TW201725112A - 積層體基板、導電性基板、積層體基板之製造方法、導電性基板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種積層體基板，其具備：透明基材、及在該透明基材之至少一個面側所形成之積層體；該積層體具有：含有氧、銅及鎳之黑化層、及銅層；該黑化層所含之該銅和該鎳中之該鎳之比例為11質量%以上且60質量%以下。

Description

積層體基板、導電性基板、積層體基板之製造方法、導電性基板之製造方法
本發明涉及一種積層體基板、導電性基板、積層體基板之製造方法、導電性基板之製造方法。
如專利文獻1所揭示，先前技術中使用了一種觸控面板用透明導電性膜，其中，在透明高分子膜等透明基材之表面作為透明導電膜形成了ITO(氧化銦錫)膜。
又，近年來具備觸控面板之顯示器正在趨於大畫面化，與此相應地，觸控面板用透明導電性膜等導電性基板也需要進行大面積化。然，由於ITO之電阻值較高，故存在著無法應對導電性基板大面積化之問題。
因此，例如，如專利文獻2、3所述，進行了以銅等金屬配線來取代ITO膜之配線之研究。然例如在金屬配線中使用了銅之情況下，由於銅具有金屬光澤，故存在著反射會導致顯示器之視認性降低之問題。
因此，業界研究除了形成銅等金屬配線之外，還在金屬配線之與透明基材之表面平行之面上形成了由黑色材料所構成之黑化層之導電性基板。
〔先前技術文獻〕
〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本國特開2003-151358號公報
〔專利文獻2〕日本國特開2011-018194號公報
〔特許文獻3〕日本國特開2013-069261號公報
透明基材上具有金屬配線之導電性基板係在獲得了於透明基材之表面形成了金屬層之積層體基板之後，藉由對該金屬層進行蝕刻以形成具有預期配線圖案之金屬配線之方式所獲得者。又，透明基材上具有黑化層和金屬配線之導電性基板係在獲得了於透明基材之表面依次積層了黑化層和金屬層之積層體基板之後，藉由對該黑化層和該金屬層進行蝕刻以形成具有預期配線圖案之金屬配線之方式所獲得者。
藉由對黑化層和金屬層進行蝕刻，例如，如圖1A所示，可獲得在透明基材1上積層了圖案化了之黑化層2及對金屬層進行圖案化了之金屬配線3之導電性基板。此時，圖案化了之黑化層2之寬度WA和金屬配線3之寬度WB優選為大致相同。
然就相對於蝕刻液之反應性而言，存在著金屬層和黑化層大不相同之問題。即，如果要對金屬層和黑化層同時進行蝕刻，則存在著哪個層都無法蝕刻成如圖1A所示之目標形狀之問題。
例如，在與金屬層相比黑化層之蝕刻速度很慢之情況下，如圖1B所示，作為經圖案化之金屬層之金屬配線3之側面會被蝕刻，即會產生所謂之側蝕。因此，金屬配線3之剖面形狀容易變成底部較寬之梯形形狀，如果蝕刻至可確保金屬配線3間之電氣絕緣性為止，則存在著配線間 距寬度過寬之問題。
又，在與金屬層相比黑化層之蝕刻速度很快之情況下，如圖1C所示，經圖案化之黑化層2之寬度(底部寬度)WA會變為小於金屬配線3之寬度WB之狀態，即存在著會發生所謂之底切(undercut)之情況。發生了這樣之底切之後，根據其程度，與規定之金屬配線3之寬度WB相比，作為至透明基材1之密接寬度之經圖案化之黑化層2之底部寬度WA可能會變小，如果密接寬度之比率低至一定程度以上，則存在著無法獲得充分之配線密接強度之問題。
又，如果不同時對金屬層和黑化層進行蝕刻，而是採用各自之步驟來進行金屬層之蝕刻和黑化層之蝕刻，則存在著步驟數增加之問題。
鑑於上述先前技術之問題，本發明之目的在於提供一種具備可同時進行蝕刻處理之銅層和黑化層之積層體基板。
為了解決上述課題，本發明提供一種積層體基板，其具備：透明基材、及積層體，其形成在該透明基材之至少一個面側；該積層體具備：含有氧、銅、及鎳之黑化層、及銅層；該黑化層所含之該銅和該鎳中之該鎳之比例為11質量%以上且60質量%以下。
根據本發明，能提供一種具備可同時進行蝕刻處理之銅層和黑化層之積層體基板。
10A、10B、20A、20B‧‧‧積層體基板
11‧‧‧透明基材
12、12A、12B‧‧‧銅層
13、13A、13B、131、132、131A、131B、132A、132B‧‧‧黑化層
30‧‧‧導電性基板
31A、31B、62‧‧‧銅配線層
321A、321B、322A、322B、61‧‧‧黑化配線層
〔圖1A〕同時對先前之導電性基板中之金屬層和黑化層進行蝕刻時之說明圖。
〔圖1B〕同時對先前之導電性基板中之金屬層和黑化層進行蝕刻時之說明圖。
〔圖1C〕同時對先前之導電性基板中之金屬層和黑化層進行蝕刻時之說明圖。
〔圖2A〕本發明之實施形態之積層體基板之剖面圖。
〔圖2B〕本發明之實施形態之積層體基板之剖面圖。
〔圖3A〕本發明之實施形態之積層體基板之剖面圖。
〔圖3B〕本發明之實施形態之積層體基板之剖面圖。
〔圖4〕本發明之實施形態之具有網狀配線之導電性基板之俯視圖。
〔圖5〕沿第3圖之A-A’線之剖面圖。
〔圖6〕底切量比率之說明圖。
〔圖7〕本發明之實施形態之輥對輥(Roll to Roll)濺鍍裝置之說明圖。
以下對本發明之積層體基板、導電性基板、積層體基板之製造方法及導電性基板之製造方法之一實施形態進行說明。
(積層體基板、導電性基板)
本實施形態之積層體基板可具備透明基材及在該透明基材之至少一個面側所形成之積層體。又，積層體具有：含有氧、銅及鎳之黑化層、及銅層，該黑化層所含之銅和鎳中之鎳之比例為11質量%以上且60質量%以下。
再者，本實施形態中之積層體基板係指在透明基材之表面上具有圖案化前之銅層或黑化層之基板。又，導電性基板係指在透明基材之表面具有藉由進行圖案化形成了配線形狀之銅配線層或黑化配線層之配線基板。
此處首先，對本實施形態之積層體基板所含之各構件在以下進行說明。
作為透明基材對其並無特限定，優選可使用可見光會穿透之高分子膜、玻璃基板等。
作為可見光會穿透過之高分子膜，例如優選可使用聚醯胺(PA)系膜、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)系膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)系膜、環烯烴系膜、聚醯亞胺(PI)系膜、聚碳酸酯(PC)系膜等樹脂膜。
對透明基材之厚度並無特別限定，在作為導電性基板時可根據所要求之強度或光穿透率等進行任意選擇。作為透明基材之厚度例如可為10μm以上且250μm以下。特別在使用為觸控面板之用途之情況下，優選為20μm以上且200μmm以下，較佳為20μm以上且120μm以下。在使用為觸控面板之用途之情況下，例如，特別在需要使顯示器整體厚度較薄之情況下，透明基材之厚度優選為20μm以上且100μm以下。
接下來對積層體進行說明。積層體可形成在透明基材之至少一個面側，並具有黑化層和銅層。
這裡首先對銅層進行說明。
對銅層並無特別限定，然為了不降低光穿透率，銅層和透明基材之間或銅層和黑化層之間優選不配置接著劑。即，銅層優選直接形成在其他構件之上表面。
為了在其他構件之上表面直接形成銅層，可採用濺鍍法、離子鍍法、蒸鍍法等乾式鍍法形成銅薄膜層，並將該銅薄膜層作為銅層。
又，在使銅層更厚之情況下，優選在藉由乾式鍍法形成銅薄膜層之後再採用濕式鍍法。即，例如可在透明基材或黑化層上藉由乾式鍍法形成銅薄膜層後，再將該銅薄膜層作為供電層並採用濕式鍍法形成鍍銅層。此時，銅層具有銅薄膜層和鍍銅層。
如上所述，藉由僅採用乾式鍍法或採用乾式鍍法和濕式鍍法之組合之方式來形成銅層，可在透明基材或黑化層上不使用接著劑而直接形成銅層，因而優選。
對銅層之厚度並無特別限定，在將銅層作為配線使用之情況下，可根據該配線之電阻值或配線寬度等進行任意選擇。特別地，為了可使電流充分地流動，銅層之厚度優選為50nm以上，更佳為60nm以上，進而較佳為150nm以上。對銅層厚度之上限值並無特別限定，然，如果銅層變厚，則為了形成配線而進行蝕刻時所需之時間較長，容易出現側蝕及蝕刻中途抗蝕劑會發生剝離等問題。因此，銅層之厚度優選為5000nm以下，更佳為3000nm以下。再者，在銅層如上所述具有銅薄膜層和鍍銅層之情況下，銅薄膜層厚度和鍍銅層厚度之合計優選位於上述範圍。
接下來對黑化層進行說明。
由於銅層具有金屬光澤，在透明基材上僅形成了作為銅配線層之藉由對銅層進行蝕刻而形成之配線之情況下，如上所述，銅會對光進行反射，例如在作為觸控面板用配線基板來使用時，存在著顯示器之視認性會下降之問題。因此，儘管已經對設置黑化層之方法進行了探討，然仍存在著黑化層相對於蝕刻液之反應性並不足之情況，而難以同時將銅層和黑化層都蝕刻為預期形狀。
相對於此，本實施形態之積層體基板配置之黑化層含有氧、銅及鎳。因此，本實施形態之積層體基板配置之黑化層對於蝕刻液之反應性與銅層對於蝕刻液之反應性基本無異，蝕刻性亦均良好。故在本實施形態之積層體基板中，可同時對銅層及含有氧、銅及鎳之黑化層進行蝕刻。
以下對本實施形態之積層體基板配置之黑化層可與銅層同時進行蝕刻之方面進行說明。
本發明之發明人等最初對作為可抑制銅層表面之光之反射之黑化層之對銅層之一部分進行了氧化之氧化銅層之形成方法進行了研討。並發現：在對銅層之一部分進行氧化以將其作為黑化層時，存在該黑化層中包含不定比例之銅氧化物或沒有被氧化之銅之情況。
在對具備銅層及黑化層之積層體基板之銅層及黑化層同時進行蝕刻之情況下，作為蝕刻液，例如優選使用可對銅層進行蝕刻之蝕刻液。又，根據本發明之發明人等之研究可知在黑化層含有不定比例之銅氧化物之情況下，其較容易溶解至可對銅層進行蝕刻之蝕刻液。
這樣，在黑化層含有容易溶解至蝕刻液之不定比例之銅氧化物之情況下，黑化層對於蝕刻液之反應性較高，與銅層相比黑化層之蝕刻 速度大幅提高。因此，在同時對銅層和黑化層進行蝕刻處理之情況下，黑化層容易發生底切。
故在本實施形態之積層體基板中，為了抑制底切，黑化層可除了氧及銅外還含有難溶解於蝕刻液之鎳成分。如此，藉由使本實施形態之積層體基板之黑化層含有氧、銅及鎳，可使其相對於蝕刻液之反應性與銅層相同，而變得可同時對黑化層和銅層進行蝕刻。
對黑化層所含之銅和鎳中之鎳之比例並無特別限定，然黑化層所含之銅和鎳中之鎳之比例優選為11質量%以上且60質量%以下。再者，鎳之比例如上所述，係指黑化層中之銅和鎳之含量合計為100質量%時之比例。
其原因在於，如果黑化層所含之銅和鎳中，鎳之比例小於11質量%，則容易發生底切。即與銅層相比，黑化層對於蝕刻液之溶解速度較快，無法獲得可與銅層同時進行蝕刻之黑化層。
另一方面，如果黑化層所含之銅和鎳中，鎳之比例摻合超過60質量%，則鎳過剩，難以對黑化層進行蝕刻。即與銅層相比，黑化層對於蝕刻液之溶解速度較慢，也無法獲得可與銅層同時進行蝕刻之黑化層。
又，藉由使黑化層所含之銅和鎳中之鎳之比例為11質量%以上且60質量%以下，還可使積層體基板及自該積層體基板所形成之導電性基板之波長為400nm以上且700nm以下之光之正反射率平均值為55%以下。因此，即使在該導電性基板使用為觸控面板等用途之情況下，也可對顯示器之視認性之降低進行抑制，從該方面來看亦優選。
又，在積層體基板中，如後所述可在透明基材上進行黑化層 及銅層之積層，並藉由對該黑化層和銅層進行圖案化，而可獲得導電性基板。又，黑化層所含之銅和鎳中之鎳之比例如果超過60質量%，則在對黑化層或銅層進行蝕刻以形成開口部時，藉由蝕刻之除去不能充分地進行，存在可看出透明基材之表面變為黃色之情況。因此，如上所述，黑化層所含之銅及鎳中之鎳之比例優選為60質量%以下。
黑化層中作為金屬種類可含有銅及鎳，又，黑化層所含之金屬種類也可僅由銅和鎳構成，然並不僅限於銅及鎳。例如，在黑化層中，作為金屬種類也可存在1重量%以下之不可避免之雜質。
又，黑化層只要含有氧、銅及鎳即可，對各成分係以何狀態含於其中並無特別限定。例如，至少一部分之銅或鎳可藉由被氧化以形成不定比例之銅氧化物或鎳氧化物之方式而被含於黑化層。
其原因在於，由於本實施形態之積層體基板之黑化層含有鎳，所以黑化層即使含有不定比例之銅氧化物，對於蝕刻液之反應性也可幾乎與銅層相同。因此，在本實施形態之積層體基板中，可同時對銅層和黑化層進行蝕刻。
再者，對黑化層所含之氧之量並無特別限定。然黑化層所含之氧之量存在對積層體基板或使用該積層體基板所製作之導電性基板之光之反射率會產生影響之情況。因此，優選根據積層體基板或使用該積層體基板所製作之導電性基板所要求之光之反射率之程度、黑化層之色調等對黑化層所含之氧之量以及黑化層成膜時所添加之氧量進行選擇。
自本實施形態之積層體基板所獲得之導電性基板之銅配線層和黑化配線層可分別維持本實施形態之積層體基板之銅層和黑化層之特 徵。
本實施形態之導電性基板配置之黑化層之成膜方法並無特別限定。黑化層例如可優選採用濺鍍法等乾式成膜法來形成。
在採用濺鍍法對黑化層進行成膜之情況下，例如可使用銅-鎳合金靶，並在除了於腔體內作為濺鍍氣體使用非活性氣體外，一面進行氧氣之供給一面進行成膜。
在濺鍍時使用銅-鎳合金靶之情況下，銅-鎳合金中所含之銅和鎳中之鎳之比例優選為11質量%以上且60質量%以下。其原因在於，成膜之黑化層所含之銅和鎳中之鎳之比例會變得與該黑化層成膜時所使用之銅-鎳合金靶之銅-鎳合金中所含之銅和鎳中的鎳之比例相同。
在採用濺鍍法對黑化層進行成膜時，對供給至腔體內之氧氣之供給量之調整方法並無特別限定。例如，也可使用預先進行了混合之氧氣和非活性氣體之混合氣體，以使氧之分壓成為預期之分壓。又，還可藉由使非活性氣體及氧氣分別同時供給至腔體，並對各氣體之供給量進行調整之方式，來對腔體內之氧氣之分壓進行調整。特別地，由於後者可根據需要對腔體內之各氣體之分壓進行調整，故為優選。
再者，作為黑化層成膜時之非活性氣體對其並無特別限定，例如可使用氬氣和/或氙氣，然優選使用氬氣。又，黑化層中作為金屬成分以外之成分，除氧之外，可一併包含選自氫和碳中之一種以上之成分。為此，黑化層成膜時之氣體除了氧氣及非活性氣體外，還可包含選自水蒸氣、一氧化碳氣體及二氧化碳氣體中之一種以上之氣體。
如上所述，在一面將非活性氣體和氧氣供給至腔體，一面採 用濺鍍法對黑化層進行成膜時，對供給至腔體內之非活性氣體和氧氣之比例並無特別限定。可根據積層體基板或導電性基板所要求之光之反射率或黑化層之色調之程度等進行任意選擇。
對本實施形態之積層體基板中所形成之黑化層之厚度並無特別限定，例如可根據對銅層表面之光之反射之抑制程度等進行任意選擇。
黑化層之厚度之下限值例如優選為10nm以上，更佳為15nm以上。上限值例如優選為70nm以下，更佳為50nm以下。
黑化層係如上所述可發揮作為對銅層表面光反射進行抑制之層之功能，然如果黑化層之厚度較薄，則存在不能充分地對銅層之光之反射進行抑制之情況。相對於此，藉由使黑化層之厚度為10nm以上，可更確實地對銅層表面之光之反射進行抑制。
對黑化層之厚度上限值並無特別限定，然厚至必要程度以上，則成膜所需要之時間和形成配線時蝕刻所需要之時間亦變長，會導致成本上昇。因此，黑化層之厚度優選為70nm以下，更佳為50nm以下。
接下來，對本實施形態之積層體基板之構成例進行說明。
如上所述，本實施形態之積層體基板可具有：透明基材、及具備銅層和黑化層之積層體。此時，對積層體內之銅層和黑化層在透明基材上之配置順序、其層數都無特別限定。即，例如可在透明基材之至少一個面側按照任意之順序分別進行一層之銅層和一層之黑化層之積層。又，在積層體內也可形成複數層之銅層和/或黑化層。
然在積層體內進行銅層和黑化層之配置時，為了對銅層表面之光之反射進行抑制，優選在銅層表面中之特別要對光之反射進行抑制之 面配置黑化層。
特別地，具有黑化層形成在銅層表面之積層構造為佳，具體而言，例如，積層體優選為，作為黑化層具有第1黑化層和第2黑化層這兩層，銅層配置在第1黑化層和第2黑化層之間。
下面參考圖2A、圖2B、圖3A及圖3B對具體構成例進行說明。圖2A、圖2B、圖3A及圖3B示出了本實施形態之積層體基板之與透明基材、銅層及黑化層之積層方向平行之面之剖面圖之例。
例如，可如圖2A所示之導電性基板10A般，在透明基材11之一個面11a側依次進行一層之銅層12和一層之黑化層13之積層。又，也可如圖2B所示之導電性基板10B般，在透明基材11之一個面11a側和另一個面(其他面)11b側分別依次進行一層之銅層12A、12B和一層之黑化層13A、13B之積層。再者，銅層12(12A、12B)和黑化層13(13A、13B)之積層順序並不限定於圖2A、圖2B所示之例，也可從透明基材11側開始依次按黑化層13(13A、13B)和銅層12(12A、12B)之順序進行積層。
又，如上所述，例如還可構成為在透明基材11之一個面側設置複數個黑化層。例如，如圖3A所示之導電性基板20A般，可在透明基材11之一個面11a側依次對第1黑化層131、銅層12及第2黑化層132進行積層。
如此，作為黑化層，藉由使其具有第1黑化層131和第2黑化層132，並將銅層12配置在第1黑化層131和第2黑化層132之間，可更確實地對銅層12之從上面側和下面側入射之光之反射進行抑制。
此情況下也可設為在透明基材11之兩面進行銅層、第1黑 化層及第2黑化層之積層之結構。具體而言，可如圖3B所示之導電性基板20B般，在透明基材11之一個面11a側和另一個面(其他面)11b側分別依次進行第1黑化層131A、131B、銅層12A、12B、及第2黑化層132A、132B之積層。
再者，第1黑化層131(131A、131B)和第2黑化層132(132A、132B)皆可設為含有氧、銅及鎳之黑化層，並可藉由相同之製造方法來進行製造。
在透明基材之兩面進行了銅層和黑化層之積層之圖2B和圖3B之構成例中，雖示出了以透明基材11為對稱面在透明基材11之上下對稱地配置了所積層了之層之例子，然並不限定於該形態。例如，在圖3B中，可與圖2B之結構同樣地將透明基材11之一個面11a側之結構設為依次對銅層12A和黑化層13A進行積層之形態，而將另一個面(其他面)11b側之結構設為依次對第1黑化層131B、銅層12B及第2黑化層132B進行積層之形態，而可將透明基材11之上下所積層了之層設為非對稱結構。
對本實施形態之積層體基板之光之反射程度並無特別限定，然，例如波長為400nm以上且700nm以下之光之正反射率之平均值優選為55%以下，更佳為40%以下，進而較佳為30%以下。其原因在於，在波長為400nm以上且700nm以下之光之正反射率之平均值為55%以下之情況下，例如即使在將本實施形態之積層體基板作為觸控面板用導電性基板來使用時，也可有效地對顯示器之視認性之降低進行抑制。
積層體基板之正反射率之測定可藉由向黑化層進行光照射之方式來進行。即，可從積層體基板所含之銅層和黑化層中之黑化層側進 行光照射以實施測定。具體而言，例如，如圖2A所示，在透明基材11之一個面11a依次進行了銅層12和黑化層13之積層之情況下，可對著黑化層13之表面A進行光照射以可對黑化層13進行光照射之方式測定。又，在將圖2A之情況之銅層12和黑化層13之配置調換，以在透明基材11之一個面11a側依次進行了黑化層13和銅層12之積層之情況下，可藉由從透明基材11之面11b側對黑化層進行光照射以可對黑化層13進行光照射之方式實施正反射率之測定。
又，波長為400nm以上且700nm以下之光之正反射率之平均值係指，在400nm以上且700nm以下之範圍內使波長變化並進行測定時之測定結果之平均值。測定時，對使波長變化之寬度並無特別限定，然，例如按10nm之寬度使波長進行變化並對上述波長範圍之光進行測定為優選，按1nm之寬度使波長進行變化並對上述波長範圍之光進行測定為更佳。
再者，如後所述，積層體基板可設為藉由蝕刻來對銅層和黑化層進行配線加工以形成金屬細線之導電性基板。導電性基板之光之正反射率係指，在除去透明基材之情況下，配置於最外表面之黑化層之光入射側之表面之正反射率。
因此，如果係進行蝕刻處理後之導電性基板，則銅層和黑化層之殘存之部分之測定值優選滿足上述範圍。
接下來，對本實施形態之導電性基板進行說明。
本實施形態之導電性基板可具有：透明基材及在透明基材之至少一個面側所形成之金屬細線。又，金屬細線為具有含有氧、銅及鎳之黑化配線層和銅配線層之積層體，其中，黑化配線層所含之銅和鎳中之鎳 之比例可設為11質量%以上且60質量%以下。
本實施形態之導電性基板例如可藉由對上述之積層體基板進行配線加工而獲得。又，在本實施形態之導電性基板中，由於透明基材上設置了銅配線層和黑化配線層，故可對銅配線層之光之反射進行抑制。因此，藉由設置黑化配線層，例如在作為觸控面板等使用時，顯示器也可具有良好之視認性。
本實施形態之導電性基板例如優選作為觸控面板用導電性基板來使用。在此情況下，導電性基板可設為，具有藉由在上述積層體基板之銅層和黑化層設置開口部所形成之配線圖案的結構。更佳為可設為具有網狀配線圖案之結構。
就形成了具備開口部之配線圖案之導電性基板而言，其可藉由對至此說明之積層體基板之銅層和黑化層進行蝕刻而獲得。又，例如可設為，具有藉由兩層金屬細線所形成之網狀配線圖案的導電性基板。具體構成例如圖4所示。圖4示出了對具備網狀配線圖案之導電性基板30從銅配線層和黑化配線層之積層方向之上面側進行觀察時之圖。圖4所示之導電性基板30具有透明基材11、與圖中X軸方向平行之複數個銅配線層31B、及與Y軸方向平行之銅配線層31A。再者，銅配線層31A、31B可藉由對上述之積層體基板進行蝕刻而形成，又，銅配線層31A、31B之上面和/或下面形成有未圖示之黑化配線層。又，黑化配線層蝕刻為具有與銅配線層31A、31B大致相同之形狀。
對透明基材11和銅配線層31A、31B之配置並無特別限定。透明基材11和銅配線層之配置之構成例示於圖5。圖5係沿圖4之A-A’ 線之剖面圖。
例如，如圖5所示，透明基材11之上下面可分別配置銅配線層31A、31B。再者，在圖5所示之導電性基板之情況下，在銅配線層31A、31B之透明基材11側，配置了形狀蝕刻成與銅配線層31A、31B大致相同之第1黑化配線層321A、321B。又，在銅配線層31A、31B之與透明基材11相反側之面上，配置有第2黑化配線層322A、322B。
故在圖5所示之導電性基板中，金屬細線具有作為黑化配線層之第1黑化配線層321A、321B和第2黑化配線層322A、322B，而銅配線層31A、31B則被配置在第1黑化配線層321A、321B和第2黑化配線層322A、322B之間。
再者，此處雖示出了設置了第1黑化配線層和第2黑化配線層之例，然並不限定於該形態。例如，也可僅設置第1黑化配線層和第2黑化配線層中之任意一個。
圖4所示之具有網狀配線之導電性基板例如可形成自圖2B、圖3B所示地在透明基材11之兩面具備銅層12A、12B和黑化層13A、13B(131A、132A、131B、132B)之積層體基板。
再者，例如圖5所示之具備第1黑化配線層和第2黑化配線層之導電性基板可形成自圖3B所示之積層體基板。
故對使用並形成自圖3B之積層體基板之情況之例子進行說明。
首先，對透明基材11之一個面11a側之銅層12A、第1黑化層131A及第2黑化層132A進行蝕刻，以使圖3B中與Y軸方向平行之 複數個線狀之圖案沿X軸方向被配置成為隔開規定之間隔。再者，圖3B中之Y軸方向係指與紙面垂直之方向。又，圖3B中之X軸方向係指與各層之寬度方向平行之方向。
接下來，對透明基材11之另一個面11b側之銅層12B、第1黑化層131B及第2黑化層132B進行蝕刻，以使圖3B中與X軸方向平行之複數個線狀之圖案沿Y軸方向被配置成為隔開規定之間隔。
藉由以上操作可形成圖4、圖5所示之具有網狀配線之導電性基板。再者，也可對透明基材11之兩面同時進行蝕刻。即，可同時對銅層12A、12B、第1黑化層131A、131B、及第2黑化層132A、132B進行蝕刻。
圖4所示之具有網狀配線之導電性基板還可藉由使用兩個圖2A或圖3A所示之積層體基板來形成。如果以使用了圖2A之導電性基板之情況為例進行說明，則需對2個圖2A所示之導電性基板分別進行銅層12和黑化層13之蝕刻，以使與X軸方向平行之複數個線狀圖案沿Y軸方向被配置為隔開規定之間隔。接下來，以將藉由上述蝕刻處理在各導電性基板上所形成之線狀圖案相互交叉配置之方式對兩個導電性基板進行貼合，據此，可獲得具有網狀配線之導電性基板。對貼合兩個導電性基板時之貼合面並無特別限定。
例如，就兩個導電性基板而言，可藉由將圖2A中之透明基材11之沒有層疊銅層12等之面11b相互貼合，以獲得圖5所示之結構。
再者，對圖4所示之具有網狀配線之導電性基板之金屬細線之寬度或金屬細線間之距離並無特別限定，例如，可根據金屬細線所需之 電阻值等進行選擇。
然為了使透明基材和金屬細線具有充分之密接性，以下所述之底切量比率優選位於規定之範圍。
這裡，採用圖6對底切量比率進行說明。圖6示出了在透明基材11上依次層疊黑化配線層和銅配線層之導電性基板之沿黑化配線層和銅配線層之積層方向之面之剖面圖。再者，圖6中示出了藉由1層黑化配線層和1層之銅配線層構成金屬細線之例。
在構成導電性基板之層中之與透明基材相接之層之蝕刻速度比與透明基材相接之層之上面所形成之層之蝕刻速度還快之情況下，存在著與透明基材相接之層之圖案寬度會變得比與透明基材相接之層上所形成之層之圖案寬度還窄之情況。即，存在發生底切之情況。
在圖6所示之構成例中，在與透明基材相接之黑化層之蝕刻速度比黑化層之上面所形成之銅層之蝕刻速度還快之情況下，存在發生底切之情況。在圖6所示之構成例中發生了底切之情況下，作為金屬細線之底部寬度之與透明基材11相接之黑化配線層61之寬度(W2)會變得比作為金屬細線之圖案寬度之在黑化配線層61上所形成之銅配線層62之寬度(W1)還窄。
在此情況下，底切量比率可根據金屬細線之底部寬度(W2)和金屬細線之圖案寬度(W1)藉由(W1-W2)/2W1之公式來表示。
又，底切量比率優選具有(W1-W2)/2W1≦0.075之關係。其原因在於，藉由使底切量比率滿足上述關係，可對黑化層和銅層同時進行蝕刻，以將其圖案化為預期之圖案，從提高透明基材11和金屬細線之密 接性之觀點來看，為優選。
本實施形態之導電性基板具有：藉由對上述之積層體基板進行配線加工以在積層體基板之銅層和黑化層設置開口部之方式所形成之配線圖案。因此，配線圖案所含之金屬細線間設置使透明基材露出之開口部。
又，該開口部之波長為400nm以上且700nm以下之光之穿透率之平均值相對於透明基材之波長為400nm以上且700nm以下之光之穿透率之平均值之減少率優選為3.0%以下。
其原因在於，上述開口部之波長為400nm以上且700nm以下之光之穿透率之平均值相對於供積層體基板使用之透明基材之波長為400nm以上且700nm以下之光之穿透率之平均值之減少率如果超過3.0%，則存在著藉由目視對透明基材進行觀察時會看出顏色變為黃色之情況。如果上述減少率超過3.0%，則會導致對黑化層和銅層進行蝕刻時黑化層之蝕刻速度變慢，進而不能同時對黑化層和銅層進行蝕刻。因此，如上所述，黑化層所含之銅和鎳中之鎳之比例優選為60質量%以下。
又，對本實施形態之導電性基板之光之反射程度並無特別限定，然例如波長為400nm以上且700nm以下之光之正反射率之平均值優選為55%以下，更佳為40%以下，進而較佳為30%以下。其原因在於，在波長為400nm以上且700nm以下之光之正反射率之平均值為55%以下之情況下，例如在作為觸控面板用導電性基板使用時，也可特別地對顯示器之視認性之降低進行抑制。
就至此所說明之本實施形態之具有藉由2層配線所構成之網狀配線之導電性基板而言，其例如可優選作為投影型靜電容量方式之觸 控面板用導電性基板來使用。
(積層體基板之製造方法和導電性基板之製造方法)
接下來對本實施形態之積層體基板之製造方法之構成例進行說明。
本實施形態之積層體基板之製造方法可具有以下步驟：準備透明基材之透明基材準備步驟，在透明基材之至少一個面側形成積層體之積層體形成步驟。
又，上述積層體形成步驟可包含以下步驟：藉由堆積銅之銅層成膜手段而形成銅層之銅層形成步驟，藉由堆積含有氧、銅及鎳之黑化層的黑化層成膜手段而對黑化層進行成膜之黑化層形成步驟。
又，黑化層形成步驟優選在減壓環境下實施。另，黑化層所含之銅和鎳中之鎳之比例優選為11質量%以上且60質量%以下。
以下對本實施形態之積層體基板之製造方法進行說明，再者，就以下所說明之各點以外而言，由於其可為與上述積層體基板之情況同樣之構成，故省略其說明。
如上所述，在本實施形態之積層體基板中，對銅層和黑化層之於透明基材上配置時之積層順序並無特別限定。又，也可分別形成複數層之銅層和黑化層。因此，對上述銅層形成步驟和黑化層形成步驟之實施順序或實施次數並無特別限定，可根據形成之積層體基板之結構在任意時機實施任意次數。
對透明基材進行準備之步驟例如為，準備由使可見光穿過之高分子膜或玻璃基板等構成之透明基材之步驟，對其具體操作並無特別限 定。例如可根據供至後續步驟、程序之要求將其切斷為任意尺寸等。再者，由於作為能使可見光穿透之高分子膜之優選者已如上所述，故此處省略其說明。
接下來對積層體形成步驟進行說明。積層體形成步驟係在透明基材之至少一個面側形成積層體之步驟，並具有銅層形成步驟和黑化層形成步驟。為此，以下對各步驟進行說明。
首先，對銅層形成步驟進行說明。
在銅層形成步驟中，可在透明基材之至少一個面側藉由堆積銅之銅層成膜手段來形成銅層。
在銅層形成步驟中，優選採用乾式鍍法形成銅薄膜層。又，在使銅層更厚之情況下，優選採用乾式鍍法形成銅薄膜層後，再採用濕式鍍法形成鍍銅層。
因此，銅層形成步驟可具有例如採用乾式鍍法形成銅薄膜層之步驟。又，銅層形成步驟還可具有採用乾式鍍法形成銅薄膜層之步驟、及將該銅薄膜層作為供電層並採用濕式鍍法形成鍍銅層之步驟。
故，作為上述之銅層成膜手段，並不限於1個成膜手段，還可組合使用複數個成膜手段。
如上所述，藉由僅使用乾式鍍法或組合使用乾式鍍法和濕式鍍法之方式來形成銅層，可在透明基材或黑化層上不經由接著劑而直接形成銅層，故為優選。
作為乾式鍍法對其並無特別限定，在減壓環境下，可優選使用濺鍍法、離子鍍法或蒸鍍法等。
特別地，作為形成銅薄膜層時所使用之乾式鍍法，由容易地進行厚度控制而言，優選使用濺鍍法。即在此情況下，作為銅層形成步驟中之使銅堆積之銅層成膜手段，可優選使用濺鍍成膜手段(濺鍍成膜法)。
銅薄膜層可優選使用例如圖7所示之輥對輥濺鍍裝置70來進行成膜。以下以採用輥對輥濺鍍裝置之情況為例，對形成銅薄膜層之步驟進行說明。
圖7示出了輥對輥濺鍍裝置70之一構成例。輥對輥濺鍍裝置70具有可將其構成零件基本上都收藏於內之框體71。圖7中之框體71之形狀示為長方體形狀，然對框體71之形狀並無特別限定，可根據其內部收藏之裝置、設置場所或耐壓性能等將其設成任意形狀。例如框體71之形狀也可為圓筒形狀。然為了在成膜開始時可對與成膜無關之殘留氣體進行去除，框體71內部優選為減壓至1Pa以下，更佳為減壓至10-3Pa以下，進而較佳為減壓至10-4Pa。再者，並不需將框體71之內部全都減壓至上述壓力，也可構成為僅將進行濺鍍之配置了後述之罐輥(can roll)73之圖中下側之區域減壓至上述壓力。
框體71內可配置用於供給成膜銅薄膜層之基材的卷出輥72、罐輥73、濺鍍陰極74a~74d、前饋輥75a、後饋輥75b、張力輥76a、76b、卷取輥77。又，在用於搬送成膜銅薄膜層之基材之搬送路徑上，除了上述各輥以外，還可任意地設置導輥78a~78h、加熱器79等。
卷出輥72、罐輥73、前饋輥75a、卷取輥77可藉由伺服電動機提供動力。卷出輥72和卷取輥77可藉由基於粉末離合器(powder clutch)等之扭矩控制，對成膜銅薄膜層之基材之張力之平衡進行保持。
對罐輥73之構成並無特限定，然優選構成為，例如在其表面上進行鍍硬質鉻之處理，並在其內部進行從框體71之外部所供給之冷媒或溫媒之循環，以將溫度調整至大致一定之溫度。
張力輥76a、76b例如優選在其表面進行鍍硬質鉻之處理，並具有張力感測器。又，前饋輥75a、後饋輥75b或導輥78a~78h之表面也優選進行鍍硬質鉻之處理。
濺鍍陰極74a~74d優選為磁控管陰極式，並與罐輥73對向配置。對濺鍍陰極74a~74d之尺寸並無特別限定，濺鍍陰極74a~74d之成膜銅薄膜層之基材之寬度方向之尺寸優選為大於對向之成膜銅薄膜層之基材之寬度。
成膜銅薄膜層之基材搬送至作為輥對輥真空成膜裝置之輥對輥濺鍍裝置70內後，藉由與罐輥73對向之濺鍍陰極74a~74d進行銅薄膜層之成膜。
接下來對使用輥對輥濺鍍裝置70進行銅薄膜層之成膜之情況之步驟進行說明。
首先，將銅靶安裝在濺鍍陰極74a~74d上，並藉由真空泵70a、70b對框體71內部進行真空排氣，其中該框體71內將成膜銅薄膜層之基材安裝至卷出輥72。
接下來，將非活性氣體例如氬等濺鍍氣體藉由氣體供給手段81導入框體71內。再者，對氣體供給手段81之構成並無特別限定，可具有未圖示之氣體貯藏罐。又，還可構成為，在氣體貯藏罐和框體71之間按照氣體種類分別設置質量流量控制器(MFC)811a、811b和閥812a、812b， 以對各氣體供給至框體71內之供給量進行控制。圖7中示出了設置2組質量流量控制器和閥之例，然對所設置之數量並無特別限定，可根據所使用之氣體種類來選擇所要設置之數量。
又，在採用氣體供給手段81將濺鍍氣體供給至框體71內時，優選對濺鍍氣體之流量、真空泵70b和框體71之間所設置之壓力調整閥82之口徑進行調整，以將裝置內保持在例如0.13Pa以上且1.3Pa以下，並在此條件下實施成膜。
在此狀態下，可一面藉由卷出輥72以例如每分鐘1m以上且20m以下之速度搬送基材，一面藉由與濺鍍陰極74A~74d連接之濺鍍用直流電源提供電力，以進行濺鍍放電。據此，可在基材上連續地進行預期之銅薄膜層之成膜。
再者，輥對輥濺鍍裝置70還可根據需要配置上述以外之各種構件。例如可設置用於對框體71內之壓力進行測定之壓力計83a、83b或排氣閥84a、84b。
又，如上所述，在實施乾式鍍法後還可採用濕式鍍法進行銅層(鍍銅層)之成膜。
在藉由濕式鍍法進行鍍銅層之成膜之情況下，可將採用上述乾式鍍法所成膜之銅薄膜層作為供電層。而在此情況下，作為銅層形成步驟中之使銅堆積之銅層成膜手段，可優選使用電鍍成膜手段。
對將銅薄膜層作為供電層並採用濕式鍍法形成鍍銅層之步驟之條件、即、電鍍處理之條件並無特別限定，可採用常用方法中之各條件。例如，可藉由將形成了銅薄膜層之基材供給至加入了銅鍍液之鍍槽， 並對電流密度或基材之搬送速度進行控制之方式，來形成鍍銅層。
接下來，對黑化層形成步驟進行說明。
黑化層形成步驟如上所述係在透明基材之至少一個面側藉由成膜含有氧、銅、鎳之黑化層之黑化層成膜手段來形成黑化層的成膜步驟。黑化層形成步驟中之使含有氧、銅、鎳之黑化層堆積之黑化層成膜手段並無特別限定，然優選採用例如減壓環境下之濺鍍成膜手段、即濺鍍成膜法。
黑化層可優選採用例如圖7所示之輥對輥濺鍍裝置70進行成膜。由於上面已對輥對輥濺鍍裝置之構成進行敘述，這裡對其說明進行省略。
接下來對採用輥對輥濺鍍裝置70成膜黑化層之情況之步驟之構成例進行說明。
首先，將銅-鎳合金靶安裝在濺鍍陰極74a~74d，並採用真空泵70a、70b對框體71內部進行真空排氣，其中框體71內中，卷出輥72安裝了要進行黑化層之成膜之基材。之後，將非活性氣體例如由氬和氧組成之濺鍍氣體藉由氣體供給手段81導入框體71內。此時，優選對濺鍍氣體之流量、及真空泵70B和框體71之間所設置之壓力調整閥82之口徑進行調整，以使框體71內部保持在例如0.13Pa以上且13Pa以下，並在此條件下實施成膜。
再者，也可預先將非活性氣體和氧氣混合，然後將混合後之氣體供給至框體71內，然還可分別向框體71進行供給，並對供給量和壓力進行調整，以使框體71內之各氣體具有預期之分壓。又，濺鍍氣體並不限 定於上述之非活性氣體和氧所組成之氣體，還可包含選自水蒸氣、一氧化碳氣體、二氧化碳氣體中之1種以上之氣體。
在此狀態下，可一面藉由卷出輥72以每分鐘0.5m以上且10m以下左右之速度搬送基材，一面藉由與濺鍍陰極74a~74d連接之濺鍍用直流電源提供電力，以進行濺鍍放電。據此，可在基材上連續地進行預期之黑化層之成膜。
至此，對本實施形態之積層體基板之製造方法所包括之各步驟、程序等進行了說明。
藉由本實施形態之積層體基板之製造方法所獲得之積層體基板與上述之積層體基板同樣地，其銅層厚度優選為50nm以上，更佳為60nm以上，進而較佳為150nm以上。對銅層厚度之上限值並無特別限定，然銅層之厚度優選為5000nm以下，更佳為3000nm以下。再者，在銅層如上所述具有銅薄膜層和鍍銅層之情況下，銅薄膜層厚度和鍍銅層厚度之合計優選位於上述範圍。
又，對黑化層之厚度並無特別限定，然例如優選為10nm以上，更佳為15nm以上。對黑化層厚度之上限值並無特別限定，然優選為70nm以下，更佳為50nm以下。
又，就藉由本實施形態之積層體基板之製造方法所獲得之積層體基板而言，波長為400nm以上且700nm以下之光之正反射率之平均值優選為55%以下，更佳為40%以下，進而較佳為30%以下。
採用藉由本實施形態之積層體基板之製造方法所獲得之積層體基板，可設為形成了在銅層和黑化層具備開口部之配線圖案之導電性 基板。導電性基板較佳為設為具有網狀配線之結構。
本實施形態之導電性基板之製造方法可具有以下蝕刻步驟：即對藉由上述積層體基板之製造方法所獲得之積層體基板之銅層和黑化層進行蝕刻，以形成作為具有銅配線層和黑化配線層之積層體之金屬細線之配線圖案。又，藉由該蝕刻步驟還可在銅層和黑化層形成開口部。
在蝕刻步驟中，例如首先在積層體基板之最外表面形成具有與要藉由蝕刻進行去除之部分相對應之開口部之抗蝕劑。例如，在圖2A所示之積層體基板之情況下，可在積層體基板上所配置之銅層12之露出表面A上形成抗蝕劑。再者，對具有與要藉由蝕刻進行去除之部分相對應之開口部之抗蝕劑之形成方法並無特別限定，然例如可採用光刻法來形成。
接下來，藉由從抗蝕劑上面進行蝕刻液之供給，可對銅層12和黑化層13實施蝕刻。
再者，在如圖2B所示在透明基材11之兩面都配置了銅層和黑化層之情況下，可在積層體基板之表面A及表面B分別形成具有規定形狀之開口部之抗蝕劑，並可對透明基材11之兩面所形成之銅層和黑化層同時進行蝕刻。又，還可對透明基材11之兩側所形成之銅層和黑化層一側一側地進行蝕刻處理。即，例如可在對銅層12A及黑化層13A進行蝕刻後，再對銅層12B及黑化層13B進行蝕刻。
藉由本實施形態之積層體基板之製造方法所形成之黑化層示出了與銅層同樣之對蝕刻液之反應性。為此，對蝕刻步驟中所使用之蝕刻液並無特別限定，優選可使用一般常用之蝕刻銅層時所使用之蝕刻液。
作為蝕刻步驟中所使用之蝕刻液，例如可優選使用包含選自 硫酸、過氧化氫水、鹽酸、二氯化銅、及三氯化鐵中之1種之水溶液、或包含選自上述硫酸等中之2種以上之混合水溶液。此處對蝕刻液中之各成分之含量並無特別限定。
蝕刻液可在室溫下使用，然為了提高反應性，優選對其進行加溫，例如可加熱至40℃以上且50℃以下。
就藉由上述蝕刻步驟所獲得之網狀配線之具體形態而言，其與上述相同，這裡省略其說明。
又，在將兩個如圖2A、圖3A所示之於透明基材11之一面側具有銅層和黑化層之積層體基板提供至蝕刻步驟以形成導電性基板後，再對兩個導電性基板進行貼合以形成具有網狀配線之導電性基板之情況下，還可設置導電性基板貼合步驟。此時，對2個導電性基板之貼合方法並無特別限定，例如可使用光學接著劑(OCA)等進行接著。
再者，就藉由本實施形態之導電性基板之製造方法所獲得之導電性基板而言，其波長為400nm以上且700nm以下之光之正反射率之平均值優選為55%以下，更佳為40%以下，進而較佳為30%以下。
其原因在於，在波長為400nm以上且700nm以下之光之正反射率之平均值為55%以下之情況下，例如即使在作為觸控面板用導電性基板來使用時，也可特別地對顯示器之視認性之降低進行抑制。
以上對本實施形態之積層體基板、導電性基板、積層體基板之製造方法、及導電性基板之製造方法進行了說明。根據該積層體基板或藉由積層體基板之製造方法所獲得之積層體基板可知，銅層和黑化層示出了相對於蝕刻液之幾乎相同之反應性。因此，能夠提供一種具備可同時進 行蝕刻處理之銅層和黑化層之積層體基板。又，由於可同時對銅層和黑化層進行蝕刻，故可容易地形成預期形狀之銅配線層和黑化配線層。
又，藉由設置黑化配線層，可對銅配線層之光之反射進行抑制，例如在作為觸控面板用導電性基板使用之情況下，可對視認性之降低進行抑制。因此，藉由設置黑化配線層，可獲得具有良好視認性之導電性基板。
【實施例】
以下根據本發明之實施例和比較例對本發明進行更詳細之說明，然本發明並不限於該些實施例。
(評價方法)
(1)正反射率
對以下各實施例和比較例中所製作之導電性基板進行了正反射率之測定。
測定係藉由在紫外可見分光光度計(島津製作所股份有限公司製型號：UV-2550)上設置反射率測定單元而進行。
在各實施例中製作了具有圖3A之結構之積層體基板，而反射率之測定則係藉由針對圖3A之第2黑化層132之外部所露出之表面C以入射角為5°、受光角為5°之方式照射波長為400nm以上且700nm以下之範圍之光來實施。再者，測定時，使照向積層體基板之光之波長在波長400nm以上且700nm以下之範圍內按照每1nm之幅度進行變化，並對各波長之光之正反射率進行測定，之後將測定結果之平均值作為該導電性基板之正反射率之平均值。
(2)金屬細線之底切量比率
底切量比率係藉由採用SEM對各實施例和比較例中所製作之導電性基板之配線之剖面進行觀察，並求出金屬細線之圖案寬度W1及金屬細線之底部寬度W2而算出。再者，就金屬細線之圖案寬度W1和金屬細線之底部寬度W2而言，其如基於圖6所說明之內容。
(3)開口部之全光線穿透率之減少率
對各實施例和比較例中所製作之導電性基板之露出了透明基材之金屬細線間之開口部進行全光線穿透率之測定。
測定係藉由在進行正反射率測定時之紫外可見分光光度計上設置積分球附屬裝置來進行。測定時，使照射之光之波長在波長400nm以上且700nm以下之範圍內按照每1nm之幅度進行變化，並對各波長之光之穿透率進行了測定，之後將測定結果之平均值作為該導電性基板之開口部之全光線穿透率之平均值。
又，對預先製作積層體基板時所使用之透明基材也同樣地進行全光線穿透率之平均值之測定。
接下來，對各實施例和比較例中所製作之導電性基板之開口部之全光線穿透率之平均值相對於透明基材之全光線穿透率之平均值之減少率進行計算。
(試料之製作條件)
作為實施例和比較例，在以下所說明之條件下製作了積層體基板及導電性基板，並藉由上述評價方法對其進行了評價。
〔實施例1〕
製作具有圖3A所示結構之積層體基板。
首先，實施透明基材準備步驟。
具體而言，準備寬度為500mm、厚度為100μm之光學用聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(PET)製之透明基材。
接下來，實施積層體形成步驟。
作為積層體形成步驟，實施了第1黑化層形成步驟、銅層形成步驟、及第2黑化層形成步驟。以下具體地進行說明。
首先實施第1黑化層形成步驟。
將準備之透明基材安裝在圖7所示之輥對輥濺鍍裝置70上。又，在濺鍍陰極74a~74d上還安裝了銅-11質量%Ni之合金靶(住友金屬礦山(股)製)。
接下來，使輥對輥濺鍍裝置70之加熱器79加熱至100℃，對透明基材加熱，以將基材中所含之水分除去。
接下來，採用真空泵70a、70b將框體71內部排氣至1×10-4Pa後，藉由氣體供給手段81，以氬氣之流量成為240sccm、氧氣之流量為40sccm之方式向框體71內導入氬氣和氧氣。接下來，一面藉由卷出輥72以每分鐘2m之速度對透明基材進行搬送，一面藉由與濺鍍陰極74a~74d連接之濺鍍用直流電源提供電力，以進行濺鍍放電，據此在基材上連續地進行預期之第1黑化層之成膜。藉由該操作，在透明基材上形成了厚度為20nm之第1黑化層131。
接下來實施銅層形成步驟。
在銅層形成步驟中，將安裝在濺鍍陰極上之靶置換為銅靶 (住友金屬礦山(股)製)，並在對框體71內進行排氣後，僅將氬氣導入輥對輥濺鍍裝置70之框體71內，除此之外，與第1黑化層之情況同樣地在第1黑化層之上面形成了厚度為200nm之銅層。
再者，作為形成銅層之基材，使用在第1黑化層形成步驟中於透明基材上形成了第1黑化層之基材。
接下來實施第2黑化層形成步驟。
在第2黑化層形成步驟中，在與形成第1黑化層131時相同之條件下於銅層12之上面形成了第2黑化層132(參照圖3A)。
對所製作之積層體基板之波長為400nm以上且700nm以下之光之正反射率之平均值採用上述步驟進行了測定可知其波長為400nm以上且700nm以下之光之正反射率之平均值為55%。
又，對所獲得之積層體基板進行了正反射率之測定後，實施蝕刻步驟，製作導電性基板。
在蝕刻步驟中，首先，在製作之積層體基板之圖3A之表面C上形成具有與要藉由蝕刻進行除去之部分相對應之開口部之抗蝕劑。接下來，將其浸漬在由10重量%之三氯化鐵、10重量%之鹽酸、及剩餘為水所組成之蝕刻液中1分鐘，製作導電性基板。
之後，對製作之導電性基板進行金屬細線之底切量比率及開口部之全光線穿透率之測定。
評價結果示於表1。
〔實施例2~實施例7〕
除了將第1、第2黑化層成膜時所使用之濺鍍靶之成分及氧供給量變更 為表1所示之值之外，與實施例1同樣地製作積層體基板，並進行了評價。
又，基於製作之積層體基板，與實施例1同樣地製作導電性基板，並進行了評價。
結果示於表1。
〔比較例1和比較例2〕
除了將第1、第2黑化層成膜時所使用之濺鍍靶之成分變更為表1所示之值之外，與實施例1同樣地製作積層體基板，並進行評價。
又，基於所製作之積層體基板，與實施例1同樣地製作了導電性基板，並進行了評價。
結果示於表1。
由表1所示結果可知，就實施例1~實施例7而言，金屬細線之底切量比率為0.075以下，開口部之全光線穿透率之減少率為3.0%以下。即，可同時對銅層、及第1、第2黑化層進行蝕刻。
其原因可認為是，第1、第2黑化層成膜時所使用之濺鍍靶所含之銅和鎳中之鎳之比例為11質量%以上且60質量%以下，在成膜之黑化層中也為同樣之組成。即，可被認為黑化層之對蝕刻液之反應性與銅層相同。
再者，在實施例7中，沒有出現底切。即，底切量比率為0以下。
相對於此，在比較例1中可確認到，金屬細線之底切量比率為0.10，其遠超過0.075，與銅層相比黑化層之蝕刻速度較快。又，在比較例2中可確認到，開口部之全光線穿透率之減少率超過3.0%，與銅層相比黑化層之蝕刻速度較慢。
其原因可認為是，第1、第2黑化層成膜時所使用之濺鍍靶所含之銅和鎳中之鎳之比例小於11質量%或大於60質量%，在成膜之黑化層中也為同樣之組成。
以上對積層體基板、導電性基板、積層體基板之製造方法及導電基板之製造方法藉由實施方式和實施例等進行了說明，然本發明並不限定於上述實施方式和實施例等。在申請專利範圍內記載之本發明之要旨之範圍內還可進行各種之變形和修改。
本申請基於2015年6月26日向日本國專利廳申請之特願2015-129123號而主張優先權，並將特願2015-129123號之全部內容引用於本國際申請。
10A‧‧‧積層體基板
11‧‧‧透明基材
12‧‧‧銅層
13‧‧‧黑化層
11a‧‧‧透明基材11之一面
11b‧‧‧透明基材11之另一面
A‧‧‧黑化層13之表面
X、Y‧‧‧X軸、Y軸

Claims (12)

  1. 一種積層體基板，其具備：透明基材、及積層體，其形成在該透明基材之至少一個面側；該積層體具備：含有氧、銅及鎳之黑化層、及銅層；該黑化層所含之該銅和該鎳中之該鎳之比例為11質量%以上且60質量%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之積層體基板，其中，該積層體具有第1黑化層和第2黑化層作為該黑化層，該銅層配置在該第1黑化層和該第2黑化層之間。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之積層體基板，其波長為400nm以上且700nm以下之光之正反射率之平均值為55%以下。
  4. 一種導電性基板，其具備：透明基材、及金屬細線，其形成在該透明基材之至少一個面側；該金屬細線為具備黑化配線層和銅配線層之積層體，該黑化配線層含有氧、銅及鎳；該黑化配線層所含之該銅和該鎳中之該鎳之比例為11質量%以上且60質量%以下。
  5. 如申請專利範圍第4項之導電性基板，其中，該金屬細線具有第1黑化配線層和第2黑化配線層此兩層作為該黑 化配線層，該銅配線層配置在該第1黑化配線層和該第2黑化配線層之間。
  6. 如申請專利範圍第4項或第5項之導電性基板，其中，該金屬細線之底部寬度(W2)和該金屬細線之圖案寬度(W1)具有下述式(1)之關係(W1-W2)/2W1≦0.075 (1)。
  7. 如申請專利範圍第4項或第5項之導電性基板，其中，該金屬細線間預先設置了露出該透明基材之開口部，該開口部之波長為400nm以上且700nm以下之光之穿透率之平均值相對於該透明基材之波長為400nm以上且700nm以下之光之穿透率之平均值之減少率為3.0%以下。
  8. 一種積層體基板之製造方法，其具有以下步驟：透明基材準備步驟，其準備透明基材、及積層體形成步驟，其在該透明基材之至少一個面側形成積層體；該積層體形成步驟包含以下步驟：銅層形成步驟，其藉由堆積銅之銅層成膜手段而形成銅層、及黑化層形成步驟，其藉由堆積含有氧、銅及鎳之黑化層的黑化層成膜手段來成膜黑化層；在減壓環境下實施該黑化層形成步驟，該黑化層所含之該銅和該鎳中之該鎳之比例為11質量%以上且60質量%以下。
  9. 如申請專利範圍第8項之積層體基板之製造方法，其中，該黑化層成膜手段為濺鍍成膜法。
  10. 如申請專利範圍第8項或第9項之積層體基板之製造方法，其中，該黑化層之厚度為10nm以上。
  11. 一種導電性基板之製造方法，其具有以下蝕刻步驟，即對藉由申請專利範圍第8項或第9項之積層體基板之製造方法所獲得之積層體基板之該銅層和該黑化層進行蝕刻，以形成具有金屬細線之配線圖案，該金屬細線為具備銅配線層和黑化配線層之積層體；藉由該蝕刻步驟在該銅層和該黑化層上形成開口部。
  12. 如申請專利範圍第11項之導電性基板之製造方法，其中，獲得之導電性基板之波長為400nm以上且700nm以下之光之正反射率之平均值為55%以下。
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