TWI600778B

TWI600778B - Flexible wiring laminate

Info

Publication number: TWI600778B
Application number: TW105103467A
Authority: TW
Inventors: Keisuke Yamanishi; Hideta Arai; Atsushi Miki
Original assignee: Jx Nippon Mining & Metals Corp
Priority date: 2010-04-30
Filing date: 2011-04-21
Publication date: 2017-10-01
Also published as: US20130071652A1; SG184814A1; MY160926A; TWI526553B; CN102753733A; EP2565298A1; JPWO2011136061A1; JP5514897B2; TW201623641A; CN102753733B; WO2011136061A1; KR101318051B1; KR20120096032A; TW201211280A

Description

可撓性配線用積層體

本發明係關於一種可撓性配線用積層體，其係於貼合於絕緣性樹脂基板上之銅箔上整面或局部地實施鍍銅者，尤其係關於一種可實現彎曲性較高之配線之精細圖案化(高密度化)之可撓性配線用積層體。

近年來，隨著半導體裝置或各種電子晶片零件等之搭載零件之小型集成化技術的發展，對於從可撓性配線用積層體加工而來之用以搭載上述各項之印刷配線板，係要求配線之更加精細圖案化與該積層體之彎曲性。

以有機物為基材之印刷配線基板大致分成以環氧玻璃及酚醛紙基板為構成材料之硬質覆銅積層板(rigid)、及以聚醯亞胺或聚酯基板為構成材料之可撓性(flexible)銅箔積層基板，主要使用銅箔作為印刷配線基板之導電材料。藉由此製造方法之差異而將銅箔分為電解銅箔與壓延銅箔兩類。

上述可撓性印刷電路基板(FPC)係將銅箔積層於樹脂基板，藉由接著劑或加熱加壓而使其一體化形成。主要使用壓延銅箔作為該FPC之構成構件之銅箔。

FPC廣泛使用於必須要對印表機頭部或硬碟內之驅動部等可動部分配線之位置，且重複數百萬次以上之彎曲。隨著近年來裝置之小型化或高水準化，而對該彎曲性之要求更高。

主要使用精銅(氧含量100~500ppm)作為使用於FPC中之壓延銅箔之素材。該精煉銅箔係將鑄錠熱軋後，反覆冷軋與退火至特定厚度而製造。此後，為使與樹脂基板之接著性提高，而於銅箔之表面實施粗化鍍敷。將粗化鍍敷後之銅箔裁剪後，與樹脂基板貼合。

可採用將銅箔與絕緣性樹脂熱壓接合之方法，亦可於銅箔上形成聚醯亞胺樹脂等樹脂層。作為此方法並無特別限制，例如可使用聚醯胺酸清漆(含有芳香族二胺類與芳香族酸二酐以溶液狀態經加成聚合而得之聚醯胺酸之混合物)作為原料。

將該聚醯胺酸清漆塗佈於本發明之銅箔上，進而乾燥形成作為聚醯亞胺前驅物層之聚醯胺酸層。將所得之聚醯胺酸層於氮氣等惰性氣體環境下加熱至300℃~400℃使其醯亞胺化，則可形成聚醯亞胺系樹脂層。

聚醯亞胺系樹脂層之厚度並無特別限定，通常為10~50μm。又，於聚醯胺酸清漆中亦可根據需要調配先前公知之添加劑。於如此所得之可撓性印刷基板中，本發明之銅箔與聚醯亞胺系樹脂層之接著強度為良好。

藉由進行再結晶退火而銅箔之彎曲性更加地提高。因此，將銅箔以退火狀態作為FPC之構成構件而使用，該退火或為於粗化鍍敷而裁剪後進行之加熱處理，或以將銅箔接著樹脂基板時之加熱來代替。如此一來，非從一開始使用退火狀態之銅箔而是於製造步驟之中間進行退火之理由為：退火後之軟質狀態在裁剪時或與樹脂基板貼合時銅箔會變形，或於銅箔上產生褶皺。

為提高FPC之彎曲性，有效的是提高作為此素材之銅箔之彎曲性。退火後之銅箔之彎曲性提高到立方體織構之發達程度。又，為使該立方體織構發達，有效果的是於銅箔之製造製程中，例如壓延銅箔方面，提高最終壓延之加工度，及縮小最終壓延之前之退火之結晶粒徑。

另一方面，於可撓性印刷配線板中有單面可撓性印刷配線板與雙面可撓性印刷配線板等，其中單面可撓性印刷配線板係於聚醯亞胺或聚酯基板等之絕緣樹脂之一表面上形成有由銅箔而成之導體層；雙面可撓性印刷配線板係於由聚醯亞胺或聚酯等而成之絕緣樹脂之雙面上形成有導體層。

隨著電子機器之高功能化，為達成可撓性印刷配線板之高密度化，則較單面可撓性配線板多用雙面可撓性印刷配線板。因此，對於雙面可撓性印刷配線板要求往彎曲用途發展。此處，於雙面可撓性印刷配線板中，為進行設置於聚醯亞胺樹脂之雙面之導體層之電性連接而使用通孔(through hole)等，為了該通孔(through hole)之連接而於貫通孔及作為導體層之銅箔上實施金屬鍍敷，主要多為鍍銅。藉此，雙面可撓性印刷配線板以附有鍍銅之銅箔層為導體層所構成。

於具有該附有鍍銅之銅箔層之雙面可撓性印刷配線板中，除了單純的金屬層厚度(銅箔層+鍍銅層)之增加以外，存在因於銅箔上形成有電解鍍銅結晶粒，故金屬層之彎曲性大幅降低，而不適合彎曲用途等問題。由此，為改良彎曲性而提出若干提案，以下對其進行介紹。

於下述專利文獻1中，提出絕緣膜雙面設有金屬層而成之可撓性基板上，形成貫通之通孔，蝕刻該通孔之周緣部使其削減(厚度變薄)至金屬箔之1/2的厚度為止，其次於通孔部與金屬箔之厚度變薄之部分上，形成鍍敷層，使表裏之金屬箔導通，藉此提高彎曲性與可撓性。

於此情形時，確實因金屬箔之厚度無變更而推測彎曲性或可撓性提高，但因必須形成鍍敷面積小且薄之鍍敷層，故要求極高之鍍敷精度，則於將通孔較密地配置之情形時，存在無法提高配線密度之缺點。

又，於下述專利文獻2中，提出絕緣膜雙面均設置有金屬層而成之可撓性基板上，形成貫通之通孔，僅於該通孔內面與雙面金屬層之一面實施鍍敷，於該金屬層之另一面不實施鍍敷。於此情形時，因僅於單面形成新鍍敷層，且鍍敷層為單面之一半便可，故推測較於雙面實施，彎曲性或可撓性提高。

然而，於此情形時之問題為：從一面通過通孔導通於另一面時，一側向大面積導通，相對於此，對於另一側之銅層，僅為此銅層之一部分剖面面積之極狹窄之面積。而且，存在如下問題：於通孔形成時，於銅層上未形成平滑之界面之情形時，與通孔之導通，進而向其他面之導通均無法進行。

專利文獻1：日本特開2003-188535號公報

專利文獻2：日本特開2005-251926號公報

本發明係鑒於如上述之問題點而成者，提供一種可撓性配線用積層體，其係於貼合於絕緣性樹脂基板上之銅箔上整面或局部地實施鍍銅者，尤其提供一種可實現彎曲性較高之配線之精細圖案化(高密度化)之可撓性配線用積層體。

根據以上，本發明提供以下之發明。

提供：

1.一種可撓性配線用積層體，係於貼合於絕緣性樹脂基板上之銅箔上整面或局部地實施鍍銅，來自上述鍍銅表面之X射線繞射之X射線峰值之面積強度的比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100超過90。

2.如上述1之可撓性配線用積層體，其中上述鍍銅之厚度為3μm以上、15μm以下。

3.如上述1或2之可撓性配線用積層體，其中上述鍍銅部分之剖面之結晶粒徑為20μm以上。

4.如上述1~3中任一項之可撓性配線用積層體，其中上述可撓性配線用積層體之銅箔部分之剖面結晶粒徑為30μm以上。

5.如上述1~4中任一項之可撓性配線用積層體，其中除去可撓性配線用積層體之鍍銅後的銅箔之X射線繞射之X射線峰值之面積強度的比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100為95以上。

6.如上述1~5中任一項之可撓性配線用積層體，其中使用350℃ 30分鐘退火後之X射線繞射之X射線峰值之面積強度的比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100為95以上之銅箔。

7.如上述1~6中任一項之可撓性配線用積層體，其中上述銅箔為壓延銅箔，其含有Ag0.01~0.04質量%、氧0.01~0.05質量%，其餘為Cu及不可避免之雜質。

具有如下優異之效果：提供一種可撓性配線用積層體，其係於貼合於絕緣性樹脂基板之銅箔上整面或局部地實施鍍銅者，尤其提供一種可實現彎曲性較高之配線之精細圖案化(高密度化)之可撓性配線用積層體。

於此情形時，可提供一種可撓性配線用積層體，其係於貼合於絕緣性樹脂基板之銅箔上整面地實施鍍銅之情形時，或於通孔之周緣局部地實施之情形時均可應用。

又，不僅適用於單面可撓性配線板亦適用於雙面可撓性印刷配線板，且可使彎曲性(可撓性)提高之效果。

圖1係表示實施例1、比較例1、比較例2之各自的X射線繞射強度之評價結果之圖。

圖2係說明可撓性配線用積層體之彎曲試驗之概要之圖。

圖3係表示實施例1(1)、比較例1(2)、比較例2(3)之可撓性配線用積層體之彎曲試驗之實施結果之圖，表示直至破裂時之彎曲次數。

可撓性配線用積層體係於貼合於絕緣性樹脂基板上之銅箔上整面或局部地實施鍍銅，且係以來自上述鍍銅表面之X射線繞射之X射線峰值之面積強度的比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100超過90作為條件者。該鍍銅之表面的X射線繞射之X射線峰值的面積強度亦係受銅層之影響者，但最終鍍敷表面之X射線峰值之面積強度比若滿足上述條件，則可使可撓性配線用積層體之高彎曲性(可撓性)提高。

若測定上述鍍銅表面之X射線繞射強度，則X射線峰值會出現(111)、(200)、(220)、(311)等，X射線峰值(200)之面積強度相對於X射線峰值(111)、(200)、(220)、(311)之合計之面積強度之比必須超過90。藉此，可獲得彎曲性(可撓性)較高之可撓性配線用積層體。

作為絕緣性樹脂基板，可適當地使用聚醯亞胺樹脂或聚酯樹脂基板。再者，該絕緣性樹脂基板並不限定於上述，只要具備可撓性(耐彎曲性)、與銅箔之熱接著性，亦可使用其他樹脂。

(可撓性配線用積層體之X射線繞射強度測定方法)

實施鍍銅之本發明之可撓性配線用積層體之X射線繞射強度測定可以如下之方式進行。

將銅箔與附有接著劑之絕緣性聚醯亞胺樹脂(尼關工業製造CISV1215)藉由熱壓機(180℃：60分鐘)貼合而製作覆銅積層體。其次，將該覆銅積層體之銅箔面(光澤面)表面清洗(酸洗)後，進行鍍銅。藉此，製作形成有附有鍍銅之銅箔之可撓性配線用積層體。

自該可撓性配線用積層體試樣片，切出1cm×1cm見方之可撓性配線用積層體片，將該可撓性配線用積層體片安放於X射線繞射裝置(RIGAKU(理學電企儀器有限公司)製造：RINT2000)中後，測定X射線繞射強度。

根據鑑定為銅之各峰值、(111)、(200)、(220)、(311)之峰值強度來導出X射線繞射強度比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100。

(可撓性配線用積層體之鍍銅之厚度與X射線繞射強度之調整)

存在X射線繞射強度相對於可撓性配線用積層體之鍍銅之厚度而變化之情形。因此，上述X射線繞射強度比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100，必須對於「鍍銅之最大厚度」測定。於此情形時，較理想的是以於銅箔上實施有鍍銅之狀態觀察剖面，將自鍍敷表面之深度方向作為厚度，以測定任意點10點而取其最大值來測定此位置之X射線繞射強度。

然而，若為由可撓性配線用積層體之結構上之已知之較厚部分的部分則可將此部分作為最大值。

可撓性配線用積層體之鍍銅之厚度與X射線繞射強度之調整為必要是因為，就可撓性配線用積層體之彎曲性之觀點而言，即使除此部分以外較薄且有彎曲性，若較厚部分之彎曲性較差，結果作為可撓性配線用積層體因較厚部分之影響而彎曲性變差。

如此，作為可撓性配線用積層體，若較厚部分滿足本發明之條件，則以下之鍍銅部分可必然滿足本發明之條件。

又，可撓性配線用積層體之較理想之形態為上述鍍銅之厚度為3μm以上、15μm以下。於此情形時，亦存在可撓性配線用積層體之鍍銅之厚度變動之情形，該較佳條件亦將鍍銅厚度之最厚部分為3μm以上、15μm以下作為較理想條件。本發明提供該較佳條件之可撓性配線用積層體。

鍍銅之厚度可藉由從可撓性配線用積層體之整體之厚度(合計厚度)中分別減去已知之樹脂膜與銅箔之厚度而容易地算出。

又，上述鍍銅部分之剖面之結晶粒徑為20μm以上為較理想之形態。結晶粒徑具有球形、橢圓形、矩形等形態，但是此情形時之上述數值係指長徑。結晶粒徑越大，越富於彎曲性(可撓性)。本案發明係提供如此之可撓性配線用積層體者。

於上述中對鍍銅進行了敍述，對上述可撓性配線用積層體之單面或雙面實施之銅箔之性狀，亦使彎曲性(可撓性)受影響。尤其，銅箔部分之剖面結晶粒徑較理想為30μm以上。結晶粒徑具有球形、橢圓形、矩形等形態，但是此情形時之上述數值係指長徑。結晶粒徑越大，越富於彎曲性(可撓性)。本案發明係提供如此之可撓性配線用積層體者。

除去可撓性配線用積層體之鍍銅後的銅箔表面之X射線繞射之X射線峰值之面積強度的比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100 為95以上為較理想之形態之一。測定作為薄層之鍍銅本身之X射線峰值之面積強度極為困難。因此，測定於銅箔鍍敷後之鍍銅之表面之X射線繞射之X射線峰值之面積強度，但鍍銅之X射線峰值之面積強度易受作為此基底之銅箔之影響，故銅箔之X射線繞射之X射線峰值之面積強度更佳為鍍銅以上之X射線峰值的面積強度的比A為95以上。本發明係提供如此之可撓性配線用積層體者。

又，同樣較理想的是使用350℃ 30分鐘退火後之X射線繞射之X射線峰值之面積強度的比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100為95以上之銅箔。因可撓性配線用積層體受熱，故銅箔以為鍍銅以上之X射線峰值之面積強度的比A為95以上作為較佳條件。其根據與上述同樣之理由。本發明係提供如此之可撓性配線用積層體者。

作為上述銅箔之最佳材料，可推薦含有Ag0.01~0.04質量%、氧0.01~0.05質量%，其餘為Cu及不可避免之雜質之壓延銅箔。該材料為具有優異之彎曲性之特徵的銅箔。又，同樣，亦可為作為具有高彎曲性之銅箔之壓延銅箔，包含Sn0.001~0.009質量%，其餘包含Cu及不可避免之雜質。

銅箔之厚度因作為高密度配線而使用，故要求18μm以下，進而3~12μm之厚度者，本發明之銅箔處理可並不限制於該厚度而應用，進而亦可同樣地應用於極薄銅箔或較厚銅箔中。

又，作為粗化處理及其他表面處理，可根據需要實施鉻系金屬、鋅系金屬、有機系之防銹處理。又，亦可實施矽烷等之耦合處理。

該等係根據印刷配線基板之銅箔之用途而適當選擇者，本發明包含該等全部。

[實施例]

將於本實施例、比較例中使用之鍍銅條件示於下述。

鍍敷液

銅 18~25g/L

硫酸 150~200g/L

羅門哈斯公司製造Copper Gleam CLX-A、B 5~10mL/L

溫度 25℃

具有空氣攪拌

其次，基於實施例進行說明。再者，本實施例係表示適合之一例者，本發明並不限定於該等實施例。因此，包含於本發明之技術思想中之變形、其他實施例或形態均包含於本發明中。

再者，為與本發明相對比而揭示了比較例。

(實施例1)

使用27.5μm厚之附有接著劑之聚醯亞胺樹脂作為絕緣性樹脂基板，又使用18μm厚之壓延銅箔為銅箔，其含有Ag0.02質量%、氧0.02質量%，其餘為Cu及不可避免之雜質。於聚醯亞胺樹脂之單面配置壓延銅箔，藉由180℃、60分鐘之熱壓接合而接合。

其次，以上述之鍍銅條件，於電流密度1A/dm2下於接著於聚醯亞胺樹脂之單面之壓延銅箔上形成10μm厚之銅。再者，該鍍敷層之厚度係藉由從可撓性配線用積層體之整體之厚度(合計厚度)中，分別減去已知之樹脂膜與銅箔之厚度而容易地算出。

自如此製作之實施例1之可撓性配線用積層體試樣片，切出1cm×1cm 見方之可撓性配線用積層體片，將該可撓性配線用積層體片安放於X射線繞射裝置(RIGAKU(理學電企儀器有限公司)製造：RINT2000)中後，測定X射線繞射強度。亦即，根據鑑定為銅之各峰值、(111)、(200)、(220)、(311)之峰值強度來導出X射線繞射強度比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100。

將該結果示於圖1(1)。又，將各峰值強度與合計及上述A值示於表1。如圖1(1)所示，可知一束XRD(X-ray diffraction，X射線繞射)之(200)峰值，如表1所示，XRD之(200)之峰值面積強度達到36536，即達到其他峰值面積強度之合計37530之97%(A值)。

其次，於實施鍍銅之實施例1之可撓性配線用積層體中，實施於一般印刷配線板中之電路形成。亦即，經由抗蝕劑膜壓接、曝光、蝕刻、剝離之順序，進行電路形成。此處，形成線/間隙=300μm/300μm之電路。

對使用該可撓性配線用積層體而製作之電路板實施彎曲試驗。將該彎曲試驗裝置之模式圖示於圖2。使用圖2所示滑動彎曲試驗裝置，對進行上述電路形成之電路板之試樣，以使聚醯亞胺樹脂表面為外側方向，電路表面為內側方向之方式安裝於滑動彎曲試驗裝置。

此後，於彎曲半徑為2.0mm、衝程為50mm、彎曲速度為30次/分鐘之條件下進行彎曲評價。此處，將上下兩塊板之間的距離之一半之長度作為彎曲半徑，且將1分鐘內可動部板之往復次數作為彎曲次數。於彎曲評價時同時測定電路之電阻，並將電阻上升率為20%以上之時點計為破裂次數。將該結果示於圖3。該結果，直至破裂時之彎曲次數超過2500次。

(實施例2)

其次，以上述之鍍銅條件，於電流密度4A/dm2下於接著於聚醯亞胺樹脂之單面之壓延銅箔上形成10μm厚之銅。再者，該鍍敷層之厚度係藉由從可撓性配線用積層體之整體之厚度(合計厚度)中分別減去已知之樹脂膜與銅箔之厚度而容易地算出者。

自如此製作之實施例2之可撓性配線用積層體試樣片，切出1cm×1cm見方之可撓性配線用積層體片，將該可撓性配線用積層體片安放於X射線繞射裝置(RIGAKU(理學電企儀器有限公司)製造：RINT2000)中後，測定X射線繞射強度。亦即，根據鑑定為銅之各峰值、(111)、(200)、(220)、(311)之峰值強度來導出X射線繞射強度比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100。

將各峰值強度與合計及上述A值示於表1。如表1所示，XRD之(200)之峰值面積強度達到47101，即達到其他峰值面積強度之合計47601之99%(A值)。

其次，於實施鍍銅之實施例2之可撓性配線用積層體中，實施於一般印刷配線板中之電路形成。亦即，經由抗蝕劑膜壓接、曝光、蝕刻、剝離之順序，進行電路形成。此處，形成線/間隙=300μm/300μm之電路。

(比較例1)

作為比較例1，與實施例1相同，使用27.5μm厚之附有接著劑之聚醯亞胺樹脂作為絕緣性樹脂基板，又使用18μm厚之壓延銅箔為銅箔，其含有Ag0.02質量%、氧0.02質量%，其餘為Cu及不可避免之雜質。於聚醯亞胺樹脂之單面配置壓延銅箔，藉由180℃、60分鐘之熱壓接合而接合。

其次，以上述之鍍銅條件，於電流密度6A/dm2下於接著於聚醯亞胺樹脂之單面之壓延銅箔上形成10μm厚之銅。再者，該鍍敷層之厚度係藉由從可撓性配線用積層體之整體之厚度(合計厚度)中分別減去已知之樹脂膜與銅箔之厚度而容易地算出者。

自如此製作之比較例1之可撓性配線用積層體試樣片，切出1cm×1cm見方之可撓性配線用積層體片，將該可撓性配線用積層體片安放於X射線繞射裝置(RIGAKU(理學電企儀器有限公司)製造：RINT2000)中後，測定X射線繞射強度。亦即，根據鑑定為銅之各峰值、(111)、(200)、(220)、(311)之峰值強度來導出X射線繞射強度比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100。

將各峰值強度與合計及上述A值示於表1。如表1所示，XRD之(200)之峰值面積強度達到613，即達到其他峰值面積強度之合計2053之30%(A值)。其脫離了本案發明之條件。

其次，於實施鍍銅之比較例1之可撓性配線用積層體中，實施於一般印刷配線板中之電路形成。亦即，經由抗蝕劑膜壓接、曝光、蝕刻、剝離之順序，進行電路形成。此處，形成線/間隙=300μm/300μm之電路。

此後，於彎曲半徑為2.0mm、衝程為50mm、彎曲速度為30次/分鐘之條件下進行彎曲評價。此處，將上下兩塊板之間的距離之一半之長度作為彎曲半徑，且將1分鐘內可動部板之往復次數作為彎曲次數。於彎曲評價時同時測定電路之電阻，並將電阻上升率為20%以上之時點計為破裂次數。將表示該結果示於圖3。該結果，直至破裂時之彎曲次數超過1500次。

(比較例2)

作為比較例2，與實施例1相同，使用27.5μm厚之附有接著劑之聚醯亞胺樹脂作為絕緣性樹脂基板，又使用18μm厚之精煉壓延銅箔為銅箔。

於聚醯亞胺樹脂之單面配置壓延銅箔，藉由180℃、60分鐘之熱壓接合而接合。其次，以與實施例1相同之上述之鍍銅條件，於電流密度1A/dm2下於接著於聚醯亞胺樹脂之單面之壓延銅箔上形成10μm厚之銅。再者，該鍍敷層之厚度，與實施例1相同，係藉由從可撓性配線用積層體之整體之厚度(合計厚度)中分別減去已知之樹脂膜與銅箔之厚度而容易地算出者。

自如此製作之比較例2之可撓性配線用積層體試樣片，切出1cm×1cm見方之可撓性配線用積層體片，將該可撓性配線用積層體片安放於X射線繞射裝置(RIGAKU(理學電企儀器有限公司)製造：RINT2000)中後，測定X射線繞射強度。亦即，根據鑑定為銅之各峰值、(111)、(200)、(220)、(311)之峰值強度來導出X射線繞射強度比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100。

將該結果示於圖1(2)。又，將各峰值強度與合計及上述A值示於表1。如圖1(2)所示，除XRD之(200)峰值以外亦存在其他峰值。如表1所示，XRD之(200)之峰值面積強度為2800，即為其他峰值面積強度之合計3336之84%(A值)。其脫離了本案發明之條件。

其次，於實施鍍銅之比較例2之可撓性配線用積層體中，實施於一般印刷配線板中之電路形成。亦即，經由抗蝕劑膜壓接、曝光、蝕刻、剝離之順序，進行電路形成。此處，形成線/間隙=300μm/300μm之電路。

對使用該可撓性配線用積層體而製作之電路板實施與實施例1相同之彎曲試驗。對進行上述電路形成之電路板之試樣，以使聚醯亞胺樹脂表面為外側方向，電路表面為內側方向之方式安裝於滑動彎曲試驗裝置。

此後，於彎曲半徑為2.0mm、衝程為50mm、彎曲速度為30次/分鐘之條件下進行彎曲評價。此處，將上下兩塊板之間的距離之一半之長度作為彎曲半徑，且將1分鐘內可動部板之往復次數作為彎曲次數。於彎曲評價時同時測定電路之電阻，並將電阻上升率為20%以上之時點計為破裂次數。將該結果示於圖3(2)。該結果，直至破裂時之彎曲次數均未超過1000次，僅為略超過500次之程度。

(比較例3)

作為比較例3，與實施例1相同，使用27.5μm厚之附有接著劑之聚醯亞胺樹脂作為絕緣性樹脂基板，又使用18μm厚之電解銅箔為銅箔。於聚醯亞胺樹脂之單面配置電解銅箔，藉由180℃、60分鐘之熱壓接合而接合。

其次，以與實施例1相同之上述之鍍銅條件，於電流密度1A/dm2下於接著於聚醯亞胺樹脂之單面之電解銅箔上形成10μm厚之銅。再者，該鍍敷層之厚度，與實施例1相同，係藉由從可撓性配線用積層體之整體之厚度(合計厚度)中分別減去已知之樹脂膜與銅箔之厚度而容易地算出者。

自如此製作之比較例3之可撓性配線用積層體試樣片，切出1cm×1cm見方之可撓性配線用積層體片，將該可撓性配線用積層體片安放於X射線繞射裝置(RIGAKU(理學電企儀器有限公司)製造：RINT2000)中後，測定X射線繞射強度。亦即，根據鑑定為銅之各峰值、(111)、(200)、(220)、(311)之峰值強度導出X射線繞射強度比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100。

將該結果示於圖1(3)。又，將各峰值強度與合計及上述A值示於表1。如圖1(3)所示，除XRD之(200)峰值以外亦存在多數其他峰值，如表1所示，XRD之(200)之峰值面積強度為602，即為其他峰值面積強度之合計2230之27%(A值)。其明顯脫離了本案發明之條件。

其次，於實施有鍍銅之比較例3之可撓性配線用積層體中，實施於一般印刷配線板中之電路形成。亦即，經由抗蝕劑膜壓接、曝光、蝕刻、剝離之順序，進行電路形成。此處，形成線/間隙=300μm/300μm之電路。

此後，於彎曲半徑為2.0mm、衝程為50mm、彎曲速度為30次/分鐘之條件下進行彎曲評價。此處，將上下兩塊板之間的距離之一半之長度作為彎曲半徑，且將1分鐘內可動部板之往復次數作為彎曲次數。於彎曲評價時同時測定電路之電阻，並將電阻上升率為20%以上之時點計為破裂次數。將該結果示於圖3(2)。該結果，直至破裂時之彎曲次數均未超過500次，彎曲性明顯較差。

[產業上之可利用性]

本發明具有如下優異之效果：提供一種可撓性配線用積層體，其於貼合於絕緣性樹脂基板上之銅箔上整面或局部地實施鍍銅，尤其可提供一種可實現彎曲性較高之配線之精細圖案化(高密度化)之可撓性配線用積層體。且可提供一種可撓性配線用積層體，其於貼合於絕緣性樹脂基板上之銅箔上整面地實施鍍銅之情形時，或於通孔之周緣局部地實施之情形時均可應用。又，較單面可撓性配線板亦適合雙面可撓性印刷配線板之任一面，可實現彎曲性較高之配線之精細圖案化(高密度化)，因此作為可撓性配線用積層體極其有用。

Claims

一種使用可撓性配線用積層體製造之印刷配線板，於在貼合於絕緣性樹脂基板之銅箔上整面或局部地施有鍍銅之可撓性配線用積層體，該鍍銅表面之X射線繞射之X射線峰值之面積強度的比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100超過90。
一種使用滿足以下之(1)~(6)中之任一項或2項或3項或4項或5項或6項之可撓性配線用積層體製造之印刷配線板，於在貼合於絕緣性樹脂基板之銅箔上整面或局部地施有鍍銅之可撓性配線用積層體，該鍍銅表面之X射線繞射之X射線峰值之面積強度的比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100超過90，(1)該鍍銅之厚度為3μm以上，15μm以下，(2)該鍍銅部分之剖面之結晶粒徑為20μm以上，(3)該可撓性配線用積層體之銅箔部分之剖面結晶粒徑為30μm以上，(4)除去該可撓性配線用積層體之鍍銅後的銅箔之X射線繞射之X射線峰值之面積強度的比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100為95以上，(5)使用350℃ 30分鐘退火後之X射線繞射之X射線峰值之面積強度的比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100為95以上之銅箔作為該銅箔，(6)該銅箔為含有Ag0.01~0.04質量%、氧0.01~0.05質量%，其餘為Cu及不可避免之雜質的壓延銅箔。
如申請專利範圍第1或2項之印刷配線板，其為可撓性印刷配線板。
一種使用可撓性配線用積層體製造印刷配線板之方法，於在貼合於絕緣性樹脂基板之銅箔上整面或局部地施有鍍銅之可撓性配線用積層體，該鍍銅表面之X射線繞射之X射線峰值之面積強度的比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100超過90。
一種使用滿足以下之(1)~(6)中之任一項或2項或3項或4項或5項或6項之可撓性配線用積層體製造印刷配線板之方法，於在貼合於絕緣性樹脂基板之銅箔上整面或局部地施有鍍銅之可撓性配線用積層體，該鍍銅表面之X射線繞射之X射線峰值之面積強度的比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100超過90，(1)該鍍銅之厚度為3μm以上，15μm以下，(2)該鍍銅部分之剖面之結晶粒徑為20μm以上，(3)該可撓性配線用積層體之銅箔部分之剖面結晶粒徑為30μm以上，(4)除去該可撓性配線用積層體之鍍銅後的銅箔之X射線繞射之X射線峰值之面積強度的比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100為95以上，(5)使用350℃ 30分鐘退火後之X射線繞射之X射線峰值之面積強度的比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100為95以上之銅箔作為該銅箔，(6)該銅箔為含有Ag0.01~0.04質量%、氧0.01~0.05質量%，其餘為Cu及不可避免之雜質的壓延銅箔。
如申請專利範圍第4或5項之製造印刷配線板之方法，其中，該印刷配線板為可撓性印刷配線板。
一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備銅箔與絕緣性樹脂之步驟；將該銅箔與該絕緣性樹脂熱壓接，或使用該絕緣性樹脂將樹脂層形成在該銅箔之步驟；藉由在該銅箔之與熱壓接該絕緣性樹脂或形成有該樹脂層之側為相反側之面的整面或一部分實施鍍銅，而得到以下之(A)或(B)之可撓性配線用積層體之步驟，(A)該鍍銅表面之X射線繞射之X射線峰值之面積強度的比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100超過90，(B)該鍍銅表面之X射線繞射之X射線峰值之面積強度的比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100超過90，並滿足以下之(1)~(6)中之任一項或2項或3項或4項或5項或6項，(1)該鍍銅之厚度為3μm以上，15μm以下，(2)該鍍銅部分之剖面之結晶粒徑為20μm以上，(3)該可撓性配線用積層體之銅箔部分之剖面結晶粒徑為30μm以上，(4)除去該可撓性配線用積層體之鍍銅後的銅箔之X射線繞射之X射線峰值之面積強度的比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100為95以上，(5)使用350℃ 30分鐘退火後之X射線繞射之X射線峰值之面積強度的比A=[(200)/{(111)+(200)+(220)+(311)}]×100為95以上之銅箔作為該銅箔，(6)該銅箔為含有Ag0.01~0.04質量%、氧0.01~0.05質量%，其餘為Cu及不可避免之雜質的壓延銅箔。
如申請專利範圍第7項之印刷配線板之製造方法，其中，在該得到可撓性配線用積層體之步驟後，進一步包含將電路形成在該可撓性配線用積層體之步驟。
如申請專利範圍第7或8項之印刷配線板之製造方法，其中，在該準備銅箔與絕緣性樹脂之步驟中，進一步包含準備一銅箔與另一銅箔之步驟，於將該銅箔與該絕緣性樹脂熱壓接或使用該絕緣性樹脂將樹脂層形成在該銅箔之步驟中，進一步包含在該絕緣性樹脂或該樹脂層之兩面側設置該一銅箔與另一銅箔之步驟，並進一步包含下述步驟：於該絕緣性樹脂或該樹脂層設置通孔或穿孔(through hole)之步驟，對該通孔或穿孔實施金屬鍍敷或鍍銅，藉此進行設置在該絕緣性樹脂之該一面之銅箔與另一銅箔的電連接之步驟。
一種電子機器，係使用申請專利範圍第1至3項中任一項之印刷配線板或者使用以申請專利範圍第4至6項中任一項之製造印刷配線板之方法或申請專利範圍第7至9項中任一項之印刷配線板之製造方法所製造之印刷配線板製得。