TW202113474A

TW202113474A - 阻劑組成物及阻劑圖型形成方法

Info

Publication number: TW202113474A
Application number: TW109119440A
Authority: TW
Inventors: 福村友貴; 松宮祐; 藤井達也
Original assignee: 日商東京應化工業股份有限公司
Priority date: 2019-06-25
Filing date: 2020-06-10
Publication date: 2021-04-01
Also published as: TWI828918B; JP7308668B2; US20210003918A1; KR20210000676A; JP2021004927A

Abstract

本發明為提供一種阻劑組成物，其係包含具有一般式(a01)表示之構成單位(a01)，且包含具有一般式(f1-01)或一般式(f1-02)表示之構成單位(f10)之氟樹脂成分，構成單位(a01)為具有包含脂肪族環式基及芳香族環式基之特定酸解離性基(a01-r-1)之構成單位，式(f1-01)及式(f1-02)中，R為氫原子等，Raf⁰¹ 及Raf⁰² 中至少一者以及Raf⁰³ 及Raf⁰⁴ 中至少一者為經氟原子取代之烴基，氟原子之總數為3以上。

Description

阻劑組成物及阻劑圖型形成方法

本發明關於一種阻劑組成物及阻劑圖型形成方法。本案於2019年6月25日於日本申請，並基於特願2019-117448號主張優先權，並沿用其內容於此。

在微影技術中，有例如進行在基板上使用阻劑材料來形成阻劑膜，對該阻劑膜進行選擇性曝光，藉由實施顯像處理，對該阻劑膜形成特定形狀之阻劑圖型之步驟。阻劑膜之曝光部變化成溶解於顯像液之特性之阻劑材料稱為正型，阻劑膜之曝光部變化成不溶解於顯像液之特性之阻劑材料稱為負型。近年來，在半導體元件或液晶顯示元件之製造中，因微影技術之進歩，圖型之微細化急速地進化。作為微細化之手法，一般來說有進行曝光光源之短波長化(高能量化)。具體來說，以往有使用以g線、i線為代表之紫外線，但現在是使用KrF準分子雷射或ArF準分子雷射之半導體元件之量產。且，對此等之準分子雷射，關於短波長(高能量)之EUV(極端紫外線)或EB(電子線)、X線等也有進行探討。

阻劑材料要求對此等之曝光光源之感度、能夠再現微細之大小之圖型之解像性等之微影特性。作為滿足如此之要求之阻劑材料，以往，有使用含有因酸之作用而對顯像液之溶解性有變化之基材成分與因曝光而產生酸之酸產生劑成分之化學增幅型阻劑組成物。例如顯像液為鹼顯像液(鹼顯像製程)時，作為正型之化學增幅型阻劑組成物，一般使用含有因酸之作用而對鹼顯像液之溶解性增大之樹脂成分(基底樹脂)與酸產生劑成分者。使用相關之阻劑組成物所形成之阻劑膜，在阻劑圖型形成時進行選擇性曝光的話，在阻劑膜之曝光部中，會自酸產生劑成分產生酸，因該酸之作用，基底樹脂之極性會增加，阻劑膜之曝光部對鹼顯像液會變得可溶。因此，藉由鹼顯像，阻劑膜之未曝光部會圖型形成殘留之正型圖型。另一方面，將如此之化學增幅型阻劑組成物適用在使用包含有機溶劑之顯像液(有機系顯像液)之溶劑顯像製程時，基底樹脂之極性增加的話，相對地對有機系顯像液之溶解性會降低，因此阻劑膜之未曝光部會藉由有機系顯像液來溶解並去除，阻劑膜之曝光部會作為圖型形成殘留之負型之阻劑圖型。如此，形成負型之阻劑圖型之溶劑顯像製程有時稱作負型顯像製程。

且，上述化學增幅型阻劑組成物中，有進一步使用含有氟添加劑成分者。例如，專利文獻1中有揭示一種感放射線性樹脂組成物，其係含有聚合物，該聚合物具有金剛烷骨架上鍵結鹼解離性基之含氟之基之構成單位。藉由該感放射線性樹脂組成物，即使將PEB溫度設地比以往溫度還低時，阻劑被膜表層之溶解殘餘也會非常地被降低，其結果，進一步提升浮渣抑制性及橋接缺陷抑制性之同時，也能夠進一步抑制起因於橋接缺陷產生而引起之LWR之增加。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2012/002470號

[本發明欲解決之課題]

微影技術之更進歩、阻劑圖型之微細化逐漸進化當中，例如以電子線或EUV之微影中，其目標為形成數十nm之微細圖型。如此，阻劑圖型大小越小，對阻劑組成物越要求對曝光光源之高感度化及粗糙降低等微影特性之更進一步的提升。

然而，如上述之以往之阻劑組成物中，對如前述之要求特性，在解像性能、粗糙降低效果之點尚不充分。

本發明有鑑於上述事實，課題為提供一種企圖高感度化，且微影特性優異，能夠形成良好形狀之阻劑圖型之阻劑組成物及使用該阻劑組成物之阻劑圖型形成方法。 [解決課題之手段]

為了解決上述課題，本發明採用以下構成。亦即，本發明之第1型態為一種阻劑組成物，其係因曝光產生酸，因酸之作用而對顯像液之溶解性有變化之阻劑組成物，且含有因酸之作用而對顯像液之溶解性有變化之樹脂成分(A1)及對鹼顯像液顯示分解性之氟添加劑成分(F)，前述樹脂成分(A1)包含具有下述一般式(a01)表示之構成單位(a01)之高分子化合物，前述氟添加劑成分(F)包含具有下述一般式(f1-01)或下述一般式(f1-02)表示之構成單位(f10)之氟樹脂成分，

[式中，Ya0為碳原子，Xa0為與Ya0一起形成脂肪族環式基之基，前述脂肪族環式基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經取代，Ra^X01 為亦可具有取代基之芳香族烴基，*表示鍵結]。

[式(f1-01)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Raf⁰¹ 為不具有酸解離性部位之2價連結基，Raf⁰² 為1價有機基，-O-Raf⁰² 為因鹼基之作用而解離之基，Raf⁰¹ 及Raf⁰² 中至少一者為烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，Raf⁰¹ 及Raf⁰² 中氟原子之總數為3個以上，式(f1-02)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Raf⁰³ 為不具有酸解離性部位之2價連結基，Raf⁰⁴ 為1價有機基，-C(=O)Raf⁰⁴ 為因鹼基之作用而解離之基，Raf⁰³ 及Raf⁰⁴ 中至少一者為烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，Raf⁰³ 及Raf⁰⁴ 中氟原子之總數為3個以上]。

本發明之第2型態為一種阻劑圖型形成方法，其特徵為具有：在支持體上使用前述第1型態相關之阻劑組成物，形成阻劑膜之步驟、將前述阻劑膜曝光之步驟，及將前述曝光後之阻劑膜顯像，形成阻劑圖型之步驟。 [發明效果]

藉由本發明之阻劑組成物，能夠提供一種企圖高感度化，且微影特性優異，能夠形成良好形狀之阻劑圖型之阻劑組成物及使用該阻劑組成物之阻劑圖型形成方法。

本說明書及本案申請專利範圍中，「脂肪族」意指定義為對芳香族為相對之概念，且不具有芳香族性之基、化合物等。「烷基」只要沒有特別排除，其係包含直鏈狀、分枝鏈狀及環狀之1價飽和烴基者。烷氧基中之烷基亦相同。「伸烷基」只要沒有特別排除，其係包含直鏈狀、分枝鏈狀及環狀之2價飽和烴基者。「鹵化烷基」為烷基之氫原子之一部分或全部經鹵原子取代之基，作為該鹵原子，有舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。「氟化烷基」或「氟化伸烷基」為烷基或伸烷基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基。「構成單位」意指構成高分子化合物(樹脂、聚合物、共聚合物)之單體單位(單體單位)。記載為「亦可具有取代基」時，包含將氫原子(-H)以1價基取代之情形與將亞甲基(-CH₂ -)以2價基取代之情形兩種。「曝光」之概念為包含放射線之照射整體。

「基材成分」意指具有膜形成能之有機化合物，且較佳為使用分子量為500以上之有機化合物。藉由該有機化合物之分子量為500以上，則膜形成能會提升，另外，也容易形成奈米等級之阻劑圖型。作為基材成分使用之有機化合物大致區別為非聚合物與聚合物。作為非聚合物，通常使用分子量為500以上且未滿4000者。以下稱為「低分子化合物」時表示分子量為500以上且未滿4000之非聚合物。作為聚合物，通常使用分子量為1000以上者。以下稱為「樹脂」、「高分子化合物」或「聚合物」時表示分子量為1000以上之聚合物。作為聚合物之分子量，使用GPC(凝膠滲透層析)之聚苯乙烯換算之質量平均分子量者。

「由丙烯酸酯衍生之構成單位」意指丙烯酸酯之乙烯性雙鍵開裂所構成之構成單位。「丙烯酸酯」為丙烯酸(CH₂ =CH-COOH)之羧基末端之氫原子經有機基取代之化合物。丙烯酸酯中，鍵結於α位碳原子之氫原子亦可經取代基取代。取代該鍵結於α位碳原子之氫原子之取代基(R^α0 )為氫原子以外之原子或基，有舉例如碳數1~5之烷基、碳數1~5之鹵化烷基等。且，亦包含取代基(R^α0 )經包含酯鍵結之取代基取代之衣康酸二酯，或取代基(R^α0 )經羥基烷基或修飾其羥基之基取代之α羥基丙烯醯酯。且，丙烯酸酯之α位碳原子，只要沒有特別排除，意指丙烯酸之羰基所鍵結之碳原子。以下，有時將鍵結於α位碳原子之氫原子經取代基取代之丙烯酸酯稱作α取代丙烯酸酯。且，有時總括丙烯酸酯與α取代丙烯酸酯稱作「(α取代)丙烯酸酯」。

「由羥基苯乙烯衍生之構成單位」意指羥基苯乙烯之乙烯性雙鍵開裂所構成之構成單位。「由羥基苯乙烯衍生物衍生之構成單位」意指羥基苯乙烯衍生物之乙烯性雙鍵開裂所構成之構成單位。「羥基苯乙烯衍生物」意指包含羥基苯乙烯之α位氫原子經烷基、鹵化烷基等其他取代基取代者，以及此等之衍生物之概念。作為此等之衍生物，有舉出將α位氫原子亦可經取代基取代之羥基苯乙烯之羥基之氫原子以有機基取代者；α位氫原子亦可經取代基取代之羥基苯乙烯之苯環上鍵結羥基以外之取代基者等。且，α位(α位碳原子)只要沒有特別排除，意指苯環所鍵結之碳原子。作為取代羥基苯乙烯之α位氫原子之取代基，有舉出在前述α取代丙烯酸酯中，與作為α位之取代基所舉出者相同者。

「由乙烯安息香酸或乙烯安息香酸衍生物衍生之構成單位」意指乙烯安息香酸或乙烯安息香酸衍生物之乙烯性雙鍵開裂所構成之構成單位。「乙烯安息香酸衍生物」意指包含乙烯安息香酸之α位氫原子經烷基、鹵化烷基等其他取代基取代者，以及此等之衍生物之概念。作為此等之衍生物，有舉出將α位氫原子亦可經取代基取代之乙烯安息香酸之羧基之氫原子以有機基取代者；α位氫原子亦可經取代基取代之乙烯安息香酸之苯環上有鍵結羥基及羧基以外之取代基者。且，α位(α位碳原子)只要沒有特別排除，意指苯環所鍵結之碳原子。

「苯乙烯衍生物」意指包含苯乙烯之α位氫原子經烷基、鹵化烷基等其他取代基取代者，以及此等之衍生物之概念。作為此等之衍生物，有舉出α位氫原子亦可經取代基取代之羥基苯乙烯之苯環上有鍵結取代基者。且，α位(α位碳原子)只要沒有特別排除，意指苯環所鍵結之碳原子。「由苯乙烯衍生之構成單位」、「由苯乙烯衍生物衍生之構成單位」意指苯乙烯或苯乙烯衍生物之乙烯性雙鍵開裂所構成之構成單位。

作為上述α位之取代基之烷基為直鏈狀或分枝鏈狀之烷基較佳，具體來說有舉出碳數1~5之烷基(甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基)等。且，作為α位之取代基之鹵化烷基，具體來說有舉出將上述「作為α位之取代基之烷基」之氫原子之一部分或全部經鹵原子取代之基。作為該鹵原子，有舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是氟原子較佳。且，作為α位之取代基之羥基烷基，具體來說，有舉出將上述「作為α位之取代基之烷基」之氫原子之一部分或全部經羥基取代之基。該羥基烷基中羥基之數為1~5較佳，為1最佳。

在本說明書及本案申請專利範圍中，根據化學式表示之構造，有存在不對稱碳，也能夠有存在鏡像異構物(enantiomer)或非鏡像異構物(diastereomer)。此時以一種化學式代表此等之異性體。此等之異性體亦可單獨使用，亦可作為混合物來使用。

(阻劑組成物) 本發明之第1型態相關之阻劑組成物為因曝光產生酸，因酸之作用而對顯像液之溶解性有變化之阻劑組成物，且為含有因酸之作用而對顯像液之溶解性有變化之樹脂成分(A1)及對鹼顯像液顯示分解性之氟添加劑成分(F)，前述樹脂成分(A1)包含高分子化合物，該高分子化合物具有上述一般式(a01)表示之構成單位(a01)，前述氟添加劑成分(F)包含氟樹脂成分，該氟樹脂成分具有上述一般式(f1-01)或上述一般式(f1-02)表示之構成單位(f10)之阻劑組成物。

使用相關之阻劑組成物形成阻劑膜，對該阻劑膜進行選擇性曝光的話，該阻劑膜之曝光部會產生酸，因該酸之作用而使(A)成分對顯像液之溶解性有變化，另一方面，該阻劑膜之未曝光部中，(A)成分對顯像液之溶解性不會有變化，因此該阻劑膜之曝光部與未曝光部之間，會產生對顯像液之溶解性之差異。因此，將該阻劑膜顯像的話，該阻劑組成物為正型時，阻劑膜曝光部會被溶解去除，形成正型之阻劑圖型，該阻劑組成物為負型時，阻劑膜未曝光部會被溶解去除，形成負型之阻劑圖型。

本說明書中，將阻劑膜曝光部被溶解去除而形成正型阻劑圖型之阻劑組成物稱為正型阻劑組成物，將阻劑膜未曝光部被溶解去除而形成負型阻劑圖型之阻劑組成物稱為負型阻劑組成物。本實施形態之阻劑組成物亦可為正型阻劑組成物，亦可為負型阻劑組成物。且，本實施形態之阻劑組成物亦可為在阻劑圖型形成時之顯像處理使用鹼顯像液之鹼顯像製程用，亦可為在該顯像處理使用包含有機溶劑之顯像液(有機系顯像液)之溶劑顯像製程用，為鹼顯像製程用較佳。

本實施形態之阻劑組成物具有因曝光而產生酸之酸發生能，亦可為(A)成分因曝光而產生酸，亦可為(A)成分以外所另外摻混之添加劑成分因曝光而產生酸。本實施形態之阻劑組成物，具體來說，(1)亦可進一步含有因曝光產生酸之酸產生劑成分(B)(以下稱作「(B)成分」)；(2)(A)成分亦可為因曝光產生酸之成分；(3)亦可為(A)成分為因曝光產生酸之成分，且含有(B)成分。亦即，為上述(2)及(3)時，(A)成分會成為「因曝光產生酸，且因酸之作用而對顯像液之溶解性有變化之基材成分」。(A)成分為因曝光產生酸，且因酸之作用而對顯像液之溶解性有變化之基材成分時，後述(A1)成分為因曝光產生酸，且因酸之作用而對顯像液之溶解性有變化之高分子化合物較佳。作為如此之高分子化合物，能夠使用具有因曝光產生酸之構成單位之樹脂。作為因曝光產生酸之構成單位，能夠使用公知者。其中，本實施形態之阻劑組成物為上述(1)時較佳。

＜(A)成分＞本實施形態之阻劑組成物中，(A)成分包含因酸之作用而對顯像液之溶解性有變化之樹脂成分(A1)(以下稱作「(A1)成分」)較佳。藉由使用(A1)成分，在曝光前後，基材成分之極性會變化，因此不僅鹼顯像製程，在溶劑顯像製程，也能夠得到良好之顯像對比。作為(A)成分，至少使用(A1)成分，亦可與該(A1)成分一起併用其他高分子化合物及/或低分子化合物。

適用鹼顯像製程時，包含該(A1)成分之基材成分在曝光前對鹼顯像液為難溶性，例如因曝光自(B)成分產生酸的話，則因該酸之作用，極性會增加，對鹼顯像液之溶解性也會增加。因此，在阻劑圖型之形成中，對將該阻劑組成物塗布於支持體上所得之阻劑膜進行選擇性曝光的話，阻劑膜曝光部對鹼顯像液會從難溶性變化成可溶性，另一方面，阻劑膜未曝光部依然為鹼難溶性，並無變化，因此藉由鹼顯像能夠形成正型阻劑圖型。

另一方面，適用溶劑顯像製程時，包含該(A1)成分之基材成分在曝光前對有機系顯像液之溶解性較高，例如因曝光自(B)成分產生酸的話，則因該酸之作用，極性會變高，對有機系顯像液之溶解性會減少。因此，阻劑圖型之形成中，對將該阻劑組成物塗布於支持體上所得之阻劑膜進行選擇性曝光的話，阻劑膜曝光部對有機系顯像液會從可溶性變化成難溶性，另一方面，阻劑膜未曝光部依然為可溶性，並無變化，因此藉由有機系顯像液來顯像，能夠在曝光部與未曝光部之間產生對比，能夠形成負型阻劑圖型。

本實施形態之阻劑組成物中，(A)成分亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

・關於(A1)成分 (A1)成分為因酸之作用而對顯像液之溶解性有變化之樹脂成分。(A1)成分包含高分子化合物，該高分子化合物具有構成單位(a01)。 (A1)成分除了構成單位(a01)，亦可因應必要，具有其他構成單位。

≪構成單位(a01)≫ 構成單位(a01)為下述一般式(a01)表示之構成單位。構成單位(a01)具有對酸顯示高反應性且由下述一般式(a01-r-1)表示之酸解離性基，因此能夠提升感度、解像性、粗糙改善等之微影特性。且，下述一般式(a01-r-1)具有體積較大之芳香族烴基，因此能夠提升包含構成單位(a01)之高分子化合物之玻璃轉移點(Tg)，且能夠良好地控制本實施形態之阻劑組成物中之酸之擴散。

[式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Ra0為一般式(a01-r-1)表示之酸解離性基]。

式(a01)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基， R中碳數1~5之烷基為碳數1~5之直鏈狀或分枝鏈狀烷基較佳，具體來說，有舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。 R中碳數1~5之鹵化烷基為前述碳數1~5之烷基之氫原子之一部分或全部經鹵原子取代之基。作為該鹵原子，有舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，尤其是氟原子較佳。作為R，為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之氟化烷基較佳，以工業上之取得容易度來看，為氫原子、甲基或三氟甲基再較佳，為氫原子或甲基更較佳，為甲基特別佳。

式(a01-r-1)中，Xa0與Ya0所形成之脂肪族環式基亦可為單環式基，亦可為多環式基。惟，以對顯像液之溶解性提升之觀點來看，為多環式基時，為不具有交聯構造之脂肪族環式基較佳。

作為單環式之脂肪族環式基，有舉出自單環烷烴去除2個以上氫原子之基。作為該單環烷烴，為碳數3~8者較佳，具體來說，有舉出環丙烷、環丁烷、環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷。作為多環式之脂肪族環式基，有舉出自聚環烷烴去除2個以上氫原子之基。作為該聚環烷烴，有舉出具有十氫萘、全氫奠、全氫蒽、類固醇骨架之環構造等之具有縮合環系之多環式骨架之聚環烷烴。此等之中，為單環式之脂肪族環式基較佳，為自環丙烷、環戊烷、環己烷、環辛烷去除1個以上氫原子之基再較佳，為自環戊烷、環己烷、環辛烷去除1個以上氫原子之基更較佳，為自環戊烷去除1個以上氫原子之基特別佳。

上述脂肪族環式基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經取代，作為此取代基，有舉例如-R^P1 、 -R^P2 -O-R^P1 、-R^P2 -CO-R^P1 、-R^P2 -CO-OR^P1 、-R^P2 -O-CO-R^P1 、 -R^P2 -OH、-R^P2 -CN或-R^P2 -COOH(以下統整此等之取代基，稱作「Ra⁰⁵ 」)等。於此，R^P1 為碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基、碳數3~20之1價脂肪族環狀飽和烴基或碳數6~30之1價芳香族烴基。且，R^P2 為單鍵、碳數1~10之2價鏈狀飽和烴基、碳數3~20之2價脂肪族環狀飽和烴基或碳數6~30之2價芳香族烴基。但，R^P1 及R^P2 之鏈狀飽和烴基、脂肪族環狀飽和烴基及芳香族烴基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經氟原子取代。上述脂肪族環狀烴基亦可單獨具有1個以上之1種上述取代基，亦可各具有1個以上之上述取代基中之複數種。作為碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基，有舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基等。作為碳數3~20之1價脂肪族環狀飽和烴基，有舉例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基、環十二基等之單環式脂肪族飽和烴基；雙環[2.2.2]辛烷基、三環[5.2.1.02,6]癸烷基、三環[3.3.1.13,7]癸烷基、四環[6.2.1.13,6.02,7]十二烷基、金剛烷基等之多環式脂肪族飽和烴基。作為碳數6~30之1價芳香族烴基，有舉例如自苯、聯苯、茀、萘、蒽、菲等之芳香族烴環去除1個氫原子之基。

式(a01-r-1)中，Ra^X01 為亦可具有取代基之芳香族烴基，作為Ra^X01 中之芳香族烴基，有舉出自碳數5~30之芳香族烴環去除1個以上氫原子之基。其中，Ra^X01 為自碳數6~15之芳香族烴環去除1個以上氫原子之基較佳，為自苯、萘、蒽或菲去除1個以上氫原子之基再較佳，為自苯、萘或蒽去除1個以上氫原子之基更較佳，為自苯或萘去除1個以上氫原子之基特別佳，為自苯去除1個以上氫原子之基最佳。

式(a01-r-1)中，作為Ra^X01 所亦可具有之取代基，有舉出甲基、乙基、丙基、羥基、羧基、鹵原子(氟原子、氯原子、溴原子等)、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等)、烷基氧基羰基等。

將上述一般式(a01-r-1)表示之酸解離性基之具體例表示於以下。

上述中，以對顯像液之高溶解性及對酸之高反應性之觀點來看，一般式(a01-r-1)表示之酸解離性基為上述式(r-pr-sa1)~(r-pr-sa13)中任一者表示之酸解離性基較佳，為上述式(r-pr-sa1)~(r-pr-sa6)中任一者表示之酸解離性基再較佳。

將構成單位(a01)之具體例表示於以下。

上述例示之中，構成單位(a01) 各自選自以化學式(a01-001)~(a01-006)、(a01-008)、(a01-009)、(a01-011)~(a01-014)表示之構成單位所成群中至少1種較佳，各自選自以化學式(a01-001)~(a01-006)表示之構成單位所成群中至少1種再較佳，各自選自化學式(a01-004)、(a01-005)表示之構成單位所成群中至少1種更較佳。

(A1)成分所具有之構成單位(a01)亦可為1種或2種以上。 (A1)成分中，構成單位(a01)之比例相對於構成該(A1)成分之全構成單位之合計(100莫耳%)，為1~80莫耳%較佳，為30~70莫耳%再較佳，為40~60莫耳%特別佳。藉由將構成單位(a01)之比例設為前述較佳範圍之下限值以上，解像性或粗糙改善等之微影特性會提升。且，藉由設為前述較佳範圍之上限值以下，能夠取得與其他構成單位之平衡，各種微影特性也較良好。

≪其他構成單位≫ (A1)成分亦可具有上述構成單位(a01)以外之其他構成單位。作為其他構成單位，有舉例如包含因酸之作用而增加極性之酸分解性基之構成單位(a1)(但，去除相當於構成單位(a01)者)；包含含內酯之環式基、含環狀酐之環式基、含-SO₂ -之環式基或含碳酸酯之環式基之構成單位(a2)；極性基含有脂肪族烴基之構成單位(a3)；包含酸非解離性之脂肪族環式基之構成單位(a4)；後述一般式(a10-1)表示之構成單位(a10)；由苯乙烯衍生之構成單位；由苯乙烯衍生物衍生之構成單位；由丙烯酸衍生之構成單位(a6)等。

關於構成單位(a1)：構成單位(a1)為包含因酸之作用而增加極性之酸分解性基之構成單位。惟，去除相當於上述構成單位(a01)者。「酸分解性基」為具有因酸之作用，該酸分解性基之構造中至少一部份之鍵結能開裂之酸分解性之基。作為因酸之作用而增加極性之酸分解性基，有舉例如因酸之作用而分解，並產生極性基之基。作為極性基，有舉例如為羧基、羥基、胺基、磺酸基(-SO₃ H)等。此等中，為在構造中含有-OH之極性基(以下有時稱作「含OH之極性基」)較佳，為羧基或羥基再較佳，為羧基特別佳。作為酸分解性基，更具體來說，有舉出前述極性基經酸解離性基保護之基(例如將含OH之極性基之氫原子以酸解離性基保護之基)。

於此，「酸解離性基」意指(i)具有因酸之作用，該酸解離性基與相鄰於該酸解離性基之原子之間之鍵結能開裂之酸解離性之基，或(ii)因酸之作用，一部分之鍵結開裂後，進而藉由產生脫碳酸反應，該酸解離性基與相鄰於該酸解離性基之原子之間之鍵結能開裂之基兩者。構成酸分解性基之酸解離性基必須要是極性比藉由該酸解離性基之解離所生成之極性基更低之基，藉此，因酸之作用而使該酸解離性基解離時，會產生極性比該酸解離性基更高之極性基，極性會增加。其結果，(A1)成分全體之極性會增加。藉由極性增加，相對地，對顯像液之溶解性會有變化，顯像液為鹼顯像液時，溶解性會增加，顯像液為有機系顯像液時，溶解性會減少。

作為酸解離性基，於此有舉出作為化學增幅型阻劑組成物用之基底樹脂之酸解離性基所提案者。作為化學增幅型阻劑組成物用之基底樹脂之酸解離性基所提案者，具體來說，有舉出以下說明之「縮醛型酸解離性基」、「第3級烷基酯型酸解離性基」、「第3級烷基氧基羰基酸解離性基」。

縮醛型酸解離性基：前述極性基中，作為羧基或保護羥基之酸解離性基，有舉例如下述一般式(a1-r-1)表示之酸解離性基(以下有時稱作「縮醛型酸解離性基」)。

[式中，Ra’¹ 、Ra’² 為氫原子或烷基。Ra’³ 為烴基，且Ra’³ 亦可與Ra’¹ 、Ra’² 之任一者鍵結形成環]。

式(a1-r-1)中，Ra’¹ 及Ra’² 中，至少一者為氫原子較佳，兩者為氫原子再較佳。 Ra’¹ 或Ra’² 為烷基時，作為該烷基，關於上述α取代丙烯酸酯之說明中，有舉出與作為亦可鍵結於α位碳原子之取代基所舉出之烷基相同者，為碳數1~5之烷基較佳。具體來說，有舉出直鏈狀或分枝鏈狀之烷基較佳。更具體來說，有舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等，為甲基或乙基再較佳，為甲基特別佳。

式(a1-r-1)中，作為Ra’³ 之烴基，有舉出直鏈狀或分枝鏈狀之烷基，或環狀之烴基。該直鏈狀之烷基，碳數為1~5較佳，碳數為1~4再較佳，碳數為1或2更較佳。具體來說，有舉出甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。此等之中，為甲基、乙基或n-丁基較佳，為甲基或乙基再較佳。

該分枝鏈狀之烷基，碳數為3~10較佳，碳數為3~5再較佳。具體來說，有舉出異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙基丙基、2,2-二甲基丁基等，為異丙基較佳。

Ra’³ 成為環狀之烴基時，該烴基亦可為脂肪族烴基或芳香族烴基，且亦可為多環式基或單環式基。作為單環式基之脂肪族烴基，為自單環烷烴去除1個氫原子之基較佳。作為該單環烷烴，有舉出碳數3~6者較佳，具體來說，有舉出環戊烷、環己烷等。作為多環式基之脂肪族烴基，為自聚環烷烴去除1個氫原子之基較佳，作為該聚環烷烴，為碳數7~12者較佳，具體來說，有舉出金剛烷、降

烷、異

烷、三環癸烷、四環十二烷等。

Ra’³ 之環狀烴基成為芳香族烴基時，該芳香族烴基為至少具有1個芳香環之烴基。此芳香環只要是具有4n+2個π電子之環狀共軛系即可，並無特別限定，亦可為單環式或多環式。芳香環之碳數為5~30較佳，為碳數5~20再較佳，為碳數6~15更較佳，為碳數6~12特別佳。作為芳香環，具體來說有舉出苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子之一部分經雜原子取代之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，有舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體來說有舉出吡啶環、噻吩環等。作為Ra’³ 中之芳香族烴基，具體來說有舉出自前述芳香族烴環或芳香族雜環去除1個氫原子之基(芳基或雜芳基)；自包含2個以上芳香環之芳香族化合物(例如聯苯、茀等)去除1個氫原子之基；前述芳香族烴環或芳香族雜環之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基等)等。鍵結於前述芳香族烴環或芳香族雜環之伸烷基之碳數為1~4較佳，為碳數1~2再較佳，為碳數1特別佳。

Ra’³ 中之環狀烴基亦可具有取代基。作為此取代基，有舉例如-R^P1 、-R^P2 -O-R^P1 、-R^P2 -CO-R^P1 、 -R^P2 -CO-OR^P1 、-R^P2 -O-CO-R^P1 、-R^P2 -OH、-R^P2 -CN或 -R^P2 -COOH(以下統整此等之取代基，稱作「Ra⁰⁵ 」)等。於此，R^P1 為碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基、碳數3~20之1價脂肪族環狀飽和烴基或碳數6~30之1價芳香族烴基。且，R^P2 為單鍵、碳數1~10之2價鏈狀飽和烴基、碳數3~20之2價脂肪族環狀飽和烴基或碳數6~30之2價芳香族烴基。但，R^P1 及R^P2 之鏈狀飽和烴基、脂肪族環狀飽和烴基及芳香族烴基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經氟原子取代。上述脂肪族環狀烴基亦可單獨具有1個以上之1種上述取代基，亦可各具有1個以上之上述取代基中之複數種。作為碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基，有舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基等。作為碳數3~20之1價脂肪族環狀飽和烴基，有舉例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基、環十二基等之單環式脂肪族飽和烴基；雙環[2.2.2]辛烷基、三環[5.2.1.02,6]癸烷基、三環[3.3.1.13,7]癸烷基、四環[6.2.1.13,6.02,7]十二烷基、金剛烷基等之多環式脂肪族飽和烴基。作為碳數6~30之1價芳香族烴基，有舉例如自苯、聯苯、茀、萘、蒽、菲等之芳香族烴環去除1個氫原子之基。

Ra’³ 與Ra’¹ 、Ra’² 之任一者鍵結形成環時，作為該環式基，為4~7員環較佳，為4~6員環再較佳。作為該環式基之具體例，有舉出四氫哌喃基、四氫呋喃基等。

第3級烷基酯型酸解離性基：上述極性基中，作為保護羧基之酸解離性基，有舉例如下述一般式(a1-r-2)表示之酸解離性基。且，下述式(a1-r-2)表示之酸解離性基中，由烷基所構成者，以下在方便上有時稱作「第3級烷基酯型酸解離性基」。

[式中，Ra’⁴ ~Ra’⁶ 各自為烴基，Ra’⁵ 、Ra’⁶ 亦可互相鍵結形成環]。

作為Ra’⁴ 之烴基，有舉出直鏈狀或分枝鏈狀之烷基、鏈狀或環狀之烯基，或環狀之烴基。 Ra’⁴ 中之直鏈狀或分枝鏈狀之烷基、環狀之烴基(單環式基之脂肪族烴基、多環式基之脂肪族烴基、芳香族烴基)有舉出與前述Ra’³ 相同者。 Ra’⁴ 中之鏈狀或環狀之烯基為碳數2~10之烯基較佳。作為Ra’⁵ 、Ra’⁶ 之烴基，有舉出與前述Ra’³ 相同者。

Ra’⁵ 與Ra’⁶ 互相鍵結形成環時，有適當地舉出下述一般式(a1-r2-1)表示之基、下述一般式(a1-r2-2)表示之基。另一方面，Ra’⁴ ~Ra’⁶ 不會互相鍵結，且為獨立之烴基時，有適當地舉出下述一般式(a1-r2-4)表示之基。

[式(a1-r2-1)中，Ra’¹⁰ 表示碳數1~10之烷基或下述一般式(a1-r2-r1)表示之基。Ra’¹¹ 表示與Ra’¹⁰ 所鍵結之碳原子一起形成脂肪族環式基之基。式(a1-r2-2)中，Ya為碳原子，Xa為與Ya一起形成環狀烴基之基。此環狀烴基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經取代。Ra⁰¹ ~Ra⁰³ 各自獨立為氫原子、碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基或碳數3~20之1價脂肪族環狀飽和烴基。其鏈狀飽和烴基及脂肪族環狀飽和烴基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經取代。Ra⁰¹ ~Ra⁰³ 之2個以上亦可互相鍵結形成環狀構造。式(a1-r2-4)中，Ra’¹² 及Ra’¹³ 各自獨立為碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基或氫原子。此鏈狀飽和烴基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經取代。Ra’¹⁴ 為亦可具有取代基之烴基。*表示鍵結]。

[式中，Ya⁰ 為第4級碳原子，Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 各自獨立為亦可具有取代基之烴基。但，Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中1個以上為具有至少一個極性基之烴基]。

上述式(a1-r2-1)中，Ra’¹⁰ 之碳數1~10之烷基為作為式(a1-r-1)中Ra’³ 之直鏈狀或分枝鏈狀之烷基所舉出之基較佳。Ra’¹⁰ 為碳數1~5之烷基較佳。

前述式(a1-r2-r1)中，Ya⁰ 為第4級碳原子，亦即，鍵結於Ya⁰ (碳原子)之相鄰碳原子為4個。

前述式(a1-r2-r1)中，Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 各自獨立為亦可具有取代基之烴基。作為Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中之烴基，各自獨立舉出直鏈狀或分枝鏈狀之烷基、鏈狀或環狀之烯基，或環狀之烴基。

Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中，直鏈狀之烷基為碳數1~5較佳，為1~4再較佳，為1或2更較佳。具體來說，有舉出甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。此等之中，有舉出甲基、乙基或n-丁基較佳，為甲基或乙基再較佳。 Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中，分枝鏈狀之烷基為碳數3~10較佳，為3~5再較佳。具體來說，有舉出異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙基丙基、2,2-二甲基丁基等，為異丙基較佳。 Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中，鏈狀或環狀之烯基為碳數2~10之烯基較佳。

Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中，環狀之烴基亦可為脂肪族烴基或芳香族烴基，或亦可為多環式基或單環式基。作為單環式基之脂肪族烴基，為自單環烷烴去除1個氫原子之基較佳。作為該單環烷烴，為碳數3~6者較佳，具體來說有舉出環戊烷、環己烷等。作為多環式基之脂肪族烴基，為自聚環烷烴去除1個氫原子之基較佳，作為該聚環烷烴，為碳數7~12者較佳，具體來說，有舉出金剛烷、降

烷、異

烷、三環癸烷、四環十二烷等。

Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中，該芳香族烴基為至少具有1個芳香環之烴基。此芳香環只要是具有4n+2個π電子之環狀共軛系即可，並無特別限定，亦可為單環式或多環式。芳香環之碳數為5~30較佳，為5~20再較佳，為6~15更較佳，為6~12特別佳。作為芳香環，具體來說，有舉出苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子之一部分經雜原子取代之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，有舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體來說有舉出吡啶環、噻吩環等。作為該芳香族烴基，具體來說有舉出自前述芳香族烴環或芳香族雜環去除1個氫原子之基(芳基或雜芳基)；自包含2個以上芳香環之芳香族化合物(例如聯苯、茀等)去除1個氫原子之基；前述芳香族烴環或芳香族雜環之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基等)等。鍵結於前述芳香族烴環或芳香族雜環之伸烷基之碳數為1~4較佳，為1~2再較佳，為1特別佳。

上述Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 表示之烴基經取代時，作為其取代基，有舉例如羥基、羧基、鹵原子(氟原子、氯原子、溴原子等)、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等)、烷基氧基羰基等。

上述之中，Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中之亦可具有取代基之烴基為亦可具有取代基之直鏈狀或分枝鏈狀之烷基較佳，為直鏈狀之烷基再較佳。

惟，Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中1個以上為至少具有極性基之烴基。「具有極性基之烴基」意指包含將構成烴基之亞甲基(-CH₂ -)以極性基取代者，或構成烴基之至少1個氫原子取代成極性基者之任一者。作為相關之「具有極性基之烴基」，為下述一般式(a1-p1)表示之官能基較佳。

[式中，Ra⁰⁷ 表示碳數2~12之2價烴基。Ra⁰⁸ 表示包含雜原子之2價連結基。Ra⁰⁶ 表示碳數1~12之1價烴基。n_p0 為1~6之整數]。

前述式(a1-p1)中，Ra⁰⁷ 表式碳數2~12之2價烴基。Ra⁰⁷ 之碳數為2~12，碳數為2~8較佳，碳數為2~6再較佳，碳數為2~4更較佳，碳數為2特別佳。 Ra⁰⁷ 中之烴基為鏈狀或環狀之脂肪族烴基較佳，為鏈狀之烴基再較佳。作為Ra⁰⁷ ，有舉例如伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、壬烷-1,9-二基、癸烷-1,10-二基、十一烷-1,11-二基、十二烷-1,12-二基等之直鏈狀烷烴二基；丙烷-1,2-二基、1-甲基丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、戊烷-1,4-二基、2-甲基丁烷-1,4-二基等之分枝鏈狀烷烴二基；環丁烷-1,3-二基、環戊烷-1,3-二基、環己烷-1,4-二基、環辛烷-1,5-二基等之環烷烴二基；降

烷-1,4-二基、降

烷-2,5-二基、金剛烷-1,5-二基、金剛烷-2,6-二基等之多環式之2價脂環式烴基等。而上述中，為烷烴二基較佳，為直鏈狀烷烴二基再較佳。

前述式(a1-p1)中，Ra⁰⁸ 表示包含雜原子之2價連結基。作為Ra⁰⁸ ，有舉例出-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、 -O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(H亦可經烷基、醯基等之取代基取代)、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-等。此等之中，以對顯像液之溶解性之觀點來看，為-O-、 -C(=O)-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-較佳，為-O-、-C(=O)-特別佳。

前述式(a1-p1)中，Ra⁰⁶ 表示碳數1~12之1價烴基。Ra⁰⁶ 之碳數為1~12，以對顯像液之溶解性之觀點來看，為碳數1~8較佳，為碳數1~5再較佳，為碳數1~3更較佳，為碳數1或2特別佳，為1最佳。

Ra⁰⁶ 中之烴基，有舉出鏈狀烴基或環狀烴基，或組合鏈狀與環狀之烴基。作為鏈狀烴基，有舉例如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基、n-己基、n-庚基、2-乙基己基、n-辛基、n-壬基、n-癸基、n-十一基、n-十二基等。

環狀烴基亦可為脂環式烴基或芳香族烴基。作為脂環式烴基，亦可為單環式或多環式之任一者，作為單環式之脂環式烴基，有舉例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、甲基環己基、二甲基環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基等之環烷基。作為多環式之脂環式烴基，有舉例如十氫萘基、金剛烷基、2-烷基金剛烷-2-基、1-(金剛烷-1-基)烷烴-1-基、降

基、甲基降

基、異

基等。作為芳香族烴基，有舉例如苯基、萘基、蒽基、p-甲基苯基、p-tert-丁基苯基、p-金剛烷苯基、甲苯基、茬基、異丙苯基、

基、聯苯基、菲基、2,6-二乙基苯基、2-甲基-6-乙基苯基等。

作為Ra⁰⁶ ，以對顯像液之溶解性之觀點來看，為鏈狀烴基較佳，為烷基再較佳，為直鏈狀烷基更較佳。

前述式(a1-p1)中，n_p0 為1~6之整數，為1~3之整數較佳，為1或2再較佳，為1更較佳。

以下表示至少具有極性基之烴基之具體例。以下式中，*表示鍵結於第4級碳原子(Ya⁰ )之鍵結。

前述式(a1-r2-r1)中，Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中，至少具有極性基之烴基之個數為1個以上，但考慮阻劑圖型形成時對顯像液之溶解性，適當地決定即可，例如Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中之1個或2個較佳，特別佳為1個。

前述之至少具有極性基之烴基亦可具有極性基以外之取代基。作為此取代基，有舉例如鹵原子(氟原子、氯原子、溴原子等)、碳數1~5之鹵化烷基。

式(a1-r2-1)中，Ra’¹¹ (與Ra’¹⁰ 所鍵結之碳原子一起形成之脂肪族環式基)為作為式(a1-r-1)中Ra’³ 之單環式基或多環式基之脂肪族烴基所舉出之基較佳。

式(a1-r2-2)中，作為Xa與Ya一起形成之環狀烴基，有舉出前述式(a1-r-1)中之Ra’³ 中自環狀之1價烴基(脂肪族烴基)進而去除1個以上氫原子之基。 Xa與Ya一起形成之環狀烴基亦可具有取代基。作為其取代基，有舉出上述Ra’³ 中環狀烴基所亦可具有之取代基相同者。式(a1-r2-2)中，作為Ra⁰¹ ~Ra⁰³ 中碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基，有舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基等。 Ra⁰¹ ~Ra⁰³ 中，作為碳數3~20之1價脂肪族環狀飽和烴基，有舉例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基、環十二基等之單環式脂肪族飽和烴基；雙環[2.2.2]辛烷基、三環[5.2.1.02,6]癸烷基、三環[3.3.1.13,7]癸烷基、四環[6.2.1.13,6.02,7]十二烷基、金剛烷基等之多環式脂肪族飽和烴基等。 Ra⁰¹ ~Ra⁰³ 係其中，以衍生構成單位(a1)之單體化合物之合成容易性之觀點來看，為氫原子、碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基較佳，其中，為氫原子、甲基、乙基再較佳，為氫原子特別佳。

作為上述Ra⁰¹ ~Ra⁰³ 表示之鏈狀飽和烴基或脂肪族環狀飽和烴基所具有之取代基，有舉例如與上述Ra⁰⁵ 相同之基。

作為藉由Ra⁰¹ ~Ra⁰³ 之2個以上互相鍵結形成環狀構造所產生之包含碳-碳雙鍵之基，有舉例如環戊烯基、環己烯基、甲基環戊烯基、甲基環己烯基、環亞戊基乙烯基、環亞己基乙烯基等。此等之中，以衍生構成單位(a1)之單體化合物之合成容易性之觀點來看，為環戊烯基、環己烯基、環亞戊基乙烯基較佳。

式(a1-r2-4)中，Ra’¹² 及Ra’¹³ 各自獨立為碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基或氫原子。Ra’¹² 及Ra’¹³ 中，作為碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基，有舉出與上述之Ra⁰¹ ~Ra⁰³ 中碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基相同者。此鏈狀飽和烴基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經取代。 Ra’¹² 及Ra’¹³ 係其中為氫原子、碳數1~5之烷基較佳，為碳數1~5之烷基再較佳，為甲基、乙基更較佳，為甲基特別佳。上述Ra’¹² 及Ra’¹³ 表示之鏈狀飽和烴基經取代時，作為其取代基，有舉例如與上述Ra⁰⁵ 相同之基。

式(a1-r2-4)中，Ra’¹⁴ 為亦可具有取代基之烴基。作為Ra’¹⁴ 中之烴基，有舉出直鏈狀或分枝鏈狀之烷基或環狀之烴基。

Ra’¹⁴ 中直鏈狀之烷基為碳數1~5較佳，為1~4再較佳，為1或2更較佳。具體來說，有舉出甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。此等之中，為甲基、乙基或n-丁基較佳，為甲基或乙基再較佳。

Ra’¹⁴ 中分枝鏈狀之烷基為碳數3~10較佳，為3~5再較佳。具體來說，有舉出異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙基丙基、2,2-二甲基丁基等，為異丙基較佳。

Ra’¹⁴ 成為環狀烴基時，該烴基亦可為脂肪族烴基或芳香族烴基，或亦可為多環式基或單環式基。作為單環式基之脂肪族烴基，為自單環烷烴去除1個氫原子之基較佳。作為該單環烷烴，為碳數3~6者較佳，具體來說有舉出環戊烷、環己烷等。作為多環式基之脂肪族烴基，為自聚環烷烴去除1個氫原子之基較佳，作為該聚環烷烴，為碳數7~12者較佳，具體來說，有舉出金剛烷、降

烷、異

烷、三環癸烷、四環十二烷等。

作為Ra’¹⁴ 中之芳香族烴基，有舉出與Ra⁰⁴ 中之芳香族烴基相同者。其中，Ra’¹⁴ 為自碳數6~15之芳香族烴環去除1個以上氫原子之基較佳，為自苯、萘、蒽或菲去除1個以上氫原子之基再較佳，為自苯、萘或蒽去除1個以上氫原子之基更較佳，為自萘或蒽去除1個以上氫原子之基特別佳，為自萘去除1個以上氫原子之基最佳。作為Ra’¹⁴ 所亦可具有之取代基，有舉出與Ra⁰⁴ 所亦可具有之取代基相同者。

式(a1-r2-4)中之Ra’¹⁴ 為萘基時，與前述式(a1-r2-4)中第3級碳原子鍵結之位置亦可為萘基之1位或2位中任一者。式(a1-r2-4)中之Ra’¹⁴ 為蒽基時，與前述式(a1-r2-4)中第3級碳原子鍵結之位置亦可為蒽基之1位、2位或9位中任一者。

前述式(a1-r2-1)表示之基之具體例於以下舉出。

前述式(a1-r2-2)表示之基之具體例於以下舉出。

前述式(a1-r2-4)表示之基之具體例於以下舉出。

第3級烷基氧基羰基酸解離性基：前述極性基中，作為保護羥基之酸解離性基，有舉例如下述一般式(a1-r-3)表示之酸解離性基(以下在方便上有時稱作「第3級烷基氧基羰基酸解離性基」)。

[式中，Ra’⁷ ~Ra’⁹ 各自為烷基]。

式(a1-r-3)中，Ra’⁷ ~Ra’⁹ 各自為碳數1~5之烷基較佳，為碳數1~3之烷基再較佳。且，各烷基之合計碳數為3~7較佳，為碳數3~5再較佳，為碳數3~4最佳。

作為構成單位(a1)，有舉出由鍵結於α位碳原子之氫原子亦可經取代基取代之丙烯酸酯衍生之構成單位、由丙烯醯胺衍生之構成單位、由羥基苯乙烯或羥基苯乙烯衍生物衍生之構成單位之羥基中氫原子之至少一部分經包含前述酸分解性基之取代基保護之構成單位、由乙烯安息香酸或乙烯安息香酸衍生物衍生之構成單位之 -C(=O)-OH中氫原子之至少一部分經包含前述酸分解性基之取代基保護之構成單位等。

作為構成單位(a1)，上述中，為由鍵結於α位碳原子之氫原子亦可經取代基取代之丙烯酸酯衍生之構成單位較佳。作為相關之構成單位(a1)之較佳具體例，有舉出下述一般式(a1-1)或(a1-2)表示之構成單位。

[式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Va¹ 為亦可具有醚鍵結之2價烴基。n_a1 為0~2之整數。Ra¹ 為上述一般式(a1-r-1)或(a1-r-2)表示之酸解離性基。Wa¹ 為n_a2 +1價烴基，n_a2 為1~3之整數，Ra² 為上述一般式(a1-r-1)或(a1-r-3)表示之酸解離性基]。

前述式(a1-1)中，R之碳數1~5之烷基為碳數1~5之直鏈狀或分枝鏈狀之烷基較佳，具體來說，有舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。碳數1~5之鹵化烷基為前述碳數1~5之烷基之氫原子之一部分或全部經鹵原子取代之基。作為該鹵原子，有舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，尤其是氟原子較佳。作為R，為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之氟化烷基較佳，以工業上之取得容易度來說，為氫原子或甲基最佳。

前述式(a1-1)中，Va¹ 中之2價烴基亦可為脂肪族烴基或芳香族烴基。

作為Va¹ 中之2價烴基之脂肪族烴基亦可為飽和或不飽和，通常為飽和較佳。作為該脂肪族烴基，更具體來說，有舉出直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基，或構造中包含環之脂肪族烴基等。

前述直鏈狀之脂肪族烴基為碳數1~10較佳，為碳數1~6再較佳，為碳數1~4更較佳，為碳數1~3最佳。作為直鏈狀之脂肪族烴基，為直鏈狀之伸烷基較佳，具體來說，有舉出亞甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、三亞甲基[-(CH₂ )₃ -]、四亞甲基[-(CH₂ )₄ -]、五亞甲基[-(CH₂ )₅ -]等。前述分枝鏈狀之脂肪族烴基為碳數2~10較佳，為碳數3~6再較佳，為碳數3或4更較佳，為碳數3最佳。作為分枝鏈狀之脂肪族烴基，為分枝鏈狀之伸烷基較佳，具體來說，有舉出-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、 -C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等之烷基亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、-CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、 -C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、-C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等之烷基伸乙基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等之烷基三亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、 -CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中之烷基，為碳數1~5之直鏈狀之烷基較佳。

作為前述構造中包含環之脂肪族烴基，有舉出脂環式烴基(自脂肪族烴環去除2個氫原子之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基之末端之基、脂環式烴基介隔在直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基之中間之基等。作為前述直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基，有舉出與前述直鏈狀之脂肪族烴基或前述分枝鏈狀之脂肪族烴基相同者。前述脂環式烴基為碳數3~20較佳，為碳數3~12再較佳。前述脂環式烴基亦可為多環式或單環式。作為單環式之脂環式烴基，為自單環烷烴去除2個氫原子之基較佳。作為該單環烷烴，為碳數3~6者較佳，具體來說，有舉出環戊烷、環己烷等。作為多環式之脂環式烴基，為自聚環烷烴去除2個氫原子之基較佳，作為該聚環烷烴，為碳數7~12者較佳，具體來說，有舉出金剛烷、降

烷、異

烷、三環癸烷、四環十二烷等。

作為Va¹ 中之2價烴基之芳香族烴基為具有芳香環之烴基。相關之芳香族烴基為碳數3~30較佳，為5~30再較佳，為5~20更較佳，為6~15特別佳，為6~12最佳。惟，該碳數不包含取代基中之碳數。作為芳香族烴基所具有之芳香環，具體來說有舉出苯、聯苯、茀、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子之一部分經雜原子取代之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，有舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為該芳香族烴基，具體來說有舉出自前述芳香族烴環去除2個氫原子之基(伸芳基)；自前述芳香族烴環去除1個氫原子之基(芳基)之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之自芳基烷基中之芳基進而去除1個氫原子之基)等。前述伸烷基(芳基烷基中之烷基鏈)之碳數為1~4較佳，為1~2再較佳，為1特別佳。

前述式(a1-1)中，Ra¹ 為上述式(a1-r-1)或(a1-r-2)表示之酸解離性基。

前述式(a1-2)中，Wa¹ 中n_a2 +1價之烴基亦可為脂肪族烴基或芳香族烴基。該脂肪族烴基意指不具有芳香族性之烴基，亦可為飽和或不飽和，通常為飽和較佳。作為前述脂肪族烴基，有舉出直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基、構造中包含環之脂肪族烴基，或組合直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基與構造中包含環之脂肪族烴基之基。前述n_a2 +1價為2~4價較佳，為2或3價再較佳。

前述式(a1-2)中，Ra² 為上述一般式(a1-r-1)或(a1-r-3)表示之酸解離性基。

以下表示前述式(a1-1)表示之構成單位之具體例。以下各式中，R^α 表示氫原子、甲基或三氟甲基。

以下表示前述式(a1-2)表示之構成單位之具體例。

(A1)成分所具有之構成單位(a1)亦可為1種或2種以上。作為構成單位(a1)，以容易更提高電子線或EUV所得之微影之特性(感度、形狀等)來看，為前述式(a1-1)表示之構成單位再較佳。其中，作為構成單位(a1)，為包含下述一般式(a1-1-1)表示之構成單位特別佳。

[式中，Ra¹ ”為一般式(a1-r2-1)或(a1-r2-4)表示之酸解離性基]。

前述式(a1-1-1)中，R、Va¹ 及n_a1 與前述式(a1-1)中之R、Va¹ 及n_a1 相同。關於一般式(a1-r2-1)或(a1-r2-4)表示之酸解離性基之說明如上述所示。其中，以在EB用或EUV用中提高反應性較適合來看，酸解離性基選自環式基較佳。

(A1)成分中之構成單位(a1)之比例相對於構成該(A1)成分之全構成單位之合計(100莫耳%)，為1~80莫耳%較佳。藉由將構成單位(a1)之比例設為前述較佳範圍之下限值以上，能夠提升感度、解像性、粗糙改善等之微影特性。另一方面，若為前述較佳範圍之上限值以下，能夠取得與其他構成單位之平衡，各種微影特性也較良好。

關於構成單位(a2)： (A1)成分中，亦可具有構成單位(a2)(但去除相當於構成單位(a01)、構成單位(a1)者)，該構成單位(a2)包含含內酯之環式基、含環狀酐之環式基、含-SO₂ -之環式基或含碳酸酯之環式基。構成單位(a2)之含內酯之環式基、含環狀酐之環式基、含-SO₂ -之環式基或含碳酸酯之環式基，將(A1)成分使用於阻劑膜之形成時，在提高阻劑膜對基板之密著性上較有效。且，藉由具有構成單位(a2)，以例如切適地調整酸擴散長、提高阻劑膜對基板之密著性、切適地調整顯像時之溶解性等之效果來看，微影特性等較良好。

「含內酯之環式基」意指其環骨架中含有包含-O-C(=O)-之環(內酯環)之環式基。將內酯環作為第一個環來計數，僅有內酯環時稱為單環式基，進一步具有其他環構造時，無論其構造皆稱作多環式基。含內酯之環式基亦可為單環式基或多環式基。作為構成單位(a2)中之含內酯之環式基，並無特別限定，能夠使用任意者。具體來說，有舉出各自以下述一般式(a2-r-1)~(a2-r-8)表示之基。

[式中，Ra’²¹ 各自獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基或含-SO₂ -之環式基；A”為亦可包含氧原子(-O-)或硫原子(-S-)之碳數1~5之伸烷基、氧原子或硫原子，n’為0~2之整數，m’為0或1。式(a2-r-8)中，--- 表示單鍵或雙鍵。*表示鍵結]。

前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)中，作為Ra’²¹ 之烷基，為碳數1~6之烷基較佳。該烷基為直鏈狀或分枝鏈狀較佳。具體來說，有舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基、己基等。此等中，為甲基或乙基較佳，為甲基特別佳。作為Ra’²¹ 中之烷氧基，為碳數1~6之烷氧基較佳。該烷氧基為直鏈狀或分枝鏈狀較佳。具體來說有舉出作為前述Ra’²¹ 中之烷基所舉出之烷基與氧原子(-O-)連結之基。作為Ra’²¹ 中之鹵原子，有舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，為氟原子較佳。作為Ra’²¹ 中之鹵化烷基，有舉出前述Ra’²¹ 中之烷基之氫原子之一部分或全部經前述鹵原子所取代之基。作為該鹵化烷基，為氟化烷基較佳，尤其是全氟烷基較佳。

Ra’²¹ 中之-COOR”、-OC(=O)R”中，R”皆為氫原子、烷基、含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基或含-SO₂ -之環式基。作為R”中之烷基，亦可為直鏈狀、分枝鏈狀、環狀之任一者，碳數為1~15較佳。 R”為直鏈狀或分枝鏈狀之烷基時，為碳數1~10較佳，為碳數1~5更較佳，為甲基或乙基特別佳。 R”為環狀之烷基時，為碳數3~15較佳，為碳數4~12更較佳，為碳數5~10最佳。具體來說，能例示自亦可經氟原子或氟化烷基取代或不取代之單環烷烴去除1個以上氫原子之基；自雙環烷烴、三環烷烴、四環烷烴等之聚環烷烴去除1個以上氫原子之基等。更具體來說，有舉出自環戊烷、環己烷等之單環烷烴去除1個以上氫原子之基；自金剛烷、降

烷、異

烷、三環癸烷、四環十二烷等之聚環烷烴去除1個以上氫原子之基等。作為R”中之含內酯之環式基，有舉出與各自以前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-8)表示之基相同者。作為R”中之含碳酸酯之環式基，有舉出與後述含碳酸酯之環式基相同者，且具體來說有舉出各自以一般式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)表示之基。作為R”中之含-SO₂ -之環式基，有舉出與後述含-SO₂ -之環式基相同者，且具體來說，有舉出各自以一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)表示之基。作為Ra’²¹ 中之羥基烷基，為碳數1~6者較佳，具體來說，有舉出前述Ra’²¹ 中之烷基之氫原子之至少1個經羥基取代之基。

前述一般式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中，作為A”中之碳數1~5之伸烷基，為直鏈狀或分枝鏈狀之伸烷基較佳，有舉出亞甲基、伸乙基、n-伸丙基、異伸丙基等。該伸烷基包含氧原子或硫原子時，作為其具體例，有舉出前述伸烷基之末端或碳原子間有介隔-O-或-S-之基，有舉例如O-CH₂ -、-CH₂ -O-CH₂ -、-S-CH₂ -、-CH₂ -S-CH₂ -等。作為A”，為碳數1~5之伸烷基或-O-較佳，為碳數1~5之伸烷基再較佳，為亞甲基最佳。

下述舉出各自以一般式(a2-r-1)~(a2-r-8)表示之基之具體例。

「含環狀酐之環式基」意指環骨架中含有包含-C(=O)-O-C(=O)-之環(環狀酐)之環式基。含環狀酐之環式基亦可為單環式基或多環式基。將環狀酐作為第一個環來計數，僅有環狀酐時稱作單環式基，進而具有其他環構造時，無論其構造皆稱作多環式基。作為含環狀酐之環式基，具體來說有舉出下述式(r-aa-1)表示之基。*表示鍵結。

「含-SO₂ -之環式基」意指其環骨架中具有包含-SO₂ -之環之環式基，具體來說為-SO₂ -中之硫原子(S)形成環式基之環骨架之一部分之環式基。將環骨架中包含-SO₂ -之環作為第一個環來計數，僅有該環時稱作單環式基，進而具有其他環構造時，無論其構造皆稱作多環式基。含-SO₂ -之環式基亦可為單環式基或多環式基。含-SO₂ -之環式基尤其是其環骨架中包含-O-SO₂ -之環式基，亦即含有-O-SO₂ -中之-O-S-形成環骨架之一部分之磺內酯(sultone)環之環式基較佳。作為含-SO₂ -之環式基，更具體來說，有舉出各自以下述一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)表示之基。

[式中，Ra’⁵¹ 各自獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基，或含-SO₂ -之環式基；A”為亦可包含氧原子或硫原子之碳數1~5之伸烷基、氧原子或硫原子，n’為0~2之整數]。

前述一般式(a5-r-1)~(a5-r-2)中，A”與前述一般式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中之A”相同。作為Ra’⁵¹ 中之烷基、烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、 -COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基，各自與關於前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)中之Ra’²¹ 之說明所舉出的相同。下述舉出各自以一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)表示之基之具體例。式中之「Ac」表示乙醯基。

「含碳酸酯之環式基」意指其環骨架中含有包含-O-C(=O)-O-之環(碳酸酯環)之環式基。將碳酸酯環作為第一個環來計數，僅有碳酸酯環時稱作單環式基，進而具有其他環構造時，無論其構造皆稱作多環式基。含碳酸酯之環式基亦可為單環式基或多環式基。作為含碳酸酯環之環式基，並無特別限定，能夠使用任意者。具體來說有舉出各自以下述一般式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)表示之基。

[式中，Ra’^x31 各自獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基或含-SO₂ -之環式基；A”為亦可包含氧原子或硫原子之碳數1~5之伸烷基、氧原子或硫原子，p’為0~3之整數，q’為0或1]。

前述一般式(ax3-r-2)~(ax3-r-3)中，A”與前述一般式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中之A”相同。作為Ra’³¹ 中之烷基、烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、 -COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基，各自與關於前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)中之Ra’²¹ 之說明所舉出的相同。下述舉出各自以一般式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)表示之基之具體例。

作為構成單位(a2)，其中，為由鍵結於α位碳原子之氫原子亦可經取代基取代丙烯酸酯衍生之構成單位較佳。相關之構成單位(a2)為下述一般式(a2-1)表示之構成單位較佳。

[式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。Ya²¹ 為單鍵或2價連結基。La²¹ 為-O-、-COO-、 -CON(R’)-、-OCO-、-CONHCO-或-CONHCS-，R’表示氫原子或甲基。惟，La²¹ 為-O-時，Ya²¹ 不會成為-CO-。Ra²¹ 為含內酯之環式基、含環狀酐之環式基、含碳酸酯之環式基或含-SO₂ -之環式基]。

前述式(a2-1)中，R與前述相同。作為R，為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之氟化烷基較佳，以工業上之取得容易度來看，為氫原子或甲基特別佳。

前述式(a2-1)中，作為Ya²¹ 中之2價連結基，並無特別限定，但有適當地舉出亦可具有取代基之2價烴基、包含雜原子之2價連結基等。

・亦可具有取代基之2價烴基： Ya²¹ 為亦可具有取代基之2價烴基時，該烴基亦可為脂肪族烴基或芳香族烴基。

・・Ya²¹ 中之脂肪族烴基脂肪族烴基意指不具有芳香族性之烴基。該脂肪族烴基亦可為飽和或不飽和，通常為飽和較佳。作為前述脂肪族烴基，有舉出直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基，或構造中包含環之脂肪族烴基等。

・・・直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基該直鏈狀之脂肪族烴基為碳數1~10較佳，為碳數1~6再較佳，為碳數1~4更較佳，為碳數1~3最佳。作為直鏈狀之脂肪族烴基，為直鏈狀之伸烷基較佳，具體來說，有舉出亞甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、三亞甲基[-(CH₂ )₃ -]、四亞甲基[-(CH₂ )₄ -]、五亞甲基[-(CH₂ )₅ -]等。該分枝鏈狀之脂肪族烴基為碳數2~10較佳，為碳數3~6再較佳，為碳數3或4更較佳，為碳數3最佳。作為分枝鏈狀之脂肪族烴基，為分枝鏈狀之伸烷基較佳，具體來說有舉出-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、 -C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等之烷基亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、-CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、 -C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、-C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等之烷基伸乙基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等之烷基三亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、 -CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中之烷基，為碳數1~5之直鏈狀之烷基較佳。

前述直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基亦可具有或不具有取代基。作為該取代基，有出氟原子、經氟原子取代之碳數1~5之氟化烷基、羰基等。

・・・構造中包含環之脂肪族烴基作為該構造中包含環之脂肪族烴基，有舉出環構造中亦可包含包含雜原子之取代基之環狀脂肪族烴基(自脂肪族烴環去除2個氫原子之基)、前述環狀脂肪族烴基鍵結於直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基之末端之基、前述環狀脂肪族烴基介在於直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基之中間之基等。作為前述直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基，有舉出與前述相同者。環狀脂肪族烴基為碳數3~20較佳，為碳數3~12再較佳。環狀脂肪族烴基亦可為多環式基或單環式基。作為單環式之脂環式烴基，為自單環烷烴去除2個氫原子之基較佳。作為該單環烷烴，有舉出碳數3~6者較佳，具體來說有舉出環戊烷、環己烷等。作為多環式之脂環式烴基，為自聚環烷烴去除2個氫原子之基較佳，作為該聚環烷烴，為碳數7~12者較佳，具體來說，有舉出金剛烷、降

烷、異

烷、三環癸烷、四環十二烷等。

環狀脂肪族烴基亦可具有或不具有取代基。作為該取代基，有舉出烷基、烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、羥基、羰基等。作為前述取代基之烷基，為碳數1~5之烷基較佳，為甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基再較佳。作為前述取代基之烷氧基，為碳數1~5之烷氧基較佳，為甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基再較佳，甲氧基、乙氧基更較佳。作為前述取代基之鹵原子，有舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，為氟原子較佳。作為前述取代基之鹵化烷基，有舉出前述烷基之氫原子之一部分或全部經前述鹵原子取代之基。環狀脂肪族烴基中，構成其環構造之碳原子之一部分亦可經包含雜原子之取代基取代。作為包含該雜原子之取代基，為-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-較佳。

・・Ya²¹ 中之芳香族烴基該芳香族烴基為至少具有1個芳香環之烴基。此芳香環只要是具有4n+2個π電子之環狀共軛系即可，並無特別限定，亦可為單環式或多環式。芳香環之碳數為5~30較佳，為碳數5~20再較佳，為碳數6~15更較佳，為碳數6~12特別佳。惟，該碳數中不包含取代基中之碳數。作為芳香環，具體來說有舉出苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子之一部分經雜原子取代之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，有舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體來說有舉出吡啶環、噻吩環等。作為芳香族烴基，具體來說有舉出自前述芳香族烴環或芳香族雜環去除2個氫原子之基(伸芳基或雜伸芳基)；自包含2個以上芳香環之芳香族化合物(例如聯苯、茀等)去除2個氫原子之基；自前述芳香族烴環或芳香族雜環去除1個氫原子之基(芳基或雜芳基)之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如自苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基中之芳基進而去除1個氫原子之基)等。鍵結於前述芳基或雜芳基之伸烷基之碳數為1~4較佳，為碳數1~2再較佳，為碳數1特別佳。

前述芳香族烴基中，該芳香族烴基所具有之氫原子亦可經取代基取代。例如鍵結於該芳香族烴基中之芳香環之氫原子亦可經取代基取代。作為該取代基，有舉例如烷基、烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、羥基等。作為前述取代基之烷基，為碳數1~5之烷基較佳，為甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基再較佳。作為前述取代基之烷氧基、鹵原子及鹵化烷基，有舉出作為取代前述環狀之脂肪族烴基具有之氫原子之取代基所例示者。

・包含雜原子之2價連結基： Ya²¹ 為包含雜原子之2價連結基時，作為該連結基之較佳者，有舉出-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-、 -O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(H亦可經烷基、醯基等之取代基取代)、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-、一般式-Y²¹ -O-Y²² -、-Y²¹ -O-、-Y²¹ -C(=O)-O-、 -C(=O)-O-Y²¹ -、-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -、-Y²¹ -O-C(=O)-Y²² -或-Y²¹ -S(=O)₂ -O-Y²² -表示之基[式中，Y²¹ 及Y²² 各自獨立為亦可具有取代基之2價烴基，O為氧原子，m”為0~3之整數]等。前述包含雜原子之2價連結基為-C(=O)-NH-、 -C(=O)-NH-C(=O)-、-NH-、-NH-C(=NH)-時，其H亦可經烷基、醯基等之取代基取代。該取代基(烷基、醯基等)為碳數1~10較佳，為1~8更較佳，為1~5特別佳。一般式-Y²¹ -O-Y²² -、-Y²¹ -O-、-Y²¹ -C(=O)-O-、 -C(=O)-O-Y²¹ -、-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -、-Y²¹ -O-C(=O)-Y²² -或-Y²¹ -S(=O)₂ -O-Y²² -中，Y²¹ 及Y²² 各自獨立為亦可具有取代基之2價烴基。作為該2價烴基，有舉出與作為前述Ya²¹ 中之2價連結基之說明所舉出者(亦可具有取代基之2價烴基)相同。作為Y²¹ ，為直鏈狀之脂肪族烴基較佳，為直鏈狀之伸烷基再較佳，為碳數1~5之直鏈狀之伸烷基更較佳，為亞甲基或伸乙基特別佳。作為Y²² ，為直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基較佳，為亞甲基、伸乙基或烷基亞甲基再較佳。該烷基亞甲基中之烷基為碳數1~5之直鏈狀之烷基較佳，為碳數1~3之直鏈狀之烷基再較佳，為甲基最佳。式-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -表示之基中，m”為0~3之整數，為0~2之整數較佳，為0或1再較佳，為1特別佳。亦即，作為式-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -表示之基，為式 -Y²¹ -C(=O)-O-Y²² -表示之基特別佳。其中，為式 -(CH₂ )_a’ -C(=O)-O-(CH₂ )_b’ -表示之基較佳。該式中，a’為1~10之整數，為1~8之整數較佳，為1~5之整數再較佳，為1或2更較佳，為1最佳。b’為1~10之整數，為1~8之整數較佳，為1~5之整數再較佳，為1或2更較佳，為1最佳。

上述中，作為Ya²¹ ，為單鍵、酯鍵結[ -C(=O)-O-]、醚鍵結(-O-)、直鏈狀或分枝鏈狀之伸烷基，或此等之組合較佳。

前述式(a2-1)中，Ra²¹ 為含內酯之環式基、含環狀酐之環式基、含-SO₂ -之環式基或含碳酸酯之環式基。作為Ra²¹ 中之含內酯之環式基、含環狀酐之環式基、含-SO₂ -之環式基、含碳酸酯之環式基，各自有適當地舉出各自以前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-8)表示之基、式(r-aa-1)表示之基、一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)表示之基、一般式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)表示之基。其中，為含內酯之環式基或含-SO₂ -之環式基較佳，為各自以前述一般式(a2-r-1)、(a2-r-2)、(a2-r-6)或(a5-r-1)表示之基再較佳。具體來說，為各自以前述化學式(r-lc-1-1)~(r-lc-1-7)、(r-lc-2-1)~(r-lc-2-18)、(r-lc-6-1)、(r-sl-1-1)、(r-sl-1-18)表示之任一者之基再較佳。

(A1)成分所具有之構成單位(a2)亦可為1種或2種以上。 (A1)成分具有構成單位(a2)時，構成單位(a2)之比例相對於構成該(A1)成分之全構成單位之合計(100莫耳%)，為5~60莫耳%較佳，為10~60莫耳%再較佳，為20~55莫耳%更較佳，為30~50莫耳%特別佳。若將構成單位(a2)之比例設為較佳之下限值以上，則藉由前述效果，能夠充分地得到含有構成單位(a2)所得之效果，若為上限值以下，則能夠取得與其他構成單位之平衡，且各種微影特性變得較良好。

關於構成單位(a3)： (A1)成分亦可為進而具有包含含極性基之脂肪族烴基之構成單位(a3)(但，去除相當於構成單位(a01)、構成單位(a1)或構成單位(a2)者)。藉由(A1)成分具有構成單位(a3)，(A)成分之親水性會提高，且會對解像性之提升有貢獻。且，能夠將酸擴散長適當地調整。

作為極性基，有舉出羥基、氰基、羧基、烷基之氫原子之一部分氫氟原子取代之羥基烷基等，尤其是為羥基較佳。作為脂肪族烴基，有舉出碳數1~10之直鏈狀或分枝鏈狀之烴基(較佳為伸烷基)，或環狀之脂肪族烴基(環式基)。作為該環式基，亦可為單環式基或多環式基，例如在ArF準分子雷射用阻劑組成物用之樹脂中，能夠從多數提案中適當地選擇來使用。

該環式基為單環式基時，碳數為3~10再較佳。其中，為由包含含有羥基、氰基、羧基，或烷基之氫原子之一部分經氟原子取代之羥基烷基之脂肪族單環式基之丙烯酸酯所衍生之構成單位再較佳。作為該單環式基，能夠例示自單環烷烴去除2個以上氫原子之基。具體來說，有舉出自環戊烷、環己烷、環辛烷等之單環烷烴去除2個以上氫原子之基等。此等之單環式基中，為自環戊烷去除2個以上氫原子之基、自環己烷去除2個以上氫原子之基在工業上較佳。

該環式基為多環式基時，該多環式基之碳數為7~30再較佳。其中，為由包含含有羥基、氰基、羧基，或烷基之氫原子之一部分經氟原子取代之羥基烷基之脂肪族多環式基之丙烯酸酯衍生之構成單位再較佳。作為該多環式基，能夠例示自雙環烷烴、三環烷烴、四環烷烴等去除2個以上氫原子之基等。具體來說，有舉出自金剛烷、降

烷、異

烷、三環癸烷、四環十二烷等之聚環烷烴去除2個以上氫原子之基等。此等之多環式基中，為自金剛烷去除2個以上氫原子之基、自降

烷去除2個以上氫原子之基、自四環十二烷去除2個以上氫原子之基在工業上較佳。

作為構成單位(a3)，只要式包含含極性基之脂肪族烴基者即可，並無特別限定，能夠使用任意者。作為構成單位(a3)，為由鍵結於α位碳原子之氫原子亦可經取代基取代丙烯酸酯衍生之構成單位且包含含極性基之脂肪族烴基之構成單位較佳。作為構成單位(a3)，含極性基之脂肪族烴基中之烴基為碳數1~10之直鏈狀或分枝鏈狀之烴基時，為由丙烯酸之羥基乙基酯衍生之構成單位較佳。且，作為構成單位(a3)，含極性基之脂肪族烴基中之該烴基為多環式基時，有舉出作為下述式(a3-1)表示之構成單位、式(a3-2)表示之構成單位、式(a3-3)表示之構成單位較佳者；為單環式基時，有舉出作為式(a3-4)表示之構成單位較佳者。

[式中，R與前述相同，j為1~3之整數，k為1~3之整數，t’為1~3之整數，l為0~5之整數，s為1~3之整數]。

式(a3-1)中，j為1或2較佳，為1更較佳。j為2時，羥基為鍵結於金剛烷基之3位與5位者較佳。j為1時，羥基為鍵結於金剛烷基之3位者較佳。j為1較佳，羥基為鍵結於金剛烷基之3位者特別佳。

式(a3-2)中，k為1較佳。氰基為鍵結於降

基之5位或6位者較佳。

式(a3-3)中，t’為1較佳。l為1較佳。s為1較佳。此等於在丙烯酸之羧基之末端鍵結2-降

基或3-降

基較佳。氟化烷基醇為鍵結於降

基之5或6位較佳。

式(a3-4)中，t’為1或2較佳。l為0或1較佳。s為1較佳。氟化烷基醇為鍵結於環己基之3或5位較佳。

(A1)成分所具有之構成單位(a3)亦可為1種或2種以上。 (A1)成分具有構成單位(a3)時，構成單位(a3)之比例相對於構成該(A1)成分之全構成單位之合計(100莫耳%)，為1~30莫耳%較佳，為2~25莫耳%再較佳，為5~20莫耳%更較佳。藉由將構成單位(a3)之比例設為較佳之下限值以上，藉由前述效果，能夠充分地得到含有構成單位(a3)所得之效果，若為較佳上限值以下，則能夠取得與其他構成單位之平衡，且各種微影特性變得較良好。

關於構成單位(a4)： (A1)成分中，亦可進而具有包含酸非解離性之脂肪族環式基之構成單位(a4)。 (A1)成分藉由具有構成單位(a4)，能夠提升所形成之阻劑圖型之乾蝕刻耐性。且，能夠提高(A)成分之疏水性。疏水性之提升，尤其是在溶劑顯像製程時，能夠對解像性、阻劑圖型形狀等之提升帶來貢獻。構成單位(a4)中之「酸非解離性環式基」係因曝光而在該阻劑組成物中產生酸時(例如自因曝光產生酸之構成單位或(B)成分產生酸時)，即使該酸作用也不會解離，而直接殘留在該構成單位中之環式基。

作為構成單位(a4)，例如為由包含酸非解離性之脂肪族環式基之丙烯酸酯衍生之構成單位等較佳。該環式基能夠使用以往熟知之作為ArF準分子雷射用、KrF準分子雷射用(較佳為ArF準分子雷射用)等之阻劑組成物之樹脂成分中所使用多數者。該環式基以工業上取得容易之觀點來看，尤其是選自三環癸基、金剛烷基、四環十二基、異

基、降

基中至少1種較佳。此等之多環式基亦可具有碳數1~5之直鏈狀或分枝鏈狀之烷基作為取代基。作為構成單位(a4)，具體來說，能夠例示各自以下述一般式(a4-1)~(a4-7)表示之構成單位。

[式中，R^α 與前述相同]。

(A1)成分所具有之構成單位(a4)亦可為1種或2種以上。 (A1)成分具有構成單位(a4)時，構成單位(a4)之比例相對於構成該(A1)成分之全構成單位之合計(100莫耳%)，為1~40莫耳%較佳，為5~20莫耳%再較佳。藉由將構成單位(a4)之比例設為較佳之下限值以上，能夠充分地得到含有構成單位(a4)所得之效果，另一方面，藉由設為較佳之上限值以下，容易取得與其構成單位之平衡。

關於構成單位(a10)：構成單位(a10)為下述一般式(a10-1)表示之構成單位。

[式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Ya^x1 為單鍵或2價連結基，Wa^x1 為(n_ax1 +1)價之芳香族烴基。n_ax1 為1以上之整數]。

前述式(a10-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基， R中之碳數1~5之烷基為碳數1~5之直鏈狀或分枝鏈狀之烷基較佳，具體來說，有舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。 R中之碳數1~5之鹵化烷基為前述碳數1~5之烷基之氫原子之一部分或全部經鹵原子取代之基。作為該鹵原子，有舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，尤其是特氟原子較佳。作為R，為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之氟化烷基較佳，以工業上之取得容易度來看，為氫原子、甲基或三氟甲基再較佳，為氫原子或甲基更較佳，為甲基特別佳。

前述式(a10-1)中，Ya^x1 為單鍵或2價連結基。前述化學式中，作為Ya^x1 中之2價連結基，並無特別限定，但有舉出亦可具有取代基之2價烴基、包含雜原子之2價連結基等作為較適合者。

・亦可具有取代基之2價烴基： Ya^x1 為亦可具有之取代基之2價烴基時，該烴基亦可為脂肪族烴基或芳香族烴基。

・・Ya^x1 中之脂肪族烴基脂肪族烴基意指不具有芳香族性之烴基。該脂肪族烴基亦可為飽和或不飽和，通常為飽和較佳。作為前述脂肪族烴基，有舉出直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基，或構造中包含環之脂肪族烴基等。

・・・直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基該直鏈狀之脂肪族烴基為碳數1~10較佳，為碳數1~6再較佳，為碳數1~4更較佳，為碳數1~3最佳。作為直鏈狀之脂肪族烴基，為直鏈狀之伸烷基較佳，具體來說，有舉出亞甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、三亞甲基[-(CH₂ )₃ -]、四亞甲基[-(CH₂ )₄ -]、五亞甲基[-(CH₂ )₅ -]等。該分枝鏈狀之脂肪族烴基為碳數2~10較佳，為碳數3~6再較佳，為碳數3或4更較佳，為碳數3最佳。作為分枝鏈狀之脂肪族烴基，為分枝鏈狀之伸烷基較佳，具體來說，有舉出-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、-C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等之烷基亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、-CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、 -C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、-C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等之烷基伸乙基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等之烷基三亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、 -CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中之烷基，為碳數1~5之直鏈狀之烷基較佳。

前述直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基亦可具有或不具有取代基。作為該取代基，有舉出氟原子、經氟原子取代之碳數1~5之氟化烷基、羰基等。

・・・構造中包含環之脂肪族烴基作為該構造中包含環之脂肪族烴基，有舉出環構造中包含雜原子且亦可具有取代基之環狀脂肪族烴基(自脂肪族烴環去除2個氫原子之基)、前述環狀之脂肪族烴基鍵結於直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基之末端之基、前述環狀之脂肪族烴基介在直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基之中間之基等。作為前述直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基，有舉出與前述相同者。環狀之脂肪族烴基為碳數3~20較佳，為碳數3~12再較佳。環狀之脂肪族烴基亦可為多環式基或單環式基。作為單環式之脂環式烴基，為自單環烷烴去除2個氫原子之基較佳。作為該單環烷烴，為碳數3~6者較佳，具體來說有舉出環戊烷、環己烷等。作為多環式之脂環式烴基，為自聚環烷烴去除2個氫原子之基較佳，作為該聚環烷烴，為碳數7~12較佳，具體來說有舉出金剛烷、降

烷、異

烷、三環癸烷、四環十二烷等。

環狀之脂肪族烴基亦可具有或不具有取代基。作為該取代基，有舉出烷基、烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、羥基、羰基等。作為前述取代基之烷基，為碳數1~5之烷基較佳，為甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基再較佳。作為前述取代基之烷氧基，為碳數1~5之烷氧基較佳，為甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基再較佳，為甲氧基、乙氧基更較佳。作為前述取代基之鹵原子，有舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，為氟原子較佳。作為前述取代基之鹵化烷基，有舉出前述烷基之氫原子之一部分或全部經前述鹵原子取代之基。環狀之脂肪族烴基係構成其環構造之碳原子之一部分經包含雜原子之取代基取代。作為該包含雜原子之取代基，為-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-較佳。

・・Ya^x1 中之芳香族烴基該芳香族烴基為至少具有1個芳香環之烴基。此芳香環只要具有4n+2個π電子之環狀共軛系即可，並無特別限定，亦可為單環式或多環式。芳香環之碳數為5~30較佳，為碳數5~20再較佳，為碳數6~15更較佳，為碳數6~12特別佳。惟，該碳數中不包含取代基中之碳數。作為芳香環，具體來說有舉出苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子之一部分經雜原子取代之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，有舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體來說有舉出吡啶環、噻吩環等。作為芳香族烴基，具體來說有舉出自前述芳香族烴環或芳香族雜環去除2個氫原子之基(伸芳基或雜伸芳基)；自包含2個以上芳香環之芳香族化合物(例如聯苯、茀等)去除2個氫原子之基；自前述芳香族烴環或芳香族雜環去除1個氫原子之基(芳基或雜芳基)之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如自苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基中之芳基進而去除1個氫原子之基)等。鍵結於前述芳基或雜芳基之伸烷基之碳數為1~4較佳，為碳數1~2再較佳，為碳數1特別佳。

前述芳香族烴基中，該芳香族烴基所具有之氫原子亦可經取代基取代。例如鍵結於該芳香族烴基中之芳香環之氫原子亦可經取代基取代。作為該取代基，有舉例如烷基、烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、羥基等。作為前述取代基之烷基，為碳數1~5之烷基較佳，為甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基再較佳。作為前述取代基之烷氧基、鹵原子及鹵化烷基，有舉出作為取代前述環狀之脂肪族烴基所具有之氫原子之取代基所例示者。

・包含雜原子之2價連結基： Ya^x1 為包含雜原子之2價連結基時，作為該連結基之較佳者，有舉出-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-、 -O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(H亦可經烷基、醯基等之取代基取代)、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-、一般式-Y²¹ -O-Y²² -、-Y²¹ -O-、-Y²¹ -C(=O)-O-、 -C(=O)-O-Y²¹ -、-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -、-Y²¹ -O-C(=O)-Y²² -或-Y²¹ -S(=O)₂ -O-Y²² -表示之基[式中，Y²¹ 及Y²² 各自獨立為亦可具有取代基之2價烴基，O為氧原子，m”為0~3之整數]等。前述包含雜原子之2價連結基為-C(=O)-NH-、 -C(=O)-NH-C(=O)-、-NH-、-NH-C(=NH)-時，其H亦可經烷基、醯基等之取代基取代，該取代基(烷基、醯基等)為碳數1~10較佳，為1~8更較佳，為1~5特別佳。一般式-Y²¹ -O-Y²² -、-Y²¹ -O-、-Y²¹ -C(=O)-O-、 -C(=O)-O-Y²¹ -、-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -、-Y²¹ -O-C(=O)-Y²² -或-Y²¹ -S(=O)₂ -O-Y²² -中，Y²¹ 及Y²² 各自獨立為亦可具有取代基之2價烴基。作為該2價烴基，有舉出與作為前述Ya^x1 中之2價連結基所說明(亦可具有取代基之2價烴基)相同者。作為Y²¹ ，為直鏈狀之脂肪族烴基較佳，為直鏈狀之伸烷基再較佳，為碳數1~5之直鏈狀之伸烷基更較佳，為亞甲基或伸乙基特別佳。作為Y²² ，為直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基較佳，為亞甲基、伸乙基或烷基亞甲基再較佳。該烷基亞甲基中之烷基為碳數1~5之直鏈狀之烷基較佳，為碳數1~3之直鏈狀之烷基再較佳，為甲基最佳。式-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -表示之基中，m”為0~3之整數，為0~2之整數較佳，為0或1再較佳，為1特別佳。亦即，作為式-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -表示之基，為式 -Y²¹ -C(=O)-O-Y²² -表示之基特別佳。其中，為式 -(CH₂ )_a’ -C(=O)-O-(CH₂ )_b’ -表示之基較佳。該式中，a’為1~10之整數，為1~8之整數較佳，為1~5之整數再較佳，為1或2更較佳，為1最佳。b’為1~10之整數，為1~8之整數較佳，為1~5之整數再較佳，為1或2更較佳，為1最佳。

上述中，作為Ya^x1 ，為單鍵、酯鍵結[ -C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、醚鍵結(-O-)、直鏈狀或分枝鏈狀之伸烷基，獲此等之組合較佳，為單鍵、酯鍵結[ -C(=O)-O-、-O-C(=O)-]再較佳。

前述式(a10-1)中，Wa^x1 為(n_ax1 +1)價之芳香族烴基。作為Wa^x1 中之芳香族烴基，有舉出自芳香環去除(n_ax1 +1)個氫原子之基。於此之芳香環只要是具有4n+2個π電子之環狀共軛系即可，並無特別限定，亦可為單環式或多環式。芳香環之碳數為5~30較佳，為碳數5~20再較佳，為碳數6~15更較佳，為碳數6~12特別佳。作為該芳香環，具體來說有舉出苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子之一部分經雜原子取代之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，有舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體來說有舉出吡啶環、噻吩環等。且，作為Wa^x1 中之芳香族烴基，有舉出自包含2個以上芳香環之芳香族化合物(例如聯苯、茀等)去除(n_ax1 +1)個氫原子之基。上述中，作為Wa^x1 ，為自苯、萘、蒽或聯苯去除(n_ax1 +1)個氫原子之基較佳，為苯或萘去除(n_ax1 +1)個氫原子之基再較佳，為自苯去除(n_ax1 +1)個氫原子之基更較佳。

前述式(a10-1)中，n_ax1 為1以上之整數，為1~10之整數較佳，為1~5之整數再較佳，為1、2或3更較佳，為1或2特別佳。

以下表示前述式(a10-1)表示之構成單位(a10)之具體例。以下之各式中，R^α 表示氫原子、甲基或三氟甲基。

(A1)成分所具有之構成單位(a10)亦可為1種或2種以上。 (A1)成分具有構成單位(a10)時，(A1)成分中之構成單位(a10)之比例相對於構成(A1)成分之全構成單位之合計(100莫耳%)，為5~80莫耳%較佳，為10~70莫耳%再較佳，為30~60莫耳%更較佳。藉由將構成單位(a10)之比例設為下限值以上，容易更加提高感度。另一方面，藉由設為上限值以下，容易取得與其他構成單位之平衡。

關於苯乙烯或由衍生物衍生之構成單位(構成單位(st))：「苯乙烯」意指包含苯乙烯及苯乙烯之α位氫原子經烷基、鹵化烷基等之取代基取代者之概念。於此作為取代基之烷基，有舉出碳數1~5之烷基，作為該取代基之鹵化烷基，以舉出碳數1~5之鹵化烷基。作為「苯乙烯衍生物」，有舉出α位之氫原子亦可經取代基取代之苯乙烯之苯環鍵結於取代基者等。且，α位(α位之碳原子)只要沒有特別排除，意指苯環所鍵結之碳原子。「由苯乙烯衍生之構成單位」、「由苯乙烯衍生物衍生之構成單位」意指苯乙烯或苯乙烯衍生物之乙烯性雙鍵開裂所構成之構成單位。 (A1)成分所具有之構成單位(st)亦可為1種或2種以上。 (A1)成分具有構成單位(st)時，構成單位(st)之比例相對於構成該(A1)成分之全構成單位之合計(100莫耳%)，為1~30莫耳%較佳，為3~20莫耳%再較佳。

阻劑組成物所含有之(A1)成分亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。本實施形態之阻劑組成物中，(A1)成分有舉出具有構成單位(a01)之重複構造之高分子化合物。作為較佳之(A1)成分，有舉出具有構成單位(a01)與構成單位(a10)之重複構造之高分子化合物。

相關之(A1)成分係能夠藉由將衍生各構成單位之單體溶解於聚合溶媒，於此，例如添加偶氮雙異丁腈(AIBN)、偶氮雙異酪酸二甲基(例如V-601等)等之自由基聚合起始劑，並聚合來製造。或者，相關之(A1)成分係能夠藉由將衍生構成單位(a01)之單體與因應必要之衍生構成單位(a01)以外之構成單位之單體溶解於聚合溶媒，於此，添加如上述之自由基聚合起始劑並聚合，之後進行脫保護反應來製造。且，聚合時，例如藉由倂用如 HS-CH₂ -CH₂ -CH₂ -C(CF₃ )₂ -OH之連鎖移動劑來使用，亦可於末端導入-C(CF₃ )₂ -OH基。如此，有導入烷基之氫原子之一部分經氟原子取代之羥基烷基之共聚合物對顯像缺陷之降低或LER(線邊緣粗糙：線側壁之不均勻之凹凸)之降低較有效。

(A1)成分之質量平均分子量(Mw)(凝膠滲透層析(GPC)所得聚苯乙烯換算基準)並無特別限定，為1000~50000較佳，為2000~30000再較佳，為3000~20000更較佳。 (A1)成分之Mw若在此範圍之較佳上限值以下，則作為阻劑使用時，具有充分之對阻劑溶劑之溶解性，若在此範圍之較佳下限值以上，則耐乾蝕刻性或阻劑圖型剖面形狀較良好。 (A1)成分之分散度(Mw/Mn)並無特別限定，為1.0~4.0較佳，為1.0~3.0再較佳，為1.0~2.0特別佳。且，Mn表示數平均分子量。

・關於(A1)成分以外之基材成分本實施形態之阻劑組成物中，作為(A)成分，亦可併用不相當於前述(A1)成分且因酸之作用而對顯像液之溶解性有變化之基材成分。作為前述不相當於(A1)成分之基材成分，並無特別限定，能夠自以往熟知作為化學增幅型阻劑組成物用之基材成分之多數者中任意地選擇來使用，亦可單獨使用1種高分子化合物或低分子化合物，或亦可組合2種以上來使用。

本實施形態之阻劑組成物中，(A)成分之含量因應欲形成之阻劑膜厚等來調整。

＜(F)成分＞ (F)成分為對鹼顯像液顯示分解性之氟添加劑成分。於此，「對鹼顯像液顯示分解性」意指藉由鹼顯像液(例如2.38質量%之四甲基羥化銨(TMAH)水溶液(23℃))之作用，能夠產生加水分解且顯示分解性。

(F)成分包含具有下述一般式(f1-01)或下述一般式(f1-02)表示之構成單位(f10)之氟樹脂成分(F1)(以下亦稱作(F1)成分)。

≪構成單位(f10)≫ 構成單位(f10)為下述一般式(f1-01)或下述一般式(f1-02)表示之構成單位。構成單位(f10)由於具有3個以上氟原子，在阻劑膜之表面偏析效果能夠提高，且充分提高對阻劑膜之顯像液之親和性。

式(f1-01)及式(f1-02)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基， R中之碳數1~5之烷基為碳數1~5之直鏈狀或分枝鏈狀之烷基較佳，具體來說，有舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。 R中之碳數1~5之鹵化烷基為前述碳數1~5之烷基之氫原子之一部分或全部經鹵原子取代之基。作為該鹵原子，有舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，尤其是氟原子較佳。作為R，為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之氟化烷基較佳，以工業上之取得容易度來看，為氫原子、甲基或三氟甲基再較佳，為氫原子或甲基更較佳，為甲基特別佳。

式(f1-01)中，Raf⁰¹ 為不具有酸解離性部位之2價連結基，「酸解離性部位」如上述「酸解離性基」，意指該有機基內中因曝光所產生之酸會作用且解離之部位。亦即，鍵結於主鏈之(-C(=O)-O-)之O原子與Raf⁰¹ 不會因酸之作用而解離。

作為Raf⁰¹ 中之不具有酸解離性部位之2價連結基，有舉出亦可具有取代基之2價烴基、包含雜原子之2價連結基等。

・亦可具有取代基之2價烴基： Raf⁰¹ 為亦可具有取代基之2價烴基時，該烴基亦可為脂肪族烴基或芳香族烴基。

・・Raf⁰¹ 中之脂肪族烴基脂肪族烴基意指不具有芳香族性之烴基。該脂肪族烴基亦可為飽和或不飽和，通常為飽和較佳。作為前述脂肪族烴基，有舉出直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基，或構造中包含環之脂肪族烴基等。

・・・直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基該直鏈狀之脂肪族烴基為碳數1~10較佳，為碳數1~6再較佳，為碳數1~4更較佳。作為直鏈狀之脂肪族烴基，為直鏈狀之伸烷基較佳，具體來說有舉出亞甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、三亞甲基[-(CH₂ )₃ -]、四亞甲基[-(CH₂ )₄ -]、五亞甲基[-(CH₂ )₅ -]等。該分枝鏈狀之脂肪族烴基為碳數2~10較佳，為碳數3~6再較佳，為碳數3或4更較佳。作為分枝鏈狀之脂肪族烴基，為分枝鏈狀之伸烷基較佳，具體來說有舉出-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-等之烷基亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、-CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、 -CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -等之烷基伸乙基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、 -CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等之烷基三亞甲基； -CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中之烷基，為碳數1~5之直鏈狀之烷基較佳。

・・・構造中包含環之脂肪族烴基作為該構造中包含環之脂肪族烴基，有舉出環構造中包含雜原子且亦可具有取代基之環狀之脂肪族烴基(自脂肪族烴環去除2個氫原子之基)、前述環狀之脂肪族烴基鍵結於直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基之末端之基、前述環狀之脂肪族烴基介在直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基之中間之基等。作為前述直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基，有舉出與前述相同者。環狀之脂肪族烴基為碳數3~20較佳，為碳數3~12再較佳。環狀之脂肪族烴基亦可為單環式基或多環式基。作為單環式之脂環式烴基，為自單環烷烴去除2個氫原子之基較佳。作為該單環烷烴，為碳數3~6者較佳，具體來說有舉出環戊烷、環己烷等。作為多環式之脂環式烴基，為自聚環烷烴去除2個氫原子之基較佳，作為該聚環烷烴，有舉出金剛烷、降

烷、異

烷、三環癸烷、四環十二烷等之具有交聯環系之多環式骨架之聚環烷烴；具有類固醇骨架之環式基等之具有縮合環系之多環式骨架之聚環烷烴等。

環狀之脂肪族烴基亦可具有或不具有取代基。作為該取代基，有舉出烷基、烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、羥基、羰基等。作為前述取代基之烷基，為碳數1~5之烷基較佳，為甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基再較佳。作為前述取代基之烷氧基，為碳數1~5之烷氧基較佳，為甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基再較佳，為甲氧基、乙氧基更較佳。作為前述取代基之鹵原子，有舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，為氟原子較佳。作為前述取代基之鹵化烷基，有舉出前述烷基之氫原子之一部分或全部經前述鹵原子取代之基。環狀之脂肪族烴基中，構成其環構造之碳原子之一部分亦可經包含雜原子之取代基取代。作為包含該雜原子之取代基，有舉出-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)₂ -、 -S(=O)₂ -O-。

・・Raf⁰¹ 中之芳香族烴基該芳香族烴基為具有至少1個芳香環之烴基。此芳香環只要是具有4n+2個π電子之環狀共軛系即可，並無特別限定，亦可為單環式或多環式。芳香環之碳數為5~30較佳，為碳數5~20再較佳，為碳數6~15更較佳，為碳數6~12特別佳。惟，該碳數中不包含取代基中之碳數。作為芳香環，具體來說有舉出苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子之一部分經雜原子取代之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，有舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體來說有舉出吡啶環、噻吩環等。作為芳香族烴基，具體來說有舉出自前述芳香族烴環或芳香族雜環去除2個氫原子之基(伸芳基或雜伸芳基)；自包含2個以上芳香環之芳香族化合物(例如聯苯、茀等)去除2個氫原子之基；自前述芳香族烴環或芳香族雜環去除1個氫原子之基(芳基或雜芳基)之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如自苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基中芳基進而去除1個氫原子之基)等。鍵結於前述芳基或雜芳基之伸烷基之碳數為1~4較佳，為碳數1~2再較佳，為碳數1特別佳。

・包含雜原子之2價連結基： Raf⁰¹ 為包含雜原子之2價連結基時，作為該連結基之較佳者，有舉出-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-、 -O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(H亦可經烷基、醯基等之取代基取代)、-S-、-S(=O)₂ -、 -S(=O)₂ -O-、一般式-Y²¹ -O-Y²² -、-Y²¹ -O-、-Y²¹ -C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y²¹ -、-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -、-Y²¹ -O-C(=O)-Y²² -或-Y²¹ -S(=O)₂ -O-Y²² -表示之基[式中，Y²¹ 及Y²² 各自獨立為亦可具有取代基之2價烴基，O為氧原子，m”為0~3之整數]等。前述包含雜原子之2價連結基為-C(=O)-NH-、 -C(=O)-NH-C(=O)-、-NH-、-NH-C(=NH)-時，其H亦可經烷基、醯基等之取代基取代。該取代基(烷基、醯基等)為碳數1~10較佳，為1~8更較佳，為1~5特別佳。一般式-Y²¹ -O-Y²² -、-Y²¹ -O-、-Y²¹ -C(=O)-O-、 -C(=O)-O-Y²¹ -、-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -、-Y²¹ -O-C(=O)-Y²² -或-Y²¹ -S(=O)₂ -O-Y²² -中，Y²¹ 及Y²² 各自獨立為亦可具有取代基之2價烴基。作為該2價烴基，有舉出與作為前述Raf⁰¹ 中之2價連結基之說明所舉出(亦可具有取代基之2價烴基)的相同。作為Y²¹ ，為直鏈狀之脂肪族烴基較佳，為直鏈狀之伸烷基再較佳，為碳數1~5之直鏈狀之伸烷基更較佳，為亞甲基或伸乙基特別佳。作為Y²² ，為直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基較佳，為亞甲基、伸乙基或烷基亞甲基再較佳。該烷基亞甲基中之烷基為碳數1~5之直鏈狀之烷基較佳，為碳數1~3之直鏈狀之烷基再較佳，為甲基最佳。式-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -表示之基中，m”為0~3之整數，為0~2之整數較佳，為0或1再較佳，為1特別佳。亦即，作為式-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -表示之基，為式 -Y²¹ -C(=O)-O-Y²² -表示之基特別佳。其中，為式 -(CH₂ )_a’ -C(=O)-O-(CH₂ )_b’ -表示之基較佳。該式中，a’為1~10之整數，為1~8之整數較佳，為1~5之整數再較佳，為1或2更較佳，為1最佳。b’為1~10之整數，為1~8之整數較佳，為1~5之整數再較佳，為1或2更較佳，為1最佳。

上述中，作為Raf⁰¹ ，為單鍵、酯鍵結[ -C(=O)-O-]、醚鍵結(-O-)、亦可具有取代基之直鏈狀或分枝鏈狀之伸烷基，或此等之組合較佳，為亦可具有取代基之碳數1~10之直鏈狀或分枝鏈狀之伸烷基再較佳，為碳數1~10之直鏈狀之伸烷基或碳數1~10之分枝鏈狀之氟化伸烷基更較佳。

式(f1-01)中，Raf⁰² 為1價有機基，-O-Raf⁰² 為因鹼基之作用而解離之基， Raf⁰² 中之1價有機基亦可具有或不具有酸解離性部位，但以不具有較佳。

「有機基」為至少包含1個碳原子之基。作為1價有機基，有舉例如-Rf^P1 、-Rf^P2 -Rf^P1 、 -CH(-Rf^P1 )₂ 、-Rf^P2 -O-Rf^P1 、-Rf^P2 -C(=O)-Rf^P1 、 -Rf^P2 -C(=O)-ORf^P1 、-Rf^P2 -O-C(=O)-Rf^P1 等。於此，Rf^P1 為1價之直鏈狀或分枝鏈狀之烷基、1價之脂環式烴基或1價之芳香族烴基。複數Rf^P1 亦可相同或相異。 Rf^P1 中之直鏈狀或分枝鏈狀之烷基、1價之脂環式烴基及芳香族烴基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經氟原子、經氟原子取代之碳數1~5之氟化烷基、羰基等取代。

Rf^P2 為單鍵、2價之直鏈狀或分枝鏈狀之伸烷基、2價之脂環式烴基或2價之芳香族烴基。 Rf^P2 之2價之直鏈狀或分枝鏈狀之伸烷基、2價之脂環式烴基或2價之芳香族烴基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經氟原子、經氟原子取代之碳數1~5之氟化烷基、羰基等取代。

作為Rf^P1 中之1價之直鏈狀或分枝鏈狀之烷基之碳數，為碳數1~40較佳，為碳數1~20再較佳，為碳數1~12更較佳。作為1價之直鏈狀之烷基，具體來說有舉出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一基、十二基。作為1價之分枝鏈狀之烷基，具體來說有舉出1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等。

作為Rf^P1 中之1價之脂環式烴基，有舉出1價之單環式之脂環式烴基、1價之多環式之脂環式烴基。惟，去除具有交聯構造之脂肪族環式基。

作為1價之單環式之脂環式烴基，具體來說有舉出環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基、環十二基等。

作為1價之多環式之脂環式烴基，具體來說有舉出自聚環烷烴去除1個氫原子之基。作為該聚環烷烴，有舉出金剛烷、降

烷、異

作為Rf^P1 中之1價之芳香族烴基，有舉出自芳香環去除1個氫原子之基。於此之芳香環只要具有4n+2個π電子之環狀共軛系即可，並無特別限定，亦可為單環式或多環式。芳香環之碳數為5~30較佳，為碳數5~20再較佳，為碳數6~15更較佳，為碳數6~12特別佳。作為該芳香環，具體來說有舉出苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子之一部分經雜原子取代之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，有舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體來說有舉出吡啶環、噻吩環等。

作為Rf^P2 中之2價之直鏈狀或分枝鏈狀之伸烷基、2價之脂環式烴基或2價之芳香族烴基，有舉出與上述Raf⁰¹ 說明之內容相同者。

上述中，Raf⁰² 為-Rf^P1 、-Rf^P2 -Rf^P1 、 -CH(-Rf^P1 )₂ 較佳。

上述Raf⁰¹ 及Raf⁰² 中至少一者為烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，Raf⁰¹ 及Raf⁰² 中氟原子之總數為3個以上，亦即，有舉出Raf⁰¹ 包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，且該氟原子之總數為3個以上時、Raf⁰² 包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，且該氟原子之總數為3個以上時、Raf⁰¹ 及Raf⁰² 包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，且該氟原子之總數為3個以上時。上述中，Raf⁰¹ 及Raf⁰² 包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基較佳。

Raf⁰¹ 及Raf⁰² 中之氟原子之總數為3個以上，為4個以上較佳，為5個以上再較佳。 Raf⁰¹ 及Raf⁰² 中之氟原子之總數若為上述較佳之數以上，則表面偏析效果會變高，能夠更提升顯像液之親和性。

式(f1-02)中，Raf⁰³ 為2價之連結基，有舉出與式(f1-01)中之Raf⁰¹ 相同者。

上述式(f1-02)中，Raf⁰⁴ 為1價有機基，有舉出與上述式(f1-01)中之Raf⁰² 相同者。-C(=O)Raf⁰⁴ 為因鹼基之作用而解離之基。

上述Raf⁰³ 及Raf⁰⁴ 中至少一者為烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基。Raf⁰³ 及Raf⁰⁴ 中氟原子之總數為3個以上。亦即，Raf⁰³ 包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，且該氟原子之總數為3個以上時、Raf⁰⁴ 包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，且該氟原子之總數為3個以上時、Raf⁰³ 及Raf⁰⁴ 任一者包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，且該氟原子之總數為3個以上時。上述中，Raf⁰³ Raf⁰⁴ 包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基較佳。

Raf⁰³ 及Raf⁰⁴ 中之氟原子之總數為3個以上，為4個以上較佳，為5個以上再較佳。 Raf⁰³ 及Raf⁰⁴ 中之氟原子之總數若為上述較佳之數以上，則表面偏析效果會變高，能夠更提升顯像液之親和性。

構成單位(f10)為下述一般式(f1-1)或下述一般式(f1-2)表示之構成單位較佳。該構成單位不具有形成交聯構造之烴基，由於對阻劑膜之顯像液之溶解性會降低，難以招致解像性能之惡化或LWR之惡化。

[式(f1-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Raf¹¹ 為不具有酸解離性部位之2價連結基，Raf¹² 為1價有機基，-O-Raf¹² 為因鹼基之作用而解離之基，惟，Raf¹¹ 及Raf¹² 中去除形成交聯構造之烴基，Raf¹¹ 及Raf¹² 中至少一者為烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，Raf¹¹ 及Raf¹² 中氟原子之總數為3個以上。式(f1-2)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Raf¹³ 為不具有酸解離性部位之2價連結基，Raf¹⁴ 為1價有機基，-C(=O)Raf¹⁴ 為因鹼基之作用而解離之基，惟，Raf¹³ 及Raf¹⁴ 中去除形成交聯構造之烴基，Raf¹³ 及Raf¹⁴ 中至少一者為烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，Raf¹³ 及Raf¹⁴ 中氟原子之總數為3個以上]。

式(f1-1)及式(f1-2)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，與上述式(f1-01)及式(f1-02)中之R相同。

式(f1-1)中之Raf¹¹ 為不具有酸解離性部位之2價連結基，有舉出與上述式(f1-01)中之Raf⁰¹ 說明之內容。惟，去除形成交聯構造之烴基。

上述式(f1-1)中，Raf¹² 為1價有機基，-O-Raf¹² 為因鹼基之作用而解離之基， Raf¹² 中之1價有機基亦可具有又不具有酸解離性部位，但已不具有較佳。作為Raf¹² ，有舉出與上述式(f1-01)中之Raf⁰² 說明之內容相同者。惟，去除形成交聯構造之烴基。

上述式(f1-2)中，Raf¹³ 不具有酸解離性部位之2價連結基，有舉出與上述式(f1-01)中之Raf⁰¹ 說明之內容相同者。惟，去除形成交聯構造之烴基。

上述Raf¹¹ 及Raf¹² 中至少一者為烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，Raf¹¹ 及Raf¹² 中氟原子之總數為3個以上。亦即，有舉出Raf¹¹ 包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，且該氟原子之總數為3個以上時、Raf¹² 包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，且該氟原子之總數為3個以上時、Raf¹¹ 及Raf¹² 包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，且該氟原子之總數為3個以上時。上述中，Raf¹¹ 及Raf¹² 包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基較佳。

Raf¹¹ 及Raf¹² 中之氟原子之總數為3個以上，為4個以上較佳，為5個以上再較佳。 Raf¹¹ 及Raf¹² 中之氟原子之總數若為上述較佳之數以上，則表面偏析效果會變高，能夠更提升顯像液之親和性。

上述式(f1-2)中，Raf¹³ 為不具有酸解離性部位之2價連結基，有舉出與上述式(f1-1)中之Raf¹¹ 相同者。

上述式(f1-2)中，Raf¹⁴ 為1價有機基，有舉出與上述式(f1-1)中之Raf¹² 相同者。-C(=O)Raf¹⁴ 為因鹼基之作用而解離之基。

上述Raf¹³ 及Raf¹⁴ 中至少一者為烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，Raf¹³ 及Raf¹⁴ 中氟原子之總數為3個以上。亦即，有舉出Raf¹³ 包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，且該氟原子之總數為3個以上時、Raf¹⁴ 包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，且該氟原子之總數為3個以上時、Raf¹³ 及Raf¹⁴ 皆包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，且該氟原子之總數為3個以上時。上述中，Raf¹³ 及Raf¹⁴ 包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基較佳。

Raf¹³ 及Raf¹⁴ 中之氟原子之總數為3個以上，為4個以上較佳，為5個以上再較佳。 Raf¹³ 及Raf¹⁴ 中之氟原子之總數若為上述較佳之數以上，則表面偏析效果會變高，能夠更提升顯像液之親和性。

構成單位(f10)為下述一般式(f1-1-1)或下述一般式(f1-2-1)表示之構成單位再較佳。

[式(f1-1-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Raf’¹¹ 為不具有酸解離性部位之2價直鏈狀、分枝鏈狀或單環式之烴基，Raf’¹² 為1價直鏈狀、分枝鏈狀或單環式之烴基，-O-Raf’¹² 為因鹼基之作用而解離之基，Raf’¹¹ 及Raf’¹² 中至少一者為直鏈狀、分枝鏈狀或單環式之烴基之氫原子之一部或全部經氟原子取代之基，Raf’¹¹ 及Raf’¹² 中氟原子之總數為5個以上。式(f1-2-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Raf’¹³ 為不具有酸解離性部位之2價直鏈狀、分枝鏈狀或單環式之烴基，Raf’¹⁴ 為1價直鏈狀、分枝鏈狀或單環式之烴基，-C(=O)Raf’¹⁴ 為因鹼基之作用而解離之基，Raf’¹³ 及Raf’¹⁴ 中至少一者為直鏈狀、分枝鏈狀或單環式之烴基之氫原子之一部或全部經氟原子取代之基，Raf’¹³ 及Raf’¹⁴ 中氟原子之總數為5個以上]。

上述式(f1-1-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，與上述式(f1-01)及式(f1-02)中之R相同。

上述式(f1-1-1)中，Raf’¹¹ 為不具有酸解離性部位之2價直鏈狀、分枝鏈狀或單環式之烴基，該烴基之氫原子之一部分或全部亦可經氟原子、經氟原子取代之碳數1~5之氟化烷基、羰基等取代。

作為Raf’¹¹ 中之不具有酸解離性部位之2價之直鏈狀、分枝鏈狀或單環式之烴基，有舉出上述式(f1-01)中之Raf⁰¹ 中之直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基、單環式基之脂環式烴基、單環式基之芳香族烴基。

上述中，Raf’¹¹ 為亦可具有取代基之碳數1~10之直鏈狀或分枝鏈狀之伸烷基較佳，為碳數1~10之直鏈狀之伸烷基又碳數1~10之分枝鏈狀之氟化伸烷基再較佳，為碳數1~10之分枝鏈狀之氟化伸烷基更較佳。

上述式(f1-1-1)中，Raf’¹² 為1價直鏈狀、分枝鏈狀或單環式之烴基，該烴基之氫原子之一部分或全部亦可經氟原子、經氟原子取代之碳數1~5之氟化烷基、羰基等取代。

作為Raf’¹² 中之1價之直鏈狀、分枝鏈狀或單環式之烴基，有舉出作為上述式(f1-01)中之Raf⁰¹ 中之1價之有機基所例示之1價之直鏈狀或分枝鏈狀之烷基、1價之單環式之脂環式烴基、1價之單環式之芳香族烴基等。

上述中，Raf’¹² 為1價之直鏈狀或分枝鏈狀之氟化烷基、具有氟化烷基之1價之單環式之芳香族烴基較佳，為1價之直鏈狀之氟化烷基再較佳。

上述Raf’¹¹ 及Raf’¹² 中之至少一者為直鏈狀、分枝鏈狀或單環式之烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基。Raf’¹¹ 及Raf’¹² 中氟原子之總數為5個以上。亦即，有舉出 Raf’¹¹ 包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，且該氟原子之總數為5個以上時、Raf’¹² 包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，且該氟原子之總數為5個以上時、Raf’¹¹ 及Raf’¹² 皆包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，且該氟原子之總數為5個以上時。上述中，Raf’¹¹ 及Raf’¹² 皆包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基較佳。 Raf’¹¹ 及Raf’¹² 中之氟原子之總數若為5個以上，則表面偏析效果會變更高，能夠更提升顯像液之親和性。

上述式(f1-2-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，與上述式(f1-01)及式(f1-02)中之R相同。

上述式(f1-2-1)中，Raf’¹³ 有舉出與上述式(f1-1-1)中之Raf’¹¹ 相同者。

上述式(f1-2-1)中，Raf’¹⁴ 以舉出與上述式(f1-1-1)中之Raf’¹² 相同者。

上述Raf’¹³ 及Raf’¹⁴ 中，至少一者為直鏈狀、分枝鏈狀或單環式之烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基。Raf’¹³ 及Raf’¹⁴ 中氟原子之總數為5個以上。亦即，有舉出Raf’¹³ 包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，且該氟原子之總數為5個以上時、Raf’¹⁴ 包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，且該氟原子之總數為5個以上時、Raf’¹³ 及Raf’¹⁴ 皆包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，且該氟原子之總數為5個以上時。上述中，Raf’¹³ 及Raf’¹⁴ 皆包含烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基較佳。

Raf’¹³ 及Raf’¹⁴ 中之氟原子之總數若為5個以上，則表面偏析效果會變更高，能夠更提升顯像液之親和性。

以下表示上述一般式(f1-01)表示之構成單位(f10)之具體例。以下之各式中，R^α 表示氫原子、甲基或三氟甲基。

上述中，作為一般式(f1-01)表示之構成單位(f10)，為上述式(f1-1-1)~(f1-1-4)之任一者表示之構成單位較佳，為上述式(f1-1-2)或(f1-1-3)表示之構成單位再較佳。

以下表示上述一般式(f1-02)表示之構成單位(f10)之具體例。以下各式中，R^α 表示氫原子、甲基或三氟甲基。

上述中，作為一般式(f1-02)表示之構成單位(f10)，為(f1-2-1)表示之構成單位較佳。

(F1)成分所具有之構成單位(f10)亦可為1種或2種以上。 (F1)成分中，構成單位(f10)之比例相對於構成該(F1)成分之全構成單位之合計(100莫耳%)，為35莫耳%以上較佳，為55莫耳%以上再較佳，為60莫耳%以上更較佳，為100莫耳%，亦即，亦可為均聚合物。藉由將構成單位(f10)之比例設為前述較佳範圍之下限值以上，則表面偏析效果會變高，能夠提升顯像液之親和性，因此能夠提升粗糙改善等之微影特性。且，藉由設為上限值以下，則能夠取得與其他構成單位之平衡，且各種微影特性變得較良好。

關於構成單位(f2)： (F1)成分除了上述構成單位(f10)，亦可具有下述一般式(f2-1)表示之構成單位。構成單位(f2)由於具有對酸顯示高反應性且以下述一般式(f2-r-1)或(f2-r-2)表示之酸解離性基，因此能夠更提升感度、解像性、粗糙改善等之微影特性。且，前述酸解離性基由於不具有具有交聯構造之脂肪族環式基，因此較難招致阻劑膜對顯像液之溶解性降低所造成的解像性能之惡化或LWR之惡化。

[式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Raf²¹ 為一般式(f2-r-1)或(f2-r-2)表示之酸解離性基]。

[式(f2-r-1)中，Yaf為碳原子，Xaf為與Yaf一起形成脂肪族環式基之基。此環狀之脂肪族環式基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經取代，惟，Xaf與Yaf不會形成具有交聯構造之脂肪族環式基。Raf⁰¹ ~Raf⁰³ 各自獨立為氫原子、碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基或碳數3~20之1價脂肪族環狀飽和烴基。此鏈狀飽和烴基及脂肪族環狀飽和烴基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經取代。Raf⁰¹ ~Raf⁰³ 2個以上亦可互相鍵結形成環狀構造。*表示鍵結。式(f2-r-2)中，Yaaf為碳原子，Xaaf為與Yaaf一起形成脂肪族環式基之基。前述脂肪族環式基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經取代，惟，Xaaf與Yaaf不會形成具有交聯構造之脂肪族環式基。Raf⁰⁴ 為亦可具有取代基之芳香族烴基，*表示鍵結]。

式(f2-r-1)中，Xaf為與Yaf一起形成脂肪族環式基之基。前述脂肪族環式基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經取代，惟，Xaf與Yaf不會形成具有交聯構造之脂肪族環式基。

上述Xaf與Yaf所形成之不具有交聯構造之脂肪族環式基亦可為單環式基或多環式基。作為單環式之脂肪族環式基，有舉出自單環烷烴去除2個以上氫原子之基。作為該單環烷烴，為碳數3~8者較佳，具體來說有舉出環丙烷、環丁烷、環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷。作為多環式之脂肪族環式基，有舉出自聚環烷烴去除2個以上氫原子之基。作為該聚環烷烴，有舉出具有十氫萘、全氫奠、全氫蒽、類固醇骨架之環構造等之具有縮合環系之多環式骨架之聚環烷烴。此等之中，為單環式之脂肪族環式基較佳，為自環丙烷、環戊烷、環己烷、環辛烷去除1個以上氫原子之基再較佳，為自環戊烷、環己烷、環辛烷去除1個以上氫原子之基更較佳，為自環戊烷去除1個以上氫原子之基特別佳。

上述脂肪族環式基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經取代，作為其取代基，有舉例如與作為上述一般式(a1-r-1)Ra’³ 中之取代基說明之Ra⁰⁵ 相同之基。惟，作為多環式脂肪族飽和烴基，有舉出自不具有交聯構造之十氫萘、全氫奠、全氫蒽去除1個以上氫原子之基等。

式(f2-r-1)中，作為Raf⁰¹ ~Raf⁰³ 中之碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基，以舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等。作為 Raf⁰¹ ~Raf⁰³ 中之碳數3~20之1價脂肪族環狀飽和烴基，有舉例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基、環十二基等之單環式脂肪族飽和烴基；十氫萘、全氫奠、全氫蒽等之多環式脂肪族飽和烴基等。 Raf⁰¹ ~Raf⁰³ 係，其中以單體化合物之合成容易性之觀點來看，為氫原子、碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基較佳，其中，為氫原子、甲基、乙基再較佳，為氫原子特別佳。

作為上述Raf⁰¹ ~Raf⁰³ 表示之鏈狀飽和烴基或脂肪族環狀飽和烴基所具有之取代基，有舉例如與上述Ra⁰⁵ 相同之基。惟，作為多環式脂肪族飽和烴基，有舉出自不具有交聯構造之十氫萘、全氫奠、全氫蒽等去除1個以上氫原子之基等。

作為藉由Raf⁰¹ ~Raf⁰³ 之2個以上互相鍵結形成環狀構造所產生之包含碳-碳雙鍵之基，有舉例如環戊烯基、環己烯基、甲基環戊烯基、甲基環己烯基、環亞戊基乙烯基、環亞己基乙烯基等。

作為上述一般式(f2-r-1)表示之酸解離性基，有舉出與作為上述式(a1-r2-2)表示之基所例示之(r-pr-sv1)~(r-pr-sv10)、(r-pr-mv01)~(r-pr-mv04)表示之基相同者。其中，做為一般式(f2-r-1)表示之酸解離性基，為(r-pr-sv1)~(r-pr-sv10)表示之基較佳，為(r-pr-sv1)~(r-pr-sv4)表示之基再較佳，為(r-pr-sv1)、(r-pr-sv2)、(r-pr-sv4)表示之基更較佳。

式(f2-r-2)中，Xaaf與Yaaf所形成之不具有交聯構造之脂肪族環式基與式(f2-r-1)中，Xaf與Yaf所形成之不具有交聯構造之脂肪族環式基相同。

式(f2-r-2)中，作為Raf⁰⁴ 中之芳香族烴基，有舉出自碳數5~30之芳香族烴環去除1個以上氫原子之基。其中，Raf⁰⁴ 為自碳數6~15之芳香族烴環去除1個以上氫原子之基較佳，為自苯、萘、蒽或菲去除1個以上氫原子之基再較佳，為自苯、萘或蒽去除1個以上氫原子之基更較佳，為自苯或萘去除1個以上氫原子之基特別佳，為自苯去除1個以上氫原子之基最佳。

作為式(f2-r-2)中之Raf⁰⁴ 所亦可具有之取代基，以舉例如烷基、羥基、羧基、鹵原子(氟原子、氯原子、溴原子等)、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等)、烷基氧基羰基等。作為前述取代基之烷基，為碳數1~5之烷基較佳，為甲基、tert-丁基再較佳。

作為上述一般式(f2-r-2)表示之酸解離性基，有舉出與作為上述式(a1-r2-3)表示之基所例示之(r-pr-sa1)~(r-pr-sa9)表示之基相同。

以下表示構成單位(f2)之具體例。下述式中，R^α 表示氫原子、甲基或三氟甲基。

上述例示中，構成單位(f2)為選自各自以化學式(f2-1-001)~(f2-1-004)、(f2-2-001)~(f2-2-006)、(f2-2-008)、(f2-2-009)、(f2-2-011)~(f2-2-014)表示之構成單位所成群中至少1種較佳，為選自各自以化學式(f2-1-001)~(f2-1-004)、(f2-2-001)~(f2-2-006)表示之構成單位所成群中至少1種再較佳，為選自各自以化學式(f2-1-001)、(f2-1-002)、(f2-1-004)、(f2-2-004)、(f2-2-005)表示之構成單位所成群中至少1種更較佳。

本實施形態之阻劑組成物中(F)成分包含(F1)成分。作為(F1)成分，更具體來說有舉出僅由構成單位(f10)而成之聚合物(均聚合物)；構成單位(f10)與構成單位(a2)之共聚合物；構成單位(f10)與構成單位(f2)之共聚合物；構成單位(f10)與構成單位(f2)與構成單位(a2)之共聚合物；構成單位(f10)與構成單位(f2)與構成單位(a6)之共聚合物。相關之構成單位(a2)為上述一般式(a2-1)表示之構成單位再較佳。且，上述一般式(a2-1)中，Ra²¹ 為含內酯之環式基、含環狀酐之環式基或含碳酸酯之環式基更較佳。具體來說，Ra²¹ 為上述式(r-lc-1-1)、(r-lc-1-2)、(r-lc-1-8)、(r-lc-1-9)、(r-lc-8-1)之任一者表示之含內酯之環式基、上述式(r-aa-1)表示之含環狀酐之環式基，或上述式(r-cr-1-1)表示之含碳酸酯之環式基特別佳。

本實施形態之阻劑組成物中之(F)成分，以經時安定性之観點來看，為僅由上述構成單位單位(f10)而成之聚合物(均聚合物)較佳。

本實施形態之阻劑組成物中之(F)成分，以微影特性提升之觀點來看，為構成單位(f10)與構成單位(a2)之共聚合物；構成單位(f10)與構成單位(f2)之共聚合物；構成單位(f10)與構成單位(f2)與構成單位(a2)之共聚合物；構成單位(f10)與構成單位(f2)與構成單位(a6)之共聚合物較佳，為構成單位(f10)與構成單位(a2)之共聚合物；構成單位(f10)與構成單位(f2)與構成單位(a2)之共聚合物；構成單位(f10)與構成單位(f2)與構成單位(a6)之共聚合物再較佳，為構成單位(f10)與構成單位(f2)與構成單位(a2)之共聚合物；構成單位(f10)與構成單位(f2)與構成單位(a6)之共聚合物更較佳，為構成單位(f10)與構成單位(f2)與構成單位(a2)之共聚合物最佳。

本實施形態之阻劑組成物中，(F)成分之含量相對於(A)成分100質量分，為0.5~20質量分較佳，為1~15質量分再較佳，為3~12質量分更較佳。藉由將(F)成分之含量設為前述較佳範圍之下限值以上，能提升解像性或粗糙改善等之微影特性。且，藉由設為前述較佳範圍之上限值以下，則能夠取得與其他構成單位之平衡，且各種微影特性變得較良好。

本實施形態之阻劑組成物之(F)成分全體中，上述(F1)成分之比例，例如為50質量%以上，較佳為70質量%以上，更較佳為95質量%以上。且亦可為100質量%。

＜其他成分＞本實施形態之阻劑組成物除了上述(A)成分及(F)成分，亦可進一步含有其他成分。作為其他成分，有舉例如以下所示之(B)成分、(D)成分、(E)成分、(S)成分等。

≪酸產生劑成分(B)≫ 本實施形態之阻劑組成物中除了(A)成分，亦可進一步含有因曝光產生酸之酸產生劑成分(B)(以下稱作「(B)成分」)。作為(B)成分，並無特別限定，能夠使用目前為止作為化學增幅型阻劑組成物用之酸產生劑所提案者。作為如此之酸產生劑，有舉出錪鹽或鋶鹽等之鎓鹽系酸產生劑、肟基磺酸酯系酸產生劑；雙烷基或雙芳基磺醯基重氮甲烷類、聚(雙磺醯基)重氮甲烷類等之重氮甲烷系酸產生劑；硝基苄基磺酸酯系酸產生劑、亞胺基磺酸酯系酸產生劑、二磺酸酯系酸產生劑等多種。

作為鎓鹽系酸產生劑，有舉例如下述一般式(b-1)表示之化合物(以下稱作「(b-1)成分」)、一般式(b-2)表示之化合物(以下稱作「(b-2)成分」)或一般式(b-3)表示之化合物(以下稱作「(b-3)成分」)。

[式中，R¹⁰¹ 及R¹⁰⁴ ~R¹⁰⁸ 各自獨立為亦可具有取代基之環式基、亦可具有取代基之鏈狀之烷基，或亦可具有取代基之鏈狀之烯基。R¹⁰⁴ 與R¹⁰⁵ 亦可互相鍵結形成環構造。R¹⁰² 為碳數1~5之氟化烷基或氟原子。Y¹⁰¹ 為包含氧原子之2價連結基或單鍵。V¹⁰¹ ~V¹⁰³ 各自獨立為單鍵、伸烷基或氟化伸烷基。L¹⁰¹ ~L¹⁰² 各自獨立為單鍵或氧原子。L¹⁰³ ~L¹⁰⁵ 各自獨立為單鍵、-CO-或-SO₂ -。m為1以上之整數，M’^m+ 為m價之鎓陽離子]。

{陰離子部} ・(b-1)成分中之陰離子式(b-1)中，R¹⁰¹ 為亦可具有取代基之環式基、亦可具有取代基之鏈狀之烷基，或亦可具有取代基之鏈狀之烯基。

亦可具有取代基之環式基：該環式基為環狀之烴基較佳，該環狀之烴基亦可為芳香族烴基或脂肪族烴基。脂肪族烴基意指不具有芳香族性之烴基。且，脂肪族烴基亦可為飽和或不飽和，通常為飽和較佳。

R¹⁰¹ 中之芳香族烴基為具有芳香環之烴基。該芳香族烴基之碳數為3~30較佳，為5~30再較佳，為5~20更較佳，為6~15特別佳，為6~10最佳。但，該碳數中不包含取代基中之碳數。作為R¹⁰¹ 中之芳香族烴基所具有之芳香環，具體來說有舉出苯、茀、萘、蒽、菲、聯苯或構成此等之芳香環之碳原子之一部分經雜原子取代之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，有舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為R¹⁰¹ 中之芳香族烴基，具體來說有舉出自前述芳香環去除1個氫原子之基(芳基：例如苯基、萘基等)、前述芳香環之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基等)等。前述伸烷基(芳基烷基中之烷基鏈)之碳數為1~4較佳，為1~2再較佳，為1特別佳。

R¹⁰¹ 中之環狀之脂肪族烴基有舉出構造中包含環之脂肪族烴基。作為此構造中包含環之脂肪族烴基，有舉出脂環式烴基(自脂肪族烴環去除1個氫原子之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基之末端之基、脂環式烴基介在直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基之中間之基等。前述脂環式烴基為碳數3~20較佳，為3~12再較佳。前述脂環式烴基亦可為多環式基或單環式基。作為單環式之脂環式烴基，為自單環烷烴去除1個以上氫原子之基較佳。作為該單環烷烴，為碳數3~6較佳，具體來說有舉出環戊烷、環己烷等。作為多環式之脂環式烴基，為自聚環烷烴去除1個以上氫原子之基較佳，作為該聚環烷烴，為碳數7~30較佳。其中，作為該聚環烷烴，為金剛烷、降

烷、異

烷、三環癸烷、四環十二烷等之具有交聯環系之多環式骨架之聚環烷烴；具有類固醇骨架之環式基等之具有縮合環系之多環式骨架之聚環烷烴再較佳。

其中，作為R¹⁰¹ 中之環狀之脂肪族烴基，為自單環烷烴或聚環烷烴去除1個以上氫原子之基較佳，為自聚環烷烴去除1個氫原子之基再較佳，為金剛烷基、降

基特別佳，為金剛烷基最佳。

亦可鍵結於脂環式烴基之直鏈狀之脂肪族烴基為碳數1~10較佳，為1~6再較佳，為1~4更較佳，為1~3最佳。作為直鏈狀之脂肪族烴基，為直鏈狀之伸烷基較佳，具體來說，有舉出亞甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、三亞甲基[-(CH₂ )₃ -]、四亞甲基[-(CH₂ )₄ -]、五亞甲基[ -(CH₂ )₅ -]等。亦可鍵結於脂環式烴基之分枝鏈狀之脂肪族烴基為碳數2~10較佳，為3~6再較佳，為3或4更較佳，為3最佳。作為分枝鏈狀之脂肪族烴基，為分枝鏈狀之伸烷基較佳，具體來說有出-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、 -C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等之烷基亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、-CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、 -C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、-C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等之烷基伸乙基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等之烷基三亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、 -CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中之烷基，為碳數1~5之直鏈狀之烷基較佳。

且，R¹⁰¹ 中之環狀之烴基亦可如雜環等包含雜原子。具體來說有舉出各自以前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-8)表示之含內酯之環式基、各自以前述一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)表示之含-SO₂ -之環式基、各自以其他上述化學式(r-hr-1)~(r-hr-16)表示之雜環式基。

作為R¹⁰¹ 之環式基中之取代基，有舉例如烷基、烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基等。作為取代基之烷基，為碳數1~5之烷基較佳，為甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基最佳。作為取代基之烷氧基，為碳數1~5之烷氧基較佳，為甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基再較佳，為甲氧基、乙氧基最佳。作為取代基之鹵原子，有舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，為氟原子較佳。作為取代基之鹵化烷基，為碳數1~5之烷基，有舉例如甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基等之氫原子之一部分或全部經前述鹵原子取代之基。作為取代基之羰基，為取代構成環狀之烴基之亞甲基(-CH₂ -)之基。

亦可具有取代基之鏈狀之烷基：作為R¹⁰¹ 之鏈狀之烷基，亦可為直鏈狀或分枝鏈狀之任一者。作為直鏈狀之烷基，為碳數1~20較佳，為1~15再較佳，為1~10最佳。具體來說有舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸烷基、十一基、十二基、十三基、異十三基、十四基、十五基、十六基、異十六基、十七基、十八基、十九基、二十基、二十一基、二十二基等。作為分枝鏈狀之烷基，為碳數3~20較佳，為3~15再較佳，為3~10最佳。具體來說有舉例如1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等。

亦可具有取代基之鏈狀之烯基：作為R¹⁰¹ 之鏈狀之烯基，亦可為直鏈狀或分枝鏈狀之任一者，為碳數2~10較佳，為2~5再較佳，為2~4更較佳，為3特別佳。作為直鏈狀之烯基，有舉例如乙烯基、丙烯基(烯丙基)、丁烯基等。作為分枝鏈狀之烯基，有舉例如1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。作為鏈狀之烯基，上述中，為直鏈狀之烯基較佳，為乙烯基、丙烯基再較佳，為乙烯基特別佳。

作為R¹⁰¹ 之鏈狀之烷基或烯基中之取代基，有舉例如烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基基、胺基、上述R¹⁰¹ 中之環式基等。

上述中，R¹⁰¹ 為亦可具有取代基之環式基較佳，為亦可具有取代基之環狀之烴基再較佳。更具體來說為自苯基、萘基、聚環烷烴去除1個以上氫原子之基；各自以前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-8)表示之含內酯之環式基；各自以前述一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)表示之含-SO₂ -之環式基等較佳。

式(b-1)中，Y¹⁰¹ 為單鍵或包含氧原子之2價連結基。 Y¹⁰¹ 為包含氧原子之2價連結基時，該Y¹⁰¹ 亦可含有氧原子以外之原子。作為氧原子以外之原子，有舉例如碳原子、氫原子、硫原子、氮原子等。作為包含氧原子之2價連結基，有舉例如氧原子(醚鍵結：-O-)、酯鍵結(-C(=O)-O-)、氧基羰基(-O-C(=O)-)、醯胺鍵結(-C(=O)-NH-)、羰基(-C(=O)-)、碳酸酯鍵結( -O-C(=O)-O-)等之非烴系之含氧原子之連結基；該非烴系之含氧原子之連結基與伸烷基之組合等。此組合中亦可進一步連結磺醯基基(-SO₂ -)。作為相關之包含氧原子之2價連結基，有舉例如各自以下述一般式(y-al-1)~(y-al-7)表示之連結基。

[式中，V’¹⁰¹ 為單鍵或碳數1~5之伸烷基，V’¹⁰² 為碳數1~30之2價飽和烴基]。

V’¹⁰² 中之2價飽和烴基為碳數1~30之伸烷基較佳，為碳數1~10之伸烷基再較佳，為碳數1~5之伸烷基更較佳。

作為V’¹⁰¹ 及V’¹⁰² 中之伸烷基，亦可為直鏈狀之伸烷基或分枝鏈狀之伸烷基，為直鏈狀之伸烷基較佳。作為V’¹⁰¹ 及V’¹⁰² 中之伸烷基，具體來說有舉出亞甲基[-CH₂ -]；-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、 -C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等之烷基亞甲基；伸乙基[-CH₂ CH₂ -]；-CH(CH₃ )CH₂ -、 -CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -等之烷基伸乙基；三亞甲基(n-伸丙基)[-CH₂ CH₂ CH₂ -]； -CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等之烷基三亞甲基；四亞甲基[-CH₂ CH₂ CH₂ CH₂ -]；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、 -CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等之烷基四亞甲基；五亞甲基[ -CH₂ CH₂ CH₂ CH₂ CH₂ -]等。且，V’¹⁰¹ 或V’¹⁰² 中前述伸烷基中之一部分亞甲基亦可經碳數5~10之2價脂肪族環式基取代。該脂肪族環式基為自前述式(a1-r-1)中之Ra’³ 之環狀之脂肪族烴基(單環式之脂肪族烴基、多環式之脂肪族烴基)進而去除1個氫原子之2價基較佳，為環伸環己基、1,5-伸金剛基或2,6-伸金剛基再較佳。

作為Y¹⁰¹ ，為包含酯鍵結之2價連結基或包含醚鍵結之2價連結基較佳，為各自以上述式(y-al-1)~(y-al-5)表示之連結基再較佳。

式(b-1)中，V¹⁰¹ 為單鍵、伸烷基或氟化伸烷基。V¹⁰¹ 中之伸烷基、氟化伸烷基為碳數1~4較佳。作為V¹⁰¹ 中之氟化伸烷基，有舉出V¹⁰¹ 中之伸烷基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基。其中，V¹⁰¹ 為單鍵，或碳數1~4之氟化伸烷基較佳。

式(b-1)中，R¹⁰² 為氟原子或碳數1~5之氟化烷基。R¹⁰² 為氟原子或碳數1~5之全氟烷基較佳，為氟原子再較佳。

作為前述式(b-1)表示之陰離子部之具體例，有舉例如Y¹⁰¹ 為單鍵時，為三氟甲烷磺酸酯陰離子或全氟丁烷磺酸酯陰離子等之氟化烷基磺酸酯陰離子；Y¹⁰¹ 為包含氧原子之2價連結基時，有舉出下述式(an-1)~(an-3)中任一者表示之陰離子。

[式中，R”¹⁰¹ 為亦可具有取代基之脂肪族環式基、各自以上述化學式(r-hr-1)~(r-hr-6)表示之1價雜環式基，或亦可具有取代基之鏈狀之烷基。R”¹⁰² 為亦可具有取代基之脂肪族環式基、各自以前述一般式(a2-r-1)、(a2-r-3)~(a2-r-8)表示之含內酯之環式基，或各自以前述一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)表示之含-SO₂ -之環式基。R”¹⁰³ 為亦可具有取代基之芳香族環式基、亦可具有取代基之脂肪族環式基，或亦可具有取代基之鏈狀之烯基。V”¹⁰¹ 為單鍵、碳數1~4之伸烷基，或碳數1~4之氟化伸烷基。R¹⁰² 為氟原子或碳數1~5之氟化烷基。v”各自獨立為0~3之整數，q”各自獨立為0~20之整數，n”為0或1]。

R”¹⁰¹ 、R”¹⁰² 及R”¹⁰³ 之亦可具有取代基之脂肪族環式基為作為前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 中之環狀之脂肪族烴基所例示之基較佳。作為前述取代基，有舉出與亦可取代前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 中之環狀之脂肪族烴基之取代基相同者。

R”¹⁰³ 中之亦可具有取代基之芳香族環式基為作為前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 中之環狀之烴基中之芳香族烴基所例示之基較佳。作為前述取代基，有舉出與亦可取代前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 中之該芳香族烴基之取代基相同者。

R”¹⁰¹ 中之亦可具有取代基之鏈狀之烷基為作為前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 中之鏈狀之烷基所例示之基較佳。 R”¹⁰³ 中之亦可具有取代基之鏈狀之烯基為作為前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 中之鏈狀之烯基所例示之基較佳。

・(b-2)成分中之陰離子式(b-2)中，R¹⁰⁴ 、R¹⁰⁵ 各自獨立為亦可具有取代基之環式基、亦可具有取代基之鏈狀之烷基，或亦可具有取代基之鏈狀之烯基，各自舉出與式(b-1)中之R¹⁰¹ 相同者。惟，R¹⁰⁴ 、R¹⁰⁵ 亦可互相鍵結形成環。 R¹⁰⁴ 、R¹⁰⁵ 為亦可具有取代基之鏈狀之烷基較佳，為直鏈狀或分枝鏈狀之烷基，或直鏈狀或分枝鏈狀之氟化烷基再較佳。該鏈狀之烷基之碳數為1~10較佳，再較佳為碳數1~7、更較佳為碳數1~3。R¹⁰⁴ 、R¹⁰⁵ 之鏈狀之烷基之碳數在上述碳數之範圍內，由於對阻劑用溶劑之溶解性亦良好等之理由，較小較佳。且，R¹⁰⁴ 、R¹⁰⁵ 之鏈狀之烷基中，經氟原子取代之氫原子之數越多，酸之強度會變得越強，且對250nm以下之高能量光或電子線之透明性會提升，故較佳。前述鏈狀之烷基中之氟原子之比例，亦即氟化率較佳為70~100%，更較佳為90~100%，最佳為所有氫原子經氟原子取代之全氟烷基。式(b-2)中，V¹⁰² 、V¹⁰³ 各自獨立為單鍵、伸烷基，或氟化伸烷基，各自舉出與式(b-1)中之V¹⁰¹ 相同者。式(b-2)中，L¹⁰¹ 、L¹⁰² 各自獨立為單鍵或氧原子。

・(b-3)成分中之陰離子式(b-3)中，R¹⁰⁶ ~R¹⁰⁸ 各自獨立為亦可具有取代基之環式基、亦可具有取代基之鏈狀之烷基，或亦可具有取代基之鏈狀之烯基，各自舉出與式(b-1)中之R¹⁰¹ 相同者。式(b-3)中，L¹⁰³ ~L¹⁰⁵ 各自獨立為單鍵、-CO-或-SO₂ -。

上述中，作為(B)成分之陰離子部，為(b-1)成分陰離子較佳。其中，為上述一般式(an-1)~(an-3)中任一者表示之陰離子再較佳，為一般式(an-1)或(an-2)中任一者表示之陰離子更較佳，為一般式(an-2)表示之陰離子特別佳。

{陽離子部} 前述式(b-1)、式(b-2)、式(b-3)中，M’^m+ 表示m價之鎓陽離子。其中，為鋶陽離子、錪陽離子較佳。m為1以上之整數。

作為較佳陽離子部((M’^m+ )_1/m )，有舉出各自以下述一般式(ca-1)~(ca-4)表示之有機陽離子。

[式中，R²⁰¹ ~R²⁰⁷ 及R²¹¹ ~R²¹² 各自獨立表示亦可具有取代基之芳基、烷基或烯基。R²⁰¹ ~R²⁰³ 、R²⁰⁶ ~R²⁰⁷ 、R²¹¹ ~R²¹² 亦可互相鍵結與式中之硫原子一起形成環。R²⁰⁸ ~R²⁰⁹ 各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基。R²¹⁰ 為亦可具有取代基之芳基、亦可具有取代基之烷基、亦可具有取代基之烯基，或亦可具有取代基之含-SO₂ -之環式基。L²⁰¹ 表示-C(=O)-或-C(=O)-O-。Y²⁰¹ 各自獨立表示伸芳基、伸烷基或伸烯基。x為1或2。W²⁰¹ 為(x+1)價之連結基]。

上述一般式(ca-1)~(ca-4)中，作為R²⁰¹ ~R²⁰⁷ 及R²¹¹ ~R²¹² 中之芳基，有舉出碳數6~20之無取代之芳基，為苯基、萘基較佳。作為R²⁰¹ ~R²⁰⁷ 及R²¹¹ ~R²¹² 中之烷基，為鏈狀或環狀之烷基且為碳數1~30較佳。作為R²⁰¹ ~R²⁰⁷ 及R²¹¹ ~R²¹² 中之烯基，為碳數2~10較佳。作為R²⁰¹ ~R²⁰⁷ 及R²¹¹ ~R²¹² 所亦可具有之取代基，有舉例如烷基、鹵原子、鹵化烷基、羰基、氰基、胺基、芳基、各自以下述一般式(ca-r-1)~(ca-r-7)表示之基。

[式中，R’²⁰¹ 各自獨立為氫原子、亦可具有取代基之環式基、亦可具有取代基之鏈狀之烷基，或亦可具有取代基之鏈狀之烯基]。

R’²⁰¹ 中之芳香族烴基為具有芳香環之烴基。該芳香族烴基之碳數為3~30較佳，為碳數5~30再較佳，為碳數5~20更較佳，為碳數6~15特別佳，為碳數6~10最佳。惟，該碳數中不包含取代基中之碳數。作為R’²⁰¹ 中之芳香族烴基所具有之芳香環，具體來說有舉出苯、茀、萘、蒽、菲、聯苯，或構成此等之芳香環之碳原子之一部分經雜原子取代之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，有舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為R’²⁰¹ 中之芳香族烴基，具體來說有舉出自前述芳香環去除1個氫原子之基(芳基：例如苯基、萘基等)、前述芳香環之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基等)等。前述伸烷基(芳基烷基中之烷基鏈)之碳數為1~4較佳，為碳數1~2再較佳，為碳數1特別佳。

R’²⁰¹ 中之環狀之脂肪族烴基有舉出構造中包含環之脂肪族烴基。作為此構造中包含環之脂肪族烴基，有舉出脂環式烴基(自脂肪族烴環去除1個氫原子之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基之末端之基、脂環式烴基介在直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基之中間之基等。前述脂環式烴基為碳數3~20較佳，為3~12再較佳。前述脂環式烴基為亦可為多環式基或單環式基。作為單環式之脂環式烴基，為自單環烷烴去除1個以上氫原子之基較佳。作為該單環烷烴，為碳數3~6較佳，具體來說有舉出環戊烷、環己烷等。作為多環式之脂環式烴基，為自聚環烷烴去除1個以上氫原子之基較佳，作為該聚環烷烴，為碳數7~30較佳。其中，作為該聚環烷烴，為金剛烷、降

烷、異

其中，作為R’²⁰¹ 中之環狀之脂肪族烴基，為自單環烷烴或聚環烷烴去除1個以上氫原子之基較佳，為自聚環烷烴去除1個氫原子之基再較佳，為金剛烷基、降

基特別佳，為金剛烷基最佳。

亦可鍵結於脂環式烴基之直鏈狀或分枝鏈狀之脂肪族烴基為碳數1~10較佳，為碳數1~6再較佳，為碳數1~4更較佳，為碳數1~3特別佳。作為直鏈狀之脂肪族烴基，為直鏈狀之伸烷基較佳，具體來說有舉出亞甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、三亞甲基[-(CH₂ )₃ -]、四亞甲基[-(CH₂ )₄ -]、五亞甲基[-(CH₂ )₅ -]等。作為分枝鏈狀之脂肪族烴基，為分枝鏈狀之伸烷基較佳，具體來說有舉出-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、 -C(CH₃ )₂ -、-C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、 -C(CH₂ CH₃ )₂ -等之烷基亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、 -CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、 -C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等之烷基伸乙基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、 -CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等之烷基三亞甲基； -CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中之烷基，為碳數1~5之直鏈狀之烷基較佳。

且，R’²⁰¹ 中之環狀之烴基亦可如雜環等般包含雜原子。具體來說有舉出各自以前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-8)表示之含內酯之環式基、各自以前述一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)表示之含-SO₂ -之環式基、各自以其他上述化學式(r-hr-1)~(r-hr-16)表示之雜環式基。

作為R’²⁰¹ 之環式基中之取代基，有舉例如烷基、烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基等。作為取代基之烷基，為碳數1~5之烷基較佳，為甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基最佳。作為取代基之烷氧基，為碳數1~5之烷氧基較佳，為甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基再較佳，為甲氧基、乙氧基最佳。作為取代基之鹵原子，有舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，為氟原子較佳。作為取代基之鹵化烷基，為碳數1~5之烷基，有舉例如甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基等之氫原子之一部分或全部經前述鹵原子取代之基。作為取代基之羰基，為取代構成環狀之烴基之亞甲基(-CH₂ -)之基。

亦可具有取代基之鏈狀之烷基：作為R’²⁰¹ 之鏈狀之烷基，亦可為直鏈狀或分枝鏈狀之任一者。作為直鏈狀之烷基，為碳數1~20較佳，為碳數1~15再較佳，為碳數1~10最佳。具體來說有舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸烷基、十一基、十二基、十三基、異十三基、十四基、十五基、十六基、異十六基、十七基、十八基、十九基、二十基、二十一基、二十二基等。作為分枝鏈狀之烷基，為碳數3~20較佳，為碳數3~15再較佳，為碳數3~10最佳。具體來說有舉例如1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等。

亦可具有取代基之鏈狀之烯基：作為R’²⁰¹ 之鏈狀之烯基，亦可為直鏈狀或分枝鏈狀之任一者，為碳數2~10較佳，為碳數2~5再較佳，為碳數2~4更較佳，為碳數3特別佳。作為直鏈狀之烯基，有舉例如乙烯基、丙烯基(烯丙基)、丁烯基等。作為分枝鏈狀之烯基，有舉例如1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。作為鏈狀之烯基，上述中，為直鏈狀之烯基較佳，為乙烯基、丙烯基再較佳，為乙烯基特別佳。

作為R’²⁰¹ 之鏈狀之烷基或烯基中之取代基，有舉例如烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基、胺基、上述R’²⁰¹ 中之環式基等。

R’²⁰¹ 之亦可具有取代基之環式基、亦可具有取代基之鏈狀之烷基，或亦可具有取代基之鏈狀之烯基除了上述以外，作為亦可具有取代基之環式基或亦可具有取代基之鏈狀之烷基，有舉出與上述式(a1-r-2)表示之酸解離性基相同者。

其中，R’²⁰¹ 為亦可具有取代基之環式基較佳，為亦可具有取代基之環狀之烴基再較佳。更具體來說有舉例如自苯基、萘基、聚環烷烴去除1個以上氫原子之基；各自以前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-8)表示之含內酯之環式基；各自以前述一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)表示之含-SO₂ -之環式基等較佳。

上述一般式(ca-1)~(ca-4)中，R²⁰¹ ~R²⁰³ 、R²⁰⁶ ~R²⁰⁷ 、R²¹¹ ~R²¹² 互相鍵結並與式中之硫原子一起形成環時，亦可介隔於硫原子、氧原子、氮原子等之雜原子，或羰基、-SO-、-SO₂ -、-SO₃ -、-COO-、-CONH-或-N(R_N )-(該R_N 為碳數1~5之烷基)等之官能基來鍵結。作為形成之環，為包含式中之硫原子於其環骨架中之1個環包含硫原子為3~10員環較佳，為5~7員環特別佳。作為形成之環之具體例，有舉例如噻吩環、噻唑環、苯并噻吩環、噻蒽環、苯并噻吩環、二苯并噻吩環、9H-噻噸環、噻噸酮環、噻蒽環、吩噻噁環、四氫噻吩嗡環、四氫硫哌喃環等。

R²⁰⁸ ~R²⁰⁹ 各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基，為氫原子或碳數1~3之烷基較佳，成為烷基時，亦可互相鍵結形成環。

R²¹⁰ 為亦可具有取代基之芳基、亦可具有取代基之烷基、亦可具有取代基之烯基，或亦可具有取代基之含-SO₂ -之環式基。作為R²¹⁰ 之芳基，有舉出碳數6~20之無取代之芳基，為苯基、萘基較佳。作為R²¹⁰ 中之烷基，為鏈狀或環狀之烷基，且為碳數1~30者較佳。作為R²¹⁰ 中之烯基，為碳數2~10較佳。作為R²¹⁰ 中之亦可具有取代基之含-SO₂ -之環式基，為「含-SO₂ -之多環式基」較佳，為上述一般式(a5-r-1)表示之基再較佳。

Y²⁰¹ 各自獨立表示伸芳基、伸烷基或伸烯基。 Y²⁰¹ 中之伸芳基有舉出自作為上述式(b-1)中之R¹⁰¹ 中之芳香族烴基所例示之芳基去除1個氫原子之基。 Y²⁰¹ 中之伸烷基、伸烯基有舉出自作為上述式(b-1)中之R¹⁰¹ 中之鏈狀之烷基、鏈狀之烯基所例示之基去除1個氫原子之基。

前述式(ca-4)中，x為1或2。 W²⁰¹ 為(x+1)價，亦即2價或3價之連結基。作為W²⁰¹ 中之2價連結基，為亦可具有取代基之2價烴基較佳，能夠例示與上述一般式(a2-1)中之Ya²¹ 相同之亦可具有取代基之2價烴基。W²⁰¹ 中之2價連結基亦可為直鏈狀、分枝鏈狀、環狀中之任一者，為環狀較佳。其中，伸芳基之兩端有組合2個羰基之基較佳。作為伸芳基，有舉出伸苯基、伸萘基等，為伸苯基特別佳。作為W²⁰¹ 中之3價連結基，有舉出自前述W²⁰¹ 中之2價連結基去除1個氫原子之基、前述2價連結基上進而鍵結前述2價連結基之基等。作為W²⁰¹ 中之3價連結基，為伸芳基上鍵結2個羰基之基較佳。

作為前述式(ca-1)表示之適當的陽離子，具體來說有舉出各自以下述化學式(ca-1-1)~(ca-1-70)表示之陽離子。

[式中，g1、g2、g3表示重複數，g1為1~5之整數，g2為0~20之整數，g3為0~20之整數]。

[式中，R”²⁰¹ 為氫原子或取代基，作為該取代基，為與作為前述R²⁰¹ ~R²⁰⁷ 及R²¹⁰ ~R²¹² 所亦可具有之取代基所舉出者相同]。

作為前述式(ca-2)表示之適當的陽離子，具體來說有舉出二苯基錪陽離子、雙(4-tert-丁基苯基)錪陽離子等。

作為前述式(ca-3)表示之適當的陽離子，具體來說有舉出各自以下述式(ca-3-1)~(ca-3-6)表示之陽離子。

作為前述式(ca-4)表示之適當的陽離子，具體來說有舉出各自以下述式(ca-4-1)~(ca-4-2)表示之陽離子。

上述中，陽離子部((M’^m+ )_1/m )為一般式(ca-1)表示之陽離子較佳。

本實施形態之阻劑組成物中，(B)成分亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。阻劑組成物含有(B)成分時，阻劑組成物中，(B)成分之含量相對於(A)成分100質量分，為未滿50質量分較佳，為1~40質量分再較佳，為5~25質量分更較佳。藉由將(B)成分之含量設在前述較佳範圍，能夠充分地進行圖型形成。且，將阻劑組成物之各成分溶解於有機溶劑時，能夠容易得到均勻之溶液，且作為阻劑組成物之保存安定性較良好，故較佳。

≪鹼基成分(D)≫ 本實施形態之阻劑組成物中，除了(A)成分，亦可進而含有抑止因曝光而產生之酸(亦即抑制酸之擴散)之鹼基成分((D)成分)。(D)成分在阻劑組成物中，是作為抑止因曝光而產生之酸之淬滅劑(酸擴散抑制劑)之作用。作為(D)成分，有舉例如會因曝光分解而失去酸擴散抑制性之光崩壞性鹼基(D1)(以下稱作「(D1)成分」)、不相當於該(D1)成分之含氮有機化合物(D2)(以下稱作「(D2)成分」)等。此等之中，以容易提高高感度化、粗糙降低、塗布缺陷之發生之抑制特性之任一者來看，為光崩壞性鹼基((D1)成分)較佳。

・關於(D1)成分藉由含有(D1)成分之阻劑組成物，形成阻劑圖型時，能夠更提升阻劑膜之曝光部與未曝光部之對比。作為(D1)成分，只要是會因曝光分解而失去酸擴散抑制性者即可，並無特別限定，為選自下述一般式(d1-1)表示之化合物(以下稱作「(d1-1)成分」)、下述一般式(d1-2)表示之化合物(以下稱作「(d1-2)成分」)及下述一般式(d1-3)表示之化合物(以下稱作「(d1-3)成分」)所成群中1種以上之化合物較佳。 (d1-1)~(d1-3)成分由於在阻劑膜之曝光部中會分解而失去酸擴散抑制性(鹼基性)，因此不作為淬滅劑，在阻劑膜之未曝光部中作為淬滅劑來使用。

[式中，Rd¹ ~Rd⁴ 為亦可具有取代基之環式基、亦可具有取代基之鏈狀之烷基，或亦可具有取代基之鏈狀之烯基。但，式(d1-2)中之Rd² 中，相鄰於S原子之碳原子上沒有鍵結於氟原子。Yd¹ 為單鍵或2價連結基。m為1以上之整數，M^m+ 各自獨立為m價之有機陽離子]。

{(d1-1)成分} ・・陰離子部式(d1-1)中，Rd¹ 為亦可具有取代基之環式基、亦可具有取代基之鏈狀之烷基，或亦可具有取代基之鏈狀之烯基，且分別舉出與前述R’²⁰¹ 相同者。此等之中，作為Rd¹ ，為亦可具有取代基之芳香族烴基、亦可具有取代基之脂肪族環式基，或亦可具有取代基之鏈狀之烷基較佳。作為此等之基所亦可具有之取代基，有舉出羥基、側氧基、烷基、芳基、氟原子、氟化烷基、各自以上述一般式(a2-r-1)~(a2-r-8)表示之含內酯之環式基、醚鍵結、酯鍵結，或此等之組合。包含醚鍵結或酯鍵結作為取代基時，亦可介隔著伸烷基，作為此時之取代基，為各自以上述式(y-al-1)~(y-al-5)表示之連結基較佳。作為前述芳香族烴基，有適當地舉出苯基、萘基、包含雙環辛烷骨架之多環構造(雙環辛烷骨架與此等以外之環構造而成之多環構造)。作為前述脂肪族環式基，為金剛烷、降

烷、異

烷、三環癸烷、四環十二烷等之自聚環烷烴去除1個以上氫原子之基再較佳。作為前述鏈狀之烷基，為碳數1~10較佳，具體來說有舉出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等之直鏈狀之烷基；1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等之分枝鏈狀之烷基。

前述鏈狀之烷基具有作為取代基之氟原子或氟化烷基之氟化烷基時，氟化烷基之碳數為1~11較佳，為1~8再較佳，為1~4更較佳。該氟化烷基亦可含有氟原子以外之原子。作為氟原子以外之原子，有舉例如氧原子、硫原子、氮原子等。作為Rd¹ ，為構成直鏈狀之烷基之一部分或全部之氫原子經氟原子取代之氟化烷基較佳，構成直鏈狀之烷基之氫原子之全部經氟原子取代之氟化烷基(直鏈狀之全氟烷基)特別佳。

以下表示(d1-1)成分之陰離子部之較佳具體例。

・・陽離子部式(d1-1)中，M^m+ 為m價有機陽離子。作為M^m+ 之有機陽離子，有適當地舉出與各自以前述一般式(ca-1)~(ca-4)表示之陽離子相同者，為前述一般式(ca-1)表示之陽離子再較佳，為各自以前述式(ca-1-1)~(ca-1-70)表示之陽離子更較佳。 (d1-1)成分亦可單獨使用1種，亦可組合2種以上來使用。

{(d1-2)成分} ・・陰離子部式(d1-2)中，Rd² 為亦可具有取代基之環式基、亦可具有取代基之鏈狀之烷基，或亦可具有取代基之鏈狀之烯基，有舉出與前述R’²⁰¹ 相同者。但，Rd² 中，相鄰於S原子之碳原子上沒有鍵結氟原子(無經氟化取代)。藉此，(d1-2)成分之陰離子成為適度之弱酸陰離子，並提升作為(D)成分之淬滅能。作為Rd² ，為亦可具有取代基之鏈狀之烷基，或亦可具有取代基之脂肪族環式基較佳。作為鏈狀之烷基，為碳數1~10較佳，為3~10再較佳。作為脂肪族環式基，為自金剛烷、降

烷、異

烷、三環癸烷、四環十二烷等去除1個以上氫原子之基(亦可具有取代基之)；自樟腦結構等去除1個以上氫原子之基再較佳。 Rd² 之烴基亦可具有取代基，作為該取代基，有舉出與前述式(d1-1)之Rd¹ 中之烴基(芳香族烴基、脂肪族環式基、鏈狀之烷基)所具有之取代基相同者。

以下表示(d1-2)成分之陰離子部之較佳具體例。

・・陽離子部式(d1-2)中，M^m+ 為m價有機陽離子，與前述式(d1-1)中之M^m+ 相同。 (d1-2)成分亦可單獨使用1種，亦可組合2種以上來使用。

{(d1-3)成分} ・・陰離子部式(d1-3)中，Rd³ 為亦可具有取代基之環式基、亦可具有取代基之鏈狀之烷基，或亦可具有取代基之鏈狀之烯基，有舉出與前述R’²⁰¹ 相同者，為包含氟原子之環式基、鏈狀之烷基，或鏈狀之烯基較佳。其中，為氟化烷基較佳，為與前述Rd¹ 之氟化烷基相同者再較佳。

式(d1-3)中，Rd⁴ 為亦可具有取代基之環式基、亦可具有取代基之鏈狀之烷基，或亦可具有取代基之鏈狀之烯基，有舉出與前述R’²⁰¹ 相同者。其中，為亦可具有取代基之烷基、烷氧基、烯基、環式基較佳。 Rd⁴ 中之烷基為碳數1~5之直鏈狀或分枝鏈狀之烷基較佳，具體來說有舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。Rd⁴ 之烷基之氫原子之一部分亦可經羥基、氰基等取代。 Rd⁴ 中之烷氧基為碳數1~5之烷氧基較佳，作為碳數1~5之烷氧基，具體來說有舉出甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基。其中，為甲氧基、乙氧基較佳。

Rd⁴ 中之烯基有舉出與前述R’²⁰¹ 中之烯基相同者，為乙烯基、丙烯基(烯丙基)、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基較佳。此等之基亦可進而具有作為取代基之碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。

Rd⁴ 中之環式基有舉出與前述R’²⁰¹ 中之環式基相同者，為自環戊烷、環己烷、金剛烷、降

烷、異

烷、三環癸烷、四環十二烷等之環烷烴去除1個以上氫原子之脂環式基，或苯基、萘基等之芳香族基較佳。Rd⁴ 為脂環式基時，由於阻劑組成物會良好地溶解於有機溶劑，微影特性會較良好。且，Rd⁴ 為芳香族基時，將EUV等作為曝光光源之微影中，該阻劑組成物之光吸收效率較優異，感度或微影特性較良好。

式(d1-3)中，Yd¹ 為單鍵或2價連結基。作為Yd¹ 中之2價連結基，並無特別限定，但有舉出亦可具有取代基之2價烴基(脂肪族烴基、芳香族烴基)、包含雜原子之2價連結基等。此等各自有舉出與關於上述式(a2-1)中之Ya²¹ 中之2價連結基所說明中所舉出之亦可具有取代基之2價烴基、包含雜原子之2價連結基相同者。作為Yd¹ ，為羰基、酯鍵結、醯胺結合、伸烷基或此等之組合較佳。作為伸烷基，為直鏈狀或分枝鏈狀之伸烷基再較佳，為亞甲基或伸乙基更較佳。

以下表示(d1-3)成分之陰離子部之較佳具體例。

・・陽離子部式(d1-3)中，M^m+ 為m價有機陽離子，與前述式(d1-1)中之M^m+ 相同。 (d1-3)成分亦可單獨使用1種，亦可組合2種以上來使用。

(D1)成分亦可僅使用上述(d1-1)~(d1-3)成分中之任1種，亦可組合2種以上來使用。阻劑組成物含有(D1)成分時，阻劑組成物中，(D1)成分之含量相對於(A)成分100質量分，為0.5~20質量分較佳，為1~15質量分再較佳，為5~10質量分更較佳。 (D1)成分之含量若為較佳之下限值以上，能夠容易得到特別良好之微影特性及阻劑圖型形狀。另一方面，若為上限值以下，能夠良好地維持感度，產出量亦較優異。

(D1)成分之製造方法：前述(d1-1)成分、(d1-2)成分之製造方法並無特別限定，能夠藉由公知方法來製造。且，(d1-3)成分之製造方法並無特別限定，能夠與例如US2012-0149916號公報所記載之方法同樣地來製造。

・關於(D2)成分作為(D)成分，亦可含有不相當於上述(D1)成分之含氮有機化合物成分(以下稱作「(D2)成分」)。作為(D2)成分，只要是作為酸擴散抑制劑而作用，且不相當於(D1)成分者，並無特別限定，亦可自公知者中任意地使用。其中，為脂肪族胺較佳，其中，特別是第2級脂肪族胺或第3級脂肪族胺再較佳。脂肪族胺意指具有1個以上脂肪族基之胺，該脂肪族基為碳數1~12較佳。作為脂肪族胺，氨NH₃ 之氫原子中至少1個經碳數12以下之烷基或羥基烷基取代之胺(烷基胺或烷基醇胺)或環式胺。作為烷基胺及烷基醇胺之具體例，有舉出n-己基胺、n-庚基胺、n-辛基胺、n-壬基胺、n-癸基胺等之單烷基胺；二乙基胺、二-n-丙基胺、二-n-庚基胺、二-n-辛基胺、二環己基胺等之二烷基胺；三甲基胺、三乙基胺、三-n-丙基胺、三-n-丁基胺、三-n-戊基胺、三-n-己基胺、三-n-庚基胺、三-n-辛基胺、三-n-壬基胺、三-n-癸基胺、三-n-十二基胺等之三烷基胺；二乙醇胺、三乙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、二-n-辛醇胺、三-n-辛醇胺等之烷基醇胺。此等之中，為碳數5~10之三烷基胺更較佳，為三-n-戊基胺或三-n-辛基胺特別佳。

作為環式胺，有舉例如包含作為雜原子之氮原子之雜環化合物。作為該雜環化合物，亦可為單環式者(脂肪族單環式胺)或多環式者(脂肪族多環式胺)。作為脂肪族單環式胺，具體來說有舉出吡啶、哌嗪等。作為脂肪族多環式胺，為碳數6~10者較佳，具體來說有舉出1,5-二氮雙環[4.3.0]-5-壬烯、1,8-二氮雙環[5.4.0]-7-十一烯、六亞甲基四胺、1,4-二氮雙環[2.2.2]辛烷等。

作為其他脂肪族胺，有舉出參(2-甲氧基甲氧基乙基)胺、參{2-(2-甲氧基乙氧基)乙基}胺、參{2-(2-甲氧基乙氧基甲氧基)乙基}胺、參{2-(1-甲氧基乙氧基)乙基}胺、參{2-(1-乙氧基乙氧基)乙基}胺、參{2-(1-乙氧基丙氧基)乙基}胺、參[2-{2-(2-羥基乙氧基)乙氧基}乙基]胺、三乙醇胺三乙酸酯等，為三乙醇胺三乙酸酯較佳。

且，作為(D2)成分，亦可使用芳香族胺。作為芳香族胺，有舉出4-二甲基胺基吡啶、吡咯、吲哚、吡唑、咪唑或此等之衍生物、三苄基胺、2,6-二異丙基苯胺、N-tert-丁氧基羰基吡咯啶等。

(D2)成分亦可單獨使用1種，亦可組合2種以上來使用。阻劑組成物含有(D2)成分時，阻劑組成物中，(D2)成分之含量相對於(A)成分100質量分，通常使用0.01~5質量分之範圍。藉由設為上述範圍，能夠提升阻劑圖型形狀、延長經時安定性等。

≪選自有機羧酸，以及磷之含氧酸及其衍生物所成群中至少1種化合物(E)≫ 本實施形態之阻劑組成物中，以感度惡化之防止，或阻劑圖型形狀、延長經時安定性等之提升之目的，作為任意成分，能夠使其含有有機羧酸，以及磷之含氧酸及其衍生物所成群中至少1種化合物(E)(以下稱作「(E)成分」)。作為有機羧酸，例如乙酸、丙二酸酸、檸檬酸、蘋果酸、琥珀酸、安息香酸、水楊酸等較適合。作為磷之含氧酸，有舉出磷酸、亞磷酸、膦酸等，此等之中，尤其是亞磷酸較佳。作為磷之含氧酸之衍生物，有舉例如將上述含氧酸之氫原子以烴基取代之酯等，作為前述烴基，有舉出碳數1~5之烷基、碳數6~15之芳基等。作為磷酸之衍生物，有舉出磷酸二-n-丁基酯、磷酸二苯基酯等之磷酸酯等。作為亞磷酸之衍生物，有舉出亞磷酸二甲基酯、亞磷酸-二-n-丁基酯、苯基亞磷酸、亞磷酸二苯基酯、亞磷酸二苄基酯等之亞磷酸酯等。作為膦酸之衍生物，有舉出膦酸酯或苯基膦酸等。本實施形態之阻劑組成物中，(E)成分亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。阻劑組成物含有(E)成分時，(E)成分之含量相對於(A)成分100質量分，通常在0.01~5質量分之範圍中使用。

≪有機溶劑成分(S)≫ 本實施形態之阻劑組成物能夠使阻劑材料溶解於有機溶劑成分(以下稱作「(S)成分」)來製造。作為(S)成分，只要是能夠溶解使用之各成分且作為均勻之溶液者即可，能夠自以往作為化學增幅型阻劑組成物之溶劑之公知者中適當地選自任意者來使用。作為(S)成分，有舉例如γ-丁內酯等之內酯類；丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基-n-戊基酮、甲基異戊基酮、2-庚酮等之酮類；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等之多元醇類；乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯，或二丙二醇單乙酸酯等之具有酯鍵結之化合物、前述多元醇類或具有前述酯鍵結之化合物之單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚等之單烷基醚或單苯基醚等之具有醚鍵結之化合物等之多元醇類之衍生物[此等之中為丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲基醚(PGME)較佳]；如二氧陸圜之環式醚類，或乳酸甲酯、乳酸乙基(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等之酯類；苯甲醚、乙基苄基醚、甲苯酚基甲基醚、二苯基醚、二苄基醚、苯乙醚、丁基苯基醚、乙基苯、二乙基苯、戊基苯、異丙基苯、甲苯、二甲苯、異丙基甲苯、均三甲苯等之芳香族系有機溶劑、二甲基亞碸(DMSO)等。本實施形態之阻劑組成物中，(S)成分亦可單獨使用1種，亦可作為2種以上之混合溶劑來使用。其中，為PGMEA、PGME、γ-丁內酯、EL、環己酮較佳。

且，作為(S)成分，混合PGMEA與極性溶劑之混合溶劑較佳。其摻混比(質量比)只要考慮PGMEA與極性溶劑之相溶性等來適當地決定即可，較佳為1：9~9：1，再較佳為在2：8~8：2之範圍內較佳。更具體來說，摻混EL或環己酮作為極性溶劑時，PGMEA：EL或環己酮之質量比較佳為1：9~9：1，再較佳為2：8~8：2。且，摻混PGME作為極性溶劑時，PGMEA：PGME之質量比較佳為1：9~9：1，再較佳為2：8~8：2，更較佳為3：7~7：3。進而，PGMEA與PGME與環己酮之混合溶劑較佳。且，作為(S)成分，其他為選自PGMEA及EL中至少1種與γ-丁內酯之混合溶劑亦較佳。此時，作為混合比例，前者與後者之質量比較佳為70：30~95：5。 (S)成分之使用量並無特別限定，以能夠塗布在基板等之濃度並因應塗布膜厚來適當地設定。一般來說，以阻劑組成物之固形分濃度為0.1~20質量%，較佳為0.2~15質量%之範圍內來使用(S)成分。

本實施形態之阻劑組成物中進而依照所期望，能夠適當地添加並含有具混和性之添加劑，例如用來改良阻劑膜之性能之加成型樹脂、溶解抑制劑、可塑劑、安定劑、著色劑、成暈防止劑、染料等。

本實施形態之阻劑組成物亦可使上述阻劑材料溶解於(S)成分後，使用聚醯亞胺多孔質膜、聚醯胺醯亞胺多孔質膜等，進行雜質等之去除。例如亦可使用聚醯亞胺多孔質膜而成之過濾器、聚醯胺醯亞胺多孔質膜而成之過濾器、聚醯亞胺多孔質膜及聚醯胺醯亞胺多孔質膜而成之過濾器等，進行阻劑組成物之過濾。作為前述聚醯亞胺多孔質膜及前述聚醯胺醯亞胺多孔質膜，有例示例如日本特開2016-155121號公報中所記載者等。

本實施形態之阻劑組成物為含有上述(A)成分，與上述(F)成分，與因應必要之前述任意成分。有舉例如含有(A)成分與(F)成分與(B)成分之阻劑組成物較適合。進而有舉出含有(A)成分與(F)成分與(B)成分與(D)成分之阻劑組成物較適合。

如以上說明，本實施形態之阻劑組成物含有上述特定之(A)成分及(F)成分。(A)成分包含高分子化合物，該高分子化合物具有構成單位(a01)，構成單位(a01)具有該對顯像液具高溶解性及對酸具高反應性之酸解離性基。(F)成分包含氟樹脂成分，該氟樹脂成分具有構成單位(f10)，該構成單位(f10)之表面偏析效果較高且對顯像液之親和性較高。因此，藉由本實施形態之阻劑組成物，能夠良好地抑制酸之擴散，且提升對顯像液之親和性。因此推測，本實施形態之阻劑組成物之感度、粗糙之降低性及解像性皆優異且能夠形成良好形狀之阻劑圖型。

(阻劑圖型形成方法) 本發明之第2型態相關之阻劑圖型形成方法為具有：在支持體上使用上述實施形態之阻劑組成物形成阻劑膜之步驟、將前述阻劑膜曝光之步驟，及將前述曝光後之阻劑膜顯像，形成阻劑圖型之步驟之方法。作為相關之阻劑圖型形成方法之一實施形態，有舉例如以下來進行之阻劑圖型形成方法。

首先，將上述實施形態之阻劑組成物以旋轉器等塗布於支持體上，將烘培(後使用烘培(PAB))處理以例如80~150℃之溫度條件施予40~120秒鐘，較佳為60~90秒鐘，形成阻劑膜。接著，對該阻劑膜，使用例如電子束微影裝置、EUV曝光裝置等之曝光裝置，進行介隔著有形成特定圖型之光罩(光罩圖型)之曝光，或不介隔著光罩圖型之電子線之直接照射之微影等之選擇性曝光後，將烘培(後曝光烘培(PEB))處理以例如80~150℃之溫度條件施予40~120秒鐘，較佳為60~90秒鐘。接著，顯像處理前述阻劑膜。顯像處理為鹼顯像製程時，使用鹼顯像液，為溶劑顯像製程時，使用含有有機溶劑之顯像液(有機系顯像液)來進行。

顯像處理後，較佳為進行清洗處理。清洗處理為鹼顯像製程時，使用純水之水清洗較佳，為溶劑顯像製程時，使用含有有機溶劑之清洗液較佳。溶劑顯像製程時，在前述顯像處理或清洗處理之後，亦可進行將附著於圖型上之顯像液或清洗液藉由超臨界流體來去除之處理。顯像處理後或清洗處理後，進行乾燥。且，依照狀況之不同，亦可在上述顯像處理後進行烘培處理(後烘培)。如此，能夠形成阻劑圖型。

作為支持體，並無特別限定，能夠使用以往公知者，有舉例如電子零件用之基板，或於此有形成特定配線圖型者等。更具體來說，有舉出矽晶圓、銅、鉻、鐵、鋁等之金屬製之基板，或玻璃基板等。作為配線圖型之材料，能夠使用例如銅、鋁、鎳、金等。且，作為支持體，亦可為如在上述之基板上設置無機系及/或有機系之膜者。作為無機系之膜，有舉出無機反射防止膜(無機BARC)。作為有機系之膜，有舉出有機反射防止膜(有機BARC)，或多層阻劑法之下層有機膜等之有機膜。於此，多層阻劑法意指在基板上設置至少一層之有機膜(下層有機膜)與至少一層之阻劑膜(上層阻劑膜)，且將形成於上層阻劑膜之阻劑圖型作為光罩，進行下層有機膜之圖型化之方法，且能夠形成高縱橫比之圖型。亦即，藉由多層阻劑法，由於藉由下層有機膜能夠確保所需之厚度，因此能夠將阻劑膜薄膜化，能夠形成高縱橫比之微細圖型。多層阻劑法基本上分成上層阻劑膜與下層有機膜之二層構造之方法(2層阻劑法)，與上層阻劑膜與下層有機膜之間設置一層以上中間層(金屬薄膜等)之三層以上之多層構造之方法(3層阻劑法)。

用來曝光之波長並無特別限定，能夠使用ArF準分子雷射、KrF準分子雷射、F₂ 準分子雷射、EUV(極端紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子線)、X線、軟X線等之放射線來進行。前述阻劑組成物作為KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、EB或EUV用之有用性較高，作為ArF準分子雷射、EB或EUV用之有用性更高，且作為EB或EUV用之有用性特別高。亦即，本實施形態之阻劑圖型形成方法在曝光阻劑膜之步驟包含對前述阻劑膜曝光EUV(極端紫外線)或EB(電子線)之操作時，為特別有用之方法。

阻劑膜之曝光方法亦可為在空氣或氮等之惰性氣體中進行之一般曝光(乾燥曝光)，亦可為液浸曝光(Liquid Immersion Lithography)。液浸曝光係預先將阻劑膜與曝光裝置之最下位置之鏡片間充滿具有比空氣之折射率大之折射率之溶媒(液浸溶媒體)，以此狀態進行曝光(浸漬曝光)之方法。作為液浸溶媒體，為具有比空氣之折射率大，且比經曝光之阻劑膜之折射率小之折射率之溶媒較佳。作為相關之溶媒之折射率，只要在前述範圍內即可，並無特別限制。作為具有比空氣之折射率大，且比前述阻劑膜之折射率小之折射率之溶媒，有舉例如水、氟化系惰性液體、矽氧系溶劑、烴系溶劑等。作為氟化系惰性液體之具體例，有舉出將C₃ HCl₂ F₅ 、C₄ F₉ OCH₃ 、C₄ F₉ OC₂ H₅ 、C₅ H₃ F₇ 等之氟化系化合物作為主成分之液體等，沸點為70~180℃者較佳，為80~160℃者再較佳。氟化系惰性液體若具有上述範圍之沸點，則曝光結束後，以簡單的方法進行用於液浸之溶媒體之去除較佳。作為氟化系惰性液體，尤其是烷基之氫原子全部經氟原子取代之全氟烷基化合物較佳。作為全氟烷基化合物，具體來說能夠舉出全氟烷基醚化合物、全氟烷基胺化合物。進而，具體來說，作為前述全氟烷基醚化合物，能夠舉出全氟(2-丁基-四氫呋喃)(沸點102℃)，作為前述全氟烷基胺化合物，能夠舉出全氟三丁基胺(沸點174℃)。作為液浸溶媒體，以成本、安全性、環境問題、廣用性等之觀點來看，較佳使用水。

作為鹼顯像製程中顯像處理所使用之鹼顯像液，有舉例如0.1~10質量%四甲基羥化銨(TMAH)水溶液。作為溶劑顯像製程中顯像處理所使用之有機系顯像液所含有之有機溶劑，只要是能夠溶解(A)成分(曝光前之(A)成分)者即可，能夠自公知有機溶劑中來適當地選擇。具體來說有舉出酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、腈系溶劑、醯胺系溶劑、醚系溶劑等之極性溶劑、烴系溶劑等。酮系溶劑係在構造中包含C-C(=O)-C之有機溶劑。酯系溶劑係在構造中包含C-C(=O)-O-C之有機溶劑。醇系溶劑係在構造中包含醇性羥基之有機溶劑。「醇性羥基」意指鍵結於脂肪族烴基之碳原子之羥基。腈系溶劑係在構造中包含腈之有機溶劑。醯胺系溶劑係在構造中包含醯胺基之有機溶劑。醚系溶劑係在構造中包含C-O-C之有機溶劑。有機溶劑之中亦存在構造中包含複數種具有上述各溶劑之特徵之官能基之有機溶劑，但此時，亦相當於包含該有機溶劑所具有之官能基之任一溶劑種。例如二乙二醇單甲基醚相當於上述分類中之醇系溶劑、醚系溶劑之任一者。烴系溶劑係由亦可經鹵化之烴而成，且不具有鹵原子以外之取代基之烴溶劑。作為鹵原子，有舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，為氟原子較佳。作為有機系顯像液所含有之有機溶劑，上述中，為極性溶劑較佳，為酮系溶劑、酯系溶劑、腈系溶劑等較佳。

作為酮系溶劑，有舉例如1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、丙酮、4-庚酮、1-己酮、2-己酮、二異丁基酮、環己酮、甲基環己酮、苯基丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙醯基丙酮、丙酮基丙酮、紫羅酮、二丙酮基醇、乙醯基甲醇、苯乙酮、甲基萘基酮、異佛爾酮、伸丙基碳酸酯、γ-丁內酯、甲基戊酮(2-庚酮)等。此等之中，作為酮系溶劑，為甲基戊酮(2-庚酮)較佳。

作為酯系溶劑，有舉例如乙酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯、乙二醇單丙基醚乙酸酯、乙二醇單丁基醚乙酸酯、乙二醇單苯基醚乙酸酯、二乙二醇單甲基醚乙酸酯、二乙二醇單丙基醚乙酸酯、二乙二醇單苯基醚乙酸酯、二乙二醇單丁基醚乙酸酯、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、2-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、4-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-乙基-3-甲氧基丁基乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單丙基醚乙酸酯、2-乙氧基丁基乙酸酯、4-乙氧基丁基乙酸酯、4-丙氧基丁基乙酸酯、2-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲氧基戊基乙酸酯、2-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯、碳酸乙酯、碳酸丙酯、碳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、丙酮酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸異丙基、2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、甲基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、丙基-3-甲氧基丙酸酯等。此等之中，作為酯系溶劑，為乙酸丁酯較佳。

作為腈系溶劑，有舉例如乙醯腈、丙腈、戊腈、丁腈等。

有機系顯像液中因應必要能夠添加公知之添加劑。作為該添加劑，有舉例如界面活性劑。作為界面活性劑，並無特別限定，但能夠使用例如離子性或非離子性之氟化系及/或矽氧系界面活性劑等。作為界面活性劑，為非離子性之界面活性劑較佳，為非離子性之氟化系界面活性劑，或非離子性之矽氧系界面活性劑再較佳。摻混界面活性劑時，其摻混量相對於有機系顯像液之全量，通常為0.001~5質量%，為0.005~2質量%較佳，為0.01~0.5質量%再較佳。

顯像處理能夠藉由公知之顯像方法來實施，有舉例如在顯像液中浸漬支持體一定時間之方法(浸漬法)、在支持體表面，利用表面張力將顯像液抬高一定時間並靜止之方法(攪拌法)、對支持體表面噴霧顯像液之方法(噴霧法)、在以一定速度旋轉之支持體上，一邊以一定速度掃描顯像液塗布噴嘴，一邊繼續塗布顯像液之方法(動態實施法)等。

作為溶劑顯像製程中顯像處理後之清洗處理所使用之清洗液所含有之有機溶劑，例如作為使用為前述有機系顯像液之有機溶劑所舉出之有機溶劑中，能夠適當地選擇難以溶解阻劑圖型者。通常使用選自烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑及醚系溶劑中至少1種類之溶劑。此等之中，為選自烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑及醯胺系溶劑中至少1種類較佳，為選自醇系溶劑及酯系溶劑中至少1種類再較佳，為醇系溶劑特別佳。清洗液所使用之醇系溶劑為碳數6~8之1元醇較佳，該1元醇亦可為直鏈狀、分枝鏈狀或環狀之任一者。具體來說有舉出1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、2-己醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇、4-辛醇、苄基醇等。此等之中，為1-己醇、2-庚醇、2-己醇較佳，為1-己醇、2-己醇再較佳。此等之有機溶劑，任一者亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。且，亦可混合上述以外之有機溶劑或水來使用。但，若考慮顯像特性，清洗液中之水之摻混量相對於清洗液之全量，為30質量%以下較佳，為10質量%以下再較佳，為5質量%以下更較佳，為3質量%以下特別佳。清洗液中能夠因應必要摻混公知之添加劑。作為該添加劑，有舉例如界面活性劑。界面活性劑有舉出與前述相同者，為非離子性之界面活性劑較佳，為非離子性之氟化系界面活性劑，或非離子性之矽氧系界面活性劑再較佳。摻混界面活性劑時，其摻混量相對於清洗液之全量，通常為0.001~5質量%，為0.005~2質量%較佳，為0.01~0.5質量%再較佳。

使用清洗液之清洗處理(洗淨處理)能夠藉由公知之清洗方法來實施。作為該清洗處理之方法，有舉例如在以一定速度旋轉之支持體上，繼續塗布清洗液之方法(旋轉塗布法)、清洗液中浸漬支持體一定時間之方法(浸漬法)、對支持體表面噴霧清洗液之方法(噴霧法)等。

藉由以上說明之本實施形態之阻劑圖型形成方法，由於使用上述第1型態相關之阻劑組成物，因此感度、粗糙之降低性及解像性皆優異，且能夠形成良好形狀之阻劑圖型。 [實施例]

以下，藉由實施例來更詳細地說明本發明，但本發明不限定於此等之例。

＜合成例1~12：共聚合物(A1-1)~共聚合物(A1-11)、共聚合物(A2-1)之合成例＞以下將各自所示之化合物以特定莫耳比來使用，並藉由自由基聚合來合成共聚合物。關於所得之各共聚合物，將以¹³ C-NMR所求出之該共聚合物之共聚合組成比(共聚合物中之各構成單位之比例(莫耳比))、以GPC測定所求出之標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)及分子量分散度(Mw/Mn)各自記載於表1。

且，構成上述共聚合物且以下述化學式(a10-1)表示之構成單位為由上述化學式(a10-1pre)表示之單體所衍生之構成單位。

＜合成例13~40：共聚合物(F1-1)~共聚合物(F1-28)＞以下將各自所示之化合物以特定莫耳比來使用，並藉由自由基聚合來合成共聚合物。關於所得之各共聚合物，將以¹³ C-NMR所求出之該共聚合物之共聚合組成比(共聚合物中之各構成單位之比例(莫耳比))、以GPC測定所求出之標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)及分子量分散度(Mw/Mn)各自記載於表2、3。

＜阻劑組成物之調製＞ (實施例1~43、比較例1~6) 將表4~8所示之各成分混合並溶解，各自調製各例之阻劑組成物(固形分濃度1.0質量%)。

表4~8中，各簡寫記號各自具有以下意義。[ ]內之數值為摻混量(質量分)。 (A1)-1~(A1)-11：各自以上述化學式(A1-1)~(A1-11)表示之高分子化合物。 (A2)-1：上述化學式(A2-1)表示之高分子化合物。 (F1)-1~(F1)-28：各自以上述化學式(F1-1)~(F1-28)表示之高分子化合物。

(F2)-1：下述化學式(F2-1)表示之高分子化合物。以GPC測定所求出之標準聚苯乙烯換算之質量平均分子量(Mw)為17100，分子量分散度(Mw/Mn)為1.72。

(F2)-2：下述化學式(F2-2)表示之高分子化合物。以GPC測定所求出之標準聚苯乙烯換算之質量平均分子量(Mw)為17200，分子量分散度(Mw/Mn)為1.70。

(B)-1：下述化學式(B1-1)表示之化合物而成之酸產生劑。 (D)-1：下述化學式(D1-1)表示之化合物而成之光崩壞性鹼基。

(S)-1：γ-丁內酯 (S)-2：丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單甲基醚=60/40(質量比)之混合溶劑。

＜阻劑圖型之形成＞在施予六甲基二矽氮烷(HMDS)處理之8吋矽氧基板上，各自將各例之阻劑組成物使用旋轉器來塗布，在熱盤上，以溫度110℃進行60秒鐘之預烘培(PAB)處理，藉由乾燥，形成膜厚30nm之阻劑膜。接著，對前述阻劑膜使用電子束微影裝置JEOL-JBX-9300FS(日本電子股份公司製)，以加速電壓100kV，將目標大小進行自線寬50nm至26nm之1：1線間圖型(以下「LS圖型」)之微影(曝光)。之後，以110℃進行60秒鐘之曝光後加熱(PEB)處理。接著，於23℃下，使用2.38質量%四甲基羥化銨(TMAH)水溶液「NMD-3」(商品名，東京應化工業股份公司製)，進行60秒鐘之鹼顯像。之後，使用純水，進行15秒鐘水清洗。其結果，自線寬50nm形成26nm之1：1之LS圖型。

[最佳曝光量(Eop)之評價] 根據上述＜阻劑圖型之形成＞，求出有形成目標大小之LS圖型之最佳曝光量Eop(μC/cm² )。將此作為「Eop(μC/cm² )」並表示於表9~13。

[解像性之評價] 根據上述＜阻劑圖型之形成＞，求出有形成目標大小之LS圖型之最佳曝光量Eop(μC/cm² )。且，從前述最佳曝光量Eop開始一次少許地將曝光量增大，形成LS圖型時，將不會倒塌地解像之圖型(線寬)之最小大小，使用掃描式電子顯微鏡S-9380(日立High-Technologies公司製)來求出。將此作為「解像性(nm)」並表示於表9~13。

[LWR(沿線粗糙)之評價] 關於上述＜阻劑圖型之形成＞所形成之LS圖型，求初表示LWR之尺度之3σ。將此作為「LWR(nm)」並表示於表9~13。「3σ」係藉由掃描式電子顯微鏡(加速電壓800V，商品名：S-9380，日立High-Technologies公司製)，於線之縱向方向測定線位置400處，表示由其測定結果求出之標準偏差(σ)之3倍值(3σ)(單位：nm)。該3σ值越小，線側壁之粗糙越小，意指得到更均勻之寬度之LS圖型。

[阻劑圖型形狀之評價] 上述＜阻劑圖型之形成＞中，將各自所得之LS圖型之剖面形狀以掃描式電子顯微鏡(加速電壓300V，商品名：SU8000，日立High-Technologies公司製)來觀察。將其形狀藉由下述評價基準來評價。將其結果作為「形狀」並表示於表9~13。 A：圖型之剖面形狀為矩形且垂直性高。 B：圖型之剖面形狀為圓頂(圖型之頂端為圓形)且寬頂(T-top)形狀。

如表9~13所示之結果能夠確認實施例1~43之阻劑組成物相較於比較例1~6之阻劑組成物，為企圖高感度化，且微影特性優異，能夠形成良好形狀之阻劑圖型。以上，說明本發明之較佳實施例，但本發明不限定於此等實施例。在不超過本發明主旨之範圍內，能夠進行構成之加成、省略、取代及其他變更。本發明並不限定於前述說明，僅限定於後述之申請專利範圍。

Claims

一種阻劑組成物，其係因曝光產生酸，因酸之作用而對顯像液之溶解性有變化之阻劑組成物，其特徵為含有因酸之作用而對顯像液之溶解性有變化之樹脂成分(A1)及對鹼顯像液顯示分解性之氟添加劑成分(F)，前述樹脂成分(A1)包含具有下述一般式(a01)表示之構成單位(a01)之高分子化合物，前述氟添加劑成分(F)包含具有下述一般式(f1-01)或下述一般式(f1-02)表示之構成單位(f10)之氟樹脂成分，
[式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Ra0為一般式(a01-r-1)表示之酸解離性基]
[式中，Ya0為碳原子，Xa0為與Ya0一起形成脂肪族環式基之基，前述脂肪族環式基所具有之氫原子之一部分或全部亦可經取代，Ra^X01 為亦可具有取代基之芳香族烴基，*表示鍵結]
[式(f1-01)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Raf⁰¹ 為不具有酸解離性部位之2價連結基，Raf⁰² 為1價有機基，-O-Raf⁰² 為因鹼基之作用而解離之基，Raf⁰¹ 及Raf⁰² 中至少一者為烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，Raf⁰¹ 及Raf⁰² 中氟原子之總數為3個以上，式(f1-02)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Raf⁰³ 為不具有酸解離性部位之2價連結基，Raf⁰⁴ 為1價有機基，-C(=O)Raf⁰⁴ 為因鹼基之作用而解離之基，Raf⁰³ 及Raf⁰⁴ 中至少一者為烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，Raf⁰³ 及Raf⁰⁴ 中氟原子之總數為3個以上]。
如請求項1之阻劑組成物，其中，前述構成單位(f10)為下述一般式(f1-1)或下述一般式(f1-2)表示之構成單位，
[式(f1-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Raf¹¹ 為不具有酸解離性部位之2價連結基，Raf¹² 為1價有機基，-O-Raf¹² 為因鹼基之作用而解離之基，惟，Raf¹¹ 及Raf¹² 中去除形成交聯構造之烴基，Raf¹¹ 及Raf¹² 中至少一者為烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，Raf¹¹ 及Raf¹² 中氟原子之總數為3個以上，式(f1-2)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Raf¹³ 為不具有酸解離性部位之2價連結基，Raf¹⁴ 為1價有機基，-C(=O)Raf¹⁴ 為因鹼基之作用而解離之基，惟，Raf¹³ 及Raf¹⁴ 中去除形成交聯構造之烴基，Raf¹³ 及Raf¹⁴ 中至少一者為烴基之氫原子之一部分或全部經氟原子取代之基，Raf¹³ 及Raf¹⁴ 中氟原子之總數為3個以上]。
如請求項1或2之阻劑組成物，其中，前述構成單位(f10)為下述一般式(f1-1-1)或下述一般式(f1-2-1)表示之構成單位，
[式(f1-1-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Raf’¹¹ 為不具有酸解離性部位之2價直鏈狀、分枝鏈狀或單環式之烴基，Raf’¹² 為1價直鏈狀、分枝鏈狀或單環式之烴基，-O-Raf’¹² 為因鹼基之作用而解離之基，Raf’¹¹ 及Raf’¹² 中至少一者為直鏈狀、分枝鏈狀或單環式之烴基之氫原子之一部或全部經氟原子取代之基，Raf’¹¹ 及Raf’¹² 中氟原子之總數為5個以上，式(f1-2-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Raf’¹³ 為不具有酸解離性部位之2價直鏈狀、分枝鏈狀或單環式之烴基，Raf’¹⁴ 為1價直鏈狀、分枝鏈狀或單環式之烴基，-C(=O)Raf’¹⁴ 為因鹼基之作用而解離之基，Raf’¹³ 及Raf’¹⁴ 中至少一者為直鏈狀、分枝鏈狀或單環式之烴基之氫原子之一部或全部經氟原子取代之基，Raf’¹³ 及Raf’¹⁴ 中氟原子之總數為5個以上]。
如請求項1之阻劑組成物，其中，前述氟添加劑成分(F)為前述構成單位(f10)而成之聚合物。
如請求項1之阻劑組成物，其中，前述氟添加劑成分(F)包含氟樹脂成分，該氟樹脂成分具有前述構成單位(f10)與前述構成單位(a01)。
一種阻劑圖型形成方法，其係具有在支持體上使用如請求項1之阻劑組成物，形成阻劑膜之步驟、將前述阻劑膜曝光之步驟及將前述曝光後之阻劑膜顯像，形成阻劑圖型之步驟。
如請求項6之阻劑圖型形成方法，其中，在前述之將阻劑膜曝光之步驟中，對前述阻劑膜曝光EUV(極端紫外線)或EB(電子線)。