TWI630627B

TWI630627B - 磁性材料及包含其之磁性元件

Info

Publication number: TWI630627B
Application number: TW105144144A
Authority: TW
Inventors: 吳俊斌; 唐敏注; 柯文淞
Original assignee: 財團法人工業技術研究院
Priority date: 2016-12-30
Filing date: 2016-12-30
Publication date: 2018-07-21
Also published as: JP6429212B2; JP2018110210A; TW201824304A

Abstract

本揭露提供磁性材料，包括：一核心主體，其包含99wt%以上之Fe，以核心主體的總重量為基準；一合金層，位於核心主體的表面，包括FeM合金，其中M為Cr、Si、Al、Ti、Zr、或前述之組合；以及一混合層，位於合金層的表面，包括M及M的氧化物。本揭露也提供一種磁性元件，包括上述磁性材料與一金屬之燒結物。

Description

磁性材料及包含其之磁性元件

本揭露係有關於一種磁性材料及包含其之磁性元件。

隨著對於電子裝置如智慧型手機、平板電腦等小型化的需求，電感器也走向微型化，而其所需頻率和耐電流也隨之增加。為了因應這樣的需求，目前已有文獻利用金屬取代常用的金屬氧化物(如鐵氧化物)做為電感器的磁性材料，以增加導磁率、飽和磁化量、及耐電流等特性。

目前用來作為磁性材料的金屬大部分為合金，其磁特性較純金屬材料差(如飽和磁化量(emu/g)：FeSi=205、NiFeMo=80~160<純Fe=217)。然而應用在積層式電感器時，磁性材料需與銀共燒且不能與銀形成電通路，但純金屬容易因高溫共燒製程而部份氧化，使其磁特性下降，且會與銀形成電通路而失去電感器特性。

因此，目前亟需一種具有更高性能的磁性材料，其可不僅適用於傳統的繞線式電感器，也適用於共燒型的積層式電感器或其他類型的磁性元件中。

根據一實施例，本揭露提供一種磁性材料，包括：一核心主體，其包含99wt%以上之Fe，以核心主體的總重量為基準；一合金層，位於核心主體的表面，包括FeM合金，其中M為Cr、Si、Al、Ti、Zr、或前述之組合；以及一混合層，位於合金層的表面，包括M及M的氧化物。

根據一實施例，本揭露提供一種磁性材料，包括：一核心主體，其包含99wt%以上之Fe，以核心主體的總重量為基準；一第一鈍化層，位於核心主體的表面，包括FeM合金的氧化物，其中M為Cr、Si、Al、Ti、Zr、或前述之組合；以及一第二鈍化層，位於第一鈍化層的表面，包括M氧化物。

根據另一實施例，本揭露提供一種磁性元件，包括一前述之磁性材料與一金屬之燒結物。

為讓本揭露之上述內容和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

1、2、3、4‧‧‧磁性粒子

10、20、30、40‧‧‧核心主體

12、32‧‧‧合金層

14、34‧‧‧混合層

22、42‧‧‧第一鈍化層

24、44‧‧‧第二鈍化層

100‧‧‧第一粒子

200‧‧‧第二粒子

I‧‧‧第一區域

II‧‧‧第二區域

III‧‧‧第三區域

第1圖為根據本揭露一實施例顯示磁性材料的剖面示意圖。

第2圖為根據本揭露另一實施例顯示磁性材料的剖面示意圖。

第3A~3C圖為根據本揭露一實施例顯示製造磁性材料的中間製程示意圖。

第4圖為根據本揭露一些比較例及實施例之磁性材料的導磁率。

第5圖為根據本揭露一些比較例及實施例之磁性材料的導磁率。

第6A圖為利用掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察所得本揭露一實施例磁性材料的剖面圖。

第6B圖為第6A圖中方框所示區域的放大圖。

第7A圖為利用掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察所得本揭露另一實施例磁性材料的剖面圖。

第7B圖為第7A圖中方框所示區域的放大圖及成分分析(EDS-Line Scan)結果。

第8A圖為利用掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察所得比較例3磁性元件的剖面圖。

第8B圖為利用掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察所得本揭露一實施例磁性元件的剖面圖。

第8C圖為利用掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察所得本揭露另一實施例磁性元件的剖面圖。

以下依本揭露之不同特徵舉出數個不同的實施例。本揭露中特定的元件及安排係為了簡化，但本揭露並不以這些實施例為限。舉例而言，於第二元件上形成第一元件的描述可包括第一元件與第二元件直接接觸的實施例，亦包括具有額外的元件形成在第一元件與第二元件之間、使得第一元件與第二元件並未直接接觸的實施例。此外，為簡明起見，本揭露在不同例子中以重複的元件符號及/或字母表示，但不代表所述各實施例及/或結構間具有特定的關係。

本揭露實施例提供一種具有高導磁率、高飽和磁化量之磁性材料，以及將此磁性材料與金屬共燒結所得之磁性元件。藉由磁性材料表面的金屬合金鈍化層保護內部金屬材料，避免內部金屬材料因氧化所導致磁特性下降的問題。

本揭露一實施例提供一種磁性材料1，如第1圖所示，包括：一核心主體10；一合金層12，位於核心主體10的表面；以及一混合層14，位於合金層12的表面。磁性材料1之粒徑可為例如：0.5~50μm、或50~110μm。

核心主體10包含99wt%以上之Fe，以核心主體10的總重量為基準。在一實施例中，核心主體10僅包括金屬元素Fe，即100wt%之Fe。在另一實施例中，核心主體10可包含Fe及Fe的氧化物，其中Fe的氧化物可包括氧化亞鐵(FeO)、三氧化二鐵(Fe₂O₃)、四氧化三鐵(Fe₃O₄)、或前述之組合。在此實施例中，Fe之含量可為99wt%以上，例如：99wt%、99.95wt%、或99.99wt%，而Fe的氧化物之含量可為1wt%以下，例如：0.01wt%、0.05wt%、或1wt%，以核心主體10的總重量為基準。

合金層12可包括FeM合金，其中M為Cr、Si、Al、Ti、Zr、或前述之組合。其中，合金層12中M的含量可為5~80wt%，以FeM合金之總重量為基準。若M的含量太低，例如不足5wt%時，會使核心主體容易形成氧化物導致整體磁特性下降；若M的含量太高，例如超過80wt%時，會因為M的磁特性較Fe差，導致整體磁特性下降過多。合金層12的厚度可為0.05~10μm，例如：0.1μm、0.3μm、1.5μm、3μm、或5μm。

混合層14可包括M及M的氧化物，其中M為Cr、Si、 Al、Ti、Zr、或前述之組合。其中，混合層14的厚度範圍為0.05~10μm，例如：0.1μm、0.3μm、1.5μm、3μm、或5μm。若混合層14的厚度太薄，例如不足0.05μm時，會導致後續450~900℃燒結後無法形成鈍化層，而無法與銀共燒形成有效的磁性元件；若混合層14的厚度太厚，例如超過10μm時，會因為混合層14中的M與M的氧化物之磁特性較Fe差，導致整體磁特性下降過多。微觀上，混合層14可包括複數個顆粒狀突起結構。

本揭露另一實施例提供一種磁性材料2，如第2圖所示，包括：一核心主體20；一第一鈍化層22，位於核心主體20的表面；以及一第二鈍化層24，位於第一鈍化層22的表面。磁性材料2之粒徑可為例如：0.5~50μm、或50~110μm。

核心主體20包含99wt%以上之Fe，以核心主體20的總重量為基準。在一實施例中，核心主體20僅包括金屬元素Fe，即100wt%之Fe。在另一實施例中，核心主體20可包含Fe及Fe的氧化物，其中Fe的氧化物可包括氧化亞鐵(FeO)、三氧化二鐵(Fe₂O₃)、四氧化三鐵(Fe₃O₄)、或前述之組合。在此實施例中，Fe之含量可為99wt%以上，例如：99wt%、99.95wt%、或99.99wt%，而Fe的氧化物之含量可為1wt%以下，例如：0.01wt%、0.05wt%、或1wt%，以核心主體20的總重量為基準。

第一鈍化層22可包括FeM合金的氧化物，其中M為Cr、Si、Al、Ti、Zr、或前述之組合。其中，第一鈍化層22中M的含量可為5~80wt%，以FeM合金的氧化物之總重量為基準。若M的含量太低，例如不足5wt%時，會使核心主體容易形成氧化物導致整體磁特性下降；若M的含量太高，例如超過 80wt%時，會因為M的磁特性較Fe差，導致整體磁特性下降過多。第一鈍化層22的厚度可為0.05~10μm，例如：0.1μm、0.3μm、1.5μm、3μm、或5μm。

第二鈍化層24可包括M的氧化物，其中M為Cr、Si、Al、Ti、Zr、或前述之組合。第二鈍化層24的厚度範圍為0.05~10μm，例如：0.1μm、0.3μm、1.5μm、3μm、或5μm。若第二鈍化層24太薄，例如不足0.05μm時，則當磁性材料與銀共燒時，銀易擴散進入形成電性通路，使磁性元件失效；若第二鈍化層24的厚度太厚，例如超過10μm時，會因為第二鈍化層24中M與M的氧化物之磁特性較Fe差，導致整體磁特性下降過多。微觀上，第二鈍化層24可包括複數個顆粒狀突起結構。

第3A~3C圖為根據本揭露一實施例顯示製造磁性材料3、4的中間製程示意圖。以下，根據一實施例描述本揭露磁性材料3、4的製造過程。然而，此實施例的描述僅為說明之用，本揭露磁性粒子的製造方法並不以此實施例為限。

首先，將作為外層材料的第二粒子200研磨細，例如：0.02~10μm。之後，將經研磨之第二粒子200與作為核心主體的第一粒子100進行乾式球磨混合，使第二粒子200均勻被覆於第一粒子100的表面，如第3A圖所示。第二粒子200彼此之間可具有空隙，不完全包覆第一粒子100的表面。也可利用其他合適的物理方法混合第一粒子100與第二粒子200，例如：剪切攪拌混合、高速攪拌混合等。化學方法也可將第二粒子200被覆於第一粒子100的表面，然而，其需要增加額外的清洗步驟，可能造成溶劑殘留、材料易氧化的問題產生。

第一粒子100可為Fe、Fe的氧化物或前述之組合，例如：氧化亞鐵(FeO)、三氧化二鐵(Fe₂O₃)、四氧化三鐵(Fe₃O₄)、或前述之組合。第一粒子100為Fe時，其粒徑可為0.5~100μm。第一粒子100為Fe的氧化物時，其粒徑可為0.5~100μm。第二粒子200可為M的氧化物或氫氧化物，其中M為Cr、Si、CrSi、CrSiFe、Al、FeCr、FeSi、FeAl、Ti、Zr、或前述之組合。第二粒子200的粒徑可為0.02~10μm。第一粒子100與第二粒子200混和時的重量比可為200：1~5：1。

接下來，將上述第一粒子100和第二粒子200的混合物放置於約5%的氫氣氣氛中，在約600~1200℃反應約2~15小時，形成磁性材料3。

氫化過程中，部分的第二粒子200會發生還原反應，使M的氧化物還原為金屬元素M。金屬元素M會擴散至第一粒子100中，與第一粒子100的成分形成合金，例如：FeM合金，進而在第一粒子100表面形成一層合金層32。合金層32的厚度可為0.05~10μm，取決於氫化反應的時間。氫化反應的時間可為2~15小時，若氫化反應時間過短，則形成之合金層32過薄，導致後續燒結後無法氧化形成鈍化層，核心主體30會容易氧化導致磁特性下降。剩餘未擴散至第一粒子100中的金屬元素M或是未還原的M的氧化物將留在合金層32的表面，在此稱之為混合層34。合金層32內部的部分則稱為核心主體30。其中，無論在第一粒子100為Fe或Fe的氧化物之實施例中，氫化反應後，Fe的氧化物幾乎都會被還原成Fe，因此核心主體30具有Fe為主成分，故具有純金屬之良好磁特性。

因此，經過氫化還原反應後所產生之磁性材料3，包括以Fe為主成分(99wt%以上)的核心主體30、位於核心主體30表面的合金層32、以及位於合金層32表面的混合層34，如第3B圖所示。

應注意的是，相較於為了使核心主體與外界絕緣而以合金做為整個核心主體的磁性材料，本揭露的磁性材料透過上述氫化還原反應，在核心主體的表面僅包括一層薄合金層，即可達到使核心主體不易氧化而導致磁特性下降之目的且可與銀於450~900℃共燒。此外，由於採用上述薄合金層保護內部核心主體，本揭露以Fe或是Fe及極少量Fe的氧化物(約1wt%以下)做為核心主體，故比起以合金做為整個核心主體的磁性材料，本揭露大幅地提升整體飽和磁化量等磁特性。

接下來，將磁性材料3，放置於大氣氣氛中，在約450~900℃進行燒結約1~5小時，形成磁性材料4。

經過上述燒結製程，合金層32中的合金進一步氧化成為合金的氧化物，形成第一鈍化層42，而混合層34中的金屬元素M進一步氧化成為M的氧化物，形成第二鈍化層44。因此，經過燒結後所產生之磁性材料4，包括核心主體40、位於核心主體40表面的第一鈍化層42、以及位於第一鈍化層42表面的第二鈍化層44。並且，經過燒結後，磁性材料4之間可透過第二鈍化層44結合，形成磁性材料4的聚集體，如第3C圖所示。然而，應了解的是，第3C圖雖僅繪製出兩個磁性材料4的聚集體，在一些實施例中，磁性材料4可以更多個磁性材料4的聚集體型式存在。或者，在另一些實施例中，磁性材料4之間並未結合，而是以單體型式存在，如第2圖所示。

本揭露再一實施例提供一種磁性元件，其包括一磁性材料與一金屬之一燒結物。磁性材料可為前述磁性材料1或磁性材料2。所使用的金屬可包括：銀、銅、或前述之合金。於燒結物中，磁性材料可為磁性材料1或磁性材料2的粉體單體、粉體單體的碎片、粉體單體的聚集體、或前述之組合。

在一實施例中，可使用銀與磁性材料1或磁性材料2進行共燒結，其燒結溫度可為450~900℃。在此情況下，因會形成自生鈍化層所以不需添加有機物當做絕緣材料，而當以有機物當絕緣層時，絕緣層經高溫後會失去絕緣作用(形成碳或者二氧化碳氣體)，造成磁性材料失效。然而，磁性材料與金屬共燒結的溫度可根據磁性材料外層的氧化物特性或是不同金屬材料的熔點進行調整，以磁性材料與金屬間有鈍化層為訴求。

磁性元件可包括：積層式電感器、繞線式電感器、或電磁干擾(Electromagnetic Interference；EMI)抑制元件。然而，本揭露所述之磁性元件並不限於此。此外，根據不同類型的磁性元件，其製造方法亦有不同。以積層式電感器為例，可先將磁性材料1或磁性材料2與漿料均勻混合後，經塗佈形成薄膜。接著，藉由像是網版印刷的方法將金屬線路印刷在薄膜上。然後，將此薄膜放置於大氣氣氛中，在約450~900℃進行共燒結約0.5~10小時，形成積層式電感器。同樣地，磁性材料1或磁性材料2也可應用至其他類型的磁性元件中，有鑑於各種磁性元件之製造方法為本技術領域具有通常知識者所熟知，可為本技術領域具有通常知識者加以修飾與運用，故不在此贅述。

本揭露提供之磁性材料以Fe或是Fe及極少量Fe的氧化物(約1wt%以下)做為核心主體，僅透過核心主體外的薄合金層及薄鈍化層達到使核心主體與外界絕緣的目的，相較於以合金做為整個核心主體的磁性材料，本揭露大幅地提升整體飽和磁化量等磁特性。因此，本揭露提供之磁性材料具有高導磁率、高飽和磁化量，且可與金屬共燒產生自生鈍化層而可形成可作用之磁性元件。此外，由本揭露提供之磁性材料所形成之磁性元件也具有高導磁率及高飽和磁化量等優點。

以下列舉各實施例與比較例說明本揭露提供之磁性材料及其特性：

比較例1/實施例1

依照表1所示內容製備比較例1及實施例1。除比較例1-1之外，第一粒子和第二粒子均以乾式球磨混合，所得混合物再依照表1所示製程形成磁性材料。

測量比較例1-1~1-5及實施例1-1~1-8各粒子之導磁率，結果顯示於表2。.

比較例2/實施例2

依照表3所示內容製備比較例2及實施例2。除比較例2-1之外，第一粒子和第二粒子均以乾式球磨混合，所得混合物再依照表3所示製程形成磁性材料。

測量比較例2-1~2-2及實施例2-1~2-8各粒子之導磁率結果顯示於表4。

參照表2、4，由比較例1-1及2-1的結果可發現，雖然金屬Fe原本具有良好的導磁率，但經過燒結製程後，上述性質明顯變差。類似地，由比較例1-2及2-2的結果也可發現，雖然第一粒子Fe和第二粒子Cr₂O₃的混合物原本具有良好的導磁率，但經過燒結製程後，上述性質也明顯變差。由比較例1-3可發現，利用三氧化二鐵(Fe₂O₃)做為第一粒子和以Cr₂O₃做為第二粒子的混合物，導磁率不佳。

由上述可知，儘管以金屬Fe為第一粒子(如比較例1-1、1-2)，經過燒結製程之後(如比較例2-1、2-2)，原本金屬Fe的良好導磁率都會大幅受到影響。此外，以三氧化二鐵(Fe₂O₃)做為第一粒子(如比較例1-3)，不具有良好的導磁率。

然而，參照表2，對照實施例1-1~1-8與比較例1-1的結果可發現，以第一粒子(Fe、Fe₂O₃)和不同的第二粒子 (Cr₂O₃、Al(OH)₃、SiO₂、Fe₂O₃)以球磨混合後之混合物，經過氫化反應後，其導磁率(@ 10MHz)相較於比較例1-1均有明顯的提升。此外，對照實施例1-1~1-8與比較例1-4、1-5的結果更可發現，相較於以Fe合金(FeSi、FeNiMo)為第一粒子的比較例1-4、1-5，實施例1-1~1-5所得之磁性粒子導磁率(@ 1MHz、@ 10MHz)都較為優異。值得一提的是，實施例1-5雖然是以Fe₂O₃為第一粒子，但是經過氫化反應之後，其導磁率(@ 1MHz、@ 10MHz)相較於比較例1-3都大幅提升。

第4圖顯示比較例1-1及實施例1-1、1-5之磁性材料的導磁率。可看出實施例1-1、1-5相較於比較例1-1在高頻率下(如1MHz~100MHz)，導磁率均獲得提升。

接著，參照表4，對照實施例2-1~2-8與比較例2-1的結果可發現，以第一粒子(Fe、Fe₂O₃)和不同的第二粒子(Cr₂O₃、Al(OH)₃、SiO₂、Fe₂O₃)以球磨混合後之混合物，在燒結製程前先進行氫化反應的情況下，其導磁率(@ 1MHz、@ 10MHz)相較於比較例2-1均有明顯的提升。此外，對照實施例2-1~2-8與比較例2-2的結果可發現，以第一粒子(Fe、Fe₂O₃)和不同的第二粒子(Cr₂O₃、Al(OH)₃、SiO₂、Fe₂O₃)以球磨混合後之混合物，在燒結製程前先進行氫化反應的情況下，其導磁率(@ 1MHz)相較於比較例2-2也都有明顯的提升。

第5圖顯示比較例2-1、2-2及實施例2-1、2-5之磁性材料的導磁率。可看出實施例2-1、2-5相較於比較例2-1、2-2在高頻率下(如1MHz~100MHz)，導磁率均獲得提升。

掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察結果

第6A圖顯示實施例2-1所製得磁性材料之掃描式電子顯微鏡(SEM)剖面圖。可看見有一合金區均勻分佈主體核心周圍第6B圖為第6A圖中方框所示區域的放大圖，其中第I區域為Fe，第II區域為包含FeCr氧化物之鈍化層，第III區域為包含Cr氧化物(Cr₂O₃)之鈍化層。

成分分析(EDS-Line Scan)結果

第7A圖顯示實施例2-1所製得磁性材料之掃描式電子顯微鏡(SEM)剖面圖。第7B圖為第7A圖中方框所示區域的放大圖。對第7B圖所示區域進行成分分析(EDS-Line Scan)後，發現接近中心的第I區域中Fe元素的含量最高，僅含有少量的Cr和O元素，可證實本揭露之磁性材料中心幾乎只由Fe所組成。此外，也可看到Cr元素的含量由第III區域向中心遞減，證實磁性材料中的Cr元素的確已由第III區域擴散至第II區域。且由O元素的含量判斷，可推測第II區域包括FeCr的氧化物，而第III區域包括Cr的氧化物。另外，第7B圖中顯示之第III區域的Fe含量，可能是由於成分分析過程中探測位置的誤差所造成，理論上只有少量的Fe會在熱處理的過程中由接近中心的第I區域擴散至第II區域及第III區域。

比較例3

將比較例1-1所製得之磁性材料於600℃的燒結溫度下與銀共燒，形成共燒型電感器(成型條件：ψ 9mm×ψ 5mm模具，升溫至600℃後持續燒結1hr，最後自然冷卻)。第8A圖顯示比較例3之SEM圖。由第8A圖可看見並沒有自生鈍化層形成。

實施例3-1

將實施例1-6所製得之磁性材料於600℃的燒結溫度下與銀共燒，形成共燒型電感器(成型條件：ψ 9mm×ψ 5mm模具，升溫至600℃後持續燒結1hr，最後自然冷卻)。第8B圖顯示實施例3-1之SEM圖。由第8B圖可看見自生鈍化層形成(箭頭所指處)。

實施例3-2

將實施例1-8所製得之磁性材料於600℃的燒結溫度下與銀共燒，形成共燒型電感器(成型條件：ψ 9mm×ψ 5mm模具，升溫至600℃後持續燒結1hr，最後自然冷卻)。第8C圖顯示實施例3-2之SEM圖。由第8C圖可看見自生鈍化層形成(箭頭所指處)。

上述結果證實本揭露所提供之磁性粒子與金屬(例如：銀)之間形成自生鈍化層，使磁性粒子與金屬之間絕緣，成功形成有效的電感器。

雖然本揭露已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims

一種磁性材料，包括：一核心主體，其包含99wt%以上之Fe，以該核心主體的總重量為基準；一合金層，位於該核心主體的表面，包括FeM合金，其中M為Cr、Si、Al、Ti、Zr、或前述之組合，其中該合金層的厚度為0.05~10μm；以及一混合層，位於該合金層的表面，包括M及M的氧化物，其中該磁性材料在10MHz頻率下的磁導率大於等於13。
如申請專利範圍第1項所述之磁性材料，其中該核心主體更包括一Fe的氧化物，該Fe的氧化物包括：氧化亞鐵(FeO)、三氧化二鐵(Fe₂O₃)、四氧化三鐵(Fe₃O₄)、或前述之組合。
如申請專利範圍第1項所述之磁性材料，其中該磁性材料之粒徑為0.5~110μm。
如申請專利範圍第1項所述之磁性材料，其中該合金層中M的含量為5~80wt%，以該FeM合金之總重量為基準。
如申請專利範圍第1項所述之磁性材料，其中該混合層的厚度為0.05~10μm。
如申請專利範圍第1項所述之磁性材料，其中該混合層包括複數個顆粒狀突起結構。
一種磁性材料，包括：一核心主體，其包含99wt%以上之Fe，以該核心主體的總重量為基準；一第一鈍化層，位於該核心主體的表面，包括FeM合金的氧化物，其中M為Cr、Si、Al、Ti、Zr、或前述之組合；以及一第二鈍化層，位於該第一鈍化層的表面，包括M的氧化物，其中該磁性材料在10MHz頻率下的磁導率大於等於3。
如申請專利範圍第7項所述之磁性材料，其中該核心主體更包括一Fe的氧化物，該Fe的氧化物包括：氧化亞鐵(FeO)、三氧化二鐵(Fe₂O₃)、四氧化三鐵(Fe₃O₄)、或前述之組合。
如申請專利範圍第7項所述之磁性材料，其中該磁性材料之粒徑為0.5~110μm。
如申請專利範圍第7項所述之磁性材料，其中該第一鈍化層中M的含量為5~80wt%，以該FeM合金的氧化物之總重量為基準。
如申請專利範圍第7項所述之磁性材料，其中該第一鈍化層的厚度為0.05~10μm。
如申請專利範圍第7項所述之磁性材料，其中該第二鈍化層的厚度為0.05~10μm。
如申請專利範圍第7項所述之磁性材料，其中該第二鈍化層包括複數個顆粒狀突起結構。
一種磁性元件，包括一磁性材料與一金屬之一燒結物，其中該磁性材料包括如申請專利範圍第1~13項中任一項所述之磁性材料。
如申請專利範圍第14項所述之磁性元件，其中該磁性元件包括：積層式電感器、繞線式電感器、或電磁干擾(Electromagnetic Interference；EMI)抑制元件。
如申請專利範圍第14項所述之磁性元件，其中該金屬包括：銀、銅、或前述之合金。
如申請專利範圍第14項所述之磁性元件，其中該燒結物中的該磁性材料為一粉體單體、該粉體單體的碎片、該粉體單體的聚集體、或前述之組合。