TW201728763A - 濺鍍靶材及濺鍍靶材之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的濺鍍靶材，係具有以45原子%以上、90原子%以下的範圍含有In，且其餘部分由Cu及不可避免的雜質所成的組成，存在In單相與Cu11In9化合物相，使前述In單相及前述Cu11In9化合物相的XRD的峰值比I(In)/I(Cu11In9)為0.01以上、3以下的範圍內，使前述Cu11In9化合物相的平均粒徑為150μm以下，使氧量為500質量ppm以下，使理論密度比為85%以上。

Description

濺鍍靶材及濺鍍靶材之製造方法
本發明，係有關形成In-Cu合金的薄膜時所使用的濺鍍靶材、及此濺鍍靶材之製造方法。
本案，係基於在2015年10月26日於日本申請的特願2015-210173號、及在2016年10月18日於日本申請的特願2016-204630號而主張優先權，於此援用該等內容。
歷來，由化合物半導體所成的薄膜太陽能電池方面，廣為提供具備由Cu-In-Ga-Se系合金薄膜所成的光吸收層的CIGS系太陽能電池。於此，形成由Cu-In-Ga-Se系合金薄膜所成的光吸收層的方法方面，已知透過蒸鍍法而成膜的方法。具備透過蒸鍍法而成膜的光吸收層的太陽能電池，係雖具有能量交換效率高等優點，惟存在成膜速度慢、生產效率低等問題。
所以，形成由Cu-In-Ga-Se系合金薄膜所成的光吸收層的方法方面，已提供一種方法，形成包含In、 Cu、Ga的薄膜或包含此等元素的薄膜的積層膜，對此薄膜或積層膜在Se環境中進行熱處理而硒化。形成包含In、Cu、Ga的薄膜或包含此等元素的薄膜的積層膜時，係應用採用含有各元素的濺鍍靶材下的濺鍍法。
於此，於專利文獻1，係提出包含0.5~7.5at%的Cu的銦靶材。
於專利文獻2，係提出包含30~80原子%的Cu的In-Cu合金濺鍍靶材。
於專利文獻3，係提出具有銅及銦的濺鍍靶材。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本專利特開2012-052190號公報
[專利文獻2]日本專利特開2012-079997號公報
[專利文獻3]日本專利特表2014-503687號公報
然而，記載於專利文獻1的銦靶材方面，係Cu的含有量少，存在多的In單相。銦，係非常柔軟，故切削加工時，加工屑會附著於靶材表面。為此，需要在切削時供應多量的切削油，或需要減慢加工速度。
然而，供應多量的切削油的情況下，係切削油成分恐作為雜質而混入所形成的膜。為了除去切削油而追加洗淨 程序的情況下，係程序增加，生產成本會增大。此外，減慢加工速度的情況下，係具有生產效率會降低等問題。
此外，在專利文獻1，係將作為原料的銦及銅進行熔化的溫度相較下低至260~320℃，故Cu的一部分熔剩而成為異相，在濺鍍時容易發生異常放電。為此，無法使Cu的添加量增加。
此外，如示於專利文獻2，予以含有30~80原子%的Cu的情況下，係壓延加工變困難，故上述的In-Cu合金濺鍍靶材係透過粉末燒結法而製造。於此，要抑制濺鍍時的異常放電，係需要將濺鍍靶材的晶粒度進行微細化。然而，將使用於燒結的原料粉末進行微細化的情況下，靶材中的氧量會上升，存在異常放電容易發生等問題。
再者，於專利文獻3，係以與Cu及In一起含有Ga者作為對象，Cu的含有量亦多。為此，延性不充分，在加工時恐發生破損等，生產效率非常差。
此發明，係鑒於前述的情事而創作者，目的在於提供一種濺鍍靶材及此濺鍍靶材之製造方法，該濺鍍靶材係由In-Cu合金而成，加工性方面優異，同時可抑制濺鍍時的異常放電的發生。
為了解決上述課題，是本發明的一態樣的濺鍍靶材，係具有以45原子%以上、90原子%以下的範圍 含有In，且其餘部分由Cu及不可避免的雜質所成的組成，存在In單相與Cu11In9化合物相，使前述In單相及前述Cu11In9化合物相的XRD的峰值比I(In)/I(Cu11In9)為0.01以上、3以下的範圍內，使前述Cu11In9化合物相的平均粒徑為150μm以下，使氧量為500質量ppm以下，使理論密度比為85%以上。
依上述的構成的濺鍍靶材時，具有以45原子%以上、90原子%以下的範圍含有In，且其餘部分由Cu及不可避免的雜質所成的組成，存在In單相與比In單相硬的Cu11In9化合物相，故Cu11In9化合物相成為破壞的起點，切削加工性大幅提升。此外，使前述In單相及前述Cu11In9化合物相的XRD的峰值比I(In)/I(Cu11In9)為0.01以上、3以下的範圍內，故平衡佳地存在延性方面優異的In單相與成為破壞的起點的Cu11In9化合物相，可抑制加工時的破損、缺損等的發生，同時使得可使切削加工性確實提升。
再者，是本發明的一態樣的濺鍍靶材方面，係使前述Cu11In9化合物相的平均粒徑為150μm以下，故可抑制在切削加工時的切削的發生，同時可抑制切削痕所致的異常放電的發生。
此外，是本發明的一態樣的濺鍍靶材方面，係使氧量為500質量ppm以下，使理論密度比為85%以上，故可抑制濺鍍時的異常放電的發生，變得可穩定進行成膜。
於此，是本發明的一態樣的濺鍍靶材方面， 係優選上使前述In單相的平均粒徑為1mm以下。
此情況下，使In單相的平均粒徑相較下微細至1mm以下，故由於濺鍍使得靶材面被消耗的情況下，仍可抑制靶材面的凹凸，可抑制濺鍍時的異常放電的發生。
此外，是本發明的一態樣的濺鍍靶材方面，係優選上進一步含有NaF、NaCl、Na2S、Na2Se之中的1種或2種以上作為Na化合物，使此Na化合物的平均粒徑為10μm以下。
此情況下，含有上述的Na化合物，故可形成含有是鹼金屬的Na的薄膜。此外，使Na化合物的平均粒徑為10μm以下，故可抑制濺鍍時的異常放電的發生。
再者，是本發明的一態樣的濺鍍靶材方面，係優選上進一步含有KF、KCl、K2S、K2Se之中的1種或2種作為K化合物，使此K化合物的平均粒徑為10μm以下。
此情況下，含有上述的K化合物，故可形成含有是鹼金屬的K的薄膜。此外，使K化合物的平均粒徑為10μm以下，故可抑制濺鍍時的異常放電的發生。
於此，具有Cu-In-Ga-Se系合金薄膜作為光吸收層的太陽能電池中，在Cu-In-Ga-Se系合金薄膜添加鹼金屬時，轉換效率會提升。所以，如上所述，包含是鹼金屬的Na的Na化合物、或含有包含是鹼金屬的K的K化合物的濺鍍靶材，而形成Cu-In-Ga-Se系合金薄膜，使得可製造轉換效率方面優異的太陽能電池。
是本發明的一態樣的濺鍍靶材之製造方法，係上述的濺鍍靶材之製造方法，具備：In-Cu合金粉準備程序，其係透過噴射溫度700℃以上、900℃以下的氣體霧化，從而準備In-Cu合金粉，該In-Cu合金粉係具有以45原子%以上、90原子%以下的範圍含有In，且其餘部分由Cu及不可避免的雜質所成的組成，存在In單相與Cu11In9化合物相，使前述In單相及前述Cu11In9化合物相的XRD的峰值比I(In)/I(Cu11In9)為0.01以上、3以下的範圍內，氧濃度為500質量ppm以下，使平均粒徑為125μm以下；和燒結程序，其係將包含前述In-Cu合金粉的原料粉末進行燒結。
依此構成的濺鍍靶材之製造方法時，使用具有上述的組成，存在In單相與Cu11In9化合物相，使前述In單相及前述Cu11In9化合物相的XRD的峰值比I(In)/I(Cu11In9)為0.01以上、3以下的範圍內，使平均粒徑為125μm以下的In-Cu合金粉，故可製造上述的本發明的濺鍍靶材。
此外，是本發明的一態樣的濺鍍靶材之製造方法，係上述的濺鍍靶材之製造方法，具備：原料混合程序，其係秤量Cu原料與In原料，而使得具有以45原子%以上、90原子%以下的範圍含有In，且其餘部分由Cu及不可避免的雜質所成的組成；熔化程序，其係將前述Cu原料及In原料加熱至1100℃以上進行熔化而形成熔融金屬；和鑄造程序，其係將前述熔融金屬澆注於鑄模，以 10℃/min以上的冷卻速度冷卻至50℃以下。
依此構成的濺鍍靶材之製造方法時，具備將Cu原料及In原料加熱至1100℃以上的熔化程序，故可將Cu原料完全熔化。此外，具備以10℃/min以上的冷卻速度冷卻至50℃以下的鑄造程序，故結晶組織變微細，變得可使Cu11In9化合物相的平均粒徑為150μm以下。此外，可平衡佳地形成In單相及Cu11In9化合物相，可製造上述的本發明的濺鍍靶材。
依本發明時，可提供一種濺鍍靶材及此濺鍍靶材之製造方法，該濺鍍靶材係由In-Cu合金而成，加工性方面優異，同時可抑制濺鍍時的異常放電的發生。
S11‧‧‧原料混合程序
S12‧‧‧熔化程序
S13‧‧‧鑄造程序
S21‧‧‧In-Cu合金粉準備程序
S22‧‧‧燒結程序
[圖1]本發明的一實施形態相關的濺鍍靶材的組織觀察照片的一例。圖1(a)係反射電子組成影像，圖1(b)係Cu的元素映射影像，圖1(c)係In的元素映射影像。
[圖2]本發明的一實施形態相關的濺鍍靶材的XRD結果的一例。
[圖3]針對本發明的一實施形態相關的濺鍍靶材之製造方法(熔化鑄造法)進行繪示的流程圖。
[圖4]針對本發明的一實施形態相關的濺鍍靶材之製造方法(粉末燒結法)進行繪示的流程圖。
於以下，針對是本發明的實施形態的濺鍍靶材及濺鍍靶材之製造方法，參照附圖進行說明。
本實施形態相關的濺鍍靶材，係具有：以45原子%以上、90原子%以下的範圍含有In，其餘部分由Cu及不可避免的雜質所成的組成。再者，氧量被限制為500質量ppm以下。
於本實施形態相關的濺鍍靶材，係使理論密度比(與從上述的組成比所算出的理論密度相對的相對密度)為85%以上。
於本實施形態相關的濺鍍靶材，係如示於圖1及圖2，存在In單相、Cu11In9化合物相。並且，如示於圖2，使In單相及Cu11In9化合物相的XRD的峰值比I(In)/I(Cu11In9)(以下，有時將In單相及Cu11In9化合物相的XRD的峰值比I(In)/I(Cu11In9)記載為In單相的存在比)為0.01以上、3以下的範圍內。
於此，使Cu11In9化合物相的平均粒徑為150μm以下，使In單相的平均粒徑為1mm以下。
此外，於本實施形態，係進一步含有NaF、NaCl、Na2S、Na2Se之中的1種或2種以上作為Na化合物，亦可使此Na化合物的平均粒徑為10μm以下。
此外，進一步含有KF、KCl、K2S、K2Se之中的1種或2種作為K化合物，亦可使此K化合物的平均粒徑為10μm以下。
於以下，是本實施形態的濺鍍靶材方面，針對In的含有量、In單相與Cu11In9化合物相的XRD峰值比、Cu11In9化合物相的粒徑、In單相的粒徑、氧量、理論密度比、Na化合物及K化合物，說明有關如上述般規定的理由。
(In：45原子%以上、90原子%以下)
透過在In添加Cu，使得形成比In硬的Cu11In9化合物相，可使切削加工性大幅提升。此外，變得可使晶粒度微細化。
於此，In的含有量不足45原子%時，In單相變少，恐難以提高靶材的密度。另一方面，In的含有量超過90原子%時，無法充分形成Cu11In9化合物相，恐無法使切削加工性提升。
由於如此的理由，於本實施形態，係將In的含有量設定於45原子%以上、90原子%以下的範圍內。
另外，透過使In的含有量為70原子%以上，使得可進行壓延加工，故可使濺鍍靶材的生產效率大幅提升。In的含有量，係雖設定為55原子%以上、80原子%以下的範圍內為優選，設定為60原子%以上、70原子%以下的範圍內更優選，惟不限定於此。
(In單相及Cu11In9化合物相的XRD的峰值比I(In)/I(Cu11In9)：0.01以上、3以下)
上述的I(In)/I(Cu11In9)不足0.01的情況下，係延性方面優異的In單相的比例變少，加工時恐發生破損、缺損等。另一方面，I(In)/I(Cu11In9)超過3的情況下，係Cu11In9化合物相的比例變少，恐無法使切削加工性充分提升。
由於如此的理由，於本實施形態，係將In單相及Cu11In9化合物相的XRD的峰值比I(In)/I(Cu11In9)設定為0.01以上、3以下的範圍內。In單相及Cu11In9化合物相的XRD的峰值比I(In)/I(Cu11In9)，係雖設定為0.1以上、2.5以下的範圍內為優選，設定為0.5以上、2以下的範圍內更優選，惟不限定於此。
於本實施形態，係使I(Cu11In9)為歸屬於Cu11In9(DB卡01-065-4963)的(313)面的峰值強度。
此外，使I(In)為歸屬於In(DB卡01-074-6393)的(110)面的峰值強度。另外，In的主峰值雖為(101)，惟與Cu11In9的(310)的峰值重疊，故於I(In)的算出係使用(110)面。
(Cu11In9化合物相的平均粒徑：150μm以下)
如上所述，由於存在Cu11In9化合物相，使得切削加工性提升。然而，此Cu11In9化合物相的平均粒徑超過 150μm而變粗大時，在切削加工時成為碎屑的原因。此外，恐由於此切削痕而在濺鍍時發生異常放電。
由於如此的理由，於本實施形態，係將Cu11In9化合物相的平均粒徑限制為150μm以下。
另外，要確實抑制切削的發生，係使Cu11In9化合物相的平均粒徑為100μm以下為優選。此外，Cu11In9化合物相的平均粒徑的下限方面雖無特別限制，惟要確實使切削加工性提升，係採1μm以上為優選。Cu11In9化合物相的平均粒徑，係雖採30μm以下更優選，惟不限定於此。
(In單相的平均粒徑：1mm以下)
如上所述，酌情添加Cu，使得即使以熔化鑄造法而製造的情況下，In單相的粒徑仍被微細化。此外，以粉末燒結法而製造的情況下，係使粉末原料的粒徑為1mm以下即可。
於此，將In單相的平均粒徑限制為1mm以下，使得可抑制異常放電的發生。
另外，要確實抑制異常放電的發生，係使In單相的平均粒徑為5μm以下為優選。此外，In單相的平均粒徑的下限方面雖無特別限制，惟採0.010μm以上為優選。
(氧量：500質量ppm以下)
濺鍍靶材中的氧量超過500質量ppm時，由於存在於靶材組織中的氧化物而容易發生異常放電、結塊等。為 此，在本實施形態，係將濺鍍靶材中的氧量限制為500質量ppm以下。另外，於粉末燒結法，將粉末原料的粒徑進行微細化時比表面積會增加，原料粉末中的氧量有增加的傾向，故要減低濺鍍靶材中的氧量，係需要如後述般規定粉末原料的製作條件。濺鍍靶材中的氧量的下限方面雖無特別限制，惟採10質量ppm以上為優選。濺鍍靶材中的氧量，係雖採300質量ppm以下為優選，150質量ppm以下更優選，惟不限定於此。
(理論密度比：85%以上)
濺鍍靶材的理論密度比不足85%不足時，變成存在多的空隙，在濺鍍時恐容易發生異常放電。所以，於本實施形態，係將理論密度比規定為85%以上。
另外，理論密度，係依Cu/In比而變動。為此，於本實施形態，係使下者為「理論密度」：熔製該Cu/In比的熔融金屬，並將此鑄造而慢冷卻(冷卻速度5℃/min以下)從而獲得的無缺陷的鑄塊(10cm×10cm×10cm)的密度。
(Na化合物及K化合物：平均粒徑10μm以下)
於濺鍍靶材，予以含有Na化合物或K化合物，使得可在所成膜的In膜中予以含有鹼金屬。於此，具有Cu-In-Ga-Se系合金薄膜作為光吸收層的太陽能電池方面，係透過在Cu-In-Ga-Se系合金薄膜添加鹼金屬，而使得轉換 效率大幅提升。為此，在是本實施形態的濺鍍靶材，予以含有Na化合物或K化合物亦可。另外，有關Na化合物及K化合物的含有量，係Na、K成分方面分別採0.1原子%以上、10原子%以下的範圍內為優選。不足0.1原子%的情況下係變得難以獲得因添加所致的轉換效率的提升效果，超過10原子%的情況下係頻繁發生因Na化合物或K化合物而起的異常放電，濺鍍恐困難。Na化合物及K化合物的含有量，係雖Na、K成分方面分別採0.2原子%以上、3原子%以下的範圍內為優選，惟不限定於此。
於此，Na化合物或K化合物的平均粒徑超過10μm時，恐在濺鍍時容易發生異常放電。為此，在本實施形態，予以含有Na化合物及K化合物的情況下，係將此等平均粒徑限制為10μm以下。Na化合物或K化合物的平均粒徑的下限雖無特別限制，惟採1μm以上為優選。Na化合物或K化合物的平均粒徑，係雖採5μm以下為優選，惟不限定於此。
接著，說明有關本實施形態相關的濺鍍靶材之製造方法。是本實施形態的濺鍍靶材，係可透過粉末燒結法而製造。此外，In的含有量為70原子%以下時，亦可透過熔化鑄造法而製造。
於以下，針對透過熔化鑄造法及粉末燒結法下的製造方法，參照圖3及圖4的流程圖進行說明。
<熔化鑄造法>
首先，如示於圖3，準備Cu原料與In原料，秤量Cu原料與In原料，而使得具有以45原子%以上、90原子%以下的範圍含有In，且其餘部分由Cu及不可避免的雜質所成的組成(原料混合程序S11)。
接著，將所秤量的Cu原料及In原料，使用真空熔化爐等進行熔化(熔化程序S12)。
於此，使熔化溫度不足1100℃的情況下，係Cu原料不會完全熔化，靶材組織中的Cu11In9化合物相的粒徑變大，變得容易發生異常放電。為此，在本實施形態，係將熔化溫度設定為1100℃以上。此外，熔化，係在真空中或惰性氣體環境中進行。在真空中進行的情況下，係使真空度為10Pa以下為優選。在惰性氣體環境中進行的情況下，係進行真空置換，使此時的真空度為10Pa以下為優選。透過如此規定真空度，使得可使鑄塊中的氧量減低。熔化溫度，係設定為1100℃以上、1300℃以下為優選，設定為1150℃以上、1200℃以下更優選，惟不限定於此。
接著，將所獲得的熔融金屬，澆注於鑄模而進行鑄造(鑄造程序S13)。在鑄造程序S13，係將熔融金屬以10℃/min以上的冷卻速度冷卻至50℃以下。
於此，鑄造時的冷卻速度不足10℃/min的情況下，係Cu11In9化合物相未被充分分散，加工性恐不會提升。此外，Cu11In9化合物相會粗化，成為異常放電的原因。為此，在本實施形態，係將鑄造時的冷卻速度設定為 10℃/min以上。此外，澆鑄時，為了防止縮孔的發生所致的密度的降低，在澆鑄後進行冒口。鑄造時的冷卻速度，係設定為10℃/min以上、30℃/min以下為優選，設定為15℃/min以上、20℃/min以下更優選，惟不限定於此。
對於如此所獲得的鑄塊，進行熱間壓延、車床加工、銑削加工等(機械加工程序S14)。藉此，獲得既定形狀的濺鍍靶材。
<粉末燒結法>
首先，如示於圖4，準備一種In-Cu合金粉，具有以45原子%以上、90原子%以下的範圍含有In，且其餘部分由Cu及不可避免的雜質所成的組成，存在In單相與Cu11In9化合物相，使前述In單相及前述Cu11In9化合物相的XRD的峰值比I(In)/I(Cu11In9)為0.01以上、3以下的範圍內，使平均粒徑為125μm以下(In-Cu合金粉準備程序S21)。
於此In-Cu合金粉準備程序S21，係首先，準備Cu原料與In原料，混合成為上述的組成而熔化後，透過氣體霧化法進行粉狀化，使用孔徑125μm的篩進行分級，從而獲得上述的In-Cu合金粉。
另外，針對所獲得的In-Cu合金粉，係確認In單相及Cu11In9化合物相的XRD的峰值比I(In)/I(Cu11In9)成為0.01以上、3以下的範圍內。
在氣體霧化的條件方面，係使Ar置換時的極限真空度為10Pa以下，使熔化時的溫度為1100℃以上、1200℃以下，使噴射溫度為700℃以上、900℃以下，使噴射氣壓為15gf/cm2以上、40kgf/cm2以下，使噴嘴徑為0.5mm以上、3mm以下。
於此，氣體霧化的噴射溫度不足700℃的情況下，Cu11In9化合物相的生成的比例會增加，In的生成量恐降低。為此，In的含有量相較下少至45~55原子%的情況下，係特別需要注意。此外，霧化時坩堝容易閉塞。另一方面，噴射溫度超過900℃時，所獲得的原料粉末的In的比例變比從In-Cu狀態圖得到的比例多，Cu11In9化合物相不足，切削加工性恐不會提升。此外，霧化時粉附著於腔室內，粉的產率恐降低。根據以上，在本實施形態，係設定為氣體霧化的噴射溫度700~900℃的範圍內。氣體霧化的噴射溫度，係設定為750~850℃的範圍內為優選，設定為750~800℃的範圍內更優選，惟不限定於此。
此外，使Ar置換時的極限真空度為10Pa以下，使得可使所製造的In-Cu合金粉中的氧量成為500質量ppm以下。Ar置換時的極限真空度，係採0.1Pa以上、5Pa以下為優選，採0.5Pa以上、1Pa以下更優選，惟不限定於此。
另外，將所獲得的粉以125μm以下的篩進行分級。In-Cu合金粉的平均粒徑，係採5μm以上、50μm以下為優選，採20μm以上、30μm以下更優選，惟不限定於 此。
接著，將所獲得的In-Cu合金粉填充於模具內，進行加壓燒結(燒結程序S22)。於此燒結程序S22，係使加熱溫度為比In的熔點低10~40℃的溫度，使壓力為200~1000kg/cm2，使保持時間為1~3小時。此外，使燒結時的環境氣體為10Pa以下的真空中或Ar等的惰性氣體中，使得可防止原料粉的氧化，於燒結體亦可控制氧濃度為500質量ppm以下。另外在惰性氣體環境進行的情況下，係將惰性氣體透過真空置換而導入。此時的極限真空度係採10Pa以下。再者由於使用被分級為125μm以下的原料粉，故於燒結體亦變得可獲得平均粒徑為150μm以下的燒結體。透過以上的條件使得可獲得理論密度比為85%以上的燒結體。
對於如此所獲得的燒結體，進行車床加工、銑削加工等(機械加工程序S23)。藉此，獲得既定形狀的濺鍍靶材。
作成如以上的構成的本實施形態相關的濺鍍靶材時，具有以45原子%以上、90原子%以下的範圍含有In，且其餘部分由Cu及不可避免的雜質所成的組成，具有比In單相硬的Cu11In9化合物相，故在切削加工時Cu11In9化合物相成為破壞的起點，使得可使切削加工性大幅提升。
此外，於本實施形態，係使In單相及Cu11In9化合物相的XRD的峰值比I(In)/I(Cu11In9)為0.01以上， 故充分存在In單相而確保延性，故可抑制在加工時的破損等的發生。此外，使I(In)/I(Cu11In9)為3以下的範圍內，故充分存在Cu11In9化合物相，可使切削加工性確實提升。
再者，於本實施形態，係使Cu11In9化合物相的平均粒徑為150μm以下，故可抑制在切削加工時的切削的發生，同時可抑制切削痕所致的異常放電的發生。
此外，於本實施形態，係使氧量為500質量ppm以下，使理論密度比為85%以上，故可抑制濺鍍時的異常放電的發生，變得可穩定進行成膜。
再者，於本實施形態，係使In單相的平均粒徑相較下微細至1mm以下，故由於濺鍍的進行使得靶材面被消耗的情況下，仍可抑制靶材面的凹凸，抑制異常放電的發生。
此外，於本實施形態，進一步含有NaF、NaCl、Na2S、Na2Se之中的1種或2種以上作為Na化合物，使此Na化合物的平均粒徑為10μm以下的情況下，或含有KF、KCl、K2S、K2Se之中的1種或2種作為K化合物，使此k化合物的平均粒徑為10μm以下的情況下，係可形成含鹼金屬的In膜。使用此In膜而形成Cu-In-Ga-Se系合金薄膜，使得可使CIGS系太陽能電池的轉換效率提升。
再者，Na化合物及K化合物的平均粒徑被限制為10μm以下，故可抑制濺鍍時的異常放電的發生。
此外，依採用熔化鑄造法的是本實施形態的濺鍍靶材之製造方法時，具備加熱至1100℃以上的熔化程序S12，故可將Cu原料完全熔化。此外，具備將熔融金屬以10℃/min以上的冷卻速度冷卻至50℃以下的鑄造程序S13，故結晶組織變微細，變得可使Cu11In9化合物相的平均粒徑為150μm以下。此外，透過此等熔化程序S12及鑄造程序S13，使得可使In單相及Cu11In9化合物相的XRD的峰值比I(In)/I(Cu11In9)為0.01以上、3以下的範圍內。
再者，依採粉末燒結法的是本實施形態的濺鍍靶材之製造方法時，具備In-Cu合金粉準備程序S21，準備一種In-Cu合金粉，其係具有以45原子%以上、90原子%以下的範圍含有In，且其餘部分由Cu及不可避免的雜質所成的組成，存在In單相與Cu11In9化合物相，使前述In單相及前述Cu11In9化合物相的XRD的峰值比I(In)/I(Cu11In9)為0.01以上、3以下的範圍內，使平均粒徑為125μm以下。於此In-Cu合金粉準備程序S21，係應用氣體霧化法，將氣體霧化的噴射溫度設定為700~900℃的範圍內，故可獲得平衡佳地含有In單相與Cu11In9化合物相的In-Cu合金粉。
並且，具備將此In-Cu合金粉填充於模具內，並進行加壓燒結的燒結程序S22，故可製造是上述的本實施形態的濺鍍靶材。
以上，雖說明有關本發明之實施形態，惟本 發明非限定於此，不脫離該發明之技術思想的範圍下可酌情變更。
例如，在本實施形態，係雖以使In單相的平均粒徑為1mm以下者進行說明，惟不限定於此。
〔實施例〕
於以下，說明有關針對本發明相關的濺鍍靶材及濺鍍靶材之製造方法的作用效果進行評價後的評價試驗的結果。
<本發明例1~19及比較例1~8>
透過粉末燒結法而製造本發明例1~19及比較例1~8相關的評價用的濺鍍靶材。
準備純度99.99mass%以上的Cu金屬塊、和純度99.99mass%以上的In金屬塊。將此等原料，以示於表1的配比進行秤量而使整體重量成為1200g。將所秤量的原料，填充於碳坩堝而熔化後，透過在實施形態所記載的條件的氣體霧化法，從而製作In-Cu合金粉。另外，比較例4以外的霧化時的噴嘴徑係採1.5mm。
將所獲得的In-Cu合金粉、Cu粉，依所需將鹼金屬化合物粉，以示於表1的配比而使用搖擺式混合機進行混合。
並且，對此混合粉，以示於表2的條件進行加壓燒結。將所獲得的燒結體，使用車床與銑床而加工為126mm ×178mm×6mmt尺寸的濺鍍靶材。
在比較例3、4、5、6、7，係從上述的製造方法變更以下的條件。在比較例3，係使霧化時的噴射溫度為680℃。在比較例4，係使霧化時的噴嘴徑為3mm，於霧化後的篩選使用1000μm的篩。在比較例5，係使霧化時的極限真空度為100Pa。在比較例6、7，係於In-Cu合金粉準備程序，使用平均粒徑50μm的鹼金屬化合物粉作為原料，以搖擺式混合機85rpm、30分鐘，進行原料的混合。
<本發明例20、21及比較例9~11>
透過熔化鑄造法而製造本發明例20、21及比較例9~11相關的評價用的濺鍍靶材。
準備純度99.99mass%以上的Cu金屬塊、和純度99.99mass%以上的In金屬塊。以示於表3的配比進行秤量而使整體重量成為3500g。
將所秤量的原料，填充於碳坩堝，而以示於表3的環境氣體及溫度、保持時間進行熔化後，澆鑄於170mm×220mm×11mmt的模具，同時為了防止縮孔的生成而酌情加入熔融金屬。之後，以示於表3的冷卻速度冷卻至50℃。
將獲得的錠，使用車床與銑床而加工為126mm×178mm×6mmt尺寸的濺鍍靶材。
(In單相存在比)
首先，採以下方式而求出In-Cu合金粉及濺鍍靶材的In單相及Cu11In9化合物相的XRD的峰值比I(In)/I(Cu11In9)。
有關In-Cu合金粉，係不對所獲得的In-Cu合金粉進行加工而直接用作為測定樣品。有關濺鍍靶材，係提取碎片，以SiC-Paper(grit 1000)進行濕式研磨，乾燥後，作為測定樣品。並且，透過以下的條件進行測定。
裝置：理學電機公司製(RINT-Ultima/PC)
球管：Cu
管電壓：40kV
管電流：40mA
掃描範圍(2θ)：10°~80°
狹縫尺寸：發散(DS)2/3度、散射(SS)2/3度、光接收(RS)0.8mm
測定步距：2θ下0.02度
掃描速度：每分鐘2度
樣品台旋轉速度：30rpm
從在透過以上的條件而取得的繞射圖案(圖2參照)中的歸屬於In單相的(110)面的峰值強度與歸屬於Cu11In9化合物相的(313)面的峰值強度，以下述的計算式求出In單相的存在比。將In-Cu合金粉的測定結果示於表1，將濺鍍靶材的評價結果示於表4、表5。
(In單相的存在比)=I(In)/I(Cu11In9)
於此，I(In)，係表示歸屬於In(DB卡01-074-6393)的(110)面的峰值強度，I(Cu11In9)，係表示歸屬於In(DB卡03-065-4963)的(313)面的峰值強度。
(含氧量)
針對In-Cu合金粉及濺鍍靶材的含氧量，準據於記載於JIS Z 2613「金屬材料的氧定量法通則」的紅外線吸收法，使用LECO公司製TC600進行測定。將In-Cu合金粉的測定結果示於表1，將濺鍍靶材的評價結果示於表4、表5。
(濺鍍靶材的組成)
將所獲得的濺鍍靶材的碎片以酸進行前處理後，透過ICP發射光譜分析裝置(Agilent Technologies公司製725-ES)進行In、Na、K的組成分析。在Cu及其他成分方面，係記載為其餘部分。將評價結果示於表4、表5。
(In單相、Cu11In9化合物相、鹼金屬化合物的平均粒徑)
對於所獲得的濺鍍靶材的加工表面進行截面拋光儀加工(CP加工)，使用探針微量分析儀(EPMA)裝置(日本電子株式會公司製)，而以1000倍分別攝影5張Cu、In的元素映射影像(圖1參照)，從Cu與In的元素映射影像，將Cu、In共通存在的區域定義為Cu11In9化合物 相，將僅存在In的區域定義為In單相。另外，樣品的加工，係雖可為研磨加工，惟研磨材的鑽石、SiC等恐侵入In單相故非優選。
繪製縱向橫跨Cu的元素映射影像的5張相片的線段，分別測定在線段之中存在In單相與Cu11In9化合物相的長度與個數，依下述的計算式算出粒徑。
(In單相的粒徑)=(In單相的長度的合計值/In單相的個數)
(Cu11In9化合物相的粒徑)=(Cu11In9化合物相的長度的合計值/Cu11In9化合物相的個數)
於橫向亦進行同樣的操作，使所獲得的值的平均為在該相片的In單相及Cu11In9化合物相的粒徑。此外，針對鹼金屬化合物的粒徑，亦透過與上述同樣的方法而算出。將評價結果示於表4、表5。
(理論密度比)
將濺鍍靶材的理論密度比，採以下方式而算出。
使下者為「理論密度」：將與所獲得的濺鍍靶材對應的組成比的Cu-In金屬以1200℃而熔化，將此鑄造而慢冷卻(冷卻速度5℃/min以下)從而獲得的無缺陷的鑄塊(10cm×10cm×10cm)的密度。在本實施例，係將理論密度設定如下。
‧In的含有量比95原子%多、100原子%以下時7.31kg/m3
‧In的含有量比90原子%多、95原子%以下時7.43kg/m3
‧In的含有量比85原子%多、90原子%以下時7.55kg/m3
‧In的含有量比80原子%多、85原子%以下時7.66kg/m3
‧In的含有量比75原子%多、80原子%以下時7.78kg/m3
‧In的含有量比70原子%多、75原子%以下時7.90kg/m3
‧In的含有量比65原子%多、70原子%以下時8.02kg/m3
‧In的含有量比60原子%多、65原子%以下時8.14kg/m3
‧In的含有量比55原子%多、60原子%以下時8.26kg/m3
‧In的含有量比50原子%多、55原子%以下時8.37kg/m3
‧In的含有量比45原子%多、50原子%以下時8.49kg/m3
‧In的含有量為45原子%時8.61kg/m3
利用此理論密度與所獲得的濺鍍靶材的測定密度，而算出理論密度比。將評價結果示於表4、表5。
理論密度比(%)=(測定密度)/(理論密度)×100
(加工性：碎屑的附著)
對濺鍍靶材進行車床加工，對加工時的碎屑的附著的有無進行目視觀察。另外，加工條件係採取如下。將評價結果示於表6、表7。
工具：超硬刀具(三菱綜合材料株式會公司製TNMG160404-MJVP05RT)
進給：0.7~1mm/rpm
轉數：70~100rpm
1次的切深：1~2mm
切削環境：乾式
(加工性：切削尺寸)
確認以上述的加工而獲得的濺鍍靶材的端部的切削的有無。發生切削的情況下，係以數位卡尺測定從濺鍍靶材的端面缺損的部分的最大距離。此時，切削面對的面之中，對缺損的部分最大的面進行測定。將評價結果示於表6、表7。
(加工性：表面粗糙度)
以與上述同樣的條件進行車床加工，對加工後的表面的刻痕以正交方向的線段，使用Mitutoyo公司製SurftestSV-3000H4而進行表面粗糙度Ra的測定。測定，係對於1樣品，在與濺鍍靶材的端部距離15mm以內的區 域的4處進行，使該平均值為該樣品的表面粗糙度(算術平均粗糙度)Ra。將評價結果示於表6、表7。
(異常放電)
使用所獲得的濺鍍靶材，而以如下的條件進行透過濺鍍的成膜。透過DC磁控濺鍍裝置，使用Ar氣體作為濺鍍氣體，採流量50sccm、壓力0.67Pa，在投入電力方面，以2W/cm2(低輸出)及6W/cm2(高輸出)的2條件的電力，分別進行30分鐘的濺鍍，透過具備於DC電源裝置(京三製作所公司製HPK06Z-SW6)中的電弧計數功能，對異常放電的次數進行計數。將評價結果示於表6、表7。
於使In的含有量為100原子%的比較例1及比較例10，係In單相的平均粒徑超越1mm。此外，觀察碎屑的附著，切削加工需要時間。再者，無法進行濺鍍評價。
此外，In的含有量為95原子%比本發明的範圍多的比較例2方面，亦成為與比較例1同樣的結果。
在比較例3中，係使製造In-Cu合金粉時的霧化溫度為680℃，In單相的存在比比本發明的範圍低。於此比較例3，係扮演加壓燒結時的黏合劑的角色的In的存在比低，故理論密度比低，觀察到切削。此外，異常放電的發生次數亦多。
於Cu11In9化合物相的平均粒徑比本發明的範圍大的比較例4，觀察到相較下大的切削，表面粗糙度Ra亦相較下大。此外，在低電力條件下異常放電的發生次數亦多。
在比較例5中，係霧化時的極限真空度低故氧濃度高，氧濃度變比本發明的範圍多，故理論密度比小，觀察到切削。此外，高電力條件下的異常放電次數變多。
鹼金屬化合物的平均粒徑大的比較例6、7中，係濺鍍時的異常放電次數多，高電力條件下無法繼續濺鍍。
In的含有量為40原子%比本發明的範圍少、透過粉末燒結法而製造的比較例8中，係未形成In單相，觀察到大的切削，在濺鍍中發生破損。為此，無法評價有關異常放電次數。
In的含有量為40原子%比本發明的範圍少、透過熔化鑄造法而製造的比較例9中，係在加工中發生破損。
鑄造時的冷卻速度比本發明的範圍慢的比較例11中，係Cu11In9化合物相的平均粒徑變非常大，在加工中發生破損。
相對於此，以粉末燒結法而製造的本發明例1-19、以熔化鑄造法而製造的本發明例20、21中，係皆未觀察到碎屑的附著、切削的發生，表面粗糙度亦非常小，切削加工性方面優異。此外，濺鍍時的異常放電次數亦少，確認可穩定而濺鍍成膜。
〔產業上之可利用性〕
依本發明時，可提供一種濺鍍靶材及此濺鍍靶材之製造方法，該濺鍍靶材係由In-Cu合金而成，加工 性方面優異，同時可抑制濺鍍時的異常放電的發生。

Claims (6)

  1. 一種濺鍍靶材，特徵在於：具有以45原子%以上、90原子%以下的範圍含有In，且其餘部分由Cu及不可避免的雜質所成的組成，存在In單相與Cu11In9化合物相，使前述In單相及前述Cu11In9化合物相的XRD的峰值比I(In)/I(Cu11In9)為0.01以上、3以下的範圍內，使前述Cu11In9化合物相的平均粒徑為150μm以下，使氧量為500質量ppm以下，使理論密度比為85%以上。
  2. 如申請專利範圍第1項的濺鍍靶材，其中，使前述In單相的平均粒徑為1mm以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項的濺鍍靶材，其進一步含有NaF、NaCl、Na2S、Na2Se之中的1種或2種以上作為Na化合物，使此Na化合物的平均粒徑為10μm以下。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項的濺鍍靶材，其進一步含有KF、KCl、K2S、K2Se之中的1種或2種作為K化合物，使此K化合物的平均粒徑為10μm以下。
  5. 一種濺鍍靶材之製造方法，該濺鍍靶材係如申請專利範圍第1至4項中任一項的濺鍍靶材，特徵在於：具備：In-Cu合金粉準備程序，其係透過噴射溫度700℃以 上、900℃以下的氣體霧化，從而準備In-Cu合金粉，該In-Cu合金粉係具有以45原子%以上、90原子%以下的範圍含有In，且其餘部分由Cu及不可避免的雜質所成的組成，存在In單相與Cu11In9化合物相，使前述In單相及前述Cu11In9化合物相的XRD的峰值比I(In)/I(Cu11In9)為0.01以上、3以下的範圍內，使氧濃度為500質量ppm以下，使平均粒徑為125μm以下；和燒結程序，其係將包含前述In-Cu合金粉的原料粉末進行燒結。
  6. 一種濺鍍靶材之製造方法，該濺鍍靶材係如申請專利範圍第1至4項中任一項的濺鍍靶材，特徵在於：具備：原料混合程序，其係秤量Cu原料與In原料，而使得具有以45原子%以上、90原子%以下的範圍含有In，且其餘部分由Cu及不可避免的雜質所成的組成；熔化程序，其係將前述Cu原料及In原料加熱至1100℃以上進行熔化而形成熔融金屬；和鑄造程序，其係將前述熔融金屬澆注於鑄模，以10℃/min以上的冷卻速度冷卻至50℃以下。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6914033B2 (ja) * 2016-12-14 2021-08-04 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲットおよび積層構造体ならびに、スパッタリングターゲットの製造方法
WO2018174019A1 (ja) * 2017-03-23 2018-09-27 三菱マテリアル株式会社 Ｉｎ－Ｃｕ焼結体スパッタリングターゲット及びＩｎ－Ｃｕ焼結体スパッタリングターゲットの製造方法
JP2019044222A (ja) * 2017-08-31 2019-03-22 三菱マテリアル株式会社 Ｉｎ−Ｃｕ合金粉末、Ｉｎ−Ｃｕ合金粉末の製造方法、Ｉｎ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット及びＩｎ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲットの製造方法
JP7081394B2 (ja) * 2018-08-28 2022-06-07 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
CN113652652B (zh) * 2021-07-20 2023-04-07 先导薄膜材料（广东）有限公司 一种铟靶材及其制备方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4775911B2 (ja) * 2007-06-28 2011-09-21 株式会社アルバック アルミニウム−リチウム合金ターゲットの製造方法およびアルミニウム−リチウム合金ターゲット
JP4957969B2 (ja) 2007-11-12 2012-06-20 三菱マテリアル株式会社 Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法
US20110089030A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-21 Miasole CIG sputtering target and methods of making and using thereof
JP5254290B2 (ja) * 2010-09-01 2013-08-07 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 インジウムターゲット及びその製造方法
JP2012079997A (ja) 2010-10-05 2012-04-19 Kobe Steel Ltd 化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法、およびＩｎ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット
JP5883022B2 (ja) 2010-11-30 2016-03-09 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 銅及びインジウムを含む合金スパッタターゲットの修復
JP5919738B2 (ja) * 2011-11-10 2016-05-18 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲットおよびその製造方法
CN102515561A (zh) 2011-12-16 2012-06-27 大连交通大学 Cu(In,Al)Se2薄膜的制备工艺
CN102560186B (zh) * 2012-02-21 2013-04-17 苏州晶纯新材料有限公司 一种铜铟镓合金及其制备方法
CN103114264B (zh) * 2012-12-28 2015-04-08 中国神华能源股份有限公司 一种溅射用铜铟合金靶材的制备方法
AT13564U1 (de) 2013-01-31 2014-03-15 Plansee Se CU-GA-IN-NA Target
JP5594618B1 (ja) 2013-02-25 2014-09-24 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6176535B2 (ja) * 2013-02-25 2017-08-09 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN104919080B (zh) 2013-07-08 2018-10-16 Jx日矿日石金属株式会社 溅射靶及其制造方法
JP5871106B2 (ja) * 2013-09-26 2016-03-01 三菱マテリアル株式会社 Ｉｎ合金スパッタリングターゲット、その製造方法及びＩｎ合金膜

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