TW201724558A - 發光組件 - Google Patents

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Abstract

一種發光組件，其包含第一元件(1)，該第一元件(1)包含第一固體聚合物組成物，其中該第一固體聚合物組成物包含第一發光晶體(11)，其中該第一發光晶體(11)係具有波洛斯凱特結構，且係選自式(I)之化合物：M1aM2bXc，其中M1表示Cs，視需要經至多30mol%的一或多個具有配位數12的其它金屬摻雜，M2表示Pb，視需要經至多30mol%的一或多個具有配位數6的其它金屬摻雜，X獨立表示選自由Cl、Br、I、氰根、以及硫氰酸根所組成群組之陰離子。該第一發光晶體(11)係具有在3nm與3000nm之間的尺寸，且發射第一波長之光，該發射係回應於具有波長短於該第一波長之光的激發。封裝(3)封入該第一元件(1)。該封裝(3)包含聚合物或無機基質。該發光組件經設計以用於LCD-背光、LED-照明或OLED照明應用中。

Description

發光組件
本發明係關於發光晶體(LC)領域。本發明提供一種發光組件、一種發光裝置、一種發光組件的用途、以及一種用於製造發光組件之方法。
WO 2011/053635 A1顯示發光二極體(LED)裝置，其包含氣密密封之發光奈米晶體之組成物及容器。
根據本發明之態樣，提供了一種發光組件。該發光組件包含包括第一發光晶體之第一元件，該第一元件被包含聚合物或無機基質之一者的封裝所封入。
較佳的是，該第一元件不會自發地發射一波長之光，但回應於激發卻會，以及尤其是回應於具有下述波長的激發：短於該待回應於該激發被發射之光的該波長。因此，在較佳具體實施例中，回應於具有例如在藍光光譜之光的激發，該第一元件發射第一波長之光，如在紅光光譜之 光。
為了提供該主題發光性質，該第一元件包含第一固體聚合物組成物，該第一固體聚合物組成物包括用以回應於激發而發射該第一波長之光的第一發光晶體，以及較佳地包括第一聚合物，較佳地呈該第一發光晶體被埋置在其中之基質形式。
用語“基質”係本領域已知且在本發明的內容中，該用語表示囊括不連續或顆粒相之連續材料。
合適的發光晶體係具有波洛斯凱特結構。此等波洛斯凱特結構本身是已知的並被描述成具有通式M1M2X3之立方、仿立方、四方或斜方晶體，其中在該晶格之立方、仿立方、四方或斜方位置，M1係具有配位數12(立方八面體(cuboctaeder))的陽離子，以及M2係具有配位數6(八面體(octaeder))的陽離子，以及X係陰離子。在這些結構中，所選之陽離子或陰離子可被其他離子(隨機或規則)置換，而仍維持其之原始結晶結構。此等發光晶體的製造係從Protesescu等人(Nano Lett.,2015,15,3692-3696)得知。
有利地，該第一發光晶體係選自式(I)之化合物：M1 aM2 bXc (I)，其中M1表示Cs，M2表示Pb，X獨立表示選自由Cl、Br、I、氰根、以及硫氰酸根所組成群組之陰離子，a表示1， b表示1，c表示3。
獨立係意指X可選自上面指名陰離子之一者或可以是上面陰離子中多於一者之組合。用語硫氰酸根應包括共振結構，即硫氰酸根以及異硫氰酸根。
在本發明的具體實施例中，M1可經至多30莫耳%(mol%)的一或多個具有配位數12的其它金屬摻雜在波洛斯凱特結構內。有利地，M1係經至多10mol%的一或多個此等金屬摻雜。合適的金屬M1係選自由Rb、K、Na、以及Li所組成群組。
在本發明的具體實施例中，M2可經至多30mol%的一或多個具有配位數6的其它金屬摻雜在波洛斯凱特結構內。有利地，M2係經至多10mol%的一或多個此等金屬摻雜。合適的金屬M2係選自由Ge、Sn、Sb、以及Bi所組成群組。
在本發明的具體實施例中，X係選自由Cl、Br、以及I之一者；或X獨立表示Cl、Br、以及I中的兩個；或X表示Cl、Br、以及I。Cl、Br、I、氰根、以及硫氰酸根的量可藉由常規實驗決定，諸如質譜法MS或x-光螢光法XRF，其等係本技術領域中已知；小的Cl陰離子將發射朝可見光的藍光部分偏移，大的I陰離子將發射朝可見光的紅光部分偏移，以及中等尺寸的Br陰離子將發射朝可見光的綠光部分偏移。
該第一發光晶體係具有在3nm與3000nm之間的尺 寸，以及尤其在5與100nm之間的尺寸。
在較佳具體實施例中，該第一發光晶體係具有式(I-1)CsPbIxZ3-x (I-1)，其中1<x3，Cs、Pb係如上所述般視需要經至多30mol%摻雜，Z表示Cl、Br之一或多者。
特別有利地，該第一發光晶體係具有式CsPbClyBr3-y-zIz，其中0<y<1，2z3-y及/或係具有式CsPbBrxI3-x，其中0x<2。
在這些具體實施例中，該經發射之光的該第一波長具備之峰係在紅光光譜，其被視為具有峰波長在590nm與700nm之間之範圍的光，較佳具有FMWH在15與50nm之間。對於前述具體實施例二者，該等第一發光晶體的尺寸都在3nm與3000nm之間，以及尤其在5nm與100nm之間。在不同具體實施例中，該第一發光晶體係具有式(I-2)CsPbBrxZ3-x (I-2)，其中2x3，Cs、Pb係如上所述般視需要經至多30mol%摻雜，Z表示Cl、I之一或多者。
特別有利地，該第一發光晶體係具有式CsPbClyBrzI3-y-z，其中0<y<1，1<z3-y，及/或係具有式CsPbBrxI3-x，其中2x3。
在這些具體實施例中，該經發射之光的該第一波長具 備之峰係在綠光光譜，其被視為具有峰波長在490nm與570nm之間之範圍的光，較佳具有FMWH在15與50nm之間。對於前述具體實施例二者，該等第一發光晶體的尺寸都在3nm與3000nm之間，以及尤其在5nm與100nm之間。
在較佳具體實施例中，該發光組件包含包括第二發光晶體之第二元件，該第二元件被該包含該聚合物或該無機基質之封裝所封入。
該第二元件發射第二波長之光，該第二波長係與該第一波長不同。此係藉由為該第二發光晶體選擇與該第一發光晶體相比係不同之化學組成及/或係不同之尺寸而達成。例如，若該第一發光晶體發射在紅光光譜之光，則該第二發光晶體可經選擇以發射在綠光光譜之光。再次，較佳的是，該第二元件不會自發地發射該第二波長之光，但回應於激發卻會，以及尤其是回應於具有下述波長的激發：短於該第二波長且短於該第一波長。例如，再次，該第二發光晶體可被在藍光光譜之光激發。
為了提供該主題發光性質，該第二元件包含第二固體聚合物組成物，該第二固體聚合物組成物包括用以回應於該激發而發射該第二波長之光的第二發光晶體，以及較佳地包括第二聚合物，較佳地呈該第二發光晶體被埋置在其中之基質形式。
有利地，該第二發光晶體係選自式(II)之化合物：M1 aM2 bXc (II)，其中 M1表示Cs，M2表示Pb，X獨立表示選自由Cl、Br、I、氰根、以及硫氰酸根所組成群組之陰離子，a表示1，b表示1，c表示3。
獨立係意指X可選自上面指名陰離子之一者或可以是上面陰離子中多於一者之組合。用語硫氰酸根應包括共振結構，即硫氰酸根以及異硫氰酸根。
在本發明的具體實施例中，M1可經至多30mol%的一或多個具有配位數12的其它金屬摻雜在波洛斯凱特結構內。有利地，M1係經至多10mol%的一或多個此等金屬摻雜。合適的金屬M1係選自由Rb、K、Na、以及Li所組成群組。
在本發明的具體實施例中，M2可經至多30mol%的一或多個具有配位數6的其它金屬摻雜在波洛斯凱特結構內。有利地，M2係經至多10mol%的一或多個此等金屬摻雜。合適的金屬M2係選自由Ge、Sn、Sb、以及Bi所組成群組。
在本發明的具體實施例中，X係選自由Cl、Br、以及I之一者；或X獨立表示Cl、Br、以及I中的兩個；或X表示Cl、Br、以及I。Cl、Br、I、氰根、以及硫氰酸根的量可藉由常規實驗判定；小的Cl陰離子將發射朝可見光 譜的藍光部分偏移，大的I陰離子將發射朝可見光譜的紅光部分偏移，以及中等尺寸的Br陰離子將發射朝可見光譜的綠光部分偏移。
該第二發光晶體係具有在3nm與3000nm之間的尺寸，以及尤其在5與100nm之間的尺寸。
在一個具體實施例中，該第一發光晶體係具有式(I-1)，以及該第二發光晶體係具有式(I-2)。在此方案中，該發光組件發射紅光以及綠光。當然，第一發光晶體以及第二發光晶體可經選擇以發射與紅光以及綠光不同色之光，只要該第一發光晶體係遵循式(I)，以及該第二發光晶體遵循式(II)。
然而，一或更多進一步種類的發光晶體可被提供於一或更多進一步之元件中，以用於發射與該第一波長以及該第二波長所定義者不同色之光。此係藉由為該進一步之發光晶體選擇與該第一發光晶體、該第二發光晶體、以及其他進一步之發光晶體相比係不同之化學組成及/或係不同之尺寸而達成。在較佳具體實施例中，N個進一步之元件被提供於該發光組件中，具有N>=1，以及較佳3<=N<=28。各進一步之元件係包含進一步之固體聚合物組成物，其中各進一步之固體聚合物組成物係包含進一步之發光晶體，以及進一步之聚合物，較佳地呈該進一步之發光晶體被埋置在其中之基質形式。
該進一步之發光晶體之各者係選自式(III)之化合物：M1 aM2 bXc (III)，其中 M1表示Cs，M2表示Pb，X獨立表示選自由Cl、Br、I、氰根、以及硫氰酸根所組成群組之陰離子，a表示1，b表示1，c表示3。
再次，獨立係意指X可選自上面指名陰離子之一者或可以是上面陰離子中多於一者之組合。用語硫氰酸根應包括共振結構，即硫氰酸根以及異硫氰酸根。
在本發明的具體實施例中，M1可經至多30mol%的一或多個具有配位數12的其它金屬摻雜在波洛斯凱特結構內。有利地，M1係經至多10mol%的一或多個此等金屬摻雜。合適的金屬M1係選自由Rb、K、Na、以及Li所組成群組。
在本發明的具體實施例中，M2可經至多30mol%的一或多個具有配位數6的其它金屬摻雜在波洛斯凱特結構內。有利地，M2係經至多10mol%的一或多個此等金屬摻雜。合適的金屬M2係選自由Ge、Sn、Sb、以及Bi所組成群組。
在本發明的具體實施例中，X係選自由Cl、Br、以及I之一者；或X獨立表示Cl、Br、以及I中的兩個；或X表示Cl、Br、以及I。Cl、Br、I、氰根、以及硫氰酸根的量可藉由常規實驗判定；小的Cl陰離子將發射朝可見光 譜的藍光部分偏移，大的I陰離子將發射朝可見光譜的紅光部分偏移，以及中等尺寸的Br陰離子將發射朝可見光譜的綠光部分偏移。
為了提供該主題發光性質，各進一步之元件包含進一步之固體聚合物組成物，該進一步之固體聚合物組成物包括用以回應於激發而發射進一步波長之光的該進一步之發光晶體，以及較佳地包括進一步之聚合物。
各進一步之發光晶體係在3nm與3000nm之間的尺寸，以及尤其在5與100nm之間的尺寸。
較佳地，各進一步之發光晶體所發射之光不僅其波長係與該第一波長以及該第二波長不同，也與該N-1個其他進一步波長之任一者不同。藉由元件的合適設計，該發光組件可發射任何波長組合之光。
在較佳具體實施例中，該發光組件係包含總體在5至30個之間之包含不同發光晶體的不同元件，因此導致該發光組件的可調式發射光譜。
在發光組件僅包含第一元件但沒有第二元件或進一步之元件的之例子中，不是僅單一第一元件而是多個第一元件可提供在該發光組件中，以增進其之亮度。在發光組件僅包含第一元件及第二元件但沒有進一步之元件的之例子中，多個第一元件及多個第二元件可提供在發光組件中，以增進其之亮度。在發光組件包含第一元件、第二元件以及進一步之元件之例子中，多個第一元件、多個第二元件、以及多個各種類的進一步之元件可提供在發光組件 中，以增進其之亮度。可能較佳的是，多個第一元件以及多個第二元件以及可能之多個進一步之元件係交替排列或隨機排列在封裝中。
據此，具有波洛斯凱特結構之銫鉛鹵化物奈米晶體以及具有波洛斯凱特結構之經摻雜之銫鉛鹵化物奈米晶體係較佳地用來作為第一發光晶體、第二發光晶體以及進一步之發光晶體。具有特定波長之光的發射係取決於在上面限制內之發光晶體材料的選擇，以及取決於發光晶體的尺寸。
較佳地，第一元件僅包含第一發光晶體且係不含任何其他發光晶體。在第二元件的例子中，第二元件反而較佳地僅包含第二發光晶體且係不含任何其他發光晶體。此邏輯也可應用到任何進一步之元件以及對應發光晶體。故，進一步之元件較佳地僅包含進一步之發光晶體且係不含任何其他發光晶體。藉由這些手段，各元件係專用於僅發射在所指派峰波長的光，並且沒有不同顏色的光。在多個第一元件的例子中，對於任何第一元件來說，此概念可保持，以及在多個第二元件的例子中，對於任何第二元件來說，此概念可保持，等等。
較佳的是，第一元件的平均直徑-以及若有任何之第二元件的平均直徑以及若有任何之進一步之元件的平均直徑-係在1μm與500μm之間，較佳地在5μm與100μm之間。
較佳地，封裝完全封入第一元件，且在多個第一元件 的例子中，封裝所有第一元件。然而，在多個第一元件之例子的不同方案中，這些第一元件的一或多者可位在封裝的外表面，而使得對於那些第一元件來說，封裝係部分封裝而非完全封裝。然而，即使是在這些情形中，有至少一個其它第一元件被封裝完全封入。此概念也可應用到若有任何之第二元件或進一步之元件。
在較佳具體實施例中，在聚合物係選自下列名單之聚合物：丙烯酸酯聚合物、碳酸酯聚合物、碸聚合物、環氧基聚合物、乙烯基聚合物、胺甲酸酯聚合物、酯聚合物、苯乙烯聚合物、聚矽氧聚合物、烯烴共聚物以及環烯烴共聚物，較佳地選自下列名單之聚合物：聚矽氧、環烯烴共聚物以及鹵化乙烯基聚合物，最佳地選自下列名單之聚合物：環氧基聚合物以及丙烯酸酯聚合物或其之共聚物或混合物的例子中，最佳地封裝在溫度20至50℃/90%相對濕度以及大氣壓下，具有小於0.2gmm m-2天-1的水氣穿透率。
在另一具體實施例中，封裝係無機基質。無機基質較佳地係從液體前驅物獲得，該液體前驅物在熱分解或與濕度/水反應時形成無機基質。此種前驅物包括金屬烷氧化物(諸如烷氧基矽烷)、金屬氫氧化物(諸如羥基矽烷)、液體矽酸鹽(諸如矽酸鈉、矽酸鉀及矽酸鋰)之一或多者。
較佳地，第一聚合物、若存在之第二聚合物、以及若存在之第N聚合物之各者係獨立選自聚丙烯酸酯(以及共聚物)、聚苯乙烯類、聚矽氧、以及環烯烴共聚物之群 組，較佳地係獨立選自環烯烴共聚物之群組。較佳地，第一聚合物、若存在之第二聚合物、以及若存在之任何進一步之聚合物係相同聚合物。
在另一具體實施例中，第一聚合物、若存在之第二聚合物、以及若存在之第N聚合物之各者係獨立選自經交聯聚合物。
較佳的是，封裝與第一元件的第一聚合物在接觸時、至少在固相中接觸時，係彼此不可溶。藉由適當地選擇各別聚合物材料，第一發光晶體係侷限在第一元件中且不可與在第一元件外，如在第二元件或進一步之元件中的第二發光晶體或進一步之發光晶體交互作用。
在第二元件或進一步之元件的例子中，此第二元件或進一步之元件較佳藉由封裝而與第一元件分開。第一元件及第二元件以及若存在之進一步之元件係間隔排列在封裝中。故，任何在元件之間的間隙被封裝的材料填充，諸如固體封裝聚合物或無機基質。較佳的是，封裝與第二元件的第二聚合物，以及任何進一步之元件的任何進一步之聚合物在接觸時、至少在固相中接觸時，係彼此不可溶。
較佳地，封裝，以及較佳地若存在之第一聚合物、第二聚合物、或進一步之聚合物之各者也透射在可見光光譜之光，亦即非不透明。
在一較佳具體實施例中，封裝可採取膜或層之形狀，亦即具有封裝的長度及寬度超過厚度，且較佳地超過厚度至少十倍。
一般，可提供一或多個阻障膜，較佳地各阻障膜在溫度20至50℃/90%相對濕度以及大氣壓下，具有小於0.2(g*mm)/(m^2*天)的水氣穿透率。在上面以及下面具體實施例之任一者中，該組件可包括在發光組件之以其他方式會被暴露表面的頂部上的阻障膜。為了避免回應於暴露於水在組件中LC的降解，此種阻障膜可尤其具有低的水氣穿透率。阻障膜可在一個具體實施例中對O2是可滲透、或也可在一不同具體實施例中對氧是不可滲透。較佳地，阻障膜係透射光，且尤其此種阻障膜可呈單一層之形式或呈多層之形式存在。阻障膜包含有機聚合物及/或無機材料。合適的有機聚合物可選自由聚偏二氯乙烯(PVdC)、環烯烴共聚物(COC)、高密度聚乙烯(HDPE)所組成群組；合適的無機材料可選自由金屬氧化物、SiOx、SixNy所組成群組。最佳地，聚合物阻障膜包含選自PVdC以及COC之群組的材料。在一較佳具體實施例中，在矩形片狀發光組件的例子中，阻障膜可被附接至封裝的二側。
本發光組件提供第一發光晶體與任何其他第二發光晶體或進一步之發光晶體的空間分離。如將於下面更詳細地顯示者，分離係藉由埋置一或多個第一元件在封裝中而達成。故，第一發光晶體係僅排列在專用的一或多個第一元件中，而任何第二發光晶體或進一步之發光晶體係僅提供在相關之元件中。藉由這樣做，避免了一方面在第一發光晶體之間以及另一方面在任何第二發光晶體或進一步之發 光晶體之間之陽離子與陰離子的交換。鑒於不同元件之各者的成形加工較佳地係在懸浮物中進行，避免了在共同懸浮物中第一發光晶體與第二發光晶體或進一步之發光晶體的混合。此種在共同懸浮物中的混合反而會造成原始之第一發光晶體、第二發光晶體、或進一步之發光晶體藉由基於上述離子交換的反應/重合而轉換成不同發光晶體。結果，此等不同發光晶體將可能發射波長與第一發光晶體、第二發光晶體、或進一步之發光晶體它們自己所發射者不同之光。故，不同種類的發光晶體在製造階段被分開，且因此被添加至懸浮物的不同部分，而在硬化/固化/乾燥之後產生前述第一發光晶體、第二發光晶體、或進一步之發光晶體。
懸浮物的各部分較佳地包含所指派之發光晶體、溶劑、配位子、以及聚合物。鑒於所得元件係固體元件，避免了在第一元件中的第一發光晶體與任何在第二元件中的第二發光晶體的交互作用。
本組件提供優異光致發光量子產率。
用語“量子產率(QY)”係本領域已知且關於系統中所吸收之每光子的特定事件發生次數的量。在本發明的內容中，用語“量子產率”係指所描述物質的“光致發光量子產率”且此二術語以具有相同的意義使用。“光致發光量子產率”係定義系統中所吸收之每光子有多少較長波長(較低能量)的光子被所述系統發射。
例如，建議用於本案之一個或更多個元件中的固體聚 合物組成物的量子產率係總共>60%，以及較佳地>80%，更佳地>90%，較佳地當被藍光激發時。此外，歸功於材料選擇、晶體尺寸、以及不同顏色LC的嚴格分離，可在經發射光達成尖的波長分佈，而使得所得經發射光的品質優越。較佳地，對於可見光發射，元件之各者的固體聚合物組成物的FWHM(半高寬)係<50nm，較佳<40nm，以及最佳<30nm。例如，可觀察到對於在507nm之發射峰的22nm FWMH，同時測量到高發光量子產率，如76%。
本組件的具體實施例符合歐盟命令的“危害性物質限制指令”(Restriction of Hazardous Substances，RoHS)。在本專利申請案申請時，適用之指令2011/65/EU一般限制下列元素的使用：鉛(Pb)<1000ppm重量計、汞(Hg)<1000ppm、鎘(Cd)<100ppm、六價鉻(Cr6+)<1000ppm、多溴聯苯(PBB)<1000ppm、多溴二苯醚(PBDE)<1000ppm。
一方面，此係藉由選擇仍提供優異量子產率/性能之不含Cd材料達成。根據RoHS命令第2版(2011/65/EU)，Pb的限值係小於1000ppm，其係組件本身以總量達到。較佳地，本實施例之組件總共的Pb濃度係低於1000ppm，更佳在30ppm與小於1000ppm之間，以及最佳地在100ppm與900ppm之間。符合RoHS標準可藉由分別選擇第一發光晶體以及可能之第二發光晶體或進一步之發光晶體的適當濃度達成，以及較佳地藉由選擇在組件中元 件的適當濃度達成。主題濃度可藉由MS或XRF測量法而測定。
較佳地，在紅光發射的例子中，相對於代表第一元件的固體聚合物組成物的聚合物基質，各別發光晶體的濃度係在0,01wt%與10,0wt%之間，較佳在0,10wt%與7,6wt%之間，以及最佳在0,2wt%與1,0wt%之間；以及在綠光發射的例子中，對於若有任何之第二元件，各別發光晶體的濃度係在0,01wt%與8,0wt%之間，較佳在0,10wt%與6,2wt%之間，以及最佳在0,2wt%與1,0wt%之間。此濃度範圍的上限值支持在發光組件包含90wt%封裝(3)的情況下符合RoHS標準，而此濃度範圍的下限值提供在發光組件包含50wt%封裝(3)的情況下於合理組件厚度有足夠的發射。
兼具高量子產率、符合RoHS標準、在發射光譜中的安定峰位置及窄FWHM、以及高安定性代表本發明較之先前技術的重大成就。傳統上，係建議CdSe或InP材料用於LC。然而，雖然第一個提供了足夠的量子產率，但符合RoHS標準是具有挑戰性的，且往往依賴於法規豁免。另一方面，後者是符合RoHS標準但顯示低劣的光學品質(量子產率<60%；FWHM>40nm)。相反地，本發明的組件提供良好量子產率、低峰FWHM以及符合RoHS標準二者。此係藉由為LC選擇適當材料、在元件中施加適當LC濃度、在組件中施加適當元件濃度、以及藉由選擇適當組件維度/厚度且同時排列不同LC在不同元件中而達 成，結果將LC彼此分開以避免離子交換反應。
為了進一步指明光學性質，較佳的是組分具有在10至90%之間的霧度。霧度可藉由具有RI>2.0以及100至1000nm尺寸的散射粒子、或藉由微結構或微結晶聚合物結構、或藉由元件本身引入。
發光組件較佳地係中間體產品，其與其它組件一起組裝成為裝置，諸如光學裝置，以及較佳地成為液晶顯示器(LCD)、發光二極體(LED)、有機發光二極體(OLED)、OLED顯示器、或太陽能電池之一者。作為OLED、LED或LCD之部件，組件可貢獻給移動或固定計算裝置、通訊裝置、或電視機裝置的顯示器。
據此，發光裝置包含根據前述具體實施例之任一者的發光組件以及用於發射藍光的光源。藍光被視為具有在400與490nm之間之範圍的波長。光源經排列以用於激發發光組件。據此，裝置係經製備以發射由封入發光組件的封裝中的一或多個不同元件的發光晶體所定義波長之光。
較佳地，光源係LED晶片。在一個具體實施例中，發光組件較佳地經排列以至少部分地封入LED晶片。在另一具體實施例中，發光組件較佳地遠離LED晶片排列。在此種具體實施例中，LED晶片較佳地至少部分地被無磷光體封裝覆蓋。
用語“磷光體”係本領域中已知，且表示顯示發光現象之物質。此可以是光致發光或螢光。這些材料時常使用在 固態照明應用中，其中藍色LED光藉由添加正確含量與種類的磷光體諸如經摻雜之釔鋁氧化物被轉換成白光。
在此發明的又一具體實施例中，光源係OLED堆疊體。在此例子中，發光組件較佳地經排列以覆蓋整個OLED堆疊體或至少其之部分。
根據本發明的另一態樣，前述具體實施例之任一者的發光組件係用於回應於發光組件被藍光照射而發射白光，尤其是作為液晶顯示器中的背光。為了此目的，可提供藍色光源於裝置中，以用於在發光組件中激發發光反應。如果發光組件包含發射紅光的第一元件以及發射綠光的第二元件，連同光源的藍光發射，發光組件係發射白光，得到呈分別回應於在第一元件以及第二元件中的發光晶體的激發之紅光以及綠光之發射以及來自從光源產生之藍光的傳輸的組合，該藍光也用來激發第一元件以及第二元件。所發射之紅光、綠光及藍光的強度比例係在各1/3的範圍中。
根據本發明的進一步態樣，係提供一種方法，以用於產生根據前述具體實例之任一者的發光組件。係提供包含第一發光晶體之第一聚合物溶液。在一個替代者中，藉由噴霧乾燥、或沉澱中之一者，從第一聚合物溶液萃取出多個第一元件。或，在一不同替代者中，將第一聚合物溶液硬化或乾燥成第一固體聚合物組成物，以及粉碎第一固體聚合物組成物而產生多個第一元件。接著，係混合第一元件至包括封裝聚合物及/或液體單體及/或液體寡聚物或用 於無機基質之前驅物之溶液中。係藉由硬化及/或乾燥封裝聚合物而提供該發光組件。在不同元件諸如一或多個第二元件或進一步之元件待封入封裝中的例子中，那些元件可根據第一元件製備。一旦第二元件或進一步之元件以個別元件提供，它們可連同第一元件一起或在第一元件之後被添加至包括封裝聚合物之溶液中。
發光晶體(LC)較佳地係從半導體材料製得。發光晶體應包括典型在3至12nm範圍之量子點，以及至多100nm之奈米晶體，以及至多3μm之發光晶體。較佳地，發光晶體係大約等軸(諸如球形或立方形)。如果所有3個正交維度的縱橫比(最長：最短方向)是1至2，粒子被視為大約等軸。如該用語所指明者，LC顯示發光或更特定地限定之光致發光。在本發明的內容中，發光晶體典型係與其它粒子空間上分開之單晶粒子，此係由於存在界面活性劑所致。它是半導體材料，其展現直接能隙(典型在1.1至3.8eV，更典型在1.4至3.5eV，甚至更典型在1.7至3.2eV之範圍中)。在以等於或高於能隙之電磁照射激發/照明下，價帶電子被激發到傳導帶，而在價帶中留下電洞。所形成之激子(電子-電洞對)接著以光致發光形式照射重合，具有集中在LC能隙附近的最大強度且展現至少1%出光致發光量子產率。與外部電子和電洞源接觸下，LC將會展現電致發光。在本發明的內容中，LC既不展現機械致發光(如，壓致發光)、化學發光、電化學發光，也不展現熱致發光。
“量子點”(QD)特別是關於半導體奈米晶體，其具有典型在3至12nm之間的直徑。在此範圍中，QD的物理直徑小於主體激發波耳(Bohr)半徑，造成量子限制效應佔優勢。結果，QD的電子態，以及因此該能隙，是QD組成物以及物理尺寸的函數，亦即吸收/發射的顏色是與QD尺寸相關。QD樣本的光學品質係直接與它們的同質性相關(較單分散QD將具有較小之發射FWHM)。當QD達到比波耳半徑更大的尺寸時，量子限制效應被阻礙，且因用於激子重合之非照射路徑可能變成主導，樣本樣品可能不再發光。因此，QD是尤其藉由其之尺寸以及尺寸分布所定義之奈米晶體的特定次群組。QD的性質直接與將其與奈米晶體區分的這些參數相關。
若有任何，第一固體聚合物組成物、第二固體聚合物組成物、或進一步之固體聚合物組成物之各者，較佳地除了包含各別種類之發光晶體外，還包含已硬化/已固化聚合物，包括有機及/或無機合成材料。較佳地，第一聚合物、若有任何之第二聚合物、以及若有任何之進一步之聚合物之各者係獨立選自聚丙烯酸酯(以及共聚物)、聚苯乙烯類、聚矽氧、以及環烯烴共聚物之群組。
已硬化/已固化聚合物較佳地係透射光，亦即非不透明，以允許發光晶體所發射光以及可能用於激發發光晶體之光源的光通過。
較佳地，以及除包含已硬化/已固化聚合物以及各別種類的發光晶體之外，第一聚合物組成物、第二聚合物組 成物、以及進一步之聚合物組成物的一或多者還包含界面活性劑，其係選自非離子性、陰離子性、陽離子性以及兩性離子性界面活性劑之群組；較佳選自胺基或羧基封端界面活性劑之群組。
用語“界面活性劑”、“配位子”、“分散劑”以及“分散試劑”係本領域已知且具有基本上相同意義。在本發明的內容中，這些用語表示除溶劑外的有機物質，其使用在懸浮物或膠體中以改善粒子之分離，並防止凝聚或沉降。不受縛於理論，咸信在添加粒子到溶劑中之前或之後，界面活性劑係物理地或化學地附接在粒子表面上，從而提供所欲效果。用語界面活性劑包括聚合物材料以及小分子；界面活性劑典型含有極性端基以及非極性端基。在本發明的內容中，溶劑(如甲苯)不被視為界面活性劑。
如上面使用在關於製造之態樣中的用語“懸浮物”係已知且關於具有固體內相(i.p.)以及液體外相(e.p.)之異質性流體。外相包含一或多個分散劑/界面活性劑、視需要之一或多個溶劑以及視需要之一或多個預聚物或經溶解之聚合物。據此，各種類發光晶體(第一、第二)被添加至專用的懸浮物部分。進一步加工包括應用懸浮物的一或各個部分至基材上的所欲區域。此步驟也稱作溶液加工，其表示藉由使用溶液系(=液體)起始材料，將塗層或薄元件應用到基材。此被視為顯著的優勢，因為它使得能夠藉由可應用於大面積且連續加工之簡單技術製造所有元件。
較佳地，為了將第一元件中的第一LC彼此空間上分 開，以及將第二元件中的第二LC彼此空間上分開，第一發光晶體以及第二發光晶體各被埋置在基質中，諸如聚合物基質或無機基質。所得用語“LC/QD複合物”表示包含LC/QD、界面活性劑以及基質之固體無機/有機複合材料且貢獻給各別第一元件或第二元件。
其它有利具體實施例係列在附屬項中以及在下面說明中。
1‧‧‧第一元件
1f‧‧‧第一進一步之元件
2‧‧‧第二元件
2f‧‧‧第二進一步之元件
3‧‧‧封裝
4‧‧‧發光組件
5‧‧‧載體
6‧‧‧LED晶片
7‧‧‧外罩
8‧‧‧殼體
9‧‧‧板
10‧‧‧OLED堆疊體
11‧‧‧第一發光晶體
11f‧‧‧第一進一步之發光晶體
12‧‧‧第一聚合物
12f‧‧‧第一進一步之聚合物
13‧‧‧溶劑
21‧‧‧第二發光晶體
22‧‧‧第二聚合物
BL‧‧‧藍光
RD‧‧‧紅光
GR‧‧‧綠光
YL‧‧‧黃光
S1、S2、S3、S4‧‧‧步驟
本發明之具體實施例、實例、代表或導致具體實施例的實驗、態樣及優點將從下列其之詳細說明而更佳理解。此種說明參考所附圖式，其中：圖1描述根據本發明之具體實施例的發光組件的示意性透視圖；圖2描述用於製造根據本發明之具體實施例的發光組件的方法；圖3描述根據本發明之具體實施例的發光裝置；圖4描述根據本發明之另一具體實施例的發光裝置；以及圖5描述根據本發明之另一具體實施例的發光裝置。
圖1描述根據本發明之具體實施例的發光組件的示意性透視圖。發光組件4包含封裝3，如從非不透光聚合物 製得者。在本具體實施例中，封裝3係具有薄膜形狀，從而長度(x-軸)及寬度(y-軸)係具有比在z-方向上之厚度遠遠較大的尺寸。然而，若有需要，封裝3可採取不同形狀。
多個第一元件1、多個第二元件2、以及多個第一進一步之元件1f係埋置在封裝3中，各僅顯示一個在圖1的切開模式中。
第一元件1包含第一固體聚合物組成物，該第一固體聚合物組成物包括第一發光晶體11但沒有其它發光晶體；以及第一聚合物12。第一發光晶體11係選自上面所介紹式(I)之化合物。第一發光晶體11係具有在3nm與3000nm之間的尺寸。例如，回應於如箭頭所指出之藍光BL的激發，第一發光晶體11發射紅光RD。
第二元件2包含第二固體聚合物組成物，該第二固體聚合物組成物包括第二發光晶體21但沒有其它發光晶體；以及第二聚合物22。第二發光晶體21係選自上面所介紹式(II)之化合物。第二發光晶體21係具有在3nm與3000nm之間的尺寸。例如，回應於藍光BL的激發，第二發光晶體21發射綠光GR。
一般，具有n є[1,N]之不同進一步之元件nf可被包含在封裝3中，包括第一進一步之元件1f，較佳地第二進一步之元件2f、....第N進一步之元件Nf。各進一步之元件nf包含進一步之固體聚合物組成物，該進一步之固體聚合物組成物包括進一步之發光晶體n1f但沒有其它發光 晶體；以及進一步之聚合物n2f。
目前，僅第一進一步之元件1f被包括在封裝3中。各第一進一步之元件1f包含第一進一步之發光晶體11f以及第一進一步之聚合物12f。第一進一步之發光晶體11f係選自上面所介紹式(III)之化合物。第一進一步之發光晶體11f係具有在3nm與3000nm之間的尺寸。例如，回應於藍光BL的激發，第一進一步之發光晶體11f發射黃光YL。
在本發明的一個具體實施例中，也可有發射多個不同顏色之多個進一步之元件nf。
第一發光晶體、第二發光晶體以及進一步之發光晶體11、21、n1f係藉由分開之元件1、2、nf之手段彼此分開。在此具體實施例中，封裝3建立分離。故，第一發光元件、第二發光元件以及進一步之發光元件1、2、nf係安定，長期中也是。
如圖1中所指出者，一旦此種發光組件暴露於波長短於經發射波長之照射，以及尤其暴露於藍色照射BL，第一發光晶體、第二發光晶體以及第一進一步之發光晶體11、21、11f被激發並分別發射紅光、綠光及黃光RD、GR、YL。連同通過發光組件4之藍光BL的一部分一起，發光組件的輸出係這些顏色的混合物且可藉由在發光組件中之第一元件、第二元件以及第一進一步之元件1、2、11f的量調整。
如果圖1之發光組件4僅包含發射紅光及綠光之第一 元件及第二元件1及2，鑑於所發射之紅光、綠光及藍光的組合得到白光，發光組件4可與發射藍光BL之光源組合而代表可使用在LCD中的背光膜。所發射之紅光、綠光及藍光的強度比例係在各1/3的範圍中。
圖2描述用於製造根據本發明之具體實施例的發光組件的方法。根據圖2a)，係提供第一聚合物溶液，其包含第一發光晶體11但沒有其它發光晶體；第一聚合物12；以及溶劑13。在步驟S1中，為了產生如圖2b)所顯示之固體第一聚合物組成物，其包括第一發光晶體11以及第一聚合物12但不再包括溶劑13，將溶液硬化、固化或乾燥。
根據步驟S2，係根據圖2c)，如藉由球磨，粉碎圖2b)之第一固體聚合物組成物。此加工步驟的結果是多個第一元件1、包括第一聚合物以及第一發光晶體之固體聚合物組成物之各者。
在步驟S3中，這些第一元件1被添加至及/或混合至封裝聚合物溶液或液體單體或液體寡聚物中。在應用所得發光組件下，其他經配置以發射與第一元件不同之一個或多個波長之光的元件可被添加至及/或混合至封裝聚合物溶液或液體單體或液體寡聚物中。在硬化及/或固化及/或乾燥之後，發光組件4被產生，其包括封裝3以及被封裝3封入之多個第一元件1。
作為步驟S1及S2替代者，圖2a)之第一聚合物溶液可以它的液體形式被加工以用於從其中萃取多個第一元件 1。例如，步驟S4可表示噴霧乾燥、或沉澱。再次，這些製程的結果為多個固體第一元件1。
圖3描述根據本發明之具體實施例的發光裝置。發光裝置目前係發光二極體LED。裝置包括具有球狀形狀之發光組件4。如圖3中所指出者，發光組件4包括多個第一元件1。各第一元件1除了包括第一聚合物，還包括第一發光晶體，但沒有其它發光晶體。第一元件1係彼此分開地埋置在封裝3中，封裝3係透射光。在應用所得裝置下，其他經配置以發射與第一元件不同之一個或多個波長之光的元件可被併入至封裝中。
參考符號6指出作為光源之LED晶片，其被排列在載體5上。發光組件4部分地封入LED晶片6的頂部與側邊。LED晶片6較佳地係經配置以發射藍光。回應於從LED晶片6發射之藍光的激發，在發光組件4的第一元件1及/或進一步之元件中的發光晶體發射不同顏色的光，如紅光、綠光及/或黃光。故，本具體實施例示意性說明LED，其發射如紅及/或綠及/或黃與LED晶片6藍光光之加成性顏色混合物。至於圖3之裝置的製造，LED晶片6可預組裝至載體5上且發光組件4可以液體形式滴加至LED晶片6/載體5排列上，以及接著硬化、固化或乾燥。
考慮到發光組件4係直接排列在LED晶片6上，發光組件4較佳地包括抗熱材料。例如，在第一元件1中的第一聚合物以及封裝可以是溫度安定聚合物，且較佳地可以是聚矽氧或聚矽氮烷。
圖4描述根據本發明之另一具體實施例的發光裝置。發光裝置目前係發光二極體LED。裝置包括具有膜狀形狀之發光組件4。如圖4中所指出者，發光組件4包括多個第一元件1。各第一元件1除了包括第一聚合物，還包括第一發光晶體，但沒有其它發光晶體。第一元件1係彼此分開地埋置在封裝3中，封裝3係透射光。在應用所得裝置下，其他經配置以發射與第一元件不同之一個或多個波長之光的元件可被併入至封裝中。
發光組件4被排列在如殼體或正面的透明板9上。發光組件4/板9-組合係遠離作為光源且排列在載體5上之LED晶片6排列。該遠離排列可藉由殼體8之手段達成。LED晶片6較佳地係經配置以發射藍光。目前，LED晶片6係部分地被無磷光體外罩7封入。回應於從LED晶片6發射之藍光的激發，在發光組件4的第一元件1及/或進一步之元件中的發光晶體發射不同顏色的光，如紅光、綠光及/或黃光。故，本具體實施例示意性說明LED，其發射如紅及/或綠及/或黃與LED晶片6藍光之加成性顏色混合物。至於圖4之裝置的製造，LED晶片6可預組裝至載體5上，而發光組件4可以它的已硬化形式附接至板9。
與圖3所說明之具體實施例相反，此發光組件係遠離LED晶片6排列，而使得發光組件可不需要以相同方式忍受熱。
圖5描述根據本發明之具體實施例的發光裝置。發光裝置目前係有機發光二極體OLED。裝置包括具有平坦形 狀之發光組件4。如圖5中所指出者，發光組件4包括多個第一元件1。各第一元件1除了包括第一聚合物，還包括第一發光晶體，但沒有其它發光晶體。第一元件1係彼此分開地埋置在封裝3中，封裝3係透射光。在應用所得裝置下，其他經配置以發射與第一元件不同之一個或多個波長之光的元件可被併入至封裝中。
參考符號10指出作為光源之OLED堆疊體，其可被排列在進一步之載體上。OLED堆疊體10較佳地係經配置以發射藍光。回應於從OLED堆疊體10發射之藍光的激發，在發光組件4的第一元件1及/或進一步之元件中的發光晶體發射不同顏色的光，如紅光、綠光及/或黃光。故，本具體實施例示意性說明OLED裝置，其發射如紅及/或綠及/或黃與LED晶片6藍光之加成性顏色混合物。至於圖5之裝置的製造，OLED堆疊體10可預組裝至載體上且發光組件4可以液體形式塗佈至OLED堆疊體10上，以及接著硬化、固化或乾燥。
實例及實驗
實例1：係如Protesescu等人(Nano Lett.,2015,15,3692-3696)所描述者般生產發射紅光之發光晶體。藉由加熱到450℃，且因此蒸發溶劑並燒掉配位子，所得之固體裝載經測量係0.06wt%。所得奈米晶體製劑的光學性質係以Hamamatsu Quantaurus C11347-11裝置(配備有積分球)測量，且達成在具有33nm之FWHM且638nm波長的發 射峰有量子產率72%。
將33wt%的此製劑與67wt%預先製備之具有30wt% PMMA(Plexiglas 7N)的甲苯溶液混合，且立即傾倒到加熱至60℃之玻璃基材上。在60℃完成乾燥(12h)後，獲得具有大約1mm厚度之發光且透明之箔。該箔顯示下列光學性質：量子產率70%，發射峰波長641nm，FWHM 31nm。
接著此箔被切割成大約1cm x 1cm尺寸的片，以液態氮冷卻至-196℃。該箔之後以市售咖啡研磨機碎成粉。所獲得發光聚合物粒子尺寸經估計係在數100μm之範圍中。所獲得粉末係顯示下列光學性質：量子產率69%，發射峰波長640nm，FWHM 32nm。
將33wt%從而獲得之粉末與67wt%之Electrolube SC3001聚矽氧樹脂(樹脂：硬化劑係13.5：1)混合，塗佈至玻璃基材上且在60℃固化2小時。所得膜係大約1至2mm厚且顯示下列光學性質：量子產率69%，發射峰波長638nm，FWHM 32nm。基於所測量之起始製劑的固體裝載，膜係具有大約60ppm的Pb濃度。
實例2：係如Protesescu等人(Nano Lett.,2015,15,3692-3696)所描述者般生產發射綠光之發光晶體。藉由加熱到450℃，且因此蒸發溶劑並燒掉配位子，所得之固體裝載經測量係0.54wt%。所得奈米晶體製劑的光學性質係以Hamamatsu Quantaurus C11347-11裝置(配備有積分球)測量，且達成在具有23nm之FWHM且500nm波長的發 射峰有量子產率89%。
將11wt%的此製劑與89wt%預先製備之25wt%之聚苯乙烯(Sigma Al-drich)的甲苯溶液混合，且之後類似於實例1加工，以收到具有下列光學性質之綠色發光聚合物粉末：量子產率66%，發射峰波長518nm，FWHM 28nm。
根據實例1，將33wt%從而獲得之粉末與67wt%之Electrolube SC3001聚矽氧樹脂(樹脂：硬化劑係13.5：1)混合，塗佈至玻璃基材上且在60℃固化2小時。所得膜係大約1至2mm厚且顯示下列光學性質：量子產率45%，發射峰波長514nm，FWHM 30nm。基於所測量之起始製劑的固體裝載，膜係具有大約400ppm的Pb濃度。
實例3：將實例1以及實例2所獲得的紅色與綠色發光聚合物粉末-先前也稱作第一元件以及第二元件-以1：1重量比混合，以及將33wt%的該混合物與67wt%之Electrolube SC3001聚矽氧樹脂(樹脂：硬化劑係13.5：1)混合，塗佈至玻璃基材上且在60℃固化2小時。所得膜係大約1至2mm厚且顯示下列光學性質：量子產率57%(以與實例1中相同之裝置測量)，發射峰波長514nm以及638nm，FWHM分別係30nm以及32nm。基於所測量之起始製劑的固體裝載，膜係具有大約230ppm的Pb濃度。
據此，將實例1以及實例2所獲得的紅色與綠色發光聚合物粉末以1：2重量比混合，以及將33wt%的該混合物與67wt%之Electrolube SC3001聚矽氧樹脂(樹脂：硬 化劑係13.5：1)混合，塗佈至玻璃基材上且在60℃固化2小時。所得膜係大約1至2mm厚且顯示下列光學性質：量子產率55%，發射峰波長513nm以及638nm，FWHM分別係30nm以及32nm。此結果顯示紅色與綠色聚合物粉末的混合物既不會造成粒子降解(發射峰波長之偏移)也不損失性能。基於所測量之起始製劑的固體裝載，膜係具有大約290ppm的Pb濃度。
實驗4：
係如Protesescu等人(Nano Lett.,2015,15,3692-3696)所描述者般生產發射綠光及紅光之發光晶體。藉由加熱到450℃，且因此蒸發溶劑並燒掉配位子，所得之固體裝載經測量對於綠色係0.52wt%以及對於紅色係0.53wt%。所得奈米晶體製劑的光學性質係以Hamamatsu Quantaurus C11347-11裝置(配備有積分球，450nm激發)測量，且達成對於綠色，在具有25nm之FWHM且528nm波長的發射峰有量子產率60%，以及對於紅色，在具有38nm之FWHM且645nm波長的發射峰有量子產率90%。
將這些奈米晶體製劑與環烯烴共聚物(TOPAS 5013S-04)之甲苯溶液(溶劑中有20wt%聚合物)混合以產出20：1之聚合物：奈米晶體比，且之後以甲苯稀釋至最終在製劑中的聚合物含量係4wt%。係使用綠色以及紅色之聚合物溶液在惰性環(氮)的噴霧乾燥，以獲得展現如藉由掃描電子顯微鏡所確認之1至20μm粒子尺寸的粉末。綠色粉末顯示量子產率45%，527nm的峰位置，以及24nm之 FWHM；而紅色粉末顯示量子產率80%，647nm的峰位置，以及36nm之FWHM。
將0.075g的綠色以及0.025g的紅色粉末與環氧基樹脂(Eposun，2.66g樹脂以及1.33g標準硬化劑)在高速混合機中混合，且所得混合物於環境條件下在兩個玻璃載玻片之間固化24h。此膜樣本顯示總量子產率69%，在528nm且具有24nm之FWHM的峰，以及在648nm且具有37nm之FWHM的峰。
實驗5：
將實驗4之樣本與含有InP及CdSe量子點之市售QD膜相比。表1顯示膜的光學性能，如以Hamamatsu Quantaurus C11347-11裝置(配備有積分球)測量者。當前之CsPbX3 QD樣本以量子產率指出之性能係與含有CdSe之商購膜1相似，而與含有InP之商購膜2相比係顯示較高量子產率及降低之FWHM。
膜1，係取自Amazon製造之平板Kindle Fire HDX 7之QD膜，不符合RoHS標準，可相比擬之量子產率以及 FWHM。
膜2，係取自Samsung製造之TV型號UE48JS8580之QD膜，符合RoHS標準，但低量子產率，寬的FWHM。
實驗6(比較性實驗)：將實例1以及實例2的綠色與紅色發光製劑以1：1之紅色：綠色之乾重量比(9：1，以製劑重計)混合在一起。由於離子交換反應所致，所得製劑變成橘色具有低強度黃色發光。該製劑經測量並顯示下面光學性質：量子產率9.5%(以與實例1中相同之裝置測量)，發射峰波長554nm，FWHM 28nm。
此實驗清楚地證明紅色及綠色LC既不能在相同液體製劑中組合而不實質上影響光學性質，也不能在相同聚合物基質中組合而不實質上影響光學性質。
實驗7(比較性實驗)：將含有來自實例1以及2之經溶解之聚合物的綠色及紅色發光製劑以重量比1：1混合。所得混合物改變了它的顏色，在幾秒內從開始的橘色變成具有綠色發射的黃色，因此指出正在進行離子交換。將所得混合物澆鑄到玻璃載玻片上並在60℃乾燥。所得膜大約100μm厚且顯示下列光學性質：量子產率45%(以與實例1中相同之裝置測量)，發射峰波長520nm，FWHM 27nm。不再有紅色發射峰可被偵測的事實強化了發射紅色及綠色之粒子不能在一個聚合物相內被混合的事實。
1‧‧‧第一元件
2‧‧‧第二元件
3‧‧‧封裝
4‧‧‧發光組件
11‧‧‧第一發光晶體
12‧‧‧第一聚合物
21‧‧‧第二發光晶體
22‧‧‧第二聚合物
1f‧‧‧第一進一步之元件
11f‧‧‧第一進一步之發光晶體
12f‧‧‧第一進一步之聚合物
BL‧‧‧藍光
RD‧‧‧紅光
GR‧‧‧綠光
YL‧‧‧黃光

Claims (16)

  1. 一種發光組件，其包含：第一元件(1)，該第一元件(1)包含第一固體聚合物組成物，其中該第一固體聚合物組成物包含第一發光晶體(11)，其中該第一發光晶體(11)- 係具有波洛斯凱特(perovskite)結構，- 係選自式(I)之化合物：M1 aM2 bXc (I)，其中M1表示Cs，視需要經至多30莫耳%(mol%)的一或多個具有配位數12的其它金屬摻雜，M2表示Pb，視需要經至多30mol%的一或多個具有配位數6的其它金屬摻雜，X獨立表示選自由Cl、Br、I、氰根、以及硫氰酸根所組成群組之陰離子，a表示1，b表示1，c表示3；- 係在3nm與3000nm之間的尺寸，- 發射第一波長之光，該發射係回應於具有波長短於該第一波長之光的激發，封入該第一元件(1)之封裝(3)，其中該封裝(3)包含聚合物或無機基質。
  2. 如申請專利範圍第1項之發光組件，其中該第一固體聚合物組成物包含第一聚合物(12)， 以及其中該第一聚合物(12)不可溶於該封裝聚合物中，且反之亦然。
  3. 如申請專利範圍第1項之發光組件，包含第二元件(2)，該第二元件(2)包含第二固體聚合物組成物，其中該第二固體聚合物組成物包含第二發光晶體(21)，其中該第二發光晶體(21)- 係具有波洛斯凱特結構- 係選自式(II)之化合物：M1 aM2 bXc (II)，其中M1表示Cs，視需要經至多30mol%的一或多個具有配位數12的其它金屬摻雜，M2表示Pb，視需要經至多30mol%的一或多個具有配位數6的其它金屬摻雜，X獨立表示選自由Cl、Br、以及I、氰根、以及硫氰酸根所組成群組之陰離子，a表示1，b表示1，c表示3；- 係在3nm與3000nm之間的尺寸，- 係與該第一發光晶體(11)不同之化學組成及/或不同之尺寸，- 發射與該第一波長不同之第二波長之光，該發射係回應於具有波長短於該第一波長以及該第二波長之 各者之光的激發，其中該封裝(3)封入該第二元件(2)。
  4. 如申請專利範圍第3項之發光組件，其中該第二固體聚合物組成物包含第二聚合物(22)，以及其中該第二聚合物(22)不可溶於該封裝聚合物中，且反之亦然。
  5. 如申請專利範圍第3項之發光組件，其中該第一元件(1)以及該第二元件(2)係間隔排列在該封裝(3)內，以及較佳地，其中該第一聚合物(12)以及該第二聚合物(22)係完全相同。
  6. 如申請專利範圍第3項之發光組件，其包含N個進一步之元件(nf)，具有N>=1，各進一步之元件(nf)係包含進一步之固體聚合物組成物以及進一步之發光晶體(n1f)，其中該進一步之發光晶體(n1f)- 係具有波洛斯凱特結構- 係選自式(III)之化合物：M1 aM2 bXc (III)，其中M1表示Cs，視需要經至多30mol%的一或多個具有配位數12的其它金屬摻雜，M2表示Pb，視需要經至多30mol%的一或多個具有配位數6的其它金屬摻雜， X獨立表示選自由Cl、Br、以及I、氰根、以及硫氰酸根所組成群組之陰離子，a表示1，b表示1，c表示3；- 係在3nm與3000nm之間的尺寸，- 係與該第一發光晶體、該第二發光晶體以及該N-1個其他進一步之發光晶體之任一者不同之化學組成及/或不同之尺寸，- 發射進一步波長之光，該發射係回應於具有波長短於該進一步波長之光的激發，其中該進一步波長係與該第一波長不同、係與該第二波長不同、以及係與該N-1個其他進一步波長之任一者不同，- 較佳地，其中各進一步之聚合物組成物包含進一步之聚合物(n2f)，以及- 其中該進一步之聚合物(n2f)不可溶於該封裝聚合物中，且反之亦然。
  7. 如前述申請專利範圍中任一項之發光組件，其中該封裝聚合物係選自下列名單之聚合物：丙烯酸酯聚合物、碳酸酯聚合物、碸聚合物、環氧基聚合物、乙烯基聚合物、胺甲酸酯聚合物、酯聚合物、苯乙烯聚合物、聚矽氧聚合物、烯烴共聚物以及環烯烴共聚物，較佳地選自下列名單之聚合物：聚矽氧、環烯烴共聚物以及鹵化乙烯基聚合物，以及 較佳地，其中該封裝聚合物具有小於0.2公克(g)毫米(mm)米-2(m-2)天-1的水氣穿透率，其中該第一聚合物(12)、若存在之該第二聚合物(22)、以及若存在之任何進一步之聚合物(n2f)係獨立選自聚丙烯酸酯，包括共聚物、聚苯乙烯類、聚矽氧、以及環烯烴共聚物之群組。
  8. 如前述申請專利範圍第1至6項中任一項之發光組件，其中該第一發光晶體(11)、若存在之該第二發光晶體(21)、以及若存在之任何發光晶體(n1f)係獨立為在5nm與100nm之間的尺寸，及/或其中該第一元件(1)、若存在之該第二元件(2)、以及若存在之任何進一步之元件(nf)的平均直徑係獨立在1μm與500μm之間，較佳地在5μm與100μm之間。
  9. 如前述申請專利範圍第3至6項中任一項之發光組件，其中該第一發光晶體(11)係選自由下列所組成群組：- CsPbBrxI3-x，其中0x<2- CsPbClyBr3-y-zIz，其中0<y<1，2z3-y，以及其中該第二發光晶體(21)係選自由下列所組成群組：- CsPbBrxI3-x，其中2x3- CsPbClyBrzI3-y-z，其中0<y<1，1<z3-y。
  10. 如申請專利範圍第6項之發光組件，其中N係在3與28之間。
  11. 如前述申請專利範圍第1至6項中任一項之發光組件，其中該第一元件(1)僅包含第一發光晶體(11)且係不含任何其他發光晶體，其中，若存在，該第二元件(2)僅包含第二發光晶體(21)且係不含任何其他發光晶體其中，若存在，該進一步之元件僅包含進一步之發光晶體(n1f)且係不含任何其他發光晶體。
  12. 一種發光裝置，其包含如前述申請專利範圍第1至6項中任一項之發光組件(4)，用以發射藍光之光源，其中該光源經排列以用於激發該發光組件(4)，及/或其中該發光裝置係LCD顯示器、OLED顯示器、發光二極體(LED)或有機發光二極體(OLED)之一者。
  13. 如申請專利範圍第12項之發光裝置，其中該光源係LED晶片(6)，以及其中該發光組件(4)至少部份地封入該LED晶片(6)。
  14. 如申請專利範圍第12項之發光裝置，其中該光源係LED晶片(6)，其中該發光組件(4)係遠離該LED晶片(6)排列，以及較佳地，其中該LED晶片(6)係至少部分地被無磷光體外罩(7)覆蓋。
  15. 一種如前述申請專利範圍第1至11項中任一項之 發光組件之用途，用於回應於該發光組件(4)被藍光照射而發射白光，尤其是作為液晶顯示器中的背光。
  16. 一種用於製造如前述申請專利範圍第1至11項中任一項之發光組件之方法，其包含提供包含第一發光晶體(11)之第一聚合物溶液，下列之一者a)藉由噴霧乾燥、或沉澱中之一者，從該第一聚合物溶液萃取出多個第一元件(1)，或b)將該第一聚合物溶液硬化成第一固體聚合物組成物，以及粉碎該第一固體聚合物組成物而產生多個第一元件(1)，混合該第一元件(1)至包括封裝聚合物之溶液中，以及藉由硬化及/或乾燥該封裝聚合物而提供該發光組件(4)。
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