TWI700321B - 複合磁性材料及使用其之線圈零件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種複合磁性材料及包含該複合磁性材料的線圈零件，能夠確保高導磁率化與優異的耐電壓性能。複合磁性材料，包含：樹脂及設置在上述樹脂內的第1磁性體粒子，第1磁性體粒子具有由金屬磁性材料構成的第1芯部及包覆第1芯部的絕緣膜，第1芯部呈具有短軸與長軸的扁平形狀，絕緣膜在第1芯部的長軸方向的厚度(TL)比上述絕緣膜在第1芯部的短軸方向的厚度(TS)小。另外，線圈零件在主體中包含複合磁性材料。

Description

複合磁性材料及使用其之線圈零件
本發明係有關一種複合磁性材料及線圈零件。
就以往的線圈零件而言，在日本特開2013-201375號公報(專利文獻1)中公開了一種線圈元件，具備：線圈部，其具有基板及設置在基板上的平面線圈用的導體圖案；含金屬磁性粉樹脂，其被塗覆形成得包圍線圈部；扁平狀或者針狀的第1金屬磁性粉，其包含於含金屬磁性粉樹脂；及第2金屬磁性粉，其包含於含金屬磁性粉樹脂，且平均粒徑小於第1金屬磁性粉的平均粒徑。藉此，研究出可提高導磁率。
專利文獻1：日本特開2013-201375號公報
然而，在以往的線圈零件中，伴隨著小型化的發展，要求更高的耐電壓性能。作為小型化的對策，在具有絕緣膜的扁平狀軟磁性金屬粉中，藉由增厚絕緣膜厚度，來滿足更高的耐電壓性能。但是，若增厚絕緣膜厚度，則無法獲得較高的導磁性。另一方面，在上述以往的線圈元件中，若滿足較高的導磁性，進行小型化，則存在耐電壓性變得不良之虞。
因此，本發明的課題在於，提供一種複合磁性材料及包含該複 合磁性材料的線圈零件，具有較高的導磁性，並且能夠確保優異的耐電壓性能。
為了解決上述課題，本發明的複合磁性材料，包含：樹脂及設置在上述樹脂內的第1磁性體粒子， 上述第1磁性體粒子具有由金屬磁性材料構成的第1芯部及包覆上述第1芯部的絕緣膜， 上述第1芯部呈具有短軸與長軸的扁平形狀， 上述絕緣膜在第1芯部的長軸方向的厚度(TL)小於上述絕緣膜在第1芯部的短軸方向的厚度(TS)。
在本發明的第1磁性體粒子中，第1芯部呈具有短軸與長軸的扁平形狀。第1芯部被絕緣膜包覆。絕緣膜在第1芯部的長軸方向的厚度(TL)小於絕緣膜在第1芯部的短軸方向的厚度(TS)。藉此，特別是，能夠在第1磁性體粒子的第1芯部的長軸方向獲得較高的導磁率。
另外，能夠增厚絕緣膜在第1芯部的短軸方向的厚度(TS)，因此，特別是，能夠在第1磁性體粒子的第1芯部的短軸方向確保優異的耐電壓性能。
因此，若是包含本發明的第1磁性體粒子的複合磁性材料，則能夠兼顧較高的導磁率及優異的耐電壓性能的確保。
在複合磁性材料的一個實施形態中，絕緣膜在第1芯部的長軸方向的厚度(TL)為0nm以上且50nm以下。
若是上述實施形態，則特別是，能夠在絕緣膜的第1芯部的短軸方向，確保優異的耐電壓性能，並且，能夠在第1芯部的長軸方向，獲得較高的導磁率。
在複合磁性材料的一個實施形態中，複合磁性材料進一步包含第2磁性體粒子， 第2磁性體粒子具有第2芯部，第2芯部呈具有短軸與長軸的扁平形狀，第2芯部在長軸方向的長度短於第1芯部在長軸方向的長度，第2芯部在短軸方向的長度短於第1芯部在短軸方向的長度。
根據上述實施形態，能夠更加提高線圈零件中磁性材料的填充率，因此能夠更加良好地確保高導磁率化與優異的耐電壓性能。藉此，能夠實現線圈零件的進一步的小型化，能夠具備較高的導磁率與優異的耐電壓性能。
在複合磁性材料的一個實施形態中，第2芯部的縱橫比與上第1芯部的縱橫比之比為1/4以上且1/2以下。
根據上述實施形態，使用具有不同的縱橫比的磁性體粒子，藉此能夠提高磁性體粒子的填充率。並且，能夠使扁平形狀的磁性材料在同一方向進行取向，能夠進一步提高導磁率。
在複合磁性材料的一個實施形態中，複合磁性材料進一步包含第3磁性體粒子，第3磁性體粒子具有第3芯部，且該第3磁性體粒子呈球形，第3芯部的平均粒徑短於上述第1芯部在短軸方向的長度。
根據上述實施形態，能夠進一步提高導磁率。另外，能夠更加提高線圈零件的磁性材料的填充率，因此能夠更加良好地確保高導磁率化與優異的耐電壓性能。藉此，例如，能夠進行線圈零件的進一步的小型化。
在複合磁性材料的一個實施形態中，第3芯部的平均粒徑為第1磁性體粒子在第1芯部的短軸方向的長度的0.2倍以上且0.8倍以下。
根據上述實施形態，能夠提高扁平形狀的磁性體粒子與球狀的磁性體粒子的分散性。藉此，例如，能夠更加提高線圈零件的磁性材料的填充率，能夠更加良好地確保高導磁率化與優異的耐電壓性能。另外，能夠進行線 圈零件的進一步的小型化。
在本發明的一個實施形態中，提供一種線圈零件，該線圈零件具備：包含上述的複合磁性材料的主體；設置在上述主體內並呈螺旋狀形成捲繞的線圈；及設置於上述主體並與上述線圈形成電連接的外部電極。
根據上述實施形態，由上述複合磁性材料形成的主體能夠兼顧高導磁率化與優異的耐電壓性能的確保。另外，若是本發明的主體，則能夠兼顧高導磁率化與優異的耐電壓性能的確保，並且能夠進行線圈零件的進一步的小型化。
在本發明的一個實施形態中，上述主體具有：配置於上述線圈的軸向之一側的第1磁性體部；及配置於上述線圈的軸向之另一側的第2磁性體部；上述第1磁性體部及上述第2磁性體部中的至少一個磁性體部包含上述複合磁性材料；第1磁性粒子排列成使上述複合磁性材料所含的第1芯部的長軸與上述線圈的軸向交叉。
根據上述實施形態，第1磁性體粒子的絕緣膜的較厚的部分在外部電極與線圈之間並排，能夠進一步提高絕緣電阻，能夠提高耐電壓性能。另外，第1磁性體粒子的絕緣膜的較薄的部分在線圈的磁通通過的方向並排，能夠獲得優異的高導磁率化。因此，線圈零件能夠確保高導磁率化與優異的耐電壓性能。另外，能夠兼顧上述兩特性，並且能夠進行線圈零件的進一步的小型化。
在本發明的一個實施形態中，上述外部電極的至少一部分位於 包含上述複合磁性材料的磁性體部的線圈軸向的端面。
根據上述實施形態，能夠進一步提高外部電極與線圈間的絕緣電阻。
另外，能夠提高耐電壓性能。
在本發明的一個實施形態中，包含複合磁性材料的磁性體部具有在線圈軸向層疊起來的複數個層，在上述複數個層中的位於最靠線圈側的層包含有上述第1磁性體粒子。
根據上述實施形態，能夠進一步提高外部電極與線圈間的絕緣電阻。另外，能夠提高耐電壓性能。另外，能夠獲得優異的高導磁率化。因此，線圈零件能夠確保高導磁率化與優異的耐電壓性能。另外，能夠兼顧上述兩特性，並且能夠進行線圈零件的進一步的小型化。
在本發明的一個實施形態中，上述主體具有配置於線圈的內側的第3磁性體部，上述第3磁性體部包含上述複合磁性材料，上述複合磁性材料所含的上述第1磁性粒子排列成使該第1磁性粒子的第1芯部的短軸與上述線圈的軸向交叉。
根據上述實施形態，第1磁性體粒子的長軸沿著通過線圈的內側的磁通並排，能夠獲得優異的高導磁率化。因此，線圈零件能夠進行高導磁率化。
在線圈零件的一個實施形態中，線圈為α捲繞線圈或者沿邊捲繞線圈。
根據上述實施形態，線圈零件能夠更加有效地獲得第1磁性體粒子實現的優異的高導磁率化。
根據本發明的複合磁性材料，能夠獲得較高的導磁率，並且，能夠確保優異的耐電壓性能。另外，若是本發明的線圈零件，則能夠兼顧較高 的導磁率與優異的耐電壓性能的確保，能夠進行線圈零件的進一步小型化。
1‧‧‧線圈零件
2‧‧‧線圈
3a、3b‧‧‧外部電極
10‧‧‧第1磁性體粒子
11‧‧‧第1芯部
12‧‧‧第1絕緣膜
13a、13b‧‧‧第2磁性體粒子
14a、14b‧‧‧第3磁性體粒子
20‧‧‧主體
21‧‧‧第1磁性體部
21a‧‧‧第1磁性體層
21b‧‧‧第2磁性體層
21c‧‧‧第3磁性體層
22‧‧‧第2磁性體部
23‧‧‧第3磁性體部
24‧‧‧第4磁性體部
25‧‧‧樹脂
圖1是表示本發明的線圈零件的第1實施形態的立體圖。
圖2是線圈零件的概略透視立體圖。
圖3是線圈零件的概略剖面圖。
圖4是第1磁性體粒子的剖面概略圖。
圖5是圖3的放大概略圖。
圖6是將第2實施形態的線圈零件的一部分進行了放大的放大概略圖。
圖7是將第3實施形態的線圈零件的一部分進行了放大的放大概略圖。
圖8是將第4實施形態的線圈零件的一部分進行了放大的放大概略圖。
圖9是將第5實施形態的線圈零件的一部分進行了放大的放大概略圖。
圖10是將第6實施形態的線圈零件的一部分進行了放大的放大概略圖。
圖11是第7實施形態的線圈零件的概略剖面圖。
圖12A是第1磁性體粒子在短軸方向的絕緣膜厚的SEM觀察圖。
圖12B是第1磁性體粒子在長軸方向的絕緣膜厚的SEM觀察圖。
圖13是表示包含於複合磁性材料的第1磁性體粒子的取向性的SEM觀察圖。
以下，根據圖示本發明的實施形態，來更加詳細地進行說明。
(第1實施形態)
圖1是表示本發明的線圈零件的第1實施形態的立體圖。圖2是線圈零件的 概略透視立體圖。圖3是第1實施形態的線圈零件的概略剖面圖。
如圖1、圖2及圖3所示，線圈零件1具備：包含複合磁性材料的主體20，其中，複合磁性材料包含樹脂25及設置在上述樹脂25內的第1磁性體粒子10；線圈2，其設置在主體20內，並呈螺旋狀形成捲繞；及外部電極3a、3b，它們設置於主體20，與上述線圈2形成電連接。
在第1實施形態中，在線圈2的上側與外部電極3a、3b之間配置有第1磁性體部21，在線圈2的下側與外部電極3a、3b的線圈側之間配置有第2磁性體部22。
另外，線圈零件1具有配置於線圈2的內側的第3磁性體部23，在線圈2的外側配置有第4磁性體部24。第3磁性體部23、第4磁性體部24包含樹脂25及粒狀粉(未圖示)。在不包含磁性體粒子的情況下，第3磁性體部、第4磁性體部也被稱為非磁性部。
此外，圖中的第1磁性體粒子10為了說明而進行了簡化。另外，根據所要求的導磁率、耐電壓性能及線圈零件的大小等，適當地選擇第1磁性體粒子10的個數、尺寸。
另外，線圈2的軸(L)指線圈2的螺旋中心線，與第1磁性體部21、第3磁性體部23、第2磁性體部22的端面交叉地存在。
外部電極3a覆蓋主體20的左表面的整體，並且覆蓋主體20的上表面、下表面、前表面及後表面的一部分。外部電極3b覆蓋主體20的右表面的整體，並且覆蓋主體20的上表面、下表面、前表面及後表面的一部分。
外部電極的至少一部分位於包含上述複合磁性材料的磁性體部在線圈軸向的端面。複合磁性材料配置於外部電極與線圈之間，藉此提高絕緣電阻，能夠提高耐電壓性能。
在圖3中，外部電極3a、3b位於第1磁性體部21與第2磁性體部22在線圈軸 向的端面。
此外，在圖3中，公開了外部電極3a、3b呈
Figure 107130375-A0202-12-0008-15
字型的方式，但外部電極中的至少1者也可以呈L字型等的形狀。
在第1實施形態中，主體20具有配置於上述線圈的軸向的一側的第1磁性體部及配置於上述線圈的軸向的另一側的第2磁性體部。
上述第1磁性體部及上述第2磁性體部中的至少一個磁性體部包含複合磁性材料，上述複合磁性材料包含樹脂25及設置在上述樹脂25內的第1磁性體粒子10。
另外，包含於複合磁性材料的第1磁性體粒子10具有第1芯部11及包覆上述第1芯部11的第1絕緣膜12。
在本實施形態中，如圖3所示，第1磁性體粒子10排列成使第1芯部的長軸與上述線圈的軸(L)向交叉。藉此，第1磁性體粒子10彼此在絕緣膜的較薄的部分鄰接，能夠提高導磁率。另外，在外部電極形成於線圈的軸向的端面的情況下，磁性體粒子10的絕緣膜的較厚的部分在外部電極與線圈之間並排，能夠提高線圈零件的耐壓性。
較佳為，包含複合磁性材料的磁性體部具有在線圈軸(L)向積層的複數個層，在上述複數個層中的位於最靠線圈2側的層包含有上述第1磁性體粒子10。較佳為，第1磁性體粒子10排列成使第1芯部的長軸與上述線圈的軸(L)向交叉。
能夠進一步提高外部電極3a、3b與線圈間的絕緣電阻。另外，能夠提高耐電壓性能。另外，能夠獲得優異的高導磁率化。因此，線圈零件能夠確保高導磁率化與優異的耐電壓性能。另外，能夠兼顧這樣的特性，並且能夠進行線圈零件的進一步的小型化。
較佳為，包含複合磁性材料的磁性體部，即、圖3的第1磁性體 部21及第2磁性體部22中的至少一者也可以具有在線圈軸(L)向積層的複數個層。
在上述複數個層中的位於最靠線圈2側的層也可以包含有第1磁性體粒子10。藉此，能夠進一步提高外部電極與線圈2間的絕緣電阻。另外，能夠提高耐電壓性能。
在第1實施形態中，第1磁性體粒子10配置於第1磁性體部21及第2磁性體部22。
這裡，圖4是上述第1磁性體粒子10的剖面概略圖。第1磁性體粒子10具有由金屬磁性材料構成的第1芯部11、及包覆上述第1芯部11的第1絕緣膜12。第1芯部11呈具有短軸(A1)與長軸(A2)的扁平形狀。
另外，第1絕緣膜12在第1芯部11的長軸(A2)方向的厚度(TL)小於上述第1絕緣膜12在第1芯部11的短軸(A1)方向的厚度(TS)。
第1絕緣膜12在第1芯部11的長軸(A2)方向的厚度與在短軸(A1)方向的厚度具有這樣的關係，藉此若在線圈與外部電極之間在線圈的軸向配置複合磁性材料，則能夠確保線圈零件的耐電壓性能，即、確保線圈2與外部電極3a、3b之間的耐電壓性能。另外，能夠抑制線圈零件1的表面上的鍍敷異常延伸。此外，能夠抑制線圈2之間的短路。
圖5是第1實施形態的圖3的放大概略圖。第1磁性體粒子10排列成使第1磁性體粒子10的第1芯部11的長軸(A2)與線圈2的軸(L)向交叉。
較佳為，第1磁性體粒子10的第1芯部11的長軸(A2)與線圈2的軸(L)向所成的角度為90°±10°，例如，為90°±5°。以這樣的關係配置第1磁性體粒子10，藉此電感值提高。
在該方式中，在外部電極3a與線圈2之間配置第1磁性體部21，第1磁性體部21從線圈2側朝向外部電極3a，具有第1磁性體層21a、第2磁性體層 21b及第3磁性體層21c。
較佳為，在第1磁性體層21a、第2磁性體層21b及第3磁性體層21c中的至少1層包含有第1磁性體粒子10。
例如，第1磁性體層21a包含第1磁性體粒子10。另外，在第1實施形態中，即使在第2磁性體層21b及第3磁性體層21c中，也包含第1磁性體粒子10。
藉由該實施形態，能夠進一步提高外部電極3a與線圈2間的絕緣電阻，能夠提高耐電壓性能。另外，能夠獲得優異的高導磁率化。因此，線圈零件能夠兼顧高導磁率化與優異的耐電壓性能的確保，並且，能夠進行線圈零件的進一步的小型化。
這裡，利用虛線示出了各磁性體層21a、21b、21c的介面，但適當地選擇各磁性體層所含的樹脂，藉此能夠在磁性體層21a、21b、21c之間形成第1磁性體部21，而實質上不產生介面。
較佳為，各磁性體層21a、21b、21c由同一樹脂組成物形成。
在第1磁性體層21a包含第1磁性體粒子10的情況下，第1磁性體層21a在線圈2的軸(L)向上的厚度較佳為線圈2與外部電極3a之間的間隔的1/3以上的厚度，即為第1磁性體部21的厚度的1/3以上。
例如，第1磁性體層21a在線圈2的軸(L)向上的厚度為配置於線圈2與外部電極3a之間的第1磁性體部21的厚度的1/3以上且4/5以下的厚度。
藉此，能夠進一步提高外部電極3a與線圈2間的絕緣電阻，能夠提高耐電壓性能。另外，能夠獲得優異的高導磁率化。
此外，在本說明書中，就圖示的磁性體粒子等的個數及配置等而言，為了對發明進行說明而進行簡化，磁性體粒子的個數及配置等的方式不限定於這些圖所記載的個數及配置等。
以下，對線圈零件1所含的構成要素詳細地進行說明。
主體20包含本發明的複合磁性材料，複合磁性材料包含樹脂。上述樹脂不被特別地限定，例如，能夠列舉環氧樹脂、酚醛樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂及聚烯烴類樹脂等。
第1磁性體部21及第2磁性體部22可以由同種樹脂構成，也可以由不同種類的樹脂構成。較佳為同種樹脂。
另外，第3磁性體部23及第4磁性體部24所含的樹脂可以為與第1磁性體部21及第2磁性體部22中的至少1者所含的樹脂同種的樹脂，也可以分別為不同種類的樹脂。較佳為同種樹脂。
以下，記載第1芯部的詳細。
形成第1芯部11的金屬磁性材料較佳為軟磁性的金屬材料。作為軟磁性的金屬材料，例如，能夠列舉Fe、Fe-Ni合金、Fe-Si-Al合金、Fe-Si合金、Fe-Co合金、Fe-Cr合金、Fe-Cr-Al合金、Fe-Cr-Si合金、各種Fe基非晶合金、各種Fe基奈米晶合金等。
第1芯部11呈具有短軸(A1)與長軸(A2)的扁平形狀，第1芯部11的長軸長度較佳為30μm以上且100μm以下，例如，為40μm以上且90μm以下。長軸的長度在這樣的範圍內，藉此能夠獲得更高的導磁率。另外，能夠提高作為複合磁性材料的處理性，例如，流動性、強度等。
另一方面，第1芯部11的短軸(A1)的長度較佳為0.12μm以上且7μm以下，更加較佳為0.12μm以上且5μm以下。第1芯部11的短軸(A1)的長度在這樣的範圍內，藉此能夠更加提高線圈零件的磁性材料的填充率，因此能夠更加良好地確保高導磁率化與優異的耐電壓性能。藉此，例如，能夠進行線圈零件等功率電感器的進一步的小型化。
第1芯部11具有縱橫比(長軸/短軸)。該縱橫比為15以上且250以下，例如為20以上且240以下。
第1芯部11在短軸(A1)方向的長度與在長軸(A2)方向的長度的測定藉由公知的方法進行。例如，藉由使用掃描式電子顯微鏡(SEM)以1000倍以上且50000倍以下的倍率觀察第1芯部11而進行。
接下來，使用圖像解析軟體對該觀察像進行圖像解析，藉此能夠求得這些平均長度。例如，利用旭化成工程株式會社製造的作為IP-1000PC的綜合應用的AZOKUN(註冊商標)進行獲取，進行圖像解析，藉此能夠測定第1芯部11在短軸(A1)方向的長度與在長軸(A2)方向的長度。此外，反復多次該測定，將其平均值(各個N=20)設為第1芯部11在短軸(A1)方向的長度與在長軸(A2)方向的長度。
第1絕緣膜12在第1芯部11的短軸(A1)方向的厚度(TS)例如較佳為50nm以上且80nm以下，例如為50nm以上且70nm以下。
在第1芯部11的短軸(A1)方向的厚度(TS)在這樣的範圍內，藉此能夠在第1磁性體粒子10的第1芯部的短軸(A1)方向，確保優異的耐電壓性能。
第1絕緣膜12在第1芯部11的長軸(A2)方向的厚度(TL)例如較佳為0nm以上且50nm以下，例如為0.05nm以上且40nm以下。第1絕緣膜12的厚度(TL)在這樣的範圍內，藉此能夠在第1芯部11的長軸方向，提高導磁率μ’。
在本發明中，第1絕緣膜12在第1芯部11的長軸(A2)方向的厚度(TL)小於上述第1絕緣膜12在第1芯部11的短軸(A1)方向的厚度(TS)。即，在第1絕緣膜12中，在長軸(A2)方向的絕緣膜厚與在短軸(A1)方向的絕緣膜厚的比(在長軸(A2)方向的絕緣膜厚/在短軸(A1)方向的絕緣膜厚)不足1。第1絕緣膜12的絕緣膜厚的比更加較佳為2/3以下。憑藉這樣的關係，能夠兼顧更高的導磁率與優異的耐電壓性能的確保。
這裡，第1絕緣膜12的膜厚的測定，例如藉由SEM觀察對第1磁 性體粒子進行樹脂包埋並利用離子銑進行了加工的截面而進行。針對第1絕緣膜12在第1芯部11的短軸(A1)方向的厚度(TS)，測定最厚的部位。針對在第1芯部11的長軸(A2)方向的厚度(TL)，測定最靠端部位置的膜厚。
針對10個第1磁性體粒子分別在兩處進行這樣的測定，計算其平均值，藉此能夠求得第1絕緣膜12在第1芯部11的短軸(A1)方向的厚度(TS)與在第1芯部11的長軸(A2)方向的厚度(TL)。
接下來，對在第1芯部11形成第1絕緣膜12的方法進行說明。
在第1芯部11形成第1絕緣膜12的方法能夠適當地選擇。例如，能夠列舉化學合成處理、溶膠-凝膠法、機械化學效應法等。
以下，例示藉由化學合成處理，在第1芯部11的表面形成第1絕緣膜12，製造第1磁性體粒子10的方法。
使作為第1芯部11的軟磁性金屬粉浸漬在磷酸鹽處理液中，保持為規定的溫度，例如保持為50℃以上且60℃以下，並且進行60分鐘以上的攪拌，形成所需厚度的第1絕緣膜12。
這裡，若保持上述規定的溫度，則磷酸鹽處理液隨時間變化而減少。之後，提高攪拌的轉速，藉此第1磁性體粒子彼此相互摩擦，能夠有效地削掉在長軸方向(第1磁性體粒子的邊緣端部)附著的絕緣膜，能夠將第1絕緣膜12在第1芯部11的長軸(A2)方向的厚度(TL)控制得較薄。形成變化的轉速能夠根據所要求的膜厚差進行變更，但較佳為提高20rpm以上。
取出具有所希望的厚度的第1絕緣膜12的第1磁性體粒子，使其乾燥，藉此能夠製造第1磁性體粒子10。
此外，第1絕緣膜12不限定於由磷酸系的溶液形成的方法，也可以使用二氧化矽系的溶液等。
接下來，對複合磁性材料的調製方法進行說明。
複合磁性材料的調製能夠適當地選擇，也可以藉由將第1磁性體粒子10、樹脂及溶劑三者攪拌混合，製成漿液而進行。也可以將所得的漿液成型為板狀。另外，也可以使用點塗機等成型為片狀。
複合磁性材料所含的第1磁性體粒子10的取向可以藉由在磁場中進行成型來進行取向，也可以藉由在成型後以規定的壓力進行加壓來進行取向。
接下來，對線圈零件1的製造方法進行說明。
線圈零件1，例如能夠使用如上述那樣獲得的複合磁性材料，藉由日本特開2015-126200號公報或者日本特開2017-59592號公報所記載的製造方法進行製造。此外，圖3所示的第1磁性體部21及第2磁性體部22包含同種樹脂及設置在上述樹脂內的第1磁性體粒子10。也可以根據其目的，使樹脂、第1磁性體粒子10的第1芯部11的材質、第1絕緣膜12的厚度等發生變化。
針對其他的構成，進行適當地設計，以便滿足線圈零件所要求的電特性，例如電感值、直流電阻值、直流重疊特性等。
線圈2例如，由Cu、Ag、Au等低電阻的金屬構成。較佳為，使用藉由半加成法(Semi-additive)形成的鍍Cu而得的金屬，能夠形成低電阻且窄間距的線圈。
上述線圈2可以是將膏以線圈圖案狀進行列印而形成的線圈，可以是α捲繞線圈或者沿邊捲繞線圈等捲繞金屬線而形成的線圈，也可以是藉由光微影加工將鍍敷膜圖案成型為螺旋狀而形成的線圈。
上述線圈2較佳是α捲繞線圈或者沿邊捲繞線圈。線圈2是這樣的線圈，藉此線圈零件1能夠更有效地享有第1磁性體粒子10帶來的優異的高導磁率化。
外部電極3a、3b，例如在利用以Ag為主要成分的導電性膏製成基底電極後，在基底電極上依次鍍Ni及鍍Sn而製成。但是，外部電極3a、3b的形狀及材料不限定於此。
這樣的線圈零件1是共模扼流線圈。線圈零件1例如，搭載於個人電腦、DVD影碟機、數位相機、TV、行動電話、汽車電子等電子設備。
(第2實施形態)
圖6是將第2實施形態的線圈零件的一部分進行放大，說明磁性體粒子的配置的放大概略圖。
第2實施形態是包含於主體20的第1磁性體部21A包含樹脂、及設置在樹脂內的第1磁性體粒子10、第2磁性體粒子13a的實施形態。相同地，第2磁性體部22(在圖6中未圖示)也能夠採用相同的構成。
在第2實施形態中，第2磁性體粒子13a具有第2芯部，不具有絕緣膜。在該情況下，第2磁性體粒子13a相當於第2芯部。第2磁性體粒子13a的第2芯部具有短軸(B1)及長軸(B2)，呈扁平形狀。
第2磁性體粒子13a不具有絕緣膜，藉此能夠使線圈零件的磁性材料的填充率更加提高。藉此，能夠良好地確保高導磁率化與優異的耐電壓性能。另外，能夠良好地確保高導磁率化與優異的耐電壓性能，並且例如進行線圈零件等功率電感器的進一步的小型化。
以下，以與第1實施形態的區別為中心進行說明。其他的構成為與第1實施形態相同的構成，標注與第1實施形態相同的附圖標記，省略其說明。
在第2實施形態中，第1磁性體部21A由包含樹脂、及設置在上述樹脂內的第1磁性體粒子10、第2磁性體粒子13a的複合磁性材料形成。藉由該實施形態，能夠進一步提高外部電極3a與線圈2間的絕緣電阻，能夠提高耐電壓性能。另外，能夠獲得優異的高導磁率化。因此，線圈零件能夠兼顧高導磁率化與優異的耐電壓性能的確保，並且，能夠進行線圈零件的進一步的小型化。
在第2實施形態中，第1磁性體層21a與第3磁性體層21c是包含第 1磁性體粒子10的層。第1磁性體粒子10的詳情如上所述。
第2磁性體粒子13a較佳為具有與第1磁性體粒子10的第1芯部11所具有的縱橫比相同程度的縱橫比。
根據所要求的電特性等，第1磁性體部21也可以除了第1磁性體粒子10及第2磁性體粒子13a之外，還包含球狀的軟磁性金屬粉。
此外，第2磁性體粒子13a也可以具有絕緣膜。即使在該實施形態中，也能夠提高導磁率。
(第3實施形態)
圖7是將第3實施形態的線圈零件的一部分進行放大，說明磁性體粒子的配置的放大概略圖。第3實施形態是主體20所含的第1磁性體部21B包含樹脂、及設置在樹脂內的第1磁性體粒子10、第3磁性體粒子14a的實施形態。相同地，第2磁性體部22(在圖7中未圖示)也能夠採用相同的構成。
即，是將上述第2實施形態的第2磁性體層21b所含的扁平狀的第2磁性體粒子13a更換成球狀的第3磁性體粒子14a的實施形態。
以下，以與第1實施形態及第2實施形態的區別為中心進行說明。
其他的構成是與第1實施形態及第2實施形態相同的構成，標注與第1實施形態及第2實施形態相同的附圖標記，省略其說明。
在第3實施形態中，第3磁性體粒子14a呈球狀。第3磁性體粒子14a較佳為軟磁性金屬粉。另外，根據需求，第3磁性體粒子14a也可以具有絕緣膜。
另外，較佳為在位於最靠線圈側的層包含有上述第1磁性體粒子10。
第3磁性體粒子14a的平均粒徑較佳為第1磁性體粒子10的第1芯部11的短軸(A1)的長度的0.5倍以上且1倍以下。若第3磁性體粒子14a的平均粒徑在該範圍內，則能夠提高第1磁性體粒子10與第3磁性體粒子14a的緊貼 性。藉此，能夠提高耐電壓性能，進一步獲得優異的高導磁率化。另外，能夠更加提高線圈零件的磁性材料的填充率，因此能夠更加良好地確保高導磁率化與優異的耐電壓性能。另外，能夠良好地確保高導磁率化與優異的耐電壓性能，並且例如能夠進行線圈零件等功率電感器的進一步的小型化。
第3磁性體粒子14a也可以是至少具有兩種平均粒徑的磁性體粒子的混合物。在該方式下，第3磁性體粒子14a所含的複數個磁性體粒子的芯部的平均粒徑從第1磁性體粒子10的第1芯部11的長軸(A2)的長度的0.2倍以上且1.2倍以下的長度的範圍內適當地選擇。
包含於第3磁性體粒子14a的至少兩種磁性體粒子的芯部的平均粒徑在這樣的範圍內，藉此第1磁性體粒子10與第3磁性體粒子14a能夠緊貼，能夠提高第1磁性體部21B的第1磁性體粒子10與第3磁性體粒子14a的分散性。藉此，例如，能夠更加提高線圈零件的磁性材料的填充率，能夠更加良好地兼顧高導磁率化與優異的耐電壓性能的確保。能夠兼顧高導磁率化與優異的耐電壓性能的確保，並且進行線圈零件等功率電感器的進一步的小型化。
(第4實施形態)
圖8是將第4實施形態的線圈零件的一部分進行放大，說明磁性體粒子的配置的放大概略圖。第4實施形態是第1磁性體部21C包含樹脂、及設置在樹脂內的第1磁性體粒子10、第2磁性體粒子13a、第3磁性體粒子14a的實施形態。相同地，第2磁性體部22(在圖8中未圖示)也能夠採用相同的構成。
以下，以與第1實施形態~第3實施形態的區別為中心進行說明。其他的構成是與第1實施形態~第3實施形態相同的構成，標注與第1實施形態~第3實施形態相同的附圖標記，省略其說明。
在第4實施形態中，第1磁性體部21C包含樹脂、及設置在上述樹脂內的第1磁性體粒子10、第2磁性體粒子13a、第3磁性體粒子14a。根據該實 施形態，能夠進一步提高外部電極3a與線圈2間的絕緣電阻，能夠提高耐電壓性能。另外，能夠更加提高磁性材料的填充率，因此能夠獲得優異的高導磁率化。因此，線圈零件能夠兼顧高導磁率化與優異的耐電壓性能的確保，並且能夠進行線圈零件的進一步的小型化。
較佳為，第1磁性體層21a包含第1磁性體粒子10，第2磁性體層21b包含第2磁性體粒子13a，第3磁性體層21c包含第3磁性體粒子14a。另外，第2磁性體粒子13a與第3磁性體粒子14a的配置可以分別進行更換，即便在這種情況下，也較佳為在位於最靠線圈側的層包含有上述第1磁性體粒子10。
根據該實施形態，能夠更加提高線圈零件的磁性材料的填充率，能夠更加良好地兼顧高導磁率化與優異的耐電壓性能的確保。另外，能夠兼顧高導磁率化與優異的耐電壓性能的確保，並且進行線圈零件等功率電感器的進一步的小型化。
上述第1磁性體粒子10、第2磁性體粒子13a及第3磁性體粒子14a的形狀、材料、大小等的詳情如上所述。第2磁性體粒子13a及第3磁性體粒子14a中的至少1者也可以具有絕緣膜。
(第5實施形態)
圖9是將第5實施形態的線圈零件的一部分進行放大，說明磁性體粒子的配置的放大概略圖。第5實施形態是第1磁性體部21D包含第1磁性體粒子10與第2磁性體粒子13b的實施形態。相同地，第2磁性體部22(在圖9中未圖示)也能夠採用相同的構成。
在第5實施形態中，第2磁性體粒子13b具有第2芯部。此外，在第2磁性體粒子13b不具有絕緣膜的情況下，第2磁性體粒子13b是指第2芯部。第2磁性體粒子13b的第2芯部具有短軸(B1)及長軸(B2)，呈扁平形狀。第2磁性體粒子13b也可以具有絕緣膜。
根據該實施形態，能夠進一步提高導磁率。
另外，上述第2芯部在短軸(B1)方向的長度比上述第1芯部11在短軸(A1)方向的長度短，及/或上述第2芯部在長軸(B2)方向的長度比上述第1芯部11在短軸(A1)方向的長度短。
較佳為，上述第2芯部在短軸(B1)方向的長度比上述第1芯部11在短軸(A1)方向的長度短，並且上述第2芯部在長軸(B2)方向的長度比上述第1芯部11在長軸(A2)方向的長度短。根據該實施形態，能夠進一步提高導磁率。
另外，能夠更加提高線圈零件的磁性材料的填充率，能夠更加良好地兼顧高導磁率化與優異的耐電壓性能的確保。另外，能夠兼顧高導磁率化與優異的耐電壓性能的確保，並且進行線圈零件等功率電感器的進一步的小型化。
以下，以與第1實施形態~第4實施形態的區別為中心進行說明。其他的構成為與第1實施形態~第4實施形態相同的構成，標注與第1實施形態~第4實施形態相同的附圖標記，並省略其說明。
第1磁性體粒子10的形狀、材料、大小等的詳細如上所述。
第1磁性體粒子10排列成使第1磁性體粒子10的第1芯部11的長軸(A2)與上述線圈的軸(L)向交叉。另外，第2磁性體粒子13b排列成使第2芯部的長軸(B2)與上述線圈的軸(L)向交叉。具有這樣的排列，藉此能夠使絕緣膜較厚的部分在線圈與外部電極之間並排，能夠提高耐電壓性。另外，能夠更加提高導磁率。
較佳為，第1磁性體粒子10的第1芯部11的長軸(A2)與第2磁性體粒子13b的第2芯部的長軸(B2)大致平行。
第1磁性體粒子10與第2磁性體粒子13b相對於線圈的軸(L)具有上述那樣的關係，藉此能夠更加良好地帶來高導磁率化。
例如，為了防止短路，第2磁性體粒子13b也可以具有絕緣膜， 在該方式中，第2磁性體粒子13b的芯部的大小滿足上述的條件。根據需求，除了第2磁性體粒子13b之外，第1磁性體部21D能夠包含球狀的軟磁性金屬粉。
這裡，在第5實施形態中，第2磁性體粒子13b的上述第2芯部在短軸(B1)方向的長度比上述第1芯部11在短軸(A1)方向的長度短，及/或上述第2芯部在長軸(B2)方向的長度比上述第1芯部11在長軸(A2)方向的長度短。
例如，第2磁性體粒子13b的上述第2芯部在短軸(B1)方向的長度也可以為第1磁性體粒子10的第1芯部11在短軸(A1)方向的長度的1/3以上且2/3以下。
第2磁性體粒子13b具有這樣的形狀，藉此能夠進一步提高導磁率。另外，能夠提高第1磁性體粒子10與第2磁性體粒子13b的分散性。藉此，例如，能夠更加提高線圈零件的磁性材料的填充率，能夠更加良好地兼顧高導磁率化與優異的耐電壓性能的確保。另外，能夠進行線圈零件等功率電感器的進一步的小型化。
另外，例如，第2磁性體粒子13b的上述第2芯部在長軸(B2)方向的長度也可以為第1磁性體粒子10的第1芯部11在長軸(A2)方向的長度的1/3以上且2/3以下。藉此，例如，能夠更加提高線圈零件的磁性材料的填充率，能夠更加良好地兼顧高導磁率化與優異的耐電壓性能的確保。另外，能夠進行線圈零件等功率電感器的進一步的小型化。
在第2磁性體粒子13b的上述第2芯部在短軸(B1)方向的長度比上述第1芯部11在短軸(A1)方向的長度短，並且上述第2芯部在長軸(B2)方向的長度比上述第1芯部11在長軸(A2)方向的長度短的情況下，能夠更加有效地獲得上述技術效果。
另外，第2磁性體粒子13b的縱橫比也可以與第1磁性體粒子10的 第1芯部11的縱橫比不同。使用具有不同的縱橫比的磁性體粒子，藉此能夠提高磁性體粒子的填充率，並且使第1磁性體粒子10及第2磁性體粒子13b在同一方向進行取向，能夠提高導磁率。
第2磁性體粒子13b的縱橫比也可以為5以上且110以下。另外，第2磁性體粒子13b的上述第2芯部的縱橫比與上述第1磁性體粒子10的上述第1芯部11的縱橫比之比(上述第2芯部的縱橫比/上述第1芯部的縱橫比)較佳為1/4以上且1/2以下。
包含具有不同的縱橫比的磁性體粒子，藉此能夠提高磁性體粒子的填充率，並且使扁平狀的磁性體粒子在同一方向進行取向，能夠提高導磁率。
這裡，在第5實施形態中，第2磁性體粒子13b也可以為軟磁性金屬粉，也可以具有絕緣膜。第2磁性體粒子13b的絕緣膜能夠採用與上述第1磁性體粒子10的第1絕緣膜12相同的形態。具體而言，第2磁性體粒子13b的芯部呈具有短軸與長軸的扁平形狀，第2磁性體粒子13b的絕緣膜在芯部的長軸方向的厚度(TL2)比上述絕緣膜在芯部的短軸方向的厚度(TS2)小。
在第2磁性體粒子13b的絕緣膜中，第2磁性體粒子13b在芯部的短軸(B1)方向的厚度(TS2)例如較佳為50nm以上且80nm以下，例如，為50nm以上且70nm以下。
第2磁性體粒子13b在芯部的短軸(B1)方向的厚度(TS2)在這樣的範圍內，藉此能夠在第2磁性體粒子13b的芯部的短軸(B1)方向，確保優異的耐電壓性能。
在第2磁性體粒子13b的絕緣膜中，芯部在長軸(B2)方向的厚度(TL2)例如較佳為0nm以上且50nm以下，例如，為0.05nm以上且40nm以下。在絕緣膜中，芯部在長軸(B2)方向的厚度(TL2)在這樣的範圍內，藉此能夠在第2芯部的第2磁性體粒子13b的長軸方向，提高導磁率μ’。
在第2磁性體粒子13b的絕緣膜中，在長軸(B2)方向的絕緣膜厚/在短軸(B1)方向的絕緣膜厚之比不足1，更加較佳為2/3以下。根據這樣的關係，能夠兼顧更高的導磁率與優異的耐電壓性能的確保。但是，第2磁性體粒子13b的絕緣膜在芯部的長軸(B2)方向的厚度(TL2)小於上述絕緣膜在芯部的短軸(B1)方向的厚度(TS2)。
(第6實施形態)
圖10是將第6實施形態的線圈零件的一部分進行放大，說明磁性體粒子的配置的放大概略圖。在第6實施形態中，是第1磁性體部21E包含第1磁性體粒子10與第3磁性體粒子14b的實施形態。相同地，第2磁性體部22(在圖10中未圖示)也能夠採用相同的構成。
在第6實施形態中，第3磁性體粒子14b具有第3芯部。此外，在第3磁性體粒子14b不具有絕緣膜的方式中，第3磁性體粒子14b與第3芯部為相同含義。
根據該實施形態，能夠進一步提高導磁率。
以下，以與第1實施形態~第5實施形態的區別為中心進行說明。其他的構成為與第1實施形態~第5實施形態相同的構成，標注與第1實施形態~第5實施形態相同的附圖標記，並省略其說明。
在第6實施形態中，第1磁性體粒子10的形狀、材料、大小等的詳細如上所述。
第3磁性體粒子14b呈球狀，具有第3芯部，第3芯部的平均粒徑比上述第1芯部11在短軸(A1)方向的長度短。
藉此，能夠提高第1磁性體粒子10與球狀的第3磁性體粒子14b的分散性。另外，例如，能夠更加提高線圈零件的磁性材料的填充率，能夠指導更高的導磁率。並且，能夠確保優異的耐電壓性能。另外，具有較高的導磁率，能夠確保優異的耐電壓性能，並且進行線圈零件等功率電感器的進一步的小型化。
第3磁性體粒子14b較佳為軟磁性金屬粉。另外，為了防止短路，第3磁性體粒子14b較佳為具有絕緣膜。
上述第3磁性體粒子14b的平均粒徑較佳為上述第1磁性體粒子在上述第1芯部11的短軸(A1)方向的長度的0.2倍以上且0.8倍以下。
藉此，能夠提高第1磁性體粒子10與球狀的第3磁性體粒子14b的分散性，例如，能夠更加提高線圈零件的磁性材料的填充率。另外，能夠更加良好地提高確保導磁率化與優異的耐電壓性能。另外，能夠確保高導磁率化與優異的耐電壓性能，並且進行線圈零件等功率電感器的進一步的小型化。
第3磁性體粒子14b也可以為至少具有兩個平均粒徑的磁性體粒子的混合物。例如，從第1磁性體粒子10在第1芯部的短軸(A1)方向的長度的0.2倍以上且0.8倍以下的長度的範圍內來看，至少具有兩個平均粒徑的峰值的磁性體粒子包含於第3磁性體粒子14b。至少兩種磁性體粒子14c的平均粒徑分別在這樣的範圍內，藉此第1磁性體粒子10與具有各種平均粒徑的第3磁性體粒子14b能夠緊貼，能夠提高主體20的第1磁性體粒子10與第3磁性體粒子14b的分散性。藉此，例如，能夠更加提高線圈零件1的磁性材料的填充率，能夠更加良好地兼顧高導磁率化與優異的耐電壓性能的確保。另外，能夠進行線圈零件1等功率電感器的進一步的小型化。
(第7實施形態)
圖11是第7實施形態的線圈零件的概略剖面圖。
在第7實施形態中，在線圈零件中，是如下的線圈零件1：主體20具有在線圈的內側排列的第3磁性體部23F，上述第3磁性體部23F包含上述複合磁性材料，上述複合磁性材料所含的上述第1磁性體粒子10排列成使該第1磁性體粒子10的第1芯部11的短軸(A1)與上述線圈的軸(L)向交叉。
以下，以與第1實施形態的區別為中心進行說明。其他的構成為與第1實施 形態相同的構成，標注與第1實施形態相同的附圖標記，並省略其說明。
在第7實施形態中，具有圖4所例示的方式的第1磁性體粒子10配置於第3磁性體部23F。
另外，如圖11所示，也可以在第4磁性體部24F配置第1磁性體粒子10，即使在這種情況下，也能夠將上述第1磁性體粒子10排列成使第1磁性體粒子10的第1芯部11的短軸(A1)與上述線圈的軸(L)向交叉。
較佳為，第1芯部的短軸(A1)與線圈2的軸(L)向所成的角度為90°±10°，例如，為90°±5°。
藉此，能夠進一步提高外部電極與線圈間的絕緣電阻。另外，能夠提高耐電壓性能。另外，能夠獲得優異的高導磁率化。因此，線圈零件能夠確保高導磁率化與優異的耐電壓性能。另外，能夠兼顧這樣的特性，並且進行線圈零件的進一步的小型化。
另外，第3磁性體部23F及第4磁性體部24F中的至少1者也可以包含上述的第2磁性體粒子及第3磁性體粒子中的至少1種。例如，能夠更加提高線圈零件的磁性材料的填充率。另外，能夠更加良好地確保高導磁率化與優異的耐電壓性能。
第1磁性體部21F與第2磁性體部22F至少包含上述樹脂，也可以根據需求，包含粒狀粉(未圖示)。粒狀粉能夠在不損壞本實施形態的技術效果的範圍內，選擇已知的粒狀粉，能夠適當地選擇，以便滿足線圈零件所要求的電特性(電感值、直流電阻值、直流重疊特性等)。
(實施例)
接下來，對第1實施形態的實施例進行說明。
(第1磁性體粒子的製造)
使扁平狀FeSiCr粉浸漬於磷酸鹽處理液，在55℃下進行65分鐘的攪拌，進 行化學合成處理。藉由該處理，在扁平狀軟磁性金屬粉的表面形成了絕緣膜。
在上述化學合成處理中，根據所要求的膜厚，提高攪拌的轉速，藉此削落扁平狀軟磁性金屬粉，即、削落在第1磁性體粒子的芯部形成的絕緣膜中的、在芯部的長軸方向(扁平狀金屬粉的邊緣端部)上所形成的絕緣膜，調整了在芯部的長軸方向形成的絕緣膜的厚度。
接下來，使所獲得的扁平狀粒子進行乾燥，製造了第1磁性體粒子。
如以下那樣測定了所獲得的第1磁性體粒子的膜厚。
使用日立高科技製造的SU-8040，對將第1磁性體粒子進行樹脂包埋並利用離子銑進行了加工的截面進行了SEM觀察。
針對以下的部位，以倍率100,000倍取得SEM像，其中，將絕緣膜厚的最大值設為各部位的絕緣膜厚。圖12a表示第1磁性體粒子在短軸方向的絕緣膜厚的SEM觀察圖。根據該測定，在芯部的短軸方向的絕緣膜厚為121nm。
另外，圖12b表示第1磁性體粒子在長軸方向的絕緣膜厚的SEM觀察圖。
根據該測定，在芯部的長軸方向的絕緣膜厚為37nm。
根據上述的方法，針對第1磁性體粒子，取得10粒子×2位置(n=20)的資料，將其平均值設為第1磁性體粒子的膜厚。在本實施例中，在芯部的短軸方向的絕緣膜厚為65nm。在芯部的長軸方向的絕緣膜厚為40nm。
(複合磁性材料的製作)
將如上所述製成的第1磁性體粒子、環氧樹脂、溶劑進行攪拌混合，製成漿液。將該漿液成型為板狀。在成型為板狀時，進行了第1磁性體粒子的取向。圖13是表示複合磁性材料所含的第1磁性體粒子的取向性的SEM觀察圖。在圖13中，由空心表示的扁平狀的位置為第1磁性體粒子。
(線圈零件的製造)
根據日本特開2015-126200號公報及日本特開2017-59592號公報的製造 方法，製作了圖3的概略剖面圖所示的方式的線圈零件。
如上所述獲得的複合磁性材料包含於圖3的第1磁性體部21及第2磁性體部22。第1磁性體部21及第2磁性體部22的導磁率μ’(1MHz)=45。
主體20的主體芯部包含將D50粒徑分別為35μm、5μm的形成有絕緣膜的球形狀的Fe基非晶體合金粉以重量比為75：25的混合比例進行了混合的磁性材料。主體芯部的導磁率μ’(1MHz)=30。
根據上述實施例，能夠兼顧較高的導磁率與優異的耐電壓性能的確保。
此外，本發明不限定於上述的實施形態，能夠在不脫離本發明的主旨的範圍內進行設計變更。例如，也可以將上述第1實施形態~上述第7實施形態的各個特徵點進行各種組合。
10‧‧‧第1磁性體粒子
11‧‧‧第1芯部
12‧‧‧第1絕緣膜
A1‧‧‧短軸
A2‧‧‧長軸
TL‧‧‧長軸方向的厚度
TS‧‧‧短軸方向的厚度

Claims (12)

  1. 一種複合磁性材料，包含：樹脂、及設置在所述樹脂內的第1磁性體粒子，所述第1磁性體粒子具有由金屬磁性材料構成的第1芯部、及包覆所述第1芯部的絕緣膜，所述第1芯部呈具有短軸與長軸的扁平形狀，所述絕緣膜在第1芯部的長軸方向的厚度T L小於所述絕緣膜在第1芯部的短軸方向的厚度T S。
  2. 如請求項1所述之複合磁性材料，其中，所述絕緣膜在第1芯部的長軸方向的厚度T L為0nm以上且50nm以下。
  3. 如請求項1或2所述之複合磁性材料，其進一步包含第2磁性體粒子，所述第2磁性體粒子具有第2芯部，所述第2芯部呈具有短軸與長軸的扁平形狀，所述第2芯部在長軸方向的長度比所述第1芯部在長軸方向的長度短，所述第2芯部在短軸方向的長度比所述第1芯部在短軸方向的長度短。
  4. 如請求項3所述之複合磁性材料，其中，所述第2芯部的縱橫比與上所述第1芯部的縱橫比之比為1/4以上且1/2以下。
  5. 如請求項1或2所述之複合磁性材料，其進一步包含第3磁性體粒子，所述第3磁性體粒子具有第3芯部，且所述第3磁性體粒子呈球形，所述第3芯部的平均粒徑比所述第1芯部在短軸方向的長度短。
  6. 如請求項5所述之複合磁性材料，其中， 所述第3芯部的平均粒徑為所述第1芯部在短軸方向的長度的0.2倍以上且0.8倍以下。
  7. 一種線圈零件，具備：包含請求項1至6中任一項所述之複合磁性材料的主體；設置於所述主體內並呈螺旋狀形成捲繞的線圈；及設置於所述主體並與所述線圈形成電連接的外部電極。
  8. 如請求項7所述之線圈零件，其中，所述主體具有配置於所述線圈的軸向之一側的第1磁性體部、及配置於所述線圈的軸向之另一側的第2磁性體部，所述第1磁性體部及所述第2磁性體部中的至少一個磁性體部包含所述複合磁性材料，第1磁性粒子排列成使所述複合磁性材料所含的第1芯部的長軸與所述線圈的軸向交叉。
  9. 如請求項8所述之線圈零件，其中，所述外部電極的至少一部分位於包含所述複合磁性材料的磁性體部在線圈軸向的端面。
  10. 如請求項7至9中任一項所述之線圈零件，其中，包含複合磁性材料的磁性體部具有在線圈軸向積層的複數個層，在所述複數個層中的位於最靠線圈側的層包含有所述第1磁性體粒子。
  11. 如請求項7所述之線圈零件，其中，所述主體具有配置於線圈的內側的第3磁性體部，所述第3磁性體部包含所述複合磁性材料，所述第1磁性粒子排列成使所述複合磁性材料所含的所述第1磁性粒子的第1芯部的短軸與所述線圈的軸向交叉。
  12. 如請求項7至9中任一項所述之線圈零件，其中，所述線圈為α捲繞線圈或者沿邊捲繞線圈。
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