KR20180010133A - 웨이퍼의 흡착 확인 방법, 이탈 확인 방법 및 감압 처리 장치 - Google Patents

웨이퍼의 흡착 확인 방법, 이탈 확인 방법 및 감압 처리 장치 Download PDF

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Abstract

(과제) 정전 척이 웨이퍼를 흡착하고 있는지 여부를 용이하게 확인한다.
(해결 수단) 웨이퍼를 유지하는 반송 유닛이 웨이퍼를 정전 척에 반입했을 때에 그 정전 척이 웨이퍼를 흡착 유지하고 있는지 여부를 확인하는 흡착 확인 방법으로서, 반송 패드가 유지하는 웨이퍼를 정전 척에 접촉시켜 웨이퍼를 개재하여 정전 척과 반송 패드를 접속시키는 접속 공정과, 그 접속 공정을 실시한 후, 직류 전원으로부터 제 1 배선을 통해서 전력을 공급했을 때의, 그 제 1 배선 중에 배치 형성된 저항의 양단의 전압치가 소정의 전압치에 도달했을 때에 정전 척의 유지면이 웨이퍼를 흡착하고 있다고 판단하는 흡착 판단 공정을 포함한다.

Description

웨이퍼의 흡착 확인 방법, 이탈 확인 방법 및 감압 처리 장치{SUCTION CONFIRMATION METHOD, DISPLACEMENT CONFIRMATION METHOD AND DECOMPRESSION PROCESSING APPARATUS OF WAFER}
본 발명은, 정전 척이 웨이퍼를 흡착 유지하고 있는지 여부를 확인하는 흡착 확인 방법, 정전 척으로부터 웨이퍼가 이탈되어 있는 것을 확인하는 이탈 확인 방법, 및 감압 환경에서 웨이퍼를 처리하는 감압 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼의 웨이퍼 등은, 연삭 장치에 의해서 연삭되어 소정의 두께로 형성된 후에, 절삭 장치 등에 의해 분할되어 개개의 디바이스 칩이 되고, 디바이스 칩은 각종 전자 기기 등에 이용되고 있다. 웨이퍼의 연삭을 실시함에 있어서는, 복수의 디바이스가 형성된 웨이퍼의 표면에 대하여 보호 테이프를 첩착 (貼着) 하고, 보호 테이프가 첩착된 웨이퍼의 보호 테이프측을 유지 테이블로 유지한 다음, 웨이퍼의 이면에 회전하는 연삭 지석을 맞닿게 하여 연삭을 실시한다. 여기서, 웨이퍼의 이면을 연삭하면 웨이퍼의 이면에 연삭흔 (硏削痕) 이 잔존하는 경우가 있고, 연삭흔이 잔존한 상태인 채로 웨이퍼를 분할하여 디바이스 칩을 제작하면, 제작된 디바이스 칩의 항절 강도가 저하된다는 문제가 있다.
이러한 문제를 해소하기 위해서, 플라즈마 에칭 장치 (예를 들어, 특허문헌 1 참조) 를 사용하여, 감압 환경에서 웨이퍼의 이면에 플라즈마 에칭 처리를 실시함으로써, 웨이퍼의 이면에 형성된 연삭흔을 제거하고, 디바이스 칩의 항절 강도를 향상시키는 방법이 있다.
일본 공개특허공보 2001-358097호
상기 특허문헌 1 에 기재되어 있는 플라즈마 에칭 장치는 챔버라고 불리는 감압실을 구비하고 있고, 플라즈마 에칭 가공을 실시할 때에는, 감압실의 개폐문을 열어 외부로부터 감압실 내로 웨이퍼를 반입하고, 개폐문을 닫고, 이어서, 감압실 내를 감압한 상태로 한 다음 에칭 가스를 감압실 내에 공급한다. 그리고, 플라즈마화시킨 에칭 가스에 의해 웨이퍼의 이면을 플라즈마 에칭하여 나감으로써, 웨이퍼의 이면 (피연삭면) 으로부터 연삭흔을 제거하고 있다.
여기서, 웨이퍼를 유지하는 척 테이블이 웨이퍼를 진공 흡인 유지하는 타입의 척 테이블이면, 감압된 챔버 내에서 웨이퍼를 척 테이블 상에 확실하게 흡인 유지하기가 곤란하다. 따라서, 감압된 챔버 내에서 웨이퍼를 흡착 유지하기 위해서, 예를 들어, 챔버 내에는 정전 척이 배치 형성된다. 정전 척은, 척 유지면과 웨이퍼의 사이에 전압을 인가하여, 양자 사이에서 발생한 정전기력에 의해 웨이퍼를 유지면 상에 흡착할 수 있다.
웨이퍼를 진공 흡인 유지하는 타입의 척 테이블은, 예를 들어, 대기압 중에서 가공을 실시하는 것이 가능한 절삭 장치 등의 가공 장치에 배치 형성되어 있고, 척 테이블이 밀폐된 챔버로 덮여 있지 않기 때문에, 웨이퍼를 척 테이블의 유지면 상에 흡착하는 흡인 압력을 직접 확인함으로써, 척 테이블이 웨이퍼를 유지하고 있는지 여부를 확인할 수 있다. 이에 반하여, 플라즈마 에칭 장치에 있어서 밀폐되어 감압된 챔버 내에서 정전 척에 의해 웨이퍼를 흡착 유지하는 경우, 정전 척이 웨이퍼를 정전 흡착했는지 여부를 확인하는 것은, 용이한 일이 아니다. 그리고, 정전 척이 웨이퍼를 충분히 흡착하고 있지 않은 상태에서 플라즈마 에칭을 시작하면, 아킹 (이상 방전) 이나, 정전 척의 유지면과 웨이퍼에 첩착되어 있는 보호 테이프와의 간극에서 방전이 발생함으로써 생기는 테이프 번 등이 발생하여, 플라즈마 에칭 장치가 고장나거나 웨이퍼가 크게 손상되거나 한다는 문제가 있다.
또한, 플라즈마 에칭 가공 후, 반송 패드에 의해 웨이퍼를 챔버 내로부터 반출하는 경우에 있어서는, 반송 패드를 웨이퍼에 접촉시켜 웨이퍼를 흡인 유지한 후, 정전 척에 의한 정전 흡착을 해제하는데, 정전 척에 의한 웨이퍼의 정전 흡착이 충분히 해제되어 있지 않은 상태로 반송 패드를 상승 등 시키면, 웨이퍼가 반송 패드와 정전 척에 의해 역방향으로 잡아 당겨짐으로써 파손된다는 문제가 있다.
따라서, 플라즈마 에칭 장치 등의 감압 처리 장치를 사용하여 웨이퍼를 감압 환경에서 처리하는 경우에 있어서는, 감압 처리 장치에 구비된 정전 척에 웨이퍼를 반입했을 때에 정전 척이 웨이퍼를 충분히 흡착하고 있는지 여부를 장치가 용이하게 확인할 수 있도록 한다는 과제가 있다. 또한, 정전 척으로부터 웨이퍼를 반출할 때에, 정전 척으로부터 웨이퍼가 충분히 이탈되어 있는지 여부를 장치가 용이하게 확인할 수 있도록 한다고 하는 과제가 있다. 즉, 정전 척을 구비한 감압 처리 장치에 있어서는, 정전 척에 있어서의 웨이퍼의 흡착 상황을 용이하게 확인할 수 있도록 한다는 과제가 있다.
본 발명의 제 1 측면에 의하면, 유전체로 형성되고 웨이퍼를 유지하는 유지면을 갖고 내부에 금속판이 배치 형성된 웨이퍼 유지부와, 그 금속판을 직류 전원에 접속하는 제 1 배선을 포함하는 정전 척과, 도전체로 형성되는 유지면으로 웨이퍼를 유지하는 유지 패드와, 그 유지 패드를 어스에 접속하는 제 2 배선을 포함하는 반송 수단과, 그 제 1 배선에 삽입된 저항과 그 저항의 양단의 전압을 측정하는 전압계를 갖는 전압 측정 수단을 구비한 감압 처리 장치에 있어서, 웨이퍼를 유지하여 반송하는 그 반송 수단이 웨이퍼를 그 정전 척에 반입했을 때에 그 정전 척이 웨이퍼를 흡착 유지하고 있는지를 확인하는 흡착 확인 방법으로서, 그 반송 패드가 유지하는 웨이퍼를 그 정전 척에 접촉시켜 웨이퍼를 개재하여 그 정전 척과 그 반송 패드를 접속시키는 접속 공정과, 그 접속 공정을 실시한 후, 그 직류 전원으로부터 그 정전 척에 전력을 공급하고, 전력 공급시의 그 저항의 양단의 전압치가 소정의 전압치에 도달했을 때에 그 정전 척의 유지면이 웨이퍼를 흡착하고 있다고 판단하는 흡착 판단 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 흡착 확인 방법이 제공된다.
본 발명의 제 2 측면에 의하면, 유전체로 형성되고 웨이퍼를 유지하는 유지면을 갖고 내부에 금속판이 배치 형성된 웨이퍼 유지부와, 그 금속판을 직류 전원에 접속하는 제 1 배선을 포함하는 정전 척과, 도전체로 형성되는 유지면으로 웨이퍼를 유지하여 반송하는 반송 패드와, 그 반송 패드를 어스에 접속하는 제 2 배선을 포함하는 반송 수단과, 그 제 2 배선에 배치 형성된 저항과 그 저항의 양단의 전압을 측정하는 전압계를 갖는 전압 측정 수단을 구비한 감압 처리 장치에 있어서, 그 정전 척이 흡착 유지하는 웨이퍼를 그 반송 수단이 유지하여 그 정전 척으로부터 웨이퍼를 반출할 때에 그 정전 척으로부터 웨이퍼가 이탈되어 있는지 여부를 확인하는 이탈 확인 방법으로서, 그 정전 척이 유지하는 웨이퍼에 그 반송 패드를 접촉시켜 웨이퍼를 개재하여 그 정전 척과 그 반송 패드를 접속시키는 접속 공정과, 그 접속 공정을 실시한 후, 그 직류 전원으로부터 그 정전 척으로의 전력의 공급을 중단하고, 그 때에 그 제 2 배선에 배치 형성된 그 저항의 양단의 전압치가 소정의 전압치에 도달했을 때에 그 정전 척의 유지면으로부터 웨이퍼가 이탈되었다고 판단하는 이탈 판단 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 이탈 확인 방법이 제공된다다.
본 발명의 제 3 측면에 의하면, 감압 환경에서 웨이퍼를 처리하는 감압 처리 장치로서, 웨이퍼를 유지하는 유지면을 갖는 정전 척과, 감압 수단에 접속되고, 그 정전 척이 배치 형성된 감압실과, 그 감압실에 웨이퍼를 반입 및 반출하는 반송 수단을 구비하고, 그 정전 척은, 유전체로 형성되고 내부에 그 유지면과 평행하게 금속판이 배치 형성된 웨이퍼 유지부와, 그 금속판을 직류 전원에 접속하는 제 1 배선을 포함하고, 그 반송 수단은, 도전체로 형성되는 유지면으로 웨이퍼를 유지하여 반송하는 반송 패드와, 그 반송 패드를 어스에 접속하는 제 2 배선을 포함하고, 그 감압 처리 장치는, 그 제 1 배선 및 그 제 2 배선에 각각 배치 형성된 저항과 그 저항의 양단의 전압을 측정하는 전압계를 갖는 전압 측정 수단과, 그 전압 측정 수단에 접속된 제어 수단을 추가로 구비하고, 그 제어 수단은, 웨이퍼를 개재하여 그 정전 척과 그 반송 패드를 접속시킨 상태에서 그 직류 전원으로부터 그 정전 척에 전력을 공급했을 때에, 그 제 1 배선 중에 배치 형성된 그 저항의 양단의 전압치가 소정의 전압치에 도달했을 때에 그 정전 척의 유지면이 웨이퍼를 흡착하고 있다고 판단하는 제 1 판단부와, 그 직류 전원으로부터 그 정전 척으로의 전력의 공급을 중단했을 때에, 그 제 2 배선 중에 배치 형성된 그 저항의 양단의 전압치가 소정의 전압치에 도달했을 때에 그 정전 척의 유지면으로부터 웨이퍼가 이탈되어 있다고 판단하는 제 2 판단부를 갖는 감압 처리 장치가 제공된다.
본 발명에 관련된 흡착 확인 방법에 의하면, 감압 처리 장치에 구비된 정전 척에 웨이퍼를 반입하는 경우와 같은, 정전 척이 웨이퍼를 충분히 흡착하고 있는지 여부를 장치가 판단하는 것이 곤란한 경우에 있어서도, 정전 척이 웨이퍼를 충분히 흡착하고 있는지 여부를 장치가 용이하게 확인할 수 있게 된다.
본 발명에 관련된 이탈 확인 방법에 의하면, 감압 처리 장치에 구비된 정전 척으로부터 웨이퍼를 반출하는 경우와 같은, 정전 척으로부터 웨이퍼가 확실하게 이탈되어 있는지 여부를 장치가 판단하는 것이 곤란한 경우에 있어서도, 정전 척으로부터 웨이퍼를 충분히 이탈되어 있는지 여부를 장치가 용이하게 확인할 수 있게 된다.
도 1 은 본 발명에 관련된 감압 처리 장치의 일례를 나타내는 종단면도이다.
도 2 는 제 1 배선에 전압 측정 수단을 배치 형성한 경우의 모식도이다.
도 3 은 웨이퍼를 개재하여 정전 척과 반송 패드를 접속시킨 상태에서 직류 전원이 정전 척에 전력을 공급하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 4 는 흡착 판단 공정에 있어서 직류 전원이 정전 척에 전력을 공급하여 웨이퍼에 전하가 공급된 경우에 있어서, 전압계가 측정하는 저항에 걸리는 전압의 추이를 나타내는 그래프이다.
도 5 는 웨이퍼를 개재하여 정전 척과 반송 패드를 접속시켜 직류 전원이 정전 척에 전력을 공급하지 않고 있는 경우에 있어서, 전압계가 저항에 걸리는 전압을 측정하는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 6 은 이탈 판단 공정에 있어서 전압계가 측정하는 저항에 걸리는 전압의 추이를 나타내는 그래프이다.
감압 환경에서 웨이퍼 (W) 를 처리하는 도 1 에 나타내는 감압 처리 장치 (1) 는, 예를 들어, 플라즈마 에칭 장치로서, 적어도, 웨이퍼 (W) 를 유지하는 유지면 (31a) 을 갖는 정전 척 (3) 과, 정전 척 (3) 이 배치 형성된 실내를 감압하는 감압 수단 (64) 을 구비하는 감압실 (6) 과, 감압실 (6) 에 웨이퍼 (W) 를 반입 및 반출하는 반송 수단 (7) 을 구비하고 있다. 또, 감압 처리 장치 (1) 는, 플라즈마 에칭 장치에 한정되는 것은 아니다.
정전 척 (3) 은, 예를 들어, 감압실 (6) 의 하부에 베어링 (30a) 을 개재하여 회전 가능하게 삽입 통과되어 있는 기축부 (30) 와, 알루미나 등의 세라믹 또는 산화티탄 등의 유전체로 형성되는 웨이퍼 유지부 (31) 를 구비하고 있고, 그 종단면이 대략 T 자상이 된다. 예를 들어 원판상으로 형성된 웨이퍼 유지부 (31) 는, 기축부 (30) 의 상단 (上端) 측에 기축부 (30) 와 일체적으로 형성되어 있고, 웨이퍼 유지부 (31) 의 상면이 유전체로 이루어져 웨이퍼 (W) 를 유지하는 유지면 (31a) 이 된다. 또, 웨이퍼 유지부 (31) 는, 세라믹 등으로 구성된 유전체막이 별도의 부재 상에 배치 형성되어 구성되어 있는 것이어도 된다.
기축부 (30) 및 웨이퍼 유지부 (31) 의 내부에는, 냉각수가 통과하는 파선으로 나타내는 냉각수 통수로 (39a) 가 형성되어 있고, 냉각수 통수로 (39a) 에는, 냉각수 공급 수단 (39) 이 연이어 통해 있다. 냉각수 공급 수단 (39) 은 냉각수 통수로 (39a) 로 냉각수를 유입시키고, 이 냉각수가 정전 척 (3) 을 내부에서부터 냉각한다. 예를 들어, 처리 대상인 웨이퍼 (W) 에 도시하지 않은 보호 테이프 등이 첩착되어 있는 경우에는, 플라즈마 에칭 처리 중에, 냉각수 공급 수단 (39) 에 의해서, 정전 척 (3) 의 유지면 (31a) 의 온도를 보호 테이프로부터 가스가 발생하지 않는 온도 이하로 유지할 수 있다.
정전 척 (3) 의 내부에는, 전압이 인가됨으로써 전하를 발생하는 전극으로서 금속판 (34) 이 매설되어 있다. 금속판 (34) 은, 원형판상으로 형성되어 있으며, 유지면 (31a) 과 평행하게 배치 형성되어 있고, 직류 전원 (36) 의 플러스 단자측에 제 1 배선 (37) 을 통해서 접속되어 있다. 직류 전원 (36) 으로부터 금속판 (34) 에 고압의 직류 전압이 인가됨으로써, 유지면 (31a) 에 분극에 의한 전하 (정전기) 가 발생하고, 그 쿨롱력에 의해 웨이퍼 (W) 는 유지면 (31a) 에 정전 흡착된다.
기축부 (30) 에는, 도 1 에 나타내는 바와 같이 연통로 (38a) 가 형성되어 있고, 연통로 (38a) 의 하단측에는, 진공 발생 장치 및 콤프레서 등으로 이루어지는 공압 기기 (38) 가 연이어 통해 있다. 공압 기기 (38) 는, 유지면 (31a) 상에 흡인력을 발생시키는 에어 흡인원으로서의 기능 및 유지면 (31a) 상에 에어를 공급하는 에어 공급원으로서의 기능의 양방을 구비하고 있다. 연통로 (38a) 는 웨이퍼 유지부 (31) 까지 연장되어, 웨이퍼 유지부 (31) 의 내부에서 복수의 분기로 (38b) 로 분기되어 있다. 연통로 (38a) 로부터 분기된 각 분기로 (38b) 는, 금속판 (34) 을 두께 방향 (Z 축 방향) 을 향해서 관통하고 있고, 그 상단은 정전 척 (3) 의 유지면 (31a) 에서 개구되어 있다.
감압실 (6) 의 상부에는, 반응 가스를 분출하는 가스 분출 헤드 (2) 가, 베어링 (20) 을 개재하여 자유롭게 승강할 수 있도록 배치 형성되어 있다. 가스 분출 헤드 (2) 의 내부에는 가스 확산 공간 (21) 이 형성되어 있고, 가스 확산 공간 (21) 의 상부에는 가스 도입로 (21a) 가 연이어 통해 있고, 가스 확산 공간 (21) 의 하부에는 가스 토출로 (21b) 가 연이어 통해 있다. 가스 토출로 (21b) 의 하단은, 가스 분출 헤드 (2) 의 하면에 있어서 정전 척 (3) 측을 향해 개구되어 있다. 가스 분출 헤드 (2) 에는, 가스 분출 헤드 (2) 를 상하동시키는 에어 실린더 (23) 가 접속되어 있다. 에어 실린더 (23) 는, 예를 들어, 내부에 도시하지 않은 피스톤을 구비하고 기단측 (-Z 방향측) 에 바닥이 있고 감압실 (6) 의 상면에 고정된 실린더 튜브 (23a) 와, 실린더 튜브 (23a) 에 삽입되고 일단이 피스톤에 장착된 피스톤 로드 (23b) 와, 피스톤 로드 (23b) 의 다른 일단에 고정되고 가스 분출 헤드 (2) 를 지지하는 연결 부재 (23c) 를 구비한다. 실린더 튜브 (23a) 에 에어가 공급 (또는, 배출) 되어 실린더 튜브 (23a) 의 내부의 압력이 변화함으로써, 피스톤 로드 (23b) 가 Z 축 방향으로 상하동하는 것에 수반하여, 가스 분출 헤드 (2) 가 상하동한다.
가스 분출 헤드 (2) 의 내부에 형성된 가스 도입로 (21a) 에는, 반응 가스 공급원 (25) 이 연이어 통해 있다. 반응 가스 공급원 (25) 은, 예를 들어, 반응 가스인 SF6, CF4, C2F6, C2F4 등의 불소계 가스를 저장하고 있다. 또, 가스 도입로 (21a) 에는, 반응 가스 공급원 (25) 외에, 플라즈마 에칭 반응을 지원하는 가스가 저장된 도시하지 않은 지원 가스 공급원이 연이어 통해 있어도 된다. 이 경우, 지원 가스 공급원에는, 지원 가스로서 Ar, He 등의 희가스가 저장되어 있다.
가스 분출 헤드 (2) 에는, 정합기 (27) 를 개재하여 고주파 전원 (28) 이 접속되어 있다. 고주파 전원 (28) 으로부터 정합기 (27) 를 개재하여 가스 분출 헤드 (2) 에 고주파 전력을 공급함으로써, 가스 토출로 (21b) 로부터 토출된 가스를 플라즈마화할 수 있다.
감압실 (6) 의 측부에는, 웨이퍼 (W) 의 반입 반출을 실시하기 위한 반입출구 (62) 와, 이 반입출구 (62) 를 개폐하는 셔터 (62a) 가 형성되어 있다. 예를 들어, 셔터 (62a) 는, 에어 실린더 등의 셔터 가동 수단 (62b) 에 의해서 상하동 가능하게 되어 있다.
감압실 (6) 의 하부에는 배기구 (64a) 가 형성되어 있고, 이 배기구 (64a) 에는 감압 수단 (64) 이 접속되어 있다. 이 감압 수단 (64) 을 작동시킴으로써, 감압실 (6) 의 내부를 소정의 진공도까지 감압할 수 있다.
도 1 에 나타내는 반송 수단 (7) 을 구성하는 반송 패드 (70) 는, 예를 들어, 그 외형이 원형상이며, 카본포러스 또는 메탈포러스 등의 도전체의 포러스 부재로 이루어지고 웨이퍼 (W) 를 흡착하는 흡착부 (700) 와, 흡착부 (700) 를 지지하는 프레임체 (701) 를 구비한다. 흡착부 (700) 에는 연통로 (71a) 의 일단이 연이어 통해 있고, 연통로 (71a) 의 다른 일단은, 진공 발생 장치 및 콤프레서 등으로 이루어지는 흡인원 (71) 에 접속되어 있다. 그리고, 흡인원 (71) 이 흡인을 실시함으로써 생성된 흡인력이, 흡착부 (700) 의 노출면이면서 프레임체 (701) 의 하면과 면일 (面一) 하게 형성된 도전성을 구비하는 유지면 (700a) 에 연통로 (71a) 를 통해서 전달됨으로써, 반송 패드 (70) 는 유지면 (700a) 으로 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지할 수 있다.
예를 들어, 반송 패드 (70) 의 프레임체 (701) 의 상면에는, 연결 부재 (790) 가 고정되어 있고, 반송 패드 (70) 는, 연결 부재 (790) 를 통해서 아암부 (79) 의 일단의 하면측에 고정되어 있다. 아암부 (79) 는, 수평면 상에 있어서 평행 이동 가능 또는 선회 이동 가능함과 함께 Z 축 방향으로 상하동 가능하다.
반송 수단 (7) 은, 반송 패드 (70) 를 어스에 접속하는 제 2 배선 (72) 을 구비하고 있다. 제 2 배선 (72) 은, 일단 (72b) 이 어스에 접지되어 있고, 다른 일단 (72a) 이 반송 패드 (70) 의 흡착부 (700) 에 접속되어 있다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 제 2 배선 (72) 에는, 저항 (80) 과 저항 (81) 이 직렬로 접속되어 있으며, 또한 저항 (81) 의 양단의 전압을 측정하는 전압계 (84) 가 저항 (81) 과 병렬로 접속되어 있다. 이 저항 (80) 및 저항 (81) 그리고 전압계 (84) 에 의해서, 전압 측정 수단 (8) 이 구성되어 있다. 또, 전압 측정 수단 (8) 의 구성은 본 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 예를 들어, 저항 (80) 및 저항 (81) 이외의 저항을 구비하고 있어도 된다. 또, 저항 (80) 및 저항 (81) 그리고 전압계 (84) 는, 제 2 배선 (72) 이 아니라, 도 2 에 나타내는 바와 같이 제 1 배선 (37) 에 접속되어 있어도 된다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 감압 처리 장치 (1) 는, CPU 및 메모리 등의 기억 소자 등으로 구성되는 제어부 (9) 를 구비하고 있고, 제어부 (9) 에 의한 제어하에서, 에칭 가스의 토출량이나 시간, 고주파 전력 등의 조건이 컨트롤된다. 제어부 (9) 는, 정전 척 (3) 의 유지면 (31a) 이 웨이퍼 (W) 를 흡착하고 있는지 여부를 판단하는 제 1 판단부 (91) 와, 정전 척 (3) 의 유지면 (31a) 으로부터 웨이퍼 (W) 가 이탈되어 있는지 여부를 판단하는 제 2 판단부 (92) 를 구비하고 있다. 제어부 (9) 에는, 전압계 (84) 가 측정한 저항 (81) 에 걸리는 전압에 관한 정보가 전송된다.
이하에, 도 1 에 나타내는 감압 처리 장치 (1) 를 사용하여 감압 환경에서 웨이퍼 (W) 를 처리 (본 실시형태에 있어서는, 플라즈마 에칭 처리) 하는 경우에 있어서의, 감압 처리 장치 (1) 의 동작에 대해서 설명한다. 웨이퍼 (W) 는, 예를 들어, 외형이 원형상인 반도체 웨이퍼이고, 웨이퍼의 이면 (Wb) 이 플라즈마 에칭 처리가 실시되는 면이 된다. 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에는, 예를 들어, 다수의 디바이스가 형성되어 있다. 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 은, 예를 들어 도시하지 않은 보호 테이프가 첩착되어 보호되어 있어도 된다.
아암부 (79) 에 의해, 반송 패드 (70) 가 수평면 상에서 이동하여, 반송 패드 (70) 의 중심과 상측을 향한 상태의 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 의 중심이 대략 합치하도록, 반송 패드 (70) 가 웨이퍼 (W) 의 상방에 위치 지어진다. 그리고, 아암부 (79) 가 -Z 방향으로 하강하여, 반송 패드 (70) 의 유지면 (700a) 과 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 이 접촉한다. 그리고, 흡인원 (71) 이 흡인을 실시함으로써, 도 1 에 나타내는 바와 같이 반송 패드 (70) 가 유지면 (700a) 으로 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한다.
이어서, 반송 수단 (7) 이 웨이퍼 (W) 를 감압실 (6) 내의 정전 척 (3) 에 반입한다. 여기서, 정전 척 (3) 이 웨이퍼 (W) 를 흡착 유지하고 있는지 여부를 확인하는 흡착 확인 방법을 실시함으로써, 정전 척 (3) 이 웨이퍼 (W) 를 충분히 흡착하고 있지 않은 상태에서 웨이퍼 (W) 의 감압 처리가 실시되어 나가는 사태가 발생하는 것을 방지한다.
(1) 흡착 확인 방법에 있어서의 접속 공정
감압실 (6) 의 셔터 (62a) 를 열고, 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지하고 있는 반송 패드 (70) 를, 반입출구 (62) 를 통과시켜 정전 척 (3) 상으로 이동시킨다. 그리고, 반송 패드 (70) 를 하강시켜, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 측과 정전 척 (3) 의 유지면 (31a) 을 접촉시키고, 웨이퍼 (W) 를 정전 척 (3) 상에 재치 (載置) 한다. 이렇게 해서, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (W) 를 개재하여 정전 척 (3) 과 반송 패드 (70) 를 접속시킨다.
(2) 흡착 확인 방법에 있어서의 흡착 판단 공정
접속 공정을 실시한 후, 도 3 에 나타내는 바와 같이 직류 전원 (36) 의 스위치 (360) 를 온으로 하여, 직류 전원 (36) 으로부터 제 1 배선 (37) 을 통해서 정전 척 (3) 에 전력을 공급해서, 금속판 (34) 에 소정의 직류 전압 (예를 들어, 5000 V 의 직류 전압) 을 인가함으로써, 금속판 (34) 상의 웨이퍼 유지부 (31) 의 유전체층과 웨이퍼 (W) 의 사이에 유전 분극 현상을 발생시킨다. 유전 분극 현상에 의해서, 웨이퍼 유지부 (31) 의 유지면 (31a) 근방에는 정 (正) (+) 전하가 집중된다. 또한, 웨이퍼 (W) 를 개재하여 정전 척 (3) 과 반송 패드 (70) 가 접속된 상태로 되어 있기 때문에, 제 2 배선 (72) 및 도전체로 형성되는 흡착부 (700) 를 통해서 웨이퍼 (W) 에 부 (負) (-) 전하가 공급됨으로써, 웨이퍼 (W) 는 마이너스로 대전된다. 그 때문에, 웨이퍼 (W) 와 유지면 (31a) 사이에서 작용하는 정전기력에 의해, 웨이퍼 (W) 는 유지면 (31a) 상에 흡착 유지된다.
여기서, 웨이퍼 (W) 에 부 (-) 전하가 공급될 때의 전압 측정 수단 (8) 의 저항 (81) 에 걸리는 전압 (과도 전압) 을, 전압계 (84) 가 저항 (81) 의 양단에서 측정한다. 즉, 직류 전원 (36) 으로부터 제 1 배선 (37) 을 통해서 정전 척 (3) 에 전력을 공급함으로써 저항 (81) 에 직류 전압을 가하면, 단시간에 옴의 법칙에 따른 직류 전류가 흐른다. 그 결과, 전압계 (84) 에서 측정되는 저항 (81) 에 걸리는 전압은, 예를 들어, 도 4 에 나타내는 그래프 F1 과 같이 정상 전압 0 V 로부터 과도 전압 (예를 들어, 170 V) 근처까지 약 0.3 초 동안에 급격하게 상승한 후, 서서히 내려 가고, 약 3.7 초 후에 정상 전압까지 되돌아간다. 여기서, 0 초시부터 약 4.0 초 경과시까지의 그래프 F1 의 적분치 (도 4 에 있어서 파선으로 나타내는 면적 S1) 는, 웨이퍼 (W) 의 대전량을 나타내고 있다. 그리고, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 직류 전원 (36) 으로부터 제 1 배선 (37) 을 통해서 정전 척 (3) 에 전력을 공급했을 때 (0 초시) 부터 약 4 초 경과까지 (즉, 웨이퍼 (W) 의 대전량이 변화하는 과도 상태) 를 지나가면, 웨이퍼 (W) 는 충분히 마이너스로 대전된 정상 상태가 되어, 전압계 (84) 에서 측정되는 저항 (81) 에 걸리는 전압도 0 V 에서 안정된다. 그리고, 웨이퍼 (W) 와 유지면 (31a) 의 사이에서 작용하는 정전기력에 의해, 웨이퍼 (W) 는 유지면 (31a) 상에 충분히 흡착 유지된 상태가 된다.
예를 들어, 도 1 에 나타내는 제어부 (9) 의 제 1 판단부 (91) 에는, 정전 척 (3) 의 유지면 (31a) 이 웨이퍼 (W) 를 충분히 흡착하고 있는 경우에 있어서의, 전압계 (84) 에서 측정되는 저항 (81) 에 걸리는 전압의 전압치 (예를 들어, 170 V) 가 기억되어 있다. 제 1 판단부 (91) 에 기억되어 있는 전압치의 값은, 웨이퍼 (W) 의 크기, 두께별에 따라서 결정되어 있는 것으로, 웨이퍼 (W) 가 정전 척 (3) 에 의해 충분히 흡착되기 위해서 필요한 웨이퍼 (W) 의 대전량을 간접적으로 나타내는 것이다. 직류 전원 (36) 의 스위치 (360) 를 온으로 하면, 전압계 (84) 가 계측하는 저항 (81) 에 걸리는 전압의 전압치에 관한 정보가, 수시로 제 1 판단부 (91) 에 송신된다. 그리고, 전압계 (84) 에서 측정되는 저항 (81) 에 걸리는 전압의 전압치가 170 V 가 되었을 때부터 예를 들어 약 3.7 초 후에, 제 1 판단부 (91) 는, 웨이퍼 (W) 가 충분히 마이너스로 대전되어, 정전 척 (3) 이 웨이퍼 (W) 를 유지면 (31a) 으로 충분히 흡착 유지하였다고 판단한다. 한편, 전압계 (84) 에서 측정되는 저항 (81) 에 걸리는 전압의 전압치가 170 V 에 도달하지 않은 경우에는, 제 1 판단부 (91) 는, 웨이퍼 (W) 의 흡인 유지가 충분하지 않다고 판단한다. 예를 들어, 제 1 판단부 (91) 는, 본 판단의 결과를 작업자에게 발신한다.
이와 같이, 본 발명에 관련된 흡착 확인 방법은, (1) 접속 공정과, (2) 흡착 판단 공정을 실시함으로써, 감압 처리 장치 (1) 에 구비된 정전 척 (3) 에 웨이퍼 (W) 를 반입하는 경우와 같은, 정전 척 (3) 이 웨이퍼 (W) 를 충분히 흡착하고 있는지 여부를 장치가 판단하는 것이 곤란한 경우에 있어서도, 정전 척 (3) 이 웨이퍼 (W) 를 충분히 흡착하고 있는지 여부를 장치가 용이하게 확인할 수 있게 된다.
장치는, 정전 척 (3) 이 웨이퍼 (W) 를 충분히 흡착하고 있음이 확인된 후에, 흡인원 (71) 에 의한 흡인을 정지하여, 웨이퍼 (W) 를 반송 패드 (70) 의 유지면 (700a) 으로부터 이간시킨다. 그리고, 반송 패드 (70) 는, 도 1 에 나타내는 감압실 (6) 내에서 즉시 퇴피한다. 감압실 (6) 의 반입출구 (62) 를 셔터 (62a) 로 닫고, 감압 수단 (64) 에 의해서 감압실 (6) 내를 감압 배기하여 진공 상태로 한다. 또, 예를 들어, 공압 기기 (38) 가 흡인을 실시하여, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 과 정전 척 (3) 의 유지면 (31a) 의 사이에 잔류하고 있는 공기를 흡인하여 제거한다. 그리고, 도 1 에 나타내는 가스 분출 헤드 (2) 를 하강시켜, 그 상태에서, 반응 가스 공급원 (25) 에 저장된 에칭 가스 (예를 들어, SF6) 를 가스 분출 헤드 (2) 내의 가스 도입로 (21a) 로 공급한다. 가스 도입로 (21a) 에 공급된 에칭 가스는 각 가스 토출로 (21b) 로 분류 (分流) 되고, 각 가스 토출로 (21b) 의 개구로부터, 정전 척 (3) 에 흡착 유지되어 있는 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 전체면을 향해서 균일하게 분출된다.
감압실 (6) 내에 에칭 가스를 도입함과 함께, 고주파 전원 (28) 으로부터 가스 분출 헤드 (2) 에 고주파 전력을 인가함으로써, 가스 분출 헤드 (2) 와 정전 척 (3) 의 사이에 고주파 전계를 발생시켜, 에칭 가스를 플라즈마화시킨다. 플라즈마화한 에칭 가스는, 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 을 에칭해 나간다. 또, 정전 척 (3) 이 웨이퍼 (W) 를 충분히 흡착한 상태에서 플라즈마 에칭이 행해지기 때문에, 아킹이 발생하지 않는다.
웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 의 플라즈마 에칭을 적절히 실시한 후, 가스 분출 헤드 (2) 에 대한 고주파 전력의 인가를 멈추고, 감압실 (6) 내의 에칭 가스를 배기구 (64a) 로부터 감압 수단 (64) 에 의해 배기하여, 감압실 (6) 의 내부에 에칭 가스가 존재하지 않는 상태로 한다. 이어서, 반입출구 (62) 의 셔터 (62a) 를 열고, 반송 수단 (7) 에 의해 웨이퍼 (W) 를 감압실 (6) 내의 정전 척 (3) 으로부터 반출하는데, 여기서, 정전 척 (3) 으로부터 웨이퍼 (W) 가 이탈되어 있는지 여부를 확인하는 이탈 확인 방법을 실시한다. 이 이유는, 정전 척 (3) 에 의한 웨이퍼 (W) 의 정전 흡착이 충분히 해제되어 있지 않은 상태에서 반송 패드 (70) 에 의한 웨이퍼 (W) 의 흡인 유지를 실시하여 웨이퍼 (W) 를 파손시킨다는 사태가 발생하는 것을 방지하기 위해서이다.
(3) 흡착 확인 방법에 있어서의 접속 공정
도 1 에 나타내는 반송 패드 (70) 를 반입출구 (62) 를 통과시켜, 정전 척 (3) 에 흡착 유지되어 있는 웨이퍼 (W) 상으로 이동시키고, 반송 패드 (70) 와 웨이퍼 (W) 의 위치를 맞춘다. 그리고, 반송 패드 (70) 를 하강시켜, 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 과 반송 패드 (70) 의 유지면 (700a) 을 접촉시켜, 웨이퍼 (W) 를 개재하여 정전 척 (3) 과 반송 패드 (70) 를 접속시킨다.
(4) 흡착 확인 방법에 있어서의 이탈 판단 공정
접속 공정을 실시한 후, 도 5 에 나타내는 바와 같이 직류 전원 (36) 의 스위치 (360) 를 오프로 하여, 직류 전원 (36) 으로부터의 정전 척 (3) 으로의 전력의 공급을 정지시킨다. 이것에 의해 직류 전원 (36) 에 의한 금속판 (34) 으로의 직류 전압의 인가가 정지되지만, 금속판 (34) 에 대한 통전을 멈추더라도, 웨이퍼 유지부 (31) 의 유지면 (31a) 근방의 전하가 즉시 없어지지는 않고, 또한, 웨이퍼 (W) 의 대전 상태가 즉시 해제되지는 않는다. 그 때문에, 유지면 (31a) 과 웨이퍼 (W) 의 사이에는 정전기력이 잔류 흡착력으로서 남기 때문에, 그 즉시 정전 척 (3) 으로부터 웨이퍼 (W) 가 충분히 이탈되어 있는 상태로는 되지 않는다.
웨이퍼 (W) 의 대전이 해제되는 상태에 있어서, 전압 측정 수단 (8) 의 저항 (81) 에 걸리는 전압 (과도 전압) 을, 전압계 (84) 가 저항 (81) 의 양단에서 측정한다. 전압계 (84) 에서 측정되는 저항 (81) 에 걸리는 전압은, 예를 들어, 도 6 에 나타내는 그래프 F2 와 같이 정상 전압 0 V 로부터 예를 들어 과도 전압인 -170 V 근처까지 약 0.3 초 동안에 급격히 하강한 후, 서서히 올라가고, 약 3.7 초 후에 정상 전압까지 되돌아간다. 여기서, 0 초시부터 약 4 초 경과시까지의 그래프 F2 의 적분치 (도 6 에 있어서 파선으로 나타내는 면적 S2) 는, 웨이퍼 (W) 가 상실한 하전량을 나타내고 있다. 그리고, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 직류 전원 (36) 의 스위치 (360) 를 오프로 했을 때 (0 초시) 로부터 약 4 초 경과까지 (즉, 웨이퍼 (W) 의 대전량이 감소하는 과도 상태) 를 지나가면, 웨이퍼 (W) 는 대전되어 있지 않은 정상 상태가 되고, 전압계 (84) 에서 측정되는 저항 (81) 에 걸리는 전압도 0 V 에서 안정된다. 그리고, 웨이퍼 (W) 와 유지면 (31a) 의 사이에서 작용하는 정전기력도 없어져, 웨이퍼 (W) 는 웨이퍼 유지부 (31) 의 유지면 (31a) 상으로부터 충분히 이탈된 상태가 된다.
예를 들어, 도 1 에 나타내는 제어부 (9) 의 제 2 판단부 (92) 에는, 정전 척 (3) 의 유지면 (31a) 으로부터 웨이퍼 (W) 가 확실하게 이탈되어 있다고 판단 가능한 경우에 있어서의, 전압계 (84) 에서 측정되는 저항 (81) 에 걸리는 전압의 전압치 (예를 들어, -170 V) 가 기억되어 있다. 제 2 판단부 (92) 에 기억되어 있는 전압치의 값은, 웨이퍼 (W) 의 크기 또는 두께별에 따라서 결정되어 있는 것으로, 웨이퍼 (W) 가 정전 척 (3) 으로부터 확실하게 이탈될 수 있기 위해서 필요한 웨이퍼 (W) 로부터 제거된 전하량을 간접적으로 나타내는 것이다. 직류 전원 (36) 의 스위치 (360) 가 오프가 되면, 전압계 (84) 가 계측하는 저항 (81) 에 걸리는 전압의 전압치에 관한 정보가, 수시로 제 2 판단부 (92) 에 송신된다. 그리고, 전압계 (84) 에서 측정되는 저항 (81) 에 걸리는 전압의 전압치가 -170 V 가 되었을 때부터 예를 들어 약 3.7 초 후에, 제 2 판단부 (92) 는, 웨이퍼 (W) 로부터 충분히 마이너스 전하가 제거되어, 정전 척 (3) 의 유지면 (31a) 으로부터 웨이퍼 (W) 가 충분히 이탈되어 있다고 판단한다. 한편, 전압계 (84) 에서 측정되는 저항 (81) 에 걸리는 전압의 전압치가 -170 V 에 도달하지 않은 경우에는, 제 2 판단부 (92) 는, 웨이퍼 (W) 가 확실하게 이탈되어 있지 않다고 판단한다. 예를 들어, 제 2 판단부 (92) 는, 본 판단의 결과를 작업자에게 발신한다.
이와 같이, 본 발명에 관련된 이탈 확인 방법은, (3) 접속 공정과, (4) 이탈 판단 공정을 실시함으로써, 감압 처리 장치 (1) 에 구비된 정전 척 (3) 으로부터 웨이퍼 (W) 를 반출하는 경우와 같은, 정전 척 (3) 으로부터 웨이퍼 (W) 가 충분히 이탈되어 있는지 여부를 장치가 판단하는 것이 곤란한 경우에 있어서도, 정전 척 (3) 으로부터 웨이퍼 (W) 가 확실하게 이탈되어 있는지 여부를 장치가 용이하게 확인할 수 있게 된다.
장치는, 정전 척 (3) 으로부터 웨이퍼 (W) 가 확실하게 이탈되어 있음이 확인된 후에, 예를 들어, 공압 기기 (38) 가 정전 척 (3) 의 유지면 (31a) 에 대하여 에어의 공급을 실시하여, 에어의 분사 압력에 의해서 웨이퍼 (W) 를 유지면 (31a) 으로부터 밀어 올린다. 이는, 정전 척 (3) 의 유지면 (31a) 과 웨이퍼 (W) 사이의 진공 흡착력을 배제하기 위해서이다. 그리고, 도 5 에 나타내는 흡인원 (71) 이 흡인을 실시함으로써, 반송 패드 (70) 가 유지면 (700a) 으로 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지하여, 정전 척 (3) 으로부터 웨이퍼 (W) 를 반출한다. 여기서, 정전 척 (3) 에 의한 웨이퍼 (W) 의 정전 흡착이 충분히 해제되어 있기 때문에, 반송 패드 (70) 를 상승시켜도, 웨이퍼 (W) 가 파손되지 않는다.
한편, 본 발명에 관련된 감압 처리 장치 (1) 는 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 또한, 첨부 도면에 도시되어 있는 각 구성의 크기나 형상 등에 대해서도 이것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 발휘할 수 있는 범위 내에서 적절히 변경 가능하다. 예를 들어, 웨이퍼에 보호 테이프를 첩착하여 보호 테이프측을 정전 척에 접촉시키고 유지면으로 유지시킬 때에는, 보호 테이프를 유전체로 하기 때문에, 정전 척에 매설하는 금속판이 유지면에 노출되어 있어도 된다.
1 : 감압 처리 장치
2 : 가스 분출 헤드 20 : 베어링
21 : 가스 확산 공간 21a : 가스 도입로 21b : 가스 토출로
23 : 에어 실린더 23a : 실린더 튜브 23b : 피스톤 로드 23c : 연결 부재
25 : 반응 가스 공급원 27 : 정합기 28 : 고주파 전원
3 : 정전 척 30 : 기축부 30a : 베어링
31 : 웨이퍼 유지부 31a : 유지면 34 : 금속판 36 : 직류 전원
37 : 제 1 배선
38 : 공압 기기 38a : 연통로 38b : 분기로
39 : 냉각수 공급 수단 39a : 냉각수 통수로
6 : 감압실 62 : 반입출구 62a : 셔터 62b : 셔터 가동 수단
64 : 감압 수단 64a : 배기구
7 : 반송 수단 70 : 반송 패드 700 : 흡착부 700a : 유지면
701 : 프레임체
71 : 흡인원 71a : 연통로 72 : 제 2 배선
79 : 아암부 790 : 연결 부재
8 : 전압 측정 수단 80, 81 : 저항 84 : 전압계
9 : 제어부 91 : 제 1 판단 수단 92 : 제 2 판단 수단
W : 웨이퍼 Wa : 웨이퍼의 표면 Wb : 웨이퍼의 이면

Claims (3)

  1. 유전체로 형성되고 웨이퍼를 유지하는 유지면을 갖고 내부에 금속판이 배치 형성된 웨이퍼 유지부와, 그 금속판을 직류 전원에 접속하는 제 1 배선을 포함하는 정전 척과, 도전체로 형성되는 유지면으로 웨이퍼를 유지하는 유지 패드와, 그 유지 패드를 어스에 접속하는 제 2 배선을 포함하는 반송 수단과, 그 제 1 배선에 삽입된 저항과 그 저항의 양단의 전압을 측정하는 전압계를 갖는 전압 측정 수단을 구비한 감압 처리 장치에 있어서, 웨이퍼를 유지하여 반송하는 그 반송 수단이 웨이퍼를 그 정전 척에 반입했을 때에 그 정전 척이 웨이퍼를 흡착 유지하고 있는지를 확인하는 흡착 확인 방법으로서,
    그 반송 패드가 유지하는 웨이퍼를 그 정전 척에 접촉시켜 웨이퍼를 개재하여 그 정전 척과 그 반송 패드를 접속시키는 접속 공정과,
    그 접속 공정을 실시한 후, 그 직류 전원으로부터 그 정전 척에 전력을 공급하고, 전력 공급시의 그 저항의 양단의 전압치가 소정의 전압치에 도달했을 때에 그 정전 척의 유지면이 웨이퍼를 흡착하고 있다고 판단하는 흡착 판단 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 흡착 확인 방법.
  2. 유전체로 형성되고 웨이퍼를 유지하는 유지면을 갖고 내부에 금속판이 배치 형성된 웨이퍼 유지부와, 그 금속판을 직류 전원에 접속하는 제 1 배선을 포함하는 정전 척과, 도전체로 형성되는 유지면으로 웨이퍼를 유지하여 반송하는 반송 패드와, 그 반송 패드를 어스에 접속하는 제 2 배선을 포함하는 반송 수단과, 그 제 2 배선에 배치 형성된 저항과 그 저항의 양단의 전압을 측정하는 전압계를 갖는 전압 측정 수단을 구비한 감압 처리 장치에 있어서, 그 정전 척이 흡착 유지하는 웨이퍼를 그 반송 수단이 유지하여 그 정전 척으로부터 웨이퍼를 반출할 때에 그 정전 척으로부터 웨이퍼가 이탈되어 있는지 여부를 확인하는 이탈 확인 방법으로서,
    그 정전 척이 유지하는 웨이퍼에 그 반송 패드를 접촉시켜 웨이퍼를 개재하여 그 정전 척과 그 반송 패드를 접속시키는 접속 공정과,
    그 접속 공정을 실시한 후, 그 직류 전원으로부터 그 정전 척으로의 전력의 공급을 중단하고, 그 때에 그 제 2 배선에 배치 형성된 그 저항의 양단의 전압치가 소정의 전압치에 도달했을 때에 그 정전 척의 유지면으로부터 웨이퍼가 이탈되었다고 판단하는 이탈 판단 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 이탈 확인 방법.
  3. 감압 환경에서 웨이퍼를 처리하는 감압 처리 장치로서,
    웨이퍼를 유지하는 유지면을 갖는 정전 척과,
    감압 수단에 접속되고, 그 정전 척이 배치 형성된 감압실과,
    그 감압실에 웨이퍼를 반입 및 반출하는 반송 수단을 구비하고,
    그 정전 척은, 유전체로 형성되고 내부에 그 유지면과 평행하게 금속판이 배치 형성된 웨이퍼 유지부와, 그 금속판을 직류 전원에 접속하는 제 1 배선을 포함하고,
    그 반송 수단은, 도전체로 형성되는 유지면으로 웨이퍼를 유지하여 반송하는 반송 패드와, 그 반송 패드를 어스에 접속하는 제 2 배선을 포함하고,
    그 감압 처리 장치는, 그 제 1 배선 및 그 제 2 배선에 각각 배치 형성된 저항과 그 저항의 양단의 전압을 측정하는 전압계를 갖는 전압 측정 수단과,
    그 전압 측정 수단에 접속된 제어 수단을 추가로 구비하고,
    그 제어 수단은, 웨이퍼를 개재하여 그 정전 척과 그 반송 패드를 접속시킨 상태에서 그 직류 전원으로부터 그 정전 척에 전력을 공급했을 때에, 그 제 1 배선 중에 배치 형성된 그 저항의 양단의 전압치가 소정의 전압치에 도달했을 때에 그 정전 척의 유지면이 웨이퍼를 흡착하고 있다고 판단하는 제 1 판단부와, 그 직류 전원으로부터 그 정전 척으로의 전력의 공급을 중단했을 때에, 그 제 2 배선 중에 배치 형성된 그 저항의 양단의 전압치가 소정의 전압치에 도달했을 때에 그 정전 척의 유지면으로부터 웨이퍼가 이탈되어 있다고 판단하는 제 2 판단부를 갖는 감압 처리 장치.
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