JPH03107824A - 光書込型液晶ライトバルブ - Google Patents
光書込型液晶ライトバルブInfo
- Publication number
- JPH03107824A JPH03107824A JP24613589A JP24613589A JPH03107824A JP H03107824 A JPH03107824 A JP H03107824A JP 24613589 A JP24613589 A JP 24613589A JP 24613589 A JP24613589 A JP 24613589A JP H03107824 A JPH03107824 A JP H03107824A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- light valve
- layer
- crystal light
- photoconductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 21
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 claims description 11
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- -1 phenyl ester Chemical class 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- XEVIRQDFPGFYFL-UHFFFAOYSA-N 5-octoxynaphthalene-1-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(OCCCCCCCC)=CC=CC2=C1C(O)=O XEVIRQDFPGFYFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光プリンタの中間記録媒体9画面表示装置
、光シャッタ、画像処理装置、光情報処理システム等に
使用される光書込型液晶ライトバルブに関するものであ
る。
、光シャッタ、画像処理装置、光情報処理システム等に
使用される光書込型液晶ライトバルブに関するものであ
る。
本発明は暗時には高抵抗率、光照射時には高導電率を示
す高感度な光導電層と、双安定性を有する強誘電性液晶
とを組み合わせた光書込型液晶ライトバルブに関するも
のである。
す高感度な光導電層と、双安定性を有する強誘電性液晶
とを組み合わせた光書込型液晶ライトバルブに関するも
のである。
本発明の光書込型液晶ライトバルブは、光導電層として
は特に光感度が高< 、400〜650nmの波長領域
の光に対し、40%以上の光反射率を有すル水素化アモ
ルファスシリコン(a−3i:H)を使用することによ
り、従来の光書込型液晶ライトバルブに見られるような
誘電体ミラーを用いる必要をなくしたものである。本発
明によれば、抵抗値のコントロール、精密で複雑な薄膜
積層形成による誘電体ミラーの作成工程をはふき、直接
液晶層と光導電体が接触する構造となる為、解像度の高
い光書造画像を得ることができる。
は特に光感度が高< 、400〜650nmの波長領域
の光に対し、40%以上の光反射率を有すル水素化アモ
ルファスシリコン(a−3i:H)を使用することによ
り、従来の光書込型液晶ライトバルブに見られるような
誘電体ミラーを用いる必要をなくしたものである。本発
明によれば、抵抗値のコントロール、精密で複雑な薄膜
積層形成による誘電体ミラーの作成工程をはふき、直接
液晶層と光導電体が接触する構造となる為、解像度の高
い光書造画像を得ることができる。
本発明によるライトバルブを用いる事により、高精細な
画像表示が可能であり、書込み速度も速く動画表示可能
な光書込型画像投射装置を提供する事ができる。
画像表示が可能であり、書込み速度も速く動画表示可能
な光書込型画像投射装置を提供する事ができる。
光情報処理等に用いられる空間光変調器として、光導電
膜と液晶を組み合わせた小型化、低電圧駆動が可能な光
書込型液晶ライトバルブが考案され、一部実用化されて
いる。近年では、高速応答性。
膜と液晶を組み合わせた小型化、低電圧駆動が可能な光
書込型液晶ライトバルブが考案され、一部実用化されて
いる。近年では、高速応答性。
高分解能、高コントラストといった特性が期待される強
誘電性液晶を用いた光書込型液晶ライトバルブの研究が
盛んになってきた。
誘電性液晶を用いた光書込型液晶ライトバルブの研究が
盛んになってきた。
一般的には、液晶配向膜として基板の法線方向に対し7
5度から85度の範囲の角度で一酸化珪素を斜方蒸着し
た膜を用い、エステル系SmC液晶混合物に光学活性物
質を添加して強誘電性液晶組成物としたものを封入し、
双安定性を実現させている。
5度から85度の範囲の角度で一酸化珪素を斜方蒸着し
た膜を用い、エステル系SmC液晶混合物に光学活性物
質を添加して強誘電性液晶組成物としたものを封入し、
双安定性を実現させている。
光導電膜としては、液晶ライトバルブを作成する際の温
度(200℃程度)でも十分に安定で、暗時の抵抗率が
高く、光照射時の導電率の高い水素化アモルファスシリ
コン(a−3i:H)が使われ、該光導電膜と液晶配向
膜との間に遮光層、誘電体ミラーが積層、形成されてい
た。
度(200℃程度)でも十分に安定で、暗時の抵抗率が
高く、光照射時の導電率の高い水素化アモルファスシリ
コン(a−3i:H)が使われ、該光導電膜と液晶配向
膜との間に遮光層、誘電体ミラーが積層、形成されてい
た。
前述の光書込型液晶ライトバルブでは、光導電層の上に
屈折率の異なる2種類の誘電体を多層膜積層する事によ
り、誘電体ミラーを形成していた。
屈折率の異なる2種類の誘電体を多層膜積層する事によ
り、誘電体ミラーを形成していた。
−C的には、珪素(SL)と二酸化珪素(SiO□)を
7〜15N積層しており、この誘電体ミラーは液晶に比
べて抵抗率が大きく、このため分圧の際の抵抗値のコン
トロールが非常に困難であった。又、誘電体ミラーが光
導電層と液晶配向層との間に設けられている為、光導電
層に書込まれた像がミラーを通して液晶を反転させるこ
とになり、解像度を下げるという欠点も有していた。
7〜15N積層しており、この誘電体ミラーは液晶に比
べて抵抗率が大きく、このため分圧の際の抵抗値のコン
トロールが非常に困難であった。又、誘電体ミラーが光
導電層と液晶配向層との間に設けられている為、光導電
層に書込まれた像がミラーを通して液晶を反転させるこ
とになり、解像度を下げるという欠点も有していた。
上記問題を解決するために、本発明の液晶ライトバルブ
は400nmから650nmの波長領域の光に対し、4
0%以上の反射率を有する水素化アモルファスシリコン
の光導電層を用いることによって、液晶ライトバルブの
作成において誘電体ミラーの作成工程をはふき、且つ高
解像書込みを実現させたちのである。
は400nmから650nmの波長領域の光に対し、4
0%以上の反射率を有する水素化アモルファスシリコン
の光導電層を用いることによって、液晶ライトバルブの
作成において誘電体ミラーの作成工程をはふき、且つ高
解像書込みを実現させたちのである。
本発明の液晶ライトバルブは、高い反射率特性を有する
SL薄膜を用いて、光導電層の上に直接液晶配向層を作
成することにより、ライトバルブ作成の工程を簡略化し
、又、両側がら読むことができ、解像度の高い光書込画
像が得られる。このため、画像処理装置や光情報処理シ
ステム等に広く応用されることになると思われる。
SL薄膜を用いて、光導電層の上に直接液晶配向層を作
成することにより、ライトバルブ作成の工程を簡略化し
、又、両側がら読むことができ、解像度の高い光書込画
像が得られる。このため、画像処理装置や光情報処理シ
ステム等に広く応用されることになると思われる。
以下に本発明の内容を図面を用いて詳細に説明する。
第1図は、本発明による液晶ライトバルブの構造を示す
断面図である。ライトバルブの構造において従来例と異
なるのは、光導電層の水素化アモルファスシリコン膜が
光反射層として機能する事にある。
断面図である。ライトバルブの構造において従来例と異
なるのは、光導電層の水素化アモルファスシリコン膜が
光反射層として機能する事にある。
透明基板1,2は表面に透明電極3.4、液晶配向層5
.6が設けられている。透明基板1.2はその配向層5
.6をスペーサ7を介して対向さセ、強誘電性液晶層8
を挟持している。
.6が設けられている。透明基板1.2はその配向層5
.6をスペーサ7を介して対向さセ、強誘電性液晶層8
を挟持している。
光書込みを行う側の透明電極3の上では、光導電層9が
形成されている。
形成されている。
上記のような液晶ライトバルブによれば、外面からの書
込み光10によって強誘電性液晶層8に書込みが行われ
、また書込まれた光学情報は投影光11により読み出す
ことができる。
込み光10によって強誘電性液晶層8に書込みが行われ
、また書込まれた光学情報は投影光11により読み出す
ことができる。
実施例においては、先ず透明基板1.2として両面とも
λ/4以下に研磨された厚さ2amのガラス基板を用意
し、透明電極3.4として500人の厚さのITO透明
電極を形成した。
λ/4以下に研磨された厚さ2amのガラス基板を用意
し、透明電極3.4として500人の厚さのITO透明
電極を形成した。
光書送側透明電極層4上には、SiF、を主体とするガ
スを放電分解して厚さ4μmのイントリンシックな水素
化アモルファスシリコン(a−8i:H)を形成し、光
導電層9とした。光導電層9及び投影側の透明基板4上
に、−酸化珪素(Si0)を基板の法線方向に対して8
2度の角度で、且つ蒸着の法線方向にセントした膜厚計
で、2000人の厚さに斜方1着して液晶配向層5.6
を形成した。
スを放電分解して厚さ4μmのイントリンシックな水素
化アモルファスシリコン(a−8i:H)を形成し、光
導電層9とした。光導電層9及び投影側の透明基板4上
に、−酸化珪素(Si0)を基板の法線方向に対して8
2度の角度で、且つ蒸着の法線方向にセントした膜厚計
で、2000人の厚さに斜方1着して液晶配向層5.6
を形成した。
透明基板1,2はその配向層5,6を対向させ直径1.
5 μmのガラス球を加えた接着剤よりなるスペーサ7
を介して間隙を2.0μmに制御され接着し、強誘電性
液晶8を挟持するようにした。
5 μmのガラス球を加えた接着剤よりなるスペーサ7
を介して間隙を2.0μmに制御され接着し、強誘電性
液晶8を挟持するようにした。
ここで強誘電性液晶組成物は、エステル系SmCa11
品混合物として、4((4’−オクチル)フェニル)安
息香酸(3#−フルオロ、4“−オクチルオキシ)フェ
ニルエステルと、4−14’−オクチルオキシ)安息香
酸(3“−フルオロ4#オクチルオキシ)フェニルエス
テルを1=1に混合したものを用い、これに光学活性物
質として5−オクチルオキシナフタレンカルボン酸、1
シアノエチルエステルを、25重量%を加えて強誘電性
液晶組成物としたものを用いた。
品混合物として、4((4’−オクチル)フェニル)安
息香酸(3#−フルオロ、4“−オクチルオキシ)フェ
ニルエステルと、4−14’−オクチルオキシ)安息香
酸(3“−フルオロ4#オクチルオキシ)フェニルエス
テルを1=1に混合したものを用い、これに光学活性物
質として5−オクチルオキシナフタレンカルボン酸、1
シアノエチルエステルを、25重量%を加えて強誘電性
液晶組成物としたものを用いた。
第2図は、このようにして形成された光書込型液晶ライ
トバルブと、誘電体ミラーが設けられている従来の光書
込型液晶ライトバルブを用い、図に示すように、偏光顕
微鏡を使用したシステムによって、マスク12に形成さ
れた画像を液晶ライトバルブ13に光書込みを行った。
トバルブと、誘電体ミラーが設けられている従来の光書
込型液晶ライトバルブを用い、図に示すように、偏光顕
微鏡を使用したシステムによって、マスク12に形成さ
れた画像を液晶ライトバルブ13に光書込みを行った。
この場合、誘電体ミラーが設けられている液晶ライトバ
ルブに比べて、今回発明した液晶ライトバルブの方が、
解像度が良く、はっきりとした画像を得ることが可能で
あった。
ルブに比べて、今回発明した液晶ライトバルブの方が、
解像度が良く、はっきりとした画像を得ることが可能で
あった。
第3図は、光導電層としての水素化アモルファスシリコ
ンの分光反射率を示している。この図かられかるように
、波長が650nm以下の可視光であれば、反射率は4
0〜50%ある為、十分に反射層としての働きをするこ
とがわかった。
ンの分光反射率を示している。この図かられかるように
、波長が650nm以下の可視光であれば、反射率は4
0〜50%ある為、十分に反射層としての働きをするこ
とがわかった。
以上述べてきたように、本発明の液晶ライトバルブを用
いれば、書込まれた像がダイレクトに投影光により投影
される為にコントラストが高く、画像端面がシャープな
、高速、高解像、高信頼性の光書込型強誘電性液晶ライ
トバルブを実現でき、具体的には光プリンタの中間記録
媒体9画像表示装置、光シャッタ、画像処理装置、光情
報処理システム等への応用範囲を飛躍的に拡大すること
ができる。
いれば、書込まれた像がダイレクトに投影光により投影
される為にコントラストが高く、画像端面がシャープな
、高速、高解像、高信頼性の光書込型強誘電性液晶ライ
トバルブを実現でき、具体的には光プリンタの中間記録
媒体9画像表示装置、光シャッタ、画像処理装置、光情
報処理システム等への応用範囲を飛躍的に拡大すること
ができる。
第1図は本発明による液晶ライトバルブの構造を示す断
面図、第2図は本発明の液晶ライトバルブを用いた画像
書込み装置の光書込システム図、第3図は本発明の液晶
ライトバルブの光導電層の分光反射率特性図である。 1.2・・・・透明基板 3.4・・・・透明電極 5.6・・・・液晶配向層 7・・・・・・スペーサ 8・・・・・・強誘電性液晶層 9・・・・・・光Bii層 10・・・・・・書込み光 11・・・・・・投影光 12・・・・・・マスク 13・・・・・・光書込型液晶ライトバルブ14・・・
・・・温度コントローラ 15・・・・・・PINフォト 16・・・・・・ランプ 17・ ・ 18・ ・ 19・ ・ 20・ ・ 21・ 22・ ・ 断熱ボックス 偏光子 検光子 対物レンズ オシロスコープ 発振器 以上
面図、第2図は本発明の液晶ライトバルブを用いた画像
書込み装置の光書込システム図、第3図は本発明の液晶
ライトバルブの光導電層の分光反射率特性図である。 1.2・・・・透明基板 3.4・・・・透明電極 5.6・・・・液晶配向層 7・・・・・・スペーサ 8・・・・・・強誘電性液晶層 9・・・・・・光Bii層 10・・・・・・書込み光 11・・・・・・投影光 12・・・・・・マスク 13・・・・・・光書込型液晶ライトバルブ14・・・
・・・温度コントローラ 15・・・・・・PINフォト 16・・・・・・ランプ 17・ ・ 18・ ・ 19・ ・ 20・ ・ 21・ 22・ ・ 断熱ボックス 偏光子 検光子 対物レンズ オシロスコープ 発振器 以上
Claims (1)
- レーザビーム、LED等の光による書込手段と、光導
電層、液晶配向層、液晶層、電圧印加手段が形成された
光書込型液晶ライトバルブにおいて、該液晶層は光透過
率又は光反射率を印加電圧の間に双安定性を有する強誘
電性液晶であり、該光導電層は、400nmから650
nmの波長領域の光に対し、40%以上の反射率を有す
る水素化アモルファスシリコン層である事を特徴とする
光書込型液晶ライトバルブ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24613589A JPH03107824A (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 光書込型液晶ライトバルブ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24613589A JPH03107824A (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 光書込型液晶ライトバルブ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03107824A true JPH03107824A (ja) | 1991-05-08 |
Family
ID=17144003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24613589A Pending JPH03107824A (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 光書込型液晶ライトバルブ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03107824A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0566414A (ja) * | 1991-09-10 | 1993-03-19 | Victor Co Of Japan Ltd | カラー表示装置 |
US5615206A (en) * | 1992-08-05 | 1997-03-25 | Pioneer Electronic Corporation | Optical disk |
JP4697783B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-06-08 | 株式会社ミズホメディー | 検体検出用抽出容器 |
-
1989
- 1989-09-21 JP JP24613589A patent/JPH03107824A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0566414A (ja) * | 1991-09-10 | 1993-03-19 | Victor Co Of Japan Ltd | カラー表示装置 |
US5615206A (en) * | 1992-08-05 | 1997-03-25 | Pioneer Electronic Corporation | Optical disk |
JP4697783B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-06-08 | 株式会社ミズホメディー | 検体検出用抽出容器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4787713A (en) | Transparent laser-addressed liquid crystal light modulator cell | |
JP3624359B2 (ja) | 光変調素子、その製造方法、及び、光学装置 | |
US4005929A (en) | Reflective imaging member | |
JPH03107824A (ja) | 光書込型液晶ライトバルブ | |
JPH06230410A (ja) | 空間光変調素子 | |
JP3941437B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法ならびに電子機器 | |
JPS63253924A (ja) | ライトバルブ及びその製造法 | |
JPH03217825A (ja) | 空間光変調素子 | |
JP3041402B2 (ja) | 光書き込み型液晶ライトバルブ | |
JP2839990B2 (ja) | 液晶空間光変調素子 | |
JPH063693A (ja) | 誘電体ミラー及びその製造方法 | |
JP2816576B2 (ja) | 光書込み型液晶ライトバルブ | |
JP2952610B2 (ja) | 光書き込み型液晶ライトバルブ | |
JPH0255762B2 (ja) | ||
JPH06222383A (ja) | 液晶空間光変調素子 | |
JPH10123494A (ja) | 液晶表示素子 | |
JPH01319734A (ja) | 透過型光書込液晶ライトバルブ | |
JP2540366B2 (ja) | 光書込液晶ライトバルブ | |
JPH03289625A (ja) | 空間光変調素子 | |
JPH04301819A (ja) | 空間光変調素子 | |
JPH0566393A (ja) | 液晶素子及び液晶表示装置 | |
KR940009158B1 (ko) | 액정라이트 밸브 | |
KR0150945B1 (ko) | 액정 라이트밸브 | |
JPH0792487A (ja) | 光変調素子 | |
JPH0646273B2 (ja) | カラ−液晶表示素子 |