TWI731910B - 發光組件 - Google Patents

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TWI731910B TW105142089A TW105142089A TWI731910B TW I731910 B TWI731910 B TW I731910B TW 105142089 A TW105142089 A TW 105142089A TW 105142089 A TW105142089 A TW 105142089A TW I731910 B TWI731910 B TW I731910B
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Abstract

一種發光組件，其包含第一膜(1)及第二膜(2)，該第一膜(1)包含第一固體聚合物組成物且該第二膜(2)包含第二固體聚合物組成物。該第一固體聚合物組成物包含第一發光晶體(11)。該第二固體聚合物組成物包含第二發光晶體(21)。該第一發光晶體(11)係具有在3nm與3000nm之間的尺寸，且回應於具有較短波長之光的激發而發射紅光。該第二發光晶體(21)係具有在3nm與3000nm之間的尺寸，且回應於具有較短波長之光的激發而發射綠光。該發光組件係特別適用於在LCD-背光色轉換中之應用。

Description

發光組件
本發明係關於發光晶體(LC)領域。本發明提供一種發光組件、一種發光裝置、及一種發光組件的用途。
WO 2015/113562 A1揭示具有第一阻障膜、第二阻障膜、及將第一阻障膜與第二阻障膜分開之量子點層的量子點膜物品。量子點層包括分散在聚合物材料中之量子點。聚合物材料包括甲基丙烯酸酯聚合物、環氧基聚合物及光起始劑。不同量子點可分散在共同量子點層中。這些量子點包括硒化鎘(CdSe)或磷化銦(InP)材料組成物。
根據本發明之態樣，提供了一種發光組件。該發光組件包含第一膜及第二膜。較佳地，膜係定義成具有長度與寬度中之至少一者，且較佳地二者，超過該膜的高度/厚度。較佳的是，該第一膜及該第二膜不會自發地發射光，但回應於激發卻會，以及尤其是回應於具有下述波長之光 的激發：短於該待回應於該激發而發射之光的波長。故，在較佳具體實施例中，該第一膜發射紅光，較佳地回應於藍光之激發，而該第二膜發射綠光，較佳地回應於藍光之激發。將紅光視為具有峰波長在590與700nm之間範圍的光。將綠光視為具有峰波長在490與570nm之間範圍的光。
為了提供主題發光性質，該第一膜包含第一固體聚合物組成物，該第一固體聚合物組成物包括用於回應於激發而發射紅光之第一發光晶體。該第二膜包含第二固體聚合物組成物，該第二固體聚合物組成物包括用於回應於激發，且較佳相同之該激發而發射綠光之第二發光晶體。此種不同波長光譜較佳地係藉由為該第二發光晶體選擇與該第一發光晶體相比係不同之化學組成及/或係不同之尺寸而達成。
合適的發光晶體係具有鈣鈦礦結構。此等鈣鈦礦結構本身是已知的並經描述成具有通式M1M2X3之立方、仿立方、四方或斜方晶體，其中，M1係具有配位數12(立方八面體(cuboctaeder))的陽離子，以及M2係具有配位數6(八面體(octaeder))的陽離子，以及X係在該晶格之立方、仿立方、四方或斜方位置之陰離子。在這些結構中，所選之陽離子或陰離子可為其他離子(隨機或規則)所置換，而仍維持其之結晶結構。此等第一及第二發光晶體的製造係從Protesescu等人(Nano Lett.,2015,15,3692-3696)得知。
有利地，該第一發光晶體係選自式(I)之化合物： M1 aM2 bXc (I)，其中M1表示Cs，M2表示Pb，X獨立表示選自由Cl、Br、I、氰根、以及硫氰酸根所組成群組之陰離子，a表示1，b表示1，c表示3。
獨立係意指X可選自上面指名陰離子中之一者或可以是上面陰離子中多於一者之組合。用語硫氰酸根應包括共振結構，即硫氰酸根以及異硫氰酸根。
在本發明的具體實施例中，在鈣鈦礦結構內，M1可經至多30莫耳%的一或多種具有配位數12的其它金屬摻雜。有利地，M1係經至多10莫耳%的一或多種此等金屬摻雜。合適的金屬M1係選自由Rb、K、Na、以及Li所組成群組。
在本發明的具體實施例中，在鈣鈦礦結構內，M2可經至多30莫耳%的一或多種具有配位數6的其它金屬摻雜。有利地，M2係經至多10莫耳%的一或多種此等金屬摻雜。合適的金屬M2係選自由Ge、Sn、Sb、以及Bi所組成群組。
在本發明的具體實施例中，X係選自Cl、Br、以及I中之一者；或X獨立表示Cl、Br、以及I中的兩個；或X表示Cl、Br、以及I。Cl、Br、I、氰根、以及硫氰酸根的 量可藉由常規實驗決定，諸如MS或XRF，其等係本技術領域中已知；小的Cl陰離子將發射朝可見光的藍光部分偏移，大的I陰離子將發射朝可見光的紅光部分偏移，以及中等尺寸的Br陰離子將發射朝可見光的綠光部分偏移。
有利地，該第一發光晶體係具有式(I-1)CsPbIxZ3-x (I-1)，其中1<x
Figure 105142089-A0202-12-0004-4
3，Cs、Pb係如上所述般隨意地經至多30莫耳%摻雜，Z表示Cl、Br中之一或多者。
特別有利地，該第一發光晶體係具有式CsPbBrxI3-x，其中0
Figure 105142089-A0202-12-0004-5
x<2，及/或係具有式CsPbClyBr3-y-zIz，其中0<y<1，2
Figure 105142089-A0202-12-0004-6
z
Figure 105142089-A0202-12-0004-7
3-y。
有利地，該第二發光晶體係選自式(II)之化合物：M1 aM2 bXc (II)，其中M1表示Cs，M2表示Pb，X獨立表示選自由Cl、Br、I、氰根、以及硫氰酸根所組成群組之陰離子，a表示1，b表示1，c表示3。
再次，獨立係意指X可選自上面指名陰離子中之一者或可以是上面陰離子中多於一者之組合。用語硫氰酸根應 包括共振結構，即硫氰酸根以及異硫氰酸根。
在本發明的具體實施例中，在鈣鈦礦結構內，M1可經至多30莫耳%的一或多種具有配位數12的其它金屬摻雜。有利地，M1係經至多10莫耳%的一或多種此等金屬摻雜。合適的金屬M1係選自由Rb、K、Na、以及Li所組成群組。
在本發明的具體實施例中，在鈣鈦礦結構內，M2可經至多30莫耳%的一或多種具有配位數6的其它金屬摻雜。有利地，M2係經至多10莫耳%的一或多種此等金屬摻雜。合適的金屬M2係選自由Ge、Sn、Sb、以及Bi所組成群組。
在本發明的具體實施例中，X係選自Cl、Br、以及I中之一者；或X獨立表示Cl、Br、以及I中的兩個；或X表示Cl、Br、以及I。Cl、Br、I、氰根、以及硫氰酸根的量可藉由常規實驗決定；小的Cl陰離子將發射朝可見光譜的藍光部分偏移，大的I陰離子將發射朝可見光譜的紅光部分偏移，以及中等尺寸的Br陰離子將發射朝可見光譜的綠光部分偏移。
該第二發光晶體回應於激發而發射綠光。
有利地，該第二發光晶體係具有式(II-1)CsPbBrxZ3-x (II-1)，其中2
Figure 105142089-A0202-12-0005-8
x
Figure 105142089-A0202-12-0005-9
3，Cs、Pb係如上所述般隨意地經至多30莫耳%摻雜，Z表示Cl、I中之一或多者。
特別有利地，該第二發光晶體係具有式CsPbClyBrzI3-y-z，其中0<y<1，1<z
Figure 105142089-A0202-12-0006-10
3-y，及/或係具有式CsPbBrxI3-x，其中2
Figure 105142089-A0202-12-0006-11
x
Figure 105142089-A0202-12-0006-12
3。
該第一發光晶體係具有在3nm與3000nm之間的尺寸，以及尤其在5nm與100nm之間的尺寸。該第二發光晶體係具有在3nm與3000nm之間的尺寸，以及較佳地在5nm與100nm之間的尺寸。
據此，具有鈣鈦礦結構之銫鉛鹵化物奈米晶體及/或具有鈣鈦礦結構之經摻雜之銫鉛鹵化物奈米晶體係較佳地用來作為第一發光晶體及第二發光晶體。具有特定波長之光的發射係取決於在上面限制內之發光晶體材料的選擇，以及取決於發光晶體的尺寸。故，該第一發光晶體之發紅光性質較佳地係來自適當選擇該材料在所定義尺寸的結果。該綠發光晶體較佳地具有不同之化學組成及/或不同之尺寸。
在非常佳之具體實施例中，經設計用於發射紅光之該第一發光晶體係具有式CsPbBrxI3-x之化合物，其中0
Figure 105142089-A0202-12-0006-13
x<2、或具有式CsPbClyBr3-y-zIz之化合物，其中0<y<1，2
Figure 105142089-A0202-12-0006-14
z
Figure 105142089-A0202-12-0006-15
3-y，且顯示峰波長在590nm與700nm之間範圍的光，較佳具有FMWH在15與50nm之間。
在非常佳之具體實施例中，經設計用於發射綠光之該第二發光晶體係具有式CsPbClyBrzI3-y-z之化合物，其中0
Figure 105142089-A0202-12-0006-16
y
Figure 105142089-A0202-12-0006-17
1，1<z
Figure 105142089-A0202-12-0006-18
3-y、或具有式CsPbBrxI3-x之化合物，其中2
Figure 105142089-A0202-12-0006-19
x
Figure 105142089-A0202-12-0006-20
3，且顯示峰波長在490nm與570nm之間範圍的 光，較佳具有FMWH在15與50nm之間。
對於前述具體實施例二者而言，該第一發光晶體與該第二發光晶體之各者的尺寸都在5nm與100nm之間。
較佳地，該第一膜僅包含第一發光晶體且係不含第二發光晶體，而該第二膜僅包含第二發光晶體且係不含第一發光晶體。較佳地，該第一膜僅包含第一發光晶體且係不含任何其他發光晶體，且該第二膜僅包含第二發光晶體且係不含任何其他發光晶體。藉由這些手段，該第一膜回應於激發僅專用於發射紅光，而分別沒有發射綠光或不同顏色的光，而該第二膜回應於激發僅專用發射綠光，而分別沒有發射紅光或不同顏色的光。對於在多個第一膜之例子中的任何第一膜來說，以及對於在多個第二膜之例子中的任何第二膜來說，此概念可保持，其之多個膜概念將在後續介紹。
本案之發光組件提供該第一發光晶體與該第二發光晶體的空間分開。如將於下面更詳細地顯示者，該分開可藉由下列中的一或多者之手段達成：基材、在該第一膜與該第二膜之間的間隙、及/或僅在該專用第一膜中之該第一發光晶體的配置方式與僅在該專用第二膜中之該第二發光晶體的配置方式。藉由這樣做，避免了在該等第一發光晶體與該等第二發光晶體之間之陽離子與陰離子的交換。鑒於該膜之各者的成形加工(fabrication)較佳地係在分開之懸浮物中進行，避免了第一發光晶體與第二發光晶體在共同懸浮物中混合。此種混合反而會造成該等原始之第一發 光晶體與該等原始之第二發光晶體藉由基於上述離子交換的反應/重組而轉換成不同發光晶體。結果，此等不同發光晶體將發射具有波長與該第一發光晶體或該第二發光晶體所發射者不同之光。不受縛於理論，由於此一離子交換反應所致，上述紅與綠發光晶體所得製劑將取決於紅與綠粒子之有效組成而發射具有波長在該等原始紅與綠發射峰之間的光。取而代之地，在製造階段該第一發光晶體係與該第二發光晶體分開，且因此係添加至該懸浮物的不同部分，而在硬化/固化/乾燥之後產生前述第一發光晶體與前述第二發光晶體。
藉由這樣做，發射綠光之該發光晶體(也稱作綠發光晶體)不會與發射紅光之發光晶體(也稱作紅發光晶體)交互作用。該懸浮物的各部分較佳地包含所指派之該等發光晶體、溶劑、配位子、以及聚合物。鑒於所得之該等膜係固體膜，避免了在該第一膜中的該第一發光晶體與在該第二膜中的該第二發光晶體的交互作用。在該第一膜與該第二膜係相鄰配置方式之例子中，很大程度地避免此種交互作用，鑒於僅位在該第一膜與該第二膜介面之該等QD的陽離子/陰離子可重組。
本案組件提供優異光致發光量子產率。
用語"量子產率(QY)"係本領域已知且關於系統中所吸收之每光子的特定事件發生次數的量。在本發明的內容中，用語"量子產率"係指所描述物質的“光致發光量子產率”且此二術語以具有相同的意義使用。“光致發光量子產 率”係定義系統中所吸收之每光子有多少具有較高波長(較低能量)的光子為所述系統所發射。
例如，建議用於本案之膜中的該等固體聚合物組成物的量子產率係總共>60%，以及較佳地>80%，最佳地>90%，較佳地當以藍光激發時。此外，歸功於材料選擇、晶體尺寸、以及綠與紅LC的嚴格分開，可分別在經發射紅與綠光達成陡峭的波長分佈，而使得所得經發射光的品質優越。較佳地，對於可見光發射，該第一膜與該第二膜之各者的該固體聚合物組成物的FWHM(半高寬)係<50nm，較佳<40nm，以及最佳<30nm，各係分別在紅或綠光之範圍中。例如，可觀察到對於在507nm之發射峰有22nm FWMH，同時測量到高發光量子產率，如76%。
本案組件的具體實施例符合歐盟命令的"危害性物質限制指令"(Restriction of Hazardous Substances，RoHS)。在本專利申請案申請時，適用之指令2011/65/EU一般限制下列元素的使用：鉛(Pb)<1000ppm重量計、汞(Hg)<1000ppm、鎘(Cd)<100ppm、六價鉻(Cr6+)<1000ppm、多溴聯苯(PBB)<1000ppm、多溴二苯醚(PBDE)<1000ppm。一方面，此係藉由選擇仍提供優異量子產率/性能之不含Cd材料達成。根據RoHS命令第2版(2011/65/EU)，Pb的限值係1000ppm，其在本案具體實施例中係以每膜之基礎上達成，且對於如是該組件，其係以總量達到。較佳地，根據本案具體實施例中之任一者，對於組件而言，總共的Pb濃度係低於1000ppm，更佳在 範圍30ppm與1000ppm之間，以及最佳地在100ppm與900ppm之間。符合RoHS標準可藉由分別在該第一膜與該第二膜中選擇適當濃度之該等第一發光晶體以及該等第二發光晶體達成。主題濃度可藉由MS或XRF測量法而測定。
較佳地，相對於每一膜之該固體聚合物組成物的聚合物基質，各自發光晶體的濃度，對該第一膜而言係在範圍0.01wt%與0.5wt%之間內，較佳地在0.05wt%與0.38wt%之間，最佳地在0.1wt%與0.35wt%之間；且對該第二膜而言係在0.01wt%與0.40wt%之間，較佳地在0.05wt%與0.31wt%之間，最佳地在0.1wt%與0.28wt%之間。一方面此濃度範圍的上限值支持符合RoHS標準，而另一方面此濃度範圍的下限值提供於組件合理膜厚度有足夠的發射。
較佳地，該第一膜之厚度係在3μm與500μm之間，較佳地在5μm與100μm之間，最佳地在10μm與30μm之間，且該第二膜之厚度係在30μm與500μm之間，較佳地在50μm與200μm之間，最佳地在70μm與150μm之間。一方面此厚度範圍的下限值支持符合RoHS標準，而另一方面此厚度範圍的上限值提供於組件中有限材料之使用。
兼具高量子產率、符合RoHS標準、低材料使用、在發射光譜中的安定峰位置及窄FWHM、可調發射光譜以及高安定性代表本發明較之先前技術的重大成就。傳統上， 係建議CdSe或InP材料用於LC。然而，雖然第一者提供了足夠的量子產率，但符合RoHS標準是具有挑戰性的，且往往依賴於法規豁免。另一方面，後者是符合RoHS標準但顯示低劣的光學品質(量子產率<60%；FWHM>40nm)。相反地，本發明的組件提供良好量子產率、低峰FWHM以及符合RoHS標準二者。此係藉由為LC選擇適當材料、施加適當LC濃度及膜厚度且同時配置不同LC在不同膜中而達成，結果將LC彼此分開以避免離子交換反應。
為了進一步指明光學性質，較佳的是該第一膜與該第二膜二者或該基材具有在10與90%之間的霧度。霧度可藉由具有RI>2.0以及100至1000nm尺寸的散射粒子引入、或藉由微結構或微結晶聚合物結構引入。
在第一具體實施例中，該第一膜與該第二膜係彼此附接。在此具體實施例中可不需要基材。阻障膜可附接至第一膜與第二膜之堆疊體的二外側表面。該第一膜、該第二膜與該二阻障膜較佳地具有相同平面延伸(plane extention)，亦即長度及寬度。
一般，可提供一或多種阻障膜，較佳地各阻障膜在溫度20至50℃/90%相對濕度以及大氣壓下，具有小於0.2(克‧毫米)/(米2‧天)的水氣穿透率。在上面以及下面具體實施例之任一者中，該組件可包括在該第一膜及/或該第二膜之不然會暴露表面的頂部上的阻障膜。為了避免回應於暴露於水而在該(等)膜中LC的降解，此種阻障膜 可尤其具有低的水氣穿透率。該阻障膜可在一個具體實施例中對O2是可滲透、或也可在一不同具體實施例中對氧是不可滲透。較佳地，該阻障膜係透射光。此種阻障膜可呈單一層之形式或呈多層之形式存在。該阻障膜包含有機聚合物及/或無機材料。合適的有機聚合物可選自由聚偏二氯乙烯(PVdC)、環烯烴共聚物(COC)、高密度聚乙烯(HDPE)所組成群組；合適的無機材料可選自由金屬氧化物、SiOx、SixNy所組成群組。最佳地，聚合物阻障膜包含選自PVdC以及COC之群組的材料。
在複合阻障膜結構(諸如有機/無機多層)之例子中，阻障膜之水氣穿透率係藉由下列計算：以克/(米2‧天)給出之水氣穿透率乘上以mm給出之該阻障膜厚度。例如，具有0.1克/(米2‧天)與0.1mm厚度之多層阻障膜將得到0.01(克‧毫米)/(米2‧天)之計算水氣穿透率。
在較佳具體實施例中，以單位「克/(米2‧天)」給出之該阻障膜的該水氣穿透率係小於1.0克/(米2‧天)，較佳地小於0.1克/(米2‧天)。
較佳地，係提供基材以支撐該第一膜與該第二膜。該基材可以是聚合物基材諸如聚對苯二甲酸乙二酯基材、或無機材料諸如玻璃。較佳地，該基材選自下面表列：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、三乙醯基纖維素(TAC)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)。較佳地，該基材透射在可見光光譜之光，亦即該基材非不透明的。在一個具體實施例中，該第一膜及該第二膜二者係附接到該基材，故，除了在其等之 間可能的接合或其他附接層之外，其等係直接接觸該基材。在不同的具體實施例中，該第一膜及該第二膜中之一或二者可能不是直接接觸該基材但可能是附接至另一層或膜，而該另一層或膜又附接到該基材。於此種配置方式中，仍將該一或多個膜視作被該基材支撐。此種支撐得到組件，該組件可能容易進一步組裝或該組件可能夠強健以供進一步處理。該基材較佳地是片狀結構，較佳地具有長度與寬度二者超過該基材的高度/厚度，且較佳地此二者超過其厚度至少十倍。在較佳具體實施例中，該基材之該厚度係在範圍30μm與300μm之間，且較佳地在50μm與150μm之間。在一個具體實施例中，該基材也可用作阻障膜而使得該基材的暴露表面可能不是必須被專用阻障膜覆蓋。然而，在不同的具體實施例中，且尤其當該基材透水時，該基材之不然會暴露表面也可被阻障膜覆蓋。
用語“膜”不一定意味著由膜長度和寬度限定之膜的平面延伸等於由該基材長度和寬度限定之該基材的平面延伸。尤其，該第一膜及該第二膜之各者可顯示小於該基材的平面延伸。然而，在另一具體實施例中，該第一膜及該第二膜之各者顯示等於該基材之平面延伸的平面延伸。
在較佳具體實施例中，該第一膜及該第二膜中之一或多者可包含散射粒子，諸如TiO2。
在較佳類別具體實施例中，該基材、該第一膜及該第二膜係垂直堆疊，亦即，正交其等的平面延伸。
在此類別的第一具體實施例中，該基材係配置在該第 一膜與該第二膜之間。故，該第一膜與該第二膜被該基材分開。在較佳變型中，該第一膜係直接沉積在該基材的第一面如其底部表面上方，而該第二膜係直接沉積在該基材的第二面如其頂部表面上方。在不同變型中，一或多種中間層，尤其具有透射光性質者，可配置在該等膜中之一或二者與該基材之間。任何沉積/附接該第一膜及該第二膜在該基材上或在彼此上-後者將於下面解釋-可包括塗覆、沉積、層壓、接合等。較佳地，該等阻障膜的第一者係沉積在該第一膜之不然會暴露表面上，且該等阻障膜的第二者係沉積在該第二膜之不然會暴露表面上。
在不同方法中，該等膜中之一者係配置在該基材與另一膜之間。在第一具體實施例中，該第一膜係配置在該基材與該第二膜之間。在第二具體實施例中，該第二膜係配置在該基材與該第一膜之間。在較佳變型中，該等膜中之一者係直接沉積在該基材的面如其底部表面上方，而另一膜係直接沉積在該膜上方。在不同變型中，一或多種中間層，尤其具有透射光性質者，可配置在該膜與該基材之間及/或在該膜與該另一膜之間。較佳地，該第一膜或該第二膜之不然會暴露表面可被阻障膜覆蓋。在一個具體實施例中，該基材之不然會暴露表面也可被另一阻障膜覆蓋。
在上面具體實施例的所有者中，較佳的是該基材、該第一膜及該第二膜、及若有任何之該一或多種阻障膜的平面延伸係相同。在此面向中，該發光組件也可視為層狀結構，從多個個別膜所作的膜、箔等。在該發光組件用作液 晶顯示器之背光的例子中，此矩形組件可具有具下列對角線之平面延伸：大於3英吋對角線，如用於手持設備之顯示器、或較佳地大於15英吋的對角線，用於計算機顯示器或TV。雖然上述要求若有任何之該基板、該第一膜及該第二膜之各者的矩形平面延伸，但是要強調的是，範圍不限於矩形組件。組件可也可採取不同基礎形狀，諸如圓、橢圓等形狀。
在不同類別的具體實施例中，該基材、該第一膜及該第二膜並非全都垂直堆疊，但該第一膜及該第二膜較佳地配置在相同垂直水平上，亦即它們在該組件的平面延伸中彼此側向地相鄰配置。較佳地，該第一膜及該第二膜二者係配置在該基材的共同表面，亦即其頂部表面上。在不同變型中，一或多種中間層，尤其具有透射光性質者，可配置在該基材與該第一膜及該第二膜之各者之間。注意，各該第一膜或該第二膜的個別片的尺寸較佳地低於在最終應用中藉由肉眼可檢測的尺寸(與LCD屏幕中的像素尺寸可相比擬)。
在它的一個具體實施例中，該第一膜與該第二膜間隔配置。故，係側向地在該第一膜與該第二膜之間提供間隙。該間隙可以空氣或不同氣體填充、或可以固體諸如聚合物填充。故，該第一膜與該第二膜彼此分開，進而不允許任何該第一發光晶體與該第二發光晶體之間的任何重組。
在替代具體實施例中，該第一膜與該第二膜相鄰配 置。於此，該第一膜與該第二膜彼此接觸，且尤其以它們側面接觸。
該組件之上述具體實施例中的任一者，且尤其該第二類別具體實施例中的任一者不限於單一第一膜及單一第二膜。可能較佳的是，包含該第一固體聚合物組成物的多個該等第一膜與包含該第二固體聚合物組成物的多個該等第二膜配置在相同水平上。可能較佳的是，多個該等第一膜與多個該等第二膜係以間隔或相鄰配置方式交替配置在基材上。在一個具體實施例中，該第一膜及該第二膜之各者可採取條之形狀，該條具有等於該基材之該長度之長度，及小於該基材之該寬度之寬度，且較佳地小於該基材之該寬度之十分之一，且最佳地小1mm，而使得多個第一膜條及第二膜條可以交替方式配置在該基材上。在不同的具體實施例中，多個該等第一膜及多個該等第二膜可以二維陣列的形式配置在該基材上。例如，該基材可被以間隔關係交替或接觸地交替之第一膜種類矩形/圓與第二膜種類矩形/圓覆蓋。任何此種配置方式可尤其在該組分的該平面延伸相對大時有利，如在假設該組分要用在顯示器中時，因為就產生白色背光而言，可能較佳的是不僅在下方基材的一端產生紅光及在另一端產生綠光，而是互相混合相應膜所表示之紅及綠光源。
第二類具體實施例中之任一者可包括覆蓋在該第一膜及該第二膜之不然會暴露表面上的阻障膜。此外，該基材之不然會暴露表面可被另一阻障膜覆蓋。
該發光組件較佳地係中間體產品，其與其它組件一起組裝成為裝置，諸如光學裝置，以及較佳地組裝成為液晶顯示器(LCD)、有機發光二極體(OLED)、發光二極體(LED)中之一者。用作OLED、LED或LCD之部件，該組件可對移動或固定之計算、電信、或電視裝置的顯示器有貢獻。
在較佳具體實施例中，該裝置表示液晶顯示器的背光膜，用於發射白光。為了此目的，可提供藍色光源於該裝置中，用於激發在該第一膜及該第二膜中之發光反應。在該基材對可見光光譜的光具有透射光性質的例子中，該發光組件發射白光，得到呈分別回應於在該第一膜以及該第二膜中的發光晶體的激發之紅以及綠光之發射以及來自從光源產生之藍光的傳輸的組合，該藍光也用來激發該第一膜以及該第二膜。所發射之紅光、綠光及藍光的強度比例較佳地係在各1/3的範圍中。
在此內容中，根據本發明的另一面向，該發光組件可用來作為液晶顯示器的背光膜。
發光晶體(LC)較佳地係從半導體材料製得。發光晶體應包括典型在3至12nm範圍之量子點，以及至多100nm之奈米晶體，以及至多3μm之發光晶體。較佳地，發光晶體係大約等軸(諸如球形或立方)。如果所有3個正交維度的縱橫比(最長：最短方向)是1至2，粒子係視為大約等軸。如該用語所指明者，LC顯示發光或更具體定義之光致發光。在本發明的內容中，發光晶體典型係與其它 粒子空間上分開之單晶粒子，此分開係由於存在界面活性劑所致。它是半導體材料，其展現直接能隙(典型在1.1至3.8eV，更典型在1.4至3.5eV，甚至更典型在1.7至3.2eV之範圍中)。在以等於或高於該能隙之電磁照射激發/照明下，價帶電子係激發到傳導帶，而在價帶中留下電洞。所形成之激子(電子-電洞對)接著以光致發光形式輻射重組，具有中心在該LC能隙值附近的最大強度且展現至少1%光致發光量子產率。與外部電子和電洞源接觸下，LC將會展現電致發光。在本發明的內容中，LC既不展現機械致發光(如，壓致發光)、化學發光、電化學發光，也不展現熱致發光。
量子點(QD)特別是關於半導體奈米晶體，其具有典型在3至12nm之間的直徑。在此範圍中，QD的物理直徑小於主體激發波耳(Bohr)半徑，造成量子限制效應佔優勢。結果，QD的電子態，以及因此該能隙，是QD組成物以及物理尺寸的函數，亦即吸收/發射的顏色是與QD尺寸相關。QD樣本的光學品質係直接與它們的同質性相關(較單分散QD將具有較小之發射FWHM)。當QD達到比波耳半徑更大的尺寸時，量子限制效應受阻礙，且因用於激子重組之非照射路徑可能變成主導，樣本樣品可能不再發光。因此，QD是尤其藉由其之尺寸以及尺寸分布所定義之奈米晶體的特定次群組。QD的性質直接與將它們與奈米晶體區分的這些參數相關。
除了包含各自種類的發光晶體之外，該第一固體聚合 物組成物及該第二固體聚合物組成物之各者較佳地包含硬化、固化或乾燥之聚合物，較佳地在該第一固體聚合物組成物及該第二固體聚合物組成物二者中為相同種類，包括有機及/或無機合成材料。較佳地，該聚合物係選自下列群組：丙烯酸酯聚合物(包括共聚物)、碳酸酯聚合物、碸聚合物、環氧基聚合物、乙烯基聚合物、胺甲酸酯聚合物、酯聚合物、烯烴聚合物、環烯烴共聚物、苯乙烯聚合物、及聚矽氧聚合物。最佳地，該聚合物係選自下述表列：丙烯酸酯聚合物(包括共聚物)、聚苯乙烯、聚矽氧、及環烯烴共聚物。再者，該聚合物可以是直鏈或經交聯。
在一較佳具體實施例中，當該第一膜係直接接觸該第二膜時，為了避免該第一膜與該第二膜可能互混，該第一膜的該聚合物不同於該第二膜的該聚合物。
硬化/固化之聚合物較佳地係透射光，亦即非不透明的，以允許該等發光晶體所發射光以及可能之用於激發該等發光晶體之光源的光通過。
較佳地，以及除包含硬化/固化之聚合物以及各自種類的該等發光晶體之外，該第一聚合物組成物以及該第二聚合物組成物中的一或多者還包含界面活性劑，其係選自非離子性、陰離子性、陽離子性以及兩性離子性界面活性劑之群組；較佳選自胺基或羧基封端界面活性劑之群組。
用語“界面活性劑”、“配位子”、“分散劑”以及“分散試劑”係本領域已知且具有基本上相同意義。在本發明的內容中，這些用語表示除溶劑外的有機物質，其使用在懸浮 物或膠體中以改善粒子之分離，並防止凝聚或沉降。不受縛於理論，咸信在添加粒子到溶劑中之前或之後，界面活性劑係物理地或化學地附接在粒子表面上，從而提供所欲效果。用語界面活性劑包括聚合物材料以及小分子；界面活性劑典型含有極性端基以及非極性端基。在本發明的內容中，溶劑(如甲苯)不視為界面活性劑。
如上面使用在關於製造之面向中的用語“懸浮物”係已知且關於具有固體內相(i.p.)以及液體外相(e.p.)之異質性流體。外相包含一或多種分散劑/界面活性劑、隨意地之一或多種溶劑以及隨意地之一或多種預聚物或經溶解之聚合物。據此，各種類發光晶體(第一、第二)係添加至專用的懸浮物部分。進一步加工包括應用懸浮物的一或各個部分至基材上的所欲區域。此步驟也稱作“溶液加工，其表示藉由使用溶液系(=液體)起始材料，將塗層或膜應用到基材。此被視為顯著的優勢，因為它使得能夠藉由可應用於大面積且連續加工之簡單技術製造所有膜。
較佳地，為了將該第一膜中的該等第一LC彼此空間上分開，以及將該第二膜中的該等第二LC彼此空間上分開，該第一發光晶體以及該第二發光晶體係各埋置在基質中，諸如聚合物基質或無機基質。所得用語“LC/QD複合物”表示包含LC/QD、界面活性劑以及基質之固體無機/有機複合材料且貢獻出各自該第一膜或該第二膜。
其它有利具體實施例係列在附屬項中以及在下面說明中。
1:第一膜
2:第二膜
3:基材
4:裝置
11:第一發光晶體
21:第二發光晶體
41:發光組件
42:光源
TS:頂部表面
BS:底部表面
RD:紅光
GR:綠光
BL:藍光
ES:暴露表面
本發明之具體實施例、實例、代表或導致具體實施例的實驗、面向及優點將從下列其之詳細說明而更佳理解。此種說明參考所附圖式，其中：第1至4圖各顯示根據本發明之具體實施例的發光組件的透視圖；第5圖例示說明根據本發明之具體實施例的發光裝置的示意性區塊圖；以及第6圖例示說明根據本發明具體實施例之裝置的發射光譜。
第1圖例示說明根據本發明之具體實施例的發光組件的透視圖。發光組件包含基材3，如自非不透明的聚合物或非不透明的無機材料(諸如玻璃)製作者。基材具有頂部表面TS及相對於頂部表面TS之底部表面BS。
第一膜1係附接至基材3的頂部表面TS。第二膜2係附接至基材3的底部表面BS。附接可藉由，如藉由接合或藉由直接澆鑄，各自膜到基材上達成。第一膜1、第二膜2及基材3之各者具有延著x-軸的長度、延著y-軸的寬度、及延著z-軸的厚度。
下面對第一膜及第二膜1、2特性的描述係可應用到所有在此章節中介紹的其他具體實施例中。
第一膜1包含第一固體聚合物組成物。第一固體聚合物組成物至少包含第一聚合物及第一發光晶體11，其中，第一發光晶體11係選自本文中所定義之式(I)化合物。
第一發光晶體11係具有在3nm與3000nm之間的尺寸。回應於激發，第一發光晶體11發射紅光。
第二膜2包含第二固體聚合物組成物。第二固體聚合物組成物包含至少第二聚合物及第二發光晶體21。第二發光晶體21係選自如本文中所定義的式(II)化合物。
第二發光晶體21係具有在3nm與3000nm之間的尺寸。回應於激發，第二發光晶體21發射綠光。
第一聚合物及第二聚合物較佳地但不是必須相同。
如可自第1圖衍生者，較佳的是第一膜及第二膜1、2二者延伸跨越整個基材3的頂部表面及各自底部表面TS、BS。故，可以充分利用基材3的佔用空間。
第一發光晶體11與第二發光晶體21係彼此分離。在此具體實施例中，基材3建立分離。故，第一膜及第二膜1、2係安定，長期中也是。較佳的是-該特徵對於其他具體實施例中的任一者也為真-第一膜1只包含在激發時發射紅光之第一發光晶體11，而使得較佳地既沒有第二發光晶體21也沒有任何除第一發光晶體11以外之發光晶體存在於第一膜1中。據此，較佳的是-該特徵對於其他具體實施例的任一者也為真-第二膜2只包含在激發時發射綠光之第二發光晶體21，而使得較佳地既沒有第一發光 晶體11也沒有任何除第二發光晶體21以外之發光晶體存在於第二膜2中。
如第1圖中所指出者，一旦此種發光組件暴露於照射，以及尤其暴露於藍色照射BL，第一發光晶體及第二發光晶體11、21經激發並分別發射紅光及綠光RD、GR。與穿過發光組件的一部分藍光BL一起，該發光組件輸出為白光。故，本發明之裝置可較佳地例如在LCD中用來作為背光照明。
第2圖例示說明根據本發明之另一具體實施例的發光組件的透視圖。再次，發光組件包含基材3及第一膜與第二膜1、2。第一膜1較佳地僅包含第一發光晶體11，而第二膜2較佳地僅包含第二發光晶體21。再次，第一膜及第二膜1及2完全延伸跨越基材3的表面。然而，與第1圖相比之下，第一膜及第二膜1及2不配置在基材3的不同側上，而是配置在基材3的相同側而於彼此頂部上。故，自第一發光膜及第二發光膜1及2建立之堆疊體係沉積在基材3的表面如底部表面BS上。此堆疊體也可被不同聚合物組合物的層分隔。在第2圖所顯示之實例中，第一發光膜1係附接至基材3的底部表面BS，而第二發光膜2係配置在第一膜1之暴露表面的底部上。在不同配置方式中，第二發光膜2係附接至基材3的底部表面BS，而第一發光膜1係附接至第二發光膜2的暴露表面上。當然，當談到製造發光組分時，可將該等膜依次附接到基材3。在不同具體實施例中，第一發光膜及第二發光膜1及 2係彼此附接而形成堆疊體，之後將堆疊體覆接到基材3。
第3圖及第4圖例示說明根據本發明進一步具體實施例之發光組件的透視圖。提供多個第一膜1及多個第二膜2，其中每種類膜的數目為二僅為例示用，而非僅提供單一第一膜1及單一第二膜2，諸如在第1及2圖中的具體實施例中者。發光膜1及2係在z-軸上配置於相同水平，而非將第一發光膜及第二發光膜1、2配置於不同水平，亦即在不同垂直(z-)位置，諸如在第1及2圖中的具體實施例中。故，在相同平面中，第一發光膜及第二發光膜1及2彼此比鄰配置，且結果第一膜及第二膜1、2二者都配置在基材3的共同表面如其之底部表面BS上。在第3圖之具體實施例中，第一膜及第二膜1及2交替且彼此接觸配置，而在第4圖之具體實施例中，第一膜及第二膜1及2交替且彼此被氣隙分開地配置。應注意，空間上配置方式較佳地為如此小的尺寸而使得在最終應用中藉由肉眼不可測。
第5圖例示說明根據本發明之具體實施例的發光裝置的示意性區塊圖。裝置4包括根據第1圖之發光組件41、及用以發射藍光之光源42，光源42係經配置而使得所發射之藍光激發發光組件41。較佳地，光源42經具體實例成具有與第一膜及該第二膜1、2相同長度及寬度之元件，且係附接至發光組件41。
在第1至5圖發光組件之具體實施例的任一者中，第 一膜或第二膜1或2之不然會暴露表面ES係較佳地係用以保護在各自膜1及2中之發光晶體的阻障膜覆蓋。較佳地，此一或二個阻障膜延伸跨越整個不然會暴露表面，但不是必須沿著z-方向跨越第一膜或第二膜1、2的側表面(藉由主題膜1、2之厚度所表示者)。
實例及實驗
實例1：具有標稱組成物CsPbBr3之發射綠光發光晶體(LC)係根據Protesescu等人所介紹之文獻製程(Nano Lett.,2015,15,3692-3696)合成。LC濃度藉由將分散物加熱到450℃而決定為0.54wt%，該加熱導致溶劑蒸發並燒掉配位子。分散物係使用量子C11347-11裝置(具備積分球，濱松(Hamamatsu))光學特徵之。在450nm激發之LC分散物具有中心在500nm且具23nm FWHM之光致發光峰以及89%之光致發光量子產率。
將12.4wt%的此製劑與87.3wt%之30wt% PMMA(Plexiglas 7N)的甲苯溶液及0.3wt%的TiO2散射粒子(Kronos 2800)混合且直接倒到預加熱到60℃之玻璃基材上。過量混合物係使用手術刀(Zehntner ZAA2300)移除，且在4h，60℃乾燥之後得到100μm厚的膜，此使用測微計(Mitutoyo IP65)測量者。一但使用450nm的光激發，膜展現具有中心507nm且具22nm FWHM之光致發光峰以及76%之光致發光量子產率。乾膜具有約900ppm之計算Pb濃度。
實例2：具有標稱組成物CsPbBr3之發射紅光LC係根據Protesescu等人所介紹之文獻製程(Nano Lett.,2015,15,3692-3696)合成。LC濃度藉由將分散物加熱到450℃而決定為0.06wt%，該加熱導致溶劑蒸發並燒掉配位子。分散物係使用量子C11347-11裝置(具備積分球，濱松)光學特徵之。在450nm激發之LC分散物具有中心在638nm且具33nm FWHM之光致發光峰以及72%之光致發光量子產率。
將18.4wt%的此製劑與81.3wt%之30wt% PMMA(Plexiglas 7N)的甲苯溶液及0.3wt%的TiO2散射粒子(Kronos 2800)混合且直接倒到預加熱到60℃之玻璃基材上。過量混合物係使用手術刀(Zehntner ZAA2300)移除，且在4h，60℃乾燥之後得到50μm厚的膜，此使用測微計(Mitutoyo IP65)測量者。一但使用450nm的光激發，膜展現具有中心641nm且具31nm FWHM之光致發光峰以及70%之光致發光量子產率。乾膜具有約130ppm之計算Pb濃度。
實例3：依據相同規程將分別在實例1及2描述之發射綠光及紅光LC製劑塗覆到100μm厚PET箔的相對側上。由100μm發射綠光膜、100μm PET箔、與50μm發射紅光膜所構成之所得雙側塗覆PET箔係250μm厚，此使用測微計(Mitutoyo IP65)測量者。一但使用450nm的光激發，膜展現具有分別中心在507及636nm且具22及33nm FWHM之兩個峰的光致發光，以及70%之總光致發 光量子產率，當使用與實例1相同之裝置測量時。此箔接著使用來作為包括打底片及擴散器但不存在LCD單元之三星(Samsung)SUHD TV(模型UE48JS8580T)之背光膜。通過光的品質係使用UPRTek MK350N+光譜輻射儀測量得到1：0.76：0.78的藍：綠：紅峰積分比，如第6圖藉直線所指出者。第6圖也藉由虛線呈現，如原始Samsung背光膜之傳統峰位置。在Samsung膜中之積分比的值為1：0.74：0.84的藍：綠：紅。一但使用450nm的光激發，Samsung膜展現具有分別中心在530及630nm且具40及50nm FWHM之兩個峰的光致發光，以及56%之總光致發光量子產率，當使用與實例1相同之裝置測量時。
實驗4(比較性實驗)：將分別在實例1及2描述之發射綠光及紅光製劑以紅LC：綠LC=1：1之乾LC重量比(9：1，以製劑重計)混合在一起。在不受限於理論下，由於離子交換反應所致，所得製劑變成橘色帶有低黃色發光。該製劑係在與實例1相同之儀器中測量並顯示下列光學性質：量子產率9.5%，發射峰波長554nm，FWHM 28nm。當依據與實例1至2相同之規程而塗覆到100μm厚PET箔上時，它們演示與在液體混合物中者相似之光學性質。
此實驗清楚地證明紅色及綠色LC既不能在相同液體製劑中組合而不實質上影響光學性質，也不能在相同聚合物基質中組合而不實質上影響光學性質。
實例5：將20wt%的COC(環烯烴共聚物，TOPAS 8007)甲苯溶液倒到預加熱到60℃之玻璃基材上。過量混合物係使用手術刀(Zehntner ZAA2300)移除，且在2h，60℃乾燥之後得到25μm厚的膜，此使用測微計(Mitutoyo IP65)測量者。然後使用來自實驗2之LC-PMMA製劑上塗此膜並在60℃乾燥4小時。最後，再次以20wt%的COC(TOPAS 8007)甲苯溶液塗覆堆疊體。過量混合物係使用手術刀(Zehntner ZAA2300)移除，且將膜在60℃乾燥2h。一但使用450nm的光激發，膜展現具有中心在641nm且具31nm FWHM之峰的光致發光，以及70%之光致發光量子產率，當使用與實例1相同之裝置測量時。
接著堆疊體係放在含有濕氣產生器的60℃恆溫器中，將相對濕度保持在約90%。在72h之後，堆疊體保有為70%之相同量子產率。在參考測量中，其中僅LC-PMMA膜(沒有COC)係放在該恆溫器中，在72h之後，沒有發現光致發光(量子產率<1%)。
1‧‧‧第一膜
2‧‧‧第二膜
3‧‧‧基材
11‧‧‧第一發光晶體
21‧‧‧第二發光晶體
TS‧‧‧頂部表面
BS‧‧‧底部表面
RD‧‧‧紅光
GR‧‧‧綠光
BL‧‧‧藍光
ES‧‧‧暴露表面

Claims (24)

  1. 一種發光組件，其包含：第一膜(1)，該第一膜(1)包含第一固體聚合物組成物，其中該第一固體聚合物組成物包含第一發光晶體(11)，其中該第一發光晶體(11)- 係具有鈣鈦礦結構，- 係選自式(I)之化合物：M1 aM2 bXc (I)，其中M1表示Cs或經至多30莫耳%的一或多種具有配位數12的其它金屬摻雜的Cs，M2表示Pb或經至多30莫耳%的一或多種具有配位數6的其它金屬摻雜的Pb，X獨立表示選自由Cl、Br、I、氰根、以及硫氰酸根所組成群組之陰離子，a表示1，b表示1，c表示3；- 係具有在3nm與3000nm之間的尺寸，- 回應於具有波長短於發射紅光之波長的光的激發而發射紅光，第二膜(2)，該第二膜(2)包含第二固體聚合物組成物，其中該第二固體聚合物組成物包含第二發光晶體(21)，其中該第二發光晶體(21)- 係具有鈣鈦礦結構 - 係選自式(II)之化合物：M1 aM2 bXc (II)，其中M1表示Cs或經至多30莫耳%的一或多種具有配位數12的其它金屬摻雜的Cs，M2表示Pb或經至多30莫耳%的一或多種具有配位數6的其它金屬摻雜的Pb，X獨立表示選自由Cl、Br、以及I、氰根、以及硫氰酸根所組成群組之陰離子，a表示1，b表示1，c表示3；- 係具有在3nm與3000nm之間的尺寸，- 回應於具有波長短於發射綠光之波長的光的激發而發射綠光，及一或多種阻障膜，各具有小於0.2克‧毫米‧米-2‧天-1的水氣穿透率。
  2. 如申請專利範圍第1項之發光組件，其中M1表示經至多30莫耳%的一或多種具有配位數12的其它金屬摻雜的Cs，及其中M2表示經至多30莫耳%的一或多種具有配位數6的其它金屬摻雜的Pb。
  3. 如申請專利範圍第1項之發光組件，其中該第一發光晶體(11)係具有在5nm與100nm之間的尺寸，及/或 其中該第二發光晶體(21)係具有在5nm與100nm之間的尺寸。
  4. 如申請專利範圍第1項之發光組件，其中該第一膜(1)之厚度係在3μm與500μm之間及/或其中該第二膜(2)之厚度係在30μm與500μm之間。
  5. 如申請專利範圍第1項之發光組件，其包含基材(3)，其中該第一膜(1)被該基材(3)支撐，及其中該第二膜(2)被該基材(3)支撐。
  6. 如申請專利範圍第1項之發光組件，其中各阻障膜包含選自由聚偏二氯乙烯、環烯烴共聚物、高密度聚乙烯、金屬氧化物、SiOx、SixNy所組成群組的材料；隨意地呈有機/無機多層之形式。
  7. 如申請專利範圍第5或6項之發光組件，其中該基材(3)係配置在該第一膜(1)與該第二膜(2)之間。
  8. 如申請專利範圍第7項之發光組件，其中該第一膜(1)係配置在該等阻障膜的第一者與該基材(3)之間，及該第二膜(2)係配置在該等阻障膜的第二者與該基材(3)之間。
  9. 如申請專利範圍第5或6項之發光組件，其中該第一膜與該第二膜中之一者(1,2)係配置在該基材(3)與該第一膜與該第二膜中之另一者(2,1)之間。
  10. 如申請專利範圍第9項之發光組件，其中該第一膜與該第二膜(1,2)係配置在該基材(3)與該阻障膜之間。
  11. 如申請專利範圍第5或6項之發光組件，其中該第一膜(1)與該第二膜(2)係配置在該基材(3)的共同表面(TS,BS)上，其中該第一膜(1)與該第二膜(2)係間隔或相鄰配置。
  12. 如申請專利範圍第11項之發光組件，其中該第一膜(1)與該第二膜(2)係配置在該基材(3)與該阻障膜之間。
  13. 如申請專利範圍第11項之發光組件，其包含多個該第一固體聚合物組成物的第一膜(1)，多個該第二固體聚合物組成物的第二膜(2)，其中，該等多個第一膜(1)與該等多個第二膜(2)係配置在該基材(3)的該共同表面(TS,BS)上。
  14. 如申請專利範圍第13項之發光組件，其中該等多個第一膜與該等多個第二膜(2)係配置在該基材(3)與該阻障膜之間。
  15. 如申請專利範圍第13項之發光組件，其中該等多個第一膜(1)與該等多個第二膜(2)以間隔或相鄰配置方式交替配置在該基材(3)的該共同表面(TS,BS)上。
  16. 如申請專利範圍第1項之發光組件，其中該第一發光晶體(11)係選自由下列所組成群組：- CsPbBrxI3-x，其中0
    Figure 105142089-A0305-02-0036-2
    x<2 - CsPbClyBr3-y-zIz，其中0<y<1，2
    Figure 105142089-A0305-02-0037-3
    z
    Figure 105142089-A0305-02-0037-4
    3-y，及/或其中該第二發光晶體(21)係選自由下列所組成群組：- CsPbBrxI3-x，其中2
    Figure 105142089-A0305-02-0037-5
    x
    Figure 105142089-A0305-02-0037-6
    3 - CsPbClyBrzI3-y-z，其中0<y<1，1<z
    Figure 105142089-A0305-02-0037-7
    3-y。
  17. 如申請專利範圍第1項之發光組件，其中該第一膜(1)僅包含第一發光晶體(11)且係不含第二發光晶體(21)，其中該第二膜(2)僅包含第二發光晶體(21)且係不含第一發光晶體(11)。
  18. 如申請專利範圍第17項之發光組件，其中該第一膜(1)僅包含第一發光晶體(11)且係不含任何其他發光晶體，及/或其中該第二膜(2)僅包含第二發光晶體(21)且係不含任何其他發光晶體。
  19. 如申請專利範圍第1項之發光組件，其中，該基材(3)係有機基材(3)或無機基材(3)中之一者且係非不透明的。
  20. 如申請專利範圍第19項之發光組件，其中該基材(3)包含聚合物。
  21. 如申請專利範圍第19項之發光組件，其中該基材(3)包含選自下面表列之聚合物或由選自下面表列之聚合物所組成：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、三乙醯基纖維素(TAC)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、及/或 其中該第一固體聚合物組成物與該第二固體聚合物組成物之各者包含選自下列群組之聚合物：丙烯酸酯聚合物、碳酸酯聚合物、碸聚合物、環氧基聚合物、乙烯基聚合物、胺甲酸酯聚合物、酯聚合物、苯乙烯聚合物、聚矽氧聚合物及環烯烴共聚物。
  22. 如申請專利範圍第21項之發光組件，其中該第一固體聚合物組成物與該第二固體聚合物組成物之各者包含聚丙烯酸酯(包括共聚物)、聚苯乙烯、聚矽氧、及環烯烴共聚物。
  23. 一種發光裝置，其包含：如申請專利範圍第1至22項中任一項之發光組件，用於發射藍光之光源(4)，該光源經配置以用於激發該發光組件，及/或其中該發光裝置係液晶顯示器(LCD)、有機發光二極體(OLED)、或發光二極體(LED)中之一者。
  24. 一種如申請專利範圍第1至22項中任一項之發光組件之用途，其係用於回應於經藍光照射的該發光組件而發射白光。
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