TWI539017B - Rolled copper foil, copper clad laminate, and flexible printed circuit boards and electronic equipment - Google Patents

Description

壓延銅箔、覆銅積層板、及可撓性印刷基板以及電子機器

本發明係關於一種較佳用於FPC(可撓性印刷基板)等之壓延銅箔、覆銅積層板、及可撓性印刷基板以及電子機器。

作為對電子機器之可動部或空間上存在制約之部分進行配線之方法，使用FPC(可撓性印刷基板)。作為FPC，使用積層銅箔與樹脂層而成之覆銅積層板。

FPC係於機器內折彎而使用，但伴隨機器之小型化，FPC之折彎半徑不斷變小，而要求FPC之折彎性提昇。又，考慮到今後可佩戴終端普及，對於FPC亦要求疲勞特性提昇。進而，伴隨FPC之配線之微細化，亦要求形成電路時之銅箔之蝕刻性。

且說，FPC通常係以銅箔再結晶之狀態使用。若對銅箔進行壓延加工則結晶旋轉，形成壓延集合組織。然後，若對壓延銅箔於壓延後進行退火、或於加工為最終製品前之步驟、即成為FPC前之步驟中施加熱則進行再結晶。以下，將該成為壓延銅箔後之再結晶組織簡稱為「再結晶組織」，將施加熱之前之壓延組織簡稱為「壓延組織」。再者，再結晶組織受壓延組織較大影響，藉由控制壓延組織而亦可控制再結晶組織。

因此，提出作為壓延銅箔之再結晶組織，使作為Cube方位之(200)面({100})成長，從而提昇彎曲性之技術(例如專利文獻1)。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平11-286760號公報

然而，若銅箔之Cube方位過於成長則存在蝕刻性降低之問題。認為其原因在於：即便Cube集合組織成長亦非為單晶，而成為Cube方位較大之晶粒中存在其他方位較小之晶粒的混粒狀態，因各方位之晶粒而導致蝕刻速度變化。尤其，電路之L/S寬度越窄(微間距)，蝕刻性越成為問題。又，若Cube方位過於成長，則銅箔會變得過軟，而存在處理性變差之情況。

因此，期望不使Cube方位成長便提昇彎曲性之技術。再者，Cube方位為純銅系之再結晶集合方位。

因此，本發明之目的在於提供一種蝕刻性與彎曲性均優異之壓延銅箔、覆銅積層板、及可撓性印刷基板以及電子機器。

本發明者等人作為不使Cube方位成長便提昇彎曲性之方法，著眼於壓延銅箔之{102}。若於板面使{102}成長，則可確保與Cube方位未成長之習知之電解銅箔同等之蝕刻性，並亦提昇彎曲性及折彎性。作 為{102}使彎曲性及折彎性提昇之理由，認為原因在於{102}方位雖不如Cube方位之楊氏模數低，但為楊氏模數較低之方位。再者，{100}意指(100)面或(100)方位。

即，本發明之壓延銅箔以質量率計含有99.9%以上之銅，且以350℃×1秒、350℃×20分或200℃×30分中之任一條件進行熱處理後，表面之自{102}具有10度以內之角度差之晶粒之比率為1%以上且50%以下。

較佳為本發明之壓延銅箔含有合計10~300質量ppm之選自Ag、Sn、Zn、Ni、Ti、及Zr之群中之1種或2種以上之元素，剩餘部分由Cu及不可避之雜質構成。

本發明之覆銅積層板係將上述壓延銅箔積層於樹脂層之兩面或單面而成，且於至少一面之上述壓延銅箔，表面之自{102}具有10度以內之角度差之晶粒之比率為1%以上且50%以下。

本發明之可撓性印刷基板係使用上述覆銅積層板並於上述壓延銅箔形成電路而成。

本發明之電子機器係使用上述可撓性印刷基板。

根據本發明，可獲得蝕刻性與彎曲性均優異之壓延銅箔。

1、S1~S4‧‧‧試驗片

2‧‧‧螺絲

3‧‧‧振動傳遞構件

4‧‧‧振盪驅動體

11‧‧‧十字頭

12‧‧‧台座

C‧‧‧彎曲部

Sk‧‧‧彎曲外表面

r‧‧‧曲率半徑

圖1係表示180°密接彎曲之試驗方法之圖。

圖2係表示彎曲試驗方法之圖。

以下，對本發明之實施形態之壓延銅箔進行說明。再者，於本發明中，只要未特別說明，則%設為表示質量%。本發明之實施形態之壓延銅箔係於與樹脂積層而成為覆銅積層板後藉由蝕刻去除電路部分以外而製成FPC的用途中有用。

<組成>

壓延銅箔以質量率計含有99.9%以上之銅。作為此種組成，可列舉JIS-H3510(C1011)或JIS-H3100(C1020)所規定之無氧銅、J1S-H3100(C1100)所規定之精銅、或JIS-H3100(C1201及C1220)所規定之磷脫氧銅。再者，銅中所含之氧含量之上限並無特別限定，通常為500質量ppm以下，進而，通常為320質量ppm以下。

進而，亦可含有合計10~300質量ppm之選自Ag、Sn、Zn、Ni、Ti、及Zr之群中之1種或2種以上之元素。要使{102}成長，則必須藉由壓延銅箔之中間退火(最終冷壓延前之退火)使{112}成長，若添加該等元素，則用以藉由中間退火使{112}成長之條件範圍變大，可更確實地使{102}成長，並且容易製造。上述元素之合計量若未達10質量ppm，則藉由中間退火使{112}成長之效果較少，若超過300質量ppm則導電率降低並且再結晶溫度上升，存在於最終壓延後之退火中難以抑制銅箔之表面氧化並使其再結晶的情形。

<厚度>

銅箔之厚度較佳為4~100μm，進而較佳為5~70μm。若厚度未達4μm則存在銅箔之處理性變差之情形，若厚度超過100μm則存在銅箔之 彎曲性變差之情形。

<銅箔表面之{102}>

以350℃×1秒、350℃×20分或200℃×30分中任一條件進行熱處理後，壓延銅箔之表面之自{102}具有10度以內之角度差之晶粒之比率為1%以上且50%以下。再者，壓延銅箔之「表面」係指對最表面藉由電解研磨而研磨0.5~2μm後之表面。

此處，蝕刻(尤其軟蝕刻)受銅箔表面之晶粒之面方位影響。又，彎曲性及折彎性亦為對銅箔表面施加最大之應變而產生。因此，決定銅箔表面(壓延面)之{102}之成長程度。但，於銅箔表面存在氧化層、防銹層等，於需要去除該等之情形時，將去除該等後之表面視為銅箔表面。通常將銅箔表面去除1μm以下厚度則可測定面方位，認為去除前後方位不存在差異。

又，自{102}具有10度以內之角度差之晶粒可視為{102}附近之面方位，因此以此種方式規定。若自{102}之角度差超過10度，則與{102}之差異變大。

又，壓延銅箔通常係以「壓延組織」之狀態出貨，於製造覆銅積層板時，於與樹脂層貼合時進行再結晶而形成再結晶集合組織。因此，為了對覆銅積層板之彎曲性、折彎性、蝕刻性進行評價，則必須以壓延銅箔之「再結晶組織」為對象。另一方面，再結晶組織並不僅以壓延組織決定，而且會因再結晶時根據溫度條件而大幅變化。

因此，以350℃×1秒、350℃×20分或200℃×30分中任一者模擬再現於覆銅積層板之代表製法中壓延銅箔所受之熱歷程，設為表示覆銅積層板中 再結晶之銅箔之狀態者。

因此，熱處理本身係僅以3個條件中之任一個進行，於進行350℃×1秒之熱處理後，不對同一試樣第2次進行350℃×20分之熱處理。但，例如於進行350℃×1秒之熱處理時、及進行350℃×20分之熱處理時，上述晶粒之比率均亦可成為1%以上且50%以下。

而且，若銅箔表面之面方位自{102}具有10度以內之角度差之晶粒之比率為1%以上，則{102}成長，覆銅積層板之彎曲性及折彎性提昇。另一方面，使上述晶粒之比率多於50%於工業上較為困難。

銅箔表面之面方位係藉由EBSD(電子反向散射繞射：electron backscatter diffraction)測定。EBSD可藉由nm等級之分辨力對試樣表面附近之結晶方位進行測定，根據測定資料可計算出局部之結晶方位之變化(局部方位差)。然後，根據該等資料，計算出自{102}具有10度以內之角度差之晶粒之比率。

再者，關於EBSD，若使測定面積變大則測定間隔變大，而成為粗略之資料，因此欠佳。另一方面，若於壓延面{100}成長則結晶粒徑變大至100μm左右，但於該情形時，亦以使充分數量之晶粒存在於測定區域內之方式，將測定面積設為4mm²。又，測定點之間隔設為1μm以下。於該情形時，難以於一次測定中測定全部4mm²之面積，因此對隨機抽選之場所進行多次測定，使測定面積之合計成為4mm²即可。

本發明之壓延銅箔通常於熱壓延及面切削後，反覆進行數次冷壓延與退火(通常為2次左右)，繼而進行最終再結晶退火後，進行最終冷壓延而可製造為期望之箔厚。進而，於對該銅箔進行除脂後，為了確保 與樹脂層之密接性而對單面(與樹脂層之積層面)進行粗化處理，進而進行防銹處理，而可用於覆銅積層板。

「最終再結晶退火」係指最終冷壓延前之退火中最後之退火。

此處，如上所述，為了使銅箔表面之{102}成長，而以表示於「最終再結晶退火」後且最終冷壓延前之板面為{100}之結晶之成長程度的X射線繞射之積分繞射強度比(I(200)/I₀(200))成為2~10之範圍之方式調整退火條件。強度(I/I₀)係壓延面之以X射線繞射所求出之積分繞射強度(I(200))、與微粉末銅之以X射線繞射所求出之(200)面之積分繞射強度(I₀(200))的比，表示Cube(立方體集合)組織之成長程度。

若上述(I(200)/I₀(200))未達2，則於最終冷壓延後最終獲得之銅箔中{200}集合，因此銅箔表面之{102}不會成長。其原因在於：若於最終再結晶退火之階段中(I/I₀)較小，則其後進行最終冷壓延時，(I(200)/I₀(200))變大，而會使{100}之比率增加不使{102}成長。

另一方面，上述(I(200)/I₀(200))若超過10，則銅箔表面成為接近隨機之方位而{102}不會成長。其原因在於：若最終冷壓延前之(I(200)/I₀(200))超過10，則其後進行最終冷壓延時，成為接近隨機之方位而{102}不會成長。

作為將最終再結晶退火後且最終冷壓延前之(I(200)/I₀(200))管理為2~10之方法，可於600℃以上之溫度下進行最終再結晶退火，並且於其升溫過程中將200~500℃之通過時間控制為5~60秒。若通過時間未達5秒，則(I(200)/I₀(200))成為未達2，若超過60秒則(I(200)/I₀(200))超過10。再者，一旦升溫，於進行「最終再結晶退火」後之冷卻過程不影 響{102}之生成。

又，為了使銅箔表面之{102}方位成長，而將最終冷壓延之加工度η管理為2.8~3.7。於η未達2.8之情形時，銅箔表面成為接近隨機之方位而{102}不成長。若η超過3.7，則{100}集合，而銅箔表面之{102}不成長。

再者，以η=ln(A/B)表示，A、B分別為冷壓延前、最終冷壓延後之截面面積。

本發明之覆銅積層板係於樹脂層之兩面或單面積層具有上述特性之壓延銅箔而成。樹脂層只要為具有可應用於印刷配線板等之特性者則並無特別限制，例如可將紙基材酚系樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂等使用於剛性PWB用。又，可將聚酯膜或聚醯亞胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、鐵氟龍(註冊商標)膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜等使用於FPC用。

樹脂層本身亦可為多層。

又，於將聚對苯二甲酸乙二酯等耐熱性較低之樹脂層與銅箔貼合之情形時，根據貼合時之熱壓接條件，存在「壓延組織」之狀態之銅箔不成為上述「再結晶組織」之可能性。於該情形時，對銅箔預先進行上述350℃×1秒、350℃×20分或200℃×30分中之任一熱處理而使其再結晶，將自{102}具有10度以內之角度差之晶粒之比率調整為10%以上後，與樹脂層貼合而製成覆銅積層板即可。

進而，根據FPC之構成，存在僅對覆銅積層板之一側之銅箔施加劇烈 之折彎或彎曲的情況。於用於此種用途之情形時，亦可於覆銅積層板之樹脂層之兩面積層銅箔，於其中施加劇烈折彎條件之一銅箔側使用本發明之銅箔，於另一面積層其他銅箔(例如低價之電解銅箔)。

壓延銅箔與樹脂之積層方法於剛性PWB用之情形時，可列舉如下方法：準備使樹脂含浸於玻璃布等基材中，並使樹脂硬化至半硬化狀態而成的預浸體，使銅箔與預浸體重疊而進行加熱加壓。於FPC之情形時，於聚醯亞胺膜等樹脂層經由接著劑而接著銅箔，或者，不使用接著劑而於高溫高壓下積層接著銅箔而可製造覆銅積層板。於FPC之情形時，或者可藉由將聚醯亞胺前驅物塗佈於壓延銅箔後，進行乾燥及硬化等而製造覆銅積層板。

樹脂(層)之厚度並無特別限制，通常使用9~50μm左右者。又，存在亦使用樹脂之厚度為50μm以上之較厚者的情形。樹脂之厚度之上限並無特別限制，例如為150μm。

本發明之覆銅積層板可用於各種可撓性印刷基板(印刷配線板(PWB))。作為印刷配線板並無特別限制，例如，自導體圖案之層數之觀點而言，可應用於單面PWB、兩面PWB、多層PWB(3層以上)；自絕緣基板材料之種類之觀點而言，可應用於剛性PWB、可撓性PWB(FPC)、軟硬PWB。

[實施例]

<壓延銅箔之製造>

以添加有表1所示之組成之元素之精銅或無氧銅為原料，鑄造厚度100mm之鑄錠，於800℃以上進行熱壓延至厚度10mm，將表面之氧化皮進行 面切削。其後，反覆進行冷壓延與退火，獲得0.5mm之厚度之壓延板卷。於其後之冷壓延後，以表1之條件進行最終再結晶退火。最後以表1之加工度藉由最終冷壓延而最後加工為特定厚度(實施例9、6、13為厚9μm，實施例7為厚18μm，其他實施例及比較例1~4為厚12μm)。

再者，表1之組成之欄中之「OFC+30ppmAg」意指對JIS-H3100(C1020)之無氧銅OFC添加30質量ppm之Ag。又，「TPC+200ppmAg」意指對JIS-H3100(C1100)之精銅(TPC)添加200質量ppm之Ag。其他添加量之情形時亦相同。

<X射線之積分繞射強度比(I(200)/I₀(200))>

對於最終再結晶退火後且最終冷壓延前之銅箔之表面，測定{100}面之X射線繞射強度。然後，使用於同一條件下進行X射線繞射所得之純銅粉末之值(I₀(200)：X射線反射平均強度)而進行標準化。

X射線繞射之測定條件設為：入射X射線源：Cu、加速電壓：25kV、管電流：20mA、發散狹縫：1度、散射狹縫：1度、受光狹縫：0.3mm、發散縱限制狹縫：10mm、單色受光狹縫0.8mm。純銅粉末係使用微粉末銅(325mesh)。

<結晶方位>

對最終冷壓延後之銅箔進一步進行表1所示之各熱處理後，對表面輕微進行電解研磨，進行表面之EBSD測定。測定面積係如上所述設為合計4mm²。使用附屬於EBSD裝置之解析軟體(TSL Solution公司之OIM Analysis)，計算出表面之面方位自{102}具有10度以內之角度差之晶粒之比率。

再者，350℃×1sec之熱處理即便單純將銅箔放入350℃之爐內1秒鐘時間亦過短，無法進行350℃×1sec之熱處理。因此，於加熱至350℃之2片不鏽鋼板(SUS410/厚度5mm Ra 0.1、Rz 0.6)之間夾入銅箔1秒鐘而進行350℃×1sec之熱處理。

又，350℃×20分、200℃×30分之熱處理分別係於350℃、200℃之爐內裝入銅箔經特定時間而進行。

<覆銅積層板之製造>

對於表1之各實施例及比較例之壓延銅箔，以表2所示之積層方法與樹脂層積層而製造覆銅積層板。再者，對於表1之壓延銅箔，使用進行表1之熱處理前者。

樹脂層之厚度設為實施例3為50μm，實施例8、12、19為35μm，其他實施例及比較例1~4為25μm。各樹脂層中，聚醯亞胺及環氧為熱硬化性，液晶聚合物為熱塑性。又，「聚醯亞胺/環氧」表示積層有聚醯亞胺層與環氧層之多層之樹脂層，如下述積層方法「C」所示，環氧層側係作為接著層而與銅箔接著。

於表2中，於銅箔之積層為「兩面」之情形時，表示於樹脂層之兩面分別積層有銅箔。

又，於表2中，積層方法「A」係熱壓製法，即將重合市售之附有熱可塑性之聚醯亞胺膜或液晶聚合物膜與銅箔而成之積層體設置於加熱至350℃之2片不鏽鋼板(SUS410)之間，按壓並保持1秒鐘。再者，通常之聚醯亞胺膜為熱硬化性，即便施加熱亦不會接著，因此「附有」熱可塑性之聚醯亞胺膜係指於聚醯亞胺膜之基材之表面預先附設2μm左右之具有熱 可塑性之聚醯亞胺而成的聚醯亞胺膜。

積層方法「B」係將市售之聚醯亞胺前驅物清漆塗佈於銅箔，並進行乾燥及固化(cure)。乾燥溫度係設為200℃×3分，固化係設為350℃×30分。

積層方法「C」係於市售之聚醯亞胺膜塗佈市售之環氧接著劑後，進行乾燥而使環氧接著劑中之溶劑蒸發，進而貼合銅箔後，使接著劑硬化(固化)。乾燥溫度係設為200℃×3分，固化係設為200℃×30分。

對於所得之覆銅積層板，進行以下評價。

<結晶方位>

與上述壓延銅箔之情形時同樣地，對於覆銅積層板之銅箔面，測定表面之面方位自{102}具有10度以內之角度差之晶粒之比率。於在覆銅積層板之兩面積層有銅箔之情形時，任意對任一銅箔面進行測定。

<折彎性>

以下之折彎性與彎曲性係對試驗片斷裂前之循環數較少者以折彎性進 行評價，對循環數較多者以彎曲性進行評價。

反覆進行覆銅積層板之180°密接彎曲，測定銅箔斷裂前之次數。斷裂之有無係對各次彎曲後之銅箔表面(彎曲外表面)以CCD相機進行觀察。將彎曲3次亦未斷裂者設為○，將斷裂者設為×。

180°密接彎曲係以如圖1所示之方式進行。首先，以使銅箔之壓延方向成為長度方向之方式將試驗片切出12.7mm×100mm之短條狀。使該試驗片S1以長度方向之兩端彼此對合之方式於中央部呈U字狀彎曲，於以使長度方向成為水平之方式向橫成為倒C字狀之狀態下，設置於壓縮試驗機(島津製作所製造之萬能試驗機AGS-5kN)(圖1(a))。具體而言，將試驗片 S1載置於壓縮試驗機之台座12上，使試驗片S1之上方之十字頭11以荷重98kN(10kgf)、50mm/min之速度下降，施加荷重後保持5秒而將試驗片S1完全壓扁。其後，使十字頭11上升，取出U字部被壓扁之試驗片S2，以使長度方向成為上下之方式改變朝向而設為試驗片S3(圖1(b))。試驗片S2、S3具有U字部被壓扁之突狀之彎曲部C。

然後，以使彎曲部C向上之方式將試驗片S3載置於上述壓縮試驗機之台座12上，使彎曲部C上方之十字頭11以與上述相同之荷重及速度下降，施加荷重後保持5秒而將試驗片S3完全壓扁(圖1(c)、(d))。其後，使十字頭11上升，取出彎曲部C被壓扁而成為大致平坦之試驗片S4，觀察以彎曲部C為中心之特定區域之彎曲外表面Sk，判定有無斷裂(圖1(e))。

<彎曲性>

對覆銅積層板之銅箔進行蝕刻而形成特定之電路後，藉由圖2所示之IPC(美國印刷電路工業會)彎曲試驗裝置，進行彎曲試驗。於滑動彎曲試驗中測定電路部之電阻，將電阻值自初始上升15%時未破斷、且彎曲次數超過10000次者設為○，將電阻值自初始上升15%前或於上升至15%之時點破斷者設為×。

該IPC彎曲試驗裝置成為於振盪驅動體4結合有振動傳遞構件3之構造，試驗片1係於箭頭所示之螺絲2之部分與振動傳遞構件3之前端部共4點固定於裝置。當振動傳遞構件3上下驅動時，試驗片1之中間部係以特定之曲率半徑r彎曲為髮夾狀。

再者，試驗條件係如下所述：試驗片寬度：12.7mm、試驗片長度：200mm、試驗片採取方向：以試驗片之長度方向與壓延方向成為平行之方式進 行採取、曲率半徑r：1.5mm、振動行程：25mm、振動速度：1500次/分

又，於銅箔係形成於覆銅積層板之單面之情形時，使銅箔朝向圖2之曲率半徑r之彎曲內表面。又，於在覆銅積層板之兩面積層有銅箔之情形時，對測定過上述結晶方位之銅箔面進行蝕刻而形成電路，並藉由蝕刻完全去除相反面之銅箔。然後，將該電路面設為圖2之曲率半徑r之彎曲內表面。

蝕刻性係根據以下之電路直線性、及半蝕刻性而判定。再者，於在覆銅積層板之兩面積層有銅箔之情形時，對測定過上述結晶方位之銅箔面進行蝕刻。

電路直線性係於覆銅積層板之銅箔表面，遮蔽形成寬度方向寬50μm且長度方向較長之短條狀的電路圖案後，藉由將60℃之三氯化鐵(FeCl₃)噴霧於銅箔表面之噴霧蝕刻，形成寬50μm之短條狀電路。於該電路之長度方向，以5μm間距，分別藉由SEM而測定上述寬度方向之電路寬度。以上述間距測定100點，將電路寬度之常態分佈之3σ成為±2μm以內之情形設為○。

半蝕刻係藉由過硫酸鈉(40g/L)與硫酸(20g/L)之混合水溶液蝕刻至銅箔之厚度成為初始之一半，藉由CP(截面拋光儀)將截面切斷後，沿蝕刻面方向以5μm間距藉由SEM分別測定截面處之厚度。以上述間距測定100點，將厚度之常態分佈之3σ為±2μm以內之情形設為○。

蝕刻性之評價係將電路直線性及半蝕刻性均為○之情形設為綜合評價○，將電路直線性與半蝕刻中之任一者並非○之情形設為綜合評價×。

將所得之結果表示於表1、表2。

根據表1~表2明顯可知，於覆銅積層板中之銅箔表面之面方位自{102}具有10度以內之角度差之晶粒之比率為1%以上且50%以下的各實施例之情形時，成為折彎性、彎曲性、及蝕刻性均優異者。

再者，當對各實施例之積層為覆銅積層板前之銅箔進行350℃×1秒、350℃×20分或200℃×30分之熱處理時，表面之面方位自{102}具有10度以內之角度差之晶粒之比率為1%以上且50%以下。

另一方面，於在銅箔之最終再結晶退火時之升溫過程中200~500℃之通過時間超過60秒的比較例1、2之情形時，(I(200)/I₀(200))超過10而銅箔表面成為接近隨機之方位，{102}不成長，銅箔表面之面方位距{102}具有10度以內之角度差之晶粒之比率未達1%。因此，於比較例1、2之情形時，折彎性、彎曲性較差。

於銅箔之最終冷壓延之加工度η超過3.7之比較例3、4之情形時，最終再結晶退火後之X射線繞射強度比(I(200)/I₀(200))未達2，因此於最終獲得之銅箔表面{100}集合，銅箔表面之{102}方位不成長，銅箔表面之面方位自{102}具有10度以內之角度差之晶粒之比率成為未達1%。因此，於比較例3、4之情形時，雖折彎性、彎曲性良好，但蝕刻性較差。

1‧‧‧試驗片

2‧‧‧螺絲

3‧‧‧振動傳遞構件

4‧‧‧振盪驅動體

r‧‧‧曲率半徑

Claims (5)

1. 一種壓延銅箔，其係以質量率計含有99.9%以上之銅者，且以350℃×1秒、350℃×20分或200℃×30分中之任一條件進行熱處理後，表面之自{102}具有10度以內之角度差之晶粒之比率為1%以上且50%以下。
2. 如申請專利範圍第1項之壓延銅箔，其含有合計10~300質量ppm之選自Ag、Sn、Zn、Ni、Ti、及Zr之群中之1種或2種以上之元素，剩餘部分由Cu及不可避之雜質構成。
3. 一種覆銅積層板，其係將申請專利範圍第1或2項之壓延銅箔積層於樹脂層之兩面或單面而成者，且於至少一面之該壓延銅箔，表面之自{102}具有10度以內之角度差之晶粒之比率為1%以上且50%以下。
4. 一種可撓性印刷基板，其係使用申請專利範圍第3項之覆銅積層板，並於該壓延銅箔形成電路而成。
5. 一種電子機器，其係使用申請專利範圍第4項之可撓性印刷基板。