TW201812966A - 晶圓的吸附確認方法、脫離確認方法及減壓處理裝置 - Google Patents

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Abstract

是容易地確認靜電吸盤是否吸附晶圓。 為一種吸附確認方法，係於保持晶圓的搬送單元將晶圓搬入至靜電吸盤時確認該靜電吸盤是否吸附保持晶圓，包含：連接工程，其係使搬送墊所保持的晶圓接觸於靜電吸盤，經由晶圓來使靜電吸盤與搬送墊連接；及吸附判斷工程，其係實施該連接工程之後，當從直流電源經由第1配線來供給電力時之配設於該第1配線中的電阻的兩端的電壓值到達預定的電壓值時，判斷成靜電吸盤的保持面吸附晶圓。

Description

晶圓的吸附確認方法、脫離確認方法及減壓處理裝置
本發明是有關確認靜電吸盤是否吸附保持晶圓的吸附確認方法，確認晶圓從靜電吸盤脫離的脫離確認方法，及在減壓環境下處理晶圓的減壓處理裝置。
半導體晶圓的晶圓等是藉由研削裝置來研削而被形成預定的厚度之後，藉由切削裝置等來分割而成為各個的裝置晶片，裝置晶片是被利用在各種電子機器等。進行晶圓的研削時，是對於形成有複數的裝置的晶圓的表面貼附保護膠帶，以保持台來保持貼附有保護膠帶的晶圓的保護膠帶側之後，使旋轉的研削砥石抵接於晶圓的背面，進行研削。在此，若研削晶圓的背面，則會有在晶圓的背面殘存研削痕的情況，若將留有研削痕的晶圓分割而製作裝置晶片，則會有被製作的裝置晶片的抗折強度降低之問題。
為了解消如此的問題，而有利用電漿蝕刻裝置(例如參照專利文獻1)，在減壓環境下對晶圓的背面實施電漿蝕刻處理，藉此除去被形成於晶圓的背面之研削痕，使裝置晶片的抗折強度提升之方法。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2001-358097號公報
上述專利文獻1所記載般的電漿蝕刻裝置是具備被稱為腔室的減壓室，在進行電漿蝕刻加工時，開啟減壓室的開閉門，從外部搬入晶圓至減壓室內，關閉開閉門，其次，形成將減壓室內減壓的狀態之後，把蝕刻氣體供給至減壓室內。然後，藉由使電漿化後的蝕刻氣體來電漿蝕刻晶圓的背面，藉此從晶圓的背面(被研削面)除去研削痕。
在此，若保持晶圓的吸盤台為真空吸引保持晶圓的型式的吸盤台，則難以在被減壓的腔室內將晶圓確實地吸引保持於吸盤台上。因此，為了在被減壓的腔室內吸附保持晶圓，而例如在腔室內配設靜電吸盤。靜電吸盤是在吸盤保持面與晶圓之間施加電壓，可藉由在兩者之間產生的靜電力來將晶圓吸附於保持面上。
真空吸引保持晶圓的型式的吸盤台是例如被配設於可在大氣壓中進行加工的切削裝置等的加工裝置，因為吸盤台未以被密閉的腔室來覆蓋，所以可藉由直接確認將晶圓吸附於吸盤台的保持面上的吸引壓力來確認吸盤 台是否保持晶圓。相對於此，在電漿蝕刻裝置中，在被密閉且被減壓的腔室內藉由靜電吸盤來吸附保持晶圓時，不容易確認靜電吸盤是否靜電吸附晶圓。而且，若在靜電吸盤未充分地吸附晶圓的狀態下開始電漿蝕刻，則會因為起弧(異常放電)或在靜電吸盤的保持面與被貼附於晶圓的保護膠帶之間隙產生放電而發生膠帶燒焦等，會有電漿蝕刻裝置故障或晶圓損傷大的問題。
並且，電漿蝕刻加工後，藉由搬送墊來將晶圓從腔室內搬出時，是使搬送墊接觸於晶圓，將晶圓吸引保持後，解除靜電吸盤的靜電吸附，但若在靜電吸盤之晶圓的靜電吸附未被充分地解除的狀態下使搬送墊上昇等，則晶圓會藉由搬送墊及靜電吸盤來拉至相反方向，因而有破損的問題。
因此，利用電漿蝕刻裝置等的減壓處理裝置來將晶圓處理於減壓環境時，有使裝置能夠容易地確認在將晶圓搬入至減壓處理裝置所具備的靜電吸盤時是否靜電吸盤充分地吸附晶圓的課題。又，有使裝置能夠容易地確認在從靜電吸盤搬出晶圓時是否晶圓充分地脫離靜電吸盤的課題。亦即，在具備靜電吸盤的減壓處理裝置中，有使能夠容易地確認靜電吸盤的晶圓的吸附狀況之課題。
若根據本發明的第1形態，則可提供一種吸附確認方法，係於減壓處理裝置中，在保持晶圓而搬送的搬 送手段將晶圓搬入至靜電吸盤時，確認該靜電吸盤是否吸附保持晶圓，該減壓處理裝置係具備：靜電吸盤，其係包含：以介電質所形成並具有保持晶圓的保持面，且在內部配設有金屬板的晶圓保持部，及將該金屬板連接至直流電源的第1配線；搬送手段，其係包含：在以導電體所形成的保持面保持晶圓的搬送墊，及將該搬送墊連接成接地的第2配線；電壓測定手段，其係具有：被插入至該第1配線的電阻及測定該電阻的兩端的電壓的電壓計，其特徵係具備：連接工程，其係使該搬送墊所保持的晶圓接觸於該靜電吸盤，經由晶圓來使該靜電吸盤與該搬送墊連接；及吸附判斷工程，其係實施該連接工程之後，從該直流電源供給電力至該靜電吸盤，當電力供給時的該電阻的兩端的電壓值到達預定的電壓值時，判斷成該靜電吸盤的保持面吸附晶圓。
若根據本發明的第2形態，則可提供一種脫離確認方法，係於減壓處理裝置中，在搬送手段保持靜電吸盤所吸附保持的晶圓來從該靜電吸盤搬出晶圓時，確認晶圓是否從該靜電吸盤脫離，該減壓處理裝置係具備：靜電吸盤，其係包含：以介電質所形成並具有保持晶圓的保持面，且在內部配設有金屬板的晶圓保持部，及將 該金屬板連接至直流電源的第1配線；搬送手段，其係包含：在以導電體所形成的保持面保持晶圓而搬送的搬送墊，及將該搬送墊連接成接地的第2配線；電壓測定手段，其係具有：被配設於該第2配線的電阻及測定該電阻的兩端的電壓的電壓計，其特徵係具備：連接工程，其係使該搬送墊接觸於該靜電吸盤所保持的晶圓，經由晶圓來使該靜電吸盤與該搬送墊連接；及脫離判斷工程，其係實施該連接工程之後，切斷從該直流電源往該靜電吸盤的電力供給，在此時當被配設於該第2配線的該電阻的兩端的電壓值到達預定的電壓值時，判斷成晶圓從該靜電吸盤的保持面脫離。
若根據本發明的第3形態，則可提供一種減壓處理裝置，係於減壓環境下處理晶圓，其特徵係具備：靜電吸盤，其係具有保持晶圓的保持面；減壓室，其係被連接至減壓手段，配設有該靜電吸盤；及搬送手段，其係搬入及搬出晶圓至該減壓室，該靜電吸盤係包含：晶圓保持部，其係以介電質所形成，在內部與該保持面平行地配設有金屬板；及第1配線，其係將該金屬板連接至直流電源，該搬送手段係包含： 搬送墊，其係於以導電體所形成的保持面保持晶圓而搬送；及第2配線，其係將該搬送墊連接成接地，該減壓處理裝置更具備：電壓測定手段，其係具有：被配設於該第1配線或該第2配線的電阻，及測定該電阻的兩端的電壓的電壓計；及控制手段，其係被連接至該電壓測定手段，該控制手段係具有：第1判斷部，其係於經由晶圓來使該靜電吸盤與該搬送墊連接的狀態下從該直流電源供給電力至該靜電吸盤時，當被配設於該第1配線中的該電阻的兩端的電壓值到達第1預定的電壓值時，判斷成該靜電吸盤的保持面吸附晶圓；及第2判斷部，其係於切斷從該直流電源往該靜電吸盤的電力供給時，當被配設於該第2配線中的該電阻的兩端的電壓值到達第2預定的電壓值時，判斷成晶圓從該靜電吸盤的保持面脫離。
若根據本發明的吸附確認方法，則即使是在將晶圓搬入至減壓處理裝置所具備的靜電吸盤的情況般，裝置難以判斷靜電吸盤是否充分地吸附晶圓時，裝置還是可容易地確認靜電吸盤是否充分地吸附晶圓。
若根據本發明的脫離確認方法，則即使是在從減壓處理裝置所具備的靜電吸盤搬出晶圓的情況般，裝置難以判斷晶圓是否充分地從靜電吸盤脫離時，裝置還是可容易地確認晶圓是否從靜電吸盤確實地脫離。
1‧‧‧減壓處理裝置
2‧‧‧氣體噴出頭
20‧‧‧軸承
21‧‧‧氣體擴散空間
21a‧‧‧氣體導入路
21b‧‧‧氣體吐出路
23‧‧‧汽缸
23a‧‧‧汽缸管
23b‧‧‧活塞桿
23c‧‧‧連結構件
25‧‧‧反應氣體供給源
27‧‧‧匹配器
28‧‧‧高頻電源
3‧‧‧靜電吸盤
30‧‧‧基軸部
30a‧‧‧軸承
31‧‧‧晶圓保持部
31a‧‧‧保持面
34‧‧‧金屬板
36‧‧‧直流電源
37‧‧‧第1配線
38‧‧‧空壓機器
38a‧‧‧連通路
38b‧‧‧分歧路
39‧‧‧冷卻水供給手段
39a‧‧‧冷卻水通水路
6‧‧‧減壓室
62‧‧‧搬出入口
62a‧‧‧遮板
62b‧‧‧遮板可動手段
64‧‧‧減壓手段
64a‧‧‧排氣口
7‧‧‧搬送手段
70‧‧‧搬送墊
700‧‧‧吸附部
700a‧‧‧保持面
701‧‧‧框體
71‧‧‧吸引源
71a‧‧‧連通路
72‧‧‧第2配線
79‧‧‧臂部
790‧‧‧連結構件
8‧‧‧電壓測定手段
80、81‧‧‧電阻
84‧‧‧電壓計
9‧‧‧控制部
91‧‧‧第1判斷手段
92‧‧‧第2判斷手段
W‧‧‧晶圓
Wa‧‧‧晶圓的表面
Wb‧‧‧晶圓的背面
圖1是表示本發明的減壓處理裝置之一例的縱剖面圖。
圖2是在第1配線配設電壓測定手段的情況的模式圖。
圖3是表示在經由晶圓來使靜電吸盤與搬送墊連接的狀態下，直流電源供給電力至靜電吸盤的狀態的剖面圖。
圖4是表示在吸附判斷工程中，直流電源供給電力至靜電吸盤，電荷被供給至晶圓時，電壓計所測定之施加於電阻的電壓的推移的圖表。
圖5是表示經由晶圓來使靜電吸盤與搬送墊連接，直流電源未供給電力至靜電吸盤時，電壓計測定施加於電阻的電壓的狀態的剖面圖。
圖6是表示在脫離判斷工程中，電壓計所測定之施加於電阻的電壓的推移的圖表。
在減壓環境處理晶圓W之圖1所示的減壓處理裝置1是例如電漿蝕刻裝置，至少具備： 靜電吸盤3，其係具有保持晶圓W的保持面31a；減壓室6，其係具備將配設有靜電吸盤3的室內減壓的減壓手段64；及搬送手段7，其係於減壓室6搬入及搬出晶圓W。
另外，減壓處理裝置1並非限於電漿蝕刻裝置。
靜電吸盤3是例如具備：基軸部30，其係經由軸承30a來可旋轉地插通於減壓室6的下部；及晶圓保持部31，其係以礬土等的陶瓷或氧化鈦等的介電質所形成，其縱剖面形成大致T字狀。
例如被形成圓板狀的晶圓保持部31是在基軸部30的上端側與基軸部30一體地形成，晶圓保持部31的上面是由介電質所成，成為保持晶圓W的保持面31a。另外，晶圓保持部31是亦可為由陶瓷等所構成的介電質膜被配置於別的構件上而構成者。
在基軸部30及晶圓保持部31的內部是形成有冷卻水通過之以虛線所示的冷卻水通水路39a，冷卻水通水路39a是連通冷卻水供給手段39。冷卻水供給手段39是使冷卻水往冷卻水通水路39a流入，此冷卻水會從內部冷卻靜電吸盤3。例如，在處理對象的晶圓W貼附有未圖示的保護膠帶等時，在電漿蝕刻處理中，可藉由冷卻水供給手段39來將靜電吸盤3的保持面31a的溫度保持於不會從保護膠帶產生氣體的溫度以下。
在靜電吸盤3的內部是埋設有金屬板34，其係作為藉由施加電壓來產生電荷的電極。金屬板34是被形成圓形板狀，與保持面31a平行配設，經由第1配線37來連接至直流電源36的正端子側。從直流電源36施加高壓的直流電壓至金屬板34，藉此在保持面31a產生極化的電荷(靜電)，晶圓W是藉由其庫倫力來靜電吸附於保持面31a。
在基軸部30是如圖1所示般形成有連通路38a，在連通路38a的下端側是連通由真空產生裝置及壓縮機等所成的空壓機器38。空壓機器38是具備使吸引力產生於保持面31a上之作為空氣吸引源的機能及供給空氣至保持面31a上之作為空氣供給源的機能的雙方。連通路38a是延伸至晶圓保持部31，在晶圓保持部31的內部分歧成複數的分歧路38b。從連通路38a分歧的各分歧路38b是朝厚度方向(Z軸方向)貫通金屬板34，其上端是在靜電吸盤3的保持面31a開口。
在減壓室6的上部，噴出反應氣體的氣體噴出頭2會經由軸承20來昇降自如地配設。在氣體噴出頭2的內部是設有氣體擴散空間21，在氣體擴散空間21的上部連通氣體導入路21a，在氣體擴散空間21的下部連通氣體吐出路21b。氣體吐出路21b的下端是在氣體噴出頭2的下面朝靜電吸盤3側開口。氣體噴出頭2是連接使氣體噴出頭2上下作動的汽缸23。
汽缸23是例如具備：汽缸管23a，其係於內部具備未圖示的活塞，在基端 側(-Z方向側)有底，被固定於減壓室6的上面；活塞桿23b，其係被插入至汽缸管23a，一端被安裝於活塞；及連結構件23c，其係被固定於活塞桿23b的另一端，支撐氣體噴出頭2。
空氣會被供給(或排出)至汽缸管23a，汽缸管23a的內部的壓力會變化，藉此隨著活塞桿23b上下作動於Z軸方向，氣體噴出頭2會上下作動。
被形成於氣體噴出頭2的內部之氣體導入路21a是連通反應氣體供給源25。反應氣體供給源25是例如儲存反應氣體的SF6、CF4、C2F6、C2F4等的氟系氣體。另外，氣體導入路21a是除了反應氣體供給源25以外，亦可連通儲存有支援電漿蝕刻反應的氣體之未圖示的支援氣體供給源。此情況，在支援氣體供給源是儲存有Ar、He等的稀有氣體，作為支援氣體。
氣體噴出頭2是經由匹配器27來連接高頻電源28。從高頻電源28經由匹配器27來對氣體噴出頭2供給高頻電力，藉此可使從氣體吐出路21b吐出的氣體電漿化。
在減壓室6的側部是設有：用以進行晶圓W的搬出入之搬出入口62，及開閉此搬出入口62的遮板62a。例如，遮板62a是可藉由汽缸等的遮板可動手段62b來上下作動。
在減壓室6的下部是形成有排氣口64a，此排氣口64a是連接減壓手段64。藉由使此減壓手段64作動， 可將減壓室6的內部減壓至預定的真空度。
構成圖1所示的搬送手段7的搬送墊70是具備：例如其外形為圓形狀，由碳多孔或金屬多孔等的導電體的多孔構件所成，吸附晶圓W的吸附部700，及支撐吸附部700的框體701。連通路71a的一端會連通至吸附部700，連通路71a的另一端是被連接至由真空產生裝置及壓縮機等所成的吸引源71。然後，藉由吸引源71進行吸引而生出的吸引力會連通路71a來傳達至吸附部700的露出面，亦即形成與框體701的下面一致之具備導電性的保持面700a，藉此，搬送墊70可用保持面700a來吸引保持晶圓W。
例如，在搬送墊70的框體701的上面是固定有連結構件790，搬送墊70是經由連結構件790來固定於臂部79的一端的下面側。臂部79是在水平面上可平行移動或可迴旋移動，且可上下作動於Z軸方向。
搬送手段7是具備將搬送墊70連接成接地的第2配線72。第2配線72是一端72b會被接地，另一端72a會被連接至搬送墊70的吸附部700。
如圖1所示般，在第2配線72中，電阻80及電阻81會串聯，且測定電阻81的兩端的電壓之電壓計84會與電阻81並聯。藉由此電阻80及電阻81以及電壓計84來構成電壓測定手段8。另外，電壓測定手段8的構成並非限於本實施形態，例如亦可具備電阻80及電阻81以外的電阻。並且，電阻80及電阻81以及電壓計84亦可不是第2配線72， 而是如圖2所示般，被連接於第1配線37。
如圖1所示般，減壓處理裝置1是具備由CPU及記憶體等的記憶元件等所構成的控制部9，在控制部9的控制下，控制蝕刻氣體的吐出量或時間、高頻電力等的條件。
控制部9是具備：第1判斷部91，其係判斷靜電吸盤3的保持面31a是否吸附晶圓W；及第2判斷部92，其係判斷晶圓W是否從靜電吸盤3的保持面31a脫離。
在控制部9是被傳送來有關電壓計84所測定之施加於電阻81的電壓的資訊。
以下，說明有關利用圖1所示的減壓處理裝置1，在減壓環境下處理晶圓W(在本實施形態中是電漿蝕刻處理)時之減壓處理裝置1的動作。晶圓W是例如外形為圓形狀的半導體晶圓，晶圓的背面Wb成為被實施電漿蝕刻處理的面。在晶圓W的表面Wa是例如形成有多數的裝置。晶圓W的表面Wa是亦可例如貼附有未圖示的保護膠帶來保護。
搬送墊70會藉由臂部79來移動於水平面上，以搬送墊70的中心與朝上側的狀態的晶圓W的背面Wb的中心能夠大略一致的方式，將搬送墊70定位於晶圓W的上方。而且，臂部79往-Z方向降下，搬送墊70的保持面700a與晶圓W的背面Wb接觸。然後，吸引源71進行吸引，藉此 如圖1所示般，搬送墊70會在保持面700a吸引保持晶圓W。
其次，搬送手段7會將晶圓W搬入至減壓室6內的靜電吸盤3。在此，藉由實施確認靜電吸盤3是否吸附保持晶圓W的吸附確認方法，防止在靜電吸盤3未充分地吸附晶圓W的狀態下進行晶圓W的減壓處理的事態發生。
(1)吸附確認方法的連接工程
開啟減壓室6的遮板62a，使吸引保持晶圓W的搬送墊70通過搬出入口62往靜電吸盤3上移動。然後，使搬送墊70降下，使晶圓W的表面Wa側與靜電吸盤3的保持面31a接觸，將晶圓W載置於靜電吸盤3上。藉此，如圖3所示般，經由晶圓W來使靜電吸盤3與搬送墊70連接。
(2)吸附確認方法的吸附判斷工程
實施連接工程之後，如圖3所示般，開啟直流電源36的開關360，從直流電源36經由第1配線37來供給電力至靜電吸盤3，對金屬板34施加預定的直流電壓(例如5000V的直流電壓)，藉此使介電極化現象產生於金屬板34上的晶圓保持部31的介電質層與晶圓W之間。藉由介電極化現象，正(+)電荷會集中於晶圓保持部31的保持面31a附近。又，由於形成經由晶圓W來連接靜電吸盤3與搬送墊70的狀態，因此負(-)電荷會經由第2配線72及以導電體所形成的吸附部700來供給至晶圓W，藉此晶圓W是帶負電。因 此，晶圓W是藉由作用於晶圓W與保持面31a之間的靜電力來吸附保持於保持面31a上。
在此，電壓計84會在電阻81的兩端測定負(-)電荷被供給至晶圓W時之施加於電壓測定手段8的電阻81的電壓(過度電壓)。亦即，藉由從直流電源36經由第1配線37來供給電力至靜電吸盤3，一旦對電阻81施加直流電壓，則短時間按照歐姆的法則之直流電流會流動。其結果，在電壓計84所測定之施加於電阻81的電壓是例如圖4所示的圖表F1般，從穩定電壓0V到過度電壓(例如170V)附近，約0.3秒間急劇地上昇後，慢慢地下降，約3.7秒後回到穩定電壓。在此，從0秒時到約4.0秒經過時的圖表F1的積分值(在圖4中以虛線所示的面積S1)是表示晶圓W的帶電量。然後，如圖4所示般，一旦經過從直流電源36經由第1配線37來供給電力至靜電吸盤3時(0秒時)起到約4秒經過為止(亦即晶圓W的帶電量變化的過度狀態)，則晶圓W會形成充分地帶負電的穩定狀態，以電壓計84所測定之施加於電阻81的電壓也在0V安定。然後，藉由作用於晶圓W與保持面31a之間的靜電力，晶圓W是形成被充分地吸附保持於保持面31a上的狀態。
例如，在圖1所示的控制部9的第1判斷部91是記憶有靜電吸盤3的保持面31a充分地吸附晶圓W時以電壓計84所測定之施加於電阻81的電壓的電壓值(例如170V)。被記憶於第1判斷部91的電壓值的值是按照每個晶圓W的大小、厚度來決定者，間接地顯示為了晶圓W藉由靜電吸 盤3來充分地吸附所必要的晶圓W的帶電量。一旦開啟直流電源36的開關360，則有關電壓計84所計測之施加於電阻81的電壓的電壓值的資訊會隨時被發送至第1判斷部91。然後，從以電壓計84所測定之施加於電阻81的電壓的電壓值成為170V時到例如約3.7秒後，第1判斷部91是判斷成晶圓W充分地帶負電，靜電吸盤3將晶圓W充分地吸附保持於保持面31a。另一方面，當以電壓計84所測定之施加於電阻81的電壓的電壓值未達170V時，第1判斷部91是判斷成晶圓W的吸引保持未充分。例如，第1判斷部91會對於作業者發送本判斷的結果。
如此，本發明的吸附確認方法是藉由實施(1)連接工程及(2)吸附判斷工程，即使是在將晶圓W搬入至減壓處理裝置1所具備的靜電吸盤3的情況般，裝置難以判斷靜電吸盤3是否充分地吸附晶圓W時，裝置還是可容易地確認靜電吸盤3是否充分地吸附晶圓W。
裝置是確認靜電吸盤3充分地吸附晶圓W之後，停止吸引源71的吸引，使晶圓W從搬送墊70的保持面700a離開。然後，搬送墊70是從圖1所示的減壓室6內即時退避。以遮板62a來關閉減壓室6的搬出入口62，藉由減壓手段64來將減壓室6內減壓排氣，設為真空狀態。另外，例如，空壓機器38會進行吸引，將殘留於晶圓W的表面Wa與靜電吸盤3的保持面31a之間的空氣吸引除去。然後，使圖1所示的氣體噴出頭2下降，在該狀態下，將被儲存於反應氣體供給源25的蝕刻氣體(例如SF6)供給至氣體噴出頭2 內的氣體導入路21a。被供給至氣體導入路21a的蝕刻氣體是被分流至各氣體吐出路21b，從各氣體吐出路21b的開口朝被吸附保持於靜電吸盤3的晶圓W的背面Wb全面均一地噴出。
在減壓室6內導入蝕刻氣體，且從高頻電源28施加高頻電力至氣體噴出頭2，藉此使高頻電場產生於氣體噴出頭2與靜電吸盤3之間，使蝕刻氣體電漿化。電漿化後的蝕刻氣體是蝕刻晶圓W的背面Wb。另外，因為在靜電吸盤3充分地吸附晶圓W的狀態下進行電漿蝕刻，所以不會有起弧發生的情形。
適當進行晶圓W的背面Wb的電漿蝕刻之後，停止對於氣體噴出頭2之高頻電力的施加，將減壓室6內的蝕刻氣體從排氣口64a藉由減壓手段64來排氣，設為蝕刻氣體不存在於減壓室6的內部之狀態。其次，開啟搬出入口62的遮板62a，藉由搬送手段7從減壓室6內的靜電吸盤3搬出晶圓W，但在此實施確認晶圓W是否從靜電吸盤3脫離的脫離確認方法。此理由是為了防止在靜電吸盤3之晶圓W的靜電吸附未被充分地解除的狀態下進行搬送墊70之晶圓W的吸引保持，使晶圓W破損的事態發生。
(3)脫離確認方法的連接工程
將圖1所示的搬送墊70通過搬出入口62，使往被吸附保持於靜電吸盤3的晶圓W上移動，對準搬送墊70與晶圓W的位置。然後，使搬送墊70降下，使晶圓W的背面Wb與搬 送墊70的保持面700a接觸，經由晶圓W來使靜電吸盤3與搬送墊70連接。
(4)脫離確認方法的脫離判斷工程
實施連接工程之後，如圖5所示般，關閉直流電源36的開關360，停止從直流電源36往靜電吸盤3的電力供給。藉此，雖直流電源36之往金屬板34的直流電壓的施加被停止，但即使停止對金屬板34的通電，晶圓保持部31的保持面31a附近的電荷也不會立即消失，且晶圓W的帶電狀態不會立即被解除。因此，在保持面31a與晶圓W之間，靜電力會作為殘留吸附力留下，所以不會立即形成晶圓W從靜電吸盤3充分地脫離的狀態。
在晶圓W的帶電被解除的狀態中，電壓計84會在電阻81的兩端測定施加於電壓測定手段8的電阻81的電壓(過度電壓)。以電壓計84所測定之施加於電阻81的電壓是例如圖6所示的圖表F2般，從穩定電壓0V到例如過度電壓的-170V附近，約0.3秒間急劇地下降後，慢慢地上升，約3.7秒後回到穩定電壓。在此，從0秒時到約4秒經過時的圖表F2的積分值(在圖6中以虛線所示的面積S2)是表示晶圓W所失去的荷電量。然後，如圖6所示般，一旦經過從關閉直流電源36的開關360時(0秒時)到約4秒經過為止(亦即晶圓W的帶電量減少的過度狀態)，則晶圓W是形成未帶電的穩定狀態，以電壓計84所測定之施加於電阻81的電壓也在0V安定。然後，作用於晶圓W與保持面31a之間 的靜電力也消失，晶圓W是形成從晶圓保持部31的保持面31a上充分地脫離的狀態。
例如，在圖1所示的控制部9的第2判斷部92中記憶有可判斷成晶圓W從靜電吸盤3的保持面31a確實地脫離時以電壓計84所測定之施加於電阻81的電壓的電壓值(例如-170V)。被記憶於第2判斷部92的電壓值的值是按照每個晶圓W的大小或厚度來決定者，間接地顯示為了晶圓W可從靜電吸盤3確實地脫離所必要從晶圓W除去的電荷量者。一旦直流電源36的開關360關閉，則有關電壓計84所計測之施加於電阻81的電壓的電壓值的資訊會隨時被發送至第2判斷部92。然後，從以電壓計84所測定之施加於電阻81的電壓的電壓值成為-170V時到例如約3.7秒後，第2判斷部92是判斷成負電荷會從晶圓W充分地被除去，晶圓W會從靜電吸盤3的保持面31a充分地脫離。另一方面，當以電壓計84所測定之施加於電阻81的電壓的電壓值未到達-170V時，第2判斷部92是判斷成晶圓W未確實地脫離。例如，第2判斷部92是對於作業者發送本判斷的結果。
如此，本發明的脫離確認方法是藉由實施(3)連接工程及(4)脫離判斷工程，即使是在從減壓處理裝置1所具備的靜電吸盤3搬出晶圓W的情況般，裝置難以判斷晶圓W是否充分地從靜電吸盤3脫離時，裝置還是可容易地確認晶圓W是否從靜電吸盤3確實地脫離。
裝置確認晶圓W從靜電吸盤3確實地脫離之 後、例如空壓機器38會對於靜電吸盤3的保持面31a進行空氣的供給，藉由空氣的噴射壓力來將晶圓W從保持面31a推起。這是為了排除靜電吸盤3的保持面31a與晶圓W之間的真空吸附力。然後，藉由圖5所示的吸引源71進行吸引，搬送墊70會以保持面700a來吸引保持晶圓W，從靜電吸盤3搬出晶圓W。在此，由於靜電吸盤3之晶圓W的靜電吸附被充分地解除，因此即使令搬送墊70上昇，也不會有晶圓W破損的情形。
另外，本發明的減壓處理裝置1並非限於上述實施形態，且附圖所示的各構成的大小或形狀等也不限於此，在可發揮本發明的效果之範圍內可適當變更。例如，在晶圓貼附保護膠帶，使保護膠帶側接觸於靜電吸盤，使保持於保持面時，由於將保護膠帶設為介電質，因此埋設於靜電吸盤的金屬板亦可露出於保持面。

Claims (3)

  1. 一種吸附確認方法，係於減壓處理裝置中，在保持晶圓而搬送的搬送手段將晶圓搬入至靜電吸盤時，確認該靜電吸盤是否吸附保持晶圓，該減壓處理裝置係具備：靜電吸盤，其係包含：以介電質所形成並具有保持晶圓的保持面，且在內部配設有金屬板的晶圓保持部，及將該金屬板連接至直流電源的第1配線；搬送手段，其係包含：在以導電體所形成的保持面保持晶圓的搬送墊，及將該搬送墊連接成接地的第2配線；電壓測定手段，其係具有：被插入至該第1配線的電阻及測定該電阻的兩端的電壓的電壓計，其特徵係具備：連接工程，其係使該搬送墊所保持的晶圓接觸於該靜電吸盤，經由晶圓來使該靜電吸盤與該搬送墊連接；及吸附判斷工程，其係實施該連接工程之後，從該直流電源供給電力至該靜電吸盤，當電力供給時的該電阻的兩端的電壓值到達預定的電壓值時，判斷成該靜電吸盤的保持面吸附晶圓。
  2. 一種脫離確認方法，係於減壓處理裝置中，在搬送手段保持靜電吸盤所吸附保持的晶圓來從該靜電吸盤搬出晶圓時，確認晶圓是否從該靜電吸盤脫離， 該減壓處理裝置係具備：靜電吸盤，其係包含：以介電質所形成並具有保持晶圓的保持面，且在內部配設有金屬板的晶圓保持部，及將該金屬板連接至直流電源的第1配線；搬送手段，其係包含：在以導電體所形成的保持面保持晶圓而搬送的搬送墊，及將該搬送墊連接成接地的第2配線；電壓測定手段，其係具有：被配設於該第2配線的電阻；及測定該電阻的兩端的電壓的電壓計，其特徵係具備：連接工程，其係使該搬送墊接觸於該靜電吸盤所保持的晶圓，經由晶圓來使該靜電吸盤與該搬送墊連接；及脫離判斷工程，其係實施該連接工程之後，切斷從該直流電源往該靜電吸盤的電力供給，在此時當被配設於該第2配線的該電阻的兩端的電壓值到達預定的電壓值時，判斷成晶圓從該靜電吸盤的保持面脫離。
  3. 一種減壓處理裝置，係於減壓環境下處理晶圓，其特徵係具備：靜電吸盤，其係具有保持晶圓的保持面；減壓室，其係被連接至減壓手段，配設有該靜電吸盤；及搬送手段，其係搬入及搬出晶圓至該減壓室，該靜電吸盤係包含： 晶圓保持部，其係以介電質所形成，在內部與該保持面平行地配設有金屬板；及第1配線，其係將該金屬板連接至直流電源，該搬送手段係包含：搬送墊，其係於以導電體所形成的保持面保持晶圓而搬送；及第2配線，其係將該搬送墊連接成接地，該減壓處理裝置更具備：電壓測定手段，其係具有：被配設於該第1配線或該第2配線的電阻，及測定該電阻的兩端的電壓的電壓計；及控制手段，其係被連接至該電壓測定手段，該控制手段係具有：第1判斷部，其係於經由晶圓來使該靜電吸盤與該搬送墊連接的狀態下從該直流電源供給電力至該靜電吸盤時，當被配設於該第1配線中的該電阻的兩端的電壓值到達第1預定的電壓值時，判斷成該靜電吸盤的保持面吸附晶圓；及第2判斷部，其係於切斷從該直流電源往該靜電吸盤的電力供給時，當被配設於該第2配線中的該電阻的兩端的電壓值到達第2預定的電壓值時，判斷成晶圓從該靜電吸盤的保持面脫離。
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