液濃縮，得到式(a)表示的化合物(15.6g)。

將上述合成所得之式(a)表示之化合物之鑑定如以下所示。

¹H-NMR(DMSO-d⁶)δ(ppm)=3.02-2.80(m,5H),2.39-1.80(m,14H),1.66-1.53(m,1H),1.52-1.21(m,7H),1.07(S,3H),0.86(d，3H)。

[合成例2]

混合式(a)表示之化合物(11.5g)、乙腈(105g)、式(b)表示之鹽(9.92g)及三乙基胺(2.63g)，於室溫下攪拌24小時。將所得之反應溶液過濾後，進行濃縮。將所得之殘渣溶解於四氫呋喃(以下記載為「THF」)(100g)後，將t-丁基甲醚(50.0g)滴下，使白色個體析出。然後，藉由傾析去除溶劑，回收白色個體。將白色個體溶解於THF(100g)後，將t-丁基甲醚(50.0g)滴下，使白色個體析出。重複相同操作4次，得到白色個體後，添加白色個體、二氯甲烷(95.0g)、及離子交換水(50.0g)於室溫下攪拌30分鐘後，分液取出有機層。於回收之有機層中添加離子交換水(50.0g)，於室溫下攪拌30分鐘後，分液取出有機層。將此水洗操作重複2次。將所得之有機層藉由濃縮，得到式(c)表示之鹽(3.40g)。

將上述合成所得之式(c)所表示之化合物之鑑定如以下所示。

¹H-NMR(DMSO-d⁶)δ(ppm)=8.82(s,1H),4.50-4.40(m,2H),4.30-4.20(m,2H),3.15-2.95(m,8H),2.84(t,1H),2.55-1.64m, 16H),1.55-1.45(m,1H),1.33-1.05(m,16H),1.01(s,3H),0.75(d,3H)。

¹⁹F-NMR(DMSO-d⁶)δ(ppm)=-106.8(t，2F)。

[合成例3]

混合式(c)所表示之鹽(14.0g)、式(d)所表示之鹽(9.88g)、二氯甲烷(186g)及離子交換水(88.9g)，於室溫下攪拌30分鐘後，分液取出有機層。於回收之有機層中添加離子交換水(186g)，於室溫下攪拌30分鐘後，分液取出有機層。將此水洗操作重複3次。藉由將所得之有機層濃縮，得到式(e)所表示之鹽(14.9g)。

將上述合成所得之式(e)所表示之化合物之鑑定如下所示。

¹H-NMR(DMSO-d⁶)δ(ppm)=7.77-7.98(m,Ph,11H),4.50-4.40 (m,2H),3.15-2.95(m,4H),2.55-1.64(m,16H),1.55-1.55-1.05(m,12H),0.75(d,3H)。

¹⁹F-NMR(DMSO-d⁶)δ(ppm)=-101.2(s,2F)、-106.8(t,2F)。

<阻劑組成物之調製>

(實施例1~11、比較例1~13)

混合表1~2所示之各成分並溶解，分別調製各例之阻劑組成物。

表1~2中，各簡稱分別具有以下意義。[]內之數值為摻合量(質量份)。

(A)-1：上述之聚合物A-1。

(A)-2：上述之聚合物A-2。

(A)-3：上述之聚合物A-3。

(A)-4：上述之聚合物A-4。

(B1)-1：下述化學式(B1)-1表示之化合物。

(B1)-2：下述化學式(B1)-2表示之化合物。

(B1)-3：下述化學式(B1)-3表示之化合物。

(B1)-4：下述化學式(B1)-4表示之化合物。

(B1)-5：下述化學式(B1)-5表示之化合物。

(B1)-6：下述化學式(B1)-6表示之化合物。

(B1)-7：下述化學式(B1)-7表示之化合物。

(B1)-8：下述化學式(B1)-8表示之化合物。

(B1)-9：下述化學式(B1)-9表示之化合物。

(B1)-10：下述化學式(B1)-10表示之化合物。

(B1)-11：下述化學式(B1)-11表示之化合物。

(B2)-1：下述化學式(B2)-1表示之化合物。

(B2)-2：下述化學式(B2)-2表示之化合物。

(B2)-3：下述化學式(B2)-3表示之化合物。

(B2)-4：下述化學式(B2)-4表示之化合物。

(B2)-5：下述化學式(B2)-5表示之化合物。

(B2)-6：下述化學式(B2)-6表示之化合物。

(B2)-7：下述化學式(B2)-7表示之化合物。

(B2)-8：下述化學式(B2)-8表示之化合物。

(B2)-9：下述化學式(B2)-9表示之化合物。

(D)-1：下述的化學式(D-1)表示之化合物(D-1)所成之酸擴散控制劑。

(S)-1：丙二醇單甲醚乙酸酯/丙二醇單甲醚=20/80(質量比)之混合溶劑。

<阻劑圖型之形成>

用旋轉塗佈機分別將各例之阻劑組成物塗佈於實施了 六甲基二矽氮烷(HMDS)處理的8寸矽基板上，於加熱板上進行溫度110℃、60秒的預烘烤(PAB)處理，經由乾燥形成膜厚30nm之阻劑膜。

接著，對前述阻劑膜，使用電子束描繪裝置JEOL-JBX-9300FS(日本電子股份公司製)，以加速電壓100kV，將靶尺寸(target size)作為線寬50~16nm之1：1線寬/間距圖型(以下「LS圖型」)進行描繪(曝光)。然後，於110℃下、60秒曝光後進行加熱(PEB)處理。

接著，於23℃下使用2.38質量%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液「NMD-3」(商品名、東京應化工業股份公司製)，進行60秒鹼顯像。

然後，使用純水進行水清洗60秒。

其結果，形成線寬50~16nm之1：1的LS圖型。

[最佳曝光量(Eop)之評價]

求以前述阻劑圖型之形成方法，形成靶尺寸之LS圖型的最佳曝光量Eop(μC/cm²)。將此以「Eop(μC/cm²)」表示於表中。

[解析性之評價]

上述Eop中之極限解析度(limiting resolution)，具體而言，自最佳曝光量Eop每次少許增大曝光量，形成LS圖型時，使用掃描型電子顯微鏡S-9380(日立High Technology公司製)，求不會傾倒且解析之圖型的最小尺寸。將此於 表中以「解析性能(nm)」表示。

[LWR(線寬粗糙度)之評價]

關於上述<阻劑圖型之形成>所形成的LS圖型，求表示LWR之尺度的3σ。將此於表中以「LWR(nm)」表示。

「3σ」係藉由掃描型電子顯微鏡(加速電壓800V，商品名：S-9380，日立High Technologys公司製)，於線之縱向測量400處線位置，表示由此測量結果求得之標準偏差(σ)之3倍值(3σ)(單位：nm)。

該3σ之值越小，表示可得到線側壁之粗糙度越小，更均勻之寬度的LS圖型。

[LS圖型形狀之評價]

以測長SEM(掃描型電子顯微鏡、加速電壓800V、商品名：SU-8000、日立High Technologys公司製)觀察藉由前述<阻劑圖型之形成>所形成之LS圖型形狀，其結果於表中以「形狀」表示。

由表3所示的結果可確認依據適用本發明之實施例的阻劑組成物時，在阻劑圖型之形成中，可高感度化及提昇微影特性，形成良好形狀的阻劑圖型。

Claims (8)

1. 一種阻劑組成物，其係因曝光產生酸，且因酸之作用而對顯影液之溶解性產生變化的阻劑組成物，其特徵為含有因酸之作用而對顯影液之溶解性產生變化的基材成分(A)、與因曝光而產生酸的酸產生劑成分(B)，前述基材成分(A)包含具有以下述通式(a0-1)表示之構成單位(a0)的樹脂成分(A1)，前述酸產生劑成分(B)包含以下述通式(b1)表示的化合物(B1)，

   

   [式(a0-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Va¹為可具有醚鍵之二價烴基，n_a1為0~2之整數，Ra’¹²及Ra’¹³各自獨立為碳數1~10之一價鏈狀飽和烴基或氫原子，此鏈狀飽和烴基所具有之氫原子之一部分或全部可被取代，Ra’¹⁴為可具有取代基之苯基、可具有取代基之萘基、或可具有取代基之蒽基，式(b1)中，R^b1表示下 述式(R^b1-2)表示之環狀烴基，Y^b1表示含有酯鍵(-C(=O)-O-或-O-C(=O)-)之二價連結基，V^b1表示伸烷基、氟化伸烷基或單鍵，m為1以上之整數，M^m+表示m價之有機陽離子]

   

   〔＊表示鍵結鍵〕。
2. 如請求項1之阻劑組成物，其中前述樹脂成分(A1)中之前述構成單位(a0)之比例係相對於構成前述樹脂成分(A1)之全構成單位之合計，為20~70莫耳%。
3. 如請求項1之阻劑組成物，其中前述化合物(B1)之含量係相對於前述基材成分(A)100質量份，為1~40質量份。
4. 如請求項1之阻劑組成物，其中前述樹脂成分(A1)進一步具有包含含內酯之環式基、含-SO₂-之環式基或含碳酸酯之環式基的構成單位(a2)。
5. 如請求項1之阻劑組成物，其中前述樹脂成分(A1)進一步具有下述通式(a9-1)表示之構成單位(a9)，

   

   [式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Ya⁹¹為單鍵或二價連結基，Ya⁹²為二價連結基，R⁹¹為可具有取代基之烴基]。
6. 如請求項1之阻劑組成物，其中前述樹脂成分(A1)進一步具有包含羥基苯乙烯骨架的構成單位。
7. 一種阻劑圖型之形成方法，其係包含下述步驟：在支撐體上使用請求項1之阻劑組成物，形成阻劑膜的步驟，將前述阻劑膜進行曝光的步驟，及將前述曝光後之阻劑膜進行顯影形成阻劑圖型的步驟。
8. 如請求項7之阻劑圖型之形成方法，其中將前述阻劑膜進行曝光的步驟中，對前述阻劑膜，進行EUV(極紫外線)或EB(電子束)曝光。