TW201815797A

TW201815797A - 有機半導體

Info

Publication number: TW201815797A
Application number: TW106129121A
Authority: TW
Inventors: 常勝王; 威廉米契爾
Original assignee: 德商馬克專利公司
Priority date: 2016-08-29
Filing date: 2017-08-28
Publication date: 2018-05-01
Also published as: EP3504216A1; WO2018041768A1; US20190189925A1

Abstract

本發明係關於新穎有機半導體(OSC)化合物，其含有一或多個1,3-二硫雜環戊烯并[5,6-f]苯并-2,1,3-噻二唑(「DTBTz」)或1,3-二硫雜環戊烯并[6,7-g]喹喔啉(「DTQ」)單元或其衍生物，關於其製備方法及在其中使用之浸提物或中間體，關於含有其之組合物及調配物，關於該等化合物及組合物作為有機半導體在有機電子(OE)裝置、尤其有機光伏打(OPV)裝置、基於鈣鈦礦之太陽能電池(PSC)裝置、有機光檢測器(OPD)、有機場效應電晶體(OFET)及有機發光二極體(OLED)中或用於其製備之用途，及關於包含該等化合物或組合物之OE裝置。

Description

有機半導體

本發明係關於含有一或多個1,3-二硫雜環戊烯并[5,6-f]苯并-2,1,3-噻二唑(「DTBTz」)或1,3-二硫雜環戊烯并[6,7-g]喹喔啉(「DTQ」)單元或其衍生物之新穎有機半導體(OSC)化合物，其製備方法及在其中使用之浸提物或中間體，含有其之組合物及調配物，化合物及組合物作為有機半導體在有機電子(OE)裝置、尤其有機光伏打(OPV)裝置、基於鈣鈦礦之太陽能電池(PSC)裝置、有機光檢測器(OPD)、有機場效應電晶體(OFET)及有機發光二極體(OLED)中或製備其之用途，及包含該等化合物或組合物之OE裝置。

近年來，已發展OSC材料以產生更多用途、低成本之電子裝置。此等材料可應用於寬廣範圍之裝置或設備中，僅舉幾例包括有機場效電晶體(OFET)、有機發光二極體(OLED)、有機光檢測器(OPD)、有機光伏打(OPV)電池、基於鈣鈦礦之太陽能電池(PSC)裝置、感測器、記憶體元件及邏輯電路。OSC材料通常係以(例如)厚度介於50 nm與300 nm之間之薄層形式存在於電子裝置中。 OSC材料正獲得日益增加之關注，此主要係因其在藉由低溫下成本有效之溶液處理技術所製造之有機電子產品中有利的商業前景。通常據信，OSC具有許多優於其無機對應物之優點，例如製作輕質撓性底板之潛能，使用低成本、基於高速溶液之製作技術製取大面積顯示器之機會及其經由合理化學結構改質而可精細調節之光學及電子性質。一個特別重要的領域係有機光伏打裝置(OPV)。已發現共軛OSC聚合物及OSC小分子可用於OPV中，主要用於光活性層中，此乃因其容許裝置藉由溶液處理技術(例如，旋轉澆鑄、浸塗或噴墨印刷)來製造。與用於製取無機薄膜裝置之蒸發技術相比，溶液處理可更便宜地並以更大規模實施。目前，基於聚合物之光伏打裝置正達成高於10%之效率。在含有n-型OSC及p-型OSC之摻合物之光活性層中，通常π-共軛聚合物形成塊材異質接面(BHJ)，π-共軛聚合物用作太陽能之主要吸收劑。因此，低能帶間隙係聚合物吸收最大太陽光譜之基本要求。因此，為在OPV電池及OPD中用作供體OSC，共軛聚合物應具有低能帶間隙，此使得能夠改良光活性層之光捕獲並可產生較高的能量轉化效率。使π-π-供體-受體(D-A)單體聚合以藉助過渡金屬催化之縮聚來合成D-A共聚物係達成用於OPV及OPD應用之低能帶間隙半導體聚合物之已知策略。亦已發現共軛D-A共聚物在OTFT中展示高的電荷載子遷移率。眾所周知，交替D-A結構促進更強的分子間相互作用，從而導致更小的π-π-堆疊距離及有效的分子間電荷轉移，此乃因供體與受體單體單元之間之靜電吸引作用。迄今為止，已合成眾多種共軛π-結構，其可用作製備共軛OSC聚合物之單體。然而，電子供體單元仍在單體庫中佔絕對優勢，此主要係因建構組元及前驅物之合成可及性相對容易。相比之下，僅少數電子受體單元或單體可用。因此，期望藉由添加缺電子π-單元來增加電子受體之庫，以使得可獲得更有前景之D-A共聚物。另一特別重要的領域係OFET。OFET裝置之性能主要係基於半導體材料之電荷載子遷移率及電流開關比，故理想半導體應在關狀態中具有低電導率並連同高電荷載子遷移率(＞ 1 × 10^-1 cm² V^-1 s^-1 )。此外，半導體材料對於氧化穩定甚為重要，即其具有高電離電位，此乃因氧化引起降低之裝置性能，如例如增加之截止電流及臨界電壓偏移。對於半導體材料之其他要求係良好可處理性(尤其係對於薄層及期望圖案之大規模生產而言)，以及有機半導體層之高穩定性、膜均勻性及完整性。然而，先前技術中所揭示用於OE裝置中之OSC材料仍具有若干缺點，例如在適用於大量生產之溶劑中之溶解性差，對於商業應用(例如在電晶體中)裝置性能相對低(電荷載子遷移率不足)，熱、光及電穩定性低，長期穩定性差及成膜性質不可再現。因此，仍然需要OSC材料用於OE裝置(例如，OPV、OPD及OFET)中，該等OSC材料具有有利性質，特定而言良好可處理性、在有機溶劑中之高溶解度、良好結構組織及成膜性質。此外，OSC材料應易於合成，尤其易於藉由適用於大量生產之方法來合成。對於在OPV電池中之使用，OSC材料應尤其具有低能帶間隙，此使得光活性層之光捕獲改良且可產生較高之電池效率、高穩定性及長壽命。對於在OFET中之使用，OSC材料應尤其具有高電荷載子遷移率、在電晶體裝置中之高開/關比、高氧化穩定性及長壽命。本發明之一個目的係提供新型OSC化合物，包括p-型及n-型OSC，其可克服先前技術OSC之缺點且其提供上文所提及有利性質中之一或多者，尤其易於藉由適用於大量生產之方法合成、良好可處理性、高穩定性、在OE裝置中之長壽命、在有機溶劑中之良好溶解性、高電荷載子遷移率及低能帶間隙。本發明之另一目的係擴展熟習此項技術者可獲得之OSC材料與p-型及n-型OSC之庫。熟習此項技術者自以下詳細說明會立即明瞭本發明之其他目的。本發明之發明者已發現，一或多個上述目的可藉由提供如下文所揭示並主張之化合物來達成。該等化合物含有1,3-二硫雜環戊烯并[5,6-f]苯并-2,1,3-噻二唑(「DTBTz」)或1,3-二硫雜環戊烯并[6,7-g]喹喔啉(「DTQ」)單元或其衍生物，如式I中所顯示。已發現可使用包含此一DTBTz或DTQ單元之化合物作為OSC，其顯示如上文所述之有利性質。

本發明係關於包含一或多個式I之二價單元之化合物其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義： X O、S、Se、Te、-NR-、-PR-、-P(=O)-、-P(OR)-、-P(O)(OR)-或-CR¹ =CR² -， U¹ 、U² 拉電子基團，較佳選自CN、C(=O)R或C(=O)OR，或U¹ 與U² 一起形成視情況經一或多個基團L、R¹ 或R² 取代之具有4至15個環原子之碳環、雜環、芳香族環或雜芳香族環， R H或具有1至30個、較佳1至25個C原子之直鏈、具支鏈或環狀烷基，其中一或多個CH₂ 基團視情況以O及/或S原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=S)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-NR⁰ -、-SiR⁰ R⁰⁰ -、-CF₂ -、-CR⁰ =CR⁰⁰ -、-CY¹ =CY² -或-C≡C-替代，且其中一或多個H原子視情況經F、Cl、Br、I或CN替代，且其中一或多個CH₂ 或CH₃ 基團視情況經陽離子或陰離子基團、或芳基、雜芳基、芳基烷基、雜芳基烷基、芳氧基或雜芳氧基替代，其中上文所提及環狀基團中之每一者具有5至20個環原子，為單環或多環，視情況含有稠合環且未經取代或經一或多個相同或不同基團L取代， R^1,2 H、F、Cl、CN或具有1至30個、較佳1至20個C原子之直鏈、具支鏈或環狀烷基，其中一或多個CH₂ 基團視情況以O及/或S原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=S)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-NR⁰ -、-SiR⁰ R⁰⁰ -、-CF₂ -、-CR⁰ =CR⁰⁰ -、-CY¹ =CY² -或-C≡C-替代，且其中一或多個H原子視情況經F、Cl、Br、I或CN替代，且其中一或多個CH₂ 或CH₃ 基團視情況經陽離子或陰離子基團、或芳基、雜芳基、芳基烷基、雜芳基烷基、芳氧基或雜芳氧基替代，其中上文所提及環狀基團中之每一者具有5至20個環原子，為單環或多環，視情況含有稠合環且未經取代或經一或多個相同或不同基團L取代，或R¹ 與R² 形成芳香族或雜芳香族環系統，其經稠合至R¹ 及R² 所附接之吡嗪環，具有5至20個環原子，為單環或多環，視情況含有稠合環且未經取代或經一或多個相同或不同基團L取代， L F、Cl、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、R⁰ 、OR⁰ 、SR⁰ 、-C(=O)X⁰ 、-C(=O)R⁰ 、-C(=O)-OR⁰ 、-O-C(=O)-R⁰ 、-NH₂ 、-NHR⁰ 、-NR⁰ R⁰⁰ 、-C(=O)NHR⁰ 、-C(=O)NR⁰ R⁰⁰ 、-SO₃ R⁰ 、-SO₂ R⁰ 、-OH、-NO₂ 、-CF₃ 、-SF₅ 、或視情況經取代之矽基、或視情況經取代且視情況包含一或多個雜原子之具有1至30個、較佳1至20個C原子之碳基或烴基，較佳F、-CN、R⁰ 、-OR⁰ 、-SR⁰ 、-C(=O)-R⁰ 、-C(=O)-OR⁰ 、-O-C(=O)-R⁰ 、-O-C(=O)-OR⁰ 、-C(=O)-NHR⁰ 、-C(=O)-NR⁰ R⁰⁰ ， Y¹ 、Y² H、F、Cl或CN， X⁰ 鹵素、較佳F或Cl， R⁰ 、R⁰⁰ H或視情況經氟化之具有1至20個、較佳1至12個C原子之直鏈或具支鏈烷基。本發明進一步係關於式I單元在共軛聚合物中之重複單元中或作為該等重複單元之用途。包含一或多個式I單元之化合物在下文中亦稱為「本發明之化合物」。本發明進一步係關於本發明之化合物，其係包含一或多個式I之重複單元之共軛聚合物。本發明進一步係關於共軛聚合物，其包含一或多個式I之重複單元且另外包含一或多個不同伸芳基或伸雜芳基單元，該等伸芳基或伸雜芳基單元具有5至20個環原子，為單環或多環，視情況含有稠合環，係未經取代或經一或多個相同或不同基團L、R¹ 或R² 取代，且係選自式I或在結構上不同於式I，且其中所有上文所提及單元彼此直接連接。本發明進一步係關於如上文所述之共軛聚合物，其中一或多個額外伸芳基或伸雜芳基單元具有電子供體性質。本發明進一步係關於如上文所述之共軛聚合物，其中一或多個額外伸芳基或伸雜芳基單元具有電子受體性質。本發明進一步係關於本發明之化合物，其係包含一或多個式I之二價單元之小分子或寡聚物。本發明進一步係關於本發明之化合物，其係包含式I之二價單元，視情況進一步包含一或多個額外伸芳基或伸雜芳基單元且進一步包含一或多個反應性基團之單體，可使其反應以形成如上文及下文所述之共軛聚合物。本發明進一步係關於本發明之化合物，其係包含一或多個式I之二價單元且進一步包含一或多個可在側向或在末端附接至式I單元之拉電子基團的小分子或寡聚物。本發明進一步係關於本發明之化合物作為電子供體或p-型半導體，或作為電子受體或n-型半導體之用途。本發明進一步係關於本發明之化合物作為電子供體或電子受體組分在半導體材料、調配物、聚合物摻合物、裝置或裝置組件中之用途。本發明進一步係關於半導體材料、調配物、聚合物摻合物、裝置或裝置組件，其包含本發明之化合物作為電子供體組分，且較佳進一步包含一或多種具有電子受體性質之化合物。本發明進一步係關於半導體材料、調配物、聚合物摻合物、裝置或裝置組件，其包含本發明之化合物作為電子受體組分，且較佳進一步包含一或多種具有電子供體性質之化合物。本發明進一步係關於組合物，其亦可係包含一或多種本發明之化合物且進一步包含一或多種額外化合物之聚合物摻合物，該等額外化合物選自具有一或多種以下性質之化合物：半導體、電荷傳輸、電洞或電子傳輸、電洞或電子阻擋、導電、光導或發光性質。本發明進一步係關於組合物，其包含一或多種本發明之化合物且進一步包含一或多種較佳選自富勒烯(fullerene)或經取代之富勒烯之n-型有機半導體。本發明進一步係關於組合物，其包含本發明之化合物且進一步包含一或多種較佳選自共軛聚合物之電子供體或p-型半導體。本發明進一步係關於組合物，其包含係為本發明化合物之第一n-型半導體、較佳係富勒烯或富勒烯衍生物之第二n-型半導體及係為共軛聚合物之p-型半導體。本發明進一步係關於自組合物形成之塊材異質接面(BHJ)，該組合物包含作為電子受體或n-型半導體之本發明化合物及一或多種係為電子供體或p-型半導體且較佳選自共軛聚合物之化合物。本發明進一步係關於調配物，其包含本發明之一或多種化合物或組合物且進一步包含一或多種較佳選自有機溶劑之溶劑。本發明進一步係關於有機半導體調配物，其包含一或多種本發明之化合物且進一步包含一或多種較佳在1,000 Hz及20℃下具有3.3或更小之介電係數e的有機黏合劑或其前驅物，且視情況包含一或多種較佳選自有機溶劑之溶劑。本發明進一步係關於光學、電光、電子、電致發光或光致發光裝置、或其組件、或包含其之總成，其係使用本發明之調配物製備。本發明進一步係關於本發明之化合物或組合物作為半導體、電荷傳輸、導電、光導或發光材料，或在光學、電光、電子、電致發光或光致發光裝置中，或在此一裝置之組件中或在包含此一裝置或組件之總成中之用途。本發明進一步係關於半導體、電荷傳輸、導電、光導或發光材料，其包含本發明之化合物或組合物。本發明進一步係關於光學、電光、電子、電致發光或光致發光裝置，或其組件，或包含其之總成，其包含本發明之化合物或組合物或包含本發明之半導體、電荷傳輸、導電、光導或發光材料。光學、電光、電子、電致發光及光致發光裝置包括(但不限於)有機場效應電晶體(OFET)、有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光二極體(OLED)、有機發光電晶體(OLET)、有機光伏打裝置(OPV)、有機光檢測器(OPD)、有機太陽能電池、染料敏化太陽能電池(DSSC)、基於鈣鈦礦之太陽能電池(PSC)、雷射二極體、肖特基二極體(Schottky diode)、光導體及光檢測器。較及裝置係OFET、OTFT、OPV、PSC、OPD及OLED，尤其OTFT、PSC、OPD及塊材異質接面(BHJ) OPV或倒置式BHJ OPV。進一步較佳者係本發明之化合物或組合物作為DSSC或PSC中之染料之用途。進一步較佳者係包含本發明之化合物或組合物之DSSC或PSC。上文裝置之組件包括(但不限於)電荷注入層、電荷傳輸層、間層、平面化層、抗靜電膜、聚合物電解質膜(PEM)、導電基板及導電圖案。包含此一裝置或組件之總成包括(但不限於)積體電路(IC)、射頻識別(RFID)標籤、或安全標記或含有其之安全裝置、平板顯示器或其背光源、電子照相裝置、電子照相記錄裝置、有機記憶體裝置、感測器裝置、生物感測器及生物晶片。此外，本發明之化合物、組合物及調配物可在電池中並在用於檢測並識別DNA序列之組件或裝置中用作電極材料。本發明進一步係關於塊材異質接面，其包含組合物或自其形成，該組合物包含一或多種本發明之化合物及一或多種較佳選自富勒烯或經取代之富勒烯之n-型有機半導體。本發明進一步係關於塊材異質接面(BHJ) OPV裝置或倒置式BHJ OPV裝置，其包含此一塊材異質接面。術語及定義 如本文所用術語「聚合物」應理解為意指具有高相對分子質量之分子，其結構基本上包含多個實際上或概念上源自具有低相對分子質量之分子之重複單元(Pure Appl.Chem. ,1996 ,68 , 2291)。術語「寡聚物」應理解為意指具有中間相對分子質量之分子，其結構基本上包含少數實際上或概念上源自具有較低相對分子質量之分子之單元(Pure Appl. Chem. ,1996 ,68 , 2291)。在如本發明在本文中所用之較佳含義中，聚合物應理解為意指具有＞ 1個、亦即至少2個重複單元、較佳≥ 5個重複單元之化合物，且寡聚物應理解為意指具有＞ 1個且＜ 10個、較佳＜ 5個重複單元之化合物。另外，如本文所用術語「聚合物」應理解為意指涵蓋一或多種不同類型之重複單元(分子之最小構成單元)之主鏈(主鏈，亦稱為「主鏈(main chain)」)之分子，且包括眾所周知之術語「寡聚物」、「共聚物」、「均聚物」、「無規聚合物」及諸如此類。另外，應理解術語聚合物除聚合物自身之外亦包括來自起始劑、觸媒之殘餘物及伴隨此一聚合物之合成的其他元素，其中此等殘餘物應理解為並不以共價方式納入聚合物中。另外，此等殘餘物及其他元素儘管通常在聚合後純化製程中經移除，但其通常與聚合物混合或共混，使得當使聚合物在容器之間或在溶劑或分散介質之間轉移時其通常與聚合物保持在一起。如本文所用，在顯示聚合物或重複單元(如例如式I單元或式III或IV或其子式之聚合物)之式中，星號(*)應理解為意指與聚合物主鏈中之毗鄰單元或與末端基團之化學鍵。在環(如例如，苯或噻吩環)中，星號(*)應理解為意指稠合至毗鄰環之C原子。如本文所用術語「重複單元(repeat unit、repeating unit)」及「單體單元」可互換使用，且應理解為意指構成重複單元(CRU)，其係最小構成單元，其重複構成規則大分子、規則寡聚物分子、規則嵌段或規則鏈(Pure Appl. Chem. ,1996 ,68 , 2291)。如本文所另外使用之術語「單元」應理解為意指可獨自係重複單元或可與其他單元一起形成構成重複單元之結構單元。如本文所用，「末端基團」應理解為意指使聚合物主鏈終止之基團。表述「在主鏈中之末端位置」應理解為意指在一側連接至此一末端基團且在另一側連接至另一重複單元之二價單元或重複單元。此等末端基團包括附接至單體之封端基團或反應性基團，該單體形成不參與聚合反應之聚合物主鏈，該封端基團或反應性基團係(如例如)具有如下文所定義R⁵ 或R⁶ 之含義之基團。如本文所用術語「封端基團」應理解為意指附接至或替代聚合物主鏈之末端基團之基團。封端基團可藉由封端製程引入聚合物中。封端可藉由(例如)使聚合物主鏈之末端基團與單官能化合物(「封端劑」)反應來實施，該單官能化合物係如(例如)烷基鹵化物或芳基鹵化物、烷基錫烷或芳基錫烷或烷基硼酸酯或芳基硼酸酯。封端劑可在(例如)聚合反應後添加。或者，封端劑可在聚合反應之前或期間原位添加至反應混合物。原位添加封端劑亦可用於使聚合反應終止，且因此控制所形成聚合物之分子量。典型封端基團係(例如) H、苯基及低碳烷基。如本文所用術語「小分子」應理解為意指單體化合物，其通常不含其可藉由其反應形成聚合物之反應性基團且其經指定以單體形式使用。與其相反，除非另外指示，否則術語「單體」應理解為意指單體化合物，其攜載一或多個可藉以反應形成聚合物之反應性官能基。如本文所用術語「供體」或「供給」及「受體」或「接受」應理解為分別意指電子供體或電子受體。「電子供體」應理解為意指將電子供給另一化合物或化合物之另一原子團之化學個體。「電子受體」應理解為意指接受自另一化合物或化合物之另一原子團轉移至其之電子之化學個體。亦參見國際純化學和應用化學聯合會(International Union of Pure and Applied Chemistry)，Compendium of Chemical Technology, Gold Book，2.3.2版，2012年8月19日，第477及480頁。如本文所用術語「n-型」或「n-型半導體」應理解為意指其中導電電子密度超過移動電洞密度之含雜質半導體，且術語「p-型」或「p-型半導體」應理解為意指其中移動電洞密度超過導電電子密度之含雜質半導體(亦參見J. Thewlis,Concise Dictionary of Physics , Pergamon Press, Oxford, 1973)。如本文所用術語「脫離基」應理解為意指自認為係參與指定反應之分子之殘餘部分或主要部分之原子分離之原子或基團(其可帶電或不帶電) (亦參見Pure Appl. Chem. ,1994 ,66 , 1134)。如本文所用術語「共軛」應理解為意指主要含有具有sp² -雜化(或視情況亦sp-雜化)之C原子且其中該等C原子亦可經雜原子替代之化合物(例如聚合物)。在最簡單之情形下，其係(例如)具有交替C-C單鍵及雙鍵(或三鍵)之化合物，但亦包括具有如(例如) 1,4-伸苯基之芳香族單元之化合物。在此方面，術語「主要」應理解為意指具有天然(自發)缺陷或具有經設計所包括之缺陷(其可導致共軛中斷)之化合物仍視為共軛化合物。除非另外指示，否則如本文所用分子量係以數量平均分子量M_n 或重量平均分子量M_W 給出，其係藉由凝膠滲透層析(GPC)針對聚苯乙烯標準在溶析溶劑(例如，四氫呋喃、三氯甲烷(TCM，氯仿)、氯苯或1,2,4-三氯苯)測定。除非另外指示，否則使用1,2,4-三氯苯作為溶劑。聚合度(亦稱為重複單元之總數) n應理解為意指以n = M_n /M_U 給出之數量平均聚合度，其中M_n 係數量平均分子量且M_U 係單一重複單元之分子量；參見J. M. G. Cowie,Polymers: Chemistry & Physics of Modern Materials , Blackie, Glasgow, 1991。如本文所用術語「碳基」應理解為意指任一單價或多價有機部分，其包含至少一個碳原子，且無任何非碳原子(如例如-C≡C-)，或視情況與至少一個非碳原子(例如，B、N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge)組合(例如，羰基等)。如本文所用術語「烴基」應理解為意指不額外含有一或多個H原子且視情況含有一或多個雜原子(如例如，B、N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge)之碳基。如本文所用術語「雜原子」應理解為意指有機化合物中不為H原子或C原子之原子，且較佳地應理解為意指B、N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge。包含具有3個或更多個C原子之鏈之碳基或烴基可為直鏈、具支鏈及/或環狀，且可包括螺接環及/或稠合環。較佳碳基及烴基包括烷基、烷氧基、硫代烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基及烷氧基羰基氧基，其各自視情況經取代且具有1至40個、較佳1至25個、極佳1至18個C原子，另外具有6至40個、較佳6至25個C原子之視情況經取代之芳基或芳氧基，另外烷基芳氧基、芳基羰基、芳氧基羰基、芳基羰基氧基及芳氧基羰基氧基，其各自視情況經取代且具有6至40個、較佳7至40個C原子，其中所有該等基團視情況含有一或多個較佳選自B、N、O、S、P、Si、Se、As、Te及Ge之雜原子。進一步較佳的碳基及烴基包括(例如)：C₁ -C₄₀ 烷基、C₁ -C₄₀ 氟烷基、C₁ -C₄₀ 烷氧基或氧雜烷基、C₂ -C₄₀ 烯基、C₂ -C₄₀ 炔基、C₃ -C₄₀ 烯丙基、C₄ -C₄₀ 烷基二烯基、C₄ -C₄₀ 多烯基、C₂ -C₄₀ 酮基、C₂ -C₄₀ 酯基、C₆ -C₁₈ 芳基、C₆ -C₄₀ 烷基芳基、C₆ -C₄₀ 芳基烷基、C₄ -C₄₀ 環烷基、C₄ -C₄₀ 環烯基及諸如此類。在上述基團中較佳者分別係C₁ -C₂₀ 烷基、C₁ -C₂₀ 氟烷基、C₂ -C₂₀ 烯基、C₂ -C₂₀ 炔基、C₃ -C₂₀ 烯丙基、C₄ -C₂₀ 烷基二烯基、C₂ -C₂₀ 酮基、C₂ -C₂₀ 酯基、C₆ -C₁₂ 芳基及C₄ -C₂₀ 多烯基。亦包括具有碳原子之基團與具有雜原子之基團之組合，例如經矽基、較佳三烷基矽基取代之炔基、較佳乙炔基。碳基或烴基可係非環狀基團或環狀基團。在碳基或烴基係非環狀基團之情形下，其可係直鏈或具支鏈。在碳基或烴基係環狀基團之情形下，其可係非芳香族碳環或雜環基、或芳基或雜芳基。如上文及下文所提及之非芳香族碳環基團飽和或非飽和且較佳具有4至30個環C原子。如上文及下文所提及之非芳香族雜環基較佳具有4至30個環C原子，其中C環原子之一或多者視情況經較佳選自N、O、S、Si及Se之雜原子或經-S(O)-或-S(O)₂ -基團替代。非芳香族碳環及雜環基為單環或多環，亦可含有稠合環，較佳含有1、2、3或4個稠合環或非稠合環且視情況經一或多個基團L取代，其中 L係選自 F、Cl、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-R⁰ 、-OR⁰ 、-SR⁰ 、-C(=O)X⁰ 、-C(=O)R⁰ 、-C(=O)-OR⁰ 、-O-C(=O)R⁰ 、-NH₂ 、-NHR⁰ 、-NR⁰ R⁰⁰ 、-C(=O)NHR⁰ 、-C(=O)NR⁰ R⁰⁰ 、-SO₃ H、-SO₂ R⁰ 、-OH、-NO₂ 、-CF₃ 、-SF₅ 、或視情況經取代之矽基、或視情況經取代且視情況包含一或多個雜原子之具有1至30個、較佳1至20個C原子之碳基或烴基，其中X⁰ 係氫、較佳F或Cl，且R⁰ 、R⁰⁰ 表示H或視情況經氟化之具有1至20個、較佳1至12個C原子之直鏈或具支鏈烷基。較佳地L係選自F、-CN、R、-OR、-SR、-C(=O)-R、-C(=O)-OR、-O-C(=O)-R、-O-C(=O)-OR、-C(=O)-NHR、-C(=O)-NRRⁿ ，其中R及Rⁿ 各自彼此獨立地係視情況經氟化之具有1至25個C原子之直鏈或具支鏈烷基。進一步較佳的取代基L係選自F或具有1至16個C原子之烷基、烷氧基、氧雜烷基、硫代烷基、氟烷基及氟烷氧基，或具有2至16個C原子(包括羰基-C-原子)之烷基羰基、烷基羰基氧基、烷氧基羰基、烯基或炔基。較佳的非芳香族碳環或雜環基係四氫呋喃、二氫茚、吡喃、吡咯啶、六氫吡啶、環戊烷、環己烷、環庚烷、環戊酮、環己酮、二氫-呋喃-2-酮、四氫-吡喃-2-酮及噁庚-2-酮。如上文及下文所提及之芳基較佳具有4至30個環C原子，為單環或多環且亦可含有稠合環，較佳含有1、2、3或4個稠合環或非稠合環，且視情況經一或多個如上文所定義之基團L取代。如上文及下文所提及之雜芳基較佳具有4至30個環C原子，其中一或多個C環原子經較佳選自N、O、S、Si及Se之雜原子替代，為單環或多環且亦可含有稠合環，較佳含有1、2、3或4個稠合環或非稠合環，且視情況經一或多個如上文所定義之基團L取代。如上文及下文所提及之芳基烷基或雜芳基烷基較佳表示-(CH₂ )_a -芳基或-(CH₂ )_a -雜芳基，其中a係1至6之整數、較佳1，且「芳基」及「雜芳基」具有上文及下文所給出之含義。較佳芳基烷基係視情況經L取代之苄基。如本文所用「伸芳基」應理解為意指二價芳基，且「伸雜芳基」應理解為意指二價雜芳基，包括如上文及下文所給出之芳基及雜芳基之所有較佳含義。較佳芳基及雜芳基係苯基，其中此外，一或多個CH基團可經N、萘、噻吩、硒吩、噻吩并噻吩、二噻吩并噻吩、茀及噁唑替代，係皆可未經取代、經如上文所定義之L單取代或多取代。極佳環係選自吡咯、較佳N-吡咯、呋喃、吡啶(較佳2-吡啶或3-吡啶)、嘧啶、嗒嗪、吡嗪、三唑、四唑、吡唑、咪唑、異噻唑、噻唑、噻二唑、異噁唑、噁唑、噁二唑、噻吩(較佳2-噻吩)、硒吩(較佳2-硒吩)、噻吩并[3,2-b]噻吩、噻吩并[2,3-b]噻吩、二噻吩并噻吩、呋喃并[3,2-b]呋喃、呋喃并[2,3-b]呋喃、硒吩并[3,2-b]硒吩、硒吩并[2,3-b]硒吩、噻吩并[3,2-b]硒吩、噻吩并[3,2-b]呋喃、吲哚、異吲哚、苯并[b]呋喃、苯并[b]噻吩、苯并[1,2-b;4,5-b']二噻吩、苯并[2,1-b;3,4-b']二噻吩、醌醇(quinole)、2-甲基醌醇、異醌醇、喹喔啉、喹唑啉、苯并三唑、苯并咪唑、苯并噻唑、苯并異噻唑、苯并異噁唑、苯并噁二唑、苯并噁唑、苯并噻二唑、4H-環戊并[2,1-b;3,4-b']二噻吩、7H-3,4-二硫雜-7-矽雜-環戊并[a]并環戊二烯，其皆可未經取代、經如上文所定義之L單取代或多取代。芳基及雜芳基之其他實例係選自下文所顯示基團之彼等。烷基或烷氧基(亦即，其中末端CH₂ 基團經-O-替代)可係直鏈或具支鏈。其較佳係直鏈，具有2、3、4、5、6、7、8、12、14、16或18個碳原子，且因此較佳係(例如)乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、十二烷基、十六烷基或十八烷基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、十二烷氧基或十六烷氧基、另外甲基、壬基、癸基、十一烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十三烷氧基或十四烷氧基。烯基(亦即其中一或多個CH₂ 基團經-CH=CH-替代)可係直鏈或具支鏈。其較佳為直鏈，具有2至10個C原子，且因此較佳為乙烯基、丙1-烯基或丙-2-烯基、丁-1-烯基、丁-2-烯基或丁-3-烯基、戊-1-烯基、戊-2-烯基、戊-3-烯基或戊-4-烯基、己-1-烯基、己-2-烯基、己-3-烯基、己-4-烯基或己-5-烯基、庚-1-烯基、庚-2-烯基、庚-3-烯基、庚-4-烯基、庚-5-烯基或庚-6-烯基、辛1-烯基、辛-2-烯基、辛-3-烯基、辛-4-烯基、辛-5-烯基、辛-6-烯基或辛-7-烯基、壬1-烯基、壬-2-烯基、壬-3-烯基、壬-4-烯基、壬-5-烯基、壬-6-烯基、壬-7-烯基或壬-8-烯基、癸-1-烯基、癸-2-烯基、癸-3-烯基、癸-4-烯基、癸-5-烯基、癸-6-烯基、癸-7-烯基、癸-8-烯基或癸-9-烯基。尤佳烯基係C₂ -C₇ -1E-烯基、C₄ -C₇ -3E-烯基、C₅ -C₇ -4-烯基、C₆ -C₇ -5-烯基及C₇ -6-烯基、特定而言C₂ -C₇ -1E-烯基、C₄ -C₇ -3E-烯基及C₅ -C₇ -4-烯基。尤佳烯基之實例係乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯基、1E-戊烯基、1E-己烯基、1E-庚烯基、3-丁烯基、3E-戊烯基、3E-己烯基、3E-庚烯基、4-戊烯基、4Z-己烯基、4E-己烯基、4Z-庚烯基、5-己烯基、6-庚烯基及諸如此類。具有至多5個C原子之基團通常較佳。氧雜烷基(亦即，其中一個CH₂ 基團經-O-替代)較佳係(例如)直鏈2-氧雜丙基(=甲氧基甲基)、2-氧雜丁基(=乙氧基甲基)或3-氧雜丁基(=2-甲氧基乙基)、2-氧雜戊基、3-氧雜戊基或4-氧雜戊基、2-氧雜己基、3-氧雜己基、4-氧雜己基或5-氧雜己基、2-氧雜庚基、3-氧雜庚基、4-氧雜庚基、5-氧雜庚基或6-氧雜庚基、2-氧雜辛基、3-氧雜辛基、4-氧雜辛基、5-氧雜辛基、6-氧雜辛基或7-氧雜辛基、2-氧雜壬基、3-氧雜壬基、4-氧雜壬基、5-氧雜壬基、6-氧雜壬基、7-氧雜壬基或8-氧雜壬基或2-氧雜癸基、3-氧雜癸基、4-氧雜癸基、5-氧雜癸基、6-氧雜癸基、7-氧雜癸基、8-氧雜癸基或9-氧雜癸基。在其中一個CH₂ 基團經-O-替代且一個CH₂ 基團經-C(O)-替代之烷基中，該等基團較佳毗鄰。因此，該等基團一起形成羰基氧基-C(O)-O-或氧基羰基-O-C(O)-。較佳地，此基團係直鏈且具有2至6個C原子。因此，其較佳為乙醯氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、戊醯氧基、己醯氧基、乙醯氧基甲基、丙醯氧基甲基、丁醯氧基甲基、戊醯氧基甲基、2-乙醯氧基乙基、2-丙醯氧基乙基、2-丁醯氧基乙基、3-乙醯氧基丙基、3-丙醯氧基丙基、4-乙醯氧基丁基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、丁氧基羰基、戊氧基羰基、甲氧基羰基甲基、乙氧基羰基甲基、丙氧基羰基甲基、丁氧基羰基甲基、2-(甲氧基羰基)乙基、2-(乙氧基羰基)乙基、2-(丙氧基羰基)乙基、3-(甲氧基羰基)丙基、3-(乙氧基羰基)丙基、4-(甲氧基羰基)-丁基。其中兩個或更多個CH₂ 基團經-O-及/或-C(O)O-替代之烷基可係直鏈或具支鏈。其較佳係直鏈且具有3至12個C原子。因此，其較佳係雙-羧基-甲基、2,2-雙-羧基-乙基、3,3-雙-羧基-丙基、4,4-雙-羧基-丁基、5,5-雙-羧基-戊基、6,6-雙-羧基-己基、7,7-雙-羧基-庚基、8,8-雙-羧基-辛基、9,9-雙-羧基-壬基、10,10-雙-羧基-癸基、雙-(甲氧基羰基)-甲基、2,2-雙-(甲氧基羰基)-乙基、3,3-雙-(甲氧基羰基)-丙基、4,4-雙-(甲氧基羰基)-丁基、5,5-雙-(甲氧基羰基)-戊基、6,6-雙-(甲氧基羰基)-己基、7,7-雙-(甲氧基羰基)-庚基、8,8-雙-(甲氧基羰基)-辛基、雙-(乙氧基羰基)-甲基、2,2-雙-(乙氧基羰基)-乙基、3,3-雙-(乙氧基羰基)-丙基、4,4-雙-(乙氧基羰基)-丁基、5,5-雙-(乙氧基羰基)-己基。硫代烷基(亦即，其中一個CH₂ 基團經-S-替代)較佳係直鏈硫基甲基(-SCH₃ )、1-硫基乙基(-SCH₂ CH₃ )、1-硫基丙基(=-SCH₂ CH₂ CH₃ )、1- (硫基丁基)、1-(硫基戊基)、1-(硫基己基)、1-(硫基庚基)、1-(硫基辛基)、1-(硫基壬基)、1-(硫基癸基)、1-(硫基十一烷基)或1-(硫基十二烷基)，其中較佳地毗鄰經sp² 雜化之乙烯基碳原子之CH₂ 基團經替代。氟烷基係全氟烷基C_i F_2i+1 ，其中i係1至15之整數，特定而言CF₃ 、C₂ F₅ 、C₃ F₇ 、C₄ F₉ 、C₅ F₁₁ 、C₆ F₁₃ 、C₇ F₁₅ 或C₈ F₁₇ ，極佳地C₆ F₁₃ ，或部分氟化烷基、較佳具有1至15個C原子，特定而言1,1-二氟烷基，上文所提及者皆為直鏈或具支鏈。較佳地「氟烷基」意指經部分氟化(亦即未經全氟化)之烷基。烷基、烷氧基、烯基、氧雜烷基、硫代烷基、羰基及羰基氧基可為非對掌性或對掌性基團。尤佳手性基團係(例如) 2-丁基(=1-甲基丙基)、2-甲基丁基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基己基、2-丁基辛基、2-己基癸基、2-辛基十二烷基、2-丙基戊基，特定而言2-甲基丁基、2-甲基丁氧基、2-甲基戊氧基、3-甲基-戊氧基、2-乙基-己氧基、2-丁基辛氧基、2-己基癸氧基、2-辛基十二烷氧基、1-甲基己氧基、2-辛基氧基、2-氧雜-3-甲基丁基、3-氧雜-4-甲基-戊基、4-甲基己基、2-己基、2-辛基、2-壬基、2-癸基、2-十二烷基、6-甲氧基-辛氧基、6-甲基辛氧基、6-甲基辛醯基氧基、5-甲基庚氧基-羰基、2-甲基丁醯氧基、3-甲基戊醯氧基、4-甲基己醯氧基、2-氯-丙醯氧基、2-氯-3-甲基丁醯氧基、2-氯-4-甲基-戊醯基-氧基、2-氯-3-甲基戊醯氧基、2-甲基-3-氧雜戊基、2-甲基-3-氧雜-己基、1-甲氧基丙基-2-氧基、1-乙氧基丙基-2-氧基、1-丙氧基丙基-2-氧基、1-丁氧基丙基-2-氧基、2-氟辛基氧基、2-氟癸基氧基、1,1,1-三氟-2-辛基氧基、1,1,1-三氟-2-辛基、2-氟甲基辛基氧基。極佳者係2-乙基己基，2-丁基辛基，2-己基癸基，2-辛基十二烷基、2-己基、2-辛基、2-辛基氧基、1,1,1-三氟-2-己基、1,1,1-三氟-2-辛基及1,1,1-三氟-2-辛基氧基。較佳非手性具支鏈基團係異丙基、異丁基(=甲基丙基)、異戊基(=3-甲基丁基)、第三丁基、異丙氧基、2-甲基-丙氧基及3-甲基丁氧基。在較佳實施例中，芳基及雜芳基環上之取代基彼此獨立地選自具有1至30個C原子之一級、二級或三級烷基或烷氧基，其中一或多個H原子視情況經F或視情況經烷基化或烷氧基化且具有4至30個環原子之芳基、芳基氧基、雜芳基或雜芳基氧基替代。極佳取代基係選自由以下各式組成之群：其中「ALK」表示視情況經氟化、較佳直鏈之具有1至20個、較佳地1至16個C原子(在三級基團之情形下極佳地1至9個C原子)之烷基或烷氧基，且虛線表示至該等基團所附接之環之連接。該等基團中之尤佳者係其中所有ALK子基團皆相同之彼等。如本文所用，若芳基(氧基)或雜芳基(氧基)「經烷基化或烷氧基化」，此意指其經一或多個具有1至20個C原子且係直鏈或具支鏈之烷基或烷氧基取代，且其中一或多個H原子視情況經F原子取代。在上文及下文中，Y¹ 及Y² 各自彼此獨立地係H、F、Cl或CN。如本文所用，-CO-、-C(=O)-及-C(O)-應理解為意指羰基，即具有以下結構之基團：。如本文所用，C=CR¹ R² 等應理解為意指具有以下結構之基團：。除非另外指示，否則「視情況經取代」在不提及取代基之情形下意指視情況經L取代。如本文所用，「鹵素」包括F、Cl、Br或I，較佳地F、Cl或Br。表示環或鏈上之取代基之鹵素原子較佳係F或Cl、極佳F。表示單體中之反應性基團之鹵素原子較佳係Cl、Br或I，極佳Br或I。在上文及下文中，「鏡像」意指可藉由在貫穿部分之外部對稱平面或對稱平面上將其垂直或水平翻轉而自另一部分獲得之部分。舉例而言，部分亦包括鏡像及。

本發明之化合物易於合成且展現有利性質。其顯示裝置製造製程之良好處理性，在有機溶劑中之高溶解度且尤其適用於使用溶液處理方法大規模生產。源自本發明之單體及電子受體單體之共聚物顯示低能帶間隙、高電荷載子遷移率、在BHJ太陽能電池中之高外量子效率、當在例如與富勒烯之p/n-型摻合物中使用時之良好形態、高氧化穩定性、在電子裝置中之長壽命，且係用於有機電子OE裝置、尤其用於具有高能量轉化效率之OPV裝置之有前景材料。＜對於適用於BHJ光伏打裝置中之p-型及n-型半導體之摻合物的製備而言，本發明之化合物尤其適宜作為p-型及n-型半導體二者，此係端視經交叉偶合以延長共軛之共聚單體或π -單元之性質而定。此外，本發明之化合物顯示以下有利性質： i) 預期稠合二硫雜環戊烯并因可良好建立之S-S相互作用而改良分子或聚合物主鏈之堆疊。 ii) 二氰基亞甲基官能基之強缺電子性質將抵消二硫雜環戊烯并硫原子之供電子性質，使得整個單元保持作為電子受體單元。 iii) 單元係基本多用途芳香族系統，其容許藉助已確立交叉偶合反應進行的多種衍生。在式I及其子式之單元中，X較佳係S、O、NR或-CR¹ =CR² -，極佳S、O、NH或-CR¹ =CR² -，最佳S或-CR¹ =CR² -。在式I及其子式之單元中，較佳地U¹ 及U² 表示選自CN、C(=O)R及C(=O)OR之拉電子基團。較佳地式I中之R¹ 及R² 係選自以下群或其任一組合： - 由R、-OR及-SR組成之群，其中R係視情況經氟化之具有1至25個、較佳1至18個C原子之直鏈或具支鏈烷基， - 由-C(=O)-R、-C(=O)-OR、-OC(=O)-R、-C(=O)-NHR及-C(=O)-NRRⁿ 組成之群，其中R及Rⁿ 各自彼此獨立地係視情況經氟化之具有1至25個、較佳1至18個C原子直鏈或具支鏈烷基， - 由芳基、芳氧基、雜芳基及雜芳氧基組成之群，其各自具有5至20個環原子且視情況含有稠合環，且未經取代或經一或多個如式I中所定義之基團L取代， - 由F、Cl及CN組成之群，極佳F。在另一較佳實施例中，R¹ 與R² 形成芳香族或雜芳香族環系統，其經稠合至R¹ 及R² 所附接之吡嗪環，具有5至20個環原子，為單環或多環，視情況含有稠合環且未經取代或經一或多個相同或不同基團L取代。較佳地式I中之R表示視情況經氟化之具有1至25個、極佳1至18個C原子之直鏈或具支鏈烷基。進一步較佳地，式I中之R係選自由芳基、芳氧基、雜芳基及雜芳氧基組成之群，其各自具有5至20個環原子且視情況含有稠合環，且未經取代或經一或多個如式I中所定義之基團L取代。若R^1,2 或R表示芳基(氧基)或雜芳基(氧基)，則其較佳選自苯基、吡咯、呋喃、吡啶、噻唑、噻吩、噻二唑、三唑、吡嗪、噻吩并[3,2-b]噻吩或噻吩并[2,3-b]噻吩，其各自未經取代或經F或具有1至20個C原子且視情況經氟化之烷基、烷氧基或硫代烷基取代。在本發明之另一較佳實施例中，R¹ 、R² 及R中之一或多者表示具有1至20個C原子之直鏈、具支鏈或環狀烷基，其中一或多個CH₂ 或CH₃ 基團經陽離子或陰離子基團取代。陽離子基團較佳選自由以下各項組成之群：鏻、鋶、銨、脲鎓、硫脲鎓、胍鎓或雜環陽離子，例如咪唑鎓、吡啶鎓、吡咯啶鎓、三唑鎓、嗎啉鎓或六氫吡啶鎓陽離子。較佳陽離子基團選自由以下組成之群：四烷基銨、四烷基鏻、N-烷基吡啶鎓、N,N-二烷基吡咯啶鎓、1,3-二烷基咪唑鎓，其中「烷基」較佳表示具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈烷基。進一步較佳的陽離子基團係選自由以下各式組成之群：或其中R¹ '、R² '、R³ '及R⁴ '彼此獨立地表示H、具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈烷基、或非芳香族碳環或雜環基、或芳基或雜芳基，上文所提及基團中之每一者具有3至20個、較佳5至15個環原子，為單環或多環，且視情況經一或多個如下文所定義之相同或不同取代基L取代，或表示與各別基團R或R^1-2 之連接。在上文所提及之式之上文陽離子基團中，基團R¹ '、R² '、R³ '及R⁴ ' (若其替代CH₃ 基團)中之任一者可表示與基團R¹ 之連接，或兩個相鄰基團R¹ '、R² '、R³ '或R⁴ ' (若其替代CH₂ 基團)可表示與各別基團R或R^1-2 之連接。陰離子基團較佳係選自由以下各項組成之群：硼酸根、醯亞胺、磷酸根、磺酸根、硫酸根、琥珀酸根、環烷酸根或羧酸根，極佳選自磷酸根、磺酸根或羧酸根。本發明之化合物包括小分子、單體、寡聚物及聚合物。本發明之較佳實施例係關於共軛聚合物，其包含一或多個下式II1及/或II2之重複單元及視情況一或多個下式II3之重複單元，較佳由其組成： -(Ar¹ )_a -U-(Ar² )_b -(Ar³ )_c -(Ar⁴ )_d - II1 -(Ar¹ )_a -(Ar² )_b -U-(Ar³ )_c -(Ar⁴ )_d - II2 -(Ar¹ )_a -(Ar² )_b -(Ar³ )_c -(Ar⁴ )_d - II3 其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義： U 如上文及下文所定義之式I或其子式之單元， Ar^1-4 伸芳基或伸雜芳基，其具有5至20個環原子，為單環或多環，視情況含有稠合環，未經取代或經一或多個如式I中所定義之相同或不同基團L、R¹ 或R² 取代，且不同於U， a、b、c、d 0或1，其中在式II3中，a+b+c+d≥1。較佳地共軛聚合物包含一或多個式II1或II2之重複單元，其中a+b+c+d≥1。進一步較佳地，共軛聚合物包含一或多個式II1之重複單元(其中b=1且a=c=d=0)及一或多個式II3之重複單元(其中a=b=0且c=d=1)。進一步較佳地，共軛聚合物包含兩個或更多個不同式II1之重複單元，其中b=1且a=c=d=0。進一步較佳地，Ar¹ 、Ar² 、Ar³ 及Ar⁴ 中之至少一者係如式II1中所定義之伸芳基或伸雜芳基且具有電子供體性質。較佳地L表示F或選自以下群： - 由R、-OR及-SR組成之群，其中R係視情況經氟化之具有1至25個、較佳1至18個C原子之直鏈或具支鏈烷基， - 由-C(=O)-R、-C(=O)-OR、-OC(=O)-R、-C(=O)-NHR及-C(=O)-NRRⁿ 組成之群，其中R及Rⁿ 各自彼此獨立地係視情況經氟化之具有1至25個、較佳1至18個C原子之直鏈或具支鏈烷基。進一步較佳地，本發明之共軛聚合物係選自下式III：其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義： A 如上文及下文所定義之式I、II1或II2之單元， B、C、D、E 如上文及下文所定義之式I、II1、II2或II3之單元， x ＞ 0且≤ 1， v、w、y、z ≥ 0且＜ 1， v+w+x+y+z 1，且 n ＞1、較佳≥5之整數。在式III及其子式之聚合物中，v、w、x、y及z分別表示重複單元A及B之莫耳分數，且n表示聚合度或重複單元A及B之總數。該等式包括A與B之嵌段共聚物、隨機或統計共聚物及交替共聚物，以及針對當x＞0且v=w=y=z=0之情形之A之均聚物。在式III及其子式之聚合物中，其中v、w、y及z中之一者並非0且v、w、y及z中之其他者係0，x及v、w、y及z中並非0之一者各自較佳係0.1至0.9、極佳0.3至0.7。在式III及其子式之聚合物中，其中v、w、y及z中之兩者並非0且v、w、y及z中之其他者係0，x及v、w、y及z中並非0之彼等各自較佳係0.1至0.8、極佳0.2至0.6。在式III及其子式之聚合物中，其中v、w、y及z中之三者並非0且v、w、y及z中之其他者係0，x及v、w、y及z中並非0之彼等各自較佳係0.1至0.7、極佳0.2至0.5。在式III及其子式之聚合物中，其中v、w、y及z皆非0，x、v、w、y及z各自較佳係0.1至0.6、極佳0.2至0.4。在本發明之聚合物中，重複單元n之總數較佳係2至10,000。重複單元n之總數較佳≥ 5、極佳³ 10、最佳≥ 50且較佳≤ 500、極佳≤ 1,000、最佳≤ 2,000，包括上文所提及之n之下限及上限之任一組合。本發明之聚合物包括均聚物及共聚物，例如統計或隨機共聚物、交替共聚物及嵌段共聚物以及其組合。較佳式III之聚合物選自以下各子式：其中X、U¹ 、U² 、Ar¹ 、Ar² 、Ar³ 、Ar⁴ 、a、b、c、d、v、x、y、z及n具有式I、II1及III之含義或上文及下文所給出較佳含義中之一者，且較佳地Ar³ 及Ar⁴ 中之一或多者係選自具有電子供體性質之如上文及下文所述之伸芳基或伸雜芳基單元。尤佳者係式II1、II2、II3、III、III1-III8及其子式之重複單元及聚合物，其中Ar¹ 、Ar² 、Ar³ 及Ar⁴ 中之一或多者表示較佳具有電子供體性質之伸芳基或伸雜芳基，其選自由以下各式組成之群：其中R¹¹ 、R¹² 、R¹³ 、R¹⁴ 、R¹⁵ 、R¹⁶ 、R¹⁷ 及R¹⁸ 彼此獨立地表示H或具有如上文及下文所定義L、R¹ 或R² 之含義中之一者。較佳供體單元選自式D1、D7、D10、D11、D19、D22、D29、D30、D35、D36、D37、D44、D55、D84、D87、D88、D89、D93、D94、D106、D111、D139、D140、D141、D146或D150，其中較佳地R¹¹ 、R¹² 、R¹³ 及R¹⁴ 中之至少一者不同於H。進一步較佳者係式II1、II2、II3、III、III1-III8及其子式之重複單元及聚合物，其中Ar¹ 、Ar² 、Ar³ 及Ar⁴ 中之一或多者表示較佳具有電子受體性質之伸芳基或伸雜芳基，其係選自由以下各式組成之群：其中R¹¹ 、R¹² 、R¹³ 、R¹⁴ 、R¹⁵ 及R¹⁶ 彼此獨立地表示H或具有如上文及下文所定義L、R¹ 或R² 之含義中之一者。較佳受體單元係選自式A1、A6、A7、A15、A16、A20、A36、A74、A84、A88、A92、A94、A98或A103，其中較佳地R¹¹ 、R¹² 、R¹³ 及R¹⁴ 之至少一者不同於H。進一步較佳者係式II1、II2、II3、III、III1-III8、IV及其子式之重複單元及聚合物，其中Ar¹ 、Ar² 、Ar³ 及Ar⁴ 中之一或多者表示伸芳基或伸雜芳基，其係選自由以下各式組成之群：其中R¹¹ 、R¹² 、R¹³ 、R¹⁴ 彼此獨立地表示H或具有如上文所定義L、R¹ 或R² 之含義中之一者。在式Sp1至式Sp17中，R¹¹ 及R¹² 較佳係H。在式Sp18中，R^11-14 較佳係H或F。極佳者係選自以下各式之單元：式Sp1、Sp2、Sp6、Sp10、Sp11、Sp12、Sp13及Sp14，其中較佳地R¹¹ 及R¹² 中之一者係H或R¹¹ 及R¹² 二者皆係H。進一步較佳者係式II1、II2、III、III1-III8及其子式之重複單元及聚合物，其中 a) Ar¹ 、Ar² 、Ar³ 及Ar⁴ 中之一或多者表示較佳具有電子供體性質之伸芳基或伸雜芳基，其係選自由以下各式組成之群：式D1-D151，極佳地式D1、D7、D10、D11、D19、D22、D29、D30、D35、D36、D37、D44、D55、D84、D87、D88、D89、D93、D94、D106、D111、D139、D140、D141、D146及D150，及/或 b) Ar¹ 、Ar² 、Ar³ 及Ar⁴ 中之一或多者表示較佳具有電子受體性質之伸芳基或伸雜芳基，其係選自由以下各式組成之群：式A1-A103，極佳地式A1、A6、A7、A15、A16、A20、A36、A74、A84、A88、A92、A94、A98及A103，且 c) Ar¹ 、Ar² 、Ar³ 及Ar⁴ 中之一或多者表示伸芳基或伸雜芳基，其係選自由以下各式組成之群：式Sp1-Sp18，極佳地式Sp1、Sp2、Sp6、Sp10、Sp11、Sp12、Sp13及Sp14。進一步較佳者係子式III1-III8之聚合物，其中Ar¹ 及Ar² 具有相同含義且係選自式D1、D7、D10、D11、D19、D22、D29、D30、D35、D36、D44、D55、D84、D87、D88、D89、D93、D106、D111、D140、D141、D146及D150。進一步較佳的式III聚合物係選自以下各子式：其中X、U¹ 、U² 、w、x、y、z及n係如上文及下文所定義，Y係N或CR⁴ ，G係C、Si或Ge，t係1、2、3或4，較佳1、2或4，極佳1或2，R³ 及R⁴ 彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有針對R¹ 所給出含義中之一者，且R⁵ 及R⁶ 彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有針對R¹ 及R² 所給出含義中之一者。較佳式P1-P45之聚合物係選自以下各子式：其中X、U¹ 、U² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 、R⁶ 及n係如針對式P1-P45所定義。在式P1-P45中，X較佳係O或S、NH或CR¹ =CR² ，極佳地S或CR¹ =CR² ，在式P1-P45及P1a-P12b中，CR¹ =CR² 較佳係CH=CH，且CR⁴ 較佳係CH。在式P1-P45及P1a-P12b中，U¹ 及U² 較佳係拉電子基團、極佳地-CN、-COOR或-COR，其中R係如上文所定義。進一步較佳地，共軛聚合物係選自下式IV： R²¹ -鏈-R²² IV 其中「鏈」表示選自式III、III1-III8、P1-P18及P1a-P12b之聚合物鏈，且R²¹ 及R²² 彼此獨立地具有如上文所定義L之含義中之一者或彼此獨立地表示H、F、Br、Cl、I、-CH₂ Cl、-CHO、-CR'=CR''₂ 、-SiR'R''R'''、-SiR'X'X''、-SiR'R''X'、-SnR'R''R'''、-BR'R''、-B(OR')(OR'')、-B(OH)₂ 、-O-SO₂ -R'、-C≡CH、-C≡C-SiR'₃ 、-ZnX'或封端基團，X'及X''表示鹵素，R'、R''及R'''彼此獨立地具有在式I中所給出R⁰ 之含義中之一者且較佳表示具有1至12個C原子之烷基，且R'、R''及R'''中之兩者亦可與其所附接之各別雜原子一起形成具有2至20個C原子之環矽基、環錫烷基、環硼烷或環酸根基團。較佳封端基團R²¹ 及R²² 係H、C_1-20 烷基，或視情況經取代之C_6-12 芳基或C_2-10 雜芳基、極佳地H或苯基。本發明之另一較佳實施例係關於式VI之小分子或寡聚物 R^T1 -(Ar¹ )_e -(Ar² )_f -[(Ar³ )_g -(Ar⁴ )_h -U-(Ar⁵ )_i -(Ar⁶ )_k ]_o -(Ar⁷ )_l -(Ar⁸ )_m -R^T2 VI 其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義： U 式I或其子式之單元， Ar^1-8 伸芳基或伸雜芳基，其具有5至20個環原子，為單環或多環，視情況含有稠合環，且未經取代或經一或多個如式I中所定義之相同或不同基團L或R¹ 或-CY¹ =CY² -或-C≡C-取代， Y¹ 、Y² H、F、Cl或CN， R^T1 、R^T2 具有1至30個C原子之碳基或烴基，其視情況經一或多個基團L取代且視情況包含一或多個雜原子， e-m 0或1，較佳地其中e-m中之至少一者係1， o 1、2或3。較佳式I中之基團R^T1 及R^T2 係選自H、F、Cl、Br、-NO₂ 、-CN、-CF₃ 、R*、-CF₂ -R*、-O-R*、-S-R*、-SO₂ -R*、-SO₃ -R*、-C(=O)-H、-C(=O)-R*、-C(=S)-R*、-C(=O)-CF₂ -R*、-C(=O)-OR*、-C(=S)-OR*、-O-C(=O)-R*、-O-C(=S)-R*、-C(=O)-SR*、-S-C(=O)-R*、-C(=O)NR*R**、-NR*-C(=O)-R*、-NHR*、-NR*R**、-CR*=CR*R**、-C≡C-R*、-C≡C-SiR*R**R***、-SiR*R**R***、-CH=CH(CN)、-CH=C(CN)₂ 、-C(CN)=C(CN)₂ 、-CH=C(CN)(R^a )、CH=C(CN)-C(=O)-OR*、-CH=C(CO-OR*)₂ 、-CH=C(CO-NR*R**)₂ 及由以下各式組成之群：其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義： R^a 、R^b 各自具有4至30個環原子、視情況含有稠合環且未經取代或經一或多個基團L或具有針對L給出之含義之基團取代之芳基或雜芳基， R*、R**、R*** 具有1至20個C原子之烷基，其係直鏈、具支鏈或係環狀，且未經取代或經一或多個F或Cl原子或CN基團取代、或經全氟化，且其中一或多個C原子視情況經-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=S)-、-SiR⁰ R⁰⁰ -、-NR⁰ R⁰⁰ -、-CHR⁰ =CR⁰⁰ -或-C≡C-替代，使得O-及/或S-原子彼此不直接連接， L F、Cl、-NO₂ 、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、R⁰ 、OR⁰ 、SR⁰ 、-C(=O)X⁰ 、-C(=O)R⁰ 、-C(=O)-OR⁰ 、-O-C(=O)-R⁰ 、-NH₂ 、-NHR⁰ 、-NR⁰ R⁰⁰ 、-C(=O)NHR⁰ 、-C(=O)NR⁰ R⁰⁰ 、-SO₃ R⁰ 、-SO₂ R⁰ 、-OH、-NO₂ 、-CF₃ 、-SF₅ 、或視情況經取代之矽基、或視情況經取代且視情況包含一或多個雜原子之具有1至30個、較佳1至20個C原子之碳基或烴基，較佳F、-CN、R⁰ 、-OR⁰ 、-SR⁰ 、-C(=O)-R⁰ 、-C(=O)-OR⁰ 、-O-C(=O)-R⁰ 、-O-C(=O)-OR⁰ 、-C(=O)-NHR⁰ 、-C(=O)-NR⁰ R⁰⁰ ， L' H或L之含義中之一者， R⁰ 、R⁰⁰ H或視情況經氟化之具有1至20個、較佳1至12個C原子之直鏈或具支鏈烷基， Y¹ 、Y² H、F、Cl或CN， X⁰ 鹵素、較佳F或Cl， r 0、1、2、3或4， s 0、1、2、3、4或5， t 0、1、2或3， u 0、1或2。較佳式VI之化合物係其中R^T1 及R^T2 之一或二者、較佳二者表示拉電子基團之彼等。較佳拉電子基團R^T1 及R^T2 係選自： -CN、-C(=O)-OR*、-C(=S)-OR*、-CH=CH(CN)、-CH=C(CN)₂ 、-C(CN)=C(CN)₂ 、-CH=C(CN)(R^a )、CH=C(CN)-C(=O)-OR*、-CH=C(CO-OR*)₂ 及式T1-T51。極佳基團R^T1 及R^T2 係選自以下各式：其中L、L'、R^a 、r及s具有上文及下文所給出之含義。在該等式中，L'較佳係H。進一步較佳地，在該等式中，r係0。上式T1-T51意欲亦包括其關於在毗鄰基團Ar^1-8 之α位之C=C鍵之各別E-或Z-立體異構物，因此，舉例而言基團較佳式VI化合物係其中Ar^1-8 選自以下群之彼等： a) 由以下各式組成之群：式D1-D151，極佳地式D1、D7、D10、D11、D19、D22、D29、D30、D35、D36、D37、D44、D55、D84、D87、D88、D89、D93、D94、D106、D111、D139、D140、D141、D146及D150， b) 由以下各式組成之群：式A1-A103，極佳地式A1、A6、A7、A15、A16、A20、A36、A74、A84、A88、A92、A94、A98及A103， c)由以下各式組成之群：式Sp1-Sp18，極佳地式Sp1、Sp2、Sp6、Sp10、Sp11、Sp12、Sp13及Sp14。進一步較佳的式VI化合物係選自以下較佳實施例，包括其任一組合： - o係1， - e、f、l、m係0、1或2，且g、h、I、k係0， - Ar^1-8 係選自式Sp1、Sp2、Sp6、Sp10、Sp11、Sp12、Sp13及Sp14， - R^T1 及R^T2 係選自式T10、T36、T37、T38、T39及T47， - R^T1 及R^T2 係選自式T47。進一步較佳者係式VI選自以下各子式之小分子：其中G、X、U¹ 、U² 、R³ 及R⁴ 係如上文所定義，且U¹ 及U² 較佳表示-COO或CN。進一步較佳的式VI化合物係選自式VI1 R^T1 -U*-R^T2 VI1 其中R^T1 及R^T2 具有上文及下文所給出之含義且較佳表示H、F、R或OR或拉電子基團，且U*係選自上文子式P1-P18及P1a-P12b之單元，其中n係1。本發明之另一較佳實施例係關於係式V1或V2之單體之化合物 R²³ -(Ar¹ )_a -U-(Ar² )_b -(Ar³ )_c -(Ar⁴ )_d -R²⁴ V1 R²³ -(Ar¹ )_a -(Ar² )_b -U-(Ar³ )_c -(Ar⁴ )_d -R²⁴ V2 其中U、Ar^1-4 、a、b、c及d具有式II1之含義，或如上文及下文所述之較佳含義中之一者，且R²³ 及R²⁴ 各自彼此獨立地係選自由以下各項組成之群：較佳係活化C-H鍵之H、Cl、Br、I、O-甲苯磺酸根、O-三氟甲磺酸根、O-甲磺酸根、O-全氟丁基磺酸根、-SiMe₂ F、-SiMeF₂ 、-O-SO₂ Z¹ 、-B(OZ² )₂ 、-CZ³ =C(Z³ )₂ 、-C≡CH、-C≡CSi(Z¹ )₃ 、-ZnX⁰ 及-Sn(Z⁴ )₃ ，其中X⁰ 係鹵素，Z^1-4 係選自由各自視情況經取代之烷基及芳基、較佳C_1-10 烷基及C_6-12 芳基組成之群，且兩個基團Z² 亦可與B-及O-原子一起形成具有2至20個C原子之環酸根基團，且其中R²³ 及R²⁴ 中之至少一者不同於H，且較佳R²³ 及R²⁴ 二者皆不同於H。極佳者係式V1及V2及其子式之單體，其中a+b+c+d≥1。進一步較佳者係式V1及其子式之單體，其中a+b+c+d=0。進一步較佳者係式V1及V2及其子式之單體，其中R²³ 及R²⁴ 係選自Br、-B(OZ² )₂ 及Sn(Z⁴ )₃ 。進一步較佳者係選自以下各子式之單體： R²³ -Ar¹ -U-Ar² -R²⁴ V1a R²³ -U-R²⁴ V1b R²³ -Ar¹ -U-R²⁴ V1c R²³ -U-Ar² -R²⁴ V1d 其中U、Ar¹ 、Ar² 、R²³ 及R²⁴ 係如在式V1中所定義。極佳者係式V1及V2及其子式之單體，其中R²³ 及R²⁴ 係選自Br、B(OZ² )₂ 及Sn(Z⁴ )₃ 。進一步較佳者係式V1、V2、V1a-V1d及其子式之單體，其中Ar¹ 及/或Ar² 係選自以下群： a) 由以下各式組成之群：式D1-D145，極佳地式D1、D7、D10、D11、D19、D22、D29、D30、D35、D36、D37、D44、D55、D84、D87、D88、D89、D93、D94、D106、D111、D139、D140、D141及D150， b) 由以下各式組成之群：式A1-A98，極佳地式A1、A6、A7、A15、A16、A20、A36、A74、A84、A88、A92、A98及A103， c)由以下各式組成之群：式Sp1-Sp18，極佳地式Sp1、Sp2、Sp6、Sp10、Sp11、Sp12、Sp13及Sp14。進一步較佳者係下式V3之單體： R²³ -U*-R²⁴ V3 其中R²³ 及R²⁴ 具有上文及下文所給出之含義，且較佳表示Br、B(OZ² )₂ 或Sn(Z⁴ )₃ ，且U*係選自上文子式P1-P18及P1a-P12b之單元，其中n係1。進一步較佳的式I、II1、II2、II3、III、III1-III8、P1-P43、P1a-P12b、IV、V1、V2、V3、VI、VI1及其子式之單元、單體、寡聚物、聚合物及小分子係選自以下實施例，包括其任一組合： - X係S， - X係O， - X係CH=CH， - Y係N， - Y係CH， - R^1-2 係選自烷基、烷氧基或硫雜烷基，其皆係直鏈或具支鏈，具有1至25個、較佳1至18個C原子且視情況經氟化， - R^1-2 係選自-C(=O)-Rⁿ 、-C(=O)-ORⁿ 、-C(=O)-NHRⁿ 及-C(=O)-NRⁿ R^m ，其中R^m 及Rⁿ 各自彼此獨立地係視情況經氟化之具有1至25個、較佳1至18個C原子之直鏈或具支鏈烷基， - R^1-2 係具有4至20個環原子之環狀烷基，其中一或多個CH₂ 基團視情況經O、S、NR⁰ 、C(=O)、(C=S)、CY¹ =CY² 或CR⁰ =CR⁰⁰ 替代，且其未經取代或經一或多個如式I中所定義之基團L取代， - R^1-2 係選自由芳基、雜芳基、芳氧基、雜芳氧基、芳基烷基及雜芳基烷基組成之群，其各自具有4至20個環原子且視情況含有稠合環，且未經取代或經一或多個如式I中所定義之基團L取代， - R^3-6 係選自烷基、烷氧基或硫雜烷基，其皆係直鏈或具支鏈，具有1至25個、較佳1至18個C原子且視情況經氟化， - R^3-6 係選自-C(=O)-Rⁿ 、-C(=O)-ORⁿ 、-C(=O)-NHRⁿ 及-C(=O)-NRⁿ R^m ，其中R^m 及Rⁿ 各自彼此獨立地係視情況經氟化之具有1至25個、較佳1至18個C原子之直鏈或具支鏈烷基， - R^3-6 係具有4至20個環原子之環狀烷基，其中一或多個CH₂ 基團視情況經O、S、NR⁰ 、C(=O)、(C=S)、CY¹ =CY² 或CR⁰ =CR⁰⁰ 替代，且其未經取代或經一或多個如式I中所定義之基團L取代， - R^3-6 係選自由芳基、雜芳基、芳氧基、雜芳氧基、芳基烷基及雜芳基烷基組成之群，其各自具有4至20個環原子且視情況含有稠合環，且未經取代或經一或多個如式I中所定義之基團L取代， - R係視情況經氟化之具有1至25個、較佳1至18個C原子之直鏈或具支鏈烷基， - R係具有4至20個環原子之環狀烷基，其中一或多個CH₂ 基團視情況經O、S、NR⁰ 、C(=O)、(C=S)、CY¹ =CY² 或CR⁰ =CR⁰⁰ 替代，且其未經取代或經一或多個如式I中所定義之基團L取代， - R係芳基、雜芳基、芳基烷基或雜芳基烷基，其各自具有4至20個環原子、視情況含有稠合環且未經取代或經一或多個如式I中所定義之基團L取代， - U¹ 及U² 表示CN， - U¹ 及U² 表示C(=O)R或C(=O)OR，其中R具有上文及下文所給出含義中之一者，且較佳係視情況經氟化之具有1至25個、較佳1至18個C原子之直鏈或具支鏈烷基， - L係選自烷基、烷氧基或硫雜烷基，其皆係直鏈或具支鏈，具有1至25個、較佳1至18個C原子且視情況經氟化， - L係選自-C(=O)-Rⁿ 、-C(=O)-ORⁿ 、-C(=O)-NHRⁿ 及-C(=O)-NRⁿ R^m ，其中R^m 及Rⁿ 各自彼此獨立地係視情況經氟化之具有1至25個、較佳1至18個C原子之直鏈或具支鏈烷基， - L係氫、較佳F或Cl， - L係CN、F或Cl， - R²¹ 及R²² 係選自H、C_1-20 烷基或視情況經取代之C_6-12 芳基或C_2-10 雜芳基，極佳H或苯基， - R²³ 及R²⁴ 表示Br、B(OZ² )₂ 或Sn(Z⁴ )₃ ，其中Z² 及Z⁴ 係如在式V1中所定義。本發明之聚合物可根據熟習此項技術者已知且闡述於文獻中之方法或以與其類似之方法來合成。其他製備方法可自實例獲得。本發明之聚合物可(例如)藉由使一或多種式V1、V2或V1a-V1d之單體彼此或與一或多種下式單體在芳基-芳基偶合反應中共聚來製備： R²³ -Ar¹ -R²⁴ MI R²³ -Ar² -R²⁴ MII R²³ -Ar³ -R²⁴ MIII R²³ -Ar⁴ -R²⁴ MIV 其中Ar^1-4 、R²³ 及R²⁴ 具有在式II2及V1中所給出之含義或上文及下文所給出之較佳含義中之一者。舉例而言，聚合物可適宜地藉由芳基-芳基偶合反應(例如山本偶合(Yamamoto coupling)、C-H活化偶合、鈴木偶合(Suzuki coupling)、施蒂勒偶合(Stille coupling)、薗頭偶合(Sonogashira coupling)、赫克偶合(Heck coupling)或布赫瓦爾德偶合(Buchwald coupling))來製備。鈴木偶合、施蒂勒偶合及山本偶合尤佳。經聚合以形成聚合物重複單元之單體可根據熟習此項技術者已知之方法來製備。較佳地聚合物係自選自如上文所述之式V1、V2、V3、V1a-d及MI-MIV之單體製備。本發明之另一態樣係製備聚合物之製程，其藉由使一或多種選自式V1、V2、V1a-d之相同或不同單體彼此及/或與一或多種較佳選自式MI-MIV之共聚單體在聚合反應中、較佳在芳基-芳基偶合反應中偶合來製備。上文及下文所述製程中所用之較佳芳基-芳基偶合及聚合方法係山本偶合、熊田偶合(Kumada coupling)、根岸偶合(Negishi coupling)、鈴木偶合、施蒂勒偶合、薗頭偶合、赫克偶合、C-H活化偶合、烏爾曼偶合(Ullmann coupling)或布赫瓦爾德偶合。尤佳者係鈴木偶合、根岸偶合、施蒂勒偶合及山本偶合。鈴木偶合闡述於(例如) WO 00/53656 A1中。根岸偶合闡述於(例如)J. Chem. Soc., Chem. Commun. ,1977 , 683-684中。山本偶合闡述於(例如) T. Yamamoto等人，Prog. Polym. Sci., 1993 ,17 , 1153-1205或WO 2004/022626 A1中。施蒂勒偶合闡述於(例如) Z. Bao等人，J. Am. Chem. Soc. , 1995,117 , 12426-12435中。C-H活化闡述於(例如) M. Leclerc等人，Angew. Chem. Int. Ed. 2012, 51, 2068 -2071中。舉例而言，在使用山本偶合時，較佳使用具有兩個反應性鹵基之單體。在使用鈴木偶合時，較佳使用具有兩個反應性酸或酸酯基或兩個反應性鹵基之單體。在使用施蒂勒偶合時，較佳使用具有兩個反應性錫烷基或兩個反應性鹵基之單體。在使用根岸偶合時，較佳使用具有兩個反應性有機鋅基團或兩個反應性鹵基之單體。在藉由C-H活化聚合來合成直鏈聚合物時，較佳使用如上文所述之單體，其中至少一個反應性基團係活化氫鍵。較佳觸媒(尤其用於鈴木、根岸或施蒂勒偶合)選自Pd(0)錯合物或Pd(II)鹽。較佳Pd(0)錯合物係具有至少一個膦配體(例如，Pd(Ph₃ P)₄ )之彼等。另一較佳膦配體係參(鄰甲苯基)膦，亦即Pd(o-Tol₃ P)₄ 。較佳Pd(II)鹽包括乙酸鈀，亦即Pd(Oac)₂ 或反式-二(μ-乙酸根合)-雙[o-(二-鄰甲苯基膦基)苄基]二鈀(II)。或者，Pd(0)錯合物可藉由將Pd(0)二亞苄基丙酮錯合物(例如，參(二苄基丙酮)二鈀(0)、雙(二亞苄基丙酮)鈀(0))或Pd(II)鹽(例如，乙酸鈀)與膦配體(例如，三苯基膦、參(鄰甲苯基)膦、參(鄰甲氧基苯基)膦或三(第三丁基)膦混合來製備。鈴木聚合係在鹼(例如，碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銫、氫氧化鋰、磷酸鉀或諸如碳酸四乙銨或氫氧化四乙銨等有機鹼)存在下實施。山本聚合採用Ni(0)錯合物，例如雙(1,5-環辛二烯基)鎳(0)。鈴木、施蒂勒或C-H活化偶合聚合可用於製備均聚物以及統計、交替及嵌段隨機共聚物。統計、隨機嵌段共聚物或嵌段共聚物可(例如)自以上單體製備，其中一個反應性基團係鹵素且另一反應性基團係C-H活化鍵、酸、酸衍生物基團或/及烷基錫烷。統計、交替及嵌段共聚物之合成詳細闡述於(例如) WO 03/048225 A2或WO 2005/014688 A2中。作為如上文所述鹵素之替代物，可使用式-O-SO₂ Z¹ 之離去基團，其中Z¹ 係如上文所定義。該等離去基團之具體實例係甲苯磺酸根、甲磺酸酯及三氟甲磺酸根。較佳聚合條件產生尤佳用於OTFT應用之交替聚合物，而統計嵌段共聚物經製備較佳用於OPV及OPD應用。較佳縮聚係鈴木偶合、施蒂勒偶合、薗頭偶合、赫克偶合或布赫瓦爾德偶合、根岸偶合或C-H活化偶合，其中第一組反應性基團係由-Cl、-Br、-I、O-甲苯磺酸根、O-三氟甲磺酸根、O-甲磺酸根及O-全氟丁基磺酸根構成，且第二組反應性基團係由-H、-SiR₂ F、-SiRF₂ 、-B(OR)₂ 、-CR=CHR’、-C≡CH、-ZnX、-MgX及-Sn(R₃ )構成。若使用山本偶合反應來製備聚合物，則反應性單體末端皆獨立地由-Cl、-Br、-I、O-甲苯磺酸根、O-三氟甲磺酸根、O-甲磺酸根及O-全氟丁基磺酸根構成。在下文反應方案中闡釋用於製備本發明化合物之適宜且較佳方法，其中個別基團係如上文所定義。未顯示之化合物(例如，其中在式I單元中，X係S，或Y係O、S或CU¹ U² )可類似於其製取。核心DTBTz及DTQ單元可如方案1中所示意性圖解說明，自共同中間體3,6-二溴-4,5-二氯伸苯基-1,2-二胺開始來合成，該中間體可使用4,5-二氯伸苯基-1,2-二胺之新穎溴化方法以高產率製備，如本發明中所揭示。在此方法中，在添加溴之前，使用氫溴酸使4,5-二氯伸苯基-1,2-二胺質子化。此製程保護伸苯基二胺免受溴或其他溴化劑氧化。使用標準方法，可使3,6-二溴-4,5-二氯-伸苯基-1,2-二胺環閉合為對應4,7-二溴-5,6-二氯-2,1,3-苯并噻二唑及5,8-二溴-6,7-二氯-喹喔啉。方案 1 如在方案2中所例示性圖解說明，使4,7-二溴-5,6-二氯-2,1,3-苯并噻二唑及5,8-二溴-6,7-二氯-喹喔啉與芳基酸、芳基酸酯、芳基錫烷、芳基格氏試劑(Grignard reagent)或芳基鹵化鋅交叉偶合，以獲得π-延長之4,7-二芳基-5,6-二氯-2,1,3-苯并噻二唑及5,8-二芳基-6,7-二氯-喹喔啉。鄰位氯原子進而可藉由與甲烷二硫醇二鈉反應經替代，以產生相應DTBTz及DTQ單元。方案 2 如在方案3中所例示性圖解說明，自5,6-二氯-2,1,3-苯并噻二唑及6,7-二氯-喹喔啉直接合成未溴化之DTBTz及DTQ單元。方案 3 在方案4中例示性圖解說明表示一些較佳聚合反應。可藉由上文所述之方法製取共軛聚合物及共聚物，包括交替共聚物及統計嵌段共聚物。具體而言，共軛聚合物可藉由使用二溴對應體之Pd催化之直接芳基化聚合(M. Wakioka等人，Macromol .,2015 ,48 , 8382)或使用末端溴化衍生物之Pd催化縮聚方法來製取，例如山本反應(Yamamoto等人，Bull., Chem. Soc. Jpn .,1978 ,51(7) , 2091；Yamamoto等人，Macromolecules ,1992 ,25(4) , 1214)、鈴木-宮浦反應(Suzuki-Miyaura reaction) (Miyaura等人，Chem. Rev .,1995 ,95 , 2457)及施蒂勒反應(Bao等人，J. Am., Chem., Soc .,1995 ,117(50) , 12426)。方案 4 (其中R具有R³ 及R⁴ 之含義中之一者) 在方案4中所顯示之新穎聚合物係本發明之另一標的。在方案5中例示性圖解說明基於DTBTz及DTQ核心合成寡聚物及小分子。或者可經由會聚合成策略來獲得該等化合物，如方案6中所顯示。其中Y及R¹ 係如式I中所定義，X₁ = Br且X₂ = SnR'₃ 或B(OR')₂ ，或X₁ = SnR'₃ 且X₂ = Br，或X₁ = B(OR')₂ 且X₂ = Br，Ar_1-8 對應於如式VI中所定義之Ar^1-8 ，且Ar₅ -Ar₆ -Ar₇ -Ar₈ -R² _末端與Ar₄ -Ar₃ -Ar₂ -Ar₁ -R¹ _末端一致，且R¹ _末端及R² _末端對應於式VI中之R^T1 及R^T2 ，且U具有如上文所給出U¹ 及U² 之含義中之一者。方案 6 或者，可經由會聚合成策略獲得基於DTBTz及DTQ之不對稱小分子，如在方案7中所例示性圖解說明，其中個別基團係如方案5及6中所定義。方案 7 在方案8中例示性圖解說明經由會聚合成策略合成含有多個DTBTz及DTQ單元之不對稱化合物，其中個別基團係如方案5中所定義，且1＜n≤ 3。方案 8 製備DTBTz及DTQ核心化合物後，可將在R^1,2 _末端取代時向DTBTz及DTQ核心添加進一步取代，如方案9中所例示性圖解說明，其中個別基團係如方案6中所定義。方案 9 製備如上文及下文所述之化合物、單體或聚合物之新穎方法及在其中所使用之新穎單體及中間體係本發明之其他態樣。本發明之化合物亦可以組合物或聚合物摻合物使用，例如與具有電荷傳輸、半導體、導電、光導及/或發光半導體性質之小分子或其他聚合物一起，或(例如)與具有電洞阻擋或電子阻擋性質之聚合物一起在OLED裝置、OPV裝置或基於鈣鈦礦之太陽能電池中用作中間層、電荷阻擋層、電荷傳輸層。含有一或多個拉電子基團之本發明小分子亦可用作n-型半導體。例如，尤其在用於OPV或OPD裝置中之p-型及n-型半導體之混合物或摻合物中，其可用作富勒烯之替代物，或除富勒烯以外還可使用該等小分子。用作n-型半導體之較佳化合物係式VI或其子式之彼等，其中R^T1 及/或R^T2 表示或含有拉電子基團。本發明之另一態樣係關於組合物，其亦可係聚合物摻合物，包含具有電荷傳輸、半導體、導電、光導、電洞阻擋及電子阻擋性質中之一或多者之一或多種本發明之化合物及一或多種小分子化合物及/或聚合物。該等組合物可藉由先前技術中所述且為熟習此項技術者已知之習用方法來製備。通常，使該等化合物彼此混合或溶解於適宜溶劑中併合併該等溶液。本發明之另一態樣係關於包含一或多種如上文及下文所述之聚合物、聚合物摻合物或組合物及一或多種有機溶劑之調配物。較佳溶劑係脂肪族烴、氯化烴、芳香族烴、酮、醚及其混合物。可使用之其他溶劑包括1,2,4-三甲基苯、1,2,3,4-四甲基苯、戊基苯、均三甲苯、異丙苯、異丙基甲苯、環己基苯、二乙基苯、四氫萘、十氫萘、2,6-二甲吡啶、2-氟-間-二甲苯、3-氟-鄰-二甲苯、2-氯三氟甲苯、N,N-二甲基甲醯胺、2-氯-6-氟甲苯、2-氟苯甲醚、苯甲醚、2,3-二甲基吡嗪、4-氟苯甲醚、3-氟苯甲醚、3-三氟-甲基苯甲醚、2-甲基苯甲醚、苯乙醚、4-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、4-氟-3-甲基苯甲醚、2-氟苯甲腈、4-氟鄰二甲氧基苯(4-fluoroveratrol)、2,6-二甲基苯甲醚、3-氟苯甲腈、2,5-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、苯甲腈、3,5-二甲基-苯甲醚、N,N-二甲基苯胺、苯甲酸乙酯、1-氟-3,5-二甲氧基-苯、1-甲基萘、N-甲基吡咯啶酮、3-氟三氟甲苯、三氟甲苯、二噁烷、三氟甲氧基-苯、4-氟三氟甲苯、3-氟吡啶、甲苯、2-氟-甲苯、2-氟三氟甲苯、3-氟甲苯、4-異丙基聯苯、苯基醚、吡啶、4-氟甲苯、2,5-二氟甲苯、1-氯-2,4-二氟苯、2-氟吡啶、3-氯氟苯、1-氯-2,5-二氟苯、4-氯氟苯、氯苯、鄰-二氯苯、2-氯氟苯、對-二甲苯、間-二甲苯、鄰-二甲苯或鄰-異構物、間-異構物及對-異構物之混合物。具有相對較低極性之溶劑通常較佳。對於噴墨印刷而言，具有高沸點之溶劑及溶劑混合物較佳。對於旋塗而言，烷基化苯(如二甲苯及甲苯)較佳。尤佳溶劑之實例包括(但不限於)二氯甲烷、三氯甲烷、氯苯、鄰-二氯苯、四氫呋喃、苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、1-甲基萘、嗎啉、甲苯、鄰-二甲苯、間-二甲苯、對-二甲苯、1,4-二噁烷、丙酮、甲基乙基酮、1,2-二氯乙烷、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、1,5-二甲基四氫萘、苯丙酮、乙醯苯、四氫萘、2-甲基噻吩、3-甲基噻吩、十氫萘、二氫茚、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、均三甲苯及/或其混合物。聚合物在溶液中之濃度較佳係0.1重量%至10重量%，更佳0.5重量%至5重量%。視情況，該溶液亦包含一或多種黏合劑以調節流變性質，如(例如) WO 2005/055248 A1中所述。適當混合及老化後，將溶液評估為以下列種類中之一者：完全溶液、邊界溶液(borderline solution)或不可溶。繪製等高線以概述溶解度參數-氫鍵結限值從而劃分溶解性及不溶性。落在溶解度區內之「完全」溶劑可選自(例如)發表於「Crowley, J.D., Teague, G.S. Jr及Lowe, J.W. Jr.,Journal of Paint Technology ,1966 ,38 (496) , 296」中之文獻值。亦可使用並可鑑別溶劑摻合物，如「Solvents, W.H.Ellis, Federation of Societies for Coatings Technology，第9-10頁， 1986」中所述。此一程序可產生將溶解兩種本發明聚合物之「非」溶劑之摻合物，但期望在摻合物中具有至少一種真實溶劑。本發明之化合物亦可用於裝置中之圖案化OSC層中，如上文及下文所述。對於在現代微電子中之應用而言，通常期望產生較小結構或圖案以降低成本(更大之裝置/單位面積)及功率消耗。包含本發明聚合物之薄層的圖案化可(例如)藉由光微影、電子束微影或雷射圖案化來實施。對於作為薄層在電子或電光裝置中之用途而言，本發明之化合物、組合物或調配物可藉由任一適宜方法沈積。裝置之液體塗佈較真空沈積技術更合意。溶液沈積方法尤佳。本發明之調配物能夠使用多種液體塗佈技術。較佳沈積技術包括(但不限於)浸塗、旋塗、噴墨印刷、噴嘴印刷、凸版印刷、絲網印刷、凹版印刷、刮刀塗佈、輥印刷、反向輥印刷、膠版微影印刷、乾式膠版微影印刷、柔版印刷、濕式印刷、噴塗、幕塗、刷塗、槽縫式染料塗佈或移印。當需要製備高解析度層及裝置時，噴墨印刷尤佳。可藉由噴墨印刷或微量分配將所選本發明之調配物施加至預製裝置基板。較佳地，工業壓電印刷頭(例如(但不限於)由Aprion、Hitachi-Koki、InkJet Technology、On Target Technology、Picojet、Spectra、Trident、Xaar供應之彼等)可用於將有機半導體層施加至基板。此外，可使用半工業化頭(例如，由Brother、Epson、Konica、Seiko Instruments Toshiba TEC所製造之彼等)或單噴嘴微量分配器(例如，由Microdrop及Microfab所生產之彼等)。為藉由噴墨印刷或微量分配來施加，聚合物應首先溶解於適宜溶劑中。溶劑必須滿足上述要求且必須不對所選印刷頭具有任何有害效應。此外，溶劑應具有＞100℃、較佳＞140℃且更佳＞150℃之沸點，以防止因溶液在印刷頭內變乾所引起之操作問題。除上文所提及溶劑外，適宜溶劑包括經取代及未經取代之二甲苯衍生物、二-C_1-2 -烷基甲醯胺、經取代及未經取代之苯甲醚及其他酚-醚衍生物、經取代雜環(例如，經取代吡啶、吡嗪、嘧啶、吡咯啶酮)、經取代及未經取代之N,N -二-C_1-2 -烷基苯胺及其他氟化或氯化芳香烴。藉由噴墨印刷沈積本發明化合物之較佳溶劑包含具有經一或多個取代基取代之苯環的苯衍生物，其中該一或多個取代基中碳原子之總數為至少3。舉例而言，苯衍生物可經丙基或3個甲基取代，在任一情形下碳原子之總數皆為至少3。此一溶劑能夠形成包含溶劑與化合物或聚合物之噴墨流體，其減小或防止噴霧期間之射流阻塞及組分分離。溶劑可包括選自以下實例列表之彼等：十二烷基苯、1-甲基-4-第三丁基苯、萜品醇、檸檬烯、異杜烯、萜品油烯、異丙基甲苯、二乙基苯。溶劑可係溶劑混合物，即兩種或更多種溶劑之組合，每一溶劑較佳具有＞100℃、更佳＞140℃之沸點。此(等)溶劑亦增強所沈積層中之膜形成並減少該層中之缺陷。在20℃下，噴墨流體(即溶劑、黏合劑及半導體化合物之混合物)較佳具有1-100 mPa∙s、更佳1-50 mPa∙s且最佳為1-30 mPa∙s之黏度。本發明之化合物、組合物及調配物可另外包含一或多種其他組分或添加劑，其選自(例如)表面活性化合物、潤滑劑、潤濕劑、分散劑、疏水劑、黏著劑、流動改良劑、消泡劑、除氣劑、可具反應性或不具反應性之稀釋劑、助劑、著色劑、染料或顏料、敏化劑、穩定劑、奈米粒子或抑制劑。本發明之化合物及組合物可作為電荷傳輸、半導體、導電、光導或發光材料用於光學、電光、電子、電致發光或光致發光組件或裝置中。在該等裝置中，本發明之化合物或組合物通常以薄層或膜形式施加。因此，本發明亦提供化合物、組合物或層在電子裝置中之用途。調配物可作為高遷移率半導體材料用於多種裝置及設備中。調配物可以(例如)半導體層或膜形式使用。因此，在另一態樣中，本發明提供用於電子裝置中之半導電層，該層包含本發明之化合物、組合物或聚合物摻合物。該層或膜可小於約30微米。對於不同電子裝置應用而言，厚度可小於約1微米厚。可藉由上文所提及溶液塗佈或印刷技術中之任一者將該層沈積於(例如)電子裝置之一部分上。本發明另外提供包含本發明之聚合物、聚合物摻合物、組合物或有機半導體層之電子裝置。尤佳裝置係OFET、TFT、IC、邏輯電路、電容器、RFID標籤、OLED、OLET、OPED、OPV、OPD、太陽能電池、染料敏化太陽能電池(DSSC)、基於鈣鈦礦之太陽能電池、雷射二極體、光導體、光檢測器、電子照相裝置、電子照相記錄裝置、有機記憶體裝置、感測器裝置、電荷注入層、肖特基二極體、平面化層、抗靜電膜、導電基板及導電圖案。尤佳電子裝置係OFET、OLED、OPV及OPD裝置，具體而言OPD及塊材異質接面(BHJ) OPV裝置。舉例而言，在OFET中，位於汲極與源極間之有源半導體通道可包含本發明之層。作為另一實例，在OLED裝置中，電荷(電洞或電子)注入或傳輸層可包含本發明之層。對於在OPV或OPD裝置中使用，本發明之聚合物較佳以組合物使用，該組合物包含或含有一或多種p-型半導體及一或多種n-型半導體，較佳由其組成。在較佳實施例中，組合物中p-型半導體中之至少一者係本發明之化合物，其較佳係共軛聚合物。在此較佳實施例中，n-型半導體較佳係富勒烯或經取代之富勒烯。在另一較佳實施例中，組合物中n-型半導體中之至少一者係本發明之化合物，其較佳係小分子、極佳式VI化合物。在此較佳實施例中，p-型半導體較佳係共軛聚合物。在另一較佳實施例中，OPV或OPD裝置包含組合物，該組合物包含作為第一n-型半導體之本發明化合物，且另外包含諸如共軛聚合物之p-型半導體及較佳係富勒烯或經取代之富勒烯之第二n-型半導體。上文所提及實施例之組合物中之n-型半導體或第二n-型半導體係(例如)無機材料(例如，氧化鋅(ZnO_x )、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鈦(TiO_x )、氧化鉬(MoO_x )、氧化鎳(NiO_x )或硒化鎘(CdSe))或有機材料(例如，石墨烯或富勒烯、共軛聚合物、或富勒烯或經取代之富勒烯)。富勒烯係(例如)茚-C₆₀ -富勒烯雙加成物(例如ICBA)、或(6,6)-苯基-丁酸甲基酯衍生之甲橋C₆₀ 富勒烯(其亦稱為「PCBM-C₆₀ 」或「C₆₀ PCBM」)，如(例如) G. Yu、J. Gao、J.C. Hummelen、F. Wudl、A.J. Heeger, Science 1995，第270卷，第1789頁以下中所揭示，且具有下文所顯示之結構，或係具有(例如) C₆₁ 富勒烯基團、C₇₀ 富勒烯基團或C₇₁ 富勒烯基團之結構類似之化合物，或有機聚合物(例如，參見Coakley, K. M.及McGehee, M. D.Chem. Mater . 2004,16 , 4533)。富勒烯較佳係PCBM-C60、PCBM-C70、雙-PCBM-C60、雙-PCBM-C70、ICMA-c60 (1′,4′-二氫-萘并[2′,3′:1,2][5,6]富勒烯-C60)、ICBA、oQDM-C60 (1',4'-二氫-萘并[2',3':1,9][5,6]富勒烯-C60-Ih)或雙-oQDM-C60。進一步較佳地，上文所提及實施例之組合物中之n-型半導體或第二n-型半導體係式XII之富勒烯或經取代之富勒烯，C_n 表示由n個碳原子構成之富勒烯，視情況有一或多個原子陷在其中，加成物¹ 係以任一連接附接至富勒烯C_n 之一級加成物，加成物² 係以任一連接附接至富勒烯C_n 之二級加成物或二級加成物之組合， k 係≥ 1之整數，且 l 係0、≥ 1之整數或＞ 0之非整數。在式XII及其子式中，k較佳表示1、2、3或4，極佳地1或2。式XII及其子式中之富勒烯C_n 可由任一數目n個碳原子構成。較佳地，在式XII化合物及其子式中，構成富勒烯C_n 之碳原子之數目n係60、70、76、78、82、84、90、94或96，極佳60或70。式XII及其子式中之富勒烯C_n 較佳係選自基於碳之富勒烯、內嵌富勒烯或其混合物，極佳地選自基於碳之富勒烯。適宜且較佳的基於碳之富勒烯包括(但不限於) (C_60-Ih )[5,6]富勒烯、(C_70-D5h )[5,6]富勒烯、(C_76-D2* )[5,6]富勒烯、(C_84-D2* )[5,6]富勒烯、(C_84-D2d ) [5,6]富勒烯或上文所提及基於碳之富勒烯中之兩個或更多個之混合物。內嵌富勒烯較佳係金屬富勒烯。適宜且較佳的金屬富勒烯包括(但不限於) La@C₆₀ 、La@C₈₂ 、Y@C₈₂ 、Sc₃ N@C₈₀ 、Y₃ N@C₈₀ 、Sc₃ C₂ @C₈₀ 或上文所提及金屬富勒烯中之兩個或更多個之混合物。較佳富勒烯C_n 係在[6,6]及/或[5,6]鍵經取代，較佳在至少一個[6,6]鍵經取代。在式XII及其子式中稱為「加成物」之一級及二級加成物較佳係選自以下各式：其中C_n 係如式XII中所定義， Ar^S1 、Ar^S2 彼此獨立地表示具有5至20個、較佳5至15個環原子之伸芳基或伸雜芳基，其為單環或多環，且其視情況經一或多個相同或不同取代基取代，該等取代基具有如上文及下文所定義L之含義中之一者，且 R^S1 、R^S2 、R^S3 、R^S4 、R^S5 及R^S6 彼此獨立地表示H、CN或具有如上文及下文所定義L之含義中之一者。較佳地，式XII化合物係選自以下各子式：其中C_n 、k及l係如式XII中所定義，且 R^S1 、R^S2 、R^S3 、R^S4 、R^S5 及R^S6 彼此獨立地表示H或具有如上文及下文所定義L之含義中之一者。進一步較佳地，上文所提及實施例之組合物中之n-型半導體或第二n-型半導體係選自石墨烯、金屬氧化物(如例如，ZnOx、TiOx、ZTO、MoOx、NiOx)、量子點(例如，CdSe或CdS)或共軛聚合物(例如，聚萘二醯亞胺或聚苝二醯亞胺)，如(例如) WO2013142841 A1中所述。本發明之OPV或OPD裝置較佳包含於有源層之一側上之透明或半透明基板上之第一透明或半透明電極及於有源層之另一側上之第二金屬或半透明電極。較佳地，進一步將本發明OPV或OPD裝置中之光活性層與其他有機及無機化合物摻和，以增強裝置性質。舉例而言，因近場效應(亦即，電漿效應)用於增強光捕獲之金屬粒子(例如，Au或Ag奈米粒子或Au或Ag奈米稜柱)，如(例如)Adv. Mater. 2013 , 25 (17), 2385-2396及Adv. Ener. Mater. 10.1002/aenm.201400206中所述；用於增強光電導率之分子摻雜劑(例如，2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基喹啉并二甲烷)，如(例如)Adv. Mater. 2013 , 25(48), 7038-7044中所揭示；或由UV吸收劑及/或抗自由基劑及/或抗氧化劑組成之穩定劑(例如，2-羥基二苯甲酮、2-羥基苯基苯并三唑、草酸醯苯胺、羥基苯基三嗪、部花青素、位阻酚、N-芳基-硫嗎啉、N-芳基-硫嗎啉-1-氧化物、N-芳基-硫嗎啉-1,1-二氧化物、N-芳基-噻唑啶、N-芳基-噻唑啶-1-氧化物、N-芳基-噻唑啶-1,1-二氧化物及1,4-二氮雜二環[2.2.2]辛烷)，如(例如) WO2012095796 A1及WO2013021971 A1中所述。該裝置較佳可進一步包含UV至可見光光轉換層(舉例而言，例如J. Mater. Chem. 2011 ,21 , 12331中所述)或NIR至可見光或IR至NIR光轉化層(舉例而言，例如J. Appl. Phys. 2013 ,113 , 124509中所述)。進一步較佳地，OPV或OPD裝置在有源層及第一或第二電極之間包含一或多個額外緩衝層用作包含以下材料之電洞傳輸層及/或電子阻擋層：例如，金屬氧化物(如例如，ZTO、MoO_x 、NiO_x )、經摻雜共軛聚合物(例如，PEDOT:PSS及聚吡咯-聚苯乙烯磺酸酯(PPy:PSS))、共軛聚合物(例如，聚三芳基胺(PTAA))、有機化合物(例如，經取代之三芳基胺衍生物，例如N,N′-二苯基-N,N′-雙(1-萘基)(1,1′-二苯基)-4,4′二胺(NPB)、N,N'-二苯基-N,N'-(3-甲基苯基)-1,1'-二苯基-4,4'-二胺(TPD))、基於石墨烯之材料(例如，氧化石墨烯及石墨烯量子點)；或另一選擇為用作包含以下材料之電洞阻擋層及/或電子傳輸層：例如，金屬氧化物(例如，ZnO_x 、TiO_x 、AZO (鋁摻雜氧化鋅))、鹽(例如，LiF、NaF、CsF)、共軛聚合物電解質(例如，聚[3-(6-三甲基銨己基)噻吩]、聚(9,9-雙(2-乙基己基)-茀]-b -聚[3-(6-三甲基銨己基)噻吩]或聚[(9,9-雙(3´-(N,N-二甲基胺基)丙基)-2,7-茀)-alt-2,7-(9,9-二辛基茀)])、聚合物(例如，聚(乙亞胺)或交聯含N-化合物衍生物)或有機化合物(例如，參(8-羥基喹啉)-鋁(III) (Alq₃ )、啡啉衍生物或基於C₆₀ 或C₇₀ 之富勒烯)，例如(如)Adv.Energy Mater. 2012 , 2, 82-86中所述。在包含本發明小分子化合物且進一步包含聚合物之組合物中，聚合物:小分子化合物之比率以重量計較佳係5:1至1:5，以重量計更佳係1:1至1:3，以重量計最佳係1:1至1:2。在包含本發明聚合物化合物且進一步包含富勒烯或經修飾富勒烯之組合物中，聚合物:富勒烯之比率以重量計較佳係5:1至1:5，以重量計更佳係2:1至1:3，以重量計最佳係1:1至1:2。本發明之組合物亦可包含較佳5重量%至95重量%之聚合黏合劑。黏合劑之實例包括聚苯乙烯(PS)、聚丙烯(PP)、聚二甲基矽烷(PDMS)及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。為生產BHJ OPV裝置中之薄層，可藉由任一適宜方法沈積本發明之化合物、組合物或調配物。裝置之液體塗佈比真空沈積技術更合意。溶液沈積方法尤佳。本發明之調配物能夠使用多種液體塗佈技術。較佳沈積技術包括(但不限於)浸塗、旋塗、噴墨印刷、噴嘴印刷、凸版印刷、絲網印刷、凹版印刷、刮刀塗佈、輥印刷、反向輥印刷、膠版微影印刷、乾式膠版微影印刷、柔版印刷、濕式印刷、噴塗、幕塗、刷塗、槽縫式染料塗佈或移印。對於OPV裝置及模組之製作而言，與撓性基板相容之區域印刷方法較佳，例如槽縫式染料塗佈、噴塗及諸如此類。在本發明調配物之製備中，較佳選擇適宜溶劑以確保p-型及n-型兩種組分完全溶解，並慮及藉由所選印刷方法所引入之邊界條件(例如流變性質)。出於此目的通常使用有機溶劑。典型溶劑可為芳香族溶劑、鹵化溶劑或氯化溶劑，包括氯化芳香族溶劑。實例包括(但不限於)氯苯、1,2-二氯苯、氯仿、1,2-二氯乙烷、二氯甲烷、四氯化碳、甲苯、環己酮、乙酸乙酯、四氫呋喃、苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、1-甲基萘、嗎啉、甲苯、鄰-二甲苯、間-二甲苯、對-二甲苯、1,4-二噁烷、丙酮、甲基乙基酮、1,2-二氯乙烷、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、1,5-二甲基四氫萘、苯丙酮、乙醯苯、四氫萘、2-甲基噻吩、3-甲基噻吩、十氫萘、二氫茚、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、均三甲苯及其組合。 OPV裝置可為(例如)自文獻中已知之任一類型(例如，參見Waldauf等人，Appl. Phys. Lett .,2006 ,89 , 233517)。本發明之第一較佳OPV裝置包含以下各層(以自底部至頂部之順序)： - 視情況基板， - 高功函數電極，其較佳包含金屬氧化物(如例如ITO及FTO)且充當陽極， - 可選導電聚合物層或電洞傳輸層，其較佳包含例如以下各項之有機聚合物或聚合物摻合物：PEDOT:PSS (聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩):聚(苯乙烯-磺酸酯))、經取代之三芳基胺衍生物(例如，TBD (N,N’-二苯基-N-N’-雙(3-甲基苯基)-1,1’聯苯-4,4’-二胺)或NBD (N,N’-二苯基-N-N’-雙(1-萘基苯基)-1,1’聯苯-4,4’-二胺)， - 包含p-型及n-型有機半導體之層(亦稱為「光活性層」)，其可(例如)作為p-型/n-型雙層或作為不同的p-型及n-型層、或作為摻合物或p-型及n-型半導體存在且形成BHJ， - 視情況具有電子傳輸性質之層，其(例如)包含LiF、TiO_x 、ZnO_x 、PFN、聚(乙亞胺)或交聯含氮化合物衍生物或啡啉衍生物， - 低功函數電極，其較佳包含金屬(如例如鋁)且充當陰極，其中該等電極中之至少一者、較佳陽極對可見光及/或NIR光透明，且其中p-型或n-型半導體係本發明之化合物。本發明之第二較佳OPV裝置係倒置式OPV裝置且包含以下各層(以自底部至頂部之順序)： - 視情況基板， - 高功函數金屬或金屬氧化物電極，其包含(例如) ITO及FTO且充當陰極，具有電洞阻擋性質之層，其較佳包含金屬氧化物(例如，TiO_x 或ZnO_x )，或包含有機化合物(例如，諸如聚(乙亞胺)之聚合物或交聯含氮化合物衍生物或啡啉衍生物)， - 位於電極之間之包含p-型及n-型有機半導體之光活性層，其可(例如)作為p-型/n-型雙層或作為不同的p-型及n-型層、或作為摻合物或p-型及n-型半導體存在且形成BHJ， - 可選導電聚合物層或電洞傳輸層，其較佳包含有機聚合物或聚合物摻合物(例如，PEDOT:PSS、納菲薄膜(nafion))或經取代之三芳基胺衍生物(例如，TBD或NBD)， - 電極，其包含高功函數金屬(如例如銀)且充當陽極，其中該等電極中之至少一者、較佳陰極對可見光及/或NIR光透明，且其中p-型或n-型半導體係本發明之化合物。在本發明之OPV裝置中，p-型及n-型半導體材料較佳係選自如上文所述之以下材料：如化合物/聚合物或化合物/聚合物/富勒烯系統。當將有源層沈積於基板上時，其形成以奈米級相分離之BHJ。關於針對奈米級相分離之論述，參見Dennler等人，Proceedings of the IEEE ,2005 ,93 (8) , 1429或Hoppe等人，Adv. Func. Mater ,2004, 14(10) , 1005。然後可能需要可選退火步驟以最佳化摻合物形態且因此最佳化OPV裝置性能。最佳化裝置性能之另一方法係製備用於製作OPV (BHJ)裝置之調配物，其可包括高沸點添加劑以用適當方式促進相分離。已使用1,8-辛烷二硫醇、1,8-二碘辛烷、硝基苯、1-氯萘、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲基亞碸及其他添加劑來獲得高效率太陽能電池。實例闡述於J. Peet等人，Nat. Mater .,2007 ,6 , 497或Fréchet等人，J. Am. Chem. Soc. ,2010 ,132 , 7595-7597中。本發明之另一較佳實施例係關於本發明之化合物或組合物作為染料、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層及/或電子阻擋層在DSSC或基於鈣鈦礦之太陽能電池中之用途，及包含本發明化合物組合物或聚合物摻合物之DSSC或基於鈣鈦礦之太陽能電池。 DSSC及基於鈣鈦礦之DSSC可如諸如以下之文獻中所述來製造：Chem. Rev. 2010, 110, 6595-6663, Angew. Chem. Int. Ed. 2014, 53, 2-15 或WO2013171520A1。本發明之化合物及組合物亦適用於OFET之半導體通道。因此，本發明亦提供OFET，其包含閘極電極、絕緣(或閘極絕緣體)層、源極電極、汲極電極及連接該源極電極與該汲極電極之有機半導體通道，其中該有機半導體通道包含本發明之化合物或組合物。OFET之其他特徵已為熟習此項技術者所熟知。其中OSC材料作為薄膜配置於閘極電介質與汲極電極及源極電極之間之OFET已眾所周知，且闡述於(例如) US 5,892,244、US 5,998,804、US 6,723,394及背景部分中所引用之參考文獻中。由於使用本發明化合物之溶解性性質之優點(如低成本生產)以及由此所致之大表面可處理性，故該等FET之較佳應用係(例如)積體電路、TFT顯示器及安全應用。 OFET裝置中之閘極、源極電極及汲極電極以及絕緣及半導體層可以任一順序配置，前提係源極電極及汲極電極用絕緣層與閘極電極分開，閘極電極及半導體層皆接觸絕緣層，且源極電極及汲極電極皆接觸半導體層。本發明之OFET裝置較佳包含： - 源極電極， - 汲極電極， - 閘極電極， - 半導體層， - 一或多個閘極絕緣層， - 視情況基板。其中該半導體層包含本發明之化合物或組合物。 OFET裝置可為頂閘極裝置或底閘極裝置。OFET裝置之適宜結構及製造方法為熟習此項技術者已知並闡述於諸如US 2007/0102696 A1之文獻中。閘極絕緣層較佳包含氟聚合物，例如市售Cytop 809M®或Cytop 107M® (來自Asahi Glass)。較佳地，舉例而言，藉由旋塗、刮塗、線棒式塗佈、噴塗或浸塗或其他已知方法自包含絕緣體材料及一或多種具有一或多個氟原子之溶劑(氟溶劑)、較佳全氟溶劑之調配物來沈積閘極絕緣層。適宜全氟溶劑係(例如)FC75® (自Acros購得，目錄編號為12380)。其他適宜氟聚合物及氟溶劑在先前技術中已知，如例如全氟聚合物Teflon AF ® 1600或2400 (來自DuPont)或Fluoropel ® (來自Cytonix)或全氟溶劑FC 43®(Acros，編號為12377)。尤佳者係具有1.0至5.0、極佳1.8至4.0之低介電係數(或介電常數)之有機介電材料(「低k 材料」)，如(例如) US 2007/0102696 A1或US 7,095,044中所揭示。在安全應用中，OFET及具有本發明半導體材料之其他裝置(如電晶體或二極體)可用於RFID標籤或安全標記，以鑒定並防止仿造有價證券(如鈔票、信用卡或ID卡)、國家ID文件、執照或任一具有貨幣價值之產品(如郵票、票證、股票、支票等)。或者，本發明化合物及聚合物可用於OLED中，例如在平板顯示器應用中作為有源顯示器材料，或作為平板顯示器(例如，液晶顯示器)之背光源。常用OLED係使用多層結構來實現。發射層通常夾於一或多種電子傳輸層及/或電洞傳輸層之間。藉由施加電壓，可使作為電荷載子之電子及電洞朝向發射層移動，在此其複合導致含於發射層中之發光團單元激發且由此使其發光。本發明之化合物及組合物可對應於其電學及/或光學性質用於緩衝層、電子或電洞傳輸層、電子或電洞阻擋層及發射層之一或多者中。此外，若本發明之化合物自身顯示電致發光性質或包含電致發光基團或化合物，則其用於發射層內尤其有利。用於OLED中之適宜單體、寡聚物及聚合物化合物或材料之選擇、表徵以及處理通常由熟習此項技術者已知，例如參見Müller等人，Synth. Metals ,2000 ,111-112 , 31-34, Alcala,J. Appl. Phys .,2000 ,88 , 7124-7128及在其中所引用之文獻中。根據另一用途，本發明之化合物及組合物、尤其顯示光致發光性質之彼等可用作(例如)顯示裝置中之光源材料，如EP 0 889 350 A1或C. Weder等人，Science ,1998 ,279 , 835-837中所述。本發明之另一態樣係關於本發明化合物之氧化及還原形式二者。失去或獲得電子皆會導致形成具有高電導率之高度離域離子形式。此可在暴露於普通摻雜劑時發生。適宜摻雜劑及摻雜方法為熟習此項技術者已知，例如，自EP 0 528 662、US 5,198,153或WO 96/21659中獲知。摻雜製程通常暗指在氧化還原反應中使用氧化或還原劑來處理半導體材料，以在材料中形成離域離子中心，同時自所施加摻雜劑獲得相應的抗衡離子。適宜摻雜方法包含(例如)在大氣壓或減壓下暴露於摻雜蒸氣，在含有摻雜劑之溶液中實施電化學摻雜，使摻雜劑與欲熱擴散之半導體材料接觸，及將摻雜劑離子植入半導體材料中。當使用電子作為載劑時，適宜摻雜劑係(例如)鹵素(例如，I₂ 、Cl₂ 、Br₂ 、ICl、ICl₃ 、IBr及IF)、路易斯酸(例如，PF₅ 、AsF₅ 、SbF₅ 、BF₃ 、BCl₃ 、SbCl₅ 、BBr₃ 及SO₃ )、質子酸、有機酸或胺基酸(例如，HF、HCl、HNO₃ 、H₂ SO₄ 、HClO₄ 、FSO₃ H及ClSO₃ H)、過渡金屬化合物(例如，FeCl₃ 、FeOCl、Fe(ClO₄ )₃ 、Fe(4-CH₃ C₆ H₄ SO₃ )₃ 、TiCl₄ 、ZrCl₄ 、HfCl₄ 、NbF₅ 、NbCl₅ 、TaCl₅ 、MoF₅ 、MoCl₅ 、WF₅ 、WCl₆ 、UF₆ 及LnCl₃ (其中Ln係鑭系元素))、陰離子(例如，Cl^- 、Br^- 、I^- 、I₃ ^- 、HSO₄ ^- 、SO₄ ^2- 、NO₃ ^- 、ClO₄ ^- 、BF₄ ^- 、PF₆ ^- 、AsF₆ ^- 、SbF₆ ^- 、FeCl₄ ^- 、Fe(CN)₆ ^3- 及多種磺酸之陰離子(例如芳基-SO₃ ^- ))。當使用電洞作為載劑時，摻雜劑之實例係陽離子(例如，H⁺ 、Li⁺ 、Na⁺ 、K⁺ 、Rb⁺ 及Cs⁺ )、鹼金屬(例如，Li、Na、K、Rb及Cs)、鹼土金屬(例如，Ca、Sr及Ba)、O₂ 、XeOF₄ 、(NO₂ ⁺ ) (SbF₆ ^- )、(NO₂ ⁺ ) (SbCl₆ ^- )、(NO₂ ⁺ ) (BF₄ ^- )、AgClO₄ 、H₂ IrCl₆ 、La(NO₃ )₃ 、6H₂ O、FSO₂ OOSO₂ F、Eu、乙醯基膽鹼、R₄ N⁺ (R係烷基)、R₄ P⁺ (R係烷基)、R₆ As⁺ (R係烷基)及R₃ S⁺ (R係烷基)。本發明化合物之導電形式可作為有機「金屬」用於多種應用中，包括(但不限於) OLED應用中之電荷注入層及ITO平面化層、平板顯示器及觸控螢幕之膜、抗靜電膜、諸如印刷電路板及電容器等電子應用中之印刷導電基板、圖案或跡線。本發明之化合物及組合物亦可適用於有機電漿發射二極體(OPED)中，如(例如) Koller等人，Nat. Photonics ,2008 ,2 , 684中所述。根據另一用途，本發明之化合物可單獨或與其他材料一起用於LCD或OLED裝置中或用作其中之配向層，如(例如) US 2003/0021913中所述。使用本發明之電荷傳輸化合物可增大配向層之電導率。當用於LCD中時，此增大之電導率可降低可切換LCD單元中不利的殘餘直流效應，且抑制影像黏滯或在(例如)鐵電型LCD中降低藉由切換鐵電型LC之自發極化電荷所產生的殘餘電荷。當用於包含發光材料(其提供於配向層上)之OLED裝置中時，此增大之電導率可增強發光材料之電致發光。具有液晶原性或液晶性質之本發明化合物可形成如上文所述之各向異性定向膜，其尤其可用作配向層以誘導或增強液晶介質(其提供於該各向異性膜上)中之配向。本發明之聚合物亦可與光可異構化化合物及/或發色團組合用於光配向層中或用作其，如US 2003/0021913 A1中所述。根據另一用途，本發明之化合物或組合物、尤其其水溶性衍生物(例如具有極性或離子側基者)或離子摻雜形式可用作化學感測器或材料來檢測及識別DNA序列。此等用途闡述於(例如) L. Chen, D. W. McBranch, H. Wang, R. Helgeson, F. Wudl及D. G. Whitten,Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A., 1999 ,96 , 12287；D. Wang, X. Gong, P. S. Heeger, F. Rininsland, G. C. Bazan及A. J. Heeger,Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A., 2002 ,99 , 49；N. DiCesare, M. R. Pinot, K. S. Schanze及J. R. Lakowicz,Langmuir ,2002 ,18 , 7785；D. T. McQuade, A. E. Pullen, T. M. Swager,Chem. Rev., 2000 ,100 , 2537中。除非上下文另外明確指示，否則如本文所用本文術語之複數形式應解釋為包括單數形式且反之亦然。在本說明書之說明及申請專利範圍通篇中，詞語「包含(comprise)」及「含有(contain)」及該等詞語之變化形式(例如「包含(comprising及comprises)」)意指「包括但不限於」，且並非意欲(且不)將其他組分排除在外。應瞭解，可對本發明之前述實施例作出修改，而仍屬本發明範圍內。除非另外指示，否則本說明書中所揭示每一特徵皆可由用於相同、等效或類似目的之替代特徵所替代。因此，除非另外指示，否則每一所揭示特徵僅係一般系列等效或類似特徵中之一個實例。本說明書中所揭示之所有特徵可以任一組合進行組合，但其中此等特徵及/或步驟中至少一些相互排斥之組合除外。特定而言，本發明之較佳特徵適用於本發明之全部態樣且可以任一組合使用。同樣，非必需組合中所述之特徵可單獨使用(並不組合使用)。在上文及下文中，除非另外指示，否則百分比係重量百分比且溫度係以攝氏度給出。介電常數之值ε (「介電係數」)係指在20℃及1,000 Hz下所取之值。現將參照以下實例更詳細地闡述本發明，其僅具闡釋性且並不限制本發明之範圍。實例 1 3,6- 二溴 -4,5- 二氯伸苯基 -1,2- 二胺 (1.1) 向4,5-二氯伸苯基-1,2-二胺(9.0 g, 50 mmol)於乙腈(250 cm³ )中之溶液添加48%氫溴酸(45.0cm³ , 398 mmol)。加熱懸浮液並在回流下攪拌1小時。逐滴添加溴(10.0 cm³ , 195.2 mmol)以獲得橙色懸浮液。停止加熱並將懸浮液在20℃下攪拌2小時。抽吸過濾出沈澱物並用乙腈洗滌，直至洗滌物無色為止。將過濾器上之固體風乾並轉移至錐形燒瓶。添加水(150 cm³ )，隨後在攪拌下以小份添加碳酸鈉，直至混合物之pH約為8為止。藉由抽吸過濾收集固體並用水洗滌，且在過濾器上風乾以產生呈淡黃褐色固體形式之3,6-二溴-4,5-二氯伸苯基-1,2-二胺(13.7 g, 82%)。m/e (EI)：334, 100%。¹³ C-NMR (DMSO-d₆ , 100.6 MHz)：106.3, 118.7, 133.3 ppm。4,7- 二溴 -5,6- 二氯苯并 -2,1,3- 噻二唑 (1.2) 向無水二氯甲烷(150 cm³ )及三乙基胺(28.4 cm³ , 204.9 mmol)之混合物添加3,6-二溴-4,5-二氯伸苯基-1,2-二胺(13.72 g, 41.0 mmol)。在-78℃下攪拌懸浮液。經20分鐘逐滴添加亞硫醯氯(5.95 cm³ , 82.0 mmol)。移除冷卻浴並將懸浮液在回流下加熱2小時。在真空中移除溶劑以產生固體殘餘物。添加甲醇(200 cm³ )並研磨固體且然後藉由抽吸過濾收集。用甲醇洗滌過濾器上之固體，直至濾液為無色為止，然後風乾，以獲得呈灰白色固體形式之4,7-二溴-5,6-二氯苯并-2,1,3-噻二唑(13.8 g, 93%)。m/e (EI)：362 (100%)。¹³ C-NMR (CDCl₃ , 100.6 MHz)：ppm 114.9, 136.3, 151.2。5,6- 二氯 -4,7- 雙 (2- 噻吩基 )-2,1,3- 苯并噻二唑 (1.3) 向4,7-二溴-5,6-二氯苯并-2,1,3-噻二唑(9.07 g, 25.0 mmol)於甲苯(80 cm³ )及N,N-二甲基甲醯胺(20 cm³ )中之溶液添加三丁基(噻吩-2-基)錫烷(20.0 cm³ , 61.1 mmol)、參(二亞苄基丙酮)二鈀(0) (228.9 mg, 0.250 mmol)及三(鄰甲苯基)膦(380.5 mg, 1.250 mmol)。將混合物在100℃、在氮下攪拌1小時。在真空中蒸發溶劑並將固體殘餘物與甲醇(100 cm³ )一起研磨。藉由抽吸過濾收集固體並用甲醇洗滌3次。將固體溶解於氯仿中並藉助二氧化矽墊過濾溶液。在真空中蒸發濾液，以獲得呈橘紅色晶體形式之5,6-二氯-4,7-雙(2-噻吩基)-2,1,3-苯并噻二唑(7.66 g, 83%)。m/e (EI)：[368，M+] 100%。¹ H NMR (400 MHz，二氯甲烷-d2) δ 7.69 - 7.61 (m, 2H), 7.26 (dd, J = 5.1, 3.7 Hz, 1H)。¹³ C NMR (101 MHz, 二氯甲烷-d2) δ 152.71 , 134.72 , 134.21 , 131.30 , 128.28 , 126.77 , 126.30 ppm。4,7- 雙 (5- 溴 -2- 噻吩基 )-5,6- 二氯 -2,1,3- 苯并噻二唑 (1.4) 向5,6-二氯-4,7-雙(2-噻吩基)-2,1,3-苯并噻二唑(3.69 g, 10.0 mmol)於無水四氫呋喃(100 cm³ )中之溶液一次性添加N-溴琥珀醯亞胺(5.39 g, 30.0 mmol)。在20℃下將混合物攪拌20小時，且然後在回流下攪拌30分鐘。將混合物冷卻至23℃並添加甲醇(50 cm³ )。藉由抽吸過濾收集沈澱物，用甲醇洗滌且然後風乾，以獲得呈橙色晶體形式之4,7-雙(5-溴-2-噻吩基)-5,6-二氯-2,1,3-苯并噻二唑(4.82 g, 91%)。m/e (EI)：527 (M⁺ ) 100%。¹ H NMR (400 MHz，氯仿-d) δ 7.52 (d, J = 4.0 Hz, 1H), 7.21 (d, J = 3.9 Hz, 1H)。4,7- 雙 (5- 溴 -2- 噻吩基 )-(2- 二氰基亞甲基 [1,3] 二硫雜環戊烯并 )[4,5-f]-2,1,3- 苯并噻二唑 (1) 將4,7-雙-(5-溴-2-噻吩基)-5,6-二氯-2,1,3-苯并噻二唑(0.97 g, 1.84 mmol)及二氰基亞甲基甲烷二硫醇二鈉(0.51 g, 2.76 mmol)懸浮於無水N,N-二甲基甲醯胺(50 cm³ )中。將混合物在80℃加熱20小時。在真空中移除揮發物。將殘餘物與甲醇一起研磨並藉由抽吸過濾收集固體。使固體在氯仿(100 cm³ )中沸騰1小時並藉由管柱層析(氯仿)純化混合物，隨後再結晶(吡啶/乙醇)，以獲得呈深紅色結晶固體之4,7-雙(5-溴-2-噻吩基)-(2-二氰基亞甲基[1,3]二硫雜環戊烯并)[4,5-f]-2,1,3-苯并噻二唑(0.39 g, 36%)。¹ H NMR (400 MHz，氯仿-d) δ 7.45 (d, J = 4.0 Hz, 1H), 7.27 (d, J = 4.0 Hz, 1H)。實例 2 5,8- 二溴 -6,7- 二氯 -2,3- 二甲基喹喔啉 (2.1) 向3,6-二溴-4,5-二氯-1,2-伸苯基二胺(5.08 g, 15.22 mmol)於乙腈(120 cm³ )中之混合物添加丁烷-2,3-二酮(1.65 cm³ , 18.21 mmol)。在回流下將混合物攪拌16小時，並在真空中移除溶劑。將固體殘餘物與甲醇一起研磨，然後藉由抽吸過濾收集。用甲醇將固體洗滌三次，然後風乾，以得到呈黃色晶體形式之5,8-二溴-6,7-二氯-2,3-二甲基喹喔啉(5.20 g, 89%)。m/e (EI)：384 (100%)。¹ H NMR (400 MHz，氯仿-d) δ 2.80 (s，3H)。¹³ C NMR (101 MHz, CDCl₃ ) δ 155.96, 138.23, 134.71, 124.59, 22.94。6,7- 二氯 -2,3- 二甲基 -5,8- 雙 (2- 噻吩基 ) 喹喔啉 (2.2) 向5,8-二溴-6,7-二氯-2,3-二甲基喹喔啉(3.85 g, 10.00 mmol)於無水甲苯(40 cm³ )及N,N-二甲基甲醯胺(10 cm³ )中之溶液添加三丁基噻吩-2-基錫烷(8.0 cm³ , 24.0 mmol)、參(二亞苄基丙酮)二鈀(0) (91.6 mg, 0.100 mmol)及三(鄰甲苯基)膦(152.2 mg, 0.500 mmol)。將混合物在100℃、在氮下攪拌1小時。在真空中移除溶劑並將固體殘餘物與甲醇(50 cm³ )一起研磨。藉由抽吸過濾收集固體並用甲醇洗滌。將粗產物再結晶(氯仿/乙醇)，以得到呈黃色晶體形式之6,7-二氯-2,3-二甲基-5,8-雙(2-噻吩基)喹喔啉(3.52 g, 90%)。m/e (EI)：390 (100%)。¹ H NMR (400 MHz，氯仿-d) δ 7.60 (dd, J = 5.1, 1.2 Hz, 1H), 7.33 (dd, J = 3.5, 1.2 Hz, 1H), 7.23 (dd, J = 5.1, 3.5 Hz, 1H), 2.63 (s, 3H)。¹³ C NMR (101 MHz, CDCl₃ ) δ 153.95, 139.08, 135.52, 133.96, 133.09, 130.11, 127.49, 126.32, 23.16。實例 3 聚合物 1 (P1) 向燒瓶裝填4,7-雙(5-溴-2-噻吩基)-(2-二氰基亞甲基[1,3]二硫雜環戊烯并)[4,5-f]-2,1,3-苯并噻二唑(1) (178.9 mg, 0.300 mmol)、1,1'-[6,6,12,12-四(4-十六烷基苯基)-6,12-二氫二噻吩并[2,3-d:2',3'-d']-s-苯并二茚并[1,2-b:5,6-b']二噻吩-2,8-二基]雙(三甲基錫烷) (IDTT-二錫) (571.9 mg, 0.300 mmol)、無水甲苯(9.0 cm³ )及無水N,N-二甲基甲醯胺(1.0 cm³ )。藉由使氮鼓泡使混合物脫氣30分鐘，並添加參(二亞苄基丙酮)二鈀(0) (10.6 mg, 0.015 mmol)及三鄰甲苯基膦(41.1 mg, 0.135 mmol)。將混合物再脫氣10分鐘。然後在120℃、在氮下將混合物劇烈攪拌10分鐘。添加三丁基苯基錫烷(0.50 cm³ , 1.53 mmol)並將混合物在120℃下再攪拌50分鐘。添加溴苯(2.0 cm³ , 18.7 mmol)並在相同條件下將混合物攪拌1小時。用甲苯(5 cm³ )稀釋溶液，然後使其沈澱至經攪拌之丙酮(100 cm³ )中並在20℃下將混合物攪拌30分鐘。藉由抽吸過濾收集固體，用丙酮洗滌，以獲得呈深綠色固體之聚合物1 (0.45 g, 75%)。GPC (氯苯，50℃)：Mn = 59,000 Kg/mol, Mw = 270,000 kg/mol, PDI = 4.6。實例 4 聚合物 2 (P2) 向圓底燒瓶裝填4,7-雙(5-溴-2-噻吩基)-(2-二氰基亞甲基[1,3]二硫雜環戊烯并)[4,5-f]-2,1,3-苯并噻二唑(1) (178.9 mg；0.300 mmol)、IDT-二錫(446.9 mg, 0.300 mmol)、無水甲苯(9.0 cm³ )及N,N-二甲基甲醯胺(1.0 cm³ )。藉由使氮鼓泡使混合物脫氣0.5小時。添加參(二亞苄基丙酮)二鈀(0) (10.6 mg, 0.015 mmol)及三(鄰甲苯基)膦(41.1 mg, 0.135 mmol)並使混合物再脫氣10分鐘。在130℃(外部)、在氮下將混合物攪拌4小時。添加三丁基苯基錫烷(0.50 cm³ , 1.53 mmol)並在相同溫度下將混合物攪拌30分鐘。添加溴苯(2.0 cm³ , 18.7 mmol)並在相同條件下將混合物攪拌1小時。在混合物仍然熱時用甲醇使其沈澱。藉由抽吸過濾收集固體並用甲醇及丙酮洗滌。藉由用丙酮及40-60石油進行索氏萃取(Soxhlet extraction)來進一步純化聚合物固體，然後溶解至氯仿中。濃縮溶液，然後用丙酮再沈澱，以產生呈墨綠色固體形式之聚合物2 (0.428g, 89%)。GPC (氯苯，50℃)：Mn = 43,000 Kg/mol, Mw = 115,000 kg/mol, PDI = 2.65。實例 5 聚合物 3 (P3) 將2,6-二溴苯并[1,2-b;4,5-b']二噻吩-4,8-二羧酸二-十二烷基酯(154.55 mg；0.20 mmol)、4,7-雙(5-溴-2-噻吩基)-(2-二氰基亞甲基[1,3]二硫雜環戊烯并)[4,5-f]-2,1,3-苯并噻二唑(1 ) (119.28 mg；0.20 mmol；1.00當量)、4,7-二溴-5,6-二辛基氧基-苯并[1,2,5]噻二唑(110.08 mg；0.20 mmol；1.00當量)、2,5-雙(三甲基錫烷基)-噻吩(245.85 mg；0.60 mmol；3.00當量)、三鄰甲苯基膦(9.74 mg；32.00 µmol；0.16當量)及Pd₂ (dba)₃ (7.33 mg；8.00 µmol；0.04當量)稱量於燒瓶中。添加經脫氣之氯苯(2.50 cm³ )並用氮將混合物再吹掃5分鐘。在120℃、在氮下將混合物攪拌16小時，然後使其冷卻至室溫。將反應混合物沈澱至甲醇中並藉由抽吸過濾收集黑色固體並用甲醇洗滌。使粗聚合物固體經受用丙酮、石油醚40-60℃、環己烷及氯仿進行索氏萃取。最終用氯苯萃取出殘餘物，再次在甲醇中沈澱，以獲得呈深藍色固體之聚合物3 (38 mg)。GPC (氯苯，50℃)：Mn = 10,600 Kg/mol, Mw = 28,200 kg/mol, PDI = 2.66。用途實例 A 場效應電晶體製作及量測：一般程序 在具有真空蒸發之Au源極-汲極電極之玻璃基板上製造頂閘極薄膜有機場效電晶體(OFET)。在頂部上旋塗7 mg/cm³ 之有機半導體於二氯苯中之溶液(膜之可選退火在100℃、150℃或200℃下實施1分鐘與5分鐘之間)，隨後旋塗經旋塗之氟聚合物介電材料(Lisiconâ D139，來自Merck, Germany)。最後沈積真空蒸發之Au閘極電極。在環境空氣氣氛下使用電腦控制之Agilent 4155C半導體參數分析儀來實施電晶體裝置之電學表徵。計算化合物之飽和區域(µ_sat )中之電荷載子遷移率。使用以下等式(1)來計算飽和區域(V_d ＞ (V_g -V₀ ))中之場效應遷移率：(1) 其中W係通道寬度，L係通道長度，C_i 係絕緣層之電容，V_g 係閘極電壓，V₀ 係導通電壓，且µ_sat 係在飽和區域中之電荷載子遷移率。導通電壓(V₀ )係在源極-汲極電流開始時確定。

Claims

一種化合物，其包含一或多個式I之二價伸雜芳基單元其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義： X O、S、Se、Te、-NR-、-PR-、-P(=O)-、-P(OR)-、-P(O)(OR)-或-CR=CR’- U¹ 、U² 拉電子基團，或U¹ 與U² 一起形成視情況經一或多個基團L、R¹ 或R² 取代之具有4至15個環原子之碳環、雜環、芳香族環或雜芳香族環， R H或具有1至25個、較佳1至20個C原子之直鏈、具支鏈或環狀烷基，其中一或多個CH₂ 基團視情況以O及/或S原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=S)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-NR⁰ -、-SiR⁰ R⁰⁰ -、-CF₂ -、-CR⁰ =CR⁰⁰ -、-CY¹ =CY² -或-C≡C-替代，且其中一或多個H原子視情況經F、Cl、Br、I或CN替代，且其中一或多個CH₂ 或CH₃ 基團視情況經陽離子或陰離子基團、或芳基、雜芳基、芳基烷基、雜芳基烷基、芳氧基或雜芳氧基替代，其中上文所提及環狀基團中之每一者具有5至20個環原子，為單環或多環，視情況含有稠合環且係未經取代或經一或多個相同或不同基團L取代， R^1,2 H、F、Cl、CN或具有1至30個C原子之直鏈、具支鏈或環狀烷基，其中一或多個CH₂ 基團視情況以O及/或S原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=S)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-NR⁰ -、-SiR⁰ R⁰⁰ -、-CF₂ -、-CR⁰ =CR⁰⁰ -、-CY¹ =CY² -或-C≡C-替代，且其中一或多個H原子視情況經F、Cl、Br、I或CN替代，且其中一或多個CH₂ 或CH₃ 基團視情況經陽離子或陰離子基團、或芳基、雜芳基、芳基烷基、雜芳基烷基、芳氧基或雜芳氧基替代，其中上文所提及環狀基團中之每一者具有5至20個環原子，為單環或多環，視情況含有稠合環且係未經取代或經一或多個相同或不同基團L取代，或R¹ 與R² 形成芳香族或雜芳香族環系統，其經稠合至R¹ 及R² 所附接之吡嗪環，具有5至20個環原子，為單環或多環，視情況含有稠合環且係未經取代或經一或多個相同或不同基團L取代， L F、Cl、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、R⁰ 、OR⁰ 、SR⁰ 、-C(=O)X⁰ 、-C(=O)R⁰ 、-C(=O)-OR⁰ 、-O-C(=O)-R⁰ 、-NH₂ 、-NHR⁰ 、-NR⁰ R⁰⁰ 、-C(=O)NHR⁰ 、-C(=O)NR⁰ R⁰⁰ 、-SO₃ R⁰ 、-SO₂ R⁰ 、-OH、-NO₂ 、-CF₃ 、-SF₅ 、或視情況經取代之矽基、或視情況經取代且視情況包含一或多個雜原子之具有1至30個、較佳1至20個C原子之碳基或烴基，較佳F、-CN、R⁰ 、-OR⁰ 、-SR⁰ 、-C(=O)-R⁰ 、-C(=O)-OR⁰ 、-O-C(=O)-R⁰ 、-O-C(=O)-OR⁰ 、-C(=O)-NHR⁰ 、-C(=O)-NR⁰ R⁰⁰ ， Y¹ 、Y² H、F、Cl或CN， X⁰ 鹵素、較佳F或Cl， R⁰ 、R⁰⁰ H或視情況經氟化之具有1至20個C原子之直鏈或具支鏈烷基。
如請求項1之化合物，其中X係S、O、-NR-或-CR¹ =CR² -，其中R¹ 及R² 係如請求項1中所定義。
如請求項1之化合物，其中U¹ 及U² 係選自CN、C(=O)R及C(=O)OR，其中R係如請求項1中所定義。
如請求項1之化合物，其中R¹ 及R² 係選自以下群或其任一組合：由R、-OR及-SR組成之群，其中R係視情況經氟化之具有1至25個C原子之直鏈或具支鏈烷基，由-C(=O)-R、-C(=O)-OR、-OC(=O)-R、-C(=O)-NHR及-C(=O)-NRRⁿ 組成之群，其中R及Rⁿ 彼此獨立地係視情況經氟化之具有1至25個C原子之直鏈或具支鏈烷基，由芳基、芳氧基、雜芳基及雜芳氧基組成之群，其各自具有5至20個環原子且視情況含有稠合環，且係未經取代或經一或多個如請求項1中所定義之基團L取代，由F、Cl及CN組成之群。
如請求項1至4中任一項之化合物，其係包含一或多個如請求項1至4中任一項所定義之式I單元且進一步包含一或多個伸芳基或伸雜芳基單元之共軛聚合物，該等伸芳基或伸雜芳基單元具有5至20個環原子，為單環或多環，視情況含有稠合環，係未經取代或經一或多個相同或不同基團L、R¹ 或R² 取代，且係選自式I或在結構上不同於式I，且其中所有上文所提及單元彼此直接連接。
如請求項5之化合物，其包含一或多個式II1或II2之重複單元及視情況一或多個式II3之重複單元： -(Ar¹ )_a -U-(Ar² )_b -(Ar³ )_c -(Ar⁴ )_d - II1 -(Ar¹ )_a -(Ar² )_b -U-(Ar³ )_c -(Ar⁴ )_d - II2 -(Ar¹ )_a -(Ar² )_b -(Ar³ )_c -(Ar⁴ )_d - II3 其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義： U 如請求項1至4中任一項所定義之式I單元， Ar^1-4 伸芳基或伸雜芳基，其具有5至20個環原子，為單環或多環，視情況含有稠合環，係未經取代或經一或多個相同或不同的如請求項1中所定義之基團L、R¹ 或R² 取代且不同於U， a、b、c、d 0或1，其中在式II3中，a+b+c+d≥1。
如請求項5之化合物，其係選自下式III：其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義： A 如請求項1至6中任一項所定義之式I、II1或II2之單元， B、C、D、E 如請求項1至6中任一項所定義之式I、II1、II2或II3之單元， x ＞ 0且≤ 1， y、z、v、w ≥ 0且＜ 1， x+y+z+v+w 1，且 n ≥5之整數。
如請求項5之化合物，其係選自以下各式：其中X、U¹ 、U² 、Ar¹ 、Ar² 、Ar³ 、Ar⁴ 、a、b、c、d、v、x、y、z及n具有請求項1至7中所給出之含義。
如請求項5之化合物，其係選自以下各式：其中X、U¹ 、U² 、w、x、y、z及n具有在請求項1至8中所給出之含義，Y係N或CR⁴ ，G係C、Si或Ge，t係1、2、3或4，R³ 及R⁴ 彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有在請求項1或4中針對R¹ 所給出含義中之一者，且R⁵ 及R⁶ 彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有在請求項1或4中針對R¹ 及R² 所給出含義中之一者。
如請求項7之化合物，其係選自式IV R²¹ -鏈-R²³ IV 其中「鏈」表示選自如請求項8及9中所定義之式III、III1-III8及P1-P18之聚合物鏈，且R²¹ 及R²² 彼此獨立地具有如請求項1中所定義L之含義中之一者或彼此獨立地表示H、F、Br、Cl、I、-CH₂ Cl、-CHO、-CR'=CR''₂ 、-SiR'R''R'''、-SiR'X'X''、-SiR'R''X'、-SnR'R''R'''、-BR'R''、-B(OR')(OR'')、-B(OH)₂ 、-O-SO₂ -R'、-C≡CH、-C≡C-SiR'₃ 、-ZnX'或封端基團，X'及X''表示鹵素，R'、R''及R'''彼此獨立地具有在請求項1中所給出R⁰ 之含義中之一者，且R'、R''及R'''中之兩者亦可與其所附接之各別雜原子一起形成具有2至20個C原子之環矽基、環錫烷基、環硼烷或環酸根基團。
一種下式VI之化合物， R^T1 -(Ar¹ )_e -(Ar² )_f -[(Ar³ )_g -(Ar⁴ )_h -U-(Ar⁵ )_i -(Ar⁶ )_k ]_o -(Ar⁷ )_l -(Ar⁸ )_m -R^T2 VI 其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義： U 如請求項1至4中任一項所定義之式I單元， Ar^1-8 伸芳基或伸雜芳基，其具有5至20個環原子，為單環或多環，視情況含有稠合環，且係未經取代或經一或多個相同或不同的如請求項1中所定義之基團L或R¹ 或-CY¹ =CY² -或-C≡C-取代， Y¹ 、Y² H、F、Cl或CN， R^T1 、R^T2 具有1至30個C原子之碳基或烴基，其視情況經一或多個基團L取代且視情況包含一或多個雜原子， e-m 0或1， o 1、2或3。
如請求項11之化合物，其中R^T1 及R^T2 係選自H、F、Cl、Br、-NO₂ 、-CN、-CF₃ 、R*、-CF₂ -R*、-O-R*、-S-R*、-SO₂ -R*、-SO₃ -R*、-C(=O)-H、-C(=O)-R*、-C(=S)-R*、-C(=O)-CF₂ -R*、-C(=O)-OR*、-C(=S)-OR*、-O-C(=O)-R*、-O-C(=S)-R*、-C(=O)-SR*、-S-C(=O)-R*、-C(=O)NR*R**、-NR*-C(=O)-R*、-NHR*、-NR*R**、-CR*=CR*R**、-C≡C-R*、-C≡C-SiR*R**R***、-SiR*R**R***、-CH=CH(CN)、-CH=C(CN)₂ 、-C(CN)=C(CN)₂ 、-CH=C(CN)(R^a )、CH=C(CN)-C(=O)-OR*、-CH=C(CO-OR*)₂ 、-CH=C(CO-NR*R**)₂ 及由以下各式組成之群：其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義： R^a 、R^b 各自具有4至30個環原子、視情況含有稠合環且係未經取代或經一或多個基團L或具有針對L給出之含義之基團取代之芳基或雜芳基， R*、R**、R*** 具有1至20個C原子之烷基，其係直鏈、具支鏈或環狀，且係未經取代或經一或多個F或Cl原子或CN基團取代、或經全氟化，且其中一或多個C原子視情況經-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=S)-、-SiR⁰ R⁰⁰ -、-NR⁰ R⁰⁰ -、-CHR⁰ =CR⁰⁰ -或-C≡C-替代，使得O-及/或S-原子彼此不直接連接， L F、Cl、-NO₂ 、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、R⁰ 、OR⁰ 、SR⁰ 、-C(=O)X⁰ 、-C(=O)R⁰ 、-C(=O)-OR⁰ 、-O-C(=O)-R⁰ 、-NH₂ 、-NHR⁰ 、-NR⁰ R⁰⁰ 、-C(=O)NHR⁰ 、-C(=O)NR⁰ R⁰⁰ 、-SO₃ R⁰ 、-SO₂ R⁰ 、-OH、-NO₂ 、-CF₃ 、-SF₅ 、或視情況經取代之矽基、或視情況經取代且視情況包含一或多個雜原子之具有1至30個C原子之碳基或烴基， L' H或L之含義中之一者， R⁰ 、R⁰⁰ H或視情況經氟化之具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈烷基， Y¹ 、Y² H、F、Cl或CN， X⁰ 鹵素， r 0、1、2、3或4， s 0、1、2、3、4或5， t 0、1、2或3， u 0、1或2。
如請求項11或12之化合物，其中R^T1 及R^T2 中之一者或兩者表示拉電子基團。
如請求項11或12之化合物，其中R^T1 及R^T2 係選自以下各式：其中L、L'、R^a 、r及s具有在請求項12中所給出之含義。
如請求項11或12之化合物，其係選自以下各子式：其中X、G、U¹ 、U² 、R³ 及R⁴ 具有在請求項9中所給出之含義。
如請求項11或12之化合物，其係選自下式VI1 R^T1 -U*-R^T2 VI1 其中R^T1 及R^T2 具有在請求項11至13中任一項所給出之含義，且U*係選自如在請求項9中所定義之子式P1-P18之單元，其中n係1。
一種下式V1或V2之化合物， R²³ -(Ar¹ )_a -U-(Ar² )_b -(Ar³ )_c -(Ar⁴ )_d -R²⁴ V1 R²³ -(Ar¹ )_a -(Ar² )_b -U-(Ar³ )_c -(Ar⁴ )_d -R²⁴ V2 其中U、Ar^1-4 、a、b、c及d具有在請求項6中所給出之含義，且R²³ 及R²⁴ 彼此獨立地係選自由以下各項組成之群：H、Cl、Br、I、O-甲苯磺酸根、O-三氟甲磺酸根、O-甲磺酸根、O-全氟丁基磺酸根、-SiMe₂ F、-SiMeF₂ 、-O-SO₂ Z¹ 、-B(OZ² )₂ 、-CZ³ =C(Z³ )₂ 、-C≡CH、-C≡CSi(Z¹ )₃ 、-ZnX⁰ 及-Sn(Z⁴ )₃ ，其中X⁰ 係鹵素，Z^1-4 係選自由各自視情況經取代之C_1-10 烷基及C_6-12 芳基組成之群，且兩個基團Z² 亦可與B-及O-原子一起形成具有2至20個C原子之環酸根基團，其中R²³ 及R²⁴ 中之至少一者不同於H。
一種下式V3之化合物， R²³ -U*-R²⁴ V3 其中R²³ 及R²⁴ 具有在請求項17中所給出之含義，且U*係選自如在請求項9中所定義之子式P1-P18之單元，其中n係1。
一種組合物，其包含一或多種如請求項1至18中任一項之化合物及一或多種具有一或多種以下性質之額外化合物：半導體、電荷傳輸、電洞或電子傳輸、電洞或電子阻擋、導電、光導或發光性質。
如請求項19之組合物，其包含一或多種p-型半導體，其中至少一者係如請求項1至18中任一項之化合物，且進一步包含一或多種較佳選自富勒烯或富勒烯衍生物之n-型半導體。
如請求項19之組合物，其包含一或多種n-型半導體，其中至少一者係如請求項1至18中任一項之化合物，且進一步包含一或多種較佳選自共軛聚合物之p-型半導體。
一種塊材異質接面(BHJ)，其係自如請求項19至21中任一項之組合物形成。
一種調配物，其包含一或多種如請求項1至18中任一項之化合物或如請求項19至21中任一項之組合物，且進一步包含一或多種選自有機溶劑之溶劑。
一種如請求項1至18中任一項之化合物或如請求項19至21中任一項之組合物之用途，其係用於電子或光電子裝置中，或此一裝置之組件中或包含此一裝置之總成中。
一種電子或光電子裝置或其組件或包含其之總成，其包含如請求項1至18中任一項之化合物或如請求項19至21中任一項之組合物。
如請求項25之電子或光電子裝置，其係選自有機場效應電晶體(OFET)、有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光二極體(OLED)、有機發光電晶體(OLET)、有機光伏打裝置(OPV)、有機光檢測器(OPD)、有機太陽能電池、染料敏化太陽能電池(DSSC)、基於鈣鈦礦之太陽能電池(PSC)、雷射二極體、肖特基二極體(Schottky diode)、光導體、光檢測器及熱電裝置。
如請求項25之組件，其係選自電荷注入層、電荷傳輸層、間層、平面化層、抗靜電膜、聚合物電解質膜(PEM)、導電基板及導電圖案。
如請求項25之總成，其係選自積體電路(IC)、射頻識別(RFID)標籤、安全標記、安全裝置、平板顯示器、平板顯示器之背光源、電子照相裝置、電子照相記錄裝置、有機記憶體裝置、感測器裝置、生物感測器及生物晶片。
一種製備如請求項1至14中任一項之化合物之方法，其係藉由使一或多種如請求項17或18之化合物彼此及/或與一或多種下式MI-MIV之單體在芳基-芳基偶合反應中偶合來製備： R²³ -Ar¹ -R²⁴ MI R²³ -Ar² -R²⁴ MII R²³ -Ar³ -R²⁴ MIII R²³ -Ar⁴ -R²⁴ MIV 其中Ar^1-4 、R²³ 及R²⁴ 具有在請求項17中所給出之含義。