JP3086134B2 - 液晶ライトバルブの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、投射型ディスプレイ、
画像処理装置、光情報処理装置等に用いられる液晶ライ
トバルブの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ここ最近、大画面表示投射型ディスプレ
イの開発が盛んに行われており、そのなかでも光アドレ
ス型液晶ライトバルブ（以下、単に液晶ライトバルブと
略記する）を用いたデバイスの開発が、高輝度・高精細
の点から活発に行われている。

【０００３】上記の液晶ライトバルブとしては、例えば
図１５に示すような構成のものがある。これにおいて
は、外周側でスペーサ３０７を介して互いに貼り合わさ
れた一対の透光性基板であるガラス基板３０１ａ・３０
１ｂを有しており、光入射側に配されるガラス基板３０
１ｂには、透明電極（透光性導電膜）３０２ｂ、及び光
導電体層（光導電体膜）３０３、反射層（光反射膜）３
０４、及び配向膜３０６ｂが順に形成される一方、光出
射側に配されるガラス基板３０１ａには、透明電極３０
２ａ、及び配向膜３０６ａが形成され、基板間には液晶
層３０８が形成されている。

【０００４】このような液晶ライトバルブの製造工程を
一例を挙げて説明すると、まず、ガラス基板３０１ａ・
３０１ｂの上に、透明電極３０２ａ・３０２ｂとしてＩ
ＴＯ透明導電膜を電子ビーム蒸着法にて形成する。

【０００５】次に、一方のガラス基板３０１ｂにおける
透明電極３０２ｂの上に、光導電体層３０３として非晶
質水素化シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を形成する。このａ
−Ｓｉ：Ｈ膜は、シランガスと水素ガスとを原料とし、
プラズマＣＶＤ法を用いて作成される。次いで、この光
導電体層３０３の上に、反射層３０４として誘電体ミラ
ー（酸化チタン／酸化シリコンの多層膜）を電子ビーム
蒸着法で形成する。

【０００６】次に、ガラス基板３０１ａにおける透明電
極３０２ａ、及びガラス基板３０１ｂにおける反射層３
０４の上に、配向膜３０６ａ・３０６ｂとしてポリイミ
ド膜をそれぞれ形成した後、ラビングによる分子配向処
理を施す。

【０００７】その後、ガラス基板３０１ａ・３０１ｂを
スペーサ３０７を介して貼り合わせ、基板間に液晶層３
０８として強誘電液晶やネマチック液晶を注入して封止
する。これにて液晶ライトバルブが完成する。

【０００８】尚、液晶ライトバルブに用いられる表示モ
ードとしては、ハイブリッド電界効果（ＨＦＥ）モー
ド、相転移モード、表面安定化強誘電性液晶表示（ＳＳ
−ＦＬＣ）モードなどが用いられる。

【０００９】このような構造を有する液晶ライトバルブ
の透明電極３０２ａ・３０２ｂ間には、交流電源３０９
によって電圧が印加される。ガラス基板３０１ｂ側から
アドレス光Ｌ₂ が入射すると、光の当たった領域（明状
態）では、光導電体層３０３のインピーダンスが減少
し、交流電源３０９によって印加された電圧は液晶層３
０８に加わる。一方光の当たらない領域（暗状態）で
は、光導電体層３０３のインピーダンスは変化せず液晶
層３０８には電圧が加わらない。この明状態と暗状態の
違いにより液晶層３０８にアドレス光Ｌ₂ に対応した画
像情報が形成され、投射型ディスプレイや光情報処理装
置等に応用される。

【００１０】上記した液晶ライトバルブの構成以外に、
反射層に変えて遮光層（遮光膜）を有したものや、反射
層・遮光膜の両方を備えたタイプもある。

【００１１】また、このような液晶ライトバルブにおけ
る光導電体層としては、ＣｄＳ（ヒューズ：特開昭４９
−９０１５５号公報）や、非晶質シリコン（日本電気：
特開昭５７−１５０８２１号公報，特開昭５９−８１６
２７号公報、ヒューズ：特開平２−５０１３３４号公
報、シャープ：特開平５−１６５０５０号公報）等を用
いることが提案されている。このうち、非晶質シリコン
はプラズマＣＶＤ法で作成され利用されている。

【００１２】遮光層は、その性能として暗導電率、明導
電率が共に１０^-7Ωｃｍ以下で吸収係数が大きいことが
要求される。この材料として、ＣｄＴｅ（ヒューズ：特
開昭４９−９０１５５号公報，特開平２−５０１３３４
号公報）や、非晶質シリコン系材料（日本電気：特開昭
５９−８１６２７号公報、シャープ：特開平３−２００
９３４号公報，特開平５−１６５０５０号公報）や、サ
ーメット材料、顔料分散型有機材料等が提案されてい
る。また、島状の金属膜を光導電体層の上に形成して遮
光層及び反射層として利用している。

【００１３】光反射層としては、一般に屈折率の大きい
材料と小さい材料を交互に組み合わせ、干渉効果により
反射率を増大させた誘電体ミラーを用いている。通常、
誘電体ミラーの材料としては、二酸化チタン／二酸化ケ
イ素、硫化亜鉛／フッ化マグネシウムなどが電子ビーム
蒸着法やスパッタ法で形成されている。また、非晶質シ
リコン（ａ−Ｓｉ：Ｆ：Ｈ）／窒化シリコン（ＳｉＮ
ｘ）をプラズマＣＶＤ法で形成する方法も提案されてい
る（日本電気：特開昭５９−１７０８２０号公報）。

【００１４】ところが、このように液晶ライトバルブの
製造にあたり、透光性導電膜、光導電体層、遮光層、光
反射層等の形成には、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、
電子ビーム蒸着法等の異なる薄膜形成方法が併用されて
いると、薄膜作成用真空装置への基板の出し入れの回数
が多くなると共に、昇温、降温を繰り返す必要があり、
作成時間が長くかかる。また、基板の出し入れ時にゴミ
等が付着し易く、歩留まり低下も生じる。その結果、製
造コストが上昇するという問題が発生している。

【００１５】そこで、このような問題を解決すべく、シ
ラン（ＳｉＨ₄ ）や４フッ化ケイ素（ＳｉＦ₄ ）等の半
導体用特殊材料ガスを原料として使用し、プラズマＣＶ
Ｄ法を使って光導電体層、遮光層、光反射層を連続して
形成する提案がなされている（特開昭５９−１７０８２
０号公報）。

【００１６】一方、これとは別に、非晶質シリコン太陽
電池を形成する場合、薄膜の積層構造を連続的に形成す
るために、多室プラズマＣＶＤ装置を用いて生産性の向
上が図られている（文献：Ｆｉｒｅｓｔｅｒ，Ａ．
Ｈ．，ａｎｄ Ｃａｒｌｓｏｎ，Ｄ．Ｅ．（１９８
３）．ＲＣＡ Ｅｎｇ．２８，４０）。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
特開昭５９−１７０８２０号公報のプラズマＣＶＤ法を
使った製造方法では、ＳｉＨ₄ やＳｉＦ₄ 等の半導体用
特殊材料ガスを原料として使用しているため、製造を安
全に且つ環境汚染防止に努めながら行うには、製造装置
と共に排ガス処理装置等の設備が必要になる。したがっ
て、このようにプラズマＣＶＤ法では、作業環境の安全
性確保のためには製造設備費用、維持管理費用が増大
し、製造コストを思うように削減できていない。

【００１８】本発明は、上記課題に鑑みて成されたもの
で、安全な作業環境を保つと共に、製造工程を簡略化し
て製造コストを低減できる液晶ライトバルブの製造方法
を提案することを目的としている。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶ライトバル
ブの製造方法は、上記の課題を解決するために、基板間
に液晶層を挟持した一対の透光性基板を有し、一方の基
板における基板対向面には、透光性導電膜、シリコンを
主成分とする非晶質半導体からなる光導電体膜、遮光膜
及び光反射膜の少なくとも一方、及び配向膜がほぼ全面
に順に形成されている液晶ライトバルブの製造方法にお
いて、上記透光性導電膜、光導電体膜、遮光膜及び／又
は光反射膜のうちの少なくとも３層の連続する膜を物理
的気相成長法を用いて透光性基板上に連続して形成し、
その際、光導電体膜と、遮光膜及び／又は光反射膜とを
マスク成膜してパターン化することを特徴としている。

【００２０】

【００２１】本発明の液晶ライトバルブの製造方法は、
上記の課題を解決するために、 基板間に液晶層を挟持
した一対の透光性基板を有し、一方の基板における基板
対向面には、透光性導電膜、シリコンを主成分とする非
晶質半導体からなる光導電体膜、遮光膜及び光反射膜の
少なくとも一方、及び配向膜がほぼ全面に順に形成され
ている液晶ライトバルブの製造方法において、上記透光
性導電膜、光導電体膜、遮光膜及び／又は光反射膜のう
ちの少なくとも３層の連続する膜を物理的気相成長法を
用いて透光性基板上に連続して形成した後、さらに連続
して、光導電体膜、遮光膜及び／又は光反射膜を選択性
ドライエッチングしてパターン化することを特徴として
いる。

【００２２】本発明の液晶ライトバルブの製造方法は、
上記の課題を解決するために、上記の液晶ライトバルブ
の製造方法において、物理的気相成長法としてスパッタ
法又は電子サイクロトロン共鳴スパッタ法を用いること
を特徴としている。

【００２３】

【作用】上記の構成によれば、透光性導電膜、光導電体
膜、遮光膜及び／又は光反射膜のうちの少なくとも３層
の連続する膜は、物理的気相成長法を用いて透光性基板
上に形成されるので、薄膜材料として固体を使うことが
でき、特殊材料ガスを使う必要がないため、安全な作業
環境を実現することができる。これにより、従来のプラ
ズマＣＶＤ法を用いていた場合のように、排ガス処理装
置等の設備を必要としない。

【００２４】また、構成している層の少なくとも３層以
上を物理的気相成長法で連続的に形成すると、各層毎で
形成方法が異なっていた場合のように、薄膜作成用真空
装置への基板出し入れや、昇温・降温を繰り返す必要が
なく、ゴミ等の付着による歩留まり低下や作成時間が長
くかかることによる製造コストの上昇という問題点を解
決して、作成時間の短縮及び歩留まりの向上が可能とな
る。

【００２５】この結果、安全な作業環境を保つと共に、
製造工程を簡略化して製造コストを大幅に削減すること
ができる。

【００２６】また、上記の少なくとも３層の連続する膜
を物理的気相成長法を用いて連続して形成する際、光導
電体膜と、遮光膜及び／又は光反射膜とを、マスク成膜
してパターン化するので、液晶ライトバルブからの電極
取り出しが容易になり、電極取り出しのための別工程が
不要になる。これにより、さらなる製造工程の簡略化と
製造時間の短縮とが図れると共に、歩留まり向上も図
れ、液晶ライトバルブの製造コストをより一層低減する
ことができる。

【００２７】あるいは、上記の構成によれば、上記の少
なくとも３層の連続する膜を物理的気相成長法を用いて
連続して形成した後、さらに連続して、光導電体膜、遮
光膜及び／又は光反射膜を選択性ドライエッチングして
パターン化するので、液晶ライトバルブからの電極取り
出しが容易になり、電極取り出しのための別工程が不要
になる。これにより、さらなる製造工程の簡略化と製造
時間の短縮とが図れると共に、歩留まり向上も図れ、液
晶ライトバルブの製造コストをより一層低減することが
できる。

【００２８】上記の構成によれば、さらに、物理的気相
成長法としてスパッタ法又は電子サイクロトロン共鳴ス
パッタ法を用いるようになっている。特に電子サイクロ
トロン共鳴スパッタ法（以下、ＥＣＲ−ＳＰ法と略記す
る）に使われるＥＣＲイオン源は低ガス圧力で高イオン
化プラズマが生成でき、低エネルギーで且つ大イオン電
流照射ができるため、反応性の高い成膜が可能であると
共に、低温成膜が可能で、且つ内部応力が低い成膜が可
能である等の特徴を有している。したがって、作成条件
を調整することで透光性導電膜、光導電体膜、遮光膜、
光反射膜を低温で密着性良く作成することができる。

【００２９】

【実施例】

〔実施例１〕本発明の一実施例を、図１ないし図６に基
づいて説明すれば以下の通りである。本実施例に係る液
晶ライトバルブの製造方法により作製された液晶ライト
バルブ１００は、図２に示すように、例えば投影型表示
装置の光変調器として用いられるものである。

【００３０】まず始めに、この投影型表示装置の構成及
びその動作を簡単に説明する。

【００３１】投影型表示装置は、上記液晶ライトバルブ
１００と共に、書き込み用光源２、第１及び第２のレン
ズ３・５、及び画像書き込み用液晶パネル４からなる書
き込み光学系１と、偏光ビームスプリッタ６と、投射レ
ンズ７と、スクリーン８と、第３レンズ９と、投影用ラ
ンプ１０とを備えている。

【００３２】これにおいて、書き込み用光源２から光が
出射されると、その出射光は、第１及び第２のレンズ３
・５、及び画像書き込み用液晶パネル４を通って液晶ラ
イトバルブ１００上に結像する。これにより、液晶ライ
トバルブ１００には、画像書き込み用液晶パネル４の画
像に応じた画像が書き込まれることとなる。

【００３３】このように画像が書き込まれた液晶ライト
バルブ１００に、投影用ランプ１０からの光が第３レン
ズ９及び偏光ビームスプリッタ６を介して入射すると、
この入射光は、液晶ライトバルブ１００における後述す
る誘電体ミラー１０５（図３参照）によって反射され
る。この反射光のうち、液晶層１０８（図３参照）の配
向状態が変化している部分を透過した光のみ、電気光学
効果によって偏光方向が変化するので、偏光ビームスプ
リッタ６を透過することができる。偏光ビームスプリッ
タ６を透過した反射光は、投射レンズ７によって拡大さ
れてスクリーン８上に結像し、こうして液晶ライトバル
ブ１００に書き込まれた画像がスクリーン８に投影され
ることとなる。

【００３４】次に、上記液晶ライトバルブ１００の構成
を図３を用いて説明する。図に示すように、液晶ライト
バルブ１００は、一対のガラス基板（透光性基板）１０
１ａ・１０１ｂを備えている。このうち、光入射側に配
されるガラス基板１０１ｂの上には、透明電極（透光性
導電膜）１０２ｂ、光導電体層（光導電体膜）１０３、
遮光層（遮光膜）１０４、誘電体ミラー（光反射膜）１
０５、及び配向膜１０６ｂが順に形成され、他方、光出
射側に配されるガラス基板１０１ａの上には、透明電極
１０２ａ、配向膜１０６ａが形成されている。

【００３５】上記透明電極１０２ａ・１０２ｂは、ＩＴ
Ｏ透明導電膜からなり、スパッタ法にて形成され、膜厚
は約０.2μｍである。光導電体層１０３は、非晶質水素
化シリコンカーバイト（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）からなり、反
応性スパッタ法にて形成され、膜厚は約６μｍである。
遮光層１０４は、非晶質水素化シリコン錫（ａ−ＳｉＳ
ｎ：Ｈ）からなり、反応性スパッタ法にて形成され、膜
厚は約１.2μｍである。誘電体ミラー１０５は、二酸化
チタン／二酸化シリコンが交互に合計１０層積層された
多層膜からなり、反応性スパッタ法にて形成されてい
る。

【００３６】これら一対のガラス基板１０１ａ・１０１
ｂは、スペーサ１０７を介して外周側が貼り合わされ、
基板間に液晶層１０８としてネマチック液晶が注入・封
止されている。

【００３７】上記液晶ライトバルブ１００のセル厚は約
４μｍである。尚、動作モードとしては、例えばハイブ
リッド電界効果（ＨＦＥ）モードが用いられている。

【００３８】このような構造を有する液晶ライトバルブ
１００の透明電極１０２ａ・１０２ｂ間には、交流電源
１０９によって交流電圧が印加される。ガラス基板１０
１ｂ側からアドレス光Ｌ₁ が入射すると、光の当たった
領域（明状態）では、光導電体層１０３のインピーダン
スが減少し、交流電源１０９によって印加された電圧は
液晶層１０８に加わる。一方、光の当たらない領域（暗
状態）では、光導電体層１０３のインピーダンスは変化
せず液晶層１０８には電圧が加わらない。この明状態と
暗状態の違いにより液晶層１０８にアドレス光Ｌ₁ に対
応した画像情報が形成されることとなる。

【００３９】次に、このような液晶ライトバルブ１００
の製造工程を順を追って説明する。尚、本実施例では、
液晶ライトバルブ１００を６枚一括して生産するように
なっており、図１に示す大型のガラス基板１０１を使用
している。

【００４０】まず、ガラス基板１０１を２枚用意し、一
方のガラス基板１０１の上にＩＴＯ透明導電膜からなる
透明電極１０２ａをスパッタ法を用いて形成する。

【００４１】次に、もう一枚のガラス基板１０１の上
に、同じくスパッタ法を用いてＩＴＯ透明導電膜からな
る透明電極１０２ｂを形成し、続けて、この透明電極１
０２ｂの上に、光導電体層１０３、遮光層１０４、誘電
体ミラー１０５をスパッタ法（物理的気相成長法）を用
いてマスク成膜にて一定形状に連続形成する。このよう
な透明電極１０２ｂ、光導電体層１０３、遮光層１０
４、及び誘電体ミラー１０５の連続形成は、図１に示す
成膜用スパッタ装置２０にて行われる。

【００４２】成膜用スパッタ装置２０は、第１ないし第
５の成膜室２２・２４・２５・２６・２７、仕込み室２
１、基板搬送室２３、トレイ搬送室２８、取り出し室２
９、及びトレイ準備室３０を備えている。上記第１成膜
室２２は、透明電極１０２ｂを形成するための成膜室、
第２成膜室２４は、光導電体層１０３を形成するための
成膜室、第３成膜室２５は、遮光層１０４を形成するた
めの成膜室、第４及び第５の成膜室２６・２７は、誘電
体ミラー１０５を形成するための成膜室である。

【００４３】上記第１ないし第５の成膜室２２・２４・
２５・２６・２７は、何れもほぼ同じ構成を有したスパ
ッタ装置からなる。例えば第１成膜室２２は、図４に示
すように、反応チャンバ２２ａ内に、スパッタターゲッ
トであるＩＴＯターゲット１６を備え、この対向位置に
基板トレイ１３に支持されたガラス基板１０１が配置さ
れるようになっている。そして、薄膜形成時、この反応
チャンバー２２ａ内には、ガス導入管１７から所定のガ
スが導入されると共に、ＩＴＯターゲット１６のベース
プレート１６ａに、交流電源１８から高周波電力が印加
されるようになっている。

【００４４】また、上記第１成膜室２２で使用される基
板トレイ１３は、図５（ａ)(ｂ）に示すように、中央部
に開口部１３ａが形成された枠体からなる。これを使用
した場合、ガラス基板１０１の周端部を除く全面に薄膜
が形成される。

【００４５】一方、第２ないし第５の成膜室２４〜２７
で使用されるマスク成膜用トレイ１４は、図６（ａ)
(ｂ）に示すように、パネル単位に応じた６個の開口部
１４ａ…が形成されている。これを使用した場合、ガラ
ス基板１０１には開口部１４ａに応じた一定形状の薄膜
が形成される。

【００４６】このような成膜用スパッタ装置２０を用い
て成膜するにあたり、まず、図１に示すように、基板ト
レイ１３にガラス基板１０１を取り付け、仕込み室２１
にこの基板トレイ１３を装填して仕込み室２１内を真空
排気し、ガラス基板１０１を所定温度に加熱する。真空
排気及び基板加熱完了後、基板トレイ１３ごとガラス基
板１０１を図示しない搬送手段を用いて第１成膜室２２
に搬送し、反応チャンバ２２ａ内にガス導入管１７から
アルゴンガス（Ａｒ），酸素（Ｏ₂ ）を流しながら交流
電源１８から高周波電力を印加して、ＩＴＯターゲット
１６をスパッタし、透明電極１０２ｂとしてのＩＴＯ透
明導電膜をガラス基板１０１上に形成する（図４参
照）。

【００４７】ＩＴＯ透明導電膜形成後、基板トレイ１３
上のガラス基板１０１を、基板搬送室２３内の基板搬送
ロボット１５を使って、第２成膜室２４内にあるマスク
成膜用トレイ１４に取り付け、光導電体膜１０３として
のａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を形成する。ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜は、
基板温度３００℃で、Ａｒ，水素ガス（Ｈ₂ ），メタン
ガス（ＣＨ₄ ）を流し、Ａｒ：Ｈ₂ ：ＣＨ₄ ＝１０：
３：１とし、シリコンターゲットを反応性スパッタリン
グすることで作成する。

【００４８】次に、このガラス基板１０１をマスク成膜
用トレイ１４ごと第３成膜室２５に搬送し、遮光層１０
４としてのａ−ＳｉＳｎ膜を形成する。ａ−ＳｉＳｎ膜
は、基板温度２８０℃で、Ａｒ，Ｈ₂ ガス雰囲気中、水
素分圧比Ｈ₂ ／（Ｈ₂ ＋Ａｒ）＝０.3とし、シリコンと
錫をモル比で１：１に混合して形成したターゲットを反
応性スパッタリングすることで作成する。尚、マスク成
膜用トレイ１４がガラス基板１０１と共に第３成膜室２
５に移動された後は、トレイ準備室３０から第２成膜室
２４に別のマスク成膜用トレイ１４が供給されるように
なっており、これにて連続して成膜できるようになって
いる。

【００４９】第３成膜室２５にて遮光層１０４が形成さ
れると、次に、このガラス基板１０１をマスク成膜用ト
レイ１４ごと第４成膜室２６に搬送し、二酸化シリコン
の薄膜を形成し、続けて第５成膜室２７に搬送して二酸
化チタンの薄膜を形成する。この後、トレイ搬送室２８
を通して再び第４成膜室２６にマスク成膜用トレイ１４
ごとガラス基板１０１を搬送して同じ成膜を繰り返し、
二酸化シリコン／二酸化チタンを連続して合計１０層形
成し、これにて誘電体ミラー１０５が形成される。二酸
化シリコン・二酸化チタンの各薄膜は、Ａｒ，Ｏ₂ の雰
囲気中、反応性スパッタリングすることで形成する。こ
こで、原料ターゲットとしては、二酸化チタン、二酸化
シリコンをそれぞれ用い、基板温度２８０℃、二酸化チ
タン作成時の酸素分圧Ｏ₂ ／（Ｏ₂ ＋Ａｒ）＝０.1５、
二酸化シリコン作成時の酸素分圧０.0５とする。

【００５０】成膜完了後は取り出し室２９にマスク成膜
用トレイ１４ごとガラス基板１０１を搬送し、常圧に戻
した後、ガラス基板１０１を取り出す。

【００５１】こうして、ガラス基板１０１の上に、透明
電極１０２ｂ、光導電体層１０３、遮光層１０４、誘電
体ミラー１０５までが連続して形成されると、誘電体ミ
ラー１０５の上に、配向膜１０６ｂとしてポリイミド膜
を印刷法によって形成し、ラビングによる分子配向処理
を施す。

【００５２】また、もう一方のガラス基板１０１の透明
電極１０２ａ上にも同様の方法で配向膜１０６ａを形成
する。

【００５３】その後、これら一対のガラス基板１０１・
１０１を、各パネル単位でスペーサ１０７を介して貼り
合わせ、個々の単位に分断した後、液晶層１０８として
ネマチック液晶を注入し、封止する。こうして液晶ライ
トバルブ１００が製造される。

【００５４】このように、本実施例では、成膜用スパッ
タ装置２０を用いて、ガラス基板１０１の上に、透明電
極１０２ｂ、光導電体層１０３、遮光層１０４、誘電体
ミラー１０５を物理的気相成長法としてのスパッタ法に
て形成するので、薄膜材料として固体のターゲットを使
うことができ、特殊材料ガスを使う必要がないため、安
全な作業環境を実現することができる。これにより、従
来のプラズマＣＶＤ法を用いていた場合のように、排ガ
ス処理装置等の設備が必要なくなる。

【００５５】また、一台の成膜用スパッタ装置２０を用
いて透明電極１０２ｂ、光導電体層１０３、遮光層１０
４、及び誘電体ミラー１０５までを連続して形成するよ
うになっているので、各層毎で作成方法が異なっていた
場合のように、薄膜作成用真空装置への基板出し入れ
や、昇温・降温を繰り返す必要がなく、ゴミ等の付着に
よる歩留まり低下や作成時間が長くかかることによる製
造コストの上昇という問題点を解決して、作成時間の短
縮及び歩留まりの向上を図ることができる。

【００５６】この結果、安全な作業環境を保つと共に、
製造工程を簡略化して製造コストを大幅に削減すること
が可能となる。

【００５７】しかも、本実施例の成膜用スパッタ装置２
０においては、光導電体層１０３、遮光層１０４、及び
誘電体ミラー１０５の３層をマスク成膜し、透明電極１
０２ｂの電極の取り出しまでも１台の成膜用スパッタ装
置２０にて行うようになっているので、電極取り出しが
容易になり、電極取り出しのための別工程が不要にな
る。したがって、さらなる製造工程の簡略化と製造時間
の短縮、及び歩留まり向上が図れ、より一層のコスト削
減が可能となる。

【００５８】〔変形例〕前記実施例１の一変形例 を図７ないし図９に基づいて説
明すれば以下の通りである。尚、説明の便宜上、前記の
実施例１にて示した部材と同一の機能を有する部材に
は、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

【００５９】本変形例に係る液晶ライトバルブの製造方
法により作製された図７に示す液晶ライトバルブ３００
も、前記の実施例１における液晶ライトバルブ１００と
同様に、例えば投影型表示装置の光変調器として用いら
れるものである。

【００６０】液晶ライトバルブ３００は、透明電極１０
２ｂがＩＴＯ積層透明導電膜１０２ｂ’とＳｎＯ₂ 透明
導電膜１０２ｂ”との２層からなり、また誘電体ミラー
１０５が除かれている点が、前記実施例１の液晶ライト
バルブ１００と異なる。上記ＩＴＯ積層透明導電膜１０
２ｂ’はスパッタ法にて形成され、膜厚は約１０００Å
である。ＳｎＯ₂ 透明導電膜１０２”は、反応性スパッ
タ法にて形成され、膜厚は３００Åである。また、この
液晶ライトバルブ３００の場合、光導電体層１０３は、
非晶質水素化シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなり、反応
性スパッタ法にて形成され、膜厚は約７μｍである。遮
光層１０４は、非晶質水素化シリコンゲルマニウム（ａ
−ＳｉＧｅ：Ｈ）からなり、反応性スパッタ法にて形成
され、膜厚は約１.5μｍである。

【００６１】また、前記の実施例１における液晶ライト
バルブ１００と同様に、上記液晶ライトバルブ３００の
セル厚は約４μｍであり、動作モードとしては、例えば
ハイブリッド電界効果（ＨＦＥ）モードが用いられてい
る。

【００６２】次に、このような液晶ライトバルブ３００
の製造工程を説明する。但し、大型のガラス基板１０１
を用いて量産することや、配向膜１０６ａ・１０６ｂの
形成、ガラス基板１０１・１０１同士の貼り合わせ、液
晶層１０８の注入・封止等は、前記の実施例１の液晶ラ
イトバルブ１００の製造工程と同じであるので、ここで
は省略する。

【００６３】本変形例の液晶ライトバルブの製造方法に
おいては、液晶ライトバルブ３００における光入射側に
配されるガラス基板１０１ｂの上に、透明電極１０２ｂ
（１０２ｂ’・１０２ｂ”）、光導電体層１０３、遮光
層１０４を連続して形成すると共に、真空中で光導電体
層１０３、遮光層１０４をレーザー光によって蒸発させ
てパターン化し、透明電極１０２ｂの電極取り出しま
で、図８に示す一台の連続成膜用スパッタ装置４００を
用いて行うようになっている。

【００６４】成膜用スパッタ装置４００は、第１ないし
第４の成膜室４０２・４０３・４０４・４０５、仕込み
室４０１、レーザーパターニング室４０６、及び取り出
し室４０７を備えている。

【００６５】上記第１成膜室４０２は、透明電極１０２
ｂとしてのＩＴＯ積層透明導電膜１０２ｂ’を形成する
ための成膜室、上記第２成膜室４０３は、透明電極１０
２ｂとしてのＳｎＯ₂ 透明導電膜１０２ｂ”を形成する
ための成膜室、上記第３成膜室４０４は、光導電体層１
０３を形成するための成膜室、第４成膜室４０５は、遮
光層１０４を形成するための成膜室である。上記第１な
いし第４の成膜室４０２・４０３・４０４・４０５は、
実施例１における第１成膜室２２と同様の構成を有して
いる。

【００６６】一方、レーザーパターニング室４０６に
は、レーザー装置４０９から出射されたレーザー光が、
反射ミラー４０８と集光レンズ４１０とを介して入射さ
れるようになっている。レーザー装置４０９から出射さ
れるレーザー光は、光導電体層１０３、遮光層１０４で
吸収されるものである。

【００６７】このような連続成膜用スパッタ装置４００
を用いて成膜するにあたり、まず、図８に示すように、
基板トレイ１３にガラス基板１０１を取り付け、仕込み
室４０１にこの基板トレイ１３を装填して仕込み室４０
１内を真空排気し、ガラス基板１０１を所定温度に加熱
する。次に、基板トレイ１３ごとガラス基板１０１を図
示しない搬送手段を用いて第１成膜室４０２に搬送し、
Ａｒ，Ｏ₂ を流しながら高周波電力を印加して、ＩＴＯ
ターゲットをスパッタし、透明電極１０２ｂとしてのＩ
ＴＯ積層透明導電膜１０２ｂ’をガラス基板１０１上に
形成する。

【００６８】続いて、基板トレイ１３ごとガラス基板１
０１を、第２成膜室４０３に搬送し、Ａｒ，Ｏ₂ を流し
ながら高周波電力を印加して、ＳｂドープしたＳｎＯ₂
ターゲットをスパッタし、透明電極１０２ｂとしてのＳ
ｎＯ₂ 透明導電膜１０２ｂ”を、ＩＴＯ積層透明導電膜
１０２ｂ’の上に形成する。

【００６９】次いで、基板トレイ１３ごとガラス基板１
０１を第３成膜室４０４、第４成膜室４０５へと順に搬
送し、光導電体膜１０３としてのａ−Ｓｉ：Ｈ膜、遮光
層１０４としてのａ−ＳｉＧｅ：Ｈ膜を形成する。ここ
までの工程で、ガラス基板１０１は、図９（ａ）に示す
ような構成となる。

【００７０】第４成膜室４０５にて遮光層１０４が形成
されると、次に、このガラス基板１０１を基板トレイ１
３ごとレーザーパターニング室４０６に搬送し、レーザ
ー装置４０９からのレーザー光にて、ガラス基板１０１
全面に連続して形成された透明電極１０２ｂ（１０２
ｂ’・１０２ｂ”）、光導電体層１０３、遮光層１０４
のうち、電極取り出し部分の光導電体層１０３としての
ａ−Ｓｉ：Ｈ膜と遮光層１０４としてのａ−ＳｉＧｅ：
Ｈ膜とを蒸発させてパターン化し、透明電極１０２ｂの
電極の取り出しを行う。ここまでの工程により、ガラス
基板１０１は、図９（ｂ）に示すような構成となる。

【００７１】その後、取り出し室４０７にガラス基板１
０１を基板トレイ１３ごと搬送し、常圧に戻した後、ガ
ラス基板１０１を取り出す。

【００７２】このようにしてガラス基板１０１ｂの上
に、ＩＴＯ積層透明導電膜１０２ｂ’とＳｎＯ₂ 透明導
電膜１０２ｂ”の２層からなる透明電極１０２ｂ、光導
電体層１０３、遮光層１０４を連続形成し、レーザー光
を用いてパターン化することでも前記の実施例１の場合
と同様の効果を得ることができる。

【００７３】〔実施例２〕 本発明の他の実施例を図１０ないし図１４に基づいて説
明すれば以下の通りである。尚、説明の便宜上、前記の
実施例１にて示した部材と同一の機能を有する部材に
は、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

【００７４】本実施例に係る液晶ライトバルブの製造方
法により作製された図１０に示す液晶ライトバルブ２０
０も、前記の実施例１における液晶ライトバルブ１００
と同様に、例えば投影型表示装置の光変調器として用い
られるものである。

【００７５】液晶ライトバルブ２００は、前記の実施例
１の液晶ライトバルブ１００における誘電体ミラー１０
５が除かれた構成である。また、この液晶ライトバルブ
２００の場合、透明電極１０２ａ・１０２ｂは、ＳｎＯ
₂ 透明導電膜からなる。光導電体層１０３は、非晶質水
素化シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなり、ＥＣＲ−ＳＰ
法にて形成され、膜厚は約６μｍである。遮光層１０４
は、非晶質水素化シリコンゲルマニウム（ａ−ＳｉＧ
ｅ：Ｈ）からなり、ＥＣＲ−ＳＰ法にて形成され、膜厚
は約１μｍである。

【００７６】また、前記の実施例１における液晶ライト
バルブ１００と同様に、上記液晶ライトバルブ２００の
セル厚は約４μｍであり、動作モードとしては、例えば
ハイブリッド電界効果（ＨＦＥ）モードが用いられてい
る。

【００７７】次に、このような液晶ライトバルブ２００
の製造工程を説明する。但し、大型のガラス基板１０１
を用いて量産することや、配向膜１０６ａ・１０６ｂの
形成、ガラス基板１０１・１０１同士の貼り合わせ、液
晶層１０８の注入・封止等は、前記の実施例１の液晶ラ
イトバルブ１００の製造工程と同じであるので、ここで
は省略する。

【００７８】本実施例の液晶ライトバルブの製造方法に
おいては、液晶ライトバルブ２００における光入射側に
配されるガラス基板１０１ｂの上に、透明電極１０２
ｂ、光導電体層１０３、遮光層１０４を連続して形成す
ると共に、光導電体層１０３、遮光層１０４を選択性エ
ッチングして、透明電極１０２ｂの電極取り出しまで、
図１１に示す一台の枚葉式スパッタ装置５０を用いて行
うようになっている。

【００７９】枚葉式スパッタ装置５０は、基板搬送用ロ
ボット５３を備えた基板搬送室５２の周囲に、仕込み室
５１、第１ないし第３の成膜室５４・５５・５６、エッ
チング室５７、及び取り出し室５８が配されている。

【００８０】第１成膜室５１は前記の実施例１における
第１成膜室２２と同様の構成を有しており、スパッタ法
にてＳｎＯ₂ 膜を作成し、透明電極１０２ｂを形成する
成膜室である。一方、第２成膜室５５及び第３成膜室５
６は、ＥＣＲ−ＳＰ法を用いて光導電体層１０３、遮光
層１０４をそれぞれ形成する成膜室であり、図１２に示
すＥＣＲ−ＳＰ装置６０を備えている。

【００８１】ここで、ＥＣＲ−ＳＰ法での成膜について
説明する。一般には、ＥＣＲ−ＳＰ法は次のように行
う。プラズマ室６１にＡｒ等のガスを導入口６２を通し
て導入し１０^-5〜１０^-3Ｔｏｒｒの圧力に設定する。マ
イクロ波（２．４５ＧＨｚ）電力６３を導波管６４を介
してプラズマ室６１に投入すると共に磁気コイル６６か
ら８７５ガウスの磁束密度を与えることで電子サイクロ
トロン共鳴（ＥＣＲ）条件に設定してプラズマを生成す
る。磁気コイル６６による磁界分布はプラズマ室６１か
ら反応室６５内の基板ホルダ６９の方向に弱くなる発散
磁場の構成になるよう設計されており、ＥＣＲにより高
速に円運動する電子は基板ホルダ６９の方向に運動し、
その結果プラズマ流６７が基板ホルダ６９に保持された
ガラス基板１０１表面に到達する。

【００８２】このプラズマ流６７を取り囲むようにスパ
ッタターゲット６８を配置し、スパッタ電源７１を投入
し、プラズマ流６７中の一部のイオンを利用してスパッ
タリングを行う。スパッタ粒子はプラズマ流６７中を通
過しガラス基板１０１の表面に供給される。成膜時に、
反応性ガスを導入することで反応性ガスイオンの低エネ
ルギーイオン照射ができ反応性スパッタ膜が形成でき
る。

【００８３】一方、エッチング室５７は、光導電体層１
０３及び遮光層１０４を所定の形状に選択性エッチング
処理を施してパターン化する室であり、図１３に示すエ
ッチング装置８０からなる。エッチング装置８０は、反
応チャンバ８０ａ内に、マスク上下機構８１と、マスク
８２とが設けられており、電極８４・８５間に交流電源
８３から高周波電力を印加してドライエッチングを行う
ようになっている。

【００８４】このような枚葉式スパッタ装置５０を用い
て成膜するにあたり、まず、図１１に示すように、ガラ
ス基板１０１を仕込み室５１に装填し、真空排気完了
後、ガラス基板１０１を基板搬送室５２内の基板搬送ロ
ボット５３を使って、第１成膜室５４に搬送し、Ａｒ，
Ｏ₂ を流しながら高周波電力を加えて、Ｓｂドープした
ＳｎＯ₂ ターゲットをスパッタし、透明電極１０２ｂと
してのＳｎＯ₂ 透明導電膜をガラス基板１０１上に形成
する。

【００８５】ＳｎＯ₂ 透明導電膜形成後、ガラス基板１
０１を第２成膜室５５に搬送し、ＥＣＲ−ＳＰ法を用い
て光導電体層１０３としてのａ−Ｓｉ：Ｈ膜を形成す
る。ａ−Ｓｉ：Ｈ膜は、基板温度２００℃で、導入ガス
としてＡｒ，Ｈ₂ を使い、水素分圧比Ｈ₂ ／（Ｈ₂ ＋Ａ
ｒ）＝０.1とし、シリコンターゲットを用いてスパッタ
リングすることで作成する。

【００８６】次に、ガラス基板１０１を第３成膜室５６
に搬送し、ＥＣＲ−ＳＰ法で遮光膜としてのａ−ＳｉＧ
ｅ：Ｈ膜を形成する。基板温度２００℃で、Ａｒ，Ｈ₂
を導入して水素分圧比を０．２とし、シリコンとゲルマ
ニウムの混合ターゲットをスパッタリングすることで作
成する。ここまでの工程で、ガラス基板１０１は、図１
４（ａ）に示すような構成となる。

【００８７】次に、ガラス基板１０１をエッチング室５
７に搬送し、選択性エッチングにより電極取り出し部分
における光導電体層１０３としてのａ−Ｓｉ：Ｈ膜と遮
光層１０４としてのａ−ＳｉＧｅ：Ｈ膜を蒸発させてパ
ターン化し、透明電極１０２ｂの電極の取り出しを行
う。つまり、ガラス基板１０１をエッチング室５７に装
填後、マスク上下機構８１によりマスク８２をガラス基
板１０１に１ｍｍ以下に近接又は密着させ、Ｏ₂ とＣＦ
₄ を流し、Ｏ₂ ／（Ｏ₂ ＋ＣＦ₄ ）＝０.1５とし、電極
８４・８５間に高周波電力を印加してエッチングを行い
ＳｎＯ₂ 電極の取り出しを行う。ここまでの工程によ
り、ガラス基板１０１は、図１４（ｂ）に示すような構
成となる。

【００８８】次に、ガラス基板１０１を取り出し室５８
に搬送し、常圧に戻した後ガラス基板１０１を取り出
す。

【００８９】このようにしてガラス基板１０１ｂの上
に、透明電極１０２ｂ、光導電体層１０３、遮光層１０
４を連続形成し、パターン化することでも前記の実施例
１の場合と同様の効果を得ることができる。

【００９０】しかも、この場合、ＥＣＲ−ＳＰ法を用い
ており、ＥＣＲイオン源は低ガス圧力で高イオン化プラ
ズマが生成でき、低エネルギーで且つ大イオン電流照射
ができるため、反応性の高い成膜が可能であると共に、
低温成膜が可能で、且つ内部応力が低い成膜が可能であ
る等の特徴を有している。したがって、作成条件を調整
することで光導電体層１０３、遮光層１０４を低温で密
着性良く作成することができ、光導電体層１０３や遮光
層１０４の性能が向上する。

【００９１】尚、本実施例では光導電体層１０３として
のａ−Ｓｉ：Ｈと、遮光層１０４としてのａ−ＳｉＳ
ｎ：ＨをＥＣＲ−ＳＰ法を用いて作成したが、反応性ス
パッタ法を用いることももちろん可能であり、また、反
射層を設けた構成では、反射層をＥＣＲ−ＳＰ法を用い
て作成することももちろん可能である。

【００９２】また、従来、液晶ライトバルブの光導電体
層の材料として使用されている材料中、ＣｄＳは有害物
質であり、また、ａ−Ｓｉ：Ｈは形成後の薄膜は無公害
物質だが、作成方法として一般にプラズマＣＶＤ法を用
いＳｉＨ₄ ガスを分解して作成するため、安全性確保の
ため設備の維持管理に多大な費用を要していたが、上記
した実施例１・変形例・実施例２では、ａ−ＳｉＣ：Ｈ
やａ−Ｓｉ：Ｈを、物理的気相成長法としてのスパッタ
法、ＥＣＲ−ＳＰ法を用いて原料として安全な固体材料
を使って成膜しているので、安全に光導電性のよい良質
な光導電体層１０３を形成することが可能となってい
る。

【００９３】また、従来、光導電体層の材料としてケイ
酸ビスマス（Ｂｉ₁₂ＳｉＯ₂₀）結晶を使う方法もある
が、薄膜化が困難なため解像度の向上が難しく、また結
晶を使うため大型基板を作ることができず、量産性が悪
く製造コストが増大するという問題があったが、上記の
実施例１・変形例・実施例２に記載したように光導電体
層１０３を形成することで、解像度の優れた液晶ライト
バルブを量産することができる。

【００９４】尚、実施例１・変形例・実施例２において
液晶ライトバルブ１００・３００・２００の光導電体層
１０３としては、ａ−ＳｉＣ：Ｈやａ−Ｓｉ：Ｈを用い
たが、これら以外に非晶質水素化シリコンオキサイド
（ａ−ＳｉＯ：Ｈ）、非晶質水素化シリコンナイトライ
ド（ａ−ＳｉＮ：Ｈ）、非晶質水素化シリコンゲルマニ
ウム（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ）などのシリコンを主成分とす
る非晶質半導体材料を用いることもできる。

【００９５】また、従来、遮光層の材料の性能として使
用されている材料中、ＣｄＴｅは有害物質であり、ま
た、ａ−ＳｉＦ：Ｈは形成後の薄膜は無公害物質である
が原料ガスとしてＳｉＦ₄ を使うため安全性確保のため
設備の維持管理に多大な費用を要するが、上記した実施
例１・変形例・実施例２では、ａ−ＳｉＳｎ：Ｈ、ａ−
ＳｉＧｅ：Ｈをスパッタ法、ＥＣＲ−ＳＰ法を用いて原
料として安全な固体材料を使って成膜しているので、安
全な環境下で、遮光層を作成することができる。また、
従来の遮光層に顔料分散型有機材料を使う場合に比べ、
上記した実施例１・変形例・実施例２では、光導電体層
１０３と遮光層１０４の膨張係数が近いため、層間の密
着性を向上させることができる。

【００９６】また、各実施例における液晶ライトバルブ
１００・２００・３００の液晶表示モードであるが、ネ
マチック液晶を用いた場合には上記したハイブリッド電
界効果モードの他に、相転移モード、ツイステッドネマ
チックモード、動的散乱モード、ゲストホストモードが
利用できる。また、スメクチック液晶を用いた場合、複
屈折モード、ゲストホストモード、光散乱モードが利用
でき、このほかに強誘電性液晶も利用できる。

【００９７】

【発明の効果】本発明の液晶ライトバルブの製造方法
は、以上のように、透光性導電膜、光導電体膜、遮光膜
及び／又は光反射膜のうちの少なくとも３層の連続する
膜を物理的気相成長法を用いて透光性基板上に連続して
形成する際、光導電体膜と、遮光膜及び／又は光反射膜
とをマスク成膜してパターン化するものである。

【００９８】これによれば、透光性導電膜、光導電体
膜、遮光膜及び／又は光反射膜のうちの少なくとも３層
の連続する膜は、物理的気相成長法を用いて透光性基板
上に形成されるので、薄膜材料として固体を使うことが
でき、特殊材料ガスを使う必要がないため、安全な作業
環境を実現することができる。これにより、従来のプラ
ズマＣＶＤ法を用いていた場合のように、排ガス処理装
置等の設備が必要ない。

【００９９】また、構成している層の少なくとも３層以
上を物理的気相成長法で連続的に作成すると、各層毎で
作成方法が異なっていた場合のように、薄膜作成用真空
装置への基板出し入れや昇温、降温を繰り返す必要がな
く、ゴミ等の付着による歩留まり低下や作成時間が長く
かかることによる製造コストの上昇という問題点を解決
して、作成時間の短縮及び歩留まりの向上が可能とな
る。

【０１００】その結果、安全な作業環境を保つと共に、
製造工程を簡略化して製造コストを大幅に削減すること
ができるという効果を奏する。

【０１０１】

【０１０２】また、上記の少なくとも３層の連続する膜
を物理的気相成長法を用いて連続して形成する際、光導
電体膜と、遮光膜及び／又は光反射膜とを、マスク成膜
してパターン化するので、液晶ライトバルブからの電極
取り出しが容易になり、電極取り出しのための別工程が
不要になる。それゆえ、さらなる製造工程の簡略化と製
造時間の短縮とが図れると共に、歩留まり向上も図れ、
液晶ライトバルブの製造コストをより一層低減すること
ができるという効果を上記の効果に加えて奏する。

【０１０３】本発明の液晶ライトバルブの製造方法は、
以上のように、透光性導電膜、光導電体膜、遮光膜及び
／又は光反射膜のうちの少なくとも３層の連続する膜を
物理的気相成長法を用いて透光性基板上に連続して形成
した後、さらに連続して、光導電体膜、遮光膜及び／又
は光反射膜を選択性ドライエッチングしてパターン化す
るものである。

【０１０４】これによれば、上記の少なくとも３層の連
続する膜を物理的気相成長法を用いて連続して形成した
後、さらに連続して、光導電体膜、遮光膜及び／又は光
反射膜を選択性ドライエッチングしてパターン化するの
で、液晶ライトバルブからの電極取り出しが容易にな
り、電極取り出しのための別工程が不要になる。これに
より、さらなる製造工程の簡略化と製造時間の短縮とが
図れると共に、歩留まり向上も図れ、液晶ライトバルブ
の製造コストをより一層削減することができるという効
果を上記の効果に加えて奏する。

【０１０５】本発明の液晶ライトバルブの製造方法は、
以上のように、上記の液晶ライトバルブの製造方法にお
いて、物理的気相成長法としてスパッタ法又は電子サイ
クロトロン共鳴スパッタ法を用いるものである。

【０１０６】特にＥＣＲ−ＳＰ法に使われるＥＣＲイオ
ン源は低ガス圧力で高イオン化プラズマが生成でき、低
エネルギーで且つ大イオン電流照射ができるため、反応
性の高い成膜が可能であると共に、低温成膜が可能で、
且つ内部応力が低い成膜が可能である等の特徴を有して
いる。したがって、作成条件を調整することで透光性導
電膜、光導電体膜、遮光膜、光反射膜を低温で密着性良
く作成することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における液晶ライトバルブの
製造方法を実施して、液晶ライトバルブを作製する成膜
用スパッタ装置の構成図である。

【図２】上記液晶ライトバルブを用いた投影型表示装置
の構成図である。

【図３】上記液晶ライトバルブの断面図である。

【図４】上記成膜用スパッタ装置における成膜室の構成
図である。

【図５】上記成膜用スパッタ装置にて使用される基板ト
レイを示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図で
ある。

【図６】上記成膜用スパッタ装置にて使用されるマスク
成膜用トレイを示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は
断面図である。

【図７】本発明の実施例の一変形例における液晶ライト
バルブの製造方法により作製された液晶ライトバルブの
断面図である。

【図８】上記液晶ライトバルブを製造する連続成膜用ス
パッタ装置の構成図である。

【図９】（ａ）はレーザーパターニングを実施する前の
ガラス基板の断面図であり、（ｂ）はレーザーパターニ
ング後のガラス基板の断面図である。

【図１０】本発明の他の実施例における液晶ライトバル
ブの製造方法により作製された液晶ライトバルブの断面
図である。

【図１１】上記液晶ライトバルブを製造する枚葉式スパ
ッタ装置の構成図である。

【図１２】上記枚葉式スパッタ装置に備えられたＥＣＲ
−ＳＰ成膜室の構成図である。

【図１３】上記枚葉式スパッタ装置に備えられたエッチ
ング室の構成図である。

【図１４】（ａ）はエッチング処理を実施する前のガラ
ス基板の断面図であり、（ｂ）はエッチング処理後のガ
ラス基板の断面図である。

【図１５】従来の液晶ライトバルブの断面図である。

【符号の説明】

１００ 液晶ライトバルブ １０１ａ ガラス基板（透光性基板） １０１ｂ ガラス基板（透光性基板） １０２ａ 透明電極（透光性導電膜） １０２ｂ 透明電極（透光性導電膜） １０２ｂ’ ＩＴＯ積層透明導電膜 １０２ｂ” ＳｎＯ₂ 透明導電膜 １０３ 光導電体層（光導電体膜） １０４ 遮光層（遮光膜） １０５ 誘電体ミラー（光反射膜） １０６ａ 配向膜 １０６ｂ 配向膜 １０８ 液晶層 ２００ 液晶ライトバルブ ３００ 液晶ライトバルブ

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板間に液晶層を挟持した一対の透光性基
   板を有し、一方の基板における基板対向面には、透光性
   導電膜、シリコンを主成分とする非晶質半導体からなる
   光導電体膜、遮光膜及び光反射膜の少なくとも一方、及
   び配向膜がほぼ全面に順に形成されている液晶ライトバ
   ルブの製造方法において、 上記透光性導電膜、光導電体膜、遮光膜及び／又は光反
   射膜のうちの少なくとも３層の連続する膜を物理的気相
   成長法を用いて透光性基板上に連続して形成し、その
   際、光導電体膜と、遮光膜及び／又は光反射膜とをマス
   ク成膜してパターン化することを特徴とする液晶ライト
   バルブの製造方法。
2. 【請求項２】基板間に液晶層を挟持した一対の透光性基
   板を有し、一方の基板における基板対向面には、透光性
   導電膜、シリコンを主成分とする非晶質半導体からなる
   光導電体膜、遮光膜及び光反射膜の少なくとも一方、及
   び配向膜がほぼ全面に順に形成されている液晶ライトバ
   ルブの製造方法において、 上記透光性導電膜、光導電体膜、遮光膜及び／又は光反
   射膜のうちの少なくとも３層の連続する膜を物理的気相
   成長法を用いて透光性基板上に連続して形成した後、さ
   らに連続して、光導電体膜、遮光膜及び／又は光反射膜
   を選択性ドライエッチングしてパターン化することを特
   徴とする 液晶ライトバルブの製造方法。
3. 【請求項３】物理的気相成長法としてスパッタ法又は電
   子サイクロトロン共鳴スパッタ法を用いることを特徴と
   する上記請求項１又は２記載の液晶ライトバルブの製造
   方法。