TW201736644A - 硬質鍍金溶液 - Google Patents

Abstract

本發明係提供可確實抑制不需要部分之金析出的硬質鍍金溶液。硬質鍍金溶液係為包括金離子供給原料、導電鹽、錯化劑、含有關於金之合金元素的金屬鹽以及金析出控制劑之用於電解的硬質鍍金溶液，以金換算金離子供給原料含有0.5g/L~14g/L，溶液溫度為25℃時，溶液比重為2°Be’~16°Be’，溶液溫度為25℃時，導電度為10mS/cm~70mS/cm。

Description

硬質鍍金溶液

本發明係有關於硬質鍍金溶液。

鍍金膜具有金的良好導電性、耐腐蝕性等，可作為連接器等各種電子產品接線端子的表面處理，被廣泛利用。此種用途的硬質鍍金為了具有良好耐磨耗性、耐腐蝕性、導電性，必須控制構成鍍金膜的結晶。因此，專利文獻1揭露於鍍金溶液中添加作為鍍金膜結晶調整劑之鈷鹽、鎳鹽等。

連接器等材料，一般使用黃銅‧磷青銅等銅合金，在進行鍍金時，先形成作為電鍍基板的鎳膜，並在其上方進行鍍金。對這些連接器等電子產品進行電鍍，在為了電性連接進行焊接處理時，為了防止在不需要部分發生焊料上爬，必須進行部份地電鍍處理。換言之，在鍍鎳膜上進行硬質金電鍍時，在需要的地方形成硬質金膜，而不需要的地方不形成硬質金膜，必須為選擇性電鍍。此外，在不需要的地方不進行鍍金，可節省金的消耗及降低成本。

此外，專利文獻2揭露含有金及鈷的金鈷合金電鍍液，維持在弱酸性，藉由添加環六亞甲基四胺，以選擇性地僅對連接器等電子產品的必要部分形成金鈷合金電鍍。若使用專利文獻2的技術，因為一方面可在高電流密度區域形成良好 的電鍍膜，且在低電流密度區域中會電鍍析出困難，所以在不需要的部份不會產生電鍍析出，具有良好的選擇性電鍍析出效果。然而，專利文獻2的技術不僅實際上會在不需要的地方產生金析出，且難以控制有機化合物的消耗量，具有無法迅速管理電鍍浴的問題。

因此，本發明人使用專利文獻3所揭露的「包括可溶性金鹽或金複合物、導電鹽、由作為錯化劑的蘋果酸、醋酸、馬來酸、琥珀酸、檸檬酸、甘氨酸、精氨酸及其鹽類所組成之群組中選擇一種或二種以上，由鈷鹽、鎳鹽、銀鹽所組成之群組中選擇至少一種金屬鹽的硬質鍍金溶液、過氧化氫及碘酸鹽的硬質鍍金液」等。

【先前技術文獻】 【專利文獻】

專利文獻1：日本特開2004-76026號公報

專利文獻2：日本特開2008-45194號公報

專利文獻3：日本特許5025815號公報

然而，即使利用專利文獻3所揭露的發明對連接器等電子產品的端子進行電鍍，仍無法完全抑制在不需要部份發生金析出的現象。

有鑑於此，本發明係提供可確實抑制不需要部份之金析出的硬質鍍金溶液。

經本發明人廣泛研究，發現以下述方去可解決上述問題。

本發明硬質鍍金溶液為包括金離子供給原料、導電鹽、錯化劑、含有關於金之合金元素的金屬鹽以及金析出控制劑之用於電解的硬質鍍金溶液，金離子供給原料以金換算含有0.5g/L~14g/L，溶液溫度為25℃時，溶液比重為2°Be’~16°Be’，溶液溫度為25℃時，導電度為10mS/cm~70mS/cm。

本發明之硬質鍍金溶液中，其中此溶液比重較佳為5°Be’~10°Be’。

此外，在本發明之硬質鍍金溶液中，其中此導電度較佳為28mS/cm~50mS/cm。

在本發明之硬質鍍金溶液中，其中此含有關於金之合金元素的金屬鹽較佳由鈷鹽、鎳鹽、銀鹽所組成之群組中選擇至少一種或二種以上。

當此金屬鹽為鈷鹽時，較佳以鈷換算含有0.025g/L~5g/L。

當此金屬鹽為鎳鹽時，較佳以鎳換算含有0.025g/L~5g/L。

當此金屬鹽為銀鹽時，較佳以銀換算含有0.025g/L~60g/L。

在本發明之硬質鍍金溶液中，其中此金析出控制劑較佳為濃度0.05g/L~50g/L的過氧化氫。

本發明係為一種硬質鍍金溶液，包括金離子供給原料、導電鹽、錯化劑、含有關於金之合金元素的金屬鹽以及金析出控制劑，溶液溫度為25℃時，溶液比重及導電度控制在一定的範圍內。使用此硬質鍍金溶液，可僅在需要的地方形成硬質金膜，且可在不需要的地方確實地抑制金析出。因此，使用此硬質鍍金溶液對連接器等電子產品進行電鍍，焊接處理時，在不需要的地方不會產生焊料上爬，可抑制導電特性下降，且減少昂貴金材料的浪費，防止成本增加。

第1圖為顯示實施例1硬質鍍金溶液哈氏槽試驗(Hull cell test)結果的圖示。

第2圖為顯示實施例1硬質鍍金溶液哈氏槽試驗(Hull cell test)結果的圖示。

第3圖為顯示實施例1硬質鍍金溶液哈氏槽試驗(Hull cell test)結果的圖示。

第4圖為顯示實施例2硬質電解電鍍試驗結果的圖示。

本發明硬質鍍金溶液，包括金離子供給原料、導電鹽、錯化劑、含有關於金之合金元素的金屬鹽以及金析出控制劑。以下，藉由分別對本發明硬質鍍金溶液的組成成分進行說明，以詳述本發明說明。

含金量及金離子供給原料：本發明硬質鍍金溶液含有金離子供給原料，以金換算含有0.5g/L~14g/L。藉由將 含金量控制於上述範圍內，可滿足工業生產的金析出速度，獲得良好品質的硬質鍍金膜，且防止昂貴金材料的浪費。

含金量不滿0.5g/L時，金析出速度下降，無法滿足工業生產性。此外，為了確保電解時所設定的電流密度，必須給予高壓電，若給予高壓電，則會使所獲得的硬質鍍金膜變色或產生紅色等外觀惡化，導致硬質鍍金膜的表面失去光澤。此外，含金量超過14g/L時，因為會增加殘留在硬質鍍金溶液中不被使用之析出金的金量，不具經濟效應。

此外，在本發明硬質鍍金溶液中，較佳以金換算含有5g/L~12g/L。如此，可完全滿足工業生產性，確保金的析出速度，且硬質鍍金溶液具有充分地安定性，可確實獲得品質優良的硬質鍍金膜。

本發明硬質鍍金溶液中，金離子供給原料可使用可溶於水的金鹽(水溶性金鹽)或金複合物。例如，可使用氰化亞金(I)鉀、氰化亞金(II)鉀、亞硫酸鉀、亞硫酸鈉、金(III)乙二胺複合物、作為配體之乙內醯脲衍生物的金複合物等。其中，較佳為氰化亞金(I)鉀。容易於市面上購得，且可增加溶液安定性。

溶液比重及導電度：本發明硬質鍍金溶液在溶液溫度25℃時的溶液比重為2°Be’~16°Be’，溶液溫度25℃時的導電度為10mS/cm~70mS/cm。本發明的溶液比重，並非使用絕對單位，而是使用實用單位Baumé度。本發明硬質鍍金溶液的溶液比重比水大，純水為0°Be’，15%濃度的食鹽水為15°Be’，將兩者之間分成15等分的數值表示。

本發明中，為了容易說明溶液比重及導電度，對最初的溶液比重及導電度之間相關的關係進行描述。本發明之「溶液比重」及「導電度」依照本發明硬質鍍金溶液所含有的「金離子供給原料」、「導電鹽」、「錯化劑」、「含有關於金之合金元素的金屬鹽」及「金析出控制劑」各成份含量而定。本發明硬質鍍金溶液中，對上述各成份的含量進行調整，若「溶液比重」及「導電度」在上述範圍內則沒有問題。然而，為了確保電鍍時電流的安定性及在不需要的部位抑制金析出，較佳藉由改變「導電鹽」含量使「溶液比重」及「導電度」位於上述範圍。硬質鍍金溶液中導電鹽的含量增加，會使得溶液比重增加且離子量增加，造成導電度增加。

本發明硬質鍍金溶液，利用溶液比重為2°Be’~16°Be’，且導電度為10mS/cm~70mS/cm，以確保高電流密度區域的析出速度，且降低低電流密度區域的析出速度。由此結果，可將高電流密度區域設定為需要電鍍的部份，確實進行金析出，且將低電流密度區域設定為不需要電鍍的部份，抑制金析出。因此，連接器等電子產品的端子在進行電鍍時，不會發生外觀不良，可僅在需要的部分進行金析出，而在不需要的部分確實地抑制金析出。

若溶液比重未滿2°Be’或導電度未滿10mS/cm，電鍍時難以確保在高電流密度區域所設定的電流密度。此外，為了確保高電流密度區域中所設定的電流密度，必須使用高壓電，給予高壓電，會使所獲得的硬質鍍金膜變色或產生紅色等外觀惡化，導致硬質鍍金膜的表面失去光澤。另一方面，若溶 液比重超過16°Be’或導電度超過70mS/cm時，與溶液比重為2°Be’~16°Be’且導電度為10mS/cm~70mS/cm相比，高電流密度區域的析出速度下降，且低電流密度區域的析出速度上升。因此，必須增加處理時間以獲得對高電流密度區域所設定的膜厚度，電鍍時間增加，則低電流密度區域持續進行金析出。因此，溶液比重超過16°Be’或導電度超過70mS/cm時，不僅在需要部份，在不需要部份也會產生金析出。

在本發明硬質鍍金溶液中，從不會產生外觀不良且在不需要部份確實防止金析出的觀點來看，溶液比重較佳為5°Be’~10°Be’，且導電度較佳為28mS/cm~50mS/cm相比。

導電鹽：本發明硬質鍍金溶液中所使用的導電鹽，可使用一種或二種以上的有機氧化物或無機化合物。有機氧化物可擇自一個分子內含有一個以上羧基的化合物，具體來說，可擇自於蘋果酸、酒石酸、草酸、乳酸及其鹽類。無機化合物可擇自磷酸、硫酸、硼酸及其鹽類。藉由使用這些導電鹽，可安定硬質鍍金溶液的導電率，且容易調整溶液比重及導電度。

導電鹽在硬質鍍金溶液中較佳含有10g/L~200g/L的濃度。導電鹽的濃度未滿10g/L時，會使導電度低於10mS/cm。此外，鍍金溶液的溶液安定性降低會使得長期保存變得困難。另一方面，導電鹽的濃度超過200g/L時，導電度會超過70mS/cm。

此外，在本發明硬質鍍金溶液中，較佳導電鹽濃度為20g/L~100g/L。藉此，期望金析出的區域(高電流密度區 域)與不要析出的區域(低電流密度區域)的金析出效率有明顯地差異，且可穩定地獲得實際操作上必要的金析出速率。

錯化劑：本發明硬質鍍金溶液中，錯化劑在此硬質鍍金溶液中，與金或後述合金元素形成金屬複合物，此金屬複合物在溶液中被安定化，以增加溶液的安定性。此外，由上述可知，本發明硬質鍍金溶液的金離子供給原料，在一開始就使用錯化劑時，此錯化劑主要被用來形成合金元素的複合物。錯化劑較佳擇自於甲酸、蘋果酸、醋酸、馬來酸、琥珀酸、檸檬酸、甘氨酸、精氨酸及其鹽類中一種或二種以上。這些錯化劑容易使金及後述合金元素形成複合物。此外，這些錯化劑因為可作為硬質鍍金溶液的緩衝物，穩定pH值。錯化劑的添加量可考慮在硬質鍍金溶液中形成金屬複合物之金及合金元素的量來決定。

此外，本發明硬質鍍金溶液中，錯化劑的濃度較佳為1.0g/L~250g/L。錯化劑的濃度未滿1.0g/L時，硬質鍍金溶液中會變得難以含有金及合金元素複合物，破壞硬質鍍金溶液的溶液安定性，溶液壽命縮短。一方面，錯化劑濃度超過250g/L時，超過錯合使用量，因為作為緩衝劑的效果也已飽和，僅是浪費資源。

含關於金之合金元素的金屬鹽：本發明硬質鍍金溶液中，「含有關於金之合金元素的金屬鹽」為含有與金在電鍍膜中析出(共同析出)的金屬鹽，較佳由水溶性鈷鹽、鎳鹽及銀鹽中選擇一種或二種以上。藉此，確實含有合金元素、因具高硬度而具有良好耐摩性，可容易形成作為連接器等接點材料 使用之硬質鍍金膜。以下，列舉具體的金屬鹽。本發明所列舉的金屬鹽，具有優良的水溶性，不影響金的析出效率，且具有良好地與金共同析出的特性。

鈷鹽可使用硫酸鈷、氯化鈷、硝酸鈷、碳酸鈷、酞菁鈷、硬脂酸鈷、乙二胺4醋酸鈷鈉、環烷酸鈷、硼酸鈷、硫氰酸鈷、氨基磺酸鈷、醋酸鈷、檸檬酸鈷、氫氧化鈷、草酸鈷、磷酸鈷等。

鎳鹽可使用硫酸鎳、醋酸鎳、氯化鎳、硼酸鎳、安息香酸鎳、草酸鎳、環烷酸鎳、氧化鎳、磷酸鎳、硬脂酸鎳、酒石酸鎳、硫氰酸鈷、氨基磺酸鎳、碳酸鎳、檸檬酸鎳、甲酸鎳、氰化鎳、氫氧化鎳、碳酸鎳、辛酸鎳等。

銀鹽可使用氯化銀、氫氧化銀、碘化銀、硫化銀、磷酸銀、硝酸銀等。

本發明硬質鍍金溶液中，在單獨使用鈷鹽、鎳鹽及銀鹽，或組合複數個金屬鹽任一種時，金屬鹽整體含量較佳為0.025g/L~5g/L。金屬鹽整體的含量未滿0.025g/L時，鍍金膜的共同析出量下降，而無法獲得具有充分的硬度及耐摩性鍍金膜。此外，金屬鹽整體含量超過5g/L時，鍍金膜的共同析出量過剩，造成硬質鍍金膜的電阻上升，導致顏色顯著地改變。

金析出抑制劑：金析出抑制劑具有抑制金析出的效果，降低低電流密度區域的金析出效率。亦言之，在需要金析出的部份(高電流密度區域)維持金析出效率，且在不需要金析出的部份(低電流密度區域)抑制金析出。具體的金析出抑制劑，可使用過氧化氫、過硫酸鉀、過硫酸鈉、過硫酸氨、碘酸 鉀、碘酸氫鉀、碘酸鈉、亞硫酸鉀、亞硫酸氫鉀、亞硫酸鈉、亞硫酸氫鈉、亞硫酸氨及亞硫酸銨過氧化氫、過硫酸鹽、碘酸鹽、亞硫酸鹽等。以電鍍液安定性的觀點來看，較佳為過氧化氫。

本發明硬質鍍金溶液中金析出抑制劑的含量較佳為0.05g/L~50g/L。若金析出抑制劑的含量未滿0.05g/L，會使得低電流密度區域中的金析出效率變低。另一方面，若金析出抑制劑的含量超過50g/L，同樣地高電流密度區域中的金析出效率也會降低。

以下，以實施例對本發明進行說明，但不可用於限定本發明。

【實施例】

1.溶液比重及導電度的評估

首先，配製以下硬質鍍金溶液1~8(pH4.2)。檸檬酸作為錯化劑、導電鹽及緩衝劑，甲酸作為導電鹽及緩衝劑，檸檬酸鉀作為導電鹽，過氧化劑作為金析出抑制劑。藉由將檸檬酸的濃度在0g/L~90g/L的範圍內變化，檸檬酸鉀的濃度在0g/L~180g/L的範圍內變化，以調整溶液比重。

具體來說，硬質鍍金溶液1~8，首先將檸檬酸、檸檬酸鉀及甲酸溶於水中，接著加入並溶解硫酸鈷。接著，使用檸檬酸及作為pH調整劑的氫氧化鉀，將pH值調整至pH4.2，加入並溶解氰化亞金(I)鉀。最後，加入並溶解過氧化氫，以獲得硬質鍍金溶液。所獲得的硬質鍍金溶液在浸浴時的溶液比重(溶液溫度25℃)如表1所示。此外，硬質鍍金溶液8 為比較用溶液，其溶液比重在2°Be’~16°Be’的範圍以外。

此外，配製作為參考用溶液的硬質鍍金溶液9，同樣地，測定其溶液比重。硬質鍍金溶液9僅將14.5g/L氰化亞金(I)鉀及2.5g/L硫酸鈷(鈷0.5g/L)溶於純水中，不含有檸檬酸、甲酸、檸檬酸鉀及氫氧化鉀。

接著，將所獲得的硬質鍍金溶液1~9於浸浴溫度25℃下，測量導電度及動力黏度。結果如表1所示。

接著，對上述硬質鍍金溶液3、4、6、8進行哈氏 槽試驗。在哈氏槽試驗中，使用哈氏槽(Hull cell)試驗儀器(山本鍍金股份有限公司的試驗儀器)，將具有5μm鎳膜的乾淨銅板(縱向67mm x横向100mm x厚0.3mm)作為試驗片，以電流2A，電鍍時間1分鐘，攪拌速度1000rpm，浸浴溫度50℃的條件下進行試驗。結果如第1~3圖所示。

第1圖為電極間的距離及伴隨哈氏槽試驗所形成之鍍金膜厚度間的關係示意圖。第1圖顯示由陽極至陰極(乾淨銅板)的距離，距離小的區域為高電流密度區域，相當於需要電鍍部份，距離大的區域為低電流密度區域，相當於不需要電鍍部份。此外，雖然縱軸表示所獲得金膜的厚度，實質上代表析出速度。再者，第1(b)圖為第1(a)圖的部分放大圖。

第2圖為電流密度與鍍金膜厚度之間的關係示意圖。電流密度與陽極至陰極(乾淨銅板)間的距離存在依賴性。再者，第2(b)圖為第2(a)圖的部分放大圖。

第3圖為電極間與最大膜厚之間的關係示意圖。在此，最大膜厚係為陽極至陰極間距離為1cm部份的膜厚。再者，第3(b)圖為第3(a)圖的部分放大圖。

由表1可知，硬質鍍金溶液1~9中，若檸檬酸、檸檬酸鈉及甲酸的含量高，則明顯具有高的溶液比重。此外，硬質鍍金溶液1~9中，若溶液比重高，則明顯導電度增加，且動力黏度增加。再者，由第1圖及第2圖可知，若溶液比重低，則明顯高電流密度區域的析出速度增加，且低~中電流密度區域的析出速度降低，另一方面，若溶液比重高，則明顯高電流密度區域的析出速度降低，且低~中電流密度區域的析出 速度增加。

此外，參照第1圖及第2圖，當使用溶液比重為2~16°Be’範圍的硬質鍍金液液3、4、6時，距離陽極1cm的電流密度為10A/dm²部份(高電流密度區域)的膜厚為1.8μm以上。另一方面，當使用溶液比重為18.4°Be’(超過16°Be’)的硬質鍍金溶液8(比較用溶液)時，上述部份的膜厚為1.5μm。由此結果可知，硬質鍍金溶液3、4、6在高電流密度區域，即在需要電鍍的部分，金析出速度快速，明顯可對此部份以良好地效率進行金析出。此外，硬質鍍金溶液8(比較用溶液)，因為在高電流密度區域的金析出速度慢，所以為了使距離陽極1cm位置的膜厚為1.8μm以上，電鍍時間必須為1分鐘以上。電鍍時間增加時，可以預期在設定為低電流密度不需要電鍍的部份會進一步進行金析出。

另外，在使用硬質鍍金溶液3、4、6時，距離陽極9.5cm的地方，電流密度為0.1A/dm²的部份(低電流密度區域)的膜厚為0.15μm以下，當使用硬質鍍金溶液8(比較用溶液)時，上述部份的膜厚為0.2μm。由此結果可知，與硬質鍍金液液8(比較用溶液)相比，硬質鍍金液液3、4、6可明顯抑制設定為低電流密度之不需要電鍍部份的金析出。

再者，由第3圖可知，與硬質鍍金溶液8(比較用溶液)相比，在使用硬質鍍金溶液3、4、6時，特別在低電流密度區域中，相對於最大膜厚(高電流密度區域)的相對膜厚較小。例如，相較於在使用硬質鍍金溶液3、4、6時，距離陽極7cm的電流密度為約1.3A/dm²的地方(低電流密度區域)，其 相對膜厚為7%以下，在使用硬質鍍金溶液8(比較用溶液)時，上述部份的相對膜厚為12%以上。另外，相較於在使用硬質鍍金液液3、4、6時，距離陽極9.5cm的電流密度為約0.1A/dm²的地方(低電流密度區域)，其相對膜厚為0.8%以下，在使用硬質鍍金液液8(比較用溶液)時，上述部份的相對膜厚為1.3%。由此結果可知，與硬質鍍金溶液8(比較用溶液)相比，硬質鍍金溶液3、4、6明顯可確保需要電鍍部份的膜厚，且抑制在不需要電鍍部份的金析出。

2.析出選擇性的評估

首先，配製以下硬質鍍金溶液10、11(pH4.2)。藉由將檸檬酸的濃度在40g/L~90g/L範圍內進行變化，檸檬酸鉀的濃度在80g/L~180g/L範圍內進行變化，以調整溶液比重。各硬質鍍金溶液的溶液比重如表2所示。

接著，使用具有5μm鎳膜的乾淨銅板作為試驗片，在使用上述硬質鍍金溶液進行部份電鍍時，調查在不需要部份發生的金析出程度。

首先，準備由厚度3mm矽橡膠所構成的評估用遮罩，以及由厚度1mm矽橡膠所構成的電鍍用遮罩。在評估用 遮罩上形成直徑10mm的第1圓孔部及與此圓孔部連通的方孔部。方孔部為長20mm x寬5mm，此長度方向與第1圓孔部的徑向相同，且長度方向的一端與第1圓孔部連通。此外，在電鍍用遮罩上僅形成直徑10mm的第2圓孔部。接著，在試驗片的鎳膜上依序緊密貼合評估用遮罩及電鍍用遮罩。此時，將第1圖孔及第2圓孔連通。

接著，在緊密貼合評估用遮罩及電鍍用遮罩的試驗片上，使用硬質鍍金溶液，利用噴射進行電鍍處理，在鍍鎳膜上形成硬質鍍金。所獲得的硬質鍍金膜，利用評估用遮罩的形狀，與第1圓形部及與圓形部連通的矩形部形成鎖孔形狀。電鍍處理時，浸浴溫度為50℃，電流密度為50A/dm²。預先測定第1圓形區域鍍金膜厚達0.2μm所需時間，並以與此相同的時間作為電鍍處理時間。電鍍處理時，面對試驗片第1圓孔部的區域，鍍鎳膜上沒有電鍍用遮罩，會被硬質鍍金溶液直接噴射，變為高電流密度區域，此外，面對試驗片方孔部的區域，因鍍鎳膜上存在有電鍍用遮罩，不會被硬質鍍金溶液直接噴射，形成相較於面對第1圓孔部區域低的低電流密度區域。因此，在進行電鍍時，面對試驗片第1圓孔部的區域為需要電鍍的部份，面對試驗片方孔的區域為不需要電鍍的部份，在面對方孔的區域上形成硬質鍍金膜為理想狀態。

接著，關於所獲得鎖孔形狀的硬質鍍金膜，在圓形部上與矩形部連通位置的反側，圓形部的前端，測量由圓形部前端至矩形部末端每2mm的膜厚。結果如第4圖所示。此外，依據圓形部的整體平均厚度，即距離圓形部前端10mm以 下區域的平均膜厚，計算出析出速度。結果如表2所示。

在第4圖中，横軸表示離圓形部前端的距離。横軸0~10mm區域為需要電鍍的部份，横軸10~30mm的區域為不需要電鍍的部份。

由第4圖可知，硬質鍍金溶液10、11在不需要電鍍部份的横軸10~30mm區域中，皆形成硬質鍍金。然而，與硬質鍍金溶液11相比，硬質鍍金溶液10在横軸10~30mm區域中的膜厚整體上較小。特別是，膜厚為約0μm時，硬質鍍金溶液10對應至横軸超過18μm的區域，而硬質鍍金溶液11對應至横軸超過24μm的區域。由此可知，與溶液比重18.4°Be’的硬質鍍金溶液11相比，溶液比重10.0°Be’的硬質鍍金溶液10具有在不需要電鍍部份抑制金析出的良好效果。

此外，如表2所示，與溶液比重較大的硬質鍍金溶液11相較，明顯地硬質鍍金溶液10的析出速度較大。因此，與硬質鍍金溶液11相比，硬質鍍金溶液10在需要電鍍部份的圓形部中可在短時間獲得所欲的厚度。此外，比起硬質鍍金溶液10，硬質鍍金溶液11要在圓形部上形成所欲厚度需要更增加電鍍時間，當電鍍時間增加時，不需要電鍍部份之矩形部的膜厚會進一步增加。也就是說，在不需要電鍍部份的金析出會 進一步增加。

【產業利用性】

藉由以上說明，若使用本發明硬質鍍金溶液，不會發生不良的外觀，僅在需要的部份進行金析出，在不需要的部份確實地抑制金析出。因此，利用本發明硬質鍍金溶液對連接器等電子產品的端子進行部份電鍍，在焊接處理時，可抑制在不需要部份發生焊料上爬，且減少昂貴金材料的浪費，抑制成本增加。

Claims (8)

1. 一種電解用硬質鍍金溶液，包括金離子供給原料、導電鹽、錯化劑、含有關於金之合金元素的金屬鹽以及金析出控制劑，其中該金離子供給原料以金換算含有0.5g/L~14g/L，溶液溫度為25℃時，溶液比重為2°Be’~16°Be’，溶液溫度為25℃時，導電度為10mS/cm~70mS/cm。
2. 如申請專利範圍第1項所述之硬質鍍金溶液，其中該溶液比重為5°Be’~10°Be’。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之硬質鍍金溶液，其中該導電度為28mS/cm~50mS/cm。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之硬質鍍金溶液，其中該含有關於金之合金元素的金屬鹽係擇自於由鈷鹽、鎳鹽、銀鹽所組成之群組中一種或二種以上。
5. 如申請專利範圍第4項所述之硬質鍍金溶液，其中該鈷鹽以鈷換算含有0.025g/L~5g/L。
6. 如申請專利範圍第4或5項所述之硬質鍍金溶液，其中該鎳鹽以鎳換算含有0.025g/L~5g/L。
7. 如申請專利範圍第4至6項中任一項所述之硬質鍍金溶液，其中該銀鹽以銀換算含有0.025g/L~5g/L。
8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之硬質鍍金溶液，其中該金析出控制劑為濃度0.05g/L~50g/L的過氧化氫。