TW201806178A - 發光元件之製造裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供一種相對於設置場所之形狀、空間大小之自由度高，且對於步驟變更、擴展等之對應度優異的有機EL裝置之製造裝置。 本發明之有機EL裝置之製造裝置之特徵在於具有：主搬送路徑，其具有經由第1交接室而連接之第1及第2移載機；副搬送路徑，其具有連接於第1或第2移載機之第2交接室、及連接於第2交接室之搬送室，且在與主搬送路徑交叉之方向延伸；及複數個第1處理室，其等連接於搬送室；且主搬送路徑構成為以水平之狀態搬送被處理基板，複數個第1處理室之一者構成為在處理中以垂直之狀態保持被處理基板。

Description

發光元件之製造裝置及其製造方法
本發明係關於一種發光元件之製造裝置及發光元件之製造方法。尤其係關於一種用於形成有機層及電極層之製造裝置及其製造方法，且前述有機層及電極層形成顯示裝置之有機EL元件。
近年來，在顯示部使用有機電致發光元件(有機EL元件)之顯示裝置已被廣泛應用於以智慧型手機等之可攜式資訊終端機為首之各種電子裝置。有機EL元件具有在一對電極之間積層夾持具有各機能之有機層之構造，其製造係藉由在形成有一個電極之基板上利用蒸鍍法或塗佈法等依次形成有機層，並利用濺鍍或塗佈法等形成另一電極而進行。 作為代表性之有機EL元件之有機層之構造，可例舉電洞注入層＼電洞輸送層＼發光層＼電子輸送層＼電子注入層之積層構造，業界曾提案用於依次適宜地形成包含其等之構成有機EL元件之積層的製造裝置(例如參照日本特開2004-288463號公報)。
有機EL元件包含在一對電極間被夾持之有機層之積層，但根據所要求之特性，其構造大為不同。因而，隨著提案具有與先前之有機EL元件不同之材料、及積層構造之元件，而需要配合於其之製造裝置之構築。例如在日本特開2004-288463號公報所記載之製造裝置中，連接有複數個處理室之搬送室經由交接室串聯連接，但在如上述之構成之情形下，為了在中途變更積層構造或追加新的層，而須將已配置過之裝置群之一部分分解並再配置或追加連接新的搬送室此等大規模的修改。又，由於各處理各自之處理時間不同，故會產生在某一步驟中處理能力高，在另一步驟中處理能力低之差異，在搬送室串聯連接之情形下，處理能力低之處理裝置進行之步驟成為瓶頸，而有限制整體之產能之問題。 本發明之一個態樣之積層膜之製造裝置之特徵在於具有：主搬送路徑，其具有經由第1交接室而連接之第1及第2移載機；副搬送路徑，其具有連接於第1或第2移載機之第2交接室、及連接於第2交接室之搬送室，且在與主搬送路徑交叉之方向上延伸；及複數個第1處理室，其等連接於搬送室；且主搬送路徑構成為以水平之狀態搬送被處理基板，複數個第1處理室之一者構成為在處理中以垂直之狀態保持被處理基板。 本發明之另一態樣之積層膜之製造裝置之特徵在於具有：主搬送路徑，其具有經由第1交接室而連接之第1及第2移載機；第1副搬送路徑，其具有連接於第1移載機之第2交接室、及連接於第2交接室之第1搬送室，且在與主搬送路徑交叉之方向上延伸；第2副搬送路徑，其具有連接於第2移載機之第3交接室、及連接於第3交接室之第2搬送室，且在與主搬送路徑交叉之方向上延伸；複數個第1處理室，其等連接於第1搬送室；及複數個第2處理室，其等連接於第2搬送室；且主搬送路徑構成為以水平之狀態搬送被處理基板；複數個第1處理室之一者構成為在處理中以垂直之狀態保持被處理基板；複數個第2處理室之一者構成為在處理中以水平之狀態保持被處理基板。 本發明之一個態樣之積層膜之製造方法係使用製造裝置者，該製造裝置具有：主搬送路徑，其具有經由第1交接室而連接之第1及第2移載機；副搬送路徑，其具有連接於第1或第2移載機之第2交接室、及連接於第2交接室之搬送室，且在與主搬送路徑交叉之方向上延伸；及複數個第1處理室，其等連接於搬送室；且前述製造方法包含以下步驟：準備被處理基板，該被處理基板在絕緣表面上具有像素電極、及覆蓋像素電極之端部且露出像素電極之上表面之一部分之分離圍堰；將被處理基板搬入設置於製造裝置之主搬送路徑上之第1移載機；將被處理基板自第1移載機經由第2交接室搬入至搬送室；將被處理基板自搬送室搬入至複數個第1處理室之一者；將被處理基板保持為水平之狀態，在像素電極及分離圍堰上形成第1有機層；將被處理基板自複數個第1處理室之一者返回搬送室；將被處理基板自搬送室搬入至複數個第1處理室之另一者；將被處理基板保持為垂直之狀態，在第1有機層上之與像素電極重疊之區域形成第2有機層；將被處理基板自複數個第1處理室之另一者返回搬送室；以及將被處理基板自搬送室經由第2交接室返回第1移載機；並且前述製造方法包含以下步驟：被處理基板在自搬送室被搬入至複數個第1處理室之另一者為止之期間，自水平之狀態迴轉為垂直之狀態。 本發明之另一態樣之積層膜之製造方法係使用製造裝置者，該製造裝置具有：主搬送路徑，其具有經由第1交接室而連接之第1及第2移載機；第1副搬送路徑，其具有連接於第1移載機之第2交接室、及連接於第2交接室之第1搬送室，且在與主搬送路徑交叉之方向上延伸；第2副搬送路徑，其具有連接於第2移載機之第3交接室、及連接於第3交接室之第2搬送室，且在與主搬送路徑交叉之方向上延伸；複數個第1處理室，其等連接於第1搬送室；及複數個第2處理室，其等連接於第2搬送室；且前述製造方法包含以下步驟：準備被處理基板，該被處理基板在絕緣表面上具有像素電極、及覆蓋像素電極之端部且露出像素電極之上表面之一部分之分離圍堰；將被處理基板搬入至設置於製造裝置之主搬送路徑上之第1移載機；將被處理基板自第1移載機經由第2交接室搬入至第1搬送室；將被處理基板自第1搬送室搬入至複數個第1處理室之一者；將被處理基板保持為水平之狀態，在像素電極及分離圍堰上形成第1有機層；將被處理基板自複數個第1處理室之一者返回第1搬送室；將被處理基板自第1搬送室經由第2交接室返回第1移載機；將被處理基板自第1移載機經由第1交接室搬入至第2移載機；將被處理基板自第2移載機經由第3交接室搬入至第2搬送室；將被處理基板自第2搬送室搬入至複數個第2處理室之一者；將被處理基板保持為垂直之狀態，在第1有機層上之與像素電極重疊之區域形成第2有機層；將被處理基板自第2處理室之一者返回第2搬送室；以及將被處理基板自第2搬送室經由第3交接室返回第2移載機；並且前述製造方法包含以下步驟：被處理基板在自第2移載機被搬入至第2搬送室為止之期間、或在自第2搬送室被搬入至複數個第2處理室之一者為止之期間，自水平之狀態迴轉為垂直之狀態。
以下，針對本發明之實施方式之各者，一面參照圖式一面進行說明。圖式為了使說明更加明確，而與實際之態樣相比雖存在將各部之寬度、厚度、形狀、大小關係等示意性地顯示之情形，但只要無特別地針對其等之說明，則其等終極而言僅為一例，並非係限定本發明之解釋者。又，在本說明書及各圖中，存在對於與相關於已出現之圖中所說明者相同之要件賦予相同之符號，且適宜地省略詳細之說明之情形。 又，在本發明中，在表現於某一構造體之「上」配置另一構造體之態樣時，在單純地記述為「上」之情形下，只要無特別之說明，則包含以下兩種情形，即：以與某一構造體相接之方式在正上方配置另一構造體之情形、及在某一構造體之上方進一步介隔以另一構造體而配置另一構造體之情形。 圖1係顯示本發明之一個實施方式之發光元件之製造裝置100之構成例者。在圖1中，包含移載機101～103、及搬送輸送機(交接室)111～113之部分為主搬送路徑，自移載機101～103之各者在與主搬送路徑交叉之方向上，經由搬送輸送機131～135，處理裝置A～E呈枝狀連接於主搬送路徑。110為基板投入取出口，與例如基板堆料器(未圖示)等連接。搬送輸送機111～113、及131～135係在相鄰之移載機之間、或移載機與處理裝置A～E之搬送室191～195之間進行被處理基板之交接者。在圖1中，主搬送路徑為直線狀，但並非係特別限定者，在此例中，只要構成主搬送路徑之移載機101～103、及搬送輸送機111～113呈一筆繪成之線狀連接即可。 移載機101具有複數個埠，並經由埠連接有搬送輸送機111、112、131、134。移載機101具有搬送臂161，與搬送輸送機111、112、131、134進行被處理基板之授受。再者，可在移載機101連接有一個或複數個暫存器162。暫存器162係使等待投入裝置之被處理基板暫時退避者。在各處理裝置A～E之處理能力不同之情形下，被處理基板在主搬送路徑上滯留，而能夠實現搬送順序上設為前後之被處理基板不會干擾彼此。在圖1中，在移載機101連接有2個暫存器162，但暫存器162只要以各移載機所需要之個數連接即可，例如可存在空置埠163。 處理裝置A構成為在具有搬送臂152之搬送室191連接有複數個進行各處理之腔室(處理室)151。搬送室191與各腔室151經由埠連接。各埠具有負載鎖定門153。負載鎖定門153具備用於根據需要將裝置之各部設為真空或特定環境的氣密性，並具有將在負載鎖定門153之內側連續之空間與負載鎖定門153之外側之空間遮斷之負載鎖定機構。在圖1中，搬送室191具有8處埠，由於其中1處因與搬送輸送機131之連接而被佔有，故最多可連接7個腔室151。腔室151只要以在各步驟中所需要之個數連接即可，例如可存在空置埠154。針對其他之處理裝置B～E亦相同。 又，搬送輸送機111～113、131～135在圖1中具有供基板在內部移動之輸送機構造，但若各個移載機之間、或移載機與處理裝置之間之距離並非如此長，在臂161之作動範圍內可實現被處理基板之交接，則可僅設置供設置被處理基板之載台。 在本發明之發光元件之製造裝置中，被移載機101～103、設置於主搬送路徑之搬送輸送機111～113、及設置為枝狀之搬送輸送機131～135連接之區域保持真空狀態。因而，即便在被處理基板在複數個處理裝置間往來之情形下，被處理基板亦不會在步驟中途曝露於大氣。 在圖2中顯示處理步驟之一例。箭頭簡單地表示在發光元件之製造裝置100內之被處理基板之行進路線。自基板投入取出口110，被處理基板經由搬送輸送機111被給送至移載機101。移載機101經由搬送輸送機131，將被處理基板投入至進行最初之處理之處理裝置A之搬送室191。在處理裝置A內，在搬送室191與各處理室151之間進行被處理基板之交接，並進行各個處理。若在處理裝置A內所有之步驟結束，則移載機101自搬送輸送機131接收被處理基板，並交接至搬送輸送機134。 之後，在處理裝置B、C、D、E內，依次被執行處理，所有之處理裝置之步驟結束後之被處理基板再次返回基板投入取出口110。 作為本發明之發光元件之製造裝置主要特徵之一可例舉各處理裝置A～E經由搬送輸送機131～135自主搬送路徑呈枝狀連接之點。例如，如圖2所示，不僅以如處理裝置A→B→C→D→E般依次進行處理，而且即便例如因積層構造之變更而使所使用之處理裝置之順序變化為A→E→C→D→B等，仍可在不變更各處理裝置之連接下進行對應。 又，連接於各處理裝置之腔室之步驟並不一定限定為連續，亦存在有在不同之步驟中包含複數個在同一腔室之處理之情形。在此一情形下亦然，被處理基板能夠容易地進行主搬送路徑之往復。 即便假定所使用之處理裝置之順序變複雜，仍能夠利用各移載機所具有之暫存器162容易地進行被處理基板之退避、交錯。即便在製造裝置100內投入複數個被處理基板亦為相同。 在移載機102之空置埠164、與移載機103之空置埠165存在將來擴展之餘地。例如，可連接新的處理裝置170(參照圖1)，或可進一步連接搬送輸送機來增加步驟數。 在本發明之發光元件之製造裝置100中，具有對於如上述之擴展之靈活性。例如，在連接於空置埠164之新的處理裝置170內進行之處理可於在另一處理裝置進行之處理之期間進行。例如，即便有在處理裝置A→B→C→D→E之間追加新的處理裝置F，而將步驟改編為A→F→B→C→D→E之需要，利用空置埠164僅追加處理裝置F即可。針對其他之處理裝置A～E、或移載機101～103等之既存之設備無須移設。 又，在各處理裝置實施之步驟並不限於其全部具有同等之處理時間，常有某一步驟較其他之步驟需要更長之處理時間之情形。需要較長處理時間之處理裝置便會成為瓶頸，而使發光元件之製造裝置整體之產能降低。在此一情形下，可利用空置埠164，並列增設需要較長處理時間之處理裝置。將複數個被處理基板之各者分配供並列處理，藉由使用各部之暫存器162，而能夠將在單個處理裝置進行之步驟、與在複數個處理裝置並列地進行之步驟之間適切地連接。 例如，針對有機EL元件之形成，由於需要將複數個有機層之各者以不同之步驟高純度地成膜，且因其成膜環境為真空或減壓，或者為特定之氣體環境下，故需要多數個處理室。因而，製造裝置之規模變大，而有相對於無塵室之形狀、設置空間大小而言配置並不簡單之情形。由於本發明之發光元件之製造裝置100藉由在主搬送路徑上並排複數個移載機，而能夠提高枝狀地連接之處理裝置之配置自由度，故能夠適切地解決前述之問題。 再者，在如裝置之配置形狀被顯著受限之情形下，亦可將一部分之搬送輸送機增長，而將移載機彼此、處理裝置彼此、或移載機與處理裝置之間隔加寬而因應。例如，如圖6所示之製造裝置600般，在處理裝置A、C各自具有1個處理室601、602，處理裝置B、D各自具有2個處理室603、604之情形下，由於處理室603、604之設置空間大小變大，故勢必有製造裝置之配置狀況變差之情形。在此一情形下，藉由將搬送輸送機620較搬送輸送機610更為加長，而能夠提高處理裝置B、D之配置自由度。 在圖6中顯示處理裝置A、C之處理室601、602皆為1個，處理裝置B、D之處理室603、604皆為2個，但並不限定於此，在一個處理裝置中可混合有1個、2個之處理室。 圖3顯示圖1之X-X’剖面。針對在圖1中已說明者賦予相同之符號。在圖3中，以310表示之部位即搬送輸送機111、移載機101相當於主搬送路徑，以320表示之部位即搬送輸送機131、處理裝置A自主搬送路徑呈枝狀配置。 在基板投入取出口110設置有收納等待朝製造裝置之投入之基板的基板卡匣301。搬送臂302自基板卡匣301取出被處理基板，並移送至搬送輸送機111。在圖3中，搬送輸送機111顯示為二層式。此係追求在主搬送路徑中被處理基板在同一時期往來之情形下之效率化者。如圖3所示般，搬送輸送機111可為將上層側輸送機、及下層側輸送機之一者設為往路方向，將另一者設為復路方向之單向搬送型，亦可為各自可自由地往復之雙向搬送型。根據該構成，複數個被處理基板可在主搬送路徑交錯。又，在圖3中，搬送輸送機111上下二層重疊，但並不限定於此，可在水平方向或斜向方向上二層並排。 移載機101具有搬送臂161，在主搬送路徑之搬送輸送機111與搬送輸送機112(在圖3中未圖示)之間、或在主搬送路徑之搬送輸送機111與連接於處理裝置A之搬送室191之搬送輸送機131之間進行被處理基板之交接。搬送輸送機131為進行被處理基板朝處理裝置A之搬送室191之交接者，由於在該路徑中通常無須複數個被處理基板在同一時期往來，故與屬主搬送路徑之搬送輸送機111不同，為一層式之雙向搬送型即可。當然，亦可採用二層式。在能夠將主搬送路徑與處理裝置A充分地靠近之情形下，搬送輸送機131可為單純之被處理基板設置用之載台。 處理裝置A利用設置於搬送室191之搬送臂152自搬送輸送機131取出被處理基板，並投入至腔室151。一般而言，在搬送室191連接有複數個腔室，被處理基板在搬送室191與各腔室之間一面往復一面進行處理。若在處理裝置A內之處理結束，則被處理基板返回搬送輸送機131，並被送出至主搬送路徑。 基板投入口110、搬送輸送機111、移載機101、搬送輸送機131、及搬送室191分別經由埠連接。在搬送室191經由埠連接有腔室151。各埠具有負載鎖定門351～357。由於在發光元件之製造裝置100內實施之處理之若干個需要真空或減壓、或特定之環境，故各負載鎖定門具有充分的氣密性。在處理裝置內，亦可在各腔室採用不同之環境，在基板移載之際設為僅開放必要最小限度之區域，而能夠使環境置換或減壓效率化。 搬送輸送機111、131各自具有載置被處理基板並移動之載台303。在顯示裝置之製造裝置中，例如在載台303中以不會使被處理基板在移動中偏移或自載台303脫落之方式利用真空卡盤等吸附基板，但在有機EL元件之蒸鍍裝置等中，由於以搬送路徑不暴露於大氣之方式保持真空，故以真空卡盤之吸附事屬困難。作為防止被處理基板之偏移、脫落之一個對策，考量例如藉由將用於在載台303上保持被處理基板之銷140以抵接於被處理基板之周端部附近之方式且以不抵接於中央部之方式設置，而硬以被處理基板之中央因重力而撓曲的狀態移送等之方法。由於被處理基板之中央部因撓曲而成為較銷140之頂點低之位置，故可防止被處理基板之朝橫向之偏移。 或，雖未特別圖示，但可行的是，使載台303具有被處理基板保持用之爪，可藉由抓住基板之端部、尤其是不影響成膜之部位來保持。 其次，關於有機EL元件之製造步驟，利用圖5A至圖5F進行說明。圖5A至圖5F顯示了顯示裝置500之顯示區域之剖面圖。在絕緣表面501上形成有像素電極502、503。此處，在絕緣表面501之下層形成有用於控制各像素之電晶體、及用於對發光元件供給電流之配線等。以覆蓋像素電極502、503之端部之方式形成分離圍堰504。像素電極502、503之表面中之自分離圍堰504露出之區域形成有機EL元件之發光區域。直至像素電極502、503及分離圍堰504之形成步驟為止係使用光微影術及蝕刻來進行。圖5A所示之狀態之基板相當於前述之被處理基板。 此處，針對像素電極502、503成為有機EL元件之陽極(ANODE)之情形下之構成進行說明。在像素電極502、503成為陽極之情形下，較佳者係使用功函數大之材料。在圖5A中，將在下側取出出射光之構成稱為底部發射式，在此一情形下，較佳者係像素電極502、503由ITO、IZO、ZnO等之透明導電材料形成。由於像素電極透明，故可實現光之取出，且由於功函數亦為大，故為較佳。相反，於在上側取出出射光之頂部發射式之情形下，由於對像素電極502、503要求反射性，而可例舉使用銀(Ag)等且在最表面薄薄地形成ITO之層，而增大表面之功函數等之構成。 如圖5B所示，在被處理基板上，首先形成電洞輸送層505。作為電洞輸送性材料較佳者係三芳基胺衍生物、或雙苯乙烯胺衍生物等，作為代表性之化合物可例舉α-NPD、TPD、TPAC、Spiro-TPD、PDA、m-MTDATA等。根據像素電極502、503之表面之功函數，可在像素電極502、503與電洞輸送層505之間設置電洞注入層。又，電洞輸送層505以覆蓋像素電極502、503、及分離圍堰504之方式作為連續之膜而設置，但亦可相對於像素電極502、503之各者個別地形成。 繼而，如圖5C所示，在電洞輸送層505上形成發光層506、507。在圖5C中，在與像素電極502重疊之區域形成發光層506，在與像素電極503重疊之區域形成發光層507。此係源於配合各像素之發光色而個別地形成含有不同材料之發光層之故。在圖5C中，為了形成發光層506，而將在與像素電極502重疊之區域具有開口之遮罩550與基板平行地配置。因此，在與像素電極503重疊之區域未形成發光層506。於在像素電極503上形成發光層507之際，使用在不同之位置具有開口之遮罩550，而僅在與像素電極503重疊之區域形成發光層507。如圖5C所示，在相應於發光色個別地形成發光層之情形下，藉由以發光色之數使用遮罩並重複前述之步驟而進行。作為與上述不同之方式，例如亦存在有使用獲得白色發光之材料，與電洞輸送層505等相同地，自像素電極502上遍及像素電極503上地形成連續之發光層之情形。在此一情形下，發色係使用另行設置之彩色濾光器或色轉換層而被控制。 作為發光層506、507之材料，代表性的是鋁錯合物、鈹錯合物等之金屬錯合物。又，可行的是，藉由將前述之材料作為主體材料，並將微量之摻雜物共蒸鍍，而形成發光層506、507。作為此時之摻雜物材料，代表性的是銥錯合物、苝、紅螢烯、香豆素等。配合在發光層506、507所期望之發光色，而分別選擇前述之材料。 繼而，如圖5D所示，在電洞輸送層505、及發光層506、507上形成電子輸送層508。作為電子輸送性材料較佳者係三唑衍生物、或噁二唑衍生物等，作為代表性化合物可例舉BND、PBD、TAZ、OXD等。在圖5D中，電子輸送層508以覆蓋電洞輸送層505、及發光層506、507之方式作為連續之膜而設置，但亦可在像素電極502、503之各者上個別地形成。 繼而，如圖5E所示，在電子輸送層508上形成對向電極509。對向電極509形成有機EL元件之陰極(CATHODE)，代表性地係使用MgAg(鎂銀)、或Al(鋁)等。由於其等為金屬材料，故通常作為反射電極而形成。在底部發射式之情形下，對向電極509作為反射電極無妨，但在頂部發射式之情形下，由於對向電極509需要使出射光透射，故將前文提及之金屬材料以形成為10 nm～數10 nm程度之薄膜狀，並具有某程度之透射性之方式形成。作為對向電極509，可使用ITO、IZO、ZnO等之透明導電材料形成。此外，由於該等透明導電材料或鋁(Al)等之功函數比較大，故可在電子輸送層508與對向電極509之間設置電子注入層。 以上，有機EL元件之形成結束。由於有機EL元件因大氣中之水分而容易不斷劣化，故較佳者係各成膜步驟、及其間之被處理基板之搬送中避免曝露於大氣。因而，較佳者係採用製造裝置100內保持真空、或特定氣體環境，而被處理基板在其中移動之構成。 又，由於前述之因大氣中之水分所致之劣化即便在有機EL元件之形成結束後仍可能進行，故將防止有機EL元件曝露於大氣作為目的之一，而可如圖5F所示般形成密封膜。此處，以氮化矽膜510、有機樹脂膜511、氮化矽膜512之3層構造形成密封膜。由於藉由在密封膜之最下層形成氮化矽膜510而能夠賦予高防濕性，故在其後之有機樹脂膜511等之形成中，可在大氣下實施。該密封膜在防止異物朝有機EL元件之附著、或因銳利之異物所致之積層膜之破損等點上亦為有用。 在利用圖5C說明之發光層之形成時，係藉由將遮罩550配置於發光層之形成面而在所期望之部位形成各個發光層，但由於伴隨著被處理基板之大張化而遮罩大型化，並伴隨著顯示裝置之高精細化而遮罩之開口區域之比例增大，故遮罩550本身之剛性降低。其結果為，被處理基板本身與遮罩550因重力撓曲而兩者之間隔發生變化，或引起因撓曲所致之位置偏移。為了避免上述問題，可行的是，使被處理基板及遮罩550迴轉90度，以垂直豎立之狀態保持被處理基板及遮罩550，並進行發光層之形成。在此一情形下，在自圖1所示之主搬送路徑至腔室151之間設置將被處理基板迴轉之機構。 在圖9A、圖9B中顯示在被處理基板形成發光層之步驟之概略圖。圖9A為將被處理基板910及遮罩920以水平、亦即以其表面朝向與重力930平行之方向之方式予以保持並進行發光層之形成之例。具體而言，顯示使有機材料自設置於被處理基板910之下部之蒸鍍源901蒸散，而在被處理基板910與蒸鍍源901對面之側亦即下表面形成發光層之態樣。在圖9A中顯示蒸鍍源901採用複數個蒸鍍源在線上並排之構成即所謂之線性源型，且蒸鍍源901在箭頭905之方向上移動之構成，但並不限定於此。在圖5C中，概略地顯示在被處理基板910之上表面形成發光層506之態樣，但實際上，在來自蒸鍍源901之有機材料之蒸散方向之關係上，蒸鍍源901、被處理基板910、遮罩920形成如圖9A之位置關係。在此一情形下，由於重力930在被處理基板910及遮罩920之膜厚方向上平行地作用，故兩者容易發生撓曲。在處理基板 910 與遮罩 920 撓曲時 ，被認為遮罩 920 與處理基板 910 之表面接觸。在處理基板 910 之表面上利用蒸鍍形成有複數個有機材料，若遮罩 920 不慎接觸，則使有機材料之層破損而導致不良。為了避免如上述之不良，可例舉例如在圖 5A 所示之分離圍堰 504 上形成凸狀之間隔件，即便在遮罩 920 撓曲之 情形下，遮罩 920 亦不會與處理基板 910 之表面接觸等之對策。 圖9B為將被處理基板910以垂直、亦即以其表面朝向與重力垂直之方向之方式予以保持並進行發光層之形成之例，具體而言，顯示以有機材料在橫向上蒸散之方式設置蒸鍍源951，而在被處理基板910之與蒸鍍源對面之側形成發光層911之態樣。在圖9B中顯示蒸鍍源951採用複數個蒸鍍源在線上並排之構成即所謂之線源型，蒸鍍源951在箭頭955之方向上移動之構成，但並不限定於此。在此一情形下，由於重力930在被處理基板910及遮罩920之膜厚方向上垂直地作用，故不易發生撓曲。在此一情形下，由於重力 930 在被處理基板 910 及遮罩 920 之膜厚 方向上垂直地作用，故不易發生撓曲。因而，由於無遮罩 920 因撓曲而 與處理基板 910 接觸之擔心，故無須如前述般在圖 5A 所示之分離圍堰 504 上形成凸狀之間隔件。 圖8A至圖8E係顯示圖3所示之製造裝置之剖面圖之副搬送路徑320不同之態樣，即設置將被處理基板迴轉之機構之例者。 相對於在圖3所示之製造裝置之態樣中，被處理基板以水平之狀態被進行搬送、處理，在圖8A至圖8E所示之製造裝置之態樣中，腔室151之處理係將被處理基板以垂直之狀態而進行。因而，在搬送臂152設置使被處理基板迴轉90°之機構。 圖8A顯示被處理基板801被靜置於副搬送路徑之搬送輸送機131內之載台303之狀態。自該狀態起，如圖8B所示，負載鎖定門355打開，搬送臂152接收被靜置於載台303之被處理基板801，並將被處理基板拉入至處理裝置之搬送室191側。之後，負載鎖定門355關閉，搬送室191與副搬送路徑在空間上被遮斷(圖8C)。 繼而，如圖8D所示，連接於腔室151之負載鎖定門356打開，搬送臂152將被處理基板801交接至腔室151側。腔室151將被處理基板以垂直之狀態而進行處理。搬送臂152在臂之中途具有旋轉軸。藉由與將被處理基板801送入至將腔室151同時地臂旋轉，而被處理基板801自水平之狀態迴轉為垂直之狀態。載台802具有夾持被處理基板之端部之爪，接收由搬送臂152迴轉後之被處理基板801並保持。 之後，如圖8E所示，負載鎖定門356關閉，腔室151在空間上被遮斷，而處理被進行。 在圖8A至圖8E中，設置於搬送室191之搬送臂152具有旋轉軸，但並不限定於此，可行的是，設置於主搬送路徑側之搬送臂(在圖8A至圖8E中未圖示)具有旋轉軸。在此情形下，設置於副搬送路徑側之搬送輸送機131之載台303亦具有能夠以垂直之狀態保持被處理基板之機構。 作為在搬送室191之搬送臂152設置旋轉軸之優點在於：在連接於搬送室191之複數個腔室之各者中能夠使被處理基板之保持形式為任意之點。例如，在連接於搬送室191之某一腔室中，將被處理基板以水平之狀態而進行處理。另一方面，在連接於搬送室191之另一腔室中，將被處理基板以垂直之狀態而進行處理。 圖4顯示先前之發光元件之製造裝置，處理裝置A～E經由移載機421～424及搬送輸送機411、412在基板投入口401及基板取出口402之間串聯連接。自基板投入口401被投入之被處理基板自處理裝置A起依次通過B、C、D、E。 在如上述之構成中，若要變更處理順序，例如在緊接著處理裝置A之處理之後，即便進行不是在處理裝置B而是在處理裝置D之處理時，仍必須經由介置之處理裝置B、C。亦即，由於處理裝置配置於基板之動線上，故在處理裝置A之處理結束至開始處理裝置D之處理之期間，無法進行在處理裝置B及C之基板之處理。又，假設欲在處理裝置A與處理裝置B之間追加新的處理裝置F，則必須至少進行處理裝置A、搬送輸送機411、基板投入口401之移設。因而，如圖4所示般於先前之發光元件之製造裝置中，伴隨著步驟之變更及追加而變更裝置構成並不容易。再者，如前述般，若中途之特定之處理裝置成為瓶頸時，將該部分並列化而提高整體產能之方法，在先前之構成中亦屬困難。 又，圖4所示之發光元件之製造裝置係在將裝置串聯連接之狀況下，將基板投入口401與基板取出口402分開設置。另一方面，圖1所示之本發明之發光元件之製造裝置由於以基板投入取出口110進行被處理基板之投入、取出，故有與其他裝置或堆料器交接被處理基板較為簡單之優點。如此，將使投入口與取出口設為共通之構成稱為往復式。在製造裝置100中，不僅基板投入取出口110，針對各處理裝置A～E亦然，由於搬送輸送機131～135進行朝各個裝置之投入、取出，故採用往復式。又，藉由將各處理裝置設為往復式，而能夠相對於主搬送路徑枝狀地配置，裝置間之連接與配置簡單且自由度變高。當然，由於亦存在有根據配置處理裝置之環境而較理想為將基板之投入口與取出口分開設置之情形，故只要選擇適宜構成即可。 又，在圖1中，可行的是採用以下之構成，即：在包含基板投入取出口110、移載機101～103、及搬送輸送機111～113之主搬送路徑中，將移載機103之並非是連接有搬送輸送機113之側而是空置埠180之前端進一步連接於基板投入取出口110，而將主搬送路徑設為環狀。在此一情形下，嚴格而言製造裝置並非是往復式，但於在主搬送路徑上行進之被處理基板行進一周返回基板投入取出口110而被回收之點上與往復式相同。 在圖7中顯示具體例。在發光元件之製造裝置700中，基板投入取出口110連接於搬送輸送機731，在與搬送輸送機731之間進行被處理基板之授受。包含移載機701～708、及搬送輸送機731～738之環狀之路徑為主搬送路徑，在各移載機中，在除連接有構成主搬送路徑之搬送輸送機之埠外之埠能夠經由副搬送路徑連接處理裝置。在圖7中除以實線表示之處理裝置A外，亦能夠進一步連接以虛線表示之處理裝置B～H、J～L。在圖7之例中，在主搬送路徑上之移載機701～708分別經由副搬送路徑連接有1個或2個處理裝置，但只要配置空間允許，亦可連接有3個以上之處理裝置。 再者，若著眼於連接於各處理裝置之腔室之數目，則根據圖4所示之先前之構成可知，在各處理裝置中，需要使自進行完前一步驟之處理裝置接收基板之基板投入面、與使基板流至進行下一步驟之處理裝置之基板排出面獨立。另一方面，在圖1所示之本發明之構成中，由於處理裝置自主搬送路徑呈枝狀配置，故基板投入面與基板排出面可為同一面。亦即，有可連接於1個處理裝置之腔室為1處多之優點。 根據以上內容亦可謂本發明之發光元件之製造裝置之構成之優異性為顯著者。 作為附記，以下列出本發明之發光元件之製造裝置及發光元件之製造方法之技術性特徵。 本發明之一個態樣之發光元件之製造裝置之特徵在於具有：主搬送路徑，其具有經由第1交接室而連接之第1及第2移載機；副搬送路徑，其具有連接於前述第1或第2移載機之第2交接室、及連接於前述第2交接室之搬送室，且在與前述主搬送路徑交叉之方向上延伸；及複數個第1處理室，其等連接於前述搬送室；且前述主搬送路徑構成為以水平之狀態搬送被處理基板，前述複數個第1處理室之一者構成為在處理中以垂直之狀態保持前述被處理基板。 上述態樣之發光元件之製造裝置之特徵在於：前述複數個第1處理室之另一者構成為在處理中以水平之狀態保持前述被處理基板。 本發明之一個態樣之發光元件之製造裝置之特徵在於具有：主搬送路徑，其具有經由第1交接室而連接之第1及第2移載機；第1副搬送路徑，其具有連接於前述第1移載機之第2交接室、及連接於前述第2交接室之第1搬送室，且在與前述主搬送路徑交叉之方向上延伸；第2副搬送路徑，其具有連接於前述第2移載機之第3交接室、及連接於前述第3交接室之第2搬送室，且在與前述主搬送路徑交叉之方向上延伸；複數個第1處理室，其等連接於前述第1搬送室；及複數個第2處理室，其等連接於前述第2搬送室；且前述主搬送路徑構成為以水平之狀態搬送被處理基板，前述複數個第1處理室之一者構成為在處理中以垂直之狀態保持前述被處理基板；前述複數個第2處理室之一者構成為在處理中以水平之狀態保持前述被處理基板。 上述態樣之發光元件之製造裝置之特徵在於：前述第1移載機及前述第2移載機各自具有：第1埠，其連接前述第1交接室；第2埠，其連接前述第2交接室；及第3埠，其連接收容前述被處理基板之暫存器；且前述第1搬送室具有：第4埠，其連接前述第2交接室；及第5埠，其連接有前述複數個第1處理室之一者。 上述態樣之發光元件之製造裝置之特徵在於：前述第1移載機及前述第2移載機各自具有：第1埠，其連接前述第1交接室；第2埠，其連接前述第2交接室；及第3埠，其連接收容前述被處理基板之暫存器；且前述第1搬送室及前述第2搬送室各自具有：第4埠，其連接前述第2交接室；及第5埠，其連接前述複數個第1處理室之一者、或前述複數個第2處理室之一者。 上述態樣之發光元件之製造裝置之特徵在於：前述第1移載機、前述第2移載機、及前述複數個第1處理室之一者各自具有用於運送前述被處理基板之臂，且前述第1移載機、前述第2移載機、或前述複數個第1處理室之一者所具有之臂具有用於使前述被處理基板自水平之狀態迴轉為垂直之狀態、或使其相反地迴轉的旋轉軸。 上述態樣之發光元件之製造裝置之特徵在於：前述第1移載機、前述第2移載機、前述複數個第1處理室之一者、及前述複數個第2處理室之一者各自具有用於運送前述被處理基板之臂，且前述第1移載機、前述第2移載機、前述第1處理室之一者、或前述複數個第2處理室之一者所具有之臂具有用於使前述被處理基板自水平之狀態迴轉為垂直之狀態、或使其相反地迴轉的旋轉軸。 上述態樣之發光元件之製造裝置之特徵在於：前述複數個第1處理室以前述第1搬送室為中心呈放射狀配置。 上述態樣之發光元件之製造裝置之特徵在於：前述複數個第1處理室以前述第1搬送室為中心呈放射狀配置，且前述複數個第2處理室以前述第2搬送室為中心呈放射狀配置。 上述態樣之發光元件之製造裝置之特徵在於：前述第1至第5埠各自具有氣密性。 上述態樣之發光元件之製造裝置之特徵在於：前述製造裝置在位於前述主搬送路徑上之末端之前述第1或前述第2移載機之前述第1埠進一步具有基板投入取出口，處理前之前述被處理基板之投入、與完成處理之前述被處理基板之取出，任一者皆經由前述基板投入取出口進行。 上述態樣之發光元件之製造裝置之特徵在於：前述製造裝置在位於前述主搬送路徑上之一末端之前述第1或前述第2移載機之前述第1埠進一步具有基板投入口，在位於前述主搬送路徑上之另一末端之前述第1或前述第2移載機之前述第1埠進一步具有基板取出口，處理前之前述被處理基板之投入經由前述基板投入口進行，完成處理之前述被處理基板之取出經由前述基板取出口進行。 上述態樣之發光元件之製造裝置之特徵在於：前述製造裝置在前述主搬送路徑上之前述第1移載機或前述第2移載機之前述第1埠進一步具有基板投入取出口，前述主搬送路徑具有通過前述第1移載機、前述第1交接室、前述第2移載機、及前述基板投入取出口之環狀路徑，處理前之前述被處理基板之投入、與完成處理之前述被處理基板之取出，任一者皆經由前述基板投入取出口進行。 上述態樣之發光元件之製造裝置之特徵在於：前述主搬送路徑為一段式形狀。 上述態樣之發光元件之製造裝置之特徵在於：前述第1交接室以至少二者並排之方式設置。 本發明之一個態樣之積層膜之製造方法係使用製造裝置者，該製造裝置具有：主搬送路徑，其具有經由第1交接室而連接之第1及第2移載機；副搬送路徑，其具有連接於前述第1或第2移載機之第2交接室、及連接於前述第2交接室之搬送室，且在與前述主搬送路徑交叉之方向上延伸；及複數個第1處理室，其等連接於前述搬送室；且前述製造方法包含以下步驟：準備被處理基板，該被處理基板在絕緣表面上具有像素電極、及覆蓋像素電極之端部且露出像素電極之上表面之一部分之分離圍堰；將前述被處理基板搬入至設置於前述製造裝置之前述主搬送路徑上之前述第1移載機；將前述被處理基板自前述第1移載機經由前述第2交接室搬入至前述搬送室；將前述被處理基板自前述搬送室搬入至前述複數個第1處理室之一者；將前述被處理基板保持為水平之狀態，在前述像素電極及前述分離圍堰上形成第1有機層；將前述被處理基板自前述複數個第1處理室之一者返回前述搬送室；將前述被處理基板自前述搬送室搬入至前述複數個第1處理室之另一者；將前述被處理基板保持為垂直之狀態，在前述第1有機層上之與前述像素電極重疊之區域形成第2有機層；將前述被處理基板自前述複數個第1處理室之另一者返回前述搬送室；以及將前述被處理基板自前述搬送室經由前述第2交接室返回前述第1移載機；並且前述製造方法包含以下步驟：前述被處理基板在自前述搬送室被搬入至前述複數個第1處理室之另一者為止之期間，自前述水平之狀態迴轉為前述垂直之狀態。 本發明之另一態樣之積層膜之製造方法係使用製造裝置者，該製造裝置具有：主搬送路徑，其具有經由第1交接室而連接之第1及第2移載機；第1副搬送路徑，其具有連接於前述第1移載機之第2交接室、及連接於前述第2交接室之第1搬送室，且在與前述主搬送路徑交叉之方向上延伸；第2副搬送路徑，其具有連接於前述第2移載機之第3交接室、及連接於前述第3交接室之第2搬送室，且在與前述主搬送路徑交叉之方向上延伸；複數個第1處理室，其等連接於前述第1搬送室；及複數個第2處理室，其等連接於前述第2搬送室；且前述製造方法包含以下步驟：準備被處理基板，該被處理基板在絕緣表面上具有像素電極、及覆蓋前述像素電極之端部且露出前述像素電極之上表面之一部分之分離圍堰；將前述被處理基板搬入至設置於前述製造裝置之前述主搬送路徑上之前述第1移載機；將前述被處理基板自前述第1移載機經由前述第2交接室搬入至前述第1搬送室；將前述被處理基板自前述第1搬送室搬入至前述複數個第1處理室之一者；將前述被處理基板保持為水平之狀態，在前述像素電極及前述分離圍堰上形成第1有機層；將前述被處理基板自前述複數個第1處理室之一者返回前述第1搬送室；將前述被處理基板自前述第1搬送室經由前述第2交接室返回前述第1移載機；將前述被處理基板自前述第1移載機經由前述第1交接室搬入至前述第2移載機；將前述被處理基板自前述第2移載機經由前述第3交接室搬入至前述第2搬送室；將前述被處理基板自前述第2搬送室搬入至前述複數個第2處理室之一者；將前述被處理基板保持為垂直之狀態，在前述第1有機層上之與前述像素電極重疊之區域形成第2有機層；將前述被處理基板自前述第2處理室之一者返回前述第2搬送室；以及將前述被處理基板自前述第2搬送室經由前述第3交接室返回前述第2移載機；並且前述製造方法包含以下步驟：前述被處理基板在自前述第2移載機被搬入至前述第2搬送室為止之期間、或在自前述第2搬送室被搬入至前述複數個第2處理室之一者為止之期間，自前述水平之狀態迴轉為前述垂直之狀態。 上述態樣之積層膜之製造方法之特徵在於：前述第1有機層包含發光元件之電洞輸送層或電子輸送層。 上述態樣之積層膜之製造方法之特徵在於：前述第2有機層包含發光元件之發光層。
100‧‧‧發光元件之製造裝置
101‧‧‧移載機
102‧‧‧移載機
103‧‧‧移載機
110‧‧‧基板投入取出口
111‧‧‧搬送輸送機/交接室
112‧‧‧搬送輸送機/交接室
113‧‧‧搬送輸送機/交接室
131‧‧‧搬送輸送機
132‧‧‧搬送輸送機
133‧‧‧搬送輸送機
134‧‧‧搬送輸送機
135‧‧‧搬送輸送機
140‧‧‧銷
151‧‧‧腔室/處理室
152‧‧‧搬送臂
153‧‧‧負載鎖定門
154‧‧‧空置埠
161‧‧‧搬送臂
162‧‧‧暫存器
163‧‧‧空置埠
164‧‧‧空置埠
165‧‧‧空置埠
170‧‧‧處理裝置
180‧‧‧空置埠
191‧‧‧搬送室
192‧‧‧搬送室
193‧‧‧搬送室
194‧‧‧搬送室
195‧‧‧搬送室
301‧‧‧基板卡匣
302‧‧‧搬送臂
303‧‧‧載台
351‧‧‧負載鎖定門
352‧‧‧負載鎖定門
353‧‧‧負載鎖定門
354‧‧‧負載鎖定門
355‧‧‧負載鎖定門
356‧‧‧負載鎖定門
357‧‧‧負載鎖定門
401‧‧‧基板投入口
402‧‧‧基板取出口
411‧‧‧搬送輸送機
412‧‧‧搬送輸送機
421‧‧‧移載機
422‧‧‧移載機
423‧‧‧移載機
424‧‧‧移載機
500‧‧‧顯示裝置
501‧‧‧絕緣表面
502‧‧‧像素電極
503‧‧‧像素電極
504‧‧‧分離圍堰
505‧‧‧電洞輸送層
506‧‧‧發光層
507‧‧‧發光層
508‧‧‧電子輸送層
509‧‧‧對向電極
510‧‧‧氮化矽膜
511‧‧‧有機樹脂膜
512‧‧‧氮化矽膜
550‧‧‧遮罩
600‧‧‧製造裝置
601‧‧‧處理室
602‧‧‧處理室
603‧‧‧處理室
604‧‧‧處理室
610‧‧‧搬送輸送機
620‧‧‧搬送輸送機
700‧‧‧發光元件之製造裝置
701‧‧‧移載機
702‧‧‧移載機
703‧‧‧移載機
704‧‧‧移載機
705‧‧‧移載機
706‧‧‧移載機
707‧‧‧移載機
708‧‧‧移載機
731‧‧‧搬送輸送機
732‧‧‧搬送輸送機
733‧‧‧搬送輸送機
734‧‧‧搬送輸送機
735‧‧‧搬送輸送機
736‧‧‧搬送輸送機
737‧‧‧搬送輸送機
738‧‧‧搬送輸送機
801‧‧‧被處理基板
802‧‧‧載台
901‧‧‧蒸鍍源
905‧‧‧箭頭
910‧‧‧被處理基板
920‧‧‧遮罩
930‧‧‧重力
951‧‧‧蒸鍍源
955‧‧‧箭頭
A‧‧‧處理裝置
B‧‧‧處理裝置
C‧‧‧處理裝置
D‧‧‧處理裝置
E‧‧‧處理裝置
F‧‧‧處理裝置
G‧‧‧處理裝置
H‧‧‧處理裝置
J‧‧‧處理裝置
K‧‧‧處理裝置
L‧‧‧處理裝置
圖1係顯示本發明之一個實施方式之發光元件之製造裝置的圖。 圖2係顯示本發明之一個實施方式之發光元件之製造裝置的圖。 圖3係顯示本發明之一個實施方式之發光元件之製造裝置的圖。 圖4係顯示先前之發光元件之製造裝置之構成例的圖。 圖5A至圖5F係顯示發光元件之形成步驟之圖。 圖6係顯示本發明之一個實施方式之發光元件之製造裝置的圖。 圖7係顯示本發明之一個實施方式之發光元件之製造裝置的圖。 圖8A至圖8E係顯示本發明之一個實施方式之發光元件之製造裝置的圖。 圖9A、圖9B係顯示發光元件之有機層之蒸鍍態樣之圖。
100‧‧‧發光元件之製造裝置
101‧‧‧移載機
102‧‧‧移載機
103‧‧‧移載機
110‧‧‧基板投入取出口
111‧‧‧搬送輸送機/交接室
112‧‧‧搬送輸送機/交接室
113‧‧‧搬送輸送機/交接室
131‧‧‧搬送輸送機
132‧‧‧搬送輸送機
133‧‧‧搬送輸送機
134‧‧‧搬送輸送機
135‧‧‧搬送輸送機
151‧‧‧腔室/處理室
152‧‧‧搬送臂
153‧‧‧負載鎖定門
154‧‧‧空置埠
161‧‧‧搬送臂
162‧‧‧暫存器
163‧‧‧空置埠
164‧‧‧空置埠
165‧‧‧空置埠
170‧‧‧處理裝置
180‧‧‧空置埠
191‧‧‧搬送室
192‧‧‧搬送室
193‧‧‧搬送室
194‧‧‧搬送室
195‧‧‧搬送室
A‧‧‧處理裝置
B‧‧‧處理裝置
C‧‧‧處理裝置
D‧‧‧處理裝置
E‧‧‧處理裝置

Claims (24)

  1. 一種發光元件之製造裝置，其具有： 主搬送路徑，其具有經由第1交接室而連接之第1及第2移載機，且在第1方向上延伸； 副搬送路徑，其具有連接於前述第1或第2移載機之第2交接室、及連接於前述第2交接室之搬送室，且在與前述第1方向交叉之第2方向上延伸；及 複數個第1處理室，其等連接於前述搬送室；且 前述主搬送路徑構成為以水平之狀態搬送被處理基板； 前述複數個第1處理室之一者構成為在處理中以垂直之狀態保持前述被處理基板。
  2. 如請求項1之製造裝置，其中前述複數個第1處理室之另一者構成為在處理中以水平之狀態保持前述被處理基板。
  3. 如請求項1之製造裝置，其中前述主搬送路徑為一段式形狀。
  4. 如請求項1之製造裝置，其中前述第1交接室係至少二者並排地設置。
  5. 一種發光元件之製造裝置，其特徵在於具有： 主搬送路徑，其具有經由第1交接室而連接之第1及第2移載機，且在第1方向上延伸； 第1副搬送路徑，其具有連接於前述第1移載機之第2交接室、及連接於前述第2交接室之第1搬送室，且在與前述第1方向交叉之第2方向上延伸； 第2副搬送路徑，其具有連接於前述第2移載機之第3交接室、及連接於前述第3交接室之第2搬送室，且在前述第2方向、或與前述第1方向或前述第2方向交叉之第3方向上延伸； 複數個第1處理室，其等連接於前述第1搬送室；及 複數個第2處理室，其等連接於前述第2搬送室；且 前述主搬送路徑構成為以水平之狀態搬送被處理基板； 前述複數個第1處理室之一者構成為在處理中以垂直之狀態保持前述被處理基板； 前述複數個第2處理室之一者構成為在處理中以水平之狀態保持前述被處理基板。
  6. 如請求項5之製造裝置，其中前述第1移載機及前述第2移載機各自具有： 第1埠，其連接前述第1交接室；第2埠，其連接前述第2交接室；及第3埠，其連接收容前述被處理基板之暫存器；且 前述第1搬送室具有：第4埠，其連接前述第2交接室；及第5埠，其連接有前述複數個第1處理室之一者。
  7. 如請求項6之製造裝置，其中前述第1至第5埠各自具有氣密性。
  8. 如請求項5之製造裝置，其中前述第1移載機及前述第2移載機各自具有： 第1埠，其連接前述第1交接室；第2埠，其連接前述第2交接室；及第3埠，其連接收容前述被處理基板之暫存器；且 前述第1搬送室及前述第2搬送室各自具有：第4埠，其連接前述第2交接室；及第5埠，其連接前述複數個第1處理室之一者、或前述複數個第2處理室之一者。
  9. 如請求項6之製造裝置，其中前述第1至第5埠各自具有氣密性。
  10. 如請求項1之製造裝置，其中前述第1移載機、前述第2移載機、及前述複數個第1處理室之一者各自具有用於運送前述被處理基板之臂；且 前述臂具有用於使前述被處理基板在水平之狀態與垂直之狀態之間迴轉的旋轉軸。
  11. 如請求項5之製造裝置，其中前述第1移載機、前述第2移載機、前述複數個第1處理室之一者、及前述複數個第2處理室之一者各自具有用於運送前述被處理基板之臂； 前述臂具有用於使前述被處理基板在水平之狀態與垂直之狀態之間迴轉的旋轉軸。
  12. 如請求項1之製造裝置，其中前述複數個第1處理室以前述搬送室為中心呈放射狀配置。
  13. 如請求項5之製造裝置，其中前述複數個第1處理室以前述第1搬送室為中心放射狀配置； 前述複數個第2處理室以前述第2搬送室為中心呈放射狀配置。
  14. 如請求項1之製造裝置，其中在位於前述主搬送路徑上之末端之前述移載機進一步具有基板投入取出口；且 前述基板投入取出口構成為處理前之前述被處理基板、及處理後之前述被處理基板能夠經由前述基板投入取出口而投入/取出。
  15. 如請求項1之製造裝置，其中在位於前述主搬送路徑上之一末端之前述移載機進一步具有基板投入口； 在位於前述主搬送路徑上之另一末端之前述移載機進一步具有基板取出口；且 前述基板投入口構成為處理前之前述被處理基板能夠經由前述基板投入口而投入； 前述基板取出口構成為處理後之前述被處理基板能夠經由前述基板取出口而取出。
  16. 如請求項6之製造裝置，其中在前述主搬送路徑上之前述第1移載機或前述第2移載機之前述第1埠進一步具有基板投入取出口；且 前述主搬送路徑具有通過前述第1移載機、前述第1交接室、前述第2移載機、及前述基板投入取出口之環狀路徑； 前述基板投入取出口構成為處理前之前述被處理基板、及處理後之前述被處理基板能夠經由前述基板投入取出口而投入/取出。
  17. 如請求項5之製造裝置，其中前述主搬送路徑為一段式形狀。
  18. 如請求項5之製造裝置，其中前述第1交接室係至少二者並排地設置。
  19. 一種發光元件之製造方法，其係使用如下製造裝置之積層膜之製造方法，該製造裝置具有： 主搬送路徑，其具有經由第1交接室而連接之第1及第2移載機； 副搬送路徑，其具有連接於前述第1或第2移載機之第2交接室、及連接於前述第2交接室之搬送室，且在與前述主搬送路徑交叉之方向上延伸；及 複數個第1處理室，其等連接於前述搬送室；且前述製造方法包含以下步驟： 準備被處理基板，該被處理基板具有絕緣表面，且具有前述絕緣表面上之像素電極、及覆蓋前述像素電極之端部且露出前述像素電極之上表面之一部分之分離圍堰； 將前述被處理基板搬入至設置於前述製造裝置之前述主搬送路徑上之前述第1移載機； 將前述被處理基板自前述第1移載機經由前述第2交接室搬入至前述搬送室； 將前述被處理基板自前述搬送室搬入至前述複數個第1處理室之一者； 將前述被處理基板保持為水平之狀態，在前述像素電極及前述分離圍堰上形成第1有機層； 將前述被處理基板自前述複數個第1處理室之一者返回前述搬送室； 將前述被處理基板自前述搬送室搬入至前述複數個第1處理室之另一者； 將前述被處理基板保持為垂直之狀態，在前述第1有機層上之與前述像素電極重疊之區域形成第2有機層； 將前述被處理基板自前述複數個第1處理室之另一者返回前述搬送室；以及 將前述被處理基板自前述搬送室經由前述第2交接室返回前述第1移載機；並且前述製造方法包含以下步驟： 前述被處理基板在自前述搬送室被搬入至前述複數個第1處理室之另一者為止之期間，自前述水平之狀態迴轉為前述垂直之狀態。
  20. 如請求項19之製造方法，其中前述第1有機層包含發光元件之電洞輸送層或電子輸送層。
  21. 如請求項19之製造方法，其中前述第2有機層包含發光元件之發光層。
  22. 一種發光元件之製造方法，其係使用如下製造裝置之積層膜之製造方法，該製造裝置具有： 主搬送路徑，其具有經由第1交接室而連接之第1及第2移載機； 第1副搬送路徑，其具有連接於前述第1移載機之第2交接室、及連接於前述第2交接室之第1搬送室，且在與前述主搬送路徑交叉之方向上延伸；及 第2副搬送路徑，其具有連接於前述第2移載機之第3交接室、及連接於前述第3交接室之第2搬送室，且在與前述主搬送路徑交叉之方向上延伸；及 複數個第1處理室，其等連接於前述第1搬送室；及 複數個第2處理室，其等連接於前述第2搬送室；且前述製造方法包含以下步驟： 準備被處理基板，該被處理基板在絕緣表面上具有像素電極、及覆蓋前述像素電極之端部且露出前述像素電極之上表面之一部分之分離圍堰； 將前述被處理基板搬入至設置於前述製造裝置之前述主搬送路徑上之前述第1移載機； 將前述被處理基板自前述第1移載機經由前述第2交接室搬入至前述第1搬送室； 將前述被處理基板自前述第1搬送室搬入至前述複數個第1處理室之一者； 將前述被處理基板保持為水平之狀態，在前述像素電極及前述分離圍堰上形成第1有機層； 將前述被處理基板自前述複數個第1處理室之一者返回前述第1搬送室； 將前述被處理基板自前述第1搬送室經由前述第2交接室返回前述第1移載機； 將前述被處理基板自前述第1移載機經由前述第1交接室搬入至前述第2移載機； 將前述被處理基板自前述第2移載機經由前述第3交接室搬入至前述第2搬送室； 將前述被處理基板自第2前述搬送室搬入至前述複數個第2處理室之一者； 將前述被處理基板保持為垂直之狀態，在前述第1有機層上之與前述像素電極重疊之區域形成第2有機層； 將前述被處理基板自前述第2處理室之一者返回前述第2搬送室；以及 將前述被處理基板自前述第2搬送室經由前述第3交接室返回前述第2移載機；並且前述製造方法包含以下步驟： 前述被處理基板在自前述第2移載機被搬入至前述第2搬送室為止之期間、或在自前述第2搬送室被搬入至前述複數個第2處理室之一者為止之期間，自前述水平之狀態迴轉為前述垂直之狀態。
  23. 如請求項22之製造方法，其中前述第1有機層包含發光元件之電洞輸送層或電子輸送層。
  24. 如請求項22之製造方法，其中前述第2有機層包含發光元件之發光層。
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