TW201802255A

TW201802255A - 可撓性印刷基板用銅箔、使用其之包銅層板、可撓性印刷基板、及電子機器

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Publication number: TW201802255A
Application number: TW106104023A
Authority: TW
Inventors: 坂東慎介
Original assignee: Ｊｘ金屬股份有限公司
Priority date: 2016-03-28
Filing date: 2017-02-08
Publication date: 2018-01-16
Also published as: TWI637071B; CN107241856B; KR102049636B1; KR20170113104A; CN107241856A; JP2017179390A; JP6328679B2

Abstract

本發明提供一種蝕刻性優異之可撓性印刷基板用銅箔。

本發明之可撓性印刷基板用銅箔由99.0質量%以上之Cu、剩餘部分為不可避免之雜質構成，平均結晶粒徑為0.6~4.3μm，且MD方向之拉伸強度為230~287MPa，於MD方向及CD方向分別對浸漬於過硫酸鈉濃度100g/L、過氧化氫濃度35g/L之水溶液(液體溫度25℃)420秒後之表面基於JIS B 0601-2001之偏斜度Rsk進行16次測量，將各次測量值的絕對值平均而得之值為0.05以下。

Description

可撓性印刷基板用銅箔、使用其之包銅層板、可撓性印刷基板、及電子機器

本發明係關於一種適合用於可撓性印刷基板等之配線構件之銅箔、使用其之包銅層板、可撓性配線板、及電子機器。

由於可撓性印刷基板(可撓性配線板，以下稱為「FPC」)具有可撓性，故而廣泛用於電子電路之彎折部或可動部。例如，FPC用於HDD或DVD及CD-ROM等碟片相關機器之可動部、或者摺疊式行動電話機之彎折部等。

FPC係藉由對積層有銅箔與樹脂之包銅層板(Copper Clad Laminate，以下稱為CCL)進行蝕刻而形成配線，並由被稱為覆蓋層之樹脂層將其上被覆而成者。於積層覆蓋層之前階段，作為用以提高銅箔與覆蓋層之密接性的表面改質步驟之一環，進行銅箔表面之蝕刻。又，為了減小銅箔之厚度而提高彎曲性，有時亦進行軟蝕刻。

對於用於FPC之銅箔之中形成用以蝕刻形成電路之光阻劑之面，為了賦予其與光阻劑之密接性而進行軟蝕刻。軟蝕刻係去除銅箔表面之氧化膜並且使表面平坦化之表面處理。然而，進行軟蝕刻時，會發生在壓延銅箔之表面產生凹部之被稱為碟型下陷(dish down)之異常。該碟型下陷係起因於壓延銅箔之厚度方向蝕刻速度不同而表面成為凹凸狀，從而降低了光阻劑密接性。並且，蝕刻速度不同之產生原因在於，蝕刻速度根據壓延銅箔之表面的結晶方位而不同。

因此，開發了減少與其他結晶面相比蝕刻速度更慢(200)之面的比率，改善了軟蝕刻性之壓延銅箔(專利文獻1)。

[專利文獻1]日本專利特開2014-77182號公報

然而，伴隨著電子機器之小型、薄型、高性能化，需要將FPC高密度地安裝於該等機器之內部，但為了進行高密度安裝，需要進一步將電路微細化，並且將厚度小之FPC彎折並收容於小型化之機器的內部。並且，為了謀求電路之微細化，更進一步需求蝕刻形成電路之光阻劑與銅箔之密接性。即，若銅箔與光阻劑之密接性低，則蝕刻液會滲入銅箔與光阻劑之間，而難以形成微細之配線。

然而，於以往之銅箔的情形時，進行軟蝕刻後之表面的平坦化難言為充分，電路之微細化困難。

又，伴隨著電子機器之小型、薄型、高性能化，存在FPC之電路寬度、間隙寬度亦微細化為20~30μm左右，而藉由蝕刻形成電路時蝕刻因數或電路直線性易變差之問題，亦需求解決該問題。

本發明係為了解決上述課題而成者，目的在於提供一種蝕刻性優異之可撓性印刷基板用銅箔、使用其之包銅層板、可撓性印刷基板、及電子機器。

本發明人等進行了各種研究，結果發現，藉由將銅箔之晶粒微細化，且規定蝕刻後之銅箔的偏斜度Rsk，可提高蝕刻性。但是，若將晶粒過於微細化，則強度變得過高而抗撓剛度變大，回彈變大，從而不適合可撓性印刷基板用途。因此，規定了結晶粒徑及拉伸強度之範圍。

又，亦可藉由將結晶粒徑微細化為近年來之FPC之20~30μm左右的電路寬度之約1/10左右，而改善藉由蝕刻而形成電路時之蝕刻因數或電路直線性。

即，本發明之可撓性印刷基板用銅箔由99.0質量%以上之Cu、剩餘部分為不可避免之雜質構成，平均結晶粒徑為0.6~4.3μm，且MD方向之拉伸強度為230~287MPa，於MD方向及CD方向分別對浸漬於過硫酸鈉濃度100g/L、過氧化氫濃度35g/L之水溶液(液體溫度25℃)420秒後之表面基於JIS B 0601-2001之偏斜度Rsk進行16次測量，將各次測量值的絕對值平均而得之值為0.05以下。

本發明之可撓性印刷基板用銅箔較佳由符合JIS-H3100(C1100)規格之精銅或JIS-H3100(C1011)之無氧銅構成。

本發明之可撓性印刷基板用銅箔較佳進而含有合計為0.003~0.825質量%之選自P、Ti、Sn、Ni、Be、Zn、In及Mg之群之1種以上的添加元素而成。

較佳為上述銅箔為壓延銅箔，於300℃進行30分鐘之熱處理後之上述平均結晶粒徑為0.6~4.3μm，上述拉伸強度為230~287MPa，且該熱處理後之上述偏斜度Rsk為0.05以下。

本發明之包銅層板係積層上述可撓性印刷基板用銅箔與樹脂層而成。

本發明之可撓性印刷基板係使用上述包銅層板，於上述銅箔形成電路而成。

較佳為上述電路之L/S為35/35~10/10(μm/μm)。再者，電路之L/S(線與間隙)係構成電路之配線的寬度(L：線)與相鄰配線的間隔(S：間隙)之比。L採用電路中之L的最小值，S採用電路中之S的最小值。

再者，L及S只要為10~35μm即可，無需兩者為同一值。例如，亦可取L/S=20.5/35、35/17等值。

本發明之電子機器係使用上述可撓性印刷基板而成。

根據本發明，可獲得蝕刻性優異之可撓性印刷基板用銅箔。

以下，對本發明之銅箔的實施形態進行說明。再者，於本發明中，只要無特別說明，則%表示質量%。

<組成>

本發明之銅箔由99.0質量%以上之Cu、剩餘部分為不可避免之雜質構成。

如上所述，於本發明中，藉由將銅箔之再結晶後的晶粒微細化，而提高強度，且提高蝕刻性。

但是，於上述之純銅系之組成的情形時，晶粒之微細化困難，故而於冷軋時之初期僅進行一次再結晶退火，之後不進行再結晶退火，以此藉由冷軋而大量地導入加工應變，使動態再結晶產生，從而可實現晶粒之微細化。

又，為使冷軋中之加工應變增大，作為最終冷軋(反覆進行退火及壓延之步驟整體之中，最後之退火後所進行之最終壓延)中之加工度，較佳設為η=ln(最終冷軋前之板厚/最終冷軋後之板厚)=7.51~8.00。

於η未達7.51之情形時，加工應變不會均勻地累積，即，應變局部地累積，故而蝕刻速度於累積有應變之部位與其他部位不同。因此，軟蝕刻後之Rsk的絕對值變大，蝕刻性變差。於η大於8.00之情形時，應變過量地累積而成為晶粒成長之驅動力，有晶粒變得粗大之傾向。進而較佳設為η=7.75~8.00。

又，作為使晶粒微細化之添加元素，若相對於上述組成含有合計為0.003~0.825質量%之選自P、Ti、Sn、Ni、Be、Zn、In及Mg之群之1種以上的添加元素，則可更容易地實現晶粒之微細化。該等添加元素於冷軋時會使錯位密度增加，故而可更容易地實現晶粒之微細化。又，若於冷軋時之初期僅進行一次再結晶退火，之後不進行再結晶退火，則藉由冷軋大量地導入加工應變，使動態再結晶產生，從而可更確實地實現晶粒之微細化。

存在如下情況：若上述添加元素之合計含量未達0.003質量%，則晶粒之微細化變得困難，若超過0.825質量%，則導電率降低。又，存在如下情況：再結晶溫度上升而與樹脂積層時不發生再結晶，強度變得過高而銅箔及CCL之彎折性變差。

再者，作為將銅箔再結晶後之晶粒微細化之方法，除了加入添加元素之方法以外，亦可列舉：進行聚合壓延之方法、藉由電解銅箔進行電沈積時使用脈衝電流之方法、或藉由電解銅箔於電解液適量添加硫脲或動物膠等之方法。

亦可將本發明之銅箔設為由符合JIS-H3100(C1100)規格之精銅(TPC)或JIS-H3100(C1011)之無氧銅(OFC)構成之組成。

又，亦可設為使上述TPC或OFC含有上述添加元素而成之組成。

<平均結晶粒徑>

銅箔之平均結晶粒徑為0.6~4.3μm。若平均結晶粒徑未達0.6μm，則強度變得過高而抗撓剛度變大，回彈變大，從而不適合可撓性印刷基板用途。若平均結晶粒徑超過4.3μm，則無法實現晶粒之微細化，難以提高強度而使彎折性提高，並且軟蝕刻性、蝕刻因數或電路直線性變差而蝕刻性降低。

關於平均結晶粒徑之測量，為了避免誤差，而以100μm×100μm之視野對箔表面進行3視野以上之觀察。關於箔表面之觀察，可使用SIM(Scanning Ion Microscope，掃描式離子顯微鏡)或SEM(Scanning Electron Microscope，掃描式電子顯微鏡)，並基於JIS H 0501而求出平均結晶粒徑。

但是，雙晶係視為個別之晶粒而測量。

<拉伸強度(TS)>

銅箔之拉伸強度為230~287MPa。如上所述，藉由將晶粒微細化而拉伸強度提高。若拉伸強度未達230MPa，則提高強度變得困難。若拉伸強度超過287MPa，則強度變得過高而抗撓剛度變大，回彈變大，從而不適合可撓性印刷基板用途。

拉伸強度係藉由依據IPC-TM650之拉伸試驗，以試片寬度12.7mm、室溫(15~35℃)、拉伸速度50.8mm/min、量規長度50mm，於平行於銅箔之壓延方向(或MD方向)之方向進行拉伸試驗而得。

<偏斜度Rsk>

作為評價軟蝕刻性之指標，規定蝕刻後之銅箔表面基於JIS B 0601-2001之偏斜度Rsk。作為蝕刻條件，模擬用以賦予銅箔與光阻劑之密接性的軟蝕刻，將銅箔浸漬於過硫酸鈉濃度100g/L、過氧化氫濃度35g/L之水溶液(液體溫度25℃)420秒。

偏斜度Rsk係表示藉由均方根高度Rq之立方而無因次化之基準長度下之Z(x)立方平均。

均方根高度Rq係表示依據JIS B 0601(2001)之利用非接觸式粗糙度計所進行之表面粗糙度測量下之凹凸程度之指標，用下述(A)式表示，係表面粗糙度之Z軸方向的凹凸(山之)高度，係於基準長度lr之山的高度Z(x)之均方根。

於基準長度lr之山的高度之均方根高度Rq：

偏斜度Rsk係使用均方根高度Rq，用以下之(B)式表示。

銅箔表面之偏斜度Rsk係表示將銅箔表面之凹凸面的平均面作為中心時之銅箔表面之凹凸的對稱性之指標。因此，Rsk之絕對值越接近0，凹凸之山與谷越對稱，剝離強度(依據IPC-TM-650之剝離強度(接著強度))變得越高而越好地與樹脂接著，故而軟蝕刻性越優異。又，可以說，若Rsk<0，則高度分佈相對於平均面偏向上側，若Rsk>0，則高度分佈相對於平均面偏向下側。向上側之偏斜度較大時，銅箔表面會成為凸形態，故而銅箔內部之漫反射會變大，於將光阻劑貼附於銅箔之後進行曝光而蝕刻去除之情形時，電路直線性或蝕刻因數之精度變差。向下側之偏斜度較大時，銅箔表面會成為凹形態，若自光源照射光，則銅箔表面之漫反射會變大，於將光阻劑貼附於銅箔之後進行曝光而蝕刻去除之情形時，電路直線性或蝕刻因數之精度變差。又，Rsk之絕對值越接近0，凹凸之山與谷越對稱，故而不會於高度方向產生電磁力線之混亂，因此高頻傳輸特性越好。

就此種方面而言，本發明之銅箔係於MD方向及CD方向分別對偏斜度Rsk進行16次測量，採用將各次測量值的絕對值平均而得之值作為Rsk。

關於MD(Machine Direction，縱向)方向，於壓延銅箔之情形時為壓延平行方向，於電解銅箔之情形時為製造時之帶材之行進方向。關於CD(Cross Machine Direction，橫向)方向，於壓延銅箔之情形時為壓延直角方向，於電解銅箔之情形時為垂直於行進方向之方向。

實際之銅箔係於MD方向及CD方向被切下而用於CCL，故而對MD方向及CD方向之Rsk進行測量。

藉由將銅箔表面之Rsk之絕對值規定為0.05以下，剝離強度提高，而其與樹脂之密接性優異，且利用光阻劑將銅箔蝕刻去除之後的電路之直線性或蝕刻因數的精度提高，故而軟蝕刻性提高。

若Rsk之絕對值超過0.050，則其與樹脂之密接性提高，但表面之凹凸變得顯著而利用光阻劑將銅箔蝕刻去除之後的電路之直線性的精度降低，從而軟蝕刻性較差。

Rsk之絕對值的下限並無特別限定，通常為0.001。將Rsk之絕對值設為未達0.001於工業上較困難。

<300℃ 30分鐘之熱處理>

於300℃對銅箔進行30分鐘之熱處理後之平均結晶粒徑可為0.6~4.3μm，MD方向之拉伸強度可為230~287MPa，且該熱處理後之偏斜度Rsk可為0.05以下。

本發明之銅箔用於可撓性印刷基板，此時，將由銅箔與樹脂積層所得之CCL於200~400℃進行用以使樹脂硬化之熱處理，故而存在因再結晶而晶粒粗大化之可能性。

又，將由銅箔與樹脂積層所得之CCL於200~400℃進行用以使樹脂硬化之熱處理。即，實際之軟蝕刻係對進行了該熱處理之銅箔進行。

因此，於與樹脂積層之前後，銅箔之平均結晶粒徑及拉伸強度發生了變化。因此，本案之請求項1之可撓性印刷基板用銅箔規定了成為與樹脂積層後之包銅層板後的已接受樹脂之硬化熱處理之狀態的銅箔。

另一方面，本案之請求項4之可撓性印刷基板用銅箔規定了已對與樹脂積層前之銅箔進行上述熱處理時之狀態。該300℃ 30分鐘之熱處理模擬了CCL之積層時使樹脂硬化熱處理之溫度條件。

再者，熱處理之環境並無特別限定，可為大氣下，亦可為Ar、氮氣等非活性氣體環境。

本發明之銅箔例如可如下所示般製造。首先，於銅錠中添加上述添加物並進行熔解、鑄造之後，進行熱軋、冷軋及退火，並進行上述之最終冷軋，藉此可製造箔。

<包銅層板及可撓性印刷基板>

又，對於本發明之銅箔，(1)澆鑄樹脂前驅物(例如，被稱為清漆之聚醯亞胺前驅物)並加熱而使其等聚合，(2)使用與基礎膜為相同種類之熱塑性接著劑，將基礎膜層壓於本發明之銅箔，藉此獲得由銅箔及樹脂基材之2層構成的包銅層板(CCL)。又，將塗佈有接著劑之基礎膜層壓於本發明之銅箔，藉此獲得由銅箔、樹脂基材、及其間之接著層之3層構成的包銅層板(CCL)。製造該等CCL時，銅箔經熱處理而再結晶化。

對該等使用光蝕刻法(photolithography)技術而形成電路，並視需要對電路實施鍍覆，將覆蓋層膜層壓，藉此獲得可撓性印刷基板(可撓性配線板)。

因此，本發明之包銅層板係積層銅箔與樹脂層而成。又，本發明之可撓性印刷基板係於包銅層板之銅箔形成電路而成。

作為樹脂層，可列舉：PET(聚對酞酸乙二酯)、PI(聚醯亞胺)、LCP(液晶聚合物)、PEN(聚萘二甲酸乙二酯)，但並不限定於此。又，作為樹脂層，亦可使用該等之樹脂膜。

作為樹脂層與銅箔之積層方法，可於銅箔之表面塗佈成為樹脂層之材料並進行加熱成膜。又，亦可使用樹脂膜作為樹脂層，於樹脂膜與銅箔之間使用以下之接著劑，亦可不使用接著劑而將樹脂膜熱壓接於銅箔。但是，就不添加多餘之熱至樹脂膜之方面而言，較佳使用接著劑。

於使用膜作為樹脂層之情形時，將該膜經由接著劑層而積層於銅箔即可。於此情形時，較佳使用與膜為相同成分之接著劑。例如，於使用聚醯亞胺膜作為樹脂層之情形時，接著劑層較佳亦使用聚醯亞胺系接著劑。再者，此處所言之聚醯亞胺接著劑係指包含醯亞胺鍵之接著劑，亦包含聚醚醯亞胺等。

再者，本發明並不限定於上述實施形態。又，只要取得本發明之作用效果，則上述實施形態中之銅合金亦可含有其他成分。

例如，亦可對銅箔之表面實施粗化處理、防銹處理、耐熱處理、或其等之組合的表面處理。

[實施例]

其次，列舉實施例，而對本發明進一步詳細地進行說明，但本發明並不限定於該等實施例。於純度99.9%以上之電解銅中分別添加表1所示之元素，並於Ar環境下進行鑄造而獲得鑄塊。鑄塊中之氧含量未達15ppm。於900℃對該鑄塊進行均質化退火之後，進行熱軋及冷軋而使厚度為 31~51mm後，進行1次退火，然後對表面進行面削，並以表1所示之加工度η進行最終冷軋，而獲得最終厚度17μm之銅箔樣品。

<A.銅箔樣品之評價>

1.導電率

對於上述各銅箔樣品，於大氣下，於300℃進行30分鐘之熱處理(模擬CCL之積層時使樹脂硬化熱處理之溫度條件)之後，基於JIS H 0505，藉由四端子法而對25℃之導電率(%IACS)進行測量。

若導電率為75%IACS以上，則導電性良好。

2.粒徑

使用SEM(Scanning Electron Microscope，掃描式電子顯微鏡)對上述熱處理後之各銅箔樣品表面進行觀察，並基於JIS H 0501求出平均粒徑。但是，雙晶係視為個別之晶粒而進行測量。測量區域設為表面之100μm×100μm。

3.銅箔之拉伸強度

對於上述熱處理後之各銅箔樣品，藉由依據IPC-TM650之拉伸試驗，於上述條件對拉伸強度進行測量。

<B.CCL之評價>

4.CCL(覆銅積層板)之製作

最終冷軋之後，對未進行上述熱處理之銅箔樣品(熱處理前之銅箔)之單面進行銅粗化鍍覆。作為銅粗化鍍覆浴，使用Cu：10-25g/L、硫酸：20-100g/L之組成，於浴溫20-40℃、電流密度30-70A/dm²下進行1-5秒電鍍，而使銅附著量為20g/dm²。

將銅箔樣品之粗化鍍覆面分別積層於兩面附接著劑之聚醯亞胺膜(宇部興產股份有限公司製造之製品名「Upilex VT」，厚度25μm)之各接著面，並利用加熱壓製(4MPa)施加300℃×30分鐘之熱處理進行貼合，而獲得於聚醯亞胺膜之兩面分別積層有銅箔之CCL樣品。

5.偏斜度Rsk

將上述CCL浸漬於過硫酸鈉濃度100g/L、過氧化氫濃度35g/L之水溶液(液體溫度25℃)420秒而進行軟蝕刻。分別於壓延平行方向及壓延直角方向改變測量部位，對軟蝕刻後之銅箔表面基於JIS B 0601-2001之偏斜度Rsk進行16次(合計32次)測量，並求出將各次測量值的絕對值平均而得之值。

6.蝕刻性

於上述CCL樣品之銅箔部分形成L/S(線/間隙)=35/35μm、35/35μm、25/25μm、20/20μm、及10/10μm之短條狀之電路。作為比較，與市售之壓延銅箔(精銅箔，厚度17μm)同樣地形成電路。然後，利用顯微鏡目視判定蝕刻因數(電路之(蝕刻深度/上下之平均蝕刻寬度)所示之比)、及電路之直線性，並根據以下之基準進行評價。若評價為○，則良好。

○：與市售之壓延銅箔相比，蝕刻因數及電路之直線性良好

△：與市售之壓延銅箔相比，蝕刻因數及電路之直線性同等

×：與市售之壓延銅箔相比，蝕刻因數及電路之直線性較差

7.高頻傳輸特性

於上述CCL之單面之銅箔部分蝕刻形成阻抗50Ω、長度100mm之微帶線，而作為實施例。再者，CCL之相反側之銅箔不進行蝕刻，而成為GND。

作為比較例，由市售之壓延銅箔(精銅箔，厚度17μm)同樣地製作CCL，於CCL之單側之銅箔部分形成上述微帶線。

然後，使用網路分析儀，以60GHz對作為微帶線之S參數(Scattering Parameter，散射參數)之S21進行測量。S21係使用入射至埠口1之信號A、及傳輸至埠口2之信號B，用以下之(C)式表示。

S ₂₁ [dB]=10log ₁₀ (B/A) (C)

顯示出：S21之絕對值越小(S21一定為負)，傳輸損失越小，傳輸特性越優異。因此，根據以下之基準而對電路之傳輸特性(傳輸損失)進行評價。若評價為○，則傳輸特性優異。

○：{(市售壓延銅箔的S21之絕對值)-(實施例的S21之絕對值)}≧5dB/mm以上

△：5dB/mm>{(市售壓延銅箔的S21之絕對值)-(實施例的S21之絕對值)}>-5dB/mm

×：-5dB/mm≧{(市售壓延銅箔的S21之絕對值)-(實施例的S21之絕對值)}

將所獲得之結果示於表1中。

如由表1可明確般，於銅箔之平均結晶粒徑為0.6~4.3μm、且拉伸強度為230~287Mpa、偏斜度Rsk之絕對值為0.05以下之各實施例之情形時，包含軟蝕刻性之蝕刻性優異，高頻傳輸特性亦優異。再者，實施例1係於最終冷軋之最後的1個行程進行聚合壓延。

另一方面，於最終冷軋之加工度η未達7.51的比較例1、3之情形時，銅箔之平均結晶粒徑超過4.3μm而粗大化，拉伸強度成為未達230MPa，偏斜度Rsk之絕對值變得大於0.05。其結果為，包含軟蝕刻性之蝕刻性較差，高頻傳輸特性亦較差。

又，於最終冷軋之加工度η雖未達7.51但為3.5以上之比較例4之情形時，偏斜度Rsk大於0.05，包含軟蝕刻性之蝕刻性較差，高頻傳輸特性亦較差。

但是，於比較例4之情形時，銅箔之平均結晶粒徑為4.3μm以下，拉伸強度亦成為230MPa以上。認為其理由如下所述。即，於η未達3.5之比較例1、3之情形時，最終冷軋加工時之應變之累積較小，再晶粒之核變少，故而再晶粒變得粗大。另一方面，於η為3.5以上之比較例4之情形時，雖最終冷軋加工時應變適度地累積，再晶粒變得微細，但應變局部地存在，故而Rsk變大。並且，認為，若η為7.51以上，則累積之應變量進一步變多，應變均勻地存在，故而Rsk變小。

又，於最終冷軋下之加工度η大於8.00之比較例5之情形時，銅箔之平均結晶粒徑亦超過4.3μm而粗大化，拉伸強度亦未達230MPa，偏斜度Rsk之絕對值亦變得大於0.05。其結果為，包含軟蝕刻性之蝕刻性較差，高頻傳輸特性亦較差。

於添加元素之合計含量超過上限值之比較例2之情形時，導電率較差。

Claims

一種可撓性印刷基板用銅箔，由99.0質量%以上之Cu、剩餘部分為不可避免之雜質構成，平均結晶粒徑為0.6~4.3μm，且MD方向之拉伸強度為230~287MPa，於MD方向及CD方向分別對浸漬於過硫酸鈉濃度100g/L、過氧化氫濃度35g/L之水溶液(液體溫度25℃)420秒後之表面基於JIS B 0601-2001之偏斜度Rsk進行16次測量，將各次測量值的絕對值平均而得之值為0.05以下。
如申請專利範圍第1項之可撓性印刷基板用銅箔，其係由符合JIS-H3100(C1100)規格之精銅或JIS-H3100(C1011)之無氧銅構成。
如申請專利範圍第1或2項之可撓性印刷基板用銅箔，其進而含有合計為0.003~0.825質量%之選自P、Ti、Sn、Ni、Be、Zn、In及Mg之群之1種以上的添加元素而成。
如申請專利範圍第1至2項中任一項之可撓性印刷基板用銅箔，其中，該銅箔為壓延銅箔，於300℃進行30分鐘之熱處理後之該平均結晶粒徑為0.6~4.3μm，該拉伸強度為230~287MPa，且該熱處理後之該偏斜度Rsk為0.05以下。
如申請專利範圍第3項之可撓性印刷基板用銅箔，其中，該銅箔為壓延銅箔，於300℃進行30分鐘之熱處理後之該平均結晶粒徑為0.6~4.3 μm，該拉伸強度為230~287MPa，且該熱處理後之該偏斜度Rsk為0.05以下。
一種包銅層板，積層申請專利範圍第1至5項中任一項之可撓性印刷基板用銅箔與樹脂層而成。
一種可撓性印刷基板，使用申請專利範圍第6項之包銅層板，於該銅箔形成電路而成。
如申請專利範圍第7項之可撓性印刷基板，其中，該電路之L/S為35/35~10/10(μm/μm)。
一種電子機器，使用有申請專利範圍第7或8項之可撓性印刷基板。