TW201812356A - 光學裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種光學裝置。該光學裝置包含一電子組件、複數個光傳導支柱以及一不透明層。該電子組件包括複數個像素。該等光傳導支柱中之每一者安置於該電子組件之該複數個像素之對應像素上方。該不透明層覆蓋該等光傳導支柱中之每一者之側表面。

Description

光學裝置及其製造方法

本發明係關於一種光學裝置以及一種用於製造該光學裝置的方法。更特定而言，本發明係關於一種包含準直器的光學裝置，以及一種用於製造該光學裝置的方法。

一些光學裝置(例如指紋感測器)包括準直器。該準直器可具有一或多個孔口，各自暴露影像感測器之對應像素，使得大體上垂直之光可穿過該等孔口，並到達影像感測器之該等像素。準直器之配置可改良光學指紋感測器之影像辨識能力。可藉由藉助於矽穿孔(TSV)技術穿透矽基板(例如晶圓)從而形成複數個孔口，並且將具有孔口之基板接合在影像感測器上，來形成對比準直器。然而，TSV技術及晶圓接合技術增加了製造光學裝置之成本。另外，歸因於製程限制，難以藉由使用TSV技術來形成具有高縱橫比之孔口。為了增加孔口之縱橫比，另一對比準直器可包括多個層，其中之每一者限定一或多個孔口。然而，難以對準該等多個層中之每一者之孔口。

根據本發明之一態樣，一種光學裝置包含電子組件、複數個光傳導支柱以及不透明層。該電子組件具有複數個像素。該等光傳導支柱中之每一者安置於該電子組件之該等複數個像素之對應像素上方。該不透明層覆蓋該等光傳導支柱中之每一者之側表面。 根據本發明之另一態樣，一種製造光學裝置之方法包含：提供具有複數個像素之電子組件；在該電子組件之對應像素上方形成複數個光傳導支柱；以及形成不透明層來覆蓋光傳導支柱中之每一者之側表面。

相關申請案之交叉參考 本申請案主張2016年9月6日申請之第62/384,039號美國臨時申請案之權益及優先權，該臨時申請案之內容以全文引用之方式併入本文中。 圖1A說明根據本發明之第一態樣之光學裝置1的一些實施例之透視圖。光學裝置1包括電子組件10、多個光傳導支柱11、不透明層12及保護層13。 如說明圖1A之光學裝置1之橫截面視圖的圖1B中所示，電子組件10具有作用表面101 (亦被稱作頂部表面或光接收表面)，以及與作用表面101相對之後表面102 (亦被稱作底部表面)。在一些實施例中，電子組件10為影像感測器，諸如光偵測器，其為例如PIN二極體(例如包括p型半導體區、本徵半導體區及n型半導體區之二極體)、光電二極體，或光電電晶體。電子組件10在其作用表面101上具有複數個像素10p (例如光感測像素或成像像素)。在一些實施例中，電子組件10包括接合區域10c (例如接合墊)，以提供電子組件10與其他裝置或電路之間的電連接。 光傳導支柱11安置於電子組件10之作用表面101上，且大體上垂直於電子組件10之作用表面101。如圖1B中所示，光傳導支柱11中之每一者安置於電子組件10之作用表面101上之對應像素上。光傳導支柱11中之每一者允許具有所要波長(或所要之波長範圍)之光穿過。在一些實施例中，光傳導支柱11包括例如感光透明樹脂。在一些實施例中，光傳導支柱11之縱橫比可大於約5:1、大於約10:1，或大於約20:1。在一些實施例中，光傳導支柱11之寬度可為例如小於約10微米(μm)、小於約5 μm，或小於約2 μm。在一些實施例中，光傳導支柱11之高度可例如大於約100 μm、大於約150 μm，或大於約200 μm。 不透明層12安置於光傳導支柱11中之每一者之側壁112 (亦被稱作側表面)上，以覆蓋光傳導支柱11中之每一者之側壁112，且暴露光傳導支柱11中之每一者之頂部表面111。在一些實施例中，不透明層12可包括光吸收層、墨、光阻劑，或其兩個或多於兩個之組合。在一些實施例中，不透明層12之一部分可安置於電子組件10之作用表面101之至少一部分上，且可暴露電子組件10之接合區域10c及像素10p。在一些實施例中，由不透明層12覆蓋之光傳導支柱11可充當準直器，其中到達光傳導支柱11之側壁112之光由不透明層12吸收，且大體上在所要方向(例如其中大體上平行於傳導支柱11之長軸傳輸光之方向)上傳播之光選擇性地經允許穿過光傳導支柱11。此配置改良了電子組件10之光學效能(例如影像辨識)。##請解釋為什麼僅接收並行光束會改良影像辨識。## 與對比準直器(其藉由TSV技術、晶圓接合技術或其組合形成)相比，如圖1A及圖1B中所示形成於電子組件10之對應像素上之光傳導支柱11可降低製造成本。另外，藉由使用光傳導支柱11而不是TSV，在準直器中傳輸之光路歸因於光傳導柱11之材料之較高折射率而增加##請確認##，這將增強光學裝置1之光學效能。##請解釋增加之光路為什麼會改良光學效能。##此外，由於光傳導支柱11可一體地形成，因此可消除具有多個層之準直器之非對準問題。 保護層13安置於電子組件10之作用表面101上。保護層13覆蓋不透明層12以及電子組件10之作用表面101之一部分，且暴露光傳導支柱11之頂部表面111以及電子組件10之接合區域10c。舉例而言，保護層13之頂部表面131大體上與光傳導支柱11之頂部表面111共面。在一些實施例中，保護層13可包括(例如)有機材料(例如模製化合物、雙馬來醯亞胺三嗪(BT)、聚醯亞胺(PI)、聚苯并噁唑(PBO)、阻焊劑、味之素堆積膜(ABF)、聚丙烯(PP)、基於環氧樹脂之材料，或其兩者或多於兩者之組合)、無機材料(例如矽、玻璃、陶瓷或石英)、光阻劑、乾式膜材料，或其兩者或多於兩者之組合。在一些實施例中，保護層13可為透明的或不透明的，取決於各種實施例之設計規範。 在一些實施例中，如所揭示之光學裝置可在光傳導柱下方包括透光層及遮光層。透光層可有助於使光傳導柱之縱橫比之規範放寬。圖2A說明根據本發明之第二態樣之光學裝置2的一些實施例之透視圖。光學裝置2包括電子組件20、多個光傳導支柱21、不透明層22、保護層23、透光層24及遮光層25。 如說明圖2A之光學裝置2之橫截面視圖的圖2B中所示，電子組件20具有作用表面201 (亦被稱作頂部表面或光接收表面)，以及與作用表面201相對之後表面202 (亦被稱作底部表面)。在一些實施例中，電子組件20為影像感測器，諸如光偵測器，其為例如PIN二極體(例如包括p型半導體區、本徵半導體區及n型半導體區之二極體)、光電二極體，或光電電晶體。電子組件20在其作用表面201上具有複數個像素20p。在一些實施例中，電子組件20包括接合區域20c (例如接合墊)，以提供電子組件20與其他裝置或電路之間的電連接。 遮光層25安置於電子組件20之作用表面201上。遮光層25限定多個開口25h (亦被稱作孔口)，以暴露電子組件20之像素20p。在一些實施例中，遮光層25可包括光吸收層、墨、光阻劑，或其兩者或多於兩者之組合。 透光層24安置於電子組件20之作用表面201上，以覆蓋遮光層25且暴露接合區域20c。透光層24允許光穿過並到達電子組件20之自遮光層25暴露之像素20p。 光傳導支柱21安置於透光層24上，且大體上垂直於透光層24。如圖2B中所示，光傳導支柱21中之每一者大體上與電子組件20之自遮光層25暴露之對應像素對準。光傳導支柱21允許具有所要波長(或所要之波長範圍)之光穿過。在一些實施例中，光傳導支柱21包括例如感光透明樹脂。在一些實施例中，光傳導支柱21及透光層24可由不同材料形成，或包括不同材料。或者，光傳導支柱21及透光層24可由相同材料形成，或包括相同材料。在一些實施例中，光傳導支柱21之縱橫比小於約5:1、小於約3:1，或小於約2:1。 不透明層22覆蓋光傳導支柱21及透光層24中之每一者之側壁212(還被稱作側表面)。不透明層22覆蓋光傳導支柱21中之每一者之頂部表面211。在一些實施例中，不透明層22可包括光吸收層、墨、光阻劑，或其兩者或多於兩者之組合。在一些實施例中，由不透明層22覆蓋之透光層24及光傳導支柱21可充當準直器，其中到達光傳導支柱21之側壁212之光由不透明層22吸收，且大體上在所要方向(例如其中大體上平行於傳導支柱11傳輸光之方向)上傳播之光選擇性地經允許穿過光傳導支柱21。此配置改良了電子組件20之光學效能。 與圖1A及圖1B中所示之光學裝置1相比，藉由將透光層24安置在光傳導支柱21與電子組件20之間，光傳導支柱21之高度(及縱橫比)可減小。舉例而言，圖1A及圖1B中所示之光傳導支柱11可大於約100 μm、大於約150 μm，或大於約200 μm，以便實現所要之效能。如圖2A及圖2B中所示，可藉由使用具有約80 μm至約100 μm、約50 μm至約150 μm或約20 μm 至約200 μm之厚度之透光層24，以及具有約55 μm至約70 μm、約30 μm至約80 μm或約10 μm至約100 μm之高度之光傳導支柱21，來實現類似效能。降低光傳導支柱之高度可降低製造成本。 保護層23安置於透光層24上。在一些實施例中，保護層23還可安置於電子組件20之作用表面201上。保護層23覆蓋不透明層22以及電子組件20之作用表面201之一部分。保護層23暴露光傳導支柱21之頂部表面211以及電子組件20之接合區域20c。舉例而言，保護層23之頂部表面231大體上與光傳導支柱21之頂部表面211共面。在一些實施例中，保護層23可包括(例如)有機材料(例如模製化合物、BT、PI、PBO、阻焊劑、ABF、PP或基於環氧樹脂之材料)、無機材料(例如矽、玻璃、陶瓷或石英)、光阻劑、乾式膜材料，或其兩者或多於兩者之組合。在一些實施例中，保護層23可為透明的或不透明的，取決於各種實施例之設計規範。 圖3說明根據本發明之第三態樣之光學裝置3的一些實施例之橫截面視圖。光學裝置3類似於圖1A及圖1B中所示之光學裝置1，不同之處在於光學裝置3經指定用於紅外(IR)應用。 在一些實施例中，光學裝置3之透光支柱31由矽形成以允許IR光穿過。光學裝置3之保護層33可由有機材料(例如模製化合物)形成。保護層33覆蓋透光支柱31之側表面312，且暴露透光支柱31之頂部表面311。在一些實施方案中，可省略不透明層。 圖4A說明根據本發明之第四態樣之光學模組4A的一些實施例之橫截面視圖。光學模組4A包括如圖1B中所示之光學裝置1、載體40及透鏡41。在一些實施例中，光學模組4A可為將整合至電子裝置(例如手機、平板電腦、筆記本電腦、個人數位助理等)中之組件，且透鏡41可為電子裝置之玻璃以允許光穿過。 載體40可包括(例如)印刷電路板，諸如基於紙之銅箔層壓件、複合銅箔層壓件、基於聚合物浸染之玻璃纖維之銅箔層壓件，或其兩者或多於兩者之組合。載體40可包括互連結構，諸如複數個傳導跡線或通孔。在一些實施例中，載體40包括陶瓷材料或金屬板。在一些實施例中，載體40可包括基板，諸如有機基板或引線框。在一些實施例中，載體40可包括雙層基板，其包括安置於載體40之上表面及底部表面上之核心層以及導電材料及/或結構。該導電材料及/或結構可包括複數個跡線。 光學裝置1安置於載體40上，且可藉由黏著劑40h (例如膠或膠帶)附接至載體40。在一些實施例中，光學裝置1之接合區域10c處之一或多個導電墊藉由一或多個導電線40w電連接至載體40之一或多個導電墊40p。舉例而言，每一導電線40w之一端接合至光學裝置1之導電墊，且導電線40w之另一端接合至載體40之對應導電墊。 圖4B說明根據本發明之第五態樣之光學模組4B的一些實施例之橫截面視圖。光學模組4B類似於圖4A中所示之光學模組4A，不同之處在於在圖4B中，光學裝置1'使用覆晶技術電連接至載體40。 電子組件10之作用表面101上之導電墊10c'藉由安置於電子組件10內之再分佈層(RDL) 10r電連接至電子組件10之後表面102。光學裝置1'藉由一或多個導電觸點40b (例如焊料球)電連接至載體40之一或多個導電墊40p。 圖4C說明根據本發明之第六態樣之光學模組4C的一些實施例之橫截面視圖。光學模組4C類似於圖4B中所示之光學模組4B，不同之處在於在圖4C中，電子組件10之作用表面101使用TSV技術電連接至電子組件10之後表面102。 電子組件10包括延伸穿過電子組件10之一或多個TSV 10t。TSV 10t藉由一或多個導電觸點40b (例如焊料球)電子連接至載體40之一或多個導電墊40p。 圖5A、圖5B、圖5C及圖5D說明根據本發明之一些實施例的用於製造如圖1A中所示之光學裝置1之方法之各個階段。儘管下文相對於複數個組件中之每一者來描述一些製程、操作或步驟，但彼等製程、操作或步驟中之任一者可相對於複數個組件中之一者，或相對於一個與全部複數個組件之間的某一數目來選擇性地執行。 參考圖5A，提供電子組件10。電子組件10可包括接合區域10c。光傳導支柱11形成於電子組件10之作用表面101上，且大體上垂直於電子組件10之作用表面101。光傳導支柱11之每一者形成於電子組件10之作用表面101上之對應像素上。在一些實施例中，光傳導支柱11係例如藉由微影技術形成。 參考圖5B，形成不透明層12以覆蓋光傳導支柱11及電子組件10。在一些實施例中，不透明層12可藉由濺鍍、表面塗覆、化學氣相沈積(CVD)或其他合適之製程形成。 參考圖5C，形成保護層13以覆蓋光傳導支柱11以及電子組件10之作用表面101。在一些實施例中，保護層13可藉由例如模製技術，諸如轉移模製或壓縮模製來形成。 參考圖5D，移除保護層13之一部分以及不透明層12之一部分，以暴露光傳導支柱11之頂部表面111以及電子組件10之接合區域10c。在一些實施例中，可例如藉由蝕刻或其他合適之製程來移除不透明層12之該部分。在一些實施例中，在保護層13為光阻劑之情況下，可例如藉由微影技術來移除保護層13之該部分。在一些實施例中，在保護層13為模製化合物之情況下，可藉由切割保護層13的在電子組件10之接合區域10c上方之部分，且接著藉由蝕刻移除保護層13的在電子組件10之接合區域10c上方之其餘部分，來移除保護層13之該部分。 圖6A、圖6B、圖6C、圖6D、圖6E及圖6F說明根據本發明之一些實施例的用於製造如圖2A中所示之光學裝置2之方法之各個階段。儘管下文相對於複數個組件中之每一者來描述一些製程、操作或步驟，但彼等製程、操作或步驟中之任一者可相對於複數個組件中之一者，或相對於一個與全部複數個組件之間的某一數目來選擇性地執行。 參考圖6A，提供電子組件20。電子組件20可包括接合區域20c。遮光層25形成於電子組件20之作用表面201上。遮光層25限定多個開口25h (亦被稱作孔口)，以暴露電子組件20之像素。 參考圖6B，透光層24形成於電子組件20之作用表面201上，以覆蓋遮光層25且暴露接合區域20c。在一些實施例中，透光層24之厚度在約80 μm至約100 μm、約50 μm至約150 μm或約20 μm至約200 μm之範圍內。在一些實施例中，透光層24係例如藉由濺鍍、塗覆或其他合適製程形成的。 參考圖6C，光傳導支柱21形成於透光層24上。光傳導支柱21中之每一者大體上與電子組件20的自遮光層25暴露之對應像素對準。在一些實施例中，光傳導支柱21係例如藉由微影技術形成的。在一些實施例中，光傳導支柱21之高度在約55 μm至約70 μm、約30 μm至約80 μm或約10 μm至約100 μm之範圍內。 參考圖6D，形成不透明層22以覆蓋光傳導支柱21、透光層24及電子組件20之接合區域20c。在一些實施例中，不透明層22可藉由表面塗覆、CVD或其他合適製程形成。 參考圖6E，保護層13形成於透光層24上。保護層23覆蓋光傳導支柱21，且暴露光傳導柱21之頂部表面211及電子組件20之接合區域20c。在一些實施例中，保護層23可藉由例如模製技術，諸如轉移模製或壓縮模製來形成。 參考圖6F，移除保護層23之一部分以暴露光傳導支柱21之頂部表面211，且移除遮光層25之一部分以暴露電子組件20之接合區域20c。在一些實施例中，可例如藉由微影技術來移除保護層23之該部分。在一些實施例中，可例如藉由蝕刻或其他合適製程來移除遮光層25之該部分。 圖7A、圖7B、圖7C及圖7D說明根據本發明之一些實施例的用於製造如圖3中所示之光學裝置3之方法之各個階段。儘管下文相對於複數個組件中之每一者來描述一些製程、操作或步驟，但彼等製程、操作或步驟中之任一者可相對於複數個組件中之一者，或相對於一個與全部複數個組件之間的某一數目來選擇性地執行。 參考圖7A，提供電子組件10，在電子組件10之作用表面上具有矽層31'。光阻劑39置放在矽層31'上。光阻劑39具有預定型樣(例如如圖7A中所示)。 參考圖7B，移除矽層31'之一部分，從而形成複數個光傳導支柱31。在一些實施例中，可藉由蝕刻或其他合適之製程來移除矽層31'之該部分。光阻劑39例如藉由微影技術來移除。 參考圖7C，形成保護層33'以覆蓋光傳導支柱31以及電子組件10之作用表面。在一些實施例中，保護層33'可藉由例如模製技術，諸如轉移模製或壓縮模製來形成。 參考圖7D，移除保護層33'之一部分以暴露光傳導支柱31之頂部表面311。在一些實施例中，可例如藉由微影技術來移除保護層33'之該部分。 除非上下文另外明確規定，否則如本文所用，單數術語「一(a/an)」及「該」可包括複數個指示物。 如本文所使用，術語「導電(conductive/electrically conductive)」及「電導率」指代輸送電流之能力。導電材料通常指示展現對於電流流動之極少或零對抗之材料。電導率之一個量度為西門子每公尺(S/m)。通常，導電材料為電導率大於約10⁴ S/m (諸如至少10⁵ S/m或至少10⁶ S/m)之一種材料。材料之電導率有時可隨溫度而變化。除非另外指定，否則材料之電導率在室溫下量測。 如本文中所使用，術語「大致」、「基本上」、「實質」及「約」用於描述及解釋小變化。當與事件或情形結合使用時，該等術語可指其中事件或情形明確發生之情況以及其中事件或情形極接近於發生之情況。舉例而言，當結合數值使用時，該等術語可指代小於或等於該數值之±10%之變化範圍，諸如小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%、或小於或等於±0.05%。舉例而言，若兩個數值之間的差值小於或等於該值之平均值之±10% (諸如小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%、或小於或等於±0.05%)，則可認為該兩個數值「大體上」相同。舉例而言，「大體上」平行可指相對於0°的小於或等於±10°之角變化範圍，諸如小於或等於±5°、小於或等於±4°、小於或等於±3°、小於或等於±2°、小於或等於±1°、小於或等於±0.5°、小於或等於±0.1°,或小於或等於±0.05°。舉例而言，「基本上」垂直可指相對於90°的小於或等於±10°(諸如小於或等於±5°、小於或等於±4°、小於或等於±3°、小於或等於±2°、小於或等於±1°、小於或等於±0.5°、小於或等於±0.1°、或小於或等於±0.05°)之角度變化範圍。舉例而言，「大體上」共面可指兩個表面在50 μm內沿著同一平面置放，例如在40 μm內、30 μm內、20 μm內、10 μm內或1 μm內沿著同一平面置放。舉例而言，「大體上」對準可指兩個組件重疊或在重疊之200 μm內、150 μm內、100 μm內、50 μm內、40 μm內、30 μm內、20 μm內、10 μm內，或1 μm內。 在一些實施例之描述中，在另一組件「上」提供之組件可涵蓋前一組件直接在後一組件上(例如，呈實體接觸)之情況，以及一或多個介入組件位於前一組件與後一組件之間的情況。 在一些實施例之描述中，表徵為「光傳導」、「光透射」或「透明」之組件可指代例如在相關波長或相關波長範圍內具有至少80% (例如至少85%或至少90%)之透光率的組件。在一些實施例之描述中，表徵為「遮光」、「擋光」或「不透明」之組件可指代例如在相關波長或相關波長範圍內具有不超過20% (例如不超過15%或不超過10%)之透光率的組件。 另外，有時在本文中按範圍格式呈現量、比率以及其他數值。應理解，這些範圍格式是用於便利及簡潔起見，且應靈活地理解，不僅包含明確地指定為範圍限制之數值，而且包含涵蓋於該範圍內之所有個別數值或子範圍，如同明確地指定每一數值及子範圍一般。 雖然已參考本發明之特定實施例描述並說明了本發明，但這些描述及說明並不限制本發明。熟悉此項技術者可清楚地理解，可進行各種改變，且可在實施例內替代等效元件而不脫離如由所附申請專利範圍限定之本發明之真實精神及範疇。圖解可能未必按比例繪製。歸因於製造過程及公差，本發明中之藝術再現與實際設備之間可存在區別。可存在並未特定說明之本發明之其他實施例。應將本說明書及圖式視為說明性的而非限制性的。可做出修改，以使具體情況、材料、物質組成、方法或製程適應於本發明之目標、精神及範疇。所有此等修改既定在所附申請專利範圍之範疇內。雖然本文揭示之方法已參考按特定次序執行之特定操作加以描述，但應理解，可在不脫離本發明之教示之情況下組合、細分或重新排序這些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特別指示，否則操作之次序及分組並非對本發明之限制。

1‧‧‧光學裝置

1'‧‧‧光學裝置

2‧‧‧光學裝置

3‧‧‧光學裝置

4A‧‧‧光學模組

4B‧‧‧光學模組

4C‧‧‧光學模組

10‧‧‧電子組件

10c‧‧‧接合區域

10c'‧‧‧導電墊

10p‧‧‧像素

10r‧‧‧再分佈層

10t‧‧‧TSV

11‧‧‧光傳導支柱

12‧‧‧不透明層

13‧‧‧保護層

20‧‧‧電子組件

20c‧‧‧接合區域

20p‧‧‧像素

21‧‧‧光傳導支柱

22‧‧‧不透明層

23‧‧‧保護層

24‧‧‧透光層

25‧‧‧遮光層

25h‧‧‧開口

31‧‧‧透光支柱

31'‧‧‧矽層

33‧‧‧保護層

33'‧‧‧保護層

39‧‧‧光阻劑

40‧‧‧載體

40b‧‧‧導電觸點

40h‧‧‧黏著劑

40p‧‧‧導電墊

40w‧‧‧導電線

41‧‧‧透鏡

101‧‧‧作用表面

102‧‧‧後表面

111‧‧‧頂部表面

112‧‧‧側壁

131‧‧‧頂部表面

201‧‧‧作用表面

202‧‧‧後表面

211‧‧‧頂部表面

212‧‧‧側壁

231‧‧‧頂部表面

311‧‧‧頂部表面

312‧‧‧側表面

圖1A說明根據本發明之第一態樣之光學裝置的一些實施例之透視圖； 圖1B說明根據本發明之第一態樣之光學裝置的一些實施例之橫截面視圖； 圖2A說明根據本發明之第二態樣之光學裝置的一些實施例之透視圖； 圖2B說明根據本發明之第二態樣之光學裝置的一些實施例之橫截面視圖； 圖3說明根據本發明之第三態樣之光學裝置的一些實施例之橫截面視圖； 圖4A說明根據本發明之第四態樣之光學模組的一些實施例之橫截面視圖； 圖4B說明根據本發明之第五態樣之光學模組的一些實施例之橫截面視圖； 圖4C說明根據本發明之第六態樣之光學模組的一些實施例之橫截面視圖； 圖5A說明根據本發明之一些實施例的用於製造光學裝置之方法之一或多個階段； 圖5B說明根據本發明之一些實施例的用於製造光學裝置之方法之一或多個階段； 圖5C說明根據本發明之一些實施例的用於製造光學裝置之方法之一或多個階段； 圖5D說明根據本發明之一些實施例的用於製造光學裝置之方法之一或多個階段； 圖6A說明根據本發明之一些實施例的用於製造光學裝置之方法之一或多個階段； 圖6B說明根據本發明之一些實施例的用於製造光學裝置之方法之一或多個階段； 圖6C說明根據本發明之一些實施例的用於製造光學裝置之方法之一或多個階段； 圖6D說明根據本發明之一些實施例的用於製造光學裝置之方法之一或多個階段； 圖6E說明根據本發明之一些實施例的用於製造光學裝置之方法之一或多個階段； 圖6F說明根據本發明之一些實施例的用於製造光學裝置之方法之一或多個階段； 圖7A說明根據本發明之一些實施例的用於製造光學裝置之方法之一或多個階段； 圖7B說明根據本發明之一些實施例的用於製造光學裝置之方法之一或多個階段； 圖7C說明根據本發明之一些實施例的用於製造光學裝置之方法之一或多個階段；以及 圖7D說明根據本發明之一些實施例的用於製造光學裝置之方法之一或多個階段； 貫穿圖式及詳細描述使用共同參考數字來指示相同或類似組件。根據以下結合隨附圖式進行之詳細描述可最佳地理解本發明。

Claims (22)

1. 一種光學裝置，其包含： 電子組件，其包括複數個像素； 複數個光傳導支柱，該等光傳導支柱中之每一者安置於該電子組件之該複數個像素之對應像素上；以及 不透明層，其覆蓋該等光傳導支柱中之每一者之側表面。
2. 如請求項1之光學裝置，其進一步包含保護層，該保護層在該電子組件上且覆蓋該不透明層。
3. 如請求項2之光學裝置，其中該等光傳導支柱中之每一者之頂部表面自該保護層暴露。
4. 如請求項2之光學裝置，其中每一光傳導支柱之頂部表面大體上與該保護層之頂部表面共面。
5. 如請求項1之光學裝置，其中該不透明層覆蓋該電子組件之頂部表面。
6. 如請求項1之光學裝置，其中該光傳導支柱包括感光透明樹脂。
7. 如請求項1之光學裝置，其進一步包含位於該電子組件與該等光傳導支柱之間的透光層。
8. 如請求項7之光學裝置，其進一步包含位於該電子組件與該透光層之間的遮光層。
9. 如請求項8之光學裝置，其中該遮光層限定複數個孔口以暴露該電子組件之該等對應像素。
10. 如請求項7之光學裝置，其中該等光傳導支柱之縱橫比小於5:1。
11. 如請求項1之光學裝置，其中該等光傳導支柱包括矽。
12. 如請求項1之光學裝置，其中該不透明層包括模製化合物。
13. 如請求項1之光學裝置，其進一步包含基板，其中該電子組件電連接至該基板。
14. 如請求項1之光學裝置，其中該等光傳導支柱之縱橫比大於5:1。
15. 一種製造光學裝置之方法，該方法包含： (a)提供包括複數個像素之電子組件； (b)在該電子組件之該等對應像素上方形成複數個光傳導支柱；以及 (c)形成不透明層，以覆蓋該等光傳導支柱中之每一者之側表面。
16. 如請求項15之方法，其中該等光傳導支柱係藉由微影技術由感光透明樹脂形成的。
17. 如請求項15之方法，其中該操作(c)進一步包含將該不透明層塗覆在該等光傳導支柱中之每一者之該側表面上。
18. 如請求項15之方法，其進一步包含在該電子組件上形成保護層以覆蓋該等光傳導支柱。
19. 如請求項18之方法，其進一步包含移除該保護層之一部分以暴露該等光傳導支柱中之每一者之頂部表面。
20. 如請求項18之方法，其中該保護層藉由模製來形成。
21. 如請求項15之方法，在該操作(b)之前，其進一步包含 在載體上形成遮光層，該遮光層限定複數個開口以暴露該電子組件之該等對應像素；以及 在該遮光層上形成透光層。
22. 如請求項15之方法，其中該操作(b)進一步包含： 在該電子組件上形成矽層； 將經圖案化之光阻劑安置在該矽層上；以及 蝕刻該矽層，從而形成該等光傳導支柱。