TW201809542A - 能量有效通訊及顯示器裝置 - Google Patents

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Abstract

於此描述可適性背光模組及用於產生可適性背光模組的方法及系統。在一個範例中，可適性背光模組包含：一光來源；一偏光器；至少一個增強薄膜，該增強薄膜設置於該光來源及該偏光器之間；及一擴散器，該擴散器設置於該光來源及該增強薄膜之間。該擴散器包含一第一電極及一第二電極，該第一電極耦合至一第一基板，該第二電極耦合至一第二基板。液晶層設置於擴散器的該第一電極及該第二電極之間。

Description

能量有效通訊及顯示器裝置
本揭示案的實施例一般相關於用於顯示器的可適性背光模組及用於製造該可適性背光模組的方法及系統。
用於顯示器裝置的背光單元通常為功率消耗上的最大提取之其中一者，造成行動電子裝置中電池續航力的限制。通常大部分離開顯示器螢幕的光對單一使用者而言為不必要的，且在非使用者視線中被瀏覽時為易受影響的。許多針對筆記型電腦、監視器、及一些行動裝置的現今隱私濾波器及薄膜吸收光，因而減低裝置的能量效率。此外，該等現今濾波器及薄膜為昂貴的且因為干擾觸控螢幕功能而為笨拙的，且必須物理上移除以致能顯示器的廣角瀏覽。
因此，存在對於減低來自超過的光發射的功率消耗及提供隱私給使用者之技術的需求。
於此描述可適性背光模組及用於產生可適性背光模組的方法及系統。在一個實施例中，可適性背光模組包含：一光來源；一偏光器；至少一個增強薄膜，該增強薄膜設置於該光來源及該偏光器之間；及一擴散器，該擴散器設置於該光來源及該增強薄膜之間。該擴散器包含一第一電極及一第二電極，該第一電極耦合至一第一基板，該第二電極耦合至一第二基板。液晶層設置於擴散器的該第一電極及該第二電極之間。
在另一實施例中，提供產生一可適性背光模組的方法，包含以下步驟：在第一基板上形成第一電極；在第二基板上形成第二電極；在第一基板上形成至少一個增強薄膜；及在該增強薄膜上形成一偏光器。該方法進一步包含以下步驟：藉由在該第一基板上的第一電極及第二基板上的第二電極之間形成一液晶層而形成一擴散器。該方法亦包含以下步驟：連接該擴散器至一光來源。
在另一實施例中，用於產生一可適性背光模組的系統包含：一第一腔室，該第一腔室經配置以在一第一基板上形成一第一電極及在一第二基板上形成一第二電極；及一第二腔室，該第二腔室經配置以藉由在該第一基板上的該第一電極及該第二基板上的該第二電極之間形成一液晶層而形成一擴散器。
本揭示案的實施例一般包含用於顯示器的可適性背光模組及用於製造該可適性背光模組的方法及系統。
第1圖為根據一個實施例之用於產生可適性背光模組的系統。系統100可包含物理氣相沉積(PVD)腔室102、化學氣相沉積(CVD)腔室104、凸印/列印腔室108、及液晶沉積腔室106。根據一個實施例，針對可適性背光模組的產生，基板首先可進入PVD腔室102以用於處理(如相對於下方第3A至3C圖所描述)或CVD腔室104以用於處理(如相對於下方第2圖所描述)。在一個實施例中，若基板首先進入CVD腔室104，基板接著直接進入液晶沉積腔室106以用於處理。若基板首先進入PVD腔室102，基板可接著在基板接著進入液晶沉積腔室106以用於處理之前進入凸印/列印腔室108以用於處理，或替代地，基板可自PVD腔室102直接進入液晶沉積腔室106以用於處理。在一替代實施例中，預先形成的基板可進入液晶沉積腔室，而無須先進入任何其他腔室。基板可接著自液晶沉積腔室106移除以連接至光引導板、反射器、及光來源以形成可適性背光模組。在替代的實施例中，系統100可不包含PVD腔室102、系統可不包含凸印/列印腔室108、及/或系統可不包含CVD腔室104。
第2圖為根據一個實施例之CVD處理腔室104的示意側面橫截面視圖。描述一電漿增強化學氣相沉積(PECVD)系統，例如可自位於加州的Santa Clara的Applied Materials公司獲得的PECVD系統。然而，應理解可使用其他化學氣相沉積腔室。
CVD腔室104適於執行PECVD處理以在大面積基板214上製造電路。大面積基板214可由玻璃、聚合物、或其他合適的基板製成。CVD腔室104經配置以在大面積基板214上形成結構及裝置以使用於液晶顯示器(LCD)或平板顯示器、用於太陽能電池陣列的光伏裝置、或其他結構的製造。該等結構可包含薄膜電晶體及p-n接面以使用以形成針對光伏電池等結構的二極體。
CVD腔室104包含腔室側壁230、底部232、及基板支撐224。基板支撐224(例如，承受器)在處理期間支撐基板214。設置於基板支撐224中的加熱器元件226(例如，電阻性加熱器)耦合至電漿來源202且使用以可控制地加熱基板支撐224及置於基板支撐224上的大面積基板214至預先決定溫度。CVD腔室104亦包含蓋結構208、背板212、覆蓋板210、及氣體分配噴淋頭218。放置氣體分配噴淋頭218相對於基板支撐224及大面積基板214。
CVD腔室104具有耦合至氣體來源206及電漿來源202的氣體入口204。電漿來源202可為直流功率來源、射頻(RF)功率來源、或遠端電漿來源。氣體入口204自氣體來源206輸送處理及/或清理氣體至處理區域216，處理區域216界定於氣體分配噴淋頭218下方及基板支撐224上方的面積中。出現在處理區域216中的氣體可由電漿來源202賦能以形成電漿。使用電漿以在基板214上沉積一層材料。儘管在此實施例中展示電漿來源202耦合至氣體入口204，電漿來源202可耦合至氣體分配噴淋頭218或CVD腔室104的其他部分。
第3A圖為自第1圖根據第一實施例之PVD處理腔室102的示意側面橫截面視圖。展示於第3A圖中的第一實施例為PVD處理腔室102a。可適用以自本揭示案獲利的PVD腔室102a的一個範例為可自位於加州的Santa Clara的Applied Materials公司獲得的物理氣相沉積(PVD)處理腔室。然而，應理解可使用其他物理氣相沉積腔室。
PVD腔室102a包含腔室主體308及蓋組件304，界定了處理容積336。腔室主體308典型地由單塊鋁或焊接的不鏽鋼板所製成。腔室主體308一般包含側壁310及底部314。側壁310及/或底部314一般包含複數個孔隙，例如存取埠318及抽吸埠(未展示)。抽吸埠耦合至抽吸裝置(亦未展示)以排氣及控制處理容積336內的壓力。抽吸裝置能夠維持PVD腔室102a的壓力至某真空層級。
蓋組件304一般包含標的334及耦合至標的334的接地屏蔽組件322。標的334提供材料來源，可在PVD處理期間沉積至基板340的表面上。標的334或標的板可由一材料製成，該材料會成為沉積成分或可包含沉積成分的塗佈。為了便於噴濺，高壓功率供應(例如，功率來源316)連接至標的334。
標的334一般包含周邊部分324及中央部分338。周邊部分324設置覆於腔室的側壁310。標的334的中央部分338可突出或以朝向基板支撐328的方向延伸。基板支撐328一般設置於腔室主體308的底部314上且在基板處理期間於PVD腔室102a內支撐基板340於基板支撐328上。基板支撐328可包含嵌入板狀主體支撐內的一個或更多個電極及/或加熱元件。
在噴濺處理以在基板340上沉積材料期間，標的334及基板支撐328藉由功率來源316相對於彼此偏壓。自氣體來源320經由一個或更多個孔隙(未展示)供應處理氣體(例如，惰性氣體及其他氣體，如氬及氮)至處理容積336，該等孔隙典型地在PVD腔室102a的側壁310中形成。點燃處理氣體成為電漿，且電漿內的離子加速朝向標的334以造成標的材料自標的334去除成為顆粒。經由應用的偏壓吸引所去除的材料或顆粒朝向基板340，沉積材料的薄膜至基板340上。
第3B圖為根據第二實施例之PVD處理腔室102的示意側面橫截面視圖。展示於第3B圖中的第二實施例為聯機(in-line)的捲至捲(roll-to-roll)PVD處理腔室102b。然而，應理解可使用其他聯機物理氣相沉積腔室。
捲至捲PVD腔室102b經配置以用於沉積材料378於彈性基板344上。捲至捲PVD腔室102b可包含可由至少一個氣體分隔單元370彼此分隔的至少第一真空處理區域366及第二真空處理區域368，其中第一真空處理區域366及第二真空處理區域368之間提供氣體分隔通路376，氣體分隔通路376配置成針對彈性基板344的通道。
捲至捲PVD腔室102b包含真空腔室372。可使用多種真空沉積技術以沉積材料於彈性基板344上。彈性基板344被引導(如箭頭X所指示)進入真空腔室372。例如，彈性基板344可自解開站台被引導進入真空腔室372。彈性基板344被滾筒358導引至基板支撐，該基板支撐經配置以在處理及/或沉積期間支撐彈性基板344。如第3B圖中所展示，特別針對捲至捲沉積設備，基板支撐可為塗佈鼓輪354，塗佈鼓輪354可繞著旋轉軸356旋轉。自塗佈鼓輪354，彈性基板344被引導至進一步滾筒360且離開真空腔室372，如第二箭頭X所指示。
第3B圖中所描繪實施例包含在第一真空處理區域366中所提供的第一沉積來源362及在第二真空處理區域368中所提供的第二沉積來源364。在真空處理區域366、368中，彈性基板344在待處理時由塗佈鼓輪354支撐。而應理解根據可與於此描述的其他實施例組合的進一步實施例，可提供多於兩個沉積來源。例如，可提供四個、五個、六個、或甚至更多沉積來源。
彈性基板344具有自黏性的第一主要表面348，可使用保護層342覆蓋第一主要表面348，保護層342配置成釋離襯墊。彈性基板344可被引導於可旋轉塗佈鼓輪354的支撐表面352上，其中第一主要表面348被導引朝向可旋轉塗佈鼓輪354。然而，儘管可使用保護層342覆蓋第一主要表面348，第一主要表面348不直接進行與支撐表面352的接觸。
沉積材料378真空設置於彈性基板344的第二主要表面350上，沉積材料378經由第一真空處理區域366中的第一沉積來源362及經由第二真空處理區域368中的第二沉積來源364被導引離開可旋轉塗佈鼓輪354。在真空沉積之後，可移除覆蓋第一主要表面348的保護層342，且可準備使用多層基板346。
第3C圖為根據第三實施例之PVD處理腔室102的可旋轉標的組件之示意視圖。然而，應理解可在物理氣相沉積腔室中使用其他可旋轉標的組件或陰極。
第3C圖為可旋轉標的組件382之示意視圖。第3C圖將釋放的顆粒384分配展示為箭頭。可旋轉標的組件382具有標的支撐386及幾個標的元件388、390。標的組件382及標的支撐386為可旋轉的。
可理解沉積材料的分配場為包含自標的元件388、390釋放的實質所有顆粒384。箭頭標示標的元件388、390所釋放顆粒384的方向。例如，標的元件388的沉積材料的分配場包含所有源自標的元件388的顆粒384。根據一些實施例，分配場可具有實質為餘弦函數的形狀。箭頭長度指示了箭頭方向中所釋放的顆粒384的大概數量。例如，逕向上的箭頭呈現所釋放顆粒384的界定數量之方向，而逕至左或右的箭頭呈現較小數量的顆粒384。標的-基板-距離392自標的元件388及390抵達基板表面的平面394。
根據一些實施例，沉積腔室的標的支撐386及基板支撐可經適用以可相對於彼此移動。例如，標的支撐386及/或基板支撐可經適用以調整基板表面的平面394及標的元件388、390之間的距離。典型地，在沉積處理中使用可旋轉標的組件382之前，可依據可旋轉標的組件382的標的元件388、390之間的空隙396來調整基板表面的平面394及可旋轉標的組件382的標的元件388、390之間的距離。
第4A圖為根據一個實施例之可適性背光模組400A的示意視圖。可適性背光模組400A具有反射器410。光來源及光引導板408位於反射器410上。光來源可為一個或更多個冷陰極螢光燈(CCFL)、一個或更多個發光二極體(LED)、一個或更多個有機發光二極體(OLED)、或針對顯示器裝置的任何其他合適的點來源。
可切換擴散器406位於光來源及光引導板408上。至少一個增強薄膜404位於可切換擴散器406上。例如，增強薄膜404可為光循環薄膜、或訂製成特定裝置光發射圖案的任何其他亮度增強薄膜。偏光器402位於增強薄膜404上。例如，在一個實施例中，偏光器可為線柵偏光器。
第4B圖為根據不同實施例之可適性背光模組400B的示意視圖。可使用可適性背光模組400A、400B於顯示器裝置中，例如筆記型電腦、監視器、或行動裝置。可適性背光模組400B具有偏光器402、增強薄膜404、及第4A圖中所展示的可適性背光模組400A之實施例的可切換擴散器406。然而，可適性背光模組400B具有包括光來源412的高效能光引導，而非具有光來源及光引導板408及可適性背光模組400A的反射器410。例如，包括光來源412的高效能光引導可為單一鑄模零件，具有LED嵌入於光引導材料中，例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、ZEONORTM 或聚碳酸酯(PC)。高效能光引導412亦可具有整合入單一鑄模零件的反射器。例如，可在高效能光引導412上使用PVD處理來形成反射器。
第5圖根據一個實施例包含可適性背光模組中的可切換擴散器堆疊500的示意視圖。可切換擴散器堆疊500可包括來自第4A圖的可適性背光模組400A中或來自第4B圖的可適性背光模組400B中的可切換擴散器406。可切換擴散器堆疊500具有第一基板502及第二基板510，第一基板502上具有電極504，第二基板510上具有電極508。每一電極504、508可為實質透明的電極，例如氧化銦錫(ITO)薄膜。第一基板502上的電極504面對第二基板510上的電極508。液晶層506設置於第一基板502上的電極504及第二基板510上的電極508之間。在一些實施例中，介電障礙層可設置於電極504及第一基板502之間，及電極508及第二基板510之間。例如，介電障礙層可包括：氮氧化矽、氧化矽、氮化矽、氧化錫、氧化鈦、或氧化鋯。液晶層506可包括液晶及間隔器元件。在一個實施例中，可選擇用於間隔器元件的材料以儘可能匹配貼近液晶的折射係數，以防止光散射離開間隔器元件。在一個實施例中，間隔器元件可為5至200微米間隔器珠之間。液晶可為應用不同頻率之電場後散射的任何液晶。在一個實施例中，液晶可為層列相(smectic phase)液晶，例如層列A(SmA)相液晶，可保留針對大範圍霧度的穿透率。例如，在一個實施例中，層列相液晶可針對任何地方自3%至95%的霧度允許95%或更高的穿透率。
第6圖為根據一個實施例之描繪形成可適性背光模組的方法600之流程圖。方法600藉由在兩個基板之每一者上形成電極而始於操作602。電極可形成於第一基板的下表面上及第二基板的上表面上。電極可在基板上形成平面或圖案化。在一些實施例中，在電極在基板上形成之前可在每一基板上形成介電障礙層，使得介電障礙層位於每一基板及基板上形成的電極之間。可使用PVD處理來形成電極，如上方相關於第3A至3C圖所述。例如，在玻璃基板上，可使用PVD處理來形成電極，如上方相關於第3A圖或第3C圖所述。在另一範例中，在塑膠基板上，可使用捲至捲PVD處理來形成電極，如上方相關於第3B圖所述。例如，每一電極可包括塗佈於聚乙二醇對苯二甲酸酯(PET)上的ITO薄膜。替代地，可使用CVD處理來形成電極，如上方相關於第2圖所述。若形成介電障礙層，可使用相同CVD或PVD處理(使用以形成電極)來形成介電障礙層。替代地，可使用不同於使用以形成電極的CVD或PVD處理來形成介電障礙層。據此，操作602可發生於PVD腔室中(例如第1圖中所展示的PVD腔室102)、CVD腔室中(例如第1圖中所展示的CVD腔室104)、或兩者中(在使用不同於使用以形成電極的處理來形成介電層的情況下)。在替代的實施例中，可使用具有電極的預先形成的基板以形成可適性背光模組，該電極已在基板上形成。在此替代的實施例中，方法600始於操作604，使用具有預先形成於基板上的電極層之預先形成基板。
在操作604中，可在第一基板上形成至少一個增強薄膜(在操作602中在該第一基板上形成電極)。可在第一基板的上表面上形成增強薄膜相對於第一基板的下表面(在操作602中在該第一基板上形成電極)。可使用凸印、列印、或任何其他圖案化處理在基板上形成增強薄膜。替代地，可使用CVD處理來形成增強薄膜，如上方相關於第2圖所述。據此，操作604可在凸印/列印腔室中發生(例如第1圖中所展示的腔室108)、或在CVD腔室中(例如第1圖中所展示的CVD腔室104)。
在操作606中，在增強薄膜於操作604中在第一基板上形成之後，可在增強薄膜上形成偏光器。可使用凸印、列印、或任何其他圖案化處理在增強薄膜上形成偏光器。替代地，可使用線柵處理在增強薄膜上形成偏光器，其中線被放置進入增強薄膜。替代地，可使用CVD處理來在增強薄膜上形成偏光器，如上方相關於第2圖所述。據此，操作606可在凸印/列印腔室中發生(例如第1圖中所展示的腔室108)、金屬化腔室(第1圖中未展示)、或在CVD腔室中(例如第1圖中所展示的CVD腔室104)。
若使用捲至捲(roll-to-roll)或片至片(sheet-to-sheet)PVD處理以在操作602中在基板上形成電極，基板可為最終裁切以形成多個個別基板的捲狀或片狀基板。在操作602中形成的電極、在操作604中形成的增強薄膜、及/或在操作606中形成的偏光器皆可形成於一個基板捲或片上。可接著在操作608之前裁切捲或片至個別顯示器的大小。在替代的實施例中，可在一基板上形成在操作606中所形成的偏光器，該基板獨立於操作602中所形成電極所在的基板。在另一替代實施例中，在操作604中形成的增強薄膜亦可在一基板上形成，該基板獨立於操作602中所形成電極所在的基板。
在操作608中，在兩個基板之間形成液晶層(電極在操作602中在該等基板上形成)以形成擴散器。在操作608中，當液晶層形成時，第一基板(具有第一基板上的電極)的下表面面對第二基板(具有第二基板上的電極)的上表面。在第一基板上的電極及第二基板上的電極之間形成液晶層。為了形成液晶層，在電極之間放置複數個間隔器元件(例如，間隔器珠)。使用間隔器元件使得液晶可均勻地沉積於電極之間。在電極之間沉積液晶以環繞間隔器元件及彼此結合兩個基板，因而形成一個擴散器元件。可使用噴印(inkjet printing)處理、縫模(slot die)塗佈處理、網印(screen printing)處理、印記傳輸處理、真空充填處理、或任何合適的液體或固體注射或沉積處理來沉積液晶。可在獨立於CVD腔室104、PVD腔室102、及凸印/列印腔室108的腔室中形成液晶層，如第1圖中所展示的系統之實施例中的液晶沉積腔室106。
在操作608中形成擴散器之後，在操作610中光來源連接至擴散器以形成可適性背光模組。例如，可適性背光模組可為第4A圖中所展示的可適性背光模組400A或第4B圖中所展示的可適性背光模組400B。在一個實施例中，在操作610中擴散器使用層壓組件處理以連接至光來源、光引導板、及反射器。在替代的實施例中，在操作610中擴散器使用層壓組件處理以連接至包括光來源的高效能光引導。在替代的實施例中(該實施例中，增強薄膜及/或偏光器在一基板上形成，該基板獨立於具有電極於其上而形成擴散器的基板)，在操作610中擴散器使用層壓組件處理以連接至具有增強薄膜的基板及/或具有偏光器的基板。
於此描述的可適性背光模組及用於產生該可適性背光模組的方法及系統可允許當使用於顯示器裝置(例如，液晶顯示器裝置)時增加功率效能。可適性背光模組的擴散器上的電極可在顯示器裝置中電性地連接至功率來源。例如，第5圖中所展示的可切換擴散器堆疊500中的電極504、508可電性地連接至功率來源。可應用交錯電場至電極以改變擴散器的外觀及裝置顯示器的瀏覽角度。
第7A圖根據一個實施例圖示交錯電場的頻率層級，可應用至使用於顯示器裝置中的可適性背光模組中的可切換擴散器上的電極。例如，可應用第7A圖中所展示的具有頻率層級的交錯電流電場至可切換擴散器堆疊500，在可適性背光模組400A或400B中實作可切換擴散器堆疊500以切換擴散器外觀。第7A圖圖示頻率的範圍，可應用自該範圍的第一端處的低頻F1至該範圍的第二端處的高頻F2。當低頻F1的電場應用至擴散器時，擴散器呈現半透明。當高頻F2的電場應用至擴散器時，擴散器呈現透明。在一個實施例中，可使用範圍5至60 Hz中的低頻F1或使用範圍500至5000 Hz中的高頻F2來應用+/-55V的交錯電流場或強度100至400V/m的近似場、180度相位週期。在一個實施例中，切換至高頻F2所需時間為0至1秒，且切換至低頻F1所需時間為0至3秒。
第7B圖圖示當應用一電場至擴散器時裝置700上的顯示器之瀏覽角度的範圍，該電場具有第7A圖中所展示範圍內的頻率。當應用低頻F1的電場時，且擴散器呈現半透明，可自第一瀏覽角度V1看見顯示器。當應用高頻F2的電場時，且擴散器呈現透明，可自較第一瀏覽角度V1更窄的第二瀏覽角度V2看見顯示器。當單一使用者使用裝置700以限制發射的光量(對單一使用者為不需要的)及藉由限制非使用者看見顯示器的能力以提供隱私給單一使用者時，可使用第二、較窄的瀏覽角度V2。當多個瀏覽者瀏覽裝置700的顯示器時，可使用第一、較寬的瀏覽角度V1。第二瀏覽角度V2可具有與第一瀏覽角度V1相同表觀亮度，但需要較低的功率。例如，在一個實施例中，當應用低頻F1或高頻F2的電場時，可有大於95%的擴散器穿透率，但應用低頻F1的電場導致大於90%的霧度，且應用高頻F2的電場導致小於5%的霧度。因此，當僅有單一使用者瀏覽裝置時，可藉由應用高頻F2的電場(具有較窄瀏覽角度V2)來節省功率且獲得隱私。然而，若多個瀏覽者需要瀏覽顯示器，可應用低頻F1的電場以設定較寬的瀏覽角度V1。瀏覽角度可經配置以自動切換，或瀏覽角度可經配置以依使用者選擇切換。
此外，如第7A圖中所展示，可應用低頻F1及高頻F2之間的任何頻率Fx的電場至擴散器，導致擴散器的外觀介於半透明及透明狀態之間的某處。當應用頻率Fx的電場至擴散器時，瀏覽角度將介於第一瀏覽角度V1及第二瀏覽角度V2之間，如第7B圖中的陰影區域中所展示。在一個實施例中，中間頻率Fx的範圍可為60至500 Hz之間，且切換至中間頻率Fx所需時間可低於切換至低頻F1及/或高頻F2所需時間。
在第4A及4B圖中所展示的可切換擴散器406之實施例中，可切換擴散器406為每一可切換擴散器模組400a、400b中的唯一擴散器。因此，當應用高頻F2至可切換擴散器406時，且可切換擴散器406呈現透明，實質上將無光擴散。相對比下，若在使用可切換擴散器406外使用一典型被動擴散器，被動擴散器仍將擴散光(即便在可切換擴散器呈現透明時)。當僅有單一瀏覽者瀏覽顯示器時，可應用高頻F2的電場，使得可切換擴散器406處於透明狀態中，而無其他擴散器造成不必要的光擴散或浪費。
前述係本揭示案的實施例，可修改本揭示案的其他及進一步的實施例而不遠離其基本範圍，且該範圍由隨後的申請專利範圍所決定。
100‧‧‧系統
102‧‧‧物理氣相沉積(PVD)腔室
104‧‧‧化學氣相沉積(CVD)腔室
106‧‧‧液晶沉積腔室
108‧‧‧凸印/列印腔室
202‧‧‧電漿來源
204‧‧‧氣體入口
206‧‧‧氣體來源
208‧‧‧蓋結構
210‧‧‧覆蓋板
212‧‧‧背板
214‧‧‧基板
216‧‧‧處理區域
218‧‧‧氣體分配噴淋頭
224‧‧‧基板支撐
226‧‧‧加熱器元件
230‧‧‧腔室側壁
232‧‧‧底部
304‧‧‧蓋組件
308‧‧‧腔室主體
310‧‧‧側壁
314‧‧‧底部
316‧‧‧功率來源
318‧‧‧存取埠
320‧‧‧氣體來源
322‧‧‧接地屏蔽組件
324‧‧‧周邊部分
328‧‧‧基板支撐
334‧‧‧標的
336‧‧‧處理容積
338‧‧‧中央部分
340‧‧‧基板
400A‧‧‧背光單元
400B‧‧‧背光單元
402‧‧‧偏光器
404‧‧‧增強薄膜
406‧‧‧擴散器
408‧‧‧光引導板
410‧‧‧反射器
412‧‧‧光來源
500‧‧‧可切換擴散器堆疊
502‧‧‧第一基板
504‧‧‧電極
506‧‧‧液晶層
508‧‧‧電極
510‧‧‧第二基板
600‧‧‧方法
602‧‧‧操作
604‧‧‧操作
606‧‧‧操作
608‧‧‧操作
610‧‧‧操作
700‧‧‧裝置
於是可以詳細理解本揭示案上述特徵中的方式，可藉由參考實施例而具有本揭示案的更特定描述(簡短總結如上)，其中一些圖示於所附圖式中。然而，注意所附圖式僅圖示本揭示案典型的實施例，因此不考慮限制其範圍，因為本揭示案可允許其他等效實施例。
第1圖為根據一個實施例之用於產生可適性背光模組的系統。
第2圖為根據第1圖中的系統的一個實施例之化學氣相沉積處理腔室的示意側面橫截面視圖。
第3A圖為根據第1圖中的系統的一個實施例之物理氣相沉積處理腔室的示意側面橫截面視圖。
第3B圖為根據第1圖中的系統的一個實施例之捲至捲(roll-to-roll)物理氣相沉積處理腔室的示意側面橫截面視圖。
第3C圖為根據第1圖中的系統的一個實施例之物理氣相沉積處理腔室的可旋轉標的組件之示意側面橫截面視圖。
第4A至4B圖為根據不同實施例之可適性背光模組的示意視圖。
第5圖為根據一個實施例之可適性背光模組中的可切換擴散器堆疊的示意視圖。
第6圖為根據一個實施例之描繪形成可適性背光模組的方法之流程圖。
第7A圖根據一個實施例圖示交錯電場的頻率層級，可在顯示器裝置中應用至可適性背光模組中的可切換擴散器。
第7B圖根據一個實施例圖示對應於電場頻率之瀏覽角度，可在顯示器裝置中應用至可適性背光模組中的擴散器。
為了便於理解，儘可能使用相同元件符號，以標示圖式中常見的相同元件。思量一個實施例中的元件及特徵可有利地併入其他實施例，而無須進一步敘述。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
600‧‧‧方法
602‧‧‧操作
604‧‧‧操作
606‧‧‧操作
608‧‧‧操作
610‧‧‧操作

Claims (20)

  1. 一種可適性背光模組，包括： 一光來源；一偏光器；至少一個增強薄膜，該增強薄膜設置於該光來源及該偏光器之間；及一擴散器，該擴散器設置於該光來源及該增強薄膜之間，該擴散器包括：一第一電極，該第一電極耦合至一第一基板；一第二電極，該第二電極耦合至一第二基板；及一液晶層，該液晶層設置於該第一電極及該第二電極之間。
  2. 如請求項1所述之可適性背光模組，其中該光來源包括以下之其中一者：一個或更多個冷陰極螢光燈(CCFL)、一個或更多個發光二極體(LED)、及一個或更多個有機發光二極體(OLED)。
  3. 如請求項1所述之可適性背光模組，進一步包括： 一光引導板；及一反射器。
  4. 如請求項1所述之可適性背光模組，其中該液晶層包括： 一層列相(smectic phase)液晶；及複數個間隔器元件。
  5. 如請求項1所述之可適性背光模組， 其中該第一電極包括一第一氧化銦錫(ITO)薄膜；及其中該第二電極包括一第二氧化銦錫(ITO)薄膜。
  6. 如請求項1所述之可適性背光模組， 其中該第一電極設置於該第一基板的一下表面上；其中該第二電極設置於該第二基板的一上表面上。
  7. 如請求項6所述之可適性背光模組， 其中該第一基板的該下表面面對該第二基板的該上表面。
  8. 一種產生一可適性背光模組的方法，包括以下步驟： 在一第一基板上形成至少一個增強薄膜；在該增強薄膜上形成一偏光器；藉由在該第一基板上的一第一電極及一第二基板上的一第二電極之間形成一液晶層而形成一擴散器；及連接該擴散器至一光來源。
  9. 如請求項8所述之方法，進一步包括以下步驟： 連接該光來源至一光引導板及一反射器。
  10. 如請求項8所述之方法，其中該液晶層包括： 一層列相液晶；及複數個間隔器元件。
  11. 如請求項8所述之方法，進一步包括以下步驟： 在該第一基板上形成該第一電極；及在該第二基板上形成該第二電極。
  12. 如請求項11所述之方法， 其中在該第一基板上形成該第一電極之步驟包括以下步驟：使用一第一氧化銦錫(ITO)薄膜塗佈該第一基板；及其中在該第二基板上形成該第二電極之步驟包括以下步驟：使用一第二氧化銦錫(ITO)薄膜塗佈該第二基板。
  13. 如請求項11所述之方法， 其中在該第一基板的一下表面上形成該第一電極；及其中在該第二基板的一上表面上形成該第二電極。
  14. 如請求項13所述之方法， 其中該第一基板的該下表面面對該第二基板的該上表面。
  15. 如請求項8所述之方法， 其中該液晶層係使用以下其中一者而形成：一噴印(inkjet printing)處理、一縫模(slot die)塗佈處理、一網印(screen printing)處理、一印記傳輸處理、及一真空充填處理。
  16. 一種用於產生一可適性背光模組的系統，包括： 一第一腔室，該第一腔室經配置以在一第一基板上形成一第一電極及在一第二基板上形成一第二電極；及一第二腔室，該第二腔室經配置以藉由在該第一基板上的該第一電極及該第二基板上的該第二電極之間形成一液晶層而形成一擴散器。
  17. 如請求項16所述之系統，其中該液晶層在該第二腔室中使用以下其中一者而形成：一噴印處理、一縫模塗佈處理、一網印處理、一印記傳輸處理、及一真空充填處理。
  18. 如請求項16所述之系統，其中該第一腔室包括一化學氣相沉積(CVD)腔室。
  19. 如請求項16所述之系統，進一步包括： 一第三腔室，該第三腔室經配置以在該擴散器上形成一增強薄膜。
  20. 如請求項19所述之系統， 其中該第一腔室包括一物理氣相沉積(PVD)腔室。
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