TW201809375A - 矽晶圓的評估方法及製造方法 - Google Patents

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Abstract

以減少時間與成本且簡便的方法評估矽晶圓的缺陷區域之有無及種類為目的。其解決手段為從藉由丘克拉斯基法培育的矽單結晶錠切出的矽晶圓的評估方法，測定對矽晶圓施以熱施體發生熱處理時發生的熱施體的發生速度(S14)，根據此熱施體的發生速度來判別結晶缺陷區域之有無或結晶缺陷的種類(S15)。

Description

矽晶圓的評估方法及製造方法
本發明是關於矽晶圓的評估方法及製造方法，特別是關於藉由丘克拉斯基法(以下，稱為「CZ法」)製造的矽晶圓的結晶缺陷區域的評估方法。
在用於半導體材料的矽單結晶的製造，有各種的方法，但一般使用CZ(Czochralski)法或浮熔帶(Floating Zone；FZ)法。CZ法是以加熱器將已充填於石英坩堝的多結晶原料加熱熔融之後，將種結晶浸於此熔液，藉由旋轉並向上方拉引此種結晶，而使單結晶成長的方法。又，FZ法是以高頻加熱熔融多結晶原料棒的一部分而製作熔融帶區，一邊使此熔融帶區移動、一邊使單結晶成長的方法。由於上述CZ法容易形成大直徑的結晶，從以CZ法製造的矽單結晶切出的晶圓，是用來作為高集積度半導體元件基板。
藉由CZ法製造的矽晶圓，在1000℃~1200℃的酸性氣氛下受到1~10小時的熱氧化處理時，會有發生呈現環狀的氧化誘發疊差(以下，稱為「OSF(Oxidation induced Stacking Fault)環」)的情形。其他，還形成數種微缺陷(以下，稱為「Grown-in缺陷」)。
在結晶內的OSF環的發生部位，是由矽單結晶的成長速度(拉引速度)V、與在培育的矽單結晶的熔點到1300℃的溫度區內的拉引軸方向的結晶內溫度梯度G之比V/G所決定。在V/G大於OSF環在結晶中心部消滅的臨界值時，空孔會凝聚而形成0.1μm程度的八面體的空穴(void)缺陷，在製造金屬-氧化物-半導體型大型積體電路時會使閘極氧化膜的耐壓劣化、發生元件隔離區的隔離不良等。還有，使用溝槽式電容時，會導致電容間的衝穿(punch-through)等的特性不良。另一方面，在V/G小於臨界值時，晶格間的矽會凝聚而形成差排簇團(dislocation cluster)，導致PN接合漏電流等的特性不良。
為了因應這樣的問題，從以前就一直有人提出許多方法。例如在專利文獻1，提出：控制單結晶培育時的拉引速度V與結晶內的溫度梯度G之比V/G，培育完全未發生Grown-in缺陷、OSF環的區域(以下，稱為「無缺陷區域」)的方法。
作為Grown-in缺陷、OSF環等的評估方法，已知有例如藉由紅外線雷射散射斷層顯像法(infrared laser scattering tomography)檢測出空穴缺陷的方法、以顯微鏡觀察藉由在上述的1000~1200℃的熱氧化處理後進行蝕刻而顯現的OSF環的方法等。
又在專利文獻2、3，揭露藉由所謂的銅裝飾(copper decoration)法來分析‧評估矽晶圓的結晶缺陷的方法。例如揭露於專利文獻2的分析方法，具有在裸晶圓的表面上形成既定厚度的熱氧化膜的階段、蝕刻裸晶圓的背側的階段、在裸晶圓 的缺陷部位遂行銅裝飾的階段、在銅裝飾遂行階段以後分析被銅裝飾後的晶圓的缺陷部位的階段。在分析階段，在以肉眼分析被銅裝飾後的晶圓的缺陷部位的分布及密度之外，以穿透式電子顯微鏡(TEM)或掃描式電子顯微鏡(SEM)分析被銅裝飾後的晶圓的缺陷部位的表面幾何形狀(morphology)。
還有，在專利文獻3，揭露藉由將以銅污染後的試料熱處理後急冷的銅裝飾法，評估以CZ法製造的矽單結晶中的結晶缺陷的方法。在此評估方法，是對結晶中的晶格間氧濃度為10×1017atoms/cm3(ASTM’79)以下的低氧濃度的矽單結晶施以銅裝飾法，以高感度檢測出存在OSF或將成為OSF的核的區域。
在專利文獻4，揭露藉由測定在450℃程度的低溫將矽晶圓退火時從晶格間的氧生成的熱施體造成的晶圓的電阻率，評估磊晶晶圓中的磊晶層、全淨帶(DZ)層等的膜厚測定等的關於氧濃度分布的晶圓構造的方法。
【先行技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開平8-330316號公報
【專利文獻2】日本特開平10-227729號公報
【專利文獻3】日本特開2001-81000號公報
【專利文獻4】日本特開平9-82768號公報
然而，以前的一般的矽晶圓的結晶缺陷的評估方法，按照結晶缺陷的種類之複數個熱處理、蝕刻等的步驟是必要的步驟，而有在評估耗費時間與成本之類的問題。
又，利用銅裝飾法的矽晶圓的結晶缺陷的評估方法，可以同時評估Grown-in缺陷區域、OSF環缺陷區域之有無等，但是為銅裝飾而需要達數十小時的熱處理步驟，而有欠缺簡便性之類的問題。
因此，本發明的目的，是提供矽晶圓的評估方法及製造方法，其可以以減少時間與成本且簡便的方法評估矽晶圓的結晶缺陷區域之有無及種類。
為了解決上述問題，根據本發明之矽晶圓的評估方法，為從藉由CZ法培育的矽單結晶錠切出的矽晶圓的評估方法，其特徵在於：測定對上述矽晶圓施以熱施體發生熱處理時發生的熱施體的發生速度，根據這個熱施體的發生速度來判別結晶缺陷區域之有無或結晶缺陷的種類。
根據本發明，一邊控制V/G、一邊藉由CZ法培育矽單結晶錠，對於從此矽單結晶錠切出的矽晶圓施以熱處理，藉由測定根據施以此熱處理造成的電阻率的變化之熱施體發生速度，而可以簡便地評估結晶缺陷區域之有無及結晶缺陷的種類。
根據本發明之矽晶圓的評估方法，較佳為：求出第一熱施體發生速度，其為：從上述矽單結晶錠切出後的第一矽晶圓在含氧簇團的狀態施以上述熱施體發生熱處理時，在上 述第一矽晶圓上的第一測定點發生的熱施體的發生速度；求出第二熱施體發生速度，其為：對不同上述第一矽晶圓的第二矽晶圓依序施以施體殺手處理及上述熱施體發生熱處理時，在上述第二矽晶圓上的第二測定點發生的熱施體的發生速度；基於上述第二熱施體發生速度對上述第一熱施體發生速度之比的熱施體發生速度比，判定上述第一矽晶圓上的上述第一測定點是否相當於含OSF核的區域、含空穴缺陷的區域或無缺陷區域的任一個。在此，矽晶圓之含氧簇團的狀態，指的是對生成態(as-grown)的狀態的矽晶圓施以施體殺手處理前的狀態。又，無缺陷區域，指的是不含Grown-in缺陷且在評估熱處理後未發生OSF環的區域。如此，根據本發明，基於分別從具有施體殺手處理之有無的不同之二種晶圓分別求得的第一及第二熱施體發生速度，可以簡便地評估結晶缺陷區域之有無及結晶缺陷的種類。
根據本發明之矽晶圓的評估方法，較佳為：上述熱施體發生速度比在第一速度範圍內時，判別為上述第一矽晶圓上的上述第一測定點是無缺陷區域；上述熱施體發生速度比在高於上述第一速度範圍的第二速度範圍內時，判別為上述第一矽晶圓上的上述第一測定點是含空穴缺陷的區域；以及上述熱施體發生速度比在高於上述第二速度範圍的第三速度範圍內時，判別為上述第一矽晶圓上的上述第一測定點是含OSF核的區域。藉由這樣的判別，可以簡便地判定含OSF核的區域、含空穴缺陷的區域以及無缺陷區域。
在本發明，上述熱施體發生熱處理是430℃以上、 480℃以下且2小時以上、4小時以下的熱處理為佳，450℃且4小時的熱處理為更佳。若為此熱處理條件，使氧簇團活性化而可以進行基於熱施體發生速度之結晶缺陷區域之有無及結晶缺陷的種類的評估。
根據本發明之矽晶圓的評估方法，較佳為：施以450℃且4小時的上述熱施體發生熱處理時，上述熱施體發生速度比為1.3以上、未達1.7時，判別為上述第一矽晶圓上的上述第一測定點是無缺陷區域；上述熱施體發生速度比為1.7以上、未達1.9時，判別為上述第一測定點是含空穴缺陷的區域；上述熱施體發生速度比為1.9以上、未達2.3時，判別為上述第一測定點是含OSF核的區域。藉由這樣的判別，可以簡便地判定含OSF核的區域、含空穴缺陷的區域以及無缺陷區域。
根據本發明之矽晶圓的評估方法，較佳為：藉由在沿著上述矽晶圓的徑向設置的複數個測定點各自測定上述熱施體的發生速度，製作上述矽晶圓的徑向的結晶缺陷圖。
根據本發明之矽晶圓的評估方法，較佳為：測定上述矽晶圓的電阻率，根據上述電阻率從爾文曲線(Irvin curve)求出載子濃度，根據上述熱施體發生熱處理前後的載子濃度求出熱施體發生量，從上述熱施體發生熱處理的時間與上述熱施體發生量的關係求出上述熱施體的發生速度。此時，較佳為藉由四探針法測定上述矽晶圓的電阻率。
又，根據本發明之矽晶圓的評估方法，其特徵在於：藉由CZ法培育第一矽單結晶錠；測定對從上述第一矽單結晶錠切出後的評估用矽晶圓施以熱施體發生熱處理時發生的 熱施體的發生速度，根據這個熱施體的發生速度的測定結果來判別上述評估用矽晶圓中的結晶缺陷區域之有無或結晶缺陷的種類；根據上述第一矽單結晶錠的培育條件及上述評估用矽晶圓中的結晶缺陷區域之有無或結晶缺陷的種類的判別結果，調整第二矽單結晶錠的培育條件，從上述第二矽單結晶錠切出製品用矽晶圓。
根據本發明之矽晶圓的評估方法，藉由調整上述第二矽單結晶錠的培育條件，可製造具有無缺陷區域的上述第二矽單結晶錠，亦可製造具有含空穴缺陷的區域的上述第二矽單結晶錠，亦可製造具有含OSF核的區域的上述第二矽單結晶錠。又，在本發明中，較佳為調整上述第二矽單結晶錠的拉引速度，作為上述第二矽單結晶錠的培育條件。如此，使用根據熱施體發生速度的評估結果，可以分開製作各種形式的矽晶圓。
在本發明中，較佳為對上述製品用矽晶圓施以施體殺手處理。藉此，可以提供無熱施體的影響的矽晶圓製品。
根據本發明，可以提供矽晶圓的評估方法及製造方法，其可以以減少時間與成本且簡便的方法評估矽晶圓的結晶缺陷區域之有無及結晶缺陷的種類。
S11‧‧‧結晶培育步驟
S12‧‧‧裁切步驟
S13、S14‧‧‧熱施體發生速度測定步驟
S15‧‧‧判別步驟
S16、S17‧‧‧結晶培育條件調整步驟
S20‧‧‧晶圓準備步驟
S21‧‧‧第一晶圓的電阻率測定步驟
S22‧‧‧第一晶圓的熱施體發生熱處理步驟
S23‧‧‧第一晶圓的電阻率測定步驟
S24‧‧‧第一熱施體發生速度計算步驟
S25‧‧‧第二晶圓的施體殺手處理步驟
S26‧‧‧第二晶圓的電阻率測定步驟
S27‧‧‧第二晶圓的熱施體發生熱處理步驟
S28‧‧‧第二晶圓的電阻率測定步驟
S29‧‧‧第二熱施體發生速度計算步驟
【第1圖】第1圖是一流程圖，用以說明根據本發明的實施形態的矽晶圓的製造方法。
【第2圖】第2圖是顯示V/G與結晶缺陷的種類及分布的一般關係的圖。
【第3圖】第3圖是一流程圖，顯示熱施體發生速度測定步驟。
【第4圖】第4圖是一流程圖，顯示晶圓中的結晶缺陷區域之有無及結晶缺陷的種類的判別步驟。
【第5圖】第5圖是一圖表，顯示上述晶圓樣品A1~A3、B1~B3的熱施體發生速度與熱施體發生熱處理時間的關係。
【第6圖】第6圖是一圖表，顯示施以450℃且4小時的熱施體發生熱處理時之在OSF環發生區域、含空穴缺陷的區域、無缺陷區域的熱施體發生速度與氧濃度的關係之求出的結果。
【第7圖】第7圖是顯示在第6圖中，將未作施體殺手處理的晶圓的在各測定點的熱施體發生速度，以有施體殺手處理的晶圓的在同一測定點的熱施體發生速度作歸一化後的圖表。
【用以實施發明的形態】
以下，一邊參照所附圖式，一邊針對本發明的較佳實施形態作詳細說明。
第1圖是一流程圖，用以說明根據本發明的實施形態的矽晶圓的製造方法。
如第1圖所示，根據本實施形態的矽單結晶的製造方法，具有：藉由CZ法培育矽單結晶錠的結晶培育步驟(S11)；從矽單結晶錠切出矽晶圓的裁切步驟(S12)；在需要評估矽晶圓的結晶缺陷區域時進行的熱施體發生熱處理測定步驟 (S13Y、S14)；從熱施體發生速度的測定結果判別結晶缺陷區域之有無及結晶缺陷的種類的判別步驟(S15)；以及根據結晶缺陷區域之有無及結晶缺陷的種類的判別結果調整後續的矽單結晶錠的培育條件的調整步驟(S16Y、S17)。
又，根據本實施形態的矽單結晶的製造方法，具有：在不需要矽晶圓的評估時進行的施體殺手處理步驟(S18)；以及對施體殺手處理後的矽晶圓進行的鏡面研磨等的製品加工步驟(S19)。
藉由CZ法培育的矽單結晶所含的結晶缺陷的種類、分布等，是依存於矽單結晶的拉引速度V與拉引軸方向的結晶內溫度梯度G之比V/G。因此，為了控制矽單結晶中的結晶品質，有必要精密地控制V/G。然而，在某個條件下培育的矽單結晶錠(第一矽單結晶錠)是否具有所欲的結晶品質，若不試著實際評估結晶品質，則不會知道。
因此，在本實施形態，評估從矽單結晶錠切出的晶圓中的結晶缺陷區域之有無及結晶缺陷的種類。評估結晶缺陷區域之有無及結晶缺陷的種類後的結果未滿足所欲的結晶品質時，將此評估結果回饋至後續的矽單結晶錠(第二矽單結晶錠)的培育步驟，為了達成所欲的結晶品質而調整結晶拉引速度V等的結晶培育條件。
第2圖是顯示V/G與結晶缺陷的種類及分布的一般關係的圖。
如第2圖所示，在V/G大的情況，空孔成為過剩，而會發生空孔的凝聚體之空穴缺陷。空穴缺陷是一般稱為 COP(Crystal Originated Particle；結晶原生粒子)的結晶缺陷。另一方面，在V/G小的情況，晶格間的矽原子成為過剩，而發生晶格間的矽的凝聚體之差排簇團。因此，為了製造COP、差排簇團均不含的單結晶，必須對單結晶的徑向及長度方向(結晶成長方向)之二者控制V/G。
由於結晶拉引速度V在單結晶的徑向的任何位置都是一定，為了使徑向的結晶內溫度梯度G落於既定的範圍，有必要在反應室內建構適當的高溫區域(熱區)。徑向的結晶內溫度梯度G，是藉由設於矽熔液的上方的熱遮蔽體控制，藉此可以在固液界面附近建構適當的熱區。另一方面，由於長度方向的結晶內溫度梯度G不只依存於熱區構造，還依存於結晶拉引速度V，有必要調整單結晶拉引速度V。在目前，藉由嚴密地控制結晶拉引速度V，而量產不含COP、差排簇團等的直徑300mm的矽單結晶。
然而，控制V/G而拉引的不含COP及差排簇團的矽晶圓的全面不一定是均質，而會包含完成熱處理時的行為不同的複數個區域。例如，在發生COP的區域與發生差排簇團的區域之間，以V/G從大到小的順序，存在OSF區域、Pv區域、Pi區域之三個區域。
OSF區域，是指在生成態的狀態(單結晶成長後尚未進行任何熱處理的狀態)含有板狀的氧析出物(OSF核)，在1000~1200℃的高溫作熱氧化處理時發生OSF的區域。Pv區域，是指在生成態的狀態含有氧析出核，施以在低溫及高溫(例如800℃與1000℃)的二階段熱處理時容易發生氧析出物的區 域。Pi區域，是指在生成態的狀態幾乎不含氧析出核，即使施以熱處理仍難以發生氧析出物的區域。
如上述，V/G的控制，主要是藉由調整拉引速度V來進行。例如，希望主要含有無缺陷區域的晶圓，但在製造了含有較多的含空穴缺陷的區域、OSF環區域的晶圓等時，則判斷為V/G過大而減少結晶拉引速度V。相反地，希望主要含有OSF環區域的晶圓，但製造了含有較多的無缺陷區域的晶圓時，則判斷為V/G過小而加大結晶拉引速度V。藉由這樣的結晶拉引速度V的調整，可以製造具有所欲的結晶品質的矽單結晶錠。
為了判斷矽單結晶錠是否滿足所欲的結晶品質，在本實施形態，是測定從此矽單結晶錠切出的矽晶圓中的熱施體的時間變化。
在CZ法，由於矽單結晶是將充填於石英坩堝的多結晶矽融熔而由其熔液培育，通常含有10×1017atoms/cm3(ASTM F-121,1979)程度的從石英坩堝溶出的氧。這些氧在晶圓產生結晶缺陷而成為裝置特性不良的原因，但在另一方面，複雜地作用於：在裝置的製造過程中提高晶圓的強度而阻止變形、在晶圓內部形成具有捕獲成為裝置的作動不良的原因之重金屬的吸除(gettering)作用的氧析出物等。
通常，矽中的氧原子為電中性，不會對其電阻造成影響。然而，由於以CZ法製造的矽單結晶是用石英坩堝培育，在結晶中含有過飽和的氧，已知一旦在450℃前後的低溫作熱處理，數個氧原子會聚集而形成氧簇團，成為會釋出電子 的施體。
藉由450℃前後的熱處理形成的熱施體會受到點缺陷的影響，會因空孔優勢區域(COP區域、OSF環區域)與無缺陷區域的點缺陷濃度的不同，使熱施體發生速度不同。因此在本實施形態，根據在矽晶圓中發生的熱施體的發生速度，判別矽晶圓中的結晶缺陷區域之有無及結晶缺陷的種類。
在熱施體發生熱處理測定步驟(S14)，準備藉由裁切步驟(S12)而從錠連續切出的二片評估用矽晶圓。二片評估用晶圓較佳是藉由線鋸從錠切出且施以粗研磨後的晶圓。然後，對一個晶圓(第一晶圓)不預先施以施體殺手處理而進行熱施體發生熱處理，而對另一個晶圓(第二晶圓)預先施以施體殺手處理後再進行熱施體發生熱處理，從這些第一及第二晶圓的各自在熱施體發生熱處理前後的電阻率的變化，求出熱施體發生速度。
第3圖是一流程圖，顯示熱施體發生速度測定步驟。
如第3圖所示，熱施體發生熱處理測定步驟(S14)，具有：準備生成態的狀態的第一及第二晶圓的準備步驟(S20)；測定第一晶圓的電阻率的電阻率測定步驟(S21)；對電阻率測定後的第一晶圓進行熱施體發生熱處理的熱施體發生熱處理步驟(S22)；測定熱施體發生熱處理後的第一晶圓的電阻率的電阻率測定步驟(S23)；以及從熱施體發生熱處理前後的二個電阻率測定值計算第一熱施體發生速度的計算步驟(S24)。
又，熱施體發生熱處理測定步驟(S14)，具有：對第二晶圓進行施體殺手處理的步驟(S25)；測定施體殺手處理後的第二晶圓的電阻率的電阻率測定步驟(S26)；對電阻率測定後的第二晶圓進行與第一晶圓同樣的熱施體發生熱處理的熱施體發生熱處理步驟(S27)；測定熱施體發生熱處理後的第二晶圓的電阻率的電阻率測定步驟(S28)；以及從熱施體發生熱處理前後的二個電阻率測定值計算第二熱施體發生速度的計算步驟(S29)。
熱施體發生熱處理的溫度是以430~480℃為佳，以450℃為特佳。又，熱施體發生熱處理的時間是以1~4小時為佳，以2~4小時為更佳。施體殺手處理是例如在600~700℃的非活性氣體氣氛中進行的短時間的熱處理，熱處理時間例如為15分鐘程度。
矽晶圓面內的電阻率，可以藉由所謂的四探針法測定。根據測定的電阻率，可以從爾文曲線(Irvin curve)求出載子濃度；根據熱施體發生熱處理前後的載子濃度，可以求出熱施體發生量；從熱施體發生熱處理的時間與熱施體發生量的關係，可以求出熱施體發生速度。
在本實施形態，較佳為：沿著矽晶圓的徑向設定複數個測定點，在各測定點進行電阻測定，根據測定結果計算熱施體的發生速度。藉由如此逐一在測定點評估結晶缺陷區域之有無及結晶缺陷的種類，可以製作矽晶圓的徑向的缺陷圖。
第4圖是一流程圖，顯示晶圓中的結晶缺陷區域之有無及結晶缺陷的種類的判別步驟。
如第4圖所示，在結晶缺陷區域之有無及結晶缺陷的種類的判別步驟(S15)，是計算第一熱施體發生速度對第二熱施體發生速度之比(S30)；其值為1.3以上、未達1.7時，判別為無缺陷區域(S31Y、S34)；1.7以上、未達1.9時，判別為含空穴缺陷的區域(S31N、S32Y、S35)；1.9以上、未達2.3時，判別為含OSF核的區域(S31N、S32N、S33Y、S36)。還有，未相當於任何數值範圍時，判別為無法判別(S31N、S32N、S33N、S37)。
如以上說明，根據本實施形態的矽晶圓的評估方法，從藉由CZ法培育的矽單結晶錠切出矽晶圓，測定對矽晶圓施以熱施體發生熱處理時發生的熱施體的發生速度，根據這個熱施體的發生速度來判別結晶缺陷區域之有無或結晶缺陷的種類，因此可以短時間且簡便地判別含OSF核的區域、含空穴缺陷的區域或無缺陷區域。又，不需要如以前的評估方法施以例如銅裝飾，而可以以較短時間的低溫熱處理來評估，可以以減少時間與成本且簡便的方法評估矽晶圓的結晶缺陷區域之有無及結晶缺陷的種類。
又，根據本實施形態的矽晶圓的製造方法，測定對從先做的矽單結晶錠切出後的評估用矽晶圓的熱施體的發生速度，根據這個熱施體的發生速度的測定結果來判別評估用矽晶圓中的結晶缺陷區域之有無或結晶缺陷的種類，根據此判別結果，調整後續的矽單結晶錠的培育條件，因此可以簡便地將結晶培育條件最佳化。
以上，已針對本發明的較佳實施形態作說明，但 本發明並未被限定於上述的實施形態，可以在不脫離本發明的主旨的範圍作各種的變更，上述變更亦當然包含於本發明的範圍內。
例如，在上述實施形態，是在熱施體發生熱處理測定步驟(S14)，準備從矽單結晶錠切出的第一及第二矽晶圓，在對第二晶圓進行施體殺手處理(S25)之後，進行熱施體發生熱處理(S27)而計算第二熱施體發生速度，但是在本發明亦可省略那樣的第二熱施體發生速度的計算步驟。亦即，亦可如下：先對與第二矽晶圓同等的其他的矽晶圓進行施體殺手處理及熱施體發生熱處理而預先計算第二熱施體發生速度並將其作成資料庫，針對第二熱施體發生速度則使用從資料庫讀取者，而僅測定第一熱施體發生速度，來評估結晶缺陷區域之有無及結晶缺陷的種類。
【實施例】
評估結晶缺陷對熱施體發生速度造成的影響。在此評估試驗。是藉由CZ法培育直徑300mm、面取向(100)的P型矽單結晶錠。此時，一邊控制V/G、一邊培育矽單結晶錠，使其含有OSF環發生區域。此矽單結晶錠的氧濃度為5×1017~20×1017atoms/cm3(ASTM F-121,1979)。裁切此矽單結晶錠，得到含有OSF環發生區域的二片矽晶圓樣品A1、B1。在此，OSF環發生區域，是指評估熱處理後會發生OSF環的區域，在生成態的狀態是含OSF核的區域。
除了控制V/G而含有存在空穴缺陷的區域以外，以與樣品A1、B1相同條件下培育矽單結晶錠，裁切此矽單結晶 錠，得到含有空穴缺陷存在的區域的二片矽晶圓樣品A2、B2。
除了控制V/G而成為無缺陷區域以外，以與樣品A1、B1相同條件下製造矽單結晶錠，裁切此矽單結晶錠，得到由無缺陷區域而成的二片矽晶圓樣品A3、B3。
其後，為了消除在矽晶圓的樣品B1、B2、B3的結晶培育中發生的熱施體，在700℃的氮氣氣氛下進行15分鐘的施體殺手處理。
對於從無施體殺手處理的製程分別準備的矽晶圓的樣品A1~A3(實施例1~3)以及從有施體殺手處理的製程分別準備的矽晶圓的樣品B1~B3(比較例1~3)，在450℃的氮氣氣氛下進行熱施體發生速度，使熱施體發生。
遵循制定於JIS H 0602：1995的四探針法而成的電阻率測定方法，測定各矽晶圓的樣品A1~A3、B1~B3的電阻率，根據此電阻率從爾文曲線求出載子濃度。還有，根據熱施體發生熱處理前後的載子濃度，求出熱施體發生量，進一步從熱處理時間與熱施體發生量的關係求出熱施體發生速度。
第5圖是一圖表，顯示上述晶圓樣品A1~A3、B1~B3的熱施體發生速度與熱施體發生熱處理時間的關係，分別顯示橫軸為熱處理時間(h)、縱軸為熱施體發生速度(cm-3/h)。而特別是，此圖表是僅僅以氧濃度滿足11×1017atoms/cm3的條件的晶圓而彙整之後的圖表。
如第5圖所示，在熱處理時間為4小時以內，OSF環發生區域、含空穴缺陷的區域以及無缺陷區域，均是無施體殺手處理(樣品A1~A3)的樣品的熱施體發生速度大於有施體殺 手處理(樣品B1~B3)的樣品的熱施體發生速度。又，在有施體殺手處理，在所有區域的熱施體發生速度為相同；而在無施體殺手處理，熱施體發生速度則是依OSF環發生區域、含空穴缺陷的區域、無缺陷區域的順序變大。熱處理時間若超過4小時，在無施體殺手處理，熱施體發生速度會先上升而後減少。另一方面，在有施體殺手處理，熱施體發生速度會減少，16小時以後則在全部的條件的熱施體發生速度變成相同。
第6圖是一圖表，顯示施以450℃且4小時的熱施體發生熱處理時之在OSF環發生區域、含空穴缺陷的區域、無缺陷區域的熱施體發生速度與氧濃度的關係之求出的結果，分別顯示橫軸為氧濃度(×1017atoms/cm3)、縱軸為熱施體發生速度(cm-3/h)。
如第6圖所示，在任何氧濃度均與第1圖同樣，無施體殺手處理(樣品A1~A3)的樣品的熱施體發生速度大於有施體殺手處理(樣品B1~B3)的樣品的熱施體發生速度。又，在有施體殺手處理，在所有區域的熱施體發生速度為相同；而在無施體殺手處理，熱施體發生速度則是依OSF環發生區域、含空穴缺陷的區域、無缺陷區域的順序變大。
第7圖是顯示在第6圖中，將未作施體殺手處理的晶圓的在各測定點的熱施體發生速度，以有施體殺手處理的晶圓的在同一測定點的熱施體發生速度作歸一化後的圖表，分別顯示橫軸為氧濃度(×1017atoms/cm3)、縱軸為熱施體發生速度(歸一值)。
如第7圖所示，無施體殺手處理的晶圓的無缺陷區 域所在的熱施體發生速度，是有施體殺手處理的晶圓的熱施體發生速度的1.3倍以上、未達1.7倍。又，無施體殺手處理的晶圓的含空穴缺陷的區域所在的熱施體發生速度，是有施體殺手處理的晶圓的熱施體發生速度的1.7倍以上、未達1.9倍。此外，無施體殺手處理的晶圓的OSF環發生區域所在的熱施體發生速度，是有施體殺手處理的晶圓的熱施體發生速度的1.9倍以上、未達2.3倍。

Claims (15)

  1. 一種矽晶圓的評估方法，為從藉由CZ法培育的矽單結晶錠切出的矽晶圓的評估方法，其特徵在於：測定對上述矽晶圓施以熱施體發生熱處理時發生的熱施體的發生速度，根據該熱施體的發生速度來判別結晶缺陷區域之有無或結晶缺陷的種類。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之矽晶圓的評估方法，其中求出第一熱施體發生速度，其為：從上述矽單結晶錠切出後的第一矽晶圓在含氧簇團的狀態施以上述熱施體發生熱處理時，在上述第一矽晶圓上的第一測定點發生的熱施體的發生速度；求出第二熱施體發生速度，其為：對不同上述第一矽晶圓的第二矽晶圓依序施以施體殺手處理及上述熱施體發生熱處理時，在上述第二矽晶圓上的第二測定點發生的熱施體的發生速度；以及基於上述第二熱施體發生速度對上述第一熱施體發生速度之比的熱施體發生速度比，判定上述第一矽晶圓上的上述第一測定點是否相當於含OSF核的區域、含空穴缺陷的區域或無缺陷區域的任一個。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之矽晶圓的評估方法，其中上述熱施體發生速度比在第一速度範圍內時，判別為上述第一矽晶圓上的上述第一測定點是無缺陷區域；上述熱施體發生速度比在高於上述第一速度範圍的第二速度範圍內時，判別為上述第一矽晶圓上的上述第一測定點 是含空穴缺陷的區域；以及上述熱施體發生速度比在高於上述第二速度範圍的第三速度範圍內時，判別為上述第一矽晶圓上的上述第一測定點是含OSF核的區域。
  4. 如申請專利範圍第1至3項任一項所述之矽晶圓的評估方法，其中上述熱施體發生熱處理是450℃以上、480℃以下且2小時以上、4小時以下的熱處理。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之矽晶圓的評估方法，其中施以450℃且4小時的上述熱施體發生熱處理時，上述熱施體發生速度比為1.3以上、未達1.7時，判別為上述第一矽晶圓上的上述第一測定點是無缺陷區域。
  6. 如申請專利範圍第2或5項所述之矽晶圓的評估方法，其中施以450℃且4小時的上述熱施體發生熱處理時，上述熱施體發生速度比為1.7以上、未達1.9時，判別為上述第一測定點是含空穴缺陷的區域。
  7. 如申請專利範圍第2或5項所述之矽晶圓的評估方法，其中施以450℃且4小時的上述熱施體發生熱處理時，上述熱施體發生速度比為1.9以上、未達2.3時，判別為上述第一測定點是含OSF核的區域。
  8. 如申請專利範圍第1至3項任一項所述之矽晶圓的評估方法，其中藉由在沿著上述矽晶圓的徑向設置的複數個測定點各自測定上述熱施體的發生速度，製作上述矽晶圓的徑向的結晶缺陷圖。
  9. 如申請專利範圍第1至3項任一項所述之矽晶圓的評估方 法，其中測定上述矽晶圓的電阻率，根據上述電阻率從爾文曲線(Irvin curve)求出載子濃度，根據上述熱施體發生熱處理前後的載子濃度求出熱施體發生量，從上述熱施體發生熱處理的時間與上述熱施體發生量的關係求出上述熱施體的發生速度。
  10. 一種矽晶圓的製造方法，其特徵在於：藉由CZ法培育第一矽單結晶錠；測定對從上述第一矽單結晶錠切出後的評估用矽晶圓施以熱施體發生熱處理時發生的熱施體的發生速度，根據該熱施體的發生速度的測定結果來判別上述評估用矽晶圓中的結晶缺陷區域之有無或結晶缺陷的種類；根據上述第一矽單結晶錠的培育條件及上述評估用矽晶圓中的結晶缺陷區域之有無或結晶缺陷的種類的判別結果，調整第二矽單結晶錠的培育條件，從上述第二矽單結晶錠切出製品用矽晶圓。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之矽晶圓的製造方法，其中藉由調整上述第二矽單結晶錠的培育條件，製造具有無缺陷區域的上述第二矽單結晶錠。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之矽晶圓的製造方法，其中藉由調整上述第二矽單結晶錠的培育條件，製造具有含空穴缺陷的區域的上述第二矽單結晶錠。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之矽晶圓的製造方法，其中藉由調整上述第二矽單結晶錠的培育條件，製造具有含OSF核的區域的上述第二矽單結晶錠。
  14. 如申請專利範圍第10至13項任一項所述之矽晶圓的製造方法，其中調整上述第二矽單結晶錠的拉引速度，作為上述第二矽單結晶錠的培育條件。
  15. 如申請專利範圍第10至13項任一項所述之矽晶圓的製造方法，其中對上述製品用矽晶圓施以施體殺手處理。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6669133B2 (ja) * 2017-06-23 2020-03-18 株式会社Sumco シリコンウェーハのサーマルドナー生成挙動予測方法、シリコンウェーハの評価方法およびシリコンウェーハの製造方法
JP6711327B2 (ja) * 2017-07-18 2020-06-17 株式会社Sumco シリコンウェーハ製造工程の評価方法およびシリコンウェーハの製造方法
JP7336961B2 (ja) * 2019-10-31 2023-09-01 信越化学工業株式会社 単結晶インゴットの製造方法及び単結晶ウエハの製造方法
CN116670338A (zh) * 2020-12-04 2023-08-29 胜高股份有限公司 单晶硅的培育方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04134840A (ja) * 1990-09-27 1992-05-08 Kawasaki Steel Corp シリコンウェーハの重金属不純物エネルギー準位の測定方法
JP3341378B2 (ja) * 1993-08-25 2002-11-05 富士通株式会社 シリコン結晶中の水素濃度測定方法及びシリコン結晶の製造方法
JP3085146B2 (ja) 1995-05-31 2000-09-04 住友金属工業株式会社 シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
JPH0982768A (ja) * 1995-09-19 1997-03-28 Hitachi Ltd 半導体ウエハの評価方法
KR100237829B1 (ko) 1997-02-06 2000-01-15 윤종용 웨이퍼의 결함 분석방법
JP2001081000A (ja) 1999-09-08 2001-03-27 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン単結晶の結晶欠陥評価方法
JP2007235153A (ja) * 2002-04-26 2007-09-13 Sumco Corp 高抵抗シリコンウエーハ及びその製造方法
TWI290182B (en) * 2004-01-27 2007-11-21 Sumco Techxiv Corp Method for predicting precipitation behavior of oxygen in silicon single crystal, determining production parameter thereof, and storage medium storing program for predicting precipitation behavior of oxygen in silicon single crystal
JP2006054350A (ja) * 2004-08-12 2006-02-23 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 窒素ドープシリコンウェーハとその製造方法
CN101228301A (zh) * 2005-05-19 2008-07-23 Memc电子材料有限公司 高电阻率硅结构和用于制备该结构的方法
FR2964459B1 (fr) * 2010-09-02 2012-09-28 Commissariat Energie Atomique Procede de cartographie de la concentration en oxygene
KR101246493B1 (ko) * 2011-07-08 2013-04-01 주식회사 엘지실트론 웨이퍼의 결함 평가방법
FR2997096B1 (fr) * 2012-10-23 2014-11-28 Commissariat Energie Atomique Procede de formation d'un lingot en silicium de resistivite uniforme
KR101759876B1 (ko) * 2015-07-01 2017-07-31 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 및 웨이퍼 결함 분석 방법
CN105332061A (zh) * 2015-11-17 2016-02-17 阳光能源（青海）有限公司 一种消除单晶棒氧施主效应对电阻率影响的热处理工艺

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