KR102470725B1 - 플렉시블 프린트 기판용 동박, 그것을 사용한 구리 피복 적층체, 플렉시블 프린트 기판, 및 전자 기기 - Google Patents

Abstract

(과제) 에칭성이 우수한 플렉시블 프린트 기판용 동박, 그것을 사용한 구리 피복 적층체, 플렉시블 프린트 기판, 및 전자 기기를 제공한다.
(해결 수단) 99.0 질량％ 이상의 Cu, 잔부 불가피적 불순물로 이루어지는 동박으로서, 평균 결정 입경이 0.5 ∼ 4.0 ㎛, 동박 표면의 X 선 회절 강도 I(220)/I₀(220) 으로 표시되는 집합도가 1.3 이상 7.0 미만, 도전율이 80 ％ 이상인 플렉시블 프린트 기판용 동박이다.

Description

플렉시블 프린트 기판용 동박, 그것을 사용한 구리 피복 적층체, 플렉시블 프린트 기판, 및 전자 기기{COPPER FOIL FOR FLEXIBLE PRINTED CIRCUIT, AND COPPER CLAD LAMINATE, FLEXIBLE PRINTED CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE USING COPPER FOIL}

본 발명은 플렉시블 프린트 기판 등의 배선 부재에 사용하기에 바람직한 동박, 그것을 사용한 구리 피복 적층체, 플렉시블 배선판, 및 전자 기기에 관한 것이다.

플렉시블 프린트 기판 (플렉시블 배선판, 이하, 「FPC」라고 칭한다) 은 플렉시블성을 갖기 때문에 전자 회로의 절곡부나 가동부에 널리 사용되고 있다. 예를 들어, HDD 나 DVD 및 CD-ROM 등과 같은 디스크 관련 기기의 가동부나, 접이식 휴대전화기의 절곡부 등에 FPC 가 이용되고 있다

FPC 는 동박과 수지를 적층한 Copper Clad Laminate (구리 피복 적층체, 이하 CCL 이라고 칭한다) 를 에칭함으로써 배선을 형성하고, 그 위를 커버레이라고 불리는 수지층에 의해 피복한 것이다. 커버레이를 적층하는 전 단계에서, 동박과 커버레이의 밀착성을 향상시키기 위한 표면 개질 공정의 일환으로서 동박 표면의 에칭이 행해진다. 또, 동박의 두께를 저감하여 굴곡성을 향상시키기 위해, 두께 감소 에칭을 실시하는 경우도 있다.

그런데, 전자 기기의 소형, 박형, 고성능화에 수반하여, FPC 의 회로폭, 스페이스폭의 미세화 (예를 들어, 20 ∼ 30 ㎛ 정도) 가 요구되고 있다. FPC 의 회로가 미세화하면, 에칭에 의해 회로를 형성할 때에 에칭 팩터나 회로 직선성이 열화하기 쉬워진다는 문제가 있다 (특허문헌 1, 2).

일본 공개특허공보 2017-141501호 일본 공개특허공보 2017-179390호

그러나, 종래의 기술에서는, 에칭성을 개선하는 방책으로서 평균 결정 입경 등을 최적화하는 것이 행해지고 있지만, 미세 회로의 형성에 있어서의 에칭성에 개선의 여지가 있다.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 에칭성이 우수한 플렉시블 프린트 기판용 동박, 그것을 사용한 구리 피복 적층체, 플렉시블 프린트 기판, 및 전자 기기의 제공을 목적으로 한다.

본 발명자들은 다양하게 검토한 결과,〈220〉방위의 에칭 속도가 큰 것을 알아냈다. 특히, 염화 제 2 구리 에천트에 의한 에칭에서는 방위에 의한 에칭 속도의 차이가 존재하지 않는다고 여겨져 왔다. 그래서〈220〉방위의 결정립을 많게 함으로써 에칭성 (특히 소프트 에칭성 및 에칭 팩터) 을 더욱 향상시키는 데에 성공하였다.

즉, 본 발명의 플렉시블 프린트 기판용 동박은, 99.0 질량％ 이상의 Cu, 잔부 불가피적 불순물로 이루어지는 압연 동박으로서, 평균 결정 입경이 0.5 ∼ 4.0 ㎛, 동박 표면의 X 선 회절 강도 I(220)/I₀(220) 으로 표시되는 집합도가 1.3 이상 7.0 미만, 도전율이 80 ％ 이상이다.

본 발명의 플렉시블 프린트 기판용 동박은, JIS-H3100 (C1100) 에 규격하는 터프 피치동 또는 JIS-H3100(C1020) 의 무산소동으로 이루어지는 것이 바람직하다.

본 발명의 플렉시블 프린트 기판용 동박은, 추가로, 첨가 원소로서 P, Ag, Si, Ge, Al, Ga, Zn, Sn 및 Sb 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종 또는 2 종 이상을 합계로 0.7 질량％ 이하 함유하여 이루어지는 것이 바람직하다.

본 발명의 플렉시블 프린트 기판용 동박에 있어서, 300 ℃ × 30 min 어닐링 (단, 승온 속도 100 ℃/min ∼ 300 ℃/min) 후에, 상기 평균 결정 입경이 0.5 ∼ 4.0 ㎛, 상기 집합도가 1.3 이상 7.0 미만, 상기 도전율이 80 ％ 이상인 것이 바람직하다.

본 발명의 구리 피복 적층체는, 상기 플렉시블 프린트 기판용 동박과 수지층을 적층하여 이루어진다.

본 발명의 플렉시블 프린트 기판은, 상기 구리 피복 적층체에 있어서의 상기 동박에 회로를 형성하여 이루어진다.

본 발명의 전자 기기는 상기 플렉시블 프린트 기판을 사용하여 이루어진다.

본 발명에 의하면, 에칭성 (특히 소프트 에칭성 및 에칭 팩터) 이 우수한 플렉시블 프린트 기판용 동박이 얻어진다.

도 1 은 에칭 팩터 EF 의 측정 방법을 나타내는 도면이다.
도 2 는 에칭 팩터 EF 의 측정 방법을 나타내는 다른 도면이다.

이하, 본 발명에 관련된 동박의 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 본 발명에 있어서 ％ 는 특별한 언급이 없는 이상 질량％ 를 나타내는 것으로 한다.

먼저, 에칭성에 있어서의 소프트 에칭성과 에칭 팩터 EF 에 대해 설명한다.

소프트 에칭성은, 동박 표면과 레지스트의 밀착성에서 기인한 에칭에 의한 회로의 정밀도를 나타내는 지표로, 레지스트의 밀착성이 좋아 레지스트가 동박 표면을 추종할수록, 양자 사이에 에칭액이 침입하여 회로의 일부가 결손되는 문제가 억제되고, 동박 전체면에 균일한 회로 패턴이 얻어져 수율이 향상된다.

에칭 팩터 EF 는 에칭으로 형성한 회로의 단면 형상의 지표이며, EF 가 높을수록, 에칭으로 형성한 회로의 단면이 샤프해지므로, 회로를 미세화했을 때에 회로 패턴의 정밀도가 향상된다.

소프트 에칭성이 양호해도, 에칭 팩터 EF 가 열등한 경우, 동박 전체면에 균일한 회로 패턴이 얻어져 수율이 향상되지만, 회로를 미세화했을 때에 회로 패턴의 정밀도가 저하된다.

반대로, 에칭 팩터 EF 가 양호해도, 소프트 에칭성이 열등한 경우, 회로를 미세화했을 때에 회로 패턴의 정밀도가 향상되지만, (동박 표면과 레지스트 사이에 에칭액이 침입하기 쉽기 때문에) 회로의 일부가 결손되는 문제가 생겨 동박 전체면에 균일한 회로 패턴이 얻어지지 못하여 수율이 저하된다.

＜조성＞

본 발명에 관련된 동박은, 99.0 질량％ 이상의 Cu, 잔부 불가피적 불순물로 이루어진다.

본 발명의 실시예에서는, 동박의 최종 냉간 압연 전의 결정 입경을 미세화함으로써, 냉간 압연 중에 동박의 전위 (轉位) 의 축적이 촉진되고, 재결정시에는 재결정립이 미세해진다. 또, 냉간 압연의 최종 패스에 있어서 변형 속도를 극단적으로 높이면, 재결정시에는 재결정립이 특정 방위로 배향하고, 즉｛200｝면 집합도가 억제되고, 또한｛220｝면 집합도를 높일 수 있어 에칭성이 향상된다.

또, 동박의 재결정 후에 있어서의 결정립을 미세화하기 위해서는, 어닐링과 압연을 반복하는 공정 전체 중에서, 최종 어닐링 후에 실시하는 최종 냉간 압연 전의 결정 입경을 5 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하로 하면 바람직하다.

구체적으로는, 최종 어닐링의 온도, 및 최종 어닐링 전의 냉간 압연의 가공도를 조정하면, 상기 입경을 제어할 수 있다. 최종 어닐링의 온도는 동박의 제조 조건에 따라서도 변하고, 한정되지 않지만, 예를 들어 300 ∼ 400 ℃ 로 하면 된다. 또, 최종 어닐링 전의 냉간 압연의 가공도도 한정되지 않지만, 예를 들어 가공도 η 를 1.6 ∼ 3.0 으로 하면 된다.

가공도 η 는, 최종 어닐링 전의 냉간 압연 직전의 재료의 두께를 A0, 최종 어닐링 전의 냉간 압연 직후의 재료의 두께를 A1 로 하고, η = ln(A0/A1) 로 나타낸다.

최종 냉간 압연 전의 결정 입경이 20 ㎛ 초과인 경우, 가공시의 전위의 엉킴이 작아지고, 변형의 축적이 적어지기 때문에, 재결정 후에 변형이 해방되지 않고 결정립의 미세화가 불충분해지는 경향이 있다. 최종 냉간 압연 전의 결정 입경이 5 ㎛ 보다 작은 경우에는, 가공시의 전위의 엉킴이 동박의 거의 전영역에서 생겨 더 이상의 엉킴이 생기지 않고, 동박의 재결정시에 재결정립이 미세화하는 효과가 포화된다. 따라서 최종 냉간 압연 전의 결정 입경의 하한을 5 ㎛ 로 하였다.

또, 첨가 원소로서 상기 조성에 대해, P, Ag, Si, Ge, Al, Ga, Zn, Sn 및 Sb 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종 또는 2 종 이상을 합계로 0.7 질량％ 이하 함유하면 재결정립을 미세화할 수 있다.

상기 첨가 원소는, 냉간 압연시에 전위의 엉킴의 빈도를 증가시키므로, 재결정립을 미세화할 수 있다.

상기 첨가 원소를 합계로 0.7 질량％ 를 초과하여 함유시키면, 도전율이 저하되어, 플렉시블 기판용 동박으로서 적합하지 않은 경우가 있으므로, 0.7 질량％ 를 상한으로 하였다. 상기 첨가 원소의 함유량의 하한은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 각 원소에 대해 0.0005 질량％ 보다 작게 제어하는 것은 공업적으로 어렵기 때문에, 각 원소의 함유량의 하한을 0.0005 질량％ 로 하면 된다.

본 발명에 관련된 동박을, JIS-H3100(C1100) 에 규격하는 터프 피치동 (TPC) 또는 JIS-H3100(C1020) 의 무산소동 (OFC) 으로 이루어지는 조성으로 해도 된다.

또, 상기 TPC 또는 OFC 에 대해, P 를 함유시켜 이루어지는 조성으로 해도 된다.

＜평균 결정 입경＞

동박의 평균 결정 입경이 0.5 ∼ 4.0 ㎛ 이다. 평균 결정 입경이 0.5 ㎛ 미만이면, 강도가 너무 높아져 굽힘 강성이 커지고, 스프링 백이 커져 플렉시블 프린트 기판 용도에 적합하지 않다. 평균 결정 입경이 4.0 ㎛ 를 초과하면 소프트 에칭성이 열화한다.

평균 결정 입경의 측정은, 오차를 피하기 위해, 박 표면을 100 ㎛ × 100 ㎛ 의 시야에서 3 시야 이상을 관찰하여 실시한다. 박 표면의 관찰은, SIM (Scanning Ion Microscope) 또는 SEM (Scanning Electron Microscope) 을 이용하고, JIS-H0501 에 기초하여 평균 결정 입경을 구할 수 있다. 단, 쌍정은, 각각 다른 결정립으로 간주하여 측정한다.

＜집합도＞

동박 표면의 X 선 회절 강도 I(220)/I₀(220) 으로 표시되는 집합도가 1.3 이상 7.0 미만이다.

집합도가 1.3 미만이면, 두께 방향의 에칭 속도가 작아져, 동박의 후술하는 에칭 팩터가 저하된다. 집합도가 7.0 이상이 되는 변형 속도의 경우, 에칭 팩터는 양호하기는 하지만, 압연 동박의 형상이 나빠져 FPC 용 동박으로서 사용하기 어려워지는 경우가 있다.

집합도는 이하와 같이 측정한다. 먼저, 동박의 압연면에 대해｛220｝면의 X 선 회절 강도를 측정하여 I(220) 으로 한다.

또, 동일한 조건에서, 순구리 분말 (325 mesh (JIS Z8801, 순도 99.5 ％), 수소 기류중에서 300 ℃ 에서 1 시간 가열하고 나서 사용) 에 대해｛220｝면의 X 선 회절 강도를 측정하여 I₀(220) 으로 한다.

그리고, 다음과 같이 규격화한다.

·｛220｝면 집합도：I(220)/I₀(220)

X 선 회절의 측정 조건은, 다음과 같다.

·입사 X 선원：Co,

·가속 전압：25 kV,

·관전류：20 mA,

·발산 슬릿：1 도,

·산란 슬릿：1 도,

·수광 슬릿：0.3 mm,

·발산 세로 제한 슬릿：10 mm,

·모노크롬 수광 슬릿 0.8 mm

＜300 ℃ 에서 30 분간의 열처리＞

본 발명에 관련된 동박은 플렉시블 프린트 기판에 이용되고, 그 때, 동박과 수지를 적층한 CCL 은, 200 ∼ 400 ℃ 에서 수지를 경화시키기 위한 열처리를 실시하기 때문에, 평균 결정 입경, 및 I(220)/I₀(220) 으로 표시되는 집합도가 변화된다.

따라서, 수지와 적층하기 전후에서, 평균 결정 입경, 및 집합도가 변한다. 그래서, 본원의 청구항 1 에 관련된 플렉시블 프린트 기판용 동박은, 수지와 적층 후의 구리 피복 적층체가 되었을 때의 열처리를 받은 상태의 동박을 규정하고 있다. 요컨대, 이미 열처리를 받았기 때문에, 새로운 열처리를 실시하지 않는 상태의 동박이다.

한편, 본원의 청구항 4 에 관련된 플렉시블 프린트 기판용 동박은, 수지와 적층하기 전의 동박에 상기 열처리를 실시했을 때의 상태 (예를 들어, 열처리전의 동박 코일이 CCL 의 제조 공장에 납입되어 CCL 에 적층될 때의 가열된 상태) 를 규정하고 있다. 이 300 ℃ 에서 30 분간의 열처리는, CCL 의 적층시에 수지를 경화 열처리시키는 온도 조건을 본뜬 것이다. 또한, 열처리에 의한 동박 표면의 산화를 방지하기 위해서, 열처리의 분위기는, 환원성 또는 비산화성의 분위기가 바람직하고, 예를 들어, 진공 분위기, 또는 아르곤, 질소, 수소, 일산화탄소 등 혹은 이들의 혼합 가스로 이루어지는 분위기 등으로 하면 된다. 승온 속도는 100 ∼ 300 ℃/min 의 사이이면 된다.

본 발명의 동박은, 예를 들어 이하와 같이 하여 제조할 수 있다. 먼저, 구리 잉곳을 용해, 주조한 후, 열간 압연하고, 냉간 압연과 어닐링을 실시하고, 바람직하게는 냉간 압연시의 초기에 재결정 어닐링을 실시함과 함께, 최종 재결정 어닐링 및 최종 냉간 압연을 실시함으로써 박을 제조할 수 있다.

냉간 압연의 총 가공도 η, 최종 냉간 압연 전 또한 최종 재결정 어닐링 후의 평균 결정 입경, 및 최종 냉간 압연 전의 최종 패스의 변형 속도를 조정함으로써, 평균 결정 입경, 및 집합도를 제어할 수 있다.

총 가공도 η 를 6.10 이상으로 하면, I(220)/I₀(220) 으로 표시되는 집합도를 보다 확실하게 늘릴 수 있다.

최종 냉간 압연 전 또한 최종 재결정 어닐링 후의 평균 결정 입경을 5 ∼ 20 ㎛ 로 하면, 제품의 평균 결정 입경을 확실하게 0.5 ∼ 4.0 ㎛ 로 할 수 있다.

최종 냉간 압연 전의 최종 패스의 변형 속도를 1000 (/초) 이상으로 하면 집합도를 보다 확실하게 늘릴 수 있다.

＜구리 피복 적층체 및 플렉시블 프린트 기판＞

또, 본 발명의 동박에 (1) 수지 전구체 (예를 들어 바니시로 불리는 폴리이미드 전구체) 를 캐스팅하여 열을 가하여 중합시키는 것, (2) 베이스 필름과 동종의 열가소성 접착제를 사용하여 베이스 필름을 본 발명의 동박에 라미네이트하는 것에 의해, 동박과 수지 기재의 2 층으로 이루어지는 구리 피복 적층체 (CCL) 가 얻어진다. 또, 본 발명의 동박에 접착제를 도포한 베이스 필름을 라미네이트함으로써, 동박과 수지 기재와 그 사이의 접착층의 3 층으로 이루어지는 구리 피복 적층체 (CCL) 가 얻어진다. 이들의 CCL 제조시에 동박이 열처리되어 재결정화한다.

이들에 포토리소그래피 기술을 이용하여 회로를 형성하고, 필요에 따라 회로에 도금을 실시하고, 커버레이 필름을 라미네이트함으로써 플렉시블 프린트 기판 (플렉시블 배선판) 이 얻어진다.

따라서, 본 발명의 구리 피복 적층체는 동박과 수지층을 적층하여 이루어진다. 또, 본 발명의 플렉시블 프린트 기판은 구리 피복 적층체의 동박에 회로를 형성하여 이루어진다.

수지층으로서는, PET (폴리에틸렌테레프탈레이트), PI (폴리이미드), LCP (액정 폴리머), PEN (폴리에틸렌나프탈레이트) 을 들 수 있지만 이것으로 한정되지 않는다. 또, 수지층으로서 이들의 수지 필름을 사용해도 된다.

수지층과 동박의 적층 방법으로서는, 동박의 표면에 수지층이 되는 재료를 도포하여 가열 성막해도 된다. 또, 수지층으로서 수지 필름을 사용하고, 수지 필름과 동박 사이에 이하의 접착제를 사용해도 되고, 접착제를 사용하지 않고 수지 필름을 동박에 열압착해도 된다. 단, 수지 필름에 여분의 열을 가하지 않는다는 점에서는, 접착제를 사용하는 것이 바람직하다.

수지층으로서 필름을 사용한 경우, 이 필름을 접착제층을 개재하여 동박에 적층하면 된다. 이 경우, 필름과 같은 성분의 접착제를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 수지층으로서 폴리이미드 필름을 사용하는 경우에는, 접착제층도 폴리이미드계 접착제를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 여기서 말하는 폴리이미드 접착제란 이미드 결합을 포함하는 접착제를 가리키고, 폴리에테르이미드 등도 포함된다.

또한, 본 발명은 상기 실시형태로 한정되지 않는다. 또, 본 발명의 작용 효과를 발휘하는 한, 상기 실시형태에 있어서의 구리 합금이 그 밖의 성분을 함유해도 된다. 또, 전해 동박이어도 된다.

예를 들어, 동박의 표면에, 조화 처리, 녹방지 처리, 내열 처리, 또는 이들의 조합에 의한 표면 처리를 실시해도 된다.

(실시예)

다음으로, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하겠지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다. 전기 구리에, 표 1 에 나타내는 원소를 각각 첨가하여 표 1 에 나타내는 조성으로 하고, Ar 분위기에서 주조하여 주괴를 얻었다. 주괴 중의 산소 함유량은 15 ppm 미만이었다. 이 주괴를 900 ℃ 에서 균질화 어닐링 후, 열간 압연한 후, 냉간 압연 및 재결정 어닐링을 반복하고, 추가로 최종 재결정 어닐링 및 최종 냉간 압연을 실시하여 압연 동박을 얻었다.

얻어진 압연 동박에 아르곤 분위기에 있어서 300 ℃ × 30 분의 열처리를 가하여 동박 샘플을 얻었다. 열처리 후의 동박은, CCL 의 적층시에 열처리를 받은 상태를 본뜨고 있다.

＜동박 샘플의 평가＞

1. 도전율

상기 열처리 후의 각 동박 샘플에 대해, JIS H 0505 에 기초하여 4 단자법에 의해, 25 ℃ 의 도전율 (％ IACS) 을 측정하였다.

도전율이 80 ％ IACS 보다 크면 도전성이 양호하다.

2. 집합도

상기 열처리 후의 각 동박 샘플에 대해, X 선 회절 장치 (RINT-2500：리가쿠 전기 제조) 를 사용하여 상기 서술한 방법으로 집합도를 측정하였다. 또한, I(220)/I₀(220) 으로 표시되는 집합도 외에,｛200｝면의 X 선 회절 강도를 동일하게 측정하여 I(200)/I₀(200) 도 구하였다.

3. 에칭 팩터 EF

동박과 수지를 맞붙이고, 그 후 드라이 필름 레지스트를 동박 표면에 라미네이트하고, 레지스트에 단책상 (短冊狀) (L/S = 25/25) 의 회로 패턴을 형성하였다. 염화 제 2 구리 에천트의 스프레이 에칭으로 에칭 시간을 변화시켜 에칭을 실시하였다.

EF 의 측정 방법은 다양하게 존재하지만, 본 발명에서는, 에칭 팩터 EF 를 구하는 방법으로서 가장 일반적인, 폭 방향에 대한 깊이 방향의 에칭 속도로 평가한다. 본 발명에서는, 도 1, 도 2 에 나타내는 바와 같이 하여 측정을 실시한다. 또한, 하기의 식 (1) 은, 깊이 방향과 폭 방향의 에칭 속도에만 주목하고 있고, 경사 방향의 에칭 속도는 고려하지 않는다.

EF 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 회로 1 개의 단면의 폭 방향 및 깊이 방향의 에칭 속도로부터, 이하의 식 (1) 로 구한다.

EF = 깊이 방향의 에칭 속도 / 폭 방향의 에칭 속도 (1)

단, 에칭 속도 자체를 측정하는 것은 어려우므로, 각각 에칭 시간을 변화시켰을 때의 회로의 폭과 깊이를 측정한다. 그리고, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 가로축을 회로의 폭, 세로축을 회로의 깊이로 하여 각 데이터를 플롯하고, 이하의 식 (2) 로 근사적으로 구한다. 요컨대, 도 2 의 그래프의 기울기를 최소 이승법에 의한 일차의 근사식으로부터 구하여 EF 로 한다.

EF ≒ 깊이의 시간 변화 / (폭의 시간 변화 / 2) = 2 × 깊이의 시간 변화 / 폭의 시간 변화 (2)

여기서, 식 (2) 의 계수「2」는, 폭 방향의 에칭이 도 1 의 좌우 양측으로 진행하기 때문에, 반으로 할 필요가 있기 때문이다.

그리고, EF 의 값에 따라 이하의 지표로 평가하였다. 평가가 ◎, ○ 이면 양호하다.

◎：EF 가 1.4 이상

○：EF 가 1.1 이상 1.4 미만

×：EF 가 1.1 미만

4. 소프트 에칭성

상기 열처리 후의 각 동박 샘플에 대해, 표면을 이하의 조건으로 소프트 에칭하였다. 소프트 에칭성을 평가하는 지표로서 소프트 에칭 후의 동박 표면의 JIS-B0601(2001) 에 기초하는 산술 평균 조도 Ra 를 측정하였다.

소프트 에칭 조건으로서는, 동박과 레지스트의 밀착성을 부여하기 위한 소프트 에칭을 모의 (模擬) 하고, 과황산나트륨 농도 100 g/L, 과산화수소 농도 35 g/L 의 수용액 (액온 25 ℃) 에 420 초 동박을 침지하는 것으로 하였다. 산술 평균 조도 Ra 가 0.2 ㎛ 이하인 경우를 소프트 에칭성이 양호 (○), 산술 평균 조도 Ra 가 0.2 ㎛ 를 초과하는 경우를 소프트 에칭성이 불량 (×) 으로 하였다.

소프트 에칭 후에 레지스트가 동박 표면에 잘 추종하면 밀착성이 우수하고, 회로 패턴의 정밀도가 향상되어, 소프트 에칭성이 양호해진다. Ra 가 0.2 ㎛ 를 초과하면, 레지스트가 동박 표면을 추종하기 어렵고, 레지스트와 동박 표면간에 간극이 발생하기 쉬워진다. 그리고, 그 간극에 에칭액이 침입함으로써 회로 패턴의 형성시의 정밀도가 저하된다.

5. 결정 입경

상기 열처리 후의 각 동박 샘플에 대해, 압연면을 SEM (Scanning Electron Microscope) 을 사용하여 관찰하고, JIS H 0501 에 기초하여 평균 입경을 구하였다. 단, 쌍정은, 각각 다른 결정립으로 간주하여 측정을 실시하였다. 측정 영역은 압연 방향과 평행한 단면의 400 ㎛ × 400 ㎛ 로 하였다.

얻어진 결과를 표 1, 표 2 에 나타낸다.

표 1, 표 2 를 통해 알 수 있는 바와 같이, 결정 입경이 0.5 ∼ 4.0 ㎛ 이고, 또한, I(220)/I₀(220) 으로 표시되는 집합도가 1.3 이상 7.0 미만인 각 실시예의 경우, 에칭 팩터 및 소프트 에칭성이 함께 우수하였다. 그럼으로써, 동박 전체면에 균일한 회로 패턴이 얻어져 수율이 향상되고, 더욱 회로를 미세화했을 때에 회로 패턴의 정밀도가 향상된다.

최종 냉간 압연의 최종 패스의 변형 속도가 1000 (s^-1) 미만인 비교예 1 ∼ 4 의 경우, 집합도가 1.3 미만이 되어, 소프트 에칭성은 양호하기는 하지만 에칭 팩터가 저하되었다. 따라서, 회로를 미세화했을 때에 회로 패턴의 정밀도가 저하된다.

최종 냉간 압연 전 또한 최종 재결정 어닐링 후의 평균 결정 입경이 20 ㎛ 를 초과한 비교예 5 의 경우, 제품의 평균 결정 입경이 4.0 ㎛ 를 초과하고, 에칭 팩터는 양호하기는 하지만, 소프트 에칭성이 열등하였다. 따라서, 동박 전체면에 균일한 회로 패턴이 얻어지지 못하고 수율이 저하된다.

총 가공도가 6.10 미만인 비교예 6 의 경우, 집합도가 1.3 미만이 되어, 에칭 팩터가 저하되었다.

첨가 원소의 합계 함유량이 0.7 질량％ 를 초과한 비교예 7 의 경우, 도전율이 80 ％ 미만이 되어 도전성이 열등하였다.

Claims (7)

1. 99.0 질량％ 이상의 Cu, 잔부 불가피적 불순물로 이루어지는 동박으로서,
   300 ℃ × 30 min 어닐링 (단, 승온 속도 100 ℃/min ∼ 300 ℃/min) 하는 조건에서, 평균 결정 입경이 0.5 ∼ 4.0 ㎛, 동박 표면의 X 선 회절 강도 I(220)/I₀(220) 으로 표시되는 집합도가 1.3 이상 7.0 미만,
   도전율이 80 ％ 이상이고,
   추가로, 첨가 원소로서 P, Ag, Si, Ge, Al, Ga, Zn 및 Sb 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종 또는 2 종 이상을 합계로 0.7 질량％ 이하 함유하여 이루어지는 플렉시블 프린트 기판용 동박.
2. 제 1 항에 있어서,
   JIS-H3100 (C1100) 에 규격하는 터프 피치동 또는 JIS-H3100(C1020) 의 무산소동으로 이루어지는 플렉시블 프린트 기판용 동박.
3. 삭제
4. 삭제
5. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 플렉시블 프린트 기판용 동박과, 수지층을 적층하여 이루어지는 구리 피복 적층체.
6. 제 5 항에 기재된 구리 피복 적층체의 상기 동박에 회로를 형성하여 이루어지는 플렉시블 프린트 기판.
7. 제 6 항에 기재된 플렉시블 프린트 기판을 사용한 전자 기기.
   

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