TW201720261A

TW201720261A - 印刷配線板之製造方法

Info

Publication number: TW201720261A
Application number: TW105123902A
Authority: TW
Inventors: Akitoshi Takanashi; Hiroto Iida
Original assignee: Mitsui Mining & Smelting Co
Priority date: 2015-10-28
Filing date: 2016-07-28
Publication date: 2017-06-01
Also published as: JP6131395B1; TWI626873B; JPWO2017073121A1; KR20180041167A; WO2017073121A1; CN108029202B; CN108029202A; KR102039844B1

Abstract

本發明提供一種印刷配線板之製造方法，其係可有意義地防止增層配線層之形成步驟中藥液朝載體與極薄銅層之間的界面侵入，且可有意義地抑制無芯支撐體之分離步驟中極薄銅層之部分破裂及因此產生之缺陷。本發明之方法包含下述步驟：準備於載體之剝離層側之面中，起伏曲線要件之平均高度Wc與峰計數Pc之乘積Wc×Pc為20~50μm之附載體銅箔之步驟、於載體或極薄銅層之上形成增層配線層而製作附增層配線層之積層體之步驟、將附增層配線層之積層體於剝離層分離而得含增層配線層之多層配線板之步驟，及加工多層配線層而得印刷配線板之步驟。

Description

印刷配線板之製造方法

本發明係有關印刷配線板之製造方法。

近幾年來，為了提高印刷配線板之安裝密度並小型化，已廣泛進行印刷配線板之多層化。此種多層印刷配線板基於輕量化或小型化為目的而大多利用於攜帶用電子設備。因此，對該多層印刷配線板要求層間絕緣膜之進一步厚度減低以及作為配線板之更進一步薄型化及輕量化。

作為滿足此等要求之技術，係採用利用無芯增層法之多層印刷配線板之製造方法。所謂無芯增層法係不使用所謂芯基板，而使絕緣層與配線層交互積層(增層)而多層化之方法。關於無芯增層法，提案使用附載體之銅箔以使支撐體與多層印刷配線板之剝離容易進行。例如專利文獻1(日本特開2005-101137號公報)中，揭示半導體元件搭載用封裝基板之製造方法，其包含於附載體銅箔之載體面上貼附絕緣樹脂層作成支撐體，於附載體銅箔之極薄銅層側藉由圖型電解銅鍍敷而形成第一配線導體，形成增層配線層，剝離附載體支撐基板，去除極薄銅層。

不過，如上述之方法中，由於附載體銅箔與支撐體為相同尺寸，故載體與極薄銅層之間的界面端部露出外部。因此，增層配線層形成時使用之藥液(例如蝕刻液或去膠渣液)有時會自載體與極薄銅層之間的界面端部侵入至界面內部。若此藥液侵入界面內部則使載體與極薄銅層之間之密著力降低，於製造途中有增層配線層自支撐體剝落之情況，導致良率降低。

作為該問題對策之印刷配線板之製造方法，提案有於製品形成用區域之外周設置多餘區域，以使載體與極薄銅層之間的界面端部不露出於外部之方式形成增層配線層之方法。例如專利文獻2(日本特開2014-130856號公報)中，揭示印刷配線板之製造方法，其包含準備極薄銅層區域小於載體區域之附載體銅箔(可分離金屬箔)，準備較載體區域尺寸大的預浸體(支持基板)，積層極薄銅箔與預浸體形成支撐體，以與載體相同尺寸形成增層配線層，於極薄銅層內側切斷積層體後分離，對載體實施減去加工形成最外配線層。依據該方法，使極薄銅箔與載體間的界面與外部環境阻斷，可防止增層配線層形成時之藥液自界面侵入。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2005-101137號公報

[專利文獻2]日本特開2014-130856號公報

然而，專利文獻2之方法中，有如下問題：i)必須預先製作經區域加工之附載體銅箔以使極薄銅箔區域小於載體區域，ii)使自極薄銅層區域伸出之區域及自附載體銅箔伸出之預浸體區域成為製品對象外之無用區域，iii)於剝離支撐體之前，必須將於端面露出剝離層之所有積層體四邊切斷之步驟。

本發明人等如今獲得如下見解：使用載體之剝離層側之面滿足特定條件(後述之Wc×Pc為20~50μm)之附載體銅箔藉由無芯增層法進行印刷配線板之製造，而不需要如專利文獻2所進行之附載體銅箔之區域加工或預浸體之尺寸控制，即可有意義地防止增層配線層之形成步驟中藥液朝載體與極薄銅箔之間的界面侵入，而且，可有意義地抑制無芯支撐體之分離步驟中極薄銅層之部分破裂及因此產生之缺陷(例如極薄銅層對載體之部分殘渣，或極薄銅層中之針孔發生及起因於此之過蝕刻)。

因此，本發明之目的在於提供印刷配線板之製造方法，其不需要附載體銅箔之區域加工或預浸體之尺寸控制，而可有意義地防止增層配線層之形成步驟中藥液朝載體與極薄銅層之間的界面侵入，且可有意義地抑制無芯支撐體之分離步驟中極薄銅層之部分破裂及因此產生之缺陷。

依據本發明之一樣態，係提供一種方法，其係印刷配線板之製造方法，且包含下述步驟：準備依序附載體銅箔之步驟，該附載體銅箔係具備載體、剝離層及極薄銅箔，且前述載體之前述剝離層側之面中，依據B0601-2001測定之起伏曲線要件之平均高度Wc與峰計數Pc之乘積的Wc×Pc為20~50μm者，於前述載體或極薄銅層上形成增層配線層而製作附增層配線層之積層體之步驟，將前述附增層配線層之積層體於前述剝離層分離而得含前述增層配線層之多層配線板之步驟，及加工前述多層配線層而獲得印刷配線板之步驟。

10、30‧‧‧附載體銅箔

12、32‧‧‧載體

14、34‧‧‧剝離層

16、36‧‧‧極薄銅層

18‧‧‧無芯支撐體

20‧‧‧光阻劑圖型

21‧‧‧蝕刻阻劑

22‧‧‧圖型鍍敷

24‧‧‧配線圖型

26‧‧‧第1配線層

28‧‧‧絕緣層

38‧‧‧第2配線層

40‧‧‧第n配線層

42‧‧‧增層配線層

44‧‧‧多層配線板

46‧‧‧印刷配線板

圖1A係顯示無芯增層法之一樣態的嵌埋電路形成法之一例中之前半步驟之圖。

圖1B係顯示無芯增層法之一樣態的嵌埋電路形成法之一例中之接續圖1A所示之步驟之後半步驟。

圖2A係顯示無芯增層法之另一樣態的載體/減去加工法之一例中之前半步驟之圖。

圖2B係顯示無芯增層法之另一樣態的載體/減去加工法之一例中之接續圖2A所示之步驟之後半步驟。

定義

以下顯示用以特定本發明所用之參數定義。

本說明書中所謂「峰計數Pc」係依據B0601-2001(ISO 4287-1997)測定之參數的每輪廓曲線中之評價長度(例如0.8mm)之山數。

本說明書中所謂「起伏曲線要件之平均高度Wc」係依據B0601-2001(ISO 4287-1997)測定之參數的基準長度中之起伏曲線要件之高度之平均值。

本說明書中所謂「十點平均粗糙度Rz」係指依據B0601-1994決定之參數的基準長度之粗度曲線中，自最高的山頂至依高度順序第5高之山高的平均與自最深之谷底至依深度順序第5深之谷深之平均之和。

本說明書中所謂載體之「電極面」係指載體製作時與陰極接觸之側的面。

本說明書中所謂載體之「析出面」係指載體製作時電解銅析出之面，亦即不與陰極接觸之側的面(電解液面)。

印刷配線板之製造方法

本發明有關印刷配線板之製造方法。本發明之方法包含(1)準備具有特定表面輪廓之附載體銅箔之步驟，及(2)利用無芯增層法之印刷配線板之製造製程。而且，利用無芯增層法之印刷配線板之製造製程包含(2a)於載體或極薄銅層上形成增層配線層之步驟，(2b)於剝離層分離所得積層體之步驟，及(2c)加工所得多層配線板之步驟。

(1)附載體銅箔之準備

本發明之方法係準備具有特定表面輪廓之附載體銅箔。附載體銅箔依序具備載體、剝離層及極薄銅箔。尤其，本發明所用之附載體銅箔於載體之剝離層側之面中，起伏曲線要件之平均高度Wc與峰計數Pc之乘積的Wc×Pc為20~50μm。藉由使用載體之剝離層側之面中Wc×Pc為20~50μm之範圍內之附載體銅箔利用無芯增層法製造印刷配線板，可不需要如專利文獻2所進行之附載體銅箔之區域加工或預浸體之尺寸控制，而可有意義地防止增層配線層之形成步驟中藥液侵入載體與極薄銅層之間的界面。此外，亦可有意義地抑制無芯支撐體之分離步驟中極薄銅層之部分破裂及因此產生之缺陷(例如極薄銅層對載體之部分殘渣或極薄銅層中之針孔發生及起因於此之配線過蝕刻)。

上述有利效果係藉由使用載體之剝離層側之面中Wc×Pc為20~50μm之附載體銅箔而意外地實現。其機制未必確定，但認為係如下。首先，由於起伏曲線要件之平均高度Wc係起伏曲線要件之高度之平均值，故其值越高起伏越大，認為依此於載體與極薄銅箔之間的界面藥液之浸入障壁變大。此可解釋為藥液之侵入受到起伏曲線之山妨礙之故。此外，由於峰計數Pc係輪廓曲線中每坪價長度之山之數，故其值越大山越多，可謂依此於載體與極薄銅箔之間的界面藥液之浸入障壁變多。而且，認為Wc×Pc為20μm以上時，藉由Wc與Pc之相乘效果，可有意義地防止增層配線層之形成步驟中藥液侵入載體與極薄銅層之間的界面者。另一方面，Wc×Pc過大時，於無芯支撐體之分離步驟中極薄銅層容易產生部分破裂，其結果，易於發生極薄銅層對載體之部分殘渣，或極薄銅層之針孔發生及起因於其之過蝕刻發生。其原因認為係Wc×Pc越大(尤其Wc越大)則於起伏之谷部分(起因於電解時之銅析出行為)極薄銅層有變薄傾向，該薄的部分變脆弱而易於部分破裂之故。此點意外地可藉由使Wc×Pc設為50μm以下，而可有意義地抑制無芯支撐體之分離步驟中極薄銅層之部分破裂及由此產生之極薄銅層對載體之部分殘渣。總之，使Wc×Pc為20~50μm之特定範圍之上述效果，僅以表面粗糙度之控制無法實現，而係首次藉由使反映出比輪廓曲線長之波長的凹凸之源自起伏曲線之Wc與峰計數Pc之乘積而實現者。

基於上述觀點，載體之剝離層側之面中，Wc×Pc為20~50μm，較好為23~40μm，更好為26~33μm。且，載體之剝離層側之面中，Wc較好為0.5~1.0μm，更好為0.55~0.95μm，又更好為0.6~0.9μm。載體之剝離層側之面中，Pc較好為22~65，更好為30~55，又更好為32~45。若為上述較佳範圍內，可更有效地防止如上述之藥液侵入界面與極薄銅層之部分破裂。

較好，載體之剝離層側之面中，依據JIS B0601-1994所測定之十點平均粗糙度Rz為1.5~6.5μm，更好為2.2~6.0μm，又更好為2.9~5.0μm。若為此範圍內，則確保剝離容易性，且亦有可有效防止極薄銅層之破裂之優點。又，載體之剝離層側之面之十點平均粗糙度Rz之測定典型上係對自載體銅箔剝離極薄銅層後之載體表面進行。

載體係支撐極薄銅層用以提高其處理性之薄或層，除了剝離層側之面中之Wc×Pc為20~50μm以外，可為習知構成。作為載體之例，舉例為鋁箔、銅箔、不銹鋼(SUS)箔、樹脂薄膜、表面經金屬包覆之樹脂薄膜、樹脂板、玻璃板等。基於易於藉由製造條件控制剝離層側之面中之Wc×Pc值之方面、及保持載體本身之耐藥品性之方面而言，較好為銅箔。銅箔可為壓延銅箔及電解銅箔之任一種，但如上述基於易於控制剝離層側之面中之Wc×Pc值之方面而言，載體較好為電解銅箔。載體厚度典型上為250μm以下，較好為12μm~200μm。

載體表面之上述範圍內之Wc、Pc及Rz之實現，較好藉由如下進行：於例如載體為電解銅箔時，使電解液(例如硫酸酸性硫酸銅溶液)進行活性碳處理去除電解液中之殘留添加劑後，於活性碳處理後之電解液中新添加膠原蛋白或明膠等之添加劑以習知條件進行電解，製造厚約10~35μm左右之電解銅箔，將所得電解銅箔之析出面(電解液面)作為剝離層側之面。藉由此電解析出製程之粗面形成，作為將載體表面調整為各種輪廓之方法特別有效。然而，粗面形成之方法不限定於上述方法，除此以外，亦可採用化學蝕刻之形成、噴射處理等之物理蝕刻等。

極薄銅層若為印刷配線板製造用之附載體銅箔所採用之習知構成即可而未特別限制。可為例如極薄銅層藉由無電解銅鍍敷法及電解銅鍍敷法等之濕式成膜法、濺鍍及化學蒸鍍等之乾式成膜法、或該等之組合而形成者。極薄銅層之較佳厚度為0.1~10.0。例如作為無芯支撐體表面上形成之配線層，為了進行線/間隔=25μm以下/25μm以下之微細電路形成，極薄銅層之厚度特佳為0.2~7.0μm。

剝離層係減弱載體之剝離強度、確保該強度之安定性、進而具有於高溫之加壓成形時抑制載體與極薄銅層之間引起之相互擴散之功能之層。剝離層一般係形成於載體之一面上，但亦可形成於兩面。剝離層可為有機剝離層及無機剝離層之任一者。有機剝離層所用之有機成分之例舉例為含氮有機化合物、含硫有機化合物、羧酸等。含氮有機化合物之例舉例為三唑化合物、咪唑化合物等，其中三唑化合物基於剝離性易於安定之方面而言較佳。作為三唑化合物之例，舉例為1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N’,N’-雙(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-胺基-1H-1,2,4-三唑等。含硫有機化合物之例舉例為巰基苯并噻唑、硫代氰尿酸、2-苯并咪唑硫醇等。作為羧酸之例舉例為單羧酸、二羧酸等。另一方面，作為無機剝離層所用之無機成分之例舉例為Ni、Mo、Co、Cr、Fe、Ti、W、P、Zn、鉻酸鹽處理膜等。又，剝離層之形成係於載體之至少一表面接觸含剝離層成分之溶液，使剝離層成分固定於載體表面等而進行即可。使載體接觸含剝離層成分之溶液時，該接觸只要藉由浸漬於含剝離層成分之溶液中、噴霧含剝離層成分之溶液、流下含剝離層成分之溶液等進行即可。此外，亦可採用以蒸鍍或濺鍍等之氣相法使碳等之剝離層成分進行被膜形成之方法。該等中，尤其基於可使剝離層本身薄層化、藥液朝載體與極薄銅層的界面侵入效果優異者之方面、對於前述載體之剝離層側表面使載體鋼製造後之表面輪廓之變化極小化之步驟設計上有利之方面等而言，剝離層較好為有機剝離層。且，剝離層成分對載體表面之固定係藉由吸附或乾燥含剝離層成分之溶液、電鍍含剝離層成分之溶液中之剝離層成分等而進行即可。剝離層厚度典型上為1nm~1μm，較好為5nm~500nm，更好為6nm~100nm。

依期望，於剝離層與載體及/或極薄銅層之間亦可設有其他功能層。作為此種其他功能層之例舉例為輔助金屬層。輔助金屬層較好由鎳及/或鈷所成。藉由於載體之表面側及/或極薄銅層之表面側形成此種輔助金屬層，可抑制於高溫或長時間熱加壓成形時於載體與極薄銅層之間引起之相互擴散，擔保載體之剝離強度之安定性。輔助金屬層之厚度較好為0.001~3μm。

依期望，亦可對極薄銅層施以防銹處理。防銹處理較好包含使用鋅之鍍敷處理。使用鋅之鍍敷處理可為鋅鍍敷處理及鋅合金鍍敷處理之任一者，鋅合金鍍敷處理特佳為鋅-鎳合金處理。鋅-鎳合金處理只要為包含Ni及Zn之鍍敷處理即可，亦可進而含有Sn、Cr、Co等之其他元素。鋅-鎳合金鍍敷中之Ni/Zn附著比例，以質量比計，較好為1.2~10，更好為2~7，又更好為2.7~4。且，防銹處理較好進而包含鉻酸鹽處理，該鉻酸鹽處理更好於使用鋅之鍍敷處理後，於含鋅之鍍敷表面進行。如此可進一步提高防銹性。特佳之防銹處理係組合鋅-鎳合金鍍敷處理與隨後之鉻酸鹽處理。

依期望，亦可於極薄銅層表面施以矽烷偶合劑處理，形成矽烷偶合劑層。藉此可提高耐濕性、耐藥品性及與樹脂層等之密著性等。矽烷偶合劑層可藉由適當稀釋矽烷偶合劑並塗佈、乾燥而形成。作為矽烷偶合劑之例舉例為4-縮水甘油基丁基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷等之環氧官能性矽烷偶合劑，或γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷等之胺基官能性矽烷偶合劑，或γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等之巰官能性矽烷偶合劑或乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷等之烯烴官能性矽烷偶合劑，或γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等之丙烯醯官能性矽烷偶合劑，或咪唑矽烷等之咪唑官能性矽烷偶合劑，或三嗪矽烷等之三嗪官能性矽烷偶合劑等。

(2)利用無芯增層法之印刷配線板之製造

本發明之方法中之印刷配線板之製造係藉由使用上述附載體銅箔之無芯增層法進行。無芯增層法之較佳樣態舉例為埋入電路形成法與載體/減去加工法等。各方法具體如下。

埋入電路形成法為經過下述而進行之方法：由載體與支撐體(例如預浸體)之積層製作支撐體、於極薄銅層上形成圖型電路、形成增層配線層、剝離支撐體及極薄銅層上之淹沒蝕刻(flush etching)。圖1A及1B中顯示該製造法之步驟圖。又，圖1A及1B所示之樣態係用以簡化說明而描繪為於無芯支撐體18之單面上設置附載體銅箔10形成增層配線層42，但期望對於無芯支撐體18之兩面設置附載體銅箔10之該兩面形成增層配線層42。圖1A及1B所示之例中，首先準備依序具備載體12、剝離層14及極薄銅層16之附載體銅箔10，將附載體銅箔10以載體12側積層於預浸體等之無芯支撐體18上。其次，於極薄銅層16上形成光阻劑圖型20，經過圖型鍍敷(銅電鍍)22之形成及光阻劑圖型20之剝離，形成配線圖型24。接著，對圖型鍍敷實施粗化處理等之積層前處理作成第1配線層26。其次，如圖1B所示，成為應形成增層配線層42之配線圖型24埋入絕緣層28之構造。於該積層步驟，積層絕緣層28及附載體銅箔30(具備載體32、剝離層34及極薄銅層36)，剝離載體32，且藉由二氧化碳氣體雷射對極薄銅層36及其正下方之絕緣層28進行雷射加工。接著，藉由光阻劑加工、無電解銅鍍敷、電解銅鍍敷、光阻劑剝離及淹沒蝕刻等進行圖型化，形成第2配線層38，該圖型化根據需要重複進行直至形成第n配線層40(n為2以上之整數)。接著，將無芯支撐體18與載體12一起剝離，藉由淹沒蝕刻去除於配線圖型24表面露出之極薄銅層16，獲得特定之埋入電路圖型。可獲得具備如此特定埋入電路圖型之印刷配線板46。本樣態中，由於無芯支撐體18與載體12一起剝離時極薄銅層16不易破裂，故可有效地避免極薄銅層16中之針孔形成及因此於淹沒蝕刻時之配線圖型24之過蝕刻之缺點。

載體/減去加工法係經過下述而進行之方法：由載體與預浸體之積層製作支撐體、於載體上製作增層配線層、剝離支撐體、載體之減去加工(亦即阻劑形成、蝕刻及阻劑剝離)。圖2A及2B中顯示該製造法之步驟圖(該圖中為便於說明，對同一名稱之構件使用與圖1A及1B相同之符號)。又，圖2A及2B中所示之樣態為了簡化說明，描繪為於無芯支撐體18之單面上設置附載體銅箔10形成增層配線層42，但期望對於無芯支撐體18之兩面設置附載體銅箔10之該兩面形成增層配線層42。圖2A及2B所示之例中，首先，準備依序具備載體12、剝離層14及極薄銅層16之附載體銅箔10，將附載體銅箔10以極薄銅層16側積層於預浸體等之無芯支撐體18上。其次，除了尚未進行第1配線層26之形成以外，與圖1A及1B所示之例同樣，介隔絕緣層28形成圖型化之第2配線層38，該圖型化根據需要重複進行積層至第(n-1)配線層(n為2以上之整數)後，進行用以形成第n配線層40(n為2以上之整數)之面板鍍敷。接著，將無芯支撐體18與極薄銅層16一起剝離，獲得形成特定配線圖型之前階段之含增層配線層之多層配線板44。於所得多層配線板44之兩面(亦即第n配線層40之表面與載體12之表面)形成蝕刻阻劑21之圖型。如此，對於由蝕刻阻劑21遮蔽之多層配線板44進行銅蝕刻極蝕刻阻劑21之剝離，於多層配線板44之與第n配線層40相反側之表面形成第1配線層26。可獲得具備特定之配線圖型之印刷配線板46。本樣態中，由於無芯支撐體18與極薄銅層16一起剝離時極薄銅層16不易破裂，故可有效地避免極薄銅層對載體之部分殘渣。因此，可不需要為了去除部分殘渣之洗淨步驟或化學蝕刻等之追加步驟，可提高製造效率或提高第1配線層26之厚度精度。

上述任一樣態中，利用無芯增層法之印刷配線板之製造係藉由下述步驟進行：(2a)於載體12或極薄銅層16上形成增層配線層42，製作附增層配線層之積層體，(2b)於剝離層14分離附增層配線層之積層體獲得含增層配線層42之多層配線板44後，(2c)加工多層配線板44獲得印刷配線板46。且，如上述，本發明之方法於增層配線層42形成前，當然亦可包含於支撐體18(例如預浸體或樹脂薄片等之絕緣樹脂基材)之單面或雙面上積層附載體銅箔10而形成積層體之步驟。所謂預浸體係於合成樹脂板、玻璃板、玻璃織布、玻璃不織布、紙等之基材中含浸合成樹脂而成之複合材料之總稱。含浸於預浸體中之絕緣性樹脂之較佳例舉例為環氧樹脂、氰酸酯樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂(BT樹脂)、聚苯醚樹脂、酚樹脂等。且，作為構成樹脂薄片之絕緣性樹脂之例，舉例為環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂等之絕緣樹脂。以下針對(2a)~(2c)之各步驟加以說明。

(2a)增層配線層之形成

於載體12或極薄銅層16上形成增層配線層42，製作附增層配線層之積層體。於如圖1A及1B所示般之埋入電路形成法時，於極薄銅層16上形成增層配線層42。例如除了於極薄銅層16上已形成之第1配線層26以外，依序形成絕緣膜28及第2配線層38作成增層配線層42。第2配線層38以後之增層之層之形成方法的工法並未特別限制，可使用減去法、MSAP(改質半添加製程) 法、SAP(半添加)法、全添加法等。例如同時以加壓加工貼合樹脂層及以銅箔為代表之金屬箔時，組合通孔形成及面板鍍敷等之層間導通手段之形成，蝕刻加工該面板鍍敷層及金屬箔，可形成配線圖型。且，於極薄銅層16之表面藉由加壓或積層僅貼合樹脂層時，亦可於其表面藉半添加法形成配線。另一方面，如圖2A及2B所示般之載體/減去加工法時，於載體12上形成增層配線層42。例如，於載體12上依序形成絕緣層28及第2配線層38成為增層配線層42。

形成增層配線層之步驟較好包含使用鉻酸鹽溶液及過錳酸鹽溶液之至少任一者之去膠渣步驟作為將藉雷射等形成通孔時產生之通孔底部之樹脂殘渣(膠渣)去除之處理。去膠渣步驟係依序進行膨潤處理、鉻酸處理或過錳酸處理、及還原處理之處理的步驟，採用習知之濕式製程。依據本發明之方法，可有效地防止該去膠渣步驟中之鉻酸鹽溶液或過錳酸鹽溶液進入載體與極薄銅層間的界面。作為鉻酸鹽之例舉例為鉻酸鉀。作為過錳酸鹽之例舉例為過錳酸鈉、過錳酸鉀等。尤其，基於去膠渣處理液之環境負荷物質之排出減低、電解再生性等之方面，較好使用過錳酸鹽。

根據需要重複上述步驟，獲得附增層配線層之層合體。該步驟中，較好使樹脂層與包含配線圖型之配線層交替積層配置形成增層配線層，直至形成第n配線層40(n為2以上之整數)獲得附增層配線層之積層體。該步驟之重複只要進行至形成期望層數之增層配線層即可。以該階段，根據需要，亦可於外層面形成焊料阻劑或栓柱等之安裝用凸塊等。又，增層配線層之最外層面亦可於隨後之多層配線板之加工步驟(2c)形成外層配線圖型。

(2b)附增層配線層之積層體之分離

於剝離層14分離附增層配線層之積層體獲得包含增層配線層42之多層配線板44。該分離可藉由剝落極薄銅層16及/或載體12而進行。

(2c)多層配線板之加工

加工多層配線板44獲得印刷配線板46。於該步驟，使用藉由上述分離步驟所得之多層配線板44，加工成期望之多層印刷配線板。由多層配線板44加工成多層印刷配線板46之方法只要採用習知各種方法即可。例如蝕刻位於多層配線板44之外層之載體12或極薄銅層16形成外層電路配線，可獲得多層印刷配線板。且，亦可完全蝕刻去除位於多層配線板44外層之載體12或極薄銅層16，直接以該狀態作為多層印刷板46使用。且，亦可於位於多層配線板44之外層之載體12或極薄銅層16之外表面形成光阻劑層進行電解銅鍍敷，剝離光阻劑後，以淹沒蝕刻等之半添加法等於載體12或極薄銅層16直接形成外層電路等，作成多層印刷配線板。進而，亦可完全蝕刻去除位於多層配線板44外層之載體12或極薄銅層16，並且軟蝕刻第1配線層26，獲得形成有凹部之第1配線層26，將其作為安裝用墊片。

[實施例]

本發明藉由以下之例具體加以說明。

例1~7

於載體之析出面側依序形成剝離層及極薄銅層後，進行防銹處理及矽烷偶合劑處理，製作附載體銅箔。接著針對所得附載體銅箔進行各種評價。具體順序如以下。

(1)載體之製作

陰極係使用算術平均粗糙度Ra(根據JIS B0601-2001)為0.20μm之鈦製旋轉電極，陽極係使用DSA(尺寸安定性陽極)，作為電解液係使用以下表1所示組成之硫酸酸性硫酸銅溶液以表1所示條件進行電解製箔，獲得表1所示厚度之電解銅箔作為載體。

(2)剝離層之形成

經酸洗處理之載體之析出面於CBTA(羧基苯并三唑)濃度1g/L、硫酸濃度150g/L及銅濃度10g/L之CBTA水溶液中，於液溫30℃浸漬30秒，使CBTA成分吸附於載體之電極面。如此，於載體之電極面形成CBTA層作為有機剝離層。該有機剝離層以面積重量換算法測定後，厚度為8nm。

(3)輔助金屬層之形成

將形成有機剝離層之載體浸漬於使用硫酸鎳製作之鎳濃度20g/L之溶液中，以液溫45℃、pH3、電流密度5A/dm²之條件，於有機剝離層上附著相當於厚度0.01μm之附著量之鎳。如此於有機剝離層上形成鎳層作為輔助金屬層。

(4)極薄銅層之形成

形成輔助金屬層之載體浸漬於以下所示組成之銅溶液中，以溶液溫度50℃、電流密度5~30A/dm²電解，於輔助金屬層上形成厚度3μm之極薄銅層。

<溶液組成>

-銅濃度：60g/L

-硫酸濃度：200g/L

(5)粗化處理

對如此形成之極薄銅層表面進行粗化處理。該粗化處理係由下述步驟構成：於極薄銅層上析出附著微細銅粒之燒鍍步驟，及為了防止該微細銅粒之脫落之澆鍍步驟。燒鍍步驟係使用含銅濃度10g/L及硫酸濃度120g/L之酸性硫酸銅溶液，以液溫25℃、電流密度15A/dm²進行粗化處理。隨後之澆鍍步驟係使用含銅濃度70g/L及硫酸濃度120g/L之酸性硫酸銅溶液，以液溫40℃及電流密度15A/dm²之平滑鍍敷條件進行電鍍。

(6)防銹處理

於所得附載體銅箔之粗化處理層表面進行由鋅-鎳合金鍍敷處理及鉻酸鹽處理所成之防銹處理。首先，使用鋅濃度0.2g/L、鎳濃度2g/L及焦磷酸鉀濃度300g/L之電解液，以液溫40℃、電流密度0.5A/dm²之條件對粗化處理層及載體之表面進行鋅-鎳合金鍍敷處理。其此，使用鉻酸3g/L水溶液，以pH10、電流密度5A/dm²之條件，於進行鋅-鎳合金鍍敷處理之表面進行鉻酸鹽處理。

(7)矽烷偶合劑處理

於附載體銅箔之極薄銅層側表面吸附含γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷2g/L之水溶液，藉由電熱器使水分蒸發，進行矽烷偶合劑處理。此時，矽烷偶合劑處理於載體側並未進行。

(8)評價

針對如此所得之附載體銅箔，如以下進行各種特性評價。

<表面性狀參數>

自附載體銅箔剝落載體，使用表面粗糙度測定器(SE3500，小坂研究所股份有限公司製)，藉以下諸條件測定載體之剝離層側之面之峰計數Pc、起伏曲線要件之平均高度Wc及十點平均粗糙度Rz。結果彙總示於表2。

[峰計數Pc]

-依據規格：JIS B0601-2001(ISO 4287-1997)

-截斷值：0.8mm

-評價長度：0.8mm

[平均高度Wc]

-依據規格：JIS B0601-2001(ISO 4287-1997)

-截斷值：fh 0.8mm/fl 8.0mm

-評價長度：16mm

[十點平均粗糙度Rz]

-依據規格：JIS B0601-1994

-截斷值：0.8mm

-評價長度：0.8mm

<藥液浸蝕量>

使用附載體銅箔製作貼銅積層板，對於貼銅積層板調查藥液浸蝕量。首先，將附載體銅箔之極薄銅層積層於預浸體(三菱瓦斯化學股份有限公司製，FR-4)，於185℃加壓90分鐘。以Sha切斷機切斷如此所得之貼銅積層板之端面。使用過錳酸鈉溶液對切斷之貼銅積層板實施去膠渣處理。

該去膠渣處理使用羅門哈斯電子材料股份有限公司之以下所示之處理液，藉由依序進行以下各處理而實施。

[膨潤處理]

-處理液：CIRCUPOSIT MLB CONDITIONER 211- 120mL/L及CIRCUPOSIT Z-100mL/L

-處理條件：於75℃浸漬5分鐘

[過錳酸處理]

-處理液：CIRCUPOSIT MLB PROMOTOR 213A-110mL/L及CIRCUPOSIT MLB PROMOTOR 213B-150mL/L

-處理條件：於80℃浸漬5分鐘

[中和處理]

-處理液：CIRCUPOSIT MLB NEUTRALIZER 216-2-200mL/L

-處理條件：於45℃浸漬5分鐘

隨後，自貼銅積層板剝離載體，以顯微鏡觀察而測定極薄銅層表面之浸蝕量。由於極薄銅層表面之侵入過錳酸鈉溶液之區域變色，故上述浸蝕量之測定係藉由測量極薄銅層表面之變色區域之距離極薄銅層端部之最大到達距離而進行。結果彙總示於表2。

<極薄銅層破裂>

使用附載體銅箔製作貼銅積層板，調查因載體剝離之極薄銅層破裂程度。首先，將附載體銅箔之極薄銅層積層於預浸體(三菱瓦斯化學股份有限公司製，FR-4)，於185℃加壓90分鐘。自如此所得之貼銅積層板剝離載體。於暗室對極薄銅層照射背光，測量長度5μm以上之極薄銅層之破裂個數，換算為每1m²之個數。結果彙總示於表2。

<埋入電路之配線圖型之缺陷/凹陷評價>

欲調查起因於上述極薄銅層破裂之無芯支撐體表面之配線圖型(亦即作為增層配線之埋入電路)之過蝕刻，使用埋入電路形成法如以下進行樣品製作及評價。

於4片預浸體(三菱瓦斯化學股份有限公司製，FR-4)上積層附載體銅箔之載體，於185℃加壓90分鐘。隨後，以厚度15μm之光阻劑形成線/間隔(L/S)為12μm/12μm之配線圖型區域(大小10mm□×20零件)，藉由硫酸銅鍍敷液以12μm之厚度形成銅電鍍。再者，使用光阻劑剝離液，於45℃進行5分鐘之光阻劑剝離，形成銅鍍敷圖型。其次，積層一片預浸體(三菱瓦斯化學股份有限公司製，FR-4)，於185℃加壓90分鐘，形成增層之層。隨後，玻璃上述無芯支撐體獲得增層配線板。對於露出於該增層配線板表面之極薄銅層，淋洗噴霧硫酸/過氧化氫水溶液，蝕刻去除極薄銅層。藉由200倍之顯微鏡觀察如此埋入於增層之層中之電路，而計算發生配線圖型之缺陷/凹陷之零件發生率。結果彙總示於表2。

結果

針對例1~7所得之評價結果彙總示於表2。

由表2所示之結果，藉由使用載體之剝離層側之面之Wc×Pc為20~50μm之範圍內之附載體銅箔，有意義地減低藥液浸蝕量且減低極薄銅層破裂，藉此亦有意義地減低埋入電路之配線圖型不良。

10‧‧‧附載體銅箔

12‧‧‧載體

14‧‧‧剝離層

16‧‧‧極薄銅層

18‧‧‧無芯支撐體

20‧‧‧光阻劑圖型

22‧‧‧圖型鍍敷

24‧‧‧配線圖型

26‧‧‧第1配線層

Claims

一種方法，其係印刷配線板之製造方法，其特徵係包含下述步驟：準備附載體銅箔之步驟，該附載體銅箔係依序具備載體、剝離層及極薄銅箔，且前述載體之前述剝離層側之面中，依據B0601-2001測定之起伏曲線要件之平均高度Wc與峰計數Pc之乘積的Wc×Pc為20~50μm者，於前述載體或極薄銅層之上形成增層配線層而製作附增層配線層之積層體之步驟，將前述附增層配線層之積層體於前述剝離層分離而得含前述增層配線層之多層配線板之步驟，及加工前述多層配線層而得印刷配線板之步驟。
如請求項1之方法，其於前述增層配線層形成前，進而包含將前述附載體銅箔積層於支撐體之單面或兩面而形成積層體之步驟。
如請求項1或2之方法，其中於前述載體之前述剝離層側之面中，前述Wc為0.5~1.0μm。
如請求項1或2之方法，其中於前述載體之前述剝離層側之面中，前述Pc為22~65。
如請求項1或2之方法，其中於前述載體之前述剝離層側之面中，依據JIS B0601-1994所測定之十點平均粗糙度Rz為1.5~6.5μm。
如請求項1或2之方法，其中於前述載體之前述剝離層側之面中，前述Wc×Pc為26~30μm。
如請求項1或2之方法，其中形成前述增層配線層之步驟包含使用鉻酸鹽溶液及過錳酸鹽溶液之至少一者之去膠渣步驟。