JPS63253924A - ライトバルブ及びその製造法 - Google Patents
ライトバルブ及びその製造法Info
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- JPS63253924A JPS63253924A JP62088092A JP8809287A JPS63253924A JP S63253924 A JPS63253924 A JP S63253924A JP 62088092 A JP62088092 A JP 62088092A JP 8809287 A JP8809287 A JP 8809287A JP S63253924 A JPS63253924 A JP S63253924A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
-
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- G02F1/1352—Light-reflecting layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はライトバルブの拾遺とその製造法に関する。
本発明は、ライトバルブにおいて、光導電層と光反射膜
をシリコンの同族化合物により形成することにより、耐
環境性に優れ、ラビング等による配向処理に適した硬度
を持つ光反射膜の供給を可能にする。また、本発明のラ
イトバルブの製造法は、光導電層と光反射膜が、シリコ
ンの同族化合物により形成されるという点に竹目し、光
導電層と光反１１Ｊ膜を同一の処理装置内において一連
の工程として作製することにより、成膜工程の面素化を
可能とするとともに、光導電層、光反（１１１１２の汚
染を減少することを可能にする。
をシリコンの同族化合物により形成することにより、耐
環境性に優れ、ラビング等による配向処理に適した硬度
を持つ光反射膜の供給を可能にする。また、本発明のラ
イトバルブの製造法は、光導電層と光反射膜が、シリコ
ンの同族化合物により形成されるという点に竹目し、光
導電層と光反１１Ｊ膜を同一の処理装置内において一連
の工程として作製することにより、成膜工程の面素化を
可能とするとともに、光導電層、光反（１１１１２の汚
染を減少することを可能にする。
従来のライトバルブは特開昭５９−２１Ｇ１２Ｇに示さ
れている（１が造を有する。
れている（１が造を有する。
光導電層に要求される条件は、書き込み光として用いら
れるレーザー等の光源の波長に対する光感量率が大きい
事で、従来は、アモリファスシリコン、ＣｄＳ等が用い
られていた。
れるレーザー等の光源の波長に対する光感量率が大きい
事で、従来は、アモリファスシリコン、ＣｄＳ等が用い
られていた。
また、光反射膜は、光導電層が光感量率が高い波長帯の
光に対する反射率が十分高く、読み出し光による光Ｊ４
電層の抵抗減少を阻１１−することが必要である。また
書き込み先が照射された部分のみの液晶層に、液晶駆動
に要する電圧が加わる様にするために、高抵抗率である
必要がある。
光に対する反射率が十分高く、読み出し光による光Ｊ４
電層の抵抗減少を阻１１−することが必要である。また
書き込み先が照射された部分のみの液晶層に、液晶駆動
に要する電圧が加わる様にするために、高抵抗率である
必要がある。
この様な条件を満すものの従来例として、ＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ ｃｌｃｃｔｒｏ
ｎ ｄｅｖｉｃｅｓ、 Ｖｏｌ。
Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ ｃｌｃｃｔｒｏ
ｎ ｄｅｖｉｃｅｓ、 Ｖｏｌ。
Ｅ ｌ） −２２、Ｎ ｏ Ｏ（１０７５） ｒ １
’ ｂ ｏ ｔ ｏ ａｃ ｔ ｉ ｖ ａ ｔ ｃ
ｄ Ｄ旨ｃｆｒｉｒｚｒｃｎｔＬ ｉ ｑ ｕ ｉ ｄ
−Ｃｒ ｙ ｓ ｔ ａ ｌ Ｌ ｉ ｇｈ ｔ
Ｖａｌｖｃ ｆｏｒ Ｃｏ１ｏｒ Ｓｙｍｂｏ
ｌ。
’ ｂ ｏ ｔ ｏ ａｃ ｔ ｉ ｖ ａ ｔ ｃ
ｄ Ｄ旨ｃｆｒｉｒｚｒｃｎｔＬ ｉ ｑ ｕ ｉ ｄ
−Ｃｒ ｙ ｓ ｔ ａ ｌ Ｌ ｉ ｇｈ ｔ
Ｖａｌｖｃ ｆｏｒ Ｃｏ１ｏｒ Ｓｙｍｂｏ
ｌ。
ｇｙ ＤｉｓｐｌａｙＪに示されている如＜ＺｎＳと
Ｎ、、Ａ１１”、もしくは、Ｔ、０．と５ｌＯ３による
多層膜が用いられていた。
Ｎ、、Ａ１１”、もしくは、Ｔ、０．と５ｌＯ３による
多層膜が用いられていた。
しかしながら従来例では、アモルファスシリコンとＳ、
０！を除いては構成元素がまちまちであり、光導電層を
作製する工程と光反射膜の各層を作製する工程を別々の
工程として行なうか、もしくは、多種類の蒸発源もしく
は反応ガス供給源を持った装置を用いて各月を作製する
必要があるとと６に、各層を作製するための条件を複雑
に操作する必要があり、工程数の簡素化、生産性の向上
にはおのずから限界がある。また、各層の作製を同一の
装置内で行なうことが不可能な場合は、各層を形成した
後大気中に取り出す必要が生じると、とがあり、大気に
よる形成膜の汚染が考えられる。
０！を除いては構成元素がまちまちであり、光導電層を
作製する工程と光反射膜の各層を作製する工程を別々の
工程として行なうか、もしくは、多種類の蒸発源もしく
は反応ガス供給源を持った装置を用いて各月を作製する
必要があるとと６に、各層を作製するための条件を複雑
に操作する必要があり、工程数の簡素化、生産性の向上
にはおのずから限界がある。また、各層の作製を同一の
装置内で行なうことが不可能な場合は、各層を形成した
後大気中に取り出す必要が生じると、とがあり、大気に
よる形成膜の汚染が考えられる。
さらに、液晶の配向を向上させるために必要なラビング
等に耐え得る硬度を持つミラー形成が困難な場合もある
。
等に耐え得る硬度を持つミラー形成が困難な場合もある
。
本発明のライトバルブは次の事を特徴とする。
（１ン 一対の透明ｆ［２極、前記透明電極間に１Ｆ
人された光導電層、液晶層、及び光反射膜から成るライ
トバルブおいて、前記光導電層と前記光反ｆｌＪＩ１２
が、シリコンの同族化合物から成る。
人された光導電層、液晶層、及び光反射膜から成るライ
トバルブおいて、前記光導電層と前記光反ｆｌＪＩ１２
が、シリコンの同族化合物から成る。
（２） 前記光導電層がアモルファスシリコンカラ成り
、前記光反射膜が炭化ケイ索とアモリファスシリコンを
交互に積層した多層膜から成る。
、前記光反射膜が炭化ケイ索とアモリファスシリコンを
交互に積層した多層膜から成る。
（３） 前記光導電層がアモルファスシリコン−ゲル
マニウムから成り、前記光反射膜が炭化ケイ素とアモル
ファスシリコンを交互に４ｉＩ層した多層膜から成る。
マニウムから成り、前記光反射膜が炭化ケイ素とアモル
ファスシリコンを交互に４ｉＩ層した多層膜から成る。
さらに本発明のライトバルブの製造法は、（ａ）透明電
極を設けたガラス基板上に、シリコンのト４族化合物か
ら成る光導電層を形成する］工程。
極を設けたガラス基板上に、シリコンのト４族化合物か
ら成る光導電層を形成する］工程。
（ｂ）前記光ノ４電ロ上に光反射膜の第一のｔ１■成要
索としてシリコンの同族化合物層を形成する工程。
索としてシリコンの同族化合物層を形成する工程。
（ｃ）前記工程ｂ）により形成されたシリコンの同族化
合物層−Ｌに、他のシリコンの同族化合物層を形成し、
光反射膜の第二の（１が成要素とする工程。
合物層−Ｌに、他のシリコンの同族化合物層を形成し、
光反射膜の第二の（１が成要素とする工程。
（ｄ）所望の光反射率を有する光反射膜とするために、
前記工程ｂ）及びＣ）を複数回繰り返し多層膜を形成す
る工程。
前記工程ｂ）及びＣ）を複数回繰り返し多層膜を形成す
る工程。
（ｅ）前記多層股上に、透明電極をｆ１′シたガラス基
板をスペーサーを介して取り付ける工程。
板をスペーサーを介して取り付ける工程。
（ｆ）前記先攻ｔｌＪ ）２と前機工程Ｃ）により取り
付けたガラス基板間の空間に液晶を封入する工程。
付けたガラス基板間の空間に液晶を封入する工程。
前記上ｆ′ｌａ＞ 、ｌ）） 、Ｃ） 、及びｄ）の工
程を同一の処理装置内において一連の工程として処理し
た後、Ｃ）、ｆ）の工程を行なうことを特徴とする。
程を同一の処理装置内において一連の工程として処理し
た後、Ｃ）、ｆ）の工程を行なうことを特徴とする。
本発明の上記の１１カ成によれば、光導電層にレーザー
光による書き込み光が入射すると、古き込み光が当った
部分のみの光導電層の抵抗が減少し、この抵抗の減少し
た光導電層と透明電極間に位置する液晶に加わる電圧は
、光導電層の抵抗減少により液晶を駆動する電圧以上と
なり、液晶は、他の部分と異なった方向に配向する。こ
の特続み出し光を古き込み光き反対の方向から入射する
と、吉き込み光を照射したことにより配向方向の異なっ
た液晶の部分に入射した読み出し光は、先攻ｒ１１膜で
反射され出力する間に、液晶の配向によりリターデーシ
ｇ／を受ＬＪる。一方、上記以外の部分に人ＱＪ した
読み出し光は液晶によるリターデーションを受けずにそ
のまま光反射膜で反射され出力する。従って、ＥＴき込
み光が入ＱＪ した部分に対応する液晶層に入射した読
み出し光と他の読み出し光は偏光方向が異なるため、偏
光板等を通ずことにより、書き込み光が入射した部分を
画素として判別できる。
光による書き込み光が入射すると、古き込み光が当った
部分のみの光導電層の抵抗が減少し、この抵抗の減少し
た光導電層と透明電極間に位置する液晶に加わる電圧は
、光導電層の抵抗減少により液晶を駆動する電圧以上と
なり、液晶は、他の部分と異なった方向に配向する。こ
の特続み出し光を古き込み光き反対の方向から入射する
と、吉き込み光を照射したことにより配向方向の異なっ
た液晶の部分に入射した読み出し光は、先攻ｒ１１膜で
反射され出力する間に、液晶の配向によりリターデーシ
ｇ／を受ＬＪる。一方、上記以外の部分に人ＱＪ した
読み出し光は液晶によるリターデーションを受けずにそ
のまま光反射膜で反射され出力する。従って、ＥＴき込
み光が入ＱＪ した部分に対応する液晶層に入射した読
み出し光と他の読み出し光は偏光方向が異なるため、偏
光板等を通ずことにより、書き込み光が入射した部分を
画素として判別できる。
本来先導電層は、書き込ろ光にも読ろ出し光にも反応す
るはずであるが、光反射膜により読み出し先はすべて反
射され、光導電層側からは遮光膜として働くため、光導
電層は亡き込み光のみに応答する。
るはずであるが、光反射膜により読み出し先はすべて反
射され、光導電層側からは遮光膜として働くため、光導
電層は亡き込み光のみに応答する。
また、本発明の上記の製造法によれば、光４層と光反射
膜がシリコンの同族化合物により形成されているので、
同一の処理ＨＤｌ内に“おいて、蒸発源もしくは反応ガ
スの切り換えだけにより光［ｆ［ｆ居と光反射膜を形成
することができる。
膜がシリコンの同族化合物により形成されているので、
同一の処理ＨＤｌ内に“おいて、蒸発源もしくは反応ガ
スの切り換えだけにより光［ｆ［ｆ居と光反射膜を形成
することができる。
第１図（ａ）は本発明の実施例によるライトバルブ、第
１図（ｂ）は本発明の実施例に関する光導電層と先攻り
ｔ ＋ａである。
１図（ｂ）は本発明の実施例に関する光導電層と先攻り
ｔ ＋ａである。
第１図（ａ）において１０１と１０１′はガラス等の透
明基板、１０２と１０２′はＩＴＯ（１ｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）等の透明型４Ｍ、１０３はアモ
ルファスシリコンの光導電層、１０４は光反射膜、１０
５は液晶、１００．１０６′はスペーサーである。
明基板、１０２と１０２′はＩＴＯ（１ｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）等の透明型４Ｍ、１０３はアモ
ルファスシリコンの光導電層、１０４は光反射膜、１０
５は液晶、１００．１０６′はスペーサーである。
第１図（ｂ）は第１図（ａ）の光導電ＦＪ１０３と先攻
ＱＪＩ２１０４の詳細な構成であり、１０４゜は炭化ケ
イ素、１０４ｂはアモルファスシリコンである。
ＱＪＩ２１０４の詳細な構成であり、１０４゜は炭化ケ
イ素、１０４ｂはアモルファスシリコンである。
光導電層のアモルファスシリコンは成瞑条件によって決
まるある波長λをピークに、比較的広域な可視域に光感
受性を示す。先攻ＩＲｆｌは、読み出し光のうちで、ア
モルファスシリコ／が光感受性を示す波長領域のほぼ１
００％を反射し、読み出し光による光導電層の抵抗減少
を防ぐ必要がある。光反射膜の構成要素である炭化ケイ
素とアモルファスシリコンの膜厚ｄは、光シク電層のア
モルファスシリコンの光感量率が最大になる波長λにお
ける光反射率が最大となるよう ｄ＝１／ｎ λ／４ によって決める。ここでｎはアモルファスシリコンもし
くは炭化ケイ素の屈折率である。本実施例におけるアモ
ルファスシリコンにはλ＝５５０ｎｍに光〔量率のピー
クを持つため、炭化ケイ素の膜ａは、炭化ケイ素の屈折
率が約２．８であることから、約５０ｎｍに設定する。
まるある波長λをピークに、比較的広域な可視域に光感
受性を示す。先攻ＩＲｆｌは、読み出し光のうちで、ア
モルファスシリコ／が光感受性を示す波長領域のほぼ１
００％を反射し、読み出し光による光導電層の抵抗減少
を防ぐ必要がある。光反射膜の構成要素である炭化ケイ
素とアモルファスシリコンの膜厚ｄは、光シク電層のア
モルファスシリコンの光感量率が最大になる波長λにお
ける光反射率が最大となるよう ｄ＝１／ｎ λ／４ によって決める。ここでｎはアモルファスシリコンもし
くは炭化ケイ素の屈折率である。本実施例におけるアモ
ルファスシリコンにはλ＝５５０ｎｍに光〔量率のピー
クを持つため、炭化ケイ素の膜ａは、炭化ケイ素の屈折
率が約２．８であることから、約５０ｎｍに設定する。
アモルファスシリコンは屈折率が約３．４であるので膜
厚は４゜ｎｍに設定する。炭化ケイ素とアモルファスシ
リコンは交互に４’ｌ ＡＭし、λ＝５５０ｎｍ以外の
波長での反射率を向上させるために、１ｏ層以上の多層
膜とすることにより、読み出し光による光導電層の抵抗
変化を防止しうる良好な光反射膜を得る。
厚は４゜ｎｍに設定する。炭化ケイ素とアモルファスシ
リコンは交互に４’ｌ ＡＭし、λ＝５５０ｎｍ以外の
波長での反射率を向上させるために、１ｏ層以上の多層
膜とすることにより、読み出し光による光導電層の抵抗
変化を防止しうる良好な光反射膜を得る。
上述した炭化ケイ素、アモルファスシリコンのＩｈ２厚
ハ、 光Ｃ電層のアモルファスシリコンの光ＦＡ受量率
ピークがλ＝５５０ｎｍにあった場合に筬応するもので
あるが、本実施例はそのＩｎを限定するものではなく、
光導電層の成膜条件によって決る光感量率がピークを示
す波長に適合する様に適宜設定する。また、多層膜の層
積数も、光導電層の光感量率に合わせ適宜設定するもの
でありその数を限定するものではない。
ハ、 光Ｃ電層のアモルファスシリコンの光ＦＡ受量率
ピークがλ＝５５０ｎｍにあった場合に筬応するもので
あるが、本実施例はそのＩｎを限定するものではなく、
光導電層の成膜条件によって決る光感量率がピークを示
す波長に適合する様に適宜設定する。また、多層膜の層
積数も、光導電層の光感量率に合わせ適宜設定するもの
でありその数を限定するものではない。
本発明の他の実施例として光導電層にアモルファスシリ
コン・ゲルマニウムを用い、光反ロア１１２は炭化ケイ
素とアモルファスシリコンの多層膜によって形成するも
のも考えられる。その場合における炭化ゲイ？９Ｂの膜
１７、アモルファスシリコン層の膜厚は、アモルファス
シリコン・ゲルマニウムの光感量率が最大となる波長に
合わせて決定し、積后数も光感量率に合わせて、十分な
遮光性が得られる数とする。
コン・ゲルマニウムを用い、光反ロア１１２は炭化ケイ
素とアモルファスシリコンの多層膜によって形成するも
のも考えられる。その場合における炭化ゲイ？９Ｂの膜
１７、アモルファスシリコン層の膜厚は、アモルファス
シリコン・ゲルマニウムの光感量率が最大となる波長に
合わせて決定し、積后数も光感量率に合わせて、十分な
遮光性が得られる数とする。
次に製造法を説明する８第１図（ｃ）は本発明の実施例
によるライトバルブの’／Ｊ Ｃ法である。
によるライトバルブの’／Ｊ Ｃ法である。
透明電極を有したガラス基板上に光Ｊσ電層を形成し、
次に光反射膜の第一の（１カ成要索として炭化ケイ素層
を形成した後、先攻ｑ１膜の第二の１１が成要索として
アモルファスシリコン層を形成する。この光反射膜のｔ
ｌが成要索である炭化ケイ素層とアモルファスシリコン
層を形成する工ｆ’Ｊを交互に複数回繰り返し最後に炭
化ケイ階層を形成し、ＩＴｒ望の先攻口１膜とする。そ
の後、配向処理を行ない液晶を封入しライトバルブを得
る。
次に光反射膜の第一の（１カ成要索として炭化ケイ素層
を形成した後、先攻ｑ１膜の第二の１１が成要索として
アモルファスシリコン層を形成する。この光反射膜のｔ
ｌが成要索である炭化ケイ素層とアモルファスシリコン
層を形成する工ｆ’Ｊを交互に複数回繰り返し最後に炭
化ケイ階層を形成し、ＩＴｒ望の先攻口１膜とする。そ
の後、配向処理を行ない液晶を封入しライトバルブを得
る。
高周波スパッタにより作製したＩＴＯから成る透明電極
を打するガラス基板」二に、アモルファスシリコンもし
くはアモルファスシリコン・ゲルマニウムから成る光導
電層、炭化ケイ素とアモルファスシリコンから成る光反
射膜を作製する方法としては、プラズマＣＶＤ法等が考
えられる。プラズマＣＶＤによる製膜条件は表■に示す
通りである。
を打するガラス基板」二に、アモルファスシリコンもし
くはアモルファスシリコン・ゲルマニウムから成る光導
電層、炭化ケイ素とアモルファスシリコンから成る光反
射膜を作製する方法としては、プラズマＣＶＤ法等が考
えられる。プラズマＣＶＤによる製膜条件は表■に示す
通りである。
表 １
光４電居としてアモルファスシリコンを作製する場合に
は反応ガスとして５ｉ１１．／Ｉ１．を用い、アモルフ
ァスシリコン・ゲルマニラムラ作”Ａする場合にはＳ
ｉ １１４ ／ＩＩｓ ＋Ｇ ｅ Ｉｌａを用いる。光
反射膜層の炭化ケイ素は、反応ガスとしてＳ ３１１ａ
／ＩＬ ＋Ｃｌ１ａを用い、アモルファスシリコンは
光導電層の場合同様５ｉｌｌ−／ＩＩ、を反応ガスとし
て用いる。従って第１図（ｃ）に示した製造工程の中で
光導電層を作製する工程と、先攻０（痕を作製するため
に炭化ケイ素とアモルファスシリコンを交互に積層し多
層膜とする工程は同一のプラズマＣＶＤ装置内で反応ガ
スをリノり換えることにより一連の工程として行なう。
は反応ガスとして５ｉ１１．／Ｉ１．を用い、アモルフ
ァスシリコン・ゲルマニラムラ作”Ａする場合にはＳ
ｉ １１４ ／ＩＩｓ ＋Ｇ ｅ Ｉｌａを用いる。光
反射膜層の炭化ケイ素は、反応ガスとしてＳ ３１１ａ
／ＩＬ ＋Ｃｌ１ａを用い、アモルファスシリコンは
光導電層の場合同様５ｉｌｌ−／ＩＩ、を反応ガスとし
て用いる。従って第１図（ｃ）に示した製造工程の中で
光導電層を作製する工程と、先攻０（痕を作製するため
に炭化ケイ素とアモルファスシリコンを交互に積層し多
層膜とする工程は同一のプラズマＣＶＤ装置内で反応ガ
スをリノり換えることにより一連の工程として行なう。
次に電気光学材料として液晶を用いるために、他に月１
ｌｌｆｆしたＩＴＯから成る透明電極を打したガラス基
板と、前記した反射股上にポリイミドをスピ／フートシ
、ラビングをすることにより配向処理を行なう。これら
基板間にスペーサーを配置し基板を対向させ周辺を固む
し、スペーサーにより作られた空域に液晶を封入する。
ｌｌｆｆしたＩＴＯから成る透明電極を打したガラス基
板と、前記した反射股上にポリイミドをスピ／フートシ
、ラビングをすることにより配向処理を行なう。これら
基板間にスペーサーを配置し基板を対向させ周辺を固む
し、スペーサーにより作られた空域に液晶を封入する。
本実施例では液晶として強誘電性液晶であるＤＯＵＡＭ
ＩＩＣ（１）−ｄｃｃｙｌｏｘｙｂｅｎｚｙｌ １ｄｃ
ｎｃＰ’ ａｍｉｎｏ−２−ｍｃｔｂｙｌｂｕｔｙ
ｌｃｉｎｎａｍａｔｅ）を用いた。
ＩＩＣ（１）−ｄｃｃｙｌｏｘｙｂｅｎｚｙｌ １ｄｃ
ｎｃＰ’ ａｍｉｎｏ−２−ｍｃｔｂｙｌｂｕｔｙ
ｌｃｉｎｎａｍａｔｅ）を用いた。
この様な生産性の高い工程により作製されたライトバル
ブは、化学的に安定な材料を用いているため動作の信頼
性が高い。数十Ｖの電源電圧を印加したところ光ビーム
により画像の書き込みが行なわれた。
ブは、化学的に安定な材料を用いているため動作の信頼
性が高い。数十Ｖの電源電圧を印加したところ光ビーム
により画像の書き込みが行なわれた。
第２図（ａ）は本発明の他の実施例によるライトバルブ
の光導電層と光反射膜を示したものであり、第２図（ａ
）以外の（１カ成は第１図（ａ）と同じである。第２図
（ａ）において、２０１は光導電層、２０２は光反射膜
、２０２ａは光反射膜の（１カ成要素であるアモルファ
スシリコンＡ？ｌ、２０２ｂは先攻ｒ１．を瞑の他の措
成要索である炭化シリコン層である。
の光導電層と光反射膜を示したものであり、第２図（ａ
）以外の（１カ成は第１図（ａ）と同じである。第２図
（ａ）において、２０１は光導電層、２０２は光反射膜
、２０２ａは光反射膜の（１カ成要素であるアモルファ
スシリコンＡ？ｌ、２０２ｂは先攻ｒ１．を瞑の他の措
成要索である炭化シリコン層である。
第２図（ａ）に示された光反射膜は、液晶に接する而が
アモルファスシリコン層になっており、配向処理に問題
がなければ光反射膜として採用するととも可能である。
アモルファスシリコン層になっており、配向処理に問題
がなければ光反射膜として採用するととも可能である。
第２図（ｂ）は本発明の他の実施例によるライトバルブ
のｒ！Ａ造法である。
のｒ！Ａ造法である。
第２図（ｂ）の製造法は、光反射膜の液晶に接する層が
アモルファスシリコンとなる様に、第１図（ｃ）におけ
る配向処理の前工程である炭化ケイ素層を形成する工程
が除かれている以外は、第１図（ｃ）と同じである。
アモルファスシリコンとなる様に、第１図（ｃ）におけ
る配向処理の前工程である炭化ケイ素層を形成する工程
が除かれている以外は、第１図（ｃ）と同じである。
以上に述べたように本発明は、光導電層と光反射膜の１
１が成要素が、シリコンもしくはシリコンの同族化合物
であるので、耐環境性に優れ、かつ、ラビング等による
配向処理に適した硬度を持っ先攻ｎＪ膜の（ＩＬ給をｉ
ｉＪ能とし、さらに、本発明のライトバルブの製造法に
よれば、同一の処ＦＩ！装置内で一連の工程として、光
導電層と光反射膜を作製することができ、工１１数のＥ
ＤＡ化を可能とするとともに、光導電に１、光反射膜
が大気によって汚染されることを防ぐことを可能にする
。
１が成要素が、シリコンもしくはシリコンの同族化合物
であるので、耐環境性に優れ、かつ、ラビング等による
配向処理に適した硬度を持っ先攻ｎＪ膜の（ＩＬ給をｉ
ｉＪ能とし、さらに、本発明のライトバルブの製造法に
よれば、同一の処ＦＩ！装置内で一連の工程として、光
導電層と光反射膜を作製することができ、工１１数のＥ
ＤＡ化を可能とするとともに、光導電に１、光反射膜
が大気によって汚染されることを防ぐことを可能にする
。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示すライトバルブの
主要断面図。 第１図（ｂ）は本発明の一実施例に閃るライトバルブの
光導電層と反射膜の主要断面図。 第１図（ｃ）は本発明の一実施例を示すライトバルブの
製造法を示す図。 第２図（ａ）は本発明の他の実施例によるライトバルブ
の光導電層と光反射膜の主要断面図。 第２１２１（ｂ）は本発明の他の実施例によるライトバ
ルブの製造法を示す図。 １０１．１０１′・・・ガラス基板 １０２．１０２’・・・透明電極 １０３・・・光導電層 １０４・・・光反０１股 １０４ａ・・・炭化ケイ素層 １０４ｂ・・・アモルファスシリコン層１０５・・・液
晶 ｔｏｅ、ＩＯＣ’ ・・・スペーサー 以 上 出１’１人 セイコーエプソン株式会社代理人 弁理士
最 上 務 他１名（υ （Ｊ）） 第１医 第１図 （α） （シ） 第２図
主要断面図。 第１図（ｂ）は本発明の一実施例に閃るライトバルブの
光導電層と反射膜の主要断面図。 第１図（ｃ）は本発明の一実施例を示すライトバルブの
製造法を示す図。 第２図（ａ）は本発明の他の実施例によるライトバルブ
の光導電層と光反射膜の主要断面図。 第２１２１（ｂ）は本発明の他の実施例によるライトバ
ルブの製造法を示す図。 １０１．１０１′・・・ガラス基板 １０２．１０２’・・・透明電極 １０３・・・光導電層 １０４・・・光反０１股 １０４ａ・・・炭化ケイ素層 １０４ｂ・・・アモルファスシリコン層１０５・・・液
晶 ｔｏｅ、ＩＯＣ’ ・・・スペーサー 以 上 出１’１人 セイコーエプソン株式会社代理人 弁理士
最 上 務 他１名（υ （Ｊ）） 第１医 第１図 （α） （シ） 第２図
Claims (4)
- （１）一対の透明電極、前記透明電極間に挿入された光
導電層、液晶層、及び光反射膜から成るライトバルブに
おいて、前記光導電層と前記光反射膜が、シリコンの同
族化合物から成ることを特徴とするライトバルブ。 - （２）前記光導電層がアモルファスシリコンから成り、
前記光反射膜が炭化ケイ素とアモルファスシリコンを交
互に積層した多層膜から成ることを特徴とする特許請求
第一項記載のライトバルブ。 - （３）前記光導電層がアモルファスシリコン・ゲルマニ
ウムから成り、前記光反射膜が炭化ケイ素とアモルファ
スシリコンを交互に積層した多層膜から成ることを特徴
とする特許請求第一項記載のライトバルブ。 - （４）（ａ）透明電極を設けたガラス基板上に、シリコ
ンの同族化合物から成る光導電層を形成する工程。 （ｂ）前記光導電層上に光反射膜の第一の構成要素とし
てシリコンの同族化合物層を形成する工程。 （ｃ）前記工程ｂ）により形成されたシリコンの同族化
合物層上に、他のシリコンの同族化合物層を形成し、光
反射膜の第二の構成要素とする工程。 （ｄ）所望の光反射率を有する光反射膜とするために、
前記工程ｂ）及びｃ）を複数回繰り返し多層膜を形成す
る工程。 （ｅ）前記多層膜上に、透明電極を有したガラス基板を
スペーサーを介して取り付ける工程。 （ｆ）前記光反射膜と前記工程ｅ）により取り付けたガ
ラス基板間の空間に液晶を封入する工程。 前記工程ａ）、ｂ）、ｃ）、及びｄ）の工程を同一の処
理理装置内において一連の工程として処理した後、ｅ）
、ｆ）の工程を行なうことを特徴とするライトバルブの
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088092A JPS63253924A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | ライトバルブ及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088092A JPS63253924A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | ライトバルブ及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63253924A true JPS63253924A (ja) | 1988-10-20 |
Family
ID=13933225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62088092A Pending JPS63253924A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | ライトバルブ及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63253924A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0372325A (ja) * | 1989-08-11 | 1991-03-27 | Sharp Corp | 光書込み形液晶表示装置 |
| JPH03221924A (ja) * | 1990-01-26 | 1991-09-30 | Victor Co Of Japan Ltd | 空間光変調器 |
| JPH03223814A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Victor Co Of Japan Ltd | 空間光変調器 |
| US5155609A (en) * | 1989-06-15 | 1992-10-13 | Victor Company Of Japan | Spatial light modulator of polymer-dispersed liquid crystal |
| US5245453A (en) * | 1989-08-11 | 1993-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal modulator having a photoconductor and/or a dielectric mirror composed of hydrogenated amorphous silicon carbide |
| US5324549A (en) * | 1991-12-18 | 1994-06-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of fabricating photoconductor coupled liquid crystal light valve |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP62088092A patent/JPS63253924A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155609A (en) * | 1989-06-15 | 1992-10-13 | Victor Company Of Japan | Spatial light modulator of polymer-dispersed liquid crystal |
| JPH0372325A (ja) * | 1989-08-11 | 1991-03-27 | Sharp Corp | 光書込み形液晶表示装置 |
| US5245453A (en) * | 1989-08-11 | 1993-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal modulator having a photoconductor and/or a dielectric mirror composed of hydrogenated amorphous silicon carbide |
| JPH03200934A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-09-02 | Sharp Corp | 光書き込み型液晶表示素子 |
| JPH03221924A (ja) * | 1990-01-26 | 1991-09-30 | Victor Co Of Japan Ltd | 空間光変調器 |
| JPH03223814A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Victor Co Of Japan Ltd | 空間光変調器 |
| US5324549A (en) * | 1991-12-18 | 1994-06-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of fabricating photoconductor coupled liquid crystal light valve |
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