JPWO2017073121A1 - プリント配線板の製造方法 - Google Patents
プリント配線板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2017073121A1 JPWO2017073121A1 JP2016565523A JP2016565523A JPWO2017073121A1 JP WO2017073121 A1 JPWO2017073121 A1 JP WO2017073121A1 JP 2016565523 A JP2016565523 A JP 2016565523A JP 2016565523 A JP2016565523 A JP 2016565523A JP WO2017073121 A1 JPWO2017073121 A1 JP WO2017073121A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- carrier
- wiring board
- build
- ultrathin copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 107
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 186
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 127
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 127
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 13
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 38
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 18
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 262
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 49
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 33
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 17
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 7
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N nickel zinc Chemical compound [Ni].[Zn] QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- -1 nitrogen-containing organic compounds Chemical class 0.000 description 7
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 7
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 7
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 3-amino-2-(4-chlorophenyl)-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(CN)C1=CC=C(Cl)C=C1 JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010042674 Swelling Diseases 0.000 description 2
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- BQJTUDIVKSVBDU-UHFFFAOYSA-L copper;sulfuric acid;sulfate Chemical compound [Cu+2].OS(O)(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O BQJTUDIVKSVBDU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZUHEGMJQWJCFQ-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(2h-benzotriazol-4-ylmethyl)urea Chemical compound C1=CC2=NNN=C2C(CN(CC=2C3=NNN=C3C=CC=2)C(=O)N)=C1 AZUHEGMJQWJCFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYADHXFMURLYQI-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazine Chemical compound C1=CN=NC=N1 FYADHXFMURLYQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZRRRFSJFQTGGB-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazinane-2,4,6-trithione Chemical compound S=C1NC(=S)NC(=S)N1 WZRRRFSJFQTGGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical compound C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLOKJRIVRGCVIM-UHFFFAOYSA-N 1-[(4-methylsulfanylphenyl)methyl]piperazine Chemical group C1=CC(SC)=CC=C1CN1CCNCC1 QLOKJRIVRGCVIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDDUSDYMEXVQNJ-UHFFFAOYSA-N 1H-imidazole silane Chemical compound [SiH4].N1C=NC=C1 ZDDUSDYMEXVQNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical compound NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- PPTYNCJKYCGKEA-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-phenyl-prop-2-enoxysilane Chemical compound C=CCO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 PPTYNCJKYCGKEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- WIBQWGGMNZFKOE-UHFFFAOYSA-N silane N-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound [SiH4].C1(=CC=CC=C1)NCCC[Si](OC)(OC)OC WIBQWGGMNZFKOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N sulfanyl Chemical class [SH] PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J tetrapotassium;phosphonato phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- VMYXFDVIMUEKNP-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[5-(oxiran-2-yl)pentyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCCC1CO1 VMYXFDVIMUEKNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/007—Manufacture or processing of a substrate for a printed circuit board supported by a temporary or sacrificial carrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Description
キャリア、剥離層及び極薄銅層をこの順に備えたキャリア付銅箔であって、前記キャリアの前記剥離層側の面において、JIS B0601−2001に準拠して測定されるうねり曲線要素の平均高さWcとピークカウントPcの積であるWc×Pcが20〜50μmである、キャリア付銅箔を用意する工程と、
前記キャリア又は前記極薄銅層の上にビルドアップ配線層を形成してビルドアップ配線層付積層体を作製する工程と、
前記ビルドアップ配線層付積層体を前記剥離層で分離して前記ビルドアップ配線層を含む多層配線板を得る工程と、
前記多層配線板を加工してプリント配線板を得る工程と、
を含む、方法が提供される。
本発明を特定するために用いられるパラメータの定義を以下に示す。
本発明は、プリント配線板の製造方法に関する。本発明の方法は、(1)所定の表面プロファイルを有するキャリア付銅箔を用意する工程と、(2)コアレスビルドアップ法によるプリント配線板の製造プロセスとを含む。そして、コアレスビルドアップ法によるプリント配線板の製造プロセスは、(2a)キャリア又は極薄銅層の上にビルドアップ配線層を形成する工程と、(2b)得られた積層体を剥離層で分離する工程と、(2c)得られた多層配線板を加工する工程とを含む。
本発明の方法では、所定の表面プロファイルを有するキャリア付銅箔を用意する。キャリア付銅箔は、キャリア、剥離層及び極薄銅層をこの順に備える。特に、本発明に用いるキャリア付銅箔は、キャリアの剥離層側の面において、うねり曲線要素の平均高さWcとピークカウントPcの積であるWc×Pcが20〜50μmである。キャリアの剥離層側の面においてWc×Pcが20〜50μmの範囲内であるキャリア付銅箔を用いてコアレスビルドアップ法によるプリント配線板の製造を行うことにより、特許文献2で行われるようなキャリア付銅箔のエリア加工やプリプレグのサイズ制御を要することなく、ビルドアップ配線層の形成工程におけるキャリアと極薄銅層との間の界面への薬液の侵入を有意に防ぐことができる。その上、コアレス支持体の分離工程において極薄銅層の部分的な破れ及びそれにより生じる不具合(例えば、極薄銅層のキャリアへの部分残渣や、極薄銅層におけるピンホール発生及びそれに起因する配線のオーバーエッチング)を有意に抑制することもできる。
本発明の方法におけるプリント配線板の製造は、上記キャリア付銅箔を用いたコアレスビルドアップ法により行われる。コアレスビルドアップ法の好ましい態様としては、埋め込み回路形成法と、キャリア/サブトラクティブ加工法等が挙げられる。各方法は具体的には以下のとおりである。
キャリア12又は極薄銅層16の上にビルドアップ配線層42を形成してビルドアップ配線層付積層体を作製する。図1A及び1Bに示されるような埋め込み回路形成法の場合には、ビルドアップ配線層42は極薄銅層16の上に形成される。例えば、極薄銅層16上に既に形成されている第1配線層26に加え、絶縁層28及び第2配線層38が順に形成されてビルドアップ配線層42とされうる。第2配線層38以降のビルドアップ層の形成方法についての工法は特に限定されず、サブトラクティブ法、MSAP(モディファイド・セミ・アディティブ・プロセス)法、SAP(セミアディティブ)法、フルアディティブ法等が使用可能である。例えば、樹脂層及び銅箔に代表される金属箔を同時にプレス加工で張り合わせる場合は、ビアホール形成及びパネルめっき等の層間導通手段の形成と組み合わせて、当該パネルめっき層及び金属箔をエッチング加工して、配線パターンを形成することができる。また、極薄銅層16の表面に樹脂層のみをプレス又はラミネート加工により張り合わせる場合は、その表面にセミアディティブ法で配線パターンを形成することもできる。一方、図2A及び2Bに示されるようなキャリア/サブトラクティブ加工法の場合には、ビルドアップ配線層42はキャリア12の上に形成される。例えば、キャリア12上に絶縁層28及び第2配線層38が順に形成されてビルドアップ配線層42とされうる。
ビルドアップ配線層付積層体を剥離層14で分離してビルドアップ配線層42を含む多層配線板44を得る。この分離は、極薄銅層16及び/又はキャリア12を引き剥がすことにより行うことができる。
多層配線板44を加工してプリント配線板46を得る。この工程では、上記分離工程により得られた多層配線板44を用いて、所望の多層プリント配線板に加工する。多層配線板44から多層プリント配線板46への加工方法は公知の種々の方法を採用すればよい。例えば、多層配線板44の外層にあるキャリア12又は極薄銅層16をエッチングして外層回路配線を形成して、多層プリント配線板を得ることができる。また、多層配線板44の外層にあるキャリア12又は極薄銅層16を、完全にエッチング除去し、そのままの状態で多層プリント配線板46として使用することもできる。また、多層配線板44の外層にあるキャリア12又は極薄銅層16の外表面にフォトレジスト層を形成して電解銅めっきを行い、フォトレジストを剥離した後、キャリア12又は極薄銅層16をフラッシュエッチングする等のセミアディティブ法等で外層回路を直接形成する等して多層プリント配線板とすることも可能である。さらに、多層配線板44の外層にあるキャリア12又は極薄銅層16を、完全にエッチング除去するとともに第1配線層26をソフトエッチングすることで、凹部の形成された第1配線層26を得て、これを実装用のパッドとなすことも可能である。
キャリアの析出面側に剥離層及び極薄銅層を順に形成した後、防錆処理及びシランカップリング剤処理を行うことで、キャリア付銅箔を作製した。そして、得られたキャリア付銅箔について各種評価を行った。具体的な手順は以下のとおりである。
陰極に算術平均粗さRa(JIS B0601−2001に準拠)が0.20μmのチタン製の回転電極を用い、陽極にはDSA(寸法安定性陽極)を用い、銅電解液として以下の表1に示される組成の硫酸酸性硫酸銅溶液を用いて表1に示される条件で電解製箔を行い、表1に示される厚さの電解銅箔をキャリアとして得た。
酸洗処理されたキャリアの析出面を、CBTA(カルボキシベンゾトリアゾール)濃度1g/L、硫酸濃度150g/L及び銅濃度10g/LのCBTA水溶液に、液温30℃で30秒間浸漬し、CBTA成分をキャリアの電極面に吸着させた。こうして、キャリアの電極面にCBTA層を有機剥離層として形成した。この有機剥離層は、面積重量換算法で測定したところ、厚さは8nmであった。
有機剥離層が形成されたキャリアを、硫酸ニッケルを用いて作製されたニッケル濃度20g/Lを含む溶液に浸漬して、液温45℃、pH3、電流密度5A/dm2の条件で、厚さ0.01μm相当の付着量のニッケルを有機剥離層上に付着させた。こうして有機剥離層上にニッケル層を補助金属層として形成した。
補助金属層が形成されたキャリアを、以下に示される組成の銅溶液に浸漬して、溶液温度50℃、電流密度5〜30A/dm2で電解し、厚さ3μmの極薄銅層を補助金属層上に形成した。
<溶液の組成>
‐ 銅濃度:60g/L
‐ 硫酸濃度:200g/L
こうして形成された極薄銅層の表面に粗化処理を行った。この粗化処理は、極薄銅層の上に微細銅粒を析出付着させる焼けめっき工程と、この微細銅粒の脱落を防止するための被せめっき工程とから構成される。焼けめっき工程では、銅濃度10g/L及び硫酸濃度120g/Lを含む酸性硫酸銅溶液を用いて、液温25℃、電流密度15A/dm2で粗化処理を行った。その後の被せめっき工程では、銅濃度70g/L及び硫酸濃度120g/Lを含む酸性硫酸銅溶液を用いて、液温40℃及び電流密度15A/dm2の平滑めっき条件で電着を行った。
得られたキャリア付銅箔の粗化処理層の表面に、亜鉛−ニッケル合金めっき処理及びクロメート処理からなる防錆処理を行った。まず、亜鉛濃度0.2g/L、ニッケル濃度2g/L及びピロリン酸カリウム濃度300g/Lの電解液を用い、液温40℃、電流密度0.5A/dm2の条件で、粗化処理層及びキャリアの表面に亜鉛−ニッケル合金めっき処理を行った。次いで、クロム酸3g/L水溶液を用い、pH10、電流密度5A/dm2の条件で、亜鉛−ニッケル合金めっき処理を行った表面にクロメート処理を行った。
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン2g/L含む水溶液をキャリア付銅箔の極薄銅層側の表面に吸着させ、電熱器により水分を蒸発させることにより、シランカップリング剤処理を行った。このとき、シランカップリング剤処理はキャリア側には行わなかった。
こうして得られたキャリア付銅箔について、各種特性の評価を以下のとおり行った。
キャリア付銅箔からキャリアを引き剥がし、表面粗さ測定器(SE3500、株式会社小坂研究所製)を用いて、キャリアの剥離層側の面における、ピークカウントPc、うねり曲線要素の平均高さWc、及び十点平均粗さRzを以下の諸条件にて測定した。結果は表2に示されるとおりであった。
[ピークカウントPc]
‐ 準拠規格:JIS B0601−2001(ISO 4287−1997)
‐ カットオフ値:0.8mm
‐ 評価長さ:0.8mm
[平均高さWc]
‐ 準拠規格:JIS B0601−2001(ISO 4287−1997)
‐ カットオフ値:fh 0.8mm/fl 8.0mm
‐ 評価長さ:16mm
[十点平均粗さRz]
‐ 準拠規格:JIS B0601−1994
‐ カットオフ値:0.8mm
‐ 評価長さ:0.8mm
キャリア付銅箔を用いて銅張積層板を作製し、銅張積層板に対する薬液浸食量を調べた。まず、キャリア付銅箔の極薄銅層をプリプレグ(三菱瓦斯化学株式会社製、FR−4)に積層して185℃で90分間プレスした。こうして得られた銅張積層板の端面をシャー切断機で切断した。切断された銅張積層板に対して過マンガン酸ナトリウム溶液を用いたデスミア処理を実施した。
[膨潤処理]
‐ 処理液:サーキュポジットMLBコンディショナー211‐120mL/L、及びサーキュポジットZ‐100mL/L
‐ 処理条件:75℃で5分間浸漬
[過マンガン酸処理]
‐ 処理液:サーキュポジットMLBプロモーター213A‐110mL/L、及びサーキュポジットMLBプロモーター213B‐150mL/L
‐ 処理条件:80℃で5分間浸漬
[中和処理]
‐ 処理液:サーキュポジットMLBニュートラライザー216−2‐200mL/L
‐ 処理条件:45℃で5分間浸漬
キャリア付銅箔を用いて銅張積層板を作製し、キャリアの剥離による極薄銅層破れの程度を調べた。まず、キャリア付銅箔の極薄銅層をプリプレグ(三菱瓦斯化学株式会社製、FR−4)に積層して185℃で90分間プレスした。こうして得られた銅張積層板からキャリアを剥離した。暗室にて極薄銅層にバックライトを照射して、長さ5μm以上の極薄銅層の破れの個数を計測して、1m2当たりの個数に換算した。結果は表2に示されるとおりであった。
上記極薄銅層破れに起因するコアレス支持体表面の配線パターン(すなわちビルドアップ配線としての埋込み回路)のオーバーエッチングを調べるべく、埋め込み回路形成法を用いてサンプルの作成及び評価を以下のとおり行った。
例1〜7において得られた評価結果は表2に示されるとおりであった。
Claims (7)
- プリント配線板の製造方法であって、
キャリア、剥離層及び極薄銅層をこの順に備えたキャリア付銅箔であって、前記キャリアの前記剥離層側の面において、JIS B0601−2001に準拠して測定されるうねり曲線要素の平均高さWcとピークカウントPcの積であるWc×Pcが20〜50μmである、キャリア付銅箔を用意する工程と、
前記キャリア又は前記極薄銅層の上にビルドアップ配線層を形成してビルドアップ配線層付積層体を作製する工程と、
前記ビルドアップ配線層付積層体を前記剥離層で分離して前記ビルドアップ配線層を含む多層配線板を得る工程と、
前記多層配線板を加工してプリント配線板を得る工程と、
を含む、方法。 - 前記ビルドアップ配線層の形成前に、前記キャリア付銅箔を支持体の片面又は両面に積層して積層体を形成する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記キャリアの前記剥離層側の面において、前記Wcが0.5〜1.0μmである、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記キャリアの前記剥離層側の面において、前記Pcが22〜65である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記キャリアの前記剥離層側の面において、JIS B0601−1994に準拠して測定される十点平均粗さRzが1.5〜6.5μmである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記キャリアの前記剥離層側の面において、前記Wc×Pcが26〜30μmである、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ビルドアップ配線層を形成する工程が、クロム酸塩溶液及び過マンガン酸塩溶液の少なくともいずれか一方を用いたデスミア工程を含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015211741 | 2015-10-28 | ||
JP2015211741 | 2015-10-28 | ||
PCT/JP2016/071073 WO2017073121A1 (ja) | 2015-10-28 | 2016-07-15 | プリント配線板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6131395B1 JP6131395B1 (ja) | 2017-05-17 |
JPWO2017073121A1 true JPWO2017073121A1 (ja) | 2017-10-26 |
Family
ID=58630112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016565523A Active JP6131395B1 (ja) | 2015-10-28 | 2016-07-15 | プリント配線板の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6131395B1 (ja) |
KR (1) | KR102039844B1 (ja) |
CN (1) | CN108029202B (ja) |
TW (1) | TWI626873B (ja) |
WO (1) | WO2017073121A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109951969B (zh) * | 2017-12-21 | 2021-06-29 | 台郡科技股份有限公司 | 薄型化埋入式线路卷式制造方法 |
CN110876239B (zh) * | 2018-08-31 | 2022-01-11 | 庆鼎精密电子(淮安)有限公司 | 电路板及其制作方法 |
JP2020077811A (ja) * | 2018-11-09 | 2020-05-21 | 住友ベークライト株式会社 | 犠牲基板およびコアレス基板の製造方法 |
CN114874296B (zh) * | 2022-04-30 | 2023-09-08 | 浙江工商大学 | 抗耐药性金黄色葡萄球菌的细菌素的分离纯化方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4273895B2 (ja) | 2003-09-24 | 2009-06-03 | 日立化成工業株式会社 | 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法 |
WO2007105435A1 (ja) | 2006-03-02 | 2007-09-20 | Advantest Corporation | 移動装置及び電子部品試験装置 |
TW200738913A (en) * | 2006-03-10 | 2007-10-16 | Mitsui Mining & Smelting Co | Surface treated elctrolytic copper foil and process for producing the same |
JP2014130856A (ja) | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板の製造方法 |
JP2014208484A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-11-06 | Jx日鉱日石金属株式会社 | キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法 |
MY182166A (en) * | 2013-09-20 | 2021-01-18 | Namics Corp | Copper foil, copper foil with carrier foil, and copper-clad laminate |
TWI592066B (zh) * | 2014-04-02 | 2017-07-11 | Mitsui Mining & Smelting Co | Carrier copper foil, method for producing the carrier copper foil, copper-clad laminate obtained by using the carrier copper foil, and printed circuit board |
JP6149016B2 (ja) * | 2014-05-09 | 2017-06-14 | Jx金属株式会社 | キャリア付銅箔、銅張積層板の製造方法、電子機器の製造方法、キャリア付銅箔の製造方法、及び、プリント配線板の製造方法 |
-
2016
- 2016-07-15 KR KR1020187007215A patent/KR102039844B1/ko active IP Right Grant
- 2016-07-15 CN CN201680053342.7A patent/CN108029202B/zh active Active
- 2016-07-15 WO PCT/JP2016/071073 patent/WO2017073121A1/ja active Application Filing
- 2016-07-15 JP JP2016565523A patent/JP6131395B1/ja active Active
- 2016-07-28 TW TW105123902A patent/TWI626873B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6131395B1 (ja) | 2017-05-17 |
KR20180041167A (ko) | 2018-04-23 |
WO2017073121A1 (ja) | 2017-05-04 |
TW201720261A (zh) | 2017-06-01 |
TWI626873B (zh) | 2018-06-11 |
CN108029202A (zh) | 2018-05-11 |
CN108029202B (zh) | 2020-01-21 |
KR102039844B1 (ko) | 2019-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102480377B1 (ko) | 조화 처리 구리박, 캐리어 구비 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판 | |
JP6529640B2 (ja) | キャリア付極薄銅箔及びその製造方法 | |
CN107923047B (zh) | 粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板 | |
JP7453154B2 (ja) | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 | |
CN108702847B (zh) | 印刷电路板制造用铜箔、带载体的铜箔和覆铜层叠板、以及使用它们的印刷电路板的制造方法 | |
JP6131395B1 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
WO2018211951A1 (ja) | 粗化処理銅箔、キャリア付銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 | |
WO2019188712A1 (ja) | 粗化処理銅箔、キャリア付銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 | |
JPWO2016143484A1 (ja) | キャリア付き金属箔及び配線基板の製造方法 | |
JP6836579B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JP6975845B2 (ja) | 表面処理銅箔、銅張積層板、及びプリント配線板の製造方法 | |
WO2016152390A1 (ja) | キャリア付極薄銅箔、その製造方法、銅張積層板及びプリント配線板 | |
WO2020195748A1 (ja) | プリント配線板用金属箔、キャリア付金属箔及び金属張積層板、並びにそれらを用いたプリント配線板の製造方法 | |
JP6329727B2 (ja) | キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板、及び、プリント配線板の製造方法 | |
KR20230159393A (ko) | 캐리어 구비 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판 | |
KR20140048357A (ko) | 레이저 가공용 동박, 이를 채용한 동부착적층판 및 상기 동박의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170328 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170417 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6131395 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |