TWI844704B

TWI844704B - 阻劑組成物及阻劑圖型形成方法

Info

Publication number: TWI844704B
Application number: TW109123849A
Authority: TW
Inventors: 中村剛; 橫谷次朗
Original assignee: 日商東京應化工業股份有限公司
Priority date: 2019-07-25
Filing date: 2020-07-15
Publication date: 2024-06-11

Abstract

本發明提供可形成CDU優異的阻劑圖型的阻劑組成物，及使用該阻劑組成物的阻劑圖型形成方法。

本發明的阻劑組成物為，藉由曝光產生酸且藉由酸的作用對於顯像液的溶解性產生變化者。本發明的阻劑組成物為含有藉由酸的作用對於顯像液的溶解性產生變化之基材成分(A)、藉由曝光產生酸的酸產生劑成分(B)，前述基材成分(A)含有高分子化合物(A1)，該高分子化合物(A1)為具有含有下述一般式(a01-r-1)所示酸解離性基之構成單位(a0)；前述酸產生劑成分(B)含有下述式(b1)所示化合物(B1)，且未含有於負離子部具有鹵素原子的鎓鹽。式中，R⁰¹表示碳數4以上的烷基。n表示1~4的整數，Rb¹表示可具有取代基的烴基，且未含有鹵素原子。M^m+表示m價有機陽離子。

Description

阻劑組成物及阻劑圖型形成方法

本發明係關於阻劑組成物及阻劑圖型形成方法。本案係依據在2019年7月25日於日本所申請的特願2019-136957號而主張優先權，並將該內容引用於此。

對於光刻技術，例如進行以下步驟，該步驟為於基板上使用阻劑材料形成阻劑膜，對於該阻劑膜進行選擇性曝光，藉由施予顯像處理，於該阻劑膜上形成所定形狀之阻劑圖型。阻劑膜的曝光部的特性變化為溶解於顯像液的阻劑材料稱為正型，阻劑膜的曝光部的特性變化為未溶解於顯像液的阻劑材料稱為負型。近年來，對於半導體元件或液晶顯示元件之製造，藉由光刻技術之進歩而急速地往圖型的微型化進展。作為微型化之手法，一般進行曝光光源之短波長化(高能量化)。具體而言，過去雖使用作為代表的g線、i線之紫外線，但現在進行使用KrF準分子激光或ArF準分子激光的半導體元件之量產。又，對於藉由此等準分子激光之短波長(高能量)的EUV(極端紫外線)或EB(電子線)、X線等進行檢討。

阻劑材料中，期待對於此等曝光光源之感度、可使微細尺寸圖型再現的解像性等光刻特性。作為滿足如此要求的阻劑材料，使用含有藉由酸的作用對於顯像液的溶解性產生變化的基材成分，與藉由曝光產生酸的酸產生劑成分之化學增幅型阻劑組成物。例如於顯像液為鹼顯像液(鹼顯像製程)之情況下，作為正型的化學增幅型阻劑組成物，一般使用含有藉由酸的作用對於鹼顯像液的溶解性增大之樹脂成分(基礎樹脂)與酸產生劑成分者。使用該阻劑組成物所形成的阻劑膜，若於阻劑圖型形成時進行選擇性曝光時，對於阻劑膜之曝光部，自酸產生劑成分產生酸，藉由該酸的作用使基礎樹脂的極性增大，阻劑膜的曝光部對於鹼顯像液變成可溶。因此，藉由進行鹼顯像，阻劑膜之未曝光部作為圖型而形成殘留的正型圖型。另一方面，將如此化學增幅型阻劑組成物，適用於使用含有有機溶劑之顯像液(有機系顯像液)的溶劑顯像製程時，若基礎樹脂的極性增大時，因對於相對性有機系顯像液的溶解性降低，阻劑膜之未曝光部藉由有機系顯像液可溶解並除去，阻劑膜的曝光部作為圖型而形成殘留負型的阻劑圖型。有將形成如此負型的阻劑圖型之溶劑顯像製程作為負型顯像製程之情況。

於化學增幅型阻劑組成物中所使用的基礎樹脂在一般欲提高光刻特性等時，具有複數個構成單位。例如，藉由酸的作用對於鹼顯像液的溶解性增大之樹脂成分時，使用含有藉由自酸產生劑等所產生的酸作用進行分解而極性增大的酸分解性基之構成單位，其他併用具有含有內酯的環式基之構成單位，及含有羥基等極性基之構成單位等。

又，對於阻劑圖型之形成，藉由曝光自酸產生劑成分所產生的酸之作用對於光刻特性產生大影響的一要素。作為在化學增幅型阻劑組成物中所使用的酸產生劑，至今有提案出多種多樣者。例如已知有碘鎓鹽或硫鎓鹽等鎓鹽系酸產生劑、肟磺酸鹽系酸產生劑、重氮甲烷系酸產生劑、硝基苯甲基磺酸鹽系酸產生劑、亞胺磺酸鹽系酸產生劑、二碸系酸產生劑等。

作為鎓鹽系酸產生劑，主要使用於陽離子部具有三苯基硫鎓等鎓離子者。又，對於阻劑圖型之形成，欲達成種種光刻特性之提高，作為鎓鹽系酸產生劑之負離子部，已有提案具有種種結構之磺酸離子(例如參照專利文獻1、2參照)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2013/140969號 [專利文獻2]國際公開第2019/058890號

在光刻技術之更進歩，阻劑圖型之微型化日漸發展中，對於阻劑組成物的光刻特性有著更上層的要求。又，作為阻劑之特性，大多為重視圖型尺寸的面內均勻性(CDU)。所謂「CDU(Critical Dimension Uniformity)」表示，對於孔圖型等微細圖型，例如在CH(Contact Hole)圖型之情況時，其為藉由測定各孔直徑而求得之孔直徑的標準偏差值者，該標準偏差值越小均勻性越高為佳。然而，在如上述過去阻劑組成物中，阻劑膜之曝光部與未曝光部的對比變得不充分，而有著CDU無法改善之課題。

本發明係有鑑於上述事項所得者，以提供可形成CDU優異的阻劑圖型之阻劑組成物，及使用該阻劑組成物的阻劑圖型形成方法為課題。

欲解決上述課題，本發明採用以下構成。即，本發明之第1態樣為藉由曝光產生酸且藉由酸作用對於顯像液的溶解性產生變化之阻劑組成物，其中含有藉由酸的作用對於顯像液的溶解性產生變化之基材成分(A)，與藉由曝光產生酸的酸產生劑成分(B)，前述基材成分(A)含有高分子化合物(A1)，該高分子化合物(A1)具有含有下述一般式(a01-r-1)所示酸解離性基的構成單位(a0)，前述酸產生劑成分(B)含有下述一般式(b1)所示化合物(B1)，且未含有於負離子部具有鹵素原子的鎓鹽之阻劑組成物。

[式中，R⁰¹表示碳數4以上的烷基。n表示1~4的整數。*表示鍵結手]

[式中，Rb¹表示可具有取代基之烴基。但，Rb¹未含有鹵素原子。m表示1以上的整數，M^m+表示m價有機陽離子。]

本發明之第2態樣為，具有於持體上使用有關前述第1態樣之阻劑組成物而形成阻劑膜之步驟、使前述阻劑膜進行曝光的步驟，及使前述曝光後之阻劑膜進行顯像而形成阻劑圖型的步驟為特徵之阻劑圖型形成方法。

依據本發明之阻劑組成物及阻劑圖型形成方法，可提供可形成CDU優異的阻劑圖型之阻劑組成物，及使用該阻劑組成物的阻劑圖型形成方法。

[實施發明的型態]

對於本說明書及本申請專利範圍，所謂「脂肪族」表示，對於芳香族之相對性概念，定義為不具有芳香族性之基的化合物等。

「烷基」若無特別說明，其包含直鏈狀、分支鏈狀及環狀1價飽和烴基。烷氧基中的烷基亦相同。

「伸烷基」若無特別說明，表示包含直鏈狀、分支鏈狀及環狀2價飽和烴基者。

「鹵化烷基」為烷基的氫原子之一部分或全部由鹵素原子所取代的基，作為該鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。

「氟化烷基」或「氟化伸烷基」表示，烷基或伸烷基的氫原子之一部分或全部由氟原子所取代之基。

所謂「構成單位」表示，構成高分子化合物(樹脂、聚合物、共聚物)之單體單位(單體單位)的意思。

記載為「亦可具有取代基」或「可具有取代基」之情況時表示，含有將氫原子(-H)由1價基所取代之情況，與將亞甲基(-CH₂-)由2價基所取代之情況的雙方。

「曝光」表示含有放射線之全面照射的概念。

所謂「基材成分」表示具有膜形成能的有機化合物，較佳為使用分子量500以上的有機化合物。藉由該有機化合物之分子量在500以上時，可提高膜形成能，另外可使奈米水準之阻劑圖型的形成變得容易。作為基材成分而使用的有機化合物可大概分為非聚合物與聚合物。作為非聚合物，通常使用分子量500以上且未達4000者。以下稱為「低分子化合物」時，表示分子量500以上且未達4000的非聚合物。作為聚合物，通常使用分子量1000以上者。以下稱為「樹脂」、「高分子化合物」或「聚合物」時，表示分子量1000以上之聚合物。作為聚合物之分子量，使用藉由GPC(凝膠滲透層析法)之聚苯乙烯換算的重量平均分子量者。

所謂「由丙烯酸酯所衍生的構成單位」表示，丙烯酸酯之乙烯性雙鍵經開裂而構成的構成單位。「丙烯酸酯」表示丙烯酸(CH₂ =CH-COOH)之羧基末端的氫原子由有機基所取代之化合物。丙烯酸酯表示鍵結於α位碳原子的氫原子可由取代基所取代。取代鍵結於該α位碳原子的氫原子之取代基(R^α0 )為氫原子以外的原子或基，例如可舉出碳數1～5的烷基、碳數1～5的鹵化烷基等。又，其亦含有取代基(R^α0 )由含有酯鍵的取代基進行取代的衣康酸二酯，或取代基(R^α0 )由羥基烷基或該羥基經修飾的基所取代的α羥基丙烯酸酯者。且，丙烯酸酯之α位碳原子若無特別說明，其為丙烯酸的羰基所鍵結的碳原子。以下將鍵結於α位碳原子的氫原子由取代基所取代的丙烯酸酯有時稱為α取代丙烯酸酯。又，有時為包含丙烯酸酯與α取代丙烯酸酯之「(α取代)丙烯酸酯」。

所謂「由羥基苯乙烯所衍生的構成單位」表示羥基苯乙烯的乙烯性雙鍵經開裂而構成的構成單位之意思。所謂「由羥基苯乙烯衍生物所衍生的構成單位」表示羥基苯乙烯衍生物的乙烯性雙鍵經開裂而構成的構成單位之意思。所謂「羥基苯乙烯衍生物」表示，包含羥基苯乙烯的α位氫原子由烷基、鹵化烷基等其他取代基所取代者，以即此等衍生物之概念。作為此等衍生物，可舉出α位氫原子可由取代基所取代的羥基苯乙烯中，將其中的羥基之氫原子由有機基所取代者；α位氫原子可由取代基所取代的羥基苯乙烯之苯環上，鍵結除羥基以外的取代基者等。且α位(α位碳原子)若無特別說明，其為苯環所鍵結的碳原子的意思。作為取代羥基苯乙烯的α位氫原子之取代基，可舉出在前述α取代丙烯酸酯中，與作為α位取代基之相同者。

所謂「由乙烯基安息香酸或者乙烯基安息香酸衍生物所衍生的構成單位」表示，乙烯基安息香酸或者乙烯基安息香酸衍生物之乙烯性雙鍵經開裂所構成的構成單位之意思。所謂「乙烯基安息香酸衍生物」表示，含有乙烯基安息香酸的α位氫原子由烷基、鹵化烷基等其他取代基所取代者，以及此等衍生物之概念。作為此等衍生物，可舉出α位氫原子可由取代基所取代的乙烯基安息香酸中，將其羧基的氫原子由有機基所取代者；於α位氫原子可由取代基所取代的乙烯基安息香酸之苯環上，鍵結除羥基及羧基以外的取代基者。且，α位(α位碳原子)若無特別說明，其為鍵結於苯環之碳原子。

所謂「苯乙烯衍生物」表示，含有苯乙烯的α位氫原子由烷基、鹵化烷基等其他取代基所取代者，以及此等衍生物之概念。作為此等衍生物，可舉出α位氫原子可由取代基所取代的羥基苯乙烯之苯環上鍵結取代基者等。且，α位(α位碳原子)若無特別說明，其為鍵結於苯環之碳原子。所謂「由苯乙烯衍生的構成單位」、「由苯乙烯衍生物衍生的構成單位」表示苯乙烯或苯乙烯衍生物的乙烯性雙鍵經開裂所構成的構成單位之意思。

作為上述α位取代基的烷基以直鏈狀或分支鏈狀烷基為佳，具體可舉出碳數1～5的烷基(甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基)等。又，作為α位取代基的鹵化烷基，具體可舉出將上述「作為α位取代基的烷基」之氫原子的一部分或全部由鹵素原子所取代的基。作為該鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特佳為氟原子。又，作為α位取代基的羥基烷基，具體可舉出將上述「作為α位取代基的烷基」之氫原子的一部分或全部由羥基所取代的基。於該羥基烷基中之羥基的數目以1～5為佳，以1為最佳。

對於本說明書及本申請專利範圍，於化學式所示結構中存在不對稱碳，可存在鏡像異構物(enantiomer)或非對映異構物(diastereomer)者。以該情況之一的化學式代表此等異構物而表示。可單獨使用此等異構物，亦可作為混合物使用。

(阻劑組成物) 有關本發明之第1態樣的阻劑組成物為，藉由曝光產生酸且藉由酸的作用對於顯像液的溶解性產生變化者，含有藉由酸的作用對於顯像液的溶解性產生變化的基材成分(A)(以下亦稱為「(A)成分」)，與藉由曝光產生酸的酸產生劑成分(B)(以下亦稱為「(B)成分」)。

使用該阻劑組成物而形成阻劑膜，對於該阻劑膜進行選擇性曝光時，在該阻劑膜之曝光部中自(B)成分產生酸，藉由該酸的作用(A)成分對於顯像液的溶解性產生變化，另一方面，在該阻劑膜之未曝光部中(A)成分對於顯像液的溶解性未產生變化，故在曝光部與未曝光部之間對於顯像液的溶解性產生差。因此，將該阻劑膜進行顯像時，該阻劑組成物為正型時，阻劑膜曝光部會經溶解並除去而形成正型的阻劑圖型，該阻劑組成物為負型時，阻劑膜未曝光部會溶解並除去而形成負型的阻劑圖型。

對於本說明書，將阻劑膜曝光部經溶解除去而形成正型阻劑圖型的阻劑組成物稱為正型阻劑組成物，將阻劑膜未曝光部未經溶解除去而形成負型阻劑圖型的阻劑組成物稱為負型阻劑組成物。本實施形態之阻劑組成物可為正型阻劑組成物，亦可為負型阻劑組成物。又，本實施形態之阻劑組成物可為在阻劑圖型形成時的顯像處理中使用鹼顯像液的鹼顯像製程用者，亦可為於該顯像處理中使用含有有機溶劑之顯像液(有機系顯像液)的溶劑顯像製程用者。

本實施形態之阻劑組成物為具有藉由曝光產生酸的酸產生能者，除(B)成分以外，(A)成分亦可為藉由曝光產生酸者。在(A)成分藉由曝光而產生酸時，該(A)成分成為「藉由曝光產生酸，且藉由酸的作用對於顯像液的溶解性產生變化之基材成分」。 (A)成分若為藉由曝光產生酸，且藉由酸的作用對於顯像液的溶解性產生變化的基材成分時，後述(A1)成分以藉由曝光產生酸，且藉由酸的作用對於顯像液的溶解性產生變化之高分子化合物者為佳。作為如此高分子化合物，可舉出具有藉由曝光產生酸的構成單位之樹脂。對於衍生藉由曝光產生酸的構成單位之單體，可使用公知者。

＜(A)成分＞對於本實施形態之阻劑組成物，(A)成分以含有藉由酸的作用對於顯像液的溶解性產生變化的樹脂成分(A1) (以下亦稱為「(A1)成分」)者為佳。藉由使用(A1)成分，因在曝光前後基材成分之極性會產生變化，故不僅在鹼顯像製程上，在溶劑顯像製程上亦可得到良好顯像對比。作為(A)成分，至少使用(A1)成分，亦可併用該(A1)成分與其他高分子化合物及/或低分子化合物。

適用於鹼顯像製程時，含有該(A1)成分的基材成分在曝光前對於鹼顯像液為難溶性，例如藉由曝光而自(B)成分產生酸時，藉由該酸的作用而使極性增大，對於鹼顯像液的溶解性會增大。因此，於阻劑圖型之形成中，對於將該阻劑組成物塗布於支持體上所得之阻劑膜進行選擇性曝光時，阻劑膜曝光部對於鹼顯像液可由難溶性變化為可溶性，另一方面，阻劑膜未曝光部因維持在鹼難溶性而未有變化，故藉由進行鹼顯像可形成正型阻劑圖型。

另一方面，適用溶劑顯像製程時，含有該(A1)成分之基材成分在曝光前對於有機系顯像液為高溶解性，例如藉由曝光自(B)成分產生酸時，藉由該酸的作用會使極性變高，對於有機系顯像液之溶解性會減少。因此，於阻劑圖型之形成中，對於將該阻劑組成物塗布於支持體上而得之阻劑膜進行選擇性曝光時，阻劑膜曝光部對於有機系顯像液由可溶性變化成難溶性，另一方面，阻劑膜未曝光部因維持在可溶性而未有變化，故藉由有機系顯像液進行顯像時，可使在曝光部與未曝光部之間賦予對比，而形成負型阻劑圖型。

對於本實施形態之阻劑組成物，(A)成分可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

･對於(A1)成分 (A1)成分為藉由酸的作用對於顯像液的溶解性產生變化的樹脂成分，含有具有構成單位(a0)之高分子化合物(A1)。 (A1)成分中除具有構成單位(a0)以外，視必要亦可具有其他構成單位。

≪構成單位(a0)≫ 構成單位(a0)為含有下述一般式(a01-r-1)所示酸解離性基之構成單位。構成單位(a0)因係具有一般式(a01-r-1)所示酸解離性基者，故藉由同時使用後述作為酸產生劑成分之(B1)成分，可提高CDU等光刻特性。

[式中，R⁰¹ 表示碳數4以上的烷基。n表示1～4的整數。*表示鍵結手。]

前述式(a01-r-1)中，R⁰¹ 表示碳數4以上的烷基。前述烷基的碳數若為4以上即可並無特別限定，例如可舉出碳數4～20。前述烷基以碳數4～15為佳，以碳數4～10為佳，以碳數4～8為較佳，以碳數4～6為更佳。於R⁰¹ 中之烷基可為直鏈狀，亦可為分支鏈狀。作為直鏈狀烷基，例如可舉出n-丁基、n-戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基等。作為分支鏈狀烷基，可舉出異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二甲基丙基、1,1-二乙基丙基、2,2-二甲基丁基等。於R⁰¹ 中之烷基，由容易脱保護的觀點來看，以分支鏈狀烷基為佳。

於R⁰¹ 中之烷基，由容易脱保護的觀點來看，以具有第4級碳原子者為佳。前述烷基中，第4級碳原子可在任一位置，但由脱保護之觀點來看，以鍵結於前述式(a01-r-1)中之單環脂環式基的碳原子為第4級碳原子者為佳。作為具有第4級碳原子的R⁰¹ 之具體例子，可舉出下述一般式(a01-r-r1)所示基。

[式中，Ya⁰¹ 為第4級碳原子。Ra⁰¹¹ 、Ra⁰¹² 及Ra⁰¹³ 各自獨立為烷基。*為鍵結於前述式(a01-r-1)中之單環脂環式基的鍵結手]

前述式(a01-r-r1)中，Ya⁰¹ 為第4級碳原子。即，鍵結於Ya⁰ (碳原子)的隣接碳原子為4個。

前述式(a01-r-r1)中，Ra⁰¹¹ 、Ra⁰¹² 及Ra⁰¹³ 各自獨立為烷基。作為Ra⁰¹¹ 、Ra⁰¹² 及Ra⁰¹³ 中之烷基，各自獨立可舉出碳數1～10的烷基。前述烷基以碳數1～5為佳，以碳數1～4為較佳，以碳數1～3為更佳，以碳數1或2特佳。Ra⁰¹¹ 、Ra⁰¹² 及Ra⁰¹³ 中之烷基可為直鏈狀，亦可為分支鏈狀。作為直鏈狀烷基，可舉出甲基、乙基、n-丁基、n-戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基等。作為分支鏈狀烷基，可舉出異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二甲基丙基、1,1-二乙基丙基、2,2-二甲基丁基等。

前述式(a01-r-1)中，n表示1～4的整數。 n以1～3為佳，以1或2為較佳，以1為更佳。

式(a01-r-1)所示酸解離性基之具體例子如以下所示。

上述之中亦由容易脱保護的觀點來看，以式(a01-r1-1)～(a01-r1-6)中任一者所示酸解離性基為佳。

作為構成單位(a0)，可舉出由鍵結於α位碳原子的氫原子可由取代基所取代的丙烯酸酯所衍生的構成單位、由丙烯醯胺衍生的構成單位、由羥基苯乙烯或者羥基苯乙烯衍生物所衍生的構成單位之羥基中之氫原子的至少一部分由含有前述酸分解性基之取代基所保護的構成單位、由乙烯基安息香酸或者乙烯基安息香酸衍生物所衍生的構成單位之-C(=O)-OH中之氫原子的至少一部分藉由含有前述酸分解性基之取代基所保護的構成單位等。

作為構成單位(a0)，上述中亦以由鍵結於α位碳原子的氫原子可由取代基所取代的丙烯酸酯所衍生的構成單位為佳。作為該構成單位(a0)之較佳具體例子，可舉出下述一般式(a0-1)或(a1-2)所示構成單位。

[式中，R表示氫原子、碳數1～5的烷基或碳數1～5的鹵化烷基。Va⁰¹¹ 表示可具有醚鍵之2價烴基。n_a011 為0～2的整數。Ra⁰¹¹ 表示前述一般式(a01-r-1)所示酸解離性基]

前述式(a0-1)中，R的碳數1～5的烷基以碳數1～5的直鏈狀或分支鏈狀烷基為佳，具體可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。碳數1～5的鹵化烷基為前述碳數1～5的烷基之氫原子的一部分或全部由鹵素原子所取代的基。作為該鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特佳為氟原子。作為R，以氫原子、碳數1～5的烷基或碳數1～5的氟化烷基為佳，以工業上獲得容易度來看，以氫原子或甲基為最佳。

前述式(a0-1)中，Va⁰¹¹ 中之2價的烴基可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基。

作為Va⁰¹¹ 中之2價烴基的脂肪族烴基可為飽和，亦可為不飽和，通常以飽和者為佳。作為該脂肪族烴基，更具體可舉出直鏈狀或者分支鏈狀脂肪族烴基，或於結構中含有環之脂肪族烴基等。

前述直鏈狀脂肪族烴基以碳數1～10者為佳，以碳數1～6為較佳，以碳數1～4為更佳，以碳數1～3為最佳。作為直鏈狀脂肪族烴基，以直鏈狀伸烷基為佳，具體可舉出亞甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、三亞甲基 [-(CH₂ )₃ -]、四亞甲基[-(CH₂ )₄ -]、五亞甲基[-(CH₂ )₅ -]等。前述分支鏈狀脂肪族烴基以碳數2～10者為佳，以碳數3～6為較佳，以碳數3或4為更佳，以碳數3為最佳。作為分支鏈狀脂肪族烴基，以分支鏈狀伸烷基為佳，具體可舉出-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、 -C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等烷基亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、-CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、 -C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、-C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等烷基伸乙基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等烷基三亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等烷基四亞甲基等烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中之烷基，以碳數1～5的直鏈狀烷基為佳。

作為前述於結構中含有環之脂肪族烴基，可舉出脂環式烴基(自脂肪族烴環除去2個氫原子之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基之末端的基、脂環式烴基於直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基之途中存在的基等。作為前述直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基，可舉出與前述直鏈狀脂肪族烴基或前述分支鏈狀脂肪族烴基的相同者。前述脂環式烴基以碳數3～20者為佳，以碳數3～12者為較佳。前述脂環式烴基可為多環式，亦可為單環式。作為單環式脂環式烴基，以自單環烷烴除去2個氫原子的基為佳。作為該單環烷烴以碳數3～6者為佳，具體可舉出環戊烷、環己烷等。作為多環式脂環式烴基，以自聚環烷烴除去2個氫原子的基為佳，作為該聚環烷烴以碳數7～12者為佳，具體可舉出金剛烷、降冰片烷、異冰片、三環癸烷、四環十二烷等。

作為於Va⁰¹¹ 中之2價烴基的芳香族烴基為具有芳香環之烴基。該芳香族烴基以碳數3～30者為佳，以5～30者為較佳，以5～20為更佳，以6～15為特佳，以6～12為最佳。但，於該碳數中未含有取代基中之碳數。作為芳香族烴基所具有的芳香環之具體例子，可舉出苯、聯苯基、芴、萘、蒽、菲等芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子的一部分由雜原子所取代的芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，可舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為該芳香族烴基，具體可舉出自前述芳香族烴環除去2個氫原子的基(伸芳基)；自前述芳香族烴環除去1個氫原子之基(芳基)的氫原子之1由伸烷基所取代的基(例如苯甲基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等芳基烷基中之自芳基進一步除去氫原子的基)等。前述伸烷基(芳基烷基中的烷基鏈)之碳數以1～4者為佳，以1～2者為較佳，以1為特佳。

前述式(a0-1)中，Ra⁰¹¹ 為上述式(a0-r-1)所示酸解離性基。

於以下例示出前述式(a0-1)所示構成單位之具體例子。以下各式中，R^α 表示氫原子、甲基或三氟甲基。

(A1)成分所具有構成單位(a01)可為1種亦可為2種以上。 (A1)成分中，構成單位(a01)之比例相對於構成該(A1)成分之全構成單位的合計(100莫耳%)而言以1～80莫耳%為佳，以20～75莫耳%為較佳，以30～70莫耳%為更佳，以40～60莫耳%特佳。藉由將構成單位(a01)的比例設定在前述較佳範圍之下限值以上時，可提高CDU等光刻特性。又，藉由設定在前述較佳範圍的上限值以下時，可取得與其他構成單位之平衡，使種種光刻的特性變良好。

≪其他構成單位≫ (A1)成分可具有上述構成單位(a01)以外的其他構成單位。作為其他構成單位，例如可舉出：含有藉由酸的作用使極性增大的酸分解性基之構成單位(a1)(但，除去相當於構成單位(a01)者)；具有含有內酯的環式基、含有環狀無水物的環式基、含有-SO₂ -的環式基或含有碳酸酯的環式基之構成單位(a2)；具有含有極性基的脂肪族烴基之構成單位(a3)；含有酸非解離性之脂肪族環式基的構成單位(a4)；後述一般式(a10-1)所示構成單位(a10)；由苯乙烯所衍生的構成單位；由苯乙烯衍生物所衍生的構成單位等。

對於構成單位(a1)：構成單位(a1)為含有藉由酸的作用使極性增大的酸分解性基之構成單位。但，除去相當於上述構成單位(a0)者。(A1)成分在不損害本發明之效果的範圍下可具有構成單位(a1)。「酸分解性基」為具有藉由酸的作用使該酸分解性基的結構中之至少一部分的鍵結可開裂的酸分解性之基。作為藉由酸的作用使極性增大的酸分解性基，例如可舉出藉由酸的作用進行分解而產生極性基之基。作為極性基，例如可舉出羧基、羥基、胺基、磺酸基(-SO₃ H)等。此等中，以於結構中含有-OH的極性基(以下有時稱為「含有OH的極性基」)為佳，以羧基或羥基為較佳，以羧基特佳。作為酸分解性基，更具體可舉出前述極性基以酸解離性基進行保護的基(例如將含有OH的極性基之氫原子以酸解離性基保護的基)。

於此所謂的「酸解離性基」表示，(i)具有藉由酸的作用，使該於酸解離性基與該酸解離性基所隣接的原子之間的鍵結可開裂的酸解離性之基，或(ii)藉由酸的作用使一部分的鍵結開裂後，進一步藉由產生脱碳酸反應，使在該酸解離性基與該酸解離性基所隣接的原子之間的鍵結可開裂之基的雙方。構成酸分解性基之酸解離性基必須為比藉由該酸解離性基之解離所生成的極性基之極性更為低的基，藉此，藉由酸的作用來解離該酸解離性基時，會產生比該酸解離性基之極性更高的極性基而極性增大。其結果，增大(A1)成分全體之極性。藉由增大極性，相對地對於顯像液之溶解性產生變化，在顯像液為鹼顯像液之情況為，溶解性增大，顯像液在有機系顯像液之情況下溶解性減少。

作為酸解離性基，至今可舉出有人提案出的作為化學增幅型阻劑組成物用之基礎樹脂的酸解離性基。作為化學增幅型阻劑組成物用的基礎樹脂之酸解離性基所被提案者，具體可舉出以下說明的「縮醛型酸解離性基」、「第3級烷基酯型酸解離性基」、「第3級烷氧基羰基酸解離性基」。

縮醛型酸解離性基：作為於前述極性基中保護羧基或羥基之酸解離性基，例如可舉出下述一般式(a1-r-1)所示酸解離性基(以下有時稱為「縮醛型酸解離性基」。)。

[式中，Ra’¹ 、Ra’² 為氫原子或烷基。Ra’³ 為烴基，Ra’³ 可與Ra’¹ 、Ra’² 中任者鍵結而可形成環]

式(a1-r-1)中，Ra’¹ 及Ra’² 中，至少一方以氫原子者為佳，以雙方為氫原子者為較佳。 Ra’¹ 或Ra’² 為烷基時，作為該烷基，在對於上述α取代丙烯酸酯之說明中，可舉出與作為可鍵結於α位碳原子之取代基所舉出的烷基之相同者，以碳數1～5的烷基為佳。具體以所舉出直鏈狀或分支鏈狀烷基為佳。更具體可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等，以甲基或乙基為較佳，以甲基特佳。

式(a1-r-1)中，作為Ra’³ 的烴基，可舉出直鏈狀或者分支鏈狀烷基，或環狀烴基。該直鏈狀烷基以碳數1～5者為佳，以碳數1～4為較佳，以碳數1或2為更佳。具體可舉出甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。此等中亦以甲基、乙基或n-丁基為佳，以甲基或乙基為較佳。

該分支鏈狀烷基以碳數3～10者為佳，以碳數3～5為較佳。具體可舉出異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙基丙基、2,2-二甲基丁基等，以異丙基者為佳。

Ra’³ 為環狀烴基時，該烴基可為脂肪族烴基亦可為芳香族烴基，又可為多環式基亦可為單環式基。作為單環式基之脂肪族烴基，以自單環烷烴除去1個氫原子的基為佳。作為該單環烷烴，以碳數3～6者為佳，具體可舉出環戊烷、環己烷等。作為多環式基之脂肪族烴基，以自聚環烷烴除去1個氫原子的基為佳，作為該聚環烷烴，以碳數7～12者為佳，具體可舉出金剛烷、降冰片烷、異冰片、三環癸烷、四環十二烷等。

Ra’³ 的環狀烴基為芳香族烴基時，該芳香族烴基為具有至少1個芳香環之烴基。該芳香環若為具有4n+2個π電子之環狀共軛系即可，並無特別限定，可為單環式亦可為多環式。芳香環以碳數5～30者為佳，以碳數5～20為較佳，以碳數6～15為更佳，以碳數6～12特佳。作為芳香環，具體可舉出苯、萘、蒽、菲等芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子的一部分由雜原子所取代之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，可舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體可舉出吡啶環、噻吩環等。作為Ra’³ 中之芳香族烴基，具體可舉出自前述芳香族烴環或芳香族雜環除去1個氫原子之基(芳基或雜芳基)；自含有2個以上芳香環之芳香族化合物(例如為聯苯基、芴等)除去1個氫原子之基；前述芳香族烴環或芳香族雜環的1個氫原子由伸烷基所取代之基(例如苯甲基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等芳基烷基等)等。鍵結於前述芳香族烴環或芳香族雜環之伸烷基的碳數以1～4者為佳，以碳數1～2者為較佳，以碳數1者為特佳。

Ra’³ 中之環狀烴基可具有取代基。作為該取代基，例如可舉出-R^P1 、-R^P2 -O-R^P1 、-R^P2 -CO-R^P1 、-R^P2 -CO-OR^P1 、-R^P2 -O-CO-R^P1 、-R^P2 -OH、-R^P2 -CN或-R^P2 -COOH(以下可將此等取代基歸納稱為「Ra⁰⁵ 」。)等。其中，R^P1 為碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基、碳數3～20的1價脂肪族環狀飽和烴基或碳數6～30的1價芳香族烴基。又，R^P2 為單鍵、碳數1～10的2價鏈狀飽和烴基、碳數3～20的2價脂肪族環狀飽和烴基或碳數6～30的2價芳香族烴基。但，R^P1 及R^P2 的鏈狀飽和烴基、脂肪族環狀飽和烴基及芳香族烴基所具有氫原子的一部分或全部可由氟原子所取代。上述脂肪族環狀烴基可為單獨1種且1個以上的上述取代基，上述取代基中可具有各1種以上的複數種。作為碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基，例如可舉出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基等。作為碳數3～20的1價脂肪族環狀飽和烴基，例如舉出環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基、環十二烷基等單環式脂肪族飽和烴基；聯環[2.2.2]辛基、三環[5.2.1.02,6]癸基、三環[3.3.1.13,7]癸基、四環[6.2.1.13,6.02,7]十二烷基、金剛烷基等多環式脂肪族飽和烴基。作為碳數6～30的1價芳香族烴基，例如可舉出自苯、聯苯基、芴、萘、蒽、菲等芳香族烴環除去1個氫原子之基。

Ra’³ 與Ra’¹ 、Ra’² 中任一者進行鍵結而形成環時，作為該環式基，以4～7員環為佳，以4～6員環為較佳。作為該環式基之具體例子，可舉出四氫吡喃基、四氫呋喃基等。

第3級烷基酯型酸解離性基：上述極性基中，作為保護羧基的酸解離性基，例如可舉出下述一般式(a1-r-2)所示酸解離性基。且，下述式(a1-r-2)所示酸解離性基中，將藉由烷基所構成者簡便地稱為以下「第3級烷基酯型酸解離性基」。

[式中，Ra’⁴ ～Ra’⁶ 各為烴基，Ra’⁵ 、Ra’⁶ 彼此鍵結可形成環]

作為Ra’⁴ 的烴基，可舉出直鏈狀或者分支鏈狀烷基、鏈狀或者環狀烯基或環狀烴基。於Ra’⁴ 中之直鏈狀或者分支鏈狀烷基、環狀烴基(單環式基之脂肪族烴基、多環式基之脂肪族烴基、芳香族烴基)皆舉出與前述Ra’³ 之相同者。 Ra’⁴ 中之鏈狀或者環狀烯基以碳數2～10的烯基為佳。作為Ra’⁵ 、Ra’⁶ 的烴基，可舉出與前述Ra’³ 之相同者。

Ra’⁵ 與Ra’⁶ 彼此鍵結而形成環時，可舉出下述一般式(a1-r2-1)所示基、下述一般式(a1-r2-2)所示基、下述一般式(a1-r2-3)所示基之較佳者。另一方面，Ra’⁴ ～Ra’⁶ 未彼此鍵結而獨立為烴基時，可舉出下述一般式(a1-r2-4)所示基之較佳者。

[式(a1-r2-1)中，Ra’¹⁰ 表示碳數1～10的烷基，或下述一般式(a1-r2-r1)所示基。Ra’¹¹ 表示與Ra’¹⁰ 所鍵結的碳原子共同形成脂肪族環式基之基。式(a1-r2-2)中，Ya為碳原子。Xa為與Ya共同形成環狀烴基的基。該環狀烴基所具有氫原子的一部分或全部可被取代。Ra⁰¹ ～Ra⁰³ 各自獨立為氫原子、碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基或碳數3～20的1價脂肪族環狀飽和烴基。該鏈狀飽和烴基及脂肪族環狀飽和烴基所具有氫原子的一部分或全部可被取代。Ra⁰¹ ～Ra⁰³ 的2個以上可彼此鍵結形成環狀結構。式(a1-r2-3)中，Yaa為碳原子。Xaa為與Yaa共同形成脂肪族環式基的基。Ra⁰⁴ 為可具有取代基的芳香族烴基。式(a1-r2-4)中，Ra’¹² 及Ra’¹³ 各自獨立為碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基或氫原子。該鏈狀飽和烴基所具有氫原子的一部分或全部可被取代。Ra’¹⁴ 為可具有取代基的烴基。*表示鍵結手。]

[式中，Ya⁰ 為第4級碳原子。Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 各自獨立為可具有取代基的烴基。但，Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中1個以上為具有至少一個極性基之烴基]

上述之式(a1-r2-1)中，Ra’¹⁰ 的碳數1～10的烷基以作為式(a1-r-1)中之Ra’³ 的直鏈狀或分支鏈狀烷基所舉出的基為佳。Ra’¹⁰ 以碳數1～5的烷基者為佳。

前述式(a1-r2-r1)中，Ya⁰ 為第4級碳原子。即，鍵結於Ya⁰ (碳原子)的鄰近碳原子為4個。

前述式(a1-r2-r1)中，Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 各自獨立為可具有取代基的烴基。作為Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中之烴基，各自獨立可舉出直鏈狀或者分支鏈狀烷基、鏈狀或者環狀烯基或環狀烴基。

於Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中之直鏈狀烷基以碳數1～5者為佳，以1～4為較佳，以1或2為更佳。具體可舉出甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。此等中，亦以甲基、乙基或n-丁基為佳，以甲基或乙基為較佳。於Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中之分支鏈狀烷基以碳數3～10者為佳，以3～5為較佳。具體可舉出異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙基丙基、2,2-二甲基丁基等，以異丙基者為佳。於Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中之鏈狀或者環狀烯基以碳數2～10的烯基為佳。

於Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中之環狀烴基可為脂肪族烴基亦可為芳香族烴基，又可為多環式基亦可為單環式基。作為單環式基的脂肪族烴基，以自單環烷烴除去1個氫原子的基為佳。作為該單環烷烴，以碳數3～6者為佳，具體可舉出環戊烷、環己烷等。作為多環式基之脂肪族烴基，以自聚環烷烴除去1個氫原子的基為佳，作為該聚環烷烴，以碳數7～12者為佳，具體可舉出金剛烷、降冰片烷、異冰片、三環癸烷、四環十二烷等。

於Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中之該芳香族烴基為具有至少1個芳香環之烴基。該芳香環若為具有4n+2個π電子的環狀共軛系即可並無特別限定，可為單環式亦可為多環式。芳香環的碳數以5～30者為佳，以5～20為較佳，以6～15為更佳，以6～12特佳。作為芳香環，具體可舉出苯、萘、蒽、菲等芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子的一部分可由雜原子所取代的芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，可舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體可舉出吡啶環、噻吩環等。作為該芳香族烴基，具體可舉出自前述芳香族烴環或芳香族雜環除去1個氫原子之基(芳基或雜芳基)；自含有2個以上芳香環的芳香族化合物(例如聯苯基、芴等)除去1個氫原子之基；前述芳香族烴環或芳香族雜環的1個氫原子可由伸烷基所取代的基(例如苯甲基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等芳基烷基等)等。前述鍵結於芳香族烴環或芳香族雜環的伸烷基之碳數以1～4者為佳，以1～2者為較佳，以1者為特佳。

上述Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 所示烴基被取代時，作為該取代基，例如可舉出羥基、羧基、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子等)、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等)、烷氧基羰基等。

上述中，於Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中之可具有取代基的烴基，以可具有取代基的直鏈狀或者分支鏈狀烷基為佳，以直鏈狀烷基為較佳。

但，於Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中之1個以上為至少具有極性基之烴基。所謂「具有極性基之烴基」表示包含構成烴基的亞甲基(-CH₂ -)由極性基所取代者，或構成烴基的至少1個氫原子由極性基所取代者中任一者。作為該「具有極性基之烴基」，以下述一般式(a1-p1)所示官能基為佳。

[式中，Ra⁰⁷ 表示碳數2～12的2價烴基。Ra⁰⁸ 表示含有雜原子的2價連結基。Ra⁰⁶ 表示碳數1～12的1價烴基。n_p0 表示1～6的整數]

前述式(a1-p1)中，Ra⁰⁷ 表示碳數2～12的2價烴基。Ra⁰⁷ 的碳數為2～12，以碳數2～8為佳，以碳數2～6為較佳，以碳數2～4為更佳，以碳數2特佳。於Ra⁰⁷ 中之烴基以鏈狀或環狀脂肪族烴基為佳，以鏈狀烴基為較佳。作為Ra⁰⁷ ，例如可舉出伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、壬-1,9-二基、癸烷-1,10-二基、十一烷-1,11-二基、十二烷-1,12-二基等直鏈狀烷烴二基；丙烷-1,2-二基、1-甲基丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、戊烷-1,4-二基、2-甲基丁烷-1,4-二基等分支鏈狀烷烴二基；環丁烷-1,3-二基、環戊烷-1,3-二基、環己烷-1,4-二基、環辛烷-1,5-二基等環烷烴二基；降冰片烷-1,4-二基、降冰片烷-2,5-二基、金剛烷-1,5-二基、金剛烷-2,6-二基等多環式2價脂環式烴基等。上述之中亦以烷烴二基為佳，以直鏈狀烷烴二基為較佳。

前述式(a1-p1)中，Ra⁰⁸ 表示含有雜原子之2價連結基。作為Ra⁰⁸ ，例如可舉出-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、 -O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(H可由烷基、醯基等取代基所取代。)、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-等。此等中亦由對於顯像液的溶解性之觀點來看，以 -O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-為佳，以-O-、 -C(=O)-特佳。

前述式(a1-p1)中，Ra⁰⁶ 表示碳數1～12的1價烴基。Ra⁰⁶ 的碳數為1～12，由對於顯像液之溶解性的觀點來看，以碳數1～8為佳，以碳數1～5為較佳，以碳數1～3為更佳，以碳數1或2為特佳，以1為最佳。

於Ra⁰⁶ 中之烴基可舉出鏈狀烴基或者環狀烴基，或組合鏈狀與環狀之烴基。作為鏈狀烴基，例如可舉出甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基、n-己基、n-庚基、2-乙基己基、n-辛基、n-壬基、n-癸基、n-十一烷基、n-十二烷基等。

環狀烴基可為脂環式烴基，亦可為芳香族烴基。作為脂環式烴基，可為單環式或多環式中任一者，作為單環式脂環式烴基，例如可舉出環丙基、環丁基、環戊基、環己基、甲基環己基、二甲基環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基等環烷基。作為多環式脂環式烴基，例如可舉出十氫萘基、金剛烷基、2-烷基金剛烷-2-基、1-(金剛烷-1-基)烷烴-1-基、降冰片基、甲基降冰片基、異冰片基等。作為芳香族烴基，例如可舉出苯基、萘基、蒽基、p-甲基苯基、p-tert-丁基苯基、p-金剛烷基苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯基、三甲苯基、聯苯基、菲基、2,6-二乙基苯基、2-甲基-6-乙基苯基等。

作為Ra⁰⁶ ，由對於顯像液的溶解性之觀點來看，以鏈狀烴基為佳，以烷基為較佳，以直鏈狀烷基為更佳。

前述式(a1-p1)中，n_p0 為1～6的整數，以1～3的整數為佳，以1或2為較佳，以1為更佳。

以下表示具有至少極性基之烴基的具體例子。以下式中，*表示鍵結於第4級碳原子(Ya⁰ )之鍵結手。

前述式(a1-r2-r1)中，於Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中，至少具有極性基的烴基之個數為1個以上，但若考慮到阻劑圖型形成時對於顯像液之溶解性時適宜地決定即可，例如Ra⁰³¹ 、Ra⁰³² 及Ra⁰³³ 中之1或2個為佳，特佳為1個。

前述至少具有極性基之烴基可具有極性基以外之取代基。作為該取代基，例如可舉出鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子等)、碳數1～5的鹵化烷基。

式(a1-r2-1)中，Ra’¹¹ (Ra’¹⁰ 與所鍵結的碳原子共同所形成之脂肪族環式基)係以作為式(a1-r-1)中之Ra’³ 的單環式基或多環式基之脂肪族烴基所舉出的基為佳。

式(a1-r2-2)中，作為Xa與Ya共同所形成的環狀烴基，可舉出自前述式(a1-r-1)中之Ra’³ 中之環狀1價烴基(脂肪族烴基)進一步除去1個以上氫原子之基。 Xa與Ya共同所形成的環狀烴基可具有取代基。作為該取代基，可舉出與上述Ra’³ 中之環狀烴基可具有的取代基之相同者。式(a1-r2-2)中，作為於Ra⁰¹ ～Ra⁰³ 中之碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基，例如可舉出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基等。作為於Ra⁰¹ ～Ra⁰³ 中之碳數3～20的1價脂肪族環狀飽和烴基，例如可舉出環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基、環十二烷基等單環式脂肪族飽和烴基；聯環[2.2.2]辛基、三環[5.2.1.02,6]癸基、三環[3.3.1.13,7]癸基、四環[6.2.1.13,6.02,7]十二烷基、金剛烷基等多環式脂肪族飽和烴基等。 Ra⁰¹ ～Ra⁰³ 中亦由衍生構成單位(a1)的單體化合物之合成容易性的觀點來看，以氫原子、碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基為佳，其中亦以氫原子、甲基、乙基為較佳，以氫原子特佳。

作為上述Ra⁰¹ ～Ra⁰³ 所示鏈狀飽和烴基，或脂肪族環狀飽和烴基所具有取代基，例如可舉出與上述Ra⁰⁵ 的相同基。

作為由Ra⁰¹ ～Ra⁰³ 的2個以上彼此鍵結而形成環狀結構所產生的含有碳-碳雙鍵之基，例如可舉出環戊烯基、環己烯基、甲基環戊烯基、甲基環己烯基、環亞戊基乙烯基、環亞己基乙烯基等。此等中亦由衍生構成單位(a1)的單體化合物之合成容易性的觀點來看，以環戊烯基、環己烯基、環亞戊基乙烯基為佳。

式(a1-r2-3)中，Xaa與Yaa共同所形成的脂肪族環式基以作為式(a1-r-1)中之Ra’³ 的單環式基或多環式基之脂肪族烴基所舉出的基為佳。式(a1-r2-3)中，作為Ra⁰⁴ 中之芳香族烴基，可舉出自碳數5～30的芳香族烴環除去1個以上氫原子之基。其中Ra⁰⁴ 亦以自碳數6～15的芳香族烴環除去1個以上氫原子之基為佳，以自苯、萘、蒽或菲除去1個以上氫原子之基為較佳，以自苯、萘或蒽除去1個以上氫原子之基為更佳，以自苯或萘除去1個以上氫原子之基為特佳，以自苯除去1個以上氫原子之基為最佳。

作為式(a1-r2-3)中之Ra⁰⁴ 可具有的取代基，例如可舉出甲基、乙基、丙基、羥基、羧基、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子等)、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等)、烷氧基羰基等。

式(a1-r2-4)中，Ra’¹² 及Ra’¹³ 各自獨立為碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基或氫原子。作為於Ra’¹² 及Ra’¹³ 中之碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基，可舉出與上述於Ra⁰¹ ～Ra⁰³ 中之碳數1～10的1價鏈狀飽和烴基之相同者。該鏈狀飽和烴基所具有氫原子之一部分或全部可被取代。 Ra’¹² 及Ra’¹³ 中亦以氫原子、碳數1～5的烷基為佳，以碳數1～5的烷基為較佳，以甲基、乙基為更佳，以甲基特佳。上述Ra’¹² 及Ra’¹³ 所示鏈狀飽和烴基被取代時，作為該取代基，例如可舉出與上述Ra⁰⁵ 之相同基。

式(a1-r2-4)中，Ra’¹⁴ 為可具有取代基之烴基。作為Ra’¹⁴ 中之烴基，可舉出直鏈狀或者分支鏈狀烷基或環狀烴基。

於Ra’¹⁴ 中之直鏈狀烷基，以碳數1～5者為佳，以1～4為較佳，以1或2為更佳。具體可舉出甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。此等中亦以甲基、乙基或n-丁基為佳，以甲基或乙基為較佳。

於Ra’¹⁴ 中之分支鏈狀烷基以碳數3～10者為佳，以3～5為較佳。具體可舉出異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙基丙基、2,2-二甲基丁基等，以異丙基者為佳。

在Ra’¹⁴ 為環狀烴基時，該烴基可為脂肪族烴基亦可為芳香族烴基，又可為多環式基亦可為單環式基。作為單環式基之脂肪族烴基，以自單環烷烴除去1個氫原子的基為佳。作為該單環烷烴，以碳數3～6者為佳，具體可舉出環戊烷、環己烷等。作為多環式基之脂肪族烴基，以自聚環烷烴除去1個氫原子的基為佳，作為該聚環烷烴，以碳數7～12者為佳，具體可舉出金剛烷、降冰片烷、異冰片、三環癸烷、四環十二烷等。

作為Ra’¹⁴ 中之芳香族烴基，可舉出與Ra⁰⁴ 中之芳香族烴基之相同者。其中亦以Ra’¹⁴ 為自碳數6～15的芳香族烴環除去1個以上氫原子的基為佳，以自苯、萘、蒽或菲除去1個以上氫原子的基為較佳，以自苯、萘或蒽除去1個以上氫原子的基為更佳，以自萘或蒽除去1個以上氫原子的基為特佳，以自萘除去1個以上氫原子的基為最佳。作為Ra’¹⁴ 可具有的取代基，可舉出與Ra⁰⁴ 可具有的取代基之相同者。

式(a1-r2-4)中之Ra’¹⁴ 為萘基時，與前述式(a1-r2-4)中之第3級碳原子鍵結的位置可為萘基之第1位或第2位中任一者。式(a1-r2-4)中之Ra’¹⁴ 為蒽基時，與前述式(a1-r2-4)中之第3級碳原子鍵結的位置可為蒽基之第1位、第2位或第9位中任一者。

前述式(a1-r2-1)所示基之具體例子可舉出以下者。

前述式(a1-r2-2)所示基的具體例子可舉出以下者。

前述式(a1-r2-3)所示基的具體例子可舉出以下者。

前述式(a1-r2-4)所示基的具體例子可舉出以下者。

第3級烷氧基羰基酸解離性基：作為前述極性基中保護羥基之酸解離性基，例如可舉出下述一般式(a1-r-3)所示酸解離性基(以下有時簡稱為「第3級烷氧基羰基酸解離性基」)。

[式中，Ra’⁷ ～Ra’⁹ 各為烷基]

式(a1-r-3)中，Ra’⁷ ～Ra’⁹ 各以碳數1～5的烷基為佳，以碳數1～3的烷基為較佳。又，各烷基之合計碳數以3～7者為佳，以碳數3～5者為較佳，以碳數3～4者為最佳。

作為構成單位(a1)，可舉出由在α位碳原子鍵結的氫原子可由取代基所取代的丙烯酸酯衍生的構成單位、由丙烯醯胺所衍生的構成單位、由羥基苯乙烯或者羥基苯乙烯衍生物所衍生的構成單位之羥基中之氫原子的至少一部分由含有前述酸分解性基之取代基保護的構成單位、由乙烯基安息香酸或者乙烯基安息香酸衍生物所衍生的構成單位之-C(=O)-OH中之氫原子的至少一部分由含有前述酸分解性基之取代基保護的構成單位等。

作為構成單位(a1)，上述中，亦以由在α位碳原子鍵結的氫原子可由取代基所取代的丙烯酸酯所衍生的構成單位為佳。作為該構成單位(a1)之較佳具體例子，可舉出下述一般式(a1-1)或(a1-2)所示構成單位。

[式中，R為氫原子、碳數1～5的烷基或碳數1～5的鹵化烷基。Va¹ 為可具有醚鍵的2價烴基。n_a1 為0～2的整數。Ra¹ 為上述一般式(a1-r-1)或(a1-r-2)所示酸解離性基。Wa¹ 為n_a2 +1價烴基，n_a2 為1～3的整數，Ra² 為上述一般式(a1-r-1)或(a1-r-3)所示酸解離性基]

前述式(a1-1)中，R的碳數1～5的烷基以碳數1～5的直鏈狀或分支鏈狀烷基為佳，具體可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。碳數1～5的鹵化烷基為前述碳數1～5的烷基之氫原子的一部分或全部由鹵素原子所取代的基。作為該鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別以氟原子為佳。作為R，以氫原子、碳數1～5的烷基或碳數1～5的氟化烷基為佳，由工業上容易獲得之觀點來看以氫原子或甲基為最佳。

前述式(a1-1)中，Va¹ 中之2價烴基可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基。

作為Va¹ 中之2價烴基的脂肪族烴基可為飽和，亦可為不飽和，通常以飽和者為佳。作為該脂肪族烴基，更具體可舉出直鏈狀或者分支鏈狀脂肪族烴基，或於結構中含有環之脂肪族烴基等。

前述直鏈狀脂肪族烴基以碳數1～10者為佳，以碳數1～6為較佳，以碳數1～4為更佳，以碳數1～3為最佳。作為直鏈狀脂肪族烴基，以直鏈狀伸烷基為佳，具體可舉出亞甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、三亞甲基 [-(CH₂ )₃ -]、四亞甲基[-(CH₂ )₄ -]、五亞甲基[-(CH₂ )₅ -]等。前述分支鏈狀脂肪族烴基以碳數2～10者為佳，以碳數3～6為較佳，以碳數3或4為更佳，以碳數3為最佳。作為分支鏈狀脂肪族烴基，以分支鏈狀伸烷基為佳，具體可舉出-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、-C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等烷基亞甲基； -CH(CH₃ )CH₂ -、-CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ CH₂ -、 -CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、-C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等烷基伸乙基； -CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等烷基三亞甲基； -CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等烷基四亞甲基等烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中之烷基，以碳數1～5的直鏈狀烷基為佳。

作為於前述結構中含有環之脂肪族烴基，可舉出脂環式烴基(自脂肪族烴環除去2個氫原子之基)、於脂環式烴基為直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基的末端上鍵結的基、脂環式烴基隔在直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基之途中的基等。作為前述直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基，可舉出與前述直鏈狀脂肪族烴基或前述分支鏈狀脂肪族烴基之相同者。前述脂環式烴基以碳數3～20者為佳，以碳數3～12者為較佳。前述脂環式烴基可為多環式亦可為單環式。作為單環式脂環式烴基，以由單環烷烴除去2個氫原子的基為佳。作為該單環烷烴以碳數3～6者為佳，具體可舉出環戊烷、環己烷等。作為多環式脂環式烴基，以由聚環烷烴除去2個氫原子的基為佳，作為該聚環烷烴以碳數7～12者為佳，具體可舉出金剛烷、降冰片烷、異冰片、三環癸烷、四環十二烷等。

作為Va¹ 中之2價烴基的芳香族烴基為具有芳香環之烴基。該芳香族烴基以碳數3～30者為佳，以5～30者為較佳，以5～20為更佳，以6～15為特佳，以6～12為最佳。但該碳數未含有取代基中之碳數。作為芳香族烴基所具有芳香環之具體例子，可舉出苯、聯苯基、芴、萘、蒽、菲等芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子的一部分由雜原子所取代的芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，可舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為該芳香族烴基，具體可舉出自前述芳香族烴環除去2個氫原子之基(伸芳基)；自前述芳香族烴環除去1個氫原子之基(芳基)的1個氫原子由伸烷基所取代之基(例如自苯甲基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等芳基烷基中之芳基進一步除去1個氫原子之基)等。前述伸烷基(芳基烷基中的烷基鏈)之碳數以1～4者為佳，以1～2者為較佳，以1者為特佳。

前述式(a1-1)中、Ra¹ 為上述式(a1-r-1)或(a1-r-2)所示酸解離性基。

前述式(a1-2)中，Wa¹ 中之n_a2 +1價烴基可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基。該脂肪族烴基表示不具有芳香族性之烴基，可為飽和亦可為不飽和，通常以飽和為佳。作為前述脂肪族烴基，可舉出直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基、於結構中含有環之脂肪族烴基，或直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基與於結構中含有環之脂肪族烴基的組合之基。前述n_a2 +1價以2～4價為佳，以2或3價為較佳。

前述式(a1-2)中，Ra² 為上述一般式(a1-r-1)或(a1-r-3)所示酸解離性基。

以下表示前述式(a1-1)所示構成單位之具體例子。以下各式中，R^α 表示氫原子、甲基或三氟甲基。

以下表示前述式(a1-2)所示構成單位之具體例子。

(A1)成分所具有構成單位(a1)可為1種亦可為2種以上。作為構成單位(a1)，因由藉由電子線或EUV可容易進一步提高在光刻之特性(感度、形狀等)來看，以前述式(a1-1)所示構成單位為較佳。其中作為構成單位(a1)，亦以含有下述一般式(a1-1-1)所示構成單位者為特佳。

[式中，Ra¹ ”為一般式(a1-r2-1)、(a1-r2-3)或(a1-r2-4)所示酸解離性基。]

前述式(a1-1-1)中，R、Va¹ 及n_a1 與前述式(a1-1)中之R、Va¹ 及n_a1 之相同者。對於一般式(a1-r2-1)、(a1-r2-3)或(a1-r2-4)所示酸解離性基的說明如上述所示。其中亦由對於EB用或EUV用提高反應性之較佳者，選擇酸解離性基為環式基者為佳。

(A1)成分具有構成單位(a1)時，上述構成單位(a0)及構成單位(a1)之合計比例，相對於構成(A1)成分之全構成單位的合計(100莫耳%)，以1～80莫耳%者為佳，以30～70莫耳%者為較佳，以40～60莫耳%者為特佳。對於上述構成單位(a0)之構成單位(a1)的比例(莫耳比)以構成單位(a0)/構成單位(a1)=100/0～50/50者為佳，以100/0～70/30者為較佳，以100/0～80/20者為更佳。由可更容易發揮藉由合併前述構成單位(a0)與後述(B1)之效果，(A1)成分以含有構成單位(a1)者為較佳。

對於構成單位(a2)： (A1)成分中除構成單位(a0)以外，亦可具有以下構成單位(a2)，該構成單位含有：含有內酯的環式基、含有 -SO₂ -的環式基或含有碳酸酯的環式基(但，除去相當於構成單位(a1)者)。構成單位(a2)之含有內酯的環式基、含有-SO₂ -的環式基，或含有碳酸酯的環式基在將(A1)成分使用於阻劑膜之形成時，因提高阻劑膜對基板之密著性而為有效者。又，因具有構成單位(a2)，例如因可適切地調整酸擴散長度，提高阻劑膜對基板之密著性，可適切地調整顯像時的溶解性效果，而使光刻特性等變良好。

所謂「含有內酯的環式基」表示於該環骨架中含有具有-O-C(=O)-之環(內酯環)的環式基。將內酯環作為第一個環開始數，僅為內酯環時稱為單環式基，進一步具有其他環結構時，與該結構無關稱為多環式基。含有內酯的環式基可為單環式基亦可為多環式基。作為構成單位(a2)中之含有內酯的環式基，並無特別限定，可使用任意者。具體可舉出以下述一般式(a2-r-1)～(a2-r-7)各表示的基。

[式中，Ra’²¹ 各自獨立表示氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含有內酯的環式基、含有碳酸酯的環式基，或含有-SO₂ -的環式基；A”為亦可含有氧原子(-O-)或者硫原子(-S-)之碳數1～5的伸烷基、氧原子或硫原子，n’為0～2的整數，m’為0或1]。

前述一般式(a2-r-1)～(a2-r-7)中，作為Ra’²¹ 中之烷基，以碳數1～6的烷基為佳。該烷基以直鏈狀或分支鏈狀者為佳。具體可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基、己基等。此等中亦以甲基或乙基為佳，以甲基特佳。作為Ra’²¹ 中之烷氧基，以碳數1～6的烷氧基為佳。該烷氧基以直鏈狀或分支鏈狀者為佳。具體可舉出作為前述Ra’²¹ 中之烷基所舉出的烷基與氧原子(-O-)經連結的基。作為Ra’²¹ 中之鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，以氟原子為佳。作為Ra’²¹ 中之鹵化烷基，可舉出前述Ra’²¹ 中之烷基的氫原子之一部分或全部由前述鹵素原子所取代的基。作為該鹵化烷基，以氟化烷基為佳，特別佳為全氟烷基。

對於Ra’²¹ 中之-COOR”、-OC(=O)R”，R”皆為氫原子、烷基、含有內酯的環式基、含有碳酸酯的環式基，或含有-SO₂ -之環式基。作為R”中之烷基，其可為直鏈狀、分支鏈狀、環狀中任一者，以碳數1～15者為佳。 R”為直鏈狀或者分支鏈狀烷基時，以碳數1～10者為佳，以碳數1～5者為更佳，以甲基或乙基者為特佳。 R”為環狀烷基時，以碳數3～15者為佳，以碳數4～12者為更佳，以碳數5～10為最佳。具體可例示：自可由氟原子或氟化烷基所取代，亦可未經取代的單環烷烴中除去1個以上氫原子的基；由聯環烷烴、三環烷烴、四環烷烴等聚環烷烴除去1個以上氫原子之基等。更具體可舉出，自環戊烷、環己烷等單環烷烴除去1個以上氫原子的基；自金剛烷、降冰片烷、異冰片、三環癸烷、四環十二烷等聚環烷烴除去1個以上氫原子的基等。作為R”中之含有內酯的環式基，可舉出與前述一般式(a2-r-1)～(a2-r-7)各表示的相同基。作為R”中之含有碳酸酯的環式基，與後述含有碳酸酯的環式基相同，具體可舉出一般式(ax3-r-1)～(ax3-r-3)各表示的基。作為R”中之含有-SO₂ -的環式基，與後述含有-SO₂ -的環式基相同，具體可舉出一般式(a5-r-1)～(a5-r-4)各表示的基。作為Ra’²¹ 中之羥基烷基，以碳數1～6者為佳，具體可舉出前述Ra’²¹ 中之烷基的氫原子之至少1個由羥基所取代之基。

前述一般式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中，作為A”中之碳數1～5的伸烷基，以直鏈狀或分支鏈狀伸烷基為佳，可舉出亞甲基、伸乙基、n-伸丙基、異伸丙基等。該伸烷基含有氧原子或硫原子時，作為該具體例子，可舉出於前述伸烷基的末端或碳原子間存在-O-或-S-之基，例如可舉出O-CH₂ -、-CH₂ -O-CH₂ -、-S-CH₂ -、-CH₂ -S-CH₂ -等。作為A”，以碳數1～5的伸烷基或-O-為佳，以碳數1～5的伸烷基為較佳，以亞甲基為最佳。

下述一般式(a2-r-1)～(a2-r-7)為舉出各表示的基之具體例子。

所謂「含有-SO₂ -的環式基」表示，於該環骨架中具有含有-SO₂ -之環的環式基，具體為，-SO₂ -中之硫原子(S)形成環式基環骨架的一部份之環式基。將於該環骨架中含有-SO₂ -之環作為第一個環而開始數，僅有該環時稱為單環式基，進一步具有其他環結構時，無關該結構皆稱為多環式基。含有-SO₂ -的環式基可為單環式基，亦可為多環式基。含有-SO₂ -的環式基，特別以於該環骨架中含有-O-SO₂ -之環式基，即含有-O-SO₂ -中之-O-S-形成環骨架之一部分的磺內酯(sultone)環之環式基者為佳。作為含有-SO₂ -的環式基，更具體可舉出下述一般式(a5-r-1)～(a5-r-4)各表示的基。

[式中，Ra’⁵¹ 各自獨立表示氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含有內酯的環式基、含有碳酸酯的環式基，或含有-SO₂ -的環式基；A”為氧原子或者可含有硫原子之碳數1～5的伸烷基、氧原子或硫原子，n’為0～2的整數]。

前述一般式(a5-r-1)～(a5-r-2)中，A”與前述一般式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中之A”相同。作為Ra’⁵¹ 中之烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基，可舉出對於在各前述一般式(a2-r-1)～(a2-r-7)中之Ra’²¹ 的說明所舉出的相同者。下述舉出以一般式(a5-r-1)～(a5-r-4)各表示基之具體例子。式中之「Ac」表示乙醯基。

所謂「含有碳酸酯的環式基」表示於該環骨架中具有含有-O-C(=O)-O-之環(碳酸酯環)的環式基。將碳酸酯環作為第一個環而開始數，僅為碳酸酯環時稱為單環式基，進一步具有其他環結構時，與該結構無關可稱為多環式基。含有碳酸酯的環式基可為環式基，亦可為多環式基。作為含有碳酸酯環的環式基，無特別限定下可使用任意者。具體可舉出下述一般式(ax3-r-1)～(ax3-r-3)各表示的基。

[式中，Ra’^x31 各自獨立表示氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含有內酯的環式基、含有碳酸酯的環式基，或含有-SO₂ -的環式基；A”表示亦可含有氧原子或者硫原子之碳數1～5的伸烷基、氧原子或硫原子，p’表示0～3的整數，q’表示0或1]。

前述一般式(ax3-r-2)～(ax3-r-3)中，A”與前述一般式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中之A”相同。作為Ra’³¹ 中之烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基，可舉出對於各前述一般式(a2-r-1)～(a2-r-7)中之Ra’²¹ 之說明所舉出的相同者。可舉出下述一般式(ax3-r-1)～(ax3-r-3)各表示的基之具體例子。

構成單位(a2)以含有內酯的環式基或含有 -SO₂ -的環式基為佳，以含有內酯的環式基為較佳。作為含有內酯的環式基，以前述一般式(a2-r-1)～(a2-r-7)各表示的基為佳，以前述一般式(a2-r-1)、(a2-r-2)，或(a2-r-6)所示基為較佳，以前述一般式(a2-r-1)或(a2-r-2)所示基為更佳。作為含有-SO₂ -的環式基，以前述一般式(a5-r-1)～(a5-r-4)各表示的基為佳，以前述一般式(a5-r-1)所示基為較佳。

作為構成單位(a2)，其中亦以由於α位碳原子鍵結的氫原子可由取代基所取代的之丙烯酸酯所衍生的構成單位為佳。該構成單位(a2)以下述一般式(a2-1)所示構成單位者為佳。

[式中，R為氫原子、碳數1～5的烷基或碳數1～5的鹵化烷基。Ya²¹ 為單鍵或2價連結基。La²¹ 為-O-、-COO-、 -CON(R’)-、-OCO-、-CONHCO-或-CONHCS-，R’表示氫原子或甲基。但，La²¹ 為-O-時，Ya²¹ 不會成為-CO-。Ra²¹ 為含有內酯的環式基、含有碳酸酯的環式基，或含有 -SO₂ -的環式基]

前述式(a2-1)中，R與前述相同。作為R，以氫原子、碳數1～5的烷基或碳數1～5的氟化烷基為佳，由工業上的獲得容易度來看，以氫原子或甲基特佳。

前述式(a2-1)中，作為Ya²¹ 中之2價連結基，雖無特別限定，可舉出可具有取代基之2價烴基、含有雜原子的2價連結基等為佳。

･可具有取代基之2價烴基： Ya²¹ 為可具有取代基的2價烴基時，該烴基可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基。

･･Ya²¹ 中之脂肪族烴基脂肪族烴基表示為具有芳香族性之烴基。該脂肪族烴基可為飽和亦可為不飽和，通常以飽和者為佳。作為前述脂肪族烴基，可舉出直鏈狀或者分支鏈狀脂肪族烴基，或於結構中含有環之脂肪族烴基等。

･･･直鏈狀或者分支鏈狀脂肪族烴基該直鏈狀脂肪族烴基以碳數1～10者為佳，以碳數1～6為較佳，以碳數1～4為更佳，以碳數1～3為最佳。作為直鏈狀脂肪族烴基，以直鏈狀伸烷基為佳，具體可舉出亞甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、三亞甲基 [-(CH₂ )₃ -]、四亞甲基[-(CH₂ )₄ -]、五亞甲基[-(CH₂ )₅ -]等。該分支鏈狀脂肪族烴基以碳數2～10者為佳，以碳數3～6為較佳，以碳數3或4為更佳，以碳數3為最佳。作為分支鏈狀脂肪族烴基，以分支鏈狀伸烷基為佳，具體可舉出-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、 -C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等烷基亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、-CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、 -C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、-C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等烷基伸乙基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等烷基三亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等烷基四亞甲基等烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中之烷基，以碳數1～5的直鏈狀烷基為佳。

前述直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基可具有或可不具有取代基。作為該取代基，可舉出由氟原子、氟原子所取代的碳數1～5的氟化烷基、羰基等。

･･･於結構中含有環之脂肪族烴基作為於該結構中含有環之脂肪族烴基，可舉出亦可含有於環結構中含有雜原子之取代基的環狀脂肪族烴基(自脂肪族烴環除去2個氫原子之基)、前述環狀脂肪族烴基鍵結於直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基之末端的基、前述環狀脂肪族烴基存在於直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基之途中的基等。作為前述直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基，可舉出與前述相同者。環狀脂肪族烴基以碳數3～20者為佳，以碳數3～12者為較佳。環狀脂肪族烴基可為多環式基，亦可為單環式基。作為單環式脂環式烴基，以由單環烷烴除去2個氫原子的基為佳。作為該單環烷烴，以碳數3～6者為佳，具體可舉出環戊烷、環己烷等。作為多環式脂環式烴基，以自聚環烷烴除去2個氫原子的基為佳，作為該聚環烷烴，以碳數7～12者為佳，具體可舉出金剛烷、降冰片烷、異冰片、三環癸烷、四環十二烷等。

環狀脂肪族烴基可具有亦可不具有取代基。作為該取代基，可舉出烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基等。作為前述取代基的烷基，以碳數1～5的烷基為佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基者為較佳。作為前述取代基的烷氧基，以碳數1～5的烷氧基為佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基為較佳，以甲氧基、乙氧基為更佳。作為前述取代基的鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，以氟原子為佳。作為前述取代基的鹵化烷基，可舉出前述烷基的氫原子一部分或全部由前述鹵素原子所取代的基。環狀脂肪族烴基為，構成該環結構之碳原子的一部分可由含有雜原子之取代基所取代。作為含有該雜原子之取代基，以-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-為佳。

･･Ya²¹ 中之芳香族烴基該芳香族烴基為具有至少1個芳香環之烴基。該芳香環若為具有4n+2個π電子之環狀共軛系即可並無特別限定，可為單環式，亦可為多環式。芳香環之碳數以5～30者為佳，以碳數5～20為較佳，以碳數6～15為更佳，以碳數6～12特佳。但，於該碳數中並未含有取代基中之碳數。作為芳香環，具體可舉出苯、萘、蒽、菲等芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子的一部分由雜原子所取代之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，可舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體可舉出吡啶環、噻吩環等。作為芳香族烴基，具體可舉出自前述芳香族烴環或芳香族雜環除去2個氫原子之基(伸芳基或雜伸芳基)；自含有2個以上芳香環之芳香族化合物(例如聯苯基、芴等)除去2個氫原子之基；自前述芳香族烴環或芳香族雜環除去1個氫原子之基(芳基或雜芳基)之1個氫原子由伸烷基所取代之基(例如苯甲基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等自芳基烷基中之芳基進一步除去1個氫原子之基)等。鍵結於前述芳基或雜芳基之伸烷基的碳數以1～4者為佳，以碳數1～2者為較佳，以碳數1者為特佳。

前述芳香族烴基中，該芳香族烴基所具有氫原子可由取代基所取代。例如該芳香族烴基中之芳香環所鍵結的氫原子可由取代基所取代。作為該取代基，例如可舉出烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基等。作為前述取代基的烷基，以碳數1～5的烷基為佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基者為較佳。作為前述取代基的烷氧基、鹵素原子及鹵化烷基，可舉出作為使前述環狀脂肪族烴基所具有氫原子進行取代的取代基之例示者。

･含有雜原子的2價連結基： Ya²¹ 為含有雜原子的2價連結基時，作為該連結基之較佳者，可舉出-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-、 -O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(H可由烷基、醯基等取代基所取代)、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-、一般式-Y²¹ -O-Y²² -、-Y²¹ -O-、-Y²¹ -C(=O)-O-、 -C(=O)-O-Y²¹ -、-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -、-Y²¹ -O-C(=O)-Y²² -或-Y²¹ -S(=O)₂ -O-Y²² -所示基[式中，Y²¹ 及Y²² 各自獨立為可具有取代基的2價烴基，O為氧原子，m”為0～3的整數]等。含有前述雜原子之2價連結基為-C(=O)-NH-、-C(=O)-NH-C(=O)-、-NH-、-NH-C(=NH)-時，該H可由烷基、醯基等取代基所取代。該取代基(烷基、醯基等)以碳數1～10者為佳，以1～8者為更佳，以1～5者為特佳。一般式-Y²¹ -O-Y²² -、-Y²¹ -O-、-Y²¹ -C(=O)-O-、 -C(=O)-O-Y²¹ -、-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -、-Y²¹ -O-C(=O)-Y²² -或-Y²¹ -S(=O)₂ -O-Y²² -中，Y²¹ 及Y²² 各自獨立為可具有取代基的2價烴基。作為該2價烴基，可舉出作為前述Ya²¹ 中之2價連結基的說明所舉出的相同者(可具有取代基之2價烴基)。作為Y²¹ ，以直鏈狀脂肪族烴基為佳，以直鏈狀伸烷基為較佳，以碳數1～5的直鏈狀伸烷基為更佳，以亞甲基或伸乙基特佳。作為Y²² ，以直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基為佳，以亞甲基、伸乙基或烷基亞甲基為較佳。該烷基亞甲基中之烷基以碳數1～5的直鏈狀烷基為佳，以碳數1～3的直鏈狀烷基為較佳，以甲基為最佳。對於式-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -所示基，m”為0～3的整數，以0～2的整數者為佳，以0或1為較佳，以1特佳。換言之，作為式-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -所示基，以式-Y²¹ -C(=O)-O-Y²² -所示基特佳。其中，以式-(CH₂ )_a’ -C(=O)-O-(CH₂ )_b’ -所示基為佳。該式中，a’為1～10的整數，以1～8的整數為佳，以1～5的整數為較佳，以1或2為更佳，以1為最佳。b’為1～10的整數，以1～8的整數為佳，以1～5的整數為較佳，以1或2為更佳，以1為最佳。

上述中，作為Ya²¹ ，以單鍵、酯鍵[-C(=O)-O-]、醚鍵(-O-)、直鏈狀或者分支鏈狀伸烷基，或此等組合者為佳。

前述式(a2-1)中，Ra²¹ 為含有內酯的環式基、含有-SO₂ -的環式基或含有碳酸酯的環式基。作為Ra²¹ 中之含有內酯的環式基、含有-SO₂ -的環式基、含有碳酸酯的環式基，各可舉出前述一般式(a2-r-1)～(a2-r-7)各表示的基、一般式(a5-r-1)～(a5-r-4)各表示的基、一般式(ax3-r-1)～(ax3-r-3)各表示的基為佳。其中亦以含有內酯的環式基或含有-SO₂ -的環式基為佳，以前述一般式(a2-r-1)、(a2-r-2)、(a2-r-6)或(a5-r-1)各表示的基為較佳。具體以前述化學式(r-lc-1-1)～(r-lc-1-7)、(r-lc-2-1)～(r-lc-2-18)、(r-lc-6-1)、(r-sl-1-1)、(r-sl-1-18)各表示的任一基為較佳。Ra²¹ 以含有內酯的環式基為較佳，以前述一般式(a2-r-1)或(a2-r-2)所示基為較佳。

(A1)成分所具有構成單位(a2)可為1種亦可為2種以上。 (A1)成分具有構成單位(a2)時，構成單位(a2)之比例，對於構成該(A1)成分之全構成單位的合計(100莫耳%)，以5～60莫耳%者為佳，以10～60莫耳%者為較佳，以20～55莫耳%者為更佳，以30～50莫耳%特佳。若將構成單位(a2)之比例作為較佳下限值以上時，藉由前述效果，可充分地得到因含有構成單位(a2)的效果，若為上限值以下時，可取得與其他構成單位之平衡，使種種光刻特性變良好。

對於構成單位(a3)： (A1)成分除構成單位(a0)以外，可進一步具有以下構成單位(a3)(但，除去相當於構成單位(a1)或構成單位(a2)者)，該構成單位(a3)具有含有極性基之脂肪族烴基。(A1)成分因具有構成單位(a3)，可提高(A)成分之親水性，且提高解像性。又，可適切地調整酸擴散長度。

作為極性基，可舉出羥基、氰基、羧基、烷基之氫原子的一部分由氟原子所取代的羥基烷基等，以羥基特佳。作為脂肪族烴基，可舉出碳數1～10的直鏈狀或分支鏈狀烴基(較佳為伸烷基)或環狀脂肪族烴基(環式基)。作為該環式基，可為單環式基亦可為多環式基，例如對於ArF準分子激光用阻劑組成物用之樹脂，可適宜地選自多數提案者而使用。

該環式基為單環式基時，碳數以3～10者為較佳。其中以由含有以下脂肪族單環式基之丙烯酸酯所衍生的構成單位者為較佳，該脂肪族單環式基為含有羥基、氰基、羧基或烷基的氫原子之一部分由氟原子所取代的羥基烷基者該，作為單環式基，可例示出自單環烷烴除去2個以上氫原子之基。具體可舉出自環戊烷、環己烷、環辛烷等單環烷烴除去2個以上氫原子的基等。此等單環式基之中，亦以自環戊烷除去2個以上氫原子的基、自環己烷除去2個以上氫原子之基在工業上為佳。

該環式基為多環式基時，該多環式基的碳數以7～30者為較佳。其中，亦以由含有下述脂肪族多環式基之丙烯酸酯所衍生的構成單位為較佳，該脂肪族多環式基為含有羥基、氰基、羧基或烷基之氫原子的一部分由氟原子所取代的羥基烷基。作為該多環式基，可例示出自聯環烷烴、三環烷烴、四環烷烴等除去2個以上氫原子之基等。具體可舉出自金剛烷、降冰片烷、異冰片、三環癸烷、四環十二烷等聚環烷烴除去2個以上氫原子之基等。此等多環式基之中，亦以自金剛烷除去2個以上氫原子的基、自降冰片烷除去2個以上氫原子的基、自四環十二烷除去2個以上氫原子的基在工業上為佳。

作為構成單位(a3)，若為具有含有極性基的脂肪族烴基者即可並無特別限定，可使用任意者。作為構成單位(a3)，以具有含有極性基的脂肪族烴基之構成單位為佳，該構成單位係由鍵結於α位碳原子的氫原子可由取代基所取代的丙烯酸酯所衍生者。作為構成單位(a3)，含有極性基的脂肪族烴基中之烴基為碳數1～10的直鏈狀或分支鏈狀烴基時，以由丙烯酸的羥基乙基酯所衍生的構成單位為佳。又，作為構成單位(a3)，含有極性基的脂肪族烴基中之該烴基為多環式基時，可舉出下述式(a3-1)所示構成單位、式(a3-2)所示構成單位、式(a3-3)所示構成單位者之較佳者；單環式基時，可舉出式(a3-4)所示構成單位之較佳者。

[式中，R與前述相同，j為1～3的整數，k為1～3的整數，t’為1～3的整數，l為0～5的整數，s為1～3的整數]

式(a3-1)中，j以1或2者為佳，以1者為更佳。j為2時，以羥基鍵結於金剛烷基之第3位與第5位者為佳。j為1時，以羥基鍵結於金剛烷基的第3位者為佳。j以1者為佳，以羥基鍵結於金剛烷基之第3位者為特佳。

式(a3-2)中，k以1者為佳。氰基以鍵結於降冰片基的第5位或第6位者為佳。

式(a3-3)中，t’以1者為佳。l以1者為佳。s以1者為佳。此為於丙烯酸的羧基之末端上鍵結2-降冰片基或3-降冰片基者為佳。氟化烷基醇以鍵結於降冰片基的第5位或第6位者為佳。

式(a3-4)中，t’以1或2者為佳。l以0或1者為佳。s以1者為佳。氟化烷基醇以鍵結於環己基的第3位或第5位者為佳。

(A1)成分所具有構成單位(a3)可為1種亦可為2種以上。 (A1)成分具有構成單位(a3)時，構成單位(a3)之比例，相對於構成該(A1)成分之全構成單位的合計(100莫耳%)以1～30莫耳%者為佳，以2～25莫耳%為較佳，以5～20莫耳%為更佳。藉由將構成單位(a3)之比例設定在較佳下限值以上時，藉由前述效果，可充分地得到藉由含有構成單位(a3)之效果，若為較佳上限值以下時，可取得與其他構成單位之平衡，使種種光刻特性變得良好。

對於構成單位(a4)： (A1)成分中除具有構成單位(a0)以外，進一步可具有含有酸非解離性脂肪族環式基之構成單位(a4)。 (A1)成分因具有構成單位(a4)，可提高所形成的阻劑圖型之乾蝕刻耐性。又，提高(A)成分之疏水性。疏水性之提高，特別在溶劑顯像製程時，可使解像性、阻劑圖型形狀等提高。構成單位(a4)中之「酸非解離性環式基」為，在藉由曝光使該阻劑組成物中產生酸時(例如，自藉由曝光產生酸的構成單位或(B)成分產生酸時)，即使該酸起作用亦不會解離而可直接殘留於該構成單位中之環式基。

作為構成單位(a4)，例如以由含有酸非解離性脂肪族環式基的丙烯酸酯所衍生的構成單位等為佳。該環式基為使用於ArF準分子激光用、KrF準分子激光用(較佳為ArF準分子激光用)等阻劑組成物的樹脂成分者，可使用自過去已知的多數者。該環式基由工業上容易獲得等觀點來看，特別以選自三環癸基、金剛烷基、四環十二烷基、異冰片基、降冰片基的至少1種者為佳。此等多環式基可具有作為取代基的碳數1～5的直鏈狀或分支鏈狀烷基。作為構成單位(a4)，具體可例示出下述一般式(a4-1)～(a4-7)各表示的構成單位。

[式中，R^α 與前述相同。]

(A1)成分所具有構成單位(a4)可為1種亦可為2種以上。 (A1)成分具有構成單位(a4)時，構成單位(a4)的比例，相對於構成該(A1)成分之全構成單位的合計(100莫耳%)，以1～40莫耳%者為佳，以5～20莫耳%者為較佳。構成單位(a4)之比例藉由設定在較佳下限值以上時，可充分地得到藉由含有構成單位(a4)所得之效果，另一方面，藉由較佳上限值以下，可容易取得與其他構成單位之平衡。

對於構成單位(a10)：構成單位(a10)為下述一般式(a10-1)所示構成單位。

[式中，R為氫原子、碳數1～5的烷基或碳數1～5的鹵化烷基。Ya^x1 為單鍵或2價連結基。Wa^x1 為(n_ax1 +1)價芳香族烴基。n_ax1 為1以上的整數。]

前述式(a10-1)中，R為氫原子、碳數1～5的烷基或碳數1～5的鹵化烷基。 R中之碳數1～5的烷基以碳數1～5的直鏈狀或分支鏈狀烷基為佳，具體可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。於R中之碳數1～5的鹵化烷基為，前述碳數1～5的烷基之氫原子的一部分或全部由鹵素原子所取代的基。作為該鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別以氟原子為佳。作為R，以氫原子、碳數1～5的烷基或碳數1～5的氟化烷基為佳，由工業上容易獲得之觀點來看，以氫原子、甲基或三氟甲基為較佳，以氫原子或甲基為更佳，以甲基特佳。

前述式(a10-1)中，Ya^x1 為單鍵或2價連結基。前述化學式中，作為Ya^x1 中之2價連結基，雖無特別限定，但可舉出較佳例子的可具有取代基的2價烴基、含有雜原子的2價連結基等。

･可具有取代基的2價烴基： Ya^x1 為可具有取代基的2價烴基時，該烴基可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基。

･･Ya^x1 中之脂肪族烴基脂肪族烴基表示不具有芳香族性的烴基。該脂肪族烴基可為飽和亦可為不飽和，通常以飽和者為佳。作為前述脂肪族烴基，可舉出直鏈狀或者分支鏈狀脂肪族烴基、或結構中含有環的脂肪族烴基等。

前述直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基可具有亦可不具有取代基。作為該取代基，可舉出氟原子、由氟原子所取代的碳數1～5的氟化烷基、羰基等。

･･･於結構中含有環之脂肪族烴基作為於該結構中含有環的脂肪族烴基，可舉出可包含於環結構中含有雜原子的取代基之環狀脂肪族烴基(自脂肪族烴環除去2個氫原子的基)、前述環狀脂肪族烴基鍵結於直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基之末端的基、前述環狀脂肪族烴基存在於直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基的途中之基等。作為前述直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基，可舉出與前述相同者。環狀脂肪族烴基以碳數3～20者為佳，以碳數3～12者為較佳。環狀脂肪族烴基可為多環式基，亦可為單環式基。作為單環式脂環式烴基，以自單環烷烴除去2個氫原子的基為佳。作為該單環烷烴，以碳數3～6者為佳，具體舉出環戊烷、環己烷等。作為多環式脂環式烴基，以自聚環烷烴除去2個氫原子的基為佳，作為該聚環烷烴，以碳數7～12者為佳，具體可舉出金剛烷、降冰片烷、異冰片、三環癸烷、四環十二烷等。

環狀脂肪族烴基可具有亦可不具有取代基。作為該取代基，可舉出烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基等。作為前述取代基的烷基，以碳數1～5的烷基為佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基者為較佳。作為前述取代基的烷氧基，以碳數1～5的烷氧基為佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基為較佳，以甲氧基、乙氧基為更佳。作為前述取代基的鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，以氟原子為佳。作為前述取代基的鹵化烷基，可舉出前述烷基的氫原子之一部分或全部由前述鹵素原子所取代的基。環狀脂肪族烴基中構成該環結構之碳原子的一部分可由含有雜原子的取代基所取代。作為含有該雜原子之取代基，以-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-為佳。

･･Ya^x1 中之芳香族烴基該芳香族烴基為具有至少1個芳香環之烴基。該芳香環若為具有4n+2個π電子的環狀共軛系者即可，無須特別限定，可為單環式，亦可為多環式。芳香環以碳數5～30者為佳，以碳數5～20為較佳，以碳數6～15為更佳，以碳數6～12特佳。但，該碳數中為不含有取代基中之碳數。作為芳香環，具體可舉出苯、萘、蒽、菲等芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子的一部分由雜原子所取代的芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，可舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體可舉出吡啶環、噻吩環等。作為芳香族烴基，具體可舉出自前述芳香族烴環或芳香族雜環除去2個氫原子的基(伸芳基或雜伸芳基)；自含有2個以上芳香環的芳香族化合物(例如聯苯基、芴等)除去2個氫原子的基；自前述芳香族烴環或芳香族雜環除去1個氫原子的基(芳基或雜芳基)之1個氫原子由伸烷基所取代的基(例如自苯甲基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等芳基烷基中之芳基進一步除去1個氫原子的基)等。鍵結於前述芳基或雜芳基的伸烷基之碳數以1～4者為佳，以碳數1～2者為較佳，以碳數1者為特佳。

前述芳香族烴基中，該芳香族烴基所具有氫原子可由取代基所取代。例如鍵結於該芳香族烴基中之芳香環的氫原子可由取代基所取代。作為該取代基，例如可舉出烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基等。作為前述取代基的烷基，以碳數1～5的烷基為佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基，以tert-丁基者為較佳。作為前述取代基的烷氧基、鹵素原子及鹵化烷基，可舉出作為取代前述環狀脂肪族烴基所具有氫原子之取代基所例示者。

･含有雜原子之2價連結基： Ya^x1 為含有雜原子之2價連結基時，作為該連結基的較佳者，可舉出-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-、 -O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(H可由烷基、醯基等取代基所取代)、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-、一般式-Y²¹ -O-Y²² -、-Y²¹ -O-、-Y²¹ -C(=O)-O-、 -C(=O)-O-Y²¹ -、-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -、-Y²¹ -O-C(=O)-Y²² -或-Y²¹ -S(=O)₂ -O-Y²² -所示基[式中，Y²¹ 及Y²² 各自獨立為可具有取代基的2價烴基，O為氧原子，m”為0～3的整數。]等。含有前述雜原子的2價連結基為-C(=O)-NH-、-C(=O)-NH-C(=O)-、-NH-、-NH-C(=NH)-時，該H可由烷基、醯基等取代基所取代。該取代基(烷基、醯基等)以碳數1～10者為佳，以1～8者為更佳，以1～5者為特佳。一般式-Y²¹ -O-Y²² -、-Y²¹ -O-、-Y²¹ -C(=O)-O-、 -C(=O)-O-Y²¹ -、-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -、-Y²¹ -O-C(=O)-Y²² -或-Y²¹ -S(=O)₂ -O-Y²² -中，Y²¹ 及Y²² 各自獨立為可具有取代基的2價烴基。作為該2價烴基，可舉出在作為前述Ya^x1 中之2價連結基的說明中所舉出的(可具有取代基的2價烴基)相同者。作為Y²¹ ，以直鏈狀脂肪族烴基為佳，以直鏈狀伸烷基為較佳，以碳數1～5的直鏈狀伸烷基為更佳，以亞甲基或伸乙基特佳。作為Y²² ，以直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基為佳，以亞甲基、伸乙基或烷基亞甲基為較佳。該烷基亞甲基中之烷基以碳數1～5的直鏈狀烷基為佳，以碳數1～3的直鏈狀烷基為較佳，以甲基為最佳。對於式-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -所示基，m”為0～3的整數，以0～2的整數者為佳，以0或1為較佳，以1特佳。換言之，作為式-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -所示基，以式-Y²¹ -C(=O)-O-Y²² -所示基特佳。其中，以式-(CH₂ )_a’ -C(=O)-O-(CH₂ )_b’ -所示基為佳。該式中，a’為1～10的整數，以1～8的整數為佳，以1～5的整數為較佳，以1或2為更佳，以1為最佳。b’為1～10的整數，以1～8的整數為佳，以1～5的整數為較佳，以1或2為更佳，以1為最佳。

上述中，作為Ya^x1 ，以單鍵、酯鍵[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、醚鍵(-O-)、直鏈狀或者分支鏈狀伸烷基，或此等組合者為佳，以單鍵、酯鍵[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]為較佳。

前述式(a10-1)中，Wa^x1 為(n_ax1 +1)價芳香族烴基。作為Wa^x1 中之芳香族烴基，可舉出自芳香環除去(n_ax1 +1)個氫原子之基。其中芳香環若為具有4n+2個π電子的環狀共軛系即可，並無特別限定，可為單環式亦可為多環式。芳香環之碳數以5～30者為佳，以碳數5～20為較佳，以碳數6～15為更佳，以碳數6～12特佳。作為該芳香環，具體可舉出苯、萘、蒽、菲等芳香族烴環；構成前述芳香族烴環的碳原子之一部分由雜原子所取代的芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，可舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體可舉出吡啶環、噻吩環等。又，作為Wa^x1 中之芳香族烴基，可舉出自含有2個以上芳香環之芳香族化合物(例如聯苯基、芴等)除去(n_ax1 +1)個氫原子的基。上述中，作為Wa^x1 ，以自苯、萘、蒽或聯苯基除去(n_ax1 +1)個氫原子之基為佳，以自苯或萘除去(n_ax1 +1)個氫原子之基為較佳，以自苯除去(n_ax1 +1)個氫原子之基為更佳。

前述式(a10-1)中，n_ax1 為1以上的整數，以1～10的整數為佳，以1～5的整數為較佳，以1、2或3為更佳，以1或2特佳。

以下舉出前述式(a10-1)所示構成單位(a10)之具體例子。以下各式中，R^α 表示氫原子、甲基或三氟甲基。

(A1)成分所具有構成單位(a10)可為1種亦可為2種以上。 (A1)成分具有構成單位(a10)時，(A1)成分中之構成單位(a10)的比例相對於構成(A1)成分之全構成單位的合計(100莫耳%)而言，以5～50莫耳%者為佳，以5～40莫耳%為較佳，以10～30莫耳%為更佳。藉由將構成單位(a10)之比例設定在下限值以上時，藉由電子線或EUV進行曝光時感度的提高變得容易。另一方面，藉由設定在上限值以下時，容易取得與其他構成單位之平衡。

對於自苯乙烯或其衍生物所衍生的構成單位(構成單位(st))：所謂「苯乙烯」表示含有苯乙烯及苯乙烯的α位之氫原子由烷基、鹵化烷基等取代基所取代者之概念。其中作為取代基的烷基可舉出碳數1～5的烷基，作為該取代基的鹵化烷基，可舉出碳數1～5的鹵化烷基。作為「苯乙烯衍生物」，可舉出α位的氫原子可由取代基所取代的苯乙烯之苯環上鍵結取代基者等。且，對α位(α位之碳原子)若無特別說明時，表示鍵結於苯環之碳原子。所謂「由苯乙烯所衍生的構成單位」、「由苯乙烯衍生物所衍生的構成單位」表示苯乙烯或苯乙烯衍生物之乙烯性雙鍵經開裂所構成的構成單位之意思。 (A1)成分所具有構成單位(st)可為1種亦可為2種以上。 (A1)成分具有構成單位(st)時，構成單位(st)之比例相對於構成該(A1)成分之全構成單位的合計(100莫耳%)而言，以1～30莫耳%者為佳，以3～20莫耳%者為較佳。

阻劑組成物所含有的(A1)成分可單獨使用1種，亦可併用2種以上。對於本實施形態之阻劑組成物，可舉出(A1)成分為具有構成單位(a0)之重複結構之高分子化合物。作為較佳(A1)成分，可舉出具有構成單位(a0)與其他構成單位之重複結構的高分子化合物。作為(A1)成分，例如可舉出具有構成單位(a0)與構成單位(a2)之重複結構的高分子化合物等。除組合上述2個各構成單位者以外，作為第3個或3個以上的構成單位，可配合所望效果而適合地組合上述說明的構成單位。

有關該(A1)成分係由，將衍生各構成單位之單體溶解於聚合溶劑中，於此例如加入偶氮二異丁腈(AIBN)、偶氮二異丁酸二甲基(例如V-601等)等自由基聚合起始劑而經聚合而可製造。或者該(A1)成分係由，將作為衍生構成單位(a0)之單體，與視必要衍生構成單位(a0)以外之構成單位的單體溶解於聚合溶劑中，於此加入如上述的自由基聚合起始劑而進行聚合後，藉由進行脱保護反應而製造。且在聚合時，例如藉由併用如HS-CH₂ -CH₂ -CH₂ -C(CF₃ )₂ -OH之鏈轉移劑，可於末端導入-C(CF₃ )₂ -OH基。如此導入烷基的氫原子之一部分由氟原子所取代的羥基烷基之共聚物，對於顯像缺陷之減低或LER(線邊緣粗糙度：線條側壁之不均勻凹凸)之減低為有效。

(A1)成分之重量平均分子量(Mw)(藉由凝膠滲透層析法(GPC)之聚苯乙烯換算為基準)雖無特別限定，但以1000～50000為佳，以2000～30000為較佳，以3000～20000為更佳。 (A1)成分的Mw若在該範圍的較佳上限值以下時，作為阻劑使用時對阻劑溶劑有充分的溶解性，若在該範圍之較佳下限值以上時，耐乾蝕刻性或阻劑圖型截面形狀為良好。 (A1)成分的分散度(Mw/Mn)雖無特別限定，以1.0～4.0為佳，以1.0～3.0為較佳，以1.0～2.0特佳。且Mn表示數平均分子量。

･對於(A1)成分以外之基材成分：作為本實施形態之阻劑組成物中之(A)成分，可併用非對應前述(A1)成分的藉由酸的作用對於顯像液的溶解性產生變化的基材成分。作為非對應前述(A1)成分之基材成分，並無特別限定，可任意選自作為化學增幅型阻劑組成物用之基材成分的自過去已知的多數者，高分子化合物或低分子化合物可單獨使用1種，或亦可組合2種以上而使用。

本實施形態之阻劑組成物中，(A)成分之含有量可配合所要形成之阻劑膜厚度等而做調整。

＜酸產生劑成分(B)＞本實施形態之阻劑組成物中，除(A)成分以外，可更含有藉由曝光而產生酸的酸產生劑成分(B)(以下稱為「(B)成分」)。對於本實施形態，(B)成分含有下述一般式(b1)所示化合物(B1)(以下有時稱為「(B1)成分」)。

･對於(B1)成分： (B1)成分為下述一般式(b1)所示化合物。(B1)成分可藉由同時與具有上述構成單位(a0)之(A1)成分使用，而可提高CDU等光刻特性。

[式中，Rb¹ 表示可具有取代基之烴基。但，Rb¹ 未含有鹵素原子。m表示1以上的整數，M^m+ 表示m價有機陽離子]

{負離子部} 前述式(b1)中，Rb¹ 表示可具有取代基之烴基。但，Rb¹ 未含有鹵素原子。Rb¹ 因未含有鹵素原子，故可適度地控制藉由曝光之自(B1)成分產生的酸之酸性度，使對於未曝光部之酸的作用難以啟動。作為Rb¹ 中之烴基，例如可舉出可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀烷基，或可具有取代基之鏈狀烯基。

可具有取代基之環式基：該環式基可為芳香族烴基，亦可為脂肪族烴基。脂肪族烴基表示不具有芳香族性之烴基的意思。又，脂肪族烴基可為飽和亦可為不飽和，通常以飽和者為佳。

Rb¹ 中之芳香族烴基為具有芳香環之烴基。該芳香族烴基的碳數以3～30者為佳，以碳數5～30為較佳，以碳數5～20為更佳，以碳數6～15為特佳，以碳數6～10為最佳。但，於該碳數中未含有取代基中之碳數者。作為Rb¹ 中之芳香族烴基所具有芳香環的具體例子，可舉出苯、芴、萘、蒽、菲、聯苯基，或構成此等芳香環之碳原子的一部分由雜原子所取代的芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，可舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為Rb¹ 中之芳香族烴基，具體可舉出由前述芳香環除去1個氫原子之基(芳基：例如苯基、萘基等)、由前述芳香環之氫原子的1個由伸烷基所取代的基(例如苯甲基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等芳基烷基等)等。前述伸烷基(芳基烷基中的烷基鏈)之碳數以1～4者為佳，以碳數1～2為較佳，以碳數1特佳。

Rb¹ 中之環狀脂肪族烴基可舉出於結構中含有環的脂肪族烴基。作為於該結構中含有環之脂肪族烴基，可舉出脂環式烴基(由脂肪族烴環除去1個氫原子之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基之末端的基、脂環式烴基存在於直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基之途中的基等。前述脂環式烴基中以碳數3～20者為佳，以3～12者為較佳。前述脂環式烴基可為多環式基，亦可為單環式基。作為單環式之脂環式烴基，以由單環烷烴除去1個以上氫原子之基為佳。作為該單環烷烴，以碳數3～6者為佳，具體可舉出環戊烷、環己烷等。作為多環式脂環式烴基，以由聚環烷烴除去1個以上氫原子之基為佳，作為該聚環烷烴，以碳數7～30者為佳。其中作為該聚環烷烴，亦以具有金剛烷、降冰片烷、異冰片、三環癸烷、四環十二烷等交聯環系的多環式骨架之聚環烷烴；以具有含有類固醇骨架之環式基等縮合環系之多環式骨架的聚環烷烴為較佳。

其中，作為Rb¹ 中之環狀脂肪族烴基，以由單環烷烴或聚環烷烴除去1個以上氫原子之基為佳，以由聚環烷烴除去1個氫原子之基為較佳，以金剛烷基、降冰片基為特佳，以金剛烷基為最佳。

可鍵結於脂環式烴基之直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基中，以碳數1～10者為佳，以碳數1～6為較佳，以碳數1～4為更佳，以碳數1～3特佳。作為直鏈狀脂肪族烴基，以直鏈狀伸烷基為佳，具體可舉出亞甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、三亞甲基 [-(CH₂ )₃ -]、四亞甲基[-(CH₂ )₄ -]、五亞甲基[-(CH₂ )₅ -]等。作為分支鏈狀脂肪族烴基，以分支鏈狀伸烷基為佳，具體可舉出-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、 -C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等烷基亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、-CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、 -C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、-C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等烷基伸乙基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等烷基三亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等烷基四亞甲基等烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中之烷基，以碳數1～5的直鏈狀烷基為佳。

可鍵結於脂環式烴基之直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基中，構成前述脂肪族烴鏈之碳原子的一部分可由含有雜原子之2價連結基所取代。作為前述雜原子，例如可舉出氧原子、氮原子、硫原子等。作為前述含有雜原子之2價連結基，例如可舉出-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、 -C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(H可由烷基、醯基等取代基所取代。)、-S-、 -S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-等。此等中亦以-O-、-C(=O)-O-、 -O-C(=O)-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-為佳。

又，Rb¹ 中之環狀烴基亦可含有如雜環等雜原子。具體可舉出以前述一般式(a2-r-1)～(a2-r-7)各表示的含有內酯的環式基、前述一般式(a5-r-1)～(a5-r-4)各表示的含有-SO₂ -的環式基、以其他下述化學式(r-hr-1)～(r-hr-16)各所是的雜環式基。

作為Rb¹ 的環式基中之取代基，例如可舉出烷基、烷氧基、羥基、羰基、硝基等。作為取代基的烷基，以碳數1～5的烷基為佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基為最佳。作為取代基的烷氧基，以碳數1～5的烷氧基為佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基為較佳，以甲氧基、乙氧基為最佳。作為取代基的羰基為，取代構成環狀烴基之亞甲基 (-CH₂ -)的基。

可具有取代基之鏈狀烷基：作為Rb¹ 的鏈狀烷基，可為直鏈狀或分支鏈狀中任一者。作為直鏈狀烷基，以碳數1～20者為佳，以碳數1～15者為較佳，以碳數1～10為最佳。例如具體可舉出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、異十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、異十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基等。作為分支鏈狀烷基，以碳數3～20者為佳，以碳數3～15者為較佳，以碳數3～10為最佳。例如具體可舉出1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等。

可具有取代基之鏈狀烯基：作為Rb¹ 的鏈狀烯基，可為直鏈狀或分支鏈狀中任一者，以碳數2～10者為佳，以碳數2～5為較佳，以碳數2～4為更佳，以碳數3特佳。作為直鏈狀烯基，例如可舉出乙烯基、丙烯基(烯丙基)、丁炔基等。作為分支鏈狀烯基，例如可舉出1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。作為鏈狀烯基，上述之中亦以直鏈狀烯基為佳，以乙烯基、丙烯基為較佳，以乙烯基特佳。

作為Rb¹ 之鏈狀烷基或烯基中之取代基，例如可舉出烷氧基、羥基、羰基、硝基、胺基、上述Rb¹ 中之環式基等。

其中，作為Rb¹ ，以可具有取代基的鏈狀烷基，或可具有取代基的環狀脂肪族烴基者為佳。作為鏈狀烷基，以碳數1～10者為佳，以碳數3～10者為較佳。作為環狀脂肪族烴基，以脂環式烴基，或脂環式烴基鍵結於碳數1～5的直鏈狀或分支鏈狀伸烷基的末端之基者為佳。前述脂環式烴基為，自金剛烷、降冰片烷、異冰片、三環癸烷、四環十二烷等除去1個以上氫原子之基(可具有取代基)；自樟腦等除去1個以上氫原子之基；以前述一般式(a2-r-1)～(a2-r-7)各表示的含有內酯的環式基為佳。其中作為前述脂環式烴基，亦以自金剛烷或者樟腦除去1個氫原子的基，或前述一般式(a2-r-7)所示含有內酯的環式基為較佳，以自樟腦除去1個氫原子之基或前述一般式(a2-r-7)所示含有內酯的環式基為更佳。

作為(B1)成分之負離子部，例如可舉出下述一般式(b1-1)所示化合物。

[式中，Lb¹¹ 表示可具有取代基的伸烷基。Yb¹¹ 表示單鍵或含有氧原子的2價連結基。Rb¹¹ 表示可具有取代基之脂環式烴基。但，Lb¹¹ 、Yb¹¹ 及Rb¹¹ 未含有鹵素原子。]

前述式(b1-1)中，Lb¹¹ 表示可具有取代基的伸烷基。前述伸烷基以碳數1～10為佳，以碳數1～5為較佳，以碳數1～3為更佳，以碳數1或2特佳。前述伸烷基可為直鏈狀，亦可為分支鏈狀。作為Lb¹¹ 中之伸烷基的具體例子，例如可舉出亞甲基[-CH₂ -]；-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、 -C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等烷基亞甲基；伸乙基[-CH₂ CH₂ -]；-CH(CH₃ )CH₂ -、 -CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -等烷基伸乙基；三亞甲基(n-伸丙基)[-CH₂ CH₂ CH₂ -]； -CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等烷基三亞甲基；四亞甲基[-CH₂ CH₂ CH₂ CH₂ -]；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、 -CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等烷基四亞甲基；五亞甲基 [-CH₂ CH₂ CH₂ CH₂ CH₂ -]等。

Lb¹¹ 中之伸烷基可具有亦可不具有取代基，但以不具有取代基者為佳。作為Lb¹¹ 的可具有伸烷基的取代基，例如可舉出烷氧基、羥基、羰基、硝基、胺基等。

作為Lb¹¹ 的伸烷基，以碳數1～5的直鏈狀伸烷基為佳，以碳數1～3的直鏈狀伸烷基為較佳，以亞甲基或伸乙基為更佳。

前述式(b1-1)中，Yb¹¹ 表示單鍵或含有氧原子之2價連結基。Yb¹¹ 為含有氧原子的2價連結基時，該Yb¹¹ 中可含有除氧原子以外之原子。作為氧原子以外之原子，例如可舉出碳原子、氫原子、硫原子、氮原子等。作為含有氧原子的2價連結基，例如可舉出氧原子(醚鍵：-O-)、酯鍵(-C(=O)-O-)、氧羰基(-O-C(=O)-)、醯胺鍵(-C(=O)-NH-)、羰基(-C(=O)-)、碳酸酯鍵(-O-C(=O)-O-)等非烴系含有氧原子的連結基；該非烴系的含有氧原子的連結基與伸烷基之組合等。該組合中，可進一步連結磺醯基(-SO₂ -)。作為該含有氧原子的2價連結基，例如可舉出下述一般式(y-al-1)～(y-al-7)各表示的連結基。

[式中，V’¹⁰¹ 為單鍵或碳數1～5的伸烷基，V’¹⁰² 為碳數1～30的2價飽和烴基。]

V’¹⁰² 中之2價飽和烴基以碳數1～30的伸烷基者為佳，以碳數1～10的伸烷基者為較佳，以碳數1～5的伸烷基者為更佳。

作為V’¹⁰¹ 及V’¹⁰² 中之伸烷基，可為直鏈狀伸烷基亦可為分支鏈狀伸烷基，以直鏈狀伸烷基為佳。作為V’¹⁰¹ 及V’¹⁰² 中之伸烷基的具體例子，可舉出與作為前述Lb¹¹ 中之伸烷基所舉出的相同者。

作為Yb¹¹ ，以含有酯鍵的2價連結基，或含有醚鍵的2價連結基為佳，以上述式(y-al-1)～(y-al-5)各表示的連結基為較佳。其中，作為Yb¹¹ ，亦以-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-為佳。

前述式(b1-1)中，Rb¹¹ 表示可具有取代基的脂環式烴基。 Rb¹¹ 中之脂環式烴基可舉出與作為Rb¹ 中之脂環式烴基所舉出的相同者。其中亦以作為Rb¹¹ 中之脂環式烴基，以自金剛烷、降冰片烷、異冰片、三環癸烷、四環十二烷等除去1個以上氫原子的基(可具有取代基)；自樟腦等除去1個以上氫原子的基；以前述一般式(a2-r-1)～(a2-r-7)各表示的含有內酯的環式基為佳。其中作為Rb¹¹ ，亦以自金剛烷或者樟腦除去1個氫原子的基，或前述一般式(a2-r-7)所示含有內酯的環式基為較佳，以自樟腦除去1個氫原子的基或前述一般式(a2-r-7)所示含有內酯的環式基為更佳。

以下表示(B1)成分之負離子部的較佳具體例子。

{陽離子部} 前述式(b1)中，M^m+ 表示m價鎓陽離子。其中亦以硫鎓陽離子、碘鎓陽離子為佳。 m為1以上的整數。

作為前述式(b1)中之陽離子部((M^m+ )_1/m )，可舉出以下述一般式(ca-1)～(ca-4)各表示的有機陽離子。

[式中，R²⁰¹ ～R²⁰⁷ 及R²¹¹ ～R²¹² 各獨立表示可具有取代基的芳基、烷基或烯基。R²⁰¹ ～R²⁰³ 、R²⁰⁶ ～R²⁰⁷ 、R²¹¹ ～R²¹² 彼此鍵結而與式中之硫原子共同可形成環。R²⁰⁸ ～R²⁰⁹ 各自獨立表示氫原子或碳數1～5的烷基。R²¹⁰ 為可具有取代基的芳基、可具有取代基的烷基、可具有取代基的烯基，或可具有取代基的含有-SO₂ -的環式基。L²⁰¹ 表示 -C(=O)-或-C(=O)-O-。Y²⁰¹ 各自獨立表示伸芳基、伸烷基或伸烯基。x表示1或2。W²⁰¹ 表示(x+1)價連結基。]

上述一般式(ca-1)～(ca-4)中，作為R²⁰¹ ～R²⁰⁷ ，及R²¹¹ ～R²¹² 中之芳基，可舉出碳數6～20的無取代芳基，以苯基、萘基為佳。作為R²⁰¹ ～R²⁰⁷ ，及R²¹¹ ～R²¹² 中之烷基為鏈狀或環狀烷基，以碳數1～30者為佳。作為R²⁰¹ ～R²⁰⁷ ，及R²¹¹ ～R²¹² 中之烯基，以碳數2～10者為佳。作為R²⁰¹ ～R²⁰⁷ ，及R²¹¹ ～R²¹² 中可具有的取代基，例如可舉出烷基、鹵素原子、鹵化烷基、羰基、氰基、胺基、芳基、以下述一般式(ca-r-1)～(ca-r-7)各表示的基。

[式中，R’²⁰¹ 各自獨立為氫原子、可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀烷基，或可具有取代基的鏈狀烯基。]

可具有取代基的環式基：該環式基以環狀烴基者為佳，以該環狀烴基可為芳香族烴基，亦可為脂肪族烴基。脂肪族烴基表示不具有芳香族性之烴基的意思。又，脂肪族烴基可為飽和亦可為不飽和，通常以飽和者為佳。

R’²⁰¹ 中之芳香族烴基為具有芳香環之烴基。該芳香族烴基以碳數3～30者為佳，以碳數5～30為較佳，以碳數5～20為更佳，以碳數6～15為特佳，以碳數6～10為最佳。但，於該碳數中未含有取代基中之碳數。作為R’²⁰¹ 中之芳香族烴基所具有芳香環的具體例子，可舉出苯、芴、萘、蒽、菲、聯苯基，或構成此等芳香環之碳原子的一部分由雜原子所取代的芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，可舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為R’²⁰¹ 中之芳香族烴基的具體例子，可舉出自前述芳香環除去1個氫原子之基(芳基：例如苯基、萘基等)、前述芳香環的1個氫原子由伸烷基所取代的基(例如苯甲基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等芳基烷基等)等。前述伸烷基(芳基烷基中的烷基鏈)之碳數以1～4者為佳，以碳數1～2為較佳，以碳數1特佳。

R’²⁰¹ 中之環狀脂肪族烴基可舉出於結構中含有環的脂肪族烴基。作為於該結構中含有環的脂肪族烴基，可舉出脂環式烴基(自脂肪族烴環除去1個氫原子的基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基之末端的基、脂環式烴基存在於直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基之途中的基等。前述脂環式烴基以碳數3～20者為佳，以3～12者為較佳。前述脂環式烴基可為多環式基，亦可為單環式基。作為單環式之脂環式烴基，以自單環烷烴除去1個以上氫原子的基為佳。作為該單環烷烴，以碳數3～6者為佳，具體可舉出環戊烷、環己烷等。作為多環式脂環式烴基，以自聚環烷烴除去1個以上氫原子的基為佳，作為該聚環烷烴，以碳數7～30者為佳。其中作為該聚環烷烴，以具有金剛烷、降冰片烷、異冰片、三環癸烷、四環十二烷等交聯環系的多環式骨架之聚環烷烴；以具有含有類固醇骨架的環式基等縮合環系多環式骨架之聚環烷烴為較佳。

其中作為R’²⁰¹ 中之環狀脂肪族烴基，亦以自單環烷烴或聚環烷烴除去1個氫原子的基為佳，以自聚環烷烴除去1個氫原子之基為較佳，以金剛烷基、降冰片基為特佳，以金剛烷基為最佳。

可鍵結於脂環式烴基的直鏈狀或分支鏈狀脂肪族烴基，以碳數1～10者為佳，以碳數1～6為較佳，以碳數1～4為更佳，以碳數1～3特佳。作為直鏈狀脂肪族烴基，以直鏈狀伸烷基為佳，具體可舉出亞甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、三亞甲基 [-(CH₂ )₃ -]、四亞甲基[-(CH₂ )₄ -]、五亞甲基[-(CH₂ )₅ -]等。作為分支鏈狀脂肪族烴基，以分支鏈狀伸烷基為佳，具體可舉出-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、 -C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等烷基亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、-CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、 -C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、-C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等烷基伸乙基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等烷基三亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等烷基四亞甲基等烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中之烷基，以碳數1～5的直鏈狀烷基為佳。

又，R’²⁰¹ 中之環狀烴基可如雜環等而含有雜原子。具體可舉出以前述一般式(a2-r-1)～(a2-r-7)各表示的含有內酯的環式基、以前述一般式(a5-r-1)～(a5-r-4)各表示的含有-SO₂ -的環式基、以其他上述化學式(r-hr-1)～(r-hr-16)各表示的雜環式基。

作為R’²⁰¹ 的環式基中之取代基，例如可舉出烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基等。作為取代基的烷基，以碳數1～5的烷基為佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基為最佳。作為取代基的烷氧基，以碳數1～5的烷氧基為佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基為較佳，以甲氧基、乙氧基為最佳。作為取代基的鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，以氟原子為佳。作為取代基的鹵化烷基，可舉出碳數1～5的烷基，例如可舉出甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基等氫原子的一部分或全部由前述鹵素原子所取代的基。作為取代基之羰基為取代構成環狀烴基之亞甲基(-CH₂ -)的基。

可具有取代基的鏈狀烷基：作為R’²⁰¹ 的鏈狀烷基，可為直鏈狀或分支鏈狀中任一者。作為直鏈狀烷基，以碳數1～20者為佳，以碳數1～15者為較佳，以碳數1～10為最佳。例如具體可舉出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、異十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、異十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基等。作為分支鏈狀烷基，以碳數3～20者為佳，以碳數3～15者為較佳，以碳數3～10為最佳。例如具體可舉出1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等。

可具有取代基的鏈狀烯基：作為R’²⁰¹ 的鏈狀烯基，可為直鏈狀或分支鏈狀中任一者，以碳數2～10者為佳，以碳數2～5為較佳，以碳數2～4為更佳，以碳數3特佳。作為直鏈狀烯基，例如可舉出乙烯基、丙烯基(烯丙基)、丁炔基等。作為分支鏈狀烯基，例如可舉出1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。作為鏈狀烯基，上述中亦以直鏈狀烯基為佳，以乙烯基、丙烯基為較佳，以乙烯基特佳。

作為R’²⁰¹ 的鏈狀烷基或烯基中之取代基，例如可舉出烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基、胺基、上述R’²⁰¹ 中之環式基等。

R’²⁰¹ 之可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀烷基，或可具有取代基的鏈狀烯基除上述者以外，作為可具有取代基的環式基或可具有取代基的鏈狀烷基，可舉出與上述式(a1-r-2)所示酸解離性基之相同者。

其中R’²⁰¹ 亦以可具有取代基的環式基為佳，以可具有取代基的環狀烴基者為較佳。更具體為例如自苯基、萘基、聚環烷烴除去1個以上氫原子的基；前述一般式(a2-r-1)～(a2-r-7)各表示的含有內酯的環式基；前述一般式(a5-r-1)～(a5-r-4)各表示的含有-SO₂ -的環式基等為佳。

上述一般式(ca-1)～(ca-4)中，R²⁰¹ ～R²⁰³ 、R²⁰⁶ ～R²⁰⁷ 、R²¹¹ ～R²¹² 彼此鍵結而與式中硫原子共同可形成環時，可隔著硫原子、氧原子、氮原子等雜原子，或羰基、-SO-、-SO₂ -、-SO₃ -、-COO-、-CONH-或-N(R_N )-(該R_N 為碳數1～5的烷基)等官能基而鍵結。作為所形成的環，式中的硫原子含於該環骨架之1個環中，包含硫原子，以3～10員環者為佳，以5～7員環者為特佳。作為所形成的環之具體例子，例如可舉出噻吩環、噻唑環、苯並噻吩環、噻蒽(thianthrene)環、苯並噻吩環、二苯並噻吩環、9H-噻噸環、噻噸酮環、噻蒽(thianthrene)環、苯氧乙醇(phenoxathiin)環、四氫噻吩鎓環、四氫硫吡喃環等。

R²⁰⁸ ～R²⁰⁹ 各自獨立表示氫原子或碳數1～5的烷基，以氫原子或碳數1～3的烷基為佳，成為烷基時可彼此鍵結而形成環。

R²¹⁰ 為可具有取代基的芳基、可具有取代基的烷基、可具有取代基的烯基，或可具有取代基的含有 -SO₂ -的環式基。作為R²¹⁰ 中之芳基，可舉出碳數6～20的無取代之芳基，以苯基、萘基為佳。作為R²¹⁰ 中之烷基，其為鏈狀或環狀烷基，以碳數1～30者為佳。作為R²¹⁰ 中之烯基，以碳數2～10者為佳。R²¹⁰ 中，作為可具有取代基的含有-SO₂ -的環式基，以「含有-SO₂ -的多環式基」為佳，以上述一般式(a5-r-1)所示基為較佳。

Y²⁰¹ 各自獨立表示伸芳基、伸烷基或伸烯基。 Y²⁰¹ 中之伸芳基，可舉出自作為上述式(b-1)中之R¹⁰¹ 中之芳香族烴基所例示的芳基除去1個氫原子之基。 Y²⁰¹ 中之伸烷基、伸烯基，可舉出自作為上述式(b-1)中之R¹⁰¹ 中之鏈狀烷基、鏈狀烯基所例示的基除去1個氫原子之基。

前述式(ca-4)中，x為1或2。 W²⁰¹ 為(x+1)價，即2價或3價連結基。作為W²⁰¹ 中之2價連結基，以可具有取代基的2價烴基為佳，與上述一般式(a2-1)中之Ya²¹ 同樣地，可例示出可具有取代基的2價烴基。W²⁰¹ 中之2價連結基可為直鏈狀、分支鏈狀、環狀中任一者，以環狀者為佳。其中亦以於伸芳基的兩端組合2個羰基之基為佳。作為伸芳基，可舉出伸苯基、亞萘基等，以伸苯基特佳。作為W²⁰¹ 中之3價連結基，可舉出自前述W²⁰¹ 中之2價連結基除去1個氫原子之基、於前述2價連結基進一步鍵結前述2價連結基的基等。作為W²⁰¹ 中之3價連結基，以於伸芳基鍵結2個羰基之基為佳。

作為前述式(ca-1)所示較佳陽離子，具體可舉出下述化學式(ca-1-1)～(ca-1-70)各表示的陽離子。

[式中，g1、g2、g3表示重複數，g1表示1～5的整數，g2表示0～20的整數，g3表示0～20的整數。]

[式中，R”²⁰¹ 為氫原子或取代基，作為該取代基可舉出作為前述R²⁰¹ ～R²⁰⁷ ，及R²¹⁰ ～R²¹² 可具有的取代基所舉出的相同者。]

作為前述式(ca-2)所示之較佳陽離子的具體例子，可舉出二苯基碘鎓陽離子、雙(4-tert-丁基苯基)碘鎓陽離子等。

作為前述式(ca-3)所示較佳陽離子，具體可舉出下述式(ca-3-1)～(ca-3-6)各表示的陽離子。

作為前述式(ca-4)所示較佳陽離子，具體可舉出下述式(ca-4-1)～(ca-4-2)各表示的陽離子。

上述之中陽離子部((M^m+ )_1/m )亦以一般式(ca-1)所示陽離子為佳。

以下舉出較佳(B1)成分之具體例子。

對於本實施形態之阻劑組成物，(B1)成分可單獨使用1種，亦可併用2種以上。阻劑組成物中，(B1)成分之含有量相對於(A)成分100質量份，以未達50質量份為佳，以1～40質量份為較佳，以5～25質量份為更佳，以5～15質量份或6～15質量份特佳。將(B)成分之含有量設定在前述較佳範圍時，可充分地進行圖型形成。又，將阻劑組成物之各成分溶解於有機溶劑時，可容易得到均勻溶液，作為阻劑組成物之保存穩定性為良好故較佳。

本實施形態之阻劑組成物所含有的(B)成分全體中，上述(B1)成分之比例，例如為50質量%以上，以70質量%以上為佳，較佳為95質量%以上，亦可為100質量%。 (B1)成分之比例若為前述較佳範圍的下限值以上時，可提高CDU等光刻特性，可形成良好形狀的阻劑圖型。

本實施形態之阻劑組成物所含有的(B)成分全體中，上述(B1)成分之比例以100質量%者為佳。

．對於(B2)成分：

(B)成分在不損害本發明之效果的範圍下，可含有(B1)成分以外之酸產生劑成分(以下稱為「(B2)成分」)。但，(B2)成分為未含有於負離子部含有鹵素原子之鎓鹽。

作為(B2)成分，雖無特別限定，可使用至今作為化學增幅型阻劑組成物用之酸產生劑而被提案者。

作為如此酸產生劑，可舉出碘鎓鹽或硫鎓鹽等鎓鹽系酸產生劑(但，除去於負離子部含有鹵素原子者)、肟磺酸鹽系酸產生劑；雙烷基或雙芳基磺醯基重氮甲烷類、聚(雙磺醯基)重氮甲烷類等重氮甲烷系酸產生劑；硝基苯甲基磺酸鹽系酸產生劑、亞胺磺酸鹽系酸產生劑、二碸系酸產生劑等多種。

對於本實施形態之阻劑組成物，可單獨使用一種(B2)成分，亦可合併2種以上使用。

阻劑組成物所含有的(B)成分全體之中，(B2)成分之比例，例如為50質量%以下，以20質量%以下為佳，較佳為10質量%以下，特佳為5質量%以下。

(B)成分以未含有(B2)成分者為佳，以僅含有上述(B1)成分所成者為佳。因(B)成分僅由(B1)成分所成，藉由併用上述(A1)成分與(B1)成分而可容易發揮其效果，進一步提高CDU等光刻特性。

<其他成分>

本實施形態的阻劑組成物除上述(A)成分及(B)成分以外，亦可進一不含有其他成分。作為其他成分，例如可舉出以下所示(D)成分、(E)成分、(F)成分、(S)成分等。

≪鹼成分(D)≫

本實施形態的阻劑組成物為，除(A)成分及(B)成分以外，可進一步含有鹼成分((D)成分)(但，除相當於(B1)成分者)，該鹼成分為捕捉(即，控制酸之擴散)因曝光所產生的酸。(D)成分為，作為捕捉於阻劑組成物中經曝光而產生的酸之淬滅劑(酸擴散控制劑)而作用者。

作為(D)成分，例如可舉出使藉由曝光進行分解之酸擴散控制性喪失的光崩壞性鹼(D1)(以下稱為「(D1)成分」)、未相當於該(D1)成分之含氮有機化合物(D2)(以下稱為「(D2)成分」)等。此等中亦由容易使高感度化、粗糙度減低、塗布缺陷產生之抑制的特性中任一者提高來看，以光崩壞性鹼((D1)成分)為佳。

．對於(D1)成分：

藉由含有(D1)成分之阻劑組成物，於形成阻劑圖型時，可進一步提高阻劑膜之曝光部與未曝光部之對比。作為(D1)成分，藉由曝光進行分解而可失去酸擴散控制性者即可，並無特別限定，以選自由下述一般式(d1-1)所示化合物(以下稱為「(d1-1)成分」)，及下述一般式(d1-2)所示化合物(以下稱為「(d1-2)成分」。)所成群的1種以上化合物為佳。 (d1-1)～(d1-2)成分為，對於阻劑膜之曝光部，未發揮作為使用於經分解而失去酸擴散控制性(鹼性)之淬滅劑的作用，可作為對於阻劑膜之未曝光部的淬滅劑而發揮其作用。

[式中，Rd¹ 、Rd³ ，及Rd⁴ 各自獨立為可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀烷基，或可具有取代基的鏈狀烯基。Yd¹ 為單鍵或2價連結基。m為1以上的整數，M^m+ 各自獨立表示m價有機陽離子。]

{(d1-1)成分} ･･負離子部式(d1-1)中，Rd¹ 為可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀烷基，或可具有取代基的鏈狀烯基，各可舉出與前述R’²⁰¹ 相同者。此等中，作為Rd¹ ，以可具有取代基的芳香族烴基、可具有取代基的脂肪族環式基，或可具有取代基的鏈狀烷基為佳。作為可具有此等基的取代基，可舉出羥基、氧代基、烷基、芳基、氟原子、氟化烷基、上述一般式(a2-r-1)～(a2-r-7)各表示的含有內酯的環式基、醚鍵、酯鍵，或此等組合。作為取代基含有醚鍵或酯鍵時，可隔著伸烷基，作為此時的取代基，以上述式(y-al-1)～(y-al-5)各表示的連結基為佳。作為前述芳香族烴基，可舉出較佳的含有苯基、萘基、聯環辛烷骨架之多環結構(由聯環辛烷骨架與此以外的環結構所成的多環結構)。作為前述脂肪族環式基，以自金剛烷、降冰片烷、異冰片、三環癸烷、四環十二烷等聚環烷烴除去1個以上氫原子之基者為較佳。作為前述鏈狀烷基，以碳數1～10者為佳，具體可舉出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等直鏈狀烷基；1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等分支鏈狀烷基。

前述鏈狀烷基具有作為取代基的氟原子或氟化烷基之氟化烷基時，氟化烷基之碳數以1～11為佳，以1～8為較佳，以1～4為更佳。該氟化烷基亦可含有除氟原子以外的原子。作為氟原子以外之原子，例如可舉出氧原子、硫原子、氮原子等。作為Rd¹ ，以構成直鏈狀烷基之一部分或全部的氫原子由氟原子所取代的氟化烷基者為佳，以構成直鏈狀烷基之氫原子的全部由氟原子所取代的氟化烷基(直鏈狀全氟烷基)者為特佳。

以下可舉出(d1-1)成分之負離子部的較佳具體例子。

･･陽離子部式(d1-1)中，M^m+ 為m價有機陽離子。作為M^m+ 的有機陽離子，較佳可舉出與前述一般式(ca-1)～(ca-4)各表示的陽離子的相同者，以前述一般式(ca-1)所示陽離子為較佳，以前述式(ca-1-1)～(ca-1-70)各表示的陽離子為更佳。 (d1-1)成分可單獨使用1種，亦可組合2種以上而使用。

{(d1-2)成分} ･･負離子部式(d1-2)中，Rd³ 為可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀烷基，或可具有取代基的鏈狀烯基，可舉出與前述R’²⁰¹ 之相同者，以含有氟原子的環式基、鏈狀烷基，或鏈狀烯基者為佳。其中亦以氟化烷基為佳，以與前述Rd¹ 的氟化烷基之相同者為佳。

式(d1-3)中，Rd⁴ 為可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀烷基，或可具有取代基的鏈狀烯基，可舉出與前述R’²⁰¹ 之相同者。其中，亦以可具有取代基的烷基、烷氧基、烯基、環式基者為佳。 Rd⁴ 中之烷基以碳數1～5的直鏈狀或分支鏈狀烷基為佳，具體可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。Rd⁴ 的烷基之氫原子的一部分由羥基、氰基等所取代。 Rd⁴ 中之烷氧基以碳數1～5的烷氧基為佳，作為碳數1～5的烷氧基，具體可舉出甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基。其中亦以甲氧基、乙氧基為佳。

Rd⁴ 中之烯基可舉出與前述R’²⁰¹ 中之烯基的相同者，以乙烯基、丙烯基(烯丙基)、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基為佳。此等基可進一步作為取代基，可具有碳數1～5的烷基或碳數1～5的鹵化烷基。

Rd⁴ 中之環式基可舉出與前述R’²⁰¹ 中之環式基的相同者，以自環戊烷、環己烷、金剛烷、降冰片烷、異冰片、三環癸烷、四環十二烷等環烷烴除去1個以上氫原子的脂環式基，或苯基、萘基等芳香族基為佳。Rd⁴ 為脂環式基時，阻劑組成物因對於有機溶劑具有良好溶解性，故可使光刻特性變得良好。又，Rd⁴ 為芳香族基時，對於將EUV等作為曝光光源的光刻，該阻劑組成物的光吸收效率優異，感度或光刻特性變得良好。

式(d1-2)中，Yd¹ 為單鍵或2價連結基。作為Yd¹ 中之2價連結基，雖無特別限定，但可舉出可具有取代基的2價烴基(脂肪族烴基、芳香族烴基)、含有雜原子之2價連結基等。此等各可舉出對於上述式(a2-1)中之Ya²¹ 中的2價連結基之說明中所舉出的與含有可具有取代基的2價烴基、雜原子之2價連結基的相同者。作為Yd¹ ，以羰基、酯鍵、醯胺鍵、伸烷基或此等組合者為佳。作為伸烷基，以直鏈狀或分支鏈狀的伸烷基者為較佳，以亞甲基或伸乙基者為更佳。

以下表示(d1-2)成分之負離子部的較佳具體例子。

･･陽離子部式(d1-2)中，M^m+ 為m價有機陽離子，與前述式(d1-1)中之M^m+ 相同。 (d1-2)成分可單獨使用1種亦可組合2種以上而使用。

(D1)成分可使用上述(d1-1)～(d1-2)成分中任僅一1種，亦可組合2種以上而使用。由提高CDU之觀點來看，(D1)成分以含有(d1-1)成分者為佳。阻劑組成物含有(D1)成分時，阻劑組成物中之(D1)成分的含有量相對於(A)成分100質量份而言，以0.5～20質量份為佳，以1～15質量份為較佳，以2～12質量份為更佳。 (D1)成分之含有量在較佳下限值以上時，容易得到特別良好的光刻特性及阻劑圖型形狀。另一方面，若為上限值以下時，可良好地維持感度，且吞出量亦優良。

(D1)成分之製造方法：前述(d1-1)成分的製造方法並無特別限定，可藉由公知方法而製造。又，(d1-2)成分之製造方法並無特別限定，例如可以與US2012-0149916號公報所記載的相同方法而製造。

･對於(D2)成分作為(D)成分，可含有不相當於上述(D1)成分的含氮有機化合物成分(以下稱為「(D2)成分」)。作為(D2)成分，其為作為酸擴散控制劑而作用者，且若為不相當於(D1)成分者即可，並無特別限定，可使用公知的任意者。其中，亦以脂肪族胺為佳，其中亦以第2級脂肪族胺或第3級脂肪族胺為特佳。所謂脂肪族胺表示具有1個以上脂肪族基之胺，該脂肪族基以碳數1～12者為佳。作為脂肪族胺，可舉出將氨NH₃ 之氫原子的至少1個由碳數12以下的烷基或者羥基烷基所取代的胺(烷基胺或者烷基醇胺)或環式胺。作為烷基胺及烷基醇胺之具體例子，可舉出n-己基胺、n-庚基胺、n-辛基胺、n-壬基胺、n-癸基胺等單烷基胺；二乙基胺、二-n-丙基胺、二-n-庚基胺、二-n-辛基胺、二環己基胺等二烷基胺；三甲基胺、三乙基胺、三-n-丙基胺、三-n-丁基胺、三-n-戊基胺、三-n-己基胺、三-n-庚基胺、三-n-辛基胺、三-n-壬基胺、三-n-癸基胺、三-n-十二烷基胺等三烷基胺；二乙醇胺、三乙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、二-n-辛醇胺、三-n-辛醇胺等烷基醇胺。此等中亦以碳數5～10的三烷基胺為更佳，以三-n-戊基胺或三-n-辛基胺特佳。

作為環式胺，例如可舉出含有作為雜原子的氮原子之雜環化合物。作為該雜環化合物，可為單環式者(脂肪族單環式胺)亦可為多環式者(脂肪族多環式胺)。作為脂肪族單環式胺，具體可舉出哌啶、哌嗪等。作為脂肪族多環式胺，以碳數6～10者為佳，具體可舉出1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-7-十一碳烯、六亞甲基四胺、1,4-二氮雜雙環[2.2.2]辛烷等。

作為其他脂肪族胺，可舉出參(2-甲氧基甲氧基乙基)胺、參{2-(2-甲氧基乙氧基)乙基}胺、參{2-(2-甲氧基乙氧基甲氧基)乙基}胺、參{2-(1-甲氧基乙氧基)乙基}胺、參{2-(1-乙氧基乙氧基)乙基}胺、參{2-(1-乙氧基丙氧基)乙基}胺、參[2-{2-(2-羥基乙氧基)乙氧基}乙基]胺、三乙醇胺三乙酸酯等，以三乙醇胺三乙酸酯為佳。

又，作為(D2)成分亦可使用芳香族胺。作為芳香族胺，可舉出4-二甲基胺基吡啶、吡咯、吲哚、吡唑、咪唑或此等衍生物、三苯甲基胺、2,6-二異丙基苯胺、N-tert-丁氧基羰基吡咯烷等。

(D2)成分可單獨使用1種亦可組合2種以上而使用。阻劑組成物若含有(D2)成分時，阻劑組成物中的(D2)成分之含有量，相對於(A)成分100質量份而言，通常在0.01～5質量份之範圍而使用。藉由上述範圍，可提高阻劑圖型形狀、預置經時穩定性等。

≪有機羧酸、以及選自由磷的含氧酸及其衍生物所成群的至少1種化合物(E)≫ 本實施形態的阻劑組成物中，以感度劣化之防止，或阻劑圖型形狀、預置經時穩定性等提高的目的下，其中可含有作為任意成分的有機羧酸，以及選自由磷的含氧酸及其衍生物所成群的至少1種化合物(E)(以下稱為「(E)成分」)。作為有機羧酸，例如較佳為乙酸、丙二酸、檸檬酸、蘋果酸、琥珀酸、安息香酸、水楊酸等。作為磷的含氧酸，可舉出磷酸、膦酸、膦酸等，此等中特佳為膦酸。作為磷的含氧酸之衍生物，例如可舉出上述含氧酸的氫原子由烴基所取代的酯等，作為前述烴基，可舉出碳數1～5的烷基、碳數6～15的芳基等。作為磷酸的衍生物，可舉出磷酸二-n-丁基酯、磷酸二苯基酯等磷酸酯等。作為膦酸的衍生物，可舉出膦酸二甲基酯、膦酸-二-n-丁基酯、苯基膦酸、膦酸二苯基酯、膦酸二苯甲基酯等膦酸酯等。作為膦酸的衍生物，可舉出膦酸酯或苯基膦酸等。對於本實施形態之阻劑組成物，(E)成分可單獨使用1種，亦可併用2種以上。阻劑組成物含有(E)成分情況時，(E)成分的含有量相對於(A)成分100質量份而言，通常使用0.01～5質量份之範圍。

≪氟添加劑成分(F)≫ 本實施形態之阻劑組成物因對阻劑膜賦予撥水性，或因提高光刻特性，亦可含有氟添加劑成分(以下稱為「(F)成分」)。作為(F)成分，例如可使用日本特開2010-002870號公報、日本特開2010-032994號公報、日本特開2010-277043號公報、日本特開2011-13569號公報、日本特開2011-128226號公報所記載的含氟高分子化合物。作為(F)成分，更具體可舉出下述一般式(f1-1)所示具有構成單位(f1)之聚合物。作為該聚合物係僅由下述式(f1-1)所示構成單位(f1)所成的聚合物(均聚物)；該構成單位(f1)與前述構成單位(a1)之共聚物；該構成單位(f1)與由丙烯酸或甲基丙烯酸所衍生的構成單位與前述構成單位(a1)之共聚物者為佳。其中，作為與該構成單位(f1)經共聚合的前述構成單位(a1)，以由1-乙基-1-環辛基(甲基)丙烯酸酯所衍生的構成單位、由1-甲基-1-金剛烷基(甲基)丙烯酸酯所衍生的構成單位為佳。

[式中，R與前述相同，Rf¹⁰² 及Rf¹⁰³ 各自獨立表示氫原子、鹵素原子、碳數1～5的烷基或碳數1～5的鹵化烷基，Rf¹⁰² 及Rf¹⁰³ 可為相同亦可為相異。nf¹ 為0～5的整數，Rf¹⁰¹ 為含有氟原子之有機基]

式(f1-1)中，鍵結於α位的碳原子之R與前述相同。作為R以氫原子或甲基為佳。式(f1-1)中，作為Rf¹⁰² 及Rf¹⁰³ 的鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別以氟原子為佳。作為Rf¹⁰² 及Rf¹⁰³ 的碳數1～5的烷基，可舉出與上述R的碳數1～5的烷基之相同者，以甲基或乙基為佳。作為Rf¹⁰² 及Rf¹⁰³ 的碳數1～5的鹵化烷基，具體可舉出碳數1～5的烷基之氫原子的一部分或全部由鹵素原子所取代的基。作為該鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別以氟原子為佳。其中作為Rf¹⁰² 及Rf¹⁰³ ，亦以氫原子、氟原子，或碳數1～5的烷基為佳，以氫原子、氟原子、甲基，或乙基為佳。式(f1-1)中，nf¹ 為0～5的整數，以0～3的整數為佳，以0～2者為較佳。

式(f1-1)中，Rf¹⁰¹ 為含有氟原子之有機基，以含有氟原子之烴基者為佳。作為含有氟原子之烴基，以直鏈狀、分支鏈狀或環狀中任一者皆可，以碳數1～20者為佳，以碳數1～15者為較佳，以碳數1～10特佳。又，含有氟原子之烴基以該烴基中之氫原子的25%以上經氟化者為佳，以50%以上經氟化者為較佳，以60%以上經氟化者，由浸漬曝光時之阻劑膜的疏水性提高來看為特佳。其中，作為Rf¹⁰¹ ，以碳數1～6的氟化烴基為較佳，以三氟甲基、-CH₂ -CF₃ 、-CH₂ -CF₂ -CF₃ 、-CH(CF₃ )₂ 、-CH₂ -CH₂ -CF₃ 、-CH₂ -CH₂ -CF₂ -CF₂ -CF₂ -CF₃ 特佳。

(F)成分的重量平均分子量(Mw)(藉由凝膠滲透層析法之聚苯乙烯換算基準)以1000～50000為佳，以5000～40000為較佳，以10000～30000為最佳。設定在該範圍之上限值以下時，作為阻劑使用時對阻劑用溶劑有著充分的溶解性，設定在該範圍之下限值以上時，阻劑膜之撥水性為良好。 (F)成分的分散度(Mw/Mn)以1.0～5.0為佳，以1.0～3.0為較佳，以1.0～2.5為最佳。

對於本實施形態的阻劑組成物，(F)成分可單獨使用1種，亦可併用2種以上。阻劑組成物含有(F)成分時，(F)成分的含有量相對於(A)成分100質量份而言，通常使用0.5～10質量份之比例。

≪有機溶劑成分(S)≫ 本實施形態的阻劑組成物可由將阻劑材料溶解於有機溶劑成分(以下稱為「(S)成分」)而製造。作為(S)成分，若溶解使用的各成分可使其成均勻溶液者即可，可使用適宜地選自過去作為化學增幅型阻劑組成物之溶劑的公知中任意者。作為(S)成分，例如可舉出γ-丁內酯等內酯類；丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基-n-戊基酮、甲基異戊基酮、2-庚酮等酮類；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等多元醇類；具有乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯或二丙二醇單乙酸酯等酯鍵之化合物、具有前述多元醇類或前述酯鍵之化合物的單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚等單烷基醚或具有單苯基醚等醚鍵之化合物等多元醇類之衍生物[此等中以丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲基醚(PGME)為佳]；如此二噁烷可舉出環式醚類或乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等酯類；苯甲醚、乙基苯甲基醚、甲酚甲基醚、二苯基醚、二苯甲基醚、苯乙醚、丁基苯基醚、乙基苯、二乙基苯、戊基苯、異丙基苯、甲苯、二甲苯、異丙基甲苯、三甲苯等芳香族系有機溶劑、二甲基亞碸(DMSO)等。對於本實施形態之阻劑組成物，(S)成分可單獨使用1種，亦可作為2種以上之混合溶劑而使用。其中以PGMEA、PGME、γ-丁內酯、EL、環己酮為佳。

又，作為(S)成分，以混合PGMEA與極性溶劑之混合溶劑亦佳。該配合比(質量比)若考慮到PGMEA與極性溶劑之相溶性等而適宜決定即可，以1：9～9：1為佳，較佳為2：8～8：2之範圍內者為佳。更具體為，作為極性溶劑而添加EL或環己酮時，PGMEA：EL或環己酮之質量比以1：9～9：1為佳，較佳為2：8～8：2。又，作為極性溶劑而添加PGME時，PGMEA：PGME的質量比以1：9～9：1為佳，較佳為2：8～8：2，更佳為3：7～7：3。更佳為PGMEA與PGME與環己酮之混合溶劑。又，作為(S)成分，其他亦可為選自PGMEA及EL之中的至少1種與γ-丁內酯之混合溶劑為佳。此時，作為混合比例，以前者與後者之質量比表現時以70：30～95：5為佳。 (S)成分之使用量並無特別限定，以可塗布於基板等之濃度，配合塗布膜厚度而適宜地設定。一般的阻劑組成物之固體成分濃度為0.1～20質量%，使用較佳0.2～15質量%之範圍內的(S)成分。

於本實施形態之阻劑組成物中，視所需進一步可為具有混溶性之添加劑，例如可適宜地添加含有可改善阻劑膜性能之加成的樹脂、溶解抑制劑、可塑劑、穩定劑、著色劑、光暈防止劑、染料等。

本實施形態之阻劑組成物中，將上述阻劑材料溶解於(S)成分後，可使用聚醯亞胺多孔質膜、聚醯胺醯亞胺多孔質膜等而進行雜質等除去。例如使用含有聚醯亞胺多孔質膜所成的濾器、含有聚醯胺醯亞胺多孔質膜所成的濾器、含有聚醯亞胺多孔質膜及聚醯胺醯亞胺多孔質膜所成的濾器等，而可進行阻劑組成物之過濾。作為前述聚醯亞胺多孔質膜及前述聚醯胺醯亞胺多孔質膜，例如可例示出日本特開2016-155121號公報所記載者等。

對於以上說明的本實施形態之阻劑組成物，可組合具有構成單位(a0)之高分子化合物(A1)與具有特定結構之酸產生劑成分(B1)而使用。(B1)成分中作為負離子部藉由含有特定結構之磺酸離子，藉由曝光所產生的酸之酸性度不會過高，可抑制對於未曝光部之酸的作用。又，構成單位(a0)因含有前述式(a01-r-1)所示酸解離性基，對於酸之反應性為高。因此，藉由經曝光而自(B1)成分產生的酸，可快速地解離前述酸解離性基。藉此，曝光部與未曝光部之對比變得容易形成，可提高CDU等光刻特性。又，若自酸解離性基所生成的分子殘存於阻劑膜中時，酸之擴散被助長，且對於未曝光部成為酸分解性基被脱保護之一因素。自構成單位(a0)經解離而產生的分子於顯像液容易溶解，於阻劑膜難以殘存，故推測酸的擴散受到抑制。藉此，推測曝光部與未曝光部之對比變得更大，使CDU等光刻特性更提高。

(阻劑圖型形成方法) 有關本發明之第2態樣之阻劑圖型形成方法，具有以下步驟，於支持體上使用上述實施形態之阻劑組成物形成阻劑膜之步驟、使前述阻劑膜進行曝光的步驟，及顯像前述曝光後之阻劑膜而形成阻劑圖型之步驟。作為該阻劑圖型形成方法之一實施形態，例如可舉出如以下進行的阻劑圖型形成方法。

首先，將上述實施形態之阻劑組成物於支持體上以旋轉器等進行塗布，其中將烘烤(Postapplybake (PAB))處理在例如80～150℃之溫度條件下實施40～120秒，較佳為60～90秒而形成阻劑膜。其次，對於該阻劑膜，例如使用電子線繪畫裝置、EUV曝光裝置等曝光裝置，隔著形成有所定圖型光罩(光罩圖型)進行曝光或未隔著光罩圖型而藉由電子線之直接照射經繪畫等進行選擇性曝光後，將烘烤(曝光後烘烤(PEB))處理在例如80～150℃之溫度條件實施40～120秒，較佳為60～90秒。其次，使前述阻劑膜進行顯像處理。顯像處理在鹼顯像製程時，使用鹼顯像液，在溶劑顯像製程時，使用含有有機溶劑之顯像液(有機系顯像液)而進行。

經顯像處理後，較佳為進行輕洗(rinse)處理。輕洗處理在鹼顯像製程之情況時，使用純水進行水輕洗為佳，在溶劑顯像製程之情況時，使用含有有機溶劑之輕洗液者為佳。溶劑顯像製程之情況，於前述顯像處理或輕洗處理之後，進行將附著於圖型上的顯像液或輕洗液藉由超臨界流體而除去之處理即可。顯像處理後或輕洗處理後進行乾燥。又，依據情況，可於上述顯像處理後進行燒烤處理(後烘烤)。如此可形成阻劑圖型。

作為支持體，並無特別限定，可使用過去公知者，例如可舉出電子零件用之基板或於此形成所定配線圖型者等。更具體可舉出矽晶圓、銅、鉻、鐵、鋁等金屬製之基板或玻璃基板等。作為配線圖型之材料，例如可使用銅、鋁、鎳、金等。又，作為支持體，亦可為於如上述基板上，設置有無機系及/或有機系之膜者。作為無機系之膜，可舉出無機反射防止膜(無機BARC)。作為有機系之膜，可舉出有機反射防止膜(有機BARC)或多層阻劑法中之下層有機膜等有機膜。其中，所謂多層阻劑法為，於基板上設有至少一層的有機膜(下層有機膜)與至少一層的阻劑膜(上層阻劑膜)，將形成於上層阻劑膜之阻劑圖型作為掩膜而進行下層有機膜之製圖的方法，而可形成高縱橫比之圖型。即，依據多層阻劑法，因可確保藉由下層有機膜之所要厚度，故可使阻劑膜薄膜化，且高縱橫比之微細圖型形成變得可能。於多層阻劑法中，基本上分為形成上層阻劑膜與下層有機膜之二層結構的方法(2層阻劑法)，與於上層阻劑膜與下層有機膜之間設有一層以上之中間層(金屬薄膜等)的三層以上之多層結構的方法(3層阻劑法)。

使用於曝光的波長並無特別限定，可使用ArF準分子激光、KrF準分子激光、F₂ 準分子激光、EUV (極端紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子線)、X線、軟X線等放射線而進行。前述阻劑組成物作為KrF準分子激光、ArF準分子激光、EB或EUV用的有用性為高，作為ArF準分子激光、EB或EUV用的有用性更高，作為EB或EUV用的有用性特高。即，本實施形態的阻劑圖型形成方法為，曝光阻劑膜之步驟含有於前述阻劑膜曝光EUV(極端紫外線)或EB(電子線)之操作的情況時特別有用的方法。

阻劑膜之曝光方法亦可為在空氣或氮等惰性氣體中進行的一般曝光(乾曝光)，亦可為液浸曝光(Liquid Immersion Lithography)。液浸曝光為，將預先將阻劑膜與曝光裝置之最下位置的鏡片間，裝滿具有比空氣的折射率大之折射率的溶劑(液浸媒體)，該狀態下進行曝光(浸漬曝光)的曝光方法。作為液浸媒體，以具有比空氣的折射率大，且比經曝光的阻劑膜之折射率小的折射率之溶劑為佳。作為該溶劑之折射率，若在前述範圍內者即可並無特別限定。作為具有比空氣的折射率大，且比前述阻劑膜之折射率小的折射率之溶劑，例如可舉出水、氟系惰性液體、矽系溶劑、烴系溶劑等。作為氟系惰性液體之具體例子，可舉出將C₃ HCl₂ F₅ 、C₄ F₉ OCH₃ 、C₄ F₉ OC₂ H₅ 、C₅ H₃ F₇ 等氟系化合物作為主成分之液體等，沸點以70～180℃者為佳，以80～160℃者為較佳。若氟系惰性液體具有上述範圍之沸點者時，於曝光終了後，以簡便方法除去使用於液浸之媒體者為佳。作為氟系惰性液體，特別以烷基的所有氫原子由氟原子取代的全氟烷基化合物為佳。作為全氟烷基化合物，具體可舉出全氟烷基醚化合物、全氟烷基胺化合物。進一步作為具體的前述全氟烷基醚化合物，可舉出全氟(2-丁基-四氫呋喃)(沸點102℃)，作為前述全氟烷基胺化合物可舉出全氟三丁基胺(沸點174℃)。作為液浸媒體，由成本、安全性、環境問題、汎用性等觀點來看使用水為佳。

作為在鹼顯像製程使用於顯像處理的鹼顯像液，例如可舉出0.1～10質量%四甲基銨氫氧化物(TMAH)水溶液。作為在溶劑顯像製程中使用於顯像處理的有機系顯像液所含有的有機溶劑，若可溶解(A)成分(曝光前之(A)成分)而得者即可，可適宜地選自公知有機溶劑中。具體可舉出酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、腈系溶劑、醯胺系溶劑、醚系溶劑等極性溶劑、烴系溶劑等。酮系溶劑為於結構中含有C-C(=O)-C之有機溶劑。酯系溶劑為於結構中含有C-C(=O)-O-C之有機溶劑。醇系溶劑為於結構中含有醇性羥基之有機溶劑。「醇性羥基」表示鍵結於脂肪族烴基之碳原子的羥基之意思。腈系溶劑為於結構中含有腈基之有機溶劑。醯胺系溶劑為於結構中含有醯胺基之有機溶劑。醚系溶劑為於結構中含有C-O-C之有機溶劑。於有機溶劑之中，亦存在於結構中含有複數種類具有特徵的官能基之上述各溶劑，但此時，亦相當於含有該有機溶劑所具有官能基中任一種溶劑種類者。例如二乙二醇單甲基醚亦相當於上述分類中之醇系溶劑、醚系溶劑中任一者。烴系溶劑係由可經鹵化之烴而成的不具有鹵素原子以外之取代基的烴溶劑。作為鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，以氟原子為佳。作為有機系顯像液所含有的有機溶劑，上述中亦以極性溶劑為佳，以酮系溶劑、酯系溶劑、腈系溶劑等為佳。

作為酮系溶劑，例如可舉出1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、丙酮、4-庚酮、1-己酮、2-己酮、二異丁基酮、環己酮、甲基環己酮、苯基丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙醯丙酮、丙酮基丙酮、紫羅蘭酮、雙丙酮醇、乙醯甲醇、苯乙酮、甲基萘酮、異佛爾酮、伸丙基碳酸酯、γ-丁內酯、甲基戊基酮(2-庚酮)等。此等中作為酮系溶劑，以甲基戊基酮(2-庚酮)為佳。

作為酯系溶劑，例如舉出乙酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯、乙二醇單丙基醚乙酸酯、乙二醇單丁基醚乙酸酯、乙二醇單苯基醚乙酸酯、二乙二醇單甲基醚乙酸酯、二乙二醇單丙基醚乙酸酯、二乙二醇單苯基醚乙酸酯、二乙二醇單丁基醚乙酸酯、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、2-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、4-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-乙基-3-甲氧基丁基乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單丙基醚乙酸酯、2-乙氧基丁基乙酸酯、4-乙氧基丁基乙酸酯、4-丙氧基丁基乙酸酯、2-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲氧基戊基乙酸酯、2-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯、碳酸乙酯、碳酸丙酯、碳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙基、丙酮酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸異丙酯、2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、甲基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、丙基-3-甲氧基丙酸酯等。此等中作為酯系溶劑亦以乙酸丁酯為佳。

作為腈系溶劑，例如可舉出乙腈、丙腈、戊腈、丁腈等。

於有機系顯像液中視必要可添加公知之添加劑。作為該添加劑，例如可舉出界面活性劑。作為界面活性劑，雖無特別限定，例如可使用離子性或非離子性之氟系及/或矽系界面活性劑等。作為界面活性劑，以非離子性之界面活性劑為佳，以非離子性之氟系界面活性劑，或非離子性之矽系界面活性劑為較佳。添加界面活性劑時，該配合量對於有機系顯像液之全量而言，通常為0.001～5質量%，以0.005～2質量%為佳，以0.01～0.5質量%為較佳。

顯像處理可藉由公知顯像方法而實施，例如可舉出於顯像液中將支持體以一定時間進行浸漬的方法(浸漬法)、於支持體表面將顯像液藉由表面張力而提高並靜置一定時間的方法(攪拌法)、於支持體表面使顯像液進行噴霧的方法(噴霧法)、於以一定速度進行轉動的支持體上以一定速度一邊掃描顯像液塗出噴嘴一邊繼續塗布顯像液之方法(動態分配方法)等。

在溶劑顯像製程，作為使用於顯像處理後之輕洗處理的輕洗液所含有的有機溶劑，例如作為使用於前述有機系顯像液之有機溶劑所舉出的有機溶劑中，可適宜地選擇使用不容易溶解阻劑圖型者。通常使用選自烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑及醚系溶劑的至少1種類溶劑。此等中，以選自烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑及醯胺系溶劑的至少1種類為佳，以選自醇系溶劑及酯系溶劑的至少1種類為較佳，以醇系溶劑特佳。使用於輕洗液的醇系溶劑以碳數6～8之1元醇為佳，以該1元醇為直鏈狀、支鏈狀或環狀中任一者皆可。具體可舉出1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、2-己醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇、4-辛醇、苯甲基醇等。此等亦以1-己醇、2-庚醇、2-己醇為佳，以1-己醇、2-己醇為較佳。此等有機溶劑可單獨使用任1種，亦可併用2種以上。又，亦可使用與上述以外的有機溶劑或水進行混合者。但，若考慮到顯像特性時，輕洗液中之水的配合量，相對於輕洗液之全量而言，以30質量%以下為佳，以10質量%以下為較佳，以5質量%以下為更佳，以3質量%以下特佳。於輕洗液中視必要可添加公知之添加劑。作為該添加劑，例如可舉出界面活性劑。界面活性劑可舉出與前述相同者，以非離子性之界面活性劑為佳，以非離子性之氟系界面活性劑，或非離子性之矽系界面活性劑為較佳。添加界面活性劑時，該配合量相對於輕洗液之全量而言，通常為0.001～5質量%，以0.005～2質量%為佳，以0.01～0.5質量%為較佳。

使用輕洗液的輕洗處理(洗淨處理)可依據公知之輕洗方法而實施。作為該輕洗處理之方法，例如可舉出以一定速度進行轉動之支持體上繼續塗布輕洗液之方法(轉動塗布法)、於輕洗液中將支持體以一定時間進行浸漬的方法(浸漬法)、於支持體表面噴霧輕洗液之方法(噴霧法)等。

依據以上說明的本實施形態之阻劑圖型形成方法，因使用有關上述第1態樣之阻劑組成物，可形成CDU等光刻特性提高的阻劑圖型。 [實施例]

以下藉由實施例更詳細說明本發明，但本發明並未受到此等例的限定者。

＜阻劑組成物之調製＞ (實施例1～11、比較例1～6) 混合於表2所示的各成分並溶解，調製出各例的阻劑組成物(固體成分濃度3.6質量%)。

表1中，各略號分別具有以下的意思。[]內之數值為配合量(質量份)。 (A1)-1：由下述化學式(A1-1)所示高分子化合物。藉由GPC測定所求得之標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)為10000，分子量分散度(Mw/Mn)為1.6。藉由¹³ C-NMR而求得之共聚合組成比(結構式中之各構成單位的比例(莫耳比))為l/m/n=20/30/50。 (A1)-2：由下述化學式(A1-2)所示高分子化合物。藉由GPC測定所求得之標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)為10000，分子量分散度(Mw/Mn)為1.6。藉由¹³ C-NMR而求得之共聚合組成比(結構式中之各構成單位的比例(莫耳比))為l/m=40/60。 (A1)-3：由下述化學式(A1-3)所示高分子化合物。藉由GPC測定所求得之標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)為9000，分子量分散度(Mw/Mn)為1.6。藉由¹³ C-NMR所求得之共聚合組成比(結構式中之各構成單位的比例(莫耳比))為l/m=50/50。 (A1)-4：由下述化學式(A1-4)所示高分子化合物。藉由GPC測定所求得之標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)為10000，分子量分散度(Mw/Mn)為1.7。藉由¹³ C-NMR所求得之共聚合組成比(結構式中之各構成單位的比例(莫耳比))為l/m=50/50。 (A1)-5：由下述化學式(A1-5)所示高分子化合物。藉由GPC測定所求得之標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為8000，分子量分散度(Mw/Mn)為1.5。藉由¹³ C-NMR所求得之共聚合組成比(結構式中的各構成單位之比例(莫耳比))為l/m=40/60。 (A2)-1：由下述化學式(A-1)所示高分子化合物。藉由GPC測定所求得之標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為10000，分子量分散度(Mw/Mn)為1.6。藉由¹³ C-NMR所求得之共聚合組成比(結構式中的各構成單位之比例(莫耳比))為l/m=50/50。

(B1)-1：由下述化學式(B1-1)所示化合物而成之酸產生劑。 (B1)-2：由下述化學式(B1-2)所示化合物而成之酸產生劑。 (B1)-3：由下述化學式(B1-3)所示化合物而成之酸產生劑。 (B2)-1：由下述化學式(B2-1)所示化合物而成之酸產生劑。

(D)-1：由下述化學式(D1-1)所示化合物而成之光崩壞性鹼。 (D)-2：由下述化學式(D1-2)所示化合物而成之光崩壞性鹼。

(F)-1：由下述化學式(F-1)所示高分子化合物。藉由GPC測定所求得之標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為15000，分子量分散度(Mw/Mn)為1.9。藉由¹³ C-NMR所求得之共聚合組成比(結構式中的各構成單位之比例(莫耳比))為l/m=50/50。

(S)-1：丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單甲基醚/環己酮=12/8/7(質量比)之混合溶劑。

＜阻劑圖型之形成＞步驟(i)：於12英吋的矽晶圓上，將有機系反射防止膜組成物(商品名：ARC95、BrewerScience,Inc.製)使用旋轉器進行塗布，形成膜厚89nm之有機系反射防止膜。其次，於該有機系反射防止膜上將各例的各阻劑組成物使用旋轉器進行塗布，在加熱板上，在溫度110℃下進行60秒之預烘烤(PAB)處理，藉由乾燥的進行，形成膜厚110nm之阻劑膜。步驟(ii)：其次對於前述阻劑膜，使用液浸用ArF曝光裝置XT1900i(ASML公司製；NA(開口數)=1.05；Annular0.868/0.675w/Pol)，隔著80nm之光罩，選擇性地照射ArF準分子激光(193nm)。此時，在100℃進行60秒之曝光後加熱(PEB)處理。步驟(iii)：其次，在23℃以乙酸丁酯施予23秒的溶劑顯像，進行振動乾燥。該結果形成孔徑90nm/間隙150nm之接觸孔(CH)圖型。

[最佳曝光量(Eop)之評估] 藉由前述之＜阻劑圖型之形成＞求得形成有目標尺寸之CH圖型的最佳曝光量Eop(mJ/cm² )。將此作為「Eop(mJ/cm² )」表示於表3。

[圖型尺寸之面內均勻性(CDU)的評估] 對於藉由前述之＜阻劑圖型之形成＞所形成的CH圖型，測長SEM(掃描型電子顯微鏡、加速電壓500V、商品名：CG5000、Hitachi High-Technologies股份有限公司製)，將該CH圖型自上空進行觀察，測定該CH圖型中之100個孔的孔直徑(nm)。求得自該測定結果所算出的標準偏差(σ)之3倍值(3σ)。將此作為「CDU(nm)」而表示於表3。如此所求得之3σ該值越小，形成於該阻劑膜之孔的尺寸(CD)均勻性越高的意思。

由如表3所示結果，確認到實施例1～11的阻劑組成物與比較例1～6的阻劑組成物相比較，維持感度下，亦提高CDU。

Claims

一種阻劑組成物，其為藉由曝光產生酸，且藉由酸的作用對於顯像液的溶解性產生變化的阻劑組成物，其中含有藉由酸的作用對於顯像液的溶解性產生變化之基材成分(A)，與藉由曝光產生酸之酸產生劑成分(B)；前述基材成分(A)含有高分子化合物(A1)，該高分子化合物(A1)為具有含有下述一般式(a01-r-1)所示酸解離性基之構成單位(a0)者；前述酸產生劑成分(B)為含有下述一般式(b1)所示化合物(B1)，且未含有於負離子部具有鹵素原子之鎓鹽者；
[式中，R⁰¹表示碳數4以上的烷基；n表示1~4的整數；*表示鍵結手]；
[式中，Rb¹表示可具有取代基之烴基；但Rb¹未含有鹵素原子；m表示1以上的整數，M^m+表示m價有機陽離子]。
如請求項1之阻劑組成物，其中前述構成單位(a0)為下述一般式(a0-1)所示構成單位；
[式中，R表示氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基；Va⁰¹¹表示可具有醚鍵之2價烴基；n_a011為0~2的整數；Ra⁰¹¹表示前述一般式(a01-r-1)所示酸解離性基]。
如請求項1之阻劑組成物，其中前述酸產生劑成分(B)僅含有前述化合物(B1)而成。
如請求項1或2之阻劑組成物，其中前述(B)含有下述一般式(b1-1)所示負離子，
[式中，Lb¹¹表示可具有取代基的伸烷基；Yb¹¹表示單鍵或含有氧原子的2價連結基；Rb¹¹表示可具有取代基之脂環式烴基；但，Lb¹¹、Yb¹¹及Rb¹¹未含有鹵素原子]。
如請求項1或2之阻劑組成物，其中前述化合物(B1)之含有量相對於前述基材成分(A)100質量份而言為1~40質量份，前述酸產生劑成分(B)全體中，前述化合物(B1)之比例為50質量%以上。
如請求項1或2之阻劑組成物，其中進一步含有下述一般式(d1-1)或(d1-2)所示化合物(D1)，
[式中，Rd¹、Rd³及Rd⁴各自獨立為可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀烷基，或可具有取代基的鏈狀烯基；Yd¹為單鍵或2價連結基；m為1以上的整數，M^m+各自獨立為m價有機陽離子]。
如請求項1或2之阻劑組成物，其中進一步含有氟添加劑成分(F)，前述氟添加劑成分(F)為，下述一般式(f1-1)所示構成單位(f1)與含有藉由酸作用會使極性增大的酸分解性基之構成單位(a1)的共聚物，或前述構成單位(f1)與前述構成單位(a1)與由丙烯酸或者甲基丙烯酸所衍生的構成單位的共聚物，
[式中，R與前述相同，Rf¹⁰²及Rf¹⁰³各自獨立表示氫原子、鹵素原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Rf¹⁰²及Rf¹⁰³可為相同亦可為相異；nf¹為0~5的整數，Rf¹⁰¹為含有氟原子之有機基]。
一種阻劑圖型形成方法，其為具有於支持體上使用如請求項1~3中任一項之阻劑組成物而形成阻劑膜的步驟、使前述阻劑膜進行曝光的步驟，及使前述曝光後的阻劑膜經顯像而形成阻劑圖型的步驟。