TW201736881A - 偏光板及影像顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供可抑制漏光及光學膜的剝離之偏光板。偏光板(1)具備膜狀的偏光片(7)及重疊於偏光片(7)的複數層光學膜(3、5、9、11、13)。偏光板(7)的端面(21)的垂直度(a/b)為0.00以上、未達0.35。在偏光板(7)表面的端部中沿著端面(21)的部分(3e)之偏光消除部(23)的寬度(W)為0.00μm以上、未達35μm。

Description

偏光板及影像顯示裝置
本發明係關於偏光板及影像顯示裝置。
偏光板係構成液晶電視、有機EL(電激發光)電視、或智慧型手機等的影像顯示裝置之光學構件之一。如下述專利文獻1所示，偏光板具備膜狀的偏光片及與偏光片重疊的光學膜(例如保護膜)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2002-303730號公報
因為電視或智慧型手機等的一般影像顯示裝置幾乎都具有四邊形的畫面，配備於影像顯示裝置的傳統的偏光板也為四邊形，其全體同樣地具有偏光能力。另一方面，特殊的影像顯示裝置，依據該等的用途而具有特異形狀，配備於該裝置的傳統的偏光板也為特異形狀。例如為了將偏光板應用於智慧型手錶或汽車儀表所使用的影 像顯示裝置，必需加工偏光板，製成對應智慧型手錶或汽車儀表的形狀‧外觀的形狀(例如圓形)。因偏光板的用途‧目的多樣化，依據用途‧目的，必須有能夠將偏光板加工成為各種形狀的方法。
但是，藉由傳統的機械切割方法(例如切割加工)切割加工偏光板的情況，有偏光板的切割面(端面)傾斜、切割面(端面)附近形成龜裂等現象。偏光板端面的傾斜及龜裂，有損端面附近的偏光能力，引起漏光。所謂「漏光」，係指振動方向平行於偏光片的吸收軸的光透過偏光板的現象。而且，於藉由機械的切割方法切割偏光板進行加工的情況，構成偏光板的光學膜，有一部分從偏光片剝離，相鄰的光學膜彼此一部分剝離等現象。如此的層間剝離，容易在偏光板的切割面(端面)的附近發生。
取代如上述機械的切割方法，藉由雷射切割加工偏光板的情況，偏光板容易加工成為各種形狀。但是，於使用CO2雷射等的熱加工的情況，也有偏光板的切割面(端面)傾斜、偏光板的切割面(端面)附近形成龜裂等現象。再者，於雷射切割，切割面(端面)的附近因被雷射加熱，由於偏光片的化學變質，容易損害偏光能力。所謂偏光片的化學變質，例如偏光片的變色或溶解。於以下，將由於偏光片的化學變質而損害偏光功能的部分，稱為偏光板的「偏光消除部」。偏光消除部越大，影像顯示裝置越容易漏光。根據本案發明人等的研究結果，得知即使於使用波長比CO2雷射短的準分子雷射的加工(例如燒蝕(ablation) 加工)的情況，伴隨偏光板的切割，也會引起上述技術問題。
本發明係有鑑於上述之情事而完成者，以提供可抑制漏光及光學膜的剝離之偏光板、以及包含該偏光板的影像顯示裝置為目的。
關於本發明的一面向的偏光板，具備膜狀的偏光片及重疊於偏光片的複數層光學膜，其中偏光板的端面的垂直度為0.00以上、未達0.35，偏光板的表面的端部中沿著上述端面的部分之偏光消除部的寬度為0.00μm以上、未達35μm。所謂「光學膜」，係指構成偏光板的膜狀構件(偏光片本體除外)。例如，光學膜包含保護膜及離型膜的意義。所謂「偏光板的表面」，換言之指偏光板的受光面或受光面的相反面。
沿著上述端面的部分中之龜裂數目，平行於上述端部之每單位長度1mm可為0以上4以下。
沿著上述端面的部分之龜裂的長度可為0μm以上、未達50μm。
夾住偏光片的一對光學膜中的至少一光學膜，可包含三乙醯基纖維素。
關於本發明的一面向的偏光板，更具備硬塗層，光學膜可位於硬塗層與偏光片之間。
夾住偏光片的一對光學膜中的至少一光學膜，可包含環狀烯烴聚合物。
夾住偏光片的一對光學膜中的至少一光學 膜，可包含聚甲基丙烯酸甲酯。
關於本發明的一面向的影像顯示裝置，包含上述偏光板。
根據本發明，提供可抑制漏光及光學膜的剝離之偏光板及包含該偏光板的影像顯示裝置。
1、1a、1b、1s‧‧‧偏光板
3‧‧‧第三保護膜
3e、3e’‧‧‧偏光板的一側表面的端部中沿著端面的部分(第一端部)
5‧‧‧第一保護膜
7‧‧‧偏光片
9‧‧‧第二保護膜
10‧‧‧液晶胞
11‧‧‧黏著層
13‧‧‧離型膜
13e、13e’‧‧‧偏光板的另一側表面的端部中沿著端面的部分(第二端部)
20‧‧‧液晶面板
21、21’、21s‧‧‧端面(切割面)
23‧‧‧偏光消除部
25‧‧‧龜裂
30‧‧‧液晶顯示裝置(影像顯示裝置)
60‧‧‧上側偏光板
62‧‧‧下側偏光板
64‧‧‧背光源
A1s、A60、A62‧‧‧吸收軸
ID‧‧‧強度分佈
ILc‧‧‧光點LS的強度的極大值
ILe‧‧‧準分子雷射的外圓周部分Le的強度
Lc‧‧‧光點LS的中心Lc
Le‧‧‧準分子雷射的外圓周部分
LS‧‧‧光點
l‧‧‧龜裂的長度
W‧‧‧偏光消除部的寬度
第1圖係關於本發明的一實施態樣的偏光板的透視圖。
第2圖係第1圖中II-II線方向的偏光板沿箭頭方向觀察的示意圖(垂直於偏光板表面之偏光板剖面)。
第3圖係第1圖中偏光板表面的端部中沿著端面的部分(區域III)的放大圖。
第4圖係準分子雷射的光點的示意圖及沿著通過準分子雷射光點中心的直線之準分子雷射強度分佈。
第5圖係關於本發明的一實施態樣的影像顯示裝置(液晶顯示裝置)的剖面示意圖。
第6圖係第6圖中的(a)表示檢查偏光板的漏光時的偏光板配置的側面示意圖，第6圖中的(b)表示第6圖中的(a)所示配置的上視示意圖。
以下，參考圖式同時說明關於本發明的較佳實施態樣。於圖式中，對相同的構成要素賦予相同的符 號。本發明不限於下述實施態樣。於各圖表示之X、Y及Z，係指互相垂直的3個座標軸。各座標軸表示的方向，在全部圖中共通。
如第1圖所示，關於本實施態樣的偏光板1，具備膜狀的偏光片7以及與偏光片7重疊的複數光學膜(3、5、9、13)。偏光片7及複數光學膜(3、5、9、13)皆為四邊形。複數光學膜(3、5、9、13)，係第一保護膜5、第二保護膜9、第三保護膜3、及離型膜13(分隔片)。亦即，偏光板1具備偏光片7、第一保護膜5、第二保護膜9、第三保護膜3、及離型膜13。偏光板1亦具備位在第二保護膜9與離型膜13之間的黏著層11。於偏光片7的一側表面與第一保護膜5重疊，偏光片7的另一側表面與第二保護膜9重疊。於第一保護膜5與第三保護膜3重疊。亦即，第一保護膜5位於偏光片7與第三保護膜3之間。於第二保護膜9，介由黏著層11與離型膜13重疊。換言之，第二保護膜9位於偏光片7與黏著層11之間。
偏光板1的一側表面(第一表面)，係由第三保護膜3所構成。偏光板1的另一側表面(第二表面)，係由離型膜13所構成。第2圖所示的偏光板1的剖面，係垂直於偏光片7及各光學膜(3、5、9、13)。換言之，第2圖所示的偏光板1的剖面，係垂直於Y軸、平行於ZX面。換言之，第2圖所示的偏光板1的剖面，係垂直於偏光板1的表面(受光面)。
偏光板1的端面21，可為平坦。偏光板1 的端面21，亦可為不平坦。例如偏光板1的端面21可為凹凸狀。例如偏光片7、光學膜(3、5、9、13)、及黏著層11中一個以上的膜或層，可在端面21突出。
偏光板1的端面21的垂直度為0.00以上、未達0.35。以下，基於第2圖，說明垂直度。
偏光板1的一側表面(第一表面)的端部中，沿著端面21的部分，定義為第一端部3e。所謂偏光板1的第一表面的端部，換言之指偏光板1的第一表面的外緣。第一端部3e全體，在平行於偏光板1的第一表面的方向(XY面方向)，可延伸為直線狀或曲線狀。換言之，第一端部3e可為位於偏光板1的第一表面側的第一光學膜(第三光學膜3)的端部。換言之，第一端部3e，亦可為偏光板1的第一表面與端面21共同的邊。偏光板1的另一側表面(第二表面)的端部中，沿著端面21的部分，定義為第二端部13e。第二端部13e全體，在平行於偏光板1的第二表面的方向，可延伸為直線狀或曲線狀。換言之，第二端部13e係在端面21與第一端部3e對向的端部。換言之，第二端部13e係位於偏光板1的第二表面側的第二光學膜(離型膜13)的端部。換言之，第二端部13e，亦可為偏光板1的第二表面與端面21共同的邊。以下，如第2圖所示，第一端部3e及第二端部13e，皆視為位於垂直於偏光板1表面的相同剖面上的點。第一端部3e與第二端部13e的距離，定義為a。距離a係平行於偏光板1的第一表面及第二表面的方向(XY平面方向)之距離。偏光板1的厚度(例 如厚度的平均值)定義為b。此時，偏光板1的端面21的垂直度定義為a/b。垂直度亦可定義為a’/b。a’為第一端部3e’與第二端部13e’的距離。距離a’係在平行於偏光板1的第一表面及第二表面的方向(XY平面方向)之距離。所謂第一端部3e’，係指偏光板1的第一表面的端部中沿著端面21’的部分。所謂端面21’，係指與上述端面21對向的另一端面。所謂第二端部13e’，係指偏光板1的第二表面的端部中沿著端面21’的部分。所謂第二端部13e’，換言之指在端面21’與第一端部3e’對向的端部。a/b可以等於a’/b。a/b亦可不等於a’/b。於a/b與a’/b不同的情況，a/b及a’/b皆為0.00以上、未達0.35。在適合上述定義限制下，可於偏光板1的任意端面測定a及b，從a及b分別的測定值計算各端面的垂直度a/b即可。於分別計算偏光板1的任意複數端面的垂直度a/b的情況，所計算的複數垂直度a/b中的最大值為0.00以上、未達0.35即可。a、a’、b及b’，例如根據使用光學顯微鏡對偏光板1的剖面的觀察進行測定即可。
藉由端面21的垂直度a/b未達0.35，漏光被抑制。於端面21的垂直度a/b為0.35以上的情況，於露出端面21的偏光片7的剖面(端面)，起因於光的折射等的漏光變顯著。端面21的垂直度a/b，可為0.00以上0.30以下、0.00以上0.29以下、0.00以上0.28以下、0.04以上0.30以下、0.04以上0.29以下、或0.04以上0.28以下。垂直度a/b越小，漏光越容易被抑制。所以，a為0最理想。 亦即，垂直度a/b為0最理想。垂直度a/b為0，係指端面21相對於偏光板1的表面(第一表面及第二表面)完全垂直。
偏光板1的厚度b，例如可為10μm以上1200μm以下、10μm以上500μm以下、10μm以上300μm以下、或10μm以上200μm以下。第一端部3e與第二端部13e的距離a，在a/b為0.00以上、未達0.35之限制下，可為任意值。
如第3圖所示，偏光板1的一側表面(第一表面)的端部中，沿著端面21的第一端部3e，有形成偏光消除部23的情況。偏光板1的另一側表面(第二表面)的端部中，沿著端面21的第二端部13e，亦有觀察到偏光消除部的情況。偏光消除部23，係於端面21的形成過程(雷射切割步驟)，由於偏光片7或光學膜(3、5、9、13)的化學變質而產生。偏光消除部23，在垂直於偏光板1表面的方向(Z軸方向)可連續或不連續存在。亦即，偏光消除部23，可具有從偏光板1的表面之深度。換言之，偏光消除部23可為三維分佈。例如偏光消除部23可沿著端面21形成。偏光消除部23係漏光的原因之一。偏光消除部23之漏光，係起因於偏光片7或光學膜(3、5、9、13)的化學組成的變化。例如，由於構成偏光片7的聚乙烯醇或色素分子(含碘的化合物)的配向性之混亂，引起偏光消除部23之漏光。
第一端部3e之偏光消除部23的寬度W為0.00μm以上未達35μm。如第3圖所示，所謂第一端部 3e之偏光消除部23的寬度W，係指平行於偏光板1的第一表面(第三保護膜3的表面)之偏光消除部23的尺寸，且為垂直於第一端部3e的方向之偏光消除部23的尺寸。偏光消除部23的寬度W，換言之為X軸方向之偏光消除部23的尺寸。因偏光板1為略透明，位於第二表面側(離型膜13的表面側)之偏光消除部23，可從第一表面側(第三保護膜3的表面側)觀察。亦即，在第一表面側(第三保護膜3的表面側)觀察到之偏光消除部23，不一定形成於第一光學膜(第三保護膜3)。而且，位於偏光板1的內部之偏光消除部23，可從第一表面側或第二表面側觀察。位於第一表面側之偏光消除部23，可從第二表面側觀察。亦即，在第二表面側(離型膜13的表面側)觀察到之偏光消除部23，不一定形成於第二光學膜(離型膜13)。因偏光板1為略透明，在垂直於偏光板1的表面之方向(Z軸方向)觀察偏光板1的表面時，可見到重疊狀態之三維分佈的偏光消除部23。亦即，三維分佈的偏光消除部23，可被觀察為在偏光板1的第一表面(XY平面)之二維的正投影(例如長方形)。
藉由偏光消除部23的寬度W未達35μm，可抑制漏光。於偏光消除部23的寬度W為35μm以上的情況，偏光消除部23的漏光變顯著。偏光消除部23的寬度W，可為0.00μm以上20μm以下、0.00μm以上19μm以下、或0.00μm以上18μm以下。偏光消除部23的寬度W越小，越容易抑制漏光。所以，偏光消除部23的寬度W為0.00μm最理想。亦即，無偏光消除部23最理想。偏光 消除部23的寬度W，只要在0.00μm以上未達35μm的範圍內，可為不固定。於偏光消除部23的寬度W為不固定的情況，偏光消除部23的寬度W的最大值未達35μm。在第二端部13e之偏光消除部的寬度，也為0.00μm以上未達35μm。亦即，於偏光板1的第一表面及第二表面，偏光消除部23的寬度皆為0.00μm以上未達35μm。於第一端部3e’及第二端部13e’，分別的偏光消除部23的寬度皆為0.00μm以上未達35μm。
於第一表面上的第一端部3e，有龜裂25形成的情況。第一表面上的另一第一端部3e’，也有龜裂25形成的情況。第二表面上的第二端部13e，也有龜裂25形成的情況。第二表面上的另一第二端部13e’，也有龜裂25形成的情況。龜裂25，可沿著第一表面(第三保護膜3的表面)形成。龜裂25，亦可沿著第二表面(離型膜13的表面)形成。龜裂25，可在垂直於偏光板1的表面的方向(Z軸方向)連續或不連續形成。亦即，龜裂25，可具有從偏光板1表面的深度。換言之，龜裂25可為三維分佈。
在第一端部3e之龜裂25的數目，每單位長度1mm為0以上4以下。所謂「單位長度1mm」係指平行於第一端部3e的長度1mm之線段。所謂每單位長度1mm之龜裂25的數目，換言之指與單位長度1mm相交的龜裂25的個數。因偏光板1為略透明，位於的第二表面側(離型膜13的表面側)的龜裂25，可從第一表面側(第三保護膜3的表面側)觀察。亦即，在第一端部3e觀察到的龜裂25， 不一定形成於第一端部3e所屬的第一光學膜(第三保護膜3)。而且，位於偏光板1內部之龜裂25，也可從第一表面側(第一端部3e側)觀察。位於偏光板1內部之龜裂25，也可從第二表面側(第二端部13e側)觀察。位於第一表面側(第三保護膜3的表面側)之龜裂25，可從第二表面側(離型膜13的表面側)觀察。亦即，在第二端部13e觀察到的龜裂25，不一定形成於第二端部13e所屬的第二光學膜(離型膜13)。因偏光板1為略透明，在垂直於偏光板1的表面之方向(Z軸方向)觀察偏光板1的表面時，可見到重疊狀態之三維分佈的龜裂25。亦即，三維分佈的龜裂25，可被觀察為在偏光板1的第一表面(XY平面)之二維的正投影。垂直於偏光板1表面的方向(Z軸方向)重疊的複數龜裂25，可視為在偏光板1的第一表面之一個龜裂25。亦即，在垂直於偏光板1表面的方向(Z軸方向)重疊的複數龜裂25，於偏光板1的表面可被計數為一個龜裂25。
於龜裂25的數目為4以下的情況，更容易抑制漏光。龜裂25的長度l可為0μm以上未達50μm。龜裂25的長度l，係在垂直於偏光板1的表面的方向(Z軸方向)觀察的龜裂25的長度，是龜裂25的一端與第一端部3e之最短距離。於龜裂25的長度l未達50μm的情況，更容易抑制可被辨識的程度之漏光。龜裂25的數目越少、龜裂25越短，越容易抑制漏光。而且，龜裂25的數目越少、龜裂25越短，偏光板1的機械強度越高，越容易抑制影像顯示裝置的製造過程之偏光板1的破損。所以，沒有 龜裂25最理想。在第二端部13e之龜裂的數目，每單位長度(1mm)也可為0以上4以下。亦即在偏光板1的第一表面及第二表面，每單位長度(1mm)之龜裂數目，都可為0以上4以下。在第二端部13e之龜裂的長度皆可為0μm以上未達50μm。亦即，於偏光板1的第一表面及第二表面，龜裂的的長度皆可為0μm以上未達50μm。第一端部3e’及第二端部13e’分別的龜裂的數目，每單位長度(1mm)也可為0以上4以下。第一端部3e’及第二端部13e’分別的龜裂的長度，亦皆可為0μm以上未達50μm。
關於本實施態樣的偏光板1的製造方法，具備：將膜狀的偏光片與複數光學膜重疊，形成積層體的步驟；以及對積層體照射準分子雷射的脈衝波，切割積層體的步驟(切割步驟)；準分子雷射的輸出未達20W；準分子雷射的光點外圓周部分的強度大於光點強度極大值的80%；準分子雷射的聚光直徑大於50μm；準分子雷射的重複頻率未達1000Hz。
於上述積層體，形成於被準分子雷射照射的部分之切割面，相當於偏光板1的端面21。於以下，詳細說明各步驟。
積層體，可藉由偏光片7及各光學膜(3、5、 9、13)的貼合或重複貼合光學膜彼此而得。再者，黏著層11，例如可藉由塗佈黏著劑於第二保護膜9的表面而形成。
準分子雷射，可為下述任一者。
F2雷射(震盪波長：157nm)
ArF雷射(震盪波長：193nm)
KrF雷射(震盪波長：248nm)
XeCl雷射(震盪波長：308nm)
XeF雷射(震盪波長：351nm)
準分子雷射的震盪波長，遠比其他雷射的震盪波長短。例如CO2雷射的震盪波長為9.4μm或10.6μm。於短波長的準分子雷射照射積層體的情況，容易瞬間分解‧昇華構成偏光片7及各光學膜(3、5、9、13)的高分子，抑制伴隨準分子雷射的照射之積層體的加熱。所以，在被準分子雷射照射的部份，容易瞬間形成垂直度小的切割面(偏光板1的端面21)，也抑制起因於熱之偏光片7及各光學膜(3、5、9、13)的化學變質。另一方面，於長波長的雷射照射積層體的情況，於被雷射照射的部分，溫度容易上升，但難以引起構成偏光片7及各光學膜(3、5、9、13)的高分子之分解‧昇華。亦即，以被雷射照射加熱的部分熔融‧變形為始，形成切割面(偏光板1的端面21)。所以，假設使用比準分子雷射的波長更長的雷射的情況，難以控制偏光板1的端面21的垂直度，而且由於偏光片7及各光學膜(3、5、9、13)的化學變質，容易形成偏光消除部23。
準分子雷射的輸出為1W以上未達20W。於準分子雷射的輸出為20W以上的情況，於切割面附近容易形成龜裂25，偏光消除部23的寬度W容易變大。準分子雷射的輸出可為5W以上8W以下。
如第4圖所示，準分子雷射的光點LS為圓形。沿著通過準分子雷射的光點LS的中心Lc的直線之準分子雷射的光點LS的強度分佈ID為高帽型。換言之，光點LS為垂直於準分子雷射的行進方向之準分子雷射的剖面。使用高帽型的準分子雷射所形成的切割面(偏光板1的端面21)的垂直度a/b，與使用強度分佈為高斯型的準分子雷射所形成的切割面(偏光板1的端面21)的垂直度a/b比較，容易變小。準分子雷射的光點之外圓周部分Le的強度Ile，為大於光點LS的強度的極大值ILc的80%、ILc的100%以下。換言之，(ILe/ILc)×100為大於80%、100%以下。換言之，{(ILc-ILe)/ILc}×100為0%以上未達20%。換言之，ILc為強度分佈ID之平坦部(頂部)的強度平均值。換言之，ILc亦可為光點LS的中心Lc的強度。ILe為ILc的80%以下的情況，切割面(偏光板1的端面21)的垂直度a/b容易變大。換言之，於(ILe/ILc)×100為80%以下的情況，切割面(偏光板1的端面21)的垂直度a/b容易變大。換言之，{(ILc-ILe)/ILc}×100為20%以上的情況，切割面(偏光板1的端面21)的垂直度a/b容易變大。ILe可為ILc的90%以上95%以下。換言之，(ILe/ILc)×100可為90%以上95%以下。換言之，{(ILc-ILe)/ILc}×100可為5%以上10%以下。 強度ILe及強度ILc的單位，例如可為W/m2。在本實施態樣的變形例，準分子雷射的光點亦可為細長的長方形。
準分子雷射的聚光直徑為大於50μm、2000μm以下。於準分子雷射的聚光直徑小於50μm的情況，切割面(偏光板1的端面21)的垂直度a/b容易變大。所謂準分子雷射的聚光直徑，換言之指準分子雷射的光點LS的直徑。準分子雷射的聚光直徑可為600μm以上1000μm以下。
準分子雷射的重複頻率為10Hz以上未達1000Hz。於準分子雷射的重複頻率為1000Hz以上的情況，容易形成龜裂25，也容易形成偏光消除部23。準分子雷射的重複頻率，可為100Hz以上500Hz以下。
偏光片7，可為藉由延伸、染色及交聯等步驟製成的膜狀聚乙烯醇系樹脂。偏光片7的詳細說明如下。
例如，首先將膜狀聚乙烯醇系樹脂進行一軸方向或二軸方向延伸。經一軸方向延伸的偏光片7，有二色比高的傾向。延伸後，使用包含碘化鉀等的染色液，將聚乙烯醇系樹脂藉由碘或二色性色素(聚碘)染色。染色液可包含硼酸、硫酸鋅、或氯化鋅。染色前亦可水洗聚乙烯醇系樹脂。藉由水洗，可從聚乙烯醇系樹脂的表面，除去髒污及結塊防止劑。而且，藉由水洗之膨潤聚乙烯醇系樹脂的結果，容易抑制染色的斑紋(不均勻染色)。染色後的聚乙烯醇系樹脂，為了交聯，使用交聯劑的溶液(例如硼酸的水溶液)進行處理。藉由交聯劑處理後，水洗聚乙烯醇 系樹脂，然後乾燥。經過以上的順序，可得到偏光片7。聚乙烯醇系樹脂，可藉由將聚乙酸乙烯酯系樹脂皂化而得。聚乙酸乙烯酯系樹脂，例如乙酸乙烯酯的單獨聚合物之聚乙酸乙烯酯、或乙酸乙烯酯與可與其共聚合的其他單體的共聚物(例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物)。可與乙酸乙烯酯共聚合的其他單體，除乙烯外，可為不飽和羧酸類、烯烴類、乙烯醚類、不飽和磺酸類、或具有銨基的丙烯醯胺類。聚乙烯醇系樹脂，可被醛類改質。經改質的聚乙烯醇系樹脂，例如部分縮甲醛化聚乙烯醇、聚乙烯醇縮乙醛、或聚乙烯醇縮丁醛。聚乙烯醇系樹脂，可為聚乙烯醇的脫水處理物或聚氯乙烯的脫鹽酸處理物等聚烯系配向膜。可在延伸前進行染色，亦可在染色液中進行延伸。經延伸的偏光片7的長度，例如可為延伸前長度的3至7倍。
偏光片7的厚度，例如為1μm以上50μm以下、或4μm以上30μm以下。一般於薄的偏光片7為經一軸延伸的情況，於開孔步驟或切片步驟，沿著延伸方向容易形成龜裂25。但是，藉由使用準分子雷射的上述切割步驟，可抑制龜裂25的形成。
第一保護膜5及第二保護膜9，只要是具有透光性的熱塑性樹脂即可，亦可為光學透明的熱塑性樹脂。構成第一保護膜5及第二保護膜9的樹脂，例如鏈狀聚烯烴系樹脂、環狀烯烴聚合物系樹脂(COP系樹脂)、纖維素酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、或該等的混合物或共聚物。 第一保護膜5的組成，可與第二保護膜9的組成完全相同。第一保護膜5的組成，亦可與第二保護膜9的組成不同。
鏈狀聚烯烴系樹脂，例如聚乙烯樹脂或聚丙烯樹脂般鏈狀烯烴的單獨聚合物。鏈狀聚烯烴系樹脂，亦可為由2種以上的鏈狀烯烴所構成的共聚物。
環狀烯烴聚合物系樹脂(環狀聚烯烴系樹脂)，例如可為環狀烯烴的開環(共)聚合物或環狀烯烴的加成聚合物。環狀烯烴聚合物系樹脂，例如亦可為環狀烯烴與鏈狀烯烴的共聚物(例如無規共聚物)。構成共聚物的鏈狀烯烴，例如為乙烯或丙烯。環狀烯烴聚合物系樹脂，可為上述聚合物經不飽和羧酸或其衍生物改質的接枝聚合物或該等的氫化物。環狀烯烴聚合物系樹脂，例如為使用降莰烯或多環降莰烯系單體等降莰烯系單體之降莰烯系樹脂。
纖維素酯系樹脂，例如纖維素三乙酸酯(三乙醯基纖維素(TAC))、纖維素二乙酸酯、纖維素三丙酸酯、或纖維素二丙酸酯。亦可使用該等的共聚物。亦可使用羥基的一部分經其他取代基修飾的纖維素酯系樹脂。
亦可使用纖維素酯系樹脂以外的聚酯系樹脂。聚酯系樹脂，例如為多價羧酸或其衍生物與多價醇的縮聚物。多價羧酸或其衍生物，可為二羧酸或其衍生物。多價羧酸或其衍生物，例如為對苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸二甲酯、或萘二羧酸二甲酯。多價醇，例如為二醇。多價醇，例如為乙二醇、丙二醇、丁二醇、新戊二 醇、或環己二甲醇。
聚酯系樹脂，例如為聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸丙二酯、聚萘二甲酸丙二酯、聚對苯二甲酸環己二甲酯、或聚萘二甲酸環己二甲酯。
聚碳酸酯系樹脂為介由碳酸酯基鍵結聚合單元(單體)之聚合物。聚碳酸酯系樹脂，可為具有經修飾的聚合物骨架之改質聚碳酸酯，亦可為共聚合聚碳酸酯。
(甲基)丙烯酸系樹脂，例如聚(甲基)丙烯酸酯(例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA))；甲基丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸共聚物；甲基丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸酯共聚物；甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸酯-(甲基)丙烯酸共聚物；(甲基)丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物(例如MS樹脂)；甲基丙烯酸甲酯與具有脂環族烴基的化合物之共聚物(例如甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸環己酯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸降莰酯共聚物等)。
夾住偏光片7的一對光學膜(第一保護膜5及第二保護膜9)中至少一光學膜，可包含三乙醯基纖維素(TAC)。夾住偏光片7的一對光學膜(第一保護膜5及第二保護膜9)中至少一光學膜，可包含環狀烯烴聚合物系樹脂(COP系樹脂)。夾住偏光片7的一對光學膜(第一保護膜5及第二保護膜9)中至少一光學膜，可包含聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。夾住偏光片7的一對光學膜(第一保護膜5及第二保護膜9)兩者，可包含三乙醯基纖維素。夾住偏光片 7的一對光學膜(第一保護膜5及第二保護膜9)中的一膜，可包含三乙醯基纖維素，夾住偏光片7的一對光學膜中的另一膜，可包含環狀烯烴聚合物。夾住偏光片7的一對光學膜(第一保護膜5及第二保護膜9)中的一膜，可包含三乙醯基纖維素，夾住偏光片7的一對光學膜中的另一膜，可包含聚甲基丙烯酸甲酯。夾住偏光片7的一對光學膜(第一保護膜5及第二保護膜9)中的一膜，可包含環狀烯烴聚合物系樹脂，夾住偏光片7的一對光學膜中的另一膜，可包含聚甲基丙烯酸甲酯。於由TAC、COP系樹脂或PMMA所構成的光學膜接觸偏光片7的情況，由於傳統的加工方法減低端面21的垂直度a/b，且抑制偏光消除部23及龜裂25的形成有困難。但是，藉由使用準分子雷射的上述切割步驟，減低端面21的垂直度a/b，且抑制偏光消除部23及龜裂25的形成。
偏光片7或各光學膜(3、5、9或13)的玻璃轉化溫度Tg，可為100至180℃或108至180℃。於光學膜(3、5、9或13)為三乙醯基纖維素(TAC)所構成的情況，光學膜(3、5、9或13)的玻璃轉化溫度Tg，可為160至180℃。於光學膜(3、5、9或13)為環狀烯烴聚合物系樹脂(COP系樹脂)所構成的情況，光學膜(3、5、9或13)的玻璃轉化溫度Tg，可為126至136℃。於光學膜(3、5、9或13)為聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)所構成的情況，光學膜(3、5、9或13)的玻璃轉化溫度Tg，可為108至136℃。於偏光片7及各光學膜(3、5、9、13)的玻璃轉化溫度Tg為100℃以上 的情況，偏光板1的耐熱性佳，容易抑制起因於伴隨準分子雷射的照射的熱之偏光板1的變形。
第一保護膜5或第二保護膜9，亦可包含選自潤滑劑、可塑劑、分散劑、熱安定劑、紫外線吸收劑、紅外線吸收劑、帶電防止劑及抗氧化劑所成群的至少一種添加劑。
第一保護膜5的厚度，例如為5μm以上90μm以下、5μm以上80μm以下、或5μm以上50μm以下。第二保護膜9的厚度，例如為5μm以上90μm以下、5μm以上80μm以下、或5μm以上50μm以下。
第一保護膜5或第二保護膜9，可為如相位差膜或增亮膜般具有光學功能的膜。例如藉由將由上述熱塑性樹脂所構成的膜延伸、形成液晶層等於該膜上，可得到賦予任意相位差值的相位差膜。
第一保護膜5，可介由接著層貼合於偏光片7。第二保護膜9，亦可介由接著層貼合於偏光片7。接著層，可包含聚乙烯醇等水系接著劑，亦可包含後述的活性能量線硬化性樹脂。
活性能量線硬化性樹脂，係藉由活性能量線的照射而硬化的樹脂。活性能量線，例如為紫外線、可見光、電子線或X射線。活性能量線硬化性樹脂，可為紫外線硬化性樹脂。
活性能量線硬化性樹脂，可為一種樹脂，亦可包含複數種樹脂。例如活性能量線硬化性樹脂可包含 陽離子聚合性的硬化性化合物、或自由基聚合性的硬化性化合物。活性能量線硬化性樹脂，可包含引發上述硬化性化合物的硬化反應用的陽離子聚合引發劑或自由基聚合引發劑。
陽離子聚合性的硬化性化合物，例如為環氧系化合物(分子內具有至少一個環氧基的化合物)或氧雜環丁烷系化合物(分子內具有至少一個氧雜環丁烷環的化合物)。自由基聚合性的硬化性化合物，例如為(甲基)丙烯酸系化合物(分子內具有至少一個(甲基)丙烯醯氧基的化合物)。自由基聚合性的硬化性化合物，亦可為具有自由基聚合性雙鍵的乙烯基系化合物。
活性能量線硬化性樹脂，依需要可包含陽離子聚合促進劑、離子捕捉劑、抗氧化劑、鏈轉移劑、黏著賦予劑、熱塑性樹脂、填充劑、流動調整劑、可塑劑、消泡劑、帶電防止劑、調平劑或溶劑等。
黏著層11可包含例如丙烯酸系感壓型接著劑、橡膠系感壓型接著劑、聚矽氧系感壓型接著劑、或胺酯(urethane)系感壓型接著劑等感壓型接著劑。黏著層11的厚度，例如為2μm以上500μm以下、2μm以上200μm以下、或2μm以上50μm以下。
構成第三保護膜3的樹脂，可為與列舉作為構成第一保護膜5或第二保護膜9的上述樹脂相同者。第三保護膜3的厚度，例如為5μm以上200μm以下。
構成離型膜13的樹脂，可為與列舉作為構 成第一保護膜5或第二保護膜9的上述樹脂相同者。離型膜13的厚度，例如可為5μm以上200μm以下。
關於本發明的影像顯示裝置，可為例如液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置等。例如，如第5圖所示，關於本實施態樣的液晶顯示裝置30，具備液晶胞10、重疊於液晶胞10的一側表面(第一表面)之偏光板1a(第一偏光板)、重疊於液晶胞10的另一側表面(第二表面)之另一偏光板1b(第二偏光板)。如第5圖所示的偏光板1a及1b，除不具備離型膜13及第三保護膜3的點外，與第1及2圖所示的偏光板1相同。偏光板1a(第一偏光板)介由黏著層11，貼附於液晶胞10的第一表面。偏光板1a(第一偏光板)，具有重疊於液晶胞10的第一表面的黏著層11、重疊於黏著層11的第二保護膜9、重疊於第二保護膜9的偏光片7、重疊於偏光片7的第一保護膜5。另一偏光板1b(第二偏光板)介由黏著層11，貼附於液晶胞10的第二表面。另一偏光板1b(第二偏光板)，具有重疊於液晶胞10的第二表面的黏著層11、重疊於黏著層11的第二保護膜9、重疊於第二保護膜9的偏光片7、重疊於偏光片7的第一保護膜5。液晶胞10與一對偏光板1a及1b，構成液晶面板20。液晶面板20與背光源(面光源裝置)等其他構件，構成液晶顯示裝置30。背光源等其他構件，在第5圖中省略。
以上，說明本發明的一實施態樣，但本發明不限於上述實施態樣。
偏光板的形狀，依據用途可為各種形狀。 此處，所謂偏光板的形狀，係指從第1至3圖的Z方向(垂直於偏光板1表面的方向)看的偏光板整體的形狀。例如，偏光板的形狀可為四角形以外的多角形。例如偏光板亦可為圓形、橢圓形、或不定形。偏光板的外緣，可僅由直線(複數的邊)所構成。此處，所謂偏光板的外緣，係指從第1至3圖的Z方向(垂直於偏光板1表面的方向)看的偏光板的外緣。偏光板的外緣，換言之為偏光板表面的端部。偏光板的外緣，可只由曲線所構成。偏光片7及各光學膜(3、5、9、13)分別的形狀，依據用途亦可為各種形狀。
偏光板所具備的光學膜(重疊於偏光片的光學膜)的片數沒有限制。偏光板所具備的光學膜的片數可為1片。例如，第1及2圖所示的偏光板1，第一保護膜5及第二保護膜9中，亦可不具備其中任一保護膜，亦可不具備該二保護膜。例如，第5圖所示的偏光板1a(第一偏光板)及偏光板1b(第二偏光板)中，任一偏光板或二偏光板，可不具備第一保護膜5及第二保護膜9中的任一保護膜。第5圖所示的偏光板1a(第一偏光板)及偏光板1b(第二偏光板)中任一偏光板或二偏光板，可不具備該二保護膜。
離型膜可介由黏著層，配置於偏光板的兩面。
偏光板所具備的光學膜，可為反射型偏光膜、附抗眩功能的膜、附表面抗反射功能的膜、反射膜、半透過反射膜、視角補償膜、光學補償層、觸控感測層、帶電防止層、或防污層。
偏光板，可更具備硬塗層。例如偏光板1，第一保護膜5可位於硬塗層與偏光片7之間，硬塗層可位於第一保護膜5與第三保護膜3之間。於該情況，第一保護膜5可包含三乙醯基纖維素。硬塗層的表面硬度(鉛筆硬度)，可為H以上5H以下或2H以上5H以下。鉛筆硬度係根據日本工業規格(JIS K5400)。鉛筆硬度為上述範圍之硬塗層，於偏光板1的製造過程不易受傷。但是，因硬塗層硬且脆，藉由傳統的切割方法形成偏光板的端面(切割面)的情況，龜裂容易形成於硬塗層。但是，藉由使用準分子雷射的上述切割步驟，可抑制硬塗層的龜裂的形成。
硬塗層，例如為表面設有細微凹凸形狀的丙烯酸系樹脂膜所構成的層。硬塗層，例如亦可由含有有機微粒子或無機微粒子的塗膜形成。亦可使用將該塗膜壓入具有凹凸形狀的滾輪的方法(例如壓花法等)。亦可使用形成不含有機微粒子或無機微粒子的塗膜後，將該塗膜壓入具有凹凸形狀的滾輪的方法。
無機微粒子，例如為氧化矽、膠體氧化矽、氧化鋁、氧化鋁溶膠、矽酸鋁、氧化鋁-氧化矽複合氧化物、高嶺土、滑石、雲母、碳酸鈣、磷酸鈣等。而且，有機微粒子(樹脂粒子)，例如為交聯聚丙烯酸粒子、甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯共聚物樹脂粒子、交聯聚苯乙烯粒子、交聯聚甲基丙烯酸甲酯粒子、聚矽氧樹脂粒子、聚醯亞胺粒子等。
分散有機微粒子或無機微粒子用的黏結劑成分，從成為高硬度(硬塗層)的材料中選擇即可。黏結劑成分，可為 例如紫外線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等。從生產性、硬度等的觀點，作為黏結劑成分，使用紫外線硬化性樹脂較理想。
硬塗層的厚度，例如為2μm以上30μm以下、或3μm以上30μm以下。於硬塗層的厚度為2μm以上的情況，可容易地得到硬塗層的充分硬度，硬塗層的表面較難受傷。於硬塗層的厚度為30μm以下的情況，硬塗層較不易破裂，容易抑制起因於硬塗層的硬化收縮之偏光板的彎曲(curl)，有容易提高生產性的傾向。
偏光片7的厚度為30μm以下，偏光片7的單體透過率T為42.5以上，且偏光片7的偏光度P為99.9以上。傳統偏光片薄且單體透過率及偏光度大的情況，在偏光板的端面容易辨識漏光。但是，藉由使用準分子雷射的上述切割步驟形成垂直度小的端面21的情況，可抑制具備薄且單體透過率及偏光度大的偏光片7之偏光板1之漏光。
由偏光片7、第一保護膜5、及第二保護膜9等3層膜所構成的積層體的水分比例，可為1.0至5.0%、0.5至5.5%、或1.0至5.0%。藉由水分比例為上述範圍內，容易抑制伴隨加熱之偏光板1的扭曲，更容易抑制偏光板1的漏光。
於第1及2圖，離型膜13側(第二光學膜側)之第二端部13e，比第三保護膜3側(第一光學膜側)的第一端部3e向外側突出，但是第三保護膜3側(第一光學膜側) 的第一端部3e亦可比離型膜13側(第二光學膜側)之第二端部13e向外側突出。於切割步驟，使準分子雷射照射第三保護膜3側(第一光學膜側)的情況，位於離型膜13側(第二光學膜側)之第二端部13e容易比位於第三保護膜3側(第一光學膜側)的第一端部3e向外側突出。於切割步驟，使準分子雷射照射離型膜13側(第二光學膜側)的情況，位於第三保護膜3側(第一光學膜側)的第一端部3e容易比位於離型膜13側(第二光學膜側)之第二端部13e向外側突出。
偏光板的全部端面的垂直度為0.00以上、未達0.35，偏光板表面的端部的全部區域之偏光消除部的寬度為0.00μm以上未達35μm。例如，矩形的偏光板的全部端面(4個端面)的垂直度為0.00以上、未達0.35。於只有偏光板的一部分要求抑制漏光的情況，只有位於被要求抑制漏光之一部分的端面的垂直度為0.00以上、未達0.35即可，位於該一部分的端部之偏光消除部的寬度，可為0.00μm以上未達35μm。例如，只有偏光板的一端面的一部分的垂直度為0.00以上、未達0.35。例如只有矩形偏光板的一端面的垂直度為0.00以上、未達0.35。只有矩形偏光板的對向的一對端面的垂直度為0.00以上、未達0.35。只有矩形偏光板的3個端面的垂直度為0.00以上、未達0.35。
偏光板1，亦可不具備第三保護膜3及離型膜13中的一者或兩者。例如第三保護膜3，於影像顯示裝 置的製造過程，可從偏光板1剝離、除去。亦即，第三保護膜3可為暫時保護膜。離型膜13，於影像顯示裝置的製造過程，亦可從偏光板1剝離、除去。
[實施例]
以下，藉由實施例更詳細說明本發明，但本發明不限於該等實施例。
(實施例1)
形成如第1圖所示由偏光片7及光學膜(3、5、9、13)所構成的板狀積層體。積層體具備離型膜13、重疊於離型膜13的黏著層11、重疊於黏著層11的第二保護膜9、重疊於第二保護膜9的偏光片7、重疊於偏光片7的第一保護膜5、以及重疊於第一保護膜5的第三保護膜3。再者，第1圖沒有顯示，於實施例1，第一保護膜5被硬塗層覆蓋，第三保護膜3介由硬塗層重疊於第一保護膜5。作為偏光片7，使用延伸且染色的膜狀聚乙烯醇。作為第一保護膜5，使用附硬塗層的三乙醯基纖維素(TAC)膜(凸版印刷(股)製25KCHCN-TC)。作為第二保護膜9，使用環狀烯烴聚合物系樹脂(COP系樹脂)所構成的膜(日本ZEON(股)製ZF14-023-1350)。作為第三保護膜3，使用附黏著劑的PET保護膜(藤森工業(股)製AS3-304)。作為離型膜13，使用PET(LINTEC(股)製SP-PLR382050)。離型膜13的厚度為38μm。黏著層11的厚度為20μm。第二保護膜9的厚度為23μm。偏光片7的厚度為12μm。第一保護膜5的厚 度為32μm。第三保護膜3的厚度為60μm。積層體整體的厚度(相當於偏光板1的厚度b之厚度)為185μm。積層體整體的縱向寬度為110mm。積層體整體的橫向寬度為60mm。
準分子雷射的脈衝波照射於積層體的第三保護膜3側的表面，筆直切割積層體。藉由以上各步驟，得到具有第1及2圖所示構造之實施例1的偏光板1。積層體的切割面，相當於偏光板1的端面21。作為準分子雷射，使用震盪波長248nm的KrF雷射。作為準分子雷射的震盪器，使用Mlase公司製MLI系列(1000型)。準分子雷射的輸出，設定為5W。如第4圖所示，準分子雷射的光點LS為圓形。準分子雷射的光點LS的外圓周部分Le的強度記為ILe，光點LS的強度的極大值(平坦的頂部的強度)記為ILc時，{(ILc-ILe)/ILc}×100為5%。以下，將{(ILc-ILe)/ILc}×100稱為「密度分佈」。準分子雷射的聚光直徑，設定為1000μm。準分子雷射的重複頻率，設定為100Hz。
在垂直於偏光板1的表面(第三保護膜3的表面)及端面21的方向，切割偏光板1，露出如第2圖所示的偏光板1的剖面。該偏光板1的剖面用光學顯微鏡觀察，測定第一端部3e與第二端部13e的距離a。從a的測定值計算端面21的垂直度a/b。垂直度為0.07。再者，如上述實施態樣的記載，第一端部3e係偏光板1的一側表面(第一表面)的端部中，沿著端面21(切割面)的部分。第二 端部13e係偏光板1的另一側表面(第二表面)的端部中，沿著端面21(切割面)的部分。
位於被準分子雷射照射的第三保護膜3側的第一端部3e，用光學顯微鏡觀察。藉由該觀察，在第一端部3e之龜裂(25)中，嘗試計數長度l未達50μm的龜裂數目及長度l為50μm以上的龜裂數目。再者，龜裂個數的定義係與上述實施態樣相同。而且，龜裂的長度l的定義，係與上述實施態樣相同。觀察的結果，於實施例1的偏光板1的第一端部3e，沒有長度l未達50μm的龜裂。而且，於實施例1的偏光板1的第一端部3e，也沒有長度l為50μm以上的龜裂。
藉由使用光學顯微鏡的上述觀察，嘗試測定在第一端部3e之偏光消除部23(變色部)的寬度W。但是，於第一端部3e，沒有偏光消除部23。
上述偏光板1的剖面，用光學顯微鏡觀察，檢查在端面21側之光學膜剝離(層間剝離)之有無。於端面21側，沒有50μm以上的剝離光學膜。再者，所謂「50μm」係指平行於偏光板1表面的方向之距離。
如第6圖中(a)及(b)所示，背光源64(面光源)的全面，用下側偏光板62覆蓋。下側偏光板62，係與實施例1的偏光板不同的偏光板。使實施例1的偏光板(1s)的離型膜13面向下側偏光板62。將實施例1的偏光板(1s)重疊於下側偏光板62上，使實施例1的偏光板(1s)的吸收軸A1s垂直於下側偏光板62的吸收軸A62。將上側偏光板 60重疊於實施例1的偏光板(1s)上，配置為上側偏光板60的吸收軸A60平行於實施例1的偏光板(1s)的吸收軸A1s。上側偏光板60，也是與實施例1的偏光板不同的偏光板。再者，第6圖中的偏光板(1s)的端面(21s)，相當於第1及2圖所示的偏光板1的端面21。
將實施例1的偏光板(1s)配置如上述的狀態，將背光源64點亮，用目視觀察實施例1的偏光板(1s)。觀察的結果，在偏光板(1s)的端面(21s)附近無漏光。
(實施例2至7、比較例1至4)
於實施例6，作為準分子雷射，使用ArF雷射(震盪波長：193nm)取代KrF雷射。
於實施例7，除了不具備離型膜13、黏著層11、及第三保護膜3外，使用與實施例1的情況相同的積層體。於以下，為了方便說明，將實施例7的偏光板的第二保護膜，稱為實施例7的偏光板的「離型膜」，將實施例7的偏光板的第一保護膜，稱為實施例7的偏光板的「第三保護膜」。於下述表1，第三保護膜記為「Pf」，離型膜記為「Sp」。
於實施例2至7及比較例1至4，準分子雷射的輸出、密度分佈、聚光直徑、及重複頻率，設定為下述表1所示的值。
除以上事項外，與實施例1同樣使用準分子雷射切割積層體，得到實施例2至7及比較例1至4之各 偏光板。
使用與實施例1相同的方法，求得實施例2至7及比較例1至4之各偏光板端面的垂直度a/b。實施例2至7及比較例1至4之各垂直度，表示於下述表1。
使用與實施例1相同的方法，分別於實施例2至7及比較例1至4，觀察經準分子雷射照射的第三保護膜，計數在第一端部之龜裂數目，測定各龜裂的長度。於實施例2至7及比較例1至4，分別的龜裂數目表示於下述表1。於任一實施例，在第一端部之龜裂數目皆為4以下。於任一實施例，在第一端部之龜裂長度皆未達50μm。
使用與實施例1相同的方法，分別於實施例2至7及比較例1至4，觀察第三保護膜側的第一端部，測定在第一端部之偏光消除部(變色部)的寬度。於實施例2至7及比較例1至4，偏光消除部(變色部)的寬度W表示於下述表1。於任一實施例，在第一端部之偏光消除部(變色部)的寬度皆未達35μm。
使用與實施例1相同的方法，分別於實施例2至7及比較例1至4，檢查偏光板的端面側(切割面側)的光學膜有無剝離(層間剝離)。結果表示於下述表1。於有50μm以上剝離的光學膜的情況，在下述表1記為「有」。於沒有50μm以上剝離的光學膜的情況，在下述表1記為「無」。
使用與實施例1相同的方法，分別於實施例2至7及比較例1至4，檢查在偏光板的端面(切割面)附近 的漏光。檢查結果表示於下述表1。
[產業上的利用可能性]
關於本發明的偏光板，適用於作為例如貼附於液晶胞或有機EL裝置等構成液晶電視、有機EL電視、或智慧型手機等的影像顯示裝置的光學構件。
3‧‧‧第三保護膜
3e、3e’‧‧‧偏光板的一側表面的端部中沿著端面的部分(第一端部)
5‧‧‧第一保護膜
7‧‧‧偏光片
9‧‧‧第二保護膜
11‧‧‧黏著層
13‧‧‧離型膜
13e、13e’‧‧‧偏光板的另一側表面的端部中沿著端面的部分(第二端部)
21、21’‧‧‧端面(切割面)

Claims (8)

  1. 一種偏光板，具備：膜狀的偏光片及重疊於前述偏光片的複數層光學膜；前述偏光板的端面的垂直度為0.00以上、未達0.35；前述偏光板的表面的端部中沿著前述端面的部分之偏光消除部的寬度為0.00μm以上、未達35μm。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之偏光板，其中在沿著前述端面的部分中之龜裂的數目，平行於前述端部之每單位長度1mm為0以上4以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之偏光板，其中沿著前述端面的部分之龜裂的長度為0μm以上、未達50μm。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之偏光板，其中夾住前述偏光片的一對前述光學膜中的至少一光學膜，包含三乙醯基纖維素。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之偏光板，其中更具備硬塗層，前述光學膜位於前述硬塗層與前述偏光片之間。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之偏光板，其中夾住前述偏光片的一對前述光學膜中的至少一光學膜，包含環狀烯烴聚合物。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之偏光板，其中夾住前述偏光片的一對前述光學膜中的至少一光學膜，包含聚甲基丙烯酸甲酯。
  8. 一種影像顯示裝置，係包含如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之偏光板。
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