TW201802838A

TW201802838A - 磁性材料及電子零件

Info

Publication number: TW201802838A
Application number: TW106120879A
Authority: TW
Inventors: 織茂洋子; 李新宇; 竹岡伸介; 賀成莉; 大竹健二
Original assignee: 太陽誘電股份有限公司
Priority date: 2016-06-30
Filing date: 2017-06-22
Publication date: 2018-01-16
Also published as: TWI667669B; CN107564710B; JP7015647B2; TWI732210B; JP2018011043A; TW201931388A; CN107564710A

Abstract

本發明之課題在於提供一種能夠提高絕緣特性之磁性材料及電子零件。本發明之一形態之磁性材料具備：複數個軟磁性合金粒子，其等包含Fe、元素L(其中，元素L為Si、Zr、Ti之任一者)及元素M(其中，元素M為除Si、Zr、Ti以外且較Fe更容易氧化之元素)；第1氧化膜，其包含元素L，且分別覆蓋上述複數個軟磁性合金粒子；第2氧化膜，其包含元素M，且覆蓋上述第1氧化膜；第3氧化膜，其包含元素L，且覆蓋上述第2氧化膜；第4氧化膜，其包含Fe，且覆蓋上述第3氧化膜；及結合部，其由上述第4氧化膜之一部分構成，將上述複數個軟磁性合金粒子彼此結合。

Description

磁性材料及電子零件

本發明係關於一種於線圈、電感器等中主要用作磁芯之磁性材料及使用其之電子零件。

電感器、扼流圏、變壓器等電子零件具有作為磁芯之磁性體、及形成於該磁性體之內部或表面之線圈。作為磁性體之材料，通常使用有例如NiCuZn系鐵氧體等鐵氧體材料。近年來，對此種電子零件要求大電流化，為了滿足該要求，研究將磁性體之材料自先前之鐵氧體切換成金屬系之材料。作為金屬系之材料，已知有FeSiCr合金、FeSiAl合金等，例如於專利文獻1揭示有FeSiCr系軟磁性合金粉末之合金相彼此經由包含Fe、Si及Cr之氧化物相而結合之壓粉磁芯。另一方面，金屬系之磁性材料雖然材料本身之飽和磁通密度較鐵氧體高，但材料本身之體積電阻率較先前之鐵氧體低，因此要求電絕緣特性之進一步提高。例如於專利文獻2揭示有於以Fe作為主成分之軟磁性金屬粒子之粒子間介置玻璃部的軟磁性壓粉磁芯。玻璃部係藉由於加壓狀態下利用熱使低熔點玻璃材料軟化而形成。低熔點玻璃材料之熔點較低，藉由加熱於軟磁性金屬粒子間產生擴散反應，能夠填埋無法利用覆蓋軟磁性金屬粒子之表面之氧化物部完全填埋之大小之空隙。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2015-126047號公報 [專利文獻2]日本專利特開2015-144238號公報

[發明所欲解決之問題] 然而，使用玻璃難以填埋合金粒子間之間隙，且具有缺乏絕緣穩定性之問題。又，即便能夠利用玻璃填埋合金粒子間之間隙，亦有合金粒子之氧化反應變得不穩定，反而使絕緣特性降低之虞。鑒於如上述般之情況，本發明之目的在於提供一種能夠提高絕緣特性之磁性材料及電子零件。 [解決問題之技術手段] 為達成上述目的，本發明之一形態之磁性材料具有複數個磁性合金粒子、第1氧化膜、第2氧化膜、第3氧化膜、第4氧化膜、及結合部。上述複數個磁性合金粒子包含Fe、元素L(其中，元素L為Si、Zr、Ti之任一者)及元素M(其中，元素M為除Si、Zr、Ti以外且較Fe更容易氧化之元素)。上述第1氧化膜包含元素L，且分別覆蓋上述複數個軟磁性合金粒子。上述第2氧化膜包含元素M，且覆蓋上述第1氧化膜。上述第3氧化膜為非晶質，包含元素L，且覆蓋上述第2氧化膜。上述第4氧化膜包含Fe，且覆蓋上述第3氧化膜。上述結合部由上述第4氧化膜之一部分構成，將上述複數個軟磁性合金粒子彼此結合。於上述磁性材料中，軟磁性合金粒子之表面係由上述第1～第4氧化膜覆蓋，故可有效地提高經由由第4氧化膜之一部分構成之結合部而結合之軟磁性合金粒子間的絕緣特性。典型而言，元素M為Cr，元素L為Si。上述第3氧化膜亦可具有上述第1氧化膜之厚度以上之厚度。上述第3氧化膜之厚度並無特別限定，例如為1 nm以上且20 nm以下。本發明之其他形態之磁性材料具有複數個磁性合金粒子、第1氧化膜、第2氧化膜、第3氧化膜、及第4氧化膜。上述複數個磁性合金粒子包含Fe、元素L(其中，元素L為Si、Zr、Ti之任一者)及元素M(其中，元素M為除Si、Zr、Ti以外且較Fe更容易氧化之元素)。上述第1氧化膜包含元素L，且分別覆蓋上述複數個軟磁性合金粒子。上述第2氧化膜包含元素M，且覆蓋上述第1氧化膜。上述第3氧化膜為非晶質，包含元素L，且覆蓋上述第2氧化膜。上述第4氧化膜包含Fe，且覆蓋上述第3氧化膜。本發明之一形態之電子零件具備含有上述磁性材料之磁芯。 [發明之效果] 根據本發明，能夠實現絕緣特性之提高。

以下，一面參考圖式，一面對本發明之實施形態進行說明。圖1係表示作為本發明之一實施形態之電子零件的線圈零件(積層電感器)之全體立體圖。圖2係圖1中之A-A線剖視圖。 [線圈零件之全體構成] 本實施形態之線圈零件10如圖1所示般，具有零件本體11及一對外部電極14、15。零件本體11形成為於X軸方向具有寬度W、於Y軸方向具有長度L、且於Z軸方向具有高度H之長方體形狀。一對外部電極14、15設置於零件本體11之於長邊方向(Y軸方向)上對向之2個端面。零件本體11之各部之尺寸並無特別限定，於本實施形態中，設為長度L為1.6～2 mm，寬度W為0.8～1.2 mm，高度H為0.4～0.6 mm。零件本體11如圖2所示般，具有長方體形狀之磁性體部12、及由磁性體部12所覆蓋之螺旋狀之線圈部13(內部導體)。圖3係零件本體11之分解立體圖。圖4係圖1中之B-B線剖視圖。磁性體部12如圖3所示般，具有複數個磁性體層MLU、ML1～ML7及MLD於高度方向(Z軸方向)積層而一體化之構造。磁性體層MLU及MLD構成磁性體部12之上下之覆蓋層(第3磁性層)。磁性體層ML1～ML7構成包含線圈部13之導體層，如圖4所示般，分別具有第1磁性層121、第2磁性層122、及導體圖案C11～C17。第1磁性層121係作為介置於鄰接之上下之導體圖案C11～C17之間的導體間層構成。第1磁性層121使用軟磁性合金粒子。作為軟磁性合金粒子，於本實施形態中，例如使用FeSiCr系合金磁性粒子。軟磁性合金粒子之組成，典型而言Cr為1～5 wt%，Si為2～10 wt%，除雜質以外設剩餘部分為Fe，整體上為100 wt%。視為軟磁性合金粒子之體積基準之粒徑的情形時之平均粒徑(中值直徑)，可根據作為目標之磁特性(相對磁導率、電感、飽和磁化等)、第1磁性層121之厚度等而適當地設定。作為一例，於第1磁性層121之厚度為4 μm以上且20 μm以下之情形時，構成第1磁性層121之軟磁性合金粒子之平均粒徑於上述厚度尺寸下設為於厚度方向(Z軸方向)排列4個以上合金粒子之大小，例如設為1 μm以上且5 μm以下。作為軟磁性合金粒子，除FeSiCr以外，亦可使用FeZrCr、FeSiAl、FeSiTi、FeZrAl、FeZrTi等。即，軟磁性合金粒子只要以Fe作為主成分，且包含Si、Zr及Ti之任一者以上之元素(以下，亦稱為元素L)、及除Si、Zr及Ti以外之較Fe更容易氧化之例如Cr、Al等1種以上之元素(以下，亦稱為元素M)即可。藉由使用此種磁性材料，於軟磁性合金粒子之表面穩定地形成下述之氧化膜，尤其是即便於以低溫度進行熱處理之情形時，亦能夠提高絕緣性。再者，於FeSiCr系合金中，除Si及Cr以外之剩餘部分，除不可避免之雜質以外較佳為Fe。作為除Fe、Si及Cr以外亦可包含之金屬，可列舉Al、Mg(鎂)、Ca(鈣)、Ti、Mn(錳)、Co(鈷)、Ni(鎳)、Cu(銅)等，作為非金屬，可列舉P(磷)、S(硫)、C(碳)等。導體圖案C11～C17配置於第1磁性層121之上。導體圖案C11～C17如圖2所示般，構成繞Z軸周圍捲繞之線圈之一部分，且經由通孔V1～V6於Z軸方向分別電性連接，藉此形成線圈部13。磁性體層ML1之導體圖案C11具有與一外部電極14電性連接之引出端部13e1，且磁性體層ML7之導體圖案C17具有與另一外部電極15電性連接之引出端部13e2。第2磁性層122係由與第1磁性層121同種之軟磁性合金粒子(於本例中為FeCrSi合金粒子)構成。第2磁性層122隔著第1磁性層121而於Z軸方向上對向，分別配置於第1磁性層121上之導體圖案C11～C17之周圍(外周區域及內周區域)。各磁性體層ML1～ML7中之第2磁性層122之沿Z軸方向之厚度，典型而言與導體圖案C11～C17之厚度相同，但該等之厚度亦可存在差異。於本實施形態中，第2磁性層122係由較第1磁性層121更高電阻之磁性材料構成。藉此，可穩定地確保導體圖案C11～C17與外部電極14、15之間之所需之電性絕緣特性。再者，關於構成第1磁性層121之磁性材料與構成第2磁性層122之磁性材料的不同之處將於下文進行敍述。第3磁性層123係由與第1磁性層121同種之軟磁性合金粒子(於本例中為FeCrSi合金粒子)構成。第3磁性層123分別相當於上層之磁性體層MLU及下層之磁性體層MLD，隔著磁性體層ML1～ML7之第1磁性層121、第2磁性層122及導體圖案C11～C17(線圈部13)而於Z軸方向上對向配置。磁性體層MLU、MLD分別由複數個第3磁性層123之積層體構成，且該等積層數並無特別限定。又，磁性體層ML7之第1磁性層121亦可由位於磁性體層MLD之最上層之第3磁性層123構成。又，磁性體層MLU之最下層亦可由第1磁性層121構成。繼而，線圈部13係由導電性材料構成，且具有與外部電極14電性連接之引出端部13e1、及與外部電極15電性連接之引出端部13e2。線圈部13係由導電膏之焙燒體構成，於本實施形態中，係由銀(Ag)膏之焙燒體構成。線圈部13於磁性體部12之內部繞高度方向(Z軸方向)螺旋狀地捲繞。線圈部13如圖3所示般，具有分別於磁性體層ML1～ML7上形成為特定形狀之7個導體圖案C11～C17、及於Z軸方向上連接導體圖案C11～C17之總計6個通孔V1～V6，且係藉由將該等螺旋狀地一體化而構成。再者，導體圖案C12～C16相當於線圈部13之環繞部，導體圖案C11、C17相當於線圈部13之引出部。圖示之線圈部13之圈數為約5.5，但當然並不限定於此。如圖3所示般，自Z軸方向進行觀察時，線圈部13形成為以磁性體部12之長邊方向作為長軸之橢圓形形狀。藉此，可使流經線圈部13之電流之路徑為最短，故能夠實現直流電阻之低電阻化。此處，所謂橢圓形形狀典型而言係指橢圓或長圓(使用直線將2個半圓相連而成之形狀)、圓角長方形形狀等。再者，不限定於此，線圈部13亦可為自Z軸方向觀察時之形狀為大致矩形形狀者。 [磁性體部之詳細內容] 其次，對磁性體部12之詳細內容進行說明。於構成第1～第3磁性層121～123之軟磁性合金粒子(FeCrSi合金粒子)之表面，存在有該FeCrSi合金粒子之氧化物作為絕緣膜。各磁性層121～123內之FeCrSi合金粒子經由上述氧化物而相互結合，線圈部13附近之FeCrSi合金粒子經由上述氧化物而與線圈部13密接。上述氧化物典型而言，包含屬於磁性體之Fe₃ O₄ 、及屬於非磁性體之Fe₂ O₃ 、Cr₂ O₃ 、SiO₂ 之至少一者。 (第1磁性層) 圖5係形成於構成第1磁性層121之軟磁性合金粒子P1之表面的第1氧化物F1之概略剖視圖，圖6係說明該第1氧化物F1之積層構造之模式圖。第1磁性層121全體上係由原本獨立之多個軟磁性合金粒子P1彼此結合而成之集合體，或包含多個軟磁性合金粒子P1之壓粉體構成。於圖5中，將3個軟磁性合金粒子P1之界面附近放大描寫。於至少一部分軟磁性合金粒子P1，在其周圍之至少一部分、較佳為幾乎遍及全體形成有第1氧化物F1，藉由該第1氧化物F1，可確保第1磁性層121之絕緣性。鄰接之軟磁性合金粒子P1彼此主要經由位於各軟磁性合金粒子P1之周圍的第1氧化物F1結合，結果，構成具有固定形狀之磁性體。鄰接之軟磁性合金粒子P1亦可局部地於金屬部分彼此結合。再者，無論於經由第1氧化物F1而結合之情形及於金屬部分彼此結合之情形之任一者，均較佳為實質上不包含含有有機樹脂之基質。各個軟磁性合金粒子P1至少為至少包含鐵(Fe)及較鐵更容易氧化之2種元素(元素L及M)之合金。元素L與元素M不同，且均為金屬元素或Si。於元素L及M為金屬元素之情形時，典型而言，可列舉Cr(鉻)、Al(鋁)、Zr(鋯)、Ti(鈦)等，較佳為Cr或Al，進而較佳為包含Si或Zr。於磁性體(第1磁性層121)全體中，Fe之含有率較佳為92.5～96 wt%。於上述範圍之情形時，可確保較高之體積電阻率。於磁性體全體中，元素L之含有率較佳為2.5～6 wt%。於磁性體全體中，元素M之含有率較佳為1.5～4.5 wt%。作為除Fe及元素L及M以外亦可包含之元素，可列舉Mn(錳)、Co(鈷)、Ni(鎳)、Cu(銅)、P(磷)、S(硫)、C(碳)等。關於磁性體全體之組成，例如可藉由對磁性體之剖面進行電漿發光分析而算出。第1氧化物F1典型而言係由3層構造之氧化膜構成，即，自距磁性合金粒子P1較近之層(即內側)依序包含第1氧化膜F11，第2氧化膜F12及第3氧化膜F13。第1氧化膜F11係較元素M包含更多元素L之氧化物。另一方面，第2氧化膜F12係較元素L包含更多元素M之氧化物。於本實施形態中，元素L為Si，第1氧化膜F11為SiO₂ 。另一方面，元素M為Cr，第2氧化膜F12為Cr₂ O₃ 。第3氧化膜F13係較元素L及M包含更多Fe之氧化物(Fe_x O_y )。Fe之氧化物典型而言為屬於磁性體之Fe₃ O₄ 、或屬於非磁性體之Fe₂ O₃ 。第1氧化膜F11所包含之元素L及第2氧化膜F12所包含之元素M均相當於作為軟磁性合金粒子P1之組成成分之Si及Cr擴散、析出而得者。第3氧化膜F13所包含之Fe亦同樣地，相當於作為軟磁性合金粒子P1之組成成分之Fe擴散、析出而得者。第1磁性層121如圖5所示般，具有將軟磁性合金粒子P1彼此結合之結合部V1。結合部V1係由第3氧化膜F13之一部分構成，將複數個軟磁性合金粒子P1相互結合。藉由結合部V1之存在，可實現機械強度及絕緣性之提高。第1磁性層121較佳為遍及其全體，鄰接之軟磁性合金粒子P1經由結合部V1而結合，但亦可部分性地存在不經由第1氧化物F1而使軟磁性合金粒子P1彼此結合之區域。進而，第1磁性層121亦可部分性地包含結合部V1及除結合部V1以外之結合部(軟磁性合金粒子P1彼此之結合部)均不存在，而僅為物理性接觸或接近之形態。進而，第1磁性層121亦可部分性地具有空隙。第1氧化物F1亦可於形成磁性體(第1磁性層121)之前之原料粒子之階段形成，亦可於原料粒子之階段不存在或極少存在第1氧化物F1，於成形過程中產生第1氧化物F1。於對成形前之軟磁性合金粒子P1實施熱處理而獲得磁性體時，較佳為軟磁性合金粒子P1之表面部分氧化而產生第1氧化物F1，且經由該產生之第1氧化物F1使複數個軟磁性合金粒子P1結合。尤其是，由於第1氧化膜F11以覆蓋軟磁性合金粒子P1之表面全體之方式形成，故於磁性體全體，較佳為元素L之含有率高於元素M。由於存在第1氧化膜F11，故可獲得穩定之絕緣性。又，藉由使元素M之含有率為1.5～4.5 wt%，可推定能夠抑制過度氧化，並且能夠使第1及第2氧化膜之厚度變薄。 (第2磁性層) 另一方面，圖7係形成於構成第2磁性層122之軟磁性合金粒子P2之表面的第2氧化物F2之概略剖視圖，圖8係說明該第2氧化物F2之積層構造之模式圖。第2磁性層122亦同樣地，由多個軟磁性合金粒子P2彼此結合而成之集合體、或包含多個軟磁性合金粒子P2之壓粉體構成。於圖7中，將3個軟磁性合金粒子P2之界面附近放大描寫。於至少一部分軟磁性合金粒子P2，在其周圍之至少一部分，較佳為幾乎遍及全體形成有第2氧化物F2，藉由該第2氧化物F2可確保第2磁性層122之絕緣性。鄰接之軟磁性合金粒子P2彼此主要經由位於各軟磁性合金粒子P2之周圍的第2氧化物F2而結合，結果，構成具有固定形狀之磁性體。鄰接之軟磁性合金粒子P2亦可局部性地於金屬部分彼此結合，但為了成為絕緣性更確實者，較佳為利用藉由第2氧化物F2而進行之結合形成磁性體。再者，無論於經由第2氧化物F2而結合之情形及於金屬部分彼此結合之情形之任一者，較佳為實質上不包含含有有機樹脂之基質。各個軟磁性合金粒子P2至少為至少包含鐵(Fe)及較鐵更容易氧化之2種元素(元素L及M)之合金。元素L與元素M不同，且均為金屬元素或Si。於元素L及M為金屬元素之情形時，典型而言，可列舉Cr(鉻)、Al(鋁)、Zr(鋯)、Ti(鈦)等，較佳為Cr或Al，進而較佳為包含Si或Zr。於磁性體(第2磁性層122)全體，Fe之含有率較佳為92.5～96 wt%。於上述範圍之情形時，可確保較高之體積電阻率。於磁性體全體，元素L之含有率較佳為2.5～6 wt%。於磁性體全體，元素M之含有率較佳為1.5～4.5 wt%。關於磁性體全體之組成，例如可藉由對磁性體之剖面進行電漿發光分析而算出。作為除Fe及元素L及M以外亦可包含之元素，可列舉Mn(錳)、Co(鈷)、Ni(鎳)、Cu(銅)、P(磷)、S(硫)、C(碳)等。第2氧化物F2典型而言係由4層構造之氧化膜構成，即包含覆蓋軟磁性合金粒子P2之第1氧化膜F21、覆蓋第1氧化膜F21之第2氧化膜F22、覆蓋第2氧化膜F22之第3氧化膜F23及覆蓋第3氧化膜F23之第4氧化膜F24。第1氧化膜F21及第3氧化膜F23係包含元素L之氧化物，典型而言，係較元素M包含更多元素L之氧化物。另一方面，第2氧化膜F22係包含元素M之氧化物，典型而言，係較元素L包含更多元素M之氧化物。於本實施形態中，元素L為Si，第1及第3氧化膜F21、F23為SiO₂ 。另一方面，元素M為Cr，第2氧化膜F22為Cr₂ O₃ 。第4氧化膜F24係較元素L包含更多Fe之氧化物(Fe_x O_y )。Fe之氧化物典型而言為屬於磁性體之Fe₃ O₄ 、或屬於非磁性體之Fe₂ O₃ 。第1氧化膜F21所包含之元素L及第2氧化膜F22所包含之元素M均相當於作為軟磁性合金粒子P2之組成成分之Si及Cr擴散、析出而得者。第4氧化膜F24所包含之Fe亦同樣地，相當於作為軟磁性合金粒子P2之組成成分之Fe擴散、析出而得者。相對於此，構成第3氧化膜F23之元素L(Si)為如下所述般由預先形成於軟磁性合金粒子P2之表面之SiO₂ 之膜構成。關於第2氧化物F2之存在，可藉由倍率約5000倍之掃描式電子顯微鏡(SEM，scanning electron microscope)之組成映射而確認。關於構成第2氧化物F2之第1～第4氧化膜F21～F24之存在，可藉由倍率約20000倍之穿透式電子顯微鏡(TEM，transmission electron microscope)之組成映射而確認。關於第1～第4氧化膜F21～F24之厚度，可藉由倍率約800000倍之TEM之能量分散式X射線分析裝置(EDS，energy dispersive spectrometer)而確認。藉由存在第2氧化物F2，可確保磁性體全體之絕緣性。尤其是，第2氧化物F2與上述第1氧化物F1相比進而包含氧化膜(第3氧化膜F23)，故可獲得較第1氧化物F1更高之絕緣特性。第2磁性層122如圖7所示般，具有將軟磁性合金粒子P2彼此結合之結合部V2。結合部V2係由第4氧化膜F24之一部分構成，將複數個軟磁性合金粒子P2相互結合。結合部V2之存在例如可自放大至約5000倍之SEM觀察圖像等視認到。藉由結合部V2之存在，可實現機械強度及絕緣性之提高。第2磁性層122較佳為遍及其全體，鄰接之軟磁性合金粒子P2經由結合部V2而結合，但亦可部分性地存在不經由第2氧化物F2而軟磁性合金粒子P2彼此結合之區域。進而，第2磁性層122亦可部分性地包含結合部V2及除結合部V2以外之結合部(軟磁性合金粒子P1彼此之結合部)均不存在，而僅為物理性接觸或接近之形態。進而，第2磁性層122亦可部分性地具有空隙。第2氧化物F2亦可於形成磁性體(第2磁性層122)之前之原料粒子之階段形成，亦可於原料粒子之階段不存在或極少存在第2氧化物F2，而於成形過程中產生第2氧化物F2。於本實施形態中，在形成磁性體(第2磁性層122)之前之原料粒子之階段中，實施於軟磁性合金粒子P2之表面形成第3氧化膜F23之預處理。而且，於對成形前之軟磁性合金粒子P2實施熱處理而獲得磁性體(第2磁性層122)時，軟磁性合金粒子P2之表面部分氧化而產生第1氧化膜F21、第2氧化膜F22、第4氧化膜F24及結合部V2。於原料粒子之表面形成構成第3氧化膜F23之塗佈材料的預處理之方法並無特別限定，於本實施形態中，使用利用溶膠凝膠法之塗覆製程。典型而言，將包含TEOS(四乙氧基矽烷，Si(OC₂ H₅ )₄ )、乙醇及水之處理液混合、攪拌至包含軟磁性合金粒子P2、乙醇及氨水之混合液中之後，過濾、分離出軟磁性合金粒子P2，並進行乾燥，藉此，製作於表面形成有包含SiO₂ 膜之塗佈材料的軟磁性合金粒子P2。此處，若一次性地將上述處理液混合至上述混合液中，則均勻成核佔優勢，SiO₂ 粒子於溶液中成核、晶粒成長而形成凝集體，該凝集體附著於軟磁性合金粒子P2之表面，由此無法穩定地形成塗佈材料。因此，於本實施形態中，藉由將上述處理液一面分為複數次滴加至上述混合液中一面進行混合，抑制SiO₂ 粒子之均勻成核，使軟磁性合金粒子P2表面上之不均勻成核佔優勢，藉此，能夠於軟磁性合金粒子P2之表面穩定地形成塗佈材料。第3氧化膜F23(塗佈材料)之厚度可根據處理液所包含之TEOS(Tetraethyl orthosilicate，正矽酸乙酯)之量進行調整，TEOS之量越多越能夠獲得較厚之膜。第3氧化膜F23之厚度並無特別限定，較佳為1 nm以上且20 nm以下。於厚度未達1 nm之情形時，第3氧化膜F23之覆蓋性變差，難以實現絕緣特性之提高。又，若厚度超過20 nm，則有因軟磁性合金粒子P2之填充率降低而磁特性降低之傾向。又，第3氧化膜F23之厚度可為與第1氧化膜F21之厚度同等或其以上，亦可小於第1氧化膜F21之厚度。藉由使第3氧化膜F23之厚度成為與第1氧化膜F21之厚度同等或其以上，與不存在第3氧化膜F23之情形相比，能夠有效地提高絕緣特性。另一方面，藉由使第3氧化膜F23之厚度小於第1氧化膜F21之厚度，能夠抑制由第3氧化膜F23之存在而導致之磁特性(相對磁導率等)之降低。尤其是，由於第1氧化膜F21以覆蓋軟磁性合金粒子P2之表面全體之方式形成，故於磁性體全體，較佳為元素L之含有率高於元素M。由於存在第1氧化膜F21，故可獲得穩定之絕緣性。又，藉由使元素M之含有率為1.5～4.5 wt%，能夠抑制過度氧化，並且使第1及第2氧化膜F21、F22之厚度變薄。又，此處所獲得之第1、第2、第3及第4氧化膜F21～F24分別為非晶質、非晶質、非晶質及結晶質。第1、第2、第3及第4氧化膜藉由交替地形成性質不同之膜，而成為兼具絕緣性及氧化抑制之氧化膜，且藉由不具有所需以上之厚度，而可獲得提高相對磁導率並且兼具絕緣性之磁性體。 (第3磁性層) 構成第3磁性層123之磁性材料可與第1磁性層121以同樣之方式構成，或亦可與第2磁性層122以同樣之方式構成。典型而言，第3磁性層123係由具有與第1磁性層121同等或其以上之磁特性之磁性材料構成。 [線圈零件之製造方法] 繼而，對線圈零件10之製造方法進行說明。圖9A～C係說明線圈零件10之磁性體層ML1～ML7之製造方法的主要部分之概略剖視圖。磁性體層ML1～ML7之製造方法具有第1磁性層121之製作步驟、導體圖案C10之形成步驟、及第2磁性層122之製作步驟。 (第1磁性層之製作) 於製作第1磁性層121時，使用刮刀或模嘴塗佈機等塗佈機(省略圖示)，將預先準備之磁性體膏(漿料)塗覆於塑膠製之基礎膜(省略圖示)之表面。繼而，使用熱風乾燥機等乾燥機(省略圖示)，以約80℃、約5分鐘之條件乾燥該基礎膜，分別製作與磁性體層ML1～ML7對應之第1～第7磁性片材121S(參照圖9A)。該等磁性片材121S分別形成為能夠獲得多個第1磁性層121之尺寸。此處所使用之磁性體膏之組成為，FeCrSi合金粒子群(軟磁性合金粒子P1)為75～85 wt%，丁基卡必醇(溶劑)為13～21.7 wt%，聚乙烯丁醛(黏合劑)為2～3.3 wt%，且根據FeCrSi粒子群之平均粒徑(中值直徑)而進行調整。例如，於FeCrSi合金粒子群之平均粒徑(中值直徑)為3 μm以上之情形時，分別設為85 wt%、13 wt%、2 wt%，於1.5 μm以上且未達3 μm未達之情形時，分別設為80 wt%、17.3 wt%、2.7 wt%，於未達1.5 μm之情形時，分別設為75 wt%、21.7 wt%、3.3 wt%。FeCrSi合金粒子群之平均粒徑係根據第1磁性層121之厚度等而選擇。FeCrSi合金粒子群係例如藉由霧化法而製造。第1磁性層121係以4個以上之合金磁性粒子(FeCrSi合金粒子)沿厚度方向排列之厚度而製作成，其厚度為例如5 μm以上且25 μm以下。於本實施形態中，合金磁性粒子之平均粒徑於體積基準下，d50(中值直徑)較佳為1～4 μm。合金磁性粒子之d50係使用利用雷射繞射散射法之粒徑、粒度分佈測定裝置(例如，日機裝公司製造之Microtrac)而測定。繼而，使用沖切加工機或雷射加工機等穿孔機(省略圖示)，於與磁性體層ML1～ML6對應之第1～第6磁性片材121S，以特定配列形成與通孔V1～V6(參照圖3)對應之貫通孔(省略圖示)。關於貫通孔之配列，以於積層第1～第7磁性片材121S時，於填充有導體之貫通孔及導體圖案C11～C17形成有內部導體之方式設定。 (導體圖案之形成) 繼而，如圖9B所示般，於第1～第7磁性片材121S上形成導體圖案C11～C17。導體圖案C11使用網版印刷機或凹版印刷機等印刷機(省略圖示)，將預先準備之導體膏印刷至與磁性體層ML1對應之第1磁性片材121S之表面。進而，於導體圖案C11之形成時，將上述導體膏填充至與通孔V1對應之貫通孔。繼而，使用熱風乾燥機等乾燥機(省略圖示)，以約80℃、約5分鐘之條件乾燥第1磁性片材121S，而以特定配列製作與導體圖案C11對應之第1印刷層。關於導體圖案C12～C17及通孔V2～V6，亦使用與上述相同之方法製作。藉此，於與磁性體層ML2～ML7對應之第2～第7磁性片材121S之表面以特定配列製作與導體圖案C12～C17對應之第2～第7之印刷層。此處所使用之導體膏之組成為Ag粒子群為85 wt%，丁基卡必醇(溶劑)為13 wt%，聚乙烯丁醛(黏合劑)為2 wt%，且Ag粒子群之d50(中值直徑)為約5 μm。 (第2磁性層之製作) 繼而，如圖6C所示般，於第1～第7磁性片材121S之上形成第2磁性層122。於製作第2磁性層122時，首先，藉由實施上述預處理而準備於表面形成有包含氧化矽膜之塗佈材料(第3氧化膜F23)之軟磁性合金粒子P2。繼而，使用網版印刷機或凹版印刷機等印刷機(省略圖示)，將包含該軟磁性合金粒子之FeCrSi合金粒子群之磁性體膏(漿料)塗覆於第1～第7磁性片材121S上之導體圖案C11～C17之周圍。其次，使用熱風乾燥機等乾燥機(省略圖示)，以約80℃、約5分鐘之條件乾燥該磁性體膏。此處所使用之磁性體膏之組成為FeCrSi合金粒子群為85 wt%，丁基卡必醇(溶劑)為13 wt%，聚乙烯丁醛(黏合劑)為2 wt%。第2磁性層122之厚度係以成為與導體圖案C11～C17之厚度相同或為20%以內之厚度之差之方式而進行調整，在積層方向上大致形成同一平面，從而於在各磁性層不產生階差且不產生積層偏移等之情況下獲得磁性體部12。第2磁性層122係以3個以上之合金磁性粒子(FeCrSi合金粒子)沿厚度方向排列之厚度製作成。其厚度為例如4 μm以上且20 μm以下。構成第2磁性層122之軟磁性合金粒子P2之平均粒徑可與構成第1磁性層121之軟磁性合金粒子P1之平均粒徑相同，或亦可較其大或較其小。於本實施形態中，平均粒徑為1～4 μm。因軟磁性合金粒子P2之平均粒徑越小則比表面積越增加，故由第2氧化物F2所致之軟磁性合金粒子P2之絕緣效果增高。以上述之方式製作與磁性體層ML1～ML7對應之第1～第7片材(參照圖9C)。 (第3磁性層之製作) 於製作第3磁性層123時，使用刮刀或模嘴塗佈機等塗佈機(省略圖示)，將預先準備之磁性體膏(漿料)塗覆於塑膠製之基礎膜(省略圖示)之表面。繼而，使用熱風乾燥機等乾燥機(省略圖示)，以約80℃、約5分鐘之條件乾燥該基礎膜，分別製作與構成磁性體層MLU、MLD之第3磁性層123對應之磁性片材。該等磁性片材分別形成為能夠獲得多個第3磁性層123之尺寸。此處所使用之磁性體膏之組成為FeCrSi合金粒子群為85 wt%，丁基卡必醇(溶劑)為13 wt%，聚乙烯丁醛(黏合劑)為2 wt%。第3磁性層123如上所述般，以磁性體層MLU、MLD之各自之厚度成為例如50 μm以上且120 μm以下之方式，根據其積層數而設定。於本實施形態中，構成第3磁性層123之合金磁性粒子之平均粒徑可與構成第1磁性層121之合金磁性粒子之平均粒徑及構成第2磁性層122之合金磁性粒子之平均粒徑相同，或亦可較其大或較其小。於平均粒徑相同之情形時，可提高相對磁導率，於較小之情形時，可使第3磁性層123變薄。 (積層及切斷) 繼而，使用吸附搬送機及壓製機(均省略圖示)，將第1～第7片材(與磁性體層ML1～ML7對應)及第8片材群(與磁性體層MLU、MLD對應)按照圖3所示之順序層疊並進行熱壓接而製作積層體。繼而，使用切割機或雷射加工機等切斷機(省略圖示)，將積層體切斷為零件本體之尺寸，從而製作加工處理前晶片(包含加熱處理前之磁性體部及線圈部)。 (脫脂及氧化物之形成) 繼而，使用焙燒爐等加熱處理機(省略圖示)，於大氣等氧化性環境中，將多個加熱處理前晶片一併進行加熱處理。該加熱處理包含脫脂製程及氧化物形成製程，脫脂製程係於約500℃、約1小時之條件下實施，氧化物形成製程係於約700℃、約5小時之條件下實施。實施脫脂製程之前之加熱處理前晶片，於加熱處理前之磁性體內之FeSiCr合金粒子之間存在多個微細間隙，於該微細間隙中包含有黏合劑等。然而，該等黏合劑於脫脂製程中消失，故於脫脂製程結束後，該微細間隙變成孔隙(空隙)。又，於加熱處理前之線圈部內之Ag粒子之間亦存在多個微細間隙，於該微細間隙中包含有黏合劑等，但該等黏合劑於脫脂製程中消失。於繼脫脂製程之後之氧化物形成製程中，加熱處理前之磁性體內之FeSiCr合金粒子密集而製作磁性體部12(參照圖1、圖2)，同時於FeSiCr合金粒子各自之表面形成該粒子之氧化物(第1氧化物F1及第2氧化物F2)。又，將加熱處理前之線圈部內之Ag粒子群燒結而製作線圈部13(參照圖1、圖2)，藉此製作零件本體11。此時，關於第1磁性層121，於軟磁性合金粒子P1之表面形成包含第1～第3氧化膜F11～F13之第1氧化物F1，且經由結合部V1而將軟磁性粒子P1彼此結合(參照圖5)。另一方面，關於第2磁性層122，於軟磁性合金粒子P2之表面形成包含第1～第4氧化膜F21～F24之第2氧化物F2，且經由結合部V2而將軟磁性合金粒子P2彼此結合(參照圖7)。 (外部電極之形成) 繼而，使用浸漬塗佈機或輥塗佈機等塗佈機(省略圖示)，將預先準備之導體膏塗佈於零件本體11之長度方向兩端部，使用焙燒爐等加熱處理機(省略圖示)，於約650℃、約20分鐘之條件下對其進行烘烤處理，藉由該烘烤處理使溶劑及黏合劑消失及使Ag粒子群燒結，從而製作外部電極14、15(參照圖1、圖2)。此處所使用之外部電極14、15用之導體膏之組成為Ag粒子群為85 wt%以上，且除Ag粒子群以外，含有玻璃、丁基卡必醇(溶劑)、聚乙烯丁醛(黏合劑)，且Ag粒子群之d50(中值直徑)為約5 μm。最後，進行鍍覆。鍍覆係使用通常之電鍍而進行，Ni及Sn之金屬膜附著於此前將Ag粒子群燒結而形成之外部電極14、15。如此，能夠獲得線圈零件10。於本實施形態之線圈零件10中，構成第2磁性層122之磁性材料具有軟磁性合金粒子P2及形成於其表面之第2氧化物F2。於上述磁性材料中，軟磁性合金粒子P2之表面由於被第1～第4氧化膜F21～F24覆蓋，故獲得較構成第1磁性層121之磁性材料更高之絕緣特性。藉此，可提高線圈零件10之絕緣特性，且亦能夠容易地應對大電流化。進而，第2磁性層122由於獲得較第1磁性層121更高之絕緣特性，故即便軟磁性合金粒子P2間之距離變短，亦可確保良好之絕緣特性。因此，即便於追加實施提高磁性材料之壓粉密度(第2磁性層122之相對密度)之處理而實現該磁特性之提高之情形時，亦能夠穩定地確保所需之絕緣特性。 [實施例] 以下，對本發明之實施例進行說明。 (實施例1) 耗時50分鐘，將包含特定量之TEOS(四乙氧基矽烷，Si(OC₂ H₅ )₄ )、乙醇及水之處理液分別等量地滴加至包含平均粒徑(D50)6 μm之軟磁性合金粒子(FeSiCr合金粒子)、及特定量之乙醇及氨水之混合液中進行混合、攪拌之後，過濾、分離出軟磁性合金粒子，並進行乾燥，藉此，製作於表面形成有厚度15 nm之包含SiO₂ 膜之塗佈層的軟磁性合金粒子。製作該軟磁性合金粒子之壓粉體(磁性體)，對該等之相對磁導率(μ)、體積電阻率[Ω･cm]、絕緣破壞電壓(BVD)[MV/cm]及強度[kgf/mm² ]進行評價。壓粉體之製作條件如下所述。將100重量份之合金粒子與1.5重量份之PVA(polyvinyl alcohol，聚乙烯醇)黏合劑一同攪拌混合，且添加0.5重量份之硬脂酸Zn作為潤滑劑。其後，以6～18 ton/cm² 之成形壓力成形為用於下述各評價之形狀。此時，成形壓力係以磁性體中之軟磁性合金粒子之填充率成為80 vol%之方式進行調節。繼而，於500℃、1小時之條件下對所獲得之壓粉體進行脫脂，於大氣環境下(氧化環境下)以700℃進行5小時之熱處理，獲得磁性體。為了測定相對磁導率(M)，製造外徑8 mm、內徑4 mm、厚度1.3 mm之環形之磁性體。於該磁性體上捲繞20圈包含直徑0.3 mm之胺基甲酸酯被覆銅線之線圈，而獲得測定用試樣。使用L Chronometer(安捷倫科技公司製造：4285A)，以測定頻率10 MHz對磁性體之相對磁導率進行測定。體積電阻率係依據JIS-K6911而進行測定。其中，製造外形f7.0 mm×厚度0.5～0.8 mm之圓板狀之磁性體作為測定試樣。於上述熱處理後，藉由濺鍍而於圓板狀之兩個底面(底面之整個面)形成Au膜。對Au膜之兩表面施加3.6 V(60 V/cm)之電壓。根據此時之電阻值算出體積電阻率。為了測定絕緣破壞電壓，製造外形f7.0 mm×厚度0.5～0.8 mm之圓板狀之磁性體作為測定試樣。於上述熱處理後，藉由濺鍍而於圓板狀之兩個底面(底面之整個面)形成Au膜。對Au膜之兩表面施加電壓，且進行I-V測定。慢慢提高所施加之電壓，將於電流密度成為0.01 A/cm² 之時間點時之施加電壓視作破壞電壓。為了評價機械強度，測定3點彎曲破斷應力。圖10係說明3點彎曲破斷應力之測定的模式性說明圖。如圖示般對測定對象物施加負載，測定出測定對象物破斷時之負載W。考慮到彎曲力矩M及斷面二次矩I，而根據下式算出3點彎曲破斷應力σb。 σb＝(M/l)×(h/2)＝3WL/2bh² 關於用於測定3點彎曲破斷應力之試驗片，製造長度50 mm、寬度10 mm、厚度4 mm之板狀之磁性體作為測定試樣。測定形成於磁性體中之合金粒子之表面的氧化膜(相當於圖7中之第1～第4氧化膜F21～F24)之成分及厚度。測定中使用搭載EDS之STEM(scanning transmission electron microscope，掃描穿透式電子顯微鏡)，藉由STEM-EDS法確定氧化膜之成分，且藉由STEM-高角度環形暗場(HAADF，high angle annular dark field)法測量氧化膜之厚度。於即將測定之前，利用聚焦離子束裝置(FIB，focused ion beam)以成為50～100 nm之方式製作片材試樣，於電子束直徑為0.2～1.5 nm之範圍內，分別藉由EDS之線分析法測量氧化膜之成分、藉由HAADF法測量氧化膜之厚度。測定各氧化膜之厚度之場所為於合金粒子彼此未結合之部分進行，且向合金粒子之表面引垂線。繼而，於該垂線上自合金粒子之表面向外側進行觀察，將氧之存在比率為5%以下之部分設為合金粒子之表面。進而，自合金粒子之表面向外側進行觀察，將元素L(Si、Zr、Hf或Ti)之量多於元素M(Cr或Al)之範圍設為元素L之氧化膜(第1氧化膜)之厚度。其後，以同樣之方式繼續向外側觀察，將元素M之量多於元素L之範圍設為元素M之氧化膜(第2氧化膜)，且將元素L之量多於元素M之範圍設為元素L之氧化膜(第3氧化膜)。進而，關於Fe之氧化膜(第4氧化膜)，設為與元素L相比Fe之量較多之範圍。將測定結果示於表1及表2。相對磁導率為27，體積電阻率為2.7×10³ [Ω･cm]，絕緣破壞電壓為1.3×10^-2 [MV/cm]，強度為10[kgf/mm² ]。又，第1氧化膜之厚度為5 nm(成分Si)，第2氧化膜之厚度為11 nm(成分Cr)，第3氧化膜之厚度為15 nm(成分Si)，第4氧化膜之厚度為20 nm(成分Fe)。 (實施例2) 耗時10分鐘，將包含特定量之TEOS(四乙氧基矽烷，Si(OC₂ H₅ )₄ )、乙醇及水之處理液分別等量地滴加至包含平均粒徑(D50)6 μm之軟磁性合金粒子(FeSiCr合金粒子)、特定量之乙醇及氨水之混合液中進行混合、攪拌之後，過濾、分離出軟磁性合金粒子，並進行乾燥，藉此，製作於表面形成有厚度1 nm之包含SiO₂ 膜之塗佈層的軟磁性合金粒子。於與實施例1相同之條件下，製作該軟磁性合金粒子之壓粉體(磁性體)，且對該等之相對磁導率(μ)、體積電阻率[Ω･cm]、絕緣破壞電壓(BVD)[MV/cm]及強度[kgf/mm² ]進行評價。將測定結果示於表1及表2。相對磁導率為36，體積電阻率為7.1×10¹ [Ω･cm]，絕緣破壞電壓為5.3×10^-3 [MV/cm]，強度為14[kgf/mm² ]。又，第1氧化膜之厚度為5 nm(成分Si)，第2氧化膜之厚度為11 nm(成分Cr)，第3氧化膜之厚度為1 nm(成分Si)，第4氧化膜之厚度為60 nm(成分Fe)。 (實施例3) 耗時15分鐘，將包含特定量之TEOS(四乙氧基矽烷，Si(OC₂ H₅ )₄ )、乙醇及水之處理液分別等量地滴加至包含平均粒徑(D50)6 μm之軟磁性合金粒子(FeSiCr合金粒子)、特定量之乙醇及氨水之混合液中進行混合、攪拌之後，過濾、分離出軟磁性合金粒子，並進行乾燥，藉此，製作於表面形成有厚度5 nm之包含SiO₂ 膜之塗佈層的軟磁性合金粒子。於與實施例1相同之條件下，製作該軟磁性合金粒子之壓粉體(磁性體)，且對該等之相對磁導率(μ)、體積電阻率[Ω･cm]、絕緣破壞電壓(BVD)[MV/cm]及強度[kgf/mm² ]進行評價。將測定結果示於表1及表2。相對磁導率為34，體積電阻率為3.2×10² [Ω･cm]，絕緣破壞電壓為7.8×10^-3 [MV/cm]，強度為12[kgf/mm² ]。又，第1氧化膜之厚度為5 nm(成分Si)，第2氧化膜之厚度為11 nm(成分Cr)，第3氧化膜之厚度為5 nm(成分Si)，第4氧化膜之厚度為40 nm(成分Fe)。 (實施例4) 耗時20分鐘，將包含特定量之TEOS(四乙氧基矽烷，Si(OC₂ H₅ )₄ )、乙醇及水之處理液分別等量地滴加至包含平均粒徑(D50)6 μm之軟磁性合金粒子(FeSiCr合金粒子)、特定量之乙醇及氨水之混合液中進行混合、攪拌之後，過濾、分離出軟磁性合金粒子，並進行乾燥，藉此，製作於表面形成有厚度11 nm之包含SiO₂ 之膜之塗佈層的軟磁性合金粒子。於與實施例1相同之條件下，製作該軟磁性合金粒子之壓粉體(磁性體)，且對該等之相對磁導率(μ)、體積電阻率[Ω･cm]、絕緣破壞電壓(BVD)[MV/cm]及強度[kgf/mm² ]進行評價。將測定結果示於表1及表2。相對磁導率為30，體積電阻率為3.2×10² [Ω･cm]，絕緣破壞電壓為7.8×10^-3 [MV/cm]，強度為11[kgf/mm² ]。又，第1氧化膜之厚度為5 nm(成分Si)，第2氧化膜之厚度為11 nm(成分Cr)，第3氧化膜之厚度為11 nm(成分Si)，第4氧化膜之厚度為30 nm(成分Fe)。 (實施例5) 耗時50分鐘，將包含特定量之四異丙氧基鋯、Zr(O-i-C₃ H₇ )₄ 、乙醇及水之處理液分別等量地滴加至包含平均粒徑(D50)6 μm之軟磁性合金粒子(FeSiCr合金粒子)、特定量之乙醇及氨水之混合液中進行混合、攪拌之後，過濾、分離出軟磁性合金粒子，並進行乾燥，藉此，製作於表面形成有厚度15 nm之包含ZrO₂ 膜之塗佈層的軟磁性合金粒子。於與實施例1相同之條件下，製作該軟磁性合金粒子之壓粉體(磁性體)，且對該等之相對磁導率(μ)、體積電阻率[Ω･cm]、絕緣破壞電壓(BVD)[MV/cm]及強度[kgf/mm² ]進行評價。將測定結果示於表1及表2。相對磁導率為27，體積電阻率為2.5×10³ [Ω･cm]，絕緣破壞電壓為1.1×10^-2 [MV/cm]，強度為10[kgf/mm² ]。又，第1氧化膜之厚度為5 nm(成分Si)，第2氧化膜之厚度為11 nm(成分Cr)，第3氧化膜之厚度為15 nm(成分Zr)，第4氧化膜之厚度為20 nm(成分Fe)。 (實施例6) 耗時50分鐘，將包含特定量之四異丙氧基鉿、Hf[OCH(CH₃ )₂ ]₄ 、乙醇及水之處理液分別等量地滴加至包含平均粒徑(D50)6 μm之軟磁性合金粒子(FeSiCr合金粒子)、特定量之乙醇及氨水之混合液中進行混合、攪拌之後，過濾、分離出軟磁性合金粒子，並進行乾燥，藉此，製作於表面形成有厚度15 nm之包含HfO₂ 膜之塗佈層的軟磁性合金粒子。於與實施例1相同之條件下，製作該軟磁性合金粒子之壓粉體(磁性體)，且對該等之相對磁導率(μ)、體積電阻率[Ω･cm]、絕緣破壞電壓(BVD)[MV/cm]及強度[kgf/mm² ]進行評價。將測定結果示於表1及表2。相對磁導率為26，體積電阻率為2.4×10³ [Ω･cm]，絕緣破壞電壓為1.2×10^-2 [MV/cm]，強度為10[kgf/mm² ]。又，第1氧化膜之厚度為5 nm(成分Si)，第2氧化膜之厚度為11 nm(成分Cr)，第3氧化膜之厚度為15 nm(成分Hf)，第4氧化膜之厚度為20 nm(成分Fe)。 (實施例7) 耗時50分鐘，將包含特定量之四異丙氧基鈦、Ti[OCH(CH₃ )₂ ]₄ 、乙醇及水之處理液分別等量地滴加至包含平均粒徑(D50)6 μm之軟磁性合金粒子(FeSiCr合金粒子)、特定量之乙醇及氨水之混合液中進行混合、攪拌之後，過濾、分離出軟磁性合金粒子，並進行乾燥，藉此，製作於表面形成有厚度15 nm之包含TiO₂ 膜之塗佈層的軟磁性合金粒子。於與實施例1相同之條件下，製作該軟磁性合金粒子之壓粉體(磁性體)，且對該等之相對磁導率(μ)、體積電阻率[Ω･cm]、絕緣破壞電壓(BVD)[MV/cm]及強度[kgf/mm² ]進行評價。將測定結果示於表1及表2。相對磁導率為27，體積電阻率為2.5×10³ [Ω･cm]，絕緣破壞電壓為1.1×10^-2 [MV/cm]，強度為10[kgf/mm² ]。又，第1氧化膜之厚度為5 nm(成分Si)，第2氧化膜之厚度為11 nm(成分Cr)，第3氧化膜之厚度為15 nm(成分Ti)，第4氧化膜之厚度為20 nm(成分Fe)。 (實施例8) 耗時50分鐘，將包含特定量之TEOS(四乙氧基矽烷，Si(OC₂ H₅ )₄ )、乙醇及水之處理液分別等量地滴加至包含平均粒徑(D50)6 μm之軟磁性合金粒子(FeSiAl合金粒子)、特定量之乙醇及氨水之混合液中進行混合、攪拌之後，過濾、分離出軟磁性合金粒子，並進行乾燥，藉此，製作於表面形成有厚度15 nm之包含SiO₂ 膜之塗佈層的軟磁性合金粒子。於與實施例1相同之條件下，製作該軟磁性合金粒子之壓粉體(磁性體)，且對該等之相對磁導率(μ)、體積電阻率[Ω･cm]、絕緣破壞電壓(BVD)[MV/cm]及強度[kgf/mm² ]進行評價。將測定結果示於表1及表2。相對磁導率為25，體積電阻率為3.0×10³ [Ω･cm]，絕緣破壞電壓為1.1×10^-2 [MV/cm]，強度為11[kgf/mm² ]。又，第1氧化膜之厚度為5 nm(成分Si)，第2氧化膜之厚度為15 nm(成分Al)，第3氧化膜之厚度為15 nm(成分Si)，第4氧化膜之厚度為20 nm(成分Fe)。 (實施例9) 耗時50分鐘，將包含特定量之TEOS(四乙氧基矽烷，Si(OC₂ H₅ )₄ )、乙醇及水之處理液分別等量地滴加至包含平均粒徑(D50)6 μm之軟磁性合金粒子(FeZrCr合金粒子)、特定量之乙醇及氨水之混合液中進行混合、攪拌之後，過濾、分離出軟磁性合金粒子，並進行乾燥，藉此，製作於表面形成有厚度15 nm之包含SiO₂ 膜之塗佈層的軟磁性合金粒子。於與實施例1相同之條件下，製作該軟磁性合金粒子之壓粉體(磁性體)，且對該等之相對磁導率(μ)、體積電阻率[Ω･cm]、絕緣破壞電壓(BVD)[MV/cm]及強度[kgf/mm² ]進行評價。將測定結果示於表1及表2。相對磁導率為27，體積電阻率為2.0×10³ [Ω･cm]，絕緣破壞電壓為1.1×10^-2 [MV/cm]，強度為10[kgf/mm² ]。又，第1氧化膜之厚度為5 nm(成分Zr)，第2氧化膜之厚度為11 nm(成分Cr)，第3氧化膜之厚度為15 nm(成分Si)，第4氧化膜之厚度為20 nm(成分Fe)。 (實施例10) 耗時70分鐘，將包含特定量之TEOS(四乙氧基矽烷，Si(OC₂ H₅ )₄ )、乙醇及水之處理液分別等量地滴加至包含平均粒徑(D50)6 μm之軟磁性合金粒子(FeZrCr合金粒子)、特定量之乙醇及氨水之混合液中進行混合、攪拌之後，過濾、分離出軟磁性合金粒子，並進行乾燥，藉此，製作於表面形成有厚度20 nm之包含SiO₂ 膜之塗佈層的軟磁性合金粒子。於與實施例1相同之條件下，製作該軟磁性合金粒子之壓粉體(磁性體)，且對該等之相對磁導率(μ)、體積電阻率[Ω･cm]、絕緣破壞電壓(BVD)[MV/cm]及強度[kgf/mm² ]進行評價。將測定結果示於表1及表2。相對磁導率為25，體積電阻率為4.1×10³ [Ω･cm]，絕緣破壞電壓為1.1×10^-2 [MV/cm]，強度為10[kgf/mm² ]。又，第1氧化膜之厚度為5 nm(成分Si)，第2氧化膜之厚度為11 nm(成分Cr)，第3氧化膜之厚度為20 nm(成分Si)，第4氧化膜之厚度為20 nm(成分Fe)。 (實施例11) 耗時90分鐘，將包含特定量之TEOS(四乙氧基矽烷，Si(OC₂ H₅ )₄ )、乙醇及水之處理液分別等量地滴加至包含平均粒徑(D50)6 μm之軟磁性合金粒子(FeZrCr合金粒子)、特定量之乙醇及氨水之混合液中進行混合、攪拌之後，過濾、分離出軟磁性合金粒子，並進行乾燥，藉此，製作於表面形成有厚度24 nm之包含SiO₂ 膜之塗佈層的軟磁性合金粒子。於與實施例1相同之條件下，製作該軟磁性合金粒子之壓粉體(磁性體)，且對該等之相對磁導率(μ)、體積電阻率[Ω･cm]、絕緣破壞電壓(BVD)[MV/cm]及強度[kgf/mm² ]進行評價。將測定結果示於表1及表2。相對磁導率為21，體積電阻率為5.0×10³ [Ω･cm]，絕緣破壞電壓為8.0×10^-3 [MV/cm]，強度為8[kgf/mm² ]。又，第1氧化膜之厚度為5 nm(成分Si)，第2氧化膜之厚度為11 nm(成分Cr)，第3氧化膜之厚度為24 nm(成分Si)，第4氧化膜之厚度為15 nm(成分Fe)。 (實施例12) 耗時10分鐘，將包含特定量之TEOS(四乙氧基矽烷，Si(OC₂ H₅ )₄ )、乙醇及水之處理液分別等量地滴加至包含平均粒徑(D50)2 μm之軟磁性合金粒子(FeSiCr合金粒子)、特定量之乙醇及氨水之混合液中進行混合、攪拌之後，過濾、分離出軟磁性合金粒子，並進行乾燥，藉此，製作於表面形成有厚度1 nm之包含SiO₂ 膜之塗佈層的軟磁性合金粒子。於與實施例1相同之條件下，製作該軟磁性合金粒子之壓粉體(磁性體)，且對該等之相對磁導率(μ)、體積電阻率[Ω･cm]、絕緣破壞電壓(BVD)[MV/cm]及強度[kgf/mm² ]進行評價。將測定結果示於表1及表2。相對磁導率為21，體積電阻率為8.0×10¹ [Ω･cm]，絕緣破壞電壓為6.6×10^-3 [MV/cm]，強度為12[kgf/mm² ]。又，第1氧化膜之厚度為5 nm(成分Si)，第2氧化膜之厚度為11 nm(成分Cr)，第3氧化膜之厚度為1 nm(成分Si)，第4氧化膜之厚度為60 nm(成分Fe)。 (實施例13) 耗時10分鐘，將包含特定量之TEOS(四乙氧基矽烷，Si(OC₂ H₅ )₄ )、乙醇及水之處理液分別等量地滴加至包含平均粒徑(D50)1 μm之軟磁性合金粒子(FeSiCr合金粒子)、特定量之乙醇及氨水之混合液中進行混合、攪拌之後，過濾、分離出軟磁性合金粒子，並進行乾燥，藉此，製作於表面形成有厚度1 nm之包含SiO₂ 膜之塗佈層的軟磁性合金粒子。於與實施例1相同之條件下，製作該軟磁性合金粒子之壓粉體(磁性體)，且對該等之相對磁導率(μ)、體積電阻率[Ω･cm]、絕緣破壞電壓(BVD)[MV/cm]及強度[kgf/mm² ]進行評價。將測定結果示於表1及表2。相對磁導率為10，體積電阻率為1.0×10² [Ω･cm]，絕緣破壞電壓為1.2×10^-2 [MV/cm]，強度為13[kgf/mm² ]。又，第1氧化膜之厚度為5 nm(成分Si)，第2氧化膜之厚度為11 nm(成分Cr)，第3氧化膜之厚度為1 nm(成分Si)，第4氧化膜之厚度為60 nm(成分Fe)。 (比較例) 將包含特定量之TEOS(四乙氧基矽烷，Si(OC₂ H₅ )₄ )、乙醇及水之處理液一次性全部混合、攪拌至包含平均粒徑(D50)6 μm之軟磁性合金粒子(FeSiCr合金粒子)、特定量之乙醇及氨水之混合液中之後，過濾、分離出軟磁性合金粒子，並進行乾燥，藉此，製作於表面形成有厚度30 nm之包含SiO₂ 膜之塗佈層的軟磁性合金粒子。於與實施例1相同之條件下，製作該軟磁性合金粒子之壓粉體(磁性體)，且對該等之相對磁導率(μ)、體積電阻率[Ω･cm]、絕緣破壞電壓(BVD)[MV/cm]及強度[kgf/mm² ]進行評價。將測定結果示於表1及表2。相對磁導率為20，體積電阻率為1.1×10¹ [Ω･cm]，絕緣破壞電壓為7.0×10^-4 [MV/cm]，強度為7[kgf/mm² ]。又，第1氧化膜之厚度為5 nm(成分Si)，第2氧化膜之厚度為11 nm(成分Cr)，第3氧化膜之厚度為71 nm，其成分為以Fe為主成分且混合存在有Si及Cr者。再者，無法確認第4氧化膜。 [表1]

[表2]

如表1、2所示般，根據將處理液每次特定量地滴加混合至合金粒子之溶液中而形成塗佈材料之實施例1～11，可獲得較將處理液一次性地混合至上述溶液中而形成塗佈材料之比較例更高之絕緣破壞特性及更高之相對磁導率。可推定其原因在於，第3氧化膜(塗佈材料)均質地形成於合金粉末之表面，雖然氧化膜之厚度較薄，但幾乎不存在缺陷。又，可推定兼具第1氧化膜及第3氧化膜亦有助於絕緣破壞特性，從而能夠使作為第1～第4氧化膜全體之厚度變薄。此處，若將實施例1與比較例進行比較，則其結果為：作為於合金粒子形成包含Si氧化膜之塗佈層之預處理，於使用包含乙醇、氨水、TEOS、水之混合液之方面相同。然而，因該混合液之製備方法而導致形成於合金粒子表面之SiO₂ 膜之形態大為不同的結果。即，於將合金粒子、乙醇、氨水、TEOS及水一次性混合之比較例之處理方法中，如上所述般，SiO₂ 粒子於溶液中成核、晶粒成長而形成凝集體且該凝集體附著於合金粒子之表面的均勻成核佔優勢。其結果為，SiO₂ 之微粒子無法覆蓋合金粒子全體而部分地附著於表面，從而無法提高軟磁性合金粒子之絕緣耐壓特性。圖11係模式性表示於將合金粒子、乙醇、氨水、TEOS及水一次性混合之比較例之情形時之形成於軟磁性合金粒子之表面的SiO₂ 微粒子之狀態之粒子剖視圖。再者，於藉由製備上述混合液而進行SiO₂ 微粒子之形成之情形時，使用5萬倍左右之倍率之高解析度TEM對藉由均勻成核及晶粒成長而獲得之SiO₂ 粒子進行觀察之結果，例如觀察到呈條紋狀之莫而干擾紋。該莫而干擾紋為結晶之格紋，由於觀察到此現象，故藉由比較例之處理方法而獲得之凝集體為結晶性。與此相對，根據將包含TEOS、乙醇及水之處理液一面分複數次滴加一面混合至包含合金粒子、乙醇及氨水之混合液中之實施例1之處理方法，抑制均勻成核，而使於合金粒子表面之不均勻成核佔優勢，故合金粒子之表面之塗佈層即便為未達25 nm之厚度，亦以穩定且均勻之厚度形成。藉由使用該方法，塗佈層膜厚可利用TEOS之投入量而以單奈米級進行控制，例如即便為1 nm之厚度，亦能夠實現穩定之塗膜之形成。圖12係模式性表示於藉由實施例1而於軟磁性合金粒子上形成塗佈層之情形時的塗佈層之狀態之粒子剖視圖。又，使用5萬倍程度之倍率之高解析度TEM對藉由實施例1而形成之塗佈層進行觀察之結果，例如未觀察到呈條紋狀之莫而干擾紋。由於未觀察到該莫而干擾紋，故可確認實施例1之塗佈層為非晶質。通常非晶質之SiO₂ 之絕緣電阻值較結晶性之SiO₂ 之電阻值高2～3位數左右。因此，於實施例1中所塗佈之SiO₂ 之膜厚即便為例如1 nm之厚度，亦能夠具有較比較例更高之絕緣耐壓特性。進而，由於實施例1～11之塗佈層之厚度為24 nm以下而較薄，故藉由熱處理，鐵(Fe)自合金粒子向塗佈層之外側擴散而穩定地形成第4氧化膜。藉此，可實現絕緣特性之進一步提高。如此，實施例1與比較例1由於作為預處理之氧化膜之形成方法大為不同，故所獲得之氧化膜之膜質大為不同。該氧化膜之膜質之不同之處體現為熱處理後之壓粉體之絕緣耐壓特性及強度之不同。根據上述評價，實施例1較實施例8更能夠提高相對磁導率。可預測其原因在於，A1較Cr更容易產生氧化反應，故因該影響而略影響到熱處理後之填充率。就能夠提高相對磁導率之方面而言，元素M較佳為Cr。又，實施例1較實施例5及6更能夠提高絕緣破壞特性。可預測其原因在於，即便為與Zr、Hf相同厚度之氧化膜，Si氧化膜之均勻性亦較高而成為缺陷較少之氧化膜。尤其是，關於第1～第4氧化膜之厚度，於設為第1＜第3＜第4之順序之厚度之情形時(實施例1、4～9)，可進一步提高絕緣性。於相同大小之軟磁性合金粒子且設為第3≦第1＜第4之情形時(實施例2、3)，可提高相對磁導率。第4氧化膜填埋藉由將黏合劑脫脂而產生之空隙，且即便將其厚度增厚，亦不會大幅度降低相對磁導率，由於填埋空隙之作用而可提高強度，又，可減少水等自外部浸透，從而提高可靠性。又，關於實施例5、6、7之第1及第2氧化膜，可知僅由軟磁性合金粒子之成分構成，且表示各氧化膜獨立地形成。又，於實施例11中，觀察到相對磁導率較實施例10進一步降低，成為略微超過比較例之值。可預測此係由於過度形成第3氧化膜所致。又，於此處之實施例中，不使第3氧化膜之厚度薄於1 nm。於未達1 nm之情形時，無法形成覆蓋軟磁性合金粒子之表面般之膜。關於由形成第3氧化膜之元素L所形成之氧化物，可預測作為氧化物之大小為0.5 nm以上，由於該大小之氧化物連續排列，故需要設為1 nm以上之氧化膜。因此，第3氧化膜較佳為1 nm以上且20 nm以下。相對於第3氧化膜之厚度同為1 nm之實施例2使用6 μm之合金粒子，於實施例12、13中分別使用2 μm與1 μm之合金粒子。雖然因合金粒子微細化而相對磁導率降低，但藉由使用與實施例2相同之方法進行處理，可不管合金粒子之粒徑而形成如圖12所示般之穩定且均勻厚度之塗佈層，故而能夠提高絕緣破壞特性。與此相對，於將合金粒子、乙醇、氨水、TEOS及水一次性混合之比較例之處理方法中，雖藉由使SiO₂ 粒子之凝集體附著於合金粒子表面而確保絕緣破壞特性，但若合金粒子與SiO₂ 粒子之粒徑差變小，則難以緻密地覆蓋合金粒子表面，無法提高絕緣破壞特性。又，即便於FeSiAl系、FeZrCr系之各磁性體，亦確認到能夠獲得與FeSiCr系磁性體同樣之絕緣特性。又，於塗佈材料之成分為Zr、Hf、Ti之情形時，亦確認到能夠獲得與具有Si成分之塗佈材料之磁性體同樣之絕緣特性。以上，對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並不僅限定於上述實施形態，當然可添加各種變更。例如，於以上實施形態中，僅對將本發明之磁性材料應用於第2磁性層122之例進行了說明，但並不限定於此，本發明亦可應用於第1磁性層121、第3磁性層123、或第1～第3磁性層之至少2者。又，於以上之實施形態中，作為磁性材料，列舉構成線圈零件或積層電感器之磁芯之磁性體為例而進行了說明，但並不限定於此，本發明亦可應用於在馬達、致動器、產生器、電抗器、扼流圏等電磁零件使用之磁性體。

10‧‧‧線圈零件
11‧‧‧零件本體
12‧‧‧磁性體部
13‧‧‧線圈部
13e1‧‧‧引出端部
13e2‧‧‧引出端部
14、15‧‧‧外部電極
121‧‧‧第1磁性層
121S‧‧‧磁性片材
122‧‧‧第2磁性層
123‧‧‧第3磁性層
C11~C17‧‧‧導體圖案
F1‧‧‧氧化物
F11‧‧‧第1氧化膜
F12‧‧‧第2氧化膜
F13‧‧‧第3氧化膜
F2‧‧‧氧化物
F21‧‧‧第1氧化膜
F22‧‧‧第2氧化膜
F23‧‧‧第3氧化膜
F24‧‧‧第4氧化膜
H‧‧‧高度
L‧‧‧長度
ML1~ML17‧‧‧磁性體層
MLD‧‧‧磁性體層
MLU‧‧‧磁性體層
P1‧‧‧軟磁性合金粒子
P2‧‧‧軟磁性合金粒子
V1‧‧‧結合部
V2‧‧‧結合部
V3‧‧‧通孔
W‧‧‧寬度

圖1係本發明之一實施形態之線圈零件之全體立體圖。圖2係圖1中之A-A線剖視圖。圖3係上述積層電感器之零件本體之分解立體圖。圖4係圖1中之B-B線剖視圖。圖5係模式性表示構成上述線圈零件之第1磁性層之磁性體中之氧化膜的微細構造之剖視圖。圖6係模式性表示構成上述第1磁性層之磁性體中之氧化膜的積層構造之剖視圖。圖7係模式性表示構成上述線圈零件之第2磁性層之磁性體中之氧化膜的微細構造之剖視圖。圖8係模式性表示構成上述第2磁性層之磁性體中之氧化膜的積層構造之剖視圖。圖9A～C係說明上述線圈零件之磁性體層之製造方法的主要部分之概略剖視圖。圖10係說明3點彎曲破斷應力之測定方法之模式圖。圖11係模式性表示利用比較例所示之方法形成於合金粒子之表面的SiO₂ 微粒子之狀態之粒子剖視圖。圖12係模式性表示利用實施例所示之方法形成於合金粒子之表面的塗佈層之狀態之粒子剖視圖。

F2‧‧‧氧化物

F21‧‧‧第1氧化膜

F22‧‧‧第2氧化膜

F23‧‧‧第3氧化膜

F24‧‧‧第4氧化膜

P2‧‧‧軟磁性合金粒子

V2‧‧‧結合部

Claims

一種磁性材料，其具備：複數個軟磁性合金粒子，其等包含Fe、元素L(其中，元素L為Si、Zr、Ti之任一者)及元素M(其中，元素M為除Si、Zr、Ti以外且較Fe更容易氧化之元素)；第1氧化膜，其包含元素L，且分別覆蓋上述複數個軟磁性合金粒子；第2氧化膜，其包含元素M，且覆蓋上述第1氧化膜；非晶質之第3氧化膜，其包含元素L，且覆蓋上述第2氧化膜；第4氧化膜，其包含Fe，且覆蓋上述第3氧化膜；及結合部，其由上述第4氧化膜之一部分構成，將上述複數個軟磁性合金粒子彼此結合。
如請求項1之磁性材料，其中元素M為Cr。
如請求項1之磁性材料，其中元素L為Si。
如請求項2之磁性材料，其中元素L為Si。
如請求項1至4中任一項之磁性材料，其中上述第3氧化膜具有上述第1氧化膜之厚度以上之厚度。
如請求項1至4中任一項之磁性材料，其中上述第3氧化膜具有1 nm以上且20 nm以下之厚度。
如請求項5之磁性材料，其中上述第3氧化膜具有1 nm以上且20 nm以下之厚度。
一種磁性材料，其具備：複數個軟磁性合金粒子，其等包含Fe、元素L(其中，元素L為Si、Zr、Ti之任一者)及元素M(其中，元素M為除Si、Zr、Ti以外且較Fe更容易氧化之元素)；第1氧化膜，其包含元素L，且分別覆蓋上述複數個軟磁性合金粒子；第2氧化膜，其包含元素M，且覆蓋上述第1氧化膜；非晶質之第3氧化膜，其包含元素L，且覆蓋上述第2氧化膜；第4氧化膜，其包含Fe，且覆蓋上述第3氧化膜。
一種電子零件，其具備含有如請求項1至8中任一項之磁性材料之磁芯。