TW201734516A - 偏光板及影像顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供可抑制漏光的偏光板。偏光板(1)具備膜狀的偏光片(7)及重疊於偏光片(7)的複數個光學膜(3、5、9、11、13)。貫穿偏光板(1)的孔(21)的垂直度(a/b)為0.00以上、未達0.32。孔(21)周圍之偏光消除部(23)的寬度(W)為0.00μm以上、未達32μm。

Description

偏光板及影像顯示裝置
本發明係關於偏光板及影像顯示裝置。
偏光板係構成液晶電視、有機EL(電激發光)電視或智慧型手機等的影像顯示裝置之光學構件之一。如下述專利文獻1所示，偏光板具備膜狀的偏光片及與偏光片重疊的光學膜(例如保護膜)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2002-303730號公報
幾乎電視或智慧型手機等的一般影像顯示裝置，因具有四邊形的畫面，故配備於影像顯示裝置的傳統偏光板也為四邊形，其全體同樣具有偏光能力。另一方面，特殊的影像顯示裝置，依據該等的用途而具有各異形狀，配備於該裝置的傳統偏光板也為各異形狀。例如智慧型手錶或汽車儀表所使用的影像顯示裝置，必須形成指針 的旋轉軸貫穿用的孔。所以，配備於影像顯示裝置的偏光板也必須形成貫穿孔。因偏光板的用途、目的多樣化，依據用途、目的，設定偏光板必須形成貫穿孔的各種情況。
但是，使用沖床及沖模的沖壓加工(沖孔加工)或藉由鑽孔器的切割加工等傳統的機械方法，在偏光板形成貫穿孔時，有貫穿孔傾斜、貫穿孔附近形成龜裂等情況。貫穿孔的傾斜及龜裂，有損貫穿孔附近的偏光能力，引起漏光。所謂「漏光」，係指振動方向與偏光片的吸收軸平行的光透過偏光板的現象。
於使用CO2雷射等雷射加工(例如熱加工)取代上述機械方法在偏光板形成貫穿孔時，亦有貫穿孔傾斜、貫穿孔附近形成龜裂等情況。再者，於雷射加工中，由於形成貫穿孔的部分被雷射加熱，偏光能力容易因偏光片的化學變質而受損。所謂偏光片的化學變質，例如偏光片的變色或溶解。以下將由於偏光片的化學變質而損害偏光功能的部分，稱為偏光板的「偏光消除部分」。偏光消除部分越大，影像顯示裝置越容易漏光。根據本案發明人等的研究結果，得知即使於使用波長比CO2雷射短的準分子雷射進行加工(例如燒蝕(ablation))的情況，伴隨貫穿孔的形成，也會引起上述技術問題。
本發明係有鑑於上述之情況而完成者，以提供可抑制漏光的偏光板及包含該偏光板的影像顯示裝置為目的。
關於本發明的一面向的偏光板，具備膜狀的偏光片及重疊於偏光片的複數個光學膜，其中貫穿偏光板的孔的垂直度為0.00以上、未達0.32，孔的周圍之偏光消除部的寬度為0.00μm以上、未達32μm。所謂「光學膜」，係指構成偏光板的膜狀構件(除偏光片本體外)。例如，光學膜包含保護膜及離型膜的意義。
在孔的周圍之龜裂的數目，每單位長度1mm可為0以上3以下。
在孔的周圍之龜裂的長度，可為0μm以上、未達50μm。
夾住偏光片的一對光學膜中的至少一光學膜，可包含三乙醯基纖維素。
夾住偏光片的一對光學膜中的至少一光學膜，可包含環狀烯烴聚合物。
夾住偏光片的一對光學膜中的至少一光學膜，可包含聚甲基丙烯酸甲酯。
關於本發明的一面向的影像顯示裝置，包含上述偏光板。
根據本發明，提供可抑制漏光的偏光板及含有該偏光板的影像顯示裝置。
1、1a、1b、1s‧‧‧偏光板
3‧‧‧第三保護膜
3e、3e’‧‧‧第一端部
5‧‧‧第一保護膜
7‧‧‧偏光片
9‧‧‧第二保護膜
10‧‧‧液晶胞
11‧‧‧黏著層
13‧‧‧離型膜
13e、13e’‧‧‧第二端部
20‧‧‧液晶面板
21、21s‧‧‧貫穿孔
23‧‧‧偏光消除部
25‧‧‧龜裂
30‧‧‧液晶顯示裝置(影像顯示裝置)
60‧‧‧上側偏光板
62‧‧‧下側偏光板
64‧‧‧背光源
A1s、A60、A62‧‧‧吸收軸
1‧‧‧龜裂的長度
W‧‧‧偏光消除部的寬度
第1圖係關於本發明的一實施態樣的偏光板的透視 圖。
第2圖係第1圖中II-II線方向的偏光板沿著箭頭方向的剖面示意圖(垂直於偏光板的表面之偏光板的剖面)。
第3圖係第1圖中偏光板的表面中區域III(貫穿偏光板的孔的周圍)的放大圖。
第4圖係準分子雷射的光點之示意圖以及沿著通過準分子雷射光點中心的直線之準分子雷射的強度分佈。
第5圖係關於本發明的一實施態樣的影像顯示裝置(液晶顯示裝置)的剖面示意圖。
第6圖係第6圖中的(a)表示檢查偏光板的漏光時偏光板的配置的側面示意圖、第6圖中的(b)表示第6圖中的(a)所示配置的上視示意圖。
以下，參考圖式同時說明關於本發明的較佳實施態樣。於圖式中，對相同的構成要素賦予相同的符號。本發明不限於下述實施態樣。於各圖中表示之X、Y及Z係指互相垂直的3個座標軸。各座標軸表示的方向，在全部圖中共通。
如第1圖所示，關於本實施態樣的偏光板1，具備膜狀的偏光片7以及與重疊於偏光片7的複數光學膜(3、5、9、13)。偏光片7及複數光學膜(3、5、9、13)之任一者皆為四邊形。複數光學膜(3、5、9、13)，係第一保護膜5、第二保護膜9、第三保護膜3及離型膜13(分隔片)。亦即，偏光板1具備偏光片7、第一保護膜5、第二保護膜 9、第三保護膜3及離型膜13。偏光板1亦具備位在第二保護膜9與離型膜13之間的黏著層11。於偏光片7的一側表面與第一保護膜5重疊，偏光片7的另一側表面與第二保護膜9重疊。於第一保護膜5疊合第三保護膜3。亦即，第一保護膜5位於偏光片7與第三保護膜3之間。於第二保護膜9隔著黏著層11疊合離型膜13。換言之，第二保護膜9位於偏光片7與黏著層11之間。
偏光板1的一側表面(第一表面)，係由第三保護膜3所構成。偏光板1的另一側表面(第二表面)，係由離型膜13所構成。第2圖所示的偏光板1的剖面，係垂直於偏光片7及各光學膜(3、5、9、13)。換言之，第2圖所示的偏光板1的剖面，係垂直於Y軸、平行於ZX面。換言之，第2圖所示的偏光板1的剖面，係垂直於偏光板1的受光面。
於偏光板1，形成貫穿偏光板1的孔(貫穿孔21)。貫穿孔21，大致垂直於偏光板1的表面(XY面)、大致平行於偏光片7及複數光學膜(3、5、9、13)的積層方向(Z軸方向)。平行於偏光板1的表面的方向(XY平面方向)之貫穿孔21的形狀，例如為第3圖所示的圓形。貫穿孔21的內壁，亦可為非平滑。
貫穿孔21的垂直度為0.00以上、未達0.32。以下，基於第2圖，說明垂直度。
第2圖所示的偏光板1的剖面，係垂直於偏光板1的表面且包含圓形貫穿孔21的中心軸。將位於偏光 板1的一側表面(第一表面)且相當於貫穿孔21的邊緣的第一光學膜(例如第三保護膜3)的端部，定義為第一端部3e。將位於偏光板1的另一側表面(第二表面)且相當於貫穿孔21的邊緣的第二光學膜(例如離型膜13)的端部，定義為第二端部13e。第一端部3e及第二端部13e之任一者，皆位於垂直偏光板1的表面的相同剖面上。將平行於偏光板1表面方向(XY平面方向)之第一端部3e與第二端部13e的距離，定義為a。將偏光板1的厚度(例如厚度的平均值)定義為b。垂直度定義為a/b。垂直度亦可定義為a’/b。a’為平行於偏光板1表面方向之第一端部3e’與第二端部13e’的距離。所謂第一端部3e’，係指位於上述第一端部3e的對向側之另一第一端部。所謂第二端部13e’，係指位於上述第二端部13e的對向側之另一第二端部。a/b可以等於a’/b。a/b亦可不等於a’/b。於a/b與a’/b不同的情況，a/b及a’/b皆為0.00以上、未達0.32。在適合上述定義限制下，可於偏光板1的任意剖面測定a及b，從a及b分別的測定值，即可計算a/b。於偏光板1的任意複數剖面計算垂直度a/b的情況，算出的複數垂直度a/b中的最大值為0.00以上、未達0.32即可。a、a’、b及b’，例如使用光學顯微鏡，根據偏光板1剖面的觀察，進行測定即可。
由於貫穿孔21的垂直度a/b未達0.32，漏光被抑制。於貫穿孔21的垂直度a/b為0.32以上的情況，於貫穿孔21內露出的偏光片7的剖面(端面)，起因於光的折射等的漏光變顯著。貫穿孔21的垂直度a/b，可為0.00 以上0.30以下、0.00以上0.28以下、0.00以上0.27以下、0.05以上0.30以下、0.05以上0.28以下或0.05以上0.27以下。垂直度a/b越小，漏光越容易被抑制。所以，a為0最理想。亦即，垂直度a/b為0最理想。垂直度a/b為0，係指貫穿孔21對偏光板1的表面(第一表面及第二表面)完全垂直。
偏光板1的厚度b，例如為10μm以上1200μm以下、10μm以上500μm以下、10μm以上300μm以下、或10μm以上200μm以下。第一端部與第二端部的距離a或a’，只要a/b為0.00以上、未達0.32限制下，可為任意值。
貫穿孔21兩端的開口部為一對同心圓的情況，垂直度亦可如以下的定義。將貫穿孔21的一端(開口部)的內徑(直徑)定義為d1。將貫穿孔21的另一端(開口部)的內徑(直徑)定義為d2。此時貫穿孔21的垂直度可定義為(d1-d2)/2b的絕對值。該定義不與上述的定義(a/b)矛盾。亦即，(d1-d2)/2的絕對值等於a或a’。d1及d2，例如根據使用光學顯微鏡觀察偏光板1的兩表面進行測定即可。
於貫穿孔21的周圍，有形成偏光消除部23的情況。偏光消除部23，係於貫穿孔21的形成過程，由於偏光片7或重疊於偏光片7的光學膜(3、5、9、13)之化學變質而產生。偏光消除部23，可沿著第一表面(例如第三保護膜3的表面)形成。偏光消除部23，亦可沿著第一表面的相反側之第二表面(例如離型膜13的表面)形成。偏 光消除部23，在垂直於偏光板1表面的方向(Z軸方向)可連續地或不連續地存在。亦即，偏光消除部23，可具有從偏光板1表面之深度。換言之，偏光消除部23可為三維分佈，例如偏光消除部23可為圍繞貫穿孔21全部之筒狀部分。偏光消除部23係漏光的原因之一。偏光消除部23之漏光，係起因於偏光片7或重疊於偏光片7的光學膜(3、5、9、13)的化學組成之變化。例如，由於構成偏光片7的聚乙烯醇或色素分子(含碘的化合物)的配向性之混亂，引起偏光消除部23之漏光。
偏光板1的貫穿孔21的周圍之偏光消除部23的寬度W為0.00μm以上未達32μm。如第3圖所示，所謂偏光消除部23的寬度W，係指平行於偏光板1表面的方向之偏光消除部23的寬度。此處，所謂「偏光板1表面」，可為第一表面(例如第三保護膜3的表面)，亦可為第一表面的相反側之第二表面(例如離型膜13的表面)。在垂直於偏光板1的第一表面的方向觀察之偏光消除部23的寬度W為0.00μm以上未達32μm，而且在垂直於偏光板1的第二表面的方向觀察之偏光消除部23的寬度W亦可為0.00μm以上未達32μm。偏光消除部23的寬度W，換言之亦可為XY平面方向之偏光消除部23的寬度。因偏光板1為略透明，位於第二表面側(離型膜13的表面側)之偏光消除部23，可從第一表面側(第三保護膜3的表面側)觀察。亦即，在第一表面側(第三保護膜3的表面側)所觀察之偏光消除部23，不一定形成於第一光學膜(第三保護膜 3)。而且，位於偏光板1內部之偏光消除部23，可從第一表面側或第二表面側觀察。位於第一表面側(第三保護膜3的表面側)之偏光消除部23，可從第二表面側(離型膜13的表面側)觀察。亦即，在第二表面側(離型膜13的表面側)所觀察之偏光消除部23，不一定形成於第二光學膜(離型膜13)。因偏光板1為略透明，在垂直於偏光板1表面之方向(Z軸方向)觀察偏光板1的表面時，可在重疊狀態下看見三維分佈的偏光消除部23。亦即，於貫穿孔21的周圍呈三維分佈的偏光消除部23，可成為偏光板1的表面(XY平面)之二維的正投影(例如圍繞貫穿孔21的環)被觀察。
藉由偏光消除部23的寬度W未達32μm，可抑制漏光。於偏光消除部23的寬度W為32μm以上的情況，偏光消除部23的漏光變顯著。偏光板1的偏光消除部23的寬度W，可為0.00μm以上未達20μm、0.00μm以上未達19μm或0.00μm以上未達18μm。偏光消除部23的寬度W越小，越容易抑制漏光。所以，偏光消除部23的寬度W為0.00μm最理想。亦即，無偏光消除部23最理想。貫穿孔21周圍之偏光消除部23的寬度W，只要在0.00μm以上未達32μm的範圍內，亦可為不固定。於偏光消除部23的寬度W為不固定的情況，偏光消除部23的寬度W的最大值為未達32μm。
於貫穿孔21的周圍，有龜裂25形成的情況。龜裂25可沿著第一表面(第三保護膜3的表面)形成。龜裂25亦可沿著第一表面的相反側之第二表面(離型膜13 的表面)形成。龜裂25可在垂直於偏光板1表面的方向(Z軸方向)連續地或不連續地形成。亦即，龜裂25，可具有從偏光板1表面的深度。換言之，龜裂25可為三維分佈。
偏光板1的貫穿孔21周圍之龜裂25的數目，每單位長度1mm可為0以上3以下。所謂「單位長度1mm」係指平行於貫穿孔21的邊緣且長度為1mm之直線或曲線。例如，於貫穿孔21的形狀為圓的情況，所謂單位長度，係指平行於貫穿孔21的圓形邊緣之圓弧。所謂「龜裂25的數目」，係指在垂直於偏光板1表面的方向(Z軸方向)觀察的龜裂25中，與單位長度1mm相交的龜裂25的個數。可計數在第一表面(例如第三保護膜3的表面)觀察到的龜裂25。亦可計數在第一表面的相反側之第二表面(離型膜13的表面)觀察到的龜裂25。在偏光板1的第一表面觀察到的龜裂25的數目，每單位長度1mm為0以上3以下，且在偏光板1的第二表面觀察到的龜裂25的數目，每單位長度1mm為0以上3以下即可。因偏光板1為略透明，位於偏光板1的第二表面側(離型膜13的表面)的龜裂25，可從第一表面側(第三保護膜3的表面)觀察。亦即，在第一表面側(第三保護膜3的表面)觀察到的龜裂25，不一定形成於第一光學膜(第三保護膜3)。而且，位於偏光板1的內部之龜裂25，可從第一表面側或第二表面側觀察。位於第一表面側(第三保護膜3的表面側)之龜裂25，可從第二表面側觀察(離型膜13的表面側)。亦即，在第二表面側(離型膜13的表面側)觀察到之龜裂25，不一定形成於第二 光學膜(離型膜13)。因偏光板1為略透明，於垂直於偏光板1表面之方向(Z軸方向)，觀察偏光板1的表面時，可見在重疊的狀態下三維分佈的龜裂25。亦即，三維分佈的龜裂25，可成為偏光板1表面(XY平面)之二維正投影的型式被觀察。在垂直於偏光板1表面的方向(Z軸方向)重疊的複數龜裂25，於偏光板1的表面可見到一個龜裂25。亦即，在垂直於偏光板1表面的方向(Z軸方向)重疊的複數龜裂25，於偏光板1的表面，可被計數為一個龜裂25。
於龜裂25的數目為3以下的情況，更容易抑制漏光。龜裂25的長度1可為0μm以上未達50μm。龜裂25的長度1，係在垂直於偏光板1表面的方向(Z軸方向)被觀察到的龜裂25的長度，為龜裂25的一側端部與貫穿孔21的邊緣之最短距離。龜裂25的長度1，可在第一表面(例如第三保護膜3的表面)被測定。龜裂25的長度1，亦可在第一表面的相反側之第二表面(離型膜13的表面)被測定。在偏光板1的第一表面測定的龜裂25的長度1為0μm以上未達50μm，且在偏光板1的第二表面測定的龜裂25的長度1為0μm以上未達50μm即可。於龜裂25的長度1未達50μm的情況，更容易抑制可被辨識程度之漏光。龜裂25的數目越少、龜裂越短，越容易抑制漏光。而且，龜裂25的數目越少、龜裂越短，偏光板1的機械強度高，在影像顯示裝置的製造過程越容易抑制偏光板1的破損。所以，沒有龜裂25最理想。
貫穿孔21的直徑d(內徑d1或d2)，例如可 為50~5000μm。
關於本實施態樣的偏光板1的製造方法，具備：將膜狀的偏光片與複數光學膜重疊，形成積層體的步驟；以及對積層體照射準分子雷射的脈衝波，使積層體形成貫穿孔(貫穿孔21)的步驟；其中準分子雷射的輸出未達20W；準分子雷射光點的外圓周部分的強度大於光點強度極大值的80%；準分子雷射的聚光直徑大於50μm；準分子雷射的重複頻率未達1000Hz。
於本實施態樣，在上述積層體被準分子雷射照射的部分，形成貫穿孔21。以下詳細說明各步驟。
積層體，可藉由重複進行偏光片7及各光學膜(3、5、9、13)的貼合或光學膜彼此之貼合而製得。再者，黏著層11，例如可藉由在第二保護膜9的表面塗佈黏著劑(pressure-sensitive adhesive)而形成。
準分子雷射，可為下述任一者。
F2雷射(震盪波長：157nm)
ArF雷射(震盪波長：193nm)
KrF雷射(震盪波長：248nm)
XeCl雷射(震盪波長：308nm)
XeF雷射(震盪波長：351nm)
準分子雷射的震盪波長，遠比其他雷射的 震盪波長短。例如CO2雷射的震盪波長為9.4μm或10.6μm。於短波長的準分子雷射照射積層體的情況，構成偏光片7及各光學膜(3、5、9、13)的高分子容易瞬間分解、昇華，抑制伴隨準分子雷射的照射之積層體的加熱。所以，容易瞬間形成垂直度小的貫穿孔21，也抑制起因於熱之偏光片7及各光學膜(3、5、9、13)的化學變質。另一方面，於長波長的雷射照射積層體的情況，於被雷射照射的部分溫度容易上升，難以引起構成偏光片7及各光學膜(3、5、9、13)的高分子之分解、昇華。亦即，以藉由雷射的照射而被加熱的部分之熔融、變形為始，形成貫穿孔。所以，假設使用比準分子雷射的波長更長的雷射的情況，則難以控制貫穿孔的垂直度，且由於偏光片7及各光學膜(3、5、9、13)的化學變質，而容易形成偏光消除部。
準分子雷射的輸出為1W以上未達20W。於準分子雷射的輸出為20W以上的情況，於貫穿孔21的周圍容易形成龜裂25，偏光消除部23的寬度W容易變大。準分子雷射的輸出可為5W以上8W以下。
如第4圖所示，準分子雷射的光點LS為圓形。沿著通過準分子雷射的光點LS的中心Lc的直線之準分子雷射的光點LS的強度分佈ID為高帽型。換言之，光點LS為垂直於準分子雷射的行進方向之準分子雷射的剖面。使用高帽型的準分子雷射所形成的貫穿孔的垂直度，與使用強度分佈為高斯型的準分子雷射所形成的貫穿孔的垂直度比較，容易變小。準分子雷射光點LS的外圓周部 分Le的強度ILe為大於光點LS的強度之極大值ILc的80%、ILc的100%以下。換言之，(ILe/ILc)×100為大於80%、100%以下。換言之，{(ILc-ILe)/ILc}×100為0%以上未達20%。換言之，ILc為強度分佈ID中平坦部(頂部)的強度之平均值。換言之，ILc亦可為光點LS的中心Lc的強度。ILe為ILc的80%以下的情況，垂直度a/b容易變大。換言之，於(ILe/ILc)×100為80%以下的情況，垂直度a/b容易變大。換言之，{(ILc-ILe)/ILc}×100為20%以上的情況，垂直度a/b容易變大。ILe可為ILc的90%以上95%以下。換言之，(ILe/ILc)×100可為90%以上95%以下。換言之，{(ILc-ILe)/ILc}×100可為5%以上10%以下。強度ILe及強度ILc的單位，例如為W/m2。
於形成具有與準分子雷射的聚光直徑大約相同直徑之貫穿孔21的情況，準分子雷射的聚光直徑為大於50μm、2000μm以下。於準分子雷射的聚光直徑小於50μm的情況，垂直度a/b容易變大。所謂準分子雷射的聚光直徑，換言之指準分子雷射的光點LS的直徑。準分子雷射的聚光直徑可為600μm以上1000μm以下。準分子雷射的聚光直徑，可與貫穿孔21的直徑d不一致。例如，藉由聚光直徑小的準分子雷射掃描積層體表面之指定區域，亦可形成具有大於準分子雷射的聚光直徑的直徑d之貫穿孔21。
準分子雷射的重複頻率為10Hz以上未達1000Hz。於準分子雷射的重複頻率為1000Hz以上的情況， 容易形成龜裂25，也容易形成偏光消除部23。準分子雷射的重複頻率，可為100Hz以上500Hz以下。
被準分子雷射照射的表面側(例如第三保護膜3側)的貫穿孔21之內徑，有大於其相反側(例如離型膜13側)的貫穿孔21內徑之傾向。
偏光片7，可為藉由延伸、染色及交聯等步驟製成的膜狀聚乙烯醇系樹脂。偏光片7的詳細係如以下所述。
例如，首先將膜狀聚乙烯醇系樹脂進行一軸方向或二軸方向延伸。一軸方向延伸後的偏光片7，有二色比高的傾向。延伸後，使用包含碘化鉀等的染色液，將聚乙烯醇系樹脂藉由碘或二色性色素(聚碘)染色。染色液可包含硼酸、硫酸鋅或氯化鋅。染色前亦可水洗聚乙烯醇系樹脂。藉由水洗，可從聚乙烯醇系樹脂的表面，除去髒污及結塊防止劑。而且，藉由水洗之膨潤聚乙烯醇系樹脂的結果，容易抑制染色的斑紋(不均勻染色)。染色後的聚乙烯醇系樹脂，為了交聯，使用交聯劑的溶液(例如硼酸的水溶液)進行處理。藉由交聯劑處理後，水洗聚乙烯醇系樹脂，然後乾燥。經過以上的順序，得到偏光片7。聚乙烯醇系樹脂，可藉由將聚乙酸乙烯酯系樹脂皂化而得。聚乙酸乙烯酯系樹脂，例如乙酸乙烯酯的單獨聚合物聚乙酸乙烯酯、或乙酸乙烯酯與可與其共聚合的其他單體的共聚物(例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物)。可與乙酸乙烯酯共聚合的其他單體，除乙烯外，可為不飽和羧酸類、烯烴類、乙 烯醚類、不飽和磺酸類、或具有銨基的丙烯醯胺類。聚乙烯醇系樹脂，可被醛類改質。經改質的聚乙烯醇系樹脂，例如部分縮甲醛化聚乙烯醇、聚乙烯醇縮乙醛、或聚乙烯醇縮丁醛。聚乙烯醇系樹脂，可為聚乙烯醇的脫水處理物或聚氯乙烯的脫鹽酸處理物等聚烯系配向膜。可在延伸前進行染色，亦可在染色液中進行延伸。延伸後偏光片的長度，例如可為延伸前長度的3~7倍。
偏光片7的厚度，例如為1μm以上50μm以下、或4μm以上30μm以下。一般於薄的偏光片7為一軸延伸的情況，於開孔步驟或切片步驟，沿著延伸方向容易形成龜裂25。但是，藉由使用準分子雷射的上述開孔步驟，可抑制龜裂25的形成。
第一保護膜5及第二保護膜9，只要是具有透光性的熱塑性樹脂即可，亦可為光學透明的熱塑性樹脂。構成第一保護膜5及第二保護膜9的樹脂，例如鏈狀聚烯烴系樹脂、環狀烯烴聚合物系樹脂(COP系樹脂)、纖維素酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、或該等的混合物或共聚物。第一保護膜5的組成，可與第二保護膜9的組成完全相同，第一保護膜5的組成，亦可與第二保護膜9的組成不同。
鏈狀聚烯烴系樹脂，例如可為聚乙烯樹脂或聚丙烯樹脂等鏈狀烯烴的單獨聚合物。鏈狀聚烯烴系樹脂，亦可為2種以上的鏈狀烯烴所構成的共聚物。
環狀烯烴聚合物系樹脂(環狀聚烯烴系樹 脂)，例如可為環狀烯烴的開環(共)聚合物、或環狀烯烴的加成聚合物。環狀烯烴聚合物系樹脂，例如亦可為環狀烯烴與鏈狀烯烴的共聚物(例如無規共聚物)。構成共聚物的鏈狀烯烴，例如為乙烯或丙烯。環狀烯烴聚合物系樹脂，可為上述聚合物用不飽和羧酸或其衍生物改質後的接枝共聚物、或該等的氫化物。環狀烯烴聚合物系樹脂，例如可為使用降莰烯或多環降莰烯系單體等降莰烯系單體之降莰烯系樹脂。
纖維素酯系樹脂，例如可為纖維素三乙酸酯(三乙醯基纖維素(TAC))、纖維素二乙酸酯、纖維素三丙酸酯、或纖維素二丙酸酯。亦可使用該等的共聚物。亦可使用羥基的一部分用其他取代基修飾後的纖維素酯系樹脂。
亦可使用纖維素酯系樹脂以外的聚酯系樹脂。聚酯系樹脂，例如為多價羧酸或其衍生物與多價醇的縮聚物。多價羧酸或其衍生物，可為二羧酸或其衍生物。多價羧酸或其衍生物，例如對苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸二甲酯、或萘二羧酸二甲酯。多價醇，例如可為二醇。多價醇，例如為乙二醇、丙二醇、丁二醇、新戊二醇或環己二甲醇。
聚酯系樹脂，例如可為聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸丙二酯、聚萘二甲酸丙二酯、聚對苯二甲酸環己二甲酯、或聚萘二甲酸環己二甲酯。
聚碳酸酯系樹脂為介由碳酸酯基鍵結聚合單元(單體)之聚合物。聚碳酸酯系樹脂，可為具有經修飾的聚合物骨架之改質聚碳酸酯，亦可為共聚合聚碳酸酯。
(甲基)丙烯酸系樹脂，例如可為聚(甲基)丙烯酸酯(例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA))；甲基丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸共聚物；甲基丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸酯共聚物；甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸酯-(甲基)丙烯酸共聚物；(甲基)丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物(例如MS樹脂)；甲基丙烯酸甲酯與具有脂環族烴基的化合物之共聚物(例如甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸環己酯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸降莰酯共聚物等)。
夾住偏光片7的一對光學膜(第一保護膜5及第二保護膜9)中之至少一光學膜，可包含三乙醯基纖維素(TAC)。夾住偏光片7的一對光學膜(第一保護膜5及第二保護膜9)中之至少一光學膜，亦可包含環狀烯烴聚合物系樹脂(COP系樹脂)。夾住偏光片7的一對光學膜(第一保護膜5及第二保護膜9)中之至少一光學膜，可包含聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。夾住偏光片7的一對光學膜(第一保護膜5及第二保護膜9)兩者，可包含三乙醯基纖維素。夾住偏光片7的一對光學膜(第一保護膜5及第二保護膜9)中的一膜可包含三乙醯基纖維素，夾住偏光片7的一對光學膜中的另一膜可包含環狀烯烴聚合物。夾住偏光片7的一對光學膜(第一保護膜5及第二保護膜9)中的一膜可包含三乙醯基纖維素，夾住偏光片7的一對光學膜中的另一 膜可包含聚甲基丙烯酸甲酯。夾住偏光片7的一對光學膜(第一保護膜5及第二保護膜9)中的一膜可包含環狀烯烴聚合物系樹脂，夾住偏光片7的一對光學膜中的另一膜可包含聚甲基丙烯酸甲酯。於TAC、COP系樹脂或PMMA所構成的光學膜接觸偏光片7的情況，若由傳統的加工方法，貫穿孔21的垂直度a/b減低、而且抑制偏光消除部23及龜裂25的形成有困難。但是，藉由使用準分子雷射的上述開孔步驟，減低貫穿孔21的垂直度a/b、而且抑制偏光消除部23及龜裂25的形成。
偏光片7或各光學膜(3、5、9或13)的玻璃轉化溫度Tg，可為100~180℃或108~180℃。於光學膜(3、5、9或13)由三乙醯基纖維素(TAC)構成的情況，光學膜(3、5、9或13)的玻璃轉化溫度Tg，可為160~180℃。於光學膜(3、5、9或13)由環狀烯烴聚合物系樹脂(COP系樹脂)構成的情況，光學膜(3、5、9或13)的玻璃轉化溫度Tg，可為126~136℃。於光學膜(3、5、9或13)由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)構成的情況，各光學膜(3、5、9或13)的玻璃轉化溫度Tg，可為108~136℃。於偏光片7及各光學膜(3、5、9、13)的玻璃轉化溫度Tg為100℃以上的情況，偏光板1的耐熱性佳，容易抑制起因於伴隨準分子雷射照射的熱之偏光板1的變形。
第一保護膜5或第二保護膜9，亦可包含選自潤滑劑、可塑劑、分散劑、熱安定劑、紫外線吸收劑、紅外線吸收劑、靜電防止劑、及抗氧化劑所成群的至少一 種添加劑。
第一保護膜5的厚度，例如可為5μm以上90μm以下、5μm以上80μm以下、或5μm以上50μm以下。第二保護膜9的厚度，例如亦可為5μm以上90μm以下、5μm以上80μm以下、或5μm以上50μm以下。
第一保護膜5或第二保護膜9，可為如相位差膜或增亮膜般具有光學功能的膜。例如將上述熱塑性樹脂所構成的膜延伸，藉由於該膜上形成液晶層等，可得到賦予任意相位差值的相位差膜。
第一保護膜5，可介由接著層貼合於偏光片7。第二保護膜9，亦可介由接著層貼合於偏光片7。接著層，可包含聚乙烯醇等的水系接著劑，亦可包含後述的活性能量線硬化性樹脂。
活性能量線硬化性樹脂，係藉由活性能量線的照射而硬化的樹脂。活性能量線，例如為紫外線、可見光、電子線或X射線。活性能量線硬化性樹脂，可為紫外線硬化性樹脂。
活性能量線硬化性樹脂，可為一種樹脂，亦可包含複數種樹脂。例如活性能量線硬化性樹脂可包含陽離子聚合性的硬化性化合物或自由基聚合性的硬化性化合物。活性能量線硬化性樹脂，可包含引發上述硬化性化合物的硬化反應用的陽離子聚合引發劑或自由基聚合引發劑。
陽離子聚合性的硬化性化合物，例如可為 環氧系化合物(分子內具有至少一個環氧基的化合物)或氧雜環丁烷系化合物(分子內具有至少一個氧雜環丁烷環的化合物)。自由基聚合性的硬化性化合物，例如可為(甲基)丙烯酸系化合物(分子內具有至少一個(甲基)丙烯醯氧基的化合物)。自由基聚合性的硬化性化合物，亦可為自由基聚合性的具有雙鍵的乙烯基系化合物。
活性能量線硬化性樹脂，依需要可包含陽離子聚合促進劑、離子捕捉劑、抗氧化劑、鏈轉移劑、黏著賦予劑、熱塑性樹脂、填充劑、流動調整劑、可塑劑、消泡劑、靜電防止劑、調平劑、或溶劑等。
黏著層11，可包含例如丙烯酸系感壓型接著劑、橡膠系感壓型接著劑、聚矽氧系感壓型接著劑、或胺酯(urethane)系感壓型接著劑等感壓型接著劑。黏著層11的厚度，例如為2μm以上500μm以下、2μm以上200μm以下、或2μm以上50μm以下。
構成第三保護膜3的樹脂，可為與列舉作為第一保護膜5或第二保護膜9的上述樹脂相同者。第三保護膜3的厚度，例如可為5μm以上200μm以下。
構成離型膜13的樹脂，可為與列舉作為第一保護膜5或第二保護膜9的上述樹脂相同者。離型膜13的厚度，例如可為5μm以上200μm以下。
關於本發明的影像顯示裝置，可為例如液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置等。例如，如第5圖所示，關於本實施態樣的液晶顯示裝置30，具備液晶胞10、重疊 於液晶胞10的一側表面(第一表面)之偏光板1a(第一偏光板)、重疊於液晶胞10的另一側表面(第二表面)之偏光板1b(第二偏光板)。如第5圖所示的偏光板1a及1b，除不具備離型膜13及第三保護膜3的點外，與第1及2圖所示的偏光板1相同。偏光板1a(第一偏光板)介由黏著層11貼附於液晶胞10的第一表面。偏光板1a(第一偏光板)，具有重疊於液晶胞10的第一表面的黏著層11、重疊於黏著層11的第二保護膜9、重疊於第二保護膜9的偏光片7、重疊於偏光片7的第一保護膜5。另一偏光板1b(第二偏光板)介由黏著層11貼附於液晶胞10的第二表面。另一偏光板1b(第二偏光板)，具有重疊於液晶胞10的第二表面的黏著層11、重疊於黏著層11的第二保護膜9、重疊於第二保護膜9的偏光片7、重疊於偏光片7的第一保護膜5。液晶胞10與一對偏光板1a及1b，構成液晶面板20。液晶面板20與背光源(面光源裝置)的其他構件，構成液晶顯示裝置30。背光源的其他構件，在第5圖中省略。
以上，說明本發明的一實施態樣，但本發明不限於上述實施態樣。
偏光板的形狀，依據用途，可為各種形狀。此處，所謂偏光板的形狀，係指從第1~3圖的Z方向(垂直於偏光板1表面的方向)看到的偏光板整體形狀。例如，偏光板的形狀可為四角形以外的多角形。例如偏光板可為圓形、橢圓形或不定形。偏光板的外緣，可為僅由直線(複數的邊)所構成。此處，所謂偏光板的外緣，係指從第1~3圖 的Z方向(垂直於偏光板1表面的方向)看到的偏光板的外緣。偏光板的外緣，依據用途，亦可僅由曲線構成。偏光片7及各光學膜(3、5、9、13)分別的形狀，依據用途，亦可為各種形狀。
在平行於偏光板1表面的方向(XY平面的方向)的貫通孔形狀，依據用途，可為各種形狀。貫通孔的形狀，可為圓以外的形狀。例如貫通孔的形狀可為橢圓形、多角形或不定形。複數的貫通孔21可形成於偏光板1。形狀相同的複數貫通孔，可形成於偏光板1。形狀互異的複數貫通孔，可形成於偏光板1。在偏光板1的貫通孔的位置沒有限制。例如於偏光板為圓形的情況，貫通孔可形成於偏光板1表面的中心(圓的中心)。
偏光板所具備的光學膜(重疊於偏光片的光學膜)的片數沒有限制。偏光板所具備的光學膜的片數可為1片。例如，第1及2圖所示的偏光板1，第一保護膜5及第二保護膜9中，亦可不具備任一保護膜，亦可不具備該二保護膜。例如，第5圖所示的偏光板1a(第一偏光板)及偏光板1b(第二偏光板)中任一偏光板或二偏光板，可不具備第一保護膜5及第二保護膜9中的任一保護膜。第5圖所示的偏光板1a(第一偏光板)及偏光板1b(第二偏光板)中任一偏光板或二偏光板，可不具備該二保護膜。
離型膜，可介由黏著層，配置於偏光板的兩面。
偏光板所具備的光學膜，可為反射型偏光 膜、附抗眩功能的膜、附表面抗反射功能的膜、反射膜、半透過反射膜、視角補償膜、光學補償層、觸控感測層、帶電防止層、或防污層。
偏光板，可更具備硬塗層。例如偏光板1，第一保護膜5可位於硬塗層與偏光片7之間，硬塗層可位於第一保護膜5與第三保護膜3之間。於該情況，第一保護膜5可包含三乙醯基纖維素。硬塗層的表面硬度(鉛筆硬度)，可為H以上5H以下或2H以上5H以下。鉛筆硬度係根據日本工業規格(JIS K5400)。鉛筆硬度為上述範圍之硬塗層，於偏光板1的製造過程不易受傷。但是，因硬塗層硬且脆，藉由傳統的加工方法形成貫穿孔的情況，龜裂容易形成於硬塗層。但是，藉由使用準分子雷射的上述開孔步驟，可抑制在硬塗層的形成龜裂。
硬塗層，例如為表面設有細微凹凸形狀的丙烯酸系樹脂膜所構成的層。硬塗層，例如亦可由含有有機微粒子或無機微粒子的塗膜形成。亦可使用將該塗膜壓於具有凹凸形狀的滾輪之方法(例如壓花法等)。亦可使用形成不含有機微粒子或無機微粒子的塗膜後，將該塗膜壓於具有凹凸形狀的滾輪之方法。
無機微粒子，例如為氧化矽、膠體氧化矽、氧化鋁、氧化鋁溶膠、矽酸鋁、氧化鋁-氧化矽複合氧化物、高嶺土、滑石、雲母、碳酸鈣、磷酸鈣等。而且，有機微粒子(樹脂粒子)，例如為交聯聚丙烯酸粒子、甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯共聚物樹脂粒子、交聯聚苯乙烯粒子、交聯聚甲基丙烯 酸甲酯粒子、聚矽氧樹脂粒子、聚醯亞膠粒子等。
分散有機微粒子或無機微粒子用的黏結劑成分，從成為高硬度(硬塗層)的材料中選擇即可。黏結劑成分，可為例如紫外線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等。從生產性、硬度等的觀點，作為黏結劑成分，使用紫外線硬化性樹脂較理想。
硬塗層的厚度，例如為2μm以上30μm以下或3μm以上30μm以下。於硬塗層的厚度為2μm以上的情況，可容易地得到硬塗層的充分硬度，硬塗層的表面更難受傷。於硬塗層的厚度為30μm以下的情況，硬塗層更不易破裂，容易抑制起因於硬塗層的硬化收縮之偏光板的彎曲(curl)，有容易提高生產性的傾向。
偏光片7的厚度為30μm以下且偏光片7的單體透過率T為42.5以上，而且偏光片7的偏光度P為99.9以上。傳統偏光片薄、單體透過率及偏光度大的情況，在形成於偏光板的貫穿孔周圍容易發現漏光。但是，藉由使用準分子雷射的上述開孔步驟形成垂直度小的貫穿孔21的情況，可抑制具備薄且單體透過率及偏光度大的偏光片7之偏光板1之漏光。
由偏光片7、第一保護膜5及第二保護膜9等3個膜所構成的積層體的水分比例，可為1.0~5.0%、0.5~5.5%、或1.0~5.0%。藉由水分比例為上述範圍內，容易抑制伴隨加熱之偏光板1的扭曲，更容易抑制偏光板1的漏光。
於第1及2圖所示的偏光板1，第三保護膜3側(第一光學膜側)之貫穿孔21的內徑d1，係大於離型膜13側(第二光學膜側)之貫穿孔21的內徑d2，但第三保護膜3側(第一光學膜側)之貫穿孔21的內徑d1，亦可小於離型膜13側(第二光學膜側)之貫穿孔21的內徑d2。換言之，於第1及2圖所示的偏光板1，第一保護膜5側之貫穿孔21的內徑d1，係大於第二保護膜9側之貫穿孔21的內徑d2，但第一保護膜5側之貫穿孔21的內徑d1，亦可小於第二保護膜9側之貫穿孔21的內徑d2。
偏光板1，亦可不具備第三保護膜3及離型膜13中的一者或兩者。例如第三保護膜3，於影像顯示裝置的製造過程，可從偏光板1剝離、除去。亦即，第三保護膜3可為暫時保護膜。離型膜13，於影像顯示裝置的製造過程，亦可從偏光板1剝離、除去。
[實施例]
以下，藉由實施例更詳細說明本發明，但本發明不限於該等實施例。
(實施例1)
形成如第1圖所示由偏光片7及光學膜(3、5、9、13)所構成的板狀積層體。積層體具備離型膜13、重疊於離型膜13的黏著層11、重疊於黏著層11的第二保護膜9、重疊於第二保護膜9的偏光片7、重疊於偏光片7的第一保護膜5、以及重疊於第一保護膜5的第三保護膜3。作為偏光片7，使用經延伸且染色的膜狀聚乙烯醇。作為第一保 護膜5，使用附硬塗層的三乙醯基纖維素(TAC)膜(凸版印刷(股)製25KCHCN-TC)。作為第二保護膜9，使用由環狀烯烴聚合物系樹脂(COP系樹脂)所構成的膜(日本ZEON(股)製ZF14-023-1350)。作為第三保護膜3，使用附黏著劑的PET保護膜(藤森工業(股)製AS3-304)。作為離型膜13，使用PET(LINTEC(股)製SP-PLR382050)。離型膜13的厚度為38μm。黏著層11的厚度為20μm。第二保護膜9的厚度為23μm。偏光片7的厚度為12μm。第一保護膜5的厚度為32μm。第三保護膜3的厚度為60μm。積層體整體的厚度(相當於偏光板1的厚度b之厚度)為185μm。積層體整體的縱向寬度為110mm。積層體整體的橫向寬度為60mm。
將準分子雷射的脈衝波照射於積層體的第三保護膜3側的表面，於積層體形成如第1及2圖所示的貫穿孔21。藉由以上各步驟，得到實施例1的偏光板1。作為準分子雷射，使用震盪波長193nm的ArF雷射。作為準分子雷射的震盪器，使用Mlase公司製MLI系列(1000型)。準分子雷射的輸出，設定為5W。如第4圖所示，準分子雷射的光點LS為圓形。準分子雷射的光點LS的外圓周部分Le的強度記為ILe，光點LS的強度的極大值(平坦的頂部的強度)記為ILc時，{(ILc-ILe)/ILc}×100為5%。以下，將{(ILc-ILe)/ILc}×100稱為「密度分佈」。準分子雷射的聚光直徑，設定為1000μm。準分子雷射的重複頻率，設定為100Hz。
如第3圖所示，在平行於偏光板1表面的方向(XY平面方向)之貫穿孔21的形狀為圓形。貫穿孔21的第三保護膜3側的開口部與貫穿孔21的離型膜13側的開口部為一對同心圓。測定第三保護膜3側的貫穿孔21(圓形開口部)的內徑d1(直徑)。而且，也測定離型膜13側的貫穿孔21(圓形開口部)的內徑d2(直徑)。被準分子雷射照射的第三保護膜3側的貫穿孔21的內徑d1，係大於其相反側(離型膜13側)的貫穿孔21的內徑d2。d1及d2的測定值，皆接近準分子雷射的聚光直徑。從d1及d2的測定值，計算貫穿孔21的垂直度(d1-d2)/2b。實施例1的垂直度為0.06。
被準分子雷射照射的第三保護膜3側的貫穿孔21的周圍，用光學顯微鏡觀察。藉由該觀察，形成於貫穿孔21的周圍之龜裂中，嘗試計數長度1未達50μm的龜裂數目與長度1為50μm以上的龜裂數目。再者，龜裂數目的定義係與上述實施態樣相同。而且，龜裂長度1的定義，係與上述實施態樣相同。觀察的結果，於實施例1的偏光板1的貫穿孔21周圍，沒有長度1未達50μm的龜裂。而且，於實施例1的偏光板1的貫穿孔21周圍，也沒有長度1為50μm以上的龜裂。
藉由使用光學顯微鏡的上述觀察，嘗試測定在貫穿孔21周圍之偏光消除部23(變色部)的寬度W。但是，於偏光板1的貫穿孔21周圍，沒有偏光消除部23。
如第6圖中(a)及(b)所示，背光源64(面光源) 的全面，用下側偏光板62覆蓋。下側偏光板62，係與實施例1的偏光板不同的偏光板。使實施例1的偏光板(1s)的離型膜13面向下側偏光板62。實施例1的偏光板1s重疊於下側偏光板62上，使實施例1的偏光板1s的吸收軸A1s垂直於下側偏光板62的吸收軸A62。將上側偏光板60重疊於實施例1的偏光板1s上，配置為上側偏光板60的吸收軸A60平行於實施例1的偏光板1s的吸收軸A1s。上側偏光板60，也為與實施例1的偏光板不同的偏光板。
將實施例1的偏光板1s以如上述配置的狀態將背光源64點亮，用目視觀察實施例1的偏光板1s。觀察結果顯示偏光板1s的貫穿孔21s的周圍無漏光。
(實施例2~7、比較例1~4)
於實施例6，作為準分子雷射，使用KrF雷射(震盪波長：248nm)取代ArF雷射。
於實施例7，除不具備離型膜13、黏著層11及第三保護膜3外，使用與實施例1的情況相同的積層體。於以下為了方便說明，將實施例7的偏光板的第二保護膜側，視為實施例7偏光板的「離型膜側」，將實施例7偏光板的第一保護膜側，視為實施例7偏光板的「第三保護膜側」。於下述表1，第三保護膜記為「Pf」，離型膜記為「Sp」。
於實施例2~7及比較例1~4，準分子雷射的輸出、密度分佈、聚光直徑及重複頻率，設定為下述表1所示的值。
除以上事項外，與實施例1同樣，使用準分子雷射，於積層體形成貫穿孔，得到實施例2~7及比較例1~4之各偏光板。
使用與實施例1相同的方法，求得實施例2~7及比較例1~4之各偏光板的貫穿孔的垂直度。實施例2~7及比較例1~4之各垂直度，表示於下述表1。
使用與實施例1相同的方法，分別於實施例2~7及比較例1~4，觀察被準分子雷射照射的第三保護膜的表面，計數形成於貫穿孔周圍之龜裂數目，測定各龜裂的長度。於實施例2~7及比較例1~4，分別的龜裂數目表示於下述表1。於任一實施例，形成於貫穿孔周圍之龜裂數目皆為3以下。於任一實施例，形成於貫穿孔周圍之龜裂的長度皆未達50μm。
使用與實施例1相同的方法，分別於實施例2~7及比較例1~4，觀察第三保護膜側的表面，測定貫穿孔周圍之偏光消除部(變色部)的寬度。於實施例2~7及比較例1~4，分別將偏光消除部(變色部)的寬度W表示於下述表1。於任一實施例，偏光消除部(變色部)的寬度皆未達32μm。
使用與實施例1相同的方法，分別於實施例2~7及比較例1~4，檢查偏光板的貫穿孔周圍的漏光。檢查結果表示於下述表1。
[產業上的利用可能性]
關於本發明的偏光板，適用於作為例如貼附於液晶胞或有機EL裝置等的構成液晶電視、有機EL電視或智慧型手機等的影像顯示裝置的光學構件。
3‧‧‧第三保護膜
3e、3e’‧‧‧第一端部
5‧‧‧第一保護膜
7‧‧‧偏光片
9‧‧‧第二保護膜
11‧‧‧黏著層
13‧‧‧離型膜
13e、13e’‧‧‧第二端部
21‧‧‧貫穿孔

Claims (7)

  1. 一種偏光板，具備：膜狀的偏光片及重疊於前述偏光片的複數個光學膜；貫穿前述偏光板的孔之垂直度為0.00以上、未達0.32；前述孔的周圍之偏光消除部的寬度為0.00μm以上、未達32μm。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之偏光板，其中前述孔的周圍之龜裂的數目為，每單位長度1mm為0以上3以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之偏光板，其中前述孔的周圍之龜裂的長度為0μm以上、未達50μm。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之偏光板，其中夾住前述偏光片的一對前述光學膜中之至少一光學膜，包含三乙醯基纖維素。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之偏光板，其中夾住前述偏光片的一對前述光學膜中之至少一光學膜，包含環狀烯烴聚合物。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之偏光板，其中夾住前述偏光片的一對前述光學膜中之至少一光學膜，包含聚甲基丙烯酸甲酯。
  7. 一種影像顯示裝置，包含如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述之偏光板。
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