TW201804877A - 可撓性基板及金屬配線接合構造的製法 - Google Patents

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竹林央史
平田夏樹
金理俊
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Abstract

連接用FPC75係在支撐層751與被覆層752之間具有複數金屬配線750,包含構成各金屬配線750的一端之接點753之露出領域,係自被覆層752露出。在支撐層751之中,設有金屬配線750之面的相反側的面上,設有彎曲位置導引器760。彎曲位置導引器760的邊緣760a,係成為彎曲連接用FPC75時之彎曲線者,其被配置於投影被覆層752到支撐層751後之被覆層投影領域E上。彎曲連接用FPC75時,連接用FPC75係在金屬配線750之中,被被覆層752被覆之部分,亦即,在被補強之部分彎曲。

Description

可撓性基板及金屬配線接合構造的製法
本發明係關於一種可撓性基板及金屬配線接合構造的製法。
先前,可撓性基板與印刷電路板之接合構造,眾所周知有一種藉軟焊可撓性基板上的接點線路等的接點部分,與印刷電路板上之對應之接點部分,以電性連接者(例如專利文獻1)。表示這種接合構造的一例在第9圖。可撓性基板910係在基板端中,覆蓋膜912被去除,以一定節距被平行配列之銅箔線路的端部,係當作接點線路914而露出。而且,重疊接點線路914到被形成於印刷電路板920上之接點線路924,在接點線路914及接點線路924之至少一者的表面,熔融事先附著之軟焊材以電性連接。
【先行技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開平5-90725號公報
但是,在第9圖的連接構造中,當有必要在接點線路914附近彎曲可撓性基板910時,有時會在自覆蓋膜912 露出之接點線路914處彎曲。在此情形下,接點線路914未被覆蓋膜912補強,所以,有斷線之虞。
本發明係用於解決上述課題所研發出者,其將即使欲彎曲可撓性基板,金屬配線也不容易斷線當作主要目的。
本發明之可撓性基板,係在第1樹脂層與第2樹脂層之間,具有複數金屬配線,包含構成各金屬配線的一端之接點之露出領域,係自前述第2樹脂層露出,其特徵在於:在前述第1樹脂層之中,於設有前述金屬配線之面的相反側的面上,設有彎曲位置導引器,前述彎曲位置導引器的邊緣,係成為彎曲前述可撓性基板時之彎曲線者,其被配置於投影前述第2樹脂層到前述第1樹脂層後之投影領域上。
在此可撓性基板中,在第1樹脂層之中,設有金屬配線之面的相反側的面上,設有彎曲位置導引器。彎曲可撓性基板時,彎曲位置導引器的邊緣成為彎曲線。彎曲位置導引器的邊緣,係被配置於投影第2樹脂層到第1樹脂層後之投影領域。因此,可撓性基板係在金屬配線之中,被第2樹脂層被覆之部分,亦即,在被補強之部分彎曲。因此,即使欲彎曲可撓性基板,金屬配線也不容易斷線。
在本發明之可撓性基板中,也可以前述彎曲位置導引器被設置,使得橫跨前述金屬配線之中,被前述第2樹脂層被覆之部分與未被被覆之部分的邊界。此邊界係在彎曲可撓性基板時,很容易成為彎曲線,但是,彎曲位置導引器係橫跨此邊界,所以,彎曲位置導引器係防止此邊界成為彎曲線之情事。
在本發明之可撓性基板中,也可以自前述金屬配線之中,被前述第2樹脂層被覆之部分與未被被覆之部分之邊界,至前述彎曲位置導引器的邊緣為止之距離,係前述可撓性基板之中,與前述邊緣相接之處所的厚度之1倍以上。如此一來,當彎曲可撓性基板時,金屬配線的露出部分不受很大之影響。
本發明之可撓性基板也可以包括:接點相向基地,在前述第1樹脂層之中,設有前述金屬配線之面的相反側的面上,分別與前述接點相向,其係金屬製;以及貫穿孔,貫穿前述接點相向基地、前述第1樹脂層及前述接點。而且,彎曲位置導引器最好設於與接點相向基地不相干涉之位置。如此一來,其與沒有接點相向基地及貫穿孔之情形相比較下,變得很容易供給鑞焊材料往接合用空間。結果,可避免接合用空間的鑞焊材料不足,而接合變得不充分之不良情形。又,當加熱接點相向基地時,該熱透過第1樹脂層以傳遞到接合用空間,熔融之鑞焊材料的熱也傳遞到接合用空間。因此,接合用空間全體被高溫化。結果,被供給到接合用空間之熔融狀態之鑞焊材料,係變得很容易在接合用空間內均勻地濡濕擴大。如此一來,可避免接合用空間的鑞焊材料不足,而接合變得不充分之不良情況,同時熔融狀態之鑞焊材料,係在接合用空間內均勻地濡濕擴大,所以,可撓性基板的接點與其他配線基板的接點係被堅固地接合。
本發明之金屬配線接合構造的製法係包含:(a)鑞焊上述可撓性基板的前述接點與其他配線基板的接點之工序;以及 (b)將前述彎曲位置導引器的前述邊緣當作彎曲線,以彎曲前述可撓性基板之工序。
在此金屬配線接合構造的製法中,鑞焊可撓性基板的接點與其他配線基板的接點後,將彎曲位置導引器的邊緣當作彎曲線,以彎曲可撓性基板。彎曲位置導引器的邊緣,係被配置於投影第2樹脂層到第1樹脂層後之投影領域。因此,可撓性基板係在金屬配線之中,被第2樹脂層被覆之部分,亦即,在被補強之部分彎曲。因此,即使欲彎曲可撓性基板,金屬配線也不容易斷線。
在本發明之金屬配線接合構造的製法中,也可以於前述工序(b)中,一邊自前述可撓性基板的前述接點側,以壓制構件自上方壓制前述彎曲位置導引器,一邊將前述彎曲位置導引器的前述邊緣當作彎曲線,以彎曲前述可撓性基板。如此一來,可更確實地將邊緣當作彎曲線利用。
在本發明之金屬配線接合構造的製法中,也可以在前述工序(a)中,使用具有上述接點相向基地及貫穿孔之可撓性基板,使在可撓性基板的前述接點相向基地上熔融之鑞焊材料,透過前述貫穿孔,供給到前述可撓性基板的前述接點與前述其他配線基板的前述接點之間,之後,藉固化前述鑞焊材料而鑞焊之。如此一來,可使在接點相向基地熔融之鑞焊材料,透過貫穿孔,順利地供給到可撓性基板的接點與其他配線基板的接點間之接合用空間。因此,接合用空間很容易被鑞焊材料無間隙地充填,接合強度提高。
10‧‧‧電漿處理裝置
12‧‧‧真空腔體
14‧‧‧淋浴頭
16‧‧‧氣體導入管
18‧‧‧氣體噴射孔
20‧‧‧靜電夾頭加熱器
22‧‧‧靜電夾頭
22a‧‧‧晶圓承載面
24‧‧‧靜電電極
25‧‧‧供電端子
26‧‧‧陶瓷燒結體
30‧‧‧片狀加熱器
30a‧‧‧上表面
30b‧‧‧下表面
32‧‧‧塑膠片
34‧‧‧修正加熱器電極
36‧‧‧跳線
38‧‧‧外周領域
39‧‧‧缺口
40‧‧‧接地電極
40a‧‧‧凸起
41‧‧‧導通孔
44‧‧‧基準加熱器電極
46a‧‧‧跨接基地
46b‧‧‧接地基地
50a,50b‧‧‧基準基地
60‧‧‧支撐座
62‧‧‧冷媒流路
62a‧‧‧入口
62b‧‧‧出口
64~67‧‧‧貫穿孔
66a,66b‧‧‧電氣絕緣筒
70‧‧‧冷卻器
72‧‧‧靜電夾頭電源
73‧‧‧供電棒
74‧‧‧修正加熱器電源
75‧‧‧連接用可撓性印刷電路板(連接用FPC)
75a,75b‧‧‧金屬配線
76‧‧‧基準加熱器電源
76b‧‧‧金屬配線
77‧‧‧電線端子
78‧‧‧電線端子
79‧‧‧RF電源
81‧‧‧第1打線片
82‧‧‧第2打線片
100‧‧‧金屬配線接合構造
750‧‧‧金屬配線
751‧‧‧支撐層
752‧‧‧被覆層
753‧‧‧接點
754‧‧‧接點相向基地
755‧‧‧貫穿孔
756‧‧‧軟焊接合構件
760‧‧‧彎曲位置導引器
760a‧‧‧邊緣
761‧‧‧銅箔
762‧‧‧邊界
764‧‧‧覆蓋膜
770‧‧‧壓制板
770a‧‧‧側面
910‧‧‧可撓性基板
912‧‧‧覆蓋膜
914‧‧‧接點線路
920‧‧‧印刷電路板
924‧‧‧接點線路
W‧‧‧晶圓
第1圖係表示電漿處理裝置10概略構成之剖面圖。
第2圖係表示片狀加熱器30內部構造之立體圖。
第3圖係自片狀加熱器30的下表面30b,觀看金屬配線接合構造100所得之俯視圖。
第4圖係第3圖的A-A剖面圖。
第5圖係表示彎曲連接用FPC75之順序之說明圖。
第6圖係表示連接用FPC75之製造工序之說明圖。
第7圖係自片狀加熱器30的下表面30b,觀看金屬配線接合構造200所得之俯視圖。
第8圖係第7圖的B-B剖面圖。
第9圖係先前金屬配線接合構造之立體圖。
參照圖面,在以下說明本發明之最佳實施形態。第1圖係表示電漿處理裝置10概略構成之剖面圖;表示片狀加熱器30內部構造之立體圖。
做為半導體製造裝置之電漿處理裝置10,如第1圖所示,係包括真空腔體12、淋浴頭14及靜電夾頭加熱器20。真空腔體12係藉鋁合金等而被形成為盒狀之容器。淋浴頭14被設於真空腔體12的天花板面。淋浴頭14係使來自氣體導入管16之製程氣體,自多數之氣體噴射孔18往真空腔體12內部釋出。又,淋浴頭14係發揮做為電漿生成用陰極板之角色。靜電夾頭加熱器20係吸著保持晶圓W到晶圓承載面22a上之裝置。以下,詳細說明靜電夾頭加熱器20。
靜電夾頭加熱器20係包括:靜電夾頭22、片狀加熱器30及支撐座60。靜電夾頭22的下表面與片狀加熱器30的上表面30a,係透過第1打線片81而被彼此接著。支撐座60的上表面與片狀加熱器30的下表面30b,係透過第2打線片82而被彼此接著。各打線片81,82可例舉在聚丙烯製芯材的兩面包括壓克力樹脂層之片體、在聚酰亞胺製芯材的兩面包括矽樹脂層之片體、及環氧樹脂單獨之片體等。
靜電夾頭22係圓板狀之構件,在陶瓷燒結體26埋設有靜電電極24者。陶瓷燒結體26可例舉例如氮化鋁燒結體或氧化鋁燒結體等。靜電夾頭22的上表面係成為承載晶圓W之晶圓承載面22a。陶瓷燒結體26之厚度並未特別限定但是,最好係0.5~4mm。
片狀加熱器30係圓板狀之構件,在耐熱性之塑膠片32,內藏有修正加熱器電極34、跳線36、接地電極40及基準加熱器電極44。塑膠片32之材質,可例舉例如聚酰亞胺樹脂或液晶聚合物等。片狀加熱器30係在片狀加熱器30的上表面30a,具有平行且高度不同之第1電極領域A1~第4電極領域A4(參照第2圖)。
第1電極領域A1被分成多數之區域Z1(例如100區域或300區域)。在各區域Z1中,修正加熱器電極34係以一筆畫之要領,配線使得自一端34a至另一端34b,橫跨該區域Z1的全體。在第2圖中,在第1電極領域A1中,拉出以虛線表示之假想線,將以該假想線所包圍之部分當作區域Z1。在第2圖中,為方便起見,僅在一個區域Z1表示有修正加熱 器電極34,但是,其他區域Z1也可設置同樣之修正加熱器電極34。又,以中心線表示片狀加熱器30的外形。
在第2電極領域A2中,設有分別供電到複數修正加熱器電極34之跳線36。因此,跳線36之數目係與修正加熱器電極34之數目一致。第2電極領域A2係被分成數目(例如6區域或8區域)少於區域Z1之區域Z2。在第2圖中,於第2電極領域A2拉出以虛線表示之假想線,將以該假想線所包圍之部分當作區域Z2。在第2圖中,為方便表示,僅在一個區域Z2表示有跳線36(一部),但是,其他區域Z2也設有同樣之跳線36。在本實施形態中,使投影一個區域Z2到第1電極領域A1時之進入投影領域中之複數修正加熱器電極34,當作屬於相同組以做說明。屬於一個組之修正加熱器電極34的一端34a,係在對應該組之區域Z2內的跳線36的一端36a,使第1電極領域A1與第2電極領域A2之間,透過在上下方向貫穿之導通孔35(參照第1圖)而被連接。該跳線36的另一端36b係被拉出至被設於該區域Z2上之外周領域38。結果,被連接到屬於相同組之修正加熱器電極34上之跳線36的另一端36b,係一同被配置到一個外周領域38。在投影該外周領域38到片狀加熱器30下表面30b之領域X內,各跳線36的另一端36b與透過導通孔41(參照第1圖)而被連接之跨接基地46a係被並列配置。換言之,複數之跨接基地46a係兩個以上成為一組,被配置使得在相同領域X露出到外部。而且,修正加熱器電極34之電阻係數,最好超過跳線36的電阻係數。
在第3電極領域A3中,於複數修正加熱器電極34 設有共通之接地電極40。各修正加熱器電極34係透過自第1電極領域A1經過第2電極領域A2以到達第3電極領域A3之導通孔42(參照第1圖),被連接到接地電極40。又,接地電極40係具有自外周擠出到外側之凸起40a。此凸起40a係被設於朝向各外周領域38的缺口39之位置。此凸起40a係透過導通孔43(參照第1圖),被連接到設於片狀加熱器30下表面30b上之接地基地46b。接地基地46b係與跨接基地46a,一同被設於片狀加熱器30下表面30b的領域X內。
第4電極領域A4係被分成數目(例如4區域或6區域)少於被設於第1電極領域A1之修正加熱器電極34之總數之區域Z4。在各區域Z4中,輸出大於修正加熱器電極34之基準加熱器電極44係被配置使得以一筆畫之要領,自一端44a至另一端44b,橫跨該區域Z4之全體。在第2圖中,係在第4電極領域A4拉出以虛線所示之假想線,將被該假想線所包圍之部分當作區域Z4。在第2圖中,為方便說明,僅在一個區域Z4表示基準加熱器電極44,但是,在其他之區域Z4也設有同樣之基準加熱器電極44。各基準加熱器電極44的兩端44a,44b,係透過自第4電極領域A4至片狀加熱器30下表面30b之未圖示導通孔,被連接到被設於片狀加熱器30下表面30b上之一對基準基地50a,50b。
如第1圖所示,支撐座60係以Al或Al合金等金屬所製作之圓板狀構件,於內部設有冷媒流路62。在冷媒流路62的入口62a與出口62b,連接有調整冷媒溫度之冷卻器70。冷媒係當自冷卻器70被供給到冷媒流路62入口62a時,通過 被設成橫跨支撐座60全體之冷媒流路62,自冷媒流路62的出口62b回到冷卻器70,在冷卻器70內冷卻到設定溫度後,再度被供給到冷媒流路62的入口62a。支撐座60係具有在上下方向上貫穿支撐座60之複數種類之貫穿孔64~67。貫穿孔64係用於使靜電電極24的供電端子25露出到外部之孔。貫穿孔65係用於使被設於片狀加熱器30下表面30b的領域X上之基地群(跨接基地46a與接地基地46b,參照第2圖),露出到外部之孔。貫穿孔66,67係使基準加熱器電極44的基準基地50a,50b,分別露出到外部者。在貫穿孔66,67插入有電氣絕緣筒66a,66b。而且,支撐座60係在此之外,雖然未圖示,但是,具有用於上下移動抬起晶圓W之抬起銷之貫穿孔等。
電漿處理裝置10係還包括靜電夾頭電源72、修正加熱器電源74、基準加熱器電源76及RF電源79。靜電夾頭電源72係直流電源,透過被插入貫穿孔64之供電棒73,被連接到靜電電極24的供電端子25。修正加熱器電源74係直流電源,透過做為被插入貫穿孔65之金屬配線集合體之連接用可撓性印刷電路板(連接用FPC)75,被連接到修正加熱器電極34的跨接基地46a及接地基地46b。具體說來,第2所示之屬於相同組之跨接基地46a及接地基地46b,係被設成在相同領域X並列,所以,透過一個連接用FPC75以被連接。連接用FPC75係使被樹脂皮膜覆蓋之金屬配線75a,75b捆成帶狀之電線,與領域X相向之端部,係各金屬配線75a,76b露出。金屬配線75a係用於使跨接基地46a連接到修正加熱器電源74的正極之導線,金屬配線75b係用於使接地基地46b連接到修正 加熱器電源74的負極之導線。基準加熱器電源76係交流電源,透過被插入貫穿孔66之電線端子77,被連接到基準加熱器電極44一邊之基準基地50a,同時透過被插入貫穿孔67之電線端子78,被連接到基準加熱器電極44另一邊之基準基地50b。RF電源79係電漿生成用之電源,其係被連接使得供給高周波電力到做為陽極板之支撐座60。而且,做為陰極板之淋浴頭14,係透過可變電阻被接地。
在此,針對片狀加熱器30與連接用FPC75之金屬配線接合構造100,使用第3圖及第4圖做說明。第3圖係自片狀加熱器30下表面30b觀看金屬配線接合構造100時之俯視圖,第4圖係第3圖的A-A剖面圖。而且,為方便說明,跨接基地46a與接地基地46b係不區別地單稱為加熱器基地46,金屬配線75a,75b也不區別地稱做金屬配線750。片狀加熱器30係具有露出到下表面30b的領域X(參照第2圖)之複數加熱器基地46(46a,46b)。連接用FPC75係複數金屬配線750被樹脂被覆之扁平配線材。具體說來,連接用FPC75係在樹脂製支撐層751與樹脂製被覆層752之間,具有複數金屬配線750。包含構成各金屬配線750的端部之接點753之露出領域,係自被覆層752露出。連接用FPC75係在支撐層751之中,設有金屬配線750之面的相反側的面上,具有彎曲位置導引器760。彎曲位置導引器760的邊緣760a,係被配置於投影被覆層752到支撐層751後之被覆層投影領域E上,成為彎曲連接用FPC75時之彎曲線者。彎曲位置導引器760係被設置,使得橫跨金屬配線750之中,被被覆層752被覆之部分與未被被覆 之部分的邊界762。又,自邊界762至彎曲位置導引器760的邊緣760a為止之距離L,係被設定成連接用FPC75之中,與邊緣760a相接之處所的厚度t(例如0.2~0.3mm)之1倍以上。軟焊接合構件756係被填充到接點753與加熱器基地46間之接合用空間C。當軟焊接點753與加熱器基地46時,首先,塗佈預備軟焊材到加熱器基地46的上表面。預備軟焊材可使用例如膏狀軟焊材。接著,在使接點753相向於加熱器基地46後之狀態下,配置使得與預備軟焊材接觸。而且,藉點狀加熱器的熱風施加熱到預備軟焊材,以熔融預備軟焊材後,冷卻固化之。藉此,接點753與加熱器基地46係透過軟焊接合構件756以被接合。而且,支撐層751及被覆層752分別相當於本發明的第1及第2樹脂層。
接著,針對彎曲被接合到片狀加熱器30上之連接用FPC75之方法,使用第5圖在以下做說明。第5圖係表示彎曲連接用FPC75之順序之說明圖。首先,如第5(a)圖所示,以壓制板770自上方壓制連接用FPC75的彎曲位置導引器760。此時,使得壓制板770的側面770a,不比彎曲位置導引器760的邊緣760a還要飛出到外側(在第5圖中係右側)。如此一來,當定位壓制板770時,也可以利用例如在上下方向上貫穿片狀加熱器30之複數抬起銷貫穿孔(未圖示)。亦即,只要設計使得事先使可分別貫穿複數抬起銷貫穿孔之銷體,設在壓制板770上,在插入該銷體到抬起銷貫穿孔後之狀態下,壓制板770的底面自上方按壓彎曲位置導引器760,而且,壓制板770的側面770a不自彎曲位置導引器760的邊緣760a飛 出到外側即可。而且,在第5(a)圖中,係將彎曲位置導引器760的邊緣760a當作支點,使連接用FPC75逆時針旋轉以彎曲之。如此一來,如第5(b)圖所示,連接用FPC75係邊緣760a成為彎曲線以彎曲。邊緣760a係被配置於投影被覆層752到支撐層751後之被覆層投影領域E(參照第4圖)。因此,連接用FPC75係在金屬配線750之中,被被覆層752被覆之部分,亦即,在被補強之部分彎曲。
連接用FPC75係藉以下之順序準備。第6圖係表示連接用FPC75製造工序之說明圖。首先,準備在樹脂製支撐層751的單面,貼著有銅箔761之單面具銅箔之支撐層(參照第6(a)圖)。而且,也可以取代銅箔761而使用其他金屬箔。接著,在銅箔761上,佈線形成金屬配線750(參照第6(b)圖)。佈線形成之方法,可使用濕蝕刻法。接著,以樹脂製被覆層752覆蓋金屬配線750。以被覆層752覆蓋之方法,可使用疊層法。但是,做為金屬配線750尖端部分之接點753,係不被被覆層752覆蓋,而露出外部(參照第6(c)圖)。接著,使用接著劑以貼著彎曲位置導引器760到支撐層751之既定位置(參照第6(d)圖)。彎曲位置導引器760,可使用長方形之耐熱樹脂板(例如聚酰亞胺樹脂板)。藉此,可獲得連接用FPC75。
接著,說明如此構成之電漿處理裝置10之使用例。首先,承載晶圓W到靜電夾頭22的晶圓承載面22a。而且,調整使得藉真空幫浦減壓真空腔體12內,以成為既定之真空度,施加直流電壓到靜電夾頭22的靜電電極24,以產生庫侖力或強森.拉貝庫力,吸著固定晶圓到靜電夾頭22的晶 圓承載面22a。接著,使真空腔體12內有既定壓力(例如數10~數100Pa)之製程氣體環境氣體。在此狀態下,施加高周波電壓到淋浴頭14與支撐座60之間,以產生電漿。藉產生之電漿,晶圓W的表面被蝕刻。其間,未圖示之控制器控制使得晶圓W之溫度成為事先決定之目標溫度。具體說來,控制器係輸入來自量測晶圓W溫度之測溫偵知器(未圖示)之檢出信號,控制供給往各基準加熱器電極44之電流及供給往各修正加熱器電極34之電流、及循環在冷媒流路62之冷媒之溫度,使得晶圓W之量測溫度與目標溫度一致。尤其,控制器係精細控制供給往各修正加熱器電極34之電流,使得晶圓W不產生溫度分佈。而且,測溫偵知器係可以埋設在塑膠片32,也可以接著在塑膠片32的表面。
在以上說明過之本實施形態中,當彎曲連接用FPC75時,彎曲位置導引器760的邊緣760a成為彎曲線。此邊緣760a係被配置於投影被覆層752到支撐層751後之被覆層投影領域E。因此,連接用FPC75係在金屬配線75之中,被被覆層752被覆之部分,亦即,在被補強之部分彎曲。因此,即使欲彎曲連接用FPC75,金屬配線75也不容易斷線。
又,彎曲位置導引器760係被設置,使得橫跨金屬配線750之中,被被覆層752被覆之部分與未被被覆之部分之邊界762。此邊界762係在彎曲連接用FPC75時,很容易成為彎曲線,但是,彎曲位置導引器760係橫跨此邊界762,所以,彎曲位置導引器760係防止此邊界762成為彎曲線者。
而且,自邊界762至彎曲位置導引器760邊緣760a 為止之距離L,係被設定成連接用FPC75之中,與邊緣760a相接之處所的厚度t之1倍以上。因此,在彎曲連接用FPC75時,金屬配線75的露出部分不會大受影響。
而且,本發明並不侷限於上述實施形態,只要屬於本發明的技術性範圍,當然可藉種種態樣實施之。
在上述之實施形態中,雖然說明過支撐層751係單一之層,但是,也可以係層積複數之層者。例如支撐層751可以使用在聚酰亞胺樹脂層的單面或兩面上,層積其他樹脂層者,也可以係在其上更被層積有覆蓋膜者,也可以使用覆蓋膜之單一之層。此點係關於被覆層752也相同。
在上述之實施形態中,如第7圖及第8圖所示,在連接用FPC75可以設置金屬製接點相向基地754與貫穿孔755。第7圖係自片狀加熱器30下表面30b,觀看金屬配線接合構造200所得之俯視圖;第8圖係第7圖的B-B剖面圖。接點相向基地754係被設置,使得在支撐層751之中,設有金屬配線750之面的相反側的面上,分別與複數接點753相向。貫穿孔755在此係設有複數個(例如兩個),但是,也可以僅設置一個。又,貫穿孔755係橫剖面(以水平面切斷後之剖面)成為圓形、略圓形或橢圓形。貫穿孔755的內壁,也可以藉電鍍等,以金屬層覆蓋。在支撐層751的上表面雖然貼著有覆蓋膜764,但是,接點相向基地754係自覆蓋膜764露出。彎曲位置導引器760係被設於覆蓋膜764的上表面。彎曲位置導引器760的邊緣760a,係被配置於投影被覆層752到覆蓋膜764後之被覆層投影領域。軟焊接合構件756係被覆接點相向基地 754的表面,同時填充到貫穿孔755的內部及接點753與加熱器基地46間之接合用空間C。此軟焊接合構件756係在接點相向基地754熔融線狀軟焊材,使該熔融軟焊材透過貫穿孔755,供給到連接用FPC75接點753與片狀加熱器30的加熱器基地46間之接合用空間C,之後,固化熔融軟焊材者。如此一來,其與沒有接點相向基地754及貫穿孔755之情形相比較下,變得很容易供給熔融軟焊材往接合用空間C。結果,可避免接合用空間C的軟焊材不足,而接合變得不充分之不良情況。又,當加熱接點相向基地754時,該熱係透過支撐層751以傳遞到接合用空間C,熔融軟焊材的熱也傳遞到接合用空間C。因此,接合用空間C全體被高溫化。結果,被供給到接合用空間C之熔融軟焊材,係在接合用空間C內很容易均勻地濡濕擴大。如此一來,可避免接合用空間C的軟焊材不足,而接合變得不充分之不良情況,同時熔融軟焊材係在接合用空間C內均勻地濡濕擴大,所以,接點753與加熱器基地46係被堅固地接合。又,與上述實施形態同樣地,也可獲得即使欲彎曲連接用FPC75,金屬配線75也不容易斷線之效果。而且,在此例中,支撐層751及覆蓋膜764係相當於本發明的第1樹脂層。
在上述之實施形態中,可撓性基板雖然例示過連接用FPC75,但是,本發明並未特別侷限於此。例如可撓性基板也可以使用扁平電線。
本申請案係將在2016年6月29日申請之日本專利申請第2016-128767號,當作優先權主張之基礎,因為引用而其內容的全部被包含在本專利說明書。
10‧‧‧電漿處理裝置
12‧‧‧真空腔體
14‧‧‧淋浴頭
16‧‧‧氣體導入管
18‧‧‧氣體噴射孔
20‧‧‧靜電夾頭加熱器
22‧‧‧靜電夾頭
22a‧‧‧晶圓承載面
24‧‧‧靜電電極
25‧‧‧供電端子
26‧‧‧陶瓷燒結體
30‧‧‧片狀加熱器
30a‧‧‧上表面
30b‧‧‧下表面
32‧‧‧塑膠片
34‧‧‧修正加熱器電極
35‧‧‧導通孔
36‧‧‧跳線
40‧‧‧接地電極
41‧‧‧導通孔
42‧‧‧導通孔
43‧‧‧導通孔
44‧‧‧基準加熱器電極
50a,50b‧‧‧基準基地
60‧‧‧支撐座
62‧‧‧冷媒流路
62a‧‧‧入口
62b‧‧‧出口
64~67‧‧‧貫穿孔
66a,67a‧‧‧電氣絕緣筒
70‧‧‧冷卻器
72‧‧‧靜電夾頭電源
73‧‧‧供電棒
74‧‧‧修正加熱器電源
75‧‧‧連接用可撓性印刷電路板(連接用FPC)
76‧‧‧基準加熱器電源
77‧‧‧電線端子
78‧‧‧電線端子
79‧‧‧RF電源
81‧‧‧第1打線片
82‧‧‧第2打線片
461‧‧‧基本面
462‧‧‧延長面
W‧‧‧晶圓

Claims (7)

  1. 一種可撓性基板,在第1樹脂層與第2樹脂層之間,具有複數金屬配線,包含構成各金屬配線的一端之接點之露出領域,係自前述第2樹脂層露出,其特徵在於:在前述第1樹脂層之中,於設有前述金屬配線之面的相反側的面上,設有彎曲位置導引器,前述彎曲位置導引器的邊緣,係成為彎曲前述可撓性基板時之彎曲線者,其被配置於投影前述第2樹脂層到前述第1樹脂層後之投影領域上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性基板,其中,前述彎曲位置導引器係被設置,使得橫跨前述金屬配線之中,被前述第2樹脂層被覆之部分與未被被覆之部分之邊界。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之可撓性基板,其中,自前述金屬配線之中,被前述第2樹脂層被覆之部分與未被被覆之部分之邊界,至前述彎曲位置導引器的邊緣為止之距離,係前述可撓性基板之中,與前述邊緣相接之處所的厚度之1倍以上。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之可撓性基板,其中,其包括:接點相向基地,在前述第1樹脂層之中,設有前述金屬配線之面的相反側的面上,分別與前述接點相向,其係金屬製;以及貫穿孔,貫穿前述接點相向基地、前述第1樹脂層及前述 接點。
  5. 一種金屬配線接合構造的製法,包含:(a)使申請專利範圍第1至4項中任一項所述之可撓性基板的前述接點,與其他之配線基板的接點鑞焊之工序;以及(b)將前述彎曲位置導引器的前述邊緣當作彎曲線,彎曲前述可撓性基板之工序。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之金屬配線接合構造的製法,其中,在前述工序(b)中,一邊自前述可撓性基板的前述接點側,以壓制構件自上方壓制前述彎曲位置導引器,一邊將前述彎曲位置導引器的前述邊緣當作彎曲線,以彎曲前述可撓性基板。
  7. 如申請專利範圍第5或6項所述之金屬配線接合構造的製法,其中,在前述工序(a)中,使在申請專利範圍第4項所述之可撓性基板的前述接點相向基地上熔融之鑞焊材料,透過前述貫穿孔,供給到前述可撓性基板的前述接點與前述其他配線基板的前述接點之間,之後,藉固化前述鑞焊材料而鑞焊之。
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