CN108473859B - 发光组件 - Google Patents

发光组件 Download PDF

Info

Publication number
CN108473859B
CN108473859B CN201680015304.2A CN201680015304A CN108473859B CN 108473859 B CN108473859 B CN 108473859B CN 201680015304 A CN201680015304 A CN 201680015304A CN 108473859 B CN108473859 B CN 108473859B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
polymer
emitting assembly
luminescent crystal
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680015304.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108473859A (zh
Inventor
N·A·卢钦格
I·韦伯
S·劳尔
M·奥斯萨杰卡
B·哈特米尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Avantama AG
Original Assignee
Avantama AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Avantama AG filed Critical Avantama AG
Publication of CN108473859A publication Critical patent/CN108473859A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108473859B publication Critical patent/CN108473859B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/664—Halogenides
    • C09K11/665—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Abstract

一种发光组件，其包含第一元件(1)，所述第一元件(1)包含第一固体聚合物组合物，其中，所述第一固体聚合物组合物包含第一发光晶体(11)，其中，所述第一发光晶体(11)具有钙钛矿结构，并且选自式(I)的化合物：M1 aM2 bXc，其中，M1表示Cs，任选地，其与最高达30摩尔％的一种或多种配位数为12的其他金属掺杂，M2表示Pb，任选地，其与最高达30摩尔％的一种或多种配位数为6的其他金属掺杂，X独立地表示选自Cl、Br、I、氰离子和硫氰酸根的阴离子。所述第一发光晶体(11)具有在3nm至3000nm之间的尺寸，并且发射第一波长的光，以响应波长短于第一波长的光的激发。封装物(3)包封第一元件(1)。所述封装物(3)包含聚合物或无机基质。设计所述发光组件以用于LCD背光、LED照明设备或OLED照明设备。

Description

发光组件
技术领域
本发明涉及发光晶体(LC)领域。本发明提供了一种发光组件、一种发光装置、一种发光组件的用途、以及一种用于制造发光组件的方法。
背景技术
WO 2011/053635 A1示出了发光二极管(LED)装置，该发光二极管装置包含气密性密封的发光纳米晶体的组合物和容器。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种发光组件。所述发光组件包含第一元件，所述第一元件包括第一发光晶体，其中第一元件被封装物(encapsulation)包封，所述封装物包含聚合物或无机基质中的一种。
优选地，所述第一元件不会自发地发射某一波长的光，而是响应激发才发射某一波长的光，尤其是响应的激发所具有的光，其波长比因响应该激发而发射的光的波长短。因此，在一个优选的实施方式中，所述第一元件发射第一波长的光，例如，响应具有如蓝光谱的光的激发而发射的红光谱的光。
为了提供本发光特性，所述第一元件包含第一固体聚合物组合物，其包括第一发光晶体，所述第一发光晶体用于响应激发而发射第一波长的光，优选地，所述第一固体聚合物组合物包括第一聚合物，所述第一聚合物优选地为第一发光晶体嵌于其中的基质形式。
术语“基质”在本领域是已知的，并且在本发明的上下文中表示包围非连续相或颗粒相的连续材料。
合适的发光晶体为钙钛矿结构。这样的钙钛矿结构本身是已知的，并且以通式M1M2X3的立方晶体、准立方晶体、正方晶体或正交晶体进行描述，其中，M1为配位数为12的阳离子(立方八面体(cuboctaeder))；M2为配位数为6的阳离子(八面体(octaeder))；并且X为在晶格的立方、准立方、正方或正交位置中的阴离子。在这些结构中，选定的阳离子或阴离子可以被其他离子替换(随机地或规则地)，但是仍然保持了其原始的结晶结构。从例如Protesescu等人(Nano Lett.,2015,15,3692–3696)处已知这样的发光晶体的制造。
有利的是，所述第一发光晶体选自式(I)的化合物：
M1 aM2 bXc(I)，其中
M1表示Cs，
M2表示Pb，
X独立地表示选自Cl、Br、I、氰离子和硫氰酸根的阴离子，
a表示1，
b表示1，
c表示3。
独立地意为X可以选自上述列举的阴离子中的一种，或者可以为多于一种的上述阴离子的组合。术语硫氰酸根应该包括两种共振结构，即，硫氰酸根和异硫氰酸根。
在本发明的实施方式中，M1可以在钙钛矿结构内与最高达30摩尔％的一种或多种配位数为12的其他金属掺杂。有利的是，M1与最高达10摩尔％的一种或多种所述金属掺杂。合适的金属M1选自Rb、K、Na和Li。
在本发明的实施方式中，M2可以在钙钛矿结构内与最高达30摩尔％的一种或多种配位数为6的其他金属掺杂。有利的是，M2与最高达10摩尔％的一种或多种所述金属掺杂。合适的金属M2选自Ge、Sn、Sb和Bi。
在本发明的实施方式中，X选自Cl、Br和I中的一种；或者X独立地表示Cl、Br和I中的两种；或者X表示Cl、Br和I。Cl、Br、I、氰离子和硫氰酸根的量可以通过常规实验确定，所述常规实验如本领域已知的质谱法MS或X射线荧光XRF；小尺寸的Cl阴离子使发射向着蓝光位移；大尺寸的I阴离子向着红光位移；而中等尺寸的Br阴离子向着可见光谱的绿光部分位移。
所述第一发光晶体的尺寸在3nm至3000nm之间，尤其是在5至100nm之间。
在一个优选实施方式中，所述第一发光晶体为式(I-1)
CsPbIxZ3-x(I-1)，其中
1<x≤3，
Cs、Pb任选地与如上所述的最高达30摩尔％的物质掺杂，
Z表示Cl、Br中的一种或多种。
特别有利的是，所述第一发光晶体为式CsPbClyBr3-y-zIz，其中0<y<1、2≤z≤3-y和/或式CsPbBrxI3-x，其中0≤x<2。
在这些实施方式中，所发射的光的第一波长的峰在红光谱内，这被认为是峰值波长在590nm至700nm之间的范围内，优选FMWH在15至50nm之间的光。对于前述两个实施方式来说，所述第一发光晶体的尺寸在3nm至3000nm之间，尤其是在5nm至100nm之间。在一个不同的实施方式中，所述第一发光晶体为式(I-2)
CsPbBrxZ3-x(I-2)，其中
2≤x≤3,
Cs、Pb任选地与如上所述的最高达30摩尔％的物质掺杂，
Z表示Cl、I中的一种或多种。
特别有利的是，所述第一发光晶体为式CsPbClyBrzI3-y-z，其中0<y<1、1<z≤3-y；和/或式CsPbBrxI3-x，其中2≤x≤3。
在这些实施方式中，所发射的光的第一波长的峰在绿光谱内，这被认为是峰值波长在490nm至570nm之间的范围内，优选FMWH在15至50nm之间的光。对于前述两个实施方式来说，所述第一发光晶体的尺寸在3nm至3000nm之间，尤其是在5nm至100nm之间。
在一个优选的实施方式中，所述发光组件包含第二元件，所述第二元件包括第二发光晶体，其中第二元件被封装物包封，所述封装物包含聚合物或无机基质。
所述第二元件发射与第一波长不同的第二波长的光。这通过与第一发光晶体相比，对第二发光晶体选择不同的化学组合物和/或不同尺寸来实现。例如，如果第一发光晶体发射红光谱中的光，则可以对第二发光晶体进行选择以发射绿光谱中的光。再次优选的是，所述第二元件不会自发地发射第二波长的光，而是响应激发才发射第二波长的光，尤其是响应的激发所具有的光，其波长比第二波长短并且比第一波长短。第二发光晶体可以被例如蓝光谱中的光再次激发。
为了提供本发光特性，所述第二元件包含第二固体聚合物组合物，其包括第二发光晶体，所述第二发光晶体用于响应激发而发射第二波长的光，优选地，所述第二固体聚合物组合物包括第二聚合物，所述第二聚合物优选地为第二发光晶体嵌于其中的基质形式。
有利的是，所述第二发光晶体选自式(II)的化合物：
M1 aM2 bXc(II)，其中
M1表示Cs，
M2表示Pb，
X独立地表示选自Cl、Br、I、氰离子和硫氰酸根的阴离子，
a表示1，
b表示1，
c表示3。
独立地意为X可以选自上述列举的阴离子中的一种，或者可以为多于一种的上述阴离子的组合。术语硫氰酸根应该包括两种共振结构，即，硫氰酸根和异硫氰酸根。
在本发明的实施方式中，M1可以在钙钛矿结构内与最高达30摩尔％的一种或多种配位数为12的其他金属掺杂。有利的是，M1与最高达10摩尔％的一种或多种所述金属掺杂。合适的金属M1选自Rb、K、Na和Li。
在本发明的实施方式中，M2可以在钙钛矿结构内与最高达30摩尔％的一种或多种配位数为6的其他金属掺杂。有利的是，M2与最高达10摩尔％的一种或多种所述金属掺杂。合适的金属M2选自Ge、Sn、Sb和Bi。
在本发明的实施方式中，X选自Cl、Br和I中的一种；或者X独立地表示Cl、Br和I中的两种；或者X表示Cl、Br和I。Cl、Br、I、氰离子和硫氰酸根的量可以通过常规实验确定；小尺寸的Cl阴离子使发射向着蓝光位移；大尺寸的I阴离子向着红光位移；而中等尺寸的Br阴离子向着可见光谱的绿光部分位移。
所述第二发光晶体的尺寸在3nm至3000nm之间，尤其是在5至100nm之间。
在一个实施方式中，所述第一发光晶体为式(I-1)，所述第二发光晶体为式(I-2)。在这种情形中，所述发光组件发射红光和绿光。当然，可对第一发光晶体和第二发光晶体进行选择以发射与红光和绿光颜色不相同的光，只要第一发光晶体遵循式(I)并且第二发光晶体遵循式(II)。
然而，在一个或多个另外的元件中可提供一种或多种另外种类的发光晶体用于发射颜色不同于第一波长和第二波长所限定的光。这通过对另外的发光晶体选择相较于第一、第二及其他另外的发光晶体不同的化学组合物和/或不同尺寸来实现。在一个优选的实施方式中，在所述发光组件中提供了N个另外的元件，使N>＝1，优选地，3<＝N<＝28。每个另外的元件包含另外的固体聚合物组合物，其中，每个另外的固体聚合物组合物包含另外的发光晶体和另外的聚合物，优选地，所述另外的聚合物为所述另外的发光晶体嵌于其中的基质形式。
所述另外的发光晶体中的每一个选自式(III)的化合物：
M1 aM2 bXc(III)，其中
M1表示Cs，
M2表示Pb，
X独立地表示选自Cl、Br、I、氰离子和硫氰酸根的阴离子，
a表示1，
b表示1，
c表示3。
再一次，独立地意为X可以选自上述列举的阴离子中的一种，或者可以为多于一种的上述阴离子的组合。术语硫氰酸根应该包括两种共振结构，即，硫氰酸根和异硫氰酸根。
在本发明的实施方式中，M1可以在钙钛矿结构内与最高达30摩尔％的一种或多种配位数为12的其他金属掺杂。有利的是，M1与最高达10摩尔％的一种或多种所述金属掺杂。合适的金属M1选自Rb、K、Na和Li。
在本发明的实施方式中，M2可以在钙钛矿结构内与最高达30摩尔％的一种或多种配位数为6的其他金属掺杂。有利的是，M2与最高达10摩尔％的一种或多种所述金属掺杂。合适的金属M2选自Ge、Sn、Sb和Bi。
在本发明的实施方式中，X选自Cl、Br和I中的一种；或者X独立地表示Cl、Br和I中的两种；或者X表示Cl、Br和I。Cl、Br、I、氰离子和硫氰酸根的量可以通过常规实验确定；小尺寸的Cl阴离子使发射向着蓝光位移；大尺寸的I阴离子向着红光位移；而中等尺寸的Br阴离子向着可见光谱的绿光部分位移。
为了提供本发光特性，每个另外的元件包含另外的固体聚合物组合物，其包括另外的发光晶体，所述另外的发光晶体用于响应激发而发射另外波长的光，优选地，所述另外的固体聚合物组合物包括另外的聚合物。
每个另外的发光晶体的尺寸在3nm至3000nm之间，尤其是在5至100nm之间。
优选地，由每个另外的发光晶体发射的光不仅在波长上与第一波长及第二波长不同，而且还与N-1个其他另外的波长中的任意一波长不同。通过对元件进行合适的设计，所述发光组件可以发射任意波长组合的光。
在一个优选的实施方式中，所述发光组件包含总共在5至30之间的不同的元件，所述不同的元件包含不同的发光晶体，因此得到可调的发光组件的发射光谱。
在所述发光组件仅包含第一元件而不包含第二或另外的元件的情形中，在发光组件中不仅可以提供单一一个第一元件，而且可以提供多个第一元件以增强其亮度。在所述发光组件仅包含第一和第二元件而不包含另外的元件的情形中，在发光组件中可以提供多个第一元件和多个第二元件以增强其亮度。在所述发光组件包含第一、第二和另外的元件的情形中，在发光组件中可以提供各种多个第一元件、多个第二元件和多个另外的元件以增强其亮度。可优选的是，在封装物中，交替排列或随机排列所述多个第一元件和所述多个第二元件以及可能的多个另外的元件。
因此，作为钙钛矿结构的铯铅卤化物纳米晶体和掺杂的铯铅卤化物钠米晶体优选被用作第一、第二和另外的发光晶体。发射具有特定波长的光取决于在上述限制条件内对发光晶体的材料所进行的选择，以及取决于发光晶体的尺寸。
优选地，所述第一元件仅包含第一发光晶体并且不含任何其他的发光晶体。在第二元件的情形中，所述第二元件转而优选地仅包含第二发光晶体并且不含任何其他的发光晶体。这一逻辑还可以适用于任何其他元件及相应的发光晶体。因此，另外的元件优选仅包含另外的发光晶体并且不含任何其他的发光晶体。以这样的方式，每个元件专用于仅发射指定峰值波长的光，而不发射不同颜色的光。这一概念可以对多个第一元件情形中的任意第一元件有效，并且可以对多个第二元件情形中的任意第二元件有效，等等。
优选的是，所述第一元件的平均直径——以及如果有，所述第二元件的平均直径和所述另外的元件的平均直径——在1μm至500μm之间，优选地，在5μm至100μm之间。
优选地，所述封装物完全包封第一元件，在多个第一元件的情形中，其包封所有的第一元件。然而，在多个第一元件的情形中，在不同的情况下，这些第一元件中的一个或多个可以存在于封装物的外表面，使得对于那些第一元件来说，封装物是部分包封而非完全包封的。然而，即使在这些情况下，至少有一个其他的第一元件被封装物完全包封。如果存在第二或另外的元件，则这一概念也适用于第二或另外的元件。
在一个优选的实施方式中，在所述封装物为聚合物的情形中，所述聚合物为选自以下列出的聚合物：丙烯酸酯聚合物、碳酸酯聚合物、砜聚合物、环氧聚合物、烯类聚合物、聚氨酯聚合物、酯聚合物、苯乙烯聚合物、有机硅聚合物、烯烃聚合物和环烯烃共聚物，优选有机硅、环烯烃共聚物和卤代烯类聚合物，最优选环氧聚合物和丙烯酸酯聚合物或共聚物或者其混合物，最优选为在20–50℃的温度/90％相对湿度和大气压下，水蒸气透过率小于0.2g mm m-2天-1的聚合物。
在另一实施方式中，所述封装物为无机基质。优选地，所述无机基质从液体前体中获得，所述液体前体经热分解或与湿气/水反应形成无机基质。这样的前体包括金属烷氧基化物(例如烷氧基-硅烷)、金属氢氧化物(例如羟基-硅烷)、液体硅酸盐(例如硅酸钠、硅酸钾和硅酸锂)中的一种或多种。
优选地，第一聚合物、第二聚合物(如果存在)、第N聚合物(如果存在)中的每一种独立地选自聚丙烯酸酯(和共聚物)、聚苯乙烯、有机硅和环烯烃共聚物，优选环烯烃共聚物。优选地，第一聚合物、第二聚合物(如果存在)和任意另外的聚合物(如果存在)为相同的聚合物。
在另一个实施方式中，第一聚合物、第二聚合物(如果存在)和第N聚合物(如果存在)中的每一种独立地选自交联聚合物。
优选地，当封装物与第一元件的第一聚合物接触时，彼此不溶解，至少当在固相中接触时，彼此不溶解。通过适当地选择各聚合物材料，第一发光晶体被限制在第一元件中并且不能与位于第一元件外部，例如在第二元件或另外的元件中的第二发光晶体或另外的发光晶体接触。
在第二或另外的元件的情形中，该第二或另外的元件优选通过封装物与第一元件分离。第一和第二元件及另外的元件(如果存在)在封装物中间隔排列。因此，各元件之间的任何间隙被封装物的材料填充，所述封装物的材料例如固体封装物聚合物或无机基质。优选地，当封装物与第二元件的第二聚合物、以及任何另外的元件的任何另外的聚合物接触时，彼此不溶解，至少当在固相中接触时，彼此不溶解。
优选地，所述封装物，以及优选地，第一聚合物、第二聚合物或另外的聚合物(如果存在)中的每一种对可见光谱中的光是可穿透的，即其是透光的。
在一个优选的实施方式中，所述封装物可以采用膜或层的形状，即长度和宽度超过了封装物的厚度，优选超过至少十倍的所述厚度。
一般而言，可以提供一种或多种阻隔膜，优选地，每种阻隔膜的水蒸气透过率在20–50℃的温度/90％相对湿度和大气压下为小于0.2(g*mm)/(m^2*天)。在上文及下文的实施方式中的任意一个中，所述组件可以包括阻隔膜，所述阻隔膜位于发光组件的原本暴露的表面的顶部。这样的阻隔膜可以尤其具有低的水蒸气透过率以避免作为对暴露于水的反应的组件中的LC降解。在一个实施方式中，所述阻隔膜对O2是可渗透的，或者，在一个不同的实施方式中，其也可以对氧气不渗透。优选地，所述阻隔膜对光是可透过的，并且优选地，这样的阻隔膜可以以单层的形式或多层的形式存在。所述阻隔膜包含有机聚合物和/或无机材料。合适的有机聚合物可以选自聚偏1,1-二氯乙烯(PVdC)、环烯烃共聚物(COC)、高密度聚乙烯(HDPE)；合适的无机材料可以选自金属氧化物、SiOx、SixNy。最优选地，聚合物阻隔膜包含选自PVdC和COC的材料。在一个优选的实施方式中，在矩形、板样发光组件的情形中，阻隔膜可以连接至封装物的两侧。
本发光组件提供了第一发光晶体与任何其他第二发光晶体或另外的发光晶体的空间分离。如在下文将会更详细地示出，所述分离通过将一个或多个第一元件嵌入封装物中实现。因此，第一发光晶体仅排列在专门的一个或多个第一元件中，同时，仅在相关的元件中提供任意第二发光晶体或另外的发光晶体。由此，避免了在一方面为第一发光晶体之间，另一方面为任意第二或另外的发光晶体之间的阳离子与阴离子的交换。考虑到每种不同的元件的制造优选地在悬浮液中进行，因此避免在共同的悬浮液中混合第一发光晶体和第二或另外的发光晶体。相反，在共同的悬浮液中进行这样的混合会导致原来的第一、第二或另外的发光晶体，通过基于上文提及的离子交换的反应/复合的方式，转换成不同的发光晶体。结果，这些不同的发光晶体自身可能会发射波长不同于第一、第二或另外的发光晶体的光。因此，在制造阶段分离不同种类的发光晶体，并因此将其加入到不同部分的悬浮液中，在硬化/固化/干燥后获得了上述第一、第二或另外的元件。
优选地，每部分悬浮液包含指定的发光晶体、溶剂、配体和聚合物。鉴于所形成的元件为固体元件，因此避免了第一元件中的第一发光晶体与第二元件中的任意第二发光晶体相互作用。
本组件提供了优异的光致发光的量子产率。
术语“量子产率(QY)”在本领域中是已知的，并且涉及系统每吸收一个光子而发生的特定事件的次数的量。在本发明的上下文中，术语“量子产率”是指所描述的物质的“光致发光的量子产率”，两个术语以相同的意思使用。“光致发光的量子产率”定义了系统每吸收一个光子时所述系统发射更长波长(更低能量)的光子的数目。
例如，优选地，当被蓝光激发时，建议用于本发明的一个或多个元件中的固体聚合物组合物的量子产率总计>60％，优选>80％，最优选>90％。此外，由于材料选择、晶体尺寸以及严格分离不同颜色的LC，因此，在发射光中可实现尖锐的波长分布，从而使所得到的发射光具有优异的质量。优选地，每种元件的固体聚合物组合物的FWHM(Full Width at HalfMaximum,半高宽)对于可见光发射来说为<50nm，优选地，<40nm，最优选地，<30nm。例如，对于在507nm的发射峰来说，可观察到FWMH为22nm，同时测量到了高的发光量子产率，例如76％。
本组件的实施方式符合欧盟指令的RoHS(《关于限制在电子电器设备中使用某些有害成分的指令》(Restriction of Hazardous Substances))。在提交本专利申请时，适用的指令2011/65/EU一般限制以下元素的使用：以重量计，铅(Pb)<1000ppm、汞(Hg)<1000ppm、镉(Cd)<100ppm、六价铬(Cr6+)<1000ppm、多溴联苯(PBB)<1000ppm、多溴二苯醚(PBDE)<1000ppm。
一方面，这通过选择不含Cd的材料实现，所述不含Cd的材料仍然提供了优异的量子产率/性能。根据RoHS指令第2版(2011/65/EU)，对Pb的限制为小于1000ppm，这对于组件本身来说，其总量达到了所述限制。优选地，对于本实施方式的组件来说，Pb总浓度低于1000ppm，更优选地，在30ppm至小于1000ppm之间，最优选地，在100ppm至900ppm之间。RoHS的符合可以通过分别选择合适浓度的第一发光晶体以及可能的第二或另外的发光晶体实现，优选地，通过选择合适浓度的组件中的元件实现。所述浓度可通过MS或XRF测量法测量。
优选地，在发射红光的情形中，相对于表示第一元件的固体聚合物组合物的聚合物基质而言，各发光晶体的浓度在0,01重量％至10,0重量％之间，优选地，在0,10重量％至7,6重量％之间，最优选地，在0,2重量％至1,0重量％之间；如果具有第二元件，则在发射绿光的情形中，浓度在0,01重量％至8,0重量％之间，优选地，在0,10重量％至6,2重量％之间，最优选地，在0,2重量％至1,0重量％之间。该浓度范围的上限在发光组件包含90重量％封装剂(3)的条件下支持RoHS符合性要求，同时，该浓度范围的下限在发光组件包含50重量％封装剂(3)的条件下，在合理的组件厚度下提供了充分的发射。
同时具有高量子产率、符合RoHS、在发射光谱中的稳定的峰位置和窄的FWHM、以及高稳定性代表了本发明优于现有技术的主要成就。通常，对LC建议使用CdSe或InP材料。然而，虽然CdSe材料提供了足够的量子产率，但是RoHS符合性要求受到挑战并且常依赖于监管豁免。另一方面，InP材料虽然符合RoHS但是其显示出次等的光学性能(量子产率<60％；FWHM>40nm)。相对而言，本发明的组件既提供了良好的量子产率、低的峰FWHM又符合RoHS。这通过对LC选择合适的材料；在元件中应用合适的LC浓度；在组件中应用合适浓度的元件；以及选择合适的组件尺寸/厚度并同时在不同的元件中排列不同的LC，从而使各LC彼此分离以避免离子交换反应来实现。
至于进一步指定光学性能，优选的是所述组件的雾度在10至90％之间。可以通过RI>2.0且尺寸为100–1000nm的散射颗粒，或者通过微结构或微晶聚合物结构或者通过元件自身引入雾度。
发光组件优选地为中间产品，其与其他组件组装在一起成为一种装置，例如光学装置，优选组装成液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)、OLED显示器或太阳能电池中的一种。作为OLED、LED或LCD的一部分，所述组件可以有益于移动或静止计算、通信或者电视装置的显示器。
因此，发光装置包含根据前述实施方式中任一个的发光组件和用于发射蓝光的光源。蓝光被认为波长在400至490nm的范围内。设置该光源用于激发发光组件。因此，装备装置以发射某波长的光，所述波长通过包封在发光组件的封装物中的一个或多个不同元件的发光晶体来限定。
优选地，所述光源为LED芯片。在一个实施方式中，优选地，排列所述发光组件以至少部分地包封所述LED芯片。在另一个实施方式中，优选地，将所述发光组件排列在远离所述LED芯片处。在这样的实施方式中，所述LED芯片优选至少部分地被不含无机发光材料的封装物覆盖。
术语“无机发光材料(phosphor)”在本领域是已知的并且表示显示出发光现象的物质。这可为磷光或荧光。这些材料常用于固态照明应用，其中通过加入正确量和正确类型的无机发光材料(如掺杂的钇铝氧化物)，蓝色LED光转变为白光。
而在本发明的另一个实施方式中，所述光源为OLED堆叠体(OLED stack)。在这种情形中，优选对发光组件进行排列以覆盖全部的OLED堆叠体或覆盖其至少一部分。
根据本发明的另一个方面，前述实施方式中的任一个的发光组件用于响应受蓝光辐射的发光组件而发射白光，尤其发射在液晶显示器中作为背光的白光。为此，可以在所述装置中提供蓝光源以用于在发光组件中激发发光反应。在发光组件包含发射红光的第一元件和发射绿光的第二元件的情形中，连同光源发射蓝光一起，所述发光组件发射了白光，这是因响应第一元件和第二元件中分别的发光晶体的激发而发射红光和绿光，以及由于起源于光源中的蓝光的透射的结果，其中蓝光还被用于激发第一元件和第二元件。所发射的红光、绿光和蓝光的强度比例优选在各自为1/3的范围内。
根据本发明的另一个方面，提供了一种用于产生根据前述实施方式中任一种的发光组件的方法。提供了第一聚合物溶液，其包含第一发光晶体。在一个替代性的实施方式中，通过喷雾干燥或沉淀中的一种，从第一聚合物溶液中提取出多个第一元件。或者，在一个不同的替代性的实施方式中，将第一聚合物溶液硬化或干燥成第一固体聚合物组合物，并将所述第一固体聚合物组合物压碎获得多个第一元件。然后，将第一元件混入溶液中，所述溶液包括封装物聚合物和/或用于无机基质的液态单体和/或液态低聚物或前体。通过硬化和/或干燥封装物聚合物提供了发光组件。在封装物包封不同的元件的情形中，例如一个或多个第二或另外的元件，这些元件可以根据第一元件制备。一旦第二或另外的元件以单独的组件提供，它们可与第一元件一起加入到包括封装物聚合物的溶液中，或者在第一元件之后加入。
优选地，发光晶体(LC)由半导体材料制成。发光晶体应包括一般在3–12nm范围内的量子点和最高达100nm的纳米晶体以及最高达3μm的发光晶体。优选地，发光晶体是大致等轴的(例如球形或立方体)。在全部的三个正交维度的纵横比(最长的方向：最短的方向)为1-2的情形中，颗粒被认为是大致等轴的。如术语所表示的，LC显示出了发光，或者进行更具体地定义，其显示出了光致发光。在本发明的上下文中，发光晶体一般为由于表面活性剂的存在而与其他颗粒空间上相分离的单晶颗粒。所述单晶颗粒为一种半导体材料，该半导体材料显示出了直接带隙(通常在1.1–3.8eV的范围内，更通常地在1.4–3.5eV范围内，甚至更通常地在1.7–3.2eV范围内)。用等于或高于能带隙的电磁辐射激发/照射时，价带电子被激发到导带，从而在价带中留下电子空穴。形成的激子(电子-电子空穴对)然后以光致发光的形式辐射复合，最大强度以LC带隙值为中心，并表现出至少1％的光致发光量子产率。在与外部电子和电子空穴源接触时，LC可显示出电致发光。在本发明的上下文中，LC不显示出机械发光(例如压致发光)、化学发光、电化学发光或热致发光。
量子点(QD)尤其涉及半导体纳米晶体，其直径一般在3-12nm之间。在该范围内，QD的物理直径小于堆积激发(bulk excitation)玻尔半径，这导致量子限域效应占主导。结果，QD的电子态及由此造成的能带隙为QD组成和物理尺寸的函数，即，吸收/发射的颜色与QD尺寸相关。QD样品的光学性能与其均匀性直接相关(更加单分散的QD将具有更小的发射的FWHM)。当QD达到大于玻尔半径的尺寸时，量子限域效应受到阻碍，并且样品可能不再发光，因为用于激子复合的非辐射路径可能成为了主导。因此，量子点是特定的纳米晶体的子群，其特别通过尺寸和尺寸分布进行限定。QD的性质与这些参数直接相关，由此将其与纳米晶体区分开来。
优选地，第一、第二或另外的固体聚合物组合物(如果有)中的每一种除了具有各自类型的发光晶体外，还包括硬化/固化聚合物，所述硬化/固化聚合物包括有机和/或无机合成材料。优选地，第一聚合物、第二聚合物(如果有)和另外的聚合物(如果有)中的每一种独立地选自聚丙烯酸酯(和共聚物)、聚苯乙烯、有机硅和环烯烃共聚物。
所述硬化/固化聚合物优选是光可透过的，即非不透明的，以允许由发光晶体发射的光、以及用于激发发光晶体的光源的可能的光通过。
优选地，除了硬化/固化聚合物和各种类型的发光晶体之外，第一、第二和另外的聚合物组合物中的一种或多种包含一种表面活性剂，所述表面活性剂选自非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂和两性离子表面活性剂；优选地，其选自胺或羧基封端的表面活性剂。
术语“表面活性剂”、“配体”、“分散剂”和“分散试剂”在本领域是已知的，并且具有基本上相同的意思。在本发明的上下文中，这些术语表示有机物质而非溶剂，其用于悬浮液或胶体中以改进颗粒的分离并防止附聚或沉降。不囿于理论，认为表面活性剂在颗粒被加入到溶剂之前或之后，物理或化学连接至颗粒表面上，并由此提供了所需的效果。术语表面活性剂包括聚合物材料和小分子；表面活性剂一般含有极性端基团和非极性端基团。在本发明的上下文中，溶剂(例如甲苯)不被认为是表面活性剂。
在上文涉及制造的方面中使用的术语“悬浮液”是已知的，且涉及作为固体的内相(i.p.)和作为液体的外相(e.p.)的非均相流体。所述外相包含一种或多种分散剂/表面活性剂，任选一种或多种溶剂和任选一种或多种预聚物或溶解的聚合物。因此，将各种类型的发光晶体(第一发光晶体、第二发光晶体)加入到专门的悬浮液部分。进一步的加工包括将一个部分或者每个部分的悬浮液施涂到基材的所需区域上。该步骤也称为溶液加工，其表示通过使用基于溶液(＝液体)的起始材料将涂料或薄的元件施涂到基材上。这被认为是一个显著的优点，因为其能够通过适用于大面积和可进行连续加工的简单技术制造所有元件。
优选地，第一和第二发光晶体各自被嵌入到基质中，例如聚合物基质或无机基质，以在第一元件中使第一LC彼此在空间上分离，并且在第二元件中使第二LC彼此在空间上分离。所形成的“LC/QD复合物”表示包含LC/QD、表面活性剂和基质的固体无机/有机复合材料，其有助于各自的第一元件或第二元件。
从属权利要求及下文的描述中列出了其他有利的实施方式。
附图简要说明
从下文的详细描述中将更好地理解本发明的实施方式、实施例、表示或导致形成本发明实施方式的实验、方面和优点。所述说明参考了附图，其中：
图1示出了根据本发明的一个实施方式的发光组件的示意透视图；
图2示出了一种根据本发明的一个实施方式制造发光组件的方法；
图3示出了一种根据本发明的一个实施方式的发光装置；
图4示出了一种根据本发明的另一个实施方式的发光装置；
图5示出了一种根据本发明的另一个实施方式的发光装置。
附图详述
图1示出了根据本发明的一个实施方式的发光组件的示意透视图。所述发光组件4包含封装物3，所述封装物3由例如透光聚合物制成。在本实施方式中，封装物3为薄膜形状，通过该薄膜形状，长度(x轴)和宽度(y轴)的尺寸显著大于z方向的厚度。然而，如果需要，封装物3可以采用不同的形状。
第一元件1、第二元件2和第一另外的元件1f嵌于封装物3中，图1中仅以切割模式示出了每种元件中的一个元件。
第一元件1包含第一固体聚合物组合物，所述第一固体聚合物组合物包括第一发光晶体11和第一聚合物12，但不包括其他发光晶体。第一发光晶体11选自上文介绍的式(I)的化合物。第一发光晶体11的尺寸在3nm至3000nm之间。例如，响应于如箭头所指示的蓝光BL的激发，第一发光晶体11发射红光RD。
第二元件2包含第二固体聚合物组合物，所述第二固体聚合物组合物包括第二发光晶体21和第二聚合物22，但不包括其他发光晶体。第二发光晶体21选自上文介绍的式(II)的化合物。第二发光晶体21的尺寸在3nm至3000nm之间。例如，响应于蓝光BL的激发，第二发光晶体21发射绿光GR。
一般而言，封装物3可以包含不同的另外的元件nf，n∈[1,N]，包括第一另外的元件1f，优选第二另外的元件2f、……第N另外的元件Nf。每个另外的元件nf包含另外的固体聚合物组合物，所述另外的固体聚合物组合物包括另外的发光晶体n1f和另外的聚合物n2f，但不包括其他发光晶体。
优选地，在封装物3中仅包括第一另外的元件1f。每个第一另外的元件1f包含第一另外的发光晶体11f和第一另外的聚合物12f。第一另外的发光晶体11f选自上文介绍的式(III)的化合物。第一另外的发光晶体11f的尺寸在3nm至3000nm之间。例如，响应于蓝光BL的激发，第一另外的发光晶体11f发射黄光YL。
在本发明的一个实施方式中，还可以有发射多种不同颜色光的多个另外的元件nf。
第一发光晶体11、第二发光晶体21和另外的发光晶体n1f借由分离的元件1、2、nf彼此分离。在这一实施方式中，封装物3构建了分离。因此，第一发光元件1、第二发光元件2和另外的发光元件nf是稳定的，并且从长远来看也是稳定的。
如图1所示，一旦这样的发光组件暴露于波长比发射的波长短的辐射，尤其是暴露于蓝光辐射BL中，则第一发光晶体11、第二发光晶体21和第一另外的发光晶体11f受到激发并分别发射红光RD、绿光GR和黄光YL。与经过发光组件4的一部分的蓝光BL一起，发光组件的输出为这些颜色的混合体并且可通过发光组件中的第一元件1、第二元件2和第一另外的元件11f的量进行调整。
如果图1的发光组件4包含仅发射红光和绿光的第一元件1和第二元件2，则发光组件4可以与发射蓝光BL的光源结合来表示可用于LCD的背光膜，这是鉴于发射的红光、绿光和蓝光结合在一起获得了白光。所发射的红光、绿光和蓝光的强度比例优选在各自为1/3的范围内。
图2示出了一种根据本发明的一个实施方式制造发光组件的方法。根据示意图2a)，提供了第一聚合物溶液，所述第一聚合物溶液包含第一发光晶体11、第一聚合物12和溶剂13，但不包含不同种类的发光晶体。在步骤S1中，将所述溶液硬化、固化或干燥以生成示意图2b)中所示的固体第一聚合物组合物，其包括第一发光晶体11和第一聚合物12，但是不再包括溶剂13。
根据步骤S2，对示意图2b)的第一固体聚合物组合物根据示意图2c)进行粉碎，例如通过研磨粉碎。这一加工步骤的结果为获得了多个第一元件1，每种固体聚合物组合物包括第一聚合物和第一发光晶体。
在步骤S3中，将这些第一元件1加入到和/或混入封装物聚合物溶液或液态单体或液态低聚物中。根据所形成的发光组件的应用，可以将构造用于发射一种或多种波长不同于第一元件的光的其他元件加入和/或混入封装物聚合物溶液或液态单体或液态低聚物中。待硬化和/或固化和/或干燥后，生成了发光组件4，其包括封装物3以及被封装物3包封的多个第一元件1。
作为步骤S1和S2的替代，示意图2a)的第一聚合物溶液可以以其液体形式被加工而用于从其中提取多个第一元件1。例如，步骤S4可以表示喷雾干燥或沉淀。这些工艺的结果是再次获得了多个固体第一元件1。
图3示出了一种根据本发明的一个实施方式的发光装置。本发光装置为发光二极管LED。所述装置包括球样形状的发光组件4。如在图3中所示，发光组件4包括多个第一元件1。每个第一元件1除第一聚合物外，还包括第一发光晶体，但是不包括其他发光晶体。第一元件1彼此分离地嵌于封装物3中，其中封装物3对光是可穿透的。根据所形成的发光装置的应用，可以将构造用于发射一种或多种波长不同于第一元件的光的其他元件并入所述封装物中。
附图标记6表示设置在载体5上的作为光源的LED芯片。发光组件4部分包封了LED芯片6——包封其顶部和侧面。优选地，构造LED芯片6以发射蓝光。响应于LED芯片6发射的蓝光的激发，在发光组件4的第一元件1和/或另外的元件中的发光晶体发射不同颜色的光，例如，红光、绿光和/或黄光。因此，本实施方式示意性地示出了一种LED，所述LED在LED芯片6发射蓝光的同时，发射例如红光和/或绿光和/或黄光的添加颜色混合体。至于制造图3的装置，可以将LED芯片6预先组装到载体5上，并可以将呈液体形式的发光组件4落到LED芯片6/载体5构造上，然后硬化、固化或干燥。
鉴于发光组件4被直接设置在LED芯片6上，因此发光组件4优选包括耐热材料。例如在第一元件1中的第一聚合物和封装物可以为温度稳定型聚合物，优选地，可以为有机硅或聚硅氮烷。
图4示出了一种根据本发明的另一个实施方式的发光装置。本发光装置为发光二极管LED。所述装置包括膜样形状的发光组件4。如在图4中所示，发光组件4包括多个第一元件1。每个第一元件1除第一聚合物外，还包括第一发光晶体，但是不包括其他发光晶体。第一元件1彼此分离地嵌于封装物3中，其中封装物3对光是可穿透的。根据所形成的装置的应用，可以将构造用于发射一种或多种波长不同于第一元件的光的其他元件并入所述封装物中。
将发光组件4设置在例如外壳或前缘(front)的透明板9上。将发光组件4/板9——结合物设置在远离LED芯片6的地方，所述LED芯片6被设置在载体5上，其起到光源的作用。该远距离的设置可以借由外壳8实现。优选地，构造LED芯片6以发射蓝光。目前来说，LED芯片6部分地被不含无机发光材料的封装体7包封。响应于LED芯片6发射的蓝光的激发，在发光组件4的第一元件1和/或另外的元件中的发光晶体发射不同颜色的光，例如，红光、绿光和/或黄光。因此，本实施方式示意性地示出了一种LED，所述LED在LED芯片6发射蓝光的同时，发射例如红光和/或绿光和/或黄光的添加颜色混合体。至于制造图4的装置，可以将LED芯片6预先组装到载体5上，同时可以将呈其硬化形式的发光组件4连接至板9。
与图3所示的实施方式不同，发光组件被设置在远离LED芯片6的地方以使得可以不要求发光组件同样地受得了热。
图5示出了一种根据本发明的一个实施方式的发光装置。本发光装置为有机发光二极管OLED。所述装置包括扁平形状的发光组件4。如在图5中所示，发光组件4包括多个第一元件1。每个第一元件1除第一聚合物外，还包括第一发光晶体，但是不包括其他发光晶体。第一元件1彼此分离地嵌于封装物3中，其中封装物3对光是可穿透的。根据所形成的装置的应用，可以将构造用于发射一种或多种波长不同于第一元件的光的其他元件并入所述封装物中。
附图标记10表示可以设置在另外的载体上的作为光源的OLED堆叠体。优选地，构造OLED堆叠体10以发射蓝光。响应于OLED堆叠体10发射的蓝光的激发，在发光组件4的第一元件1和/或另外的元件中的发光晶体发射不同颜色的光，例如，红光、绿光和/或黄光。因此，本实施方式示意性地示出了一种OLED装置，所述OLED装置在LED芯片6发射蓝光的同时，发射例如红光和/或绿光和/或黄光的添加颜色混合体。至于制造图5的装置，可以将OLED堆叠体10预先组装到载体上，并可以将呈液体形式的发光组件4涂覆到OLED堆叠体10上，然后硬化、固化或干燥。
实施例和实验
实施例1：如Protesescu等人(Nano Lett.,2015,15,3692–3696)所述生成发射红光的发光晶体。通过加热到450℃并因此蒸发溶剂以及烧尽配体，测得所形成的固体负载为0.06重量％。使用滨松(Hamamatsu)的Quantaurus C11347-11装置(配有积分球)测量所形成的纳米晶体制剂(formulation)的光学特性，并且在发射峰值波长为638nm，FWHM为33nm下获得了72％的量子产率。
将33重量％的该制剂与67重量％的先前制备的30重量％PMMA(Plexiglas 7N)的甲苯溶液混合并迅速倒到加热至60℃的玻璃基材上。待在60℃下完成干燥(12小时)后，获得了厚度为约1mm的发光透明箔片。该箔片示出了以下光学特性：量子产率70％、发射峰值波长641nm、FWHM 31nm。
然后将该箔片切割成尺寸为约1cm x 1cm的片，用液氮冷却至-196℃。随后用商购的咖啡研磨机将该箔片碾成粉末。获得的发光聚合物粒度估计在数个100μm的范围内。获得的粉末示出了以下光学特性：量子产率69％、发射峰值波长640nm、FWHM 32nm。
将33重量％的由此获得的粉末与67重量％的易力高(Electrolube)SC3001有机硅树脂(树脂:硬化剂13.5:1)混合，涂覆到玻璃基材上并在60℃下固化2小时。所形成的膜为约1-2mm厚并且示出了以下光学特性：量子产率69％、发射峰值波长638nm、FWHM 32nm。基于测得的起始制剂的固体负载，所述膜的Pb浓度为约60ppm。
实施例2：如Protesescu等人(Nano Lett.,2015,15,3692–3696)所述生成发射绿光的发光晶体。通过加热到450℃并因此蒸发溶剂以及烧尽配体，测得所形成的固体负载为0.54重量％。使用滨松(Hamamatsu)的Quantaurus C11347-11装置(配有积分球)测量所形成的纳米晶体制剂的光学特性，并且在发射峰波长为500nm，FWHM为23nm下获得了89％的量子产率。
将11重量％的该制剂与89重量％的先前制备的25重量％聚苯乙烯(西格玛奥德里奇(Sigma Al-drich))的甲苯溶液混合并随后进行类似于实施例1的加工以获得具有以下光学特性的绿色发光聚合物粉末：量子产率66％、发射峰值波长518nm、FWHM 28nm。
根据实施例1，将33重量％的由此获得的粉末与67重量％的易力高(Electrolube)SC3001有机硅树脂(树脂:硬化剂13.5:1)混合，涂覆到玻璃基材上并在60℃下固化2小时。所形成的膜为约1-2mm厚并且示出了以下光学特性：量子产率45％、发射峰值波长514nm、FWHM 30nm。基于测得的起始制剂的固体负载，所述膜的Pb浓度为约400ppm。
实施例3：将在实施例1和2中获得的红色和绿色发光聚合物粉末——在前文也称为第一元件和第二元件——以1:1重量比混合，并且将33重量％的该混合物与67重量％的易力高(Electrolube)SC3001有机硅树脂(树脂:硬化剂13.5:1)混合，涂覆到玻璃基材上并在60℃下固化2小时。所形成的膜为约1-2mm厚并且示出了以下光学特性：量子产率57％(用与实施例1相同的装置测量)；发射峰值波长分别为514nm和638nm；FWHM分别为30nm和32nm。基于测得的起始制剂的固体负载，所述膜的Pb浓度为约230ppm。
相应地，将在实施例1和2中获得的红色和绿色发光聚合物粉末以1:2重量比混合，并且将33重量％的该混合物与67重量％的易力高(Electrolube)SC3001有机硅树脂(树脂:硬化剂13.5:1)混合，涂覆到玻璃基材上并在60℃下固化2小时。所形成的膜为约1-2mm厚并且示出了以下光学特性：量子产率55％；发射峰值波长分别为513nm和638nm；FWHM分别为30nm和32nm。这一结果显示红色和绿色聚合物粉末的混合物既没有导致颗粒降解(发射峰值波长会位移)也没有导致性能损失。基于测得的起始制剂的固体负载，所述膜的Pb浓度为约290ppm。
实验4：
如Protesescu等人(Nano Lett.,2015,15,3692–3696)所述生成发射绿光和红光的发光晶体。通过加热到450℃并因此蒸发溶剂以及烧尽配体，测得发射绿光的发光晶体所形成的固体负载为0.52重量％，发射红光的发光晶体所形成的固体负载为0.53重量％。使用滨松(Hamamatsu)的Quantaurus C11347-11装置(配有积分球，450nm激发)测量所形成的纳米晶体制剂的光学特性，对于发射绿光的发光晶体来说，在发射峰值波长为528nm，FWHM为25nm下获得了60％的量子产率；对于发射红光的发光晶体来说，在发射峰值波长为645nm，FWHM为38nm下获得了90％的量子产率。
将这些纳米晶体制剂与环烯烃共聚物(TOPAS 5013S-04)的甲苯溶液(在溶剂中有20重量％聚合物)混合以得到20:1的聚合物:纳米晶体比，随后用甲苯稀释至制剂中的最终的聚合物含量为4重量％。使用惰性(氮气)回路(loop)中的喷雾干燥，干燥绿色和红色聚合物溶液以获得粉末，通过扫描电子显微镜法证实所述粉末显现出1-20μm的粒度。绿色粉末显示出45％的量子产率，峰位置为527nm和24nm的FWHM；而红色粉末显示出80％的量子产率，峰位置为647nm和36nm的FWHM。
将0.075g的绿色粉末和0.025g的红色粉末与环氧树脂(Eposun,2.66g树脂和1.33g标准硬化剂)在速度混合器中混合，在环境条件下，将所形成的混合物在两片载玻片之间固化24小时。该膜样品显示出69％的总量子产率；在528nm的峰，该峰的FWHM为24nm；以及在648nm的峰，该峰的FWHM为37nm。
实验5：
将实验4的样品与含有InP和CdSe量子点的商购QD膜进行比较。表1示出了用滨松(Hamamatsu)的Quantaurus C11347-11装置(配有积分球)测量的膜的光学性能。用量子产率表示的现有的CsPbX3 QD样品的性能与含有CdSe的商购膜1相似，同时，与含有InP的商购膜2相比，其示出了更高的量子产率和减小的FWHM。
表1
Figure BDA0001405386160000191
膜1：从亚马逊(Amazon)制造的平板电脑Kindle Fire HDX 7获取的QD膜，其不符合RoHS，具有可比的量子产率和FWHM。
膜2：从三星(Samsung)制造的电视模型UE48JS8580获取的QD膜，其符合RoHS，但是具有低的量子产率、宽的FWHM。
实验6(对比实验)：将实施例1和2的绿色和红色发光制剂以1:1的红色:绿色的干重比(制剂重量为9:1)混合在一起。由于离子交换反应，所形成的制剂变为发低强度黄光的橙色。测定该制剂并示出了以下光学特性：量子产率9.5％(用与实施例1相同的装置测量)；发射峰值波长554nm；FWHM28nm。
本实验清楚地证明了红光和绿光LC既不能以相同的液体制剂结合也不能以相同的聚合物基质结合而不明显影响光学特性。
实验7(对比实验)：将含有溶解的聚合物的实施例1和2的绿色和红色发光制剂以1:1的重量比混合。所形成的混合物在数秒内改变了其颜色，从最初的橙色变为具有发绿光的黄色，从而表明在进行离子交换。将所形成的混合物浇注到载玻片上并在60℃下干燥。所形成的膜为约100μm厚并且示出了以下光学特性：量子产率45％(用与实施例1相同的装置测量)；发射峰值波长520nm；FWHM 27nm。不能再检测出红色发射峰的事实强调了红色发射颗粒和绿色发射颗粒不能在一个聚合物相内混合的事实。

Claims (24)

1.一种发光组件，其包含
第一元件(1)，所述第一元件(1)包含第一固体聚合物组合物，其中，所述第一固体聚合物组合物包含嵌入第一聚合物(12)基质中的第一发光晶体(11)，其中，所述第一发光晶体(11)
-具有钙钛矿结构，
-选自式(I)的化合物：
M1 aM2 bXc (I)，其中，
M1表示Cs，任选地，其用最高达30摩尔％的一种或多种配位数为12的其他金属掺杂，
M2表示Pb，任选地，其用最高达30摩尔％的一种或多种配位数为6的其他金属掺杂，
X独立地表示选自Cl、Br、I、氰离子和硫氰酸根的阴离子，
a表示1，
b表示1，
c表示3；
-具有在3nm至3000nm之间的尺寸，
-发射第一波长的光，其是响应波长短于第一波长的光的激发而发射的，所述第一聚合物(12)为环烯烃共聚物，
封装物(3)，其包封所述第一元件(1)，
其中，所述封装物(3)包含聚合物或无机基质。
2.根据权利要求1所述的发光组件，
其中，所述第一聚合物(12)不溶于封装物聚合物，反之亦然。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的发光组件，
其包含第二元件(2)，所述第二元件(2)包含第二固体聚合物组合物，其中，所述第二固体聚合物组合物包含第二发光晶体(21)，其中，所述第二发光晶体(21)
-具有钙钛矿结构
-选自式(II)的化合物：
M1 aM2 bXc (II)，其中，
M1表示Cs，任选地，其用最高达30摩尔％的一种或多种配位数为12的其他金属掺杂，
M2表示Pb，任选地，其用最高达30摩尔％的一种或多种配位数为6的其他金属掺杂，
X独立地表示选自Cl、Br、和I、氰离子和硫氰酸根的阴离子，
a表示1，
b表示1，
c表示3；
-具有在3nm至3000nm之间的尺寸，
-具有与所述第一发光晶体(11)不同的化学组成和/或不同的尺寸，
-发射不同于第一波长的第二波长的光，其是响应波长短于第一波长和第二波长中的每种波长的光的激发而发射的，
其中，所述封装物(3)包封所述第二元件(2)。
4.根据权利要求3所述的发光组件，
其中，所述第二固体聚合物组合物包含第二聚合物(22)，并且
其中，所述第二聚合物(22)不溶于封装物聚合物，反之亦然。
5.根据权利要求3所述的发光组件，
其中，所述第一元件(1)和所述第二元件(2)在所述封装物(3)中间隔排列。
6.根据前述权利要求3所述的发光组件，其包含
N个另外的元件(nf)，其中N>＝1，
每个另外的元件(nf)包含另外的固体聚合物组合物和另外的发光晶体(n1f)，其中，所述另外的发光晶体(n1f)
-具有钙钛矿结构
-选自式(III)的化合物：
M1 aM2 bXc (III)，其中，
M1表示Cs，
M2表示Pb，
X独立地表示选自Cl、Br、和I、氰离子和硫氰酸根的阴离子，
a表示1，
b表示1，
c表示3；
-具有在3nm至3000nm之间的尺寸，
-具有与所述第一发光晶体、第二发光晶体和任意的N-1个其他另外的发光晶体不同的化学组成和/或不同的尺寸，
-发射另外的波长的光，其是响应波长短于所述另外的波长的光的激发而发射的，其中，所述另外的波长不同于所述第一波长，不同于所述第二波长，并且不同于N-1个其他另外的波长中的任意一个波长。
7.根据权利要求4所述的发光组件，
其中，所述封装物聚合物为选自以下列出的聚合物：碳酸酯聚合物、砜聚合物、环氧聚合物、聚氨酯聚合物、酯聚合物、有机硅聚合物和烯烃聚合物，并且
其中所述封装物聚合物的水蒸气透过率小于0.2g mm m-2天-1，
其中，所述第二聚合物(22)，如果存在；和任意另外的聚合物(n2f)，如果存在，独立地选自聚丙烯酸酯，包括共聚物；聚苯乙烯；有机硅和环烯烃共聚物。
8.根据权利要求7所述的发光组件，
其中烯烃聚合物选自乙烯基聚合物和环烯烃共聚物。
9.根据权利要求8所述的发光组件，
其中乙烯基聚合物是苯乙烯聚合物。
10.根据权利要求6所述的发光组件，
其中，所述第一发光晶体(11)；所述第二发光晶体(21)，如果存在；和另外的发光晶体(n1f)，如果存在，独立地具有在5nm至100nm之间的尺寸，和/或
其中，所述第一元件(1)；第二元件(2)，如果存在；和任意另外的元件(nf)，如果存在，其平均直径独立地在1μm至500μm之间。
11.根据权利要求10所述的发光组件，
其中，所述第一元件(1)；第二元件(2)，如果存在；和任意另外的元件(nf)，如果存在，其平均直径独立地在5μm至100μm之间。
12.根据权利要求3所述的发光组件，
其中，所述第一发光晶体(11)选自：
-CsPbBrxI3-x，其中0≤x<2
-CsPbClyBr3-y-zIz，其中0<y<1、2≤z≤3-y，并且
其中，所述第二发光晶体(21)选自：
-CsPbBrxI3-x，其中2≤x≤3
-CsPbClyBrzI3-y-z，其中0<y<1、1<z≤3-y。
13.根据权利要求6所述的发光组件，
其中，N在3至28之间。
14.根据权利要求6所述的发光组件，
其中，所述第一元件(1)仅包含第一发光晶体(11)并且不含任何其他的发光晶体，
其中，所述第二元件(2)，如果存在，仅包含第二发光晶体(21)并且不含任何其他的发光晶体，
其中，所述另外的元件，如果存在，仅包含另外的发光晶体(n1f)并且不含任何其他的发光晶体。
15.根据权利要求4所述的发光组件，其中，所述第一聚合物(12)与所述第二聚合物(22)是相同的。
16.根据权利要求6所述的发光组件，其中，
M1用最高达30摩尔％的一种或多种配位数为12的其他金属掺杂，
M2用最高达30摩尔％的一种或多种配位数为6的其他金属掺杂，
每种另外的聚合物组合物包含另外的聚合物(n2f)，-并且
-其中，所述另外的聚合物(n2f)不溶于封装物聚合物，反之亦然。
17.根据权利要求7所述的发光组件，
其中，所述封装物聚合物为选自有机硅、环烯烃共聚物和卤代乙烯基聚合物，所述的酯聚合物为丙烯酸酯聚合物。
18.一种发光装置，其包含
根据前述权利要求中任一项所述的发光组件(4)，
光源，其用于发射蓝光，
其中，设置所述光源用于激发发光组件(4)，和/或
其中，所述发光装置为LCD显示器、OLED显示器、发光二极管(LED)或有机发光二极管(OLED)中的一种。
19.根据权利要求18所述的发光装置，
其中，所述光源为LED芯片(6)，并且
其中，所述发光组件(4)至少部分地包封所述LED芯片(6)。
20.根据权利要求18所述的发光装置，
其中，所述光源为LED芯片(6)，
其中，所述发光组件(4)被设置在远离所述LED芯片(6)的地方。
21.根据权利要求20所述的发光装置，其中，所述LED芯片(6)至少部分地被不含无机发光材料的封装体(7)覆盖。
22.权利要求1至17中任一项所述的发光组件用于响应受蓝光辐射的发光组件(4)而发射白光的用途。
23.权利要求1至17中任一项所述的发光组件用于响应受蓝光辐射的发光组件(4)而发射白光作为液晶显示器中的背光的用途。
24.一种用于制造根据前述权利要求1至17中任一项所述的发光组件的方法，所述方法包括：
提供第一聚合物溶液，所述第一聚合物溶液包含第一发光晶体(11)；
以下步骤中的一步
a)通过喷雾干燥或沉淀中的一种，从第一聚合物溶液中提取出多个第一元件(1)，或者
b)将第一聚合物溶液硬化成第一固体聚合物组合物，并将所述第一固体聚合物组合物压碎获得多个第一元件(1)，
将所述第一元件(1)混入包含封装物聚合物的溶液中，和
通过硬化和/或干燥封装物聚合物提供发光组件(4)。
CN201680015304.2A 2015-12-23 2016-05-25 发光组件 Active CN108473859B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15003666.3A EP3184602B1 (en) 2015-12-23 2015-12-23 Luminescent component
EP15003666.3 2015-12-23
PCT/CH2016/000082 WO2017106979A1 (en) 2015-12-23 2016-05-25 Luminescent component

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108473859A CN108473859A (zh) 2018-08-31
CN108473859B true CN108473859B (zh) 2021-12-31

Family

ID=55177687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680015304.2A Active CN108473859B (zh) 2015-12-23 2016-05-25 发光组件

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10326058B2 (zh)
EP (2) EP3184602B1 (zh)
JP (1) JP6585723B2 (zh)
KR (1) KR101917051B1 (zh)
CN (1) CN108473859B (zh)
TW (1) TWI689110B (zh)
WO (1) WO2017106979A1 (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108604428B (zh) * 2015-12-23 2020-11-17 凡泰姆股份公司 显示设备
TWI774664B (zh) * 2016-04-12 2022-08-21 美商羅門哈斯電子材料有限公司 用於製造經囊封量子點之方法
EP3339394B1 (en) * 2016-12-22 2018-12-12 Avantama AG Luminescent composite materials
JP7141047B2 (ja) * 2017-02-28 2022-09-22 株式会社小糸製作所 蛍光体
JP6332522B1 (ja) * 2017-05-17 2018-05-30 住友化学株式会社 組成物、および組成物の製造方法
JP7244421B2 (ja) * 2017-07-28 2023-03-22 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置、及びディスプレイ
JP2019131655A (ja) * 2018-01-30 2019-08-08 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層体構造、発光装置およびディスプレイ
WO2019173375A2 (en) * 2018-03-05 2019-09-12 New Mexico Tech University Research Park Corporation Self-powered sensing of tensile strain using multifunctional mechano-luminescence-optoelectronic composites
CN108417739B (zh) * 2018-05-09 2019-11-26 电子科技大学 一种基于喷涂工艺的钙钛矿发光二极管及其制备方法
GB201811537D0 (en) * 2018-07-13 2018-08-29 Univ Oxford Innovation Ltd Turnable blue emitting lead halide perovskites
US20200067002A1 (en) * 2018-08-23 2020-02-27 Nanoco 2D Materials Limited Photodetectors Based on Two-Dimensional Quantum Dots
KR102581137B1 (ko) 2018-08-29 2023-09-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210055677A (ko) * 2018-09-06 2021-05-17 도레이 카부시키가이샤 색변환 재료, 색변환 부재, 광원 유닛, 디스플레이, 조명 장치, 색변환 기판 및 잉크
KR102651856B1 (ko) 2018-09-11 2024-03-28 삼성디스플레이 주식회사 색 변환 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
JP2020066725A (ja) * 2018-10-26 2020-04-30 住友化学株式会社 粒子、組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
JP7166142B2 (ja) 2018-10-31 2022-11-07 住友化学株式会社 硬化性組成物、膜、積層体及び表示装置
JP7193306B2 (ja) 2018-10-31 2022-12-20 住友化学株式会社 硬化性組成物、膜、積層体及び表示装置
EP3875492A4 (en) 2018-10-31 2022-08-03 Sumitomo Chemical Company, Limited CURRABLE COMPOSITION, FILM, LAMINATE AND DISPLAY DEVICE
EP3875493A4 (en) * 2018-10-31 2022-08-17 Sumitomo Chemical Company, Limited CURABLE RESIN COMPOSITION, FILM, LAMINATE AND DISPLAY DEVICE
EP3753994B1 (en) * 2019-06-17 2021-06-23 Avantama AG Luminescent component
GB201915382D0 (en) 2019-10-23 2019-12-04 Quantum Advanced Solutions Llc Perovskite nanocrystal compositions
CN111040513A (zh) * 2019-12-03 2020-04-21 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 墨水及其制作方法、显示装置
EP3936585A1 (en) * 2020-07-07 2022-01-12 Avantama AG A solid polymer composition, a self-supporting film and a light emitting device
US20220145499A1 (en) * 2020-11-09 2022-05-12 New Mexico Tech University Research Park Corporation Mechano-luminescent-optoelectronic smart clothing
KR102557679B1 (ko) 2020-11-17 2023-07-24 디아이씨 가부시끼가이샤 잉크젯용 잉크 조성물, 광 변환층 및 컬러 필터
JP2022081110A (ja) 2020-11-19 2022-05-31 Dic株式会社 インクジェット用インク組成物及びその硬化物、光変換層、カラーフィルタ並びに発光素子
JP7311055B2 (ja) 2020-11-19 2023-07-19 Dic株式会社 インク組成物、光変換層およびカラーフィルタ
EP4180499A1 (en) * 2022-10-27 2023-05-17 Avantama AG Color conversion film with separation layer

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011053635A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Nanosys, Inc. Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69601603T2 (de) * 1995-06-30 1999-09-23 Agfa Gevaert Nv Schirm zum Speichern eines Strahlungsbildes mit Alkalihalogenidphosphor
DE102005061828B4 (de) 2005-06-23 2017-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierendes Konvertermaterial, lichtabstrahlendes optisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4188404B2 (ja) * 2006-05-19 2008-11-26 三井金属鉱業株式会社 白色蛍光体および白色発光素子乃至装置
JP5090534B2 (ja) * 2008-08-04 2012-12-05 パイオニア株式会社 有機電界発光素子
GB0916700D0 (en) * 2009-09-23 2009-11-04 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based materials
JP5749327B2 (ja) * 2010-03-19 2015-07-15 日東電工株式会社 発光装置用ガーネット系蛍光体セラミックシート
JPWO2014208356A1 (ja) 2013-06-25 2017-02-23 コニカミノルタ株式会社 光学フィルム及び発光デバイス
KR102086712B1 (ko) * 2013-08-14 2020-05-15 나노코 테크놀로지스 리미티드 다상의 수지를 이용한 양자점 막
JP2015082596A (ja) * 2013-10-23 2015-04-27 株式会社東芝 発光装置
CN105900251A (zh) * 2013-11-13 2016-08-24 纳米技术有限公司 包含量子点荧光体的led盖
KR102355119B1 (ko) * 2014-03-18 2022-01-26 주식회사 쿠라레 전자 디바이스
US20160369975A1 (en) * 2015-06-22 2016-12-22 National Tsing Hua University Quantum dot-containing wavelength converter

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011053635A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Nanosys, Inc. Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Nanocrystals of Cesium Lead Halide Perovskites (CsPbX3, X = Cl, Br, and I): Novel Optoelectronic Materials Showing Bright Emission with Wide Color Gamut;Loredana Protesescu et al.，;《Nano Lett.》;20150129;第15卷;第3692-3696页 *

Also Published As

Publication number Publication date
US10326058B2 (en) 2019-06-18
WO2017106979A1 (en) 2017-06-29
KR20170096202A (ko) 2017-08-23
TWI689110B (zh) 2020-03-21
JP6585723B2 (ja) 2019-10-02
KR101917051B1 (ko) 2018-11-08
EP3227401A1 (en) 2017-10-11
EP3184602A1 (en) 2017-06-28
JP2018506625A (ja) 2018-03-08
US20170369776A1 (en) 2017-12-28
EP3184602B1 (en) 2018-07-04
CN108473859A (zh) 2018-08-31
EP3227401B1 (en) 2018-07-18
TW201724558A (zh) 2017-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108473859B (zh) 发光组件
JP7114784B2 (ja) ディスプレイデバイス
KR102066378B1 (ko) 고체 중합체 조성물
TWI731910B (zh) 發光組件
Yoon et al. Study of perovskite QD down-converted LEDs and six-color white LEDs for future displays with excellent color performance
KR102185153B1 (ko) 발광 구성요소

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant